BE1007535A3 - Gelaagde metaalstructuur. - Google Patents
Gelaagde metaalstructuur. Download PDFInfo
- Publication number
- BE1007535A3 BE1007535A3 BE9300999A BE9300999A BE1007535A3 BE 1007535 A3 BE1007535 A3 BE 1007535A3 BE 9300999 A BE9300999 A BE 9300999A BE 9300999 A BE9300999 A BE 9300999A BE 1007535 A3 BE1007535 A3 BE 1007535A3
- Authority
- BE
- Belgium
- Prior art keywords
- outer layer
- structure according
- layer
- intermediate layer
- copper
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
- Y10T428/12063—Nonparticulate metal component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
- Y10T428/12063—Nonparticulate metal component
- Y10T428/1209—Plural particulate metal components
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
- Y10T428/12063—Nonparticulate metal component
- Y10T428/12104—Particles discontinuous
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
- Y10T428/12063—Nonparticulate metal component
- Y10T428/12104—Particles discontinuous
- Y10T428/12111—Separated by nonmetal matrix or binder [e.g., welding electrode, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/1216—Continuous interengaged phases of plural metals, or oriented fiber containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12181—Composite powder [e.g., coated, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12903—Cu-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12903—Cu-base component
- Y10T428/1291—Next to Co-, Cu-, or Ni-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12903—Cu-base component
- Y10T428/12917—Next to Fe-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12903—Cu-base component
- Y10T428/12917—Next to Fe-base component
- Y10T428/12924—Fe-base has 0.01-1.7% carbon [i.e., steel]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/13—Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]
- Y10T428/1352—Polymer or resin containing [i.e., natural or synthetic]
- Y10T428/139—Open-ended, self-supporting conduit, cylinder, or tube-type article
- Y10T428/1393—Multilayer [continuous layer]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
De uitvinding betreft een gelaagde structuur (1) omvattende een eerste metaalhoudende buitenlaag (2) aan de ene zijde, een tweede metaalhoudende buitenlaag (3) aan de overzijde welke met de eerste een brosse intermetallieke verbinding en/of een brosse geordende fase kan vormen en een ductiele metaalhoudende tussenlaag (4) waarbij de lagen onderling verschillende thermische uitzettingscoëfficiënten bezitten en waarbij de tussenlaag 4 een diffusiebarrière vormt tegen de vorming van genoemde brosse intermetallieke verbindingen of geordende fasen. Ze betreft tevens een vervaardiginswijze voor de structuur en een toepassing als kathode in een plasmasputterinrichting.
Description
<Desc/Clms Page number 1> GELAAGDE METAALSTRUCTUUR. De uitvinding betreft een gelaagde structuur uit tenminste drie op elkaar bevestigde metallieke lagen met onderling verschil- lende thermische uitzettingscoëfficiënt. In een belangrijke uitvoeringsvorm is een der buitenlagen uit staal vervaardigd als dragende substraatlaag voor de gelaagde structuur. De vinding omvat tevens werkwijzen ter vervaardiging van genoemde structuur en de toepassing ervan als kathode in plasmasputterof kathodeverstuivingsinrichtingen voor het bekleden van voorwerpen met materiaal van de grenslaag van de structuur die zieh aan de overzijde bevindt van de dragende substraatlaag. Deze grenslaag aan de overzijde zal, ten behoeve van deze toepassing, vaak een samenstelling bezitten die langs poedermetallurgische weg bereid wordt. Buisvormige roteerbare kathoden met af te zetten buitenlaag zijn bekend uit U. S. octrooi 4. 356. 073 terwijl buisvormig stationnaire kathoden met af te zetten binnenlaag bekend zijn uit U. S. octrooi 4. 135. 286. Natuurlijk zijn ook vlakke kathoden bekend. In het bijzonder is bekend uit U. S. octrooi 3. 992. 202 een cilindervormig laminaat te vervaardigen met een concentrisch gerangschikte stalen buitenlaag, en waarbij de overblijvende ringvormige ruimte tussen buitenlaag en scheidingslaag opgevuld is met een poedermetallurgische samenstelling die door heet isostatisch persen (HIP-procédé) is verdicht. De thermische uitzettingscoëfficiënt van de kern is groter gekozen dan deze van de andere lagen. Bij het afkoelen na het HIP-proces krimpt de kern derhalve sterker dan de andere lagen en trekt zieh ter hoogte van de scheidingslaag los van de heetgeperste poederlaag. De vinding heeft o. m. tot doel in vlakke of in concentrisch opgebouwde buisvormige metaallaminaten als hierboven aangehaald een loskomen of lostrekken aan de grensvlakken tussen de diverse lagen te voorkomen. Zeker bij toepassing als kathode <Desc/Clms Page number 2> in magnetrons moet het elektrisch en warmtegeleidend kontakt tussen de diverse lagen van het laminaat ten allen tijde verzekerd blijven, hoe sterk ook hun thermische uitzetting- coëfficiënten onderling verschillen. Bij het inzetten van de gebruikelijke kathoden - hetzij vlakke of buisvormige - in kathodeverstuivingsinrichtingen, waarbij de thermische uitzettingscoëfficiënt van het substraat (b. v. uit een staallegering) aanzienlijk verschilt van deze van de direct daarop bevestigde af te sputteren laag, is gebleken dat de krimpspanningen (die optreden tijdens de afkoelingsstap bij het produktieproces, bij voorbeeld bij HIPpen, van de structuur) barsten genereren in de af te sputteren laag, meer bepaald wanneer deze in staat is een brosse intermetallieke fase te vormen met de (staal) legering in de grenszone tussen beide lagen en in het bijzonder wanneer deze af te sputteren laag relatief dun wordt. Dit betekent dat, teneinde gesputterde afzettingslagen met konstante samenstelling te kunnen waarborgen, aldus opgebouwde kathoden slechts ten dele kunnen afgesputterd worden. Bijgevolg worden deze kathoden met een nog relatief belangrijke restdikte van theoretisch afsputterbaar materiaal voor de praktijk onbruikbaar. Dit is een niet te onderschatten verliesfactor, vooral wanneer het af te sputteren materiaal duur is. Dit nadeel van de gebruikelijke gelaagde kathoden, hetzij vlakke of buisvormige, wordt nu volgens de vinding vermeden door een gelaagde structuur te verschaffen omvattende een eerste metallieke buitenlaag aan de ene zijde, een tweede metallieke buitenlaag aan de overzijde waarvan metaalelementen met de eerste een of meer brosse intermetallieke verbindingen en/of geordende brosse fasen kunnen vormen en een ductiele metallieke tussenlaag waarbij de lagen onderling verschillende thermische uitzettingscoëfficiënten bezitten en waarbij de tussenlaag een diffusiebarrière vormt tegen de vorming van genoemde brosse intermetallieke verbindingen of geordende <Desc/Clms Page number 3> fasen. Eerstgenoemde buitenlaag zal bij voorkeur tenminste driemaal dikker zijn dan de tussenlaag. De buitenlaag van de overzijde is b. v. een legeringsstaallaag en bij voorkeur uit een roestvaste staalsoort, b. v. van de 300 reeks. Wanneer de eerstgenoemde buitenlaag een kobaltrijke legering is en de buitenlaag aan de overzijde-d. i. de lastdragende substraatlaag-roestvast staal, dan is o. m. een tussenlaag met tenminste 95 gew. % koper en nikkel (samengenomen) geschikt bevonden om barstvorming tegen te gaan als gevolg van krimpspanningen in de gelaagde structuur. De vinding betreft tevens een werkwijze ter vervaardiging van de gelaagde structuur waarbij een metallieke substraat-vormende buitenlaag wordt bekleed met de metallieke tussenlaag en waarbij vervolgens een buitenlaagbekleding van b. v. een poedermetallurgisch bereide samenstelling door heet isostatisch persen (HIP-procédé) op de tussenlaag wordt bevestigd. Voor het aanbrengen van genoemde buitenlaagbekleding kan de tussenlaag desgewenst verdicht worden. Een en ander zal thans nader toegelicht worden aan de hand van enkele uitvoeringsvormen van de vinding en onder verwijzing naar bijgaande tekeningen. Bijkomende details en voordelen zullen daarbij besproken worden. Figuur l toont een dee 1 sect i e van een buisvormige gelaagde metaalstructuur volgens de vinding met de substraatlaag als binnenvoering. Figuur 2 geeft een analoge deelsectie weer als figuur 1 maar met de substraatlaag als buitenmantel. Figuur 3 stelt een gelaagde metaalstructuur voor volgens de vinding in de vorm van een vlakke plaat. <Desc/Clms Page number 4> De buisvormige gelaagde metaalstructuur 1 geschetst in figuur 1 omvat een metallieke binnenvoering of binnenmantel 3 als substraatlaag, b. v. uit roestvast staal, en een metallieke buitenlaag of buitenmantel 2, b. v. uit een door poedermetallurgie bereide legering. Deze twee lagen bezitten een verschillende thermische uitzettingscoëfficiënt : de dikte van substraatlaag 3 kan b. v. 1 cm zijn. De dikte van de tussenlaag 4 is behoorlijk dun, bv. minder dan 1 mm. Dit volstaat met het oog op het vormen van een afdoende diffusiebarrière tegen de vorming van brosse fasen tussen b. v. het ijzer uit de roestvaste staallaag 3 en het kobalt van een kobaltlegeringslaag 2. Deze dikte volstaat ook om de krimpspanningen te overbruggen tussen de laag met hogere uitzettingscoëfficiënt (staal) en deze met lagere (kobalt) op voorwaarde dat het materiaal van de tussenlaag 4 voldoende ductiel is. Dit betekent konkreet dat de metallieke tussenlaag 4 een verhouding vloeigrens over trek- EMI4.1 sterkte mag bezitten tussen 1/4 en 2/3. Koper-nikkelsamenstellingen met b. een globale (gemiddelde) gewichtsverhouding koper tot nikkel + koper tussen 10 % en 90 %, in het bijzonder tussen 40 % en 70 %, zijn geschikt. In deze tussenlaag 4 zullen koper en nikkel doorgaans vermengd zijn in een vaste oplossing. Daarbij kan de tussenlaag 4 nabij de laag 3 rijker zijn aan nikkel en nabij de buitenlaag 2 rijker aan koper, in het bijzonder wanneer de laag 2 een kobaltlegering is en de EMI4.2 laag 3 een staallegeringslaag. De gemiddelde uitzettingscoëfficiënt van deze koper/nikkel-tussenlaag 4 ligt tussen deze van de kobaltlegering en deze van de staallegering. De laag 2 kan uit een kobaltlegering bestaan die boor bevat. In dit geval kan bovenvermelde lagenopbouw toegepast worden : staallaag 3, tussenlaag 4 met opeenvolgend een grensnikkelfilm tegen het staal, nikkel-koper legeringslagen met toenemende concentratie aan koper als overgang naar een kopergrenslaag tegen de kobaltlegeringslaag 2. Deze opbouw zal nu tegelijk beletten dat boor tijdens de vervaardiging of het gebruik van de gelaagde structuur diffundeert naar de staallaag. Dit is <Desc/Clms Page number 5> belangrijk zoals uit het voorbeeld hierna zal blijken. De samenstelling van de ductiele tussenlaag kan dus in het algemeen zo aangepast worden dat ze tegelijk een barrière vormt tegen ongewenste diffusies van elementen van laag 2 naar laag 3 en/of omgekeerd. De kobaltlegering kan ten behoeve van bepaalde specifieke toepassingen ook nog Si, Fe en eventueel Mo omvatten. Omgekeerd aan de uitvoering van figuur 1 voorziet de uitvinding ook een gelaagde buisvormige structuur zoals getoond in figuur 2 waarbij de zgn. eerste buitenlaag 2 de binnenvoering vormt van de buis en de zgn. tweede buitenlaag 3 de buitenmantel. De gelaagde metaalstructuren volgens de vinding vinden een belangrijke toepassing als af te sputteren kathode 1 in kathodeverstuivingsinrichtingen. De buisvormige kathode 1, weergegeven in figuur l, is b. v. brulkbaar als roteerbare kathode in een inrichting beschreven in U. S. octrooi 4. 356. 073 en waarbij materiaal van de buitenlaag 2 afgesputterd wordt en neergeslagen als laag 6 op een film- (of plaat) substraat 5 dat kontinu doorheen de inrichting wordt geleid omheen een trommel 8 tegenover het of de buitenoppervlakken van een of meer van genoemde huizen 1. Polyesterfolie worden vaak ingezet as substraat 5. De samenstelling van genoemde buitenlaag (of lagen) 2 zal natuurlijk moeten aangepast worden aan de gewenste deklaagsamenstelling op de film. Er is tegenwoordig een grote behoefte aan allerhande deklaagsamenstellingen met specifieke fysico-chemische, magnetische, optische en/of electrische karakteristieken voor b. v. halfgeleiders, magnetische registratie, absorptie-, reflectie-, of doorlatingseisen voor electromagnetische straling van allerhande frekwenties, voor oppervlaktehardheid, abrasieweerstand enz. In het algemeen kunnen dus specifieke legeringen van uit de buitenlagen 2 als zodanig afgezet worden in een sterk verdunde inerte gasatmosfeer (argon). Anderzijds kan via reaktief sputteren in een <Desc/Clms Page number 6> stikstof-, resp. zuurstof- of in een andere verdunde gasatmosfeer op de substraten 5 een nitride, resp. oxide of andere verbinding met de gewenste samenstelling van laag 2 neergezet worden. Combinaties van opeenvolgend reaktief en niet-reaktief sputteren zijn eveneens mogelijk. Omgekeerd kan axiaal doorheen de binnenruimte van een buiskathode 1 volgens figuur 2 een langwerpig substraat 5 doorgevoerd worden, b. v. een draad, filamentenbundel, profiel, band of kabel waarbij materiaal 6 van de als binnenvoering uitgevoerde laag 2 kontinu door sputteren afgezet kan worden op dit substraat 5. Desgewenst kan ook een voorwerp 5 stationair opgesteld worden in genoemde binnenruimte en aldaar door sputteren voorzien worden van een deklaag 6. Natuurlijk kunnen ook te bekleden substraten 5 voorbij vlakke kathoden 1 volgens figuur 3 geleid worden met specifieke door sputteren af te zetten buitenlaagsamenstellingen 2. Daar de metallieke deklaagsamenstellingen 6 vrij complex kunnen zijn, zullen de buitenlagen 2 doorgaans via poedermetallurgie bereid moeten worden. Het is daarbij uiterst belangrijk dat de lagen 2 zeer hecht op het substraat 4 vastzitten ten behoeve van een uniform electrisch, resp. warmtegeleidend oppervlaktekontakt. Tijdens het sputteren warmt immers de kathode op en moet kontinu gelijkmatig afgekoeld kunnen worden. De laag 2 zelf moet overigens perfect dicht zijn. Dit kan gerealiseerd worden door substraatlaag 3 en de af te sputteren laag 2 onderling te verenigen met behulp van zgn. heet isostatisch persen (HIP-proces). Aan het HIP-proces kan eventueel een koud isostatische persstap (CIP-proces) voorafgaan. Wanneer de lagen 2 en 3 gevoelig verschillende uitzettingscoëfficienten bezit- ten, treden, zoals hiervoor vermeld, bij het afkoelen na het HIP-proces sterke krimpspanningen op in de grenszone tussen deze lagen 2 en 3 welke via de tussenlaag 4 moeten opgevangen worden. <Desc/Clms Page number 7> VOORBEELD. Als substraat 3 voor een roteerbare butskathode l volgens figuur 1 werd een roestvast stalen buis ingezet. Deze werd bekleed met een dunne nikkellaag en vervolgens met een dunne koperlaag. De aldus beklede buis werd concentrisch in een cilindrisch stalen vat geplaatst en de ringvormige tussenruimte tussen het koperoppervlak en de stalen binnenwand van het vat werd opgevuld met een door poedermetallurgie bereide kobaltlegering. Dit geheel werd op de gebruikelijke wijze door heet isostatisch persen in een reducerende atmosfeer verdicht bij temperaturen boven 900 C en daarna afgekoeld. De laag 2 had een magnetische samenstelling analoog aan deze bekend uit de Europese octrooiaanvrage 0295028. De tussenlaag vertoonde een geleidelijke overgang van nikkel tegen de staalmantel over nikkel-koperlegeringen (monel, cupronikkel) naar koper tegen de laag 2. De gemiddelde verhouding koper tot nikkel+koper bedroeg 55 %. Met deze tussenlaag 4 werd een voldoende ductiele tussenlaag gerealiseerd met een vloeigrens/ treksterkte verhouding tussen 1/4 en 2/3 teneinde de optredende krimpspanningen bij afkoeling afdoende op te vangen : er traden geen barsten op in de gelaagde structuur. Tegelijk werd nu vastgesteld dat de koper/nikkellaag 4 de vorming kon tegengaan van een brosse geordende fase Co-Fe tijdens het HIP-proces en dat tegelijk diffusie van bocr uit de kobaltlegering naar de nikkel van de tussenlaag (met vorming van nikkelborides) en naar de chroom in de roestvaste staallaag (met vorming van chroomborides) kon voorkomen worden. De diffusie van o. a. boor uit de kobaltlegering moet immers ten allen prijze vermeden worden daar de af te sputteren samenstelling zich dan zou gaan wijzigen naarmate de laag 2 dunner wordt. Bovendien is vooral de vorming van chroomborides te mijden daar deze een uitgesproken brosse fase vormen. <Desc/Clms Page number 8> Bij het inzetten van deze buis als roteerbare kathode in een magnetron-sputterinrichting kon zonder problemen afgesputterd worden tot een niveau 7 van slechts een halve mm dik. Een aldus opgebruikte kathode kan opnieuw met behulp van het hiervoor beschreven HIP-proces bekleed worden met dezelfde af te sputteren kobaltrijke legering. De koper- en nikkellagen kunnen als folie of door electrolyse of door plasmaspuiten opgebracht worden en desgewenst door een walsbewerking op het substraat 3 verdicht worden teneinde interne oxidatie van eventuele poriën in laag 4 tegen te gaan voor of tijdens het aanbrengen van de poederlegeringslaag 2. In figuur 3 is schematisch een lagenopbouw geïllustreerd binnen de koper/nikkel-tussenlaag 4 voor een vlakke kathode 1. Tegen de roestvaste staallaag 3 ligt een nikkellaag 9 aan met een zeer lage concentratie aan koper. Via monellagen 10 gaat de legeringslaag dan over naar opeenvolgende cupro-nikkellagen 11 met afnemende nikkelconcentratie naar de koperlaag 12 waartegen de poederlegeringslaag 2 aansluit. Zoals in stippellijn gesuggereerd in de rechter helft van figuur 3 kan de vlakke drager 3 voor het af te sputteren kathodemateriaal 2 desgewenst langs beide zijden bekleed zijn met een tussenlaag 4 waarop dan weer een legeringslaag 2 wordt aangebracht. Zodoende kan de vlakke electrode dubbelzijdig ingezet worden. De samenstelling van de legeringslaag 2 aan de ene zijde kan eventueel verschillen van deze aan de overzijde. De vinding is niet beperkt tot een combinatie kobaltlegering op stalen drager. Het gebruik van b. v. koper- of aluminiumdragers 3 is denkbaar en de zgn. legeringslaag 2 kan desgewenst op basis van B, Si, C, en andere vaste elementen van de groep IA tot VIA, VIII of IB tot VIIB bestaan. In het bijzonder voor wat betreft kobaltlegeringen is de vinding bijzonder geschikt voor het bereiden van kathoden voor <Desc/Clms Page number 9> het afzetten op substraten 5 van zacht magnetische lagen op basis van Co-Nb-Zr-legeringen. Hard magnetische legeringen (voor magnetische registratie) komen eveneens in aanmerking zoals Co-P, Co-Cr, Co-Ni, Co-Pt, Co-Cr-Ni, Co-Cr-Ta, Co-Ni-P en Co-Cr-Pt. Tenslotte kunnen ook legeringslagen samengesteld EMI9.1 worden voor magnetisch-optische toepassingen, b. op basis van Co-Pd of Co-Pt3, Co-Fe-Gd of Co-Fe-Tb.
Claims (21)
- v.CONCLUSIES 1. Gelaagde structuur (1) omvattende een eerste metaalhoudende buitenlaag (2) aan de ene zijde, een tweede metaalhoudende buitenlaag (3) aan de overzijde welke met de eerste een brosse intermetallieke verbinding en/of een brosse geordende fase kan vormen en een ductiele metaalhoudende tussenlaag (4) waarbij de lagen onderling verschillende thermische uitzet- tingscaëfficiënten bezitten en waarbij de tussenlaag 4 een diffusiebarrière vormt tegen de vorming van genoemde brosse intermetallieke verbindingen of geordende fasen.
- 2. Structuur volgens conclusie l waarbij eerstgenoemde buitenlaag (2) ten minste driemaal dikker is dan de tussenlaag (4).
- 3. Structuur volgens conclusie 1 waarbij de tweede buitenlaag een staallegering is.
- 4. Structuur volgens conclusie 1 waarbij de tussenlaag (4) een vioeigrens/treksterkte verhouding bezit tussen 1/4 en 2/3.
- 5. Structuur volgens conclusie 4, waarbij de tussenlaag (4) voor tenminste 95% gew. uit koper en nikkel bestaat.
- 6. Structuur volgens conclusie 5, waarbij de globale gewichtsverhouding koper/koper+mkkel in de tussenlaag ligt tussen 10 % en 90 %.
- 7. Structuur volgens conclusie 6 waarbij koper en nikkel tenminste gedeeltelijk vermengd zijn in een vaste oplossing.
- 8. Structuur volgens conclusie 7 waarbij de tussenlaag (4) nabij de tweede buitenlaag (3) rijker is aan nikkel en nabij de eerste buitenlaag (2) rijker aan koper. <Desc/Clms Page number 11>
- 9. Structuur volgens conclusie 1 waarbij de dikte van de tussenlaag (4) lager is dan 1 mm.
- 10. Structuur volgens conclusie 1 waarbij de eerste buitenlaag (2) een door poedermetallurgie bereide legering is.
- 11. Structuur volgens conclusie 1 of 10 waarbij de eerste buitenlaag (2) een kobaltrijke legering is.
- 12. Structuur volgens conclusie 11 waarbij de kobaltlegering boor bevat.
- 13. Structuur volgens conclusie 11 of 12 waarbij de legering tevens Si, Fe en eventueel Mo bevatten.
- 14. Structuur volgens conclusie 1 in de vorm van een buis waarvan de eerste buitenlaag (2) de buitenmantel vormt van de buis en tweede buitenlaag (3) de binnenvoering van de buis.
- 15. Structuur volgens conclusie 1 in de vorm van een buis waarvan de eerste buitenlaag (2) de binnenvoering vormt van de buis en de tweede buitenlaag (3) de buitenmantel van de buis.
- 16. Structuur volgens conclusie 1 in de vorm van een vlakke plaat.
- 17. Werkwijze voor het vervaardigen van de structuur volgens conclusie 11 waarbij een substraat-vormende buitenlaag (3) wordt bekleed met de metallieke tussenlaag (4) en waarbij vervolgens een buitenlaagbekleding (2) van een poedermetallurgische samenstelling door heet isostatisch persen op de tussenlaag wordt bevestigd.
- 18. Werkwijze volgens conclusie 17 waarbij, voor het aanbrengen van de buitenlaag (2), de tussenlaag wordt verdicht. <Desc/Clms Page number 12>
- 19. Toepassing van de structuur volgens conclusie 15 als roteerbare kathode in een plasmasputteringinrichting voor het bedekken van substraten met materiaal van de buitenlaag (2).
- 20. Toepassing van de structuur volgens conclusie 15 als stationnaire buisvormige kathode in een plasmasputterinrichting voor het bedekken van substraten met materiaal van de buitenlaag (2).
- 21. Toepassing van de structuur volgens conclusie 16 als vlakke kathode in een plasmasputterinrichting voor het bedekken van substraten met materiaal van de buitenlaag (2).
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BE9300999A BE1007535A3 (nl) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | Gelaagde metaalstructuur. |
AT94926067T ATE180712T1 (de) | 1993-09-24 | 1994-09-23 | Kathode für plasma-sputtering |
KR1019960701401A KR100331494B1 (ko) | 1993-09-24 | 1994-09-23 | 적층구조물및그것의제조방법 |
CA002171539A CA2171539C (en) | 1993-09-24 | 1994-09-23 | Laminated metal structure |
DE69418886T DE69418886T2 (de) | 1993-09-24 | 1994-09-23 | Kathode für Plasma-Sputtering |
US08/617,864 US5904966A (en) | 1993-09-24 | 1994-09-23 | Laminated metal structure |
JP7509447A JPH09503025A (ja) | 1993-09-24 | 1994-09-23 | 積層された金属構造体 |
PCT/BE1994/000059 WO1995008438A1 (en) | 1993-09-24 | 1994-09-23 | Laminated metal structure |
EP94926067A EP0720530B1 (en) | 1993-09-24 | 1994-09-23 | Cathode for plasma sputtering |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BE9300999A BE1007535A3 (nl) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | Gelaagde metaalstructuur. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
BE1007535A3 true BE1007535A3 (nl) | 1995-07-25 |
Family
ID=3887360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BE9300999A BE1007535A3 (nl) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | Gelaagde metaalstructuur. |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5904966A (nl) |
EP (1) | EP0720530B1 (nl) |
JP (1) | JPH09503025A (nl) |
KR (1) | KR100331494B1 (nl) |
AT (1) | ATE180712T1 (nl) |
BE (1) | BE1007535A3 (nl) |
CA (1) | CA2171539C (nl) |
DE (1) | DE69418886T2 (nl) |
WO (1) | WO1995008438A1 (nl) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6071389A (en) * | 1998-08-21 | 2000-06-06 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonded sputter target assembly and method of making |
EP1135233A4 (en) * | 1998-12-03 | 2004-11-03 | Tosoh Smd Inc | INSERT TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
US6521108B1 (en) | 1998-12-29 | 2003-02-18 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonded sputter target assembly and method of making same |
WO2000040770A1 (en) * | 1998-12-29 | 2000-07-13 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonded sputter target assembly and method of making same |
US6277253B1 (en) * | 1999-10-06 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | External coating of tungsten or tantalum or other refractory metal on IMP coils |
US6619537B1 (en) | 2000-06-12 | 2003-09-16 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonding of copper sputtering targets to backing plates using nickel alloy interlayers |
DE10043748B4 (de) * | 2000-09-05 | 2004-01-15 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Zylinderförmiges Sputtertarget, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung |
US6524421B1 (en) * | 2000-09-22 | 2003-02-25 | Praxair Technology, Inc. | Cold isopressing method |
US6708870B2 (en) | 2002-05-24 | 2004-03-23 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method for forming sputter target assemblies |
FI20031249A (fi) * | 2003-09-03 | 2005-03-04 | Metso Powdermet Oy | Menetelmä valssimaisten tuotteiden valmistukseen |
US8123107B2 (en) | 2004-05-25 | 2012-02-28 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method for forming sputter target assemblies |
EP1785505B1 (en) * | 2004-08-10 | 2009-09-02 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Barrier film for flexible copper substrate and sputtering target for forming barrier film |
DE102005017190A1 (de) * | 2005-04-13 | 2006-10-19 | W.C. Heraeus Gmbh | Verfahren zum Herstellen von rohrförmigen Sputtertargets, danach hergestellte Sputtertargets und deren Verwendung |
TWI457133B (zh) | 2005-12-13 | 2014-10-21 | Glaxosmithkline Biolog Sa | 新穎組合物 |
US20100178525A1 (en) * | 2009-01-12 | 2010-07-15 | Scott Campbell | Method for making composite sputtering targets and the tartets made in accordance with the method |
US8110738B2 (en) | 2009-02-20 | 2012-02-07 | Miasole | Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells |
US8115095B2 (en) * | 2009-02-20 | 2012-02-14 | Miasole | Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells |
US7785921B1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-08-31 | Miasole | Barrier for doped molybdenum targets |
US7897020B2 (en) * | 2009-04-13 | 2011-03-01 | Miasole | Method for alkali doping of thin film photovoltaic materials |
US8134069B2 (en) | 2009-04-13 | 2012-03-13 | Miasole | Method and apparatus for controllable sodium delivery for thin film photovoltaic materials |
US9284639B2 (en) * | 2009-07-30 | 2016-03-15 | Apollo Precision Kunming Yuanhong Limited | Method for alkali doping of thin film photovoltaic materials |
US20110067998A1 (en) * | 2009-09-20 | 2011-03-24 | Miasole | Method of making an electrically conductive cadmium sulfide sputtering target for photovoltaic manufacturing |
US8709548B1 (en) | 2009-10-20 | 2014-04-29 | Hanergy Holding Group Ltd. | Method of making a CIG target by spray forming |
US8709335B1 (en) | 2009-10-20 | 2014-04-29 | Hanergy Holding Group Ltd. | Method of making a CIG target by cold spraying |
US20110162696A1 (en) * | 2010-01-05 | 2011-07-07 | Miasole | Photovoltaic materials with controllable zinc and sodium content and method of making thereof |
US9169548B1 (en) | 2010-10-19 | 2015-10-27 | Apollo Precision Fujian Limited | Photovoltaic cell with copper poor CIGS absorber layer and method of making thereof |
US8048707B1 (en) | 2010-10-19 | 2011-11-01 | Miasole | Sulfur salt containing CIG targets, methods of making and methods of use thereof |
US7935558B1 (en) | 2010-10-19 | 2011-05-03 | Miasole | Sodium salt containing CIG targets, methods of making and methods of use thereof |
US10043921B1 (en) | 2011-12-21 | 2018-08-07 | Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. | Photovoltaic cell with high efficiency cigs absorber layer with low minority carrier lifetime and method of making thereof |
CN104364417A (zh) * | 2012-05-31 | 2015-02-18 | 东京毅力科创株式会社 | 磁控溅射装置 |
US9255323B2 (en) | 2012-06-18 | 2016-02-09 | Apollo Precision Fujian Limited | Sputtering target including a feature to reduce chalcogen build up and arcing on a backing tube |
EP3017890B1 (de) * | 2014-11-06 | 2021-06-09 | TI Automotive (Heidelberg) GmbH | Verfahren zur Herstellung eines mehrwandigen Rohres |
AT14911U1 (de) * | 2015-05-06 | 2016-08-15 | Plansee Se | Rohrtarget |
EP3406374B1 (en) * | 2017-05-24 | 2020-08-12 | MTC Powder Solutions AB | A method of manufacturing a component comprising a body of a cemented carbide and a body of a metal alloy or of a metal matrix composite |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3755887A (en) * | 1971-11-12 | 1973-09-04 | Continental Can Co | Method of making cobalt alloy steel composite article |
US4941920A (en) * | 1987-11-25 | 1990-07-17 | Hitachi Metals, Ltd. | Sintered target member and method of producing same |
EP0500031A1 (en) * | 1991-02-19 | 1992-08-26 | Mitsubishi Materials Corporation | Method of manufacturing a sputtering target |
WO1992017622A1 (en) * | 1991-04-08 | 1992-10-15 | Tosoh Smd, Inc. | Thermally compatible sputter target and backing plate assembly |
EP0522369A1 (en) * | 1991-06-28 | 1993-01-13 | Mitsubishi Materials Corporation | Target units and a method of fabricating the same |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1397258A (en) * | 1972-11-03 | 1975-06-11 | British Steel Corp | Method of providing an aluminium coating on a steel substrate |
US3982314A (en) * | 1972-11-14 | 1976-09-28 | Kozo Yoshizaki | Method of producing tin coated steel sheet used for seamless steel container |
US4065302A (en) * | 1975-12-29 | 1977-12-27 | The International Nickel Company, Inc. | Powdered metal consolidation method |
US4135286A (en) * | 1977-12-22 | 1979-01-23 | United Technologies Corporation | Sputtering target fabrication method |
US4495252A (en) * | 1980-01-16 | 1985-01-22 | Imperial Clevite Inc. | Wear-resistant metallic article |
US4514470A (en) * | 1982-11-22 | 1985-04-30 | Avco Corporation | Diffusion bonding between titanium base alloys and steels |
US4526839A (en) * | 1984-03-01 | 1985-07-02 | Surface Science Corp. | Process for thermally spraying porous metal coatings on substrates |
US4578320A (en) * | 1984-03-09 | 1986-03-25 | Olin Corporation | Copper-nickel alloys for brazed articles |
JPS60224704A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-09 | Mazda Motor Corp | 低温焼結性粉末シ−ト |
US4605599A (en) * | 1985-12-06 | 1986-08-12 | Teledyne Industries, Incorporated | High density tungsten alloy sheet |
JPS62222060A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-30 | Hitachi Metals Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト |
US4735868A (en) * | 1986-05-27 | 1988-04-05 | Olin Corporation | Composites having improved resistance to stress relaxation |
JPS6361421A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Co−Cr薄膜の作製方法 |
US5032469A (en) * | 1988-09-06 | 1991-07-16 | Battelle Memorial Institute | Metal alloy coatings and methods for applying |
JPH0350808A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超構造窒化合金膜の作製方法 |
JPH03240940A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-28 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | プラスチック成形機用スクリューおよびその製造方法 |
US5283116A (en) * | 1990-04-17 | 1994-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Sheet feeding member having a film containing inorganic powder |
JPH0794707B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1995-10-11 | 東洋鋼鈑株式会社 | 耐摩耗性、耐食性に優れたコーティング薄膜の製造方法 |
JPH04350161A (ja) * | 1991-05-27 | 1992-12-04 | Murata Mfg Co Ltd | スパッタ用ターゲット |
US5213904A (en) * | 1991-11-05 | 1993-05-25 | Explosive Fabricators, Inc. | Aluminum/steel transition joint |
US5190831A (en) * | 1991-11-05 | 1993-03-02 | Explosive Fabricators, Inc. | Bonded titanium/steel components |
JPH05214518A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-24 | Hitachi Metals Ltd | スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合体の矯正方法およびスパッタリングターゲット材 |
EP0574290B1 (fr) * | 1992-06-05 | 1996-04-17 | Gec Alsthom Electromecanique Sa | Procédé de pose d'un insert servant de revêtement protecteur sur une pièce en acier martensitique ou en alliage de titane |
-
1993
- 1993-09-24 BE BE9300999A patent/BE1007535A3/nl not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-09-23 AT AT94926067T patent/ATE180712T1/de not_active IP Right Cessation
- 1994-09-23 CA CA002171539A patent/CA2171539C/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-23 WO PCT/BE1994/000059 patent/WO1995008438A1/en active IP Right Grant
- 1994-09-23 EP EP94926067A patent/EP0720530B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-23 JP JP7509447A patent/JPH09503025A/ja active Pending
- 1994-09-23 US US08/617,864 patent/US5904966A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-23 KR KR1019960701401A patent/KR100331494B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-09-23 DE DE69418886T patent/DE69418886T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3755887A (en) * | 1971-11-12 | 1973-09-04 | Continental Can Co | Method of making cobalt alloy steel composite article |
US4941920A (en) * | 1987-11-25 | 1990-07-17 | Hitachi Metals, Ltd. | Sintered target member and method of producing same |
EP0500031A1 (en) * | 1991-02-19 | 1992-08-26 | Mitsubishi Materials Corporation | Method of manufacturing a sputtering target |
WO1992017622A1 (en) * | 1991-04-08 | 1992-10-15 | Tosoh Smd, Inc. | Thermally compatible sputter target and backing plate assembly |
EP0522369A1 (en) * | 1991-06-28 | 1993-01-13 | Mitsubishi Materials Corporation | Target units and a method of fabricating the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69418886D1 (de) | 1999-07-08 |
KR960704702A (ko) | 1996-10-09 |
JPH09503025A (ja) | 1997-03-25 |
DE69418886T2 (de) | 1999-11-11 |
CA2171539A1 (en) | 1995-03-30 |
KR100331494B1 (ko) | 2002-11-20 |
EP0720530B1 (en) | 1999-06-02 |
US5904966A (en) | 1999-05-18 |
EP0720530A1 (en) | 1996-07-10 |
WO1995008438A1 (en) | 1995-03-30 |
CA2171539C (en) | 2004-11-23 |
ATE180712T1 (de) | 1999-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
BE1007535A3 (nl) | Gelaagde metaalstructuur. | |
JP4022048B2 (ja) | ダイヤモンドライクカーボン硬質多層膜成形体およびその製造方法 | |
JP3737291B2 (ja) | ダイヤモンドライクカーボン硬質多層膜成形体 | |
US5580667A (en) | Multilayered medium with gradient isolation layer | |
US20010046597A1 (en) | Reactive multilayer structures for ease of processing and enhanced ductility | |
JP2007291484A (ja) | 非晶質炭素系硬質多層膜及びこの膜を表面に備えた硬質表面部材 | |
JP4139102B2 (ja) | ダイヤモンドライクカーボン硬質多層膜成形体およびその製造方法 | |
WO2005020222A1 (ja) | 光記録媒体の反射膜および反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲット | |
JP2004523363A5 (nl) | ||
GB2134832A (en) | Method of etablishing a bond between titanium and an iron-nickel alloy | |
JP2825521B2 (ja) | 強く負荷される基材のための硬物質保護層およびその製法 | |
CA2298278A1 (en) | Composite film and process for its manufacture | |
US5650237A (en) | Magnetic recording medium having a metallic magnetic layer and an aluminum alloy underlayer | |
JPH05230645A (ja) | セラミックス回転カソードターゲット及びその製造法 | |
IE880114L (en) | Manufacturing metallized films for electric capacitors | |
JP3779856B2 (ja) | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
US4804583A (en) | Composition of matter that is hard and tough | |
JP4676089B2 (ja) | MgB2超電導線材の製造方法 | |
JPH05230644A (ja) | セラミックス回転カソードターゲットおよびその製造法 | |
JPH0383824A (ja) | 光学部品成形用複合モールド | |
JPH05230643A (ja) | 物理蒸着薄膜の応力制御方法 | |
Itsukaichi et al. | Plasma spray joining of Al-matrix particulate reinforced composites | |
JP4515389B2 (ja) | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
JPS6177316A (ja) | 磁気光学記録再生用薄膜材料の製造法 | |
JPH08147661A (ja) | 磁気記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RE | Patent lapsed |
Effective date: 20070930 |