JP2002184698A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リフトオフ法によりパターニングされた電極
を形成するにあたり、ウェハーに対する電極の密着性に
優れ、形成精度の高い電極を容易に得ることができる、
電子部品の製造方法を提供する。 【解決手段】 フォトレジストパターンが形成されたウ
ェハー１に、酸素プラズマ処理を施し、ウェハー及びフ
ォトレジスト上に金属膜を形成し、リフトオフ法金属膜
を部分的に除去することにより電極が形成される製造方
法において、真空状態でウェハー１にプラズマ放電用ア
ンテナ７からの放電により、プラズマを形成してイオン
クリーニングを施し、しかる後連続してかつ大気にさら
すことなくフォトレジストパターン形成時の加熱温度よ
りも低い温度にウェハー１を保持した状態で真空蒸着法
により金属膜の形成が行われる、電子部品の製造方法。
を形成するにあたり、ウェハーに対する電極の密着性に
優れ、形成精度の高い電極を容易に得ることができる、
電子部品の製造方法を提供する。 【解決手段】 フォトレジストパターンが形成されたウ
ェハー１に、酸素プラズマ処理を施し、ウェハー及びフ
ォトレジスト上に金属膜を形成し、リフトオフ法金属膜
を部分的に除去することにより電極が形成される製造方
法において、真空状態でウェハー１にプラズマ放電用ア
ンテナ７からの放電により、プラズマを形成してイオン
クリーニングを施し、しかる後連続してかつ大気にさら
すことなくフォトレジストパターン形成時の加熱温度よ
りも低い温度にウェハー１を保持した状態で真空蒸着法
により金属膜の形成が行われる、電子部品の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば表面波装置
などの電子部品の製造方法に関し、より詳細には、ウェ
ハー上にリフトオフ法により電極が形成される工程を備
えた電子部品の製造方法に関する。
などの電子部品の製造方法に関し、より詳細には、ウェ
ハー上にリフトオフ法により電極が形成される工程を備
えた電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面波装置などの電子部品の製造に際し
ては、量産性を高めるために、マザーのウェハー上に複
数の電子部品の電極パターンが形成された後、ウェハー
が個々の電子部品に分割されている。電極のパターニン
グを行うために、フォトレジストを用いた方法が広く利
用されている。
ては、量産性を高めるために、マザーのウェハー上に複
数の電子部品の電極パターンが形成された後、ウェハー
が個々の電子部品に分割されている。電極のパターニン
グを行うために、フォトレジストを用いた方法が広く利
用されている。
【０００３】特開平９−１８５１７４号公報には、この
種のウェハーにおける金属膜のパターニング方法の一例
が開示されている。ここでは、ウェハー上に全面にフォ
トレジストが形成され、次に露光・現像が行われ、フォ
トレジストがパターニングされる。ここで、パターニン
グされたフォトレジストは、断面において上方に行く程
幅が広がるような逆台形の形状を有するように構成され
ている。
種のウェハーにおける金属膜のパターニング方法の一例
が開示されている。ここでは、ウェハー上に全面にフォ
トレジストが形成され、次に露光・現像が行われ、フォ
トレジストがパターニングされる。ここで、パターニン
グされたフォトレジストは、断面において上方に行く程
幅が広がるような逆台形の形状を有するように構成され
ている。
【０００４】次に、金属膜の成膜前にレジスト残渣を除
去するために酸素プラズマ処理が施される。さらに、酸
素プラズマ処理後に、Ａｌなどの金属膜が蒸着もしくは
スパッタにより形成される。しかる後、アセトンなどの
溶剤を用いて、リフトオフ法によりフォトレジストとフ
ォトレジスト上の金属膜が除去されて、電極が形成され
ている。
去するために酸素プラズマ処理が施される。さらに、酸
素プラズマ処理後に、Ａｌなどの金属膜が蒸着もしくは
スパッタにより形成される。しかる後、アセトンなどの
溶剤を用いて、リフトオフ法によりフォトレジストとフ
ォトレジスト上の金属膜が除去されて、電極が形成され
ている。
【０００５】一般に、リフトオフ法において金属膜をパ
ターニングする場合、フォトレジストの側面に金属膜が
付着すると、フォトレジストをリフトオフ法により除去
した際に、フォトレジスト側面に付着していた金属膜部
分が平滑にならず、電極膜側面がぎざぎざになる現象が
生じる。従って、表面波装置などの電子部品の電気的特
性のばらつきが大きくなり、歩留りが低下する。
ターニングする場合、フォトレジストの側面に金属膜が
付着すると、フォトレジストをリフトオフ法により除去
した際に、フォトレジスト側面に付着していた金属膜部
分が平滑にならず、電極膜側面がぎざぎざになる現象が
生じる。従って、表面波装置などの電子部品の電気的特
性のばらつきが大きくなり、歩留りが低下する。
【０００６】特開平９−１８５１７４号公報に記載の先
行技術では、このような問題を解決するために逆台形の
横断面を有するフォトレジストが形成されるようにフォ
トレジストがパターニングされている。また、特開平８
−１２０４４３号公報では、さらに、横断面が逆台形状
のフォトレジストを形成した後に、成膜に際しウェハー
面にほぼ９０度の入射角で蒸着粒子を入射させる方法が
開示されている。
行技術では、このような問題を解決するために逆台形の
横断面を有するフォトレジストが形成されるようにフォ
トレジストがパターニングされている。また、特開平８
−１２０４４３号公報では、さらに、横断面が逆台形状
のフォトレジストを形成した後に、成膜に際しウェハー
面にほぼ９０度の入射角で蒸着粒子を入射させる方法が
開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
蒸着法では、スパッタリング法に比べて、入射粒子の運
動エネルギーが一桁以上小さいので、基板と最終的に成
膜された金属膜の密着性が十分でなかった。
蒸着法では、スパッタリング法に比べて、入射粒子の運
動エネルギーが一桁以上小さいので、基板と最終的に成
膜された金属膜の密着性が十分でなかった。
【０００８】加えて、特開平９−１８５１７４号公報に
記載のように、成膜に先立ち、酸素プラズマによりウェ
ハーをクリーニングしたとしても、ウェハーを成膜室に
移動させる際にウェハーが一旦大気にさらされる。従っ
て、大気にさらされた際に、レジストから発生する汚染
物質により基板が汚染されるだけでなく、大気中の水分
やその他の汚染物質がウェハーに付着し、成膜された金
属膜とウェハーとの密着性が悪化していた。
記載のように、成膜に先立ち、酸素プラズマによりウェ
ハーをクリーニングしたとしても、ウェハーを成膜室に
移動させる際にウェハーが一旦大気にさらされる。従っ
て、大気にさらされた際に、レジストから発生する汚染
物質により基板が汚染されるだけでなく、大気中の水分
やその他の汚染物質がウェハーに付着し、成膜された金
属膜とウェハーとの密着性が悪化していた。
【０００９】なお、水分は、成膜時にウェハーを加熱す
ることにより除去され得る。しかしながら、リフトオフ
法を用いて成膜する場合、ウェハーの温度をレジスト形
成工程時の温度よりも高くすると、ウェハーからガスが
放出され、ウェハーが汚染されることになる。従って、
やはり金属膜とウェハーとの密着性が低下する。さら
に、パターニングされたフォトレジスト自体が熱により
変形することもある。
ることにより除去され得る。しかしながら、リフトオフ
法を用いて成膜する場合、ウェハーの温度をレジスト形
成工程時の温度よりも高くすると、ウェハーからガスが
放出され、ウェハーが汚染されることになる。従って、
やはり金属膜とウェハーとの密着性が低下する。さら
に、パターニングされたフォトレジスト自体が熱により
変形することもある。
【００１０】加えて、ウェハーが焼燃性を有する材料、
例えばＬｉＴａＯ3 またはＬｉＮｂＯ3 などからなる場
合には、ウェハーを加熱した際や冷却した際の温度変化
により、ウェハーが帯電する。そのため、ウェハーが金
属ホルダーにより支持されている場合などにおいては、
ウェハーと金属ホルダーとが付着し、ウェハーに割れが
多発するという問題が生じる。従って、リフトオフ法に
より成膜する場合、金属膜の金属膜形成工程においてウ
ェハーを高温に加熱することは有効ではなかった。
例えばＬｉＴａＯ3 またはＬｉＮｂＯ3 などからなる場
合には、ウェハーを加熱した際や冷却した際の温度変化
により、ウェハーが帯電する。そのため、ウェハーが金
属ホルダーにより支持されている場合などにおいては、
ウェハーと金属ホルダーとが付着し、ウェハーに割れが
多発するという問題が生じる。従って、リフトオフ法に
より成膜する場合、金属膜の金属膜形成工程においてウ
ェハーを高温に加熱することは有効ではなかった。
【００１１】本発明の目的は、上述した先行技術の現状
に鑑み、ウェハーの汚染を抑制することができ、金属膜
のウェハーに対する密着性が高められる、リフトオフ法
を用いた金属膜形成工程を備える電子部品の製造方法を
提供することにある。
に鑑み、ウェハーの汚染を抑制することができ、金属膜
のウェハーに対する密着性が高められる、リフトオフ法
を用いた金属膜形成工程を備える電子部品の製造方法を
提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明は、ウ
ェハー上にパターニングされたフォトレジストを形成す
る工程と、レジスト残渣を除去するために酸素プラズマ
処理を行う工程と、前記ウェハー及びフォトレジスト上
に金属膜を形成する工程と、リフトオフ法によりフォト
レジストとフォトレジスト上の金属膜を除去することに
より電極を形成する工程とを備える電子部品の製造方法
において、前記金属膜を形成する工程が、真空状態でウ
ェハーにイオンクリーニングを施した後、連続してかつ
大気にさらすことなく、パターニングされたフォトレジ
スト形成工程の加熱温度よりも低い温度にウェハーを保
持した状態で真空蒸着法により金属膜を成膜することに
より行われることを特徴とする。
ェハー上にパターニングされたフォトレジストを形成す
る工程と、レジスト残渣を除去するために酸素プラズマ
処理を行う工程と、前記ウェハー及びフォトレジスト上
に金属膜を形成する工程と、リフトオフ法によりフォト
レジストとフォトレジスト上の金属膜を除去することに
より電極を形成する工程とを備える電子部品の製造方法
において、前記金属膜を形成する工程が、真空状態でウ
ェハーにイオンクリーニングを施した後、連続してかつ
大気にさらすことなく、パターニングされたフォトレジ
スト形成工程の加熱温度よりも低い温度にウェハーを保
持した状態で真空蒸着法により金属膜を成膜することに
より行われることを特徴とする。
【００１３】第２の発明は、ウェハー上にパターニング
されたフォトレジストを形成する工程と、前記ウェハー
及びフォトレジスト上に金属膜を形成する工程と、リフ
トオフ法によりフォトレジストとフォトレジスト上の金
属膜を除去することにより電極を形成する工程とを備え
る電子部品の製造方法において、前記金属膜を形成する
工程が、真空状態でウェハーに酸素プラズマ処理を施し
た後、連続してかつ大気にさらすことなく、パターニン
グされたフォトレジスト形成時の加熱温度よりも低い温
度にウェハーを保持した状態で真空蒸着法により金属膜
を成膜することにより行われることを特徴とする。
されたフォトレジストを形成する工程と、前記ウェハー
及びフォトレジスト上に金属膜を形成する工程と、リフ
トオフ法によりフォトレジストとフォトレジスト上の金
属膜を除去することにより電極を形成する工程とを備え
る電子部品の製造方法において、前記金属膜を形成する
工程が、真空状態でウェハーに酸素プラズマ処理を施し
た後、連続してかつ大気にさらすことなく、パターニン
グされたフォトレジスト形成時の加熱温度よりも低い温
度にウェハーを保持した状態で真空蒸着法により金属膜
を成膜することにより行われることを特徴とする。
【００１４】すなわち、第１，第２の発明は、リフトオ
フ法によりパターニングされた金属膜を形成するにあた
り、真空状態でウェハーを洗浄した後、連続してかつ大
気にさらすことなく真空蒸着法により金属膜が成膜され
ることにおいて共通する。従って、第１の発明ではイオ
ンクリーニングにより、第２の発明では酸素プラズマ処
理により洗浄されたウェハーに大気中の汚染物質が付着
することなく、真空蒸着法により金属膜の形成が行われ
るため、金属膜とウェハーとの密着性が高められる。
フ法によりパターニングされた金属膜を形成するにあた
り、真空状態でウェハーを洗浄した後、連続してかつ大
気にさらすことなく真空蒸着法により金属膜が成膜され
ることにおいて共通する。従って、第１の発明ではイオ
ンクリーニングにより、第２の発明では酸素プラズマ処
理により洗浄されたウェハーに大気中の汚染物質が付着
することなく、真空蒸着法により金属膜の形成が行われ
るため、金属膜とウェハーとの密着性が高められる。
【００１５】なお、第１の発明においては、最初の酸素
プラズマ処理によりレジスト残渣が除去され、次に金属
膜の成膜に先立って、ウェハーを洗浄するためにイオン
クリーニングが行われる。イオンクリーニングに際して
は、特に限定されるわけではないが、アルゴン、酸素及
び窒素からなる群から選択された少なくとも１種のガス
により形成されるプラズマが用いられる。
プラズマ処理によりレジスト残渣が除去され、次に金属
膜の成膜に先立って、ウェハーを洗浄するためにイオン
クリーニングが行われる。イオンクリーニングに際して
は、特に限定されるわけではないが、アルゴン、酸素及
び窒素からなる群から選択された少なくとも１種のガス
により形成されるプラズマが用いられる。
【００１６】この場合、アルゴン、酸素及び窒素は目的
に応じて適宜選択されればよい。すなわち、アルゴンを
用いた場合フォトレジストの変形が少ない。従って、変
形し易いフォトレジスト材料を用いる場合アルゴンを用
いることが好ましい。また、酸素を用いた場合には、酸
素が化学反応により汚染物質を除去するように作用する
ので、ウェハーに与えるダメージを低減することができ
る。さらに、窒素は、アルゴンと酸素との中間的な性質
を有し、アルゴンに比べてイオンの物理的な衝撃力が弱
いので、ウェハーにダメージを与えるおそれが少ない。
に応じて適宜選択されればよい。すなわち、アルゴンを
用いた場合フォトレジストの変形が少ない。従って、変
形し易いフォトレジスト材料を用いる場合アルゴンを用
いることが好ましい。また、酸素を用いた場合には、酸
素が化学反応により汚染物質を除去するように作用する
ので、ウェハーに与えるダメージを低減することができ
る。さらに、窒素は、アルゴンと酸素との中間的な性質
を有し、アルゴンに比べてイオンの物理的な衝撃力が弱
いので、ウェハーにダメージを与えるおそれが少ない。
【００１７】なお、第２の発明においては、酸素プラズ
マ処理によってレジスト残渣の除去とウェハーの洗浄が
同時に行われる。第１の発明においては、金属膜を形成
するための成膜室に連続して真空状態の成膜予備室が備
えられている装置を用い、該成膜予備室内で上記イオン
クリーニングが施されてもよい。また、第２の発明にお
いては、金属膜を形成するための成膜室に連続して真空
状態の成膜予備室が備えられている装置を用い、該成膜
予備室内で上記酸素プラズマ処理が施されてもよい。こ
れらの場合には、成膜予備室から成膜室まで、ウェハー
を大気にさらすことなく移動することにより、イオンク
リーニングまたは酸素プラズマ処理後の大気中の汚染物
質からの汚染を確実に抑制することができる。
マ処理によってレジスト残渣の除去とウェハーの洗浄が
同時に行われる。第１の発明においては、金属膜を形成
するための成膜室に連続して真空状態の成膜予備室が備
えられている装置を用い、該成膜予備室内で上記イオン
クリーニングが施されてもよい。また、第２の発明にお
いては、金属膜を形成するための成膜室に連続して真空
状態の成膜予備室が備えられている装置を用い、該成膜
予備室内で上記酸素プラズマ処理が施されてもよい。こ
れらの場合には、成膜予備室から成膜室まで、ウェハー
を大気にさらすことなく移動することにより、イオンク
リーニングまたは酸素プラズマ処理後の大気中の汚染物
質からの汚染を確実に抑制することができる。
【００１８】もっとも、成膜室内においてイオンクリー
ニングまたは酸素プラズマ処理を施し、同じ成膜室内で
続けて金属膜の成膜を行ってもよい。その場合には、や
はりイオンクリーニングまたは酸素プラズマ処理後にウ
ェハーが大気にさらされることがないので、ウェハーの
大気中の汚染物質からの汚染を抑制することができる。
ニングまたは酸素プラズマ処理を施し、同じ成膜室内で
続けて金属膜の成膜を行ってもよい。その場合には、や
はりイオンクリーニングまたは酸素プラズマ処理後にウ
ェハーが大気にさらされることがないので、ウェハーの
大気中の汚染物質からの汚染を抑制することができる。
【００１９】本発明においてパターニングされたフォト
レジストを構成するためのフォトレジストはネガ型また
はポジ型のいずれであってもよい。本発明の特定の局面
では、前記ウェハーが圧電体からなり、前記電極が表面
波装置のインターデジタルトランスデューサ及び反射器
のうち少なくともインターデジタルトランスデューサで
あり、前記ウェハー上に複数の弾性表面波装置の電極構
造が構成される。
レジストを構成するためのフォトレジストはネガ型また
はポジ型のいずれであってもよい。本発明の特定の局面
では、前記ウェハーが圧電体からなり、前記電極が表面
波装置のインターデジタルトランスデューサ及び反射器
のうち少なくともインターデジタルトランスデューサで
あり、前記ウェハー上に複数の弾性表面波装置の電極構
造が構成される。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らか
にする。
具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らか
にする。
【００２１】（第１の実施例）本実施例では、図３
（ｄ）に示す電極３Ａが形成されるが、この電極３Ａ
は、弾性表面波装置のインターデジタルトランスデュー
サ（ＩＤＴ）を構成するものであり、本実施例ではウェ
ハー１上に複数の弾性表面波装置のＩＤＴが形成され
る。従って、最終的にウェハー１を分割することによ
り、複数の弾性表面波装置を形成することができる。
（ｄ）に示す電極３Ａが形成されるが、この電極３Ａ
は、弾性表面波装置のインターデジタルトランスデュー
サ（ＩＤＴ）を構成するものであり、本実施例ではウェ
ハー１上に複数の弾性表面波装置のＩＤＴが形成され
る。従って、最終的にウェハー１を分割することによ
り、複数の弾性表面波装置を形成することができる。
【００２２】図３（ａ）に示すように、タンタル酸リチ
ウムからなるウェハー１の全面にＴＬＯＲ−Ｎシリーズ
（東京応化製）からなるネガ型のフォトレジスト層２を
形成した。次に、フォトレジスト層２上にマスクを載置
し露光し、１１０℃で９０秒間加熱処理を行った後フォ
トレジスト層２を現像した。このようにして、図３
（ｂ）に示すように、パターニングされたフォトレジス
ト２Ａを形成した。
ウムからなるウェハー１の全面にＴＬＯＲ−Ｎシリーズ
（東京応化製）からなるネガ型のフォトレジスト層２を
形成した。次に、フォトレジスト層２上にマスクを載置
し露光し、１１０℃で９０秒間加熱処理を行った後フォ
トレジスト層２を現像した。このようにして、図３
（ｂ）に示すように、パターニングされたフォトレジス
ト２Ａを形成した。
【００２３】しかる後、ガス流量１００ＳＣＣＭ、ガス
圧１０Ｐａ、パワー３０Ｗの条件で酸素プラズマ処理を
施し、レジスト残渣を除去した。次に、酸素プラズマが
施されたウェハー１を図１に示す成膜室４内にセットし
た。成膜室４において、上記ウェハー１，１をステンレ
スからなる基板ホルダー５にセットした。
圧１０Ｐａ、パワー３０Ｗの条件で酸素プラズマ処理を
施し、レジスト残渣を除去した。次に、酸素プラズマが
施されたウェハー１を図１に示す成膜室４内にセットし
た。成膜室４において、上記ウェハー１，１をステンレ
スからなる基板ホルダー５にセットした。
【００２４】基板ホルダー５にセットされているウェハ
ー１，１に対向するようにＡｌ合金からなる蒸着源６が
配置されている。また、成膜室４内においては、ウェハ
ー１，１と蒸着源６との間の位置にプラズマ放電用アン
テナ７，７が配置されている。プラズマ放電用アンテナ
７，７は、後述のイオンクリーニング処理に際しプラズ
マを形成するために設けられている。
ー１，１に対向するようにＡｌ合金からなる蒸着源６が
配置されている。また、成膜室４内においては、ウェハ
ー１，１と蒸着源６との間の位置にプラズマ放電用アン
テナ７，７が配置されている。プラズマ放電用アンテナ
７，７は、後述のイオンクリーニング処理に際しプラズ
マを形成するために設けられている。
【００２５】また、成膜室４は、ガス導入口４ａとガス
排出口４ｂとを有する。ガス排出口４ｂは、略図的に示
すポンプＰに接続されている。成膜室４内を真空状態と
した後、ガス導入口４ａからアルゴンガスを導入し、プ
ラズマ放電用アンテナ７，７から放電し、アルゴンプラ
ズマを形成した。これにより、ウェハー１，１をイオン
クリーニングした。イオンクリーニングに際しては、ア
ルゴンガスの流量は１００ＳＣＣＭ、圧力は１０Ｐａ、
パワーは１００Ｗ、処理時間は５分とした。
排出口４ｂとを有する。ガス排出口４ｂは、略図的に示
すポンプＰに接続されている。成膜室４内を真空状態と
した後、ガス導入口４ａからアルゴンガスを導入し、プ
ラズマ放電用アンテナ７，７から放電し、アルゴンプラ
ズマを形成した。これにより、ウェハー１，１をイオン
クリーニングした。イオンクリーニングに際しては、ア
ルゴンガスの流量は１００ＳＣＣＭ、圧力は１０Ｐａ、
パワーは１００Ｗ、処理時間は５分とした。
【００２６】このイオンクリーニング後に、圧力を１×
１０-2Ｐａに保ったまま、７０℃の温度でＡｌ合金を蒸
着し、ウェハー１及びフォトレジスト上にＡｌ合金から
なる金属膜を形成した。図３（ｃ）に示すように、金属
膜３は、ウェハー１上及びパターニングされたフォトレ
ジスト２Ａ上に形成されている。
１０-2Ｐａに保ったまま、７０℃の温度でＡｌ合金を蒸
着し、ウェハー１及びフォトレジスト上にＡｌ合金から
なる金属膜を形成した。図３（ｃ）に示すように、金属
膜３は、ウェハー１上及びパターニングされたフォトレ
ジスト２Ａ上に形成されている。
【００２７】次に、ウェハー１を成膜室４から取出し、
溶剤としてアセトンを用い、フォトレジスト２Ａ及びそ
の上に付着している金属膜３を除去し、図３（ｄ）に示
すように、パターニングされた電極３Ａを形成した。
溶剤としてアセトンを用い、フォトレジスト２Ａ及びそ
の上に付着している金属膜３を除去し、図３（ｄ）に示
すように、パターニングされた電極３Ａを形成した。
【００２８】本実施例では、成膜室４にウェハー１を挿
入するに先立ち、上記酸素プラズマ処理によりウェハー
１上のフォトレジストの残渣が除去されている。もっと
も、酸素プラズマ処理後に大気中にてウェハー１が搬送
されて成膜室４内にセットされている。従って、成膜室
４内にセットされたウェハー１には、大気中の成分や汚
染物質が付着しているおそれがある。しかしながら、上
記アルゴンプラズマを用いたイオンクリーニングにより
汚染物質が蒸着前にほぼ完全に除去される。
入するに先立ち、上記酸素プラズマ処理によりウェハー
１上のフォトレジストの残渣が除去されている。もっと
も、酸素プラズマ処理後に大気中にてウェハー１が搬送
されて成膜室４内にセットされている。従って、成膜室
４内にセットされたウェハー１には、大気中の成分や汚
染物質が付着しているおそれがある。しかしながら、上
記アルゴンプラズマを用いたイオンクリーニングにより
汚染物質が蒸着前にほぼ完全に除去される。
【００２９】従って、最終的に形成された電極膜３Ａと
ウェハー１との密着性を効果的に高めることができる。
加えて、金属膜３の成膜に際しては７０℃の温度で蒸着
が行われており、すなわちフォトレジスト２Ａの形成に
際しての加熱温度１１０℃よりも低い温度で蒸着が行わ
れているので、金属膜３の成膜に際してのフォトレジス
ト２Ａの変形が生じ難く、フォトレジスト２Ａから排出
されるガスやウェハー１の帯電性等による不良が生じ難
い。
ウェハー１との密着性を効果的に高めることができる。
加えて、金属膜３の成膜に際しては７０℃の温度で蒸着
が行われており、すなわちフォトレジスト２Ａの形成に
際しての加熱温度１１０℃よりも低い温度で蒸着が行わ
れているので、金属膜３の成膜に際してのフォトレジス
ト２Ａの変形が生じ難く、フォトレジスト２Ａから排出
されるガスやウェハー１の帯電性等による不良が生じ難
い。
【００３０】（第２の実施例）第２の実施例では、第１
の実施例と同様にリフトオフ法により金属膜のパターニ
ングが行われる。従って、第１の実施例と同様に図３を
参照して各工程を説明する。
の実施例と同様にリフトオフ法により金属膜のパターニ
ングが行われる。従って、第１の実施例と同様に図３を
参照して各工程を説明する。
【００３１】図２に示すように、第２の実施例では、成
膜室４の前段に予備室１１が設けられている。予備室１
１は、イオンクリーニングを行うために設けられてい
る。予備室１１は、成膜室４と同様に内部を高真空状態
とすることができる。
膜室４の前段に予備室１１が設けられている。予備室１
１は、イオンクリーニングを行うために設けられてい
る。予備室１１は、成膜室４と同様に内部を高真空状態
とすることができる。
【００３２】予備室１１は、ガス導入口１１ａと、ガス
排出口１１ｂとを有し、ガス排出口１ｂはポンプＰに接
続されている。また、予備室１１内には、基板ホルダー
１２が配置されており、該基板ホルダー１２の前方にプ
ラズマ放電用アンテナ１３，１３が配置されている。
排出口１１ｂとを有し、ガス排出口１ｂはポンプＰに接
続されている。また、予備室１１内には、基板ホルダー
１２が配置されており、該基板ホルダー１２の前方にプ
ラズマ放電用アンテナ１３，１３が配置されている。
【００３３】予備室１１と成膜室４との間には、予備室
１１と成膜室４と連通させた状態と、遮断した状態とを
切換えるための気密バルブ１４が配置されている。さら
に、予備室１１内に配置されている基板ホルダー１２に
支持されたウェハー１を基板ホルダー１２ごと図２の矢
印Ａで示すように成膜室４内に移動するための搬送機構
として、ロボットアーム１５が設けられている。
１１と成膜室４と連通させた状態と、遮断した状態とを
切換えるための気密バルブ１４が配置されている。さら
に、予備室１１内に配置されている基板ホルダー１２に
支持されたウェハー１を基板ホルダー１２ごと図２の矢
印Ａで示すように成膜室４内に移動するための搬送機構
として、ロボットアーム１５が設けられている。
【００３４】成膜室４内には、搬送された基板ホルダー
１２に対向するように蒸着源６が配置されている。第２
の実施例では、まず、第１の実施例と同様に、ウェハー
１の全面にフォトレジスト層２が形成される（図３
（ａ））。なお、第２の実施例では、ウェハー１として
タンタル酸リチウムからなるものが用いられ、フォトレ
ジスト層２としてＴＬＯＲ−Ｎシリーズ（東京応化製）
からなるものが用いられている。
１２に対向するように蒸着源６が配置されている。第２
の実施例では、まず、第１の実施例と同様に、ウェハー
１の全面にフォトレジスト層２が形成される（図３
（ａ））。なお、第２の実施例では、ウェハー１として
タンタル酸リチウムからなるものが用いられ、フォトレ
ジスト層２としてＴＬＯＲ−Ｎシリーズ（東京応化製）
からなるものが用いられている。
【００３５】次に、第１の実施例と同様に、ウェハー１
上において、フォトレジスト層２上にマスクを被せ露光
した後、１１０℃及び９０秒の加熱処理が行われ、しか
る後レジストが現像される。このようにして、図３
（ｂ）に示すように、パターニングされたフォトレジス
ト２Ａが形成されている。
上において、フォトレジスト層２上にマスクを被せ露光
した後、１１０℃及び９０秒の加熱処理が行われ、しか
る後レジストが現像される。このようにして、図３
（ｂ）に示すように、パターニングされたフォトレジス
ト２Ａが形成されている。
【００３６】次に、パターニングされたフォトレジスト
２Ａを有するウェハー１が、予備室１１内の基板ホルダ
ー１２の前面にセットされる。しかる後、予備室１１及
び成膜室内を高真空状態にした後、バルブ１４が閉じら
れ、酸素プラズマ処理が施される。この酸素プラズマ処
理は、予備室１１内に酸素を導入し、プラズマ放電用ア
ンテナ１３，１３から放電処理し、酸素プラズマを発生
させることにより行われる。酸素プラズマ発生に際して
の条件は、酸素ガス流量＝１００ＳＣＣＭ、圧力＝２０
Ｐａ、パワー５０Ｗ、処理時間５分とした。
２Ａを有するウェハー１が、予備室１１内の基板ホルダ
ー１２の前面にセットされる。しかる後、予備室１１及
び成膜室内を高真空状態にした後、バルブ１４が閉じら
れ、酸素プラズマ処理が施される。この酸素プラズマ処
理は、予備室１１内に酸素を導入し、プラズマ放電用ア
ンテナ１３，１３から放電処理し、酸素プラズマを発生
させることにより行われる。酸素プラズマ発生に際して
の条件は、酸素ガス流量＝１００ＳＣＣＭ、圧力＝２０
Ｐａ、パワー５０Ｗ、処理時間５分とした。
【００３７】上記酸素プラズマ処理により、ウェハー１
上において、レジスト残渣、水分及び大気中の汚染物質
をほぼ完全に除去することができる。また、レジスト残
渣、水及び汚染物質はガス排出口１１ｂから酸素と共に
排出される。
上において、レジスト残渣、水分及び大気中の汚染物質
をほぼ完全に除去することができる。また、レジスト残
渣、水及び汚染物質はガス排出口１１ｂから酸素と共に
排出される。
【００３８】なお、上記成膜室１１において酸素プラズ
マ処理を施した後、バルブ１４が開かれると共に、ロボ
ットアーム１５により基板ホルダー１２に支持されたウ
ェハー１を成膜室４内に移動させる。前述したように成
膜室４内は予め高真空状態とされている。
マ処理を施した後、バルブ１４が開かれると共に、ロボ
ットアーム１５により基板ホルダー１２に支持されたウ
ェハー１を成膜室４内に移動させる。前述したように成
膜室４内は予め高真空状態とされている。
【００３９】従って、ウェハー１，１は、大気にさらさ
れることなく成膜室４内にセットされる。次に、バルブ
１４が閉じられ、成膜室４内においてＡｌ合金を第１の
実施例の場合と同様にして蒸着し、金属膜３を形成する
（図３（ｃ））。
れることなく成膜室４内にセットされる。次に、バルブ
１４が閉じられ、成膜室４内においてＡｌ合金を第１の
実施例の場合と同様にして蒸着し、金属膜３を形成する
（図３（ｃ））。
【００４０】しかる後、成膜室４からウェハー１を取出
し、第１の実施例と同様にリフトオフ法によりフォトレ
ジスト２Ａ及びその上に付着している金属膜を除去する
ことにより、金属膜３のパターニングが行われ、図３
（ｄ）に示す電極３Ａが形成される。
し、第１の実施例と同様にリフトオフ法によりフォトレ
ジスト２Ａ及びその上に付着している金属膜を除去する
ことにより、金属膜３のパターニングが行われ、図３
（ｄ）に示す電極３Ａが形成される。
【００４１】第２の実施例においても、蒸着前に、フォ
トレジストの残渣の除去、並びに大気中の水分や汚染物
質の除去が上記酸素プラズマ処理によりほぼ完全に達成
される。従って、電極３Ａのウェハー１に対する密着性
が高められる。
トレジストの残渣の除去、並びに大気中の水分や汚染物
質の除去が上記酸素プラズマ処理によりほぼ完全に達成
される。従って、電極３Ａのウェハー１に対する密着性
が高められる。
【００４２】しかも、本実施例においても、蒸着は第１
の実施例と同様に７０℃の低温で行われ、パターニング
されたフォトレジスト２Ａを形成するまでの加熱工程よ
りも低い温度で行われるので、フォトレジスト２Ａの変
形が生じ難く、さらにフォトレジスト２Ａからのガスの
排出も抑制することができる。また、ウェハーが焦電性
を有する場合であっても、ウェハーの帯電などによる不
良も生じ難い。
の実施例と同様に７０℃の低温で行われ、パターニング
されたフォトレジスト２Ａを形成するまでの加熱工程よ
りも低い温度で行われるので、フォトレジスト２Ａの変
形が生じ難く、さらにフォトレジスト２Ａからのガスの
排出も抑制することができる。また、ウェハーが焦電性
を有する場合であっても、ウェハーの帯電などによる不
良も生じ難い。
【００４３】第２の実施例では、成膜室４の前段に予備
室１１が連結されており、予備室内において酸素プラズ
マ処理が施される。従って、酸素プラズマ処理に際して
生じるレジスト残渣による成膜室４内の汚染を防止する
ことができる。
室１１が連結されており、予備室内において酸素プラズ
マ処理が施される。従って、酸素プラズマ処理に際して
生じるレジスト残渣による成膜室４内の汚染を防止する
ことができる。
【００４４】また、実施例１と比較してイオンクリーニ
ングが不要となり、一度の酸素プラズマ処理を施すだけ
でよいため、コストを低減することができる。加えて、
成膜室４を予め高真空状態としておくことにより、成膜
室４にウェハー１がセットされるまでの間、成膜室４内
を大気にさらすことがないので、酸素プラズマ処理後に
成膜室４を排気する時間を必要としない。従って、工程
の短縮をより一層図ることができる。
ングが不要となり、一度の酸素プラズマ処理を施すだけ
でよいため、コストを低減することができる。加えて、
成膜室４を予め高真空状態としておくことにより、成膜
室４にウェハー１がセットされるまでの間、成膜室４内
を大気にさらすことがないので、酸素プラズマ処理後に
成膜室４を排気する時間を必要としない。従って、工程
の短縮をより一層図ることができる。
【００４５】なお、第１，第２の実施例では、弾性表面
波装置の製造方法につき説明したが、本発明は、リフト
オフ法によりパターニングされる電極を有する様々な電
子部品の製造方法を一般に適用することができる。ま
た、上記実施例では、ネガ型のフォトレジストを用いた
が、ポジ型のフォトレジストを用いてもよい。
波装置の製造方法につき説明したが、本発明は、リフト
オフ法によりパターニングされる電極を有する様々な電
子部品の製造方法を一般に適用することができる。ま
た、上記実施例では、ネガ型のフォトレジストを用いた
が、ポジ型のフォトレジストを用いてもよい。
【００４６】さらに、ウェハーを構成する材料について
は、特に限定されず、ニオブ酸リチウムや水晶などの適
宜の材料を用いることができ、また焦電性を有しないウ
ェハー材料を用いることも可能である。
は、特に限定されず、ニオブ酸リチウムや水晶などの適
宜の材料を用いることができ、また焦電性を有しないウ
ェハー材料を用いることも可能である。
【００４７】さらに、電極を形成する金属材料について
も、Ａｌ合金に限定されず、Ａｌ、あるいは他の金属も
しくは合金を適宜用いることができる。
も、Ａｌ合金に限定されず、Ａｌ、あるいは他の金属も
しくは合金を適宜用いることができる。
【００４８】
【発明の効果】第１の発明に係る製造方法によれば、金
属膜の形成に先立ち、レジスト残渣が酸素プラズマ処理
により除去される。そして、レジスト残渣が除去された
後、パターニングされたフォトレジストを有するウェハ
ーに、真空状態でイオンクリーニングが施され、大気中
の水分や汚染物質がほぼ完全に除去される。従って、イ
オンクリーニング後に、連続してかつ大気にさらすこと
なく真空蒸着法により金属膜を形成することにより、ウ
ェハーに対する密着性に優れた金属を得ることができ
る。よって、リフトオフ法により金属膜をパターニング
して電極を形成し、該ウェハーを分割することにより、
ウェハーが分割されて構成された基板に対する電極の密
着性に優れた電子部品を提供することができる。
属膜の形成に先立ち、レジスト残渣が酸素プラズマ処理
により除去される。そして、レジスト残渣が除去された
後、パターニングされたフォトレジストを有するウェハ
ーに、真空状態でイオンクリーニングが施され、大気中
の水分や汚染物質がほぼ完全に除去される。従って、イ
オンクリーニング後に、連続してかつ大気にさらすこと
なく真空蒸着法により金属膜を形成することにより、ウ
ェハーに対する密着性に優れた金属を得ることができ
る。よって、リフトオフ法により金属膜をパターニング
して電極を形成し、該ウェハーを分割することにより、
ウェハーが分割されて構成された基板に対する電極の密
着性に優れた電子部品を提供することができる。
【００４９】また、上記金属膜の成膜は、フォトレジス
トパターン形成工程の加熱温度よりも低い温度で行われ
るので、金属膜の成膜に際してフォトレジストの変形が
生じ難く、従って、所望どおりの形状の電極を高精度に
形成することができる。
トパターン形成工程の加熱温度よりも低い温度で行われ
るので、金属膜の成膜に際してフォトレジストの変形が
生じ難く、従って、所望どおりの形状の電極を高精度に
形成することができる。
【００５０】第２の発明においても、金属膜を形成する
にあたり、真空状態で酸素プラズマ処理が施され、フォ
トレジスト残渣の除去、並びに大気中の水分や汚染物質
の除去がほぼ完全に行われる。そして、酸素プラズマ処
理後に、連続してかつ大気にさらすことなく、真空蒸着
法により金属膜の成膜が行われるので、金属膜のウェハ
ーに対する密着性が効果的に高められる。加えて、フォ
トレジストパターン形成工程の加熱温度よりも低い温度
で蒸着が行われるので、パターニングされたフォトレジ
ストの変形が生じ難いので、金属膜の形成精度を高め得
る。よって、金属膜を形成した後に、リフトオフ法によ
り金属膜をパターニングして電極を形成した場合、ウェ
ハーに対する密着性に優れかつ精度の高い電極を形成す
ることができる。
にあたり、真空状態で酸素プラズマ処理が施され、フォ
トレジスト残渣の除去、並びに大気中の水分や汚染物質
の除去がほぼ完全に行われる。そして、酸素プラズマ処
理後に、連続してかつ大気にさらすことなく、真空蒸着
法により金属膜の成膜が行われるので、金属膜のウェハ
ーに対する密着性が効果的に高められる。加えて、フォ
トレジストパターン形成工程の加熱温度よりも低い温度
で蒸着が行われるので、パターニングされたフォトレジ
ストの変形が生じ難いので、金属膜の形成精度を高め得
る。よって、金属膜を形成した後に、リフトオフ法によ
り金属膜をパターニングして電極を形成した場合、ウェ
ハーに対する密着性に優れかつ精度の高い電極を形成す
ることができる。
【００５１】従って、第１の発明と同様に、ウェハーの
分割により構成された基板に対する密着性に優れかつ精
度の高い電極を有する電子部品を得ることができる。
分割により構成された基板に対する密着性に優れかつ精
度の高い電極を有する電子部品を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例において用いられる成膜
室を説明するための概略構成図。
室を説明するための概略構成図。
【図２】第２の実施例で用いられる成膜室及び予備室を
説明するための概略構成図。
説明するための概略構成図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、第１，第２の実施例におい
てウェハー上にパターニングされた電極を形成する工程
を説明するため各部分切欠断面図。
てウェハー上にパターニングされた電極を形成する工程
を説明するため各部分切欠断面図。
１…ウェハー ２…フォトレジスト層 ２Ａ…パターニングされたフォトレジスト ３…金属膜 ３Ａ…電極 ４…成膜室 ４ａ…ガス導入口 ４ｂ…ガス排出口 ５…基板ホルダー ６…蒸着源 ７…プラズマ放電用アンテナ １１…予備室 １１ａ…ガス導入口 １１ｂ…ガス排出口 １２…基板ホルダー １３…プラズマ放電用アンテナ １４…バルブ １５…ロボットアーム Ｐ…ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０３Ｈ 3/08 Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｚ Ｆターム(参考） 5F004 AA09 BD01 BD07 DA23 DA25 DA26 5F043 AA37 CC16 DD22 5F046 MA12 5F103 AA01 BB41 DD28 HH10 NN01 PP01 PP18 5J097 AA31 AA32 HA07
Claims (8)
- 【請求項１】 ウェハー上にパターニングされたフォト
レジストを形成する工程と、 レジスト残渣を除去するために酸素プラズマ処理を行う
工程と、 前記ウェハー及びフォトレジスト上に金属膜を形成する
工程と、 リフトオフ法によりフォトレジストとフォトレジスト上
の金属膜を除去することにより電極を形成する工程とを
備える電子部品の製造方法において、 前記金属膜を形成する工程が、真空状態でウェハーにイ
オンクリーニングを施した後、連続してかつ大気にさら
すことなく、パターニングされたフォトレジスト形成工
程の加熱温度よりも低い温度にウェハーを保持した状態
で真空蒸着法により金属膜を成膜することにより行われ
ることを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項２】 ウェハー上にパターニングされたフォト
レジストを形成する工程と、 前記ウェハー及びフォトレジスト上に金属膜を形成する
工程と、 リフトオフ法によりフォトレジストとフォトレジスト上
の金属膜を除去することにより電極を形成する工程とを
備える電子部品の製造方法において、 前記金属膜を形成する工程が、真空状態でウェハーに酸
素プラズマ処理を施した後、連続してかつ大気にさらす
ことなく、パターニングされたフォトレジスト形成時の
加熱温度よりも低い温度にウェハーを保持した状態で真
空蒸着法により金属膜を成膜することにより行われるこ
とを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 前記イオンクリーニングが、アルゴン、
酸素及び窒素からなる群から選択された少なくとも１種
のガスを用いて行われる、請求項１に記載の電子部品の
製造方法。 - 【請求項４】 前記金属膜を形成する工程において、パ
ターニングされたフォトレジストが形成されているウェ
ハーに真空状態の成膜予備室内でイオンクリーニングが
施され、しかる後ウェハーを大気にさらすことなく成膜
室に移動して金属膜の成膜が行われる、請求項１〜３の
いずれかに記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 前記金属膜を形成する工程において、パ
ターニングされたフォトレジストが形成されているウェ
ハーに真空状態の成膜予備室内で酸素プラズマ処理が施
され、しかる後ウェハーを大気にさらすことなく成膜室
に移動して金属膜の成膜が行われる、請求項２に記載の
電子部品の製造方法。 - 【請求項６】 パターニングされたフォトレジストがネ
ガ型のフォトレジストを用いて形成されている、請求項
１〜５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項７】 パターニングされたフォトレジストがポ
ジ型のフォトレジストを用いて形成される、請求項１〜
５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項８】 前記ウェハーが圧電体からなり、前記電
極が表面波装置のインターデジタルトランスデューサ及
び反射器のうち少なくともインターデジタルトランスデ
ューサであり、前記ウェハー上に複数の弾性表面波装置
の電極構造が構成される、請求項１〜７のいずれかに記
載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000384179A JP2002184698A (ja) | 2000-12-18 | 2000-12-18 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000384179A JP2002184698A (ja) | 2000-12-18 | 2000-12-18 | 電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002184698A true JP2002184698A (ja) | 2002-06-28 |
Family
ID=18851700
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000384179A Pending JP2002184698A (ja) | 2000-12-18 | 2000-12-18 | 電子部品の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002184698A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294899A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 半田層及びそれを用いた電子デバイス接合用基板並びに電子デバイス接合用サブマウント |
| JP2014161095A (ja) * | 2006-08-07 | 2014-09-04 | Kyocera Corp | 弾性波装置の製造方法 |
| JP2017017072A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | キヤノンマーケティングジャパン株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
-
2000
- 2000-12-18 JP JP2000384179A patent/JP2002184698A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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