US3917483A
(en)
*
|
1973-11-01 |
1975-11-04 |
Xerox Corp |
Photoinduced acid catalyzed depolymerization of degradable polymers
|
US3915704A
(en)
*
|
1973-11-01 |
1975-10-28 |
Xerox Corp |
Photoinduced, acid catalyzed degradation of degradable polymers
|
US3964907A
(en)
*
|
1973-11-12 |
1976-06-22 |
Xerox Corporation |
Method for the preparation of relief printing masters
|
US3915706A
(en)
*
|
1974-03-11 |
1975-10-28 |
Xerox Corp |
Imaging system based on photodegradable polyaldehydes
|
US3984253A
(en)
*
|
1974-04-22 |
1976-10-05 |
Eastman Kodak Company |
Imaging processes and elements therefor
|
US4007047A
(en)
*
|
1974-06-06 |
1977-02-08 |
International Business Machines Corporation |
Modified processing of positive photoresists
|
US3923514A
(en)
*
|
1974-06-27 |
1975-12-02 |
Xerox Corp |
Method for the preparation of relief printing masters
|
CH621416A5
(fr)
*
|
1975-03-27 |
1981-01-30 |
Hoechst Ag |
|
US4189323A
(en)
*
|
1977-04-25 |
1980-02-19 |
Hoechst Aktiengesellschaft |
Radiation-sensitive copying composition
|
DE2718254C3
(de)
*
|
1977-04-25 |
1980-04-10 |
Hoechst Ag, 6000 Frankfurt |
Strahlungsempfindliche Kopiermasse
|
DE2829512A1
(de)
*
|
1978-07-05 |
1980-01-17 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
|
DE2829511A1
(de)
*
|
1978-07-05 |
1980-01-24 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
|
JPS5569265A
(en)
*
|
1978-11-15 |
1980-05-24 |
Hitachi Ltd |
Pattern-forming method
|
US4356252A
(en)
*
|
1979-12-26 |
1982-10-26 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Photosensitive negative-working tonable element
|
US4294909A
(en)
*
|
1979-12-26 |
1981-10-13 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Photosensitive negative-working toning process
|
US4391687A
(en)
*
|
1980-02-14 |
1983-07-05 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Photoactive mixture of acrylic monomers and chromophore-substituted halomethyl-1-triazine
|
US4330590A
(en)
*
|
1980-02-14 |
1982-05-18 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Photoactive mixture of acrylic monomers and chromophore-substituted halomethyl-2-triazine
|
DE3023201A1
(de)
*
|
1980-06-21 |
1982-01-07 |
Hoechst Ag, 6000 Frankfurt |
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
|
DE3038605A1
(de)
*
|
1980-10-13 |
1982-06-03 |
Hoechst Ag, 6000 Frankfurt |
Verfahren zur herstellung von reliefkopien
|
DE3039926A1
(de)
*
|
1980-10-23 |
1982-05-27 |
Hoechst Ag, 6000 Frankfurt |
Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung einer druckform aus dem kopiermaterial
|
US4460677A
(en)
*
|
1981-03-26 |
1984-07-17 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Visible light sensitive, thermally developable imaging systems
|
US4365019A
(en)
*
|
1981-08-06 |
1982-12-21 |
Eastman Kodak Company |
Positive-working resist quinone diazide containing composition and imaging method having improved development rates
|
DE3151078A1
(de)
*
|
1981-12-23 |
1983-07-28 |
Hoechst Ag, 6230 Frankfurt |
Verfahren zur herstellung von reliefbildern
|
US4491628A
(en)
*
|
1982-08-23 |
1985-01-01 |
International Business Machines Corporation |
Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
|
JPH0617991B2
(ja)
*
|
1983-06-22 |
1994-03-09 |
富士写真フイルム株式会社 |
光可溶化組成物
|
JPS6096112U
(ja)
*
|
1983-12-09 |
1985-07-01 |
愛知機械工業株式会社 |
自動車用サンバイザ−
|
EP0164083B1
(fr)
*
|
1984-06-07 |
1991-05-02 |
Hoechst Aktiengesellschaft |
Solution de revêtement photosensible positive
|
DE3445276A1
(de)
*
|
1984-12-12 |
1986-06-19 |
Hoechst Ag, 6230 Frankfurt |
Strahlungsempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung einer flachdruckform
|
JPS61141442A
(ja)
*
|
1984-12-14 |
1986-06-28 |
Fuji Photo Film Co Ltd |
光可溶化組成物
|
US4737426A
(en)
*
|
1985-05-15 |
1988-04-12 |
Ciba-Geigy Corporation |
Cyclic acetals or ketals of beta-keto esters or amides
|
US4968581A
(en)
*
|
1986-02-24 |
1990-11-06 |
Hoechst Celanese Corporation |
High resolution photoresist of imide containing polymers
|
US4837124A
(en)
*
|
1986-02-24 |
1989-06-06 |
Hoechst Celanese Corporation |
High resolution photoresist of imide containing polymers
|
US5362607A
(en)
*
|
1986-06-13 |
1994-11-08 |
Microsi, Inc. |
Method for making a patterned resist substrate composite
|
US5310619A
(en)
*
|
1986-06-13 |
1994-05-10 |
Microsi, Inc. |
Resist compositions comprising a phenolic resin, an acid forming onium salt and a tert-butyl ester or tert-butyl carbonate which is acid-cleavable
|
DE3750275T3
(de)
*
|
1986-06-13 |
1998-10-01 |
Microsi Inc |
Lackzusammensetzung und -anwendung.
|
DE3621376A1
(de)
*
|
1986-06-26 |
1988-01-07 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
|
JP2719909B2
(ja)
*
|
1986-07-02 |
1998-02-25 |
コニカ株式会社 |
感光性組成物および感光性平版印刷版
|
US4684599A
(en)
*
|
1986-07-14 |
1987-08-04 |
Eastman Kodak Company |
Photoresist compositions containing quinone sensitizer
|
US4939070A
(en)
*
|
1986-07-28 |
1990-07-03 |
Brunsvold William R |
Thermally stable photoresists with high sensitivity
|
US4931379A
(en)
*
|
1986-10-23 |
1990-06-05 |
International Business Machines Corporation |
High sensitivity resists having autodecomposition temperatures greater than about 160° C.
|
MY103006A
(en)
*
|
1987-03-30 |
1993-03-31 |
Microsi Inc |
Photoresist compositions
|
JPS63265242A
(ja)
*
|
1987-04-23 |
1988-11-01 |
Fuji Photo Film Co Ltd |
多色画像形成方法
|
DE3716848A1
(de)
*
|
1987-05-20 |
1988-12-01 |
Hoechst Ag |
Verfahren zur bebilderung lichtempfindlichen materials
|
US4810613A
(en)
*
|
1987-05-22 |
1989-03-07 |
Hoechst Celanese Corporation |
Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
|
US5081001A
(en)
*
|
1987-05-22 |
1992-01-14 |
Hoechst Celanese Corporation |
Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
|
US4962171A
(en)
*
|
1987-05-22 |
1990-10-09 |
Hoechst Celanese Corporation |
Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
|
DE3717933A1
(de)
*
|
1987-05-27 |
1988-12-08 |
Hoechst Ag |
Photopolymerisierbares gemisch, dieses enthaltendes aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von hochwaermebestaendigen reliefstrukturen
|
DE3725741A1
(de)
*
|
1987-08-04 |
1989-02-16 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
|
DE3725949A1
(de)
*
|
1987-08-05 |
1989-02-16 |
Hoechst Ag |
Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von negativen reliefkopien
|
DE3821585A1
(de)
*
|
1987-09-13 |
1989-03-23 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
|
DE3730787A1
(de)
*
|
1987-09-13 |
1989-03-23 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
|
DE3730785A1
(de)
*
|
1987-09-13 |
1989-03-23 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
|
DE3730783A1
(de)
*
|
1987-09-13 |
1989-03-23 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
|
DE3737734A1
(de)
*
|
1987-11-06 |
1989-05-18 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch
|
DE3810631A1
(de)
*
|
1988-03-29 |
1989-10-12 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial mit hohem waermestand
|
DE3817009A1
(de)
*
|
1988-05-19 |
1989-11-30 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
|
DE3817012A1
(de)
*
|
1988-05-19 |
1989-11-30 |
Basf Ag |
Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern
|
EP0347381B1
(fr)
*
|
1988-06-13 |
1992-02-12 |
Ciba-Geigy Ag |
Béta-cétoester-acétals et leurs applications
|
DE3820699A1
(de)
*
|
1988-06-18 |
1989-12-21 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
|
DE3827901A1
(de)
*
|
1988-08-17 |
1990-02-22 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
|
US5116977A
(en)
*
|
1988-09-07 |
1992-05-26 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Halomethyl-1,3,5-triazines containing an amine-containing moiety
|
US5187045A
(en)
*
|
1988-09-07 |
1993-02-16 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Halomethyl-1,3,5-triazines containing a sensitizer moiety
|
EP0359431B1
(fr)
*
|
1988-09-07 |
1993-12-22 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Halométhyl 1,3,5-triazines comportants un groupement sensibilisateur
|
US5153323A
(en)
*
|
1988-09-07 |
1992-10-06 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Halomethyl-1,3,5-triazines containing a photoinitiator moiety
|
US5034526A
(en)
*
|
1988-09-07 |
1991-07-23 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Halomethyl-1,3,5-triazines containing a sensitizer moiety
|
US4985562A
(en)
*
|
1988-09-07 |
1991-01-15 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Halomethyl-1,3,5-triazines containing an amine-containing moiety
|
US5387682A
(en)
*
|
1988-09-07 |
1995-02-07 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Halomethyl-1,3,5-triazines containing a monomeric moiety
|
JPH02275956A
(ja)
*
|
1988-12-23 |
1990-11-09 |
Oki Electric Ind Co Ltd |
フォトレジスト組成物
|
JP2661671B2
(ja)
*
|
1989-03-20 |
1997-10-08 |
株式会社日立製作所 |
パタン形成材料とそれを用いたパタン形成方法
|
DE69029104T2
(de)
|
1989-07-12 |
1997-03-20 |
Fuji Photo Film Co Ltd |
Polysiloxane und positiv arbeitende Resistmasse
|
JPH0325326U
(fr)
*
|
1989-07-21 |
1991-03-15 |
|
|
DE3927632A1
(de)
*
|
1989-08-22 |
1991-02-28 |
Basf Ag |
Umsetzungsprodukt, verfahren zu dessen herstellung und damit erhaltenes strahlungsempfindliches material
|
DE3930086A1
(de)
*
|
1989-09-09 |
1991-03-21 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
|
DE3930087A1
(de)
*
|
1989-09-09 |
1991-03-14 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
|
DE3935875A1
(de)
*
|
1989-10-27 |
1991-05-02 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
|
GB8923459D0
(en)
*
|
1989-10-18 |
1989-12-06 |
Minnesota Mining & Mfg |
Positive-acting photoresist compositions
|
DE3940911A1
(de)
*
|
1989-12-12 |
1991-06-13 |
Hoechst Ag |
Verfahren zur herstellung negativer kopien
|
DE3940965A1
(de)
*
|
1989-12-12 |
1991-06-13 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefstrukturen
|
DE4002397A1
(de)
*
|
1990-01-27 |
1991-08-01 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
|
DE4003025A1
(de)
*
|
1990-02-02 |
1991-08-08 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen
|
DE4004719A1
(de)
*
|
1990-02-15 |
1991-08-22 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen
|
DE4006190A1
(de)
*
|
1990-02-28 |
1991-08-29 |
Hoechst Ag |
Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
|
DE4007924A1
(de)
*
|
1990-03-13 |
1991-09-19 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch
|
US5145764A
(en)
*
|
1990-04-10 |
1992-09-08 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Positive working resist compositions process of exposing, stripping developing
|
US5206317A
(en)
*
|
1990-04-10 |
1993-04-27 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Resist material and process for use
|
US5219711A
(en)
*
|
1990-04-10 |
1993-06-15 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Positive image formation utilizing resist material with carbazole diazonium salt acid generator
|
US5252427A
(en)
*
|
1990-04-10 |
1993-10-12 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Positive photoresist compositions
|
US4985332A
(en)
*
|
1990-04-10 |
1991-01-15 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Resist material with carbazole diazonium salt acid generator and process for use
|
US5212047A
(en)
*
|
1990-04-10 |
1993-05-18 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Resist material and process for use
|
US5262281A
(en)
*
|
1990-04-10 |
1993-11-16 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Resist material for use in thick film resists
|
KR950002874B1
(ko)
*
|
1990-06-25 |
1995-03-27 |
마쯔시다덴시고오교오 가부시기가이샤 |
광 또는 방사선감응성 조성물과 패턴형성방법과 포토마스크의 제조방법 및 반도체
|
EP0467841A3
(en)
*
|
1990-07-18 |
1992-10-28 |
Ciba-Geigy Ag |
Benzoic acid ester comprising an olefinically unsaturated substituant
|
US5166405A
(en)
*
|
1990-07-18 |
1992-11-24 |
Ciba-Geigy Corporation |
Benzoates containing a substituent having olefinic unsaturation
|
JPH0480758A
(ja)
*
|
1990-07-23 |
1992-03-13 |
Fuji Photo Film Co Ltd |
感光性組成物
|
ATE137231T1
(de)
*
|
1990-09-13 |
1996-05-15 |
Ocg Microelectronic Materials |
Säurelabile lösungsinhibitoren und darauf basierende positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche zusammensetzung
|
DE4032162A1
(de)
*
|
1990-10-10 |
1992-04-16 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch, enthaltend saeurelabile gruppierungen und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
|
DE4106356A1
(de)
*
|
1991-02-28 |
1992-09-03 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliche polymere mit naphthochinon-2-diazid-4-sulfonyl-gruppen und deren verwendung in einem positiv arbeitenden aufzeichnungsmaterial
|
DE4106357A1
(de)
*
|
1991-02-28 |
1992-09-03 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliche polymere mit 2-diazo-1,3-dicarbonyl-gruppen, verfahren zu deren herstellung und verwendung in einem positiv arbeitenden aufzeichnungsmaterial
|
EP0502819A1
(fr)
*
|
1991-03-01 |
1992-09-09 |
Ciba-Geigy Ag |
Copolymères durcissables par des acides
|
EP0501919A1
(fr)
*
|
1991-03-01 |
1992-09-02 |
Ciba-Geigy Ag |
Compositions sensibles aux radiations à base de polyphenols et acétals
|
DE4112968A1
(de)
*
|
1991-04-20 |
1992-10-22 |
Hoechst Ag |
Saeurespaltbare verbindungen, diese enthaltendes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
|
DE4112971A1
(de)
*
|
1991-04-20 |
1992-10-22 |
Hoechst Ag |
Sulfonsaeureester von 2,4,6-tris-(2-hydroxy-ethoxy)-(1,3,5)triazin, ein damit hergestelltes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial
|
DE4112966A1
(de)
*
|
1991-04-20 |
1992-10-22 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
|
JP2662141B2
(ja)
*
|
1991-05-20 |
1997-10-08 |
エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション |
デバイスの製造方法
|
DE4120173A1
(de)
*
|
1991-06-19 |
1992-12-24 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
|
EP0537524A1
(fr)
*
|
1991-10-17 |
1993-04-21 |
Shipley Company Inc. |
Compositions sensibles aux radiations et procédés
|
JPH05205989A
(ja)
*
|
1992-01-28 |
1993-08-13 |
Hitachi Ltd |
リソグラフィ法及び半導体装置の製造方法
|
DE4202845A1
(de)
*
|
1992-01-31 |
1993-08-05 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch
|
US5342734A
(en)
*
|
1992-02-25 |
1994-08-30 |
Morton International, Inc. |
Deep UV sensitive photoresist resistant to latent image decay
|
US5580695A
(en)
*
|
1992-02-25 |
1996-12-03 |
Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. |
Chemically amplified resist
|
JP2944296B2
(ja)
|
1992-04-06 |
1999-08-30 |
富士写真フイルム株式会社 |
感光性平版印刷版の製造方法
|
JPH05323682A
(ja)
*
|
1992-05-18 |
1993-12-07 |
Konica Corp |
印刷版の製版方法
|
US5374501A
(en)
*
|
1992-08-17 |
1994-12-20 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Alkali soluble photopolymer in color proofing constructions
|
EP0599779A1
(fr)
*
|
1992-10-29 |
1994-06-01 |
OCG Microelectronic Materials AG |
Photoréserve négative à haute résolution ayant une latitude de traitement étendue
|
US6010824A
(en)
*
|
1992-11-10 |
2000-01-04 |
Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. |
Photosensitive resin composition containing a triazine compound and a pre-sensitized plate using the same, and photosensitive resin composition containing acridine and triazine compounds and a color filter and a pre-sensitized plate using the same
|
DE4242050A1
(de)
*
|
1992-12-14 |
1994-06-16 |
Hoechst Ag |
Polymere mit N,N-disubstituierten Sulfonamid-Seitengruppen und deren Verwendung
|
DE4242051A1
(de)
*
|
1992-12-14 |
1994-06-16 |
Hoechst Ag |
N,N-Disubstituierte Sulfonamide und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Gemisch
|
US5314782A
(en)
*
|
1993-03-05 |
1994-05-24 |
Morton International, Inc. |
Deep UV sensitive resistant to latent image decay comprising a diazonaphthoquinone sulfonate of a nitrobenzyl derivative
|
US5496678A
(en)
*
|
1993-04-16 |
1996-03-05 |
Kansai Paint Co., Ltd. |
Photosensitive compositions containing a polymer with carboxyl and hydroxyphenyl groups, a compound with multiple ethylenic unsaturation and a photo-acid generator
|
JP2824209B2
(ja)
*
|
1993-04-16 |
1998-11-11 |
関西ペイント株式会社 |
感光性組成物及びパターンの形成方法
|
JPH06308729A
(ja)
*
|
1993-04-19 |
1994-11-04 |
Japan Synthetic Rubber Co Ltd |
感放射線性樹脂組成物
|
JP2824188B2
(ja)
*
|
1993-04-23 |
1998-11-11 |
関西ペイント株式会社 |
感光性組成物及びパターンの製造方法
|
JPH07140666A
(ja)
*
|
1993-06-04 |
1995-06-02 |
Internatl Business Mach Corp <Ibm> |
マイクロリトグラフィックレジスト組成物、酸不安定化合物、マイクロリトグラフィックレリーフ画像形成方法及び酸感知性ポリマー組成物
|
EP0672954B1
(fr)
|
1994-03-14 |
1999-09-15 |
Kodak Polychrome Graphics LLC |
Composition radiosensible contenant une résine résol, une résine novolaque, un absorbeur d'infrarouge et une triazine et son utilisation en planches d'impression lithographiques
|
DE4414896A1
(de)
*
|
1994-04-28 |
1995-11-02 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes strahlungempfindliches Gemisch
|
US5759625A
(en)
*
|
1994-06-03 |
1998-06-02 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Fluoropolymer protectant layer for high temperature superconductor film and photo-definition thereof
|
JPH0876380A
(ja)
|
1994-09-06 |
1996-03-22 |
Fuji Photo Film Co Ltd |
ポジ型印刷版組成物
|
US5460918A
(en)
*
|
1994-10-11 |
1995-10-24 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Thermal transfer donor and receptor with silicated surface for lithographic printing applications
|
EP0786701A4
(fr)
*
|
1994-10-13 |
1998-08-12 |
Nippon Zeon Co |
Composition de reserve
|
JPH08110638A
(ja)
|
1994-10-13 |
1996-04-30 |
Hitachi Chem Co Ltd |
感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法
|
US5856373A
(en)
*
|
1994-10-31 |
1999-01-05 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Dental visible light curable epoxy system with enhanced depth of cure
|
DE4444669A1
(de)
*
|
1994-12-15 |
1996-06-20 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliches Gemisch
|
US5593812A
(en)
*
|
1995-02-17 |
1997-01-14 |
International Business Machines Corporation |
Photoresist having increased sensitivity and use thereof
|
US5656412A
(en)
*
|
1995-03-07 |
1997-08-12 |
Lucent Technologies Inc. |
Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
|
JPH0954437A
(ja)
|
1995-06-05 |
1997-02-25 |
Fuji Photo Film Co Ltd |
化学増幅型ポジレジスト組成物
|
US6391512B1
(en)
*
|
1995-10-20 |
2002-05-21 |
Konica Corporation |
Image forming material and image forming method
|
WO1997027515A1
(fr)
|
1996-01-26 |
1997-07-31 |
Nippon Zeon Co., Ltd. |
Composition de resist
|
JP3591672B2
(ja)
|
1996-02-05 |
2004-11-24 |
富士写真フイルム株式会社 |
ポジ型感光性組成物
|
US6001517A
(en)
*
|
1996-10-31 |
1999-12-14 |
Kabushiki Kaisha Toshiba |
Positive photosensitive polymer composition, method of forming a pattern and electronic parts
|
US6060222A
(en)
|
1996-11-19 |
2000-05-09 |
Kodak Polcyhrome Graphics Llc |
1Postitve-working imaging composition and element and method of forming positive image with a laser
|
US6063539A
(en)
|
1997-07-22 |
2000-05-16 |
Fuji Photo Film Co., Ltd. |
Image recording medium and image recording method
|
DE19803564A1
(de)
|
1998-01-30 |
1999-08-05 |
Agfa Gevaert Ag |
Polymere mit Einheiten aus N-substituiertem Maleimid und deren Verwendung in strahlungsempfindlichen Gemischen
|
EP1127381B1
(fr)
|
1998-11-02 |
2015-09-23 |
3M Innovative Properties Company |
Oxydes conducteurs transparents pour ecran plat en plastique
|
JP4404282B2
(ja)
*
|
1999-03-19 |
2010-01-27 |
大日本印刷株式会社 |
ホログラム撮影用乾板の作製方法及び作製装置
|
JP3969909B2
(ja)
|
1999-09-27 |
2007-09-05 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型フォトレジスト組成物
|
US6296982B1
(en)
|
1999-11-19 |
2001-10-02 |
Kodak Polychrome Graphics Llc |
Imaging articles
|
JP3963624B2
(ja)
|
1999-12-22 |
2007-08-22 |
富士フイルム株式会社 |
遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
|
US7005229B2
(en)
*
|
2002-10-02 |
2006-02-28 |
3M Innovative Properties Company |
Multiphoton photosensitization method
|
WO2001096958A2
(fr)
*
|
2000-06-15 |
2001-12-20 |
3M Innovative Properties Company |
Procedes de fabrication d'articles microfluidiques
|
US6852766B1
(en)
|
2000-06-15 |
2005-02-08 |
3M Innovative Properties Company |
Multiphoton photosensitization system
|
EP1292861B1
(fr)
|
2000-06-15 |
2014-11-19 |
3M Innovative Properties Company |
Procede d'absorption photoreactive multidirectionnelle
|
WO2001096915A2
(fr)
*
|
2000-06-15 |
2001-12-20 |
3M Innovative Properties Company |
Microfabrication d'elements optiques organiques
|
US7265161B2
(en)
*
|
2002-10-02 |
2007-09-04 |
3M Innovative Properties Company |
Multi-photon reactive compositions with inorganic particles and method for fabricating structures
|
US7381516B2
(en)
*
|
2002-10-02 |
2008-06-03 |
3M Innovative Properties Company |
Multiphoton photosensitization system
|
JP2004503831A
(ja)
*
|
2000-06-15 |
2004-02-05 |
スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー |
マルチパス多光子吸収方法および装置
|
US7014988B2
(en)
*
|
2000-06-15 |
2006-03-21 |
3M Innovative Properties Company |
Multiphoton curing to provide encapsulated optical elements
|
EP1303791B1
(fr)
*
|
2000-06-15 |
2009-08-19 |
3M Innovative Properties Company |
Imagerie multicouleur utilisant des procedes photochimiques multiphotoniques
|
US7118845B2
(en)
*
|
2000-06-15 |
2006-10-10 |
3M Innovative Properties Company |
Multiphoton photochemical process and articles preparable thereby
|
DE60127684T2
(de)
|
2000-08-04 |
2007-09-06 |
Kodak Polychrome Graphics Co. Ltd., Norwalk |
Lithographische druckform, herstellungsverfahren und verwendung davon
|
US7192681B2
(en)
|
2001-07-05 |
2007-03-20 |
Fuji Photo Film Co., Ltd. |
Positive photosensitive composition
|
US6750266B2
(en)
*
|
2001-12-28 |
2004-06-15 |
3M Innovative Properties Company |
Multiphoton photosensitization system
|
US6723495B2
(en)
|
2002-01-24 |
2004-04-20 |
Kodak Polychrome Graphics Llc |
Water-developable negative-working ultraviolet and infrared imageable element
|
US7521168B2
(en)
|
2002-02-13 |
2009-04-21 |
Fujifilm Corporation |
Resist composition for electron beam, EUV or X-ray
|
JP4382364B2
(ja)
|
2002-04-24 |
2009-12-09 |
株式会社東芝 |
液体インク
|
JP3992550B2
(ja)
*
|
2002-07-04 |
2007-10-17 |
國宏 市村 |
感活性エネルギー線樹脂組成物、感活性エネルギー線樹脂フィルム及び該フィルムを用いるパターン形成方法
|
US7232650B2
(en)
*
|
2002-10-02 |
2007-06-19 |
3M Innovative Properties Company |
Planar inorganic device
|
US7160665B2
(en)
*
|
2002-12-30 |
2007-01-09 |
International Business Machines Corporation |
Method for employing vertical acid transport for lithographic imaging applications
|
JP4163964B2
(ja)
*
|
2003-01-07 |
2008-10-08 |
岡本化学工業株式会社 |
画像形成組成物およびそれを用いた感光性平版印刷版
|
US6790590B2
(en)
|
2003-01-27 |
2004-09-14 |
Kodak Polychrome Graphics, Llp |
Infrared absorbing compounds and their use in imageable elements
|
US6902861B2
(en)
|
2003-03-10 |
2005-06-07 |
Kodak Polychrome Graphics, Llc |
Infrared absorbing compounds and their use in photoimageable elements
|
JP4612999B2
(ja)
|
2003-10-08 |
2011-01-12 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
EP1528087B1
(fr)
*
|
2003-10-28 |
2007-11-21 |
Toshiba Tec Kabushiki Kaisha |
Encre et encre d'impression à jet d'encre
|
US20050124712A1
(en)
*
|
2003-12-05 |
2005-06-09 |
3M Innovative Properties Company |
Process for producing photonic crystals
|
WO2005066672A1
(fr)
*
|
2003-12-05 |
2005-07-21 |
3M Innovative Properties Company |
Procede de production de cristaux photoniques presentant des defauts intentionnels
|
JP4448705B2
(ja)
|
2004-02-05 |
2010-04-14 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
JP2006051656A
(ja)
*
|
2004-08-11 |
2006-02-23 |
Konica Minolta Medical & Graphic Inc |
平版印刷版材料用支持体及び平版印刷版材料
|
JP4524154B2
(ja)
|
2004-08-18 |
2010-08-11 |
富士フイルム株式会社 |
化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
JP4396443B2
(ja)
|
2004-08-18 |
2010-01-13 |
コニカミノルタエムジー株式会社 |
感光性平版印刷版の製造方法及び使用方法
|
EP1637927A1
(fr)
|
2004-09-02 |
2006-03-22 |
Fuji Photo Film Co., Ltd. |
Composition pour réserve de type positif et procédé de formation de motifs employant ladite composition
|
JP4469692B2
(ja)
|
2004-09-14 |
2010-05-26 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
JP4452632B2
(ja)
|
2005-01-24 |
2010-04-21 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
US7947421B2
(en)
|
2005-01-24 |
2011-05-24 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same
|
JP4562537B2
(ja)
|
2005-01-28 |
2010-10-13 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
JP4439409B2
(ja)
|
2005-02-02 |
2010-03-24 |
富士フイルム株式会社 |
レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
US7541131B2
(en)
*
|
2005-02-18 |
2009-06-02 |
Fujifilm Corporation |
Resist composition, compound for use in the resist composition and pattern forming method using the resist composition
|
US8741537B2
(en)
|
2005-03-04 |
2014-06-03 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition and pattern-forming method using the same
|
US20060204732A1
(en)
|
2005-03-08 |
2006-09-14 |
Fuji Photo Film Co., Ltd. |
Ink composition, inkjet recording method, printed material, method of producing planographic printing plate, and planographic printing plate
|
JP4579019B2
(ja)
|
2005-03-17 |
2010-11-10 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
|
EP1720072B1
(fr)
|
2005-05-01 |
2019-06-05 |
Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. |
Compositions et procédés pour lithographie en immersion
|
JP4724465B2
(ja)
|
2005-05-23 |
2011-07-13 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
JP4861767B2
(ja)
|
2005-07-26 |
2012-01-25 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
|
JP4580841B2
(ja)
|
2005-08-16 |
2010-11-17 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
JP4695941B2
(ja)
|
2005-08-19 |
2011-06-08 |
富士フイルム株式会社 |
液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
US20070049651A1
(en)
|
2005-08-23 |
2007-03-01 |
Fuji Photo Film Co., Ltd. |
Curable composition, ink composition, inkjet recording method, printed material, method of producing planographic printing plate, planographic printing plate, and oxcetane compound
|
JP4757574B2
(ja)
|
2005-09-07 |
2011-08-24 |
富士フイルム株式会社 |
インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、及び、平版印刷版
|
TWI403843B
(zh)
|
2005-09-13 |
2013-08-01 |
Fujifilm Corp |
正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
|
EP2103639A1
(fr)
|
2005-11-04 |
2009-09-23 |
Fujifilm Corporation |
Composition a base d'epoxide polycyclique, encre et procede jet encre avec cela
|
WO2007057346A2
(fr)
*
|
2005-11-18 |
2007-05-24 |
Agfa Graphics Nv |
Procede de fabrication d'une plaque d'impression lithographique
|
EP1795960B1
(fr)
|
2005-12-09 |
2019-06-05 |
Fujifilm Corporation |
Composition de réserve positive, procédé de formation de motif utilisant la composition de réserve positive, utilisation de la composition de réserve positive
|
US7776940B2
(en)
|
2005-12-20 |
2010-08-17 |
3M Innovative Properties Company |
Methods for reducing bond strengths, dental compositions, and the use thereof
|
US8026296B2
(en)
|
2005-12-20 |
2011-09-27 |
3M Innovative Properties Company |
Dental compositions including a thermally labile component, and the use thereof
|
US7896650B2
(en)
|
2005-12-20 |
2011-03-01 |
3M Innovative Properties Company |
Dental compositions including radiation-to-heat converters, and the use thereof
|
US7583444B1
(en)
*
|
2005-12-21 |
2009-09-01 |
3M Innovative Properties Company |
Process for making microlens arrays and masterforms
|
WO2007073482A2
(fr)
|
2005-12-21 |
2007-06-28 |
3M Innovative Properties Company |
Procede et appareil de traitement de compositions photoreactives durcissables multiphotoniques
|
ATE496766T1
(de)
|
2006-03-03 |
2011-02-15 |
Fujifilm Corp |
Härtbare zusammensetzung, tintenzusammensetzung, tintenstrahlaufzeichnungsverfahren und flachdruckplatte
|
EP1998844A4
(fr)
*
|
2006-03-24 |
2017-03-01 |
3M Innovative Properties Company |
Procede de fabrication de micro-aiguilles, reseaux de micro-aiguilles, matrices, et outils de reproduction
|
EP2018263B1
(fr)
*
|
2006-05-18 |
2017-03-01 |
3M Innovative Properties Company |
Procédé de fabrication de guides d'ondes optiques à structures d'extraction
|
JP4911456B2
(ja)
|
2006-11-21 |
2012-04-04 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に用いられる高分子化合物、該高分子化合物の製造方法及びポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
JP4554665B2
(ja)
|
2006-12-25 |
2010-09-29 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
|
JP2008189776A
(ja)
|
2007-02-02 |
2008-08-21 |
Fujifilm Corp |
活性放射線硬化型重合性組成物、インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法、及び平版印刷版
|
JP4905786B2
(ja)
|
2007-02-14 |
2012-03-28 |
富士フイルム株式会社 |
レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
EP1962139A1
(fr)
|
2007-02-23 |
2008-08-27 |
FUJIFILM Corporation |
Composition de réserve négative et procédé de formation de motif l'utilisant
|
JP2008208266A
(ja)
|
2007-02-27 |
2008-09-11 |
Fujifilm Corp |
インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、および平版印刷版
|
JP5162290B2
(ja)
|
2007-03-23 |
2013-03-13 |
富士フイルム株式会社 |
レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
US8088566B2
(en)
|
2007-03-26 |
2012-01-03 |
Fujifilm Corporation |
Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent
|
US7592118B2
(en)
|
2007-03-27 |
2009-09-22 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition and pattern forming method using the same
|
US7635554B2
(en)
|
2007-03-28 |
2009-12-22 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition and pattern forming method
|
EP1975714A1
(fr)
|
2007-03-28 |
2008-10-01 |
FUJIFILM Corporation |
Composition de réserve positive et procédé de formation de motifs
|
US8182975B2
(en)
|
2007-03-28 |
2012-05-22 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition and pattern forming method using the same
|
US20080241745A1
(en)
|
2007-03-29 |
2008-10-02 |
Fujifilm Corporation |
Negative resist composition and pattern forming method using the same
|
JP4982228B2
(ja)
|
2007-03-30 |
2012-07-25 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
|
JP5039622B2
(ja)
|
2007-03-30 |
2012-10-03 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
|
JP5159141B2
(ja)
|
2007-03-30 |
2013-03-06 |
富士フイルム株式会社 |
インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法及び平版印刷版
|
EP1980911A3
(fr)
|
2007-04-13 |
2009-06-24 |
FUJIFILM Corporation |
Procédé de formation de motifs, composition de réserve à utiliser dans le procédé de formation de motifs, solution de développement de négatifs à utiliser dans le procédé de formation de motifs, et solution de rinçage pour le développement de négatifs utilisée dans le procédé de formation de motifs
|
KR100990106B1
(ko)
|
2007-04-13 |
2010-10-29 |
후지필름 가부시키가이샤 |
패턴형성방법, 이 패턴형성방법에 사용되는 레지스트 조성물, 현상액 및 린스액
|
JP4617337B2
(ja)
|
2007-06-12 |
2011-01-26 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法
|
US20100183978A1
(en)
|
2007-06-15 |
2010-07-22 |
Fujifilm Corporation |
Surface-treating agent for pattern formation and pattern forming method using the treating agent
|
JP2008311474A
(ja)
|
2007-06-15 |
2008-12-25 |
Fujifilm Corp |
パターン形成方法
|
JP2009009047A
(ja)
|
2007-06-29 |
2009-01-15 |
Fujifilm Corp |
パターン形成方法
|
US8088550B2
(en)
|
2007-07-30 |
2012-01-03 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition and pattern forming method
|
JP5066405B2
(ja)
|
2007-08-02 |
2012-11-07 |
富士フイルム株式会社 |
電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
|
EP2020617A3
(fr)
|
2007-08-03 |
2009-04-29 |
FUJIFILM Corporation |
Composition de réserve contenant un composé de sulfonium, procédé de formation de motifs utilisant la composition de réserve, et composé de sulfonium
|
WO2009022561A1
(fr)
|
2007-08-10 |
2009-02-19 |
Fujifilm Corporation |
Composition de résist positive et procédé pour la formation de motif à l'aide de la composition de résist positive
|
JP2010537867A
(ja)
|
2007-09-06 |
2010-12-09 |
スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー |
型を形成する方法及びかかる型を使用して物品を成形する方法
|
CN101796443A
(zh)
|
2007-09-06 |
2010-08-04 |
3M创新有限公司 |
具有提供输出光区域控制的光提取结构的光导装置
|
JP5449675B2
(ja)
|
2007-09-21 |
2014-03-19 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物
|
JP5111039B2
(ja)
|
2007-09-27 |
2012-12-26 |
富士フイルム株式会社 |
重合性化合物、重合開始剤、および染料を含有する光硬化性組成物
|
JP4911469B2
(ja)
|
2007-09-28 |
2012-04-04 |
富士フイルム株式会社 |
レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
|
CN101821659B
(zh)
|
2007-10-11 |
2014-09-24 |
3M创新有限公司 |
色差共聚焦传感器
|
US8240838B2
(en)
|
2007-11-29 |
2012-08-14 |
Fujifilm Corporation |
Ink composition for inkjet recording, inkjet recording method, and printed material
|
JP5524856B2
(ja)
*
|
2007-12-12 |
2014-06-18 |
スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー |
エッジ明瞭性が向上した構造の製造方法
|
JP5150296B2
(ja)
|
2008-02-13 |
2013-02-20 |
富士フイルム株式会社 |
電子線、x線またはeuv用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
|
EP2257854B1
(fr)
|
2008-02-26 |
2018-10-31 |
3M Innovative Properties Company |
Système d'exposition multiphotonique
|
US9046773B2
(en)
|
2008-03-26 |
2015-06-02 |
Fujifilm Corporation |
Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method using the same, polymerizable compound and polymer compound obtained by polymerizing the polymerizable compound
|
JP5244711B2
(ja)
|
2008-06-30 |
2013-07-24 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
JP5997873B2
(ja)
|
2008-06-30 |
2016-09-28 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
JP5746818B2
(ja)
|
2008-07-09 |
2015-07-08 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
JP5383133B2
(ja)
|
2008-09-19 |
2014-01-08 |
富士フイルム株式会社 |
インク組成物、インクジェット記録方法及び印刷物成形体の製造方法
|
EP2169018B1
(fr)
|
2008-09-26 |
2012-01-18 |
Fujifilm Corporation |
Composition d'encre et procédé d'enregistrement à jet d'encre
|
JP5461809B2
(ja)
|
2008-09-29 |
2014-04-02 |
富士フイルム株式会社 |
インク組成物、及び、インクジェット記録方法
|
EP2356517B1
(fr)
|
2008-12-12 |
2017-01-25 |
FUJIFILM Corporation |
Composition de résine sensible aux rayons actiniques, et procédé de formation d'un motif utilisant cette composition
|
JP2010235911A
(ja)
|
2009-03-11 |
2010-10-21 |
Konica Minolta Ij Technologies Inc |
活性エネルギー線硬化型インクジェットインク、インクジェット記録方法及び印刷物
|
JP5964007B2
(ja)
|
2009-04-02 |
2016-08-03 |
コニカミノルタ株式会社 |
活性エネルギー線硬化型インクジェットインク、インクジェット記録方法及び印刷物
|
JP5419208B2
(ja)
*
|
2009-05-11 |
2014-02-19 |
株式会社ダイセル |
交互共重合体とその製造方法
|
JP5783687B2
(ja)
|
2009-06-23 |
2015-09-24 |
住友化学株式会社 |
樹脂及びレジスト組成物
|
CN102002121A
(zh)
|
2009-08-31 |
2011-04-06 |
住友化学株式会社 |
树脂,抗蚀剂组合物和用于制造抗蚀剂图案的方法
|
JP2011074365A
(ja)
*
|
2009-09-02 |
2011-04-14 |
Sumitomo Chemical Co Ltd |
化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5618625B2
(ja)
*
|
2010-05-25 |
2014-11-05 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
|
US8877546B2
(en)
*
|
2010-05-28 |
2014-11-04 |
Corning Incorporated |
Enhanced semiconductor devices employing photoactive organic materials and methods of manufacturing same
|
TWI499581B
(zh)
|
2010-07-28 |
2015-09-11 |
Sumitomo Chemical Co |
光阻組成物
|
JP6195692B2
(ja)
|
2010-08-30 |
2017-09-13 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに新規化合物及び樹脂
|
JP2012087294A
(ja)
|
2010-09-21 |
2012-05-10 |
Sumitomo Chemical Co Ltd |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターン製造方法
|
JP5824321B2
(ja)
|
2010-10-26 |
2015-11-25 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5824320B2
(ja)
|
2010-10-26 |
2015-11-25 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5879834B2
(ja)
|
2010-11-15 |
2016-03-08 |
住友化学株式会社 |
塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6088133B2
(ja)
|
2010-12-15 |
2017-03-01 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
CN106671317A
(zh)
|
2011-02-02 |
2017-05-17 |
3M创新有限公司 |
喷嘴及其制备方法
|
KR20140007854A
(ko)
*
|
2011-02-23 |
2014-01-20 |
제이에스알 가부시끼가이샤 |
네가티브형 패턴 형성 방법 및 포토레지스트 조성물
|
JP5829940B2
(ja)
|
2011-02-25 |
2015-12-09 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5898520B2
(ja)
|
2011-02-25 |
2016-04-06 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6034025B2
(ja)
|
2011-02-25 |
2016-11-30 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5898521B2
(ja)
|
2011-02-25 |
2016-04-06 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5947053B2
(ja)
|
2011-02-25 |
2016-07-06 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2011-02-25 |
2015-12-09 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5829941B2
(ja)
|
2011-02-25 |
2015-12-09 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2011-02-25 |
2016-11-30 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5947051B2
(ja)
|
2011-02-25 |
2016-07-06 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2011-04-07 |
2016-06-15 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5852490B2
(ja)
|
2011-04-07 |
2016-02-03 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6022788B2
(ja)
|
2011-04-07 |
2016-11-09 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2011-04-07 |
2016-10-12 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
EP2699965A2
(fr)
|
2011-04-22 |
2014-02-26 |
3M Innovative Properties Company |
Procédé de résolution accrue en imagerie multiphotonique
|
WO2012170204A1
(fr)
|
2011-06-08 |
2012-12-13 |
3M Innovative Properties Company |
Résines photosensibles contenant des nanoparticules entravées par des polymères
|
JP5977594B2
(ja)
|
2011-07-19 |
2016-08-24 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2011-07-19 |
2016-04-27 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6189020B2
(ja)
|
2011-07-19 |
2017-08-30 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5985898B2
(ja)
|
2011-07-19 |
2016-09-06 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5996944B2
(ja)
|
2011-07-19 |
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2011-07-19 |
2016-10-25 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2011-07-19 |
2016-10-25 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2011-07-19 |
2017-05-17 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6130630B2
(ja)
|
2011-07-19 |
2017-05-17 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5990041B2
(ja)
|
2011-07-19 |
2016-09-07 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5977595B2
(ja)
|
2011-07-19 |
2016-08-24 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6013799B2
(ja)
|
2011-07-19 |
2016-10-25 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5977593B2
(ja)
|
2011-07-19 |
2016-08-24 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5886696B2
(ja)
|
2011-07-19 |
2016-03-16 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6267951B2
(ja)
*
|
2013-12-18 |
2018-01-24 |
富士フイルム株式会社 |
感光性転写材料、パターン形成方法およびエッチング方法
|
JP6541508B2
(ja)
|
2014-08-25 |
2019-07-10 |
住友化学株式会社 |
塩、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6576162B2
(ja)
|
2014-08-25 |
2019-09-18 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6507065B2
(ja)
|
2014-08-25 |
2019-04-24 |
住友化学株式会社 |
化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6595255B2
(ja)
|
2014-08-25 |
2019-10-23 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6596263B2
(ja)
|
2014-08-25 |
2019-10-23 |
住友化学株式会社 |
化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6615536B2
(ja)
|
2014-08-25 |
2019-12-04 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
US9983478B2
(en)
|
2014-09-16 |
2018-05-29 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resin, resist composition and method for producing resist pattern
|
US9869929B2
(en)
|
2014-09-16 |
2018-01-16 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resin, resist composition and method for producing resist pattern
|
JP6706892B2
(ja)
|
2014-09-16 |
2020-06-10 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
US9996002B2
(en)
|
2014-09-16 |
2018-06-12 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resin, resist composition and method for producing resist pattern
|
JP6706891B2
(ja)
|
2014-09-16 |
2020-06-10 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
US9405191B2
(en)
|
2014-09-16 |
2016-08-02 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resin, resist composition and method for producing resist pattern
|
JP6688041B2
(ja)
|
2014-11-11 |
2020-04-28 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6684075B2
(ja)
|
2014-11-11 |
2020-04-22 |
住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6585471B2
(ja)
|
2014-11-11 |
2019-10-02 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6670591B2
(ja)
|
2014-11-11 |
2020-03-25 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6664932B2
(ja)
|
2014-11-14 |
2020-03-13 |
住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6782070B2
(ja)
|
2014-11-26 |
2020-11-11 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6721319B2
(ja)
|
2014-11-26 |
2020-07-15 |
住友化学株式会社 |
ノニオン性化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6843515B2
(ja)
|
2015-03-31 |
2021-03-17 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
US9740097B2
(en)
|
2015-03-31 |
2017-08-22 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resist composition and method for producing resist pattern
|
JP6910108B2
(ja)
|
2015-03-31 |
2021-07-28 |
住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6761657B2
(ja)
|
2015-03-31 |
2020-09-30 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
EP3081607B1
(fr)
|
2015-04-15 |
2017-12-27 |
Agfa Nv |
Encres à jet d'encre à base de résine aqueuse
|
EP3081288B1
(fr)
|
2015-04-15 |
2019-07-24 |
Agfa Nv |
Capsules auto-dispersantes
|
JP6769735B2
(ja)
|
2015-05-12 |
2020-10-14 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6883954B2
(ja)
|
2015-06-26 |
2021-06-09 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物
|
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(ja)
|
2015-06-26 |
2021-04-28 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物
|
JP6782102B2
(ja)
|
2015-06-26 |
2020-11-11 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物
|
EP3156461B1
(fr)
|
2015-10-13 |
2020-04-01 |
Agfa Nv |
Encres pour jet d'encre durcissables par uv
|
JP7042598B2
(ja)
|
2016-12-14 |
2022-03-28 |
住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6963979B2
(ja)
|
2016-12-14 |
2021-11-10 |
住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
WO2018147094A1
(fr)
|
2017-02-08 |
2018-08-16 |
住友化学株式会社 |
Composé, résine, composition de réserve et procédé de production de motif de réserve
|
JP7283883B2
(ja)
|
2017-11-09 |
2023-05-30 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
US11378883B2
(en)
|
2018-04-12 |
2022-07-05 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
|
US11820735B2
(en)
|
2018-04-12 |
2023-11-21 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
|
JP7269093B2
(ja)
|
2018-05-29 |
2023-05-08 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2020029451A
(ja)
|
2018-08-17 |
2020-02-27 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP7341787B2
(ja)
|
2018-08-27 |
2023-09-11 |
住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP7389622B2
(ja)
|
2018-11-20 |
2023-11-30 |
住友化学株式会社 |
塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP7471828B2
(ja)
|
2019-01-18 |
2024-04-22 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP7412186B2
(ja)
|
2019-01-18 |
2024-01-12 |
住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
BE1027107B1
(fr)
|
2019-03-25 |
2021-02-15 |
Sumitomo Chemical Co |
Compose, resine, composition de photoresist et procede de production de motif de photoresist
|
JP7286804B2
(ja)
|
2019-05-06 |
2023-06-05 |
アグファ・ナームローゼ・フェンノートシャップ |
樹脂を含む水性インクジェットインク
|
TW202108567A
(zh)
|
2019-05-17 |
2021-03-01 |
日商住友化學股份有限公司 |
鹽、淬滅劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
|
JP7537913B2
(ja)
|
2019-06-04 |
2024-08-21 |
住友化学株式会社 |
塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP7499071B2
(ja)
|
2019-06-04 |
2024-06-13 |
住友化学株式会社 |
塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに塩の製造方法
|
JP2021038203A
(ja)
|
2019-08-29 |
2021-03-11 |
住友化学株式会社 |
塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP7545834B2
(ja)
|
2019-08-29 |
2024-09-05 |
住友化学株式会社 |
塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2021130807A
(ja)
|
2019-12-18 |
2021-09-09 |
住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに化合物
|
JP2021123579A
(ja)
|
2020-02-06 |
2021-08-30 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2021123580A
(ja)
|
2020-02-06 |
2021-08-30 |
住友化学株式会社 |
カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
US11740555B2
(en)
|
2020-03-05 |
2023-08-29 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resist composition and method for producing resist pattern
|
US11681220B2
(en)
|
2020-03-05 |
2023-06-20 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resist composition and method for producing resist pattern
|
US11675267B2
(en)
|
2020-03-23 |
2023-06-13 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resist composition and method for producing resist pattern
|
US11822241B2
(en)
|
2020-04-22 |
2023-11-21 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
|
JP2021181429A
(ja)
|
2020-05-15 |
2021-11-25 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2021181431A
(ja)
|
2020-05-15 |
2021-11-25 |
住友化学株式会社 |
カルボン酸塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
TW202202476A
(zh)
|
2020-05-21 |
2022-01-16 |
日商住友化學股份有限公司 |
鹽、酸產生劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
|
JP2021188041A
(ja)
|
2020-06-01 |
2021-12-13 |
住友化学株式会社 |
化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
TWI849314B
(zh)
|
2020-06-01 |
2024-07-21 |
日商住友化學股份有限公司 |
化合物、樹脂、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
|
JP2022008152A
(ja)
|
2020-06-25 |
2022-01-13 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2022013736A
(ja)
|
2020-07-01 |
2022-01-18 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2022075556A
(ja)
|
2020-11-06 |
2022-05-18 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2022077505A
(ja)
|
2020-11-11 |
2022-05-23 |
住友化学株式会社 |
カルボン酸塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2020-11-12 |
2022-05-24 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2021-02-12 |
2022-08-24 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2021-04-15 |
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住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2021-04-15 |
2022-10-27 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
US20230004084A1
(en)
|
2021-05-06 |
2023-01-05 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
|
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(ja)
|
2021-05-28 |
2022-12-08 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2022183077A
(ja)
|
2021-05-28 |
2022-12-08 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
TW202311315A
(zh)
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2021-08-06 |
2023-03-16 |
日商住友化學股份有限公司 |
抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
|