DE1068384B
(xx)
*
|
|
1959-11-05 |
|
|
DE1070747B
(xx)
*
|
|
1959-12-10 |
|
|
NL84061C
(xx)
*
|
1948-06-26 |
|
|
|
BE490438A
(xx)
*
|
1948-08-13 |
|
|
|
NL143914C
(xx)
*
|
1948-10-14 |
|
|
|
US2770762A
(en)
*
|
1949-04-01 |
1956-11-13 |
Int Standard Electric Corp |
Crystal triodes
|
US2609427A
(en)
*
|
1949-05-31 |
1952-09-02 |
Rca Corp |
Three-electrode semiconductor device
|
US2606960A
(en)
*
|
1949-06-01 |
1952-08-12 |
Bell Telephone Labor Inc |
Semiconductor translating device
|
US2632062A
(en)
*
|
1949-06-15 |
1953-03-17 |
Bell Telephone Labor Inc |
Semiconductor transducer
|
US2634322A
(en)
*
|
1949-07-16 |
1953-04-07 |
Rca Corp |
Contact for semiconductor devices
|
US2675509A
(en)
*
|
1949-07-26 |
1954-04-13 |
Rca Corp |
High-frequency response semiconductor device
|
US2644914A
(en)
*
|
1949-08-17 |
1953-07-07 |
Bell Telephone Labor Inc |
Multicontact semiconductor translating device
|
US2670441A
(en)
*
|
1949-09-07 |
1954-02-23 |
Bell Telephone Labor Inc |
Alpha particle counter
|
US2618690A
(en)
*
|
1949-10-06 |
1952-11-18 |
Otmar M Stuetzer |
Transconductor employing line type field controlled semiconductor
|
US2586080A
(en)
*
|
1949-10-11 |
1952-02-19 |
Bell Telephone Labor Inc |
Semiconductive signal translating device
|
BE500302A
(xx)
*
|
1949-11-30 |
|
|
|
US2965820A
(en)
*
|
1950-02-17 |
1960-12-20 |
Rca Corp |
High gain semi-conductor devices
|
US2666873A
(en)
*
|
1950-04-21 |
1954-01-19 |
Rca Corp |
High current gain semiconductor device
|
US2704792A
(en)
*
|
1950-06-28 |
1955-03-22 |
Rca Corp |
Amplifier with adjustable peak frequency response
|
NL159657B
(nl)
*
|
1950-06-28 |
|
Bayer Ag |
Werkwijze ter bereiding van een n-hydroxyimidothiocarbon- zuurester.
|
US2728034A
(en)
*
|
1950-09-08 |
1955-12-20 |
Rca Corp |
Semi-conductor devices with opposite conductivity zones
|
BE505739A
(xx)
*
|
1950-09-12 |
|
|
|
US2950425A
(en)
*
|
1950-09-14 |
1960-08-23 |
Bell Telephone Labor Inc |
Semiconductor signal translating devices
|
US2650311A
(en)
*
|
1950-10-26 |
1953-08-25 |
Purdue Research Foundation |
Radiant energy detecting method and apparatus
|
US2691736A
(en)
*
|
1950-12-27 |
1954-10-12 |
Bell Telephone Labor Inc |
Electrical translation device, including semiconductor
|
US2691076A
(en)
*
|
1951-01-18 |
1954-10-05 |
Rca Corp |
Semiconductor signal translating system
|
US2701302A
(en)
*
|
1951-03-29 |
1955-02-01 |
Rca Corp |
Semiconductor frequency converter
|
US2794863A
(en)
*
|
1951-07-20 |
1957-06-04 |
Bell Telephone Labor Inc |
Semiconductor translating device and circuit
|
US2761020A
(en)
*
|
1951-09-12 |
1956-08-28 |
Bell Telephone Labor Inc |
Frequency selective semiconductor circuit elements
|
US2757243A
(en)
*
|
1951-09-17 |
1956-07-31 |
Bell Telephone Labor Inc |
Transistor circuits
|
US2736849A
(en)
*
|
1951-12-31 |
1956-02-28 |
Hazeltine Research Inc |
Junction-type transistors
|
US2776381A
(en)
*
|
1952-01-25 |
1957-01-01 |
Bell Telephone Labor Inc |
Multielectrode semiconductor circuit element
|
DE1006169B
(de)
*
|
1952-02-07 |
1957-04-11 |
Siemes & Halske Ag |
Anordnung zur Umwandlung mechanischer in elektrische Schwingungen
|
US2693568A
(en)
*
|
1952-03-05 |
1954-11-02 |
Bell Telephone Labor Inc |
Current and voltage regulation
|
NL176299B
(nl)
*
|
1952-03-10 |
|
Hydrotech Int Inc |
Inrichting voor het losneembaar afsluiten van pijpleidingen.
|
NL96818C
(xx)
*
|
1952-03-14 |
|
|
|
NL93080C
(xx)
*
|
1952-06-19 |
|
|
|
DE954624C
(de)
*
|
1952-06-19 |
1956-12-20 |
Western Electric Co |
Hochfrequenz-Halbleiterverstaerker
|
DE1031893B
(de)
*
|
1952-08-01 |
1958-06-12 |
Standard Elektrik Ag |
Verfahren zur aeusseren Formgebung von Halbleiteranordnungen, insbesondere fuer Gleichrichter- und Verstaerkerzwecke mit Halbleitern aus Germanium oder Silizium
|
BE523907A
(xx)
*
|
1952-10-31 |
|
|
|
DE1018917B
(de)
*
|
1952-11-08 |
1957-11-07 |
Dr Oskar Vierling |
Schaltungsanordnung fuer einen Kleinstverstaerker mit Kristalltrioden, insbesondere Germaniumtrioden
|
US2754455A
(en)
*
|
1952-11-29 |
1956-07-10 |
Rca Corp |
Power Transistors
|
DE966276C
(de)
*
|
1953-03-01 |
1957-07-18 |
Siemens Ag |
Halbleiteranordnung mit wenigstens zwei Steuerelektroden oder Steuerelektrodengruppenfuer elektronische Abtast- oder Schaltanordnungen
|
US2769926A
(en)
*
|
1953-03-09 |
1956-11-06 |
Gen Electric |
Non-linear resistance device
|
US2849342A
(en)
*
|
1953-03-17 |
1958-08-26 |
Rca Corp |
Semiconductor devices and method of making them
|
US2795744A
(en)
*
|
1953-06-12 |
1957-06-11 |
Bell Telephone Labor Inc |
Semiconductor signal translating devices
|
US2907934A
(en)
*
|
1953-08-12 |
1959-10-06 |
Gen Electric |
Non-linear resistance device
|
GB805292A
(en)
*
|
1953-12-02 |
1958-12-03 |
Philco Corp |
Semiconductor devices
|
NL192334A
(xx)
*
|
1953-12-31 |
|
|
|
US2829992A
(en)
*
|
1954-02-02 |
1958-04-08 |
Hughes Aircraft Co |
Fused junction semiconductor devices and method of making same
|
GB767311A
(en)
*
|
1954-03-08 |
1957-01-30 |
Gen Electric Co Ltd |
Improvements in or relating to semiconductor devices
|
US2931958A
(en)
*
|
1954-05-03 |
1960-04-05 |
Nat Res Dev |
Semi-conductor devices
|
US2805347A
(en)
*
|
1954-05-27 |
1957-09-03 |
Bell Telephone Labor Inc |
Semiconductive devices
|
US2802117A
(en)
*
|
1954-05-27 |
1957-08-06 |
Gen Electric |
Semi-conductor network
|
BE539001A
(xx)
*
|
1954-06-15 |
|
|
|
US2780752A
(en)
*
|
1954-06-16 |
1957-02-05 |
Gen Electric |
Semi-conductor network
|
US2770761A
(en)
*
|
1954-12-16 |
1956-11-13 |
Bell Telephone Labor Inc |
Semiconductor translators containing enclosed active junctions
|
US2937289A
(en)
*
|
1954-09-03 |
1960-05-17 |
Gen Electric |
Digital to analogue converter
|
BE541575A
(xx)
*
|
1954-09-27 |
|
|
|
US2926296A
(en)
*
|
1954-10-27 |
1960-02-23 |
Honeywell Regulator Co |
Transistor inverter
|
US2894152A
(en)
*
|
1955-05-16 |
1959-07-07 |
Ibm |
Crystal diode with improved recovery time
|
DE1035778B
(de)
*
|
1955-05-20 |
1958-08-07 |
Ibm Deutschland |
Transistor mit einem Halbleitergrundkoerper von einem Leitungstypus und mit drei oder mehr pn-UEbergaengen und einer oder mehreren Spitzenelektroden
|
NL106472C
(xx)
*
|
1955-05-25 |
|
|
|
DE1042128B
(de)
*
|
1955-11-12 |
1958-10-30 |
Siemens Ag |
Doppelbasistransistor zum Erzeugen von Schalt- oder Kippvorgaengen
|
DE1039649C2
(de)
*
|
1956-02-13 |
1959-03-19 |
Siemens Ag |
Fadenhalbleiteranordnung mit zwei sperrfreien Basiselektroden verschiedenen Potentials und mindestens einer als Emitter dienenden sperrenden Elektrode
|
US2863070A
(en)
*
|
1956-03-21 |
1958-12-02 |
Gen Electric |
Double-base diode gated amplifier
|
FR1167044A
(fr)
*
|
1956-08-02 |
1958-11-19 |
|
Transistrons unipolaires à très haute fréquence
|
DE1045550B
(de)
*
|
1956-09-03 |
1958-12-04 |
Siemens Ag |
Fadenhalbleiteranordnung mit zwei sperrfreien Basiselektroden und mindestens einer Emitterelektrode mit stetiger oder stufenweiser Zunahme der Feldstaerke
|
US2913541A
(en)
*
|
1956-11-20 |
1959-11-17 |
Gen Electric |
Semiconductor wave filter
|
DE1094884B
(de)
*
|
1956-12-13 |
1960-12-15 |
Philips Nv |
Feldeffekt-Transistor mit einem Halbleiterkoerper aus zwei Zonen entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps und einer Nut zwischen den zwei ohmschen Elektroden und Verfahren zu seiner Herstellung
|
DE1054584B
(de)
*
|
1957-02-25 |
1959-04-09 |
Deutsche Bundespost |
Halbleiteranordnung zur wahlweisen Umschaltung eines Signals
|
DE1069784B
(de)
*
|
1957-04-27 |
1960-04-21 |
Süddeutsche Telefon-Apparate-, Kabel- und Drahtwerke A.G., TEKADE, Nürnberg |
Verfahren zur Herstellung einer sperrschichtfreien Elektrode auf dem Halbleiterkörper aus Germanium einer Halbleiteranordnung
|
DE1063279B
(de)
*
|
1957-05-31 |
1959-08-13 |
Ibm Deutschland |
Halbleiteranordnung aus einem Halbleiterkoerper mit flaechenhaftem innerem pn-UEbergang und mit mehr als drei Elektroden
|
DE1084382B
(de)
*
|
1957-07-15 |
1960-06-30 |
Raytheon Mfg Co |
Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkoerper aus zwei Zonen entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps
|
BE572049A
(xx)
*
|
1957-12-03 |
1900-01-01 |
|
|
CH335368A
(fr)
*
|
1957-12-28 |
1958-12-31 |
Suisse Horlogerie |
Transistor
|
US3022472A
(en)
*
|
1958-01-22 |
1962-02-20 |
Bell Telephone Labor Inc |
Variable equalizer employing semiconductive element
|
US3116183A
(en)
*
|
1958-05-15 |
1963-12-31 |
Gen Electric |
Asymmetrically conductive device
|
US3025342A
(en)
*
|
1958-08-04 |
1962-03-13 |
Gen Dynamics Corp |
System for generating waveforms utilizing drift of carriers
|
NL245195A
(xx)
*
|
1958-12-11 |
|
|
|
US3138721A
(en)
*
|
1959-05-06 |
1964-06-23 |
Texas Instruments Inc |
Miniature semiconductor network diode and gate
|
US2989713A
(en)
*
|
1959-05-11 |
1961-06-20 |
Bell Telephone Labor Inc |
Semiconductor resistance element
|
DE1197987B
(de)
*
|
1960-01-26 |
1965-08-05 |
Fuji Electric Co Ltd |
Halbleiterbauelement mit Feldsteuerung fuer Schaltzwecke und Betriebsschaltungen
|
US3230428A
(en)
*
|
1960-05-02 |
1966-01-18 |
Texas Instruments Inc |
Field-effect transistor configuration
|
NL269039A
(xx)
*
|
1960-09-15 |
|
|
|
US3260900A
(en)
*
|
1961-04-27 |
1966-07-12 |
Merck & Co Inc |
Temperature compensating barrier layer semiconductor
|
BE624959A
(xx)
*
|
1961-11-20 |
|
|
|
FR1376515A
(fr)
*
|
1963-05-14 |
1964-10-31 |
Comp Generale Electricite |
Dispositif de blocage-déblocage à fonctionnement symétrique
|
DE1245425B
(de)
*
|
1965-06-23 |
1967-07-27 |
Telefunken Patent |
Elektromechanischer Wandler mit mechanisch empfindlichem Halbleiterbauelement
|
US20050205891A1
(en)
*
|
2004-03-18 |
2005-09-22 |
Holm-Kennedy James W |
Distributed channel bipolar devices and architectures
|
WO2012003506A2
(en)
*
|
2010-07-02 |
2012-01-05 |
Nuvotronics, Llc |
Three-dimensional microstructures
|
US9065163B1
(en)
|
2011-12-23 |
2015-06-23 |
Nuvotronics, Llc |
High frequency power combiner/divider
|
US8952752B1
(en)
|
2012-12-12 |
2015-02-10 |
Nuvotronics, Llc |
Smart power combiner
|