DE968125C - Verfahren zur Herstellung eines sperrschichtfreien Kontaktes mit Germanium - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines sperrschichtfreien Kontaktes mit Germanium

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DE968125C DEL10193A DEL0010193A DE968125C DE 968125 C DE968125 C DE 968125C DE L10193 A DEL10193 A DE L10193A DE L0010193 A DEL0010193 A DE L0010193A DE 968125 C DE968125 C DE 968125C
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Description

(WiGBl. S. 175)
AUSGEGEBEN AM 16. JANUAR 1958
L 10193 VIIIc/ 21g
Bei der Herstellung von elektrischen Kontakten an Germanium entsteht die Schwierigkeit, daß sich zwischen dem Germanium und den meisten elektrisch als Leitungsmaterial in Betracht kommenden Stoffen Sperrschichten ausbilden, die die elektrischen Werte der Kontakte wesentlich mindern. Es sind nun bereits Verfahren bekanntgeworden, um mit Hilfe von Metallen oder Metallegierungen, die zwischen 200 und 5000 C schmelzen, sperrfreie Kontakte herzustellen, indem das Metall oder die Metallegierung in unmittelbarer Berührung mit dem Germanium verschmolzen wird. Da es sich insbesondere bei der Erzeugung von Kontakten an elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleitersystemen durch Löten stets um verhältnismäßig kleine Materialmengen handelt, geht der Lötprozeß im allgemeinen verhältnismäßig schnell vonstatten. Dies führt dazu, daß das beim Löten eintretende Anlösen des Germaniums durch das Lot ungleichmäßig erfolgt, so daß der sperrschichtfreie Kontakt ebenfalls ungleichmäßig wird.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines sperrschichtfreien Kontaktes mit Germanium, bei dem zwischen dem Kontakt und dem Germanium ein zwischen 200 und 5000 C schmelzendes Metall oder eine entsprechende Metalllegierung in unmittelbarer Berührung mit dem Germanium verschmolzen wird, insbesondere als Kontakt für elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleitersysteme. Das Verfahren unterscheidet sich von den bisher bekannten erfmdungsgemäß dadurch, daß das Metall oder die Metallegierung im
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Vakuum bzw. bei stark vermindertem Druck aufgedampft oder aufgestäubt, daß anschließend das Halbleitersystem einer Wärmebehandlung unterworfen und daß dann der Kontakt mit dem Germanium im Vakuum oder in einer elektrisch und chemisch !unwirksamen Atmosphäre verschmolzen wird.
Durch das Aufdampfen oder Aufstäuben des Metalls oder der Metallverbindung ist es möglich,
ίο die Menge genau zu dosieren. Dies bringt den weiteren Vorteil mit sich, daß die Lotschicht nicht zu dick wird und den inneren Widerstand des Halbleitersystems nicht unnötig erhöht. Durch die Wärmebehandlung wird erreicht, daß ein Teil des aufgebrachten Materials in das Germanium eindiffundiert und damit die Ausbildung des sperrschichtfreien Kontaktes beim Löten besonders gleichmäßig vor sich geht, weil sie nicht mehr an das kurzzeitige Erhitzen des Germaniums beim Löten gebunden ist. Es entsteht somit ein sperrfreier Übergang, der wesentlich gleichmäßiger ist als bei den bekannten Verfahren und dessen innerer Widerstand wegen der einstellbaren Dicke der Lotschicht sehr klein gehalten werden kann. Die Vornähme des Lötvorganges im Vakuum oder in einer elektrisch und chemisch unwirksamen Atmosphäre hat den Vorteil, daß einerseits die bei den erhöhten Temperaturen vergrößerte Reaktionsfreudigkeit ausgeschaltet und andererseits verhindert wird, daß sich Gasmoleküle oder Atome an der Lötstelle festsetzen und eine Sperrschichtbildung fördern.
Mit besonderem Vorteil wird man bei der Ausübung des Verfahrens gemäß der Erfindung Wismut, Blei oder eine Legierung mit diesen Substanzen oder eine Indiumlegierung verwenden.

Claims (4)

  1. Patentanspruch Er
    i. Verfahren zur Herstellung eines sperrschichtfreien Kontaktes mit Germanium, bei dem zwischen dem Kontakt und dem Germanium ein zwischen 200 und 5000 C schmelzendes Metall oder eine entsprechende Metallegierung in unmittelbarer Berührung mit dem Germanium verschmolzen wird, insbesondere als Kontakt für elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleitersysteme, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall oder die Metallegierung im Vakuum bzw. bei stark vermindertem Druck aufgedampft oder aufgestäubt, daß anschließend das Halbleitersystem einer Wärmebehandlung unterworf en und daß dann der Kontakt mit dem Germanium im Vakuum oder in einer elektrisch und chemisch unwirksamen Atmosphäre verschmolzen wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Metallegierung eine Indiumlegierung verwendet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für das Metall oder die Metallegierung Wismut oder eine Wismutlegierung verwendet wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für das Metall oder die Metallegierung Blei oder eine Bleilegierung verwendet wird.
    In Betracht gezogene Druckschriften:
    Deutsche Patentschrift Nr. 660 822; USA.-Patentschriften Nr. 2530110, 2402662; britische Patentschrift Nr. 551 209; französische Patentschrift Nr. 986 263;
    Torrey und Whitmer, »Crystal rectifiers«, 1948, S. 304, 305, 309, 316, 368;
    Journal of Applied Physics, Bd. 20, 1949, S. 804 bis 815;
    Ann. der Physik, Bd. 7, 1930, S. 201; Bd. 15, 1932, S. 407.
DEL10193A 1951-09-24 1951-09-24 Verfahren zur Herstellung eines sperrschichtfreien Kontaktes mit Germanium Expired DE968125C (de)

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