CN112240748B - 一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构 - Google Patents
一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112240748B CN112240748B CN202011284773.9A CN202011284773A CN112240748B CN 112240748 B CN112240748 B CN 112240748B CN 202011284773 A CN202011284773 A CN 202011284773A CN 112240748 B CN112240748 B CN 112240748B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- rigid
- upper plate
- micro
- silicon wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
本发明涉及一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，其中刚性底板的上表面固定有衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有两组完全相同的硅导线组，所述硅导线组包括若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等；所述硅导线垂直于所述刚性底板的前后面；所述刚性上板的下表面设置有散射光源；所述散射光源发出的激光照射硅导线组上时，所述硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线组中的一根硅导线完全抑制。本发明能够同步检测与纠正平行四边形柔性铰链构机构刚性上板在F力作用下沿x轴方向产生的位移误差以及刚性上板绕y轴的寄生转角误差。
Description
技术领域
本发明涉及微纳光子器件及微位移测量技术领域，特别是涉及一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构。
背景技术
平行四边形柔性铰链构机构是一种用途非常广泛微位移机构。由于存在难以避免的制造误差、位移作用力方向和作用点位置的偏差等，使得平行四边形柔性铰链构机构容易产生寄生位移误差。典型的平行四边形柔性铰链构机构如图1所示：图中01是刚性上板，02是柔性铰链，03是刚性竖板，04是刚性底板；刚性上板01、刚性底板04、2块刚性竖板03以及4个柔性铰链组成平行四边形柔性铰链构机构，其中，刚性上板01与刚性底板04全等且相互平行，左右2块刚性竖板03全等且相互平行，4个柔性铰链全等。以刚性上板01几何中心为原点建立固定直角坐标系o-x-y-z，其中x轴垂直于刚性上板01的左右面，y轴垂直于刚性上板01的上下面，z轴垂直于刚性上板01的前后面。固定刚性底板04(与机架固联)，当外力F沿x轴作用在刚性上板01右侧面中点时，刚性上板01相对于刚性底板04沿x轴方向和y轴方向产生位移，其中，y轴方向产生位移远小于x轴方向产生位移，一般忽略不计。
理论上平行四边形柔性铰链构机构在F力作用下只产生沿x轴方向的位移，实际制造和使用过程中，由于存在难以避免的制造误差、位移作用力方向和作用点位置的偏差等，使得平行四边形柔性铰链构机构容易产生寄生位移误差(沿各座标轴的微小转动和沿y轴、z轴的微小移动)。实际应用中，对平行四边形柔性铰链构机构刚性上板01在F力作用下沿x轴方向产生的位移精确度要求很高，除此以外，由于刚性上板01绕y轴的扭转刚度较小，对刚性上板01绕y轴的寄生转角误差(绕y轴的微小转动)往往也有控制要求。
发明内容
本发明提供一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，能够同步检测与纠正平行四边形柔性铰链构机构刚性上板在F力作用下沿x轴方向产生的位移误差以及刚性上板绕y轴的寄生转角误差。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，包括刚性上板、刚性底板和两块刚性竖板，所述刚性上板、刚性底板和两块刚性竖板通过四个柔性铰链构成平行四边形结构，所述刚性底板的上表面固定有衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有两组完全相同的硅导线组，所述硅导线组包括若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等；所述硅导线垂直于所述刚性底板的前后面；所述刚性上板的下表面设置有散射光源；所述散射光源发出的激光照射硅导线组上时，所述硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线组中的一根硅导线完全抑制。
所述硅导线组中相邻的硅导线之间的距离为所述激光的波长的五分之一。
所述绝缘层的厚度为15-20nm。
所述绝缘层为透明氧化铝隔离层。
所述衬底为长方体形状的银基体。
所述每根硅导线组的两端通过引出导线与处理器相连，所述处理器根据引出导线读取每根硅导线的电位，并根据硅导线的电位值判断导线组中电位差最小值对应的硅导线的位置变动量信息，并根据所述位置变动量信息对推动所述刚性上板的驱动器进行位移补偿。
有益效果
由于采用了上述的技术方案，本发明与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：本发明能够同步检测与纠正平行四边形柔性铰链构机构刚性上板在F力作用下沿x轴方向产生的位移误差以及刚性上板绕y轴的寄生转角误差。
附图说明
图1是现有技术中微位移机构的结构示意图；
图2是本发明实施方式的主视图；
图3是本发明实施方式的俯视图；
图4是沿图2中A-A线的剖视图；
图5是本发明实施方式中基于非厄米耦合特定频率激光探测原理示意图；
图6是本发明实施方式中点光源位置探测原理示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
本发明的实施方式涉及一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，如图2-4所示，11a、11b、11c以及11d是结构完全相同的柔性铰链，12a和12b是结构完全相同的刚性竖板，13是刚性底板，14是右侧驱动器支座，15是刚性上板，15a是刚性上板的下表面，15b是刚性上板的右侧面，16是固定在刚性上板下表面15a上的微型散射光源，17a和17b是完全相同的x向压电陶瓷驱动器，18a以及18b是完全相同的压电陶瓷驱动器锁紧螺母，分别用于锁紧x向压电陶瓷驱动器17a和17b；19a、19b、19c及19d是螺纹孔，均布在刚性上板15上，用于对外联接；20a、20b、20c及20d是螺纹孔，均布在刚性底板13上，用于对外联接。23a和23b分别是两组完全相同的由若干对硅导线组成的相互平行的导线组，其中每根硅导线形状尺寸相同，且相邻的硅导线之间距离相等，该硅导线垂直于所述刚性底板13的前后面。24是具有一定厚度的透明氧化铝隔离层(绝缘层)，硅导线组固定在绝缘层24上。25是银衬底，绝缘层24固定在银衬底25上。所述散射光源16发出的激光照射硅导线组23a和硅导线组23b上时，所述硅导线与银衬底25之间发生近场耦效应，并使得硅导线组23a和硅导线组23b中的一根硅导线完全抑制。
刚性上板15为矩形六面体，以刚性上板15下表面15a几何中心o为原点设置固定三维直角坐标系o-x-y-z(即三维直角坐标系o-x-y-z相对于刚性底板13静止不动)。右侧驱动器支座14与刚性底板13为一个刚性整体结构；x向压电陶瓷驱动器17a和17b安装在右侧驱动器支座14中，压电陶瓷驱动器17a和17b的驱动力作用在刚性上板右侧面15b上，两者的作用力方向及作用点位置符合以下特征：力的方向沿x轴负方向，力的作用点之间距离为B并与原点对称，且两个力的作用点y轴座标值相同；压电陶瓷驱动器17a和17b均可独立沿x轴负方向驱动刚性上板15移动。
本实施方式的导线组中每根导线截面为60*100nm，每组导线组内的两根导线之间间距145nm。导线是硅材料制成，其埋在银衬底里。光源波长范围700-750nm。采用常规加工方法，在SOI片上，先用电子束光刻，刻蚀出硅纳米线，然后用ALD工艺沉积一层氧化铝隔离层(15-20nm)，然后再用电子束蒸发，沉积银衬底。当光源波长727nm，入射角度为50°时，达到完全抑制。
工作时，压电陶瓷驱动器驱动刚性上板15移动的理论值与实际值之间往往会有误差。设压电陶瓷驱动器17a和17b同步驱动刚性上板15沿x轴负方向产生了位移，此时在微型散射光源19照射下，导线组23a中敏感导线位置变动量为Δa，导线组23b敏感导线位置变动量为Δb，则可知刚性上板15中心沿x轴负方向产生的实际位移量刚性上板15绕y轴的寄生转角误差
根据导线组23a和导线组23b中敏感导线位置变动量信息，控制压电陶瓷驱动器17a和17b产生适当的补偿位移，可消除或减小刚性上板15中心沿x轴负方向产生的位移误差以及绕y轴的寄生转角误差。
本实施方式的检测原理是基于非厄米耦合特定频率激光探测原理实现的。图5中，1和2是硅材料制成的相互平行的导线，L1是空间垂直射向导线1和导线2的激光平行光束，L2是L1向导线1和导线2所在平面上投影得到的投影线，θ是入射角(激光平行光束L1与导线1和导线2所在平面的法线之间所夹的锐角)，7是具有一定厚度的透明氧化铝隔离层(绝缘层)，8是银衬底。导线1和导线2固连在透明氧化铝隔离层7上，透明氧化铝隔离层7与银衬底8固连。3和4是固连在导线1和导线2两端的引出导线，5和6是电位计，可以通过引出导线3和引出导线4分别测出导线1和导线2两端的电位差。
当激光照射到单根硅导线时，硅导线会被照亮，同时硅导线两端产生电位差。在图5中，对于特定波长的光束L1(如：光源波长范围700-750nm)，若导线1和导线2之间的距离以及氧化铝隔离层7厚度恰当(如：导线1和导线2之间的距离为光波长五分之一，氧化铝隔离层7厚度15-20nm)时，此种情况下的两个相互平行的导线1和导线2以及银衬底8一起构成了一个谐振器，在光束L1照射下，导线1、导线2与银衬底8之间会发生近场耦效应，此时导线1和导线2的亮度以及两端的电位差会发生改变。根据耦合模理论，导线1和导线2两端的电位差与入射角θ相关，特别是，通过精心设计参数，可以实现某一入射角度θ0下，谐振器振幅完全抑制，即距离光源较近的导线1两端电位差趋向于零，而距离光源较远的导线2两端电位差没有明显变化，将该位置的激光入射角θ0称为耦合入射角。为了提高检测灵敏度，可以根据导线1和导线2两端的电位差比值来判断光线入射角是否为耦合入射角θ0：则当光线入射角为耦合入射角θ0时，导线1和导线2两端的电位差比值达到极值。根据这个原理，可以精确测出θ0的值。
基于上述原理，一种点光源位置探测原理如图6所示，图中，1a是由若干对硅导线组成的相互平行的导线组，每相邻对硅导线之间距离一定，7a是具有一定厚度的透明氧化铝隔离层(绝缘层)，8a是银衬底，恰当设置导线组1a、绝缘层7以及银衬底8a尺寸，使得导线组1a中每对硅导线均符合上述非厄米耦合现象发生的条件；S是能够发出特定频率光的散射光源，θ0为耦合入射角，被入射角为耦合入射角θ0照射的导线A呈现暗色，其两端电位差接近于零(称此导线A为敏感导线)，因此在导线组中的位置很容易被检测出。设置直角坐标系oxy如图6所示，其中x轴与导线组上表面平行，显然，在直角坐标系oxy中，若S点沿x轴方向移动Δ，则A点沿x轴方向也同步移动Δ。由此可见，基于该原理，本实施方式的微位移机构能够能够同步检测与纠正平行四边形柔性铰链构机构刚性上板在F力作用下沿x轴方向产生的位移误差以及刚性上板绕y轴的寄生转角误差。
Claims (6)
1.一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，包括刚性上板、刚性底板和两块刚性竖板，所述刚性上板、刚性底板和两块刚性竖板通过四个柔性铰链构成平行四边形结构，其特征在于，所述刚性底板的上表面固定有衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有两组完全相同的硅导线组，所述硅导线组包括若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等；所述硅导线垂直于所述刚性底板的前后面；所述刚性上板的下表面设置有散射光源；所述散射光源发出的激光照射硅导线组上时，所述硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线组中的一根硅导线完全抑制。
2.根据权利要求1所述的带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，其特征在于，所述硅导线组中相邻的硅导线之间的距离为所述激光的波长的五分之一。
3.根据权利要求1所述的带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，其特征在于，所述绝缘层的厚度为15-20nm。
4.根据权利要求1所述的带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，其特征在于，所述绝缘层为透明氧化铝隔离层。
5.根据权利要求1所述的带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，其特征在于，所述衬底为长方体形状的银基体。
6.根据权利要求1所述的带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，其特征在于，所述每根硅导线组的两端通过引出导线与处理器相连，所述处理器根据引出导线读取每根硅导线的电位，并根据硅导线的电位值判断导线组中电位差最小值对应的硅导线的位置变动量信息，并根据所述位置变动量信息对推动所述刚性上板的驱动器进行位移补偿。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011284773.9A CN112240748B (zh) | 2020-11-17 | 2020-11-17 | 一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构 |
| PCT/CN2020/133054 WO2022104906A1 (zh) | 2020-11-17 | 2020-12-01 | 一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011284773.9A CN112240748B (zh) | 2020-11-17 | 2020-11-17 | 一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112240748A CN112240748A (zh) | 2021-01-19 |
| CN112240748B true CN112240748B (zh) | 2024-08-06 |
Family
ID=74166735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011284773.9A Active CN112240748B (zh) | 2020-11-17 | 2020-11-17 | 一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112240748B (zh) |
| WO (1) | WO2022104906A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113625254B (zh) * | 2021-08-09 | 2024-09-27 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种微小型激光雷达接收装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN213301112U (zh) * | 2020-11-17 | 2021-05-28 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100573037C (zh) * | 2006-12-27 | 2009-12-23 | 清华大学 | 微位移的测量方法 |
| CN101738855B (zh) * | 2009-12-23 | 2012-08-29 | 天津大学 | 二自由度柔性微定位工作台 |
| CN103063339A (zh) * | 2011-10-20 | 2013-04-24 | 刘胜 | 带有屏蔽层的硅压阻式压力传感器芯片 |
| CN102589446A (zh) * | 2012-03-06 | 2012-07-18 | 浙江大学 | 一种高精度微位移测量装置及方法 |
| CN103091831B (zh) * | 2013-01-14 | 2016-07-06 | 南京大学 | 可调谐光学滤波器及应用 |
| CN103143732A (zh) * | 2013-03-01 | 2013-06-12 | 天津大学 | 基于柔性机构的位移传感器式压电陶瓷驱动器 |
| CN103558419B (zh) * | 2013-11-15 | 2015-12-09 | 江苏尚飞光电科技有限公司 | 一种扫描近场光学检测台 |
| CN103552975A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-02-05 | 江苏尚飞光电科技有限公司 | 液压微位移驱动器及微位移装置 |
| JP6322069B2 (ja) * | 2014-07-02 | 2018-05-09 | Dmg森精機株式会社 | 変位検出装置 |
| CN105783740B (zh) * | 2016-05-19 | 2019-02-22 | 北方民族大学 | 一种交替增量式测量微位移传感器的测量方法 |
| CN108917925B (zh) * | 2018-05-16 | 2020-06-05 | 南京大学 | 一种基于光学奇异点设计的多层膜光探测器及其探测方法 |
| CN109323661B (zh) * | 2018-12-06 | 2020-06-09 | 湖北科技学院 | 基于光束空间古斯-汉森位移的高灵敏度角度位移传感器 |
| CN109765842A (zh) * | 2019-01-17 | 2019-05-17 | 湖北工程学院 | 一种微定位工作台 |
| JP2020148475A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 国立大学法人東京工業大学 | 測距センサ |
| CN110146056A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-20 | 中国科学院半导体研究所 | 一种远程精密测量地基垂直位移的装置及方法 |
| CN110360935B (zh) * | 2019-07-31 | 2020-05-12 | 西北工业大学 | 一种基于简化光学纳米谐振腔的面内位移传感单元及方法 |
| CN110836640B (zh) * | 2019-11-19 | 2021-05-07 | 西北工业大学 | 一种基于近场光学谐振腔的面外位移传感单元及方法 |
| CN110926347A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-03-27 | 中北大学 | 一种基于微纳光波导倏逝场耦合效应的微位移传感器 |
-
2020
- 2020-11-17 CN CN202011284773.9A patent/CN112240748B/zh active Active
- 2020-12-01 WO PCT/CN2020/133054 patent/WO2022104906A1/zh active Application Filing
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN213301112U (zh) * | 2020-11-17 | 2021-05-28 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112240748A (zh) | 2021-01-19 |
| WO2022104906A1 (zh) | 2022-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5439375B2 (ja) | 校正用標準部材及びそれを用いた走査電子顕微鏡並びに走査電子顕微鏡の校正方法 | |
| KR100471018B1 (ko) | 두 개의 대상물 간의 갭 조절장치 및 조절방법 | |
| US7800735B2 (en) | Z-stage with dynamically driven stage mirror and chuck assembly | |
| JP4857090B2 (ja) | 校正用標準部材およびその作製方法、並びに校正用標準部材を用いた走査電子顕微鏡 | |
| KR20120102802A (ko) | 통합 센서 시스템 | |
| KR20080031283A (ko) | 용량형 가속도 센서 및 용량형 가속도 센서의 제조 방법 | |
| KR20150075361A (ko) | 광학장치, 투영 광학계, 노광장치, 및 물품의 제조방법 | |
| JP6723332B2 (ja) | ６自由度インプリントヘッドモジュールを有するナノインプリントリソグラフィ | |
| JP2014120653A (ja) | 位置決め装置、リソグラフィー装置、それを用いた物品の製造方法 | |
| WO2019176204A1 (ja) | 光走査装置およびその制御方法 | |
| CN112240748B (zh) | 一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构 | |
| KR20190013521A (ko) | 나노임프린트 리소그래피에서의 템플릿 변형의 실시간 보정 | |
| US11049687B2 (en) | Stage apparatus and charged particle beam apparatus | |
| US7969580B2 (en) | Method and system for step-and-align interference lithography | |
| CN213301112U (zh) | 一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构 | |
| TWI398897B (zh) | Ｚ軸向載台結構及其應用 | |
| JP2014007425A (ja) | 動的に駆動されるステージミラー及びチャック組立体を備えるｚステージ | |
| JP2013021215A (ja) | ビーム計測装置、描画装置、および物品の製造方法 | |
| JP2014086476A (ja) | リソグラフィー装置、それを用いた物品の製造方法 | |
| CN112240754B (zh) | 一种微小空间三维形貌测量装置 | |
| CN112200289B (zh) | 一种基于非厄米耦合原理的光电子条码系统 | |
| US9366975B2 (en) | Stage transferring device and position measuring method thereof | |
| JP4962780B2 (ja) | ステージ装置およびその浮上制御方法と、ステージ装置を用いた露光装置 | |
| JP6614880B2 (ja) | リソグラフィ装置および物品の製造方法 | |
| JP2002228411A (ja) | 二次元測定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |