JP2000215982A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
置で、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示
装置において、装置の薄型化、省スペース化、高効率化
を図り、外部環境に影響を受けずに安定した性能を提供
することを目的とする。 【解決手段】 基板1上に陽極2と、陽極2の上に設け
られた有機層3と、有機層3の上に設けられた陰極4を
有し、前記積層体を覆うシールド材6を設け、そのシー
ルド材6と基板1で囲まれた空間に発光素子を駆動する
駆動回路9か電子部品を収納した。
Description
より情報を表示する表示装置で、特に発光素子として有
機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置に関
する。
(b)を用いて説明する。
であり、通常光を取り出すため透明又は半透明な物が用
いられる。一般的にはガラス基板等のセラミック基板も
しくはフレキシブル性のある高分子フイルム等やプラス
チック基板等が用いられる。22は陽極であり、有機エ
レクトロルミネッセンス素子の正孔注入を行う。通常光
を取り出すため透明又は半透明な材料が用いられる。ま
た有機エレクトロルミネッセンス素子に効率よく正孔を
注入するため、仕事関数が大きいITOが一般的に用い
られる。また陽極は有機エレクトロルミネッセンス素子
の陽極であると同時に駆動回路との配線の一部を兼ねて
おり、パネルの省電力化の観点から、より抵抗の低い材
料、素材が好ましい。一般的に金属膜に対してITOは
比抵抗で1桁以上高くなっており、さらなる低抵抗化が
望まれている。23は有機層であり、正孔を輸送する正
孔輸送層、発光層、電子を輸送する電子輸送層、または
それらのいくつかの混合層を含んでいる。有機層の構成
は多色化や高効率化の観点からいろいろな検討が進めら
れており、目的に沿った素子構成が採用される。発光層
のみでも発光するが、効率の点から積層構造が一般的に
用いられている。24は陰極であり、有機エレクトロル
ミネッセンス素子の電子の注入を行う。有機エレクトロ
ルミネッセンス素子に効率よく電子を注入するため、仕
事関数が小さいAl−LiやMg/Ag等の合金が一般
的に用いられる。これらの金属は酸素や水分等によって
酸化されやすく、更に上部に保護膜としてGeO,Si
O,SiO2,MgO等の無機酸化物を真空蒸着法等によ
り保護膜としてカバーすることがある。また陰極は有機
エレクトロルミネッセンス素子の陰極であると同時に駆
動回路との配線の一部を兼ねている。陰極は配線抵抗に
関しては良好だが、有機エレクトロルミネッセンス素子
に用いられる陰極材料は特に水分等の耐環境性能に劣る
ため、気密シールド材中に封入して、外部との接触を遮
断する等の方法が用いられる場合がある。その場合プロ
セスの省力化の観点から配線をITOにスイッチして気
密シールド材を外部に引き出したりする方法を取ったり
している。有機層23、陰極24は通常真空蒸着法等によ
り成膜され、有機層が30nm〜150nm、陰極が数1
00nm程度の膜厚で形成されている。さらに保護膜等
を真空中で連続して成膜する場合もある。25は表示部
であり、発光を行う表示部分である。ドットマトリクスパ
ネルの場合、複数のストライプで構成される陽極と複数
のストライプで構成される陰極が有機層を挟んで交差し
て形成されており、交差した点が各々発光素子となり表
示ドットを形成している。特開平6−301355号公
報に開示されるような単純マトリクス駆動の場合、マト
リクス状に配置した陽極と陰極の各交点の発光素子を配
置して、陰極を一定時間間隔で走査駆動し、これに同期
して陽極を駆動することにより任意の発光素子を選択発
光させる。他にも目的に応じた構成が採用される。26
は気密シールド材であり、基板21と接着剤27により
接着されている。気密シールド材26は水分等の外部環
境から表示部25を遮断する目的で配置され、水分やガ
スを通さないガラスやセラミックなどの無機物、金属材
料、もしくはそれらを表面にコーティングしたプラステ
ィック等の複合材料、またはセラミックと金属の複合材
料等が用いられる。接着剤も水分等を通しにくい熱硬
化、紫外線硬化の樹脂や耐湿性を向上するために無機物
をフィラーとして混合した樹脂等や低融点ガラス等が用
いられる。又外部との遮断のみならず、気密シールド材
中の環境も重要であり、十分管理された窒素置換したグ
ローブボックス中や真空チャンバー中により接着作業を
行う必要がある。また気密シールド材中に乾燥剤等を封
入する場合もある。気密シールド材26により表示部2
5はシールドされ、配線の引き出しはシールド材の外側
に出される。外側の配線は通常ITOを介して他の配線
材との接続等が行われる。28はFPC(フレキシブル
基板)であり、29の異方性導電膜を熱圧着等を行うこ
とにより基板上の表示部の配線とFPCの配線30とが
接合されている。31は駆動回路部であり、ICやトラ
ンジスタ等が配線30と接続され、制御を行う。図中で
は30のFPC上に載った状態で接続されているが、制
御の関係から他の基板上に集積された駆動回路部をさら
に介して配線がつながっている場合もある。32はコネ
クターであり、これと他のモジュールや電源装置と接続
されている。有機エレクトロルミネッセンス素子を用い
た表示装置は他の方式の表示装置と比較して、自発光で
あり、軽量、薄型で多くのメリットがある。その利点を
生かして、小型パネルや携帯機器への応用が図られてい
る。
来の構成では、有機エレクトロルミネッセンス素子を駆
動する駆動回路が基板上外に設けられているので、表示
装置自体が大きくなり、小型化が困難であり、特に、こ
の表示装置を他の装置(カーナビゲーション,無線電話
装置,携帯型コンピュータ)などに組み込む場合には、
配線や駆動回路等が邪魔になることがあり、他の装置の
小型化等を妨げることもある。
で、駆動回路と各電極との間の配線距離が長くなり、配
線抵抗が増し、余計に電力が必要になるという問題点も
ある。
で、小型な表示装置を提供する事を目的とする。
の削減を行うことができる表示装置を提供することを目
的としている。
的に非接触となるように設けられた一対の電極の間に有
機層を設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子
と、有機エレクトロルミネッセンス素子を覆うように前
記基板上に設けられたシールド材とを備えた表示装置で
あって、基板上に電子部品あるいは、その電子部品で構
成された駆動回路を設けた。
前記基板上に電気的に非接触となるように設けられた一
対の電極の間に有機層を設けられた有機エレクトロルミ
ネッセンス素子と、前記有機エレクトロルミネッセンス
素子を覆うように前記基板上に設けられたシールド材と
を備えた表示装置であって、基板上に電子部品を設けた
事によって、電子部品などを基板外に設けなくても良い
ので装置全体の小型化や薄型化を図ることができる。
て、シールド材と基板で構成された空間の中に電子部品
を設けた事によって、外界と遮断された空間内に電子部
品を設けることができるので、電子部品の耐候性を向上
させることができ、電子部品などを基板外に設けなくて
も良いので装置全体の小型化や薄型化を図ることができ
る。
いて、電子部品として、IC,インダクタ,コンデン
サ,抵抗,薄膜トランジスタの少なくとも一つである事
によって、回路を容易に構成する事ができる。
いて、電子部品を1乃至複数組み合わせて有機エレクト
ロルミネッセンス素子の駆動回路を構成した事によっ
て、駆動回路と電極間の配線を短くする事ができるの
で、配線抵抗を小さくすることができ、電力の消費を低
減させることができる。更に、基板上に形成され、有機
層に電流を供給する電極自体の長さを例えば従来のよう
に基板の端部まで延在させる必要がないので、電極の配
線抵抗を小さくすることができ、省電力かを行うことが
できる。又、駆動回路を基板外に設けないので、装置全
体の小型化や薄型化を図ることができる。
て、駆動回路を駆動回路基板上に向け、前記駆動回路基
板をシールド材中に設けた事によって、外界と遮断され
たシールド材中に駆動回路を配置するので、水分やホコ
リなどによって、駆動回路が故障する確率は極めて低く
なり、駆動回路の耐候性を向上させることができる。
て、シールド材上に直接配線を形成し、前記配線に駆動
回路を接続した事によって、駆動回路基板を設ける必要
がないので、部品点数の削減ができ、更に、表示装置の
薄型化を更に進める事ができる。
て、シールド材上に絶縁膜を設け、前記絶縁膜の上に配
線を形成し、前記配線に駆動回路を接続した事によっ
て、駆動回路基板を設ける必要がないので、部品点数の
削減ができ、更に、表示装置の薄型化を更に進める事が
できる。更に、シールド材を導電性材料であってしかも
熱伝導がよい材料で構成した場合でも使用可能となるの
で、放熱効果を向上させることができる。
て、シールド材を筒状体と回路基板の2ピースにすると
ともに、前記回路基板に駆動回路を設け、前記筒状体と
前記回路基板を組み合わせて、シールド材を構成した事
によって、回路基板に駆動回路を実装した後に、筒状体
をその回路基板に取り付けてシールド部材を構成するこ
とができるので、駆動回路の実装が容易になり、生産性
を向上させることができる。
いて、シールド材に冷却手段を設けた事によって、シー
ルド材の放熱効果を更に高めることができるので、駆動
回路等から発生する熱を効率的に排除させることができ
るので、熱による特性劣化等を防止することができる。
て、冷却手段の構成として、シールド材にフィンを立設
するか、シールド材に凹凸を設けた事によって、簡単な
構成で冷却手段を設けることができるので、生産性など
が向上する。
て、冷却手段の構造として、シールド材にヒートパイプ
などの伝熱部材を当接させ、前記シールド材の熱を外部
に輸送する事により、シールド材の夏を効率的に外部に
排出させることができるので、表示装置の周りの雰囲気
などの温度上昇を防止することができ、熱による装置の
誤動作などを防止する事ができる。
において、シールド材と基板が構成する空間内に前記空
間内を乾燥させる乾燥剤を設けた事によって、シールド
材と基板で構成される空間内の水分を極力無くすること
ができるので、シールド材内の部材が水分で特性が劣化
することはない。
において、基板上に複数の陽極をストライプ状に設け、
前記複数の陽極に交差する複数の陽極をストライプ状に
設け、前記複数の陽極と前記複数の陰極が交わる部分に
有機層を設けた事によって、複数の発光素子をドットマ
トリックス状に形成できるので、良好な表示を行うこと
ができる。
いて、駆動回路として薄膜トランジスタを用い、基板と
陽極の間に前記駆動回路を設けた事によって、薄膜トラ
ンジスタの耐湿性を向上させることができると共に、表
示部のドット間隔などを小さくすることができるので、
細密表示を行うことができ、しかも装置の薄型化等を行
う事ができる。
ンス素子を用いた表示装置の実施の形態において、図1
〜図6を用いて、具体的に説明する。
る表示装置の一実施の形態を示す平面図及び側断面図で
ある。図1(a),(b)において、1は基板で、基板
1は透明または半透明のガラス基板等により構成されて
いる。2は陽極で、陽極2は透明導電膜であるITO等
により構成されており、そのシート抵抗は5〜30Ω程
度有している。3は有機層で、有機層3は正孔輸送層と
発光層の積層構成となっている。有機層3の具体的構造
としては、陽極2上に抵抗加熱蒸着法等により形成され
たN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチル
フェニル)−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミ
ン(TPDと略称する。)からなる正孔輸送層と、正孔
輸送層に抵抗加熱蒸着法等により形成された8−Hyd
roxyquinoline Aluminum(Al
qと略称する。)からなる発光層を設けるものが挙げら
れる。
4は例えば、有機層3上に抵抗加熱蒸着法等により形成
され、その膜厚は100nm〜300nmの膜厚の金属
膜から構成される。この様に、陽極2,有機層3,陰極
4で有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する。
部5は上記有機エレクトロルミネッセンス素子がドット
マトリックス状に形成されている。すなわち、表示部5
においては、複数の陽極2がストライプ状に配置され、
しかも陽極2と非接触に複数の陰極4がストライプ状に
しかも陽極2と交差(好ましくは略直交)するように設
けられている。しかも陽極2と陰極4の交差する多数の
部分には有機層3が設けられており、陽極2と陰極4間
に電圧を加えることによって、有機層3の少なくとも一
部が発光する(なお、有機層3を前述した材料で構成す
ると緑色の発光を得ることができる)。
くするために、表示部5に存在する多数の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の内一つを拡大して図示してい
る。
に接着剤7等で接合されたシールド材、8は配線で、配
線8はシールド材6内に配置された駆動回路9を搭載し
た駆動回路基板11と陽極2,陰極4との間を電気的に
接続している。
タで、コネクタ10と駆動回路基板11との間は配線1
1aで電気的に接続されている。
1をシールド材6内に収納することによって、シールド
材6外に設けられていた従来例よりも表示装置自体が小
型化される。これによって、他の装置に本実施の形態の
表示装置を組み込む際に、設計の自由度が飛躍的に向上
し、しかも他の装置における表示装置の収納部分をより
小さくすることができるので、他の装置をより小型化す
る事ができる。
に収納することによって、駆動回路基板11と陽極2,
陰極4間の配線8の長さを従来よりも飛躍的に短くする
事ができるので、配線抵抗を小さくすることができ、電
力を低減させることができる。また、例えば、陽極2を
従来の様に、基板1の端部まで延在させる必要がないの
で、陽極2の引き回しの長さを短くすることができ、陽
極2の配線抵抗を小さくすることができ、省電力化を行
うことができる。
を設けることによって、駆動回路基板11の耐候性を向
上させることができる。すなわち、シールド材6で外界
と遮断された空間の中に駆動回路基板11を設けた事に
よって、湿気等によって、駆動回路基板11に搭載され
た電子部品などが劣化することはほとんど発生しないの
で、駆動回路基板11の寿命を長くすることができる。
また、耐候性の小さな電子部品等(比較的安価)で駆動
回路10を構成することができるので、安価な駆動回路
10を構成することができる。
るいは、円形,楕円形状の板状体が用いられる。特に基
板1の形状を略四角形状の板状体とした場合には、効率
よく基板1を切り出せるので、コストの面等から好まし
い。
された光を通過させる透明度を有する材質で構成するこ
とが好ましく、具体的には、透明或いは半透明なガラス
基板や透明或いは半透明の高分子フィルム等で構成する
事が好ましい。基板1にガラス基板を用いると、ガラス
基板は透明度が高く、しかも扱い易い。又、基板1に高
分子フィルムを用いると、割れなどが発生しにくく、し
かも所望の形状に加工しやすい。また、基板1をガラス
基板で構成する場合には、基板1の厚さとしては、0.
5mm〜2mm程度とする事が好ましい。ガラス基板の
厚さが0.2mmより薄いと、製造途中で割れる確率が
高くなり、厚さが2mmを超えると、表示装置自体が厚
くなり薄型にならない。
合には、基板1自体を非導電材料で構成する事が好まし
い。また、基板1上にシリカなどの絶縁膜を所定量膜付
けして、その上に陽極2を形成する場合には、基板1は
導電性を有する材料で構成しても良い。
散膜等を設けることによって、表示を見やすくする事が
できる。外表面1aに偏光膜を設けた場合には、外部か
ら進入し素子内で反射してきた光が偏光膜で再度外部に
放出されるのを防止でき、画質を向上させることができ
る。また、外表面1aに拡散膜を設ける事によって、有
機エレクトロルミネッセンス素子にダークスポットが形
成されたとして、拡散膜で、発光した光が拡散されるこ
とになるので、画質がよく見える。また、拡散膜の代わ
りに、外表面1aを粗面としても良い。
ズ状とすることによって、視野を広くしたり、視野を狭
めたりする事ができる。
通過可能な材料で構成することが好ましく、特にITO
等の透明或いは半透明な導電性材料で構成することが好
ましい。陽極2としてITOを用いる場合には、陽極2
の厚さとしては500Å〜4000Å(更に好ましくは
1000Å〜3000Å)とする事が好ましく、厚さが
500Åより小さいと、配線抵抗が大きくなって、多く
の電力が必要となり、厚さが4000Åを超えるとIT
Oの形成時間が長くなり、製造時間が長くなるので、生
産性が悪くなる事があり、また、陽極2上に形成される
他の薄膜に大きな段差が形成されることになり、良好な
成膜を行うことは難しい。また、陽極2にITOを用い
る場合には、ITO中にはFe,Si等の不純物を添加
しても良い。
g,Cu,Cの少なくとも一つ或いはそれらの合金、或
いはそれら金属と他の金属などとの合金を用いる事がで
きる。それら金属材料を陽極2として用いる場合には、
厚さは100Å〜200Åとすることが好ましく。陽極
2の厚さが100Åより小さいと、配線抵抗が小さくな
り、大きな電力が必要となり、陽極2の厚さが200Å
を超えると、陽極2の透明度が低下するので、好ましく
ない。
には、陽極2自体の幅を100μm〜300μmとし、
ピッチ(隣接する陽極2の端部と端部の間隔)は10μ
m〜30μmとする事が、好ましい。この様な関係で陽
極2をストライプ状に形成することで、作りやすくしか
も高解像度の表示装置を提供できる。
れる。
電子輸送層 ・正孔輸送層+発光層+電子輸送層と発光層の混合層+
電子輸送層 ・正孔輸送層+正孔輸送層と発光層の混合層+発光層+
電子輸送層と発光層の混合層+電子輸送層 ・発光層+電子輸送層 ・発光層+電子輸送層と発光層の混合層+電子輸送層 有機層3としては、上述の様な構成が考えられ、正孔輸
送層,発光層,電子輸送層は公知の材料を用いる事がで
きる。
カーボン膜(ダイヤモンドライクカーボン膜やダイヤモ
ンド膜)を設けても良い。
を放出しやすい)導電性材料が好適に用いられる。具体
的な材料としては、Li,Mg,Ca,Na,Kの少な
くとも一つを含む合金(AgやAl等との合金)材料が
好適に用いられる。これらの金属材料で陰極4を形成す
る場合には、膜厚としては200Å〜1μmとする事が
好ましく、200Åより薄いと、配線抵抗が大きくなり
多くの電力が必要となり、1μmを超えると、成膜時間
がかかり生産性が向上しないと共に、応力によって、有
機層3等に余分な応力が加わり、特性が劣化することが
ある。
a,Kの少なくとも一つを含む合金を用いた場合には、
前記合金は酸化しやすいので、それら合金膜の上に、T
i,Cr,W等の耐食性のある導電性金属単体或いはそ
れらの耐食性金属を含む合金を積層する事によって、陰
極4の耐食性を向上させることができる。
良く、導電性を重視して、材質などを選択する事が重要
となる。
成した積層体を覆う保護材を設けても良い。この保護材
は図示して言えないが、積層体の耐環境性を向上させ目
的で形成される。保護材としては、絶縁性を有する材料
が好ましく用いられ、有機材料としてはフッ素樹脂等
が、或いは無機材料としては酸化物絶縁材料などが好適
に用いられる。
料,セラミック材料,金属材料等で構成される事が好ま
しい。シールド材6を作製する方法としては、例えば、
上記材料で成形加工を施したり、上記材料の板状体をサ
ンドブラスト等によって、凹部を形成して構成される。
また、シールド材6として金属材料を用いる場合には他
の加工方法として、プレス加工などによって、凹部を形
成する方法がある。
いる場合には、具体的材料としては、ステンレス材や、
銅材、鉄材、アルミ材等が用いられる。
駆動回路9等で発生した熱を外部に放出しやすくするよ
うに、熱伝導性の良い材質(好ましくは金属材料)で構
成する事が好ましい。
に接着される事によって、有機層3などを外界と遮断す
ることができ、有機層3等の耐候性を向上させることが
できる。接着剤7としては、外部からの水分の透過を妨
げたり、ガスを放出しにくい材料で構成することが好ま
しい。具体的材料としては、ガラス材料(好ましくは低
融点ガラス),光硬化樹脂(紫外線硬化樹脂など)が好
適に用いられる。他の接着剤7の材料として、瞬間接着
剤やエポキシ樹脂などが好適に用いられる。
ガスや窒素ガス等の気体が1.3気圧以下となるように
封入されており、内部気圧が1.3気圧を超えると、内
圧によって、シールド材6内の気体が外に出やすくな
り、その結果、外界との遮断がうまくいかず、外部の水
分などが内部に入りやすくなる。内圧が低い方が、前述
の様な問題は起こりにくい。
抗,コンデンサ,インダクタ等の電子部品で構成されて
いる。駆動回路9は図1(b)に示すようにシールド材
6で外部と遮断された領域内に設けられている事によっ
て、耐候性を向上させているとともに、配線抵抗を小さ
くすることができるが、例えば、配線抵抗を低くするだ
けであれば、駆動回路9はシールド材6内に配置せず
に、基板1上に配置すれば良く、この場合には、駆動回
路9をシールド材6の外表面上,基板1の外表面1a上
(表示部5を除く部分に設ける事が好ましい。),基板
1の外表面1aと反対側の面上等に配置することが好ま
しい。
すように駆動回路9を駆動回路基板11上に構成し、こ
の駆動回路基板11をシールド材6と基板1で構成され
た空間の中に配置したが、図2に示すように、配線など
をシールド材6の内表面に直接(好ましくは、図2に示
している通り、シールド材6の底面に)形成し、その配
線上にICや他の電子部品などを実装して構成すること
によって、図1(b)に示す駆動回路基板11を省略
し、表示装置の高さを低くして薄型で着ると共に、部品
点数の削減を行うことができる。なお、図2に示す構造
の場合には、シールド材6は絶縁性を有する材料で構成
する事が好ましい。また、シールド材6に熱伝導性を必
要とするために、シールド材6に導電性が必要な場合に
は、例えば、SiO2等の絶縁材料で構成された絶縁膜
をシールド材6の内表面に薄く形成したのち、その絶縁
膜の上に配線などを形成し、その配線上に駆動回路9等
を構成する電子部品を実装することが好ましい。図2に
示す様な実施の形態では、駆動回路9等で発生した熱の
大部分がシールド材6に伝わるので、シールド材6の放
熱効果を向上させるために、シールド材6にフィンを立
設したり、あるいは、シールド材6の外表面或いは内表
面に凹凸(波状等)を形成し、放熱効果を高めたり、或
いは、ヒートパイプ等の伝熱部材をシールド材6に接続
し、そのヒートパイプ等により、熱を他の部分に導い
て、冷却効率を向上させることができる。
図3に示すように、シールド材6を筒状体6aと基板1
2とを組み合わせて構成し、基板12上に駆動回路9を
実装する方法がある。筒状体6aとこの基板12を接着
剤などで張り合わせてシールド材6を構成する。この様
な方法によって、基板12上に駆動回路9等を構成した
後に、基板12と筒状体6aを組み合わせてシールド材
6を構成できるので、基板12上に駆動回路9等を簡単
に構成でき生産性が向上する。また、基板12を金属基
板(アルミ,チタン,銅等)で構成することによって、
駆動会を9等で発生した熱を効率よく逃がすことができ
る。この時基板12を金属基板で構成することによっ
て、配線などが直接基板12上に形成できない場合に
は、アルミナやSiO2等の絶縁層13を基板12上に
形成して、その上に配線などを形成することが好まし
い。また、図4に示すように、基板12の外表面にフィ
ン14などを基板12と一体に立設したり、或いは別部
材のフィン14を張り付けなどで基板12上に立設した
りすることで、更に放熱効果を向上させることができ
る。又、フィン14を用いずにヒートパイプなどの伝熱
手段を用いて、熱を他の部分に導いて冷却する事もでき
る。
ールド材6の中に設ける事について説明したが、他の回
路でも同様であり、しかも回路を構成する電子部品につ
いても同様の事が言える。
1上に電子部品(IC,薄膜トランジスタ,コンデン
サ,インダクタ,抵抗の少なくとも一つ)を設けること
で、駆動回路9と同じように配線を短くでき、配線抵抗
を減らすことができ、しかも上記電子部品をシールド材
6の中に配置することで、電子部品の耐候性を向上させ
ることができる。
抵抗(以下LCRと略す)を用いた場合には、チップ部
品が好ましく、チップ部品の大きさを高さ×幅×長さで
表した場合、0.2mm〜0.9mm×0.2mm〜
0.9mm×0.5mm〜1.7mmの範囲のチップ部
品が行程に用いられる。
膜トランジスタを用いた場合には、基板1上に薄膜トラ
ンジスタ15を実装した構成となっている。薄膜トラン
ジスタ15は各発光素子毎に配置され、自発光型の有機
エレクトロルミネッセンス素子に用いる事で、省電力化
を図ることができる。また、薄膜トランジスタ15をシ
ールド材6内に配置することで、薄膜トランジスタ15
の耐候性を向上させることができ、駆動回路の集積化が
はかれ、更なる小型化、省スペース化を図ることができ
る。
板(以下FPC),リード線,金線等を用いたワイヤボ
ンディング等が用いられる。配線8にFPCを用いた場
合には、熱圧着等によって、陰極4或いは陽極2に駆動
回路9や電子部品と接合される。
に乾燥剤16を封入してもよい。乾燥剤16としては、
酸化バリウムを用いた。特に化学吸着による乾燥剤16
は一度トラップした水分を再放出せず、より効果が得ら
れる。乾燥剤16を用いることにより、外部から侵入し
た水分や、気密シールド中の構成部品より放出される水
分等をトラップし、水分に弱い有機エレクトロルミネッ
センス素子の劣化を防ぎ、長期間、表示部の性能が安定
する。
クトロルミネッセンスを用いた表示装置において、小
型、省スペース化、高効率化が行え、また耐環境性に優
れ、長期にわたって性能が安定するという効果が得られ
る。
図
図
図
図
図
図
Claims (14)
- 【請求項1】基板と、前記基板上に電気的に非接触とな
るように設けられた一対の電極の間に有機層を設けられ
た有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記有機エレ
クトロルミネッセンス素子を覆うように前記基板上に設
けられたシールド材とを備えた表示装置であって、基板
上に電子部品を設けた事を特徴とする表示装置。 - 【請求項2】シールド材と基板で構成された空間の中に
電子部品を設けた事を特徴とする請求項1記載の表示装
置。 - 【請求項3】電子部品として、IC,インダクタ,コン
デンサ,抵抗,薄膜トランジスタの少なくとも一つであ
る事を特徴とする請求項1,2いずれか1記載の表示装
置。 - 【請求項4】電子部品を1乃至複数組み合わせて有機エ
レクトロルミネッセンス素子の駆動回路を構成した事を
特徴とする請求項1〜3いずれか1記載の表示装置。 - 【請求項5】駆動回路を駆動回路基板上に設け、前記駆
動回路基板をシールド材中に設けた事を特徴とする請求
項4記載の表示装置。 - 【請求項6】シールド材上に直接配線を形成し、前記配
線に駆動回路を接続した事を特徴とする請求項4記載の
表示装置。 - 【請求項7】シールド材上に絶縁膜を設け、前記絶縁膜
の上に配線を形成し、前記配線に駆動回路を接続した事
を特徴とする請求項4記載の表示装置。 - 【請求項8】シールド材を筒状体と回路基板の2ピース
にするとともに、前記回路基板に駆動回路を設け、前記
筒状体と前記回路基板を組み合わせて、シールド材を構
成した事を特徴とする請求項4記載の表示装置。 - 【請求項9】シールド材に冷却手段を設けた事を特徴と
する請求項4〜8いずれか1記載の表示装置。 - 【請求項10】冷却手段の構成として、シールド材にフ
ィンを立設するか、シールド材に凹凸を設けた事を特徴
とする請求項9記載の表示装置。 - 【請求項11】冷却手段の構造として、シールド材にヒ
ートパイプなどの伝熱部材を当接させ、前記シールド材
の熱を外部に輸送する事を特徴とする請求項9記載の表
示装置。 - 【請求項12】シールド材と基板が構成する空間内に前
記空間内を乾燥させる乾燥剤を設けた事を特徴とする請
求項1〜11いずれか1記載の表示装置。 - 【請求項13】基板上に複数の陽極をストライプ状に設
け、前記複数の陽極に交差する複数の陽極をストライプ
状に設け、前記複数の陽極と前記複数の陰極が交わる部
分に有機層を設けた事を特徴とする請求項1〜12いず
れか1記載の表示装置。 - 【請求項14】駆動回路として薄膜トランジスタを用
い、基板と陽極の間に前記駆動回路を設けた事を特徴と
する請求項13記載の表示装置。
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Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002039513A1 (en) * | 2000-11-08 | 2002-05-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electro-optical device |
JP2003317955A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法、製造装置の操作方法 |
JP2003332049A (ja) * | 2002-05-15 | 2003-11-21 | Toyota Industries Corp | 有機el表示装置 |
JP2004253303A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2004303522A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Display Technologies Corp | 表示装置及びその製造方法 |
JP2006202610A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Tohoku Pioneer Corp | 自発光パネル及びその製造方法 |
KR100629180B1 (ko) | 2004-12-31 | 2006-09-28 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광 표시소자 |
WO2006117717A2 (en) * | 2005-04-29 | 2006-11-09 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electroluminescent device |
JP2008244182A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Kaneka Corp | 高輝度発光の有機el発光装置 |
JP2008257249A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Tsinghua Univ | 有機エレクトロルミネセンス装置 |
US7495390B2 (en) | 2000-12-23 | 2009-02-24 | Lg Display Co., Ltd. | Electro-luminescence device with improved thermal conductivity |
JP2011108651A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Fraunhofer Ges Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev | 有機光電デバイス |
JP2011119176A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 |
JP2011204692A (ja) * | 2004-02-24 | 2011-10-13 | Global Oled Technology Llc | 熱伝導性背面プレートを備えるoledディスプレイ |
US8138670B2 (en) | 2002-02-22 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus |
EP2595210A3 (en) * | 2011-11-21 | 2016-12-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic el illumination module and illumination apparatus including same |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63108696A (ja) * | 1986-05-28 | 1988-05-13 | 沖電気工業株式会社 | Elデイスプレイパネル |
JPH01137589A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elディスプレイ装置 |
JPH02170392A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Ricoh Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JPH0316697A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-24 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 汚水処理装置 |
JPH08298346A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-11-12 | Motorola Inc | 集積電気−光パッケージ |
JPH09219288A (ja) * | 1996-02-07 | 1997-08-19 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
JPH1091095A (ja) * | 1996-06-10 | 1998-04-10 | Motorola Inc | 一体型電気光学パッケージおよび作製方法 |
JPH10125463A (ja) * | 1995-12-28 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
JP2800813B2 (ja) * | 1997-02-03 | 1998-09-21 | ||
JPH113048A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
JP2000040585A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-08 | Tdk Corp | 有機el素子モジュール |
-
1999
- 1999-01-25 JP JP01558699A patent/JP4066547B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63108696A (ja) * | 1986-05-28 | 1988-05-13 | 沖電気工業株式会社 | Elデイスプレイパネル |
JPH01137589A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elディスプレイ装置 |
JPH02170392A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Ricoh Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JPH0316697A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-24 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 汚水処理装置 |
JPH08298346A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-11-12 | Motorola Inc | 集積電気−光パッケージ |
JPH10125463A (ja) * | 1995-12-28 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
JPH09219288A (ja) * | 1996-02-07 | 1997-08-19 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
JPH1091095A (ja) * | 1996-06-10 | 1998-04-10 | Motorola Inc | 一体型電気光学パッケージおよび作製方法 |
JP2800813B2 (ja) * | 1997-02-03 | 1998-09-21 | ||
JPH113048A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
JP2000040585A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-08 | Tdk Corp | 有機el素子モジュール |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6628070B2 (en) * | 2000-11-08 | 2003-09-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electro-optical device with cover having a first wall indentation for accommodating control electronics |
WO2002039513A1 (en) * | 2000-11-08 | 2002-05-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electro-optical device |
US7495390B2 (en) | 2000-12-23 | 2009-02-24 | Lg Display Co., Ltd. | Electro-luminescence device with improved thermal conductivity |
JP2003317955A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法、製造装置の操作方法 |
US8138670B2 (en) | 2002-02-22 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus |
JP4558277B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2010-10-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US8536784B2 (en) | 2002-02-22 | 2013-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus |
JP2003332049A (ja) * | 2002-05-15 | 2003-11-21 | Toyota Industries Corp | 有機el表示装置 |
JP2004253303A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2004303522A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Display Technologies Corp | 表示装置及びその製造方法 |
JP2011204692A (ja) * | 2004-02-24 | 2011-10-13 | Global Oled Technology Llc | 熱伝導性背面プレートを備えるoledディスプレイ |
KR100629180B1 (ko) | 2004-12-31 | 2006-09-28 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광 표시소자 |
JP2006202610A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Tohoku Pioneer Corp | 自発光パネル及びその製造方法 |
WO2006117717A3 (en) * | 2005-04-29 | 2007-02-15 | Philips Intellectual Property | Electroluminescent device |
WO2006117717A2 (en) * | 2005-04-29 | 2006-11-09 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electroluminescent device |
JP2008244182A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Kaneka Corp | 高輝度発光の有機el発光装置 |
US7923924B2 (en) | 2007-04-03 | 2011-04-12 | Tsinghua University | Organic electroluminescent display/source with anode and cathode leads |
JP2008257249A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Tsinghua Univ | 有機エレクトロルミネセンス装置 |
JP2011108651A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Fraunhofer Ges Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev | 有機光電デバイス |
EP2323191A3 (de) * | 2009-11-17 | 2011-12-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der Angewandten Forschung e.V. | Organisches photoelektrisches Bauelement |
US8530924B2 (en) | 2009-11-17 | 2013-09-10 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Organic photoelectric device |
JP2011119176A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 |
EP2595210A3 (en) * | 2011-11-21 | 2016-12-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic el illumination module and illumination apparatus including same |
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