JP2002119053A - スイッチングレギュレータ - Google Patents
スイッチングレギュレータInfo
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- JP2002119053A JP2002119053A JP2000309222A JP2000309222A JP2002119053A JP 2002119053 A JP2002119053 A JP 2002119053A JP 2000309222 A JP2000309222 A JP 2000309222A JP 2000309222 A JP2000309222 A JP 2000309222A JP 2002119053 A JP2002119053 A JP 2002119053A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 負荷や負帰還の状況に係わらず、出力インピ
ーダンスを常に低く維持できるスイッチングレギュレー
タを提供する。 【解決手段】 整流平滑回路1からの直流電圧をスイッ
チングするスイッチング回路2と、トランス4の1次側
巻線15に直列に接続されてスイッチング回路2の出力
が入力される主コイル3と、トランス4の2次側巻線1
6から出力される電圧を整流および平滑して直流電圧を
生成する整流回路5および平滑回路6と、平滑回路6か
らの直流電圧と基準電圧との偏差に応じた制御信号を出
力する電圧変化検出回路7と、電圧変化検出回路7から
の制御信号に応じて発振周波数を制御され、その発振信
号をスイッチング回路2を駆動するためのタイミング信
号として出力する周波数可変発振回路9とを備えた。
ーダンスを常に低く維持できるスイッチングレギュレー
タを提供する。 【解決手段】 整流平滑回路1からの直流電圧をスイッ
チングするスイッチング回路2と、トランス4の1次側
巻線15に直列に接続されてスイッチング回路2の出力
が入力される主コイル3と、トランス4の2次側巻線1
6から出力される電圧を整流および平滑して直流電圧を
生成する整流回路5および平滑回路6と、平滑回路6か
らの直流電圧と基準電圧との偏差に応じた制御信号を出
力する電圧変化検出回路7と、電圧変化検出回路7から
の制御信号に応じて発振周波数を制御され、その発振信
号をスイッチング回路2を駆動するためのタイミング信
号として出力する周波数可変発振回路9とを備えた。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチングレギ
ュレータに関する。
ュレータに関する。
【0002】
【従来の技術】商用交流電源からの交流電圧を整流およ
び平滑して得られた直流電圧をスイッチングすることに
より高い周波数の交流電圧にし、この交流電圧から高周
波トランスなどを用いて所望の直流電圧を生成し、この
直流電圧と所定の基準電圧との差を負帰還させることで
安定な直流電圧電源を得られるようにしたものを、一般
にスイッチングレギュレータと呼んでいる。
び平滑して得られた直流電圧をスイッチングすることに
より高い周波数の交流電圧にし、この交流電圧から高周
波トランスなどを用いて所望の直流電圧を生成し、この
直流電圧と所定の基準電圧との差を負帰還させることで
安定な直流電圧電源を得られるようにしたものを、一般
にスイッチングレギュレータと呼んでいる。
【0003】従来の大電力用のスイッチングレギュレー
タは、一般に、直流電圧のスイッチングを常に一定の周
波数で行い、その流通角を負帰還により変化させる、P
WM制御を行う構成であった。
タは、一般に、直流電圧のスイッチングを常に一定の周
波数で行い、その流通角を負帰還により変化させる、P
WM制御を行う構成であった。
【0004】一方、従来の小電力用のスイッチングレギ
ュレータは、一般に、トランスの1次側巻線に電流エネ
ルギーを蓄え、1次側巻線の開放時にそのエネルギーを
2次側巻線から取り出すフライバック方式が採用されて
おり、出力電圧を安定化させるために、トランスの1次
側巻線に蓄える電流エネルギーを可変させるべく、負帰
還により1次側巻線の通電時間を変化させる構成であっ
た。
ュレータは、一般に、トランスの1次側巻線に電流エネ
ルギーを蓄え、1次側巻線の開放時にそのエネルギーを
2次側巻線から取り出すフライバック方式が採用されて
おり、出力電圧を安定化させるために、トランスの1次
側巻線に蓄える電流エネルギーを可変させるべく、負帰
還により1次側巻線の通電時間を変化させる構成であっ
た。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の大電力
用のスイッチングレギュレータでは、図6に示すよう
に、重負荷時にはPWM制御のデューティーサイクルが
大きいので十分な流通角が得られ、負帰還無しでの出力
インピーダンスを小さくできるものの、軽負荷時にはP
WM制御のデューティーサイクルが小さいので流通角が
小さくなり、出力インピーダンスが上昇するとともに、
結果的にデッドタイムが増加したことになり、ゼロスイ
ッチなどの低雑音化が基本的に困難であるという課題が
あった。
用のスイッチングレギュレータでは、図6に示すよう
に、重負荷時にはPWM制御のデューティーサイクルが
大きいので十分な流通角が得られ、負帰還無しでの出力
インピーダンスを小さくできるものの、軽負荷時にはP
WM制御のデューティーサイクルが小さいので流通角が
小さくなり、出力インピーダンスが上昇するとともに、
結果的にデッドタイムが増加したことになり、ゼロスイ
ッチなどの低雑音化が基本的に困難であるという課題が
あった。
【0006】また、従来の小電力用のスイッチングレギ
ュレータでは、トランスの1次側巻線にエネルギーを蓄
積するための時間と、そのエネルギーを2次側巻線を通
じて開放するための時間とがそれぞれ必要となり、全て
の時間をエネルギー伝達のためだけに使用できないこと
から、結果的に負帰還無しの場合の出力インピーダンス
が非常に大きくなり、大電力用としては適当でないとい
う課題があった。
ュレータでは、トランスの1次側巻線にエネルギーを蓄
積するための時間と、そのエネルギーを2次側巻線を通
じて開放するための時間とがそれぞれ必要となり、全て
の時間をエネルギー伝達のためだけに使用できないこと
から、結果的に負帰還無しの場合の出力インピーダンス
が非常に大きくなり、大電力用としては適当でないとい
う課題があった。
【0007】本発明は、このような事情のもとで考え出
されたものであって、負荷や負帰還の状況に係わらず、
出力インピーダンスを常に低く維持できるスイッチング
レギュレータを提供することを、その課題としている。
されたものであって、負荷や負帰還の状況に係わらず、
出力インピーダンスを常に低く維持できるスイッチング
レギュレータを提供することを、その課題としている。
【0008】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本発明で
は、次の技術的手段を講じている。
は、次の技術的手段を講じている。
【0009】本発明の第1の側面によれば、交流電圧を
整流および平滑して直流電圧を生成する第1整流平滑手
段と、第1整流平滑手段からの直流電圧をスイッチング
するスイッチング手段と、トランスの1次側巻線に直列
に接続されてスイッチング手段の出力が入力されるイン
ダクタンス素子と、トランスの2次側巻線から出力され
る電圧を整流および平滑して直流電圧を生成する第2整
流平滑手段と、第2整流平滑手段からの直流電圧と基準
電圧との偏差に応じた制御信号を出力する電圧変化検出
手段と、電圧変化検出手段からの制御信号に応じて発振
周波数を制御され、その発振信号をスイッチング手段を
駆動するためのタイミング信号として出力する周波数可
変発振手段とを備えたことを特徴とする、スイッチング
レギュレータが提供される。
整流および平滑して直流電圧を生成する第1整流平滑手
段と、第1整流平滑手段からの直流電圧をスイッチング
するスイッチング手段と、トランスの1次側巻線に直列
に接続されてスイッチング手段の出力が入力されるイン
ダクタンス素子と、トランスの2次側巻線から出力され
る電圧を整流および平滑して直流電圧を生成する第2整
流平滑手段と、第2整流平滑手段からの直流電圧と基準
電圧との偏差に応じた制御信号を出力する電圧変化検出
手段と、電圧変化検出手段からの制御信号に応じて発振
周波数を制御され、その発振信号をスイッチング手段を
駆動するためのタイミング信号として出力する周波数可
変発振手段とを備えたことを特徴とする、スイッチング
レギュレータが提供される。
【0010】好ましい実施の形態によれば、インダクタ
ンス素子とトランスの1次側巻線との直列回路に対して
並列に接続された補助インダクタンス素子を有する。
ンス素子とトランスの1次側巻線との直列回路に対して
並列に接続された補助インダクタンス素子を有する。
【0011】他の好ましい実施の形態によれば、周波数
可変発振手段は、タイミング信号として第1パルス列を
出力し、周波数可変発振手段からの第1パルス列のデュ
ーティーサイクルを略50パーセントに保つデューティ
ー補正手段を有する。
可変発振手段は、タイミング信号として第1パルス列を
出力し、周波数可変発振手段からの第1パルス列のデュ
ーティーサイクルを略50パーセントに保つデューティ
ー補正手段を有する。
【0012】他の好ましい実施の形態によれば、周波数
可変発振手段は、タイミング信号として第1パルス列を
出力し、周波数可変発振手段からの第1パルス列に基づ
いて、その第1パルス列の周波数に係わらず互いのオフ
期間の重なり時間が常に一定である対の第2パルス列を
生成し、その第2パルス列によりスイッチング手段を駆
動するスイッチング制御手段を有する。
可変発振手段は、タイミング信号として第1パルス列を
出力し、周波数可変発振手段からの第1パルス列に基づ
いて、その第1パルス列の周波数に係わらず互いのオフ
期間の重なり時間が常に一定である対の第2パルス列を
生成し、その第2パルス列によりスイッチング手段を駆
動するスイッチング制御手段を有する。
【0013】他の好ましい実施の形態によれば、スイッ
チング制御手段は、第1パルス列をオフ期間の重なり時
間に相当する所定時間遅延させて遅延パルス列として出
力する遅延回路と、遅延回路からの遅延パルス列と第1
パルス列との論理積を第2パルス列の一方として出力す
るAND回路と、遅延回路からの遅延パルス列と第1パ
ルス列との論理和の否定信号を第2パルス列の他方とし
て出力するNOR回路とを有する。
チング制御手段は、第1パルス列をオフ期間の重なり時
間に相当する所定時間遅延させて遅延パルス列として出
力する遅延回路と、遅延回路からの遅延パルス列と第1
パルス列との論理積を第2パルス列の一方として出力す
るAND回路と、遅延回路からの遅延パルス列と第1パ
ルス列との論理和の否定信号を第2パルス列の他方とし
て出力するNOR回路とを有する。
【0014】本発明によれば、トランスの1次側巻線に
インダクタンス素子を直列に接続し、スイッチングの周
波数を可変させることで、1次側巻線に印加される電圧
を変化させて出力電圧を制御するので、流通角が常に一
定であることから、負荷や負帰還の状況に係わらず、出
力インピーダンスを常に低く維持できる。
インダクタンス素子を直列に接続し、スイッチングの周
波数を可変させることで、1次側巻線に印加される電圧
を変化させて出力電圧を制御するので、流通角が常に一
定であることから、負荷や負帰還の状況に係わらず、出
力インピーダンスを常に低く維持できる。
【0015】本発明のその他の特徴および利点は、添付
図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明
らかとなろう。
図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明
らかとなろう。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を、図面を参照して具体的に説明する。
態を、図面を参照して具体的に説明する。
【0017】図1は、本発明に係るスイッチングレギュ
レータの回路ブロック図である。このスイッチングレギ
ュレータは、整流平滑回路1、スイッチング回路2、主
コイル3、トランス4、整流回路5、平滑回路6、電圧
変化検出回路7、アイソレータ8、周波数可変発振回路
9、スイッチング制御回路10、定電圧電源回路11、
補助コイル12、入力端子13、出力端子14、および
抵抗器R1を備えている。スイッチング回路2は、4個
のMOS型の電界効果トランジスタFET1〜FET4
を備えている。トランス4は、1次側巻線15、2次側
巻線16、および1次側補助巻線17を備えている。
レータの回路ブロック図である。このスイッチングレギ
ュレータは、整流平滑回路1、スイッチング回路2、主
コイル3、トランス4、整流回路5、平滑回路6、電圧
変化検出回路7、アイソレータ8、周波数可変発振回路
9、スイッチング制御回路10、定電圧電源回路11、
補助コイル12、入力端子13、出力端子14、および
抵抗器R1を備えている。スイッチング回路2は、4個
のMOS型の電界効果トランジスタFET1〜FET4
を備えている。トランス4は、1次側巻線15、2次側
巻線16、および1次側補助巻線17を備えている。
【0018】整流平滑回路1は、入力端子13に入力さ
れた商用交流電源からの交流電圧を整流および平滑し、
得られた直流電圧をスイッチング回路2に供給する。
れた商用交流電源からの交流電圧を整流および平滑し、
得られた直流電圧をスイッチング回路2に供給する。
【0019】スイッチング回路2は、スイッチング制御
回路10により制御されて、整流平滑回路1からの直流
電圧をスイッチングし、スイッチングにより得られた電
圧を主コイル3とトランス4の1次側巻線15との直列
回路に供給する。
回路10により制御されて、整流平滑回路1からの直流
電圧をスイッチングし、スイッチングにより得られた電
圧を主コイル3とトランス4の1次側巻線15との直列
回路に供給する。
【0020】主コイル3は、トランス4の1次側巻線1
5とでスイッチング回路2からの電圧を分圧する。すな
わち、スイッチング回路2からの電圧の周波数に応じ
て、1次側巻線15に印加される電圧を可変させるため
に、主コイル3が設けられている。
5とでスイッチング回路2からの電圧を分圧する。すな
わち、スイッチング回路2からの電圧の周波数に応じ
て、1次側巻線15に印加される電圧を可変させるため
に、主コイル3が設けられている。
【0021】トランス4は、高周波トランスであり、1
次側巻線15に印加された電圧を昇圧して2次側巻線1
6から出力させる。
次側巻線15に印加された電圧を昇圧して2次側巻線1
6から出力させる。
【0022】整流回路5は、トランス4の2次側巻線1
6から出力された電圧を整流して平滑回路6に供給す
る。
6から出力された電圧を整流して平滑回路6に供給す
る。
【0023】平滑回路6は、整流回路5からの電圧を平
滑し、得られた直流電圧を出力端子14および電圧変化
検出回路7に供給する。
滑し、得られた直流電圧を出力端子14および電圧変化
検出回路7に供給する。
【0024】電圧変化検出回路7は、平滑回路6からの
直流電圧と所定の基準電圧とを比較し、その偏差に応じ
た制御信号をアイソレータ8を介して周波数可変発振回
路9に供給する。
直流電圧と所定の基準電圧とを比較し、その偏差に応じ
た制御信号をアイソレータ8を介して周波数可変発振回
路9に供給する。
【0025】アイソレータ8は、電圧変化検出回路7か
らの制御信号を周波数可変発振回路9に伝達する。
らの制御信号を周波数可変発振回路9に伝達する。
【0026】周波数可変発振回路9は、電圧変化検出回
路7からの制御信号に応じた周波数の第1パルス列を生
成し、その第1パルス列をタイミング信号としてスイッ
チング制御回路10に供給する。この周波数可変発振回
路9は、デューティー補正回路を内蔵しており、第1パ
ルス列のデューティーサイクルは略50パーセントに維
持される。
路7からの制御信号に応じた周波数の第1パルス列を生
成し、その第1パルス列をタイミング信号としてスイッ
チング制御回路10に供給する。この周波数可変発振回
路9は、デューティー補正回路を内蔵しており、第1パ
ルス列のデューティーサイクルは略50パーセントに維
持される。
【0027】スイッチング制御回路10は、周波数可変
発振回路9からの第1パルス列に基づいて、2相の第2
パルス列を生成して、一方の第2パルス列をスイッチン
グ回路2の電界効果トランジスタFET1,FET2の
ゲートに供給し、他方の第2パルス列をスイッチング回
路2の電界効果トランジスタFET3,FET4のゲー
トに供給する。
発振回路9からの第1パルス列に基づいて、2相の第2
パルス列を生成して、一方の第2パルス列をスイッチン
グ回路2の電界効果トランジスタFET1,FET2の
ゲートに供給し、他方の第2パルス列をスイッチング回
路2の電界効果トランジスタFET3,FET4のゲー
トに供給する。
【0028】定電圧電源回路11は、トランス4の1次
側補助巻線17からの電圧に基づいて、所定の電圧値の
直流電圧を生成し、それを周波数可変発振回路9および
スイッチング制御回路10に電源として供給する。
側補助巻線17からの電圧に基づいて、所定の電圧値の
直流電圧を生成し、それを周波数可変発振回路9および
スイッチング制御回路10に電源として供給する。
【0029】補助コイル12は、その慣性電流をスイッ
チング回路2のフライホイルダイオードに流して、電圧
ゼロスイッチを実現するために設けられている。
チング回路2のフライホイルダイオードに流して、電圧
ゼロスイッチを実現するために設けられている。
【0030】すなわち、電界効果トランジスタFET
1,FET2あるいは電界効果トランジスタFET3,
FET4のオン期間中に補助コイル12に電流エネルギ
ーを蓄え、電界効果トランジスタFET1,FET2あ
るいは電界効果トランジスタFET3,FET4がオフ
となった瞬間に、補助コイル12に蓄えられている電流
エネルギーをそれまでオフであった電界効果トランジス
タFET3,FET4あるいは電界効果トランジスタF
ET1,FET2のフライホイルダイオードを通じて放
出することによりそのフライホイルダイオードをオンさ
せ、電界効果トランジスタFET3,FET4あるいは
電界効果トランジスタFET1,FET2の電圧をほぼ
0にするのである。
1,FET2あるいは電界効果トランジスタFET3,
FET4のオン期間中に補助コイル12に電流エネルギ
ーを蓄え、電界効果トランジスタFET1,FET2あ
るいは電界効果トランジスタFET3,FET4がオフ
となった瞬間に、補助コイル12に蓄えられている電流
エネルギーをそれまでオフであった電界効果トランジス
タFET3,FET4あるいは電界効果トランジスタF
ET1,FET2のフライホイルダイオードを通じて放
出することによりそのフライホイルダイオードをオンさ
せ、電界効果トランジスタFET3,FET4あるいは
電界効果トランジスタFET1,FET2の電圧をほぼ
0にするのである。
【0031】さらに詳細に述べると、電界効果トランジ
スタFET1,FET2あるいは電界効果トランジスタ
FET3,FET4がオフする直前に補助コイル12に
流れていた電流は、電界効果トランジスタFET1,F
ET2あるいは電界効果トランジスタFET3,FET
4がオフしてもそのまま流れ続けようとするので、その
電流はそれまでオフであった電界効果トランジスタFE
T3,FET4あるいは電界効果トランジスタFET
1,FET2の寄生ダイオードあるいは外付けダイオー
ドを通って流れ続け、やがて抵抗分によってエネルギー
が減少し、電流もゼロになる。このダイオードは慣性電
流を流すためのものであるから、フライホイルダイオー
ドと呼ばれる。フライホイルダイオードに電流が流れて
いる間は、それに対応する電界効果トランジスタの両端
の電圧はほぼ0になっているので、そのタイミングでそ
の電界効果トランジスタをオンさせれば、サージ電流が
ほとんど流れず、スイッチングロスやノイズを抑制でき
る。この方式を電圧ゼロスイッチ方式という。
スタFET1,FET2あるいは電界効果トランジスタ
FET3,FET4がオフする直前に補助コイル12に
流れていた電流は、電界効果トランジスタFET1,F
ET2あるいは電界効果トランジスタFET3,FET
4がオフしてもそのまま流れ続けようとするので、その
電流はそれまでオフであった電界効果トランジスタFE
T3,FET4あるいは電界効果トランジスタFET
1,FET2の寄生ダイオードあるいは外付けダイオー
ドを通って流れ続け、やがて抵抗分によってエネルギー
が減少し、電流もゼロになる。このダイオードは慣性電
流を流すためのものであるから、フライホイルダイオー
ドと呼ばれる。フライホイルダイオードに電流が流れて
いる間は、それに対応する電界効果トランジスタの両端
の電圧はほぼ0になっているので、そのタイミングでそ
の電界効果トランジスタをオンさせれば、サージ電流が
ほとんど流れず、スイッチングロスやノイズを抑制でき
る。この方式を電圧ゼロスイッチ方式という。
【0032】なお、補助コイル12に電流エネルギーが
蓄えられている期間には、主コイル3およびトランス4
の1次側漏れインダクタンスにも電流エネルギーが蓄え
られ、この電流エネルギーもフライホイルダイオードを
通じて放出される。
蓄えられている期間には、主コイル3およびトランス4
の1次側漏れインダクタンスにも電流エネルギーが蓄え
られ、この電流エネルギーもフライホイルダイオードを
通じて放出される。
【0033】抵抗器R1は、起動抵抗である。
【0034】図2は、周波数可変発振回路9の回路図で
ある。周波数可変発振回路9は、インバータ21〜2
5、ホトカプラ26、出力端子27、抵抗器R2〜R
7、およびキャパシタC1〜C3を備えている。ホトカ
プラ26は、発光側の発光ダイオード28と、受光側の
ホトトランジスタ29とを備えている。インバータ21
は、シュミットトリガータイプのインバータである。
ある。周波数可変発振回路9は、インバータ21〜2
5、ホトカプラ26、出力端子27、抵抗器R2〜R
7、およびキャパシタC1〜C3を備えている。ホトカ
プラ26は、発光側の発光ダイオード28と、受光側の
ホトトランジスタ29とを備えている。インバータ21
は、シュミットトリガータイプのインバータである。
【0035】電圧変化検出回路7からの制御信号は、ホ
トカプラ26の発光ダイオード28に入力される。これ
により、制御信号に応じて発光ダイオード28の発光強
度が変化し、それに応じてホトトランジスタ29のイン
ピーダンスが変化して、抵抗器R4よりも前段側の回路
により構成される矩形波発振回路の出力矩形波の周波数
が変化する。この矩形波は、抵抗器R4以降のデューテ
ィー補正回路によりほぼ50パーセントのデューティー
サイクルに補正され、出力端子27から第1パルス列3
0として出力され、スイッチング制御回路10にタイミ
ング信号として供給される。
トカプラ26の発光ダイオード28に入力される。これ
により、制御信号に応じて発光ダイオード28の発光強
度が変化し、それに応じてホトトランジスタ29のイン
ピーダンスが変化して、抵抗器R4よりも前段側の回路
により構成される矩形波発振回路の出力矩形波の周波数
が変化する。この矩形波は、抵抗器R4以降のデューテ
ィー補正回路によりほぼ50パーセントのデューティー
サイクルに補正され、出力端子27から第1パルス列3
0として出力され、スイッチング制御回路10にタイミ
ング信号として供給される。
【0036】図3は、スイッチング制御回路10の回路
図である。スイッチング制御回路10は、インバータ3
1,32、AND回路33、NOR回路34、入力端子
35、出力端子36,37、抵抗器R8、およびキャパ
シタC4を備えている。
図である。スイッチング制御回路10は、インバータ3
1,32、AND回路33、NOR回路34、入力端子
35、出力端子36,37、抵抗器R8、およびキャパ
シタC4を備えている。
【0037】図4は、スイッチング制御回路10の各部
信号波形図である。図4において、Aは入力端子35に
入力される周波数可変発振回路9からの第1パルス列3
0の電圧波形、Bは抵抗器R8とキャパシタC4との接
続点の電圧波形、Cはインバータ32の出力電圧波形、
Dは出力端子36から出力される一方の第2パルス列3
8の電圧波形、Eは出力端子37から出力される他方の
第2パルス列39の電圧波形である。
信号波形図である。図4において、Aは入力端子35に
入力される周波数可変発振回路9からの第1パルス列3
0の電圧波形、Bは抵抗器R8とキャパシタC4との接
続点の電圧波形、Cはインバータ32の出力電圧波形、
Dは出力端子36から出力される一方の第2パルス列3
8の電圧波形、Eは出力端子37から出力される他方の
第2パルス列39の電圧波形である。
【0038】入力端子35に入力された第1パルス列3
0は、AND回路33およびNOR回路34の一方の入
力端に供給されるとともに、インバータ31によって反
転され、抵抗器R8とキャパシタC4とからなる積分回
路によって積分され、インバータ32によって反転およ
び波形整形されて、AND回路33およびNOR回路3
4の他方の入力端に供給される。インバータ31,3
2、抵抗器R8およびキャパシタC4は、遅延回路を構
成しており、インバータ32の出力は、抵抗器R8およ
びキャパシタC4の時定数によって決定される遅延時間
だけ、第1パルス列30よりも遅延している。したがっ
て、一方の第2パルス列38と他方の第2パルス列39
とは、図4からも明らかなように、各パルスの立上がり
および立下がり毎に、双方共にオフの期間すなわちデッ
ドタイムを有している。
0は、AND回路33およびNOR回路34の一方の入
力端に供給されるとともに、インバータ31によって反
転され、抵抗器R8とキャパシタC4とからなる積分回
路によって積分され、インバータ32によって反転およ
び波形整形されて、AND回路33およびNOR回路3
4の他方の入力端に供給される。インバータ31,3
2、抵抗器R8およびキャパシタC4は、遅延回路を構
成しており、インバータ32の出力は、抵抗器R8およ
びキャパシタC4の時定数によって決定される遅延時間
だけ、第1パルス列30よりも遅延している。したがっ
て、一方の第2パルス列38と他方の第2パルス列39
とは、図4からも明らかなように、各パルスの立上がり
および立下がり毎に、双方共にオフの期間すなわちデッ
ドタイムを有している。
【0039】本実施形態では、スイッチング回路2のス
イッチング素子としてMOS型の電界効果トランジスタ
FET1〜FET4を採用しているので、デッドタイム
を0.1〜0.5μ秒程度に設定している。なお、第2
パルス列38,39の周波数の上限は、スイッチング回
路2のスイッチング素子の応答速度に依存し、MOS型
の電界効果トランジスタFET1〜FET4を採用して
いるので1〜2MHz程度である。第2パルス列38,
39の周波数の下限は、可聴周波数の上限より高い数十
kHz程度である。
イッチング素子としてMOS型の電界効果トランジスタ
FET1〜FET4を採用しているので、デッドタイム
を0.1〜0.5μ秒程度に設定している。なお、第2
パルス列38,39の周波数の上限は、スイッチング回
路2のスイッチング素子の応答速度に依存し、MOS型
の電界効果トランジスタFET1〜FET4を採用して
いるので1〜2MHz程度である。第2パルス列38,
39の周波数の下限は、可聴周波数の上限より高い数十
kHz程度である。
【0040】図5は、電圧変化検出回路7の回路図であ
る。電圧変化検出回路7は、ホトカプラ41、定電圧ダ
イオード42、トランジスタ43,44、入力端子4
5,46、および抵抗器R9〜R13を備えている。ホ
トカプラ41は、発光側の発光ダイオード47と、受光
側のホトトランジスタ48とを備えている。トランジス
タ43,44は差動増幅器を構成している。
る。電圧変化検出回路7は、ホトカプラ41、定電圧ダ
イオード42、トランジスタ43,44、入力端子4
5,46、および抵抗器R9〜R13を備えている。ホ
トカプラ41は、発光側の発光ダイオード47と、受光
側のホトトランジスタ48とを備えている。トランジス
タ43,44は差動増幅器を構成している。
【0041】入力端子45,46に平滑回路6からの直
流電圧が入力されると、その直流電圧と定電圧ダイオー
ド42によって決定される基準電圧とが、トランジスタ
43,44からなる差動増幅器で比較され、その偏差に
応じた電流がホトカプラ41の発光ダイオード47に流
れて、発光ダイオード47の発光強度が可変される。こ
れによりホトカプラ41のホトトランジスタ48が、平
滑回路6からの直流電圧と基準電圧との偏差に応じた電
流を制御信号としてアイソレータ8を介して周波数可変
発振回路9に供給する。
流電圧が入力されると、その直流電圧と定電圧ダイオー
ド42によって決定される基準電圧とが、トランジスタ
43,44からなる差動増幅器で比較され、その偏差に
応じた電流がホトカプラ41の発光ダイオード47に流
れて、発光ダイオード47の発光強度が可変される。こ
れによりホトカプラ41のホトトランジスタ48が、平
滑回路6からの直流電圧と基準電圧との偏差に応じた電
流を制御信号としてアイソレータ8を介して周波数可変
発振回路9に供給する。
【0042】次に上記スイッチングレギュレータの動作
を説明する。
を説明する。
【0043】入力端子13に入力された商用交流電源か
らの交流電圧は、整流平滑回路1により整流および平滑
され、スイッチング回路2によりスイッチングされて、
主コイル3とトランス4の1次側巻線15との直列回路
に供給される。これによりトランス4の2次側巻線16
に誘起された電圧は、整流回路5により整流され、平滑
回路6により平滑されて、出力端子14から出力される
とともに、電圧変化検出回路7に供給される。これによ
り電圧変化検出回路7が、平滑回路6からの直流電圧と
基準電圧との偏差に応じた制御信号を周波数可変発振回
路9に供給し、周波数可変発振回路9が、電圧変化検出
回路7からの制御信号に応じて第1パルス列30の周波
数を変化させる。具体的には、平滑回路6からの直流電
圧が基準電圧よりも高い場合は、それに応じて第1パル
ス列30の周波数が高くなり、逆に、平滑回路6からの
直流電圧が基準電圧よりも低い場合は、それに応じて第
1パルス列30の周波数が低くなる。
らの交流電圧は、整流平滑回路1により整流および平滑
され、スイッチング回路2によりスイッチングされて、
主コイル3とトランス4の1次側巻線15との直列回路
に供給される。これによりトランス4の2次側巻線16
に誘起された電圧は、整流回路5により整流され、平滑
回路6により平滑されて、出力端子14から出力される
とともに、電圧変化検出回路7に供給される。これによ
り電圧変化検出回路7が、平滑回路6からの直流電圧と
基準電圧との偏差に応じた制御信号を周波数可変発振回
路9に供給し、周波数可変発振回路9が、電圧変化検出
回路7からの制御信号に応じて第1パルス列30の周波
数を変化させる。具体的には、平滑回路6からの直流電
圧が基準電圧よりも高い場合は、それに応じて第1パル
ス列30の周波数が高くなり、逆に、平滑回路6からの
直流電圧が基準電圧よりも低い場合は、それに応じて第
1パルス列30の周波数が低くなる。
【0044】すなわち、主コイル3のインピーダンスZ
1は、主コイル3のインダクタンスをLとすると、Z1
=jωLである。また、トランス4の1次側から見込ん
だインピーダンスZ2は、1次側巻線15と2次側巻線
16との巻数比をN:1、負荷抵抗をrとすると、Z2
=N2 rである。したがって、負荷が軽くなると、換言
すれば負荷抵抗rが大きくなると、トランス4の1次側
から見込んだインピーダンスZ2が大きくなり、平滑回
路6からの出力電圧が基準電圧よりも高くなる結果、ス
イッチング回路2のスイッチング周波数が高くなる。こ
こで、主コイル3とトランス4の1次側巻線15との直
列回路にステップ電圧が印加された場合の電流の過渡応
答を考えると、過渡期間においては電流がほぼ直線的に
増加する。したがって、スイッチング回路2のスイッチ
ング周波数が高くなると、トランス4の1次側巻線15
に流れる電流の増加期間が短くなって、電流のピーク値
が小さくなる。この結果、トランス4の1次側巻線15
に印加される電圧が低くなり、平滑回路6からの出力電
圧も低くなって、基準電圧と等しくなる。
1は、主コイル3のインダクタンスをLとすると、Z1
=jωLである。また、トランス4の1次側から見込ん
だインピーダンスZ2は、1次側巻線15と2次側巻線
16との巻数比をN:1、負荷抵抗をrとすると、Z2
=N2 rである。したがって、負荷が軽くなると、換言
すれば負荷抵抗rが大きくなると、トランス4の1次側
から見込んだインピーダンスZ2が大きくなり、平滑回
路6からの出力電圧が基準電圧よりも高くなる結果、ス
イッチング回路2のスイッチング周波数が高くなる。こ
こで、主コイル3とトランス4の1次側巻線15との直
列回路にステップ電圧が印加された場合の電流の過渡応
答を考えると、過渡期間においては電流がほぼ直線的に
増加する。したがって、スイッチング回路2のスイッチ
ング周波数が高くなると、トランス4の1次側巻線15
に流れる電流の増加期間が短くなって、電流のピーク値
が小さくなる。この結果、トランス4の1次側巻線15
に印加される電圧が低くなり、平滑回路6からの出力電
圧も低くなって、基準電圧と等しくなる。
【0045】逆に、負荷が重くなると、換言すれば負荷
抵抗rが小さくなると、トランス4の1次側から見込ん
だインピーダンスZ2が小さくなり、平滑回路6からの
出力電圧が基準電圧よりも低くなる結果、スイッチング
回路2のスイッチング周波数が低くなる。ここで、主コ
イル3とトランス4の1次側巻線15との直列回路にス
テップ電圧が印加された場合の電流の過渡応答を考える
と、過渡期間においては電流がほぼ直線的に増加する。
したがって、スイッチング回路2のスイッチング周波数
が低くなると、トランス4の1次側巻線15に流れる電
流の増加期間が長くなって、電流のピーク値が大きくな
る。この結果、トランス4の1次側巻線15に印加され
る電圧が高くなり、平滑回路6からの出力電圧も高くな
って、基準電圧と等しくなる。
抵抗rが小さくなると、トランス4の1次側から見込ん
だインピーダンスZ2が小さくなり、平滑回路6からの
出力電圧が基準電圧よりも低くなる結果、スイッチング
回路2のスイッチング周波数が低くなる。ここで、主コ
イル3とトランス4の1次側巻線15との直列回路にス
テップ電圧が印加された場合の電流の過渡応答を考える
と、過渡期間においては電流がほぼ直線的に増加する。
したがって、スイッチング回路2のスイッチング周波数
が低くなると、トランス4の1次側巻線15に流れる電
流の増加期間が長くなって、電流のピーク値が大きくな
る。この結果、トランス4の1次側巻線15に印加され
る電圧が高くなり、平滑回路6からの出力電圧も高くな
って、基準電圧と等しくなる。
【0046】かくして、出力端子14から出力される直
流電圧は、常に基準電圧に等しくなるようにフィードバ
ック制御される。
流電圧は、常に基準電圧に等しくなるようにフィードバ
ック制御される。
【0047】また、スイッチング回路2のスイッチング
周波数を可変させることによりトランス4の1次側巻線
15に印加される電圧を可変させるためには、主コイル
3とトランス4の1次側巻線15との直列回路に流れる
電流が一定の定常電流になる前の直線的に増加する過渡
期間のみを利用する必要があり、このためには、軽負荷
時ほどスイッチング回路2のスイッチング周波数を高く
する必要があるが、本実施形態においては、負荷が軽く
なればスイッチング回路2のスイッチング周波数が高く
なり、負荷が重くなればスイッチング回路2のスイッチ
ング周波数が低くなるので、上記の要請を満足している
ことになる。
周波数を可変させることによりトランス4の1次側巻線
15に印加される電圧を可変させるためには、主コイル
3とトランス4の1次側巻線15との直列回路に流れる
電流が一定の定常電流になる前の直線的に増加する過渡
期間のみを利用する必要があり、このためには、軽負荷
時ほどスイッチング回路2のスイッチング周波数を高く
する必要があるが、本実施形態においては、負荷が軽く
なればスイッチング回路2のスイッチング周波数が高く
なり、負荷が重くなればスイッチング回路2のスイッチ
ング周波数が低くなるので、上記の要請を満足している
ことになる。
【0048】このように、トランス4の1次側巻線15
に直列に主コイル3を挿入し、この主コイル3のインピ
ーダンスとトランス4の1次側巻線15のインピーダン
スとでスイッチング電圧を分圧する構成として、出力端
子14から出力される出力電圧が基準電圧より高い場合
はスイッチング回路2のスイッチング周波数を高くして
トランス4の1次側巻線15に印加される電圧を低く
し、逆に出力端子14から出力される出力電圧が基準電
圧より低い場合はスイッチング回路2のスイッチング周
波数を低くしてトランス4の1次側巻線15に印加され
る電圧を高くするので、出力電圧を安定化させることが
できる。
に直列に主コイル3を挿入し、この主コイル3のインピ
ーダンスとトランス4の1次側巻線15のインピーダン
スとでスイッチング電圧を分圧する構成として、出力端
子14から出力される出力電圧が基準電圧より高い場合
はスイッチング回路2のスイッチング周波数を高くして
トランス4の1次側巻線15に印加される電圧を低く
し、逆に出力端子14から出力される出力電圧が基準電
圧より低い場合はスイッチング回路2のスイッチング周
波数を低くしてトランス4の1次側巻線15に印加され
る電圧を高くするので、出力電圧を安定化させることが
できる。
【0049】しかも、負荷や負帰還の状況に係わらず、
出力インピーダンスを常に低く維持できる。すなわち、
第2パルス列38,39のデューティーサイクルを変化
させるのではなく周波数を変化させて出力電圧を制御す
るので、負荷変動などに係わらず常に大きな流通角で動
作することから、オープンループ時の出力インピーダン
スの上昇が少なく、特に大電力用途に適した、安定化さ
れた出力電圧を得ることができる。
出力インピーダンスを常に低く維持できる。すなわち、
第2パルス列38,39のデューティーサイクルを変化
させるのではなく周波数を変化させて出力電圧を制御す
るので、負荷変動などに係わらず常に大きな流通角で動
作することから、オープンループ時の出力インピーダン
スの上昇が少なく、特に大電力用途に適した、安定化さ
れた出力電圧を得ることができる。
【0050】また、周波数可変発振回路9にデューティ
ー補正回路を内蔵させて、第1パルス列30のデューテ
ィーサイクルを略50パーセントに維持したので、トラ
ンス4に直流成分が印加されることがなく、異常動作の
発生を良好に防止できる。
ー補正回路を内蔵させて、第1パルス列30のデューテ
ィーサイクルを略50パーセントに維持したので、トラ
ンス4に直流成分が印加されることがなく、異常動作の
発生を良好に防止できる。
【0051】また、第2パルス列38,39がその周波
数に係わらず固定的なデッドタイムを有するようにスイ
ッチング制御回路10を構成したので、電界効果トラン
ジスタFET1,FET4、あるいは電界効果トランジ
スタFET3,FET2を流れる貫流電流の発生を良好
に防止できる。すなわち、電界効果トランジスタFET
1と電界効果トランジスタFET4、あるいは電界効果
トランジスタFET3と電界効果トランジスタFET2
とが同時にオンとなって貫通電流が流れるのを防止する
ため、全ての電界効果トランジスタFET1〜FET4
がオフとなる期間、すなわち、いわゆるデッドタイムと
呼ばれる期間が必要となる。通常のPWMコントローラ
などでは、この期間はスイッチングの周期に対して5〜
10パーセント程度の一定の割合となるように構成され
ているが、必要となるデッドタイムはスイッチング素子
としての電界効果トランジスタFET1〜FET4の応
答速度に依存するものであってスイッチング周波数に依
存するわけではないので、第2パルス列38,39の周
波数に関係なく固定のデッドタイムである方が好まし
い。
数に係わらず固定的なデッドタイムを有するようにスイ
ッチング制御回路10を構成したので、電界効果トラン
ジスタFET1,FET4、あるいは電界効果トランジ
スタFET3,FET2を流れる貫流電流の発生を良好
に防止できる。すなわち、電界効果トランジスタFET
1と電界効果トランジスタFET4、あるいは電界効果
トランジスタFET3と電界効果トランジスタFET2
とが同時にオンとなって貫通電流が流れるのを防止する
ため、全ての電界効果トランジスタFET1〜FET4
がオフとなる期間、すなわち、いわゆるデッドタイムと
呼ばれる期間が必要となる。通常のPWMコントローラ
などでは、この期間はスイッチングの周期に対して5〜
10パーセント程度の一定の割合となるように構成され
ているが、必要となるデッドタイムはスイッチング素子
としての電界効果トランジスタFET1〜FET4の応
答速度に依存するものであってスイッチング周波数に依
存するわけではないので、第2パルス列38,39の周
波数に関係なく固定のデッドタイムである方が好まし
い。
【0052】また、主コイル3とトランス4の1次側巻
線15との直列回路と並列に、補助コイル12を接続し
たので、補助コイル12によってスイッチング回路2の
フライホイルダイオードに慣性電流を流せることから、
電界効果トランジスタFET1〜FET4のオフからオ
ンへの切替え時に電界効果トランジスタFET1〜FE
T4に電圧が印加されていない状態である、いわゆる電
圧ゼロスイッチを実現できる。
線15との直列回路と並列に、補助コイル12を接続し
たので、補助コイル12によってスイッチング回路2の
フライホイルダイオードに慣性電流を流せることから、
電界効果トランジスタFET1〜FET4のオフからオ
ンへの切替え時に電界効果トランジスタFET1〜FE
T4に電圧が印加されていない状態である、いわゆる電
圧ゼロスイッチを実現できる。
【0053】なお、上記実施形態においては、スイッチ
ング回路2としてフルブリッジタイプを採用したが、用
途によってはハーフブリッジタイプを採用してもよい。
ング回路2としてフルブリッジタイプを採用したが、用
途によってはハーフブリッジタイプを採用してもよい。
【0054】また、上記実施形態においては、ホトカプ
ラ26,41として発光ダイオード28,47およびホ
トトランジスタ29,48を備えたものを採用したが、
受光側素子としてホトMOS−FETやCdSなどを用
いてもよく、また発光側素子として通常のランプなどを
用いてもよい。
ラ26,41として発光ダイオード28,47およびホ
トトランジスタ29,48を備えたものを採用したが、
受光側素子としてホトMOS−FETやCdSなどを用
いてもよく、また発光側素子として通常のランプなどを
用いてもよい。
【0055】また、上記実施形態においては、インダク
タンス素子として主コイル3を用いたが、コイルの代わ
りに可飽和リアクトルを用いてもよい。
タンス素子として主コイル3を用いたが、コイルの代わ
りに可飽和リアクトルを用いてもよい。
【0056】また、上記実施形態においては、主コイル
3とトランス4の1次側巻線15との直列回路に並列に
補助コイル12を接続したが、この補助コイル12は必
ずしも設ける必要はない。
3とトランス4の1次側巻線15との直列回路に並列に
補助コイル12を接続したが、この補助コイル12は必
ずしも設ける必要はない。
【0057】また、上記実施形態においては、周波数可
変発振回路9にデューティー補正回路を内蔵させたが、
このデューティー補正回路は必ずしも設ける必要はな
い。
変発振回路9にデューティー補正回路を内蔵させたが、
このデューティー補正回路は必ずしも設ける必要はな
い。
【0058】また、上記実施形態においては、固定のデ
ッドタイムを生成するようにスイッチング制御回路10
を構成したが、必ずしもこのように構成する必要はな
い。
ッドタイムを生成するようにスイッチング制御回路10
を構成したが、必ずしもこのように構成する必要はな
い。
【0059】もちろん、上記スイッチィングレキュレー
タの具体的な回路構成は、一例を示したものであって、
このように限定されるものではない。
タの具体的な回路構成は、一例を示したものであって、
このように限定されるものではない。
【図1】本発明に係るスイッチングレギュレータの回路
ブロック図である。
ブロック図である。
【図2】図1に示す周波数可変発振回路の回路図であ
る。
る。
【図3】図1に示すスイッチング制御回路の回路図であ
る。
る。
【図4】図3に示すスイッチング制御回路の各部信号波
形図である。
形図である。
【図5】図1に示す電圧変化検出回路の回路図である。
【図6】従来の大電力用のスイッチングレギュレータに
採用されていたPWM方式の説明図である。
採用されていたPWM方式の説明図である。
1 整流平滑回路 2 スイッチング回路 3 主コイル 4 トランス 5 整流回路 6 平滑回路 7 電圧変化検出回路 8 アイソレータ 9 周波数可変発振回路 10 スイッチング制御回路 11 定電圧電源回路 12 補助コイル 15 1次側巻線 16 2次側巻線 17 1次側補助巻線
Claims (5)
- 【請求項1】 交流電圧を整流および平滑して直流電圧
を生成する第1整流平滑手段と、 前記第1整流平滑手段からの直流電圧をスイッチングす
るスイッチング手段と、 トランスの1次側巻線に直列に接続されて前記スイッチ
ング手段の出力が入力されるインダクタンス素子と、 前記トランスの2次側巻線から出力される電圧を整流お
よび平滑して直流電圧を生成する第2整流平滑手段と、 前記第2整流平滑手段からの直流電圧と基準電圧との偏
差に応じた制御信号を出力する電圧変化検出手段と、 前記電圧変化検出手段からの制御信号に応じて発振周波
数を制御され、その発振信号を前記スイッチング手段を
駆動するためのタイミング信号として出力する周波数可
変発振手段とを備えたことを特徴とする、スイッチング
レギュレータ。 - 【請求項2】 前記インダクタンス素子と前記トランス
の1次側巻線との直列回路に対して並列に接続された補
助インダクタンス素子を有する、請求項1に記載のスイ
ッチングレギュレータ。 - 【請求項3】 前記周波数可変発振手段は、タイミング
信号として第1パルス列を出力し、 前記周波数可変発振手段からの第1パルス列のデューテ
ィーサイクルを略50パーセントに保つデューティー補
正手段を有する、請求項1または2に記載のスイッチン
グレギュレータ。 - 【請求項4】 前記周波数可変発振手段は、タイミング
信号として第1パルス列を出力し、 前記周波数可変発振手段からの第1パルス列に基づい
て、その第1パルス列の周波数に係わらず互いのオフ期
間の重なり時間が常に一定である対の第2パルス列を生
成し、その第2パルス列により前記スイッチング手段を
駆動するスイッチング制御手段を有する、請求項1ない
し3のいずれかに記載のスイッチングレギュレータ。 - 【請求項5】 前記スイッチング制御手段は、 前記第1パルス列を前記オフ期間の重なり時間に相当す
る所定時間遅延させて遅延パルス列として出力する遅延
回路と、 前記遅延回路からの遅延パルス列と前記第1パルス列と
の論理積を前記第2パルス列の一方として出力するAN
D回路と、 前記遅延回路からの遅延パルス列と前記第1パルス列と
の論理和の否定信号を前記第2パルス列の他方として出
力するNOR回路とを有する、請求項4に記載のスイッ
チングレギュレータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000309222A JP2002119053A (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | スイッチングレギュレータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000309222A JP2002119053A (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | スイッチングレギュレータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002119053A true JP2002119053A (ja) | 2002-04-19 |
Family
ID=18789424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000309222A Pending JP2002119053A (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | スイッチングレギュレータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002119053A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005252708A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Victor Co Of Japan Ltd | Dクラスアンプ |
CN100364220C (zh) * | 2005-02-04 | 2008-01-23 | 邹荣生 | 多用途开关电源 |
JP2013031366A (ja) * | 2003-09-08 | 2013-02-07 | Peregrine Semiconductor Corp | チャージポンプ装置及び出力電源生成方法 |
US8686787B2 (en) | 2011-05-11 | 2014-04-01 | Peregrine Semiconductor Corporation | High voltage ring pump with inverter stages and voltage boosting stages |
US8816659B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-08-26 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low-noise high efficiency bias generation circuits and method |
JP2015041999A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 増幅回路 |
US8994452B2 (en) | 2008-07-18 | 2015-03-31 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low-noise high efficiency bias generation circuits and method |
US9264053B2 (en) | 2011-01-18 | 2016-02-16 | Peregrine Semiconductor Corporation | Variable frequency charge pump |
US9660590B2 (en) | 2008-07-18 | 2017-05-23 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low-noise high efficiency bias generation circuits and method |
CN110429803A (zh) * | 2019-09-03 | 2019-11-08 | 上海沪工焊接集团股份有限公司 | 驱动电路和逆变电源 |
EP4131754A4 (en) * | 2020-03-31 | 2024-08-28 | Kyosan Electric Mfg | DRIVE DEVICE FOR CLASS D FULL BRIDGE AMPLIFIER |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0716594U (ja) * | 1993-08-24 | 1995-03-17 | サンケン電気株式会社 | 共振形dc−dcコンバータ |
JPH07123718A (ja) * | 1993-10-28 | 1995-05-12 | Sanken Electric Co Ltd | Dc−dcコンバ−タ |
JPH08265112A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Advantest Corp | デユーテイ比補正回路 |
JPH1080155A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-24 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 正負パルス形成装置 |
JP2000262054A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Sanken Electric Co Ltd | スイッチング電源装置 |
-
2000
- 2000-10-10 JP JP2000309222A patent/JP2002119053A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0716594U (ja) * | 1993-08-24 | 1995-03-17 | サンケン電気株式会社 | 共振形dc−dcコンバータ |
JPH07123718A (ja) * | 1993-10-28 | 1995-05-12 | Sanken Electric Co Ltd | Dc−dcコンバ−タ |
JPH08265112A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Advantest Corp | デユーテイ比補正回路 |
JPH1080155A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-24 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 正負パルス形成装置 |
JP2000262054A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Sanken Electric Co Ltd | スイッチング電源装置 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013031366A (ja) * | 2003-09-08 | 2013-02-07 | Peregrine Semiconductor Corp | チャージポンプ装置及び出力電源生成方法 |
US10965276B2 (en) | 2003-09-08 | 2021-03-30 | Psemi Corporation | Low noise charge pump method and apparatus |
US9190902B2 (en) | 2003-09-08 | 2015-11-17 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low noise charge pump method and apparatus |
JP4538783B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2010-09-08 | 日本ビクター株式会社 | Dクラスアンプ |
JP2005252708A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Victor Co Of Japan Ltd | Dクラスアンプ |
CN100364220C (zh) * | 2005-02-04 | 2008-01-23 | 邹荣生 | 多用途开关电源 |
US9429969B2 (en) | 2008-07-18 | 2016-08-30 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low-noise high efficiency bias generation circuits and method |
US9660590B2 (en) | 2008-07-18 | 2017-05-23 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low-noise high efficiency bias generation circuits and method |
US8994452B2 (en) | 2008-07-18 | 2015-03-31 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low-noise high efficiency bias generation circuits and method |
US8816659B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-08-26 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low-noise high efficiency bias generation circuits and method |
US11188106B2 (en) | 2010-08-06 | 2021-11-30 | Psemi Corporation | Low-noise high efficiency bias generation circuits and method |
US11662755B2 (en) | 2010-08-06 | 2023-05-30 | Psemi Corporation | Low-noise high efficiency bias generation circuits and method |
US9413362B2 (en) | 2011-01-18 | 2016-08-09 | Peregrine Semiconductor Corporation | Differential charge pump |
US9264053B2 (en) | 2011-01-18 | 2016-02-16 | Peregrine Semiconductor Corporation | Variable frequency charge pump |
US9354654B2 (en) | 2011-05-11 | 2016-05-31 | Peregrine Semiconductor Corporation | High voltage ring pump with inverter stages and voltage boosting stages |
US8686787B2 (en) | 2011-05-11 | 2014-04-01 | Peregrine Semiconductor Corporation | High voltage ring pump with inverter stages and voltage boosting stages |
JP2015041999A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 増幅回路 |
CN110429803A (zh) * | 2019-09-03 | 2019-11-08 | 上海沪工焊接集团股份有限公司 | 驱动电路和逆变电源 |
CN110429803B (zh) * | 2019-09-03 | 2024-04-23 | 上海沪工焊接集团股份有限公司 | 驱动电路和逆变电源 |
EP4131754A4 (en) * | 2020-03-31 | 2024-08-28 | Kyosan Electric Mfg | DRIVE DEVICE FOR CLASS D FULL BRIDGE AMPLIFIER |
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