CN102224604A - 发光元件封装用基板的制造方法及发光元件封装体 - Google Patents

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冈岛芳彦
前田哲郎
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Abstract

本发明提供一种作为用于发光元件的封装化的基板的、能够获得从发光元件充分散热的效果且能够实现大量生产、低成本化和小型化的发光元件封装用基板、其制造方法及使用由上述涉及的发光元件封装用基板的发光元件封装体。在具备形成在发光元件(4)的安装位置下方的金属厚层部(2)的发光元件封装用基板中，在发光元件的安装位置下方具备：由含有导热性填充物的树脂构成的、具有1.0W/mK以上的导热率的绝缘层(1)；具有配置在绝缘层(1)的内部的该金属厚层部(2)的金属层(21)，在金属厚层部(2)的顶部设置有导热性掩模部(22)。

Description

发光元件封装用基板的制造方法及发光元件封装体
技术领域
本发明涉及在将LED芯片等发光元件封装化时使用的发光元件封装用基板的制造方法及使用了由该制造方法制造出的发光元件封装用基板的发光元件封装体。
背景技术
近年来，发光二极管作为能够轻量·减薄化及省电化的照明·发光装置而受到关注。作为发光二极管的安装方式已知有：将发光二极管的裸芯片(LED芯片)直接安装到配线基板上的方法；为了使LED芯片容易安装到配线基板上而将LED芯片接合(bonding)到小型基板上并将其封装化、然后将该LED封装体安装到配线基板上的方法。
以往的LED封装体构成为，将LED芯片小片接合(die bond)到小型基板上，通过引线接合(wire bond)等将LED芯片的电极部分与引线的电极部分之间连接，并由具有透光性的密封树脂将其密封。
另一方面，LED芯片具有以下性质，即，在作为照明器件的通常的使用温度区域内，温度越低则发光效率越高，温度越高则发光效率越下降。因此，在使用发光二极管的光源装置中，对于提高LED芯片的发光效率而言，将LED芯片产生的热量迅速地向外部散出而降低LED芯片的温度成为了非常重要的课题。此外，通过提高散热特性能够在LED芯片中通过大电流来进行使用，从而能够增大LED芯片的光输出。
因此，已提出了多个取代以往的发光二极管而将LED芯片直接小片接合到导热性的基板上以改善LED芯片的散热特性的光源装置。例如，已知有下述专利文献1中的如下装置，即，通过对铝薄板构成的基板实施冲压加工而形成凹部，在其表面上形成绝缘体薄膜后，隔着绝缘体薄膜在凹部的底面上小片接合LED芯片，使形成于绝缘体膜层上的配线图案与LED芯片表面的电极之间经由接合引线而电连接，并在凹部内填充具有透光性的密封树脂。然而，这种基板存在结构变得复杂而造成加工成本增加等问题。
此外，在下述的专利文献2中，作为发光元件搭载用基板公开有具备如下构件的结构，即，该结构具备：金属基板、通过蚀刻形成在该金属基板的发光元件的搭载位置的金属柱状体(金属凸部)、形成在该金属柱状体的周围的绝缘层、在所述金属柱状体的附近形成的电极部。
专利文献1：日本特开2002-94122号公报
专利文献2：日本特开2005-167086号公报
然而，根据本发明人等的研究发现，对于将LED芯片安装到配线基板上的情况而言，虽然在其搭载位置设置金属柱状体是重要的，但是对于安装LED封装体而言，并非必须在配线基板上设置金属柱状体。即，发现如下情况：在安装LED封装体时，通过使用含有高导热性的无机填充物的树脂作为搭载LED封装体的基板的绝缘层的材料，从而能够得到充分的散热性。
基于该观点考虑而参照专利文献2可知，在该文献所记载的发光元件搭载用基板中，在将LED芯片封装化时，对于金属柱状体的贯通结构、用于供电的配线、绝缘层等还有进一步改良的余地。另外，作为金属柱状体的形成方法，从降低制造成本的观点考虑，期望重新计划制造工序数。
另外，作为用于LED芯片的封装化的小型基板，已知有绝缘层由陶瓷构成的情况，但由于在制造时需要进行陶瓷的烧成等，因此不能说其在制造成本等方面是有利的，不适用于大量生产。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种作为用于发光元件的封装化的基板的、能够获得从发光元件充分散热的效果且能够实现大量生产、低成本化和小型化的发光元件封装用基板、其制造方法及使用由上述涉及的制造方法制造出的发光元件封装用基板的发光元件封装体。
上述目的可通过如下所述的本发明实现。
本发明涉及一种发光元件封装用基板，具备形成在发光元件的安装位置下方的金属厚层部，其特征在于，
在所述发光元件的安装位置下方具备：
由含有导热性填充物的树脂构成的、具有1.0W/mK以上的导热率的绝缘层；
具有配置在所述绝缘层的内部的所述金属厚层部的金属层，
在所述金属厚层部的顶部设置有导热性掩模部。
根据该结构，由于配置成在导热性良好的绝缘层的内部竖立设置有金属厚层部，且导热性掩模部被外涂层(设置)在金属厚层部的顶部，因此，例如在绝缘层的一面侧的安装面上安装有发光元件时，由发光元件产生的热量能够通过高导热率的绝缘层、导热性掩模部及金属厚层部高效地传递。另外，在与金属厚层部对置的金属层表面侧安装有发光元件时，由发光元件产生的热量能够通过导热性掩模部及金属厚层部高效地传递，并且该热量进一步通过导热率高的绝缘层高效地传热。如此，作为用于封装化的基板能够得到充分的散热效果。
导热性掩模部优选例如直接使用金属厚层部的形成工序中的抗蚀剂。能够省略抗蚀剂除去工序，从作业效率、制造成本等方面来看有较大的改善效果。
另外，本发明的另一方案涉及一种发光元件封装用基板的制造方法，该发光元件的封装用基板具备形成在发光元件的安装位置下方的金属厚层部，其特征在于，
所述制造方法具有层叠工序，在该层叠工序中，将具有绝缘粘接剂及金属层构件的层叠体和具有金属厚层部的金属层构件层叠一体化，所述绝缘粘接剂由含有导热性填充物的树脂构成且具有1.0W/mK以上的导热率，所述金属厚层部设置有导热性掩模部。
根据该结构，能够将具有导热性良好的绝缘粘接剂及金属层构件的层叠体与具有设置有导热性掩模部的金属厚层部的金属层构件层叠一体化。通过预先制造层叠体，可使发光元件封装用基板的制造容易，大量生产性优良，且能够实现低成本化、封装体的小型化。并且，例如在绝缘层的一面侧的安装面上安装有发光元件时，由发光元件产生的热量能够通过高导热率的绝缘层、导热性掩模部及金属厚层部高效地传热。另外，在与金属厚层部对置的金属层表面侧安装有发光元件时，由发光元件产生的热量能够通过导热性掩模部及金属厚层部高效地传递，并且该热量进一步通过导热率高的绝缘层高效地传递。如此，作为用于封装化的基板能够得到充分的散热效果。
另外，作为本发明的优选的实施方式的一例，优选具有绝缘粘接剂及金属层构件的层叠体和/或具有设置有导热性掩模部的金属厚层部的金属层构件预先形成为卷筒状。根据该结构，与单叶生产相比，连续生产性及大量生产性优良，材料利用率也高。
另外，本发明的另一方案的发光元件封装体使用上述的发光元件封装用基板或由上述的制造方法制造的发光元件封装用基板来构成。由此，能够制造低成本且小型的发光元件封装体。
附图说明
图1是表示本发明的发光元件封装用基板的一例的剖视图。
图2是表示本发明的发光元件封装用基板的另一例的剖视图。
图3是表示本发明的发光元件封装用基板的制造方法的一例的图。
符号说明
1绝缘层
2金属厚层部
3表面电极部
4发光元件
7密封树脂
21金属层
22导热性掩模部
24层叠体
25层叠体(基板构件)
30a、30b辊
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1、2是表示本发明的发光元件封装用基板的一例的剖视图，其示出安装发光元件并将其封装化的状态。
如图1所示，本发明的一例的发光元件封装用基板具备：由包含导热性填充物1b、1c的树脂1a构成的绝缘层1、具有配置在绝缘层1的内部的该金属厚层部2的金属层21，并且在金属厚层部2的顶部设置有导热性掩模部22。并且，在绝缘层1的安装一侧的表面上设置有发光元件4，另外，在绝缘层1的安装一侧的表面上设置有表面电极部3。
此外，如图2所示，另一发光元件封装用基板具备：由包含导热性填充物1b、1c的树脂1a构成的绝缘层1；设置在发光元件4的安装位置的下方且具有在其顶面设置有导热性掩模部22的金属厚层部2的金属层21；形成在绝缘层1的安装一侧的表面上的表面电极部3。并且，在金属层21的安装面2a上直接安装发光元件4。金属厚层部2从安装面2a朝向绝缘层1的背面侧形成厚层，其顶部侧包含在绝缘层1的内部(埋入的状态)。
如此，在形成为金属厚层部2的顶部侧未贯通绝缘层1这种结构的情况下，由于能够通过使用后述的辊等进行的冲压或间歇式冲压来进行制造，因此能够实现大量生产、低成本化和小型化。
本发明中的绝缘层1具有1.0W/mK以上的导热率，优选具有1.2W/mK以上的导热率，更优选具有1.5W/mK以上的导热率。由此，能够高效地将来自金属厚层部2及导热性掩模部22的热量向封装体整体散热。在此，绝缘层1的导热率通过选择适当考虑了导热性填充物的配合量及粒度分布的配合来决定，但若考虑硬化前的绝缘性粘接剂(例如，下述的热硬化性树脂等)的涂敷性，则通常优选以10W/mK左右作为上限。
绝缘层1优选由作为金属氧化物和/或金属氮化物的导热性填充物1b、1c和树脂1a构成。金属氧化物及金属氮化物优选导热性优良且具有电绝缘性的材料。作为金属氧化物可以选择氧化铝、氧化硅、氧化铍、氧化镁，作为金属氮化物可以选择氮化硼、氮化硅、氮化铝，也可以将它们单独使用或两种以上混合使用。尤其是，在所述金属氧化物中，氧化铝具有电绝缘性和导热性，而且能够容易获得良好的绝缘粘接剂层，并且能够以低价购得，因此优选；此外，在所述金属氮化物中，氮化硼的电绝缘性、导热性优良，而且其介电常数小，因此优选。
作为导热性填充物1b、1c优选含有小径填充物1b和大径填充物1c的材料。通过如此使用两种以上的大小不同的粒子(粒度分布不同的粒子)，能够通过大径填充物1c自身的传热功能和由小径填充物1b提高大径填充物1c间的树脂的传热性的功能，来提高绝缘层1的导热率。基于这样的观点来考虑，小径填充物1b的平均粒子径优选为0.5～2μm，更优选为0.5～1μm。此外，大径填充物1c的平均粒子径优选为10～40μmμm，更优选为15～20μm。
另外，金属厚层部2及导热性掩模部22进入绝缘层1内部，导热性掩模部22与绝缘层1的填充物(1b、1c)接触，由此提高由发光元件产生的热量的散热性。
作为构成绝缘层1的树脂1a，选择含有所述的金属氧化物和/或金属氮化物且在硬化状态下与表面电极部3及金属图案5的接合力优良而且耐电压特性等不受损的材料。
作为这样的树脂，除了可以使用环氧树脂、苯酚树脂、聚酰亚胺树脂以外，还可以单独使用各种工程塑料或将各种工程塑料混合两种以上进行使用，其中环氧树脂因与金属彼此的接合力优良而优选。特别是，在环氧树脂中，更优选流动性强、与所述金属氧化物及金属氮化物的混合性优良的双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂，氢化双酚A型环氧树脂、氢化双酚F型环氧树脂、在两末端具有双酚A型环氧树脂结构的三嵌段共聚物、在两末端具有双酚F型环氧树脂结构的三嵌段共聚物。
本发明中的具有金属厚层部2的金属层21、表面电极部3及金属图案5可以使用各种金属，但通常可以使用铜、铝、镍、铁、锡、银、钛中的任一种或含有这些金属的合金等，尤其从导热性和导电性的观点考虑优选铜。
金属厚层部2设置于金属层21。优选金属厚层部2的厚度比金属层21的厚度大。基于将来自发光元件4的热量充分地传递到绝缘层1的观点考虑，作为金属层21的厚度(h1：参照图3)及金属厚层部2及导热性掩模部22的厚度(h2：参照图3)优选为31～275μm，更优选为35～275μm。此外，基于同样的理由考虑，金属厚层部2及导热性掩模部22中的包含在绝缘层1内部的部分的厚度优选为绝缘层1的厚度的30～100％，更优选为50～100％。
此外，基于将来自发光元件4的热量充分地传递到绝缘层1的观点考虑，可适当选择金属厚层部2的俯视形状，优选为三角形或四边形等多边形、五角星或六角星等星形多边形、将它们的角部以适当的圆弧形成为圆角的形状、以及形成为从金属厚层部2的2a面朝向表面电极部3逐渐变化的形状。此外，基于同样的理由，金属厚层部2在俯视下的最大宽度优选为1～10mm，更优选为1～5mm。
在金属层21上形成金属厚层部2的方法可以采用公知的形成方法，例如，可以通过基于光刻法的蚀刻、冲压、印刷、粘接、公知的凸出物形成法形成。另外，在通过蚀刻形成金属厚层部2时，也可以为夹有保护金属层的结构。作为保护金属层例如可以使用金、银、锌、钯、钌、镍、铑、铅—锡系钎料合金或镍—金合金等。
设在金属厚层部2的顶部的导热性掩模部22具有1.0W/mK以上的导热率，优选具有1.2W/mK以上的导热率，更优选具有1.5W/mK以上的导热率。尤其是，优选具有与绝缘层1同等以上的导热率且热容量小。
另外，作为在金属厚层部2的顶部形成导热性掩模部22的方法例如可例示出印刷、粘接等。另外，在通过基于光刻法的蚀刻来形成金属厚层部2时，优选使用导热性掩模部作为抗蚀剂，从而能够省略除去该导热性掩模部的工序。
导热性掩模部22的厚度为1μm以上，例如可例示为10～100μm。若过厚，则在与绝缘层1层叠时端部的形状变化变大，所以不优选，而若过薄，则导热性下降，所以不优选。
作为导热性掩模部22的材料例如可以例示出绝缘层1以外的层间绝缘材料、抗蚀剂、干膜抗蚀剂、钎料、钎料糊剂、导电性粘接剂、导热性粘接剂或阻焊剂、焊剂(flux)等。其中，优选使用绝缘层1以外的层间绝缘材和抗蚀剂。
表面电极部3的厚度优选为例如25～70μm左右。此外，在设置金属图案5a的情况下，金属图案5a的厚度优选为例如25～70μm左右。需要说明的是，金属图案5a可以覆盖绝缘层1的背面整体，另外也可以与金属层21同样地具有金属厚层部2。为了避免表面电极部3的短路，金属图案5a优选至少两侧的表面电极部3的背面的金属图案5a不导通。尤其是，在金属图案5a上具有金属厚层部2时，在下述的层叠一体化的工序中，需要注意避免产生位置偏移。另外，金属图案5a优选在绝缘粘接剂的B阶段状态中预先形成。
为了提高反射效率，优选在金属厚层部2、金属层21和表面电极部3上进行基于银、金、镍等贵金属的镀敷。此外，也可以与以往的配线基板同样地形成阻焊膜或局部地进行钎料镀敷。
(制造方法)
接下来，利用图3说明以上这样的本发明的发光元件封装用基板的优选的制造方法。如图3所示，准备将形成有金属厚层部2的长条状的金属层21卷绕而形成的金属层卷筒体211，其中该金属厚层部2在顶部设置有导热性掩模部22。适当设定宽度方向尺寸、金属厚层部2的配置等。通过基于光刻法的蚀刻形成金属厚层部2，导热性掩模部22是作为抗蚀剂使用的材料本身。
另外，准备将长条状的B阶段状态的绝缘层1和长条状的金属层5的层叠体24卷绕而形成的绝缘层卷筒体241。适当设定宽度方向尺寸，优选与金属层卷筒体211的宽度方向尺寸为相同程度。在长条状的绝缘层1的表面设置有剥离保护层。这种情况下，在与金属层21层叠时剥离剥离保护层。
如图3所示，用于层叠的辊由一对辊(30a、30b)构成。另外，辊对(30a、30b)也可以由多个辊对构成。另外，辊对(30a、30b)可构成为经由板状体(一侧或两侧：未图示)来冲压金属层21及层叠体24。另外，也可以使用将辊对与夹有板状体辊对组合的结构。辊材料和辊的尺寸等是根据将金属层21与层叠体24层叠一体化形成的层叠体25(基板构件)的规格而适当设定的。作为板状体可例示出平面性良好的硬质金属板、硬质树脂板。另外，也可以使用带冲压。而且，也可以使用通过步进式地引出金属层21及层叠体24的间歇式冲压机。
辊对(30a、30b)间距离构成为可调节。根据层叠金属层21及层叠体24得到的层叠体25的厚度、金属厚层部2中的包含在绝缘层1内部的部分的厚度及层叠工序运转条件(输送速度等)等条件来设定该距离。辊对(30a、30b)的冲压力是根据金属层21、构成层叠体24的绝缘层1、将它们层叠得到的层叠体25的各自的规格来设定的。另外，辊对(30a、30b)间距离在形成层叠体25时可以固定也可以构成为可沿相对于层叠体25垂直的方向变动。在构成为可沿垂直方向变动时可适用公知的机构，可例示出例如弹簧、油压缸、弹性构件等。
以下，对图3所示的制造方法进行说明。首先，从金属层卷筒体211引出长条状的金属层21并向辊对(30a、30b)侧送出。与此同时，从B阶段状态下的绝缘层1与金属层5的层叠体24的卷筒体241引出长条状的层叠体24并向辊对(30a、30b)侧送出。接下来，将它们输送到辊对(30a、30b)之间，对金属层21和层叠体24施加基于辊对(30a、30b)的冲压作用，由此金属层21与层叠体24层叠并一体化从而形成层叠体25。在图3中，以导热性掩模部22及金属厚层部2成为埋入层叠体24的绝缘层1的内部的状态的方式形成层叠体25。
另外，也可以构成为对辊自身进行加热并在使该热量进行作用的同时进行冲压(同时加热冲压)。在加热绝缘层1的情况下，在提高与金属层21的接合性方面是有效的。而且，也可以构成为在辊对(30a、30b)的上游侧和/或下游侧设置加热装置，由此能够高效地进行绝缘层1与金属层21的接合。
另外，也可以构成在金属层21和/或绝缘层1的层叠面侧涂敷粘接剂，由此加强接合力。
另外，为了厚度保持·稳定化，也可以构成为在辊对(30a、30b)的下游侧设置多个辊对(按压辊对)和/或平面板部对，由此，能够提高层叠体25的厚度精度。另外，为了进行冷却，也可以在辊对(30a、30b)的下游侧具备冷却辊、冷却装置等。
通过使利用辊将金属层21与层叠体24层叠得到的层叠体25导入并通过条件适当的加热装置的内部，由此使B阶段状态下的绝缘层1硬化成C阶段状态。接下来，通过利用切块机、刳刨机(router)、直线切断机(line cutter)、剪切机等切断装置将其切断成规定的尺寸。需要说明的是，层叠体25的硬化也可以在切断后进行，另外，也可以在切断前进行硬化反应并且在切断后进一步进行后固化。这种情况下，可以在切断前设置在线(in-line)的加热装置，也可以在卷绕成卷筒状后以离线(off-line)的方式通过加热装置进行硬化反应。
接下来，层叠体25通过基于光刻法的蚀刻等在两面上进行图案形成，由此形成表面电极部3及金属图案5a，由此能够得到本发明的发光元件封装用基板。另外，例如，如图1所示，可以构成为金属层21的一部分被除去而剩余部分形成金属图案5a，金属层5的一部分被除去而剩余部分形成表面电极部3。另外，如图2所示，也可以构成为金属层21的一部分被除去而剩余部分形成表面电极部3，金属层5的一部分被除去而剩余部分形成金属图案5a。
如图1、2所示，本发明的发光元件封装用基板可以是安装单个发光元件的类型，也可以是安装多个发光元件的类型。尤其是后者的情况下，优选具有在表面电极部3之间配线的配线图案。
另外，例如，如图2所示，对于发光元件封装用基板而言，在发光元件封装用基板的金属厚层部2的上方的金属层21安装发光元件4并利用密封树脂7密封该发光元件4而进行使用。
即，发光元件封装体具备：发光元件封装用基板、安装在金属厚层部2的上方的发光元件4、密封该发光元件4的密封树脂7，其中，所述发光元件封装用基板具备：由含有导热性填充物1b、1c的树脂1a构成的绝缘层1、形成在发光元件4的安装位置的下方的设置有金属厚层部2的金属层21、形成在绝缘层1的安装一侧的表面上的表面电极部3。
作为安装的发光元件4，可以列举出LED芯片和半导体激光芯片等。在LED芯片中，除了包括两电极存在于上表面的面朝上(Face-up)型以外，还包括基于背面的电极的阴极型、阳极型、面朝下(Face-down)型(倒装芯片型)等。在本发明中使用面朝上型是因为其在散热性方面优良。
发光元件4向金属层21的安装面搭载的搭载方法可以是使用导电性糊剂、双面带、基于钎焊的接合、散热片(优选硅酮系散热片)、硅酮系或环氧系树脂材料的方法等中的任一种接合方法，但从散热性方面考虑优选基于金属的接合。
另外，发光元件4与两侧的表面电极部3导电连接。该导电连接可以通过利用基于金属细线8的引线接合等将发光元件4的上部电极与各表面电极部3结线而实现。作为引线接合，可以使用超声波或并用超声波及加热等的方法。
本实施方式的发光元件封装体示出了设置有接合密封树脂7时的坝部6的示例，但也可以省略坝部6。作为形成坝部6的方法，可以列举出粘接环状构件的方法、利用配送器将紫外线硬化树脂等立体且呈环状地涂布并使其硬化的方法等。
作为接合用的树脂可以适当使用硅酮系树脂、环氧系树脂等。从赋予凸透镜功能的观点考虑，关于密封树脂7的接合，优选将上表面形成凸状，但也可以将上表面形成平面状或凹状。关于接合后的密封树脂7的上表面形状，可以通过使用的材料的粘度、涂敷方法、与涂敷表面的亲和性等进行控制。
在本发明中，也可以在密封树脂7的上方具备凸面的透明树脂透镜。通过使透明树脂透镜具有凸面，能够高效地从基板向上方发射光。作为具有凸面的透镜可以列举出俯视形状为圆形、椭圆形的构件等。另外，透明树脂和透明树脂透镜也可以含有着色的物质或荧光物质。尤其是在含有黄色系荧光物质时，可以使用蓝色发光二极管产生白色光。
[其他实施方式]
(1)在上述的实施方式中示出了搭载面朝上型的发光元件的示例，在本发明中也可以搭载在底面具备一对电极的面朝下型的发光元件。此时，有时可以通过进行焊接接合等而无需引线接合等。此外，当在发光元件的表面和背面具有电极时，能够以一根引线进行引线接合等。
(2)在上述的实施方式中示出了对配线层为单层的配线基板搭载发光元件的示例，但在本发明中，也可以对配线层为两层以上的多层配线基板搭载发光元件。这种情况的导电连接结构的形成方法的详细情况在国际公开公报WO00/52977号中有所记述，可以使用其中的任一种。
(3)另外，作为其他实施方式，存在层叠体24未构成卷筒状的情况。此时，在引出卷筒状的金属层5的同时在表面连续涂敷绝缘粘接剂，由此构成层叠体24。对该层叠体24使用上述的工艺，连续层叠金属层21从而得到层叠体25。此时，在与金属层21层叠前，可以使层叠体24的绝缘粘接剂半硬化至B阶段状态。
(4)作为其他实施方式，引出金属层21的基体金属，使用上述工艺连续地形成金属厚层部，由此得到金属层21。对该金属层21使用上述的工艺而连续地层叠层叠体24，由此得到层叠体25。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种发光元件封装用基板，具备形成在发光元件的安装位置下方的金属厚层部，其中，
在所述发光元件的安装位置下方具备：
由含有导热性填充物的树脂构成的、具有1.0W/mK以上的导热率的绝缘层；
具有配置在所述绝缘层的内部的所述金属厚层部的金属层，
在所述金属厚层部的顶部设有导热性掩模部。
2.(修改后)根据权利要求1所述的发光元件封装用基板，其中，
所述导热性填充物包括两种以上大小不同的粒子。
3.(修改后)根据权利要求1所述的发光元件封装用基板，其中，
所述导热性填充物包括平均粒径为0.5～2μm的小径的导热性填充物及平均粒径为10～40μm的大径的导热性填充物。
4.(修改后)根据权利要求1所述的发光元件封装用基板，其中，
所述导热性掩模部的导热率为1.0W/mK以上。
5.(修改后)根据权利要求1所述的发光元件封装用基板，其中，
所述导热性掩模部的导热率为所述绝缘层的同等以上。
6.(追加)根据权利要求1所述的发光元件封装用基板，其中，
所述导热性掩模部由在所述金属厚层部的形成中使用的抗蚀剂构成。
7.(追加)一种发光元件封装用基板的制造方法，该发光元件的封装用基板具备形成在发光元件的安装位置下方的金属厚层部，其中，
该制造方法具有将具有绝缘粘接剂及金属层构件的层叠体和具有金属厚层部的金属层构件层叠一体化的层叠工序，所述绝缘粘接剂由含有导热性填充物的树脂构成且具有1.0W/mK以上的导热率，所述金属厚层部设有导热性掩模部。
8.(追加)根据权利要求7所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
所述导热性填充物包括两种以上大小不同的粒子。
9.(追加)根据权利要求7所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
所述导热性填充物包括平均粒径为0.5～2μm的小径的导热性填充物及平均粒径为10～40μm的大径的导热性填充物。
10.(追加)根据权利要求7所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
所述导热性掩模部的导热率为1.0W/mK以上。
11.(追加)根据权利要求7所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
所述导热性掩模部的导热率为所述绝缘层的同等以上。
12.(追加)根据权利要求7所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
所述导热性掩模部由在所述金属厚层部的形成中使用的抗蚀剂构成。
13.(追加)根据权利要求7所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
所述具有绝缘粘接剂及金属层构件的层叠体及/或具有设有导热性掩模部的金属厚层部的金属层构件预先形成为卷筒状。
14.(追加)一种发光元件封装体，其使用权利要求1至6中任一项所述的所述发光元件封装用基板。
15.(追加)一种发光元件封装体，其使用由权利要求7至13中任一项所制造的所述发光元件封装用基板。

Claims (5)

1.一种发光元件封装用基板，具备形成在发光元件的安装位置下方的金属厚层部，其中，
在所述发光元件的安装位置下方具备：
由含有导热性填充物的树脂构成的、具有1.0W/mK以上的导热率的绝缘层；
具有配置在所述绝缘层的内部的所述金属厚层部的金属层，
在所述金属厚层部的顶部设置有导热性掩模部。
2.一种发光元件封装用基板的制造方法，该发光元件的封装用基板具备形成在发光元件的安装位置下方的金属厚层部，其中，
所述制造方法具有层叠工序，在该层叠工序中，将具有绝缘粘接剂及金属层构件的层叠体和具有金属厚层部的金属层构件层叠一体化，所述绝缘粘接剂由含有导热性填充物的树脂构成且具有1.0W/mK以上的导热率，所述金属厚层部设置有导热性掩模部。
3.根据权利要求2所述的发光元件封装用基板的制造方法，其中，
具有所述绝缘粘接剂及金属层构件的层叠体和/或具有设置有导热性掩模部的金属厚层部的金属层构件预先形成为卷筒状。
4.一种发光元件封装体，其使用权利要求1的所述发光元件封装用基板。
5.一种发光元件封装体，其使用由权利要求2或3所制造的所述发光元件封装用基板。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103268914A (zh) * 2013-05-27 2013-08-28 北京半导体照明科技促进中心 Led封装基板及制作工艺
CN104576909A (zh) * 2013-10-11 2015-04-29 普因特工程有限公司 含有散热物质的芯片贴装基板用散热体制造方法
CN107623065A (zh) * 2016-07-13 2018-01-23 罗姆股份有限公司 半导体发光器件及其制造方法
CN111656543A (zh) * 2019-01-04 2020-09-11 首尔半导体株式会社 发光二极管封装件

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8493516B2 (en) * 2009-06-15 2013-07-23 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting module, illumination device, display device, and television receiver
JP4681071B1 (ja) * 2009-12-17 2011-05-11 株式会社スズデン 照明器具
EP2526572B1 (en) * 2010-01-19 2019-08-14 LG Innotek Co., Ltd. Package and manufacturing method of the same
WO2012061184A1 (en) * 2010-11-03 2012-05-10 3M Innovative Properties Company Flexible led device and method of making
KR101181224B1 (ko) * 2011-03-29 2012-09-10 성균관대학교산학협력단 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR101976436B1 (ko) * 2012-04-12 2019-05-09 엘지이노텍 주식회사 기판, 발광 모듈 및 조명 시스템
CN104303605B (zh) * 2012-08-02 2018-10-09 学校法人早稻田大学 金属基印刷电路板
JP6303949B2 (ja) * 2013-11-29 2018-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及び照明器具
JP6501075B2 (ja) * 2016-02-24 2019-04-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂構造体とその構造体を用いた電子部品及び電子機器
JP2017199803A (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 日立マクセル株式会社 三次元成形回路部品
JP2022182717A (ja) * 2021-05-28 2022-12-08 イビデン株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100753A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュールおよびその製造方法
CN101457917A (zh) * 2007-12-13 2009-06-17 连展科技（深圳）有限公司 发光二极体之高散热光模组及制作方法
JP4375118B2 (ja) * 2004-05-25 2009-12-02 凸版印刷株式会社 積層成形装置、積層成形方法及び半導体装置用基板の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000052977A1 (fr) 1999-03-03 2000-09-08 Daiwa Co., Ltd. Procede de fabrication d'un panneau de cablage multicouche
JP4432275B2 (ja) 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
JP4255367B2 (ja) 2003-12-04 2009-04-15 デンカＡｇｓｐ株式会社 発光素子搭載用基板及びその製造方法
JP2006156930A (ja) * 2004-03-19 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 層間接合部位を有するフレキシブル基板およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4375118B2 (ja) * 2004-05-25 2009-12-02 凸版印刷株式会社 積層成形装置、積層成形方法及び半導体装置用基板の製造方法
JP2006100753A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュールおよびその製造方法
CN101457917A (zh) * 2007-12-13 2009-06-17 连展科技（深圳）有限公司 发光二极体之高散热光模组及制作方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103268914A (zh) * 2013-05-27 2013-08-28 北京半导体照明科技促进中心 Led封装基板及制作工艺
CN104576909A (zh) * 2013-10-11 2015-04-29 普因特工程有限公司 含有散热物质的芯片贴装基板用散热体制造方法
CN107623065A (zh) * 2016-07-13 2018-01-23 罗姆股份有限公司 半导体发光器件及其制造方法
CN111656543A (zh) * 2019-01-04 2020-09-11 首尔半导体株式会社 发光二极管封装件

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