WO2018095381A1 - 印刷油墨组合物及其制备方法和用途 - Google Patents

印刷油墨组合物及其制备方法和用途 Download PDF

Info

Publication number
WO2018095381A1
WO2018095381A1 PCT/CN2017/112702 CN2017112702W WO2018095381A1 WO 2018095381 A1 WO2018095381 A1 WO 2018095381A1 CN 2017112702 W CN2017112702 W CN 2017112702W WO 2018095381 A1 WO2018095381 A1 WO 2018095381A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
solvent
group
printing ink
ether
ink composition
Prior art date
Application number
PCT/CN2017/112702
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
潘君友
杨曦
闫晓林
Original Assignee
广州华睿光电材料有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 广州华睿光电材料有限公司 filed Critical 广州华睿光电材料有限公司
Priority to US16/463,526 priority Critical patent/US11248138B2/en
Priority to EP17874763.0A priority patent/EP3546532B1/en
Priority to CN201780059200.6A priority patent/CN109790407B/zh
Publication of WO2018095381A1 publication Critical patent/WO2018095381A1/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/50—Sympathetic, colour changing or similar inks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/02—Printing inks
    • C09D11/03—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder
    • C09D11/033—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder characterised by the solvent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/02—Printing inks
    • C09D11/03—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder
    • C09D11/037—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder characterised by the pigment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/30—Inkjet printing inks
    • C09D11/32—Inkjet printing inks characterised by colouring agents
    • C09D11/322—Pigment inks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/30—Inkjet printing inks
    • C09D11/36—Inkjet printing inks based on non-aqueous solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/52—Electrically conductive inks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/54—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562—Chalcogenides
    • C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing

Definitions

  • the invention relates to the technical field of organic photoelectric materials, in particular to a printing ink composition, a preparation method thereof and a use thereof.
  • the present application claims priority to Chinese Patent Application Serial No. No. No. No. No. No. No. No. No. No. No. No. No. No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No No Background technique
  • inkjet printing can produce functional material films at a large cost and low cost.
  • inkjet printing has low energy consumption, low water consumption, and environmental protection, which is a production technology with great advantages and potential.
  • Another new display technology, Quantum Dot Light Emitting Diode (QLED) cannot be evaporated and must be prepared by printing. Therefore, to achieve print display, key issues such as printing ink and related printing processes must be overcome. Viscosity and surface tension are important parameters that affect the printing ink and printing process. A promising printing ink needs to have the proper viscosity and surface tension.
  • Organic semiconductor materials have gained widespread attention and significant progress in their use in electronic and optoelectronic devices due to their solution processability.
  • Solution processability allows the organic functional material to form a thin film of the functional material in the device by certain coating and printing techniques. Such technology can effectively reduce the processing costs of electronic and optoelectronic devices and meet the process requirements for large-area fabrication.
  • organic semiconductor material inks for printing for example: KATEEVA I NC.
  • An organic solvent based organic small molecule material ink for printing OLEDs (US2015044802A1); UNIVERSAL DISPLAY CORPORATION
  • a printable organic small molecular material ink based on an aromatic ketone or an aromatic ether solvent is disclosed (US20120205637);
  • SEIKO EPSON CORPORATION discloses a printable organic polymer material ink based on a substituted benzene derivative solvent.
  • Other examples of printing inks involving organic functional materials are: CN102408776A, CN103173060A, CN103824959A, CN1180049C, CN102124588B, US2009130296A1, US2014097406A1, and the like.
  • Quantum dots are nano-sized semiconductor materials with quantum confinement effects. When stimulated by light or electricity, quantum dots emit fluorescence with specific energy. The color (energy) of fluorescence is determined by the chemical composition and size of quantum dots. Therefore, the control of the size and shape of quantum dots can effectively regulate their electrical and optical properties.
  • countries are studying the application of quantum dots in full color, mainly in the field of display.
  • Nanoco Technologies Ltd. has disclosed a method for printing ink formulations containing nanoparticles (CN101878535B).
  • Printable nanoparticle inks and corresponding nanoparticle-containing films are obtained by selecting suitable solvents such as toluene and dodecyl selenol; Samsung Electronics discloses a quantum dot ink for inkjet printing. (US8765014B2).
  • the ink contains a concentration of quantum dot material, an organic solvent, and an alcohol polymer additive having a high viscosity.
  • a quantum dot film is obtained by printing the ink, and a quantum dot electroluminescent device is prepared;
  • QD Vision, Inc. discloses a quantum dot ink formulation comprising a host material, a quantum dot Materials and an additive (US2010264371 A1).
  • a printing ink composition a method of making the same, and uses thereof are provided to address one or more of the problems involved in the background.
  • the solvent is at least mixed by two organic solvents, the first solvent and the second solvent, the first solvent and the second solvent are mutually soluble, the first solvent and the first solvent a boiling point of at least one organic solvent in the two solvents ⁇ 1 60 ° C, a surface tension of the second solvent is less than the first solvent, and a viscosity of the second solvent is greater than the first solvent, the first The difference in surface tension between the solvent and the second solvent is at least 2 dyne/cm, and the difference in viscosity between the second solvent and the first solvent is at least 2 cPs.
  • the preparation method of the above printing ink composition comprises the following steps:
  • An electronic device comprising a functional layer which is a functional material film formed from the above-described printing ink composition.
  • 1 is a schematic diagram of an electronic device of an embodiment. detailed description
  • composition in the present invention, the composition, the printing ink composition, and the printing ink, or the ink according to the present invention have the same meaning, and they may be interchanged.
  • the host material, the host material, the Host or Matr i x materials have the same meaning, and they may be interchanged.
  • metal organic complexes metal organic complexes, metal organic complexes, and organometallic complexes have the same meaning and are interchangeable.
  • @25 ° C means that the measurement is carried out at 25 ° C.
  • a printing ink composition comprising a functional material and a solvent, the solvent being evaporable from the printing ink composition to form a thin film of functional material;
  • the solvent is at least mixed by two organic solvents, the first solvent and the second solvent, the first solvent and the second solvent are mutually soluble, the first solvent and the first solvent
  • the boiling point of at least one organic solvent in the two solvents ⁇ 160° C, the surface tension of the second solvent is less than the first solvent, and the viscosity of the second solvent is greater than the first solvent, and the surface tension of the first solvent and the second solvent is different.
  • At least 2 dyne/cm, the second solvent and the first solvent have a difference in viscosity of at least 2 cPs.
  • At least one of the first solvent and the second solvent has a boiling point of 160 ° C; in one embodiment, a boiling point of at least one of the first solvent and the second solvent 180° C; In some embodiments, at least one of the first solvent and the second solvent has a boiling point of 200° C; in another embodiment, the first solvent and the second solvent At least one boiling point of 250 ° C; in another embodiment, the boiling point of at least one of the first solvent and the second solvent or 275 ° C; in another embodiment, the first solvent And at least one of the second solvents has a boiling point of 300 ° C.
  • the first solvent and the second solvent have a boiling point of 160 ° C; in one embodiment, the first solvent and the second solvent have a boiling point of 180 ° C; In one embodiment, the first solvent and the second solvent have a boiling point of 200 ° C; in one embodiment, the first solvent and the second solvent have a boiling point of 220 ° C; in an embodiment The boiling point of the first solvent and the second solvent are both 240° Co
  • Selecting a solvent having a boiling point within the above range can prevent clogging of the nozzle of the ink jet print head.
  • a composition comprising at least two organic solvents, at least one of which has a viscosity of @25 ° C, in the range of 1 cPs to 10 OCPS. That is, at 25 ° C, the viscosity of at least one of the first solvent and the second solvent is 1 cps to 100 cps o
  • the viscosity of at least one of the first solvent and the second solvent is from 1 cps to 50 cps; in one embodiment, at least one of the first solvent and the second solvent The viscosity is from 1 cps to 40 cps; in one embodiment, the viscosity of at least one of the first solvent and the second solvent is from 1 cps to 30 cps; in one embodiment, the first solvent and the first The viscosity of at least one of the two solvents is 1.5 cps to 20 cpsc.
  • the surface tension of at least one of the first solvent and the second solvent is 19 dyne/cm to 50 dyne/cm at 25 ° C. .
  • the surface tension of at least one of the two organic solvents is in the range of about 19 dyne/cm to 50 dyne/cm at 25 ° C; In the embodiment, at 25. Under the condition of C, the surface tension of at least one of the two organic solvents is in the range of about 22 dyne/cm to 35 dyne/cm; in one embodiment, at 25 ° C, the The surface tension of at least one of the two organic solvents is in the range of about 25 dyne/cm to 33 dyne/cm.
  • the surface tension of the two organic solvents is in the range of 19 dyne/cm to 50 dyne/cm at 25 ° C; in another embodiment, at 25 ° Under the condition of C, the surface tension of the two organic solvents is in the range of 22 dyne/cm to 35 dyne/cm; in another embodiment, at 25 ° C, the two organic substances The surface tension of the solvent is in the range of 25 dyne/cm to 33 dyne/cm.
  • the surface tension of the printing ink composition is in the range of 19 dyne/cm to 50 dyne/cm at 25 ° C; in one embodiment, at 25 ° C, the printing ink The surface tension of the composition ranges from 22 dyne/cm to 35 dyne/cm; in one embodiment, the surface tension of the printing ink composition is 25 dyne/cm to 33 dyne/cm at 25 ° C.
  • the surface tension of the printing ink composition is in the range of 19 dyne/cm to 50 dyne/cm at 25 ° C; in one embodiment, at 25 ° C, the printing ink The surface tension of the composition ranges from 22 dyne/cm to 35 dyne/cm; in one embodiment, the surface tension of the printing ink composition is 25 dyne/cm to 33 dyne/cm at 25 ° C.
  • a solvent system comprising at least two organic solvents satisfying the above boiling point, surface tension parameters and viscosity parameters is included in the printing ink composition to form a film of a functional material having a uniform thickness and composition properties.
  • the first solvent is a good solvent for the functional material. In one embodiment, both the first solvent and the second solvent are good solvents for the functional material.
  • the invention further relates to a process for the preparation of a printing ink composition as described above.
  • composition as described above comprises the following formulation steps:
  • At least one of the first solvent and the second solvent has a boiling point of 160 ° C ;
  • At least one high-boiling solvent in the drying process of ink-jet printing the composition to the substrate, due to its high boiling point and low volatility, the solution droplet drying time can be prolonged, and the solute is increased in the droplet.
  • the time during which the concentration region is freely diffused to the low concentration region reduces the uneven distribution of the solute during the drying process and improves the unevenness of the inkjet printed deposited film.
  • the surface of the solution droplet may form a tendency to increase the tension from the edge to the center surface, thereby driving the surface solution. Flows from the edge to the center. This creates an annular convection with the flow from the center to the edge inside the solution.
  • Such annular convection is beneficial to the uniform distribution of functional materials during the drying process, which can effectively reduce the deposition of functional materials at the edges, weaken the "coffee ring effect", and make the functional film of the dried material have good uniformity and flatness.
  • a printing ink composition as described above wherein the second solvent has a surface tension less than the first solvent and the second solvent has a viscosity greater than the first solvent.
  • the difference in viscosity between the second solvent and the first solvent is at least 2 cPs.
  • the second solvent and the first solvent have a difference in viscosity of at least 4 cPs;
  • the second solvent and the first solvent have a difference in viscosity of at least 6 cPs;
  • the second solvent and the first solvent have a difference in viscosity of at least 8 cPs;
  • the second solvent and the first solvent have a difference in viscosity of at least 10 cPs.
  • the first solvent and the second solvent have a surface tension difference of at least 2 dyne/cm;
  • the difference in surface tension between the first solvent and the second solvent is at least 4 dyne/cm;
  • the first solvent and the second solvent have a surface tension difference of at least 6 dyne/cm;
  • the first solvent and the second solvent have a surface tension difference of at least 8 dyne/cm.
  • the first solvent and the second solvent have a surface tension difference of at least 2 dyne/cm, and the second solvent and the first solvent have a viscosity difference of at least 2 cPs;
  • the difference in surface tension between the first solvent and the second solvent is at least 4 dyne/cm, while the second solvent and The difference in viscosity of the first solvent is at least 4 CPs;
  • the first solvent and the second solvent have a surface tension difference of at least 6 dyne/cm, and the second solvent and the first solvent have a viscosity difference of at least 6 cPs;
  • the first solvent and the second solvent have a surface tension difference of at least 8 dyne/cm, and the second solvent and the first solvent have a difference in viscosity of at least 8 cPs.
  • the second solvent accounts for 20% to 60% of the total weight of the solvent; in one embodiment, the second solvent accounts for 20% to 50% of the total weight of the solvent; in one embodiment, the second solvent accounts for 20% to 40% of the total weight of the solvent.
  • the second solvent has a boiling point greater than the boiling point of the first solvent.
  • the second solvent has a boiling point at least 10 ° C higher than the boiling point of the first solvent. In one embodiment, the second solvent has a boiling point at least 20 ° C higher than the first solvent. In one embodiment, the boiling point of the second solvent is at least 30 ° C higher than the first solvent. In one embodiment, the boiling point of the second solvent is at least 40 ° C higher than the first solvent. In one embodiment, the second The boiling point of the solvent is at least 50 ° C higher than the first solvent. In one embodiment, the second solvent has a boiling point at least 60 ° C higher than the first solvent.
  • the first solvent has a boiling point greater than the boiling point of the second solvent.
  • the first solvent has a boiling point that is at least 10 ° C higher than the boiling point of the second solvent. In another embodiment, the boiling point of the first solvent is at least 20 ° C higher than the second solvent. In another embodiment, the boiling point of the first solvent is at least 30 ° C higher than the second solvent.
  • At least one of the two organic solvents contained in the composition according to the present invention is based on an aromatic or heteroaromatic solvent.
  • a printing ink composition comprising at least two organic solvents, and wherein at least one of the organic solvents has the following formula:
  • Ar 1 is an aromatic or heteroaromatic ring having 5 ⁇ 0 ring atoms, and n 1, R is a substituent.
  • the organic solvent is represented by the formula (I), wherein Ar 1 is an aromatic or heteroaromatic ring having 5 to 9 ring atoms.
  • An aromatic group refers to a hydrocarbon group containing at least one aromatic ring, including a monocyclic group and a polycyclic ring system.
  • a heteroaromatic group refers to a hydrocarbon group (containing a hetero atom) comprising at least one heteroaromatic ring, including a monocyclic group and a polycyclic ring system.
  • These polycyclic rings may have two or more rings in which two carbon atoms are shared by two adjacent rings, a fused ring. At least one of these rings of the polycyclic ring is aromatic or heteroaromatic.
  • examples of the aromatic group are: benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, perylene, tetracene, anthracene, benzofluorene, triphenylene, anthracene, anthracene, and derivatives thereof.
  • the composition comprises an organic solvent having the formula (I), and a more preferred example thereof can be further represented by the following formula (II) to formula (VI):
  • X is CR 1 or N
  • One or more of the groups R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 may be bonded to each other and/or to R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 or R 6
  • an isocyano group an isocyanate group, a thiocyanate group or an isothiocyanate group, a hydroxyl group, a nitro group, a CF 3 group, C l, Br , F, a crosslinkable group or a substituted or unsubstituted aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 8 ring atoms, or an aryloxy group or a heterocyclic group having 5 to 8 ring atoms An aryloxy group, or a combination of these systems, wherein one or more of the groups R may form a monocyclic or polycyclic aliphatic or aromatic ring system with each other and/or an atom to which they are attached.
  • the aromatic or heteroaromatic solvent is selected from the group consisting of: p-diisopropylbenzene, pentylbenzene, tetrahydronaphthalene, cyclohexylbenzene, chloronaphthalene, 1,4-dimethylnaphthalene, 3_ Isopropyl biphenyl, p-methyl cumene, dipentylbenzene, o-diethylbenzene, m-diethylbenzene, p-diethylbenzene, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,2,3,5 -tetramethylbenzene, 1,2,4,5-tetramethylbenzene, butylbenzene, dodecylbenzene, 1-methylnaphthalene, 1,2,4-trichlorobenzene, 1,3_dipropoxybenzene, 4,4-difluorodiphenylmethane, 1,2-dimethoxy_
  • At least one of the two organic solvents contained in the composition is an organic solvent based on an aromatic ketone.
  • the solvent of the aromatic ketone is a tetralone, such as: 1-tetralone and 2-tetralone.
  • the tetralone solvent comprises a derivative of 1-tetralone and 2-tetralone, i.e., a tetralone substituted with at least one substituent.
  • substituents include aliphatic groups, aryl groups, heteroaryl groups, and the like.
  • the solvent of the aromatic ketone is selected from the group consisting of 2-(phenyl epoxy) tetralone or 6-(methoxy) tetralone. In other embodiments, the solvent of the aromatic ketone is selected from the group consisting of: acetophenone, propiophenone, benzophenone, and derivatives thereof.
  • the solvent of the aromatic ketone is selected from the group consisting of 4-methylacetophenone, 3-methylacetophenone, 2-methylacetophenone, 4-A Phenylpropiophenone, 3-methylpropiophenone or 2-methylpropiophenone.
  • At least one of the two organic solvents contained in the printing ink composition is a ketone solvent that does not contain an aromatic or heteroaromatic group, for example: isophorone, 2, 6 , 8-trimethyl-4-indolone, camphor, anthrone.
  • At least one of the two organic solvents contained in the composition is an aromatic ether-based organic solvent.
  • the aromatic ether solvent is selected from the group consisting of: 3-phenoxytoluene, butoxybenzene, benzylbutylbenzene, p-anisaldehyde dimethyl acetal, tetrahydro-2-phenoxy 2H-pyran 1,2-dimethoxy_4_(1-propenyl)benzene, 1,4-benzodioxane, 1,3-dipropylbenzene, 2,5-dimethoxytoluene, 4_ Ethyl ether, 1 , 2, 4_trimethoxybenzene, 4_(1 _propenyl)_1, 2-dimethoxybenzene, 1, 3-dimethoxybenzene, glycidyl phenyl ether, two Benzyl ether, 4-tert-butyl anisole, trans-p-propenyl anisole, 1,2-dimethoxybenzene, 1-methoxynaphthalene, diphenyl ether, 2-
  • the aromatic ether solvent is 3-phenoxytoluene.
  • the composition comprises at least one of two organic solvents based on an ester.
  • the ester solvent is selected from the group consisting of: alkyl octanoate, alkyl sebacate, alkyl stearate, alkyl benzoate, alkyl phenylacetate, alkyl cinnamate, alkyl oxalate, alkyl maleate, alkane Ester or alkyl oleate.
  • the ester solvent is octyl octanoate or diethyl sebacate.
  • a printing ink composition comprising at least one organic solvent selected from the group consisting of aliphatic ketone solvents.
  • a printing ink composition comprising at least one organic solvent selected from the group consisting of aliphatic ether solvents.
  • the organic solvent of the aliphatic ketone may be selected from the group consisting of: 2-nonanone, 3-fluorenone, 5-nonanone, 2-nonanone, 2,5-hexanedione, 2,6-trimethylol -4-anthone, phorone or di-n-pentyl ketone.
  • the organic solvent of the aliphatic ether may be selected from the group consisting of: pentyl ether, hexyl ether, dioctyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, diethylene glycol dibutyl Ether, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol ethyl methyl ether, triethylene glycol butyl methyl ether, tripropylene glycol dimethyl ether or tetraethylene glycol dimethyl ether.
  • a printing ink composition comprising at least one of two organic solvents selected from the group consisting of alicyclic solvents.
  • the cycloaliphatic solvent is selected from the group consisting of: tetrahydronaphthalene, cyclohexylbenzene, decalin, 2-phenoxytetrahydrofuran, 1,1 '-bicyclohexane, butylcyclohexane, ethyl rosinate, benzyl rosinate , ethylene glycol carbonate, styrene oxide, isophorone, 3,3,5-trimethylcyclohexanone, cycloheptanone, anthrone, 1-tetralone, 2-tetralone, 2_ (phenyl epoxy) tetralone, 6_(methoxy)tetralone, ⁇ -butyrolactone, ⁇ -valerolactone, 6-caprolactone, N,N-diethylcyclohexane Amine, sulfolane or 2,4-dimethylcyclobutyl.
  • a printing ink composition comprising at least one organic solvent selected from the group consisting of inorganic ester solvents.
  • the inorganic ester is dissolved and selected from the group consisting of: tributyl borate, triamyl borate, trimethyl phosphate, triethyl phosphate, tributyl phosphate, tris(2-ethylhexyl) phosphate, triphenyl phosphate, phosphoric acid Diethyl ester, dibutyl phosphate or di(2-ethylhexyl) phosphate.
  • Dissolving functional materials such as toluene, xylene, chloroform, chlorobenzene, dichlorobenzene, n-heptane, etc.
  • the above solvent system containing at least two organic solvents can be more effectively carried out without adding an additive.
  • Dissolving functional materials can also effectively prevent the occurrence of "coffee ring effect", so that a film having a uniform thickness and a high charge transporting ability can be obtained, which is suitable for use in photovoltaic devices.
  • Querin 40 60 ⁇ 80 20 Isoquinoline 40 60 ⁇ 80 20 Acetophenone 40 60 ⁇ 80 20 Tetrahydronaphthalene 40 60 ⁇ 80 20 Chlorophthalene 40 60 ⁇ 80 20
  • Acetophenone 40 60 ⁇ 80 20 Pentylbenzene 40 60 ⁇ 80 20 Cyclohexylbenzene 40 60 ⁇ 80 20 Chlorophthalene 40 60 ⁇ 80 20 Diethylbenzene 40 60 ⁇ 80 20 Xylene 40 60 ⁇ 80 20 Dichlorobenzene 40 60 ⁇ 80 20 dodecylbenzene 40 60 ⁇ 80 20 trichlorobenzene 2, 4-dimethylsulfolane 40 60 ⁇ 80 20 diphenyl ether 40 60 ⁇ 80 20 diphenylmethane 40 60 ⁇ 80 20
  • Querine 40 60-80 20 Isoquinoline 40 60-80 20 Triethyl phosphate 40 60-80 20
  • the second solvent is 1-tetralone and the first solvent is quinoline.
  • the second solvent is 3-phenoxytoluene and the first solvent is chloronaphthalene.
  • the second solvent is 3-isopropylbiphenyl and the first solvent is acetophenone.
  • the second solvent is isodecyl isononanoate and the first solvent is pentylbenzene.
  • the second solvent is sulfolane and the first solvent is 3-phenoxytoluene.
  • the second solvent is dodecylbenzene and the first solvent is tetrahydronaphthalene.
  • the solvent comprising the two organic solvents further comprises another organic solvent selected from the group consisting of: methanol, ethanol, 2-methoxyethanol, dichloromethane, trichloro Methane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene, tetrahydrofuran, anisole, morpholine, toluene, o-xylene, m-xylene, p-xylene, 1,4 dioxane, acetone, methyl ethyl ketone 1,2 dichloroethane, 3-phenoxytoluene, 1,1,1-trichloroethane, 1,1,2,2-tetrachloroethane, ethyl acetate, butyl acetate, dimethyl Carboxamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, tetrahydronaphthalene, decalin, hydrazine and/or mixtures thereof.
  • another organic solvent selected from the group consisting of:
  • the printing ink composition may additionally comprise one or more other components, such as surface active compounds, lubricants, wetting agents, dispersants, hydrophobic agents, binders, etc., for adjusting viscosity, film forming properties, and improving adhesion. Sex and so on.
  • the printing ink composition can be deposited by a variety of printing or coating techniques to provide functional films, including, but not limited to, ink jet printing, ink jet printing, and typographic printing.
  • Preferred printing techniques are ink jet printing, jet printing and four-page printing.
  • printing inks suitable for inkjet printing require adjustment of the surface tension, viscosity, and wettability of the ink so that the ink can be ejected through the nozzle at the printing temperature (eg, room temperature, 25 ° C) without being sprayed.
  • the printing temperature eg, room temperature, 25 ° C
  • drying on the nozzle or clogging the nozzle it is possible to form a continuous, flat and defect-free film on a specific substrate.
  • the printing ink composition of the present invention comprises at least one functional material.
  • the functional material may be an organic material or an inorganic material.
  • the viscosity can also be adjusted by adjusting the concentration of the functional material in the composition.
  • the solvent system of the present invention comprising at least two organic solvents facilitates the adjustment of the printing ink to an appropriate range in accordance with the printing method used.
  • the weight ratio of the functional material in the composition is 0. 5% ⁇ 0wt% c
  • the functional material is a material having certain optoelectronic functions.
  • Photoelectric functions include, but are not limited to, hole injection function, hole transport function, electron transport function, electron injection function, electron blocking function, hole blocking function, illuminating function, main function and light absorbing function.
  • the corresponding functional materials are called hole injection material (HIM), hole transport material (HTM), electron transport material (ETM), electron injection material (EIM), electron blocking material (EBM), hole blocking material (HBM).
  • HIM hole injection material
  • HTM hole transport material
  • ETM electron transport material
  • EIM electron injection material
  • EBM electron blocking material
  • HBM hole blocking material
  • organic dyes organic dyes.
  • the functional material included in a printing ink composition is an inorganic nanomaterial.
  • the inorganic nanomaterial in the printing ink composition is an inorganic semiconductor nanoparticle material.
  • the inorganic nanomaterial has an average particle size in the range of about 1 to 1 000 nm.
  • the inorganic nanomaterial has an average particle size in the range of from about 1 to about 100 nm.
  • the inorganic nanomaterial has an average particle size in the range of about 1 to 20 nm.
  • the inorganic nanomaterial has an average particle size in the range of about 1 to 10 nm.
  • the inorganic nanomaterial may be selected from different shapes, and may be a different nanotopography such as a sphere, a cube, a rod, a disk or a branched structure, and a mixture of particles of various shapes.
  • the inorganic nanomaterial is a quantum dot material having a very narrow, monodisperse size distribution, i.e., the size difference between the particles and the particles is very small.
  • the deviation of the monodisperse quantum dots in the size of the root mean square is less than 15% rms; more preferably, the deviation of the monodisperse quantum dots in the size of the root mean square is less than 10% rms; optimally, monodisperse
  • the quantum root of the quantum dot deviation is less than 5% r ms in size.
  • the inorganic nanomaterial is a luminescent material.
  • the luminescent inorganic nanomaterial is a quantum dot luminescent material.
  • Luminescent quantum dots can emit light between 380 nm and 2500 nm.
  • an illuminating wavelength of a quantum dot having a CdS core is in a range of about 400 nm to 560 nm; a luminescent wavelength of a quantum dot having a CdSe nucleus is in a range of about 490 nm to 620 nm; an illuminating wavelength of a quantum dot having a CdTe nucleus is located a range of about 620 nm to 680 nm; an illuminating wavelength of a quantum dot having an I nGaP nucleus in a range of about 600 nm to 700 nm; a luminescent wavelength of a quantum dot having a PbS nucleus in a range of about 800 nm to 2500 nm; having PbSe
  • the quantum wavelength of the quantum dot is in the range of about 1 200 nm to 2500 nm; the quantum
  • the wavelength of the quantum dots having the ZnCulnGaS core is in the range of about 500 nm to 620 nm; the wavelength of the quantum dots having the CulnGaSe core is in the range of about 700 nm to 1000 nm.
  • the quantum dots contained may be selected from a particular chemical composition, topography, and/or size to provide light of the desired wavelength under electrical stimulation.
  • a relationship between the luminescent properties of quantum dots and their chemical composition, morphology, and/or size see Annual Rev i ew of Mater ia I Sc i ., 2000, 30, 545-610; Optical Mater ia I s Express. 2012, 2, 594-628; Nano Res, 2009, 2, 425-447.
  • the entire contents of the above-listed patent documents are hereby incorporated herein by reference.
  • the narrow particle size distribution of quantum dots enables quantum dots to have a narrower luminescence spectrum ( ⁇ Am. Chem. Soc., 1993, 115, 8706; US 20150108405). Further, depending on the chemical composition and structure employed, the size of the quantum dots needs to be adjusted within the above-described size range to obtain the luminescent properties of the desired wavelength.
  • the luminescent quantum dots are semiconductor nanocrystals.
  • the semiconductor nanocrystals have a size in the range of from about 2 nanometers to about 15 nanometers. Further, depending on the chemical composition and structure employed, the size of the quantum dots needs to be adjusted within the above-mentioned size range to obtain the luminescent properties of the desired wavelength.
  • the semiconductor nanocrystal includes at least one semiconductor material, wherein the semiconductor material may be selected from the group IV, Ib, I, V, II, I, IV, VI, VI, VI, II Bu VI, I Bu IV-VI, I Bu IV-V binary or multi-element semiconductor compounds or mixtures thereof.
  • the luminescent quantum dots comprise a Group I semiconductor material, preferably selected from the group consisting of CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdZnSe, and any combination thereof.
  • the synthesis of CdSe, CdS is relatively mature and this material is used as a luminescent quantum dot for visible light.
  • the luminescent quantum dots comprise an IV-VI semiconductor material, preferably selected from the group consisting of PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe, T 1 2 SnTe 5 and any combination thereof.
  • the quantum dots are a core-shell structure.
  • the core and the shell may comprise one or more semiconductor materials, the same or different.
  • the nucleus of the quantum dot may be selected from the group consisting of the above-mentioned Periodic Table of the Elements IV, IBu, I, V, II, V, II, VI, IV-VI, I, VI, I Bu IV-VI, I Bu IV-V binary or multi-element semiconductor compound.
  • quantum dot nuclei include: Zn0, ZnS, ZnSe, ZnTe, Cd0, CdS, CdSe, CdTe, MgS, MgSe, GaAs, An alloy or mixture of GaN, GaP, GaSe, GaSb, Hg0, HgS, HgSe, HgTe, lnAs, lnN, lnSb, AIAs, AIN, AIP, AISb, Pb0, PbS, PbSe, PbTe, Ge, Si, and any combination thereof .
  • quantum dot nuclei include: Zn0, ZnS, ZnSe, ZnTe, Cd0, CdS, CdSe, CdTe, MgS, MgSe, GaAs, GaN, GaP, GaSe, GaSb, Hg0, HgS, HgSe, HgTe, lnAs An alloy or mixture of lnN, lnSb, AIAs, AIN, AIP, AISb, Pb0, PbS, PbSe, PbTe, Ge, Si, and any combination thereof.
  • the shell may comprise a single layer or a multilayer structure.
  • the shell includes one or more semiconductor materials that are the same or different from the core.
  • two or more shells are included on the surface of the quantum dot core.
  • the shell has a thickness of from about 1 to 20 layers. In a more preferred embodiment, the shell has a thickness of from about 5 to 10 layers.
  • the semiconductor material used for the shell has a larger band gap than the core.
  • the shell core has a type I semiconductor heterostructure.
  • the semiconductor material used for the shell has a smaller band gap than the core.
  • the semiconductor material used for the shell has an atomic crystal structure that is the same as or close to the core. Such a choice is advantageous for reducing the stress between the core shells and making the quantum dots more stable.
  • Examples of suitable luminescent quantum dots using a core-shell structure are:
  • Red light CdSe/CdS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdZnS, etc.
  • Blue light CdS/CdZnS, CdZnS/ZnS, etc.
  • the method of preparing the quantum dots is a gelatinous growth method.
  • the method of preparing monodisperse quantum dots is selected from the group consisting of hot-inj ect and/or heat-ng-up. Contained in the file preparation Nano Res, 2009, 2, 425-447 ; Chem Mater, 2015, 27 (7), pp 2246 - 2285 0 hereby the entire contents of the file listed above are incorporated herein by reference...
  • the surface of the quantum dot comprises an organic ligand.
  • Organic ligands can control the growth process of quantum dots, regulate the appearance of quantum dots and reduce surface defects of quantum dots to improve the luminous efficiency and stability of quantum dots.
  • the organic ligand may be selected from the group consisting of pyridine, pyrimidine, furan, amine, alkylphosphine, alkylphosphine oxide, alkylphosphonic acid or alkylphosphinic acid, alkyl mercaptan and the like.
  • organic ligands include, but are not limited to, tri-n-octylphosphine, tri-n-octylphosphine oxide, trihydroxypropylphosphine, tributylphosphine, tris(dodecyl)phosphine, dibutyl phosphite , tributyl phosphite, octadecyl phosphite, trilauryl phosphite, tris(dodecyl) phosphite, triisodecyl phosphite, bis(2-ethylhexyl) phosphate, Tris(tridecyl)phosphate, hexadecylamine, oleylamine, octadecylamine, dioctadecylamine, octadecylamine, bis(2-ethylhexyl)amine, oxy
  • the surface of the quantum dot comprises an inorganic ligand.
  • Quantum dots protected by inorganic ligands can be obtained by ligand exchange of organic ligands on the surface of quantum dots. Examples of specific inorganic ligands include, but are not limited to: S 2 -, HS -, Se 2 -, HSe -, Te 2 -, HTe -, TeS 3 2 -, 0H -, NH 2 -, P0 4 3 - , Mo0 4 2 —, and so on. Examples of such inorganic ligand quantum dots can be found in the document: ⁇ Am. Chem. Soc. 2011, 133, 10612-10620; ACS Nano, 2014, 9, 9388-9402. The entire contents of the above-listed documents are hereby incorporated by reference.
  • the quantum dot surface has one or more of the same or different ligands.
  • the luminescence spectrum exhibited by the monodisperse quantum dots has a symmetrical peak shape and a narrow half width.
  • the quantum dot has a half-width of light emission of less than 70 nm; more preferably, the quantum half-width of the quantum dot is less than 40 nm; most preferably, the quantum half-width of the quantum dot is smaller than 30 nanometers.
  • the luminescent semiconductor nanocrystals are nanorods.
  • the properties of nanorods are different from those of spherical nanocrystals. For example, light emission along the long axis of the rod nanorods polarization, while non-spherical crystal emitting polarized (see Woggon etc., Nano Lett., 2003, 3 , ⁇ 509). Nanorods have excellent optical gain characteristics that make them useful as laser gain materials (see Banin et al. Adv. Mater. 2002, 14, p317).
  • the luminescence of the nanorods can be reversibly turned on and off under the control of an external electric field (see Banin et al, Nano Lett. 2005, 5, p1581).
  • nanorods can be preferentially incorporated into the device of the present invention under certain circumstances.
  • preparation of the semiconductor nanorods are, for example, W003097904A1, US2008188063A1, US2009053522A1, KR20050121443A, the entire contents of each of which is incorporated herein by reference.
  • the inorganic nanomaterial is a perovskite nanoparticle material, in particular a luminescent perovskite nanoparticle material.
  • the perovskite nanoparticle material has the structural formula of AMX 3 wherein A may be selected from an organic amine or an alkali metal cation, M may be selected from a metal cation, and X may be selected from an oxygen or a halogen anion.
  • CsPbCI 3 CsPb (CI /Br) a, CsPbBr 3 , CsPb(l/Br) 3 , CsPbl 3 , CH 3 NH 3 PbCI 3 , CH 3 NH 3 Pb (Cl/Br 3 , CH 3 NH 3 PbBr 3 , CH 3 NH 3 Pb(l/Br) 3 , CH 3 NH 3 Pbl 3 and the like.
  • perovskite nanoparticle materials are A ⁇ o eii., 2015, 15, 3692-3696; ACS Nano, 2015, 9, 4533-4542; Angewandte Chemie, 2015, 127(19): 5785-5788; Nano Lett., 2015, 15 (4), pp 2640 - 2644; Adv. Optical Mater. 2014, 2, 670 - 678; The Journal of Physical Chemistry Letters, 2015, 6(3): 446-450; J. Mater. Chem. A, 2015, 3, 9187-9193; Inorg. Chem. 2015, 54, 740 - 745; RSC Adv., 2014, 4, 55908-55911 ; J. Am. Chem. Soc.
  • the inorganic nanomaterial is a metal nanoparticle material.
  • the metal nanoparticles include, but are not limited to, chromium (Cr), molybdenum (Mo), tungsten (W), ruthenium (Ru), rhenium (Rh), nickel ( ⁇ ), silver (A g ), copper ( Nanoparticles of Cu), zinc (Zn), palladium (Pd), gold (Au), hungry (0s), ruthenium (Re), iridium (lr) and platinum (Pt).
  • Cr chromium
  • Mo molybdenum
  • Mo tungsten
  • Ru ruthenium
  • Rh nickel
  • silver A g
  • copper Nanoparticles of Cu
  • zinc (Zn) palladium
  • Pd gold
  • Au gold
  • Pt platinum
  • the inorganic nanomaterial has charge transport properties.
  • the inorganic nanomaterial has electron transport capabilities.
  • such inorganic nanomaterials are selected from the group consisting of n-type semiconductor materials.
  • the n-type inorganic semiconductor material include, but are not limited to, a metal chalcogen compound, a metal phosphorus group compound, or an elemental semiconductor such as a metal oxide, a metal sulfide, a metal selenide, a metal telluride, a metal nitride, Metal phosphide, or metal arsenide.
  • the preferred n-type inorganic semiconductor material is selected from the group consisting of Zn0, ZnS, ZnSe, T i 0 2 , ZnTe, GaN, GaP, AIN, CdSe, CdS, CdTe, CdZnSe and any combination thereof.
  • the inorganic nanomaterial has a hole transporting ability.
  • such inorganic nanomaterials are selected from P-type semiconductor materials.
  • the inorganic p-type semiconductor material can be selected from ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ , WOx , MoOx , RuOx , VOx , CuOx and any combination thereof.
  • a printing ink composition comprising at least two and two or more inorganic nanomaterials.
  • a composition comprises at least one organic functional material.
  • the organic functional materials include: holes (also called holes) injection or transport materials (HIM/HTM), hole blocking materials (HBM), electron injection or transport materials (EIM/ETM;), electronic barrier materials ( EBM;), organic host material (Host), singlet illuminant (fluorescent illuminant), thermally activated delayed fluorescent luminescent material (TADF), triplet illuminant (phosphorescent illuminant), especially luminescent organic metal complex , organic dyes.
  • holes also called holes injection or transport materials
  • HBM hole blocking materials
  • EIM/ETM electron injection or transport materials
  • EBM electronic barrier materials
  • organic host material Host
  • singlet illuminant fluorescent illuminant
  • TADF thermally activated delayed fluorescent luminescent material
  • phosphorescent illuminant especially luminescent organic metal complex , organic dyes.
  • Various organic functional materials are described in detail in, for example, W0201 01 35519A1, US200901 34784A1, and W0
  • the solubility of the organic functional material in the above solvent is at least 0.2 wt%;
  • the solubility of the organic functional material in the above solvent is at least 0.3% by weight
  • the solubility of the organic functional material in the above solvent is at least 0.6 wt%;
  • the solubility of the organic functional material in the above solvent is at least 1.0% by weight
  • the organic functional material has a solubility in the above solvent of at least 1. 5 wt% c
  • the organic functional material may be a small molecule and a high polymer material.
  • the small molecule organic material means a material having a molecular weight of at most 4000 g / mol, and the material having a molecular weight higher than 4000 g / mol is collectively referred to as a high polymer.
  • a printing ink composition comprising a functional material is an organic small molecule material.
  • the organic functional material in a printing ink composition comprises at least one host material and at least one illuminant.
  • the organic functional material in a printing ink composition comprises a host material and a singlet emitter.
  • an organic functional material in a printing ink composition comprises a host material and a triplet emitter.
  • an organic functional material in a printing ink composition comprises a host material and a thermally activated delayed fluorescent material.
  • the organic functional material in a printing ink composition comprises a hole transporting material (HTM).
  • HTM hole transporting material
  • the organic functional material in a printing ink composition comprises a hole transporting material (HTM), the HTM comprising a crosslinkable group.
  • HTM hole transporting material
  • Suitable organic HIM/HTM materials may optionally comprise compounds having the following structural units: phthalocyanine, porphyrin, amine, aromatic amine, biphenyl triarylamine, thiophene, thiophene such as dithienothiophene and thiophene, pyrrole, aniline , carbazole, aziridine and their derivatives.
  • suitable H I M also includes fluorocarbon-containing polymers, conductive doped polymers, and conductive polymers such as PED0T : PSS o
  • An electron blocking layer is used to block electrons from adjacent functional layers, particularly the luminescent layer.
  • the presence of an EBL typically results in an increase in luminous efficiency.
  • the electron blocking material (EBM) of the electron blocking layer (EBL) requires a higher LUM0 than an adjacent functional layer such as a light-emitting layer.
  • the EBM has a larger excited state level than the adjacent luminescent layer, such as a singlet or triplet, depending on the illuminant; at the same time, the EBM has a hole transport function.
  • HIM/HTM materials that typically have high LUM0 levels can be used as EBMs. Structure:
  • Each of Ar 1 to Ar 9 may be independently selected from the group consisting of a cyclic aromatic hydrocarbon compound such as benzene, biphenyl, triphenyl, benzo, naphthalene, anthracene, phenalrene, phenanthrene, anthracene, anthracene, quinone, quinone, quinone; Heterocyclic compounds such as dibenzothiophene, dibenzofuran, furan, thiophene, benzofuran, benzo. Minutes, carbazole, .
  • Biazole imidazole, triazole, isoxazole, oxazole, oxadiazole, triazole, oxazole, thiadiazole, pyridine, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, triazine, oxazine, oxazine , oxadiazine, anthraquinone, benzimidazole, oxazole, pyridazine, benzoxazole, benzoxazole, benzothiazole, quinoline, isoquinoline, o-diaza(hetero)naphthalene, quinazoline Porphyrin, quinoxaline, naphthalene, anthracene, pteridine, xanthene, acridine, phenazine, phenothiazine, phenoxazine, dibenzoselenophene, benzoselenophene
  • the groups from 1 to Ar 9 may be independently selected from the group consisting of the following groups:
  • n is an integer from 1 to 20; X 1 to X s is CH or N; Ar 1 is as defined above.
  • HTM or HIM include, but are not limited to, the following general structures:
  • (Y -Y 2 ) is a two-dentate ligand, Y 1 and Y 2 are independently selected from C, N, 0, P and S; L is an ancillary ligand; m is an integer from 1 to The maximum coordination number of the metal; m+n is the maximum coordination number of this metal.
  • (Y 1 -Y 2 ) is a 2-phenylpyridine derivative.
  • ( ⁇ 1 - ⁇ 2 ) is a carbene ligand.
  • ⁇ is selected from l r, Pt, 0s, and Zn.
  • the HOMO of the metal complex is greater than -5. 5 eV (relative to the vacuum level).
  • any compound selected from the group consisting of HIM/HTM compounds is selected from the group consisting of HIM/HTM compounds:
  • the example of the triplet host material is not particularly limited, and any metal complex or organic compound may be used as a host as long as its triplet energy is higher than that of the illuminant (especially a triplet illuminant or a phosphorescent illuminant).
  • M is a metal
  • (Y 3 -Y 4 ) is a bidentate ligand, and ⁇ 3 and ⁇ 4 are independently selected from C, N, 0, P, and S
  • L is an ancillary ligand
  • m is an integer , whose value is from 1 to the maximum coordination number of this metal
  • m+n is the maximum coordination number of this metal.
  • the gold form of the triplet body is gold form of the triplet body:
  • (0-N) is a two-dentate ligand in which the metal is coordinated to the 0 and N atoms.
  • M can be selected from l r or Pt.
  • Examples of the organic compound which can be used as the main body of the triplet state are selected from compounds containing a cyclic aromatic hydrocarbon group such as benzene, biphenyl, triphenyl, benzo, anthracene; compounds containing an aromatic heterocyclic group such as dibenzothiophene, Dibenzofuran, dibenzoselenophene, furan, thiophene, benzofuran, benzothiophene, benzoselenophene, carbazole, carbazole, pyridinium, pyrrole dipyridine, pyridinium 1 , sit, microphone 1 , sit, three 17 sitting class, evil 1 , sit,.
  • a cyclic aromatic hydrocarbon group such as benzene, biphenyl, triphenyl, benzo, anthracene
  • compounds containing an aromatic heterocyclic group such as dibenzothiophene, Dibenzofuran, dibenzoselenophene, furan, thiophen
  • R 1 - R 7 may be independently selected from one another: hydrogen, alkyl, alkoxy, alkoxy, alkene, alkyne, aralkyl, heteroalkyl, aryl or heteroaryl.
  • R 1 _ R 7 is an aryl or heteroaryl group, they have the same meaning as Ar 1 and Ar 2 described above;
  • n is an integer from 0 to 20;
  • X 1 - X 8 is selected from CH or N;
  • X 9 Selected from CR 1 R 2 or NR 1 .
  • the example of the singlet host material is not particularly limited, and any organic compound may be used as a host as long as its singlet energy is higher than that of the illuminant (especially a singlet illuminant or a fluorescent illuminant).
  • Examples of the organic compound used as the singlet host material may be selected from the group consisting of a cyclic aromatic compound such as benzene, biphenyl, triphenyl, benzo, naphthalene, anthracene, anthracene, phenanthrene, anthracene, anthracene, pyrene, flower,
  • An aromatic heterocyclic compound such as dibenzothiophene, dibenzofuran, dibenzoselenophene, furan, thiophene, benzofuran, benzothiophene, benzoselenophene, carbazole, carbazole, pyridyl Fixed. Plo, pyripridine, pyridin. Sitting, microphone.
  • Sitting three nitrogen. Sitting, disgusting. Sit,. Sitting, evil two ⁇ sitting, evil three ⁇ sitting, two evil.
  • Sit, thiadiazole pyridine, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, triazine, oxazine, oxazine, dioxazin, hydrazine, benzimidazole, oxazole, noisy, benzoxazole, benzene Isoxazole, benzothiazole, quinoline, isoquinoline, porphyrin, quinazoline, quinoxaline, naphthalene, anthracene, pteridine, xanthene, acridine, phenazine, phenothiazine, phenoxazine , benzofuran pyridine, furan dipyridine, benzothiophene pyridine, thiophene dipyridine, benzoselenopyridine and
  • R 1 may be independently selected from the group consisting of: hydrogen, alkyl, alkoxy, amino, alkene, alkyne, aralkyl, heteroalkyl, aryl or heteroaryl; Ar 1 is aryl or heteroaryl It has the same meaning as Ar 1 defined in the above HTM; n is an integer from 0 to 20; X 1 - X 8 is selected from CH or N; X 9 and X 1 ° are selected from CR 1 R 2 or NR 1 .
  • the fluorenyl singlet host material is selected from the group consisting of:
  • Singlet emitters tend to have longer conjugated ⁇ electron systems.
  • styrylamine and its derivatives disclosed in JP29131 16B and W02001021729A1
  • indenoindenes and derivatives thereof disclosed in WO2008/006449 and WO2007/140847.
  • the singlet emitter can be selected from the group consisting of monostyrylamine, dibasic styrylamine, ternary styreneamine, quaternary styrylamine, styrene phosphine, styrene ether or arylamine.
  • a monostyrylamine refers to a compound comprising an unsubstituted or substituted styryl group and at least one amine, preferably an aromatic amine.
  • a dibasic styrylamine refers to a compound comprising two unsubstituted or substituted styryl groups and at least one amine, preferably an aromatic amine.
  • a ternary styrylamine refers to a compound comprising three unsubstituted or substituted styrene groups and at least one amine, preferably an aromatic amine.
  • a quaternary styrylamine refers to a compound comprising four unsubstituted or substituted styryl groups and at least one amine, preferably an aromatic amine.
  • a preferred styrene is stilbene, which may be further substituted.
  • the corresponding phosphines and ethers are defined similarly to amines.
  • An arylamine or an aromatic amine refers to a compound comprising three unsubstituted or substituted aromatic ring or heterocyclic systems directly attached to a nitrogen.
  • at least one of these aromatic or heterocyclic ring systems has a fused ring system, and preferably the fused ring system has at least 14 aromatic ring atoms.
  • Preferred examples thereof are aromatic guanamine, aromatic guanidine diamine, aromatic guanamine, aromatic guanidine diamine, aromatic thiamine and aromatic quinone diamine.
  • An aromatic amide refers to a compound in which a diarylamine group is attached directly to the oxime, preferably at the position of 9.
  • An aromatic quinone diamine refers to a compound in which two diaryl arylamine groups are attached directly to the oxime, preferably at a position of 9,10.
  • the aromatic decylamine, the aromatic quinone diamine, the aromatic thiamine and the aromatic thiamine are similarly defined, wherein the diarylamine group is preferably attached to the 1 or 1 and 6 positions of the oxime.
  • Further preferred singlet emitters can be selected from indenoindole-amines and indenofluorene-diamines, as disclosed in WO 2006/122630, benzoindolo-amines and benzoindeno-diamines. As disclosed in WO 2008/006449, dibenzoindolo-amines and dibenzoindenoindole-diamines are disclosed, for example, in WO2007/140847.
  • TDF Thermally activated delayed fluorescent luminescent material
  • the thermally activated delayed fluorescent luminescent material is a third generation organic luminescent material developed after organic fluorescent materials and organic phosphorescent materials. Such materials generally have a small singlet-triplet energy level difference (AE st ), and triplet excitons can be converted into singlet exciton luminescence by anti-interstitial crossing. This can make full use of the singlet excitons and triplet excitons formed under electrical excitation.
  • the quantum efficiency in the device can reach 100%.
  • the TADF material needs to have a small singlet-triplet energy level difference (AE st ).
  • AE st a small singlet-triplet energy level difference
  • the AE st ⁇ 0.3 eV; in one embodiment, AE st ⁇ 0.2 eV; in one embodiment, AE st ⁇ 0.1 eV; in an embodiment, AE st ⁇ 0.05 eVc in one
  • TADF has better fluorescence quantum efficiency.
  • TADF luminescent materials can be found in the following patent documents: CN 103483332(A), TW201309696 (A), TW201309778 (A), TW201343874 (A), TW201350558 (A), US20120217869 (A1), W02013133359 (A1), W02013154064 (A1) , Adachi, et. al. Adv. Mater. , 21, 2009, 4802, Adachi, et. al. Appl. Phys. Lett. , 98, 2011, 083302 , Adachi, et.al. Appl. Phys. Lett. , 101, 2012, 093306, Adachi, et.al. Chem. Commun.
  • the TADF luminescent material is selected from the group consisting of:
  • Triplet emitters are also known as phosphorescent emitters.
  • the triplet emitter is a metal complex of the formula M(L) n , wherein M is a metal atom, and each occurrence of L may be the same or different and is an organic ligand , it Attached to the metal atom M by one or more positional bonding or coordination, n is an integer greater than 1, preferably 1, 2, 3, 4, 5 or 6.
  • these metal complexes are attached to a polymer by one or more positions, preferably by an organic ligand.
  • the metal atom M is selected from a transition metal element or a lanthanide or 4f system element.
  • the triplet emitter comprises a chelating ligand, ie the ligand is coordinated to the metal via at least two bonding sites, with particular preference being given to the triplet emitter comprising two or three identical or different Double or multidentate ligand.
  • Chelating ligands are beneficial for increasing the stability of metal complexes.
  • the organic ligand is selected from the group consisting of: phenylpyridine derivatives, 7, 8-benzoquinoline derivatives, 2 (2-thienyl) pyridine derivatives, 2 (1-naphthyl) pyridine derivatives , or 2 phenylquinoline derivatives. All of these organic ligands may be substituted, for example by fluorine or trifluoromethyl.
  • the ancillary ligand may preferably be selected from the group consisting of acetone acetate or picric acid.
  • the tri complex can be used as follows:
  • M is a metal selected from the group consisting of transition metal elements or lanthanides or 4f elements;
  • Ar 1 may be the same or different at each occurrence, and is a cyclic group containing at least one donor atom, that is, an atom having a lone pair of electrons, such as nitrogen or phosphorus, through the donor atom, a cyclic group and Metal coordination linkage;
  • Ar 2 may be the same or different at each occurrence, is a cyclic group containing at least one C atom through which a cyclic group is attached to the metal;
  • Ar 1 and Ar 2 are covalently
  • the linkages are linked together and may each carry one or more substituent groups, which may also be joined together by a substituent group;
  • L may be the same or different at each occurrence, being an ancillary ligand, preferably a double-chirp chelate
  • the ligand preferably a monoanionic bidentate chelate ligand;
  • m is 1, 2 or 3, preferably 2 or 3, particularly preferably 3;
  • n is 0, 1, or 2, preferably 0 Or 1, with
  • the functional material comprised by the composition is a polymeric material.
  • organic small molecule functional materials described above including HIM, HTM, ETM, EIM, Host, fluorescent illuminants, phosphorescent emitters, and TADF can all be included as repeating units in the high polymer.
  • the high polymer suitable for the present invention is a conjugated high polymer.
  • conjugated polymers have the following
  • A can independently select the same or different structural units when appearing multiple times
  • ⁇ _co-ft structural unit having a larger energy gap also called a Backbone Unit, selected from a monocyclic or polycyclic aryl or heteroaryl group, and the preferred unit form is benzene, bis. Biphenylene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, dihydrophenanthrene, 9, 10-dihydrophenanthrene, anthracene, diterpenoid, stilbene, p-phenylacetylene, ruthenium, fluorene, dibenzo-indole And ⁇ , ⁇ and naphthalene and their derivatives.
  • a Backbone Unit selected from a monocyclic or polycyclic aryl or heteroaryl group, and the preferred unit form is benzene, bis. Biphenylene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, dihydrophenanthrene, 9, 10-dihydrophenanthrene, anthracene, diterpenoid
  • a ⁇ _conjugated structural unit having a smaller energy gap may be selected from hole injection or transport materials ( ⁇ / ⁇ ) containing the above-described functions according to different functional requirements. , electron injection or transport material ( ⁇ / ⁇ ), host material (Host), singlet illuminant (fluorescent illuminant), structural unit of heavy illuminant (phosphorescent illuminant).
  • the functional material included in the composition is a high polymer HTM.
  • the high polymer HTM material is a homopolymer, preferably a polythiophene, poly. Piro, polyaniline, polybiphenyl triarylamine, polyvinylcarbazole and its derivatives.
  • the high polymer HTM material is a conjugated copolymer represented by Chemical Formula 1, wherein Where B, A can independently select the same or different structural units when appearing multiple times
  • ⁇ _co-ft structural unit having a larger energy gap also called a Backbone Unit, selected from a monocyclic or polycyclic aryl or heteroaryl group, and the preferred unit form is benzene, bis. Biphenylene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, dihydrophenanthrene, 9, 10-dihydrophenanthrene, anthracene, diterpenoid, stilbene, p-phenylacetylene, ruthenium, fluorene, dibenzo-indole And ⁇ , ⁇ and naphthalene and their derivatives.
  • a Backbone Unit selected from a monocyclic or polycyclic aryl or heteroaryl group, and the preferred unit form is benzene, bis. Biphenylene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, dihydrophenanthrene, 9, 10-dihydrophenanthrene, anthracene, diterpenoid
  • A a functional group having a hole transporting ability, which may be the same or differently selected from the structural unit containing the hole injection or transport material (HIM/HTM) described above;
  • A selected from amines, biphenyl triarylamines, thiophenes, and. Divided into two. Divided into. Divided into and. Minutes, pyridyl 11 , aniline, anthracene. Sit, indenocarbazole, arsenazo, pentacene, phthalocyanine, porphyrin and its derivatives.
  • R is each independently selected from the group consisting of: hydrogen, a linear alkyl group having 1 to 20 C atoms, an alkoxy group or a thioalkoxy group, or a branched or cyclic group having 3 to 20 C atoms.
  • r 0, 1, 2, 3 or 4;
  • s 0, 1, 2, 3, 4 or 5;
  • Another preferred class of organic functional materials are polymers having electron transport capabilities, including conjugated high polymers and non-conjugated high polymers.
  • the selected high polymer ETM material is a homopolymer, and the homopolymer is preferably selected from the group consisting of: polyphenanthrene, polyphenanthroline, polyfluorene, polyspiroindene, polyfluorene and its derivatives. .
  • the preferred polymer ETM material is a conjugated copolymer represented by Chemical Formula 1, wherein A can independently select the same or different forms in multiple occurrences:
  • ⁇ _co-ft structural unit having a larger energy gap also called a Backbone Unit, selected from a monocyclic or polycyclic aryl or heteroaryl group, and the preferred unit form is benzene, bis. Biphenylene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, dihydrophenanthrene, 9, 10-dihydrophenanthrene, anthracene, diterpenoid, stilbene, p-phenylacetylene, ruthenium, fluorene, dibenzo-indole And ⁇ , ⁇ and naphthalene and their derivatives.
  • a Backbone Unit selected from a monocyclic or polycyclic aryl or heteroaryl group, and the preferred unit form is benzene, bis. Biphenylene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, dihydrophenanthrene, 9, 10-dihydrophenanthrene, anthracene, diterpenoid
  • A Functional group having electron transporting ability, preferably selected from tris(8-hydroxyquinoline)aluminum (Al 03), benzene, diphenylene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, Dihydrophenanthrene, 3 ⁇ 4, di, snail , p-Benzene block, 3 ⁇ 4, flower, 9, 10-Dihydrophenanthrene, .
  • the functional material comprised by the composition according to the invention is a luminescent polymer.
  • the luminescent polymer is a conjugated polymer having the general formula:
  • a functional group having a hole or electron transporting ability which may be selected from structural units containing the above-described hole injecting or transporting material (HIM/HTM), or electron injecting or transporting material (EIM/ETM).
  • a group having a light-emitting function may be selected from structural units containing the above-described singlet light emitter (fluorescent light emitter) and heavy light emitter (phosphorescent light emitter).
  • luminescent polymers are disclosed in the following patent applications: W02007043495, W02006118345, W02006114364, W02006062226, W02006052457, W02005104264, W02005056633, W02005033174, W02004113412 W02004041901, W02003099901, W02003051092, W02003020790, W02003020790, US2020040076853, US2020040002576, US2007208567, US2005962631, EP201345477 , EP2001344788, DE102004020298, the entire contents of each of which is incorporated herein by reference.
  • the high polymer suitable for the present invention is a non-conjugated high polymer.
  • This can be that all functional groups are on the side chain and the backbone is a non-conjugated high polymer.
  • Some of such non-conjugated high polymers useful as phosphorescent or phosphorescent materials are disclosed in U.S. Patent Nos. 7,250,226, issued to JP-A-A-A-A-A-------- It is disclosed in patent applications such as JP2005108556, JP2005285661 and JP2003338375.
  • the non-conjugated high polymer may also be a high polymer, and the functional units conjugated to the main chain are linked by non-conjugated linking units. Examples of such high polymers are in DE 102009023154.4 and Published in DE 102009023156.0. The entire contents of the above patent documents are hereby incorporated by reference.
  • the present invention also relates to a method of forming a film of a functional material on a substrate by the above-described printing ink composition, comprising the steps of:
  • the solvent in the printing ink composition is evaporated.
  • the present invention relates to a method of preparing a film comprising a functional material by a method of printing or coating.
  • the printing or coating method in which any of the compositions as described above is applied to a substrate by printing or coating may be selected from the group consisting of: inkjet printing, Nozzle Printing, typography, silk. Screen printing, dip coating, spin coating, blade coating, roller printing, reverse roll printing, lithographic printing, flexographic printing, rotary printing, spray coating, brushing or pad printing, slit extrusion coating, etc.
  • the film comprising the functional material is prepared by a method of ink jet printing.
  • Inkjet printers that can be used to print inks in accordance with the present invention are commercially available printers and include on-demand printheads (drop-on-d ray printheads). These printers are available from Fuji In i Im D i mat ix (Lebanon, NH ), Trident International (Brookf ie I d, Conn.), Epson (Torrance, Cal if), Hitachi Data systems Corporation (Santa Clara, Cal if), Xaar PLC (Cambridge, United Kingdom), and I danit Technologies, Limited (Ri shon Le Zi on, Isreal).
  • the present invention can be printed using D i mat i x Materials Printer DMP-3000 (Fuj if i Im).
  • the invention further relates to an electronic device comprising a functional layer which is a thin film of functional material formed from the above described printing ink composition.
  • the electronic device may comprise one or more functional layers, i.e., one or more layers of functional material film, which may be prepared by printing or coating.
  • Suitable electronic devices include: quantum dot light emitting diodes (QLEDs), quantum dot photodiodes (QPVs), quantum dot luminescent cells (QLEEC), quantum dot field effect transistors (QFETs), quantum dot luminescence field effect transistors, quantum dot lasers. , quantum dot sensors, organic light-emitting diodes (0LED), organic photovoltaic cells (0PV), organic light-emitting cells (0LEEC), organic field effect transistors (0FETs), organic light-emitting field effect transistors, organic lasers, organic sensors, etc.
  • QLEDs quantum dot light emitting diodes
  • QPVs quantum dot photodiodes
  • QLEEC quantum dot luminescent cells
  • QFETs quantum dot field effect transistors
  • quantum dot lasers quantum dot lasers.
  • the electronic device is an electroluminescent device or a photovoltaic cell, as shown in Fig. 1, comprising a substrate 101, an anode 102, at least one luminescent layer or light absorbing layer 104, and a cathode 106.
  • the following is only for the description of the electroluminescent device.
  • the substrate 101 can be opaque or transparent.
  • a transparent substrate can be used to make a transparent light-emitting component. See, for example, Bui ovic et al. Nature 1996, 380, p29, and Gu et al, Appl. Phys. Lett. 1996, 68, p2606c.
  • the substrate can be rigid or elastic.
  • the substrate can be plastic, metal, semiconductor wafer or glass.
  • the substrate has a smooth surface. Substrates without surface defects are a particularly desirable choice.
  • the substrate may be selected from a polymer film or plastic having a glass transition temperature Tg of 150 ° C or higher, preferably more than 200 ° C, more preferably more than 250 ° C, preferably Examples of suitable substrates over 300° Co are poly(ethylene terephthalate) (PET) and polyethylene glycol (2,6-naphthalene) (PEN)c
  • the anode 102 can comprise a conductive metal or metal oxide, or a conductive polymer.
  • the anode can easily inject holes into
  • the absolute value of the difference between the work function of the anode and the H0M0 level or the valence band level of the p-type semiconductor material as the HIL or HTL is less than 0.5 eV, preferably less than 0.3 eV, and preferably less than Examples of 0.2 eVc anode materials include, but are not limited to, Al, Cu, Au, Ag, Mg, Fe, Co, Ni, Mn, Pd, Pt, I TO, aluminum-doped zinc oxide (AZ0), and the like. Other suitable anode materials are known and can be readily selected for use by one of ordinary skill in the art.
  • the anode material can be deposited using any suitable technique, such as a suitable physical vapor deposition process, including radio frequency magnetron sputtering, vacuum thermal evaporation, electron beam (e-beam), and the like.
  • the anode is patterned.
  • Patterned IT0 conductive substrates are commercially available and can be used to prepare devices in accordance with the present invention.
  • Cathode 106 can include a conductive metal or metal oxide.
  • the cathode can easily inject electrons into the EIL or ETL or directly into the luminescent layer.
  • the work function of the cathode and the n-type semiconductor material as EIL or ETL or HBL 2 eV, preferably less than 0. 2 eV, preferably less than 0. 2 eV, preferably less than 0. 2 eV.
  • all materials which can be used as cathodes for OLEDs are possible as cathode materials for the devices of the invention.
  • cathode materials include: A l , Au, Ag, Ca, Ba, Mg, L i F/AI, MgAg alloy, BaF 2 / AI, Cu, Fe, Co, N i , Mn, Pd, Pt ,
  • the cathode material can be deposited using any suitable technique, such as a suitable physical vapor deposition process, including radio frequency magnetron sputtering, vacuum thermal evaporation, electron beam (e-beam), and the like.
  • a suitable physical vapor deposition process including radio frequency magnetron sputtering, vacuum thermal evaporation, electron beam (e-beam), and the like.
  • the light-emitting layer 104 includes at least one light-emitting functional material, and the thickness thereof may be between 2 nm and 200 nm.
  • the luminescent layer is prepared by printing the printing ink of the invention, wherein the printing ink comprises at least one luminescent functional material as described above, in particular Quantum dots or organic functional materials.
  • a light emitting device further comprises a hole injection layer (H I L) or a hole transport layer (HTL) 103 comprising an organic HTM or inorganic p-type material as described above.
  • H I L or HTL can be prepared by printing the printing ink of the present invention, wherein the printing ink contains a functional material having a hole transporting ability, particularly a quantum dot or an organic HTM material.
  • a light emitting device further comprises an electron injecting layer (E I L) or an electron transporting layer (ETL) 105, which comprises an organic ETM or inorganic n-type material as described above.
  • E I L or ETL can be prepared by printing a printing ink of the present invention, wherein the printing ink contains functional materials having electron transport capabilities, particularly quantum dots or organic ETM materials.
  • the invention further relates to the use of a light emitting device according to the invention in a variety of applications, including, but not limited to, various display devices, backlights, illumination sources, and the like.
  • Acetophenone (5.7 g ) and 3-isopropylbiphenyl (3.8 g ) solvent (weight ratio 60: 40) were weighed separately. Put the stirrer in the vial, clean it and transfer it to the glove box. Weigh 0.5 g of ZnO nanoparticle solids in a glove box, add to the acetophenone solvent in the vial, stir at 60 ° C until the ZnO nanoparticles are completely dispersed, and continue to add 3-isopropylbiphenyl solvent. A mixed solution was obtained and stirring was continued until the ZnO nanoparticles were completely dispersed and cooled to room temperature. The obtained ZnO nanoparticle solution was filtered through a 0.2 m PTFE filter. Seal and store.
  • the luminescent layer organic functional material comprises a phosphorescent host material and a phosphorescent illuminant material.
  • the phosphorescent host material is selected from the group consisting of carbazole derivatives as follows:
  • the phosphorescent emitter material is selected from the following
  • the luminescent layer organic functional material comprises a fluorescent host material and a fluorescent illuminant material.
  • the fluorescent host material is selected from the following
  • the fluorescent illuminant material is selected from, for example
  • the luminescent layer organic functional material comprises a host material and a TADF material.
  • the host material is selected from the group consisting of the following structures:
  • the TADF material is selected from the following structures
  • the printing ink comprises a hole transport layer material having a hole transporting ability.
  • Tetrahydronaphthalene (5.88 g ) and dodecylbenzene (3.92 g ) solvent were weighed separately (weight ratio 60: 40). Put the stirrer in the vial, clean it and transfer it to the glove box. 0.2 g of the hole transporting material was weighed into a glove box, added to the tetrahydronaphthalene solvent in the vial, and stirred and mixed. After stirring at a temperature of 60 ° C until the organic functional material is completely dissolved, the dodecylbenzene solvent is continuously added to obtain a mixed solution and stirring is continued until the organic material is completely dissolved, and cooled to room temperature. The obtained organic functional material solution was filtered through a 0.2 m PTFE filter. Seal and store.
  • Example 11 Viscosity and Surface Tension Testing
  • the functional material ink obtained in Example 5 had a viscosity of 6.3 + 0.5 cPs and a surface tension of 43.2+0.3 dyne/cm.
  • the functional material ink obtained in Example 6 had a viscosity of 4.7 + 0.3 cPs and a surface tension of 36.2+0.3 dyne/cm.
  • the functional material ink obtained in Example 7 had a viscosity of 4.2 + 0.3 cPs and a surface tension of 39.6 + 0.5 dyne/cm.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种印刷油墨组合物，包含功能材料和溶剂，溶剂可从印刷油墨组合物中蒸发以形成功能材料薄膜；溶剂至少由两种有机溶剂混合而成，两种有机溶剂为第一溶剂和第二溶剂，第一溶剂和第二溶剂互溶，第一溶剂和第二溶剂中至少一种有机溶剂的沸点≥160℃，第二溶剂的表面张力小于第一溶剂，且第二溶剂的粘度大于第一溶剂，第一溶剂和第二溶剂的表面张力差至少为2dyne/cm，第二溶剂和第一溶剂的粘度差至少为2cPs。上述至少包含两种有机溶剂的溶剂体系无需添加添加剂即能够更有效地溶解功能材料，还能有效地防止"咖啡环效应"的发生，从而可以得到厚度均匀、电荷传输能力强的薄膜。

Description

印刷油墨组合物及其制备方法和用途 技术领域
本发明涉及有机光电材料技术领域， 特別是涉及一种印刷油墨組合物及其制备方法和用 途。 本申请要求于 2016年 11 月 23 日提交中国专利局、 申请号为 201611051757.9、 发明名 称为 "一种印刷电子組合物" 的中国专利申请的优先权， 其全部内容通过引用结合在本申请 中。 背景技术
作为新一代显示技术的有机发光二极管（0LED)是用蒸镀方法制备的， 其制备过程中涉及 大量的真空制程， 材料利用率低， 同时需要精细掩模 （F關）， 成本较高， 同时良率低。 为了 解决上述问题， 采用印刷工艺实现高分辨全彩色显示的技术越来越受到关注。 例如， 喷墨打 印能够大面积低成本地制备功能材料薄膜， 相比传统的半导体生产工艺， 喷墨打印低能耗， 耗水量少， 绿色环保， 是具有极大的优势和潜力的生产技术。 另一种新型显示技术， 量子点 发光二极管（QLED)， 无法蒸镀， 必须以印刷的方法制备。 因此， 实现印刷显示， 必须突破印 刷油墨及相关印刷工艺等关键问题。粘度和表面张力是影响印刷油墨及打印过程的重要参数。 一种有前景的印刷墨水需要具备适当的粘度和表面张力。
有机半导体材料由于其溶液加工性， 在电子和光电子器件中的应用已获得了广泛的关注 并取得了显著的进展。 溶液加工性使得有机功能材料可以通过一定的涂覆和印刷技术在器件 中形成该功能材料的薄膜。 这样的技术可以有效降低电子和光电子器件的加工成本， 且满足 大面积制备的工艺需求。 目前， 已有数家公司报道了用于打印的有机半导体材料油墨，例如： KATEEVA I NC.公开了一种用于可印刷 0LED 的基于酯类溶剂的有机小分子材料油墨 (US2015044802A1); UNIVERSAL DISPLAY CORPORATION公开了一种可印刷的基于芳族酮或芳 族醚类溶剂的有机小分子材料油墨 （US20120205637); SEIKO EPSON CORPORATION 公开了可 印刷的基于取代的苯衍生物溶剂的有机聚合物材料油墨。 其它的涉及有机功能材料的印刷油 墨的例子有： CN102408776A, CN103173060A、 CN103824959A、 CN1180049C、 CN102124588B、 US2009130296A1、 US2014097406A1等。
另一类可适合于印刷的功能材料是无机纳米材料， 特別是量子点。 量子点是具有量子限 制效应的纳米尺寸的半导体材料，当受到光或电的刺激，量子点会发出具有特定能量的荧光， 荧光的颜色（能量）由量子点的化学組成和尺寸形状决定。 因此， 对量子点尺寸形状的控制能 有效调控其电学和光学性质。 目前， 各国都在研究量子点在全彩方面的应用， 主要集中在显 示领域。 最近， 量子点作为发光层的电致发光器件（QLED)得到了迅速发展， 器件寿命得到很 大的提高， 如 Peng等， 在 Nature Vol51596(2015) 及 Qian等， 在 Nature Photon ί cs Vo I 9 259(2015)中所报道的。 目前， 已有数家公司报道了用于打印的量子点油墨： 英国纳米技术有 限公司 （Nanoco Technologies Ltd) 公开了一种包含纳米粒子的可印刷的油墨制剂的方法 (CN101878535B)。 通过选用合适的溶剂， 比如甲苯和十二烷硒醇， 得到了可印刷的纳米粒子 油墨及相应的包含纳米粒子的薄膜； 三星 （Samsung Electronics) 公开了一种用于喷墨打印 的量子点油墨 （US8765014B2)。 这种油墨包含一定浓度的量子点材料、 有机溶剂和具有高粘 度的醇类聚合物添加剂。通过打印该油墨得到了量子点薄膜，并制备了量子点电致发光器件； QD 视光 （QD Vision, Inc. ) 公开了一种量子点的油墨制剂， 包含一种主体材料、 一种量子 点材料和一种添加剂 （US2010264371 A1 )。
其它的涉及量子点印刷油墨的专利有： US2008277626A1， US2015079720A1， US2015075397A1 , TW201340370A , US2007225402A1 , US2008169753A1 , US2010265307A1 , US20151 01 665A1 , W020081 05792A2。 在这些已公开的专利中， 为了调控油墨的物理参数， 这 些量子点油墨都包含有其它的添加剂， 如醇类聚合物。 具有绝缘性质的聚合物添加剂的引入 往往会降低薄膜的电荷传输能力， 对器件的光电性能具有负面影响， 限制了其在光电器件中 的广泛应用。
此外， 在喷墨打印干燥成膜的过程中， 经常性的伴随有 "咖啡环效应" ， 即溶质材料容 易向液滴边缘沉积， 造成干燥后的薄膜出现边缘厚中心薄的形貌。 这是因为在干燥过程中， 溶剂主要从液滴边缘开始挥发， 溶液体积变化则主要发生在液滴中心， 继而导致溶液由中心 向边缘流动。 由此得到的厚度不均 的薄膜对光电器件的进一步加工和器件性能都是十分不 利的。 因此， 寻求一种合适的溶剂体系， 降低喷墨打印薄膜的 "咖啡环效应" ， 对改善薄膜 的均 性及器件的性能都显得尤为重要。 发明内容
根据本申请的各种实施例， 提供一种印刷油墨組合物及其制备方法和用途， 解决了背景 技术中所涉及的一个或多个问题。
一种印刷油墨組合物， 包含功能材料和溶剂， 所述溶剂可从所述印刷油墨組合物中蒸发 以形成功能材料薄膜；
所述溶剂至少由两种有机溶剂混合而成， 所述两种有机溶剂为第一溶剂和第二溶剂， 所 述第一溶剂和所述第二溶剂互溶， 所述第一溶剂和所述第二溶剂中至少一种有机溶剂的沸点 ^ 1 60 ° C， 所述第二溶剂的表面张力小于所述第一溶剂， 且所述第二溶剂的粘度大于所述第 一溶剂， 所述第一溶剂和所述第二溶剂的表面张力差至少为 2 dyne/cm, 所述第二溶剂和所 述第一溶剂的粘度差至少为 2 cPs。
上述印刷油墨組合物的制备方法， 包括如下工序：
1 ) 使所述功能材料中的任一固体成分溶解到所述第一溶剂的工序， 和
2) 向溶解有所述的固体成分的所述第一溶剂中加入所述第二溶剂形成混合溶液的工序。
一种电子器件， 包括功能层， 所述功能层是由上述的印刷油墨組合物所形成的功能材料 薄膜。 附图说明
图 1是一实施例的电子器件的示意图。 具体实施方式
为了使本发明的目的、 技术方案及优点更加清楚明白， 以下结合附图及实施例， 对本发 明进行进一步详细说明。 应当理解， 此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明， 并不用 于限定本发明。
在本发明中， 按照本发明的組合物、 印刷油墨組合物以及印刷油墨， 或油墨具有相同的 含义， 它们之间可以互换。
在本发明中， 主体材料， 基质材料， Host或 Mat r i x材料具有相同的含义， 它们之间可 以互换。
在本发明中， 金属有机络合物， 金属有机配合物， 有机金属配合物具有相同的含义， 可 以互换。
在本发明中， @25 ° C是指在 25°C的条件下进行测量。
一种印刷油墨組合物， 包含功能材料和溶剂， 所述溶剂可从所述印刷油墨組合物中蒸发 以形成功能材料薄膜；
所述溶剂至少由两种有机溶剂混合而成， 所述两种有机溶剂为第一溶剂和第二溶剂， 所 述第一溶剂和所述第二溶剂互溶， 所述第一溶剂和所述第二溶剂中至少一种有机溶剂的沸点 ^160° C， 所述第二溶剂的表面张力小于所述第一溶剂， 且所述第二溶剂的粘度大于所述第 一溶剂， 所述第一溶剂和所述第二溶剂的表面张力差至少为 2 dyne/cm, 所述第二溶剂和所 述第一溶剂的粘度差至少为 2 cPs。
在一实施例中， 所述第一溶剂和所述第二溶剂中至少一种的沸点 160° C; 在一实施例 中， 所述第一溶剂和所述第二溶剂中至少一种的沸点 180° C; 在一些实施例中， 所述第一 溶剂和所述第二溶剂中至少一种的沸点 200° C; 在另一实施例中， 所述第一溶剂和所述第 二溶剂中至少一种的沸点 250° C; 在另一实施例中， 所述第一溶剂和所述第二溶剂中至少 一种的沸点或 275° C; 在另一实施例中， 所述第一溶剂和所述第二溶剂中至少一种的沸点 ^300° C。
在一实施例中， 所述第一溶剂和所述第二溶剂的沸点都 160° C; 在一实施例中， 所述 第一溶剂和所述第二溶剂沸点都 180° C; 在一实施例中， 所述第一溶剂和所述第二溶剂的 沸点都 200° C; 在一实施例中， 所述第一溶剂和所述第二溶剂的沸点都 220° C; 在一实 施例中， 所述第一溶剂和所述第二溶剂的沸点都 240° Co
选择沸点在上述范围内的溶剂可以防止堵塞喷墨印刷头的喷嘴。
在一实施例中，一种組合物，包含的至少两种的有机溶剂，其中至少一种的粘度 @25° C， 在 1 cPs到 IOOCPS范围。 也就是说， 25°C的条件下， 所述第一溶剂以及所述第二溶剂中至少 一种的粘度为 1cps~100cpso
在一个实施例中， 所述第一溶剂以及所述第二溶剂中至少一种的粘度为 1cps〜50cps; 在一个实施例中， 所述第一溶剂以及所述第二溶剂中至少一种的粘度为 1cps〜40 cps; 在一 个实施例中， 所述第一溶剂以及所述第二溶剂中至少一种的粘度为 1cps〜30cps; 在一个实 施例中， 所述第一溶剂以及所述第二溶剂中至少一种的粘度为 1.5 cps〜20 cpsc 这里的粘 度是指在印刷时的环境温度下的粘度， 在一个实施例中， 在 15° C ~30° C的范围内； 在一个 实施例中， 在 18° C ~28° C的范围内； 在一个实施例中， 在 20° C ~25° C的范围内； 在一 个实施例中， 在 23。 C ~25° C的范围内。 如此配制的組合物将特別适合于喷墨印刷。
在某些实施例中， 按照本发明的組合物， 在 25°C的条件下， 所述第一溶剂以及所述第二 溶剂中至少一种的表面张力为 19 dyne/cm〜50 dyne/cm。
特定的基板和特定的印刷方法需要合适的組合物的表面张力参数。 例如对喷墨印刷， 在 一实施例中，在 25° C的条件下，所述的两种有机溶剂中至少一种的表面张力约在 19dyne/cm 到 50 dyne/cm的范围内； 在一个实施例中， 在 25。 C的条件下， 所述的两种有机溶剂中至少 一种的表面张力约在 22 dyne/cm到 35 dyne/cm的范围内； 在一个实施例中， 在 25° C的条 件下，所述的两种有机溶剂中至少一种的表面张力约在 25 dyne/cm到 33 dyne/cm的范围内。
在另一个实施例中，在 25° C的条件下，所述的两种有机溶剂的表面张力都在 19 dyne/cm 到 50 dyne/cm的范围内； 在另一个实施例中， 在 25° C的条件下， 所述两种有机溶剂的表面 张力都在 22 dyne/cm到 35 dyne/cm的范围内； 在另一个实施例中， 在 25° C的条件下， 所 述的两种有机溶剂的表面张力都在 25 dyne/cm到 33 dyne/cm的范围内。
在一个实施例中， 在 25° C的条件下， 印刷油墨組合物的表面张力在 19 dyne/cm到 50 dyne/cm 的范围内； 在一个实施例中， 25° C 的条件下， 印刷油墨組合物的表面张力在 22 dyne/cm到 35 dyne/cm的范围内； 在一个实施例中， 25° C的条件下， 印刷油墨組合物的表 面张力在 25 dyne/cm到 33 dyne/cm的范围内。
印刷油墨組合物中包含满足上述沸点、 表面张力参数及粘度参数的至少两种有机溶剂的 溶剂体系， 以便形成具有均 厚度及組成性质的功能材料薄膜。
另外， 一种印刷油墨組合物， 包含至少两种有机溶剂， 所述两种有机溶剂为第一溶剂和 第二溶剂， 所述第二溶剂的表面张力小于所述第一溶剂， 且所述第二溶剂的粘度大于所述第 一溶剂， 从而使得在喷墨打印和干燥过程中形成厚度分布均 的功能材料薄膜。
在一个实施例中， 第一溶剂是所述功能材料的良溶剂。 在一个实施例中， 第一溶剂和第二溶剂都是所述功能材料的良溶剂。
良溶剂是指溶解度≥1 . 0重量％， 较好是≥1 . 5重量％， 更好是≥2. 0重量％， 最好是≥2. 2重 量0 /
本发明还涉及如上所述的印刷油墨組合物的一种制备方法。
根据该方法， 一种如上所述的組合物， 包括如下配制工序：
1 ) 使所述功能材料中的任一固体成分溶解到第一溶剂的工序， 和
2) 向溶解有所述的固体成分的第一溶剂加入第二溶剂的工序。
上述方法可以得到能够抑制边缘流动、 改善喷墨打印薄膜均 性的功能材料油墨。 根据该方法， 所用的第一溶剂对功能材料具有比较好的溶解性， 保证功能材料在溶液中 足够的溶解性和稳定性。 所用的第一溶剂具有较高的沸点从而防止打印过程中喷嘴的阻塞并 保证溶液喷射过程中的稳定性。
在喷墨打印干燥成膜的过程中， 经常性的伴随有 "咖啡环效应" ， 即溶质材料容易向液 滴边缘沉积， 造成干燥后的薄膜出现边缘厚中心薄的形貌。 这是因为在干燥过程中， 溶剂主 要从液滴边缘开始挥发， 溶液体积变化则主要发生在液滴中心， 继而导致溶液由中心向边缘 流动。 本发明的目的便是有效抑制打印过程中的 "咖啡环效应" 。 为此， 本发明的双溶剂体 系需同时满足：
( 1 ) 第一溶剂和第二溶剂中至少一种有机溶剂的沸点 160 ° C ;
(2) 第二溶剂的表面张力小于第一溶剂， 且第二溶剂的粘度大于第一溶剂。
其抑制 "咖啡环效应" 的可能机理如下：
( 1 ) 至少有一种高沸点溶剂， 在将組合物喷墨打印到基底的干燥过程中， 由于其的高沸 点和低挥发性， 可以延长溶液液滴干燥时间， 增加溶质在液滴中由高浓度区域向低浓度区域 自由扩散的时间， 降低干燥过程中溶质的不均匀分布， 改善喷墨打印沉积薄膜的不均匀性。
(2)由于第二溶剂的高粘度，所形成的高流动阻力，可以使溶液边缘流动强度有效降低， 溶质的边缘沉积得到抑制， 从而改善喷墨打印沉积薄膜的不均 性， 有效抑制 "咖啡环" 效 应；
此外， 由于第二溶剂比第一溶剂小的表面张力， 将油墨喷射到基板后， 在其干燥的过程 中， 溶液液滴表面可形成由边缘向中心表面张力增加的趋势， 由此驱动表面溶液由边缘向中 心流动。 这与溶液内部由中心向边缘的流动形成环形的对流。 这样的环形对流对干燥过程中 功能材料的均 分布是有益的， 能有效降低功能材料在边缘的沉积， 减弱 "咖啡环效应" ， 使干燥后的功能材料薄膜具有良好的均 性和平整性。
在一个实施例中，如上所述的一种印刷油墨組合物，第二溶剂的表面张力小于第一溶剂， 第二溶剂的粘度大于第一溶剂。
为了实现上述的抑制 "咖啡环" 效应的高流动阻力， 在一实施例中， 第二溶剂和第一溶 剂的粘度差至少为 2 cPs。
在一实施例中， 第二溶剂和第一溶剂的粘度差至少为 4 cPs ;
在一实施例中， 第二溶剂和第一溶剂的粘度差至少为 6 cPs ;
在一实施例中， 第二溶剂和第一溶剂的粘度差至少为 8 cPs ;
在一实施例中， 第二溶剂和第一溶剂的粘度差至少为 10 cPs。
在一实施例中， 第一溶剂和第二溶剂的表面张力差至少为 2 dyne/cm ;
在一实施例中， 第一溶剂和第二溶剂的表面张力差至少为 4 dyne/cm ;
在一实施例中， 第一溶剂和第二溶剂的表面张力差至少为 6dyne/cm ;
在一实施例中， 第一溶剂和第二溶剂的表面张力差至少为 8dyne/cm。
在一实施例中， 第一溶剂和第二溶剂的表面张力差至少为 2 dyne/cm, 同时第二溶剂和 第一溶剂的粘度差至少为 2 cPs ;
在一实施例中， 第一溶剂和第二溶剂的表面张力差至少为 4 dyne/cm, 同时第二溶剂和 第一溶剂的粘度差至少为 4 CPs ;
在一实施例中， 第一溶剂和第二溶剂的表面张力差至少为 6dyne/cm， 同时第二溶剂和第 一溶剂的粘度差至少为 6 cPs ;
在一实施例中， 第一溶剂和第二溶剂的表面张力差至少为 8dyne/cm， 同时第二溶剂和第 一溶剂的粘度差至少为 8 cPs。
如上所述的一种印刷油墨組合物， 其中第一溶剂占溶剂总重量的 30%~90%， 第二溶剂占 溶剂总重量的 10%~70%。 在一实施例中， 第二溶剂占溶剂总重量的 20%~60%； 在一实施例中， 第二溶剂占溶剂总重量的 20%~50%； 在一实施例中， 第二溶剂占溶剂总重量的 20%~40%。
在一实施例中， 第二溶剂的沸点大于第一溶剂的沸点。
在一实施例中， 第二溶剂的沸点比第一溶剂的沸点至少高 10 ° c。 在一实施例中， 第二 溶剂的沸点比第一溶剂至少高 20 ° C。 在一实施例中， 第二溶剂的沸点比第一溶剂至少高 30 ° C o 在一实施例中， 第二溶剂的沸点比第一溶剂至少高 40 ° C o 在一实施例中， 第二溶剂 的沸点比第一溶剂至少高 50 ° C。 在一实施例中， 第二溶剂的沸点比第一溶剂至少高 60 ° C。
在另一实施例中， 第一溶剂的沸点大于第二溶剂的沸点。
在另一实施例中， 第一溶剂的沸点比第二溶剂的沸点至少高 10 ° C。 在另一实施例中， 第一溶剂的沸点比第二溶剂至少高 20 ° C o 在另一实施例中， 第一溶剂的沸点比第二溶剂至 少高 30 ° C。
在一个优选的实施例中， 按照本发明的組合物， 包含的两种有机溶剂中， 至少有一种是 基于芳族或杂芳族的溶剂。
在另一个优选的实施例中， 一种印刷油墨組合物， 包含至少两种有机溶剂， 且其中至少 有一种有机溶剂具有如下的通式：
Figure imgf000006_0001
(I)
其中，
Ar1是具有 5Ί 0个环原子的芳环或杂芳环， n 1， R是取代基。
在某些优先的实施例中， 按照通式 （I ) 所示的有机溶剂， 其中 Ar1是具有 5~9个环原子 的芳族环或杂芳族环。芳族基团指至少包含一个芳环的烃基，包括单环基团和多环的环系统。 杂芳族基团指包含至少一个杂芳环的烃基（含有杂原子）， 包括单环基团和多环的环系统。 这 些多环的环可以具有两个或多个环， 其中两个碳原子被两个相邻的环共用， 即稠环。 多环的 这些环种， 至少一个是芳族的或杂芳族的。
具体地， 芳族基团的例子有： 苯、 萘、 蒽、 菲、 二萘嵌苯、 并四苯、 芘、 苯并芘、 三亚 苯、 苊、 芴、 及其衍生物。
具体地， 杂芳族基团的例子有： 呋喃、 苯并呋喃、 噻吩、 苯并噻吩、 吡咯、 吡唑、 三唑、 咪口坐、 口惡口坐、 口惡二口坐、 口坐、 口坐、 吲0朵、 口 口坐、 。比口各并咪口坐、 口比口各并口比口各、 口分并口比口各、 噻吩并噻吩、 呋喃并吡咯、 呋喃并呋喃、噻。分并呋喃、 苯并异噁坐、 苯并异噻峻、 苯并咪坐、 吡啶、 吡嗪、 哒嗪、 嘧啶、 三嗪、 喹啉、 异喹啉、 邻二氮萘、 喹喔啉、 菲啶、 伯啶、 喹唑啉、 喹唑啉酮、 及其衍生物。
在一个实施例中， 所述的組合物包含有具有通式 （I ) 的有机溶剂， 其较为优选的例子可 以用以下的通式 （I I ) 〜通式 （V I ) 进一步表示：
Figure imgf000007_0001
(IV) (V) (VI)
其中，
X是 CR1或 N;
Y选自 CR2R3， SiR4R5, NR6或， C(=0)， S; 或 0。
R1， R2， R3， R4， R5， R6各自独立地选自 H D或具有 1至 10个 C原子的直链烷基、 烷氧基或硫 代烷氧基基团， 或者具有 3至 10个 C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或 者是甲硅烷基基团， 或具有 1 至 10个 C原子的取代的酮基基团， 或具有 2至 10个 C原子的 烷氧基羰基基团， 或具有 7至 10个 C原子的芳氧基羰基基团， 氰基基团 （_CN)， 氨基甲酰基 基团（_C(=0)NH2)， 卤甲酰基基团 (_C(=0)-X其中 X代表卤素原子），甲酰基基团（_C(=0)_H)， 异氰基基团， 异氰酸酯基团， 硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团， 羟基基团， 硝基基团， CF3 基团， Cl， Br, F， 可交联的基团或者具有 5至 10个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族 环系， 或具有 5 至 10个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团， 或其組合。
其中一个或多个基团 R1， R2， R3， R4， R5， R6可以彼此和 /或与 R1， R2， R3， R4， R5或 R6所连 接的原子一起形成单环或多环的脂族或芳族环系。
在一个实施例中， R1， R2， R3， R4， R5， R6各自独立地选自 H、 D， 或具有 1 至 6个 C原子 的直链烷基、 烷氧基或硫代烷氧基基团， 或者具有 3至 6个 C原子的支链或环状的烷基、 烷 氧基或硫代烷氧基基团或者是甲硅烷基基团， 或具有 1至 6个 C原子的取代的酮基基团， 或 具有 2至 6个 C原子的烷氧基羰基基团， 或具有 7至 6个 C原子的芳氧基羰基基团， 氰基基 团 （_CN)， 氨基甲酰基基团 （_C(=0)NH2)， 卤甲酰基基团 （_C(=0)-X其中 X代表卤素原子）， 甲酰基基团 （_C(=0)_H)， 异氰基基团， 异氰酸酯基团， 硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团， 羟 基基团， 硝基基团， CF3基团， Cl， Br, F， 可交联的基团或者具有 5至 8个环原子的取代或 未取代的芳族或杂芳族环系， 或具有 5 至 8个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团， 或这些体系 的組合， R1， R2， R3， R4， R5或 R6可彼此和 /或与 R1， R2， R3， R4， R5或 R6所连接的原子一起形 成单环或多环的脂族或芳族环系。
在一个实施例中， 通式 （I) 中的 Ar1 结构单元：
Figure imgf000007_0002
Figure imgf000008_0001
在某些实施例中， 通式 （I ) 中的至少一个取代基 R选自具有 1 至 1 0个 C原子的直链烷 基、 烷氧基或硫代烷氧基基团， 或者具有 3至 1 0个 C原子的支链或环状的烷基、 烷氧基或硫 代烷氧基基团或者是甲硅烷基基团， 或具有 1至 1 0个 C原子的取代的酮基基团， 或具有 2至 1 0个 C原子的烷氧基羰基基团，或具有 7至 1 0个 C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（-CN)， 氨基甲酰基基团 （_C (=0) NH2)， 甲酰基基团 （_C (=0) -X其中 X代表 素原子），甲酰基基团 (_C (=0) -H)， 异氰基基团， 异氰酸酯基团， 硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团， 羟基基团， 硝 基基团， CF3基团， C l， Br , F， 可交联的基团或者具有 5至 1 0个环原子的取代或未取代的芳 族或杂芳族环系， 或具有 5 至 1 0个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团， 或这些体系的組合， R 可彼此和 /或与其所连接的原子一起形成单环或多环的脂族或芳族环系。
在一个实施例中，通式（ I )中的至少一个取代基 R选自具有 1至 6个 C原子的直链烷基、 烷氧基或硫代烷氧基基团， 或者具有 3至 6个 C原子的支链或环状的烷基、 烷氧基或硫代烷 氧基基团或者是甲硅烷基基团， 或具有 1 至 6个 C原子的取代的酮基基团， 或具有 2至 6个 C原子的烷氧基羰基基团， 或具有 6至 7个 C原子的芳氧基羰基基团， 氰基基团 （_CN)， 氨 基甲酰基基团 （_C (=0) NH2)， 甲酰基基团 （-c (=o) -x 其中 X 代表 素原子），甲酰基基团
(-C (=0) -H)， 异氰基基团， 异氰酸酯基团， 硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团， 羟基基团， 硝 基基团， CF3基团， C l， Br , F， 可交联的基团或者具有 5至 8个环原子的取代或未取代的芳 族或杂芳族环系， 或具有 5 至 8个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团， 或这些体系的組合， 其 中一个或多个基团 R可以彼此和 /或与其连接的原子一起形成单环或多环的脂族或芳族环系。
在其中一实施例中， 基于芳族或杂芳族溶剂选自： 对二异丙基苯、 戊苯、 四氫萘、 环己 基苯、 氯萘、 1， 4 -二甲基萘、 3_异丙基联苯、 对甲基异丙苯、 二戊苯、 邻二乙苯、 间二乙苯、 对二乙苯、 1，2，3，4 -四甲苯、 1，2，3，5 -四甲苯、 1，2，4，5 -四甲苯、 丁苯、 十二烷基苯、 1 -甲 基萘、 1， 2， 4 -三氯苯、 1，3_二丙氧基苯、 4， 4 -二氟二苯甲烷、 1，2_二甲氧基_4_ ( 1 -丙烯基） 苯、 二苯甲烷、 2 -苯基吡啶、 3 -苯基吡啶、 N-甲基二苯胺、 4_异丙基联苯、 α、 α -二氯二苯 甲烷、 4_ (3 -苯基丙基）吡啶、 苯甲酸苄酯、 1，1 -双 （3， 4_二甲基苯基） 乙烷、 2 -异丙基萘、 二苄醚、 2-异丙基萘、 喹啉、 异喹啉、 8-羟基喹啉、 2-呋喃甲酸甲酯、 2-呋喃甲酸乙酯等。
在一实施例中， 所述的組合物， 包含的两种有机溶剂中， 至少有一种是基于芳族酮的有 机溶剂。
在一实施例中， 所述的芳族酮的溶剂为四氫萘酮， 例如： 1 -四氫萘酮和 2 -四氫萘酮。 在另一些实施例中， 所述的四氫萘酮溶剂包含 1 -四氫萘酮和 2_四氫萘酮的衍生物， 即被 至少一个取代基取代的四氫萘酮。 这些取代基包括脂肪族基、 芳基、 杂芳基、 素等。
在一实施例中， 芳族酮的溶剂选自 2_ (苯基环氧）四氫萘酮或 6 - (甲氧基）四氫萘酮。 在另一些实施例中， 所述的芳族酮的溶剂选自： 苯乙酮、 苯丙酮、 二苯甲酮、 及其衍生 物。
在一实施例中， 芳族酮的溶剂选自 4_甲基苯乙酮、 3_甲基苯乙酮、 2_甲基苯乙酮、 4 -甲 基苯丙酮、 3-甲基苯丙酮或 2-甲基苯丙酮。
在另一些实施例中， 所述印刷油墨組合物， 包含的两种有机溶剂中， 至少有一种是不含 有芳族或杂芳族基团的酮溶剂， 例如： 异佛尔酮、 2， 6， 8-三甲基 -4-壬酮、 樟脑、 葑酮。
在一个实施例中， 所述的組合物， 包含的两种有机溶剂中， 至少有一种是基于芳族醚的 有机溶剂。
所述芳族醚溶剂选自： 3-苯氧基甲苯、丁氧基苯、苄基丁基苯、对茴香醛二甲基乙縮醛、 四氫- 2_苯氧基 _2H_吡喃、 1，2_二甲氧基_4_ ( 1 -丙烯基） 苯、 1，4_苯并二噁烷、 1，3_二丙基 苯、 2， 5 -二甲氧基甲苯、 4_乙基本乙醚、 1 , 2, 4_三甲氧基苯、 4_ (1 _丙烯基）_1， 2_二甲氧基苯、 1， 3-二甲氧基苯、 縮水甘油基苯基醚、 二苄基醚、 4-叔丁基茴香醚、 反式 -对丙烯基茴香醚、 1， 2-二甲氧基苯、 1 -甲氧基萘、二苯醚、2-苯氧基甲醚、 2-苯氧基四氫呋喃或乙基 -2-萘基醚。
在一个实施例中， 所述的芳族醚溶剂是 3-苯氧基甲苯。
在另一个实施方案中， 所述的組合物， 包含的两种有机溶剂中， 至少有一种是基于酯的 有机溶剂。
所述酯溶剂选自： 辛酸烷酯、 癸二酸烷酯、 硬脂酸烷酯、 苯甲酸烷酯、 苯乙酸烷酯、 肉 桂酸烷酯、 草酸烷酯、 马来酸烷酯、 烷内酯或油酸烷酯等。
在某些实施例中， 所述酯溶剂是辛酸辛酯或癸二酸二乙酯。
在另一些实施例中， 一种印刷油墨組合物， 包含的两种有机溶剂中， 至少有一种有机溶 剂选自脂肪族酮溶剂。
在另一些实施例中， 一种印刷油墨組合物， 包含的两种有机溶剂中， 至少有一种有机溶 剂选自脂肪族醚溶剂。
所述的脂肪族酮的有机溶剂可选自： 2-壬酮、 3-壬酮、 5-壬酮、 2-癸酮、 2，5-己二酮、 2， 6， 8-三甲基 -4-壬酮、 佛尔酮或二正戊基酮等。
所述的脂肪族醚的有机溶剂可选自： 戊醚、 己醚、 二辛醚、 乙二醇二丁醚、 二乙二醇二 乙醚、 二乙二醇丁基甲醚、 二乙二醇二丁醚、 三乙二醇二甲醚、 三乙二醇乙基甲醚、 三乙二 醇丁基甲醚、 三丙二醇二甲醚或四乙二醇二甲醚等。
在另一些优先的实施例中， 一种印刷油墨組合物， 包含的两种有机溶剂中， 至少有一种 有机溶剂选自脂环族溶剂。
所述脂环族溶剂选自： 四氫萘、 环己基苯、 十氫化萘、 2 -苯氧基四氫呋喃、 1，1 ' -双环 己烷、丁基环己烷、松香酸乙酯、松香酸苄酯、 乙二醇碳酸酯、氧化苯乙烯、异佛尔酮、 3，3，5- 三甲基环己酮、 环庚酮、 葑酮、 1 -四氫萘酮、 2 -四氫萘酮、 2_ (苯基环氧）四氫萘酮、 6_ (甲氧 基）四氫萘酮、 γ -丁内酯、 γ -戊内酯、 6 -己内酯、 N，N -二乙基环己胺、 环丁砜或 2， 4 -二甲 基环丁碼。
在另一个实施例中， 一种印刷油墨組合物， 包含的两种有机溶剂中， 至少有一种有机溶 剂选自无机酯溶剂。
所述无机酯溶解选自： 硼酸三丁酯、 硼酸三戊酯、 磷酸三甲酯、 磷酸三乙酯、 磷酸三丁 酯、 磷酸三 （2 -乙基己基） 酯、 磷酸三苯酯、 磷酸二乙酯、 磷酸二丁酯或磷酸二 （2-乙基己 基） 酯等。
相比于传统的溶解功能材料的溶剂（如甲苯、二甲苯、氯仿、氯苯、二氯苯、正庚烷等）， 上述至少包含两种有机溶剂的溶剂体系无需添加添加剂即能够更有效地溶解功能材料， 还能 有效地防止 "咖啡环效应" 的发生， 从而可以得到厚度均 、 电荷传输能力强的薄膜， 适宜 用于光电器件。
下面列出部分上述溶剂例子的沸点、 表面张力及粘度参数， 但不限于此:
粘度 彿点 表面张力@叮 名称 结构式 @RT
(°C) (dyne/cm)
(cPs) 1-四氫萘酮 00 256 42 8.6
3-苯氧基甲苯 272 37.4 5 苯乙酮 202 39 1.6
1-甲氧基萘 270 43 7.2
对二异丙基苯 210 28.3 1.2 戊苯 205 30.4 1.3 四氫萘 00 207 35.9 2 环己基苯 238 34 4 氯萘 260 43 3
1， 4-二甲基萘 268 40 6
3 -异丙基联苯 296 34 9 对甲基异丙苯 177 28.8 3.4 二戊苯 255-280 30 4.7
邻二乙苯 183 30 3.8
间二乙苯 181 29 1.24 对二乙苯 183 29 3.6 ， 2， 3， 4 -四甲
205 29 2 苯 ,2， 3， 5 -四甲
205 29 2 苯 ,2,4, 5 -四甲
苯 x 197 29 2 丁苯 183 29.23 1 十二烷基苯 331 30.12 5.4
1-甲基萘 240 38 3
，2，4_三氯苯 214 31 1.6
CI 二苯醚 257 38 3.5 二苯甲烷 265 37 1.5 -异丙基联苯 298 34 9 苯甲酸苄酯 324 44 8.3
1， 1-双 （3,4- 二甲基苯基） 333 34 10 乙
2-异丙基萘 268 36 4
二苄醚 298 39 8.7 辛酸辛酯
307 30.1 4.56 癸二酸二乙酯
312 32.9 6
〇
邻苯二甲酸二
烯丙酯
290 39.2 9Ί3
〇
异壬酸异壬酯
285 27.8 7 十氫化萘 00 196 29 3.4
1, 1， -双环
239 33 3.75 己
丁基环己烷 <^ C4H9 181 27 1.2
丁内酯 204 35 1.7
乙二醇碳酸
238 37 2 酯
Figure imgf000012_0001
Figure imgf000013_0001
双溶剂体系实施例如下表所示 （但不限制于）：
第一溶剂 第二溶剂 重量比
。奎淋 40 60~80 20
1 -四氫萘酮
异喹啉 40 60~80 20 氯萘 40 60~80 20 氧化苯乙烯 40 60~80 20
。奎淋 3-苯氧基甲苯 40 60~80 20 异喹啉 40 60~80 20
3-苯氧基甲苯 40 60~80 20 苯乙酮 40 60~80 20 四氫萘 40 60~80 20 氯萘 40 60~80 20
1， 4-二甲基萘 40 60~80 20
1 -甲基萘 40 60~80 20
3 -异丙基联苯
二苯醚 40 60~80 20 二苯甲烷 40 60~80 20
2-异丙基萘 40 60~80 20 氧化苯乙烯 40 60~80 20
。奎淋 40 60~80 20 异喹啉 40 60~80 20
3-苯氧基甲苯 40 60~80 20 苯乙酮 40 60~80 20 戊苯 40 60~80 20 四氫萘 40 60~80 20 环己基苯 40 60~80 20 氯萘 40 60~80 20 邻二乙苯 40 60~80 20 十二烷基苯 40 60~80 20 二苯醚 异壬酸异壬酯 40 60~80 20 二苯甲烷 40 60~80 20
2-异丙基苯 40 60~80 20 辛酸辛酯 40 60~80 20
1， 1 -双环己烷 40 60~80 20 丁内酯 40 60~80 20 异佛尔酉同 40 60~80 20 环庚酮 40 60~80 20 磷酸三乙酯 40 60~80 20
3-苯氧基甲苯 40 60~80 20 苯乙酮 环丁风 40 60~80 20 氯萘 40 60~80 20
1， 4-二甲基萘 40 60~80 20 1 -甲基萘 40 60~80 20 二苯醚 40 60~80 20 乙二醇碳酸酯 40 60~80 20
。奎淋 40 60~80 20 异喹啉 40 60~80 20 苯乙酮 40 60~80 20 四氫萘 40 60~80 20 氯萘 40 60~80 20
1 -甲基萘 40 60~80 20
十二烷基苯
二苯甲烷 40 60~80 20 丁内酯 40 60~80 20 异佛尔酉同 40 60~80 20 异喹啉 40 60~80 20
3-苯氧基甲苯 40 60~80 20
苯乙酮 40 60~80 20 戊苯 40 60~80 20 环己基苯 40 60~80 20 氯萘 40 60~80 20 二乙苯 40 60~80 20 二甲苯 40 60~80 20 二氯苯 40 60~80 20 十二烷基苯 40 60~80 20 三氯苯 2， 4-二甲基环丁砜 40 60~80 20 二苯醚 40 60~80 20 二苯甲烷 40 60~80 20
2-异丙基萘 40 60~80 20
1， 1 -双环己烷 40 60~80 20
丁内酯 40 60~80 20 环庚酮 40 60~80 20
。奎淋 40 60~80 20 异喹啉 40 60~80 20 磷酸三乙酯 40 60~80 20 在一实施例中， 第二溶剂为 1 -四氫萘酮， 第一溶剂为喹啉。
在一实施例中， 第二溶剂为 3-苯氧基甲苯， 第一溶剂为氯萘。
在一实施例中， 第二溶剂为 3-异丙基联苯， 第一溶剂为苯乙酮。
在一实施例中， 第二溶剂为异壬酸异壬酯， 第一溶剂为戊苯。
在一实施例中， 第二溶剂为环丁砜， 第一溶剂为 3-苯氧基甲苯。
在一实施例中， 第二溶剂为十二烷基苯， 第一溶剂为四氫萘。
在另一些实施例中， 包含有两种有机溶剂的溶剂进一步包含有另一种有机溶剂， 该另一 种有机溶剂选自： 甲醇、 乙醇、 2_甲氧基乙醇、 二氯甲烷、 三氯甲烷、 氯苯、 邻二氯苯、 四 氫呋喃、 苯甲醚、 吗啉、 甲苯、 邻二甲苯、 间二甲苯、 对二甲苯、 1， 4二氧杂环己烷、 丙酮、 甲基乙基酮、 1，2 二氯乙烷、 3 - 苯氧基甲苯、 1， 1， 1 -三氯乙烷、 1， 1， 2， 2 -四氯乙烷、 醋酸 乙酯、 醋酸丁酯、 二甲基甲酰胺、 二甲基乙酰胺、 二甲基亚砜、 四氫萘、 萘烷、 茚和 /或其混 合物。 印刷油墨組合物还可以另外包括一个或多个其他組份， 例如表面活性化合物， 润滑剂， 润湿剂， 分散剂， 疏水剂， 粘接剂等， 用于调节粘度， 成膜性能， 提高附着性等。
印刷油墨組合物可以通过多种打印或涂布技术沉积得到功能薄膜， 适合的打印或涂布技 术包括（但不限于）喷墨打印， 喷印（Nozz l e Pr i nt i ng)， 活版印刷， 丝网印刷， 浸涂， 旋转涂 布， 刮刀涂布， 辊筒印花， 扭转辊印刷， 平版印刷， 柔版印刷， 轮转印刷， 喷涂， 刷涂或移 印， 狹缝型挤压式涂布等。 优选的打印技术是喷墨印刷， 喷印及四版印刷。 有关打印技术， 及其对有关油墨的相关要求， 如溶剂及浓度， 粘度等， 的详细信息请参见 He l mut K i pphan主 编的 《印刷媒体手册： 技术和生产方法》 （Handbook of Pr i nt Med i a : Techno l og i es and Product i on Methods) , I SBN 3- 540- 67326- 1。 一般地， 不同的打印技术对所采用的油墨有不 同的特性要求。 例如， 适用于喷墨打印的印刷油墨， 需要对油墨的表面张力、 粘度、 及浸润 性进行调控， 使得油墨在印刷温度下（比如室温， 25 ° C)能够很好地经由喷嘴喷出而不至于干 燥于喷嘴上或堵塞喷嘴， 或能在特定的基板上形成连续、 平整和无缺陷的薄膜。
本发明的印刷油墨組合物包含至少一种功能材料。 该功能材料可以是有机材料或无机材 料。
还可以通过对組合物中功能材料的浓度进行调节来调节粘度。 本发明的包含有至少两种 有机溶剂的溶剂体系可方便人们将印刷油墨按照所用的印刷方法在适当的范围内进行调节。
在一实施例中， 組合物中的功能材料的重量比为 0. 3%~30wt°/o；
在一实施例中， 組合物中的功能材料的重量比为 0. 5%~20wt°/o；
在一实施例中， 組合物中的功能材料的重量比为 0. 5%Ί 5wt%；
在一实施例中， 組合物中的功能材料的重量比为 0. 5%Ί 0wt% c
在一实施例中， 功能材料是具有某些光电功能的材料。 光电功能包括， 但不限于， 空穴 注入功能， 空穴传输功能， 电子传输功能， 电子注入功能， 电子阻挡功能， 空穴阻挡功能， 发光功能， 主体功能和光吸收功能。相应的功能材料被称为空穴注入材料（H I M) , 空穴传输材 料（HTM)， 电子传输材料（ETM)， 电子注入材料（E I M)， 电子阻挡材料（EBM)， 空穴阻挡材料 (HBM) , 发光体（Em i tter) , 主体材料（Host)和有机染料。
在一个实施方案中， 一种印刷油墨組合物中包含的功能材料是无机纳米材料。
在一实施例中， 所述的印刷油墨組合物中的无机纳米材料是无机半导体纳米粒子材料。 在一实施例中， 无机纳米材料的平均粒径约在 1 到 1 000nm的范围内。 在另一实施例中， 无机纳米材料的平均粒径约在 1 到 1 00nm的范围内。 在另一实施例中， 无机纳米材料的平均 粒径约在 1到 20nm的范围内。 在另一实施例中， 无机纳米材料的平均粒径约在 1到 1 0 nm的 范围内。
该无机纳米材料可以选自不同的形状， 可以为球形、 立方体、 棒状、 盘形或支化结构等 不同纳米形貌， 以及各种形状颗粒的混合物。
在一个实施例中， 所述的无机纳米材料是量子点材料， 具有非常狹窄的、 单分散的尺寸 分布， 即颗粒与颗粒之间的尺寸差异非常小。 优选地， 单分散的量子点在尺寸上的偏差均方 根小于 15%rms ; 更优地， 单分散的量子点在尺寸上的偏差均方根小于 1 0%rms ; 最优地， 单分 散的量子点在尺寸上的偏差均方根小于 5%r ms。
在一个实施例中， 所述的无机纳米材料是发光材料。
在一个实施例中， 所述的发光无机纳米材料是量子点发光材料。
发光量子点可以在波长 380纳米到 2500纳米之间发光。例如， 具有 CdS核的量子点的发 光波长位于约 400纳米到 560纳米的范围；具有 CdSe核的量子点的发光波长位于约 490纳米 到 620纳米的范围； 具有 CdTe核的量子点的发光波长位于约 620纳米到 680纳米的范围； 具 有 I nGaP核的量子点的发光波长位于约 600纳米到 700纳米的范围； 具有 PbS核的量子点的 发光波长位于约 800纳米到 2500纳米的范围； 具有 PbSe核的量子点的发光波长位于约 1 200 纳米到 2500纳米的范围；具有 Cu l nGaS核的量子点的发光波长位于约 600纳米到 680纳米的 范围； 具有 ZnCulnGaS 核的量子点的发光波长位于约 500 纳米到 620 纳米的范围； 具有 CulnGaSe核的量子点的发光波长位于约 700纳米到 1000纳米的范围。
在一个实施例中， 所述的量子点材料包含： 能够发出发光峰值波长位于 450nm~460nm的 蓝光、或发光峰值波长位于 520nm~540nm的绿光、或发光峰值波长位于 615nm~630nm的红光， 或其混合物。
所包含的量子点可以选自特殊的化学組成、形貌结构和 /或大小尺寸， 以获得在电刺激下 发出所需波长的光。 关于量子点的发光性质与其化学組成、形貌结构和 /或大小尺寸的关系可 以参见 Annual Rev i ew of Mater i a I Sc i . , 2000, 30, 545-610; Optical Mater i a I s Express. , 2012, 2， 594-628； Nano Res, 2009， 2， 425-447。 特此将上述列出的专利文件中的全部内 容并入本文作为参考。
量子点的窄的粒径分布能使量子点具有更窄的发光光谱（丄 Am. Chem. Soc. , 1993, 115, 8706； US 20150108405)。 此外， 根据所采用的化学組成和结构的不同， 量子点的尺寸需在上 述的尺寸范围内做相应调节， 以获得所需波长的发光性质。
在一个实施例中， 发光量子点是半导体纳米晶体。 在一实施例中， 半导体纳米晶体的尺 寸为约 2纳米到约 15纳米的范围内。 此外， 根据所采用的化学組成和结构的不同， 量子点的 尺寸需在上述的尺寸范围内做相应调节， 以获得所需波长的发光性质。
所述的半导体纳米晶体包括至少一种半导体材料， 其中半导体材料可选自元素周期表 IV 族、 I卜 VI族、 I卜 V族、 I I l-V ik, I I卜 VI族、 IV- VI族、 卜 I I卜 VI族、 I卜 IV- VI族、 I卜 IV- V 族二元或多元半导体化合物或其混合物。
所述的半导体材料可选自： IV族半导体化合物， 由单质 Si、 Ge和二元化合物 SiC、 SiGe 組成； I卜 VI族半导体化合物， 由二元化合物包括 CdSe、 CdTe、 Cd0、 CdS、 CdSe、 ZnS、 ZnSe、 ZnTe、 Zn0、 Hg0、 HgS、 HgSe、 HgTe, 三元化合物包括 CdSeS、 CdSeTe、 CdSTe、 CdZnS、 CdZnSe、 CdZnTe、 CgHgS, CdHgSe、 ZnSeS、 ZnSeTe、 ZnSTe、 HgSeS、 HgSeTe、 HgSTe、 HgZnS、 HgSeSe 及四元化合物包括 CgHgSeS、 CdHgSeTe、 CgHgSTe, CdZnSeS、 CdZnSeTe、 HgZnSeTe、 HgZnSTe、 CdZnSTe、 HgZnSeS、組成； I I卜 V族半导体化合物， 由二元化合物包括 Al N、 Al P、 Al As、 Al Sb、 GaN、 GaP、 GaAs、 GaSb、 lnN、 lnP、 lnAs、 InSb, 三元化合物包括 AINP、 AINAs、 AINSb、 AIPAs、 AIPSb、 GaNP、 GaNAs、 GaNSb、 GaPAs、 GaPSb、 lnNP、 lnNAs、 lnNSb、 lnPAs、 lnPSb、 和四元 化合物包括 GaAINAs、 GaAINSb、 GaAIPAs、 GalnNP、 GalnNAs、 GalnNSb、 GalnPAs、 GalnPSb、 lnAINP、 InAINAs, InAINSb, InAIPAs, InAIPSb組成， 或 I V_V I族半导体化合物， 由二元化 合物包括 SnS、 SnSe、 SnTe、 PbSe、 PbS、 PbTe,三元化合物包括 SnSeS, SnSeTe, SnSTe、 SnPbS, SnPbSe、 SnPbTe、 PbSTe、 PbSeS、 PbSeTe 和四元化合物包括 SnPbSSe、 SnPbSeTe、 SnPbSTe 組成。
在一个实施例中， 发光量子点包含有 I卜 VI族半导体材料， 优先选自 CdSe， CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdZnSe及其任意組合。 在一 实施例中， CdSe， CdS的合成相对成熟而将此材料用作用于可见光的发光量子点。
在另一个实施例中， 发光量子点包含有 I I卜 V族半导体材料， 优先选自 InAs, InP, I nN， GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, A IP, A IN, A I As, AlSb, CdSeTe, ZnCdSe 及其任意組合。
在另一个实施例中，发光量子点包含有 IV-VI族半导体材料，优先选自 PbSe， PbTe, PbS, PbSnTe, T 12SnTe5及其任意組合。
在一个实施例中， 量子点为一核壳结构。 核与壳可以相同或不同地包括一种或多种半导 体材料。
所述的量子点的核可以选自上述的元素周期表 IV族、 I卜 VI族、 I卜 V族、 I I卜 V族、 I I卜 VI 族、 IV-VI 族、 卜 I I卜 VI族、 I卜 IV-VI 族、 I卜 IV-V族二元或多元半导体化合物。 具体的用 于量子点核的实例包括： Zn0、 ZnS、 ZnSe、 ZnTe, Cd0、 CdS、 CdSe、 CdTe, MgS、 MgSe、 GaAs, GaN、 GaP、 GaSe、 GaSb、 Hg0、 HgS、 HgSe、 HgTe、 lnAs、 lnN、 lnSb、 AIAs、 AIN、 AIP、 AISb、 Pb0、 PbS、 PbSe、 PbTe、 Ge、 Si, 及其任意組合的合金或混合物。
所述的量子点的壳包含有与核相同或不同的半导体材料。 可用于壳的半导体材料包括元 素周期表 IV族、 I卜 VI族、 I卜 V族、 I I卜 V族、 I I卜 VI族、 IV- VI族、 1-1 I卜 VI族、 I卜 IV- VI 族、 I卜 IV-V族二元或多元半导体化合物。具体的用于量子点核的实例包括： Zn0、 ZnS、 ZnSe、 ZnTe、 Cd0、 CdS、 CdSe、 CdTe、 MgS、 MgSe、 GaAs、 GaN、 GaP、 GaSe、 GaSb、 Hg0、 HgS、 HgSe、 HgTe、 lnAs、 lnN、 lnSb、 AIAs、 AIN、 AIP、 AISb、 Pb0、 PbS、 PbSe、 PbTe、 Ge、 Si, 及其任 意組合的合金或混合物。
所述的具有核壳结构的量子点， 壳可以包括单层或多层的结构。 壳包括一种或多种与核 相同或不同的半导体材料。 在一实施例中， 在量子点核的表面包含有两种或两种以上的壳。 在一个优选的实施例中， 壳具有约 1到 20层的厚度。在一个更为优选的实施例中， 壳具有约 5到 10层的厚度。
在一个实施例中， 用于壳的半导体材料具有比核更大的带隙。 特別优先的， 壳核具有 I 型的半导体异质结构。
在另一个实施例中， 用于壳的半导体材料具有比核更小的带隙。
在一个实施例中， 用于壳的半导体材料具有与核相同或接近的原子晶体结构。 这样的选 择有利于减小核壳间的应力， 使量子点更为稳定。
合适的采用核壳结构的发光量子点的例子（但不限制于）有：
红光： CdSe/CdS， CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdZnS等
绿光： CdZnSe/CdZnS, CdSe/ZnS等
蓝光： CdS/CdZnS， CdZnS/ZnS等
在一个实施例中， 量子点的制备方法是胶状生长法。 在一个实施例中， 制备单分散的量 子点的方法选自热注射法（hot- i n j ect)和 /或加热法（heat i ng-up)。制备方法包含在文件 Nano Res, 2009， 2， 425-447； Chem. Mater. , 2015， 27 (7)， pp 2246 - 22850 特此将上述列 出的文件中的全部内容并入本文作为参考。
在一个实施例中， 所述量子点的表面包含有有机配体。 有机配体可以控制量子点的生长 过程， 调控量子点的相貌和减小量子点表面缺陷从而提高量子点的发光效率及稳定性。 所述 的有机配体可以选自吡啶， 嘧啶， 呋喃， 胺， 烷基膦， 烷基膦氧化物， 烷基膦酸或烷基次膦 酸， 烷基硫醇等。 具体的有机配体的实例包括但不限制于三正辛基膦， 三正辛基氧化膦， 三 羟基丙基膦， 三丁基膦， 三（十二烷基）膦， 亚磷酸二丁酯， 亚磷酸三丁酯， 亚磷酸十八烷基 酯， 亚磷酸三月桂酯， 亚磷酸三（十二烷基）酯， 亚磷酸三异癸酯， 双（2 -乙基己基）磷酸酯， 三（十三烷基）磷酸酯， 十六胺， 油胺， 十八胺， 双十八胺， 三十八胺， 双（2 -乙基己基）胺， 辛胺， 二辛胺， 三辛胺， 十二胺， 双十二胺， 三十二胺， 十六胺， 苯基磷酸， 己基磷酸， 四 癸基磷酸， 辛基磷酸， 正十八烷基磷酸， 丙烯二磷酸， 二辛醚， 二苯醚， 辛硫醇或十二烷基 硫醇。
在另一个实施例中， 所述量子点的表面包含有无机配体。 由无机配体保护的量子点可以 通过对量子点表面有机配体进行配体交换得到。具体的无机配体的实例包括但不限制于： S2—， HS―， Se2—， HSe―， Te2—， HTe―， TeS3 2—， 0H―， NH2—， P04 3—， Mo04 2—， 等。 该类无机配体量子点的例 子可以参考文件：丄 Am. Chem. Soc. 2011， 133， 10612- 10620; ACS Nano， 2014， 9， 9388- 9402。 特此将上述列出的文件中的全部内容并入本文作为参考。
在某些实施例中， 量子点表面具有一种或多种相同或不同的配体。
在一个实施例中， 具有单分散的量子点所表现出的发光光谱具有对称的峰形和窄的半峰 宽。 一般地， 量子点的单分散性越好， 其所表现的发光峰越对称， 且半峰宽越窄。 优选地， 所述的量子点的发光半峰宽小于 70纳米； 更优选地， 所述的量子点的发光半峰宽小于 40纳 米； 最优选地， 所述的量子点的发光半峰宽小于 30纳米。 在一个实施例中， 所述的量子点的发光量子效率大于 10%; 在一个实施例中， 所述的量 子点的发光量子效率大于 50%; 在一个实施例中， 所述的量子点的发光量子效率大于 60%; 在 一个实施例中， 所述的量子点的发光量子效率大于 70%。
其他可能对本发明有用的有关量子点的材料， 技术， 方法， 应用和其他信息， 在以下专 利文献中有所描述， W02007/117698， W02007/120877, W02008/108798 , W02008/105792 , W02008/111947 , W02007/092606， W02007/117672， W02008/033388， W02008/085210， W02008/13366， W02008/063652， W02008/063653， W02007/143197， W02008/070028， W02008/063653, US6207229, US6251303, US6319426, US6426513, US6576291, US6607829, US6861155, US6921496, US7060243, US7125605, US7138098, US7150910, US7470379, US7566476, W02006134599A1 , 特此将上述列出的专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
在另一个实施方案中， 发光半导体纳米晶体是纳米棒。 纳米棒的特性不同于球形纳米晶 粒。例如，纳米棒的发光沿长棒轴偏振化，而球形晶粒的发光是非偏振的（参见 Woggon等， Nano Lett. , 2003, 3, Ρ509)。 纳米棒具有优异的光学增益特性， 使得它们可能用作激光增益材料 (参见 Banin等 Adv. Mater. 2002, 14, p317)。 此外， 纳米棒的发光可以可逆地在外部电场 的控制下打开和关闭（参见 Banin等， Nano Lett. 2005, 5， p1581)。 纳米棒的这些特性可以 在某种情况下优先地结合到本发明的器件中。 制备半导体纳米棒的例子有， W003097904A1， US2008188063A1, US2009053522A1 , KR20050121443A, 特此将上述列出的专利文件中的全部 内容并入本文作为参考。
在另一个实施例中， 按照本发明的組合物中， 所述的无机纳米材料是钙钛矿纳米粒子材 料， 特別是发光钙钛矿纳米粒子材料。
钙钛矿纳米粒子材料具有 AMX3的结构通式， 其中 A可选自有机胺或碱金属阳离子， M可 选自金属阳离子， X 可选自氧或卤素阴离子。 具体的实例包括但不限制于： CsPbCI3， CsPb (CI /Br) a, CsPbBr3, CsPb(l/Br)3, CsPbl3， CH3NH3PbCI3， CH3NH3Pb (Cl/Br)3, CH3NH3PbBr3, CH3NH3Pb(l/Br)3， CH3NH3Pbl3等。 有关钙钛矿纳米粒子材料的文献有 A^o eii.， 2015, 15, 3692—3696; ACS Nano, 2015, 9， 4533-4542； Angewandte Chemie, 2015, 127(19)： 5785—5788; Nano Lett. , 2015， 15 (4), pp 2640 - 2644； Adv. Optical Mater.2014, 2， 670 - 678; The Journal of Physical Chemistry Letters, 2015， 6(3)： 446-450； J. Mater. Chem. A, 2015,3， 9187-9193； Inorg. Chem. 2015, 54, 740 - 745； RSC Adv. , 2014, 4, 55908-55911 ; J. Am. Chem. Soc. , 2014, 136 (3), pp 850 - 853; Part. Part. Syst. Charact. 2015， doi： 10.1002/ppsc.201400214； Nanoscale, 2013， 5(19)： 8752-8780。 特此将上 述列出的专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
在另一个实施例中，按照本发明的組合物中，所述的无机纳米材料是金属纳米粒子材料。 特別优先的是发光金属纳米粒子材料。
所述的金属纳米粒子包括但不限制于： 铬（Cr)、 钼 （Mo)、 钨 （W)、 钌 （Ru)、 铑 （Rh)、 镍 （Νί)、 银 （Ag)、 铜 （Cu)、 锌 （Zn)、 钯 （Pd)、 金 （Au)、 饿 （0s)、 铼 （Re)、 铱 （lr) 和铂（Pt)的纳米粒子。常见的金属纳米粒子的种类、形貌和合成方法可以参见： Angew. Chem. Int. Ed. 2009， 48, 60-103； Angew. Chem. Int. Ed. 2012, 51， 7656-7673； Adv. Mater. 2003， 15， No.5， 353-389; Adv. Mater. 2010, 22， 1781-1804; Smal l.2008， 3， 310-325; Angew. Chem. Int. Ed. 2008, 47, 2-46等及其所引用的文献， 特此将上述列出的文献中的 全部内容并入本文作为参考。
在另一个实施方案中， 所述的无机纳米材料具有电荷传输的性能。
在一个实施例中， 所述的无机纳米材料具有电子传输能力。 优先的， 这类无机纳米材料 选自 n型半导体材料。 n型无机半导体材料的例子包括， 但不限于， 金属硫族元素化合物， 金属磷族元素化合物， 或元素半导体， 如金属氧化物， 金属硫化物， 金属硒化物， 金属碲化 物，金属氮化物，金属磷化物，或金属砷化物。优先的 n-型无机半导体材料选自 Zn0， ZnS, ZnSe, T i 02, ZnTe, GaN, GaP, A I N, CdSe, CdS, CdTe, CdZnSe及其任意組合。
在某些实施例中， 所述的无机纳米材料具有空穴传输能力。 优先的， 这类无机纳米材料 选自 P型半导体材料。 无机 p-型半导体材料可选 Ν ί θχ , WOx , MoOx , RuOx , VOx , CuOx及它 们的任何組合。
在一实施例中， 一种印刷油墨組合物， 包含至少两种及两种以上的无机纳米材料。
在另一个实施例中， 一种組合物包含有至少一种有机功能材料。
所述的有机功能材料包括： 空穴（也称电洞）注入或传输材料（H I M/HTM)、 空穴阻挡材料 (HBM) , 电子注入或传输材料（E I M/ETM；)、 电子阻挡材料（EBM；)、 有机主体材料（Host)、 单重态 发光体（荧光发光体）、 热激活延迟荧光发光材料（TADF)、 三重态发光体 (磷光发光体）， 特別 是发光有机金属络合物， 有机染料。 例如在 W0201 01 35519A1、 US200901 34784A1 和 W0 201 1 1 1 0277A1 中对各种有机功能材料有详细的描述， 特此， 将该 3项专利文件中的全部内容 并入本文你为参考。
在一实施^中 有机功能材料在上述溶剂中的溶解度至少是 0. 2wt%；
在一实施例中 有机功能材料在上述溶剂中的溶解度至少是 0. 3wt%；
在一实施例中 有机功能材料在上述溶剂中的溶解度至少是 0. 6wt%；
在一实施倒中 有机功能材料在上述溶剂中的溶解度至少是 1 . 0wt%；
在一实施例中 有机功能材料在上述溶剂中的溶解度至少是 1 . 5wt% c
有机功能材料可以是小分子和高聚物材料。 在本发明中， 小分子有机材料是指分子量至 多为 4000g/mo l 的材料， 分子量高于 4000g/mo l 的材料统称为高聚物。
在一个优先的实施方案中， 一种印刷油墨組合物， 包含的功能材料为有机小分子材料。 在一实施例中， 一种印刷油墨組合物中的有机功能材料包含有至少一种的主体材料和至 少一种的发光体。
在一个实施例中， 一种印刷油墨組合物中的有机功能材料包含有一种主体材料和一种单 重态发光体。
在另一个实施例中， 一种印刷油墨組合物中的有机功能材料包含有一种主体材料和一种 三重态发光体。
在另一个实施例中， 一种印刷油墨組合物中的有机功能材料包含有一种主体材料和一种 热激活延迟荧光发光材料。
在另一些实施方案中， 一种印刷油墨組合物中的有机功能材料包含有一种空穴传输材料 (HTM)。
在另一些实施方案中， 一种印刷油墨組合物中的有机功能材料包含有一种空穴传输材料 (HTM)， 所述的 HTM包含有一可交联基团。
下面对将对适合优先的实施例中所述的有机小分子功能材料作一些较详细的描述 （但不 限于此）。
1 . H I M/HTM/EBM
合适的有机 H I M/HTM材料可选包含有如下结构单元的化合物： 酞菁、卟啉、胺、芳香胺、 联苯类三芳胺、 噻吩、 并噻吩如二噻吩并噻吩和并噻吩、 吡咯、 苯胺、 咔唑、 氮茚并氮芴及 它们的衍生物。 另外， 合适的 H I M也包括含有氟烃的聚合物、 含有导电摻杂的聚合物、 导电 聚合物， 如 PED0T : PSS o
电子阻挡层（EBL)用来阻挡来自相邻功能层， 特別是发光层的电子。对比一个没有阻挡层 的发光器件， EBL的存在通常会导致发光效率的提高。电子阻挡层（EBL)的电子阻挡材料（EBM) 需要有比相邻功能层， 如发光层更高的 LUM0。
在一个实施方案中， EBM 有比相邻发光层更大的激发态能级， 如单重态或三重态， 这取 决于发光体； 同时， 该 EBM有空穴传输功能。 通常具有高的 LUM0能级的 H I M/HTM材料可以作 为 EBM。 可 结构：
Figure imgf000021_0001
每个 Ar1到 Ar9可独立选自环芳香烃化合物， 如苯、 联苯、 三苯基、 苯并、 萘、 蒽、 非那 烯、 菲、 芴、 芘、 屈、 花、 萸； 芳香杂环化合物， 如二苯并噻吩、 二苯并呋喃、 呋喃、 噻吩、 苯并呋喃、 苯并 。分、 咔唑、 。比唑、 咪唑、 三氮唑、 异恶唑、 唑、 恶二唑、 恶三唑、 二恶 唑、 噻二唑、 吡啶、 哒嗪、 嘧啶、 吡嗪、 三嗪、 恶嗪、 恶噻嗪、 恶二嗪、 吲哚、 苯并咪唑、 吲唑、 吲哚嗪、 苯并恶唑、 苯异恶唑、 苯并噻唑、 喹啉、 异喹啉、 邻二氮（杂）萘、 喹唑啉、 喹喔啉、 萘、 酞、 蝶啶、 氧杂蒽、 吖啶、 吩嗪、 吩噻嗪、 吩恶嗪、 二苯并硒吩、 苯并硒吩、 苯并呋喃吡啶、 吲哚咔唑、 吡啶吲哚、 吡咯二吡啶、 呋喃二吡啶、 苯并噻吩吡啶、噻吩吡啶、 苯并硒吩吡啶和硒吩二吡啶； 包含有 2至 1 0环结构的基团，它们可以是相同或不同类型的环 芳香烃基团或芳香杂环基团，并彼此直接或通过至少一个以下的基团连结在一起， 如氧原子、 氮原子、 硫原子、 硅原子、 磷原子、 硼原子、 链结构单元和脂肪环基团。 其中， 每个 Ar可以 进一步被取代， 取代基可选为氫、 烷基、 烷氧基、 氨基、 烯、 炔、 芳烷基、 杂烷基、 芳基和 杂芳基。
在一 1到 Ar9可独立选自包含如下組的基团：
Figure imgf000021_0002
n 是 1 到 20的整数； X1到 Xs是 CH 或 N ; Ar1如以上所定义。
环芳香胺衍生化合物的另外的例子可参见 US3567450, US4720432, US5061569
US3615404, 和 US5061569。
可用作 HTM或 H I M的金属 括（但不限于）如下的一般结构：
Figure imgf000021_0003
M 是一金属， 有大于 40的原子量；
(Y -Y2) 是一两齿配体， Y1和 Y2独立地选自 C、 N、 0、 P和 S ; L是一个辅助配体； m 是一整数， 其值从 1 到此金属的最大配位数； m+n 是此金属的最大配位数。
在一个实施例中， （Y1-Y2) 是 2 -苯基吡啶衍生物。
在另一个实施例中， （Υ1-Υ2) 是一卡宾配体。
在另一个实施例中， Μ 选于 l r、 Pt、 0s和 Zn。
在另一个方面， 金属络合物的 HOMO大于 -5. 5 eV (相对于真空能级）。
在一实施例中， 选自以下任意化合物作为 H I M/HTM的化合物：
Figure imgf000022_0001
2. 三重态主体材料（Tr i p l et Host)
三重态主体材料的例子并不受特別的限制， 任何金属络合物或有机化合物都可能被用作 为主体， 只要其三重态能量比发光体 （特別是三重态发光体或磷光发光体） 更高。 可用作三 重态主体（Host)的金属络合物的例子 下的通式结构：
Figure imgf000022_0002
M 是一金属； （Y3-Y4) 是一两齿配体， Υ3和 Υ4独立地选自 C， N, 0， P, 和 S ; L是一个辅 助配体； m 是一整数， 其值从 1 到此金属的最大配位数； m+n 是此金属的最大配位数。
在一个实施方案中， 可 三重态主体的金 式：
Figure imgf000022_0003
(0-N) 是一两齿配体， 其中金属与 0和 N原子配位。
在某一个实施方案中， M可选于 l r 或 Pt。
可作为三重态主体的有机化合物的例子选自包含有环芳香烃基的化合物，例如苯、联苯、 三苯基、苯并、 芴； 包含有芳香杂环基的化合物， 如二苯并噻吩、 二苯并呋喃、二苯并硒吩、 呋喃、 噻吩、 苯并呋喃、 苯并噻吩、 苯并硒吩、 咔唑、 吲哚咔唑、 吡啶吲哚、 吡咯二吡啶、 吡1，坐、 咪1，坐、 三17坐类、 恶1，坐、 。坐、 恶二 σ坐、 恶三 σ坐、 二恶1，坐、 二。坐、 吡定、 。达嗪、 嘧定、 吡嗪、 三嗪类、 恶嗪、 恶噻嗪、 恶二嗪、 吲哚、 苯并咪唑、 吲唑、 恶唑、 二苯并恶唑、 苯异 恶唑、 苯并噻唑、 喹啉、 异喹啉、 邻二氮杂萘、 喹唑啉、 喹喔啉、 萘、 酞、 蝶啶、 氧杂蒽、 吖啶、 吩嗪、 吩噻嗪、 吩恶嗪、 苯并呋喃吡啶、 呋喃并吡啶、 苯并噻吩吡啶、 噻吩吡啶、 苯 并硒吩吡啶和硒吩苯并二吡啶； 包含有 2至 10环结构的基团，它们可以是相同或不同类型的 环芳香烃基团或芳香杂环基团， 并彼此直接或通过至少一个以下的基团连结在一起， 如氧原 子、 氮原子、 硫原子、 硅原子、 磷原子、 硼原子、 链结构单元和脂肪环基团。 其中， 每个 Ar 可以进一步被取代， 取代基可选为氫、 烷基、 烷氧基、 氨基、 烯、 炔、 芳烷基、 杂烷基、 芳 基和杂芳基。
在一个实 一个以下基团的化合物：
Figure imgf000023_0001
R1 - R7可相互独立地选自： 氫， 烷基， 烷氣基， 氛基， 烯， 炔， 芳烷基， 杂烷基， 芳基 或杂芳基。 当 R1 _ R7是芳基或杂芳基时， 它们与上述的 Ar1和 Ar2意义相同； n是一个从 0 到 20的整数； X1 - X8选自 CH 或 N ; X9选自 CR1R2或 NR1。
在 主体材料选自以
Figure imgf000023_0002
3. 单重态主体材料（S i ng l et Host)：
单重态主体材料的例子并不受特別的限制， 任何有机化合物都可能被用作为主体， 只要 其单重态能量比发光体 （特別是单重态发光体或荧光发光体） 更高。
作为单重态主体材料使用的有机化合物的例子可选自含有环芳香烃化合物，如苯、联苯、 三苯基、 苯并、 萘、 蒽、 葩、 菲、 芴、 芘、 屈、 花、 萸； 芳香杂环化合物， 如二苯并噻吩、 二苯并呋喃、 二苯并硒吩、 呋喃、 噻吩、 苯并呋喃、 苯并噻吩、 苯并硒吩、 咔唑、 吲哚咔唑、 吡定吲。朵、 吡 二吡定、 吡。坐、 咪。坐、 三氮。坐、 异恶。坐、 。坐、 恶二 σ坐、 恶三 σ坐、 二恶。坐、 噻二唑、 吡啶、 哒嗪、 嘧啶、 吡嗪、 三嗪、 恶嗪、 恶噻嗪、 恶二嗪、 吲哚、 苯并咪唑、 吲唑、 吲哚噪、 苯并恶唑、 苯异恶唑、 苯并噻唑、 喹啉、 异喹啉、 噌啉、 喹唑啉、 喹喔啉、 萘、 酞、 蝶啶、 氧杂蒽、 吖啶、 吩嗪、 吩噻嗪、 吩恶嗪、 苯并呋喃吡啶、 呋喃二吡啶、 苯并噻吩吡啶、 噻吩二吡啶、 苯并硒吩吡啶和硒吩二吡啶； 包含有 2至 1 0环结构的基团， 它们可以是相同或 不同类型的环芳香烃基团或芳香杂环基团， 并彼此直接或通过至少一个以下的基团连结在一 起， 如氧原子、 氮原子、 硫原子、 硅原子、 磷原子、 硼原子、 链结构单元和脂肪环基团。
在一个实施 合物：
Figure imgf000024_0001
其中， R1可相互独立地选自： 氫、 烷基、 烷氧基、 氨基、 烯、 炔、 芳烷基、 杂烷基、 芳 基或杂芳基； Ar1是芳基或杂芳基， 它与上述的 HTM中定义的 Ar1意义相同； n是一个从 0到 20的整数； X1 - X8选自 CH或 N ; X9和 X1°选自 CR1R2或 NR1。
在一实施例中， 蒽基单重态主体材料选自以下化合物：
Figure imgf000025_0001
Figure imgf000025_0002
4. 单重态发光体（S i ng l et Em i tter)
单重态发光体往往有较长的共轭 π 电子系统。 迄今，已有许多例子， 例如在 JP29131 16B 和 W02001021729A1 中公开的苯乙烯胺及其衍生物，和在 W02008/006449和 W02007/140847中 公开的茚并芴及其衍生物。
在一个优先的实施方案中， 单重态发光体可选自一元苯乙烯胺， 二元苯乙烯胺， 三元苯 乙烯胺， 四元苯乙烯胺， 苯乙烯膦， 苯乙烯醚或芳胺。
一个一元苯乙烯胺是指一化合物，它包含一个无取代或取代的苯乙烯基組和至少一个胺， 最好是芳香胺。一个二元苯乙烯胺是指一化合物，它包含二个无取代或取代的苯乙烯基組和至 少一个胺， 最好是芳香胺。一个三元苯乙烯胺是指一化合物，它包含三个无取代或取代的苯乙 烯基組和至少一个胺， 最好是芳香胺。一个四元苯乙烯胺是指一化合物，它包含四个无取代或 取代的苯乙烯基組和至少一个胺， 最好是芳香胺。一个优选的苯乙烯是二苯乙烯，其可能会进 一步被取代。 相应的膦类和醚类的定义与胺类相似。 芳基胺或芳香胺是指一种化合物， 包含 三个直接连接氮的无取代或取代的芳香环或杂环系统。 优选这些芳香族或杂环的环系统中至 少有一个具有稠环系统， 并最好该稠环系统至少有 14个芳香环原子。其中优选的例子有芳香 蒽胺， 芳香蒽二胺， 芳香芘胺， 芳香芘二胺， 芳香屈胺和芳香屈二胺。 一个芳香蒽胺是指一 化合物， 其中一个二元芳基胺基团直接联到蒽上， 最好是在 9的位置上。 一个芳香蒽二胺是 指一化合物， 其中二个二元芳基胺基团直接联到蒽上， 最好是在 9， 10的位置上。 芳香芘胺， 芳香芘二胺， 芳香屈胺和芳香屈二胺的定义类似， 其中二元芳基胺基团最好连到芘的 1 或 1 , 6位置上。
基于乙烯胺及芳胺的单重态发光体的例子，可在下述专利文件中找到： W0 2006/000388; W0 2006/058737， W0 2006/000389， W0 2007/065549 , W0 2007/1 15610, US 7250532 B2 DE 102005058557 A1 , CN 1583691 A, JP 08053397 A, US 6251531 B1， US 2006/210830 A, EP 1957606 A1 和 US 2008/01 13101 A1 特此上述列出的专利文件中的全部内容并入本 文作为参考。
基于均二苯乙烯极其衍生物的单重态发光体的例子有 US 5121029 ο
进一步的优选的单重态发光体可选于茚并芴-胺和茚并芴-二胺， 如 W0 2006/122630所 公开的， 苯并茚并芴 -胺和苯并茚并芴-二胺， 如 W0 2008/006449所公开的， 二苯并茚并芴- 胺和二苯并茚并芴-二胺， 如 W02007/140847所公开的。
其他可用作单重态发光体的材料有多环芳烃化合物，特別是如下化合物的衍生物： 蒽（如
9， 10 -二 （2 -萘并蒽））， 萘，四苯， 氧杂蒽， 菲， 芘 （如 2， 5， 8， 1 1 -四 _t -丁基花）， 茚并芘， 苯撑 （如 4， 4' -双（9 -乙基 _3 -咔唑乙烯基）_1， Γ -联苯），二茚并芘， 十环烯， 六苯并苯， 芴 螺二芴， 芳基芘 （如 US20060222886) , 亚芳香基乙烯 （如 US5121029, US5130603) ， 环戊二 烯如四苯基环戊二烯， 红荧烯， 香豆素， 若丹明， 喹吖啶酮， 吡喃如 4 (二氰基亚甲基）-6- (4- 对二甲氨基苯乙烯基 _2 -甲基）_4H -吡喃 （DCM)， 噻喃， 双 （吖嗪基） 亚胺硼化合物 (US 2007/0092753 A1)，双 （吖噪基） 亚甲基化合物， carbostyry I 化合物，噁噪酮， 苯并恶 唑， 苯并噻唑，苯并咪唑及吡咯并吡咯二酮。一些单重态发光体的材料可在下述专利文件中找 到 ： US 20070252517 A1, US 4769292， US 6020078， US 2007/0252517 A1, US 2007/0252517 A1。 特此将上述列出的专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
Figure imgf000026_0001
5. 热激活延迟荧光发光材料 （TADF):
传统有机荧光材料只能利用电激发形成的 25%单线态激子发光， 器件的内量子效率较低
(最高为 25%)。 尽管磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间穿越， 可以有 效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光， 使器件的内量子效率达到 100%。 但磷光 材料昂贵， 材料稳定性差， 器件效率滚降严重等问题限制了其在 0LED中的应用。 热激活延迟 荧光发光材料是继有机荧光材料和有机磷光材料之后发展的第三代有机发光材料。 该类材料 一般具有小的单线态-三线态能级差 （AEst)， 三线态激子可以通过反系间穿越转变成单线态 激子发光。 这可以充分利用电激发下形成的单线态激子和三线态激子。 器件内量子效率可达 到 100%。
TADF材料需要具有较小的单线态-三线态能级差（AEst)。在一实施例中，该 AEst〈0.3eV ； 在一实施例中， AEst〈0.2 eV; 在一实施例中， AEst〈0.1 eV; 在一实施例中， AEst〈0.05 eVc 在一个优先的实施方案中， TADF有较好的荧光量子效率。 一些 TADF发光的材料可在下 述专利文件中找到： CN 103483332(A) , TW201309696 (A)， TW201309778 (A)， TW201343874 (A) ， TW201350558 (A)， US20120217869 (A1)， W02013133359 (A1)， W02013154064 (A1) , Adachi, et. al. Adv. Mater. , 21, 2009, 4802, Adachi, et. al. Appl. Phys. Lett. , 98, 2011, 083302 ， Adachi, et.al. Appl. Phys. Lett. , 101， 2012, 093306， Adachi, et.al. Chem. Commun. , 48, 2012, 11392， Adachi, et.al. Nature Photonics, 6, 2012, 253， Adachi, et.al. Nature, 492, 2012， 234， Adachi, et.al. J. Am. Chem. Soc, 134, 2012， 14706， Adachi, et.al. Angew. Chem. Int. Ed, 51， 2012, 11311， Adachi, et.al. Chem. Commun. , 48, 2012, 9580 ， Adachi, et.al. Chem. Commun. , 48, 2013, 10385， Adachi, et.al. Adv. Mater. , 25, 2013, 3319， Adachi, et.al. Adv. Mater. , 25, 2013, 3707， Adachi, et.al. Chem. Mater. , 25, 2013, 3038， Adachi, et.al. Chem. Mater. , 25, 2013, 3766， Adachi, et.al. J. Mater. Chem. C.， 1， 2013， 4599， Adachi, et.al. J. Phys. Chem. A.， 117， 2013， 5607， 特此 将上述列出的专利或文章文件中的全部内容并入本文作为参考。
在一实施例中， TADF发光材料选自以下化合物:
Figure imgf000027_0001
Figure imgf000028_0001
八 ø Q
。 0°
。
Figure imgf000028_0002
o八。 0 O
、
Figure imgf000028_0003
6. 三重态发光体（Triplet Emitter)
三重态发光体也称磷光发光体。在一个优先的实施方案中， 三重态发光体是有通式 M(L)n 的金属络合物， 其中 M是一金属原子， L每次出现时可以是相同或不同， 是一有机配体， 它 通过一个或多个位置键接或配位连接到金属原子 M上， n是一个大于 1 的整数，优选 1， 2， 3， 4， 5或 6。 可选地， 这些金属络合物通过一个或多个位置连接到一个聚合物上， 最好是通过 有机配体。
在一个实施方案中， 金属原子 M选自过渡金属元素或镧系元素或 4f 系元素。 优先选择 lr, Pt, Pd， Au, Rh， Ru, 0s， Sm， Eu, Gd， Tb, Dy， Re, Cu或 Ag， 特別优先选择 0s， I r, Ru, Rh, Re, Pd或 Ptc
在一个实施例中， 三重态发光体包含有螯合配体， 即配体通过至少两个结合点与金属配 位， 特別优先考虑的是三重态发光体包含有两个或三个相同或不同的双齿或多齿配体。 螯合 配体有利于提高金属络合物的稳定性。
在一实施例中， 有机配体选自： 苯基吡啶衍生物， 7， 8-苯并喹啉衍生物， 2 (2-噻吩基） 吡啶衍生物， 2 (1-萘基） 吡啶衍生物， 或 2苯基喹啉衍生物。 所有这些有机配体都可能被取 代， 例如被含氟或三氟甲基取代。 辅助配体可优先选自乙酸丙酮或苦味酸。
在一个实施方案中， 可用作三 络合物有如下形式：
Figure imgf000029_0001
其中 M 是一金属， 选自过渡金属元素或镧系元素或 4f 系元素；
Ar1每次出现时可以是相同或不同， 是一个环状基团， 其中至少包含有一个施主原子， 即 有一孤对电子的原子， 如氮或磷， 通过该施主原子， 环状基团与金属配位连接； Ar2每次出现 时可以是相同或不同， 是一个环状基团， 其中至少包含有一个 C原子， 通过它环状基团与金 属连接； Ar1和 Ar2由共价键连接在一起， 可各自携带一个或多个取代基团， 它们也可再通过 取代基团联接在一起； L 每次出现时可以是相同或不同， 是一个辅助配体， 优选于双齿螯合 配体， 最好是单阴离子双齿螯合配体； m是 1， 2 或 3， 优先地是 2或 3， 特別优先地是 3; n 是 0，1， 或 2， 优先地是 0或 1， 特別优先地是 0;
200070655， W0 200141512, W0 200202714, W0 200215645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, W02005033244, W02005019373, US 2005/0258742, W02009146770, WO 2010015307, WO 2010031485, WO 2010054731, W0 2010054728, W0 2010086089, W0 2010099852, W0 2010102709, US 20070087219 A1, US 20090061681 A1, US 20010053462 A1, Baldo, Thompson et al. Nature 403, (2000) , 750-753， US 20090061681 A1, US 20090061681 A1, Adachi et al. Appl. Phys. Lett.78 (2001)， 1622-1624， J. Kido et al. Appl. Phys. Lett.65 (1994), 2124, Kido et al. Chem. Lett. 657， 1990， US 2007/0252517 A1， Johnson et al. , JACS 105, 1983， 1795, Wrighton, JACS 96， 1974, 998， Ma et al. , Synth. Metals 94, 1998， 245, US 6824895, US 7029766， US 6835469, US 6830828， US 20010053462 A1， W02007095118 A1, US 2012004407A1, W0 2012007088A1 , W02012007087A1 , W0 2012007086A1 , US 2008027220A1, W0 2011157339A1 , CN 102282150A, W0 2009118087A1。 特此将上述列出的专 利文件和文献中的全部内容并入本文作为参考。
Figure imgf000029_0002
Figure imgf000030_0001
Figure imgf000031_0001
L 」
Figure imgf000032_0001
[ ^•N、、
3
在一实施例中， 組合物所包含的功能材料为高聚物材料。
以上所述的有机小分子功能材料， 包括 HIM, HTM, ETM, EIM, Host, 荧光发光体， 磷光 发光体， TADF都可以作为重复单元包含在该高聚物中。
在一个实施例中， 适合于本发明的高聚物是共轭高聚物。 一般地， 共轭高聚物有如下通
B X
化学式 1
其中 B， A在多次出现时可独立选择相同或不同的结构单元
B: 具有较大的能隙的 π_共 ft结构单元， 也称骨干单元（Backbone Unit) , 选自单环或多环 芳基或杂芳基， 优先选择的单元形式为苯， 联二亚苯（Biphenylene), 萘， 蒽， 菲， 二 氫菲， 9， 10-二氫菲，芴， 二芴， 螺二芴， 对苯乙炔， 反茚并芴， 顺茚并， 二苯并 -茚并 芴， 茚并萘及它们的衍生物。
A: 具有较小能隙的 π_共轭结构单元， 也称功能单元（Functional Unit) , 按照不同的功能 要求， 可选自包含有以上所述的空穴注入或传输材料（ΗΙΜ/ΗΤΜ) , 电子注入或传输材料 (ΕΙΜ/ΕΤΜ) , 主体材料（Host) , 单重态发光体（荧光发光体）， 重态发光体（磷光发光体） 的结构单元。
X, y: >0, JL x+y=1；
在一实施例中， 組合物中所包含的功能材料为高聚物 HTM。
在一个优先的实施例中，高聚物 HTM材料为均聚物， 该均聚物优选：聚噻吩， 聚。比咯， 聚 苯胺， 聚联苯类三芳胺， 聚乙烯基咔唑及其衍生物。
在另一个特別优先的实施例中， 高聚物 HTM材料为化学式 1表示的共轭共聚物， 其中 其中 B， A在多次出现时可独立选择相同或不同的结构单元
B: 具有较大的能隙的 π_共 ft结构单元， 也称骨干单元（Backbone Unit) , 选自单环或多环 芳基或杂芳基， 优先选择的单元形式为苯， 联二亚苯（Biphenylene), 萘， 蒽， 菲， 二 氫菲， 9， 10-二氫菲，芴， 二芴， 螺二芴， 对苯乙炔， 反茚并芴， 顺茚并， 二苯并 -茚并 芴， 茚并萘及它们的衍生物。
A: 具有空穴输运能力的功能基团， 可相同或不同地选自包含有以上所述的空穴注入或传输 材料（HIM/HTM)的结构单元； 在一个优先的实施例中， A 选自胺， 联苯类三芳胺， 噻吩， 并 。分如二 。分并 。分和并 。分， 吡11各， 苯胺， 咔。坐， indenocarbazole, 氮茚并氮芴， 并五苯， 酞菁， 卟啉及其的衍生物。
X, y: >0, 且 x+y=1 ; 通常 y≥0.10，比较好为≥0.15，更好为≥0.20，最好为 x=y=0.5.
在一实施例中， 作为 ：
Figure imgf000033_0001
Figure imgf000033_0002
Figure imgf000033_0003
Figure imgf000033_0004
其中，
R各自彼此独立地选自： 氫， 具有 1 至 20个 C原子的直链烷基、 烷氧基或硫代烷氧基基团， 或者具有 3至 20个 C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者是甲硅烷基基 团，或具有 1至 20个 C原子的取代的酮基基团，或具有 2至 20个 C原子的烷氧基羰基基团， 或具有 7至 20个 C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（_CN)， 氨基甲酰基基团（_C(=0)NH2)， 卤甲酰基基团 （_C(=0)-X其中 X代表卤素原子），甲酰基基团 （_C(=0)-H)， 异氰基基团， 异 氰酸酯基团， 硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团， 羟基基团， 硝基基团， CF3基团， Cl， Br, F， 可交联的基团或者具有 5至 40个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系， 或具有 5 至 40个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团， 或这些体系的組合， 其中一个或多个基团 R可以彼此 和 /或与所述基团 R键合的环形成单环或多环的脂族或芳族环系；
r 是 0， 1， 2， 3 或 4;
s 是 0， 1， 2， 3， 4 或 5;
X, y: >0, 且 x+y=1 ; 通常 y≥0.10，比较好为≥0.15，更好为≥0.20，最好为 x=y=0.5。
另一类优先选择的有机功能材料是具有电子传输能力的高聚物，包括共轭高聚物和非共 轭高聚物。
在一个实施例中， 选择的高聚物 ETM材料为均聚物， 该均聚物优先选自： 聚菲， 聚菲罗 啉， 聚茚并芴， 聚螺二芴， 聚芴及其衍生物。
优先选择的高聚物 ETM材料为化学式 1表示的共轭共聚物， 其中 A在多次出现时可独立 选择相同或不同的形式：
B: 具有较大的能隙的 π_共 ft结构单元， 也称骨干单元（Backbone Unit) , 选自单环或多环 芳基或杂芳基， 优先选择的单元形式为苯， 联二亚苯（Biphenylene), 萘， 蒽， 菲， 二 氫菲， 9， 10-二氫菲，芴， 二芴， 螺二芴， 对苯乙炔， 反茚并芴， 顺茚并， 二苯并 -茚并 芴， 茚并萘及它们的衍生物。
A: 具有电子输运能力的功能基， 优先选自三（8-羟基喹啉）铝（Al 03)， 苯， 联二亚苯， 萘， 蒽， 菲， Di hydrophenanthrene, ¾ , 二 ， 螺二 ， 对苯乙块， ¾ , 花， 9, 10-Dihydrophenanthrene, 。分嗪， 菲罗淋， 反茚并芴， 顺茚并， 二苯并—茚并芴， 茚 并萘， 苯并蒽及其衍生物。
X, y: >0, 且 x+y=1 ; 通常 y≥0.10，比较好为≥0.15，更好为≥0.20，最好为 x=y=0.5.
在另一个实施方案中， 按照本发明的組合物包含的功能材料为发光高聚物。
在一个实施例中， 发光高聚物是有如下通式的共轭高聚物：
Figure imgf000034_0001
化学式 2
B: 与化学式 1的定义相同。
A1 : 具有空穴或电子输运能力的功能基， 可选自包含有以上所述的空穴注入或传输材料 (HIM/HTM)， 或电子注入或传输材料（EIM/ETM)的结构单元。
A2: 具有发光功能的基团， 可选自包含有以上所述的单重态发光体（荧光发光体）， 重态发光 体（磷光发光体）的结构单元。
X, y, z: >0, JL x+y+z=1；
发光高聚物的例子在如下的专利申请中公开： W02007043495, W02006118345, W02006114364, W02006062226, W02006052457, W02005104264, W02005056633, W02005033174, W02004113412 W02004041901 ， W02003099901 , W02003051092, W02003020790, W02003020790, US2020040076853, US2020040002576, US2007208567, US2005962631 , EP201345477, EP2001344788, DE102004020298, 特将以上专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
在另一个的实施例中， 适合于本发明的高聚物是非共轭高聚物。 这可以是所有功能基团 都在侧链上， 而主链是非共轭的高聚物。 一些用作磷光主体或磷光发光材料的这类非共轭高 聚物在 US 7250226 B2， JP2007059939A, JP2007211243A2和 JP2007197574A2等专利申请中 有公开， 一些用作荧光发光材料的这类非共轭高聚物在 JP2005108556, JP2005285661 和 JP2003338375等专利申请中有公开。 另外， 非共轭高聚物也可以是一种高聚物， 主链上共轭 的功能单元通过非共轭的链接单元链接起来， 这种高聚物的例子在 DE102009023154.4 和 DE102009023156.0中有公开。 特将以上专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
本发明还涉及使上述的印刷油墨組合物在基板上形成功能材料薄膜的方法， 包括以下步 骤：
使用打印或涂布的方法， 将所述印刷油墨組合物涂布到所述基板上；
使所述印刷油墨組合物中的所述溶剂蒸发。
即本发明涉及一种通过打印或涂布的方法制备包含功能材料的薄膜的方法。
其中将如上所述的任何一种組合物用印刷或涂布的方法涂布于一基板上 的印刷或涂布 的方法可选自：喷墨打印， 喷印（Nozzle Printing)， 活版印刷， 丝网印刷， 浸涂， 旋转涂布， 刮刀涂布， 辊筒印花， 扭转辊印刷， 平版印刷， 柔版印刷， 轮转印刷， 喷涂， 刷涂或移印， 狹缝型挤压式涂布等。
在一个优选的实施例中， 包含功能材料的薄膜为通过喷墨打印的方法制备。 可用于打印 按照本发明的油墨的喷墨打印机为已商业化的打印机，且包含按需打印喷头（ d r op-on-d ema nd printheads )。 这些打印机可以从 Fuj if i Im D i mat i x (Lebanon, N. H. ) , Trident International (Brookf i e I d, Conn.), Epson (Torrance, Cal if), Hitachi Data systems Corporation (Santa Clara, Cal if), Xaar PLC (Cambridge, United Kingdom), 和 I danit Technologies, Limited (Ri shon Le Zi on, Isreal)购得。 例如， 本发明可以使用 D i mat i x Materials Printer DMP-3000 (Fuj if i Im) 进行打印。
本发明进一步涉及一种电子器件， 该电子器件包括功能层， 所述功能层是由上述的印刷 油墨組合物所形成的功能材料薄膜。 另外， 该电子器件可以包含有一层或多层功能层， 即可 以包含有一层或多层功能材料薄膜， 该功能层可以通过打印或涂布的方法制备。
合适的电子器件包括： 量子点发光二极管（QLED)、 量子点光仗电池 (QPV)、 量子点发光电 池 (QLEEC)、 量子点场效应管（QFET)、 量子点发光场效应管、 量子点激光器， 量子点传感器， 有机发光二极管（0LED)、有机光仗电池（0PV)、有机发光电池（0LEEC)、有机场效应管（0FET)、 有机发光场效应管、 有机激光器， 有机传感器等。
图 1 是一实施例的电子器件的示意图。 该电子器件是电致发光器件或光仗电池， 如图 1 所示， 包括一基片 101， 一阳极 102， 至少一发光层或光吸收层 104， 一阴极 106。 以下仅针 对电致发光器件做说明。
基片 101可以是不透明或透明的。一个透明的基板可以用来制造一个透明的发光元器件。 例如可参见， Bui ovic等 Nature 1996， 380， p29， 和 Gu等， Appl. Phys. Lett. 1996， 68， p2606c 基材可以是刚性的或弹性的。 基片可以是塑料， 金属， 半导体晶片或玻璃。 最好是基 片有一个平滑的表面。 无表面缺陷的基板是特別理想的选择。 在一个优先的实施例中， 基片 可选于聚合物薄膜或塑料， 其玻璃化温度 Tg为 150° C以上， 较好是超过 200° C， 更好是超 过 250° C， 最好是超过 300° Co 合适的基板的例子有聚 （对苯二甲酸乙二醇酯） （PET) 和聚 乙二醇 （2， 6-萘） (PEN)c
阳极 102可包括一导电金属或金属氧化物， 或导电聚合物。 阳极可以容易地注入空穴到
HIL或 HTL或发光层中。 在一个的实施例中， 阳极的功函数和作为 HIL或 HTL的 p型半导体 材料的 H0M0能级或价带能级的差的绝对值小于 0.5 eV， 较好是小于 0.3 eV, 最好是小于 0.2 eVc 阳极材料的例子包括但不限于， Al， Cu, Au, Ag, Mg, Fe， Co, Ni, Mn， Pd， Pt, I TO, 铝摻杂氧化锌 （AZ0) 等。 其他合适的阳极材料是已知的， 本领域普通技术人员可容易地选择 使用。 阳极材料可以使用任何合适的技术沉积， 如一合适的物理气相沉积法， 包括射频磁控 溅射， 真空热蒸发， 电子束（e_beam)等。
在某些实施例中， 阳极是图案结构化的。 图案化的 IT0导电基板可在市场上买到， 并且 可以用来制备根据本发明的器件。
阴极 106可包括一导电金属或金属氧化物。 阴极可以容易地注入电子到 EIL或 ETL或直 接到发光层中。 在一个的实施例中， 阴极的功函数和作为 EIL或 ETL或 HBL的 n型半导体材 料的 LUMO能级或导带能级的差的绝对值小于 0. 5 eV，较好是小于 0. 3 eV, 最好是小于 0. 2 eV。 原则上， 所有可用作 0LED的阴极的材料都可能作为本发明器件的阴极材料。 阴极材料的例子 包括： A l , Au, Ag, Ca， Ba， Mg, L i F/A I， MgAg合金， BaF2/A I， Cu, Fe， Co, N i , Mn, Pd， Pt ,
I TO 等。 阴极材料可以使用任何合适的技术沉积， 如一合适的物理气相沉积法， 包括射频磁 控溅射， 真空热蒸发， 电子束（e_beam)等。
发光层 1 04中至少包含有一发光功能材料， 其厚度可以在 2nm到 200nm之间。 在一个优 先的实施例中，按照本发明的发光器件中，其发光层是通过打印本发明的印刷油墨制备而成， 其中印刷油墨中包含有至少一种如上所述的发光功能材料， 特別是量子点或有机功能材料。
在一个实施例中，按照本发明的发光器件进一步包含有一个空穴注层（H I L)或空穴传输层 (HTL) 1 03 , 其中包含有如上所述的有机 HTM或无机 p型材料。 在一个优选的实施例中， H I L 或 HTL可以通过打印本发明的印刷油墨制备而成， 其中印刷油墨中包含有具有空穴传输能力 的功能材料， 特別是量子点或有机 HTM材料。
在另一个实施例中，按照本发明的发光器件进一步包含有一个电子注层（E I L)或电子传输 层（ETL) 1 05， 其中包含有如上所述的有机 ETM或无机 n型材料。在某些实施例中， E I L或 ETL 可以通过打印本发明的印刷油墨制备而成， 其中印刷油墨中包含有具有电子传输能力的功能 材料， 特別是量子点或有机 ETM材料。
本发明还涉及按照本发明的发光器件在各种场合的应用， 包括， 但不限于， 各种显示器 件， 背光源， 照明光源等。
下面将结合优选实施例对本发明进行了说明，但本发明并不局限于下述实施例，应当理解 所附权利要求概括了本发明的范围在本发明构思的引导下本领域的技术人员应意识到，对本 发明的各实施例所进行的一定的改变，都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖。 实施例：
实施例 1 : 蓝光量子点的制备（CdZnS/ZnS)
称取 0. 051 2g的 S和量取 2. 4mL十八烯 （ODE) 于 25mL的单口烧瓶中， 置于油锅中加热 至 80°C使 S溶解， 备用， 以下简称溶液 1 ; 称取 0. 1 280g的 S和量取 5mL油胺 （0A) 于 25mL 的单口烧瓶中， 置于油锅中加热至 90°C使 S溶解， 备用， 以下简称溶液 2 ;称量 0. 1 028gCdO 和 1 . 4680g的乙酸锌， 量取 5. 6mL的 0A 于 50mL的三口烧瓶中， 将三口烧瓶置于 150mL的加 热套中， 两边瓶口用胶塞塞住， 上方连接一个冷凝管， 再连接至双排管，加热至 150°C， 抽真 空 40m i n， 再通氮气； 用注射器将 1 2mL的 0DE加入到三口烧瓶中， 升温至 31 0°C时快速用注 射器将 1 . 92mL的溶液 1打进三口烧瓶中， 计时 1 2m ί n； 1 2m ί n—到， 用注射器将 4mL的溶液 2滴加至三口烧瓶中， 滴加速度大约为 0. 5mL /m i n，反应 3h， 停止反应， 立刻把三口烧瓶放 入水中冷却至 150°C ;
将过量的正己烷加入至三口烧瓶中，然后将三口烧瓶中的液体转移至多个 1 0mL的离心管 中， 离心， 除去下层沉淀， 重复三次； 在经过后处理 1 的液体中加入丙酮至有沉淀产生， 离 心， 除去上层清液， 留下沉淀； 再用正己烷溶解沉淀， 后加丙酮至有沉淀出来， 离心， 除去 上层清液， 留下沉淀， 重复三次； 最后用甲苯溶解沉淀， 转移至玻璃瓶中存储。 实施例 2 : 绿光量子点的制备（CdZnSeS/ZnS)
称量 0. 0079g的硒和 0. 1 1 22g的硫于 25mL的单口烧瓶中， 量取 2mL的三辛基磷 （T0P)， 通氮气，搅拌，备用， 以下简称溶液 1；称量 0. 01 28g的 CdO和 0. 3670g的乙酸锌，量取 2. 5mL 的 OA于 25mL的三口烧瓶中， 两边瓶口用胶塞塞住， 上方连接一个冷凝管， 再连接至双排管， 将三口烧瓶置于 50mL的加热套中， 抽真空通氮气， 加热至 150°C， 抽真空 30m i n， 注射 7. 5mL 的 ODE，再加热至 300°C快速注射 1 mL的溶液 1， 计时 1 0m i n ; 1 0m i n—到， 立刻停止反应， 将 三口烧瓶置于水中冷却。 往三口烧瓶中加入 5mL的正己烷， 然后就混合液加入至多个 10mL的离心管中， 加入丙酮 至有沉淀出来， 离心。 取沉淀， 除去上层清液， 用正己烷将沉淀溶解， 加入丙酮至有沉淀产 生， 离心。 重复三次。 最后的沉淀用少量的甲苯溶解， 转移至玻璃瓶中储存。 实施例 3: 红光量子点的制备（CdSe/CdS/ZnS)
1 mmol 的 Cd0 4 mmol 的 OA 和 20 ml 的 ODE 加入到 100 ml三口烧瓶中， 鼓氮气， 升 温至 300°C形成 Cd(0A)2前驱体. 在此温度下， 快速注入 0.25 mL 的溶有 0.25 mmol 的 Se 粉的 T0P。 反应液在此温度下反应 90秒， 生长得到约 3.5纳米的 CdSe核。 0.75 ol 的辛硫 醇在 300°C下逐滴加入到反应液中，反应 30分钟后生长约 1纳米厚的 CdS壳。 4 mmol的 Zn(0A)2 和 2 ml 的溶有 4 mmol 的 S 粉的 TBP 随后逐滴加入到反应液中， 用以生长 ZnS壳 （约 1纳 米）。 反应持续 10分钟后， 冷却至室温。
往三口烧瓶中加入 5mL的正己烷， 然后就混合液加入至多个 10mL的离心管中， 加入丙酮 至有沉淀出来， 离心。 取沉淀， 除去上层清液， 用正己烷将沉淀溶解， 加入丙酮至有沉淀产 生， 离心。 重复三次。 最后的沉淀用少量的甲苯溶解， 转移至玻璃瓶中储存。 实施例 4 ZnO纳米粒子的制备
将 1.475 g 醋酸锌溶于 62.5 mL甲醇中， 得到溶液 1。 将 0.74 g K0H溶于 32.5 mL甲醇 中， 得到溶液 2。 溶液 1升温至 60 °C， 激烈搅拌。 使用进样器将溶液 2逐滴滴加进溶液 1 滴加完成后， 该混合溶液体系在 60 °C下继续搅拌 2 小时。 移去加热源， 将溶液体系静置 2 小时。 采用 4500 rpm, 5 min的离心条件， 对反应溶液离心清洗三遍以上。 最终得到白色固 体为直径约 3 nm的 ZnO纳米粒子。 实施例 5: 含喹啉与 1-四氫萘酮的量子点印刷油墨的制备
分別称量喹啉 （5.7g) 与 1-四氫萘酮 （3.8g) 溶剂 （重量比为 60: 40)。 在小瓶内放入 搅拌子，清洗干净后转移至手套箱中。用丙酮将量子点从溶液中析出， 离心得到量子点固体。 在手套箱中称取 0.5g量子点固体， 加到小瓶中的喹啉溶剂中， 在 60°C温度下搅拌直至量子 点完全分散后， 继续加入 1-四氫萘酮溶剂， 得到混合溶液并持续搅拌直至量子点完全分散， 冷却至室温。 将得到的量子点溶液经 0.2 m PTFE滤膜过滤。 密封并保存。 实施例 6: 含苯乙酮与 3-异丙基联苯的 ZnO纳米粒子印刷油墨的制备
分別称量苯乙酮 （5.7g) 与 3-异丙基联苯 （3.8g) 溶剂 （重量比为 60: 40)。 在小瓶内 放入搅拌子， 清洗干净后转移至手套箱中。 在手套箱中称取 0.5gZnO纳米粒子固体， 加到小 瓶中的苯乙酮溶剂中， 在 60°C温度下搅拌直至 ZnO纳米粒子完全分散后， 继续加入 3-异丙基 联苯溶剂， 得到混合溶液并持续搅拌直至 ZnO纳米粒子完全分散， 冷却至室温。将得到的 ZnO 纳米粒子溶液经 0.2 m PTFE滤膜过滤。 密封并保存。 以下实施例中所涉及的有机功能材料均是可商业购得， 如吉林奥莱德（Ji l in 0LED Material Tech Co. , Ltd, www. j卜 o I ed. com)， 或按照文献报道的方法合成而得。 实施例 7: 含氯萘与 3-苯氧基甲苯的有机发光层材料印刷油墨的制备
在该实施例中， 发光层有机功能材料包含一种磷光主体材料和一种磷光发光体材料。 磷 光主体材料选自如下的咔唑衍生物： 磷光发光体材料选自如下
Figure imgf000038_0001
分別称量氯萘 （5. 88g) 与 3-苯氧基甲苯 （3. 92g) 溶剂 （重量比为 60 : 40)。 在小瓶内 放入搅拌子， 清洗干净后转移至手套箱中。 在手套箱中称取 0. 18g磷光主体材料和 0. 02g磷 光发光体材料， 加到小瓶中的氯萘溶剂中， 搅拌混合。 在 60°C温度下搅拌直至有机功能材料 完全溶解后，继续加入 3-苯氧基甲苯溶剂，得到混合溶液并持续搅拌直至有机材料完全溶解， 冷却至室温。 将得到的有机功能材料溶液经 0. 2 m PTFE滤膜过滤。 密封并保存。 实施例 8 : 含戊苯与异壬酸异壬酯的有机发光层材料印刷油墨的制备
在该实施例中， 发光层有机功能材料包含一种荧光主体材料和一种荧光发光体材料。 荧光主体材料选自如下的
荧光发光体材料选自如
Figure imgf000038_0002
分別称量戊苯 （5. 88g) 与异壬酸异壬酯 （3. 92g ) 溶剂 （重量比为 60 : 40)。 在小瓶内 放入搅拌子， 清洗干净后转移至手套箱中。 在手套箱中称取 0. 19g荧光主体材料和 0. 01 g荧 光发光体材料， 加到小瓶中的戊苯溶剂中， 搅拌混合。 在 60°C温度下搅拌直至有机功能材料 完全溶解后，继续加入异壬酸异壬酯溶剂，得到混合溶液并持续搅拌直至有机材料完全溶解， 冷却至室温。 将得到的有机功能材料溶液经 0. 2 m PTFE滤膜过滤。 密封并保存。 实施例 9 : 含 3-苯氧基甲苯与环丁砜的有机发光层材料印刷油墨的制备
在该实施例中， 发光层有机功能材料包含一种主体材料和一种 TADF材料。
主体材料选自如下结构的化合物： TADF材料选自如下结构
Figure imgf000039_0001
分別称量 3-苯氧基甲苯 （5.88g) 与环丁砜 （3.92g) 溶剂 （重量比为 60: 40)。 在小瓶 内放入搅拌子， 清洗干净后转移至手套箱中。 在手套箱中称取 0.18g主体材料和 0.02g TADF 材料， 加到小瓶中的 3-苯氧基甲苯溶剂中， 搅拌混合。在 60°C温度下搅拌直至有机功能材料 完全溶解后， 继续加入环丁砜溶剂， 得到混合溶液并持续搅拌直至有机材料完全溶解， 冷却 至室温。 将得到的有机功能材料溶液经 0.2 m PTFE滤膜过滤。 密封并保存。 实施例 10: 含四氫萘与十二烷基苯的空穴传输材料印刷油墨的制备
在该实施例中， 印刷油墨包含一种具有空穴传输能力的空穴传输层材料。
空穴传输材料选自如下的三
Figure imgf000039_0002
分別称量四氫萘 （5.88g) 与十二烷基苯 （3.92g) 溶剂 （重量比为 60: 40)。 在小瓶内 放入搅拌子， 清洗干净后转移至手套箱中。 在手套箱中称取 0.2g空穴传输材料， 加到小瓶中 的四氫萘溶剂中， 搅拌混合。 在 60°C温度下搅拌直至有机功能材料完全溶解后， 继续加入十 二烷基苯溶剂， 得到混合溶液并持续搅拌直至有机材料完全溶解， 冷却至室温。 将得到的有 机功能材料溶液经 0.2 m PTFE滤膜过滤。 密封并保存。 实施例 11： 粘度及表面张力测试
功能材料油墨的粘度由 DV-I Prime Brookf ield流变仪测试； 功能材料油墨的表面张力 由 SITA气泡压力张力仪测试。
经上述测试，实施例 5得到的功能材料油墨的粘度为 6.3+0.5 cPs，表面张力为 43.2+0.3 dyne/cm。
经上述测试，实施例 6得到的功能材料油墨的粘度为 4.7+0.3 cPs，表面张力为 36.2+0.3 dyne/cm。
经上述测试，实施例 7得到的功能材料油墨的粘度为 4.2+0.3 cPs，表面张力为 39.6+0.5 dyne/cm。

Claims

经上述测试，实施例 8得到的功能材料油墨的粘度为 3. 8+0. 3 cPs，表面张力为 29. 1 +0. 3 dyne/cm。
经上述测试，实施例 9得到的功能材料油墨的粘度为 6. 7+0. 5 cPs，表面张力为 35. 9+0. 5 dyne/cm。
经上述测试， 实施例 1 0 得到的功能材料油墨的粘度为 3. 6±0. 5 cPs , 表面张力为
33. 1 +0. 5 dyne/cm。
利用上述制备的基于两种有机溶剂体系的包含功能材料的印刷油墨， 通过喷墨打印的方 式， 可制备发光二极管中的功能层， 如发光层和电荷传输层， 具体步骤如下。
将包含功能材料的油墨装入油墨桶中， 油墨桶装配于喷墨打印机， 如 D ί mat ί X Mater i a l s Pr i nter DMP-3000 (Fuj i f i l m) 0 调节喷射油墨的波形、 脉冲时间和电压， 使油墨喷射达到 最优， 且实现油墨喷射范围的稳定化。在制备功能材料薄膜为发光层的有机发光二极管 /量子 点发光二极管 （0LED/QLED) 器件时， 按照如下技术方案： 0LED/QLED的基板为溅射有氧化铟 锡 （I T0) 电极图案的 0. 7 國厚的玻璃。 在 I T0上使像素界定层图案话， 形成内部用于沉积 打印油墨的孔。 然后将 H I L/HTL材料喷墨打印至该孔中， 真空环境下高温干燥移除溶剂， 得 到 H I L/HTL薄膜。 此后， 将包含发光功能材料的印刷油墨喷墨打印到 H I L/HTL薄膜上， 真空 环境下高温干燥移除溶剂， 得到发光层薄膜。 随后将包含有电子传输性能的功能材料的印刷 油墨喷墨打印到发光层薄膜上， 真空环境下高温干燥移除溶剂， 形成电子传输层（ETL)。在使 用有机电子传输材料时， ETL也可通过真空热蒸镀而成。 然后 A I 阴极通过真空热蒸镀而成， 最后封装完成 0LED/QLED器件制备。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的組合， 为使描述简洁， 未对上述实施例中 的各个技术特征所有可能的組合都进行描述， 然而， 只要这些技术特征的組合不存在矛盾， 都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式， 其描述较为具体和详细， 但并不能因 此而理解为对发明专利范围的限制。 应当指出的是， 对于本领域的普通技术人员来说， 在不 脱离本发明构思的前提下， 还可以做出若干变形和改进， 这些都属于本发明的保护范围。 因 此， 本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求书
1、一种印刷油墨組合物， 其特征在于， 包含功能材料和溶剂， 所述溶剂可从所述印刷油 墨組合物中蒸发以形成功能材料薄膜；
所述溶剂至少由两种有机溶剂混合而成， 所述两种有机溶剂为第一溶剂和第二溶剂， 所 述第一溶剂和所述第二溶剂互溶， 所述第一溶剂和所述第二溶剂中至少一种有机溶剂的沸点 ^ 1 60 ° C， 所述第二溶剂的表面张力小于所述第一溶剂， 且所述第二溶剂的粘度大于所述第 一溶剂， 所述第一溶剂和所述第二溶剂的表面张力差至少为 2 dyne/cm, 所述第二溶剂和所 述第一溶剂的粘度差至少为 2 cPs。
2、 根据权利要求 1所述的印刷油墨組合物， 其特征在于， 25°C的条件下， 所述第一溶剂 以及所述第二溶剂中至少一种的表面张力为 19dyne/cm〜50 dyne/cm。
3、 根据权利要求 1所述的印刷油墨組合物， 其特征在于， 25°C的条件下， 所述第一溶剂 以及所述第二溶剂中至少一种的粘度为 1 cps〜1 00cps。
4、 根据权利要求 1 -3任一项所述的印刷油墨組合物， 其特征在于， 所述第一溶剂占所述 溶剂的总重量的 30%~90%， 所述第二溶剂占所述溶剂的总重量的 1 0%~70%。
5、 根据权利 1 -3任一项所述的印刷油墨組合物， 其特征在于， 所述第一溶剂或所述第二 溶剂各自独立地选自：取代或未取代的芳族溶剂、取代或未取代的杂芳族溶剂、芳族酮溶剂、 芳族醚溶剂、 酯溶剂、 直链脂肪族溶剂、 脂环族溶剂、 脂肪族酮溶剂、 脂肪族醚溶剂、 醇溶 剂或无机酯溶剂。
6、 根据权利要求 5所述的印刷油墨組合物， 其特征在在于， 所述取代或未取代的芳族溶 剂或选自： 对二异丙基苯、 戊苯、 四氫萘、 环己基苯、 氯萘、 1，4 -二甲基萘、 3_异丙基联苯、 对甲基异丙苯、 二戊苯、 邻二乙苯、 间二乙苯、 对二乙苯、 1，2，3，4 -四甲苯、 1，2，3，5 -四甲 苯、 1， 2， 4， 5 -四甲苯、 丁苯、 十二烷基苯、 1 -甲基萘、 1， 2， 4 -三氯苯、 1，3-二丙氧基苯、 4， 4_ 二氟二苯甲烷、 1， 2-二甲氧基 -4- ( 1 -丙烯基）苯、二苯甲烷、 N-甲基二苯胺、 4-异丙基联苯、 α、 α -二氯二苯甲烷、 苯甲酸苄酯、 1，1 -双 （3， 4_二甲基苯基） 乙烷、 2 -异丙基萘、 二苄醚 或 2-异丙基萘；
所述取代或未取代的杂芳族溶剂选自： 2 -苯基吡啶、 3 -苯基吡啶、 4_ (3 -苯基丙基）吡啶、 喹啉、 异喹啉、 8-羟基喹啉、 2-呋喃甲酸甲酯或 2-呋喃甲酸乙酯；
所述芳族酮溶剂选自：1 -四氫萘酮、 2 -四氫萘酮、 苯乙酮、 苯丙酮或二苯甲酮； 所述 1 _ 四氫萘酮或 2 -四氫萘酮各自独立地任选被脂肪族基、 芳基、 杂芳基或 素的取代基取代； 所 述苯乙酮、 苯丙酮或二苯甲酮各自独立地任选被甲基取代；
所述芳族醚溶剂选自：3-苯氧基甲苯、 丁氧基苯、 苄基丁基苯、 对茴香醛二甲基乙縮醛、 四氫- 2_苯氧基 _2H_吡喃、 1，2_二甲氧基_4_ ( 1 -丙烯基） 苯、 1，4_苯并二噁烷、 1，3_二丙基 苯、 2， 5 -二甲氧基甲苯、 4_乙基本乙醚、 1 , 2, 4_三甲氧基苯、 4_ (1 _丙烯基）_1， 2_二甲氧基苯、 1， 3-二甲氧基苯、 縮水甘油基苯基醚、 二苄基醚、 4-叔丁基茴香醚、 反式 -对丙烯基茴香醚、 1， 2-二甲氧基苯、 1 -甲氧基萘、二苯醚、2-苯氧基甲醚、 2-苯氧基四氫呋喃或乙基 -2-萘基醚； 所述酯溶剂选自：辛酸烷酯、 癸二酸烷酯、 硬脂酸烷酯、 苯甲酸烷酯、 苯乙酸烷酯、 肉桂 酸烷酯、 草酸烷酯、 马来酸烷酯、 烷内酯或油酸烷酯；
所述脂环族溶剂选自：四氫萘、 环己基苯、 十氫化萘、 2 -苯氧基四氫呋喃、 1，1 ' -双环己 烷、 丁基环己烷、 松香酸乙酯、 松香酸苄酯、 乙二醇碳酸酯、 氧化苯乙烯、 异佛尔酮、 3，3，5- 三甲基环己酮、 环庚酮、 葑酮、 1 -四氫萘酮、 2 -四氫萘酮、 2_ (苯基环氧）四氫萘酮、 6_ (甲氧 基）四氫萘酮、 γ -丁内酯、 γ -戊内酯、 6 -己内酯、 N，N -二乙基环己胺、 环丁砜或 2， 4 -二甲 基环丁碼； 所述脂肪族酮溶剂选自： 2-壬酮、 3-壬酮、 5-壬酮、 2-癸酮、 2，5-己二酮、 二正戊基酮、 佛尔酮、 异佛尔酮、 2， 6， 8-三甲基 -4-壬酮、 樟脑或葑酮；
所述脂肪族醚溶剂选自：戊醚、 己醚、 二辛醚、 乙二醇二丁醚、 二乙二醇二乙醚、 二乙二 醇丁基甲醚、 二乙二醇二丁醚、 三乙二醇二甲醚、 三乙二醇乙基甲醚、 三乙二醇丁基甲醚、 三丙二醇二甲醚或四乙二醇二甲醚；
所述无机酯溶剂选自：硼酸三丁酯、硼酸三戊酯、磷酸三甲酯、磷酸三乙酯、磷酸三丁酯、 磷酸三 （2 -乙基己基） 酯、 磷酸三苯酯、 磷酸二乙酯、 磷酸二丁酯或磷酸二 （2 -乙基己基） 酯。
7、根据权利要求 6所述的印刷油墨組合物， 其特征在于， 所述第二溶剂为 1 -四氫萘酮， 所述第一溶剂为喹啉或异喹啉；
或者所述第二溶剂为 3-苯氧基甲苯， 所述第一溶剂选自： 氯萘、 氧化苯乙烯、 喹啉或异 。奎淋；
或者所述第二溶剂为 3-异丙基联苯， 所述第一溶剂选自： 3-苯氧基甲苯、 苯乙酮、 四氫 萘、 氯萘、 1， 4 -二甲基萘、 1 -甲基萘、 二苯醚、 二苯甲烷、 2 -异丙基萘、 氧化苯乙烯、 喹啉 或异喻1林；
或者所述第二溶剂为异壬酸异壬酯， 所述第一溶剂选自： 3-苯氧基甲苯、苯乙酮、戊苯、 四氫萘、 环己基苯、 氯萘、 邻二乙苯、 十二烷基苯、 二苯醚、 二苯甲烷、 2 -异丙基苯、 辛酸 辛酯、 1，1 -双环己烷、 丁内酯、 异佛尔酮、 环庚酮或磷酸三乙酯；
或者所述第二溶剂为环丁砜， 所述第一溶剂选自： 3-苯氧基甲苯、 苯乙酮、 氯萘、 1，4- 二甲基萘、 1 -甲基萘、 二苯醚、 乙二醇碳酸酯、 喹啉或异喹啉；
或者所述第二溶剂为十二烷基苯， 所述第一溶剂选自： 苯乙酮、 四氫萘、 氯萘、 1 -甲基 萘、 二苯甲烷、 丁内酯、 异佛尔酮或异喹啉；
或者所述第二溶剂为 2， 4-二甲基环丁砜， 所述第一溶剂选自： 3-苯氧基甲苯、 苯乙酮、 戊苯、 环己基苯、 氯萘、 二乙苯、 二甲苯、 二氯苯、 十二烷基苯、 三氯苯、 二苯醚、 二苯甲 烷、 2 -异丙基萘、 1，1 -双环己烷、 丁内酯、 环庚酮、 喹啉、 异喹啉或磷酸三乙酯。
8、根据权利要求 7所述的印刷油墨組合物， 其特征在于， 所述第二溶剂为 1 -四氫萘酮， 所述第一溶剂为喹啉；
或者所述第二溶剂为 3-苯氧基甲苯， 所述第一溶剂为氯萘；
或者所述第二溶剂为 3-异丙基联苯， 所述第一溶剂为苯乙酮；
或者所述第二溶剂为异壬酸异壬酯， 所述第一溶剂为戊苯；
或者所述第二溶剂为环丁砜， 所述第一溶剂为 3-苯氧基甲苯；
或者所述第二溶剂为十二烷基苯， 所述第一溶剂为四氫萘。
9、 根据权利要求 7或 8所述的印刷油墨組合物， 其特征在于， 所述第一溶剂和所述第二 溶剂的重量比为 40 : 60〜80： 20。
10、 根据权利要求 1 所述的印刷油墨組合物， 其特征在于， 所述溶剂还包括： 甲醇、 乙 醇、 2_甲氧基乙醇、 二氯甲烷、 三氯甲烷、 氯苯、 邻二氯苯、 四氫呋喃、 苯甲醚、 吗啉、 甲 苯、邻二甲苯、 间二甲苯、对二甲苯、 1， 4二氧杂环己烷、 丙酮、 甲基乙基酮、 1， 2二氯乙烷、 3 - 苯氧基甲苯、 1，1，1 -三氯乙烷、 1， 1， 2， 2 -四氯乙烷、 醋酸乙酯、 醋酸丁酯、 二甲基甲酰 胺、 二甲基乙酰胺、 二甲基亚砜、 四氫萘、 萘烷、 茚或其混合物。
1 1、 根据权利要求 1 所述的印刷油墨組合物， 其特征在于， 所述功能材料的重量百分比 为 0. 3%~30%， 所述溶剂的重量百分比为 70%~99. 7%c 12、 根据权利要求 1 所述的印刷油墨組合物， 其特征在于， 所述功能材料为无机纳米材 料或有机功能材料。
13、 根据权利要求 1 所述的印刷油墨組合物， 其特征在于， 所述的无机纳米材料是量子 点材料， 所述量子点材料的粒径具有单分散的尺寸分布， 所述量子点材料的形状选自球形、 立方体、 棒状或支化结构。
14、 根据权利要求 13所述的印刷油墨組合物， 其特征在于， 所述量子点材料为半导体纳 米晶体； 所述半导体纳米晶体包括至少一种半导体材料； 所述半导体材料选自： 元素周期表 IV族、 I卜 VI族、 I卜 V族、 I I卜 V族、 I I卜 VI族、 IV- VI族、 I-I I卜 VI族、 I卜 IV- VI族、 I ι-ιν-ν 族二元或多元半导体化合物或其混合物。
15、 根据权利要求 14所述的印刷油墨組合物， 其特征在于， 其特征在于， 所述无机纳米 材料选自钙钛矿纳米材料、 金属纳米粒子材料、 金属氧化物纳米粒子材料或其混合物。
16、 根据权利要求 12所述的印刷油墨組合物， 其特征在于， 所述有机功能材料包括： 空 穴注入材料、 空穴传输材料、 电子传输材料、 电子注入材料、 电子阻挡材料、 空穴阻挡材料、 发光体、 主体材料及有机染料中的一种或多种。
17、 根据权利要求 16所述的印刷油墨組合物， 其特征在于， 所述有机功能材料包含有至 少一种主体材料和至少一种发光体。
18、 一种制备权利要求 1Ί7中任一项所述的印刷油墨組合物的方法， 包括如下工序：
1) 使所述功能材料中的任一固体成分溶解到所述第一溶剂的工序， 和
2) 向溶解有所述的固体成分的所述第一溶剂中加入所述第二溶剂形成混合溶液的工序。
19、一种电子器件， 其特征在于， 包括功能层， 所述功能层是由权利要求 1Ί7中任一项 所述的印刷油墨組合物所形成的功能材料薄膜。
PCT/CN2017/112702 2016-11-23 2017-11-23 印刷油墨组合物及其制备方法和用途 WO2018095381A1 (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/463,526 US11248138B2 (en) 2016-11-23 2017-11-23 Printing ink formulations, preparation methods and uses thereof
EP17874763.0A EP3546532B1 (en) 2016-11-23 2017-11-23 Printing ink composition, preparation method therefor, and uses thereof
CN201780059200.6A CN109790407B (zh) 2016-11-23 2017-11-23 印刷油墨组合物及其制备方法和用途

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611051757.9 2016-11-23
CN201611051757 2016-11-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018095381A1 true WO2018095381A1 (zh) 2018-05-31

Family

ID=62195731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2017/112702 WO2018095381A1 (zh) 2016-11-23 2017-11-23 印刷油墨组合物及其制备方法和用途

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11248138B2 (zh)
EP (1) EP3546532B1 (zh)
CN (1) CN109790407B (zh)
WO (1) WO2018095381A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108727896A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 Tcl集团股份有限公司 无机纳米材料印刷油墨及其制备方法
CN110144139A (zh) * 2019-04-15 2019-08-20 纳晶科技股份有限公司 一种氧化锌基纳米颗粒墨水以及光电器件
WO2019212022A1 (ja) * 2018-05-01 2019-11-07 三菱ケミカル株式会社 組成物、および有機電界発光素子の製造方法
CN110797466A (zh) * 2018-08-02 2020-02-14 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 电子传输层墨水及其制作方法和应用
CN111384268A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管的制备方法及量子点墨水
CN112210247A (zh) * 2019-07-09 2021-01-12 精工爱普生株式会社 溶剂型墨组合物

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190130568A (ko) * 2017-03-21 2019-11-22 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 유기 반도체 조성물, 유기 박막 및 유기 박막 트랜지스터
CN107833976A (zh) * 2017-10-24 2018-03-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Qled器件的制作方法及qled器件
CN111384307B (zh) * 2018-12-29 2021-04-09 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管的制备方法
JP7523213B2 (ja) * 2019-11-11 2024-07-26 ＪＤＩ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ 合同会社 機能層形成用インクおよび自発光素子の製造方法
CN113122060A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 墨水和量子点薄膜的制备方法
CN115436543A (zh) * 2022-10-14 2022-12-06 中核四0四有限公司 一种料液中磷酸二丁酯含量的测量方法

Citations (147)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3567450A (en) 1968-02-20 1971-03-02 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing substituted triarylamine photoconductors
US3615404A (en) 1968-04-25 1971-10-26 Scott Paper Co 1 3-phenylenediamine containing photoconductive materials
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
US5121029A (en) 1987-12-11 1992-06-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescence device having an organic electroluminescent element
US5130603A (en) 1989-03-20 1992-07-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JPH0853397A (ja) 1994-08-12 1996-02-27 Toyo Ink Mfg Co Ltd ジアリールアミン誘導体、その製造方法及び用途
JP2913116B2 (ja) 1990-11-20 1999-06-28 株式会社リコー 電界発光素子
US5962631A (en) 1995-07-28 1999-10-05 The Dow Chemical Company 2, 7-aryl-9-substituted fluorenes and 9-substituted fluorene oligomers and polymers
US6020078A (en) 1998-12-18 2000-02-01 Eastman Kodak Company Green organic electroluminescent devices
WO2000070655A2 (en) 1999-05-13 2000-11-23 The Trustees Of Princeton University Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence
US6207229B1 (en) 1997-11-13 2001-03-27 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color-selective materials and method of making thereof
WO2001021729A1 (fr) 1999-09-21 2001-03-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Support organique a electroluminescence et support organique lumineux
WO2001041512A1 (en) 1999-12-01 2001-06-07 The Trustees Of Princeton University Complexes of form l2mx as phosphorescent dopants for organic leds
US6251531B1 (en) 1995-02-25 2001-06-26 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted
US6251303B1 (en) 1998-09-18 2001-06-26 Massachusetts Institute Of Technology Water-soluble fluorescent nanocrystals
US20010053462A1 (en) 2000-05-02 2001-12-20 Masayuki Mishima Light-emitting device
WO2002002714A2 (en) 2000-06-30 2002-01-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
WO2002015645A1 (en) 2000-08-11 2002-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
EP1191612A2 (en) 2000-09-26 2002-03-27 Canon Kabushiki Kaisha Luminescence device, display apparatus and metal coordination compound
EP1191614A2 (en) 2000-09-26 2002-03-27 Canon Kabushiki Kaisha Luminescence device and metal coordination compound therefor
EP1191613A2 (en) 2000-09-26 2002-03-27 Canon Kabushiki Kaisha Luminescence device, display apparatus and metal coordination compound
US6426513B1 (en) 1998-09-18 2002-07-30 Massachusetts Institute Of Technology Water-soluble thiol-capped nanocrystals
WO2003020790A2 (de) 2001-09-04 2003-03-13 Covion Organic Semiconductors Gmbh Konjugierte polymere enthaltend spirobifluoren-einheiten und deren verwendung
US6576291B2 (en) 2000-12-08 2003-06-10 Massachusetts Institute Of Technology Preparation of nanocrystallites
WO2003051092A1 (en) 2001-12-12 2003-06-19 Canon Kabushiki Kaisha [5] helicene AND dibenzofluorene MATERIALS FOR USE IN ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICES
US6607829B1 (en) 1997-11-13 2003-08-19 Massachusetts Institute Of Technology Tellurium-containing nanocrystalline materials
EP1345477A2 (de) 2002-03-15 2003-09-17 Basf Aktiengesellschaft Polymere auf Basis von Fluoranthen und ihre Verwendung
EP1344788A1 (en) 2002-03-15 2003-09-17 Sumitomo Chemical Company, Limited Conjugated polymer comprising dibenzothiophene- or dibenzofuran-units and their use in polymer LEDs
WO2003097904A1 (en) 2002-05-15 2003-11-27 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Method for producing inorganic semiconductor nanocrystalline rods and their use
JP2003338375A (ja) 2002-03-14 2003-11-28 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
WO2003099901A1 (fr) 2002-05-28 2003-12-04 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymere et element luminescent polymere contenant ce polymere
US20040076853A1 (en) 2002-04-24 2004-04-22 Eastman Kodak Company Organic light-emitting diode devices with improved operational stability
WO2004041901A1 (en) 2002-11-08 2004-05-21 Covion Organic Semiconductors Gmbh Aryl-substituted polyindenofluorenes for use in organic electroluminiscent devices
US6824895B1 (en) 2003-12-05 2004-11-30 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing organometallic compound with tridentate ligand
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
CN1180049C (zh) 1999-08-31 2004-12-15 剑桥显示技术有限公司 沉积聚合物层的方法
US6835469B2 (en) 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
WO2004113412A2 (en) 2003-06-23 2004-12-29 Covion Organic Semiconductors Gmbh Polymer
CN1583691A (zh) 2004-06-04 2005-02-23 友达光电股份有限公司 蒽化合物以及包括此蒽化合物的有机电致发光装置
WO2005019373A2 (de) 2003-08-19 2005-03-03 Basf Aktiengesellschaft Übergangsmetallkomplexe mit carbenliganden als emitter für organische licht-emittierende dioden (oleds)
WO2005033244A1 (de) 2003-09-29 2005-04-14 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
WO2005033174A1 (ja) 2003-10-01 2005-04-14 Sumitomo Chemical Company, Limited 高分子発光材料および高分子発光素子
JP2005108556A (ja) 2003-09-29 2005-04-21 Tdk Corp 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌディスプレイ
WO2005056633A1 (ja) 2003-12-12 2005-06-23 Sumitomo Chemical Company, Limited 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
US6921496B2 (en) 2000-03-20 2005-07-26 Massachusetts Institute Of Technology Inorganic particle conjugates
JP2005285661A (ja) 2004-03-30 2005-10-13 Tdk Corp 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌディスプレイ
WO2005104264A1 (de) 2004-04-26 2005-11-03 Merck Patent Gmbh Elektrolumineszierende polymere und deren verwendung
US20050258742A1 (en) 2004-05-18 2005-11-24 Yui-Yi Tsai Carbene containing metal complexes as OLEDs
KR20050121443A (ko) 2004-06-22 2005-12-27 학교법인 포항공과대학교 유기물로 표면처리된 반도체 나노막대
WO2006000389A1 (de) 2004-06-26 2006-01-05 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische vorrichtungen
WO2006000388A1 (de) 2004-06-26 2006-01-05 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtung
US7029766B2 (en) 2003-12-05 2006-04-18 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
WO2006052457A2 (en) 2004-11-03 2006-05-18 Sumation Co.Ltd. New class of bridged biphenylene polymers
WO2006058737A1 (de) 2004-12-01 2006-06-08 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische vorrichtungen
WO2006062226A1 (ja) 2004-12-07 2006-06-15 Sumitomo Chemical Company, Limited 高分子材料およびそれを用いた素子
US20060210830A1 (en) 2005-03-15 2006-09-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
US20060222886A1 (en) 2005-04-04 2006-10-05 Raymond Kwong Arylpyrene compounds
WO2006114364A1 (de) 2005-04-28 2006-11-02 Basf Aktiengesellschaft Synthese von phenylsubstituierten polyfluoranthenen und ihre verwendung
WO2006118345A1 (ja) 2005-04-28 2006-11-09 Sumitomo Chemical Company, Limited 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
WO2006122630A1 (de) 2005-05-20 2006-11-23 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische vorrichtungen
US7150910B2 (en) 2001-11-16 2006-12-19 Massachusetts Institute Of Technology Nanocrystal structures
WO2006134599A1 (en) 2005-06-15 2006-12-21 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Iii-v semiconductor core-heteroshell nanocrystals
JP2007059939A (ja) 2001-08-31 2007-03-08 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機発光素子及び表示装置
US20070087219A1 (en) 2005-10-19 2007-04-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device
WO2007043495A1 (ja) 2005-10-07 2007-04-19 Sumitomo Chemical Company, Limited 共重合体およびそれを用いた高分子発光素子
US20070092753A1 (en) 2005-10-26 2007-04-26 Eastman Kodak Company Organic element for low voltage electroluminescent devices
WO2007065549A1 (de) 2005-12-08 2007-06-14 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102005058557A1 (de) 2005-12-08 2007-06-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
US7250532B2 (en) 2001-03-16 2007-07-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Method for producing aromatic amino compound
US7250226B2 (en) 2001-08-31 2007-07-31 Nippon Hoso Kyokai Phosphorescent compound, a phosphorescent composition and an organic light-emitting device
JP2007197574A (ja) 2006-01-26 2007-08-09 Showa Denko Kk 高分子発光材料、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
WO2007092606A2 (en) 2006-02-09 2007-08-16 Qd Vision, Inc. Displays including semiconductor nanocrystals and methods of making same
JP2007211243A (ja) 2007-02-07 2007-08-23 Showa Denko Kk 重合性化合物の重合体
WO2007095118A2 (en) 2006-02-10 2007-08-23 Universal Display Corporation METAL COMPLEXES OF CYCLOMETALLATED IMIDAZO[1,2-f]PHENANTHRIDINE AND DIIMIDAZO[1,2-A:1',2'-C]QUINAZOLINE LIGANDS AND ISOELECTRONIC AND BENZANNULATED ANALOGS THEREOF
US20070208567A1 (en) 2006-03-01 2007-09-06 At&T Corp. Error Correction In Automatic Speech Recognition Transcripts
US20070225402A1 (en) 2006-03-24 2007-09-27 Choi Jae Young Ultraviolet luminescent ink and security system using the same
WO2007117672A2 (en) 2006-04-07 2007-10-18 Qd Vision, Inc. Methods of depositing nanomaterial & methods of making a device
WO2007115610A1 (de) 2006-04-01 2007-10-18 Merck Patent Gmbh Materialen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2007120877A2 (en) 2006-04-14 2007-10-25 Qd Vision, Inc. Transfer surface for manufacturing a light emitting device
US20070252517A1 (en) 2006-04-27 2007-11-01 Eastman Kodak Company Electroluminescent device including an anthracene derivative
WO2007140847A1 (de) 2006-06-02 2007-12-13 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2007143197A2 (en) 2006-06-02 2007-12-13 Qd Vision, Inc. Light-emitting devices and displays with improved performance
WO2008006449A1 (de) 2006-07-11 2008-01-17 Merck Patent Gmbh Neue materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
US20080027220A1 (en) 2004-07-16 2008-01-31 Merck Patent Gmbh Metal Complexes
WO2008013366A1 (en) 2006-07-26 2008-01-31 Kwang Pil Mun Gas exhausting device of cylinder for injection molding
WO2008033388A2 (en) 2006-09-12 2008-03-20 Qd Vision, Inc. A composite including nanoparticles, methods, and products including a composite
CN101180370A (zh) * 2005-05-20 2008-05-14 住友化学株式会社 聚合物组合物和使用该聚合物组合物的高分子发光器件
US20080113101A1 (en) 2006-11-09 2008-05-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic-electroluminescence-material-containing solution, method for forming thin film of organic electroluminescence material, thin film of organic electroluminescence material and organic electroluminescence device
WO2008063652A1 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Blue emitting semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
WO2008063653A1 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
WO2008070028A2 (en) 2006-12-01 2008-06-12 Qd Vision, Inc. Improved composites and devices including nanoparticles
CN101222021A (zh) * 2001-02-28 2008-07-16 剑桥显示技术有限公司 供沉积在基材上的材料配方和方法
WO2008085210A2 (en) 2006-09-12 2008-07-17 Qd Vision, Inc. Electroluminescent display useful for displaying a predetermined pattern
US20080169753A1 (en) 2007-01-11 2008-07-17 Motorola, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US20080188063A1 (en) 2002-09-10 2008-08-07 The Regents Of The University Of California GRADED CORE/SHELL SEMICONDUCTOR NANORODS and NANOROD BARCODES
WO2008105792A2 (en) 2006-06-24 2008-09-04 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, methods for fabricating an array of devices and compositions
WO2008108798A2 (en) 2006-06-24 2008-09-12 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, and methods for fabricating an array of devices
WO2008111947A1 (en) 2006-06-24 2008-09-18 Qd Vision, Inc. Methods and articles including nanomaterial
US20080277626A1 (en) 2006-05-23 2008-11-13 Evident Technologies, Inc. Quantum dot fluorescent inks
US20090053522A1 (en) 2006-01-30 2009-02-26 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Triple-layer semiconductor nanoparticle and triple-layer semiconductor nanorod
US20090061681A1 (en) 2007-09-05 2009-03-05 Mcmunigal Tom Electrical receptacle assembly
US20090130296A1 (en) 2007-11-15 2009-05-21 Universal Display Corporation Fabrication of Organic Electronic Devices by Ink-Jet Printing at Low Temperatures
US20090134784A1 (en) 2004-10-21 2009-05-28 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
WO2009118087A1 (de) 2008-03-25 2009-10-01 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
WO2009146770A2 (de) 2008-06-05 2009-12-10 Merck Patent Gmbh Elektronische vorrichtung enthaltend metallkomplexe
WO2010015307A1 (de) 2008-08-04 2010-02-11 Merck Patent Gmbh Elektronische vorrichtung enthaltend metallkomplexe mit isonitrilliganden
WO2010031485A1 (de) 2008-09-22 2010-03-25 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2010054728A1 (de) 2008-11-13 2010-05-20 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2010054731A1 (de) 2008-11-13 2010-05-20 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2010086089A1 (de) 2009-02-02 2010-08-05 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
WO2010099852A1 (de) 2009-03-02 2010-09-10 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe mit azaborol-liganden und elektronische vorrichtung damit
WO2010102709A1 (de) 2009-03-13 2010-09-16 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
US20100265307A1 (en) 2007-06-25 2010-10-21 Linton John R Compositions and methods including depositing nanomaterial
US20100264371A1 (en) 2009-03-19 2010-10-21 Nick Robert J Composition including quantum dots, uses of the foregoing, and methods
CN101878535A (zh) 2007-11-30 2010-11-03 纳米技术有限公司 纳米粒子材料的制备
WO2010135519A1 (en) 2009-05-20 2010-11-25 Universal Display Corporation Metal complexes with boron-nitrogen heterocycle containing ligands for use in organic light emitting devices
DE102009023156A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Polymere, die substituierte Indenofluorenderivate als Struktureinheit enthalten, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung
DE102009023154A1 (de) 2009-05-29 2011-06-16 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung, enthaltend mindestens eine Emitterverbindung und mindestens ein Polymer mit konjugationsunterbrechenden Einheiten
CN102124588A (zh) 2008-07-21 2011-07-13 剑桥显示技术有限公司 用于制造发光器件的组合物和方法
WO2011110277A1 (en) 2010-03-11 2011-09-15 Merck Patent Gmbh Fibers in therapy and cosmetics
WO2011157339A1 (de) 2010-06-15 2011-12-22 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
WO2012007087A1 (de) 2010-07-16 2012-01-19 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
WO2012007088A1 (de) 2010-07-16 2012-01-19 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
WO2012007086A1 (de) 2010-07-16 2012-01-19 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
CN102408776A (zh) 2010-08-24 2012-04-11 精工爱普生株式会社 成膜用油墨、成膜方法、液滴喷出装置、发光元件的制造方法、发光元件、发光装置及电子设备
US20120205637A1 (en) 2009-02-11 2012-08-16 Universal Display Corporation Liquid compositions for inkjet printing of organic layers or other uses
US20120217869A1 (en) 2011-02-28 2012-08-30 Kyushu University National University Corporation Delayed fluorescence material and organic electroluminescence device
TW201309696A (zh) 2011-07-15 2013-03-01 Univ Kyushu Nat Univ Corp 延遲螢光材料及使用其之有機電致發光元件
TW201309778A (zh) 2011-07-15 2013-03-01 Univ Kyushu Nat Univ Corp 有機電致發光元件及使用於其之化合物
CN103173060A (zh) 2011-12-20 2013-06-26 精工爱普生株式会社 成膜用油墨、成膜方法、发光元件的制造方法、发光元件、发光装置以及电子设备
WO2013133359A1 (ja) 2012-03-09 2013-09-12 国立大学法人九州大学 発光材料および有機発光素子
TW201340370A (zh) 2012-02-15 2013-10-01 Qd Vision Inc 量子點墨水之加工方法
WO2013154064A1 (ja) 2012-04-09 2013-10-17 国立大学法人九州大学 有機発光素子ならびにそれに用いる発光材料および化合物
TW201343874A (zh) 2012-04-25 2013-11-01 Univ Kyushu Nat Univ Corp 發光材料及有機發光元件
TW201350558A (zh) 2012-05-17 2013-12-16 Univ Kyushu Nat Univ Corp 化合物、發光材料及有機發光元件
CN103483332A (zh) 2013-09-11 2014-01-01 中山大学 具有热激活延迟荧光和聚集诱导发光性能的新型压致发光材料及其合成方法和应用
US20140097406A1 (en) 2012-10-04 2014-04-10 Universal Display Corporation Aryloxyalkylcarboxylate solvent compositions for inkjet printing of organic layers
CN103824959A (zh) 2012-11-16 2014-05-28 精工爱普生株式会社 功能层形成用油墨、油墨容器、喷出装置、功能层的形成方法、有机el 元件的制造方法、发光装置、电子设备
US8765014B2 (en) 2008-01-14 2014-07-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot ink composition for inkjet printing and electronic device using the same
US20150044802A1 (en) 2013-08-12 2015-02-12 Kateeva, Inc. Ester-Based Solvent Systems for Printable Organic Light-Emitting Diode Ink Formulations
US20150075397A1 (en) 2013-09-13 2015-03-19 Nanoco Technologies Ltd. Quantum Dot Ink Formulation for Heat Transfer Printing Applications
US20150079720A1 (en) 2013-09-13 2015-03-19 Nanoco Technologies Ltd. Inorganic Salt-Nanoparticle Ink for Thin Film Photovoltaic Devices and Related Methods
US20150101665A1 (en) 2013-10-15 2015-04-16 Nanoco Technologies Ltd. CIGS Nanoparticle Ink Formulation having a High Crack-Free Limit
US20150108405A1 (en) 2003-01-22 2015-04-23 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Monodisperse core/shell and other complex structured nanocrystals and methods of preparing the same
CN105038408A (zh) * 2015-08-14 2015-11-11 广州华睿光电材料有限公司 印刷油墨及应用其印刷而成的电子器件

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6878312B1 (en) * 1999-03-29 2005-04-12 Seiko Epson Corporation Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefore
US6994893B2 (en) 2001-03-10 2006-02-07 Covion Organic Semiconductors Gmbh Solutions and dispersions of organic semiconductors
US20050067949A1 (en) 2003-09-30 2005-03-31 Sriram Natarajan Solvent mixtures for an organic electronic device
JP4616596B2 (ja) * 2004-08-27 2011-01-19 株式会社 日立ディスプレイズ 電子装置の製造方法
JP2005328030A (ja) * 2005-02-09 2005-11-24 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体デバイス作製用インク、及びそれを用いた半導体デバイスの作製方法
JP2008053397A (ja) 2006-08-24 2008-03-06 Ricoh Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US8455373B2 (en) * 2008-07-03 2013-06-04 Postech Academy-Industry Foundation Ink-jet print ink and organic thin film transistor using thereof
GB2466842B (en) 2009-01-12 2011-10-26 Cambridge Display Tech Ltd Interlayer formulation for flat films
CN102504803B (zh) 2011-09-29 2013-11-27 中国科学院长春应用化学研究所 一种利用对流改善喷墨打印薄膜均匀性的有机发光材料溶液及其制备方法
CN102504804A (zh) 2011-09-29 2012-06-20 中国科学院长春应用化学研究所 一种利用抑制边缘流动改善喷墨打印薄膜均匀性的有机发光材料溶液及其制备方法
CN104282834B (zh) * 2013-07-07 2019-06-14 潘才法 一种组合物及其在有机电子器件中的应用
KR102145424B1 (ko) 2013-11-11 2020-08-18 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 제조용 잉크 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법
US20170237012A1 (en) * 2014-11-13 2017-08-17 Sumitomo Chemical Company, Limited Ink composition and photoelectric conversion device produced using the same
CN105062193B (zh) * 2015-08-14 2020-01-31 广州华睿光电材料有限公司 印刷油墨组合物及电子器件
CN105153811B (zh) * 2015-08-14 2019-12-10 广州华睿光电材料有限公司 一种用于印刷电子的油墨
WO2017080323A1 (zh) 2015-11-12 2017-05-18 广州华睿光电材料有限公司 印刷组合物及其应用
CN108137969A (zh) 2015-11-12 2018-06-08 广州华睿光电材料有限公司 用于印刷电子的组合物及其在电子器件中的应用
CN108137970A (zh) * 2015-11-12 2018-06-08 广州华睿光电材料有限公司 印刷组合物及其应用
WO2017080324A1 (zh) 2015-11-12 2017-05-18 广州华睿光电材料有限公司 含无机纳米材料的印刷组合物及其应用
US20190276696A1 (en) * 2016-11-23 2019-09-12 Guangzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd. Formulations for printed electronic devices, preparation methods and uses thereof

Patent Citations (160)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3567450A (en) 1968-02-20 1971-03-02 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing substituted triarylamine photoconductors
US3615404A (en) 1968-04-25 1971-10-26 Scott Paper Co 1 3-phenylenediamine containing photoconductive materials
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US5121029A (en) 1987-12-11 1992-06-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescence device having an organic electroluminescent element
US5130603A (en) 1989-03-20 1992-07-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
JP2913116B2 (ja) 1990-11-20 1999-06-28 株式会社リコー 電界発光素子
JPH0853397A (ja) 1994-08-12 1996-02-27 Toyo Ink Mfg Co Ltd ジアリールアミン誘導体、その製造方法及び用途
US6251531B1 (en) 1995-02-25 2001-06-26 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted
US5962631A (en) 1995-07-28 1999-10-05 The Dow Chemical Company 2, 7-aryl-9-substituted fluorenes and 9-substituted fluorene oligomers and polymers
US6207229B1 (en) 1997-11-13 2001-03-27 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color-selective materials and method of making thereof
US7125605B2 (en) 1997-11-13 2006-10-24 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color-selective nanocrystalline materials
US7566476B2 (en) 1997-11-13 2009-07-28 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color-selective nanocrystalline materials
US6861155B2 (en) 1997-11-13 2005-03-01 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color selective nanocrystalline materials
US7060243B2 (en) 1997-11-13 2006-06-13 Massachusetts Institute Of Technology Tellurium-containing nanocrystalline materials
US6607829B1 (en) 1997-11-13 2003-08-19 Massachusetts Institute Of Technology Tellurium-containing nanocrystalline materials
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6251303B1 (en) 1998-09-18 2001-06-26 Massachusetts Institute Of Technology Water-soluble fluorescent nanocrystals
US6319426B1 (en) 1998-09-18 2001-11-20 Massachusetts Institute Of Technology Water-soluble fluorescent semiconductor nanocrystals
US6426513B1 (en) 1998-09-18 2002-07-30 Massachusetts Institute Of Technology Water-soluble thiol-capped nanocrystals
US6020078A (en) 1998-12-18 2000-02-01 Eastman Kodak Company Green organic electroluminescent devices
WO2000070655A2 (en) 1999-05-13 2000-11-23 The Trustees Of Princeton University Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence
CN1180049C (zh) 1999-08-31 2004-12-15 剑桥显示技术有限公司 沉积聚合物层的方法
WO2001021729A1 (fr) 1999-09-21 2001-03-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Support organique a electroluminescence et support organique lumineux
WO2001041512A1 (en) 1999-12-01 2001-06-07 The Trustees Of Princeton University Complexes of form l2mx as phosphorescent dopants for organic leds
US6921496B2 (en) 2000-03-20 2005-07-26 Massachusetts Institute Of Technology Inorganic particle conjugates
US7470379B2 (en) 2000-03-20 2008-12-30 Massachusetts Institute Of Technology Inorganic particle conjugates
US20010053462A1 (en) 2000-05-02 2001-12-20 Masayuki Mishima Light-emitting device
WO2002002714A2 (en) 2000-06-30 2002-01-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
WO2002015645A1 (en) 2000-08-11 2002-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
EP1191612A2 (en) 2000-09-26 2002-03-27 Canon Kabushiki Kaisha Luminescence device, display apparatus and metal coordination compound
EP1191614A2 (en) 2000-09-26 2002-03-27 Canon Kabushiki Kaisha Luminescence device and metal coordination compound therefor
EP1191613A2 (en) 2000-09-26 2002-03-27 Canon Kabushiki Kaisha Luminescence device, display apparatus and metal coordination compound
US7138098B2 (en) 2000-12-08 2006-11-21 Massachusetts Institute Of Technology Preparation of nanocrystallites
US6576291B2 (en) 2000-12-08 2003-06-10 Massachusetts Institute Of Technology Preparation of nanocrystallites
CN101222021A (zh) * 2001-02-28 2008-07-16 剑桥显示技术有限公司 供沉积在基材上的材料配方和方法
US7250532B2 (en) 2001-03-16 2007-07-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Method for producing aromatic amino compound
JP2007059939A (ja) 2001-08-31 2007-03-08 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機発光素子及び表示装置
US7250226B2 (en) 2001-08-31 2007-07-31 Nippon Hoso Kyokai Phosphorescent compound, a phosphorescent composition and an organic light-emitting device
WO2003020790A2 (de) 2001-09-04 2003-03-13 Covion Organic Semiconductors Gmbh Konjugierte polymere enthaltend spirobifluoren-einheiten und deren verwendung
US6835469B2 (en) 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
US7150910B2 (en) 2001-11-16 2006-12-19 Massachusetts Institute Of Technology Nanocrystal structures
WO2003051092A1 (en) 2001-12-12 2003-06-19 Canon Kabushiki Kaisha [5] helicene AND dibenzofluorene MATERIALS FOR USE IN ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICES
JP2003338375A (ja) 2002-03-14 2003-11-28 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
EP1345477A2 (de) 2002-03-15 2003-09-17 Basf Aktiengesellschaft Polymere auf Basis von Fluoranthen und ihre Verwendung
EP1344788A1 (en) 2002-03-15 2003-09-17 Sumitomo Chemical Company, Limited Conjugated polymer comprising dibenzothiophene- or dibenzofuran-units and their use in polymer LEDs
US20040002576A1 (en) 2002-03-15 2004-01-01 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymer compound and polymer light emitting device using the same
US20040076853A1 (en) 2002-04-24 2004-04-22 Eastman Kodak Company Organic light-emitting diode devices with improved operational stability
WO2003097904A1 (en) 2002-05-15 2003-11-27 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Method for producing inorganic semiconductor nanocrystalline rods and their use
WO2003099901A1 (fr) 2002-05-28 2003-12-04 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymere et element luminescent polymere contenant ce polymere
US20080188063A1 (en) 2002-09-10 2008-08-07 The Regents Of The University Of California GRADED CORE/SHELL SEMICONDUCTOR NANORODS and NANOROD BARCODES
WO2004041901A1 (en) 2002-11-08 2004-05-21 Covion Organic Semiconductors Gmbh Aryl-substituted polyindenofluorenes for use in organic electroluminiscent devices
US20150108405A1 (en) 2003-01-22 2015-04-23 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Monodisperse core/shell and other complex structured nanocrystals and methods of preparing the same
WO2004113412A2 (en) 2003-06-23 2004-12-29 Covion Organic Semiconductors Gmbh Polymer
WO2005019373A2 (de) 2003-08-19 2005-03-03 Basf Aktiengesellschaft Übergangsmetallkomplexe mit carbenliganden als emitter für organische licht-emittierende dioden (oleds)
WO2005033244A1 (de) 2003-09-29 2005-04-14 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
JP2005108556A (ja) 2003-09-29 2005-04-21 Tdk Corp 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌディスプレイ
WO2005033174A1 (ja) 2003-10-01 2005-04-14 Sumitomo Chemical Company, Limited 高分子発光材料および高分子発光素子
US7029766B2 (en) 2003-12-05 2006-04-18 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
US6824895B1 (en) 2003-12-05 2004-11-30 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing organometallic compound with tridentate ligand
WO2005056633A1 (ja) 2003-12-12 2005-06-23 Sumitomo Chemical Company, Limited 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
JP2005285661A (ja) 2004-03-30 2005-10-13 Tdk Corp 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌディスプレイ
WO2005104264A1 (de) 2004-04-26 2005-11-03 Merck Patent Gmbh Elektrolumineszierende polymere und deren verwendung
DE102004020298A1 (de) 2004-04-26 2005-11-10 Covion Organic Semiconductors Gmbh Elektrolumineszierende Polymere und deren Verwendung
US20050258742A1 (en) 2004-05-18 2005-11-24 Yui-Yi Tsai Carbene containing metal complexes as OLEDs
CN1583691A (zh) 2004-06-04 2005-02-23 友达光电股份有限公司 蒽化合物以及包括此蒽化合物的有机电致发光装置
KR20050121443A (ko) 2004-06-22 2005-12-27 학교법인 포항공과대학교 유기물로 표면처리된 반도체 나노막대
WO2006000388A1 (de) 2004-06-26 2006-01-05 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtung
WO2006000389A1 (de) 2004-06-26 2006-01-05 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische vorrichtungen
US20080027220A1 (en) 2004-07-16 2008-01-31 Merck Patent Gmbh Metal Complexes
US20090134784A1 (en) 2004-10-21 2009-05-28 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
WO2006052457A2 (en) 2004-11-03 2006-05-18 Sumation Co.Ltd. New class of bridged biphenylene polymers
WO2006058737A1 (de) 2004-12-01 2006-06-08 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische vorrichtungen
WO2006062226A1 (ja) 2004-12-07 2006-06-15 Sumitomo Chemical Company, Limited 高分子材料およびそれを用いた素子
US20060210830A1 (en) 2005-03-15 2006-09-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
US20060222886A1 (en) 2005-04-04 2006-10-05 Raymond Kwong Arylpyrene compounds
WO2006114364A1 (de) 2005-04-28 2006-11-02 Basf Aktiengesellschaft Synthese von phenylsubstituierten polyfluoranthenen und ihre verwendung
WO2006118345A1 (ja) 2005-04-28 2006-11-09 Sumitomo Chemical Company, Limited 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
WO2006122630A1 (de) 2005-05-20 2006-11-23 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische vorrichtungen
CN101180370A (zh) * 2005-05-20 2008-05-14 住友化学株式会社 聚合物组合物和使用该聚合物组合物的高分子发光器件
WO2006134599A1 (en) 2005-06-15 2006-12-21 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Iii-v semiconductor core-heteroshell nanocrystals
WO2007043495A1 (ja) 2005-10-07 2007-04-19 Sumitomo Chemical Company, Limited 共重合体およびそれを用いた高分子発光素子
US20070087219A1 (en) 2005-10-19 2007-04-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device
US20070092753A1 (en) 2005-10-26 2007-04-26 Eastman Kodak Company Organic element for low voltage electroluminescent devices
WO2007065549A1 (de) 2005-12-08 2007-06-14 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtungen
EP1957606A1 (de) 2005-12-08 2008-08-20 Merck Patent GmbH Neue materialien für organische elektroluminieszenzvorrichtungen
DE102005058557A1 (de) 2005-12-08 2007-06-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
JP2007197574A (ja) 2006-01-26 2007-08-09 Showa Denko Kk 高分子発光材料、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
US20090053522A1 (en) 2006-01-30 2009-02-26 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Triple-layer semiconductor nanoparticle and triple-layer semiconductor nanorod
WO2007092606A2 (en) 2006-02-09 2007-08-16 Qd Vision, Inc. Displays including semiconductor nanocrystals and methods of making same
WO2007095118A2 (en) 2006-02-10 2007-08-23 Universal Display Corporation METAL COMPLEXES OF CYCLOMETALLATED IMIDAZO[1,2-f]PHENANTHRIDINE AND DIIMIDAZO[1,2-A:1',2'-C]QUINAZOLINE LIGANDS AND ISOELECTRONIC AND BENZANNULATED ANALOGS THEREOF
US20070208567A1 (en) 2006-03-01 2007-09-06 At&T Corp. Error Correction In Automatic Speech Recognition Transcripts
US20070225402A1 (en) 2006-03-24 2007-09-27 Choi Jae Young Ultraviolet luminescent ink and security system using the same
WO2007115610A1 (de) 2006-04-01 2007-10-18 Merck Patent Gmbh Materialen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2007117698A2 (en) 2006-04-07 2007-10-18 Qd Vision, Inc. Composition including material, methods of depositing material, articles including same and systems for depositing material
WO2007117672A2 (en) 2006-04-07 2007-10-18 Qd Vision, Inc. Methods of depositing nanomaterial & methods of making a device
WO2007120877A2 (en) 2006-04-14 2007-10-25 Qd Vision, Inc. Transfer surface for manufacturing a light emitting device
US20070252517A1 (en) 2006-04-27 2007-11-01 Eastman Kodak Company Electroluminescent device including an anthracene derivative
US20080277626A1 (en) 2006-05-23 2008-11-13 Evident Technologies, Inc. Quantum dot fluorescent inks
WO2007143197A2 (en) 2006-06-02 2007-12-13 Qd Vision, Inc. Light-emitting devices and displays with improved performance
WO2007140847A1 (de) 2006-06-02 2007-12-13 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2008105792A2 (en) 2006-06-24 2008-09-04 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, methods for fabricating an array of devices and compositions
WO2008108798A2 (en) 2006-06-24 2008-09-12 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, and methods for fabricating an array of devices
WO2008111947A1 (en) 2006-06-24 2008-09-18 Qd Vision, Inc. Methods and articles including nanomaterial
WO2008006449A1 (de) 2006-07-11 2008-01-17 Merck Patent Gmbh Neue materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2008013366A1 (en) 2006-07-26 2008-01-31 Kwang Pil Mun Gas exhausting device of cylinder for injection molding
WO2008033388A2 (en) 2006-09-12 2008-03-20 Qd Vision, Inc. A composite including nanoparticles, methods, and products including a composite
WO2008085210A2 (en) 2006-09-12 2008-07-17 Qd Vision, Inc. Electroluminescent display useful for displaying a predetermined pattern
US20080113101A1 (en) 2006-11-09 2008-05-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic-electroluminescence-material-containing solution, method for forming thin film of organic electroluminescence material, thin film of organic electroluminescence material and organic electroluminescence device
WO2008063653A1 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
WO2008063652A1 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Blue emitting semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
WO2008070028A2 (en) 2006-12-01 2008-06-12 Qd Vision, Inc. Improved composites and devices including nanoparticles
US20080169753A1 (en) 2007-01-11 2008-07-17 Motorola, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
JP2007211243A (ja) 2007-02-07 2007-08-23 Showa Denko Kk 重合性化合物の重合体
US20100265307A1 (en) 2007-06-25 2010-10-21 Linton John R Compositions and methods including depositing nanomaterial
US20090061681A1 (en) 2007-09-05 2009-03-05 Mcmunigal Tom Electrical receptacle assembly
US20090130296A1 (en) 2007-11-15 2009-05-21 Universal Display Corporation Fabrication of Organic Electronic Devices by Ink-Jet Printing at Low Temperatures
CN101878535A (zh) 2007-11-30 2010-11-03 纳米技术有限公司 纳米粒子材料的制备
US8765014B2 (en) 2008-01-14 2014-07-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot ink composition for inkjet printing and electronic device using the same
WO2009118087A1 (de) 2008-03-25 2009-10-01 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
WO2009146770A2 (de) 2008-06-05 2009-12-10 Merck Patent Gmbh Elektronische vorrichtung enthaltend metallkomplexe
CN102124588A (zh) 2008-07-21 2011-07-13 剑桥显示技术有限公司 用于制造发光器件的组合物和方法
WO2010015307A1 (de) 2008-08-04 2010-02-11 Merck Patent Gmbh Elektronische vorrichtung enthaltend metallkomplexe mit isonitrilliganden
WO2010031485A1 (de) 2008-09-22 2010-03-25 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2010054731A1 (de) 2008-11-13 2010-05-20 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2010054728A1 (de) 2008-11-13 2010-05-20 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2010086089A1 (de) 2009-02-02 2010-08-05 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
CN102282150A (zh) 2009-02-02 2011-12-14 默克专利有限公司 金属络合物
US20120205637A1 (en) 2009-02-11 2012-08-16 Universal Display Corporation Liquid compositions for inkjet printing of organic layers or other uses
WO2010099852A1 (de) 2009-03-02 2010-09-10 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe mit azaborol-liganden und elektronische vorrichtung damit
US20120004407A1 (en) 2009-03-02 2012-01-05 Merck Patent Gmbh Metal complexes having azaborol ligands and electronic device having the same
WO2010102709A1 (de) 2009-03-13 2010-09-16 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
US20100264371A1 (en) 2009-03-19 2010-10-21 Nick Robert J Composition including quantum dots, uses of the foregoing, and methods
WO2010135519A1 (en) 2009-05-20 2010-11-25 Universal Display Corporation Metal complexes with boron-nitrogen heterocycle containing ligands for use in organic light emitting devices
DE102009023154A1 (de) 2009-05-29 2011-06-16 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung, enthaltend mindestens eine Emitterverbindung und mindestens ein Polymer mit konjugationsunterbrechenden Einheiten
DE102009023156A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Polymere, die substituierte Indenofluorenderivate als Struktureinheit enthalten, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung
WO2011110277A1 (en) 2010-03-11 2011-09-15 Merck Patent Gmbh Fibers in therapy and cosmetics
WO2011157339A1 (de) 2010-06-15 2011-12-22 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
WO2012007087A1 (de) 2010-07-16 2012-01-19 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
WO2012007088A1 (de) 2010-07-16 2012-01-19 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
WO2012007086A1 (de) 2010-07-16 2012-01-19 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
CN102408776A (zh) 2010-08-24 2012-04-11 精工爱普生株式会社 成膜用油墨、成膜方法、液滴喷出装置、发光元件的制造方法、发光元件、发光装置及电子设备
US20120217869A1 (en) 2011-02-28 2012-08-30 Kyushu University National University Corporation Delayed fluorescence material and organic electroluminescence device
TW201309778A (zh) 2011-07-15 2013-03-01 Univ Kyushu Nat Univ Corp 有機電致發光元件及使用於其之化合物
TW201309696A (zh) 2011-07-15 2013-03-01 Univ Kyushu Nat Univ Corp 延遲螢光材料及使用其之有機電致發光元件
CN103173060A (zh) 2011-12-20 2013-06-26 精工爱普生株式会社 成膜用油墨、成膜方法、发光元件的制造方法、发光元件、发光装置以及电子设备
TW201340370A (zh) 2012-02-15 2013-10-01 Qd Vision Inc 量子點墨水之加工方法
WO2013133359A1 (ja) 2012-03-09 2013-09-12 国立大学法人九州大学 発光材料および有機発光素子
WO2013154064A1 (ja) 2012-04-09 2013-10-17 国立大学法人九州大学 有機発光素子ならびにそれに用いる発光材料および化合物
TW201343874A (zh) 2012-04-25 2013-11-01 Univ Kyushu Nat Univ Corp 發光材料及有機發光元件
TW201350558A (zh) 2012-05-17 2013-12-16 Univ Kyushu Nat Univ Corp 化合物、發光材料及有機發光元件
US20140097406A1 (en) 2012-10-04 2014-04-10 Universal Display Corporation Aryloxyalkylcarboxylate solvent compositions for inkjet printing of organic layers
CN103824959A (zh) 2012-11-16 2014-05-28 精工爱普生株式会社 功能层形成用油墨、油墨容器、喷出装置、功能层的形成方法、有机el 元件的制造方法、发光装置、电子设备
US20150044802A1 (en) 2013-08-12 2015-02-12 Kateeva, Inc. Ester-Based Solvent Systems for Printable Organic Light-Emitting Diode Ink Formulations
CN103483332A (zh) 2013-09-11 2014-01-01 中山大学 具有热激活延迟荧光和聚集诱导发光性能的新型压致发光材料及其合成方法和应用
US20150075397A1 (en) 2013-09-13 2015-03-19 Nanoco Technologies Ltd. Quantum Dot Ink Formulation for Heat Transfer Printing Applications
US20150079720A1 (en) 2013-09-13 2015-03-19 Nanoco Technologies Ltd. Inorganic Salt-Nanoparticle Ink for Thin Film Photovoltaic Devices and Related Methods
US20150101665A1 (en) 2013-10-15 2015-04-16 Nanoco Technologies Ltd. CIGS Nanoparticle Ink Formulation having a High Crack-Free Limit
CN105038408A (zh) * 2015-08-14 2015-11-11 广州华睿光电材料有限公司 印刷油墨及应用其印刷而成的电子器件

Non-Patent Citations (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ACS NANO, vol. 9, 2014, pages 9388 - 9402
ACS NANO, vol. 9, 2015, pages 4533 - 4542
ADACHI ET AL., APPL. PHYS. LETT., vol. 78, 2001, pages 1622 - 1624
ADACHI, ADV. MATER., vol. 21, 2009, pages 4802
ADACHI, ADV. MATER., vol. 25, 2013, pages 3707
ADACHI, ANGEW. CHEM. INT. ED, vol. 51, 2012, pages 11311
ADACHI, APPL. PHYS. LETT., vol. 101, 2012, pages 093306
ADACHI, APPL. PHYS. LETT., vol. 98, 2011, pages 083302
ADACHI, CHEM. COMMUN., vol. 48, 2012, pages 11392
ADACHI, CHEM. COMMUN., vol. 48, 2013, pages 10385
ADACHI, CHEM. MATER., vol. 25, 2013, pages 3766
ADACHI, J. AM. CHEM. SOC, vol. 134, 2012, pages 14706
ADACHI, J. MATER. CHEM. C., vol. 1, 2013, pages 4599
ADACHI, J. PHYS. CHEM. A., vol. 117, 2013, pages 5607
ADACHI, NATURE PHOTONICS, vol. 6, 2012, pages 253
ADACHI, NATURE, vol. 492, 2012, pages 234
ADV. MATER., vol. 15, no. 5, 2003, pages 353 - 389
ADV. MATER., vol. 22, 2010, pages 1781 - 1804
ADV. OPTICAL MATER., vol. 2, 2014, pages 670 - 678
ANGEW. CHEM. INT. ED., vol. 47, 2008, pages 2 - 46
ANGEW. CHEM. INT. ED., vol. 48, 2009, pages 60 - 103
ANGEW. CHEM. INT. ED., vol. 51, 2012, pages 7656 - 7673
ANGEWANDTE CHEMIE, vol. 127, no. 19, 2015, pages 5785 - 5788
ANNUAL REVIEW OF MATERIAL SCI., vol. 30, 2000, pages 545 - 610
BALDO, THOMPSON ET AL., NATURE, vol. 403, 2000, pages 750 - 753
BANIN ET AL., ADV. MATER., vol. 14, 2002, pages 317
BANIN ET AL., NANO LETT., vol. 5, 2005, pages 1581
BULOVIC ET AL., NATURE, vol. 380, 1996, pages 29
CHEM. MATER., vol. 27, no. 7, 2015, pages 2246 - 2285
GU ET AL., APPL. PHYS. LETT., vol. 68, 1996, pages 2606
INORG. CHEM., vol. 54, 2015, pages 740 - 745
J. AM. CHEM. SOC., vol. 115, 1993, pages 8706
J. AM. CHEM. SOC., vol. 133, 2011, pages 10612 - 10620
J. AM. CHEM. SOC., vol. 136, no. 3, 2014, pages 850 - 853
J. KIDO ET AL., APPL. PHYS. LETT., vol. 65, 1994, pages 2124
J. MATER. CHEM. A, vol. 3, 2015, pages 9187 - 9193
JOHNSON ET AL., JACS, vol. 105, 1983, pages 1795
KIDO ET AL., CHEM. LETT., vol. 657, 1990
MA ET AL., SYNTH. METALS, vol. 94, 1998, pages 245
NANO LETT., vol. 15, no. 4, 2015, pages 2640 - 2644
NANO RES, vol. 2, 2009, pages 425 - 447
NANOLETT., vol. 15, 2015, pages 3692 - 3696
NANOSCALE, vol. 5, no. 19, 2013, pages 8752 - 8780
OPTICAL MATERIALS EXPRESS., vol. 2, 2012, pages 594 - 628
PART. PART. SYST. CHARACT., 2015
PENG ET AL., NATURE, vol. 515, no. 96, 2015
QIAN ET AL., NATURE PHOTONICS, vol. 9, 2015, pages 259
RSC ADV., vol. 4, 2014, pages 55908 - 55911
SMALL., vol. 3, 2008, pages 310 - 325
THE JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS, vol. 6, no. 3, 2015, pages 446 - 450
WOGGON ET AL., NANO LETT., vol. 3, 2003, pages 509
WRIGHTON, JACS, vol. 96, 1974, pages 998

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108727896A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 Tcl集团股份有限公司 无机纳米材料印刷油墨及其制备方法
WO2019212022A1 (ja) * 2018-05-01 2019-11-07 三菱ケミカル株式会社 組成物、および有機電界発光素子の製造方法
JPWO2019212022A1 (ja) * 2018-05-01 2021-06-10 三菱ケミカル株式会社 組成物、および有機電界発光素子の製造方法
JP7415917B2 (ja) 2018-05-01 2024-01-17 三菱ケミカル株式会社 組成物、および有機電界発光素子の製造方法
CN110797466A (zh) * 2018-08-02 2020-02-14 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 电子传输层墨水及其制作方法和应用
CN111384268A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管的制备方法及量子点墨水
CN110144139A (zh) * 2019-04-15 2019-08-20 纳晶科技股份有限公司 一种氧化锌基纳米颗粒墨水以及光电器件
CN110144139B (zh) * 2019-04-15 2022-01-18 纳晶科技股份有限公司 一种氧化锌基纳米颗粒墨水以及光电器件
CN112210247A (zh) * 2019-07-09 2021-01-12 精工爱普生株式会社 溶剂型墨组合物

Also Published As

Publication number Publication date
CN109790407B (zh) 2021-12-07
CN109790407A (zh) 2019-05-21
EP3546532A4 (en) 2019-12-04
EP3546532B1 (en) 2021-06-02
US20190375956A1 (en) 2019-12-12
US11248138B2 (en) 2022-02-15
EP3546532A1 (en) 2019-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018095381A1 (zh) 印刷油墨组合物及其制备方法和用途
WO2017080325A1 (zh) 印刷组合物及其应用
WO2018095380A1 (zh) 用于印刷电子器件的组合物及其制备方法和用途
CN105062193B (zh) 印刷油墨组合物及电子器件
WO2017028639A1 (zh) 印刷油墨及应用其印刷而成的电子器件
WO2017080323A1 (zh) 印刷组合物及其应用
WO2017076135A1 (zh) 电致发光器件、其制备方法及油墨组合物
WO2017080307A1 (zh) 用于印刷电子器件的组合物及其在电子器件中的应用
CN109791996B (zh) 高聚物及电致发光器件
WO2017080317A1 (zh) 用于印刷电子的组合物及其在电子器件中的应用
WO2017080316A1 (zh) 用于印刷电子的组合物及其在电子器件中的应用
WO2017092619A1 (zh) 三联苯并环戊二烯类化合物、高聚物、混合物、组合物以及有机电子器件
US20180346748A1 (en) Formulation for printing electronic device and application thereof in electronic device
WO2017092476A1 (zh) 螺环衍生物、高聚物、混合物、组合物以及有机电子器件
US11555128B2 (en) Printing composition, electronic device comprising same and preparation method for functional material thin film
WO2017080318A1 (zh) 印刷电子组合物、包含其的电子器件及功能材料薄膜的制备方法
WO2016091218A1 (zh) 一种显示器件及其制备方法
WO2017080324A1 (zh) 含无机纳米材料的印刷组合物及其应用

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17874763

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017874763

Country of ref document: EP

Effective date: 20190624