JP2001332436A

JP2001332436A - コンデンサおよび多層プリント配線板

Info

Publication number: JP2001332436A
Application number: JP2000146951A
Authority: JP
Inventors: Hideo Yahashi; 英郎矢橋; Seiji Shirai; 誠二白井; Katsutoshi Ito; 克敏伊藤
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2000-05-18
Filing date: 2000-05-18
Publication date: 2001-11-30
Anticipated expiration: 2020-05-18
Also published as: JP4641588B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】多層プリント配線板に収納または内蔵させる
のに適したコンデンサを提供する。【解決手段】多層プリント配線板に収納または内蔵さ
せるコンデンサであって、その表面の少なくとも一部
は、水に対する接触角が７〜４５°であることを特徴と
するコンデンサであって、その表面の少くとも一部には
プラズマ処理、洗浄処理および酸処理のうちの少くとも
一の処理が施されている。さらに、前記処理の後、コー
ティング層が形成されていることを特徴とする。上記コ
ンデンサを内臓または収納する多層プリント配線板で
は、基板上に層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成さ
れ、前記コンデンサと導体回路および上下の導体回路が
バイアホールを介して接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板に内蔵させるコンデンサ、および、該コンデンサを内
蔵した多層プリント配線板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、パッケージ基板用のプリント配線
板では、電源からＩＣチップの電源／アースまでのルー
プインダクタンスを低減するために、チップコンデンサ
を表面実装していた。即ち、伝送損失となるループイン
ダクタンスは、図１５（ａ）に示すＩＣチップ１９０の
電源端子１９２Ｐからプリント配線板３００内の電源線
を介して電源までの配線長および電源からプリント配線
板３００内のアース線を介してＩＣチップ１９０のアー
ス端子１９２Ｅ間での配線長に比例する。このため、図
１５（ｂ）に示すように、プリント配線板３００にチッ
プコンデンサ２００を表面実装し、電源とＩＣチップの
電源端子／アース端子との間にチップコンデンサを介在
させることで、ループインダクタンスを決定するループ
長を図中の実線で示すように、短縮することができる。

【０００３】しかしながら、ループインダクタンスのリ
アクタンス分は周波数に依存するため、ＩＣチップの駆
動周波数が増加するのに伴って、上述の多層プリント配
線板の表面にチップコンデンサを実装させても、ループ
インダクタンスを充分に低減することができなくなって
きた。

【０００４】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
電源からＩＣチップの電源／アースまでのループインダ
クタンスをより低減させるために、鋭意研究を行った結
果、多層プリント配線板にコンデンサを内蔵させれば良
いことを知見し、前に、コンデンサが内蔵または収納
（以下、両者をあわせて単に内蔵ともいう）されている
基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成さ
れ、上記電子部品と導体回路、および、上下の導体回路
がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配
線板を提案した。このような多層プリント配線板では、
ＩＣチップとコンデンサとの間の距離が、コンデンサを
表面実装する場合に比べて短く、高周波数で駆動するＩ
Ｃチップを実装した場合でも、ループインダクタンスが
充分に低い。

【０００５】上記多層プリント配線板においては、基板
にザクリ（凹部）、貫通孔等のコンデンサを内蔵するた
めのキャビティが設けられ、該キャビティ内に接着剤を
介してコンデンサが取り付けられており、さらに、この
コンデンサが内蔵された基板の両面には、層間樹脂絶縁
層と導体回路とが形成され、コンデンサの接続端子と上
層の導体回路、及び、層間樹脂絶縁層を介した上下の導
体回路間は、バイアホールを介して接続されている。

【０００６】しかしながら、従来の多層プリント配線板
実装用コンデンサは、表面実装を目的に製造されたもの
であり、通常、コンデンサの一面のみが多層プリント配
線板表面に接触するものであり、コンデンサを基板に内
蔵する使用形態が想定されたものではなかった。従っ
て、コンデンサの表面状態は、通常、均一ではなく、油
分等の異物が存在し、そのため、該コンデンサを基板に
内蔵した際には、その表面状態が不均一であることに起
因して、コンデンサと接着剤との間で剥離が発生した
り、該接着剤にクラックが発生したりするという問題が
あった。この場合、コンデンサの端子とバイアホールと
の間の接続が遮断されたり、層間樹脂絶縁層に膨れが生
じたりし、これが、多層プリント配線板の電気的接続
性、信頼性を低下させる原因になっていた。

【０００７】また、上記以外にコンデンサを基板中に埋
め込む従来技術として、特開平６−３２６４７２号公
報、特開平７−２６３６１９号公報、特開平１１−４５
９５５号公報、特開平１１−１２６９７８号公報、特開
平１−３１２８６８号公報等がある。

【０００８】特開平６−３２６４７２号公報には、ガラ
スエポキシからなる樹脂基板にコンデンサを埋め込んだ
発明が記載されており、このように基板にコンデンサを
埋設することにより、電源のノイズが低減され、かつ、
チップコンデンサを実装するスペースが不要となり、基
板のサイズを小さくすることができるという効果が得ら
れることが記載されている。

【０００９】また、特開平７−２６３６１９号公報に
は、セラミック、アルミナなどの基板にコンデンサを埋
め込み、このコンデンサを電源層と接地層との間で接続
した発明が記載されており、このように構成すること
で、配線の長さを短くすることができ、インダクタンス
を低減させることができるという効果が得られることが
記載されている。

【００１０】しかしながら、これらの公報に記載された
コンデンサが埋設された基板においても、例えば、ヒー
トサイクルを１０００回繰り返す信頼性試験を行うと、
電気特性の低下、基板や層間樹脂絶縁層におけるクラッ
クの発生、コンデンサと基板や層間樹脂絶縁層との間で
の剥離の発生等が起こるという問題があった。

【００１１】本発明者らは、上記問題を解決するために
鋭意研究を重ねた結果、コンデンサ表面の濡れ性を改善
するか、または、コンデンサ表面に均一なコーティング
層を形成することにより、コンデンサと接着剤との密着
性が向上し、該コンデンサと接着剤との間で剥離が発生
したり、該接着剤にクラックが発生したりしにくくなる
ことを見出し本発明を完成した。

【００１２】即ち、第一の本発明のコンデンサは、多層
プリント配線板に収納または内蔵させるコンデンサであ
って、その表面の少なくとも一部は、水に対する接触角
が７〜４５°であることを特徴とする。

【００１３】また、上記コンデンサにおいて、その表面
の少なくとも一部は、プラズマ処理、洗浄処理および／
または酸処理が施されていることが望ましい。

【００１４】また、第二の本発明のコンデンサは、多層
プリント配線板に収納または内蔵させるコンデンサであ
って、その表面の少なくとも一部は、プラズマ処理、洗
浄処理および／または酸処理が施された後、コーティン
グ層が形成されていることを特徴とする。

【００１５】また、本発明の多層プリント配線板は、コ
ンデンサが内蔵または収納されている基板上に、層間樹
脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記コンデンサ
と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを
介して接続されてなる多層プリント配線板であって、上
記コンデンサは、本発明のコンデンサであることを特徴
とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】第一の本発明のコンデンサは、多
層プリント配線板に収納または内蔵されるコンデンサで
あって、その表面の少なくとも一部は、水に対する接触
角（以下、単に接触角ともいう）が７〜４５℃であるこ
とを特徴とする。

【００１７】第一の本発明のコンデンサによれば、その
表面の水に対する接触角が７〜４５°であるため、この
コンデンサを多層プリント配線板の基板のキャビティ等
に接着剤を介して埋設した場合には、該接着剤との密着
性が均一で、良好に接着することができ、コンデンサと
接着剤との間で剥離が発生したり、該接着剤にクラック
が発生したりすることがない。従って、第一の本発明の
コンデンサは、多層プリント配線板の内蔵用として適し
たものである。

【００１８】第一の本発明のコンデンサにおいて、その
表面の少なくとも一部は、水に対する接触角が７〜４５
°である上記接触角を７°未満にすることは、実質的に
困難であり、一方、４５°を超えると、該コンデンサを
多層プリント配線板に内蔵した際に、コンデンサと接着
剤との界面で、接着剤の浮きや剥がれが発生することが
ある。

【００１９】次に、第一の本発明のコンデンサの形状に
ついて、図面を参照しながら説明する。第一の本発明の
コンデンサとしては、例えば、図１（ａ）〜（ｃ）に示
す形状のコンデンサ等が挙げられる。なお、図１（ａ）
〜（ｃ）は、第一の本発明のコンデンサの一例を模式的
に示す断面図である。

【００２０】図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、コンデ
ンサ２０、１２０、２２０は、第１電極２１と第２電極
２２と、第１電極２１、第２電極２２に挟まれた誘電体
２３とからなり、誘電体２３には、第１電極２１側に接
続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続され
た第２導電膜２５とが複数枚対向配置されている。

【００２１】さらに、（ａ）に示すコンデンサ２０で
は、第１電極２１、第２電極２２の周囲にはＳｎ等から
なる金属層２６が形成されている。また、（ｂ）に示す
コンデンサ１２０では、第１電極２１および第２電極２
２の上面を除いた部分に金属層１２６が形成されてい
る。このように、金属層２６、１２６を形成することに
より、防錆性、半田付き性等を向上させることができ
る。なお、上記金属層は、（ｃ）に示すように、全く形
成されていなくてもよいし、電極の上面、側面または下
面の任意の一面にのみ形成されていてもよい。

【００２２】本発明のコンデンサは、このような形状の
コンデンサであって、その表面の少なくなくとも一部の
接触角が７〜４５°に保たれているため、接着剤との密
着性に優れる。従って、上記コンデンサは、必要とされ
る接着剤との密着性を考慮して、コンデンサ表面の少な
くとも一部の接触角を上記範囲にすればよいが、コンデ
ンサの全表面の接触角が上記範囲であることが望まし
い。

【００２３】また、コンデンサ表面の接触角を上記範囲
に調整する方法としては、例えば、コンデンサ表面に、
プラズマ処理、洗浄処理、酸処理等を施す方法等が挙げ
られる。

【００２４】上記プラズマ処理としては、酸素、窒素、
炭酸ガス、四塩化炭素等を用いる方法等が挙げられる。
これらのなかでは、酸素を用いることが望ましい。コン
デンサを損傷することがなく、また、安価に処理するこ
とができるからである。

【００２５】また、上記プラズマ処理におけるプラズマ
放射量としては２００〜１０００Ｗが望ましく、処理時
間としては真空下で１〜２０分間が望ましい。処理時間
が１分未満では、接触角を上記範囲に改善することがで
きないことがあり、一方、２０分を超えると、接触角の
改善効果が相殺されてしまうことがあるからである。ま
た、上記処理は減圧下で行うことが望ましい。

【００２６】上記洗浄処理としては、例えば、アルカリ
洗浄、酸洗浄、中性洗浄等が挙げられる。上記洗浄処理
では、主に、脱脂作用や酸化膜等の異物の除去作用によ
りコンデンサ表面の接触角を上記範囲にすることができ
る。

【００２７】上記アルカリ洗浄は、例えば、陰イオン界
面活性剤と非イオン界面活性剤とにカセイソーダや、ア
ルカリ性のケイ酸、炭酸、リン酸、縮合リン酸等の塩を
添加した溶液をスプレーしたり、該溶液中にコンデンサ
を浸漬したりすることにより行うことができる。また、
界面活性剤を添加した電解洗浄法により行うこともでき
る。

【００２８】上記酸洗浄は、例えば、硫酸や塩酸等の酸
に、陽イオン界面活性剤を添加した溶液をスプレーした
り、該溶液中にコンデンサを浸漬したりすることにより
行うことができる。

【００２９】上記酸処理としては、例えば、塩酸、硝
酸、硫酸、フッ酸およびリン酸からなる群より選択され
る少なくとも一種の酸を含む溶液に浸漬する方法等が挙
げられる。これらのなかでは、硫酸および／またはフッ
酸を用いて行う処理が望ましい。短時間で接触角を上記
範囲に改善することができるとともに、処理後、コンデ
ンサ表面に残渣が残ることもないからである。

【００３０】上記酸処理において、溶液中の酸の濃度は
１０重量％以上であることが望ましい。上記酸の濃度が
１０重量％未満では、接触角を上記範囲に改善するのに
長時間を要し、その結果、コンデンサに変質、変形等が
発生してしまうことがあるからである。

【００３１】また、酸からなる溶液への浸漬時間は、使
用する酸の種類、および、その濃度を考慮して適宜選択
すればよいが、通常、１〜１５分間が望ましい。上記浸
漬時間が、１分未満では、接触角を上記範囲に改善する
ことができないことがあり、一方、１５分を超えると、
接触角の改善効果が相殺されてしまうことがあるからで
ある。酸からなる溶液への浸漬時間は、２〜１０分がよ
り望ましい。接触角をより所望のものにしやすく、金属
等へのダメージが少ないからである。また、上記酸から
なる溶液の液温度は、２０〜４０℃が望ましい。上記温
度が４０℃を超えると、コンデンサに変質、変形等が発
生してしまうことがあるからである。

【００３２】このような処理方法は、単独で用いてもよ
いし、複数の処理方法を組み合わせて用いてもよい。従
って、電極表面、金属層表面、誘電体表面のそれぞれを
異なる方法で処理してもよい。このような方法を用い
て、コンデンサ表面の少なくとも一部に粗面を形成する
ことにより、従来の表面実装用コンデンサを多層プリン
ト配線板に内蔵するのに適したコンデンサとすることが
できる。

【００３３】なお、本明細書において、コンデンサ表面
の一部とは、同一の材質から形成されている部分の一の
面全部をいい、コンデンサ表面の任意の一部という意味
ではない。従って、例えば、図１に示す形状のコンデン
サにおいて、金属層２６の側面が、本明細書でいうコン
デンサ表面の一部に該当する場合、金属層２６の側面全
部が上記範囲の接触角にあり、金属層２６の側面の一部
が上記範囲の接触角にあるわけではない。

【００３４】次に、第二の本発明のコンデンサについて
説明する。第二の本発明のコンデンサは、多層プリント
配線板に収納または内蔵させるコンデンサであって、そ
の表面の少なくとも一部は、プラズマ処理、洗浄処理お
よび酸処理のうちの少なくとも一の処理が施された後、
コーティング層が形成されていることを特徴とする。

【００３５】第二の本発明のコンデンサによれば、その
表面にコーティング層が形成され、その表面が均一であ
るため、このコンデンサを多層プリント配線板の基板の
キャビティ等に接着剤を介して埋設した場合には、該接
着剤との密着性に優れ、コンデンサと接着剤との間で剥
離が発生したり、該接着剤にクラックが発生したりする
ことがない。従って、第二の本発明のコンデンサもま
た、多層プリント配線板の内蔵用として適したものであ
る。

【００３６】第二の本発明のコンデンサにおいて、その
表面の少なくとも一部は、プラズマ処理、洗浄処理およ
び酸処理のうちの少なくとも一の処理が施された後、コ
ーティング層が形成されている。

【００３７】上記プラズマ処理、洗浄処理、酸処理とし
ては、第一のコンデンサにおいて、その表面の接触角を
改善する際に用いるこれらの処理方法と同様の方法等を
用いることができる。従って、第二の本発明のコンデン
サにおいても、コンデンサ表面の油分等の異物は除去さ
れている。

【００３８】さらに、第二の本発明のコンデンサでは、
上記処理の後、コーティング層が形成されている。上記
コーティング層の材質としては特に限定されないが、該
コンデンサを多層プリント配線板に接着剤を介して内蔵
するため、使用する接着剤との親和性に優れるものが望
ましい。

【００３９】従って、上記コーティング層の材質は、上
記接着剤の材質を考慮して適宜選択すればよく、通常、
樹脂が望ましい。上記コーティング層を形成する方法と
しては、例えば、誘電体表面にビニル系単量体等をグラ
フト重合させる方法や、誘電体表面に超音波処理等の機
械的処理により活性基を生じさせ、該活性基とポリマー
とを反応させる方法、また、誘電体表面に水酸基等の反
応基等がある場合には、該反応基とビニルトリクロルシ
ラン、ビニルトリエトキシシラン等を反応させる方法等
が挙げられる。このような第二の本発明のコンデンサ
は、第一の本発明のコンデンサ表面の少なくとも一部に
コーティング層が形成されたものであり、例えば、図１
（ａ）〜（ｃ）に示すコンデンサの表面の少なくとも一
部にコーティング層が形成されたものである。

【００４０】次に、本発明の多層プリント配線板につい
て説明する。本発明の多層プリント配線板は、コンデン
サが内蔵または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁
層と導体回路とが順次形成され、上記コンデンサと導体
回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して
接続されてなる多層プリント配線板であって、上記コン
デンサは、第一または第二の本発明のコンデンサである
ことを特徴とする。

【００４１】本発明の多層プリント配線板によれば、第
一または第二の本発明のコンデンサが基板に内蔵されて
いるため、コンデンサと接着剤との間で剥離が発生した
り、該接着剤にクラックが発生したりすることがない。
そのため、上記多層プリント配線板は、コンデンサの端
子とバイアホールとの間の接続が遮断されたり、層間樹
脂絶縁層に膨れが生じたりすることがなく、電気的接続
性、信頼性に優れる。

【００４２】この場合、ヒートサイクル等により、コン
デンサ周辺の樹脂が伸縮し、この伸縮により樹脂に応力
が発生するが、本発明のコンデンサでは、全体的に均一
な接着力で樹脂がコンデンサと接着しているため、その
応力が樹脂の一部に集中することがない。その結果、周
辺樹脂にクラックやコンデンサからの剥離が発生せず、
コンデンサのずれも発生しない。

【００４３】以下、本発明の多層プリント配線板につい
て図面を参照しながら説明する。まず、上記多層プリン
ト配線板の第一の実施形態について説明する。図２は、
本発明の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面
図であり、図３は、図２に示す多層プリント配線板にＩ
Ｃチップを実装し、ドータボードに取り付けた状態を模
式的に示す断面図である。

【００４４】図２に示すように多層プリント配線板１０
には、コンデンサ２０と、コンデンサ２０を内蔵する基
板３０と、層間樹脂絶縁層４０、６０とが形成されてい
る。層間樹脂絶縁層４０には、バイアホール４６および
導体回路４８が形成され、層間樹脂絶縁層６０には、バ
イアホール６６および導体回路６８が形成されている。
また、基板３０を介した上下の導体回路間を接続するた
めに、スルーホール３６が形成されている。

【００４５】また、層間時絶縁層６０上には、ソルダー
レジスト層７０が配設されており、ソルダーレジスト層
７０の開口部７１下の導体回路６８（バイアーホール６
６を含む）には、ドータボード、マザーボード等の外部
基板と接続するための半田バンプ７６がニッケルめっき
層および金めっき層を介して設けられている。

【００４６】この多層プリント配線板１０では、基板に
コンデンサ２０が接着剤３２を介して内蔵され、コンデ
ンサ２０は、第一または第二の本発明のコンデンサであ
る。このため、コンデンサ２０と接着剤３２との密着性
が高く、ヒートサイクル条件下においても、コンデンサ
２０と接着剤３２との接触面で剥離が発生したり、接着
剤にクラックが発生したりすることがない。従って、コ
ンデンサの端子とバイアホールとの間の接続が遮断され
たり、層間樹脂絶縁層に膨れが生じたりすることがな
く、多層プリント配線板１０は、電気的接続性、信頼性
に優れる。

【００４７】上記接着剤としては特に限定されず、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。

【００４８】また、図３に示すように、ＩＣチップ９０
が実装され、ドータボードへ取り付けられた多層プリン
ト配線板では、上側のソルダーレジスト層７０の開口部
７１内に形成されたバンプ７６と、ＩＣチップ９０のパ
ッド９２Ｓ１、９２Ｓ２、９２Ｐ１、９２Ｐ２とが接続
されている。また、下側のソルダーレジスト層７０の開
口部７１内に形成されたバンプ７６は、ドータボード９
４のパッド９６Ｓ１、９６Ｓ２、９６Ｐ１、９６Ｐ２へ
接続されている。

【００４９】また、図３中に示すＩＣチップ９０の信号
用のパッド９２Ｓ２は、バンプ７６−導体回路６８−バ
イアホール６６−スルーホール３６−バイアホール６６
−バンプ７６を介して、ドータボード９４の信号用のパ
ッド９６Ｓ２に接続されている。一方、ＩＣチップ９０
の信号用のパッド９２Ｓ１は、バンプ７６−バイアホー
ル６６−スルーホール３６−バイアホール６６−バンプ
７６を介して、ドータボード９４の信号用のパッド９６
Ｓ１に接続されている。

【００５０】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ１
は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バ
イアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第１電
極２１へ接続されている。一方、ドータボード９４の電
源用パッド９６Ｐ１は、バンプ７６−バイアホール６６
−スルーホール３６−導体回路４８−バイアホール４６
を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続さ
れている。

【００５１】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ２
は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バ
イアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第２電
極２２へ接続されている。一方、ドータボード９４の電
源用パッド９６Ｐ２は、バンプ７６−バイアホール６６
−スルーホール３６−導体回路４８−バイアホール４６
を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続さ
れている。

【００５２】従って、本発明の多層プリント配線板で
は、図１５（ｃ）に示すように、コンデンサ２０を基板
に内蔵することにより、ＩＣチップ９０の直下にコンデ
ンサ２０が配置されることとなり、コンデンサを介した
電源とＩＣチップ９０の電源端子９２Ｅ／アース端子９
２Ｐとの間の距離、即ち、ループインダクタンスを決定
するループ長が図１５（ｃ）中の実線で示すように、さ
らに短縮されている。その結果、高周波数で駆動するＩ
Ｃチップ９０を実装した場合でも、ループインダクタン
スが充分に低く、また、電力を瞬時的にＩＣチップ側へ
供給することが可能である。

【００５３】さらに、コンデンサ２０同士の間にスルー
ホール３６を設けることにより、コンデンサを信号線が
通過しない構成にすることができる。そのため、コンデ
ンサを信号線が通過する構成にした場合に発生する高誘
電体によるインピーダンス不連続による反射、および、
高誘電体通過による信号伝搬遅延を防ぐことができる。

【００５４】次に、図２に示した第１の実施形態に係る
多層プリント配線板の製造方法（第一の多層プリント配
線板の製造方法）について、図４〜図８を参照しながら
説明する。

【００５５】（１）片面に金属膜４１を積層した樹脂フ
ィルム４０αを出発材料とする（図４（ａ）参照）。樹
脂フィルム４０αとしては、例えば、エポキシ樹脂、ビ
スマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂、ポリイミド樹
脂、オレフィン樹脂等の熱硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂
と熱可塑性樹脂との樹脂複合体からなるもの等が挙げら
れる。また、感光性樹脂を用いることもできる。

【００５６】上記ポリオレフィン系樹脂の具体例として
は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソ
ブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロオ
レフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙げられ
る。上記ポリオレフィン系樹脂の市販品としては、例え
ば、住友スリーエム社製の商品名：１５９２等が挙げら
れる。また、融点が２００℃以上の熱可塑型ポリオレフ
ィン系樹脂の市販品としては、例えば、三井石油化学工
業社製の商品名：ＴＰＸ（融点２４０℃）、出光石油化
学社製の商品名：ＳＰＳ（融点２７０℃）等が挙げられ
る。

【００５７】これらのなかでは、シクロオレフィン系樹
脂が望ましい。シクロオレフィン系樹脂は、誘電率が低
く、ＧＨｚ帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延
や信号エラーが起きにくいことに加え、機械的特性、特
に、剛性が高いため、しっかりとした層間樹脂絶縁層を
形成することができ、その結果、多層プリント配線板の
接続信頼性を充分に確保することができる。

【００５８】また、上記シクロオレフィン系樹脂は、導
体回路との密着性にも優れるため、層間樹脂絶縁層が導
体回路から剥離することを防止することができ、剥離に
起因する層間樹脂絶縁層でのクラックの発生等も防止す
ることができる。さらに、上記シクロオレフィン系樹脂
は、吸水率が小さいため、導体回路間の電気絶縁性が高
くなり、信頼性も向上する。

【００５９】上記シクロオレフィン系樹脂としては、２
−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネンま
たはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または
共重合体であることが望ましい。上記誘導体としては、
２−ノルボルネン等のシクロオレフィンに、架橋を形成
するためのアミノ基や無水マレイン酸残基あるいはマレ
イン酸変性したもの等が結合したもの等が挙げられる。
上記共重合体を合成する場合の単量体としては、例え
ば、エチレン、プロピレン等が挙げられる。

【００６０】上記シクロオレフィン系樹脂は、上記した
樹脂の２種以上の混合物であってもよく、シクロオレフ
ィン系樹脂以外の樹脂を含むものであってもよい。ま
た、上記シクロオレフィン系樹脂が共重合体である場合
には、ブロック共重合体であってもよく、ランダム共重
合体であってもよい。

【００６１】また、上記シクロオレフィン系樹脂は、熱
硬化性シクロオレフィン系樹脂であることが望ましい。
加熱を行って架橋を形成させることにより、より剛性が
高くなり、機械的特性が向上するからである。上記シク
ロオレフィン系樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１３
０〜２００℃であることが望ましい。

【００６２】上記シクロオレフィン系樹脂は、フィラー
等を含まないものであってもよく、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、リン酸エステル等の難燃剤を
含むものであってもよい。

【００６３】また、上記樹脂複合体は、熱可塑性樹脂と
熱硬化性樹脂とを含むものである。上記熱可塑性樹脂と
しては、例えば、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリエー
テルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフォン
（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥ
Ｓ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテ
ルイミド（ＰＩ）、フェノキシ樹脂、フッ素樹脂等が挙
げられる。これらのなかでは、ポリスルフォン（ＰＳ
Ｆ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテ
ルイミド（ＰＩ）および／またはフェノキシ樹脂が望ま
しい。耐熱性、絶縁性に優れるとともに、高い靱性値を
有するため、耐クラック性、形状保持性に優れる層間樹
脂絶縁層を形成するのに特に適しているからである。

【００６４】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げら
れる。また、上記熱硬化性樹脂は、感光化した樹脂であ
ってもよく、具体的には、例えば、メタクリル酸やアク
リル酸等と熱硬化基とをアクリル化反応させたもの等が
挙げられる。特に、エポキシ樹脂をアクリレート化した
ものが望ましい。これらのなかでは、１分子中に、２個
以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望まし
い。

【００６５】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【００６６】上記樹脂複合体における熱可塑性樹脂と熱
硬化性樹脂との混合割合は、熱硬化性樹脂／熱可塑性樹
脂＝９５／５〜５０／５０が望ましい。耐熱性を損なう
ことなく、高い靱性値を確保することができるからであ
る。

【００６７】上記樹脂複合体の具体例としては、例え
ば、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子
という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶
性樹脂という）中に分散した粗化面形成用樹脂組成物等
が挙げられる。なお、上記「難溶性」および「可溶性」
という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、
相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」とい
い、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と
呼ぶ。

【００６８】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよ
い。

【００６９】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。

【００７０】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径ものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とのを含有する等であ
る。これにより、より複雑な粗化面を形成することがで
き、導体回路との密着性にも優れる。なお、本明細書に
おいて、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い
部分の長さである。

【００７１】上記可溶性樹脂粒子としては、酸あるいは
酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂
よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されず、そ
の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレ
ン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、アミノ樹脂
（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）等からな
るものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもので
あってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるもの
であってもよい。

【００７２】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた
場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、
酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述する
ように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与
する際に、触媒が付与されなかったり、触媒が酸化され
たりすることがない。

【００７３】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【００７４】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグ
ネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマ
イト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ
素化合物としては、例えば、シリカ、ゼオライト等が挙
げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併
用してもよい。

【００７５】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【００７６】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため上下の導体回路間の絶縁性を
確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱
膨張の調整が図りやすく、層間樹脂絶縁層にクラックが
発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発
生しないからである。

【００７７】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであればよく、上記熱可塑性
樹脂と上記熱硬化性樹脂との混合物を用いることができ
る。

【００７８】上記樹脂複合体として、粗化面形成用樹脂
組成物を用いる場合、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹
脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一
な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、バ
イアホールを含む導体回路との密着性を確保することが
できるからである。また、粗化面を形成する表層部だけ
に可溶性粒子を含有するフィルムを用いてもよい。この
場合、フィルムの表層部以外は、酸または酸化剤にさら
されることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回
路間の絶縁性が確実に保たれる。

【００７９】上記可溶性粒子の混合重量比は、難溶性樹
脂の固形分に対して５〜５０重量％が望ましく、１０〜
４０重量％がさらに望ましい。可溶性粒子の混合重量比
が５重量％未満では、充分な粗さの粗化面を形成するこ
とができない場合があり、５０重量％を超えると、酸ま
たは酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解して粗化面を形成
する際に、層間樹脂絶縁層の深部まで溶解してしまい、
樹脂絶縁層を介した上下の導体回路間の絶縁性を確保す
ることができず、短絡の原因となる場合がある。

【００８０】上記粗化面形成用樹脂組成物は、上記熱可
塑性樹脂および上記熱硬化性樹脂以外に、硬化剤、その
他の成分等を含有していることが望ましい。上記硬化剤
としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬
化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシ
アダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したも
の、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォ
ニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系
化合物等が挙げられる。

【００８１】上記硬化剤の含有量は、粗化面形成用樹脂
組成物に対して、０．０５〜１０重量％であることが望
ましい。０．０５重量％未満では、層間樹脂絶縁層を形
成する際に、樹脂複合体が充分に硬化せず、酸や酸化剤
を用いて層間樹脂絶縁層表面に粗化面を形成し、酸等が
樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、層間樹脂
絶縁層の絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重
量％を超えると過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変成さ
せることがあり、信頼性の低下を招いてしまうことがあ
る。

【００８２】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物や樹脂等のフィラーが
挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリ
カ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂とし
ては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポ
リアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹
脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラ
ーを含有させることにより、熱膨張係数の整合や耐熱
性、耐薬品性の向上等を図り、多層プリント配線板の性
能をより向上させることができる。

【００８３】また、上記粗化面形成用樹脂組成物は、溶
剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテ
ートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げ
られる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上併
用してもよい。

【００８４】（２）次に、金属膜４１をパターンエッチ
ングして所定の回路パターン４２を形成する（図４
（ｂ）参照）。続いて、樹脂フィルム４０αの下面の回
路パターン４２に上述したプラズマ処理等が施されたコ
ンデンサ２０を半田、導電性ペースト等の接着材料３４
を介して接着する。この場合、コンデンサは、半田等の
接着材料を介して回路パターン４２に接続されるため、
コンデンサの第１および第２電極の周囲には、Ｓｎから
なる金属層が形成されていることが望ましい。

【００８５】（３）上記樹脂フィルム４０αとは別に、
コンデンサ２０を内蔵するキャビティ３１を穿設した基
板３０αを用意する。キャビティ３１は、ザクリ、貫通
孔を形成したプリプレグと貫通孔を形成しないプリプレ
グとの接合や、射出成形等により形成する。基板３０α
としては、一般的にプリント配線板で使用されるもので
あれば特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、ＢＴ樹
脂、フェノール樹脂等にガラスエポキシ樹脂等の補強材
や心材を含浸させた樹脂からなる基板や、エポキシ樹脂
を含浸させたプリプレグを積層した基板等が挙げられ
る。また、両面銅張積層板、片面板、金属膜を有さない
樹脂板、樹脂フィルム等を用いてもよい。

【００８６】（４）次に、コンデンサ２０を取り付けた
樹脂フィルム４０αと、キャビティ３１を設けた基板３
０αと、更に、もう１枚の樹脂フィルム４０αとを積層
した後プレスし（図４（ｃ）および（ｄ）参照）、その
後、必要に応じて、加熱硬化させることにより、樹脂フ
ィルムの硬化層４０βを形成する（図５（ａ）参照）。
このとき、予め、キャビティ３１の内壁面および／また
はコンデンサに接着剤を塗布しておくことにより、コン
デンサをキャビティ３１の内壁面に接着剤３２を介して
接着させる。

【００８７】（５）次に、樹脂フィルムの硬化層４０β
にバイアホール用開口４３を形成し、層間樹脂絶縁層４
０とする（図５（ｂ）参照）。バイアホール用開口４３
の形成は、レーザ処理により行う。このとき、使用する
レーザとしては、例えば、炭酸ガス（ＣＯ₂ ）レーザ、
紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられる。これら
のなかでは、エキシマレーザや短パルスの炭酸ガスレー
ザが望ましい。

【００８８】上記エキシマレーザは、後述するように、
バイアーホール用開口を形成する部分に貫通孔が形成さ
れたマスク等を用いることにより、一度に多数のバイア
ホール用開口を形成することができ、また、短パルスの
炭酸ガスレーザは、開口内の樹脂残りが少なく、レーザ
照射部位の周囲の樹脂に対するダメージが特に小さいか
らである。

【００８９】また、エキシマレーザのなかでも、ホログ
ラム方式のエキシマレーザを用いることが望ましい。ホ
ログラム方式とは、レーザ光をホログラム、集光レン
ズ、レーザマスク、転写レンズ等を介して目的物に照射
する方式であり、この方式を用いることにより、一度の
照射で樹脂フィルム層に多数の開口を効率的に形成する
ことができる。

【００９０】また、炭酸ガスレーザを用いる場合、その
パルス間隔は、１０^-4〜１０^-8秒であることが望まし
い。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間
は、１０〜５００μｍ秒であることが望ましい。また、
バイアホール用開口を形成する部分に貫通孔が形成され
たマスクの貫通孔は、レーザ光のスポット形状を真円に
するために、真円である必要があり、上記貫通孔の径
は、０．１〜２ｍｍ程度が望ましい。

【００９１】また、光学系レンズと、マスクとを介して
レーザ光を照射することにより、一度に多数のバイアホ
ール用開口を形成することができる。光学系レンズとマ
スクとを介することにより、同一強度で、かつ、照射強
度が同一のレーザ光を複数の部分に照射することができ
るからである。

【００９２】また、樹脂フィルム４０αとして感光性樹
脂を用いた場合には、露光・現像処理によりバイアホー
ル用開口を形成してもよい。なお、この場合は、樹脂フ
ィルム４０αを積層して、プレスした後、加熱硬化する
前に、露光・現像処理を施すことが望ましい。完全に硬
化した層は、露光・現像処理により開口を形成するのに
適さず、所望の形状の開口を形成することができないか
らである。

【００９３】（６）次に、必要に応じて、デスミア処理
を行う。上記デスミア処理は、クロム酸、過マンガン酸
塩等の水溶液からなる酸化剤を使用して行うことができ
る。また、酸素プラズマ、ＣＦ₄ と酸素との混合プラズ
マやコロナ放電等で処理してもよい。また、低圧水銀ラ
ンプを用いて紫外線照射することにより、表面改質する
こともできる。その後、ドリル加工またはレーザ処理に
よりスルホール用貫通孔３３を形成する。スルホール用
貫通孔３３の径としては、５０〜５００μｍが望ましい
（図５（ｃ）参照）。

【００９４】また、スルホール用貫通孔３３を形成した
後、層間樹脂絶縁層４０表面（バイアホール用開口およ
びスルーホール用貫通孔の内壁面を含む）に粗化面を形
成してもよい。例えば、層間樹脂絶縁層４０の材料とし
て、上記ポリオレフィン系樹脂を用いた場合には、プラ
ズマ処理により粗化面を形成することができ、上記粗化
面形成用樹脂組成物を用いた場合には、酸や酸化剤を用
いて粗化面を形成することができる。

【００９５】（７）次に、無電解めっき、スパッタリン
グ等により層間樹脂絶縁層４０表面（バイアホール用開
口およびスルーホール用貫通孔の内壁面を含む）に薄膜
導体層４４を形成する（図６（ａ）参照）。薄膜導体層
４４は、単層であってもよいし、２層以上からなるもの
であってもよい。なお、無電解めっきにより薄膜導体層
を形成する場合には、予め、層間樹脂絶縁層４０表面に
パラジウム触媒等の触媒核を付与しておくことが望まし
い。

【００９６】薄膜導体層４４の材質としては、例えば、
スズ、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、タリウム、鉛等
が挙げられる。これらのなかでは、電気特性、経済性等
に優れる点から銅や銅およびニッケルからなるものが望
ましい。薄膜導体層４４の厚さとしては、無電解めっき
により薄膜導体層を形成する場合には、０．６〜１．２
μｍが望ましく、スパッタリングにより形成する場合に
は、０．１〜１．０μｍが望ましい。

【００９７】（８）次に、薄膜導体層４４を形成した層
間樹脂絶縁層４０上の一部にドライフィルムを用いてめ
っきレジスト５１を形成し、その後、薄膜導体層４４を
めっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジ
スト非形成部に電解めっき層４５を析出させる（図６
（ｂ）参照）。上記電解めっきとしては、銅めっきが望
ましい。また、このとき、バイアホール用開口を電解め
っきにより充填してフィールドビア構造としてもよく、
バイアホール用開口に導電性ペーストを充填した後、そ
の上に蓋めっき層を形成してフィールドビア構造として
もよい。フィールドビア構造を形成することにより、バ
イアホールの直上にバイアホールを設けることができ
る。

【００９８】（９）次に、めっきレジスト５１を除去し
た後、そのめっきレジスト５１下に存在する薄膜導体層
４４をエッチングにて溶解除去し、薄膜導体層４４と電
解めっき層４５とからなる導体回路４８、バイアホール
４６およびスルーホール３６を形成する（図６（ｃ）参
照）。なお、触媒を付着させた後、無電解めっきにより
薄膜導体層４４を形成した場合は、酸、または、酸化剤
を用いて層間樹脂絶縁層４０上の触媒を除去してもよ
い。触媒を除去することにより、電気特性の低減を防止
することができる。

【００９９】（１０）次に、必要に応じて、導体回路４
８、バイアホール４６およびスルーホール３６の表面に
粗化面を形成する。該粗化面は、エッチング処理、黒化
還元処理、めっき処理等により形成することができる。

【０１００】上記エッチング処理は、例えば、有機酸と
第二銅錯体とを含むエッチング液を用いて行うことがで
きる。上記有機酸としては、例えば、蟻酸、酢酸、プロ
ピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、ク
ロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル
酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リン
ゴ酸、スルファミン酸等が挙げられる。これらは、単独
で用いてもよく、２種以上併用してもよい。上記混合溶
液において、上記有機酸の含有量は、０．１〜３０重量
％が望ましい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ、
触媒安定性を確保することができるからである。

【０１０１】上記第二銅錯体としては、アゾール類の第
二銅錯体が望ましい。このアゾール類の第二銅錯体は、
金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。アゾール類
としては、例えば、ジアゾール、トリアゾール、テトラ
ゾール等が挙げられる。これらのなかでは、イミダゾー
ル、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾー
ル、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニ
ルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾールが望まし
い。上記エッチング液において、上記第二銅錯体の含有
量は、１〜１５重量％が望ましい。溶解性および安定性
に優れ、また、触媒核を構成するＰｄ等の貴金属をも溶
解させることができるからである。

【０１０２】上記黒化還元処理の具体的な方法として
は、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／
ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）、を含む水溶液を黒化
浴とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、
ＮａＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還
元処理を行う方法等が挙げられる。

【０１０３】上記めっき処理の具体的な方法としては、
硫酸銅（１〜４０ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル（０．１〜
６．０ｇ／ｌ）、クエン酸（１０〜２０ｇ／ｌ）、次亜
リン酸ナトリウム（１０〜１００ｇ／ｌ）、ホウ酸（１
０〜４０ｇ／ｌ）および界面活性剤（日信化学工業社
製、サーフィノール４６５）（０．０１〜１０ｇ／ｌ）
を含むｐＨ＝９の無電解めっき浴にて無電解めっきを施
す方法等が挙げられる。

【０１０４】（１１）次に、スルホール３６内を樹脂充
填材を用いて充填し、その後、導体回路４８を形成した
基板３０の両面に樹脂フィルム６０αを張り付ける（図
７（ａ）参照）。上記樹脂充填材としては、エポキシ樹
脂等の樹脂を主成分とする導電性を有さない樹脂や、銅
等の金属ペーストを含有させた導電性樹脂等を用いるこ
とができる。また、熱硬化性エポキシ樹脂に、シリカ等
の無機フィラーを配合して熱膨張率を層間樹脂絶縁層と
整合させた樹脂充填材を用いてもよい。また、樹脂フィ
ルム６０αとしては、樹脂フィルム４０αと同様のもの
を用いることができる。

【０１０５】（１２）次に、必要に応じて、樹脂フィル
ムを硬化させた後、上記（５）〜（１０）の工程（スル
ーホール用貫通孔の形成工程を除く）を繰り返すことに
より、更に上層の層間樹脂絶縁層６０および導体回路６
６（バイアホール６８）を形成する（図７（ｂ）〜図８
（ｂ）参照）。

【０１０６】（１３）次に、最外層の導体回路６８を含
む基板面に開口部７１を有するソルダーレジスト層７０
を形成する。上記ソルダーレジスト層としては、例え
ば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン系樹
脂、フッ素系樹脂、熱可塑性エラストマー、ソルダーレ
ジスト樹脂組成物等からなるものが挙げられる。上記ソ
ルダーレジスト層は、未硬化の樹脂（樹脂組成物）をロ
ールコータ法等により塗布したり、未硬化の樹脂フィル
ムを熱圧着したりした後、レーザ処理、露光・現像処理
等により開口処理を行い、さらに、硬化処理等を行うこ
とにより形成する。

【０１０７】上記ソルダーレジスト樹脂組成物として
は、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アク
リレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メタ）アク
リル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度
の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノー
ル型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリ
ル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル
系溶剤などを含むペースト状の流動体等が挙げられ、そ
の粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調製されているこ
とが望ましい。

【０１０８】上記ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）
アクリレートとしては、例えば、フェノールノボラック
やクレゾールノボラックのグリシジルエーテルをアクリ
ル酸やメタクリル酸等と反応させたエポキシ樹脂等が挙
げられる。また、上記２官能性（メタ）アクリル酸エス
テルモノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジ
オール類やアクリル酸やメタクリル酸のエステル等が挙
げられる。また、開口部７１は、露光・現像処理、レー
ザ処理等により形成する。

【０１０９】（１４）この後、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１内の導体回路６８上にニッケルめっき層７
２、金めっき層７４等を形成することにより、半田パッ
ドを設け、該半田パッド上に、はんだペーストを印刷し
て、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ７
６を形成する。これにより、ＩＣチップ２０が基板に内
蔵され、半田バンプを有する多層プリント配線板を得る
ことができる（図２参照）。また、上記ソルダーレジス
ト層の開口部に、はんだペーストを印刷した後、開口部
に導電性ピンを載置し、２００℃でリフローすることに
より、外部端子と接続するためのＰＧＡ(Pin Grid Arra
y)が配設された多層プリント配線板としてもよい。

【０１１０】次に、第二の実施形態の多層プリント配線
板について図９を参照しながら説明する。図９は、本発
明の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面図で
ある。図９に示した第二の実施形態の多層プリント配線
板１１０は、第一の実施形態の多層プリント配線板とほ
ぼ同様である。ただし、多層プリント配線板１１０で
は、コンデンサの内蔵方法が異なる。即ち、第一の実施
形態では、コンデンサの第１電極２１、第２電極２２と
バイアホール４６との間は、半田や導電性ペースト等の
接着材料３４を用いて電気的に接続していたが、第二の
実施形態の多層プリント配線板では、第１電極２１、第
２電極２２にめっきを施すことにより、バイアホールと
の間を電気的に接続する。そのため、それぞれの内蔵方
法に適したコンデンサを使用している。

【０１１１】そこで、第一および第二の実施形態で用い
るコンデンサについて説明する。第一の実施形態で用い
るコンデンサ２０は、図１（ａ）に示すように、第１電
極２１および第２電極２２の外周にＳｎ等からなる金属
層２６が形成されている。これは、Ｓｎ等からなる金属
層２６を有する場合、半田付け性が向上するとともに、
防錆効果を有するからである。従って、第二の本発明の
コンデンサを用いる場合、半田付け部分にはコーティン
グ層が形成されていないことが望ましい。

【０１１２】一方、第二の実施形態で用いるコンデンサ
１２０は、図１（ｂ）に示すように、第１電極２１およ
び第２電極２２の上面が露出するように金属層１２６が
形成されている。そのため、めっきを用いて、電極とバ
イアホールとを接続するのに適している。第二の本発明
のコンデンサを用いる場合、露出した電極部分にはコー
ティング層が形成されていないことが望ましい。なお、
めっきにより、電極とバイアホールとを接続した場合に
は、接続抵抗を低減させることができる。

【０１１３】次に、図９に示した多層プリント配線板の
製造方法（第二の多層プリント配線板の製造方法）につ
いて、図１０〜図１２を参照しながら説明する。

【０１１４】（１）ビスマレイミド・トリアジン樹脂
（ＢＴ樹脂）板３５に、コンデンサ内蔵用の貫通孔を形
成し、これを４枚積層した積層板３０αと、貫通孔を形
成しないＢＴ樹脂板３５を２枚積層した積層板３０βと
を出発材料とする（図１０（ａ）参照）。積層板３０
α、３０βとしては、上記ＢＴ樹脂からなる積層板以外
に、例えば、エポキシ樹脂やフェノール樹脂からなるも
の、または、ガラスクロス等の強化材を含有したもの等
を用いることができる。

【０１１５】（２）次に、積層板３０αに形成した貫通
孔３７に上述したプラズマ処理等を施したコンデンサ１
２０を内蔵する。なお、コンデンサ１２０は、接着剤３
２を介して貫通孔３７内に取り付ける。その後、積層板
３０αと積層板３０βとを積層した後、圧着することに
よりコンデンサ内蔵基板３０とする（図１０（ｂ）参
照）。上記接着剤としては、第一の多層プリント配線板
の製造方法で用いた接着剤と同様のものを用いることが
できる。

【０１１６】（３）次に、コンデンサ内蔵基板３０の両
面に、樹脂フィルム４０αを積層した後、圧着し、その
後、必要に応じて、加熱硬化させることにより樹脂フィ
ルムの硬化層４０βを形成する（図１０（ｃ）および
（ｄ）参照）。樹脂フィルム４０αとしては、第一の多
層プリント配線板の製造方法で用いるものと同様のも
の、即ち、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、ポリイミド樹脂、
オレフィン樹脂等の熱硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂と熱
可塑性樹脂との混合物等を用いることができる。

【０１１７】（４）次に、ドリル加工やレーザ処理を用
いて、スルホール用開口３３を形成する（図１１（ａ）
参照）。スルホール用開口３３の径としては、５０〜５
００μｍが望ましい。次に、基板の両面に形成した樹脂
フィルムの硬化層４０βにバイアホール用開口４３を形
成し、層間樹脂絶縁層４０とする（図５（ｂ）参照）。
バイアホール用開口４３の形成は、レーザ処理により行
う。このとき、使用するレーザとしては、第一の多層プ
リント配線板の製造方法と同様のものを用いることがで
きる。なお、樹脂フィルム４０αとして感光性樹脂を用
いた場合には、露光・現像処理によりバイアホール用開
口を形成してもよい。

【０１１８】（５）次に、必要に応じて、デスミア処理
を行う。特に、炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール
用開口を形成した場合には、デスミア処理を行うことが
望ましい。上記デスミア処理は、第一の多層プリント配
線板の製造方法と同様の方法で行うことができる。ま
た、デスミア処理終了後、必要に応じて、層間樹脂絶縁
層４０表面（バイアホール用開口４３およびスルーホー
ル用貫通孔３３の内壁面を含む）に粗化面を形成しても
よい。

【０１１９】（６）次に、無電解めっき、スパッタリン
グ等により層間樹脂絶縁層４０表面（バイアホール用開
口４３およびスルーホール用貫通孔３３の内壁面を含
む）に薄膜導体層４４を形成する（図１１（ｃ）参
照）。薄膜導体層４４は、単層であってもよいし、２層
以上からなるものであってもよい。なお、無電解めっき
により薄膜導体層を形成する場合には、予め、層間樹脂
絶縁層４０表面にパラジウム触媒等の触媒核を付与して
おくことが望ましい。薄膜導体層４４の材質および厚さ
としては、第一の多層プリント配線板の製造方法と同様
のものが望ましい。

【０１２０】（７）次に、薄膜導体層４４を形成した層
間樹脂絶縁層４０上の一部にドライフィルムを用いてめ
っきレジスト５１を形成し（図１２（ａ）参照）、その
後、薄膜導体層４４をめっきリードとして電解めっきを
行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層４５
を析出させる（図１２（ｂ）参照）。なお、めっきレジ
スト５１の形成、および、電解めっき層４５の析出は、
第一の多層プリント配線板の製造方法と同様の方法によ
り行うことができる。

【０１２１】（８）次に、めっきレジスト５１を除去し
た後、そのめっきレジスト５１下に存在する薄膜導体層
４４をエッチングにて溶解除去し、薄膜導体層４４と電
解めっき層４５とからなる導体回路４８、バイアホール
４６およびスルーホール３６を形成する（図１２（ｃ）
参照）。なお、触媒を付着させた後、無電解めっきによ
り薄膜導体層４４を形成した場合は、酸、または、酸化
剤を用いて層間樹脂絶縁層４０上の触媒を除去してもよ
い。触媒として用いたパラジウムを除去することによ
り、電気特性の低減を防止することができる。

【０１２２】これ以降は、図示していないが、図７
（ａ）〜図８（ｃ）に図示した方法と同様の方法であ
る。（９）次に、必要に応じて、導体回路４８、バイアホー
ル４６およびスルーホール３６の表面に粗化面を形成す
る。該粗化面は、第一の製造方法と同様、エッチング処
理、黒化還元処理、めっき処理等により形成することが
できる。

【０１２３】（１０）次に、スルホール３６内を樹脂充
填材を用いて充填する。上記樹脂充填材としては、第一
の多層プリント配線板の製造方法と同様のものを用いる
ことができる。

【０１２４】（１１）次に、必要に応じて、（３）〜
（１０）の工程（スルーホール用貫通孔の形成工程を除
く）を繰り返すことにより、更に上層の層間樹脂絶縁層
６０および導体回路６８（バイアホール６６を含む）を
形成する。

【０１２５】（１２）さらに、第一の多層プリント配線
板の製造方法（１３）および（１４）の工程と同様にし
て、ソルダーレジスト層および半田バンプを形成し、コ
ンデンサの内蔵された多層プリント配線板とする（図９
参照）。

【０１２６】次に、第三の実施形態の多層プリント配線
板について図１３を参照しながら説明する。図１３は、
本発明の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面
図である。図１３に示した第三の実施形態の多層プリン
ト配線板２１０は、第二の実施形態の多層プリント配線
板とほぼ同様である。ただし、多層プリント配線板２１
０では、コンデンサの内蔵方法が異なる。即ち、第二の
実施形態では、第１電極２１および第２電極２２のＩＣ
チップ側（上側）のみ、電気的に接続していたが、本実
施形態では、第１電極２１および第２電極２２のＩＣチ
ップ側（上側）およびドータボード側（下側）の両側を
それぞれ電気的に接続している。従って、コンデンサの
外部電極がいわゆるスルーホールの機能を備えており、
パッケージ構造を簡単にできるので、高周波のＩＣチッ
プに対応することができる。

【０１２７】次に、図１３に示した多層プリント配線板
の製造方法（第三の多層プリント配線板の製造方法）に
ついて、図１４を参照しながら説明する。（１）まず、ビスマレイミド・トリアジン樹脂（ＢＴ樹
脂）板を積層してなる積層板３０αにコンデンサを内蔵
する貫通孔３７を形成する（図１４（ａ）参照）。積層
板３０αとしては、上記ＢＴ樹脂からなる積層板以外
に、例えば、エポキシ樹脂やフェノール樹脂からなるも
の、または、ガラスクロス等の強化材を含有したもの等
を用いることができる。

【０１２８】次に、積層板３０α内の貫通孔３７内に、
上述したプラズマ処理等を施したコンデンサ２２０を内
蔵させる（図１４（ｂ）参照）。なお、貫通孔３７の内
壁面には、予め、接着剤を塗布しておき、接着剤を介し
て貫通孔３７の内壁面に、コンデンサ２２０を接着す
る。

【０１２９】（２）樹脂フィルム４０αと、コンデンサ
２２０を内蔵する積層板３０αと、樹脂フィルム４０α
とを積層して、圧着し、その後、加熱硬化させることで
コンデンサ２２０を内蔵する基板３０および樹脂フィル
ムの硬化４０βを形成する（図１４（ｃ）および（ｄ）
参照）。（３）その後、第二の製造方法の工程（４）〜（１２）
と同様にして、コンデンサ内蔵基板１３０の両面に、層
間樹脂絶縁層および導体回路を順次形成し、さらに、最
外層にソルダーレジスト層を形成することによりコンデ
ンサ内蔵多層プリント配線板を製造する（図１３参
照）。

【０１３０】また、本発明の多層プリント配線板の実施
形態は、上記第一〜第三の実施形態に限定されず、例え
ば、多数のコンデンサが一つのキャビティに並列に内蔵
された形態であっても良い。このような実施形態の多層
プリント配線板では、電源電圧の不足分を補うことがで
き、ＩＣの誤動作がなくすことができる。従って、この
ような多層プリント配線板は、フリップチップ用として
最適である。

【０１３１】このような多層プリント配線板では、基板
にコンデンサが内蔵されているため、ＩＣチップを実装
した際に、該ＩＣチップとコンデンサとの距離が短く、
高周波数で駆動するＩＣチップを実装した場合でも、ル
ープインダクタンスが充分に低い。また、基板に内蔵す
るコンデンサは、第一または第二の本発明のコンデンサ
であり、上述したプラズマ処理等が施されているため、
コンデンサと接着剤との密着性が高く、ヒートサイクル
条件下においても、コンデンサと接着剤との接触面で剥
離が発生したり、接着剤にクラックが発生したりするこ
とがない。従って、コンデンサの端子とバイアホールと
の間の接続が遮断されたり、層間樹脂絶縁層に膨れが生
じたりすることがなく、電気的接続性、信頼性に優れ
る。

【０１３２】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。

【０１３３】（実施例１）（１）片面に銅からなる金属膜４１を積層したエポキシ
樹脂フィルム４０αを出発材料とする（図４（ａ）参
照）。まず、金属膜４１をパターンエッチングすること
により、所定の回路パターン４２を形成した（図４
（ｂ）参照）。

【０１３４】（２）次に、樹脂フィルム４０αに形成し
た回路パターン４２に、半田３４を介してコンデンサ２
０を取り付けた（図４（ｃ）参照）。コンデンサ２０と
しては、市販のチップコンデンサ（村田製作所社製、Ｇ
ＰＭ３３）の表面に以下の条件でプラズマ処理を施した
コンデンサを使用した。なお、コンデンサ表面のプラズ
マ処理前の接触角は、金属層２６表面が５２°、誘電体
２３表面が５９°であり、プラズマ処理後の接触角は、
金属層２６表面が１０°、誘電体２３表面が１５°であ
った（図１（ａ）参照）。

【０１３５】上記プラズマ処理としては、プラズマクリ
ーニング装置（九州松下電器社製、ＰＣ１２Ｆ−Ｇ型）
を用い、真空下（０．０１Ｐａ）、プラズマ照射量８０
０Ｗ、酸素供給量３００ｓｅｃ．／Ｍ、酸素供給圧０．
１５ＭＰａ、処理時間５分の条件で行った。

【０１３６】また、コンデンサ表面の接触角の測定は、
エルマ接触角測定３６０型（エルマ販売社製）を用いて
行った。なお、測定は３回行い、３回の平均値を接触角
とした。

【０１３７】（３）上記とは別に、コンデンサ２０を内
蔵するためのキャビティ３１を穿設した基板３０αを用
意する。次に、キャビティ３１の内壁に接着剤を塗布し
た後、コンデンサ２０を取り付けた樹脂フィルム４０α
と、キャビティ３１を穿設した基板３０αと、もう１枚
の樹脂フィルム４０αとを積層してプレスした（図４
（ｃ）および（ｄ）参照）。なお、接着剤としては、エ
ポキシ系樹脂を用いた。

【０１３８】（４）次に、加熱硬化処理を施し、コンデ
ンサ２０を内蔵する基板３０と、樹脂フィルムの硬化層
４０βを形成した（図５（ａ）参照）。続いて、樹脂フ
ィルムの硬化層４０β上に、貫通孔が形成されたマスク
を介して、波長１０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、
ビーム径４．０ｍｍ、ドップハットモード、パルス幅
８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、２ショッ
トの条件で樹脂フィルムの硬化層４０βに、直径６０μ
ｍのバイアホール用開口４３を形成し、層間樹脂絶縁層
４０とした（図５（ｂ）参照）。この後、酸素プラズマ
を用いてデスミア処理を行った。

【０１３９】（５）次に、層間樹脂絶縁層５０を形成し
た基板３０に、ドリル加工により、直径３００μｍのス
ルーホール用貫通孔３３を形成した（図５（ｃ）参
照）。さらに、層間樹脂絶縁層４０の表面（バイアホー
ル用開口４３およびスルーホール用貫通孔３３の内壁面
を含む）に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与
することにより、層間樹脂絶縁層４０の表面に触媒核を
付着させた。

【０１４０】（６）次に、以下の組成の無電解銅めっき
水溶液中に基板を浸漬して、層間樹脂絶縁層４０および
スルーホール用貫通孔３３の表面全体に厚さ０．６〜
０．９μｍの薄膜導体層（無電解銅めっき層）４４を形
成した（図６（ａ）参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＮｉＳＯ₄ ０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル４０ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕３５℃の液温度で４０分

【０１４１】（７）次に、市販の感光性ドライフィルム
を無電解銅めっき４４に張り付け、マスクを載置して、
１００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム
水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト５１
を設けた。さらに、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂
し、２５℃の水で水洗後、硫酸で洗浄してから、以下の
条件で電解銅めっきを施し、めっきレジスト非形成部に
電解銅めっき層４５を形成した（図６（ｂ）参照）。

【０１４２】〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１．９５ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２ ℃

【０１４３】（８）次に、めっきレジスト５１を５％Ｋ
ＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５１下の無
電解めっき層４４を硫酸と過酸化水素との混合液でエッ
チングして除去し、層間樹脂絶縁層４０には導体回路４
８とバイアホール４６を形成し、基板３０にはスルーホ
ール３６を形成した（図６（ｃ）参照）。

【０１４４】（９）次に、導体回路４８、バイアホール
４６およびスルーホール３６の表面を、有機酸塩と第二
銅錯体とからなるエッチング液を用いて、エッチング処
理することにより、該表面に粗化面（図示せず）を形成
した。さらに、導体回路４８等を形成した基板を、８０
０ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に３分間浸漬し
て、導体回路非形成部分に位置する導体回路間の層間樹
脂絶縁層４０の表面を１μｍエッチングし、その表面に
残存するパラジウム触媒を除去した。

【０１４５】さらに、スルホール３６内にスキージを用
いて樹脂充填剤を充填し、１００℃で２０分間乾燥させ
ることにより、樹脂充填剤層３８を形成した。なお、樹
脂充填剤としては、ビスフェノールＦ型エポキシモノマ
ー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）
１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティ
ングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の粒径が
１５μｍ以下のＳｉＯ₂ 球状粒子（アドテック社製、Ｃ
ＲＳ１１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング
剤（サンノプコ社製ペレノールＳ４）１．５重量部を
容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度を２３
±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓに調製したものを使用し
た。ここで、硬化剤としては、イミダゾール硬化剤（四
国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用い
た。

【０１４６】その後、基板の両面に樹脂フィルム６０α
を張り付けた（図７（ａ）参照）。なお、樹脂フィルム
６０αとしては、エポキシ樹脂からなる樹脂フィルムを
用いた。

【０１４７】（１０）上記（４）〜（８）の工程（スル
ーホール用貫通孔の形成工程を除く）を繰り返すことに
より、さらに上層の導体回路６８（バイアホール６６を
含む）を形成し、その後、導体回路６６の表面をエッチ
ング処理することにより、粗化面（図示せず）を形成す
ることにより、最外層に導体回路の形成された多層配線
板を得た（図７（ｂ）〜図８（ｂ）参照）。

【０１４８】（１１）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商
品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、
同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：
ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ
社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５
℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社
製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮ
ｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。

【０１４９】（１２）次に、多層配線板に、上記ソルダ
ーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で
２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った
後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画
された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層
７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露光
し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開
口７１を形成した（図８（ｃ）参照）。

【０１５０】（１３）次に、ソルダーレジスト層７０を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめ
っき層（図示せず）を形成した。さらに、その基板を、
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッ
ケルめっき層上に厚さ０．０３μｍの金めっき層（図示
せず）を形成することで、導体回路６８およびに半田パ
ッドを形成した。

【０１５１】（１４）この後、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃
でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成し
た。これにより、コンデンサ２０を内蔵し、半田バンプ
７６を有する多層プリント配線板１０を得た（図２参
照）。

【０１５２】（実施例２）（１）エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ３５を４枚
積層し、コンデンサを内蔵するための貫通孔を形成した
積層板３０αと、プリプレグ３５を２枚積層した積層板
３０βとを出発材料とした（図１０（ａ）参照）。

【０１５３】（２）次に、積層板３０αに形成した貫通
孔に、接着剤（熱硬化性樹脂）を介在させてコンデンサ
１２０を取り付け、さらに、積層板３０αと積層板３０
βと積層して張り付け、コンデンサ１２０を内蔵する基
板３０を得た（図１０（ｂ）参照）。なお、コンデンサ
１２０の底面と積層板３０βとの間にも上記接着剤を介
在させた。

【０１５４】コンデンサ１２０としては、市販のチップ
コンデンサ（村田製作所社製、ＧＰＭ３３）を、濃度１
５重量％、温度２５℃の硫酸溶液に５分間浸漬すること
により酸処理を施したものを使用した。なお、コンデン
サの表面の酸処理前の接触角は、金属層２６表面が５７
°、誘電体２３表面が５２°であり、酸処理後の接触角
は、金属層２６表面が１１°、誘電体２３表面が１４°
であった（図１（ｂ）参照）。

【０１５５】（３）次に、コンデンサ１２０を内蔵した
基板３０の上下に樹脂フィルム４０αを積層してプレス
し、その後、加熱硬化処理を施し、コンデンサ１２０を
内蔵した基板の両面に樹脂フィルムの硬化層４０βを形
成した（図１０（ｃ）および（ｄ）参照）。なお、樹脂
フィルム４０αとしては、熱硬化性シクロオレフィン系
樹脂からなる樹脂フィルムを使用した。

【０１５６】（４）次に、樹脂フィルムの硬化層４０β
を形成した基板３０に、ドリル加工により、直径３００
μｍのスルーホール用貫通孔３３を形成した（図１１
（ａ）参照）。

【０１５７】続いて、樹脂フィルムの硬化層４０β上
に、貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４
μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、ド
ップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通
孔の径１．０ｍｍ、２ショットの条件で樹脂フィルムの
硬化層４０βに、直径６０μｍのバイアホール用開口４
３を形成し、層間樹脂絶縁層４０とした（図１１（ｂ）
参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を
行った。

【０１５８】（５）次に、日本真空技術株式会社製のＳ
Ｖ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶
縁層４０の表面に粗化面（図示せず）を形成した。この
際、不活性ガスとしは、アルゴンガスを使用し、電力２
００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で２分間
プラズマ処理を実施した。

【０１５９】（６）次に、同じ装置を用い、内部アルゴ
ンガスを使用した後、Ｎｉ−Ｃｕ合金をターゲットにし
たスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電
力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ−Ｃｕ合金
からなる厚さ０．２μｍの薄膜導体層４４を層間樹脂絶
縁層４０および貫通孔３３の表面に形成した（図１１
（ｃ）参照）。

【０１６０】（７）次に、市販の感光性ドライフィルム
を無電解銅めっき４４に張り付け、マスクを載置して、
１００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム
水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト５１
を設けた（図１２（ａ）参照）。さらに、基板を５０℃
の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、硫酸で洗
浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、めっき
レジスト非形成部に電解銅めっき層４５を形成した（図
１２（ｂ）参照）。

【０１６１】〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１．９５ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２ ℃

【０１６２】（８）次に、めっきレジスト５１を５％Ｋ
ＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５１下の無
電解めっき層４４を硫酸と過酸化水素との混合液でエッ
チングして除去し、層間樹脂絶縁層４０に導体回路４８
とバイアホール４６を、基板３０にスルーホール３６を
形成した（図１２（ｃ）参照）。

【０１６３】（９）次に、導体回路４８、バイアホール
４６およびスルーホール３６の表面を、有機酸塩と第二
銅錯体とからなるエッチング液を用いて、エッチング処
理することにより、該表面に粗化面（図示せず）を形成
した。さらに、導体回路４８等を形成した基板を、８０
０ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に３分間浸漬し
て、導体回路非形成部分に位置する導体回路間の層間樹
脂絶縁層４０の表面を１μｍエッチングし、その表面に
残存するパラジウム触媒を除去した。

【０１６４】さらに、スルホール３６内にスキージを用
いて樹脂充填剤を充填し、１００℃で２０分間乾燥させ
ることにより、樹脂充填剤層３８を形成した。なお、樹
脂充填剤としては、実施例１で用いた樹脂充填剤と同様
のものを用いた。

【０１６５】その後、基板の両面に樹脂フィルム６０α
を張り付けた。なお、樹脂フィルム６０αとしては、樹
脂フィルム４０αと同様のものを用いた。

【０１６６】（１０）上記（４）〜（８）の工程を繰り
返すことにより、さらに上層の導体回路６８（バイアホ
ール６６を含む）を形成し、その後、導体回路６６の表
面をエッチング処理することにより、粗化面（図示せ
ず）を形成することにより、最外層に導体回路の形成さ
れた多層配線板を得た。

【０１６７】（１１）実施例１の（１１）〜（１４）と
同様にして、コンデンサ１２０を内蔵し、半田バンプ７
６を有する多層プリント配線板１１０を得た（図９参
照）。

【０１６８】（実施例３）実施例２において、コンデン
サとして、市販のチップコンデンサ（村田製作所社製、
ＧＰＭ３３）の誘電体表面を樹脂でコーティングした
後、金属層に濃度１５重量％、温度２５℃の硫酸溶液を
スプレーすることにより、５分間酸処理を施し、その後
コーティングした樹脂を剥離したもの、即ち、金属層表
面にのみ酸処理を施したコンデンサを使用した以外は、
実施例２と同様にして多層プリント配線板を製造した。
なお、コンデンサの表面の酸処理前の接触角は、金属層
表面が５２°、誘電体表面が５７°であり、酸処理後の
金属層表面の接触角は、１４°であった。

【０１６９】（実施例４）実施例２において、コンデン
サとして、市販のチップコンデンサ（村田製作所社製、
ＧＰＭ３３）の金属層表面を樹脂でコーティングした
後、誘電体表面に濃度１５重量％、温度２５℃の硫酸溶
液をスプレーすることにより、５分間酸処理を施し、そ
の後コーティングした樹脂を剥離したもの、即ち、誘電
体表面にのみ酸処理を施したコンデンサを使用した以外
は、実施例２と同様にして多層プリント配線板を製造し
た。なお、コンデンサの表面の酸処理前の接触角は、金
属層表面が５２°、誘電体表面が５７°であり、酸処理
後の誘電体表面の接触角は、１４°であった。

【０１７０】（実施例５）（１）コンデンサを内蔵するための貫通孔３７を形成し
たビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂板３０αを
出発材料とした（図１４（ａ）参照）。

【０１７１】（２）次に、積層板３０αに形成した貫通
孔に、接着剤（熱硬化性樹脂）を介在させてコンデンサ
２２０を取り付け、コンデンサ２２０を内蔵する基板３
０を得た（図１４（ｂ）参照）。コンデンサ２２０とし
ては、市販のチップコンデンサ（村田製作所社製、ＧＰ
Ｍ３３）を、液温度５０℃のアルカリ洗浄液（ＫＯＨ：
１５ｖｏｌ％）に３分間浸漬することにより脱脂し、そ
の後、酸溶液（硫酸：１０ｖｏｌ％）で中和する洗浄処
理を施したものを使用した。なお、コンデンサ表面の洗
浄処理前の接触角は、金属層２６表面が５２°、誘電体
２３表面が５７°であり、洗浄処理後の接触角は、金属
層２６表面が１２°、誘電体２３表面が１４°であった
（図１（ｂ）参照）。

【０１７２】（３）次に、コンデンサ２２０を内蔵した
基板３０の上下に樹脂フィルム４０αを積層してプレス
し、その後、加熱硬化処理を施し、コンデンサ２２０を
内蔵した基板の両面に樹脂フィルムの硬化層４０βを形
成した（図１４（ｃ）および（ｄ）参照）。なお、樹脂
フィルム４０αとしては、熱硬化性シクロオレフィン系
樹脂からなる樹脂フィルムを使用した。

【０１７３】（４）以下、実施例２の（４）〜（１１）
と同様の方法を用いて、コンデンサ２２０を内蔵し、半
田バンプ７６を有する多層プリント配線板２１０を得た
（図１３参照）。なお、実施例２では、コンデンサ１２
０の第１、第２電極２１、２２の上面のみをバイアホー
ルと接続するように、多層プリント配線板を製造した
が、本実施例では、コンデンサ２２０の第１、第２電極
２１、２２と上面と下面のそれぞれをバイアホールと接
続するように多層プリント配線板を製造した。

【０１７４】実施例１〜５で得られた多層プリント配線
板について、下記の条件でヒートサイクル試験を行った
後、下記の評価方法により、コンデンサと接着剤と間で
の剥離の発生の有無、接着剤中でのクラックの発生の有
無、短絡または断線の発生の有無、層間樹脂絶縁層の膨
れの有無を評価した。結果を表１に示した。

【０１７５】ヒートサイクル試験（信頼性試験）得られた多層プリント配線板を、１３０℃の雰囲気下に
３分間維持した後、−６５℃の雰囲気下に３分間維持す
るサイクルを、１０００回および２０００回繰り返し
た。

【０１７６】評価方法（１）コンデンサと接着剤との間での剥離の発生の有無多層プリント配線板をカッターで切断し、切断した断面
を顕微鏡で観察した。なお、ここでは、コンデンサを切
断するように、多層プリント配線板を切断した。その結
果を下記の表１に示した。

【０１７７】（２）接着剤中でのクラックの発生の有無上記（１）と同様にして多層プリント配線板を切断し、
その断面を顕微鏡で観察した。その結果を下記の表１に
示した。

【０１７８】（３）短絡または断線の発生の有無多層プリント配線板にＩＣチップを実装した後、導通試
験を行い、モニターに表示される結果から導通状態を評
価した。その結果を下記の表１に示した。（４）層間樹脂絶縁層の膨れの有無上記（１）と同様にして多層プリント配線板を切断し、
その断面を顕微鏡で観察した。その結果を下記の表１に
示した。

【０１７９】（５）信頼性試験前後における静電容量の
測定ピコアンメータを用い、上記信頼性試験の前後におい
て、コンデンサの静電容量を測定した。その結果を下記
の表２に示した。

【０１８０】

【表１】

【０１８１】

【表２】

【０１８２】表１に示したように、実施例１〜５で得ら
れた多層プリント配線板について、１０００サイクルの
ヒートサイクル試験を行った場合、コンデンサと接着剤
と間での剥離は発生しておらず、接着剤中にもクラック
は発生していなかった。また、短絡や断線、層間樹脂絶
縁層の膨れも発生していなかった。

【０１８３】また、２０００サイクルのヒートサイクル
試験を行った場合には、実施例３で得られた多層プリン
ト配線板では、誘電体表面の一部で、コンデンサと接着
剤と間での剥離が発生しており、接着剤中にもわずかに
クラックが発生していたが、製品に影響を与える程のも
のではなく、短絡や断線、層間樹脂絶縁層の膨れは発生
していなかった。また、実施例４で得られた多層プリン
ト配線板では、金属層表面の一部で、コンデンサと接着
剤と間での剥離が発生しており、接着剤中にもわずかに
クラックが発生していたが、製品に影響を与える程のも
のではなく、短絡や断線、層間樹脂絶縁層の膨れは発生
していなかった。

【０１８４】また、実施例１、２および５で得られた多
層プリント配線板では、コンデンサと接着剤と間での剥
離は発生しておらず、接着剤中にもクラックは発生して
いなかった。また、この場合でも、短絡や断線、層間樹
脂絶縁層の膨れも発生していなかった。

【０１８５】さらに、表２に示したように、実施例１〜
５で基板に埋設したコンデンサは、信頼性試験の前後で
静電容量に変化が少なく、導体回路−コンデンサの間に
おいても、電気的接続による影響が殆どない。

【０１８６】

【発明の効果】以上説明したように、第一の本発明のコ
ンデンサは、その表面の少なくとも一部の接触角が７〜
４５°であるため、多層プリント配線板の基板に内蔵さ
れた場合には、内蔵させる際に用いた接着剤との密着性
が高く、コンデンサと接着剤との間で剥離が発生した
り、該接着剤にクラックが発生したりすることがなく、
多層プリント配線板に内蔵するコンデンサとして好適で
ある。

【０１８７】また、第二の本発明のコンデンサは、その
表面の少なくとも一部にコーティング層が形成されてい
るため、多層プリント配線板の基板に内蔵された場合に
は、内蔵させる際に用いた接着剤との密着性が高く、コ
ンデンサと接着剤との間で剥離が発生したり、該接着剤
にクラックが発生したりすることがなく、多層プリント
配線板に内蔵するコンデンサとして好適である。

【０１８８】また、本発明の多層プリント配線板は、コ
ンデンサが内蔵されているため、ＩＣチップとコンデン
サとの距離が短く、高周波数で駆動するＩＣチップを実
装した場合でもループインダクタンスが充分低い。さら
に、内蔵されるコンデンサは、第一または第二の本発明
のコンデンサであり、プラズマ処理、酸処理、洗浄処理
等が施されていたり、コーティング層が形成されていた
りするため、コンデンサと接着剤との間で剥離が発生し
たり、該接着剤にクラックが発生したりすることがな
い。そのため、上記多層プリント配線板は、コンデンサ
の端子とバイアホールとの間の接続が遮断されたり、層
間樹脂絶縁層に膨れが生じたりすることがなく、電気的
接続性、信頼性に優れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｂ）は、本発明のカーボンの一例を
模式的に示す断面図である。

【図２】本発明の多層プリント配線板の一例を模式的に
示す断面図である。

【図３】図２に示す多層プリント配線板にＩＣチップを
実装し、ドータボードに取り付けた状態を模式的に示す
断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図９】本発明の多層プリント配線板の別の一例を模式
的に示す断面図である。

【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図１３】本発明の多層プリント配線板の更に別の一例
を模式的に示す断面図である。

【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図１５】（ａ）、（ｂ）は、従来の多層プリント配線
板のループインダクタンスの説明図であり、（ｃ）は、
本発明の多層プリント配線板のループインダクタンスの
説明図である。

【符号の説明】

１０、１１０、２１０多層プリント配線板２０、１２０、２２０コンデンサ２１第１電極２２第２電極２３誘電体２４第１導電膜２５第２導電膜２６、２２６、３２６金属層２７、２２７、３２７粗面３０基板４０、６０層間樹脂絶縁層４６、６６バイアホール４８、６８導体回路７０ソルダーレジスト層７６半田バンプ９０ＩＣチップ

フロントページの続き (72)発明者伊藤克敏岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１イビデン株式会社大垣北工場内Ｆターム(参考） 5E346 CC08 CC09 CC10 CC13 CC40 CC42 DD13 DD32 EE31 FF03 FF07 FF15 GG15 GG22 HH07 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】多層プリント配線板に収納または内蔵さ
せるコンデンサであって、その表面の少なくとも一部は、水に対する接触角が７〜
４５°であることを特徴とするコンデンサ。
【請求項２】その表面の少なくとも一部には、プラズ
マ処理、洗浄処理および酸処理のうちの少なくとも一の
処理が施されている請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】多層プリント配線板に収納または内蔵さ
せるコンデンサであって、その表面の少なくとも一部に
は、プラズマ処理、洗浄処理および酸処理のうちの少な
くとも一の処理が施された後、コーティング層が形成さ
れていることを特徴とするコンデンサ。
【請求項４】コンデンサが内蔵または収納されている
基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成さ
れ、前記コンデンサと導体回路、および、上下の導体回
路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント
配線板であって、前記コンデンサは、請求項１、２また
は３に記載のコンデンサであることを特徴とする多層プ
リント配線板。