DE2306248A1 - Durch belichten loeslich werdendes stoffgemisch und seine verwendung in lichtempfindlichen elementen - Google Patents
Durch belichten loeslich werdendes stoffgemisch und seine verwendung in lichtempfindlichen elementenInfo
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Description
MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY ' 3M Center, Saint Paul, Minnesota, V.St.A.
" Durch Belichten löslich werdendes.Stoffgemisch und seine Verwendung
in lichtempfindlichen Elementen "
Priorität: 9. Februar 1972, V.St.A., Nr. 22h 918 .
Die Erfindung betrifft ein neues, durch Belichten löslich werdendes
Stoffgemisch und seine Verwendung in lichtempfindlichen Elementen, ' .
Bei der Herstellung von lichtempfindlichen Elementen, wie Flachdruckplatten
oder Photoreservagen, verwendet man lichtempfindliche Stoff gemische,, die entweder negativ arbei'ten (bei Lichthärtung)
oder solche, die positiv arbeiten (bei Lichtenthärtung).
Negativ arbeitende lichtempfindliche Stoffgemische, sind solche,
.die bei Belichtung mit actinischer Strahlung bildmäßig in eine unlösliche Form übergeführt werden. Wenn die belichteten Flächen
relativ unlöslich geworden sind, kann man die unbelichteten Anteile des Stoffgsmisches oder des Elements mit Hilfe bestimmter
Entwicklerlösungen herauslösen oder auf andere Art entfernen,während
die beliebteren Anteile unverändert stehenbleiben. Dabei"
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ίΑ ' J liefert die Entwicklung des belichteten.,Elements ein^Bild, das,-'^
T* r \dero Original/entspricht, aber ütit umgekehrten Tonwer.ten^d.h. */γ
f die Entwicklung ifer belichteten „SQhichfev^rgibt ein negatives f ,^
b Bild* Umgekehrt fwerden bei positiv-arbeitenden Stoff gemischen- -,
\ oder Elementen die belichteten-Flächen durch, actinische Strah-i- '
ν ■' .
lung löslich gemacht, so daß sie mit Hilfe passend ausgewähltex?^
\ Entwicklerlösungen entferat werden können. Dabei bleiben die ;Un*i
'
belichteten Anteile unverändert stehen. Infolgedessen liefert die
■ .' >'■■■-.■'.
bildmä'ßige Belichtung einer beim Belichten löslich werdenden Stoffmischung bei anschließender Entwicklung ein Bi id, das in
den Tonwerten dem Original entspricht, d.h* ein Positiv.
In dex Technik sind verschiedene, beim Belichten löslich werdende
Stoffgeui-.dche bekannt. Beispiele dafür sind Gemische mit
Naphthoehinondiazid als lichtempfindlicher Verbindung; vgl. US-PS 3 046 121, 2 767 092, 3 180 733 und 3 201 239. Lichtempfindliche
Stoffgemische, die Derivate von Chinondiaziden enthalten,
sind in den US=PS 3 046 119, 3 046 112 und 2 907 655 beschrieben.
^Lichtempfindliche Stdffgemische, die Derivate von Chinoline«!non=
diaziden enthalten, sind in der US-FS 2 859 112*. Diazoharze sind
viii den US-PS 3 136 636 und 3 085 008 und Azid-Polymerisate sind
am. den US-PS 3 100 702 und 3 113 023 beschrieben. Diese Stoffge-Bisehe
sind im allgemeinen hinsichtlich ihrer spektralen Empfindlichkeit
begrenzt "und ihre Empfindlichkeit wird durch 'übliche
spektrale SeWi bill si erüng nicht verbessert. '"WbI lerhin haben diese
•Stoffgemische eine Quantenausbeute von höchstens 1,0, "d.;h.
'höchstens ,ein Molekül ;der lichtempfindl^ch^enyer' ndung reagiert η
Sptfoj pbeqrbiertes Li|chtquant., ; . -..;.·? r.-x >.■■ ]-:■, .-■;/ j ί* <··-/.- .;π.η;
i der' Erfiridiuig ist es, ein neues, durdh Belichten löslich
30 9 8 t%t rötfl n; I
Werdendes Stoffgemisch sowie daraus hergestellte lichtempfindliche Elemente zu schaffen, die im UV- und sichtbaren Spektralbereich,
d.h. beitellenlängen von etwa 300 bis 700 nm,lichtempfindlich
sind« und die auf Grund ihrer katalytisehen Reaktionsfähige
(, - keit höhere Quantenausbeuten ergeben als die bekannten StoffpL"""
gemische, die durch Belichten löslich werden. Biese Aufgabe wird
\ - durch die Erfindung gelöst.
\, Gegenstand der Erfindung 1st dementsprechend ein durch Belichten
ψ · ■ ■"■·*■
% löslich werdendes Stoffgemisch, das gekennzeichnet 1st durch
l{, einen Öehalt an
I . .(a). einer.wasserunlöslichen organischen Verbindung, die
i . mindestens eine durch Säure spaltbare Bindung der G.llgemel-
I ' I
i ι »?
tii ■ I
1 I
I enthält, in der Z den Rest -OAr, -NRSO9Ar,
oder
f darstellt und Ar ein einwertiger oder zweiwertiger aromati-
« scher JRest und R ein niederer Alkylres^ ist» sowie . [
, - (b) einer phoAolytisch spaltbaren, eine Säure liefernden? Verbiri-f
' J dung als Photoinitiator. ■
^ , ,Der PhotoinJBtiai:tor ist eine unter Normalbediriguhgen prak.i^fch
J,- neutral reagierende» stabile Verbindung^ die bti Bellclitvlfe üit -:
ί -^acttnlscher Strahlung gies.ßalten wird und eine- Säure, bildet.
%y't?
'
3Ρ9 8 39Λ1 Oea /v- r '
Ψ- ' ' r .... . .;. r " 4 " ; 230624g .
w ;.· ' . ■ ■■■··■■■■/■ ■·' '
\" Die, wasse^ünlösliiehe organische Verbindung, die mindestens eine
P -, ' durdhSäurje spafiiba^et Bindung der vorstehend
i'- meinen Fopnel enthält, kann (1) niedermolekular oder 62·)} hoeh-
£; . , -f. ■ . ·■■■; ■: ■ ■·
ff -' molekular seimiiDn diesem?*?äll «sind ddie durch sSäure spaltbaren
■f ;"" '
^','' Eindungen in der Polymerhauptkette enthalten. Als wasserunlös-
liehe organische Verbindung'kann (3) auch eine hochmolekulare
^Verbindung verwendet werden, in der die durch Säure spaltbaren
I^ --Bindungen an der Polymerhauptkette hängen.
I Die zur Bildaufzeichnung dienenden Reaktionen der Löslicbkeits-
% erhöhung durch Belichten verlaufen mit.überraschend hoher Ge-
;-, schwindigkeit, wenn sich, das Stoffgemisch in trockenem Zustand .
I , befindet. Dabei verlaufen chemische und physikalische Ä'nderun-
1 gen in so ausreichendem Maße, daß die belichteten Stellen bzw.
I Flächen löslich oder dispergierbar werden. Daher kann man die
I belichteten Flächen mit Hilfe von Entwicklerlösungen herauslö-
1 sen oder leicht entfernen?während die unbelichteten Flächen
I unverändert stehen bleiben. In manchen Fällen erleiden die be-I
lichteten Flächen im Verhältnis zu den unbelichteten Flächen so
k starke physikalische Veränderungen, daß man sie sogar mit einem
I ' druckempfindlichen Haftmittel entfernen oder im Abklatschverfahren
auf einen anderen Schichtträger, wie Folie, Papier oder Metall, übertragen kann. Das erfindüngsgemäße Stp£fgemisch ist ' '
deshalb in idealer Weise für die Herstellung' von. z.B. positiv
I 's' '/^arbeitenden Flaclidruckformen, Transparenten zur Farbprüfung,
y r ^ /sichtbaren Farbaufträgen oder Photoreservagen geeignet.
« " , Die Erhöhurig der Lösliöhkeit der bildmäßig belichteten Flächen
f'„~ -, '" des lichtempfindlichen Stoff gemisches erfolgt auf Grund von zwei
j- "^ ■*"%"* ■ m
'*j £ 'S ' u
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chemischen Reaktionen. Zunächst erfolgt bei Belichtung des Stoffgemisches mit actinlscher Strahlung einer Wellenlänge von
etwa 300 bis ©twä 700 nm entweder unmittelbar oder spektral senslbillslert
eine Photolyse der photolytisch spaltbaren Verbindung, wodurch in den belichteten Flächen eine Säure gebildet
wird. Hierauf erfolgt eine säurekatalysierte Spaltung der durch Säure spaltbaren Bindungen in der wasserunlöslichen organischen
Verbindung. Es bilden sich in den belichteten Stellen Produkte, die löslich oder dispergierbar werden.
Die wasserunlöslichen organischen Verbindungen enthalten mindestens
eine.durch Säure, spaltbare Bindung der vorstehend ange-.
gebenen allgemeinen Formel. Der Ausdruck "niederer Alkylresfbedeutet
Reste mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, die unverzweigt oder verzweigt sein können.
Wasserunlösliche organische Verbindungen mit durch Säure spaltbaren
Bindungen können im allgemeinen durch nucleophile Addition von (1) organischen Verbindungen mit mindestens einer Vinyläthergruppe
mit (2) organischen Verbindungen mit mindestens einer Hydroxylgruppe an einem aromatischen Rest, Monoalkylsulfonamidgruppen
an einem aromatischen Rest, d.h. Verbindungen der allgemeinen Formel RNHSOpAr, in der R einen niederen Alkylrest
und Ar einen einwertigen oder zweiwertigen aromatischen Rest bedeutet, oder einem sekundären aromatischen Amin, Phenothiazin
oder ra-Näphthylphenylamin hergestellt v/erden.
Diese wasserunlöslichen organischen Verbindungen reagieren prak-,tisch
neutral, d.h. sie reagieren weder sauer noch alkalisch. Die Verbindungen können aliphätischer oder aromatischer Natur
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Bein und sie können Substituenten enthalten. Typische Verbindungen
sind Amide, Urethane, Ester, Äther, nicht basische Amine und Harnstoff, Im allgemeinen können die Verbindungen eine durch
Säure spaltbare Bindung pro Einheit mit einem Molekulargewicht von 1000 enthalten. Dies hängt jedoch von der chemischen Art der
Kette zwischen den durch Säure spaltbaren Bindungen oder Gruppen ab. Wenn z.B. die Kette zwischen den durch Säure spaltbaren Bindungen
oder Gruppen vollständig unpolar 1st, dann kann das Molekulargewicht der Kette zwischen den durch Säure spaltbaren Bindungen
beträchtlich unter 1000 liegen. Wenn die Kette zwischen den durch Säure spaltbaren (hydrolyseempfindlichen) Bindungen
stärker polar ist, d.h. die Kette stark polare Substituenten, wie Carboxyl-, Hydroxyl-, Carbonyl-, Äther-, Thioäther-, Amino-,
Aldehyd-, Sulfonamid- oder Oxyäthergruppen enthält, oder auf Grund eines hohen Verhältnisses von Sauerstoff, Stickstoff oder
Schwefel zu Kohlenstoff stark polar ist, dann kann das Molekulargewicht der Kette zwischen den hydrolyseempfindlichen Bindungen
normalerweise beträchtlich größer sein als bei vollständig unpolaren Ketten zwischen den hydrolyseempfindlichen Bindungen.
Der Rest Z in der vorstehend angegebenen allgemeinen Formel kann an einen anderen Rest Z einer benachbarten hydrolyseempfindlichen
Bindung in der gleichen wasserunlöslichen organischen Verbindung, z.B. durch eine kovalente Kohlenstoff-Kohlenstoffbindung,
eine -SO2-J -NH- t -0-, oder -(CH2)a~Gruppe gebunden
sein, a bedeutet eine ganze Zahl. Es können sich aber auch zwei oder mehr hydrolyseempfindliche Bindungen in der gleichen wasserunlöslichen
Verbindung in die Atome eines einzigen Restes Z teilen.
'
30
Eine besonders bevorzugte Klasse von Verbindungen, die eine oder
mehrere durch Säure spaltbare (hydrolyseempfindliche) Bindungen
N der vorstehend angegebenen allgemeinen Formel enthält, sind
solche Verbindungen, die durch nucleophile Addition von organ!-
' sehen Verbindungen mit mindestens einer Alkylvlnyläthergruppe
an nachstehend unter (2) aufgeführte Verbindungen hergestellt worden sind. Die erhaltenen hydrolyseempfindlichen Gruppen im
Reaktionsprodukt haben die allgemeine Formel
H-Z
in der η den Wert O, 1, 2 oder 3 hat, und wenn η den Wert O hat,
X und Y Methylengruppen (-CH2-) bedeuten und wenn η den Wert 1,
2 oder 3 hat, X und Y Methingruppen (-CH-) darstellen, R1 ein
Wasserstoffatom und R2 ein Wasserstoffatom oder einen niederen
Alkylrest bedeutet, und R, ein V/asserstoffatom, ein einwertiger
aliphatischer Rest oder ein zweiwertiger organischer Rest darstellt und Z die vorstehend angegebene Bedeutung hat..
«Wenn der Rest R, ein zweiwertiger organischer Rest ist, dient er
zur Bindung einer hydrolyseempfindlichen Gruppe an die andere. Typische zweiwertige organische Reste sind Äther-, Ester-,
Urethan-, Amid-, nicht-basische Amino- und Harnstoffbindungen.
■ .' -■■*
^Beispiele für geeignete Verbindungen mit einer Vinyläthergruppe <j
sind die Alkylvinyläther, wie Methylvinylether, Äthylvinyläther und
Isobutylvinyläther* und Dihydropyrane, wie Dihydropyfan,
2-Methyl-2H-3,4-dihydropyran, 4~Äthyl-2H-3,4-dinydropyran und
4-Phenyl-2H-3,4-dihydropyran.
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Beispiele für geeignete Verbindungen mit mehr als einer Viföyi*
äthergruppe sind die Vinyläther von mehrwertigen Alkoholen,
Wie Äthylenglykoldivinyläther, Glycerintrivinyläther, Butandioldlvinyläther, Hexandioldivinylather und Pentaerythrittetra« vinyläther, sowie die Divinyläther von Polyalkylenglykolen, Die-
Wie Äthylenglykoldivinyläther, Glycerintrivinyläther, Butandioldlvinyläther, Hexandioldivinylather und Pentaerythrittetra« vinyläther, sowie die Divinyläther von Polyalkylenglykolen, Die-
se Vinyläther werden im allgemeinen durch Umsetzen von Acetylen, mit dem entsprechenden Alkohol oder dem mehrwertigen Alkohol in
Gegenwart einer Base, wie Kaliumhydroxid, nach an sich bekannten Methoden hergestellt.
Spezielle Beispiele für Verbindungen mit mehr als einer Vinyläthergruppe,
die'vorzugsweise zur Herstellung der hydrolyseempfindlichen organischen Verbindungen verwendet werden können,
sind Bis-dihydropyranderivate der nachstehend angegebenen
Formeln:
Formeln:
1«,
2.
3.
,2-.,,..^-CH2-CH2-GH2-C-O-CH;
?l L-OH,.
H2-O-C
5*
6.
O ,^s1
IH2-O-C-NH-M P,
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"9 " 230624€
>?u
Ho-O-C-NH—■O
Diese Verbindungen können nach verschiedenen Methoden hergestellt werden. Die Verbindung 1 wird durch Erwärmen eines Gemisches
aus 3,4-Dihydro-2H-pyran-2-carboxaldehyd und einer geringen Menge Alurniniurai sop ropy la t auf Temperaturen von 20 bis
etwa 700C hergestellt; vgl. US-PS 2 537 921. Die Verbindung 2
und verwandte Äther können durch Umsetzung des Alkalimetallalkoholats von 2-Hydroxymethyl-3j4-dihydro-2H-pyran mit ent-'
sprechenden Dihalogeniden hergestellt werden. Die Verbindungen 3 und 4 und verwandte Ester können durch Umsetzung von 2-Hydroxymethyl-3,4-dihydro-2H-pyran
mit den entsprechenden Dicarbonsäuren, Säurehalogeniden oder -anhydriden hergestellt werden.
Die Verbindung 5 und verwandte Ester können durch Umsetzung von 3,4-Dihydro-2H-pyran-2-carbonsäure mit den entsprechenden
zweiwertigen Alkoholen oder Phenolen hergestellt werden. Die . Verbindungen 6, 7 und 8 und verwandte Urethane können durch Umsetzung
von 2-Hydroxymethyl-3,4-dihydro-2H-pyran mit entsprechenden Diisocyanaten hergestellt werden. Die Verbindungen 9 und "10
und verwandte Amide können durch Umsetzung von 2-Amiripä4ßyl-3,4- ^
dihydro-2H-pyran mit entsprechenden Dicarbonsäureh, SHürehalc- ^*
geniden oder -anhydriden hergestellt werden; vgl. ' '" ,.VW·
- '■ »r{ '
US-PS 3 431 28 3. · ' )^
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.- 10-
* '<*. Verbindungen mit einer oder mehreren Hydroxylgruppen an aroma- ' ^
tischen Resten, die zur Herstellung der.hydrolyseempfindiichen - ·
1 organischen Verbindungen verwendet werden können-, sind einwer-
: tige und mehrwertige Phenole, <wjje Phenol, Kresole,- Xylenole, ~ψ,· ■
Brenzcatechin, Resorcin, Hydrochinon, Guajacol, Orein,
Pyrogallol, Phloroglucin, 1,2,4,5-Tetrahydroxybenzol, 2,2·-Dihydroxydiphenyl,
2,2», 4,4'-Tetrahydroxydiphenyl, 2\ 3-Dihydroxynaphthalin,
4,4'-Isopropylidendiphenol, 4,4'-0xydiphenol und
4,4'-SuIfonyldiphenol,
Beispiele für geeignete aromatische Monoalkylsulfonamide sind
» N-Meth/Tbenzolsulfonamid, W-Phenylbensolsulfonamid, N,2-Dimethylbenzolbw
fonamid, N-Methyl-2-trifluormethylbenzolsulfonamid,
K,2,4-TriEnethylbenzolsulfQnamidf NSN'-Din!ethyl-1 j4-benzQldisulfonamid,
N,Nf-Dimethyl-1,2-benzoldisulfonamid, N,Nf-1-Trimethyl-2,4-benzoldisulfonamid,
N^'-Dimethyl-bis-^-iN-methylsuiLfonamido)-phenyl/-methan
und 4,4'-Bis-(N-methylsulfonamido)-diphenyl.
. Beispiele für geeignete sekundäre aromatische Amine zur Herstellung
der hydrolyseempfindlichen wasserunlöslichen organischen Verbindungen sind Phenothiazin und a-Naphthylphenylamin.
Iv '"','OLe Additionsreaktion der Vinyläther enihaitenden'Verbindungen t.
<"''■.["v*'\an die Hydroxylgruppen oder MonoalkylGulfonamidpgruppen enthal-.
^ftenden aromatischen Verbindungen oder die sekundären aromati-
>;, '//sehen Λώϊηβ Phenothiazin und c-Naphthylphenylamin wird gewöhn-
^,v/r^ilicfoι Günter :-wöss;er?fri3ien Bedingungen in Gegenwart-- katalytischer
η* einer starken1 Säure r wie" Chlorwasserstoff, ,Bortr.ifluorid'
"; yj\£ !}f,oder ^Tölüo^sulförisäüre, durchgeführt. Diese Additionen'sind 6 \
- 11- -
im allgemeinen 1; ϊ 1 Additionsreaktionen; vgl,. z.B. J. Am.
Γ* Chem. Soc., Bd. W'i^k&i, Seiten 4187 bis 4189.
y1
., Λ ^Spezielle
produkte sirid^
2.
1 I
V* * ,.ii ·*' U
χ j ,« ;\i
/ή - ^m J:
- 12 -
11.
^pele für höhermolekulare Additionsprodukte mit
^empfindlichen Gruppen innerhalb der Hauptkette sind:,
XV^CH
r_N>-C (CH3 .)g^J
η /-λ Ί
O2
hat einen Wert von 2 Ms 40.
^Beispiele für höhermolekuläre Additionsprodukte jni£ hydrolysje-1
empfindlichen Gruppen an der Hauptketjbe sind die Addi&io.nspr.o,-
IJ ''' dukte von Vinyläthern oder Dihydropyrdrien der vorstehend be-ι
^ ! sphriebenen Art an Phenol-Far^aldehyd^Konden^ des
- 13 -
Novolactyps, z.B. der Formel
in der R die Gruppe
oder
/H-
-CHOC4H9
ist und η den Wert 1 bis etv/a 25 hat.
Die für die erfindungsgemäßen Stoffgemische brauchbaren Photoinitiatoren
reagieren unter Normalbedingungen praktisch neutral, d.h. weder sauer noch alkalisch, und in Abwesenheit von actinischer
Strahlung sind sie gegenüber den wasserunlöslichen organischen Verbindungen mit den hydrolyseempfindlichen Gruppen
chemisch inert. Außerdem haben sie einen genügend niedrigen Dampfdruck, so daß sie in dem lichtempfindlichen Stoffgemisch
vor der Belichtung mit actinischer Strahlung verbleiben, und sie sind ausreichend stabil, so daß sie sich unter normalen
Lagerbedingungen nicht zersetzen. Bei Belichtung mit actinischer Strahlung wird aus dem Photoinitiator durch Photolyse eine
Säure entwickelt.
Beispiele für geeignete Photoinitiatoren dieser Art sind Diazoniumsalze,
die bei Belichtung mit actinischer Strahlung sich unter Bildung einer Säure, z.B. einer Lewis-Säure,zersetzen;
vgl. US-PS 3 205 157. Bevorzugte Photoinitiatoren sind organi-
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sehe halogenhaltige Verbindungen, die bei Belichtung mit actinischer
Strahlung geeigneter Wellenlänge unter Spaltung eineV oder mehrerer Kohlenstoff-Halogen-Bindungen freie Halogenradikale
liefern. Diese freien Radikale schlagen aus ihrer Umgebung, z.B. einem polymeren Bindemittel oder der wasserunlöslichen organischen
Verbindung mit den hydrolyseempfindlichen Resten»Wasserstoff atome heraus. Bei der Vereinigung der Wasserstoffatome
mit den Halogenradikalen bildet sich Halogenwasserstoffsäure. Die Dissoziationsenergie der Kohlenstoff-Halogenbildung soll
etwa 40 bis 70 kcal/Mol betragen; US-PS 3 515 552 und 3 536 489.
.Spezielle..Beispiele für photolytisch-spaltbare organische halogenhaltige
Verbindungen sind Tetrabromkohlenstoff, Hexabromäthan,
«,aja-Trichloracetophenon, Tribromtrichlor'ithan,
Uj $u) ti*J -Tribromchinaldin, α,α,α-Tetrabrom-o-xylol, die bevorzugten
Halogenmethyl-s-triazine, wie 2,4-Bis-(trichlormethyl)-6-methyl-s-triazin
und 2s4,6-Tris-(trichlormethyl)-s-triazin, sowie
die besonders bevorzugten, durch chromophore Reste substituierten Vinylhalogenmethyl-s-triazine, die in der Patentanmeldung
P 22 43 621.1 beschrieben sind. Es handelt sich um photolysierbare s-Triazine mit mindestens einer Trihalogenmethylgruppe
und mindestens einem chromophoren Rest, der mit dem Triazinring über olefinische Doppelbindungen in Konjugation
steht. Ein spezielles Beispiel für diese Verbindungen ist 2,4-Bis-(trichlormethyl)-6-p-methoxystyryl-s-triazin dar Formel
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CIoC
3
3
-C C-CH=CH
Il I
Il I
Bas lichtempfindliche Stoffgemisch der Erfindung wird durch Auflösen
oder Dispergieren der Komponente (a) und (b) in einem Gewichtsverhältnis von etwa 1 : 1 bis 50 : 1, vorzugsweise 5 ! 1
bis etwa 25 : 1, in einem geeigneten Lösungsmittel hergestellt. Beispiele für geeignete Lösungsmittel sind Ketone, Ester, aro-...
raatische. Kohlenwasserstoffe, Alkohole, Äther und chlorierte
Kohlenwasserstoffe.
Lichtempfindliche Elemente, bei denen die erfindungsgemäßen Stoffgemische Verwendung finden, stellt man her, indem man sie
als Lösung oder Dispersion auf einen Schichtträger aufträgt,
z.B. mit Hilfe eines Rakelgießers, Im Tauchverfahren, mit Hilfe
von Ansprühwalzen oder durch Aufsprühen. Im allgemeinen kann man mit Schichtdicken von 1 um (0,05 mils) bis etwa 625 Jim
(25 mils) arbeiten. Vorzugsweise verwendet man Schichten von
bei
12 um bis etwa 125 um. Es ist selbstverständlich, daß man/diesen
Arbeiten in ähnlicher Yteise vorgeht wie bei der Herstellung
von lichtempfindlichem Aufzeichnungsmaterial, d.h. der
J Auftrag und die Bearbeitung der Schichten erfolgt bei gedämpftem
Licht.
Brauchbare Unterlagen oder Schichtträger sind z.B. Glas, Holz,
Papier, Textilstoffe, Kunststoffe und Metall. Man verwendet den
Schichtträger, der sich für das herzustellende lichtempfindli-
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ehe Element am besten eignet. FUr Diapositive zur Prüfung der
Farbwiedergabe z.B. sind geeignete Schichtträger Polyester, wie Polyäthylenterephthalat, Polyamide, wie Pclyhexämethyienadip-■ßmid,
Polyolefine, wie Polyäthylen und Polypropylen. Für Fhotoreservagen
oder Flachdruckplatten sind Metallfolien oder -platten geeignete Schichtträger, z.B. Kupfer, Aluminium, Zink
sowie mit Messing oder Kupfer plattiertes Material. Aluminiumplatten, deren Oberfläche mit einer Alkalisilikat-Vorpräparation
gemäß US-PS 2 714 066 versehen sind, stellen einen bevorzugten
Schichtträger zur Anfertigung von Flachdruckformen dar, die auf dem Prinzip der gegenseitigen Abstoßung von Wasser und
fetter Druckfarbe beruhen. Für trockene Filmreservagen sind
Polyäthylen, Polypropylen, Polyesterfolie oder .speziell vorbehandeltes
Papier geeignete Schichtträger. Falls erforderlich, kann die Unterlage oder der Schichtträger für das erfindungsgemäße
Stoffgemisch mit einer der üblichen Präparationen zum Schutz gegen Lichthof, zur Verbesserung des Haftens oder der
Adhäsion versehen werden.
Häufig ist es vorteilhaft, dem lichtempfindlichen Stoffgemisch
der Erfindung ein filmbildendes polymeres Bindemittel einzuverleiben. Sofern die hydrolyseempfindliche Komponente höhermolekular
ist, ist die Einverleibung eines polymeren Bindemittels gewöhnlich nicht erforderlich. Die Zähigkeit und Zugfestigkeit
kann jedoch durch Zusatz von bis zu etwa 0,5 Gewichtsteilen
polymerem Bindemittel je Gevichtsteil der hydrolyseempfindlichen komponente verbessert werden. Wenn die hydrolyseempfindliche
Komponente niedermolekular ist, können 5 bis etwa 20 oder mehr Gewichtsteile polymeres Bindemittel je Gewichtsteil der hydroly-
seempfindlichen Komponente verwendet werden, um fest zusammen-1
haltende, gleichmäßige,zähe Beschichtungen zu erhalten.
Beispiele für geeignete polymere Bindemittel sind Polyester, wie sie durch Umsetzung eines Polymethylehglykols mit einer Dicärbonsäure
erhalten werden, z.B. Poly-(hexamethylenadipat) und
Poly-(tetramethylenterephthalat), VinyÜdenchlorid-Copolymerisate, z.B. aus Vinylidenchlorid und Vinylacetat, Vinylidenchlorid
und Methylacrylat oder Vinylidenchlorid und Acrylnitril, Äthylen-Vinylacetat-Copolymerisate, Celluloseäther, wie Methylcellulose
und Äthylcellulose, Celluloseester, wie Celluloseacetat und Celluloseacetatbutjrat, Vinylester-Polymerisate, ·
z.B. aus Vinylacetat und Methylacrylat, Vinylacetat und Methylmethacrylat
oder Polyvinylacetat, Polyacrylate und. Polymethacrylates ter, wie Polyraethylmethacrylat, Polyvinylchlorid und dessen
Copolymerisate, z.B. aus Vinylchlorid und Vinylacetat, Polyvinylacetale, wie Polyvinylformal und Polyvinylbutyral,
Polyurethane und Polycarbonate.
Eine bevorzugte Klasse von polymeren Bindemitteln sind die alkalilöslichen
Phenol-Aldehyd-Kondensationsprodukte vom Novolactyp, wie sie in der US-PS 3 514 288 beschrieben sind.
V/ie vorstehend erläutert, erfolgt die Erhöhung der Löslichkeit
der bildmäßig belichteten Flächen durch eine säurekatalysierte Spaltung. Man erhält Flächen, die in Entwicklerlösungen leichter
löslich oder dispergierbar sind als die unbelichteten Flächen. Die Geschwindigkeit der säurekatalysierten Spaltung ?kannrt
durch etwa 15 bis 20 Sekunden dauerndes Erwärmen des beiic|ite« ν
ten Stoffgemischs auf etwa 120 bis 130 C wirksam beschiewnigt \
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^ //'i werden. Diese Erhöhung der Spaltungsgeschwindigkeit' ermöglicht^ { ;;\
ν eine Verringerung der erforderlichen Belichtungszeit, um ein ", <" ί
ί „ ,vergleichbares Ausmaß an Lösllchkeitsänderung^in-den belichte-
t ( ten Flächen zu erreichen. · ^*
ι Die zur Entwicklung des belichteten Stoffgemische der Erfindung
I verwendeten Entwicklerlösungen dürfen das unbelichtete Stoffgef
misch nicht auflösen oder entfernen=, Die jeweils verwendete Ent-Wicklerlösung
hängt von der Art des verwendeten lichtempfindlichen Stoffgemisches ab. Die Wahl der günstigsten Entwickler- v
lösung kann durch einige Vorversuche leicht bestimmt werden.
I Im allgemeinen wäscht ir alne Probe eines belichteten lichti
empfindlichen Elementes, das mit dem erfindungsgemäßan Stoffge-
I misch hergestellt wurde, mit einer'Reihe von Lösungen mit zu-I
- nehmendem Löslichkeitsparameter. Eine Besprechung der Löslich-
i · ■
I keitsparameter von Lösungsmitteln und eine Liste von Lösuögs- -
I mitteln, angeordnet mit zunehmendem LÖslichkeitsparahisfär1, isH;
I in I & EC Product Research and Development, Bd. θ {1)? 2' Ί
I veröffentlicht. Als Entwicklerlösung wird die Lösung
I deren Löslichkeitsparameter gerade gentigeiiä hoch ist, daß die
J1' belichteten Flächen des Elementes gelöst werden, während die
r unbelichteten Flächen nicht gelöst werden. Wenn Verbindungen
'c u/ mit einer oder mehreriön Hydroxylgruppen an"aromatischen Resten'
t^ zur Herstellung des .'lichtempfindlichen Ötofr'gemisches verwe«<ie€
j·/ ,,werden,'bilden^"sich,bei der Belichtung mit actinischer Strahlung
^ 'im aligemeinen phenolische Zersetzungsprodukte. r4es ist der
' %j Grund, wjir^rivj^äün^^ikwäßr^
'','■■ ' , gut* zur Eni^icklunjg; dieser beli^^ ^
If x werdtn können. Dies 1st besonder's der Fall bei Stoffgejnischen. \
>■■
^'^feie;Slk'amösliche fUmbildende polymere Binderafttel "entha'itenf'
;% 5! Geeignet ssinä*wäfirig alkalische Lösungen; die" Im allgemeinen' "*'
'/'/pfarei 1~bis 5 Gewichtsprozent* einer Base, z.B. eiher^norgan'l- '4'"*'
*'i?C ' ' ' \ - ' -
Rechen basischen Verbindung, wie Dinatriumphosphat/'Trj.natrium- *
.,,,,^phosphat, Natriumhydroxid oder Ammoniumhydroxid, oder ein
./finicht-fnichtiges organisches AmIn, wie TriMthanolamin, enthal-.
ten. s
Die optimale Konzentration an Alkali kann dadurch bestimmt wer-••den,
daß man zunächst eine belichtete Schicht des lichtempfind-'•"■•licher
Stoffgemisches mit einer schwach alkalischen Lösung,
' z.B. einer-etwa tprozentigen Lösung,wäscht. Wenn die belichtete
i
I Fläche sich nicht auflöst, werden Lösungen mit zunehmend höherer
I Fläche sich nicht auflöst, werden Lösungen mit zunehmend höherer
I Konrentration verwendet, bis die Konzentration gefunden wird,
I bei der die belichteten Flächen in Lösung geheny während die un-I
belichteten Flächen nicht angegriffen werden. Es kann vorteil-I haft sein, der wäßrig-alkalischen Lösung ein organisches LÖ-I
sungsmittel zuzusetzen, um eine bessere Benetzung und eine höhe-I
re Selektivität für den Entwickler zu erreichen. Beispiele für
I derartige organische Lösungsmittel sind wassermischbare LÖsungs-
'i mittel, wie Methanol, Äthanol, Propanol, Aceton, Dioxan, Tetra-
1 hydrofuran und Dimethylformamid. Das belichtete Stoffgemisch
läßt sich durch den Entwickler leicht entfernen, und-die Ablö-
* ■ ■■■ '.■·;· '■''■ . : Cr'-"' '<
· ~- Ύ ,~ 1^t- ftf ° ι
{p "< , K'sung kann durch gelindes Wischen oder Reiben der Fläche verbes-»'
'*, -'sert werden, insbesondere wenn das Stoff gemisch ^unlösliche Ee-
-)( [-standteile, wie Pigmente, enthält. - <.>.·''
*g , . Die Empfindlichkeit des lichtempfindlichen'
r>' ';- Erfindung■-'gegehüblfer·-""a'cti-nioeher'Strahlung einerv
-20~ '— 13« im
lenlänge kann durch; Einverleiben ^§ka0Lteir ajte^tralfr
satören· -für UVrLicht; undsiiphtbafesj Lichi^ verbesseret jtfie^dqn.
Beispiele £il?hdiese; Sensibilisatoren sind*Cyaninfarbstoffe,
Carbpcyanlne, Merocyanine* Styryl« und Acridinfarbstoffe, pplycyclische
aromatische Kohl^nwasser.stpffe,, Pplyaryiamine und
5aminosubstituierte Chalkone. Geeignete Cyaninfarbstoffe sind in .
der US-PS 3 495 987 beschrieben. Geeignete Styrylfarbstpffe .und ,,
Polyarylamine sind in dem Buch Light Sensitiv^ Systems von
.J. Kosar, J. Wiley and Sons (New York, 1965), Seiten 361 bis 369,beschrieben. Beispiele für polycyclisch« aromatische Kohlenwasserstoffe, die als Sensibilisatoren brauchbar sindj sind in
der US-PS 3 640 718 beschrieben. Ein Beispiel für eine solche Verbindung ist 2-Äthyl-9,10-dimethoxyanthracen. Als Sensibilisatoren
brauchbare aminosubstituierte Chalkone sind in der US-PS 3 617 288 beschrieben.
Die Beispiele erläutern die Erfindung. Teile beziehen sich auf das Gewicht, sofern nichts anderes angegeben ist.
Beispieli Herstellung einer positiven Flachdruckform.
Ein Stoffgemisch für Positivschichten wird bei gedämpftem Licht durch Vermischen folgender Bestandteile hergestellt:
jlOO Teile Methylethylketon, ' ■*-y"-*i ·; - -^y-.
10 Teile.5eines Krespl-Formaldehy^-K^ V*
(Alnovöl 429 K)
3 Teilei%is-2-tetrahydropyrariyiätheif idesί ^^•-isopx^opylid'endiphenols
und '
triazin. . ■
309 8 39/10« . . . ' :-
■'Hf
Das lichtempfindliche Gemisch wird auf eine mit Sllikat-Vorpräparation
versehene Aluminiumplatte (Alcoa 3003) (hergestellt
gemäß US-PS 2 71A 066) im Tauchverfahren so aufgetragen, daß
das Trockengewicht der Schicht 10 bis 14 mg/dm2 beträgt. Die
auf diese Weise erhaltene lichtempfindliche Platte kann sofort belichtet werden. Sie kann aber auch vor dem Gebrauch längere
Zeit unter Lichtausschluß aufbewahrt werden. Die lichtempfindliche Platte wird In einem Vakuumkopierrahmen hinter einem gewöhnlichen
Rasterpositiv und einem photographischen Stufenkeil mit der Transparenzabstufung 1 : ~)/~2. (im folgenden kurz ηΫ2-Stufenkeil"
genannt), im Abstand von 120 cm mit einer 90 Ampere Kohlenbogenlampe mit Reflektor (Graf-Bogenlampe)
15 Sekunden lang belichtet und anschließend entwickelt. Zu diesem
Zweck wird die Platte einige Minuten in Natronlauge eingetaucht, die auf einen pH-Wert von 13 abgepuffert ist. Dabei
werden die belichteten Teile des Bildes gelöst. Man kann diese Teile des Bildes mechanisch mit einer Bürste oder mit einem
Baumwolltampon abreiben. Der Lösungsprozess wird dadurch aber nicht merklich beschleunigt. Die erhaltene Kopie war durch
folgende Merkmale charakterisiert: Stufenkeil offen bis Stufe 3, d.h. die ersten dr.ei Bellchtungsstufen waren durch die Entwicklung
entfernt. Die kleinsten Punkte deckten 3 Prozent der maximal
möglichen Rasterpunktfläche ohne Dichteverlust, die restlichen 97 Prozent dieser Fläche waren völlig offen,
Die gemäß Beispiel 1 hergestellte Flachdruckform erlaubt mehr als 40 000 Drucke ohne Verlust an Bildqualität, wenn man sie
in einer Standard-Druckmaschine mit Üblicher Feuchtung und ge-, wohnlichen Druckfarben laufen läßt.
309839/1089
- 22 -
tfc
Beispiel 2
Herstellung eines farbigen Durchsichtsbildes und einer Positivflachdruckform
.Ein Stoffgemisch für Positivschichten wird bei gedämpftem Licht
durch Vermischen folgender Bestandteile hergestellt:
150 Teile Äthylendichlorid
1,12 Teile Polyvlnylformal (Formvar 12/85)
10 Teile Bis-2-tetrahydropyranyläther von 4,4»-Sulfonyl-
i diphenol
\ 2,25 Teile Watchung Rotpigment
% 1 Teil Hexabromäthan und
I 0,5 Teile Triphenylarain.
I · Das Gemisch wird in der Kugelmühle verarbeitet, bis es glatt
I 1st. Dann trägt man es mit einem Rakelgießer in 50 pn Dicke.auf
1 eine 75 yaa starke Polyäthylenterephthalat-Folie auf und läßt
die Schicht trocknen. Der trockene Film wird hinter einem
I photographischen Diapositiv im Abstand von 18 cm mit einer
I 500 Watt UV-Lampe H3T7 30 Sekunden lang belichtet. Der belichte-
J te Film wird anschließend entwickelt, indem man ihn mit einer
I Lösung auswäscht, die aus 25 Teilen n-Propanol, 70 Teilen Was-
$ ser und 5 Teilen Triäthanolamin besteht. Dabei werden die belieh-
I teten Partien der Schicht entfernt und es bleibt ein rot gefärb-
I tes Positiv übrig.
1 Venn man die Arbeitsweise von Beispiel 2 wiederholt und dabei
'·"_ anstelle des Watchung-Rotpigments gleiche Mengen anderer Pigmentfarbstoffe
verwendet, kann man Durchsichtsbilder in gewünschten Farbton erhalten.
301839/1089
*\Y
Wenn nsan die Arbeitsweise von Beispiel 2 wiederholt f das lichtempfindliche
Gemisch aber auf eine mit Silikat-Vorpräparatlon versehene Aluminiumplatte aufträgt, erhält man eine mit Bild
versehene Platte, die als Flachdruckform verwendet werden kann.
Dieses Beispiel erläutert die Herstellung eines beim Belichten
löslich werdenden Stoffgemischs, das mit Hilfe höhermolekularer Verbindungen hergestellt worden ist, bei denen die hydrolyse*
empfindlichen Gruppen an dem Molekül hängen.
Ein lichtempfindliches Stoffgemisch wird in gedämpftem Licht
durch Vermischen folgender Bestandteile hergestellt:
200 Teile Methylenchlorid
30 Teile Poly-2-tetrahydropyranyläther eines Phenol-Formaldehyd-Kondensats
(Novolac ET 345/1-300), hergestellt durch Umsetzung eines Phenol-Formaldehyd-Kondensats
mit Dihydropyran in Gegenwart von p-Toluolsulfonsäure als Katalysator
2 Teile Hexabromäthan und
1 Teil Triphenylamin.
1 Teil Triphenylamin.
Das lichtempfindliche Gemisch wird im Tauchverfahren auf eine mit Silikat vorpräparierte Aluminiumplatte so aufgetragen, daß
*"die Schicht ein Trockengewicht von 10 mg/dm aufweist. Danach
, . die Platte, die unter Lichtausschluß lange Zeit stabil ist,
einem photographischen Diapositiv im Abstand von 18 cm einer pOö Watt üV-Lampe K3T7 1 Minute belichtet. Die
#/wi£d du£ö# ÄüSwäächen der belichteten Flächen mit einer
entwickelt, die 35^ Teile n-Propanol, 1 Tei' Käliumhydroxid und
Teile Viasser enthält. Die entstandene Positiv-Druckform zeigt
j ein gut ausgeglichenes Verhalten gegenüber Druckfarbe und Wasser,
die unbelichteten Flächen nehmen leicht fett© Druckfarbe an.
Bel einer ebenso lichtempfindlich präparierten Platte, hinter
einem gewöhnlichen Y*2 Stufenkeil belichtet und wie vorstehend
beschrieben entwickelt, werden die ersten drei Stufen ausreichend löslich und beim Entwickeln aufgelöst.
Wenn man zur Herstellung des Stoffgemisches von Beispiel 3 anstelle
von Hexabromäthan eine äquivalente Menge an 2,4,6-Tris-(trichlcrmethyl)-s-triazin
mit Triphenylamin oder 2,4-Bis-(trichlormethyl)-6-(4-methoxystyryl)-s-triazin
ohne Triphenylamin verwendet, werden ähnliche Ergebnisse erhalten.
Beispiel 4 '
Dieses Beispiel erläutert die Herstellung eines lichtempfindlichen
Stoffgemisches aus höhermclekularen Verbindungen mit hydrolyseempfindlichen
Gruppen im Molekülgerüst.
Bei gedämpftem Licht werden folgende Bestandteile miteinander vermischt:
200 Teile Methylenchlorid
2,0 Teile Hexabromäthan
' 0,5 Teile 2-Äthyl-9,10-dimethoxyanthracen und
30 Teile eines Polymers, das auf die nachstehend geschilderte Weise hergestellt worden ist und
etv/a 6 bis 20 Grundbausteine der Formel
CH- CH^—0—C—
enthält.
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- 25 -
Das lichtempfindliche Gemisch wird im Tauchverfahren auf eine mit Silikat-VorprMparation versehene Aluminiumplatte derart
aufgetragen, daß das Trockengewicht etwa 12 mg/dm beträgt. Man belichtet diese Platte hinter einem "(2 Stufenkeil im Abstand
von 18 cm mit einer 500 Watt UV-Lampe H3T7 1 Minute lang und wäscht anschließend mit einer Entwicklerlösung, die aus 100 ml
Wasser, 25 ml n-Propanol und 0,5 g Kaliumhydroxid besteht.
Dabei werden die ersten vier Felder der Stufenkeilkopie entfernt.
Auf diese Weise hergestellte Flachdruckplatten zeigen ein gut ausgewogenes Verhalten gegenüber Wasser und Druckfarbe
und ergeben in einer gewöhnlichen Offsetpresse zufriedenstellende Drucke.
Die höhermolekulare Verbindung mit Arylacetalgruppen im Molekülgerüst
wird durch Zusatz von 0,25 nsl mit wasserfreiem Chlorwas=
serstoff gesättigtem Äther zu einer Lösung von 8,0 g (0,02 MoIJ
der Verbindung der Formel
Γϊ ^U ^
uHg-u-G-N:
und 2,2 g (0.02 Mol) Resorcin in 100 ml Benzol bei 25°C unter
Rühren hergestellt. Nach einigen Stunden scheidet sich eine vis-i kose Fällung ab. Nach 12 Stunden wird das Geraisch mit Äthylace-r y .
tat versetzt. Die Fällung geht in Lösung und die erhaltene Lö- V Ψ'
sung wird mit Iprozentiger Natronlauge gewaschen und über Mag- *>{ ,
nesiumsulfat getrocknet. Nach dem Verdampfen des Lösungsmittels. & . erhält
man 10,4 g eines harzartigen Produktes, das nach Exträk--,V '
tion mit wasserfreiem Äther 8,5 g eines weißen, harzartigen ·
309839/1019
V Feststoffes mit einem Erweichungspunkt von etwa 1000C* liefertί!! ^
f- Dieser Feststoff ist auf Grund der IR-Ähalyse ein 1 : 1 Poly-* ****.
meraddukt. Bei der Gelpermeationschrpmatographie, dieses Materi- .<,
als mit einem anionischen Polystyrol als Vergleichssubstanz,er- 4
hält man folgende Werte(in Angström-Einheiten)„ An = 106s
Aw =211 und ρ = 2.
Dieses Beispiel erläutert die Herstellung eines lichtempfindll- |i chen Stoffgemisches mit einem Additionsprodukt eines Alkylvinyli
äthers an ein N-Methylarylsulfpnamid als hydrolyseempfindliche ,
|, . organische Verbindung. ....
I Bei gedämpftem Licht werden folgende Verbindungen miteinander
I gelöst:
I 200 Teile Äthylendichlorid
p 10 Teile N-(2-Tetrahydropyranyl)-N-äthylbenzplsulfönamid
X 1 Teil Hexabröüiäthan
I 2 Teile Alkali Red RT-534-Pigment und
S 0,5 Teile Triphenylamin
% Das lichtempfindliche Gemisch wird mit Hilfe eines Rakelgießers
i mit einer Naßdicke von 75 um auf einen Polyesterfilm von 75
aufgetragen, wach 16- bis ISstündigem Trocknen bsi etwa 2f/°i
(,' " wird der trockene Film hinter einem phpY$j>gr;aphi:a
\ im Abstand von 18 cm mit einer 5P0 Watt yv^Lampe
'r belichtet. Die belichteten Flächer) werden danach
; waschen. Es hinterbleibt ein rotgefärbtes Posit^jf,. *i? ;i. -^ : s>*
'; Beispiel^
'■ In diesem Beispiel ist die Verwendung des lichtempfindlichen
- . Stoff gemisches zur Herstellung von lichtempfindlichen Elementen,'
i- ' * t
309839/1089
be schrieben, die? zur. Prüfung, der JPärbwiedergabe von- Farbaus-/ugspositiveft
verendet werden. .
Bei gedämpftem Licht werden folgende Verbindungen miteinander"
•gelöst:
i; ,,,, , ; 40,0 Teile eines Kresoi-Formaldehyd-Kondensats
[' '[ (Alnovol 429K)
12,0 Teile Bis-2-tetrahydropyranyläther von 4,4*
dendiphenol
2,,O Teile 2^4-Bis-(trichlormethyl)-6-(4-.methoxystyryl)-s-
2,,O Teile 2^4-Bis-(trichlormethyl)-6-(4-.methoxystyryl)-s-
triazin und
200 Teile Methylethylketon.
200 Teile Methylethylketon.
Die Lösungen werden in vier gleiche Teile A, B, C und D unterteilt.
Danach werden folgende vordispergierten Pigmente in /jeinem Vinylpolymerisat in einer Menge von 2,5 Teilen in
10 Teilen Methylethylketon homogen eingerührt. Es wurden folgende Pigmente verwendet:
Phthalo-Blue V4PB-7413 (2193)-
Flavanthrone Yellow Granules VYP4-7385 (2448) Perylene Red Medium Granules V4PR-7006 (2373) und
Carbon-Black Jet Granules V4PK-7301 (2473).
erhaltenen
Die Lösungen A, B, C und D werden dann mit Hilfe eines Rakelgießars
in einer Naßdicke von 75 um auf einen Polyesterfilm der
Dicke 50 um aufgetragen und bei Raumtemperatur getrocknet.'- >
*· „ / 'Danach Werden die Filme hinter einem Satz'von photographischen <
''x 'F' v ' ', 'Farbauszugpositiven 60 Sekunden in einem Colight-MVX-Kopier'rah-'^
men belichtet, der mit einer nicht mattierten Quecksilberlampe1'·*'"
■u jv TypH4OOA33-1/T16 ausgestattet ist. Die belichteten Teile der
V\ ^ Kopien v/erden mit einer 1 : 4 mit Wasser verdünnten alkalischen
," '„ Lösung -ausgöwa sehen-, die im Handel unter der Bezeichnung ' ·, " ·
A ^
309839/1089 ; /%* ,
- 28 -
yon der Shipley ßompany, Inc); zu*befziehen- Sst>
Legt "man |fcie"Irhaiterien· Kopien paßgerecht übereinander, so erhält
man ein farbiges i;Bjifld'-.-r dessen Vergleich mit dem Original über ]' '
die Farbwiedergabe des benutzten Satzes, von Färbäuszügpositiven
Aufschluß gibt. .
In diesem Beispiel wird ein lichtempfindliches Stoffgemisch
erläutert, das als hydrolyseempfindliche Verbindung aas AJditionsprodukt
eines Alkylvinyläthers an ein sekundäres aromatisches Amin enthält. Bei gedämpftem Licht werden folgende Verbindungen
miteinander gelöst: . .
10 Teile Methyläthylketon
0,3 Teile N-(2-Tetrahydropyranyl)-phenothiazin
0,03 Teile 2,4-Bis-(trichlorm3thyl)-6-(4-methoxystyryl)-
s-triazin und
0,01 Teile p4fricyanvinyl)-N,N-dimethylanilin.
0,01 Teile p4fricyanvinyl)-N,N-dimethylanilin.
Das Stoffgemisch wird dann mit Hilfe eines Rakelgießers in einer waßdioke von 50 um auf einen Polyesterfilm von 75 «m aufgetragen.
Die getrocknete Beschichtung wird hinter einem Diapositiv in einem Abstand von 18 cm 30 Sekunden mit einer 500 Watt UV-Lampe
H3T7 belichtet. Die belichteten Teile der Kopie werden mit einer 1 : 1 -Lösung von Äthanol und Wasser ausgewaschen. Es hinterbleibt
ein positives rotes Bild in den unbelichteten Flächen.
Ähnliche Ergebnisse werden bei Verwendung von1N-(2-Tetrahydro- *
^'y-<pyranyl)-N-(a-naphthyl)-N-pheny/lamin anstelle von N-(2-Tetra-/^:hydropyranyl)-phenothiazin
erhalten./
• ■£
Beispiel 8 «^ ^
Dieses Beispiel erläutert die Herstellung einer Phctoreservage
durch Auftragen eines erfindungsgemäßen Stoffgeralsches auf metall-beschichteten Karton für elektrische Schaltungen.
Bei gedämpftem Licht warden folgende Verbindungen miteinander vermischt:
50,0 Teile Methyläthylketon
10,0 Teile Kresol-Formaldehyd-Kondensat (Alnovol 429K) 3,0 Teile Bis-2-tetrahydropyranyläther von 4,4'-Isopropy-
lidendiphenol
0,5 Teile 2-(p-Methoxystyryl)~4,6-bis-(trichlormethyl)-s-
0,5 Teile 2-(p-Methoxystyryl)~4,6-bis-(trichlormethyl)-s-
triazin und
0,3 Teile p-Tricyanvinyl-NjN-dimethylanilin.
0,3 Teile p-Tricyanvinyl-NjN-dimethylanilin.
Das Gemisch wird mit Hilfe eines Rakelgießers auf einen üblichen,
mit Kupfer plattierten Karton für gedruckte Schaltungen mit einem Trockengewicht von etwa 10 mg/dm aufgetragen. Hierauf wird
1 Minute hinter einem·photographischen Negativ in einem Colight-MVX-Kopierrahmen
belichtet, der mit einer Quecksilberlampe des Typs H400A33-1/T16 ausgerüstet ist. Die belichteten Flächen werden
mit 0,5prozentiger Natronlauge ausgewaschen. Dabei bleibt das nicht belichtete Feld farbig stehen und kann zur visuellen
Kontrolle dienen. Anschließend wird das Kupfer in üblicher Weise mit einer Eisen(III)-Chloridlösung von 42° Baume geätzt. T-fan
erhält ein Schaltungsmuster von guter Qualität und Auflösung .
Dieses Beispiel erläutert die Herstellung eines Bildes mit Hilfe
einer durch Belichten löslich werdenden Schicht durch Adhäsionsübertragung auf eine Ubertragfolie.
λ /-. λ λ »» λ ι λ λ a λ
Bei gedämpftem Licht werden folgende Verbindungen miteinander vermischts
400 Teile Athylendichlorid
20 Teile Bis-(2-tetrahydropyranyl)-äther von 4,4'-SuIfo-
20 Teile Bis-(2-tetrahydropyranyl)-äther von 4,4'-SuIfo-
nyldiphenol
2 Teile Hexabromäthan
1 Teil Triphenylamin und
4 Teile Alkali Red RT-534 Pigment.
2 Teile Hexabromäthan
1 Teil Triphenylamin und
4 Teile Alkali Red RT-534 Pigment.
Das Pigment wird in einer Kugelmühle in dem Lösungsmittel vordispergiert,
bevor die anderen Bestandteile zugegeben werden. Danach wird das Gemisch mit Hilfe eines Rakelgießers in einer
Naßdicke .von 50 pni auf einen Polyesterfilm der Dicke 75 um aufget
agen und bei Raumtemperatur getrocknet. Hierauf wird die Beschichtung 1 Minute hinter einem Positiv mit einer 500 Watt
UV-Lampe H3T7 in einem Abstand von 13 cm belichtet.
Das Bild wird hervorgebracht, indem man einen klebfähigen Film auf die belichtete Schicht aufkaschiert und ihn danach wieder
abzieht. Die belichteten Flächen bleiben dabei auf dem ursprünglichen Schichtträger zurück und ergeben ein negatives Bild. Die
unbelichteten Flächen werden auf den aufgeklebten Film übertragen und liefern ein positives Bild.
Bei Verwendung einer Druckwalze lassen sich die belichteten Flächen
auch auf andere Schichtträger übertragen, z.B. auf Aluminium oder Papier.
Dieses Beispiel erläutert die Herstellung einer trockenen positiven
Filmreservage, die zum übertragen auf einen zweiten Schichtträger geeignet ist,
JU9B4«rivvw
Bei gedämpftem Licht werden folgende Verbindungen miteinander gelöst?
d1 100 Teile Toluol
14 Teile eines Kresol-Formaldehyd-Kondensats m (Alnovol 429K;
12 Teile einer 50prozentigen Lösung von Polyvinylmethyläther
in Toluol (Gantrez M555J
x< 10 Teile Bis~(2-tetrahydropyranyl,)-äi;her von Bisphenol A
und
0,45 Teile 2,4-Bis-(trl-chlormethyl,)-6-(4-methoxystyryi;-striazin.
Die Lösung wird mit Hilfe eines Rakelgießers in einer Naßdicke von 100 um auf einen 100 um dicken Polyäthylenfiüm aufgetragen
und 10 Minuten bei etwa 650C getrocknet.
Die positive Filmreserväge wird zur Herstellung einer elektronischen
Schaltung verwendet, indem man die Reservage auf ein biegsames, mit Kupfer überzogenes Material für elektrische Schaltungen
aufkaschiert. Der Polyäthylenfilm läßt sich danach leicht
abziehen, wobei die Reservageschicht auf der Kupferoberfläche
haften bleibt. Auf die übertragene Schicht legt man eine der Schaltung entsprechende Schablone und belichtet 2 1/2 Minuten
lang im Abstand von 60 cm mit einer 2000 Watt UV-Lampe. Danach
,wird 2 Minuten mit Iprozentiger Natronlauge entwickelt.
Das an den belichteten Stellen freigelegte Kupfer wird hierauf ''■■':" in üblicher V/eise elektrolytisch vergoldet. Die übriggebliebene
■■■'Z,, ^Resarvageschicht wird sodann belichtet und mit Entwicklerlösung
weggewaschen. Mikroph'otographische Aufnahmen des vergoldeten
301839/1089
Musters zeigten eine ausgezeichnete Auflösung bei 100 ym breiten Strichen mit 75 um breiten Abständen in der Schaltung.
Das vorstehend beschriebene Verfahren läßt sich ebensogut durchführen, wenn man als Reservageträger PolypropylenfoHe benutzt.
Das erfindungsgemäße Stoffgemisch kann noch Füllstofie enthalten,,
wie TiO2, Glaspulver, kolloidalen Kohlenstoff, Graphit, Phosphorteilchen,
keramisches Material, Ton, Metallpulver, wie Aluminium*
Kupfer, magnetisierbares Eisen, Bronze oder nicht-mischbare pulverisierte oder faserige,natürliche oder synthetische Polymere,
Als weiterer Zusatz kann ein Weichmacher verwendet werden, der erwünschte Eigenschaften verleiht, z.B. Biegsamkeit. Beispiele
für geeignete Weichmacher sind Dibutylphthalat, Triäthylenglykoldiacetat, Dimethylsulfüxid und Polyäthylenglykolsuccinat.
Claims (1)
- Patentanspr ü c heIy Durch Belichten löslich werdendes Stoffgemiech, gekennzeichnet durch einen Gehalt an (a) einer wasserunlöslichen organischen Verbindung, die mindestens eine durch Säure spaltbare Bindung der allgemeinen FormelH<enthält, in der Z den Rest -OAr, -NRSO2Ar,oderdarstellt und Ar ein einwertiger oder zweiwertiger aromatischer Rest und R ein niederer Alkylrest ist, sowie (b) einer photolytisch spaltbaren, eine Säure liefernden Verbindung als Photoinitiator.Z. Stoffgemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die wasserunlösliche organische Verbindung(a) mindestens eine Gruppe der allgemeinen Formel{ttnbn) χ-Κι I
R3X-^ ^G-Zί -■■' " O^ Hm 'enthält, in der η den Wert 0, 1, 2 oder 3 hat und wenn η den Wert 0 hat, X und Y Methylengruppen (-CHp-) und R1 ein Was- serstoffatom oder einen niederen Alkylrest bedeuten 9 und wenn η den Wert 1, 2 oder 3 hat, X und Y Fethingruppen (-CH-), H1 ein Wasserstoffatom und R2 ein Wasserstoffatom oder einenά a a a *% α y «a 4\ Ά Α'■«niederen Alkylrest bedeuten» und R* ein Wasserstoffatom, einen einwertigen aliphatischen oder einen zweiwertigen organischen Rest und Z den Rest -OAr, -NRSOgAr,oderdarstellt, und Ar ein einwertiger oder zweiwertiger aromati»^ scher Rest und R ein niederer Alkylrest ist.3. Stoffgemisch nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß I die wasserunlösliche organische Verbindung das Reaktionsprodukt f einer riucleophiien AdditionΓ . (a) einer organischen Verbindung mit mindestens einer Alkylvinyl-I . äthergruppe undI (b) einem einwertigen oder mehrwertigen Phenol, einem aromati-I sehen Monoalkylsulfonamld, Phenothiazin oder a-Naphthylphenylamin ist.4. Stoffgemisch nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Alkylvinyläthergruppe eine Dihydropyrangruppe ist.5. Stoffgemisch nach Anspruch 2* dadurch gekennzeichnet, daß die wasserunlösliche organische Verbindung das Reaktionsprodukt" einer nucleophilen Addition(a) einer organischen Verbindung mit mindestens einer Alkylvinyl- ^ -, äthergruppe und(b) einer aromatischen Dihydroxyverbindung ist.6. Stoffgemisch nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Alkylvinyläthergruppe eine Dihydropyrangruppe ist.7. Stoffgemisch nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Photolnitiator eine unter Normalbedingungen neutral reagierende stabile halogenhaltlge organische Verbindung ist,.8. Stoffgemisch nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß· der Photoinitiator ein Halogenmethyl-s-trlazin oder ein s-Triazin mit mindestens einer Trihalogenmethylgruppe und mindestens einem chromophoren Rest ist, der mit dem Triazinring über olefinische Doppelbindungen in Konjugation steht, oder eine halogenhaltige aliphatisch^, arylaliphatische oder hefceroarylali· phatische organische Verbindung ist.ψ 9· Verwendung des Stoffgemisches nach Anspruch 1 bis 8 in j lichtempfindlichen Elementen.10« Lichtempfindliches Element, bestehend aus einem Träger, auf dem ein durch Belichten löslich werdendes Stoff^erftisch gemäß1 An- ": spruch 1 bis 8 aufgebracht ist.3G9839/1O8
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US22491872A | 1972-02-09 | 1972-02-09 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2306248A1 true DE2306248A1 (de) | 1973-09-27 |
DE2306248B2 DE2306248B2 (de) | 1974-05-16 |
DE2306248C3 DE2306248C3 (de) | 1974-12-12 |
Family
ID=22842769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2306248A Expired DE2306248C3 (de) | 1972-02-09 | 1973-02-08 | Durch Belichten löslich werdendes StofFgemisch und lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3779778A (de) |
JP (1) | JPS5236442B2 (de) |
CA (1) | CA1007094A (de) |
DE (1) | DE2306248C3 (de) |
FR (1) | FR2182844B1 (de) |
GB (1) | GB1414579A (de) |
IT (1) | IT977258B (de) |
NL (1) | NL149915B (de) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2305757A1 (fr) * | 1975-03-27 | 1976-10-22 | Hoechst Ag | Matiere a copier sensible aux radiations |
EP0249139A2 (de) * | 1986-06-13 | 1987-12-16 | MicroSi, Inc. (a Delaware corporation) | Lackzusammensetzung und -anwendung |
EP0284868A2 (de) * | 1987-03-30 | 1988-10-05 | MicroSi, Inc. (a Delaware corporation) | Photolackzusammensetzung |
EP0424124A2 (de) * | 1989-10-18 | 1991-04-24 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Positive arbeitende Fotolackzusammensetzungen |
EP0424766A2 (de) * | 1989-10-27 | 1991-05-02 | BASF Aktiengesellschaft | Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefmustern |
EP0480311A1 (de) * | 1990-10-10 | 1992-04-15 | BASF Aktiengesellschaft | Strahlungsempfindliches Gemisch enthaltend säurelabile Gruppierungen und Verfahren zur Herstellung von Reliefmustern und Reliefbildern |
US6190825B1 (en) | 1998-01-30 | 2001-02-20 | Agfa-Gevaert N.V. | Polymers containing N-substituted maleimide units and their use in radiation-sensitive mixtures |
Families Citing this family (364)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3917483A (en) * | 1973-11-01 | 1975-11-04 | Xerox Corp | Photoinduced acid catalyzed depolymerization of degradable polymers |
US3915704A (en) * | 1973-11-01 | 1975-10-28 | Xerox Corp | Photoinduced, acid catalyzed degradation of degradable polymers |
US3964907A (en) * | 1973-11-12 | 1976-06-22 | Xerox Corporation | Method for the preparation of relief printing masters |
US3915706A (en) * | 1974-03-11 | 1975-10-28 | Xerox Corp | Imaging system based on photodegradable polyaldehydes |
US3984253A (en) * | 1974-04-22 | 1976-10-05 | Eastman Kodak Company | Imaging processes and elements therefor |
US4007047A (en) * | 1974-06-06 | 1977-02-08 | International Business Machines Corporation | Modified processing of positive photoresists |
US3923514A (en) * | 1974-06-27 | 1975-12-02 | Xerox Corp | Method for the preparation of relief printing masters |
US4189323A (en) * | 1977-04-25 | 1980-02-19 | Hoechst Aktiengesellschaft | Radiation-sensitive copying composition |
DE2718254C3 (de) * | 1977-04-25 | 1980-04-10 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Strahlungsempfindliche Kopiermasse |
DE2829512A1 (de) * | 1978-07-05 | 1980-01-17 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern |
DE2829511A1 (de) * | 1978-07-05 | 1980-01-24 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern |
JPS5569265A (en) * | 1978-11-15 | 1980-05-24 | Hitachi Ltd | Pattern-forming method |
US4356252A (en) * | 1979-12-26 | 1982-10-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photosensitive negative-working tonable element |
US4294909A (en) * | 1979-12-26 | 1981-10-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photosensitive negative-working toning process |
US4391687A (en) * | 1980-02-14 | 1983-07-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photoactive mixture of acrylic monomers and chromophore-substituted halomethyl-1-triazine |
US4330590A (en) * | 1980-02-14 | 1982-05-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photoactive mixture of acrylic monomers and chromophore-substituted halomethyl-2-triazine |
DE3023201A1 (de) * | 1980-06-21 | 1982-01-07 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch |
DE3038605A1 (de) * | 1980-10-13 | 1982-06-03 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von reliefkopien |
DE3039926A1 (de) * | 1980-10-23 | 1982-05-27 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung einer druckform aus dem kopiermaterial |
US4460677A (en) * | 1981-03-26 | 1984-07-17 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Visible light sensitive, thermally developable imaging systems |
US4365019A (en) * | 1981-08-06 | 1982-12-21 | Eastman Kodak Company | Positive-working resist quinone diazide containing composition and imaging method having improved development rates |
DE3151078A1 (de) * | 1981-12-23 | 1983-07-28 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von reliefbildern |
US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
JPH0617991B2 (ja) * | 1983-06-22 | 1994-03-09 | 富士写真フイルム株式会社 | 光可溶化組成物 |
JPS6096112U (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-01 | 愛知機械工業株式会社 | 自動車用サンバイザ− |
EP0164083B1 (de) * | 1984-06-07 | 1991-05-02 | Hoechst Aktiengesellschaft | Positiv arbeitende strahlungsempfindliche Beschichtungslösung |
DE3445276A1 (de) * | 1984-12-12 | 1986-06-19 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Strahlungsempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung einer flachdruckform |
JPS61141442A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光可溶化組成物 |
US4737426A (en) * | 1985-05-15 | 1988-04-12 | Ciba-Geigy Corporation | Cyclic acetals or ketals of beta-keto esters or amides |
US4968581A (en) * | 1986-02-24 | 1990-11-06 | Hoechst Celanese Corporation | High resolution photoresist of imide containing polymers |
US4837124A (en) * | 1986-02-24 | 1989-06-06 | Hoechst Celanese Corporation | High resolution photoresist of imide containing polymers |
US5362607A (en) * | 1986-06-13 | 1994-11-08 | Microsi, Inc. | Method for making a patterned resist substrate composite |
US5310619A (en) * | 1986-06-13 | 1994-05-10 | Microsi, Inc. | Resist compositions comprising a phenolic resin, an acid forming onium salt and a tert-butyl ester or tert-butyl carbonate which is acid-cleavable |
DE3621376A1 (de) * | 1986-06-26 | 1988-01-07 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
JP2719909B2 (ja) * | 1986-07-02 | 1998-02-25 | コニカ株式会社 | 感光性組成物および感光性平版印刷版 |
US4684599A (en) * | 1986-07-14 | 1987-08-04 | Eastman Kodak Company | Photoresist compositions containing quinone sensitizer |
US4939070A (en) * | 1986-07-28 | 1990-07-03 | Brunsvold William R | Thermally stable photoresists with high sensitivity |
US4931379A (en) * | 1986-10-23 | 1990-06-05 | International Business Machines Corporation | High sensitivity resists having autodecomposition temperatures greater than about 160° C. |
JPS63265242A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 多色画像形成方法 |
DE3716848A1 (de) * | 1987-05-20 | 1988-12-01 | Hoechst Ag | Verfahren zur bebilderung lichtempfindlichen materials |
US4810613A (en) * | 1987-05-22 | 1989-03-07 | Hoechst Celanese Corporation | Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists |
US5081001A (en) * | 1987-05-22 | 1992-01-14 | Hoechst Celanese Corporation | Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists |
US4962171A (en) * | 1987-05-22 | 1990-10-09 | Hoechst Celanese Corporation | Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists |
DE3717933A1 (de) * | 1987-05-27 | 1988-12-08 | Hoechst Ag | Photopolymerisierbares gemisch, dieses enthaltendes aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von hochwaermebestaendigen reliefstrukturen |
DE3725741A1 (de) * | 1987-08-04 | 1989-02-16 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch |
DE3725949A1 (de) * | 1987-08-05 | 1989-02-16 | Hoechst Ag | Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von negativen reliefkopien |
DE3821585A1 (de) * | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung |
DE3730787A1 (de) * | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE3730785A1 (de) * | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE3730783A1 (de) * | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE3737734A1 (de) * | 1987-11-06 | 1989-05-18 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
DE3810631A1 (de) * | 1988-03-29 | 1989-10-12 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial mit hohem waermestand |
DE3817009A1 (de) * | 1988-05-19 | 1989-11-30 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern |
DE3817012A1 (de) * | 1988-05-19 | 1989-11-30 | Basf Ag | Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern |
EP0347381B1 (de) * | 1988-06-13 | 1992-02-12 | Ciba-Geigy Ag | Ungesättigte beta-Ketoesteracetale und ihre Anwendungen |
DE3820699A1 (de) * | 1988-06-18 | 1989-12-21 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE3827901A1 (de) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
US5116977A (en) * | 1988-09-07 | 1992-05-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Halomethyl-1,3,5-triazines containing an amine-containing moiety |
US5187045A (en) * | 1988-09-07 | 1993-02-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Halomethyl-1,3,5-triazines containing a sensitizer moiety |
EP0359431B1 (de) * | 1988-09-07 | 1993-12-22 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sensibilisatorteil enthaltende Halogenmethyl-1,3,5-Triazine |
US5153323A (en) * | 1988-09-07 | 1992-10-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Halomethyl-1,3,5-triazines containing a photoinitiator moiety |
US5034526A (en) * | 1988-09-07 | 1991-07-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Halomethyl-1,3,5-triazines containing a sensitizer moiety |
US4985562A (en) * | 1988-09-07 | 1991-01-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Halomethyl-1,3,5-triazines containing an amine-containing moiety |
US5387682A (en) * | 1988-09-07 | 1995-02-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Halomethyl-1,3,5-triazines containing a monomeric moiety |
JPH02275956A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-11-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
JP2661671B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1997-10-08 | 株式会社日立製作所 | パタン形成材料とそれを用いたパタン形成方法 |
DE69029104T2 (de) | 1989-07-12 | 1997-03-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Polysiloxane und positiv arbeitende Resistmasse |
JPH0325326U (de) * | 1989-07-21 | 1991-03-15 | ||
DE3927632A1 (de) * | 1989-08-22 | 1991-02-28 | Basf Ag | Umsetzungsprodukt, verfahren zu dessen herstellung und damit erhaltenes strahlungsempfindliches material |
DE3930086A1 (de) * | 1989-09-09 | 1991-03-21 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE3930087A1 (de) * | 1989-09-09 | 1991-03-14 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE3940911A1 (de) * | 1989-12-12 | 1991-06-13 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung negativer kopien |
DE3940965A1 (de) * | 1989-12-12 | 1991-06-13 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefstrukturen |
DE4002397A1 (de) * | 1990-01-27 | 1991-08-01 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE4003025A1 (de) * | 1990-02-02 | 1991-08-08 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen |
DE4004719A1 (de) * | 1990-02-15 | 1991-08-22 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen |
DE4006190A1 (de) * | 1990-02-28 | 1991-08-29 | Hoechst Ag | Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE4007924A1 (de) * | 1990-03-13 | 1991-09-19 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
US5145764A (en) * | 1990-04-10 | 1992-09-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive working resist compositions process of exposing, stripping developing |
US5206317A (en) * | 1990-04-10 | 1993-04-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resist material and process for use |
US5219711A (en) * | 1990-04-10 | 1993-06-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive image formation utilizing resist material with carbazole diazonium salt acid generator |
US5252427A (en) * | 1990-04-10 | 1993-10-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive photoresist compositions |
US4985332A (en) * | 1990-04-10 | 1991-01-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resist material with carbazole diazonium salt acid generator and process for use |
US5212047A (en) * | 1990-04-10 | 1993-05-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resist material and process for use |
US5262281A (en) * | 1990-04-10 | 1993-11-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resist material for use in thick film resists |
KR950002874B1 (ko) * | 1990-06-25 | 1995-03-27 | 마쯔시다덴시고오교오 가부시기가이샤 | 광 또는 방사선감응성 조성물과 패턴형성방법과 포토마스크의 제조방법 및 반도체 |
EP0467841A3 (en) * | 1990-07-18 | 1992-10-28 | Ciba-Geigy Ag | Benzoic acid ester comprising an olefinically unsaturated substituant |
US5166405A (en) * | 1990-07-18 | 1992-11-24 | Ciba-Geigy Corporation | Benzoates containing a substituent having olefinic unsaturation |
JPH0480758A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
ATE137231T1 (de) * | 1990-09-13 | 1996-05-15 | Ocg Microelectronic Materials | Säurelabile lösungsinhibitoren und darauf basierende positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche zusammensetzung |
DE4106356A1 (de) * | 1991-02-28 | 1992-09-03 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliche polymere mit naphthochinon-2-diazid-4-sulfonyl-gruppen und deren verwendung in einem positiv arbeitenden aufzeichnungsmaterial |
DE4106357A1 (de) * | 1991-02-28 | 1992-09-03 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliche polymere mit 2-diazo-1,3-dicarbonyl-gruppen, verfahren zu deren herstellung und verwendung in einem positiv arbeitenden aufzeichnungsmaterial |
EP0502819A1 (de) * | 1991-03-01 | 1992-09-09 | Ciba-Geigy Ag | Säurekatalytisch vernetzbare Copolymere |
EP0501919A1 (de) * | 1991-03-01 | 1992-09-02 | Ciba-Geigy Ag | Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen auf der Basis von Polyphenolen und Acetalen |
DE4112968A1 (de) * | 1991-04-20 | 1992-10-22 | Hoechst Ag | Saeurespaltbare verbindungen, diese enthaltendes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE4112971A1 (de) * | 1991-04-20 | 1992-10-22 | Hoechst Ag | Sulfonsaeureester von 2,4,6-tris-(2-hydroxy-ethoxy)-(1,3,5)triazin, ein damit hergestelltes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial |
DE4112966A1 (de) * | 1991-04-20 | 1992-10-22 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
JP2662141B2 (ja) * | 1991-05-20 | 1997-10-08 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | デバイスの製造方法 |
DE4120173A1 (de) * | 1991-06-19 | 1992-12-24 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
EP0537524A1 (de) * | 1991-10-17 | 1993-04-21 | Shipley Company Inc. | Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen und Verfahren |
JPH05205989A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Hitachi Ltd | リソグラフィ法及び半導体装置の製造方法 |
DE4202845A1 (de) * | 1992-01-31 | 1993-08-05 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
US5342734A (en) * | 1992-02-25 | 1994-08-30 | Morton International, Inc. | Deep UV sensitive photoresist resistant to latent image decay |
US5580695A (en) * | 1992-02-25 | 1996-12-03 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Chemically amplified resist |
JP2944296B2 (ja) | 1992-04-06 | 1999-08-30 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性平版印刷版の製造方法 |
JPH05323682A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-07 | Konica Corp | 印刷版の製版方法 |
US5374501A (en) * | 1992-08-17 | 1994-12-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Alkali soluble photopolymer in color proofing constructions |
EP0599779A1 (de) * | 1992-10-29 | 1994-06-01 | OCG Microelectronic Materials AG | Hochauflösender negativ arbeitender Photoresist mit grossem Prozessspielraum |
US6010824A (en) * | 1992-11-10 | 2000-01-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Photosensitive resin composition containing a triazine compound and a pre-sensitized plate using the same, and photosensitive resin composition containing acridine and triazine compounds and a color filter and a pre-sensitized plate using the same |
DE4242050A1 (de) * | 1992-12-14 | 1994-06-16 | Hoechst Ag | Polymere mit N,N-disubstituierten Sulfonamid-Seitengruppen und deren Verwendung |
DE4242051A1 (de) * | 1992-12-14 | 1994-06-16 | Hoechst Ag | N,N-Disubstituierte Sulfonamide und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Gemisch |
US5314782A (en) * | 1993-03-05 | 1994-05-24 | Morton International, Inc. | Deep UV sensitive resistant to latent image decay comprising a diazonaphthoquinone sulfonate of a nitrobenzyl derivative |
US5496678A (en) * | 1993-04-16 | 1996-03-05 | Kansai Paint Co., Ltd. | Photosensitive compositions containing a polymer with carboxyl and hydroxyphenyl groups, a compound with multiple ethylenic unsaturation and a photo-acid generator |
JP2824209B2 (ja) * | 1993-04-16 | 1998-11-11 | 関西ペイント株式会社 | 感光性組成物及びパターンの形成方法 |
JPH06308729A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-11-04 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2824188B2 (ja) * | 1993-04-23 | 1998-11-11 | 関西ペイント株式会社 | 感光性組成物及びパターンの製造方法 |
JPH07140666A (ja) * | 1993-06-04 | 1995-06-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マイクロリトグラフィックレジスト組成物、酸不安定化合物、マイクロリトグラフィックレリーフ画像形成方法及び酸感知性ポリマー組成物 |
EP0672954B1 (de) | 1994-03-14 | 1999-09-15 | Kodak Polychrome Graphics LLC | Strahlungsempfindliche Zusammensetzung, enthaltend ein Resolharz, ein Novolakharz, einen Infrarotabsorber und ein Triazin, und seine Verwendung in lithographischen Druckplatten |
DE4414896A1 (de) * | 1994-04-28 | 1995-11-02 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungempfindliches Gemisch |
US5759625A (en) * | 1994-06-03 | 1998-06-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Fluoropolymer protectant layer for high temperature superconductor film and photo-definition thereof |
JPH0876380A (ja) | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型印刷版組成物 |
US5460918A (en) * | 1994-10-11 | 1995-10-24 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermal transfer donor and receptor with silicated surface for lithographic printing applications |
EP0786701A4 (de) * | 1994-10-13 | 1998-08-12 | Nippon Zeon Co | Photolackzusammensetzung |
JPH08110638A (ja) | 1994-10-13 | 1996-04-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 |
US5856373A (en) * | 1994-10-31 | 1999-01-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Dental visible light curable epoxy system with enhanced depth of cure |
DE4444669A1 (de) * | 1994-12-15 | 1996-06-20 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches Gemisch |
US5593812A (en) * | 1995-02-17 | 1997-01-14 | International Business Machines Corporation | Photoresist having increased sensitivity and use thereof |
US5656412A (en) * | 1995-03-07 | 1997-08-12 | Lucent Technologies Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
JPH0954437A (ja) | 1995-06-05 | 1997-02-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 化学増幅型ポジレジスト組成物 |
US6391512B1 (en) * | 1995-10-20 | 2002-05-21 | Konica Corporation | Image forming material and image forming method |
WO1997027515A1 (fr) | 1996-01-26 | 1997-07-31 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Composition de resist |
JP3591672B2 (ja) | 1996-02-05 | 2004-11-24 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
US6001517A (en) * | 1996-10-31 | 1999-12-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Positive photosensitive polymer composition, method of forming a pattern and electronic parts |
US6060222A (en) | 1996-11-19 | 2000-05-09 | Kodak Polcyhrome Graphics Llc | 1Postitve-working imaging composition and element and method of forming positive image with a laser |
US6063539A (en) | 1997-07-22 | 2000-05-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image recording medium and image recording method |
EP1127381B1 (de) | 1998-11-02 | 2015-09-23 | 3M Innovative Properties Company | Transparente leitfähige oxide für kunststoff-flachbildschirme |
JP4404282B2 (ja) * | 1999-03-19 | 2010-01-27 | 大日本印刷株式会社 | ホログラム撮影用乾板の作製方法及び作製装置 |
JP3969909B2 (ja) | 1999-09-27 | 2007-09-05 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
US6296982B1 (en) | 1999-11-19 | 2001-10-02 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Imaging articles |
JP3963624B2 (ja) | 1999-12-22 | 2007-08-22 | 富士フイルム株式会社 | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
US7005229B2 (en) * | 2002-10-02 | 2006-02-28 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photosensitization method |
WO2001096958A2 (en) * | 2000-06-15 | 2001-12-20 | 3M Innovative Properties Company | Process for producing microfluidic articles |
US6852766B1 (en) | 2000-06-15 | 2005-02-08 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photosensitization system |
EP1292861B1 (de) | 2000-06-15 | 2014-11-19 | 3M Innovative Properties Company | Mehrstrahliges fotolithographisches absorptionsverfahren |
WO2001096915A2 (en) * | 2000-06-15 | 2001-12-20 | 3M Innovative Properties Company | Microfabrication of organic optical elements |
US7265161B2 (en) * | 2002-10-02 | 2007-09-04 | 3M Innovative Properties Company | Multi-photon reactive compositions with inorganic particles and method for fabricating structures |
US7381516B2 (en) * | 2002-10-02 | 2008-06-03 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photosensitization system |
JP2004503831A (ja) * | 2000-06-15 | 2004-02-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | マルチパス多光子吸収方法および装置 |
US7014988B2 (en) * | 2000-06-15 | 2006-03-21 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton curing to provide encapsulated optical elements |
EP1303791B1 (de) * | 2000-06-15 | 2009-08-19 | 3M Innovative Properties Company | Erzeugung eines mehrfarbenbildes mittels eines multiphoton photochemischen verfahren |
US7118845B2 (en) * | 2000-06-15 | 2006-10-10 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photochemical process and articles preparable thereby |
DE60127684T2 (de) | 2000-08-04 | 2007-09-06 | Kodak Polychrome Graphics Co. Ltd., Norwalk | Lithographische druckform, herstellungsverfahren und verwendung davon |
US7192681B2 (en) | 2001-07-05 | 2007-03-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photosensitive composition |
US6750266B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-06-15 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photosensitization system |
US6723495B2 (en) | 2002-01-24 | 2004-04-20 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Water-developable negative-working ultraviolet and infrared imageable element |
US7521168B2 (en) | 2002-02-13 | 2009-04-21 | Fujifilm Corporation | Resist composition for electron beam, EUV or X-ray |
JP4382364B2 (ja) | 2002-04-24 | 2009-12-09 | 株式会社東芝 | 液体インク |
JP3992550B2 (ja) * | 2002-07-04 | 2007-10-17 | 國宏 市村 | 感活性エネルギー線樹脂組成物、感活性エネルギー線樹脂フィルム及び該フィルムを用いるパターン形成方法 |
US7232650B2 (en) * | 2002-10-02 | 2007-06-19 | 3M Innovative Properties Company | Planar inorganic device |
US7160665B2 (en) * | 2002-12-30 | 2007-01-09 | International Business Machines Corporation | Method for employing vertical acid transport for lithographic imaging applications |
JP4163964B2 (ja) * | 2003-01-07 | 2008-10-08 | 岡本化学工業株式会社 | 画像形成組成物およびそれを用いた感光性平版印刷版 |
US6790590B2 (en) | 2003-01-27 | 2004-09-14 | Kodak Polychrome Graphics, Llp | Infrared absorbing compounds and their use in imageable elements |
US6902861B2 (en) | 2003-03-10 | 2005-06-07 | Kodak Polychrome Graphics, Llc | Infrared absorbing compounds and their use in photoimageable elements |
JP4612999B2 (ja) | 2003-10-08 | 2011-01-12 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
EP1528087B1 (de) * | 2003-10-28 | 2007-11-21 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Tinte für Tintenstrahlaufzeichnung |
US20050124712A1 (en) * | 2003-12-05 | 2005-06-09 | 3M Innovative Properties Company | Process for producing photonic crystals |
WO2005066672A1 (en) * | 2003-12-05 | 2005-07-21 | 3M Innovative Properties Company | Process for producing photonic crystals and controlled defects therein |
JP4448705B2 (ja) | 2004-02-05 | 2010-04-14 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2006051656A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 平版印刷版材料用支持体及び平版印刷版材料 |
JP4524154B2 (ja) | 2004-08-18 | 2010-08-11 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP4396443B2 (ja) | 2004-08-18 | 2010-01-13 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 感光性平版印刷版の製造方法及び使用方法 |
EP1637927A1 (de) | 2004-09-02 | 2006-03-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positiv arbeitende Resistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
JP4469692B2 (ja) | 2004-09-14 | 2010-05-26 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
JP4452632B2 (ja) | 2005-01-24 | 2010-04-21 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
US7947421B2 (en) | 2005-01-24 | 2011-05-24 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same |
JP4562537B2 (ja) | 2005-01-28 | 2010-10-13 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
JP4439409B2 (ja) | 2005-02-02 | 2010-03-24 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US7541131B2 (en) * | 2005-02-18 | 2009-06-02 | Fujifilm Corporation | Resist composition, compound for use in the resist composition and pattern forming method using the resist composition |
US8741537B2 (en) | 2005-03-04 | 2014-06-03 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition and pattern-forming method using the same |
US20060204732A1 (en) | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Ink composition, inkjet recording method, printed material, method of producing planographic printing plate, and planographic printing plate |
JP4579019B2 (ja) | 2005-03-17 | 2010-11-10 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 |
EP1720072B1 (de) | 2005-05-01 | 2019-06-05 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Zusammensetzungen und Verfahren für Immersionslithografie |
JP4724465B2 (ja) | 2005-05-23 | 2011-07-13 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
JP4861767B2 (ja) | 2005-07-26 | 2012-01-25 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP4580841B2 (ja) | 2005-08-16 | 2010-11-17 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP4695941B2 (ja) | 2005-08-19 | 2011-06-08 | 富士フイルム株式会社 | 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US20070049651A1 (en) | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Curable composition, ink composition, inkjet recording method, printed material, method of producing planographic printing plate, planographic printing plate, and oxcetane compound |
JP4757574B2 (ja) | 2005-09-07 | 2011-08-24 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、及び、平版印刷版 |
TWI403843B (zh) | 2005-09-13 | 2013-08-01 | Fujifilm Corp | 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法 |
EP2103639A1 (de) | 2005-11-04 | 2009-09-23 | Fujifilm Corporation | Härtbare polyzyklische Epoxidzusammensetzung, Tinte und Tintenstrahldruckverfahren damit |
WO2007057346A2 (en) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Agfa Graphics Nv | Method of making a lithographic printing plate |
EP1795960B1 (de) | 2005-12-09 | 2019-06-05 | Fujifilm Corporation | Positive Resistzusammensetzung, Verfahren zur Musterbildung unter Verwendung der positiven Resistzusammensetzung, Verwendung der positiven Resistzusammensetzung |
US7776940B2 (en) | 2005-12-20 | 2010-08-17 | 3M Innovative Properties Company | Methods for reducing bond strengths, dental compositions, and the use thereof |
US8026296B2 (en) | 2005-12-20 | 2011-09-27 | 3M Innovative Properties Company | Dental compositions including a thermally labile component, and the use thereof |
US7896650B2 (en) | 2005-12-20 | 2011-03-01 | 3M Innovative Properties Company | Dental compositions including radiation-to-heat converters, and the use thereof |
US7583444B1 (en) * | 2005-12-21 | 2009-09-01 | 3M Innovative Properties Company | Process for making microlens arrays and masterforms |
WO2007073482A2 (en) | 2005-12-21 | 2007-06-28 | 3M Innovative Properties Company | Method and apparatus for processing multiphoton curable photoreactive compositions |
ATE496766T1 (de) | 2006-03-03 | 2011-02-15 | Fujifilm Corp | Härtbare zusammensetzung, tintenzusammensetzung, tintenstrahlaufzeichnungsverfahren und flachdruckplatte |
EP1998844A4 (de) * | 2006-03-24 | 2017-03-01 | 3M Innovative Properties Company | Verfahren zur herstellung von mikronadeln, mikronadelanordnung, vorlage und replikationswerkzeug |
EP2018263B1 (de) * | 2006-05-18 | 2017-03-01 | 3M Innovative Properties Company | Verfahren zur herstellung von lichtleitern mit extraktionsstrukturen |
JP4911456B2 (ja) | 2006-11-21 | 2012-04-04 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に用いられる高分子化合物、該高分子化合物の製造方法及びポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
JP4554665B2 (ja) | 2006-12-25 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
JP2008189776A (ja) | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Fujifilm Corp | 活性放射線硬化型重合性組成物、インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法、及び平版印刷版 |
JP4905786B2 (ja) | 2007-02-14 | 2012-03-28 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
EP1962139A1 (de) | 2007-02-23 | 2008-08-27 | FUJIFILM Corporation | Negative Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
JP2008208266A (ja) | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Fujifilm Corp | インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、および平版印刷版 |
JP5162290B2 (ja) | 2007-03-23 | 2013-03-13 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US8088566B2 (en) | 2007-03-26 | 2012-01-03 | Fujifilm Corporation | Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent |
US7592118B2 (en) | 2007-03-27 | 2009-09-22 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition and pattern forming method using the same |
US7635554B2 (en) | 2007-03-28 | 2009-12-22 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition and pattern forming method |
EP1975714A1 (de) | 2007-03-28 | 2008-10-01 | FUJIFILM Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung |
US8182975B2 (en) | 2007-03-28 | 2012-05-22 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition and pattern forming method using the same |
US20080241745A1 (en) | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Fujifilm Corporation | Negative resist composition and pattern forming method using the same |
JP4982228B2 (ja) | 2007-03-30 | 2012-07-25 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5039622B2 (ja) | 2007-03-30 | 2012-10-03 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5159141B2 (ja) | 2007-03-30 | 2013-03-06 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法及び平版印刷版 |
EP1980911A3 (de) | 2007-04-13 | 2009-06-24 | FUJIFILM Corporation | Strukturformungsverfahren, in dem Strukturformungsverfahren zu verwendende Harzzusammensetzung, in dem Strukturformungsverfahren zu verwendende negative Entwicklungslösung und in dem Strukturformungsverfahren zu verwendende Spüllösung |
KR100990106B1 (ko) | 2007-04-13 | 2010-10-29 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴형성방법, 이 패턴형성방법에 사용되는 레지스트 조성물, 현상액 및 린스액 |
JP4617337B2 (ja) | 2007-06-12 | 2011-01-26 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
US20100183978A1 (en) | 2007-06-15 | 2010-07-22 | Fujifilm Corporation | Surface-treating agent for pattern formation and pattern forming method using the treating agent |
JP2008311474A (ja) | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Fujifilm Corp | パターン形成方法 |
JP2009009047A (ja) | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Fujifilm Corp | パターン形成方法 |
US8088550B2 (en) | 2007-07-30 | 2012-01-03 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition and pattern forming method |
JP5066405B2 (ja) | 2007-08-02 | 2012-11-07 | 富士フイルム株式会社 | 電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 |
EP2020617A3 (de) | 2007-08-03 | 2009-04-29 | FUJIFILM Corporation | Resistzusammensetzung mit einer Sulfoniumverbindung, Strukturbildungsverfahren mit der Resistzusammensetzung und Sulfoniumverbindung |
WO2009022561A1 (ja) | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Fujifilm Corporation | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2010537867A (ja) | 2007-09-06 | 2010-12-09 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 型を形成する方法及びかかる型を使用して物品を成形する方法 |
CN101796443A (zh) | 2007-09-06 | 2010-08-04 | 3M创新有限公司 | 具有提供输出光区域控制的光提取结构的光导装置 |
JP5449675B2 (ja) | 2007-09-21 | 2014-03-19 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物 |
JP5111039B2 (ja) | 2007-09-27 | 2012-12-26 | 富士フイルム株式会社 | 重合性化合物、重合開始剤、および染料を含有する光硬化性組成物 |
JP4911469B2 (ja) | 2007-09-28 | 2012-04-04 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
CN101821659B (zh) | 2007-10-11 | 2014-09-24 | 3M创新有限公司 | 色差共聚焦传感器 |
US8240838B2 (en) | 2007-11-29 | 2012-08-14 | Fujifilm Corporation | Ink composition for inkjet recording, inkjet recording method, and printed material |
JP5524856B2 (ja) * | 2007-12-12 | 2014-06-18 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | エッジ明瞭性が向上した構造の製造方法 |
JP5150296B2 (ja) | 2008-02-13 | 2013-02-20 | 富士フイルム株式会社 | 電子線、x線またはeuv用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
EP2257854B1 (de) | 2008-02-26 | 2018-10-31 | 3M Innovative Properties Company | Mehrphotonenbelichtungssystem |
US9046773B2 (en) | 2008-03-26 | 2015-06-02 | Fujifilm Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method using the same, polymerizable compound and polymer compound obtained by polymerizing the polymerizable compound |
JP5244711B2 (ja) | 2008-06-30 | 2013-07-24 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5997873B2 (ja) | 2008-06-30 | 2016-09-28 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5746818B2 (ja) | 2008-07-09 | 2015-07-08 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5383133B2 (ja) | 2008-09-19 | 2014-01-08 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット記録方法及び印刷物成形体の製造方法 |
EP2169018B1 (de) | 2008-09-26 | 2012-01-18 | Fujifilm Corporation | Tintenzusammensetzung und Tintenaufzeichnungsverfahren |
JP5461809B2 (ja) | 2008-09-29 | 2014-04-02 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、及び、インクジェット記録方法 |
EP2356517B1 (de) | 2008-12-12 | 2017-01-25 | FUJIFILM Corporation | Aktinische strahlenempfindliche oder strahlungsempfindliche harzzusammensetzung und diese verwendendes strukturbildungsverfahren |
JP2010235911A (ja) | 2009-03-11 | 2010-10-21 | Konica Minolta Ij Technologies Inc | 活性エネルギー線硬化型インクジェットインク、インクジェット記録方法及び印刷物 |
JP5964007B2 (ja) | 2009-04-02 | 2016-08-03 | コニカミノルタ株式会社 | 活性エネルギー線硬化型インクジェットインク、インクジェット記録方法及び印刷物 |
JP5419208B2 (ja) * | 2009-05-11 | 2014-02-19 | 株式会社ダイセル | 交互共重合体とその製造方法 |
JP5783687B2 (ja) | 2009-06-23 | 2015-09-24 | 住友化学株式会社 | 樹脂及びレジスト組成物 |
CN102002121A (zh) | 2009-08-31 | 2011-04-06 | 住友化学株式会社 | 树脂,抗蚀剂组合物和用于制造抗蚀剂图案的方法 |
JP2011074365A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-04-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5618625B2 (ja) * | 2010-05-25 | 2014-11-05 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物 |
US8877546B2 (en) * | 2010-05-28 | 2014-11-04 | Corning Incorporated | Enhanced semiconductor devices employing photoactive organic materials and methods of manufacturing same |
TWI499581B (zh) | 2010-07-28 | 2015-09-11 | Sumitomo Chemical Co | 光阻組成物 |
JP6195692B2 (ja) | 2010-08-30 | 2017-09-13 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに新規化合物及び樹脂 |
JP2012087294A (ja) | 2010-09-21 | 2012-05-10 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターン製造方法 |
JP5824321B2 (ja) | 2010-10-26 | 2015-11-25 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5824320B2 (ja) | 2010-10-26 | 2015-11-25 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5879834B2 (ja) | 2010-11-15 | 2016-03-08 | 住友化学株式会社 | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6088133B2 (ja) | 2010-12-15 | 2017-03-01 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
CN106671317A (zh) | 2011-02-02 | 2017-05-17 | 3M创新有限公司 | 喷嘴及其制备方法 |
KR20140007854A (ko) * | 2011-02-23 | 2014-01-20 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 네가티브형 패턴 형성 방법 및 포토레지스트 조성물 |
JP5829940B2 (ja) | 2011-02-25 | 2015-12-09 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5898520B2 (ja) | 2011-02-25 | 2016-04-06 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6034025B2 (ja) | 2011-02-25 | 2016-11-30 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5898521B2 (ja) | 2011-02-25 | 2016-04-06 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5947053B2 (ja) | 2011-02-25 | 2016-07-06 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5829939B2 (ja) | 2011-02-25 | 2015-12-09 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5829941B2 (ja) | 2011-02-25 | 2015-12-09 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6034026B2 (ja) | 2011-02-25 | 2016-11-30 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5947051B2 (ja) | 2011-02-25 | 2016-07-06 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5934536B2 (ja) | 2011-04-07 | 2016-06-15 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5852490B2 (ja) | 2011-04-07 | 2016-02-03 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6022788B2 (ja) | 2011-04-07 | 2016-11-09 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6005964B2 (ja) | 2011-04-07 | 2016-10-12 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
EP2699965A2 (de) | 2011-04-22 | 2014-02-26 | 3M Innovative Properties Company | Verbessertes multi-photonen-bildgebungsauflösungsverfahren |
WO2012170204A1 (en) | 2011-06-08 | 2012-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Photoresists containing polymer-tethered nanoparticles |
JP5977594B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-08-24 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5912912B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-04-27 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6189020B2 (ja) | 2011-07-19 | 2017-08-30 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5985898B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-09-06 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5996944B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-09-21 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6013798B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-10-25 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6013797B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-10-25 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6130631B2 (ja) | 2011-07-19 | 2017-05-17 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6130630B2 (ja) | 2011-07-19 | 2017-05-17 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5990041B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-09-07 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5977595B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-08-24 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6013799B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-10-25 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5977593B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-08-24 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5886696B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-03-16 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6267951B2 (ja) * | 2013-12-18 | 2018-01-24 | 富士フイルム株式会社 | 感光性転写材料、パターン形成方法およびエッチング方法 |
JP6541508B2 (ja) | 2014-08-25 | 2019-07-10 | 住友化学株式会社 | 塩、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6576162B2 (ja) | 2014-08-25 | 2019-09-18 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6507065B2 (ja) | 2014-08-25 | 2019-04-24 | 住友化学株式会社 | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6595255B2 (ja) | 2014-08-25 | 2019-10-23 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6596263B2 (ja) | 2014-08-25 | 2019-10-23 | 住友化学株式会社 | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6615536B2 (ja) | 2014-08-25 | 2019-12-04 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US9983478B2 (en) | 2014-09-16 | 2018-05-29 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resin, resist composition and method for producing resist pattern |
US9869929B2 (en) | 2014-09-16 | 2018-01-16 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resin, resist composition and method for producing resist pattern |
JP6706892B2 (ja) | 2014-09-16 | 2020-06-10 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US9996002B2 (en) | 2014-09-16 | 2018-06-12 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resin, resist composition and method for producing resist pattern |
JP6706891B2 (ja) | 2014-09-16 | 2020-06-10 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US9405191B2 (en) | 2014-09-16 | 2016-08-02 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resin, resist composition and method for producing resist pattern |
JP6688041B2 (ja) | 2014-11-11 | 2020-04-28 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6684075B2 (ja) | 2014-11-11 | 2020-04-22 | 住友化学株式会社 | 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6585471B2 (ja) | 2014-11-11 | 2019-10-02 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6670591B2 (ja) | 2014-11-11 | 2020-03-25 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6664932B2 (ja) | 2014-11-14 | 2020-03-13 | 住友化学株式会社 | 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6782070B2 (ja) | 2014-11-26 | 2020-11-11 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6721319B2 (ja) | 2014-11-26 | 2020-07-15 | 住友化学株式会社 | ノニオン性化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6843515B2 (ja) | 2015-03-31 | 2021-03-17 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US9740097B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-08-22 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resist composition and method for producing resist pattern |
JP6910108B2 (ja) | 2015-03-31 | 2021-07-28 | 住友化学株式会社 | 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6761657B2 (ja) | 2015-03-31 | 2020-09-30 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
EP3081607B1 (de) | 2015-04-15 | 2017-12-27 | Agfa Nv | Wässrige harztintenstrahltinten |
EP3081288B1 (de) | 2015-04-15 | 2019-07-24 | Agfa Nv | Selbstdispergierende kapseln |
JP6769735B2 (ja) | 2015-05-12 | 2020-10-14 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6883954B2 (ja) | 2015-06-26 | 2021-06-09 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物 |
JP6864994B2 (ja) | 2015-06-26 | 2021-04-28 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物 |
JP6782102B2 (ja) | 2015-06-26 | 2020-11-11 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物 |
EP3156461B1 (de) | 2015-10-13 | 2020-04-01 | Agfa Nv | Uv-härtbare tintenstrahltinten |
JP7042598B2 (ja) | 2016-12-14 | 2022-03-28 | 住友化学株式会社 | 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6963979B2 (ja) | 2016-12-14 | 2021-11-10 | 住友化学株式会社 | 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
WO2018147094A1 (ja) | 2017-02-08 | 2018-08-16 | 住友化学株式会社 | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP7283883B2 (ja) | 2017-11-09 | 2023-05-30 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US11378883B2 (en) | 2018-04-12 | 2022-07-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern |
US11820735B2 (en) | 2018-04-12 | 2023-11-21 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern |
JP7269093B2 (ja) | 2018-05-29 | 2023-05-08 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2020029451A (ja) | 2018-08-17 | 2020-02-27 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP7341787B2 (ja) | 2018-08-27 | 2023-09-11 | 住友化学株式会社 | 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP7389622B2 (ja) | 2018-11-20 | 2023-11-30 | 住友化学株式会社 | 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP7471828B2 (ja) | 2019-01-18 | 2024-04-22 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP7412186B2 (ja) | 2019-01-18 | 2024-01-12 | 住友化学株式会社 | 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
BE1027107B1 (fr) | 2019-03-25 | 2021-02-15 | Sumitomo Chemical Co | Compose, resine, composition de photoresist et procede de production de motif de photoresist |
JP7286804B2 (ja) | 2019-05-06 | 2023-06-05 | アグファ・ナームローゼ・フェンノートシャップ | 樹脂を含む水性インクジェットインク |
TW202108567A (zh) | 2019-05-17 | 2021-03-01 | 日商住友化學股份有限公司 | 鹽、淬滅劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法 |
JP7537913B2 (ja) | 2019-06-04 | 2024-08-21 | 住友化学株式会社 | 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP7499071B2 (ja) | 2019-06-04 | 2024-06-13 | 住友化学株式会社 | 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに塩の製造方法 |
JP2021038203A (ja) | 2019-08-29 | 2021-03-11 | 住友化学株式会社 | 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP7545834B2 (ja) | 2019-08-29 | 2024-09-05 | 住友化学株式会社 | 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2021130807A (ja) | 2019-12-18 | 2021-09-09 | 住友化学株式会社 | 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに化合物 |
JP2021123579A (ja) | 2020-02-06 | 2021-08-30 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2021123580A (ja) | 2020-02-06 | 2021-08-30 | 住友化学株式会社 | カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US11740555B2 (en) | 2020-03-05 | 2023-08-29 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resist composition and method for producing resist pattern |
US11681220B2 (en) | 2020-03-05 | 2023-06-20 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resist composition and method for producing resist pattern |
US11675267B2 (en) | 2020-03-23 | 2023-06-13 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resist composition and method for producing resist pattern |
US11822241B2 (en) | 2020-04-22 | 2023-11-21 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern |
JP2021181429A (ja) | 2020-05-15 | 2021-11-25 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2021181431A (ja) | 2020-05-15 | 2021-11-25 | 住友化学株式会社 | カルボン酸塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
TW202202476A (zh) | 2020-05-21 | 2022-01-16 | 日商住友化學股份有限公司 | 鹽、酸產生劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法 |
JP2021188041A (ja) | 2020-06-01 | 2021-12-13 | 住友化学株式会社 | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
TWI849314B (zh) | 2020-06-01 | 2024-07-21 | 日商住友化學股份有限公司 | 化合物、樹脂、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法 |
JP2022008152A (ja) | 2020-06-25 | 2022-01-13 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2022013736A (ja) | 2020-07-01 | 2022-01-18 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2022075556A (ja) | 2020-11-06 | 2022-05-18 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2022077505A (ja) | 2020-11-11 | 2022-05-23 | 住友化学株式会社 | カルボン酸塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2022077982A (ja) | 2020-11-12 | 2022-05-24 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2022123839A (ja) | 2021-02-12 | 2022-08-24 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2022164585A (ja) | 2021-04-15 | 2022-10-27 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2022164583A (ja) | 2021-04-15 | 2022-10-27 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US20230004084A1 (en) | 2021-05-06 | 2023-01-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern |
JP2022183074A (ja) | 2021-05-28 | 2022-12-08 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2022183077A (ja) | 2021-05-28 | 2022-12-08 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
TW202311315A (zh) | 2021-08-06 | 2023-03-16 | 日商住友化學股份有限公司 | 抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3046119A (en) * | 1950-08-01 | 1962-07-24 | Azoplate Corp | Light sensitive material for printing and process for making printing plates |
US2767092A (en) * | 1951-12-06 | 1956-10-16 | Azoplate Corp | Light sensitive material for lithographic printing |
NL130926C (de) * | 1959-09-04 | |||
US3515552A (en) * | 1966-09-16 | 1970-06-02 | Minnesota Mining & Mfg | Light-sensitive imaging sheet and method of using |
US3536489A (en) * | 1966-09-16 | 1970-10-27 | Minnesota Mining & Mfg | Heterocyclic iminoaromatic-halogen containing photoinitiator light sensitive compositions |
GB1180845A (en) * | 1967-08-08 | 1970-02-11 | Agfa Gevaert Nv | Light-Sensitive Polymers and their use in the preparation of Photographic Printing Plates |
-
1972
- 1972-02-09 US US00224918A patent/US3779778A/en not_active Expired - Lifetime
-
1973
- 1973-01-30 NL NL737301288A patent/NL149915B/xx not_active IP Right Cessation
- 1973-02-07 CA CA163,136A patent/CA1007094A/en not_active Expired
- 1973-02-08 FR FR7304545A patent/FR2182844B1/fr not_active Expired
- 1973-02-08 GB GB630073A patent/GB1414579A/en not_active Expired
- 1973-02-08 JP JP48015218A patent/JPS5236442B2/ja not_active Expired
- 1973-02-08 DE DE2306248A patent/DE2306248C3/de not_active Expired
- 1973-02-08 IT IT48136/73A patent/IT977258B/it active
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2305757A1 (fr) * | 1975-03-27 | 1976-10-22 | Hoechst Ag | Matiere a copier sensible aux radiations |
EP0249139A2 (de) * | 1986-06-13 | 1987-12-16 | MicroSi, Inc. (a Delaware corporation) | Lackzusammensetzung und -anwendung |
EP0249139A3 (en) * | 1986-06-13 | 1989-10-25 | General Electric Company | Resist compositions and use |
EP0284868A2 (de) * | 1987-03-30 | 1988-10-05 | MicroSi, Inc. (a Delaware corporation) | Photolackzusammensetzung |
EP0284868A3 (en) * | 1987-03-30 | 1989-10-25 | General Electric Company | Photoresist compositions |
EP0424124A2 (de) * | 1989-10-18 | 1991-04-24 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Positive arbeitende Fotolackzusammensetzungen |
EP0424124A3 (en) * | 1989-10-18 | 1992-02-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Positive-acting photoresist compositions |
EP0424766A2 (de) * | 1989-10-27 | 1991-05-02 | BASF Aktiengesellschaft | Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefmustern |
EP0424766A3 (en) * | 1989-10-27 | 1992-03-04 | Basf Aktiengesellschaft | Radiation-sensitive composition and process for the formation of relief patterns |
EP0480311A1 (de) * | 1990-10-10 | 1992-04-15 | BASF Aktiengesellschaft | Strahlungsempfindliches Gemisch enthaltend säurelabile Gruppierungen und Verfahren zur Herstellung von Reliefmustern und Reliefbildern |
US6190825B1 (en) | 1998-01-30 | 2001-02-20 | Agfa-Gevaert N.V. | Polymers containing N-substituted maleimide units and their use in radiation-sensitive mixtures |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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NL149915B (nl) | 1976-06-15 |
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