DE3810832A1 - Behandlungsvorrichtung aus quarzglas - Google Patents
Behandlungsvorrichtung aus quarzglasInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/16—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Behandlungsvorrichtung aus Quarzglas für
die Durchführung halbleitertechnologischer Prozesse, insbesondere Diffusions
rohr, mit an einem Ende eines Behandlungsrohres angeordnetem Prozeßgaszufüh
rungsstutzen, der kreisförmigen Querschnitt und einen kleineren Durchmesser
als das Behandlungsrohr besitzt.
Derartige Behandlungsvorrichtungen sind beispielsweise aus der DE-OS 35 44 812
bekannt. Bei diesen bekannten Behandlungsvorrichtungen, bei denen das Prozeß
gas in axialer Richtung in das Behandlungrohr zugeführt wird, ist nicht zu
vermeiden, daß sich eine kalte Schliere aus Prozeßgas sehr weit in das Behand
lungsrohr hinein erstreckt, so daß dadurch in dem Behandlungsrohr angeordnete
Gegenstände, wie Halbleiterscheiben, nicht absolut isotherm mit dem Prozeßgas
beaufschlagt werden. Um eine bessere Verteilung des Prozeßgases im Behand
lungsrohr zu erzielen, ist es auch bekannt, zur Verteilung und Vorwärmung des
Prozeßgases Prallplatten und Gasumlenkvorrichtungen am Eingang des Prozeßgases
im Behandlungsrohr anzuordnen.
Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, eine Behandlungsvorrichtung aus
Quarzglas für die Durchführung halbleitertechnologischer Prozesse zu schaffen,
bei der eine möglichst laminare und gleichmäßige Durchströmung des
Behandlungsrohres mit Prozeßgas auf möglichst einfache Weise gewährleistet
wird.
Gelöst wird diese Aufgabe für die eingangs charakerisierte Behandlungsvorrich
tung erfindungsgemäß dadurch, daß seitlich in den Prozeßgaszuführungsstutzen
ein Prozeßgaseinlaßrohr im wesentlichen tangential zum kreisförmigen Quer
schnitt mündet und der Prozeßgaszuführungstutzen an seinem dem Behandlungsrohr
abgekehrten Ende verschlossen ist.
Durch die tangentiale Zufuhr des Prozeßgases wird diesem in dem Prozeßgaszu
führungstutzen eine Drallbewegung erteilt und bei Zufuhr von Prozeßgas gelangt
gleichzeitig ein gleiches Gasvolumen aus dem Prozeßgaszuführungsstutzen in den
Übergangsbereich des Behandlungsrohres. Rotation und Translation in Richtung
der Achse des Behandlungsrohres überlagern sich, was eine gute Voraussetzung
für intensive Quervermischung des Prozeßgases darstellt. Beim Austritt des
Prozeßgases aus dem Prozeßgaszuführungsstutzen in das Behandlungsrohr hat man
also ein rotierendes Gas-Kontinuum vorliegen. Der Übergangsbereich des Behand
lungsrohres wirkt für einen solchen Gasstrom wie ein Diffusor, so daß der
Prozeßgasstrom expandiert und sich verlangsamt, so daß eine gleichmäßige
laminare Durchströmung des Querschnitts des Behandlungsrohres in Richtung der
Rohrachse erfolgt. Durch die erfindungsgemäße Gasführung wird insbesondere der
unerwünschte Effekt vermieden, daß kaltes frisches Prozeßgas von einem
zentralen Einlaßpunkt aus sich als eine kalte Schliere weit in das Behand
lungsrohr erstreckt.
Bei erfindungsgemäß ausgebildeten Behandlungsvorrichtungen hat es sich
besonders bewährt, das Prozeßgaseinlaßrohr in seiner Mündung in den
Prozeßgaszuführungsstutzen düsenartig auszubilden. Hierdurch wird noch die
Drallbewegung des Prozeßgases in dem Prozeßgaszuführungsstutzen verstärkt.
Die erfindungsgemäße Ausbildung der Behandlungsvorrichtung hat darüber hinaus
noch den Vorteil, daß das verschlossene Ende des Prozeßgaszuführungsstutzen
mit einem Schauglas versehen werden kann oder selbst in Form eines Schauglases
ausgebildet sein kann, so daß es nunmehr möglich ist, den Behandlungsraum
während der Durchführung der halbleitertechnologischen Prozesse zu beoachten.
Eine derartige Beobachtungsmöglichkeit war bei den bekannten Behandlungsvor
richtungen mit axialer Zufuhr des Prozeßgases nicht gegeben.
In der Figur ist schematisch eine erfindungsgemäß ausgebildete Behandlungsvor
richtung dargestellt. Mit der Bezugsziffer 1 ist das Behandlungsrohr aus
Quarzglas bezeichnet. In einem solchen Behandlungsrohr 1 werden beispielsweise
mit einem Prozeßgas zu behandelnde Halbleiterscheiben angeordnet, die einer
Diffusionsbehandlung ausgesetzt werden. In dem Behandlungsrohr 1 ist an seinem
einen Ende ein Prozeßgaszuführungsstutzen 2 vorgesehen, dessen dem Behand
lungsrohr 1 abgekehrtes Ende verschlossen ist. Dieses Ende ist mit dem Schau
glas 4 versehen. Zur Einleitung von Prozeßgas ist seitlich in dem Prozeßgas
zuführungsstutzen 2 ein Prozeßgaseinlaßrohr 3 so angesetzt, daß das Prozeßgas
tangential in den Prozeßgaszuführungsstutzen 2 eintritt, d.h. das Prozeßgas
einlaßrohr 3 mündet tangential in den Prozeßgaszuführungsstutzen 2. Das über
das Prozeßgaseinlaßrohr 3 zugeführte Prozeßgas erhält in dem Prozeßgas
zuführungsstutzen 2 eine Drallbewegung und strömt in Richtung der Achse 5 in
das Behandlungsrohr 1 hinein. Im Übergangsbereich 6 des Behandlungsrohres 1
expandiert das einströmende Prozeßgas und es bildet sich eine im wesentlichen
laminare, gleichmäßige Durchströmung des Querschnittes des Behandlungsrohres 1
aus.
Claims (3)
1. Behandlungsvorrichtung aus Quarzglas für die Durchführung halbleiter
technologischer Prozesse, insbesondere Diffusionsrohr, mit an einem Ende
eines Behandlungsrohres angeordnetem Prozeßgaszuführungsstutzen, der
kreisförmigen Querschnitt und einen kleineren Durchmesser als das Behand
lungsrohr besitzt, dadurch gekennzeichnet, daß seitlich in den Prozeßgas
zuführungsstutzen (2) ein Prozeßgaseinlaßrohr (3) im wesentlichen
tangential zum kreisförmigen Querschnitt mündet und der Prozeßgaszufüh
rungstutzen an seinem dem Behandlungsrohr (1) abgekehrten Ende verschlos
sen ist.
2. Behandlungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Prozeßgaseinlaßrohr an seiner Mündung in den Prozeßgaszuführungsstutzen
düsenartig ausgebildet ist.
3. Behandlungskammer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das ver
schlossene Ende des Prozeßgaszuführungsstutzens als Schauglas (4)
ausgebildet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883810832 DE3810832A1 (de) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | Behandlungsvorrichtung aus quarzglas |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883810832 DE3810832A1 (de) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | Behandlungsvorrichtung aus quarzglas |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3810832A1 true DE3810832A1 (de) | 1989-10-19 |
Family
ID=6351089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19883810832 Withdrawn DE3810832A1 (de) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | Behandlungsvorrichtung aus quarzglas |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3810832A1 (de) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3314393A (en) * | 1962-07-05 | 1967-04-18 | Nippon Electric Co | Vapor deposition device |
US3441000A (en) * | 1966-01-03 | 1969-04-29 | Monsanto Co | Apparatus and method for production of epitaxial films |
-
1988
- 1988-03-30 DE DE19883810832 patent/DE3810832A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3314393A (en) * | 1962-07-05 | 1967-04-18 | Nippon Electric Co | Vapor deposition device |
US3441000A (en) * | 1966-01-03 | 1969-04-29 | Monsanto Co | Apparatus and method for production of epitaxial films |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
Journal of Crystal Growth 77(1986) 144-150 * |
Journal of Crystal Growth 77(1986) 182-187 * |
Journal of Crystal Growth 77(1986) 229-234 * |
Journal of Crystal Growth 77(1986) 79-84 * |
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Date | Code | Title | Description |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: HERAEUS QUARZGLAS GMBH, 6450 HANAU, DE |
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