DE10138156B4 - Magnetron sputtering system with multiple plasma rings, method for sputtering a target and use of the system or process - Google Patents

Magnetron sputtering system with multiple plasma rings, method for sputtering a target and use of the system or process Download PDF

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Abstract

Magnetron-Zerstäubungsanlage mit einer Vorrichtung zum Zerstäuben eines Zerstäubungstargets (1) mit mehreren Plasmaringen (2, 3) mit einer magnetischen Einrichtung (7) zum Verschieben der Plasmaringe (2, 3) über die Vorderseite (1b) des Targets (1) oder zum komplementären Verbreitern oder Verengen der Plasmaringe (2, 3) im Übergangsbereich (A) zwischen den Plasmaringen.Magnetron sputtering unit with a device for atomizing a sputtering target (1) with a plurality of plasma rings (2, 3) with a magnetic device (7) for displacing the plasma rings (2, 3) over the front side (1b) of the Targets (1) or complementary Widening or narrowing of the plasma rings (2, 3) in the transition area (A) between the plasma rings.

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Figure 00000001

Description

Die Erfindung betrifft eine Magnetron-Zerstäubungsanlage mit mehreren Plasmaringen.The The invention relates to a magnetron sputtering system having a plurality of plasma rings.

Der Aufbau einer Magnetron-Zerstäubungsanlage mit einem Plasmaring ist bereits in der DE-A1-196 14 595 beschrieben. Bekannt ist auch eine Magnetron-Zerstäubungsanlage mit zwei Plasmaringen durch Verwendung einer sog. Doppelring (dual race)-Kathode: eine solche herkömmliche Zerstäubungsanlage arbeitet mit einem statischen Magnetfeld. Die Position der Plasmaringe und deren Impedanz liegen fest. Dadurch können homogene Schichtverteilungen auf einem beschichteten Substrat nur für dünne Targets garantiert werden, da sich die Impedanz über die Targetlebensdauer durch Abtragen (Abbrand) für beide Plasmaringe unterschiedlich ändert.Of the Structure of a magnetron sputtering system with a plasma ring is already described in DE-A1-196 14 595. Also known is a magnetron sputtering system with two plasma rings by using a so-called dual race cathode: such conventional atomization works with a static magnetic field. The position of the plasma rings and their impedance are fixed. This allows homogeneous layer distributions guaranteed on a coated substrate only for thin targets, because the impedance is over the target lifetime by ablation (erosion) changes differently for both plasma rings.

Bei einem bekannten derartigen System mit Doppelring-Kathoden werden der innere und der äußere Ring nacheinander durch zwei sequentielle Beschichtungsschritte abgearbeitet. Zur Optimierung der Zykluszeit ist es jedoch erwünscht, die beiden Beschichtungsschritte gleichzeitig ablaufen zu lassen. Bei Parallelschaltung ergeben sich durch die beiden Plasmaringe zwei Impedanzen, die aufeinander abgestimmt werden müssen, um ein Erlöschen der Plasmaringe zu verhindern.at a known such system with double-ring cathodes the inner and the outer ring processed sequentially by two sequential coating steps. However, to optimize the cycle time, it is desirable to have the two coating steps to run simultaneously. Parallel connection results through the two plasma rings two impedances, which are coordinated Need to become, to extinguish the Prevent plasma rings.

Ein Nachteil im Stand der Technik ist es ferner, daß in der Mitte des Targets und in dem Bereich zwischen den beiden Plasmaringen, in denen die magnetischen Feldlinien nahezu senkrecht auf der Targetoberfläche stehen, eine Targetrückbeschichtung auftritt, da in diesen Bereich keine Zerstäubungsionen eindringen. Die Folge ist eine ungleichmäßige Beschichtung des Substrats bei der Zerstäubung und eine Beeinträchtigung der Beschichtung durch abfallendes Material aus der Rückbeschichtung. Bei einer reaktiven Zerstäubung kann das rückbeschichtete Material dielektrisch sein und dann den Zerstäubungsprozeß behindern.One Disadvantage of the prior art is also that in the center of the target and in the area between the two plasma rings in which the magnetic field lines are almost perpendicular to the target surface, a Tarückückbeschichtung occurs, because there are no atomizing ions in this area penetration. The result is an uneven coating of the substrate in the atomization and an impairment the coating by sloping material from the back coating. In a reactive atomization can the backcoated material be dielectric and then impede the sputtering process.

Aus der JP-02-030 757A ist eine Magnetron-Zerstäubungsanlage bekannt, bei der abwechselnd und wahlweise einer von drei möglichen konzentrischen Plasmaringen eingeschaltet werden kann.Out JP-02-030 757A discloses a magnetron sputtering apparatus in which alternately and optionally one of three possible concentric plasma rings can be turned on.

Aus der JP-04-116 162A, US-4,971,674-A und der JP-04-063 274A sind Magnetron-Zerstäubungsanlagen bekannt, bei denen der Durchmesser eines Plasmarings variiert werden kann.Out JP-04-116162A, US-4,971,674-A and JP-04-063 274A are magnetron sputtering machines known, in which the diameter of a plasma ring are varied can.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Zerstäuben eines Zerstäubungstargets in einer Magnetron-Zerstäubungsanlage mit mehreren Plasmaringen zur Verfügung zu stellen, wobei der Beschichtungsprozeß beschleunigt, eine Rückbeschichtung des Targets verhindert und eine sehr homogene Schichtverteilung auf einem Substrat erreicht wird.Of the Invention is based on the object, an apparatus and a method for atomising a sputtering in a magnetron sputtering system with several plasma rings, the Coating process accelerates, a back coating of the target prevents and a very homogeneous layer distribution is achieved on a substrate.

Die Aufgabe wird mit den Merkmalen der Patentansprüche gelöst.The The object is achieved with the features of the claims.

Bei der Lösung geht die Erfindung von dem Grundgedanken aus, bei einer Magnetron-Zerstäubungsanlage mit einer Kathode mit mehreren Plasmaringen eine Einrichtung zum Abstimmen der Impedanzen der Plasmaringe und/oder eine Einrichtung zum Verschieben der Plasmaringe über die zu zerstäubende Fläche vorzusehen.at the solution The invention is based on the idea of a magnetron sputtering system with a cathode with several plasma rings a device for Tuning the impedances of the plasma rings and / or a device for Move the plasma rings over the one to be atomized area provided.

In einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungsform sind in dem Raum zwischen einem äußeren und inneren Polschuh eines Jochs bzw. einem äußeren und inneren Magneten einer Magnetron-Zerstäubungsanlage mehrere elektromagnetische Spulen, vorzugsweise mindestens drei elektromagnetische Spulen angeordnet. Die Anzahl der elektromagnetischen Spulen richtet sich nach der Anzahl der Plasmaringe. Im Fall von zwei Plasmaringen sind z. B. drei Spulen vorgesehen. Für jeden weiteren Plasmaring sind zwei weitere Spulen vorgesehen. Der äußere und innere Polschuh bzw. Magnet weist bei einer geraden Zahl von Plasmaringen die gleiche Polarität auf und bei einer ungeraden Zahl von Plasmaringen eine ungleiche Polarität auf. In einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungsform mit drei elektromagnetischen Spulen wird ein statisches Magnetfeld zwischen dem äußeren Polschuh oder Magneten und dem inneren Polschuh oder Magneten aufgeteilt, so daß zwei Plasmaringe ausgebildet werden. Durch die erste und zweite elektromagnetische Spule wird je für einen Plasmaring die Impedanz eingestellt, so daß die Impedanzen der Plasmaringe aufeinander abgestimmt und an den unterschiedlichen Targetabtrag angepaßt werden können. Um eine Targetrückbeschichtung im Grenzbereich zwischen den Plasmaringen und in der Mitte des Targets zu verhindern, werden die Plasmaringe während der Zerstäubung über die Targetvorderseite verschoben, so daß ein Materialauftrag durch Rückbeschichtung durch Veränderung seiner Lage auf der Oberfläche immer wieder abgestäubt wird.In a preferred embodiment of the invention are in the space between an outer and a inner pole piece of a yoke or an outer and inner magnet a magnetron sputtering system a plurality of electromagnetic coils, preferably at least three arranged electromagnetic coils. The number of electromagnetic Coils depends on the number of plasma rings. In case of two plasma rings are z. B. provided three coils. For each further plasma ring two more coils are provided. The outer and inner pole piece or magnet has an even number of plasma rings the same polarity on and with an odd number of plasma rings an uneven one polarity on. In a preferred embodiment of the invention with three electromagnetic Coils becomes a static magnetic field between the outer pole piece or magnets and the inner pole piece or magnet, so that two Plasma rings are formed. By the first and second electromagnetic Coil is ever for a plasma ring set the impedance so that the impedances of the plasma rings coordinated and to the different target removal customized can be. To a Taretwückbeschichtung in the border area between the plasma rings and in the middle of the target To prevent the plasma rings during atomization over the Target front page moved so that a material order through back coating through change its location on the surface dusted again and again becomes.

Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens wird ein Target gleichzeitig von mehreren Plasmaringen zerstäubt, während der Zerstäubung wird die Impedanz jedes Plasmaringes geregelt und die Plasmaringe wären ständig über die Targetvorderseite verschoben.through the process of the invention is a target simultaneously atomized by several plasma rings, while the atomization The impedance of each plasma ring is regulated and the plasma rings would be constantly over the Target front page moved.

Durch die gleichzeitige Verwendung von mehreren Plasmaringen kann der Zerstäubungs- und damit der Beschichtungsprozeß eines Substrats beschleunigt werden. Durch eine variable und justierbare Impedanz der Plasmaringe können auch mit dicken Targets (> 8 mm) konstante Schichtdickenverteilungen auf dem Substrat erhalten werden. Durch die Verschiebung der Plasmaringe, d. h. durch die Änderung der Erosionsbreite der Plasmaringe, kann eine Targetrückbeschichtung zuverlässig verhindert werden.The simultaneous use of several plasma rings can speed up the sputtering and thus the coating process of a substrate. Through a variable and adjustableba The impedance of the plasma rings can also be obtained with thick targets (> 8 mm) of constant layer thickness distributions on the substrate. By shifting the plasma rings, ie by changing the erosion width of the plasma rings, a Tarückückbeschichtung can be reliably prevented.

Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:in the The invention will be explained in more detail with reference to the drawings. It demonstrate:

1a und 1b vereinfachte Querschnitte einer ersten erfindungsgemäßen Ausführungsform, 1a and 1b simplified cross sections of a first embodiment according to the invention,

2 einen vereinfachten Querschnitt einer zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsform und 2 a simplified cross section of a second embodiment of the invention and

3 einen vereinfachten Querschnitt einer dritten erfindungsgemäßen Ausführungsform. 3 a simplified cross section of a third embodiment of the invention.

Gemäß den 1a und 1b befindet sich bei einer Magnetron-Zerstäubungsanlage hinter einem Target 1 ein Joch 4 mit einem äußeren Polschuh 4a am Rande des Targets und einem inneren Polschuh 4b in der Mittelachse B des Targets, wobei zwischen dem äußeren und inneren Polschuh durch Magneten 10 ein statisches Magnetfeld ausgebildet wird. Erfindungsgemäß sind in dem Raum zwischen dem äußeren Polschuh 4a und dem inneren Polschuh 4b eine erste, eine zweite und eine dritte Spule 5, 6 bzw. 7 angeordnet. Zwischen den Spulen befinden sich zwei Eisenkerne 8 und 9 zur Bündelung des Magnetfeldes und Ausbilden der Bereiche von zwei Plasmaringen 2 und 3. Mittels der dritten elektromagnetischen Spule 7 können in Abhängigkeit von der Polarität der Spule die Plasmaringe von innen nach außen bzw. von außen nach innen verschoben (oder verbreitert bzw. verengt) werden. In 1a ist der innere Plasmaring 3 durch die Erregung der Spule 7 nach außen verbreitert und der äußere Plasmaring 2 innen verengt. In 1b ist die Spule 7 gegenüber 1a zur entgegengesetzten Polarität erregt; der äußere Plasmaring 2 ist dabei innen verbreitert, und der innere Plasmaring 3 ist außen verengt. Mit der Verschiebung der Plasmaringe wird der Bereich der Rückbeschichtung A ebenfalls verschoben; somit kann rückbeschichtetes Material durch die Plasmaionen wieder abgestäubt werden. Mit den Spulen 5 und 6 kann durch Verstärkung oder Schwächung des Permanent-Magnetfeldes die Impedanz des äußeren bzw. inneren Plasmaringes 2 bzw. 3 eingestellt und über die Targetlebensdauer nachgestellt werden. Dadurch können auch dicke Targets mit einer konstanten Schichtdickenverteilung auf dem Substrat 11 zerstäubt werden. Die Polschuhe 4a und 4b können auch durch die Magneten 10 ersetzt werden.According to the 1a and 1b is located behind a target in a magnetron sputtering system 1 a yoke 4 with an outer pole piece 4a on the edge of the target and an inner pole piece 4b in the center axis B of the target, wherein between the outer and inner pole piece by magnets 10 a static magnetic field is formed. According to the invention, in the space between the outer pole piece 4a and the inner pole piece 4b a first, a second and a third coil 5 . 6 respectively. 7 arranged. Between the coils there are two iron cores 8th and 9 for focusing the magnetic field and forming the areas of two plasma rings 2 and 3 , By means of the third electromagnetic coil 7 For example, depending on the polarity of the coil, the plasma rings may be displaced (widened or narrowed) from inside to outside or from outside to inside. In 1a is the inner plasma ring 3 by the excitement of the coil 7 widens outwards and the outer plasma ring 2 narrowed inside. In 1b is the coil 7 across from 1a excited to the opposite polarity; the outer plasma ring 2 is widened inside, and the inner plasma ring 3 is narrowed on the outside. With the displacement of the plasma rings, the area of the back coating A is also shifted; Thus, back-coated material can be dusted off again by the plasma ions. With the coils 5 and 6 By amplifying or weakening the permanent magnetic field, the impedance of the outer or inner plasma ring can be increased 2 respectively. 3 adjusted and adjusted over the target life. As a result, it is also possible to use thick targets with a constant layer thickness distribution on the substrate 11 be atomized. The pole shoes 4a and 4b can also through the magnets 10 be replaced.

Die zweite erfindungsgemäße Ausführungsform gemäß 2 ähnelt der gemäß 1a und 1b, jedoch weist das Zerstäubungstarget 1 ein Mittelloch auf, und die Polschuhe 4a und 4b umfassen das Target 1.The second embodiment according to the invention 2 resembles the according to 1a and 1b but has the sputtering target 1 a center hole, and the pole shoes 4a and 4b include the target 1 ,

Die dritte erfindungsgemäße Ausführungsform gemäß 3 ähnelt der von 2, jedoch sind die Eisenkerne 8 und 9 über weitere Magneten 12 mit dem Joch 4 verbunden.The third embodiment according to the invention 3 is similar to that of 2 but the iron cores are 8th and 9 about more magnets 12 with the yoke 4 connected.

Gemäß den 1 bis 3 sind die im Joch und an den Eisenkernen angeordneten Magneten 10 und 12 Permanentmagneten. Sie können jedoch auch durch elektromagnetische Spulen ersetzt werden.According to the 1 to 3 are the magnets arranged in the yoke and the iron cores 10 and 12 Permanent magnets. However, they can also be replaced by electromagnetic coils.

Die Polschuhe oder Magneten 4a, 4b, die elektromagnetischen Spulen 5 bis 7 und die Eisenkerne 8, 9 können als rotationssymmetrische Ringe mit der gemeinsamen Achse B ausgebildet sein, so daß rotationssymmetrische Targets zerstäubt werden. Sie können aber auch jede Form entsprechend der Form des zu beschichtenden Substrats 11 aufweisen, z. B. auch als langgestreckte Ringe ausgebildet sein, um langgestreckte Targets, sog. Langkathoden zu zerstäuben und somit langgestreckte Substrate oder Endlossubstrate, gegebenenfalls im Durchlaufverfahren zu beschichten.The pole shoes or magnets 4a . 4b , the electromagnetic coils 5 to 7 and the iron cores 8th . 9 may be formed as rotationally symmetrical rings with the common axis B, so that rotationally symmetric targets are atomized. But you can also any shape according to the shape of the substrate to be coated 11 have, for. B. also be designed as elongated rings to atomize elongated targets, so-called. Long cathodes and thus elongated substrates or Endlossubstrate, optionally in a continuous process to coat.

Die erfindungsgemäßen Ausführungsformen gemäß 1 bis 3 sind zur Ausbildung von zwei Plasmaringen geeignet. Das in ihnen verkörperte erfindungsgemäße Prinzip kann jedoch auch für die Erzeugung von drei und mehr Plasmaringen verwendet werden. In diesem Fall besitzen der innere und der äußere Polschuh gleiche Polarität bei einer geraden Anzahl von Plasmaringen und ungleiche Polarität bei einer ungeraden Anzahl von Plasmaringen. Für jeden weiteren Plasmaring sind eine weitere Spule zum Einstellen der Impedanz und eine weitere Spule zum Verschieben des Plasmarings erforderlich. Eine größere Anzahl von Plasmaringen ist vor allem bei einer Beschichtung von Substraten mit großem Durchmesser vorteilhaft.The embodiments according to the invention 1 to 3 are suitable for the formation of two plasma rings. However, the inventive principle embodied in them can also be used for the production of three or more plasma rings. In this case, the inner and outer pole pieces have the same polarity with an even number of plasma rings and unequal polarity with an odd number of plasma rings. For each additional plasma ring, another coil for adjusting the impedance and another coil for moving the plasma ring are required. A larger number of plasma rings is particularly advantageous when coating substrates with a large diameter.

Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens wird das Target 1 gleichzeitig von mehreren Plasmaringen 2, 3 zerstäubt. Während der Zerstäubung werden die Plasmaringe vorzugsweise kontinuierlich über die Targetvorderseite 1b verschoben bzw. alternierend verbreitert oder verengt. Die Impedanzen der Plasmaringe werden vorzugsweise kontinuierlich an die Impedanz des jeweils benachbarten Plasmarings angepaßt und entsprechend der Zerstäubung des Targets nachgeregelt. Auf diese Weise wird eine beschleunigte und sehr homogene Beschichtung des Substrats erreicht.By means of the method according to the invention, the target 1 at the same time of several plasma songs 2 . 3 atomized. During atomization, the plasma rings preferably become continuous over the target front surface 1b shifted or alternately broadened or narrowed. The impedances of the plasma rings are preferably continuously adapted to the impedance of the respectively adjacent plasma ring and readjusted in accordance with the sputtering of the target. In this way, an accelerated and very homogeneous coating of the substrate is achieved.

In den dargestellten Ausführungsformen ist das Magnetron-Magnetfeld, das durch die Permanentmagneten 10 bzw. 10 und 12 erzeugt wird, statisch.In the illustrated embodiments, the magnetron magnetic field is through the permanent magnets 10 respectively. 10 and 12 is generated, sta table.

Im Rahmen der Erfindung ist es jedoch auch möglich, dieses Magnetron-Magnetfeld variabel zu steuern, wie z. B. in DE-C1-196 54 000, DE-A1-196 54 007 und DE-C1-196 53 999 beschrieben, um die Schichtdickenverteilung auf dem beschichteten Substrat zu homogenisieren.in the However, it is also possible within the scope of the invention to use this magnetron magnetic field variable to control, such. In DE-C1-196 54 000, DE-A1-196 54 007 and DE-C1-196 53 999 to the layer thickness distribution to homogenize on the coated substrate.

Claims (19)

Magnetron-Zerstäubungsanlage mit einer Vorrichtung zum Zerstäuben eines Zerstäubungstargets (1) mit mehreren Plasmaringen (2, 3) mit einer magnetischen Einrichtung (7) zum Verschieben der Plasmaringe (2, 3) über die Vorderseite (1b) des Targets (1) oder zum komplementären Verbreitern oder Verengen der Plasmaringe (2, 3) im Übergangsbereich (A) zwischen den Plasmaringen.Magnetron sputtering apparatus with a device for sputtering a sputtering target ( 1 ) with several plasma rings ( 2 . 3 ) with a magnetic device ( 7 ) for moving the plasma rings ( 2 . 3 ) over the front ( 1b ) of the target ( 1 ) or for the complementary widening or narrowing of the plasma rings ( 2 . 3 ) in the transition region (A) between the plasma rings. Anlage nach Anspruch 1, wobei ein äußerer (4a) und ein innerer (4b) Polschuh oder Magnet eines magnetischen Jochs (4) auf der Targetrückseite (1a) bei gerader Anzahl der Plasmaringe (2, 3) gleiche Polarität und bei ungerader Anzahl der Plasmaringe (2, 3) ungleiche Polarität aufweisen.Plant according to claim 1, wherein an outer ( 4a ) and an inner ( 4b ) Pole shoe or magnet of a magnetic yoke ( 4 ) on the back of the target ( 1a ) with even number of plasma rings ( 2 . 3 ) same polarity and with an odd number of plasma rings ( 2 . 3 ) have unequal polarity. Anlage nach Anspruch 1 oder 2 mit einer magnetischen Einrichtung (5, 6) zum Einstellen der Impedanz eines Plasmaringes (2, 3).Plant according to claim 1 or 2 with a magnetic device ( 5 . 6 ) for adjusting the impedance of a plasma ring ( 2 . 3 ). Anlage nach Anspruch 3, wobei in dem Raum zwischen der Targetrückseite (1a), dem magnetischen Joch (4) und den Polschuhen oder Magneten (4a, 4b) mindestens eine erste (5), eine zweite (6) und eine dritte elektromagnetische Spule (7) angeordnet sind, wobei die erste und die zweite elektromagnetische Spule (5, 6) jeweils zum Einstellen der Impedanz eines Plasmaringes (2, 3) vorgesehen sind und die dritte Spule (7) zum Verschieben der Plasmaringe (2, 3) auf der Targetvorderseite (1b) vorgesehen ist.Plant according to claim 3, wherein in the space between the back of the target ( 1a ), the magnetic yoke ( 4 ) and the pole shoes or magnets ( 4a . 4b ) at least one first ( 5 ), a second ( 6 ) and a third electromagnetic coil ( 7 ) are arranged, wherein the first and the second electromagnetic coil ( 5 . 6 ) each for adjusting the impedance of a plasma ring ( 2 . 3 ) are provided and the third coil ( 7 ) for moving the plasma rings ( 2 . 3 ) on the front of the target ( 1b ) is provided. Anlage nach Anspruch 4, wobei die erste Spule (5) dem äußeren Polschuh (4a) und die zweite Spule (6) dem inneren Polschuh (4b) benachbart ist und wobei die dritte Spule (7) zwischen der ersten (5) und der zweiten Spule (6) angeordnet ist.Plant according to claim 4, wherein the first coil ( 5 ) the outer pole piece ( 4a ) and the second coil ( 6 ) the inner pole piece ( 4b ) and wherein the third coil ( 7 ) between the first ( 5 ) and the second coil ( 6 ) is arranged. Anlage nach Anspruch 4 oder 5, wobei zwischen den Spulen mindestens zwei Eisenkerne (8, 9) angeordnet sind.Plant according to claim 4 or 5, wherein between the coils at least two iron cores ( 8th . 9 ) are arranged. Anlage nach Anspruch 6, wobei der erste Eisenkern (8) in dem Raum zwischen der ersten Spule (5) und der dritten Spule (7) und der zweite Eisenkern (9) in dem Raum zwischen der dritten Spule (7) und der zweiten Spule (6) angeordnet sind.Plant according to claim 6, wherein the first iron core ( 8th ) in the space between the first coil ( 5 ) and the third coil ( 7 ) and the second iron core ( 9 ) in the space between the third coil ( 7 ) and the second coil ( 6 ) are arranged. Anlage nach einem der Ansprüche 2 bis 7, wobei die äußeren (4a) und inneren (4b) Polschuhe oder Magneten bezogen auf die Targetvorderseite hinter dem Target (1) enden.Plant according to one of claims 2 to 7, wherein the outer ( 4a ) and inner ( 4b ) Pole shoes or magnets relative to the front of the target behind the target ( 1 ) end up. Anlage nach einem der Ansprüche 2 bis 7, wobei die außeren (4a) und inneren (4b) Polschuhe oder Magneten das Target (1) umfassen.Plant according to one of claims 2 to 7, wherein the external ( 4a ) and inner ( 4b ) Pole shoes or magnets the target ( 1 ). Anlage nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei dei Eisenkerne (8, 9) an einen oder mehrere Magneten angrenzen.Plant according to one of claims 6 to 9, wherein the iron cores ( 8th . 9 ) adjoin one or more magnets. Anlage nach Anspruch 6, wobei de Polschuhe oder Magneten (4a, 4b), die mindestens ersten bis dritten Spulen (5, 6, 7) und die mindestens ersten und zweiten Eisenkerne (8, 9) als rotationssymmetrische Ringe ausgebildet sind.Plant according to claim 6, wherein the pole shoes or magnets ( 4a . 4b ), the at least first to third coils ( 5 . 6 . 7 ) and the at least first and second iron cores ( 8th . 9 ) are formed as rotationally symmetric rings. Anlage nach Anspruch 6, wobei die Polschuhe oder Magneten (4a, 4b), die mindestens ersten bis dritten Spulen (5, 6, 7) und die mindestens ersten und zweiten Eisenkerne (8, 9) als langgestreckte Ringe ausgebildet sind.Plant according to claim 6, wherein the pole shoes or magnets ( 4a . 4b ), the at least first to third coils ( 5 . 6 . 7 ) and the at least first and second iron cores ( 8th . 9 ) are formed as elongated rings. Verfahren zum Zerstäuben eines Zerstäubungstargets (1) in einer Magnetron-Zerstäubungsanlage mit mehreren Plasmaringen (2, 3), wobei das Target (1) gleichzeitig von den mehreren Plasmaringen (2, 3) zerstäubt wird und die Plasmaringe (2, 3) über die Targetvorderseite (1b) verschoben und im Grenzbereich zwischen den Plasmaringen komplementär verengt oder verbreitert werden.Method for atomizing a sputtering target ( 1 ) in a magnetron sputtering system with multiple plasma rings ( 2 . 3 ), where the target ( 1 ) simultaneously from the several plasma rings ( 2 . 3 ) and the plasma rings ( 2 . 3 ) over the front of the target ( 1b ) and narrowed or widened in the boundary region between the plasma rings complementary. Verfahren nach Anspruch 13, wobei während der Zerstäubung die Impedanz jedes Plasmaringes (2, 3) geregelt wird.The method of claim 13, wherein during sputtering, the impedance of each plasma ring ( 2 . 3 ) is regulated. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, wobei ein Plasma in einem statischen Magnetfeld in mindestens zwei Plasmaringe (2, 3) aufgeteilt wird, eine erste und eine zweite Spule (5, 6) die Impedanzen der Plasmaringe (2, 3) aufeinander abstimmen und an eine veränderliche Targetdicke anpassen und das Magnetfeld mindestens einer dritten Spule (7) die Plasmaringe (2, 3) über die Targetvorderseite (1b) verschiebt oder die Breite der Plasmaringe (2, 3) verändert wird.The method of claim 13 or 14, wherein a plasma in a static magnetic field in at least two plasma rings ( 2 . 3 ), a first and a second coil ( 5 . 6 ) the impedances of the plasma rings ( 2 . 3 ) and adapt to a variable target thickness and the magnetic field of at least one third coil ( 7 ) the plasma rings ( 2 . 3 ) over the front of the target ( 1b ) or the width of the plasma rings ( 2 . 3 ) is changed. Verfahren nach Anspruch 15, wobei Magnetron-Magnetfelder für die mindestens zwei Plasmaringe (2, 3) mindestens zwischen einem äußeren Polschuh (4a), einem ersten (8) oder zweiten Eisenkern (9) und einem inneren Polschuh (4b) ausgebildet werden.Method according to claim 15, wherein magnetron magnetic fields for the at least two plasma rings ( 2 . 3 ) at least between an outer pole piece ( 4a ), a first ( 8th ) or second iron core ( 9 ) and an inner pole piece ( 4b ) be formed. Verwendung der Anlage nach einem der Ansprüche 1 bis 12 oder des Verfahrens nach einem der Ansprüche 13 bis 16 bei der Beschichtung von rotationssymmetrischen oder langgestreckten Substraten (11).Use of the system according to one of claims 1 to 12 or of the method according to one of claims 13 to 16 in the coating of rotationally symmetrical or elongate substrates ( 11 ). Verwendung nach Anspruch 17 bei der Zerstäubung von Targets (1) mit einer Dicke größer 8 mm.Use according to claim 17 in the sputtering of targets ( 1 ) with a thickness greater than 8 mm. Verwendung nach Anspruch 17 oder 18 zum Herstellen von optischen Speichermedien, wie CD, CD-R, DVD oder DVD-R.Use according to claim 17 or 18 for the manufacture from optical storage media such as CD, CD-R, DVD or DVD-R.
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