JP2000098191A - Semiconductor laser beam source device - Google Patents

Semiconductor laser beam source device

Info

Publication number
JP2000098191A
JP2000098191A JP10271479A JP27147998A JP2000098191A JP 2000098191 A JP2000098191 A JP 2000098191A JP 10271479 A JP10271479 A JP 10271479A JP 27147998 A JP27147998 A JP 27147998A JP 2000098191 A JP2000098191 A JP 2000098191A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
array
semiconductor laser
light
light emitting
rows
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10271479A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4080608B2 (en
Inventor
Arata Ko
新 高
Masaomi Kosaka
正臣 高坂
Hideo Suzuki
英夫 鈴木
Yasushi Obayashi
寧 大林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to JP27147998A priority Critical patent/JP4080608B2/en
Publication of JP2000098191A publication Critical patent/JP2000098191A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4080608B2 publication Critical patent/JP4080608B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser beam source device which efficiently makes the laser beams from a two-dimensionally arrayed semiconductor laser array incident on optical fibers and outputs these laser beams. SOLUTION: The semiconductor laser beam source device of high output, which collimates the laser beams emitted from the stack type semiconductor laser array 1 having N0×M0 pieces of light emitting points 1101.1 to 110N0.M0 arrayed to a matrix form by a collimating lens array 3, further, condenses these laser beam with respect to both directions of a perpendicular direction and a horizontal direction by a condensing lens array 4, condenses the laser beam to make the laser beams incident on the incident ends arrayed to the matrix form of an optical fiber array 2 having N×M pieces, where N<N0 and M<M0, of optical fibers 2101.1 to 210N.M and forms the optical fibers as a bundle, thereby efficiently captures the laser beams, may be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザアレ
イからの光をコリメート・集光して、光ファイバによっ
て出力する半導体レーザ光源装置に関するものである。
The present invention relates to a semiconductor laser light source device for collimating and condensing light from a semiconductor laser array and outputting the light through an optical fiber.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体レーザから出射されるレーザ光の
出力・伝送を効率良く行うために光ファイバが用いられ
るが、このとき、半導体レーザと光ファイバとの結合効
率が問題となる。一般に、半導体レーザの出射パラメー
タと、光ファイバの入射パラメータとは異なるので、こ
のような結合効率を高くするために、半導体レーザと光
ファイバとの間にレンズ系を設置する等の方法が用いら
れている。
2. Description of the Related Art An optical fiber is used to efficiently output and transmit a laser beam emitted from a semiconductor laser. At this time, the coupling efficiency between the semiconductor laser and the optical fiber becomes a problem. In general, the emission parameter of a semiconductor laser is different from the incidence parameter of an optical fiber. To increase the coupling efficiency, a method of installing a lens system between the semiconductor laser and the optical fiber is used. ing.

【0003】特に、例えば半導体レーザを固体レーザの
励起光源として用いる場合、励起に用いられるレーザ光
の高出力化が不可欠であるが、単一の発光点(ストライ
プ状の活性層など)による半導体レーザではその出力強
度に限界があり、より高出力とするためには、複数の発
光点からなる半導体レーザアレイと、そのような半導体
レーザアレイのそれぞれの発光点から出射されるレーザ
光を、光ファイバに効率良く入射させるレンズアレイの
実現が必要となる。
In particular, for example, when a semiconductor laser is used as an excitation light source for a solid-state laser, it is essential to increase the output of laser light used for excitation. However, in order to achieve higher output, a semiconductor laser array consisting of a plurality of light-emitting points and laser light emitted from each light-emitting point of such a semiconductor laser array are converted into an optical fiber. It is necessary to realize a lens array that efficiently enters the lens.

【0004】そのような半導体レーザアレイに適用可能
なものとして、例えば特開平4−284401号に示さ
れたレンズアレイがある。このレンズアレイは、例えば
単一の半導体レーザに対して球レンズを用いずに、隣り
合う円柱レンズの方向が互いに直交するように順次配置
された3本の円柱レンズによって、垂直・水平の2方向
についての光収束を行うものである。特に半導体レーザ
アレイを用いた場合に、球レンズが効率的なアレイ化が
困難であるのに対して、このような構成による円柱レン
ズを用いたレンズ系は、3本の円柱レンズを、それぞれ
半導体レーザアレイの発光点配列の垂直・水平方向をそ
の配列方向とした複数の円柱レンズからなる3層の円柱
レンズアレイとすることによって、単一の半導体レーザ
の場合と同様に適用することができる。
As one applicable to such a semiconductor laser array, there is, for example, a lens array disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-284401. This lens array is composed of, for example, three vertical and horizontal cylindrical lenses arranged in such a manner that adjacent cylindrical lenses are orthogonal to each other without using a spherical lens for a single semiconductor laser. Is performed. In particular, when a semiconductor laser array is used, it is difficult to efficiently form a spherical lens into an array. On the other hand, a lens system using a cylindrical lens having such a configuration includes three cylindrical lenses each having a semiconductor lens. By using a three-layered cylindrical lens array composed of a plurality of cylindrical lenses with the vertical and horizontal directions of the light emitting point array of the laser array being the array direction, it can be applied similarly to the case of a single semiconductor laser.

【0005】また、特開平6−104516号に示され
た固体レーザ装置に用いられているレンズアレイがあ
る。この装置では、マルチストライプによる複数の発光
点が1次元上に配列された一体のアレイ型半導体レーザ
に対して、個々の発光点から出射されるレーザ光をそれ
ぞれコリメートするための分布屈折率レンズアレイと、
それぞれコリメートされた複数の発光点からのレーザ光
を固体レーザ素子の端面に一括して集光させる集光レン
ズとからなるレンズアレイを用いている。また、このレ
ンズアレイと固体レーザ素子との間に、光伝送手段とし
て単一の光ファイバを介在させる方法についても記載さ
れている。
Further, there is a lens array used in a solid-state laser device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-104516. In this apparatus, a distributed refractive index lens array for collimating laser light emitted from each light emitting point with respect to an integrated array type semiconductor laser in which a plurality of light emitting points by a multi-stripe are arranged one-dimensionally. When,
A lens array including a condensing lens for collectively condensing laser beams from a plurality of collimated light emitting points on an end face of a solid-state laser element is used. It also describes a method of interposing a single optical fiber as an optical transmission means between the lens array and the solid-state laser element.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】半導体レーザをさらに
高出力化してその利用・適用範囲を広げるためには、2
次元的に配列された半導体レーザアレイ、すなわち複数
の半導体レーザまたは複数のアレイ型半導体レーザを配
列したものと、そのような2次元配列の半導体レーザア
レイの複数の発光点から出射されたレーザ光を効率的に
コリメート・集光して、光ファイバに入射させることが
可能なレンズアレイが必要不可欠である。
In order to further increase the output of a semiconductor laser and expand its use and application range, it is necessary to use
A two-dimensionally arranged semiconductor laser array, i.e., one in which a plurality of semiconductor lasers or a plurality of array-type semiconductor lasers are arranged, and laser light emitted from a plurality of light emitting points of such a two-dimensionally arranged semiconductor laser array. A lens array capable of efficiently collimating and condensing light and entering the optical fiber is indispensable.

【0007】しかしながら、特開平4−284401号
に示されたレンズアレイは、その円柱レンズアレイの構
造が、半導体レーザアレイの発光点の構造と個々に対応
しており、したがって個々の発光点についてそれぞれコ
リメートを行って、それぞれに対して設置された半導体
レーザアレイの発光点と同数の光ファイバに入射させる
ものであって、複数の発光点からのレーザ光を1つの光
ファイバに集光する機能を有していない。さらに、使用
される円柱レンズの数が多く、その組立工程や組立精度
の点で問題がある。
However, in the lens array disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-284401, the structure of the cylindrical lens array corresponds to the structure of the light emitting points of the semiconductor laser array. The collimator performs collimation and makes the same number of optical fibers as the number of light emitting points of the semiconductor laser array installed for each, and has the function of condensing laser light from multiple light emitting points onto one optical fiber. I do not have. Furthermore, the number of cylindrical lenses used is large, and there is a problem in the assembling process and assembling accuracy.

【0008】また、特開平6−104516号に示され
たレンズアレイは、1次元に配列された半導体レーザア
レイについて、すべての発光点からのレーザ光を単一の
光ファイバに集光・入射させるものであるが、半導体レ
ーザアレイを2次元化した場合、それらすべての発光点
からのレーザ光を効率良く単一の光ファイバに集光・入
射させることは極めて困難であり、レンズアレイ等も複
雑なものとなる。
In the lens array disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-104516, laser light from all light-emitting points is condensed and incident on a single optical fiber for a one-dimensionally arranged semiconductor laser array. However, if the semiconductor laser array is made two-dimensional, it is extremely difficult to efficiently converge and enter the laser light from all of the light emitting points into a single optical fiber, and the lens array and the like are also complicated. It becomes something.

【0009】本発明は、以上のような問題点に鑑みてな
されたものであり、2次元配列された複数の発光点を有
する半導体レーザアレイからのレーザ光を効率良くコリ
メート・集光し光ファイバに入射して、外部に出力する
ことができる高出力の半導体レーザ光源装置を提供する
ことを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has been made in consideration of the above-described problems. An optical fiber for efficiently collimating and condensing laser light from a semiconductor laser array having a plurality of two-dimensionally arranged light emitting points. It is an object of the present invention to provide a high-output semiconductor laser light source device which can be incident on a laser beam and output to the outside.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による半導体レーザ光源装置は、複数
の発光点を有する半導体レーザアレイと、半導体レーザ
アレイのそれぞれの発光点から出射されたレーザ光が入
射され外部へと出力する光ファイバからなる光ファイバ
アレイと、レーザ光を光ファイバアレイの光ファイバに
コリメートまたは集光するレンズアレイと、を備えた半
導体レーザ光源装置であって、半導体レーザアレイは、
複数の半導体レーザまたは複数のアレイ型半導体レーザ
をスタック・配列することによって構成されて、2次元
配列された複数の発光点を有するスタック型半導体レー
ザアレイからなり、光ファイバアレイは、複数の発光点
よりも少ない本数の複数の光ファイバから構成されて、
それぞれの入射端が1次元または2次元配列された入射
部と、複数の光ファイバが束ねられたバンドル部とから
なり、レンズアレイは、複数の発光点の2次元配列の、
垂直方向または水平方向の少なくとも一方向について、
レーザ光のコリメートを行うように構成されたコリメー
トレンズアレイと、複数の発光点の2次元配列の、垂直
方向及び水平方向の両方向について、レーザ光の集光を
行うように構成された集光レンズアレイと、を有するこ
とを特徴とする。
In order to achieve the above object, a semiconductor laser light source device according to the present invention comprises a semiconductor laser array having a plurality of light emitting points and light emitted from each light emitting point of the semiconductor laser array. A semiconductor laser light source device comprising: an optical fiber array comprising an optical fiber through which laser light is incident and output to the outside; and a lens array for collimating or condensing the laser light onto the optical fiber of the optical fiber array, Semiconductor laser arrays
A plurality of semiconductor lasers or a plurality of array-type semiconductor lasers are stacked and arranged to form a stacked semiconductor laser array having a plurality of two-dimensionally arranged light emitting points. The optical fiber array has a plurality of light emitting points. Composed of a smaller number of optical fibers,
Each of the incident ends is composed of an incident portion in which a one-dimensional or two-dimensional array is arranged, and a bundle portion in which a plurality of optical fibers are bundled. The lens array has a two-dimensional array of a plurality of light emitting points.
For at least one direction, vertical or horizontal,
A collimating lens array configured to collimate laser light, and a condensing lens configured to collect laser light in both vertical and horizontal directions of a two-dimensional array of a plurality of light emitting points. And an array.

【0011】また、スタック型半導体レーザアレイは、
垂直方向にN0行(N0は2以上の整数)の発光点行、
水平方向にM0列(M0は2以上の整数)の発光点列を
有するマトリクス状に、2次元配列されたN0×M0個
の複数の発光点を有して構成され、光ファイバアレイ
は、N<N0かつM<M0である垂直方向にN行(Nは
1以上の整数)の入射端行、水平方向にM列(Mは1以
上の整数、ただしNまたはMの少なくとも一方は2以上
の整数)の入射端列を有するマトリクス状に、それぞれ
の入射端が入射部において1次元または2次元配列され
たN×M本の複数の光ファイバを有して構成され、集光
レンズアレイは、スタック型半導体レーザアレイのN0
×M0個の複数の発光点を、垂直方向にN行の発光領域
行、水平方向にM列の発光領域列を有するマトリクス状
に2次元配列されたN×M個の発光領域に区分して、そ
れぞれの発光領域に含まれる発光点からのレーザ光を、
N×M個の複数の光ファイバのうち対応する光ファイバ
の入射端に集光するように構成されたことを特徴とす
る。
A stacked semiconductor laser array is
N0 rows (N0 is an integer of 2 or more) of light emitting points in the vertical direction,
A plurality of N0 × M0 light-emitting points are two-dimensionally arranged in a matrix having light-emitting point arrays of M0 rows (M0 is an integer of 2 or more) in the horizontal direction. <N0 and M <M0 where N rows (N is an integer of 1 or more) in the vertical direction and M columns (M is an integer of 1 or more, where at least one of N or M is 2 or more) (Integer), a plurality of N × M optical fibers, each of which is one-dimensionally or two-dimensionally arranged at the incident part, in a matrix having an incident end row of (integer). N0 of stack type semiconductor laser array
The plurality of × M0 light emitting points are divided into N × M light emitting areas two-dimensionally arranged in a matrix having N light emitting area rows in the vertical direction and M light emitting area columns in the horizontal direction. , A laser beam from a light emitting point included in each light emitting region,
It is characterized in that it is configured to condense light to the incident end of the corresponding optical fiber among the N × M optical fibers.

【0012】単一の発光点を有する半導体レーザ、また
は複数の発光点を有するアレイ型半導体レーザ、を複数
個スタックし、2次元配列して形成されたスタック型半
導体レーザアレイと、それに対してこのスタック型半導
体レーザアレイの発光点の個数よりも少ない本数の光フ
ァイバからなる光ファイバアレイを用い、コリメートレ
ンズアレイ及び集光レイズアレイによって光ファイバア
レイの入射部に向けてそれぞれレーザ光のコリメート・
集光を行って、レーザ光が入射された光ファイバをバン
ドル部において束ねることによって、2次元配列の発光
点からのレーザ光を効率的に出力することができる高出
力の半導体レーザ光源装置とすることができる。
A stacked semiconductor laser array formed by stacking a plurality of semiconductor lasers having a single light emitting point or an array type semiconductor laser having a plurality of light emitting points and two-dimensionally arranging the semiconductor laser. Using an optical fiber array consisting of a smaller number of optical fibers than the number of light emitting points of the stacked semiconductor laser array, the collimating lens array and the condensing raise array are used to collimate the laser light toward the entrance of the optical fiber array.
A high-power semiconductor laser light source device capable of efficiently outputting laser light from a two-dimensional array of light emitting points by condensing and bundling an optical fiber on which laser light is incident in a bundle unit. be able to.

【0013】特に、スタック型半導体レーザアレイの発
光点の2次元配列から、光ファイバアレイの1次元また
は2次元配列へ、垂直方向及び水平方向の両方向につい
て集光レンズアレイによって集光を行うことによって、
その集光の効率を高め、かつ光源装置のレンズや光ファ
イバなどの構成要素を減少させて、その製造を容易とす
ることができる。なお、集光とは、ここでは複数の発光
点からのレーザ光を一点に収束させることをいう。
In particular, light is condensed by a converging lens array in both vertical and horizontal directions from a two-dimensional array of light emitting points of a stacked semiconductor laser array to a one-dimensional or two-dimensional array of optical fiber arrays. ,
The efficiency of the light collection is increased, and the number of components such as the lens and the optical fiber of the light source device is reduced, so that the manufacturing can be facilitated. Note that condensing here means converging laser beams from a plurality of light emitting points to one point.

【0014】このような光源装置は、例えばスタック型
半導体レーザアレイの各発光点と、光ファイバアレイの
各光ファイバの入射端をそれぞれマトリクス状に配列
し、それらの配列に対応して集光レンズアレイを構成す
ることによって、実現することができる。
In such a light source device, for example, each light-emitting point of a stacked semiconductor laser array and the incident end of each optical fiber of an optical fiber array are arranged in a matrix, and a condensing lens corresponding to the arrangement. This can be achieved by configuring an array.

【0015】上記のような装置に用いられる、マトリク
ス状の複数の発光点を有するスタック型半導体レーザア
レイは、例えば、水平方向にM0個の発光点を有するア
レイ型半導体レーザを、垂直方向にN0個スタック・配
列して構成することが好ましい。また、垂直方向にN1
行(N1は1以上の整数)、水平方向にM1列(M1は
1以上の整数)に2次元配列されたN1×M1個の発光
点を有する半導体レーザまたはアレイ型半導体レーザ
を、垂直方向にN1×N2=N0であるN2個(N2は
1以上の整数)、水平方向にM1×M2=M0であるM
2個(M2は1以上の整数、ただしN2またはM2の少
なくとも一方は2以上の整数)スタック・配列して構成
しても良い。
A stacked semiconductor laser array having a plurality of light emitting points in a matrix used in the above-mentioned apparatus is, for example, an array type semiconductor laser having M0 light emitting points in the horizontal direction and N0 in the vertical direction. It is preferable to configure them in a stack and arrangement. Also, N1 in the vertical direction
A semiconductor laser or an array type semiconductor laser having N1 × M1 light emitting points two-dimensionally arranged in rows (N1 is an integer of 1 or more) and M1 columns (M1 is an integer of 1 or more) in the horizontal direction is vertically aligned. N2 where N1 × N2 = N0 (N2 is an integer of 1 or more), M in the horizontal direction where M1 × M2 = M0
Two (M2 is an integer of 1 or more; however, at least one of N2 and M2 is an integer of 2 or more) stacks and arrangements may be adopted.

【0016】集光レンズアレイは、例えば、垂直方向に
配列されたN行の発光領域行に含まれる発光点からのレ
ーザ光を、N行の入射端行にそれぞれ集光する単一また
は複数の集光レンズからなる垂直集光レンズアレイと、
水平方向に配列されたM列の発光領域列に含まれる発光
点からのレーザ光を、M列の入射端列にそれぞれ集光す
る単一または複数の集光レンズからなる水平集光レンズ
アレイと、の2つのアレイを有して構成することができ
る。また、垂直方向に配列されたN行の発光領域行に含
まれる発光点からのレーザ光を、N行の入射端行にそれ
ぞれ集光し、かつ、水平方向に配列されたM列の発光領
域列に含まれる発光点からのレーザ光を、M列の入射端
列にそれぞれ集光する複数の集光レンズからなる二方向
集光レンズアレイ、の1つのアレイを有して構成しても
良い。
The condensing lens array condenses, for example, single or plural laser beams from the light emitting points included in the N light emitting region rows arranged in the vertical direction to the N incident end rows. A vertical condenser lens array comprising a condenser lens,
A horizontal condensing lens array comprising a single or a plurality of condensing lenses for condensing laser light from the light emitting points included in the M light emitting region rows arranged in the horizontal direction to the M light incident end rows, respectively; , And two arrays. Further, laser beams from the light emitting points included in the N rows of light emitting regions arranged in the vertical direction are condensed to the N incident end rows, respectively, and the M light emitting regions arranged in the horizontal direction are arranged. It may be configured to have one array of a two-way condensing lens array composed of a plurality of condensing lenses for condensing the laser beams from the light emitting points included in the rows to the M rows of incident end rows. .

【0017】このように、垂直集光レンズアレイ及び水
平集光レンズアレイ、または二方向集光レンズアレイに
よって集光レンズアレイを構成することによって、上記
のような両方向についての集光を実現することができ
る。
As described above, by forming the condensing lens array from the vertical condensing lens array and the horizontal condensing lens array, or the two-way condensing lens array, the light condensing in the above two directions can be realized. Can be.

【0018】また、コリメートレンズアレイは、垂直方
向に配列されたN0行の発光点行に含まれる発光点から
のレーザ光を、それぞれ垂直方向にコリメートする複数
のコリメートレンズからなる垂直コリメートレンズアレ
イを有して構成することができる。
The collimating lens array is a vertical collimating lens array comprising a plurality of collimating lenses for vertically collimating the laser light from the light emitting points included in the N0 light emitting points arranged in the vertical direction. It can be configured to have.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明による半
導体レーザ光源装置の好適な実施形態について詳細に説
明する。図面の説明においては同一要素には同一符号を
付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率
は、説明のものと必ずしも一致していない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a semiconductor laser light source device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same elements will be denoted by the same reference symbols, without redundant description. Also, the dimensional ratios in the drawings do not always match those described.

【0020】なお、以下に示す光源装置における座標系
については、レーザ光が出射される方向である縦方向を
z軸・z方向とし、それ以外の2方向については、垂直
方向をx軸・x方向、水平方向をy軸・y方向とする。
ここで、以下に示す実施形態においては、この光源装置
に関する座標系における垂直方向及び水平方向と、半導
体レーザの各発光点であるストライプにおける接合面に
対する垂直方向及び平行方向は、それぞれ一致してい
る。
In the coordinate system of the light source device described below, the vertical direction, which is the direction in which the laser light is emitted, is defined as the z-axis / z-direction, and in the other two directions, the vertical direction is defined as the x-axis / x-axis. Direction and horizontal direction are defined as the y-axis and y-direction.
Here, in the embodiment described below, the vertical direction and the horizontal direction in the coordinate system of the light source device coincide with the vertical direction and the parallel direction with respect to the bonding surface of the stripe, which is each light emitting point of the semiconductor laser. .

【0021】また、発光点等の2次元配列における行及
び列については、通常の行列の定義と同様に、垂直方向
を分割して水平方向を長手方向とするものを行、水平方
向を分割して垂直方向を長手方向とするものを列とす
る。
As for the rows and columns in the two-dimensional array of the light emitting points and the like, the vertical direction is divided and the horizontal direction is set as the longitudinal direction, and the horizontal direction is divided. A column having a vertical direction as a longitudinal direction is referred to as a row.

【0022】図1は、本発明による半導体レーザ光源装
置の一実施形態について、展開して各要素の構成につい
て示す斜視図である。この図においては、近接して設置
される要素についてもすべて距離をおいて示してある。
本実施形態においては、レーザ光が出射される光源であ
るスタック型半導体レーザアレイ1は、垂直方向にN0
行の発光点行V1〜VN0、及び水平方向にM0列の発光
点列H1〜HM0を有して2次元配列されたN0×M0個
の発光点を有して構成され、一方、レーザ光が入射され
外部への出力を行う光ファイバアレイ2は、水平方向に
ついて1次元にそれぞれの入射端が配列されたM本の光
ファイバを有して構成されている。
FIG. 1 is an exploded perspective view showing an embodiment of a semiconductor laser light source device according to the present invention. In this figure, all the elements installed close to each other are also shown at a distance.
In the present embodiment, the stacked semiconductor laser array 1, which is a light source from which a laser beam is emitted, has NO in the vertical direction.
It has N0 × M0 light emitting points which are two-dimensionally arranged with light emitting point rows V 1 to V N0 and M0 light emitting point rows H 1 to H M0 in the horizontal direction. The optical fiber array 2 to which laser light is incident and outputs to the outside is configured to have M optical fibers in which respective incident ends are arranged one-dimensionally in the horizontal direction.

【0023】スタック型半導体レーザアレイ1は、N0
個のアレイ型半導体レーザ111〜11N0が垂直方向に
スタック・配列されて構成されている。それぞれのアレ
イ型半導体レーザ11i(i=1〜N0)には、水平方
向に等間隔に配列されたM0個の発光点110i,1〜1
10i,M0が形成されている。アレイ型半導体レーザ11
1〜11N0は、それぞれ垂直方向に対応する発光点11
1,j〜110N0,jの水平方向の位置が一致するように
配置され、これによって、スタック型半導体レーザアレ
イ1は、垂直方向に、M0個の発光点110i,1〜11
i,M0を有するN0行の発光点行Vi(i=1〜N
0)、水平方向に、N0個の発光点1101,j〜110
N0,jを有するM0列の発光点列Hj(j=1〜M0)か
ら構成されるマトリクス状に配列された、N0×M0個
の発光点1101,1〜110N0,M0を有して構成されてい
る。
The stack type semiconductor laser array 1 has N0
Number of array semiconductor laser 11 1 to 11 N0 is constituted by stack arranged vertically. Each array type semiconductor laser 11 i (i = 1 to N0) has M0 light emitting points 110 i, 1 to 1 arranged at equal intervals in the horizontal direction.
10 i, M0 are formed. Array type semiconductor laser 11
1 to 11 N0 are light emitting points 11 corresponding to the respective vertical directions.
0 1, j to 110 N0, j are arranged so that the horizontal positions thereof coincide with each other, whereby the stacked semiconductor laser array 1 vertically moves the M0 light emitting points 110 i, 1 to 11.
The emission point rows V i (i = 1 to N) of N0 rows having 0 i, M0
0), N0 emission points 110 1, j to 110 in the horizontal direction
It has N0 × M0 light emitting points 110 1,1 to 110 N0, M0 arranged in a matrix composed of M0 light emitting point arrays H j (j = 1 to M0) having N0, j. It is configured.

【0024】光ファイバアレイ2は、1×M本(ただ
し、M<M0)の光ファイバ2101, 1〜2101,Mから
構成され、これらM本の光ファイバとその入射端がそれ
ぞれ配列される入射部21と、M本の光ファイバが束ね
られたバンドル部22とからなる。本実施形態の入射部
21においては、垂直方向の入射端行は1行(すなわち
N=1)、水平方向の入射端列はM列であり、M本の光
ファイバ2101,1〜2101,Mは、水平方向に1次元に
配列されている。
The optical fiber array 2, 1 × M present (where, M <M0) is composed of the optical fiber 210 1, 1 to 210 1, M, its entrance end to the optical fiber of the M are arranged respectively And a bundle 22 in which M optical fibers are bundled. In the incident portion 21 of the present embodiment, the vertical direction of the entrance end line one line (i.e. N = 1), the incident end column in the horizontal direction is M rows, M optical fibers 210 1,1 to 210 1 , M are arranged one-dimensionally in the horizontal direction.

【0025】スタック型半導体レーザアレイ1のN0×
M0個の発光点1101,1〜110N 0,M0からそれぞれ出
射されたレーザ光を、光ファイバアレイ2の1×M個の
光ファイバ2101,1〜2101,Mに入射させるために、
コリメートレンズアレイ3及び集光レンズアレイ4から
なるレンズアレイが設置されている。
N0 × of stack type semiconductor laser array 1
In order to make the laser light emitted from each of the M0 light emitting points 110 1,1 to 110 N 0, M0 incident on 1 × M optical fibers 210 1,1 to 210 1 , M of the optical fiber array 2 ,
A lens array including a collimating lens array 3 and a condensing lens array 4 is provided.

【0026】コリメートレンズアレイ3は、スタック型
半導体レーザアレイ1のそれぞれの発光点から出射され
たレーザ光をコリメートして、その拡散角、すなわちz
方向に対する傾き角、を小さくする機能を有して構成・
設置される。
The collimating lens array 3 collimates the laser light emitted from each light emitting point of the stack type semiconductor laser array 1 and generates a divergence angle, that is, z, of the laser light.
It has a function to reduce the tilt angle with respect to the direction.
Will be installed.

【0027】ここで半導体レーザにおいては、一般にそ
の垂直方向及び水平方向に対してその拡散角の大きさが
異なる。垂直方向(x方向)についてはその拡散角θx
は大きく、40°程度である。それに対して水平方向
(y方向)についてはその拡散角θyは小さく、5〜1
2°程度である。
Here, a semiconductor laser generally has a different diffusion angle in the vertical and horizontal directions. In the vertical direction (x direction), the diffusion angle θ x
Is large, about 40 °. Horizontal direction (y-direction) thereof spreading angle theta y is small for contrast, 5 to 1
It is about 2 °.

【0028】また、本実施形態のようなスタック型半導
体レーザアレイ1の構成においては、垂直方向を分割し
て水平方向を長手方向として配列されている発光点行V
iの発光点110i,1〜110i,M0のそれぞれの垂直方向
の位置は、同一のアレイ型半導体レーザ11iに形成さ
れているために精度良く一致している。それに対して、
水平方向を分割して垂直方向を長手方向として配列され
ている発光点列Hjの発光点1101,j〜110N0,jのそ
れぞれの水平方向の位置は、アレイ型半導体レーザ11
1〜11N0をスタック・配列する精度によるので、比較
的精度が出ない。
Further, in the configuration of the stacked semiconductor laser array 1 as in the present embodiment, the light emitting point rows V which are divided in the vertical direction and arranged in the horizontal direction as the longitudinal direction.
i Each of the vertical position of the emission point 110 i, 1 to 110 i, M0 of is accurately matched to are formed on the same array semiconductor laser 11 i. On the other hand,
The horizontal position of each of the light emitting points 110 1, j to 110 N0, j of the light emitting point array H j arranged by dividing the horizontal direction and setting the vertical direction as the longitudinal direction is the array type semiconductor laser 11.
Since it depends on the accuracy of stacking and arranging 1 to 11 N0 , the accuracy is relatively low.

【0029】このため、本実施形態におけるコリメート
レンズアレイ3は、垂直方向の拡散角θxのみについて
コリメートを行う垂直コリメートレンズアレイ31から
構成され、水平方向についてはコリメートを行っていな
い。ただし、必要があれば、水平方向の拡散角θyにつ
いてコリメートを行う水平コリメートレンズアレイをさ
らに設置する構成としても良い。
[0029] Thus, the collimating lens array 3 in the present embodiment is composed of a vertical collimating lens array 31 for collimating only vertical diffusion angle theta x, not subjected to collimated in the horizontal direction. However, if necessary, may be configured to further set up a horizontal collimating lens array to perform collimation in the horizontal direction of the diffusion angle theta y.

【0030】垂直コリメートレンズアレイ31は、水平
方向を長手方向とし断面が円であるN0個のシリンドリ
カルレンズ3101〜310N0から構成されている。そ
れぞれのシリンドリカルレンズの中心軸の位置は、発光
点の位置に対応して設置されている。すなわち、シリン
ドリカルレンズ310iの中心軸の垂直方向の位置は、
発光点110i,1〜110i,M0からなる対応する発光点
行Viの垂直方向の位置と一致するようにそれぞれ設置
されている。これによってN0個のシリンドリカルレン
ズ310iは、M0個の発光点110i,1〜110i,M0
ら出射されたレーザ光に対して、それぞれ垂直方向の拡
散角θxについてのコリメートを行う。コリメート後の
拡散角θxは、およそ1°程度である。
The vertical collimating lens array 31 is configured to horizontally from the longitudinal and cross section is a circle N0 amino cylindrical lenses 310 1 to 310 N0. The position of the central axis of each cylindrical lens is set corresponding to the position of the light emitting point. That is, the vertical position of the central axis of the cylindrical lens 310 i is
Each to match the vertical position of the corresponding light emitting point line V i a light emitting point 110 i, 1 ~110 i, M0 is installed. Thus N0 amino cylindrical lens 310 i, to the M0 or light emitting points 110 i, 1 to 110 i, M0 laser beam emitted from each performs collimation of the vertical diffusion angle theta x. The diffusion angle θ x after collimation is about 1 °.

【0031】集光レンズアレイ4は、コリメートレンズ
アレイ3によってコリメートされたレーザ光を、光ファ
イバアレイ2の各光ファイバの入射端に集光する機能を
有して構成・設置される。ここで集光とは、複数の発光
点からのレーザ光を一点に収束させることをいう。
The condensing lens array 4 has a function of condensing the laser beam collimated by the collimating lens array 3 on the incident end of each optical fiber of the optical fiber array 2 and is installed. Here, condensing means converging laser beams from a plurality of light emitting points to one point.

【0032】本実施形態における集光レンズアレイ4
は、垂直方向について集光を行う垂直集光レンズアレイ
41、及び水平方向について集光を行う水平集光レンズ
アレイ42から構成されている。ここで、スタック型半
導体レーザアレイ1はN0×M0個の発光点1101,1
〜110N0,M0からなり、一方、光ファイバアレイ2は
N×M本の光ファイバ(ただし、本実施形態においては
N=1)からなってそれぞれ構成されていることに対応
して、集光レンズアレイ4は、このN0×M0個の発光
点1101,1〜110N0,M0から出射されたレーザ光を、
垂直方向にN行の発光領域行、水平方向にM列の発光領
域列を有するN×M個の発光領域に区分して、それぞれ
の区分された発光領域内に含まれる発光点からのレーザ
光が、対応する光ファイバにそれぞれ入射されるように
構成・設置される。
The condenser lens array 4 in the present embodiment
Is composed of a vertical condenser lens array 41 for condensing light in the vertical direction and a horizontal condenser lens array 42 for condensing light in the horizontal direction. Here, the stacked semiconductor laser array 1 has N0 × M0 light emitting points 110 1,1
110110 N0, M0 , while the optical fiber array 2 is composed of N × M optical fibers (N = 1 in this embodiment). The lens array 4 converts the laser light emitted from the N0 × M0 light emitting points 110 1,1 to 110 N0, M0 into
A laser beam from a light emitting point included in each of the divided light emitting regions is divided into N × M light emitting regions having N light emitting region rows in the vertical direction and M light emitting region columns in the horizontal direction. Are configured and installed so as to be respectively incident on the corresponding optical fibers.

【0033】すなわち、垂直方向の集光は、本実施形態
における光ファイバアレイ2の入射端行が1行(N=
1)であるので、N0行の発光点行Viからのレーザ光
を1行の入射端行に集光するように垂直集光レンズアレ
イ41が構成されている。一方、水平方向の集光は、光
ファイバアレイ2の入射端列がM列であるので、M0列
の発光点列Hjからのレーザ光をM列の入射端列に分割
・集光するように水平集光レンズアレイ42が構成され
ている。
That is, the light is condensed in the vertical direction when the incident end row of the optical fiber array 2 in this embodiment is one row (N =
Since 1), a vertical condenser lens array 41 to the condenser is constituted of the laser light from the light emitting point line V i of N0 rows the entrance end line of one row. On the other hand, the condensing of the horizontal direction, the incident end column of the optical fiber array 2 is in M columns, to split and focuses the laser beam on the incident end column of M columns from the light emitting point sequence H j of M0 columns The horizontal condenser lens array 42 is formed.

【0034】垂直集光レンズアレイ41は、水平方向を
長手方向とし断面が楕円である単一のシリンドリカルレ
ンズ410から構成されている。シリンドリカルレンズ
410の中心軸の位置は、発光点1101,1〜110
N0,M0の垂直方向の中心位置と一致するように設置され
ている。
The vertical condenser lens array 41 is composed of a single cylindrical lens 410 whose longitudinal direction is the horizontal direction and whose section is elliptical. The position of the central axis of the cylindrical lens 410 is determined by the light emitting points 110 1,1 to 110
It is installed so as to coincide with the vertical center position of N0 and M0 .

【0035】水平集光レンズアレイ42は、垂直方向を
長手方向とし断面が円であるM個のシリンドリカルレン
ズ4201〜420Mから構成されている。それぞれのシ
リンドリカルレンズの中心軸の位置は、発光領域の位置
に対応して設置されている。すなわち、シリンドリカル
レンズ420jの中心軸の水平方向の位置は、対応する
j番目の発光領域列の水平方向の中心位置と一致するよ
うにそれぞれ設置されている。
The horizontal focusing lens array 42 is a cross-sectional and vertical to the longitudinal direction is composed of M cylindrical lens 420 1 to 420 M is a circle. The position of the central axis of each cylindrical lens is set corresponding to the position of the light emitting region. That is, the horizontal position of the central axis of the cylindrical lens 420 j is set so as to coincide with the horizontal center position of the corresponding j-th light emitting region row.

【0036】本実施形態によるレンズアレイにおける、
レーザ光のコリメート及び集光について説明する。図2
は、図1に示した半導体レーザ光源装置の側面図、すな
わちy方向から見た図であり、x方向(垂直方向)につ
いてのレーザ光のコリメート及び集光が点線によって図
示されている。また、図3は、図1に示した半導体レー
ザ光源装置の上面図、すなわちx方向から見た図であ
り、y方向(水平方向)についてのレーザ光の集光が点
線によって図示されている。
In the lens array according to the present embodiment,
The collimation and focusing of laser light will be described. FIG.
FIG. 2 is a side view of the semiconductor laser light source device shown in FIG. 1, that is, a diagram viewed from a y direction, in which collimation and focusing of laser light in an x direction (vertical direction) are illustrated by dotted lines. FIG. 3 is a top view of the semiconductor laser light source device shown in FIG. 1, that is, a diagram viewed from the x direction, and the focusing of laser light in the y direction (horizontal direction) is illustrated by a dotted line.

【0037】垂直方向については、拡散角θxが40°
程度と大きいので、レーザ光は垂直コリメートレンズア
レイ31によってコリメートされて、拡散角が小さい
(1°程度)レーザ光とされ、垂直集光レンズアレイ4
1によって光ファイバアレイ2の入射部21の、対応す
る光ファイバ入射端に集光される。また、水平方向につ
いては、拡散角θyが5〜12°程度と小さいので、コ
リメートは行われず、水平集光レンズアレイ42によっ
て光ファイバアレイ2の入射部21の、対応する光ファ
イバ入射端に集光される。
In the vertical direction, the diffusion angle θ x is 40 °
The laser beam is collimated by the vertical collimating lens array 31 into a laser beam having a small diffusion angle (about 1 °).
The light is condensed on the corresponding optical fiber incident end of the incident part 21 of the optical fiber array 2 by 1. As for the horizontal direction, the diffusion angle theta y is a small order of 5 to 12 °, collimation is not performed, the incident portion 21 of the optical fiber array 2 by a horizontal condenser lens array 42, the corresponding optical fiber entrance end It is collected.

【0038】なお、これらのレンズアレイを構成するそ
れぞれのレンズの焦点距離等は、すべて図2及び図3に
示したコリメート及び集光が実現されるように選択され
ている。
The focal lengths and the like of the respective lenses constituting these lens arrays are all selected so as to realize the collimation and light collection shown in FIGS.

【0039】特に、垂直集光レンズアレイ41から光フ
ァイバ入射端までの距離(垂直集光レンズアレイ41の
レンズの焦点距離)をfx、水平集光レンズアレイ42
から光ファイバ入射端までの距離(水平集光レンズアレ
イ42の各レンズの焦点距離)をfyとすると、光ファ
イバの入射端におけるx方向及びy方向の集光の幅dx
及びdyは、およそdx=fx×θx、dy=fy×θyとな
る。ここで、コリメートレンズアレイ3を通過した後の
拡散角θx及びθyは、上記したようにθxの方が小さい
ので、光ファイバへの効率的な集光・入射を行うため
に、それぞれの焦点距離が、集光の幅dx及びdyが同程
度の大きさとなるfx>fyである所定の値となるよう
に、垂直集光レンズアレイ41及び水平集光レンズアレ
イ42がそれぞれ設置されている。また、一定の開口数
を有する光ファイバに対して、x方向及びy方向の入射
効率を同程度とするために、垂直集光レンズアレイ41
及び水平集光レンズアレイ42を構成する各レンズの幅
は、水平集光レンズアレイ42のものの方が小さくなる
ように構成することが望ましい。なお、光ファイバ入射
端の大きさ及び集光の大きさ等の条件によっては、焦点
距離やレンズ幅等についてのこれらの条件を満たさない
構成としても良い。
In particular, the distance from the vertical condenser lens array 41 to the optical fiber entrance end (the focal length of the lens of the vertical condenser lens array 41) is f x , and the horizontal condenser lens array 42
Assuming that the distance from the optical fiber to the optical fiber input end (focal length of each lens of the horizontal condensing lens array 42) is f y , the light condensing width d x in the x and y directions at the input end of the optical fiber.
And d y is approximately d x = f x × θ x , a d y = f y × θ y . Here, the diffusion angle theta x and theta y after passing through the collimator lens array 3, the direction of the theta x as described above is small, in order to perform efficient condensing light incident to the optical fiber, respectively The vertical condensing lens array 41 and the horizontal condensing lens array 42 are arranged such that the focal length of the light condensing lens has a predetermined value of fx > fy , in which the light condensing widths d x and dy are substantially the same. Each is installed. Further, in order to make incident efficiency in the x direction and the y direction substantially the same with respect to an optical fiber having a constant numerical aperture, a vertical condenser lens array 41 is provided.
It is preferable that the width of each lens constituting the horizontal condenser lens array 42 is smaller than that of the horizontal condenser lens array 42. Depending on conditions such as the size of the optical fiber incident end and the size of light collection, a configuration that does not satisfy these conditions regarding the focal length, the lens width, and the like may be employed.

【0040】また、図1、図2及び図3は、具体的に
は、N0=8、M0=12、N=1、M=6の上記の条
件を満たす構成として作図されているが、これらの個数
・本数の選択は単に例示に過ぎず、他の構成であっても
構わない。特にNについては、2以上の整数として光フ
ァイバが2次元配列される構成とすることも可能であ
る。この場合、垂直集光レンズアレイ41は、例えばN
個のシリンドリカルレンズによって構成することができ
る。
FIGS. 1, 2 and 3 are specifically drawn as a configuration satisfying the above conditions of N0 = 8, M0 = 12, N = 1 and M = 6. The selection of the number and the number is only an example, and other configurations may be used. In particular, for N, it is also possible to adopt a configuration in which optical fibers are two-dimensionally arranged as an integer of 2 or more. In this case, the vertical condenser lens array 41 is, for example, N
It can be constituted by a plurality of cylindrical lenses.

【0041】図4は、本発明による半導体レーザ光源装
置の他の実施形態について、図1と同様に展開して各要
素の構成について示す斜視図である。本実施形態におい
ては、レーザ光が出射される光源であるスタック型半導
体レーザアレイ1の構成については、図1に示した実施
形態のものと同様である。
FIG. 4 is a perspective view showing another embodiment of the semiconductor laser light source device according to the present invention, which is developed similarly to FIG. 1 and shows the configuration of each element. In the present embodiment, the configuration of the stacked semiconductor laser array 1, which is a light source from which laser light is emitted, is the same as that of the embodiment shown in FIG.

【0042】光ファイバアレイ2は、2×M本(ただ
し、M<M0)の光ファイバ2101, 1〜2102,Mから
構成され、これら2×M本の光ファイバとその入射端が
それぞれ配列される入射部21と、2×M本の光ファイ
バが束ねられたバンドル部22とからなる。本実施形態
の入射部21においては、垂直方向の入射端行は2行
(すなわちN=2)、水平方向の入射端列はM列であ
り、2×M本の光ファイバ2101,1〜2102,Mは、2
次元に配列されている。
The optical fiber array 2 is composed of 2 × M (where M <M0) optical fibers 210 1, 1 to 210 2, M. These 2 × M optical fibers and their incident ends are respectively Included are an incidence part 21 arranged and a bundle part 22 in which 2 × M optical fibers are bundled. In the incidence unit 21 of the present embodiment, the number of rows of incidence ends in the vertical direction is two (that is, N = 2), and the number of rows of incidence ends in the horizontal direction is M, and 2 × M optical fibers 210 1,1 . 210 2, M is 2
They are arranged in dimensions.

【0043】スタック型半導体レーザアレイ1のN0×
M0個の発光点1101,1〜110N 0,M0から出射された
レーザ光を、光ファイバアレイ2の2×M本の光ファイ
バ2101,1〜2102,Mに入射させるために、コリメー
トレンズアレイ3及び集光レンズアレイ4からなるレン
ズアレイが設置されている。なお、コリメートレンズア
レイ3の垂直コリメートレンズアレイ31の構成につい
ては、図1に示した実施形態のものと同様である。
N0 × of stack type semiconductor laser array 1
In order to make the laser light emitted from the M0 light emitting points 110 1,1 to 110 N 0, M0 incident on 2 × M optical fibers 210 1,1 to 210 2, M of the optical fiber array 2, A lens array including a collimating lens array 3 and a condensing lens array 4 is provided. The configuration of the vertical collimating lens array 31 of the collimating lens array 3 is the same as that of the embodiment shown in FIG.

【0044】本実施形態における集光レンズアレイ4
は、垂直方向及び水平方向の二方向について集光を行う
二方向集光レンズアレイ40から構成されている。二方
向集光レンズアレイ40は、その中心位置がそれぞれ2
×M個の光ファイバ2101,1〜2102,Mの位置、及び
それに対応する発光領域の位置、に対応して設置されて
いる2×M個の長方形球面レンズ4001,1〜4002,M
から構成されている。これによって、区分された各発光
領域に含まれる発光点からのレーザ光が、対応する光フ
ァイバにそれぞれ入射される。
The condenser lens array 4 in the present embodiment
Is composed of a two-way condenser lens array 40 that collects light in two directions, a vertical direction and a horizontal direction. The two-way condensing lens array 40 has a center position of 2
2 × M rectangular spherical lenses 400 1,1 to 400 2 installed corresponding to the positions of × M optical fibers 210 1,1 to 210 2, M and the positions of the corresponding light emitting areas. , M
It is composed of Thereby, the laser light from the light emitting point included in each of the divided light emitting regions is respectively incident on the corresponding optical fiber.

【0045】本実施形態によるレンズアレイにおける、
レーザ光のコリメート及び集光について説明する。図5
は、図4に示した半導体レーザ光源装置の側面図、すな
わちy方向から見た図であり、x方向(垂直方向)につ
いてのレーザ光のコリメート及び集光が点線によって図
示されている。また、図6は、図4に示した半導体レー
ザ光源装置の上面図、すなわちx方向から見た図であ
り、y方向(水平方向)についてのレーザ光の集光が点
線によって図示されている。
In the lens array according to the present embodiment,
The collimation and focusing of laser light will be described. FIG.
FIG. 5 is a side view of the semiconductor laser light source device shown in FIG. 4, that is, a diagram viewed from the y direction, in which collimation and focusing of laser light in the x direction (vertical direction) are illustrated by dotted lines. FIG. 6 is a top view of the semiconductor laser light source device shown in FIG. 4, that is, a diagram viewed from the x direction, and the focusing of laser light in the y direction (horizontal direction) is illustrated by a dotted line.

【0046】垂直方向について垂直コリメートレンズア
レイ31によってコリメートされたレーザ光は、二方向
集光レンズアレイ40によって垂直方向及び水平方向の
両方向について、光ファイバアレイ2の入射部21の、
対応する光ファイバ入射端に集光される。
The laser light collimated by the vertical collimating lens array 31 in the vertical direction is transmitted to the incident portion 21 of the optical fiber array 2 in both the vertical and horizontal directions by the two-way condensing lens array 40.
The light is focused on the corresponding optical fiber input end.

【0047】なお、これらのレンズアレイを構成するそ
れぞれのレンズの焦点距離等は、すべて図5及び図6に
示したコリメート及び集光が実現されるように選択され
ている。また、図4、図5及び図6は、具体的には、N
0=8、M0=12、N=2、M=6として作図されて
いる。
Incidentally, the focal lengths and the like of the respective lenses constituting these lens arrays are all selected so as to realize the collimation and the light collection shown in FIGS. 4, 5, and 6 specifically show N
It is plotted as 0 = 8, M0 = 12, N = 2, M = 6.

【0048】本発明による半導体レーザ光源装置は、上
記した実施形態に限られるものではなく、様々な形態と
することができる。例えば、その光源部分については、
図7に示すように、垂直方向及び水平方向をともに分割
してアレイ型半導体レーザ、図7においては4個のアレ
イ型半導体レーザ111,1〜112,2、をスタック・配列
してスタック型半導体レーザアレイ1を構成しても良
い。アレイ型半導体レーザではなく、単一の発光点を有
する半導体レーザをマトリクス状にスタック・配列して
スタック型半導体レーザアレイを構成することも可能で
ある。また、発光点の配列が図1に示したような完全な
マトリクス状になっていないもの、例えば図8に示すよ
うに発光点が交互に配置されているもの、についても同
様のレンズアレイを適用するように構成することが可能
である。
The semiconductor laser light source device according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, but may be variously modified. For example, for the light source part,
As shown in FIG. 7, an array-type semiconductor laser is divided in both the vertical direction and the horizontal direction. In FIG. 7, four array-type semiconductor lasers 11 1,1 to 11 2,2 are stacked and arranged. The semiconductor laser array 1 may be configured. Instead of an array-type semiconductor laser, a stack-type semiconductor laser array can be configured by stacking and arranging semiconductor lasers having a single light emitting point in a matrix. The same lens array is also applied to the case where the arrangement of the light emitting points is not a complete matrix as shown in FIG. 1, for example, the case where the light emitting points are alternately arranged as shown in FIG. It is possible to be configured to.

【0049】また、図9に示すように、複数のスタック
型半導体レーザアレイを用いても良い。図9に示す装置
においては、スタック型半導体レーザアレイ1a及び1
bはそのそれぞれの発光点の垂直方向の位置が交互にな
るように配置されており、ストライプ状光学板1cに
は、スタック型半導体レーザアレイ1aの発光点に対応
する位置には光透過膜が、またスタック型半導体レーザ
アレイ1bの発光点に対応する位置には光反射膜が、水
平方向を長手方向として形成されている。これによって
2つのスタック型半導体レーザアレイ1a及び1bから
のレーザ光をすべて光ファイバアレイ2のそれぞれの光
ファイバに入射させて、さらに強度を高めた光源装置と
することができる。
Further, as shown in FIG. 9, a plurality of stacked semiconductor laser arrays may be used. In the apparatus shown in FIG. 9, the stacked semiconductor laser arrays 1a and 1a
b is arranged such that the vertical positions of the respective light emitting points are alternately arranged. A light transmitting film is provided on the stripe-shaped optical plate 1c at a position corresponding to the light emitting point of the stacked semiconductor laser array 1a. A light reflecting film is formed at a position corresponding to the light emitting point of the stacked semiconductor laser array 1b with the horizontal direction as the longitudinal direction. As a result, all the laser beams from the two stacked semiconductor laser arrays 1a and 1b are made incident on the respective optical fibers of the optical fiber array 2 to provide a light source device with further enhanced intensity.

【0050】また、レンズアレイに用いる各レンズの形
状・構成等についても、コリメートまたは集光の機能を
有するものであれば、必要に応じて他の形状・構成のも
のを用いても良い。また、分布屈折率レンズ等を用いる
ことも可能である。
The shape and configuration of each lens used in the lens array may be other shapes and configurations as needed as long as they have a collimating or condensing function. It is also possible to use a distributed index lens or the like.

【0051】[0051]

【発明の効果】本発明による半導体レーザ光源装置は、
以上詳細に説明したように、次のような効果を得る。す
なわち、N0×M0個のマトリクス状に配列された発光
点を有するスタック型半導体レーザアレイから出射され
たレーザ光を、コリメートレンズアレイによって必要な
方向についてコリメートし、さらに集光レンズアレイに
よって垂直方向及び水平方向の両方向について集光を行
って、N<N0かつM<M0であるN×M本の光ファイ
バを有する光ファイバアレイのマトリクス状に配列され
た入射端に集光・入射させ、その光ファイバをバンドル
とすることによって、効率的にレーザ光を取り込んた、
高出力の半導体レーザ光源装置とすることができる。
The semiconductor laser light source device according to the present invention has the following features.
As described in detail above, the following effects are obtained. That is, a laser beam emitted from a stacked semiconductor laser array having N0 × M0 light emitting points arranged in a matrix is collimated in a required direction by a collimating lens array, and further collimated in a vertical direction by a condensing lens array. Light is condensed in both horizontal directions, and the light is condensed and made incident on the input end arranged in a matrix of an optical fiber array having N × M optical fibers in which N <N0 and M <M0. By making the fiber a bundle, the laser light was efficiently captured,
A high-output semiconductor laser light source device can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による半導体レーザ光源装置の一実施形
態を展開して示す斜視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view showing an embodiment of a semiconductor laser light source device according to the present invention.

【図2】図1に示した半導体レーザ光源装置の側面図で
ある。
FIG. 2 is a side view of the semiconductor laser light source device shown in FIG.

【図3】図1に示した半導体レーザ光源装置の上面図で
ある。
FIG. 3 is a top view of the semiconductor laser light source device shown in FIG.

【図4】本発明による半導体レーザ光源装置の他の実施
形態を展開して示す斜視図である。
FIG. 4 is an exploded perspective view showing another embodiment of the semiconductor laser light source device according to the present invention.

【図5】図4に示した半導体レーザ光源装置の側面図で
ある。
5 is a side view of the semiconductor laser light source device shown in FIG.

【図6】図4に示した半導体レーザ光源装置の上面図で
ある。
6 is a top view of the semiconductor laser light source device shown in FIG.

【図7】スタック型半導体レーザアレイの他の実施形態
を示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing another embodiment of a stacked semiconductor laser array.

【図8】スタック型半導体レーザアレイの他の実施形態
を示す斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view showing another embodiment of a stacked semiconductor laser array.

【図9】本発明による半導体レーザ光源装置の他の実施
形態を示す上面図である。
FIG. 9 is a top view showing another embodiment of the semiconductor laser light source device according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、1a、1b…スタック型半導体レーザアレイ、1c
…ストライプ状光学板、111〜11N0、111,1〜11
2,2…アレイ型半導体レーザ、1101,1〜110N0,M0
…発光点、2…光ファイバアレイ、21…入射部、22
…バンドル部、2101,1〜2102,M…光ファイバ、3
…コリメートレンズアレイ、31…垂直コリメートレン
ズアレイ、3101〜310N0…シリンドリカルレン
ズ、4…集光レンズアレイ、40…二方向集光レンズア
レイ、4001,1〜4002 ,M…長方形球面レンズ、41
…垂直集光レンズアレイ、410…シリンドリカルレン
ズ、42…水平集光レンズアレイ、4201〜420M
シリンドリカルレンズ。
1, 1a, 1b ... stack type semiconductor laser array, 1c
... Striped optical plate, 11 1 to 11 N0 , 11 1,1 to 11
2,2 ... array type semiconductor laser, 110 1,1 to 110 N0, M0
... Emission point, 2 ... Optical fiber array, 21 ... Injection part, 22
... Bundle section, 210 1,1 to 210 2, M ... Optical fiber, 3
... collimating lens array, 31 ... vertical collimating lens array, 310 1 to 310 N0 ... cylindrical lens, 4 ... condensing lens array, 40 ... bidirectional condensing lens array, 400 1,1 to 400 2 , M ... rectangular spherical lens , 41
… Vertical condenser lens array, 410… cylindrical lens, 42… horizontal condenser lens array, 420 1 to 420 M
Cylindrical lens.

フロントページの続き (72)発明者 鈴木 英夫 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 大林 寧 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松ホ トニクス株式会社内 Fターム(参考) 2H037 AA01 BA03 BA05 CA15 CA17 5F073 AB04 AB15 BA09 EA24 Continuing from the front page (72) Inventor Hideo Suzuki 1126, Nomachi, Hamamatsu-shi, Shizuoka Prefecture Inside of Hamamatsu Photonics Co., Ltd. F term (reference) 2H037 AA01 BA03 BA05 CA15 CA17 5F073 AB04 AB15 BA09 EA24

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の発光点を有する半導体レーザアレ
イと、前記半導体レーザアレイのそれぞれの前記発光点
から出射されたレーザ光が入射され外部へと出力する光
ファイバからなる光ファイバアレイと、前記レーザ光を
前記光ファイバアレイの前記光ファイバにコリメートま
たは集光するレンズアレイと、を備えた半導体レーザ光
源装置であって、 前記半導体レーザアレイは、複数の半導体レーザまたは
複数のアレイ型半導体レーザをスタック・配列すること
によって構成されて、2次元配列された前記複数の発光
点を有するスタック型半導体レーザアレイからなり、 前記光ファイバアレイは、前記複数の発光点よりも少な
い本数の複数の光ファイバから構成されて、それぞれの
入射端が1次元または2次元配列された入射部と、前記
複数の光ファイバが束ねられたバンドル部とからなり、 前記レンズアレイは、 前記複数の発光点の2次元配列の、垂直方向または水平
方向の少なくとも一方向について、前記レーザ光のコリ
メートを行うように構成されたコリメートレンズアレイ
と、 前記複数の発光点の2次元配列の、垂直方向及び水平方
向の両方向について、前記レーザ光の集光を行うように
構成された集光レンズアレイと、を有することを特徴と
する半導体レーザ光源装置。
An optical fiber array comprising: a semiconductor laser array having a plurality of light emitting points; an optical fiber into which laser light emitted from each of the light emitting points of the semiconductor laser array is incident and output to the outside; A lens array that collimates or condenses the laser light onto the optical fiber of the optical fiber array, wherein the semiconductor laser array includes a plurality of semiconductor lasers or a plurality of array-type semiconductor lasers. A stack type semiconductor laser array having the plurality of light emitting points arranged two-dimensionally and arranged by stacking and arranging, wherein the optical fiber array has a smaller number of optical fibers than the plurality of light emitting points And an incidence part in which each incidence end is one-dimensionally or two-dimensionally arranged. Wherein the lens array is configured to perform collimation of the laser light in at least one of a two-dimensional array of the plurality of light emitting points in a vertical direction or a horizontal direction. A collimating lens array, and a condensing lens array configured to collect the laser light in both the vertical and horizontal directions of the two-dimensional array of the plurality of light emitting points. A semiconductor laser light source device.
【請求項2】 前記スタック型半導体レーザアレイは、
垂直方向にN0行(N0は2以上の整数)の発光点行、
水平方向にM0列(M0は2以上の整数)の発光点列を
有するマトリクス状に、2次元配列されたN0×M0個
の前記複数の発光点を有して構成され、 前記光ファイバアレイは、N<N0かつM<M0である
垂直方向にN行(Nは1以上の整数)の入射端行、水平
方向にM列(Mは1以上の整数、ただしNまたはMの少
なくとも一方は2以上の整数)の入射端列を有するマト
リクス状に、それぞれの前記入射端が前記入射部におい
て1次元または2次元配列されたN×M本の前記複数の
光ファイバを有して構成され、 前記集光レンズアレイは、 前記スタック型半導体レーザアレイのN0×M0個の前
記複数の発光点を、垂直方向にN行の発光領域行、水平
方向にM列の発光領域列を有するマトリクス状に2次元
配列されたN×M個の発光領域に区分して、それぞれの
前記発光領域に含まれる前記発光点からの前記レーザ光
を、N×M個の前記複数の光ファイバのうち対応する前
記光ファイバの前記入射端に集光するように構成された
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ光源装
置。
2. The stacked semiconductor laser array according to claim 1,
N0 rows (N0 is an integer of 2 or more) of light emitting points in the vertical direction,
The optical fiber array includes N0 × M0 light emitting points arranged two-dimensionally in a matrix having light emitting point rows of M0 rows (M0 is an integer of 2 or more) in the horizontal direction. , N <N0 and M <M0, N rows (N is an integer of 1 or more) in the vertical direction, and M columns (M is an integer of 1 or more, where at least one of N or M is 2 Each of the incident ends includes N × M optical fibers arranged one-dimensionally or two-dimensionally in the incident part in a matrix having an incident end row of (the above integer). The condensing lens array is formed by combining N0 × M0 light emitting points of the stacked semiconductor laser array in a matrix having N light emitting region rows in the vertical direction and M light emitting region columns in the horizontal direction. N × M light-emitting areas arranged in a dimension The laser light from the light-emitting point included in each of the light-emitting regions is divided and focused on the incident end of the corresponding one of the N × M optical fibers. 2. The semiconductor laser light source device according to claim 1, wherein:
【請求項3】 前記スタック型半導体レーザアレイは、
水平方向にM0個の前記発光点を有する前記アレイ型半
導体レーザを、垂直方向にN0個スタック・配列して構
成されたことを特徴とする請求項2記載の半導体レーザ
光源装置。
3. The stacked semiconductor laser array according to claim 1,
3. The semiconductor laser light source device according to claim 2, wherein said array type semiconductor lasers having M0 light emitting points in a horizontal direction are stacked and arranged in a vertical direction.
【請求項4】 前記スタック型半導体レーザアレイは、
垂直方向にN1行(N1は1以上の整数)、水平方向に
M1列(M1は1以上の整数)に2次元配列されたN1
×M1個の前記発光点を有する前記半導体レーザまたは
前記アレイ型半導体レーザを、垂直方向にN1×N2=
N0であるN2個(N2は1以上の整数)、水平方向に
M1×M2=M0であるM2個(M2は1以上の整数、
ただしN2またはM2の少なくとも一方は2以上の整
数)スタック・配列して構成されたことを特徴とする請
求項2記載の半導体レーザ光源装置。
4. The stacked semiconductor laser array according to claim 1,
N1 two-dimensionally arranged in N1 rows (N1 is an integer of 1 or more) in the vertical direction and M1 columns (M1 is an integer of 1 or more) in the horizontal direction
The semiconductor laser or the array type semiconductor laser having × M1 light emitting points is vertically shifted by N1 × N2 =
N2 N2 (N2 is an integer of 1 or more), M2 M1 × M2 = M0 in the horizontal direction (M2 is an integer of 1 or more,
3. The semiconductor laser light source device according to claim 2, wherein at least one of N2 and M2 is an integer of 2 or more).
【請求項5】 前記集光レンズアレイは、 垂直方向に配列された前記N行の発光領域行に含まれる
前記発光点からの前記レーザ光を、前記N行の入射端行
にそれぞれ集光する単一または複数の集光レンズからな
る垂直集光レンズアレイと、 水平方向に配列された前記M列の発光領域列に含まれる
前記発光点からの前記レーザ光を、前記M列の入射端列
にそれぞれ集光する単一または複数の集光レンズからな
る水平集光レンズアレイと、を有することを特徴とする
請求項2〜4のいずれか一項記載の半導体レーザ光源装
置。
5. The condensing lens array condenses the laser light from the light emitting points included in the N light emitting region rows arranged in the vertical direction to the N light incident end rows, respectively. A vertical condenser lens array composed of a single or a plurality of condenser lenses, and the laser light from the light-emitting points included in the M light-emitting region rows arranged in the horizontal direction, the M light-incident end rows 5. The semiconductor laser light source device according to claim 2, further comprising: a horizontal condensing lens array including a single or a plurality of condensing lenses for condensing light.
【請求項6】 前記集光レンズアレイは、 垂直方向に配列された前記N行の発光領域行に含まれる
前記発光点からの前記レーザ光を、前記N行の入射端行
にそれぞれ集光し、かつ、水平方向に配列された前記M
列の発光領域列に含まれる前記発光点からの前記レーザ
光を、前記M列の入射端列にそれぞれ集光する複数の集
光レンズからなる二方向集光レンズアレイを有すること
を特徴とする請求項2〜4のいずれか一項記載の半導体
レーザ光源装置。
6. The condensing lens array condenses the laser light from the light emitting points included in the N light emitting region rows arranged in the vertical direction to the N light incident end rows, respectively. And the M arranged in a horizontal direction
A bidirectional condenser lens array comprising a plurality of condenser lenses for condensing the laser light from the light-emitting points included in the light-emitting region rows of the row into the M rows of incident end rows, respectively. The semiconductor laser light source device according to claim 2.
【請求項7】 前記コリメートレンズアレイは、 垂直方向に配列された前記N0行の発光点行に含まれる
前記発光点からの前記レーザ光を、それぞれ垂直方向に
コリメートする複数のコリメートレンズからなる垂直コ
リメートレンズアレイを有することを特徴とする請求項
2〜6のいずれか一項記載の半導体レーザ光源装置。
7. The collimating lens array includes a plurality of collimating lenses that vertically collimate the laser light from the light emitting points included in the N0 light emitting point rows arranged in the vertical direction. The semiconductor laser light source device according to any one of claims 2 to 6, further comprising a collimating lens array.
JP27147998A 1998-09-25 1998-09-25 Semiconductor laser light source device Expired - Fee Related JP4080608B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27147998A JP4080608B2 (en) 1998-09-25 1998-09-25 Semiconductor laser light source device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27147998A JP4080608B2 (en) 1998-09-25 1998-09-25 Semiconductor laser light source device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000098191A true JP2000098191A (en) 2000-04-07
JP4080608B2 JP4080608B2 (en) 2008-04-23

Family

ID=17500625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27147998A Expired - Fee Related JP4080608B2 (en) 1998-09-25 1998-09-25 Semiconductor laser light source device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4080608B2 (en)

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002232055A (en) * 2001-01-31 2002-08-16 Hamamatsu Photonics Kk Semiconductor laser device, and fastening method of lens position thereof
WO2002091037A1 (en) * 2001-05-09 2002-11-14 Hamamatsu Photonics K.K. Optical lens-use base material, optical lens, and method of producing optical lens
WO2002091036A1 (en) 2001-05-09 2002-11-14 Hamamatsu Photonics K.K. Optical lens base material, optical lens, and method of producing optical lens
WO2002091035A1 (en) * 2001-05-09 2002-11-14 Hamamatsu Photonics K.K. Optical lens and semiconductor laser device
JP2002335054A (en) * 2001-05-09 2002-11-22 Hamamatsu Photonics Kk Semiconductor laser device and laser processing device
EP1343036A2 (en) * 2002-03-08 2003-09-10 Toyoda Koki Kabushiki Kaisha Optical waveguides, lens array and laser collecting device
US6754246B2 (en) 2001-05-07 2004-06-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Laser light source apparatus
US6819861B2 (en) 2002-06-27 2004-11-16 Toyoda Koki Kabushiki Kaisha Laminated optical waveguide array, beam collecting device and laser emission device
JP2007003825A (en) * 2005-06-23 2007-01-11 Hitachi Ltd Display device and light emitting panel
WO2007007766A1 (en) 2005-07-13 2007-01-18 The Furukawa Electric Co., Ltd. Light irradiating device and welding method
JP2008501144A (en) * 2004-06-01 2008-01-17 トルンプ フォトニクス,インコーポレイテッド Optimal matching of the output of a two-dimensional laser array stack to an optical fiber
US7881355B2 (en) * 2005-12-15 2011-02-01 Mind Melters, Inc. System and method for generating intense laser light from laser diode arrays
US8192029B2 (en) 2006-09-04 2012-06-05 Seiko Epson Corporation Image display device
KR101211040B1 (en) 2004-08-17 2012-12-12 리모 파텐트페어발퉁 게엠베하 운트 코. 카게 Device for homogenizing light and method for the production of said device
JP2015031814A (en) * 2013-08-02 2015-02-16 住友電気工業株式会社 Lens component and optical module
US9343868B2 (en) 2012-08-28 2016-05-17 Optical Engines Inc. Efficient generation of intense laser light from multiple laser light sources using misaligned collimating optical elements
CN107192378A (en) * 2017-06-23 2017-09-22 西安工业大学 A kind of surface of light source device for High frequency photographing measurement system
US9864147B2 (en) 2015-05-26 2018-01-09 Fujitsu Optical Components Limited Optical modulator module
WO2020137079A1 (en) * 2018-12-26 2020-07-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 Line beam scanning optical system and laser radar
JP2020115416A (en) * 2019-01-17 2020-07-30 ウシオ電機株式会社 Light source device
KR102153510B1 (en) * 2020-01-31 2020-09-08 페이브텍 주식회사 Beam homogenizer and high energy pulsed laser transmission system having the same
CN111999827A (en) * 2020-09-24 2020-11-27 武汉锐奥特科技有限公司 Parallel light path structure and optical module
JP2021101196A (en) * 2011-08-29 2021-07-08 オートモーティブ コアリション フォー トラフィック セーフティ, インコーポレイテッド System and method for non-invasively measuring material to be analyzed in automobile driver
CN113189780A (en) * 2021-04-21 2021-07-30 吉林省长光瑞思激光技术有限公司 Light path shaping system capable of realizing laser round and square spot change
US11513070B2 (en) 2019-06-12 2022-11-29 Automotive Coalition For Traffic Safety, Inc. System for non-invasive measurement of an analyte in a vehicle driver

Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002232055A (en) * 2001-01-31 2002-08-16 Hamamatsu Photonics Kk Semiconductor laser device, and fastening method of lens position thereof
US6754246B2 (en) 2001-05-07 2004-06-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Laser light source apparatus
US7561335B2 (en) 2001-05-09 2009-07-14 Hamamatsu Photonics K.K. Optical lens and semiconductor laser apparatus
CN100385261C (en) * 2001-05-09 2008-04-30 浜松光子学株式会社 Method of making optical lens
JP2002335054A (en) * 2001-05-09 2002-11-22 Hamamatsu Photonics Kk Semiconductor laser device and laser processing device
US7743631B2 (en) 2001-05-09 2010-06-29 Hamamatsu Photonics K.K. Method of forming an optical lens by drawing material with curved surface parts
WO2002091036A1 (en) 2001-05-09 2002-11-14 Hamamatsu Photonics K.K. Optical lens base material, optical lens, and method of producing optical lens
WO2002091037A1 (en) * 2001-05-09 2002-11-14 Hamamatsu Photonics K.K. Optical lens-use base material, optical lens, and method of producing optical lens
KR100906045B1 (en) * 2001-05-09 2009-07-03 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 Optical lens-use base material, optical lens, and method of producing optical lens
WO2002091035A1 (en) * 2001-05-09 2002-11-14 Hamamatsu Photonics K.K. Optical lens and semiconductor laser device
KR100945609B1 (en) * 2001-05-09 2010-03-04 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 Method of producing optical lens
US6947226B2 (en) 2001-05-09 2005-09-20 Hamamatsu Photonics K.K. Optical lens-use base material, optical lens, and method of producing optical lens
US7110193B2 (en) 2001-05-09 2006-09-19 Hamamatsu Photonics K.K. Optical lens preform, optical lens, and method of making optical lens
US7145724B2 (en) 2001-05-09 2006-12-05 Hamamatsu Photonics K.K. Optical lens and semiconductor laser device
CN1300603C (en) * 2001-05-09 2007-02-14 浜松光子学株式会社 Optical lens and semiconductor laser device
CN100417955C (en) * 2001-05-09 2008-09-10 浜松光子学株式会社 Optical lens base material, optical lens, and method of producing optical lens
EP1343036A2 (en) * 2002-03-08 2003-09-10 Toyoda Koki Kabushiki Kaisha Optical waveguides, lens array and laser collecting device
EP1343036A3 (en) * 2002-03-08 2004-08-25 Toyoda Koki Kabushiki Kaisha Optical waveguides, lens array and laser collecting device
EP1533637A3 (en) * 2002-06-27 2005-06-22 Toyoda Koki Kabushiki Kaisha Beam collecting device and laser emission device
EP1533637A2 (en) * 2002-06-27 2005-05-25 Toyoda Koki Kabushiki Kaisha Beam collecting device and laser emission device
US6819861B2 (en) 2002-06-27 2004-11-16 Toyoda Koki Kabushiki Kaisha Laminated optical waveguide array, beam collecting device and laser emission device
JP2008501144A (en) * 2004-06-01 2008-01-17 トルンプ フォトニクス,インコーポレイテッド Optimal matching of the output of a two-dimensional laser array stack to an optical fiber
KR101211040B1 (en) 2004-08-17 2012-12-12 리모 파텐트페어발퉁 게엠베하 운트 코. 카게 Device for homogenizing light and method for the production of said device
US8040043B2 (en) 2005-06-23 2011-10-18 Hitachi, Ltd. Display device and luminous panel
JP4557289B2 (en) * 2005-06-23 2010-10-06 株式会社日立製作所 Display device
JP2007003825A (en) * 2005-06-23 2007-01-11 Hitachi Ltd Display device and light emitting panel
WO2007007766A1 (en) 2005-07-13 2007-01-18 The Furukawa Electric Co., Ltd. Light irradiating device and welding method
JPWO2007007766A1 (en) * 2005-07-13 2009-01-29 古河電気工業株式会社 Light irradiation apparatus and welding method
US7881355B2 (en) * 2005-12-15 2011-02-01 Mind Melters, Inc. System and method for generating intense laser light from laser diode arrays
US8767790B2 (en) 2005-12-15 2014-07-01 Mind Melters, Inc. System and method for generating intense laser light from laser diode arrays
US8192029B2 (en) 2006-09-04 2012-06-05 Seiko Epson Corporation Image display device
JP2021101196A (en) * 2011-08-29 2021-07-08 オートモーティブ コアリション フォー トラフィック セーフティ, インコーポレイテッド System and method for non-invasively measuring material to be analyzed in automobile driver
US9343868B2 (en) 2012-08-28 2016-05-17 Optical Engines Inc. Efficient generation of intense laser light from multiple laser light sources using misaligned collimating optical elements
JP2015031814A (en) * 2013-08-02 2015-02-16 住友電気工業株式会社 Lens component and optical module
US9864147B2 (en) 2015-05-26 2018-01-09 Fujitsu Optical Components Limited Optical modulator module
CN107192378A (en) * 2017-06-23 2017-09-22 西安工业大学 A kind of surface of light source device for High frequency photographing measurement system
CN107192378B (en) * 2017-06-23 2019-09-24 西安工业大学 A kind of surface of light source device for High frequency photographing measurement system
US11619742B2 (en) 2018-12-26 2023-04-04 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Line beam scanning optical system and laser radar
WO2020137079A1 (en) * 2018-12-26 2020-07-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 Line beam scanning optical system and laser radar
JP2020115416A (en) * 2019-01-17 2020-07-30 ウシオ電機株式会社 Light source device
JP7151497B2 (en) 2019-01-17 2022-10-12 ウシオ電機株式会社 Light source device
US11513070B2 (en) 2019-06-12 2022-11-29 Automotive Coalition For Traffic Safety, Inc. System for non-invasive measurement of an analyte in a vehicle driver
US11971351B2 (en) 2019-06-12 2024-04-30 Automotive Coalition For Traffic Safety, Inc. System for non-invasive measurement of an analyte in a vehicle driver
KR102153510B1 (en) * 2020-01-31 2020-09-08 페이브텍 주식회사 Beam homogenizer and high energy pulsed laser transmission system having the same
CN111999827A (en) * 2020-09-24 2020-11-27 武汉锐奥特科技有限公司 Parallel light path structure and optical module
CN113189780A (en) * 2021-04-21 2021-07-30 吉林省长光瑞思激光技术有限公司 Light path shaping system capable of realizing laser round and square spot change
CN113189780B (en) * 2021-04-21 2023-03-24 吉林省长光瑞思激光技术有限公司 Light path shaping system capable of realizing laser round and square spot change

Also Published As

Publication number Publication date
JP4080608B2 (en) 2008-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4080608B2 (en) Semiconductor laser light source device
US7079566B2 (en) Semiconductor laser apparatus capable of routing laser beams emitted from stacked-array laser diode to optical fiber with little loss
US6683727B1 (en) Optical arrangement for symmetrizing the radiation of two-dimensional arrays of laser diodes
JP4326698B2 (en) Optical emitter array including collimator optics
US5243619A (en) Process wherein several radiation sources, arranged in one row or several rows, are imaged, and apparatus for this purpose
US6754246B2 (en) Laser light source apparatus
US6888679B2 (en) Laser diode bar integrator/reimager
US5877898A (en) Arrangement for combining and shaping the radiation of a plurality of laser diode lines
US20030118291A1 (en) High brightness laser diode coupling to multimode optical fibers
US7110183B2 (en) Device for the optical beam transformation of a linear arrangement of several light sources
US6493148B1 (en) Increasing laser beam power density
JP2000137139A (en) Optical luminous flux converter
KR102181434B1 (en) Laser device
JP6157194B2 (en) Laser apparatus and light beam wavelength coupling method
WO2001067163A2 (en) Apparatus for projecting a line of light from a diode-laser array
EP1533637A2 (en) Beam collecting device and laser emission device
JP4264231B2 (en) Concentrator
JP4040934B2 (en) Concentrator
US9823479B2 (en) Device for shaping laser radiation
JP2006337594A (en) Luminous flux array density transformation method, luminous flux array density transformation member and light source device
JP3958826B2 (en) Concentrator
JP2965203B1 (en) Laser device using prism
JPH07287189A (en) Optical path changer and laser device using the same
JPH04284401A (en) Microlens and microlens array
JP3952894B2 (en) Laser light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050908

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070803

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070828

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071026

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071120

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080110

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080205

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080207

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120215

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120215

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130215

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130215

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140215

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees