CN110634737B - 磨削磨具的修锐方法和修锐用晶片 - Google Patents

磨削磨具的修锐方法和修锐用晶片 Download PDF

Info

Publication number
CN110634737B
CN110634737B CN201910531140.4A CN201910531140A CN110634737B CN 110634737 B CN110634737 B CN 110634737B CN 201910531140 A CN201910531140 A CN 201910531140A CN 110634737 B CN110634737 B CN 110634737B
Authority
CN
China
Prior art keywords
grinding
dressing
chuck table
silicon wafer
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910531140.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110634737A (zh
Inventor
广泽俊一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN110634737A publication Critical patent/CN110634737A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110634737B publication Critical patent/CN110634737B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/12—Dressing tools; Holders therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/02—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces of plane surfaces on abrasive tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

提供磨削磨具的修锐方法和修锐用晶片，能够减少在修锐作业中使用的调试级晶片的使用张数，能够有效地实施磨削磨具的修锐作业。该磨削磨具的修锐方法使用了磨削装置，该磨削装置具有：卡盘工作台，其利用保持面对被加工物进行保持；磨削单元，其将呈环状配置有多个磨削磨具的磨削磨轮安装于具有与该保持面垂直的旋转轴的主轴上，对该卡盘工作台所保持的被加工物进行磨削；以及磨削进给单元，其将该磨削单元在该旋转轴方向上进行磨削进给，该该磨削磨具的修锐方法的特征在于，一边使该主轴旋转一边将该磨削单元进行磨削进给，在不使该卡盘工作台旋转的情况下对该卡盘工作台所保持的被加工物进行磨削，在该被加工物的正面形成圆弧状的磨削槽。

Description

磨削磨具的修锐方法和修锐用晶片
技术领域
本发明涉及对磨削磨具的磨削面进行修锐的磨削磨具的修锐方法和修锐用晶片。
背景技术
在对半导体晶片等各种板状的被加工物进行磨削时，使用了在磨轮基台呈环状配设有多个磨削磨具的磨削磨轮。磨削磨具是将金刚石磨粒用树脂结合剂、陶瓷结合剂、金属结合剂等固定而形成的，通过成为磨粒从结合剂局部地突出的所谓修锐的状态而得到良好的磨削结果。
因此，需要进行修整作业和修锐作业(预磨削或预切割)，在该修整作业中，在磨削前对产品以外的被加工物进行磨削，从而消耗结合剂而使磨粒突出，该修锐作业用于使突出状态成为最适合产品的状态。
通常，修锐作业是对与产品同样材质的物质进行磨削而实施的，因此例如在硅晶片是产品的情况下，对多张调试级硅晶片(Dummy silicon wafer)进行磨削而实施修锐作业。
专利文献1：日本特开2008-221360号公报
但是，存在如下的课题：当对多张调试级硅晶片进行磨削而实施修锐作业时，要花费用于准备多张调试级硅晶片的成本。
发明内容
本发明是鉴于这样的点而完成的，其目的在于提供磨削磨具的修锐方法，能够减少在修锐作业中使用的调试级晶片的使用张数，能够有效地实施磨削磨具的修锐作业。
根据技术方案1所述的发明，提供磨削磨具的修锐方法，该磨削磨具的修锐方法使用了磨削装置，该磨削装置具有：卡盘工作台，其利用保持面对被加工物进行保持；磨削单元，其将呈环状配置有多个磨削磨具的磨削磨轮安装于具有与该保持面垂直的旋转轴的主轴上，对该卡盘工作台所保持的被加工物进行磨削；以及磨削进给单元，其将该磨削单元在该旋转轴方向上进行磨削进给，该磨削磨具的修锐方法的特征在于，一边使该主轴旋转一边将该磨削单元进行磨削进给，在不使该卡盘工作台旋转的情况下对该卡盘工作台所保持的被加工物进行磨削，在该被加工物的正面形成圆弧状的磨削槽。
优选在被加工物上形成多条圆弧状的磨削槽，对磨削磨具的修锐状态进行控制。
根据技术方案3所述的发明，提供修锐用晶片，其用于通过磨削而对磨削磨具进行修锐，其中，该修锐用晶片形成有一条或多条圆弧状的磨削槽。
根据本发明的磨削磨具的修锐方法，在不使保持着被加工物的卡盘工作台旋转的情况下进行被加工物的磨削，因此施加给磨削磨具的负荷较高，即使磨削体积较小，也得到较高的修锐效果，因此能够减少在修锐作业中使用的被加工物的张数。另外，能够根据修锐情况而在一张被加工物上形成多条圆弧状的磨削槽，因此还具有不增加被加工物的使用量便能够调整修锐磨削量的效果。
另外，在本发明的修锐方法中使用的被加工物形成有环状的磨削槽，与平坦的被加工物相比，磨削负荷较高，因此还具有如下的效果：也能够作为使保持着被加工物的卡盘工作台旋转并且使磨削磨具进行磨削而实施修锐作业的通常的修锐作业时的被加工物来使用。
附图说明
图1是磨削装置的立体图。
图2是示出本发明的磨削方法的局部剖视侧视图。
图3是示出本发明的修锐方法的示意性俯视图。
图4的(A)是通过本发明的修锐方法形成了一条圆弧状的磨削槽之后的调试级硅晶片的俯视图，图4的(B)是形成了多条圆弧状的磨削槽之后的调试级硅晶片的俯视图。
图5是示出使用具有多条圆弧状的磨削槽的调试级硅晶片并使卡盘工作台和磨削磨轮一起旋转而实施通常的修锐作业的情况的局部剖视侧视图。
标号说明
10：磨削单元；11：调试级硅晶片；13：圆弧状的磨削槽；18：主轴；22：磨轮安装座；24：磨削磨轮；26：磨轮基台；28：磨削磨具；34：磨削进给单元；38：卡盘工作台。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细的说明。参照图1，示出了适合实施本发明的修锐方法的磨削装置2的外观立体图。4是磨削装置2的基座，在基座4的后方竖立设置有柱6。在柱6上固定有沿上下方向延伸的一对导轨8。
沿着该一对导轨8以能够在上下方向上移动的方式安装有磨削单元(磨削构件)10。磨削单元10具有主轴壳体12以及对主轴壳体12进行保持的支承部14，支承部14安装于沿着一对导轨8在上下方向上移动的移动基台16上。
磨削单元10包含：主轴18，其以能够旋转的方式收纳在主轴壳体12中；电动机20，其使主轴18旋转驱动；磨轮安装座22，其固定于主轴18的前端；以及磨削磨轮24，其以能够装卸的方式安装于磨轮安装座22。
磨削装置2具有磨削进给单元34，该磨削进给单元34包含使磨削单元10沿着一对导轨8在上下方向上移动的滚珠丝杠30和脉冲电动机32。当使脉冲电动机32驱动时，滚珠丝杠30进行旋转，从而使移动基台16在上下方向上移动。
在基座4的上表面上形成有凹部4a，在该凹部4a内配置有卡盘工作台机构36。卡盘工作台机构36具有卡盘工作台38，通过未图示的移动机构在晶片装卸位置A和与磨削单元10对置的磨削位置B之间沿Y轴方向移动。40、42是波纹部。在基座4的前方侧配设有供磨削装置2的操作者输入磨削条件等的操作面板44。
参照图2，示出了使用在正面未形成LSI等器件的调试级硅晶片11作为被加工物而通过本发明的方法实施磨削磨具28的修锐方法的情况的局部剖视侧视图。
卡盘工作台38利用保持面对调试级硅晶片11进行保持，以能够装卸的方式安装于磨轮安装座22的磨削磨轮24包含环状的磨轮基台26以及呈环状粘固于磨轮基台26的下端的多个磨削磨具28。磨削磨具28是将金刚石磨粒用树脂结合剂、陶瓷结合剂、金属结合剂等固定而形成的。
主轴18绕相对于卡盘工作台38的保持面垂直的旋转轴旋转。磨削进给单元34将磨削单元10在主轴18的旋转轴方向上进行磨削进给。
本发明的磨削磨具的修锐方法不使保持着调试级硅晶片11的卡盘工作台38旋转，而是一边使主轴18向箭头b方向例如按照6000rpm进行旋转一边利用磨削进给单元34将磨削单元10向箭头Z方向进行磨削进给，从而对卡盘工作台38所保持的调试级硅晶片11进行磨削。即，在本发明的磨削磨具的修锐方法中，其显著特征在于，在不使卡盘工作台38旋转的情况下实施磨削磨具28的修锐作业。
图3是示意性示出本发明的磨削磨具的修锐方法的俯视图。在本发明的磨削磨具的修锐方法中，不使卡盘工作台38旋转而仅使磨削磨轮24向箭头b方向旋转，对调试级硅晶片11进行磨削而进行磨削磨具28的修锐，因此在调试级硅晶片11上形成圆弧状的磨削槽13。
这样在不使调试级硅晶片11旋转的情况下进行磨削而进行磨削磨具28的修锐，因此施加给磨削磨具28的负荷较高，即使调试级硅晶片11的磨削体积较小，也能够得到较高的修锐效果。因此，能够减少在磨削磨具28的修锐作业中所使用的调试级硅晶片11的张数。
图4的(A)是实施磨削磨具28的修锐作业而形成了一条圆弧状的磨削槽13之后的调试级硅晶片11的俯视图。这样，在磨削磨具28的一次修锐作业中，仅形成一条圆弧状的磨削槽13，因此使保持着调试级硅晶片11的卡盘工作台38在圆周方向上略微旋转便能够多次实施磨削磨具28的修锐作业。
即，能够根据磨削磨具28的修锐情况而在一张调试级硅晶片11上如图4的(B)所示那样形成多条圆弧状的磨削槽13，因此不增加调试级硅晶片11的使用量便能够调整修锐磨削量。图4的(B)是在一张调试级硅晶片11上形成了多条圆弧状的磨削槽13之后的调试级硅晶片11的俯视图。
在本发明的磨削磨具的修锐方法中使用的调试级硅晶片11形成有一条至多条圆弧状的磨削槽13，正面变得凹凸不平。因此，磨削磨具一边高速地与正面的凹凸碰撞一边实施磨削，因此与对平坦的调试级硅晶片11进行磨削相比，磨削负荷较高，因此也能够作为一边使卡盘工作台38和磨削磨轮24一起旋转一边实施磨削磨具28的修锐的现有的修锐方法的修锐用晶片来使用。
参照图5，示出了使用形成有多条圆弧状的磨削槽13的调试级硅晶片1来实施现有方法的修锐作业的情况的局部剖视侧视图。
在该现有的修锐方法中，一边使对形成有多条圆弧状的磨削槽13的调试级硅晶片11进行吸引保持的卡盘工作台38向箭头a方向按照例如300rpm进行旋转，并且使磨削磨轮24向箭头b方向按照例如6000rpm进行旋转，一边利用磨削进给单元34将磨削磨轮34在箭头Z方向上进行磨削进给，从而实施调试级硅晶片11的磨削。
在调试级硅晶片11上形成有多条圆弧状的磨削槽13，因此与平坦的晶片相比，磨削负荷较高，因此能够有效地实施磨削磨具28的修锐作业。另外，由于磨削负荷较高，因此磨具的消耗也较多，利用这一点，除了修锐以外，在通常对含有磨粒的修整板进行磨削而实施的修整中，也能够代替修整板而利用形成有多条圆弧状的磨削槽13的调试级硅晶片1。
另外，在上述的实施方式中，对使用硅晶片作为利用磨削装置2进行磨削的被加工物的情况进行了说明，因此在磨削磨具28的修锐作业中采用了调试级硅晶片，但在作为磨削对象的被加工物由其他材质构成的情况下，优选使用与磨削对象的被加工物相同材质的被加工物作为修锐用晶片。

Claims (2)

1.一种磨削磨具的修锐方法，该磨削磨具的修锐方法使用了磨削装置，该磨削装置具有：卡盘工作台，其利用保持面对调试级硅晶片进行保持；磨削单元，其将呈环状配置有多个磨削磨具的磨削磨轮安装于具有与该保持面垂直的旋转轴的主轴上，对该卡盘工作台所保持的调试级硅晶片进行磨削；以及磨削进给单元，其将该磨削单元在该旋转轴方向上进行磨削进给，该磨削磨具的修锐方法的特征在于，
一边使该主轴旋转一边将该磨削单元进行磨削进给，在不使该卡盘工作台旋转的情况下对该卡盘工作台所保持的调试级硅晶片进行磨削，在该调试级硅晶片的正面形成圆弧状的磨削槽。
2.根据权利要求1所述的磨削磨具的修锐方法，其中，
在该调试级硅晶片上形成多条该圆弧状的磨削槽，对该磨削磨具的修锐状态进行控制。
CN201910531140.4A 2018-06-22 2019-06-19 磨削磨具的修锐方法和修锐用晶片 Active CN110634737B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018118723A JP7154690B2 (ja) 2018-06-22 2018-06-22 研削砥石の目立て方法
JP2018-118723 2018-06-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110634737A CN110634737A (zh) 2019-12-31
CN110634737B true CN110634737B (zh) 2024-03-19

Family

ID=68968917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910531140.4A Active CN110634737B (zh) 2018-06-22 2019-06-19 磨削磨具的修锐方法和修锐用晶片

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7154690B2 (zh)
KR (1) KR102708811B1 (zh)
CN (1) CN110634737B (zh)
TW (1) TWI799605B (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164312A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Sony Corp 裏面研削方法および裏面研削装置
JP2005340431A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2006015423A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Disco Abrasive Syst Ltd ビトリファイドボンド砥石の目立て方法および目立てボード
JP2008207302A (ja) * 2007-02-28 2008-09-11 Disco Abrasive Syst Ltd 研削砥石のドレッシング方法およびドレッシング工具
JP2008221360A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Disco Abrasive Syst Ltd ドレッシング方法およびドレッサボード
CN105390413A (zh) * 2014-08-27 2016-03-09 株式会社迪思科 磨削装置
JP2017154238A (ja) * 2016-03-04 2017-09-07 株式会社ディスコ 研削装置
CN107914215A (zh) * 2016-10-05 2018-04-17 株式会社迪思科 磨削磨具的修整方法
JP2018065236A (ja) * 2016-10-21 2018-04-26 株式会社ディスコ 目立てボード及びその使用方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4760668A (en) * 1986-07-02 1988-08-02 Alfred Schlaefli Surface grinding machine and method
JP3170113B2 (ja) * 1993-09-27 2001-05-28 トーヨーエイテック株式会社 研削盤の砥石目立て方法及びその装置
JPH0929628A (ja) * 1995-07-18 1997-02-04 Amada Washino Co Ltd 研削盤の砥石形状計測方法並びに計測装置及びこの計測方法を用いた加工方法
JP4488581B2 (ja) * 2000-04-07 2010-06-23 株式会社ディスコ 研削装置
US7163441B2 (en) * 2004-02-05 2007-01-16 Robert Gerber Semiconductor wafer grinder
JP2015202545A (ja) * 2014-04-16 2015-11-16 株式会社ディスコ 研削装置
JP6424081B2 (ja) 2014-12-12 2018-11-14 株式会社ディスコ 研削方法
JP6270921B2 (ja) * 2016-06-28 2018-01-31 株式会社リード ブレードのドレッシング機構を備えた切削装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164312A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Sony Corp 裏面研削方法および裏面研削装置
JP2005340431A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2006015423A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Disco Abrasive Syst Ltd ビトリファイドボンド砥石の目立て方法および目立てボード
JP2008207302A (ja) * 2007-02-28 2008-09-11 Disco Abrasive Syst Ltd 研削砥石のドレッシング方法およびドレッシング工具
JP2008221360A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Disco Abrasive Syst Ltd ドレッシング方法およびドレッサボード
CN105390413A (zh) * 2014-08-27 2016-03-09 株式会社迪思科 磨削装置
JP2017154238A (ja) * 2016-03-04 2017-09-07 株式会社ディスコ 研削装置
CN107914215A (zh) * 2016-10-05 2018-04-17 株式会社迪思科 磨削磨具的修整方法
JP2018065236A (ja) * 2016-10-21 2018-04-26 株式会社ディスコ 目立てボード及びその使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019217611A (ja) 2019-12-26
KR20200000338A (ko) 2020-01-02
TWI799605B (zh) 2023-04-21
JP7154690B2 (ja) 2022-10-18
KR102708811B1 (ko) 2024-09-23
TW202000372A (zh) 2020-01-01
CN110634737A (zh) 2019-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5149020B2 (ja) ウエーハの研削方法
JP5179158B2 (ja) ドレッサボード
JP2009125915A (ja) 研削ホイール装着機構
JP4977493B2 (ja) 研削砥石のドレッシング方法およびドレッシング工具
CN110634737B (zh) 磨削磨具的修锐方法和修锐用晶片
JP4537778B2 (ja) ビトリファイドボンド砥石の目立て方法
KR102047717B1 (ko) 블레이드의 드레싱 기구 및 그 기구를 구비한 절삭 장치 및 그 기구를 사용한 블레이드의 드레싱 방법
JP5912696B2 (ja) 研削方法
JP2007054896A (ja) 研削方法及び研削装置
JP5231107B2 (ja) ウエーハの研削方法
JP3180049B2 (ja) センタレス研削盤のドレッシング装置およびドレッシング方法
JP2007044817A (ja) ウェーハ面取り装置、ウェーハ面取り用砥石、及びツルーイング砥石
JP7347967B2 (ja) 研削方法
CN114454013A (zh) 被加工物的磨削方法
JPS61146471A (ja) ドレツシング装置
JP2012135851A (ja) 研削装置
JP2011245571A (ja) 加工装置
CN112589540A (zh) 板状工件的磨削方法
JP2016078132A (ja) 加工装置
JP6388518B2 (ja) 被加工物の研磨方法
JP2024115859A (ja) 研削装置及び研削方法
JP2021000675A (ja) ドレッシング方法
JP2022136373A (ja) 被加工物の研削方法
JP2002127009A (ja) 研削装置
JP2024012966A (ja) 被加工物の研削方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant