상수 위상 원소

상수상 소자는 불완전한 캐패시터인 이중 레이어의 동작을 모델링하는 동등한 전기 회로 구성 요소다.

정전상 소자는 전기화학 임피던스 분광기 데이터의 등가 회로 모델링 및 데이터 피팅에도 사용된다.

또한 상수 위상 요소는 현재 불완전한 유전체의 행동을 모델링하는 데에도 나타난다.불완전한 전기 저항, 캐패시턴스 및 인덕턴스 분야의 일반화는 일반적인 "파생성" 개념으로 이어진다: https://fr.scribd.com/doc/71923015/The-Phasance-Concept

일반 방정식

전기 임피던스는 다음과 같이 계산할 수 있다.

Z_{CPE}={\frac {1}{Y_{CPE}}}}={\frac {1}{Q_{0}\오메가 ^{n}e^{-{\frac {}{\pi{2}}:}}}}}}}

여기에서 CPE 입장권은 다음과 $Y_{CPE}=Q_{0}(\omega i)^{n}$ : $Y_{CPE}=Q_{0}(\omega i)^{n}$ C $Y_{CPE}=Q_{0}(\omega i)^{n}$ $Y_{CPE}=Q_{0}(\omega i)^{n}$ = $Y_{CPE}=Q_{0}(\omega i)^{n}$ 0 ( $Y_{CPE}=Q_{0}(\omega i)^{n}$ $Y_{CPE}=Q_{0}(\omega i)^{n}$ $Y_{CPE}=Q_{0}(\omega i)^{n}$ n $Y_{CPE}=Q_{0}(\omega i)^{n}$ {\ $displaystyle Y_$ {CPE $}=Q_{$ 0}(\ $omega$ i)^{ $n$ 및 Q와₀ n (0<n<1)은 주파수 독립적이다.^[1]

Q₀ = 1/ Z Ω = 1 rad/s

상수 위상은 항상 -(90*n)°이며, 또한 n은 0부터 1까지입니다.사례 n = 1은 이상적인 콘덴서를, 사례 n = 0은 순수 저항을 설명한다.

참조

^ Kochowski, S; K. Nitsch (21 May 2002). "Description of the frequency behaviour of metal-SiO₂-GaAs structure characteristics by electrical equivalent circuit with constant phase element" (PDF). Thin Solid Films. 415 (1–2): 133–137. Bibcode:2002TSF...415..133K. doi:10.1016/s0040-6090(02)00506-0. Retrieved 22 October 2012.^{[영구적 데드링크]}

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[1] Kochowski, S; K. Nitsch (21 May 2002). "Description of the frequency behaviour of metal-SiO₂-GaAs structure characteristics by electrical equivalent circuit with constant phase element" (PDF). Thin Solid Films. 415 (1–2): 133–137. Bibcode:2002TSF...415..133K. doi:10.1016/s0040-6090(02)00506-0. Retrieved 22 October 2012.^{[영구적 데드링크]}

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