WO2006043530A1 - 基板加熱処理装置及び基板加熱処理に用いられる基板搬送用トレイ - Google Patents

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heating
heat
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Masami Shibagaki
Yasumi Kurematsu
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Canon Anelva Corporation
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Definitions

  • Substrate heat treatment apparatus and substrate transfer tray used for substrate heat treatment
  • the present invention relates to a substrate heat treatment apparatus used for heat treatment of a semiconductor substrate and a substrate transfer tray used for substrate calorie heat treatment.
  • a heat treatment for treating a semiconductor substrate at a high temperature has been widely performed conventionally.
  • rapid thermal annealing Rapid Thermal Process, Rapid Thermal Anneal
  • RTP Rapid Thermal Anneal
  • This substrate heat treatment is performed by a substrate disposed in a vacuum chamber in a semiconductor manufacturing apparatus.
  • the (semiconductor substrate) is rapidly heated by heating means.
  • a substrate 23 is placed on a susceptor 25 that is disposed in a processing chamber (not shown) that can be evacuated and has heating means 24 inside, and is rapidly heated.
  • the substrate 23 placed on the susceptor 25 is heated by high-frequency induction heating means (not shown), thermoelectron generation means for electron impact heating, infrared lamp for infrared lamp heating, or the like.
  • the present invention provides a substrate heat treatment apparatus used for substrate heat treatment for high-temperature processing of a semiconductor substrate, and a substrate transfer tray used for such substrate heat treatment, and a substrate to be heat-treated (semiconductor substrate)
  • An object of the present invention is to provide a substrate heat treatment apparatus capable of efficiently performing substrate heat treatment, and a substrate transfer tray used for such substrate heat treatment.
  • the present invention provides a substrate heat treatment to the surface of the susceptor disposed between the heating means and the substrate (semiconductor substrate subjected to the heat treatment) on the side where the substrate is disposed. It is proposed to cover with a member that does not release gas during
  • a heat receiver that receives the heat of the heating means via the susceptor is disposed on the side facing the susceptor with a substrate (a semiconductor substrate subjected to heat treatment) interposed therebetween, and It is proposed to cover the surface of the heat receiving body on the side where the substrate is disposed with a member without releasing the gas during the substrate heating process.
  • the susceptor incorporates a heating means, and a substrate (semiconductor substrate to be subjected to heat treatment) can be disposed on the susceptor.
  • the susceptor can be disposed on the susceptor, and is disposed on the upper surface.
  • a substrate support portion on which the substrate is disposed, and at least the upper side surface of which the outer periphery is larger than the outer periphery of the susceptor is covered with a scissors member that does not release gas during the substrate heating process!
  • a substrate transport tray used for substrate heating.
  • the semiconductor substrate is heated at a high temperature.
  • the occurrence of surface roughness of the substrate to be heat-treated can be suppressed, and one of the heat treatment can be efficiently performed.
  • the heat treatment is performed at a high temperature of about 1500 ° C to 2000 ° C, the surface may be roughened.
  • the heat treatment of the SiC substrate can be efficiently performed while suppressing the occurrence of the surface roughening. it can.
  • the substrate transfer tray of the present invention used in the substrate heating process performed by the substrate heating apparatus of the present invention can prevent gas from being generated from the tray during the heat treatment. It is useful for suppressing the occurrence of surface roughness of the substrate to be processed and efficiently heat-treating a plurality of substrates.
  • a substrate heat treatment apparatus proposed by the present invention includes heating means for heat-treating a substrate (semiconductor substrate subjected to heat treatment) disposed in a processing chamber capable of being evacuated, and is disposed in the processing chamber. ! A substrate (semiconductor substrate that is subjected to heat treatment) is heated by the heating means.
  • a susceptor is provided between the heating means and the substrate, and the surface of the susceptor on which the substrate is disposed is the surface of the substrate heating process. It is characterized by being covered with a saddle member that does not release gas between them! /
  • the susceptor provided between the substrate to be heat-treated and the heating means is held at a predetermined temperature by the heating means.
  • the susceptor held on the substrate also transfers heat uniformly to the substrate.
  • the surface on the side where the substrate of the susceptor is disposed is covered with a member that does not release a gas during the substrate heating process. Therefore, the susceptor gas can be prevented from being released even when heated to a high temperature, for example, 1500 ° C. to 2000 ° C. As a result, it is possible to prevent the surface roughness of the substrate to be heat-treated.
  • the substrate is arranged so that the purpose of preventing surface roughness and the like from occurring on the substrate heated by the gas released from the susceptor during the substrate heating treatment can be achieved more effectively.
  • the surface of the susceptor that is likely to release gas during the heat treatment is a member that does not release gas during the substrate heat treatment. U, hope to be covered.
  • the substrate heat treatment apparatus of the present invention described above further includes the calorie heat means via the susceptor on the side facing the susceptor, with the substrate (a semiconductor substrate subjected to the heat treatment) interposed therebetween.
  • a heat receiving body that receives the heat from the heat receiving body is provided, and the surface of the heat receiving body on which the substrate is disposed is covered with a member that does not release gas during the substrate heating process. It can be in the form.
  • a heat receiver that receives the heat of the heating means via the susceptor is disposed on the side facing the susceptor.
  • the heat receiver is also heated, and the substrate can be efficiently heated by the radiant heat from the heat receiver.
  • the heat receiving body is at a high temperature, for example, 1500 ° C. to 2000 ° C. Even when heated to ° C, the heat receiving body strength can prevent gas from being released. As a result, it is possible to prevent occurrence of surface roughness of the substrate to be heat-treated.
  • the susceptor can have a heating means built-in, and a substrate (semiconductor substrate subjected to heat treatment) can be disposed above the susceptor.
  • the heat receiver also covers the substrate with the upward force of the susceptor, and becomes a cap force that isolates the substrate from the space in the processing chamber, and the directional force is directed toward at least the substrate side of the cap.
  • the other surface may be coated with a member that does not release gas during the substrate heating process.
  • a substrate semiconductor substrate to be subjected to heat treatment
  • the substrate to be subjected to heat treatment is directly heated from the susceptor evenly.
  • the upper force is also covered with a cap so that the substrate placed on the susceptor is isolated from the space in the processing chamber, so that the substrate is heated more efficiently by the radiant heat from the cap as a heat receiving body. Can be done well.
  • the surface of the susceptor on the side where the substrate is disposed that is, the substrate is disposed.
  • the upper surface of the susceptor and the surface facing the side where the cap substrate is placed That is, the inner surface of the cap separating the substrate disposed on the susceptor from the space in the processing chamber is covered with a member that does not release gas during the substrate heating process. Therefore, the susceptor and the cap force can be prevented from being released into the space inside the cap where the substrate to be heat-treated is separated from the space inside the processing chamber by the cap, and more effectively the substrate to be heat-treated can be prevented. The occurrence of surface roughness can be prevented.
  • the surface of the heat receiving body on which the substrate is disposed and which may cause gas emission during the heat treatment is all a member that does not release gas during the heat treatment. It is desirable to be coated. In addition, the surface of the cap that faces the side where the substrate is placed and that may cause gas emission during the heat treatment is covered with a member that does not release gas during the heat treatment. It is desirable to ensure that
  • the substrate to be heated can be, for example, a SiC substrate.
  • the heating means can be a thermoelectron generating means for electron impact heating or an infrared lamp for heating an infrared lamp.
  • a RTP Like a RTP, it is placed in a evacuated processing chamber of a semiconductor manufacturing apparatus !, a substrate heating process, or a processing chamber of a semiconductor manufacturing apparatus (atmospheric pressure).
  • a substrate heating process or a processing chamber of a semiconductor manufacturing apparatus (atmospheric pressure).
  • FIG. 8 (a) After heating is continued until the time, heating is stopped immediately, or as shown in FIG. 8 (b), the time t If the heating is continued until the time t is maintained at a predetermined temperature until the heating is stopped.
  • the member that does not release a gas during the substrate heat treatment is, for example, 10 _4 Pa to atmospheric pressure state, 800 ° C in consideration of these process conditions in the heat treatment for high-temperature processing of the semiconductor substrate. It must be a material that does not release gas in the range not exceeding 1800 seconds at ⁇ 2300 ° C. So, for example, the ability to use pyrolytic carbon (Pyrolytic Graphite, Pyrolytic Carbon) does not release gas under the above conditions.
  • Various members can be used as long as they are members.
  • the substrate transfer tray used in the substrate heating process proposed by the present invention to solve the above problems is the same as the substrate heating apparatus of the present invention described above, in which the susceptor has a built-in heating means. This is used when the substrate (substrate subjected to heat treatment) can be placed above the susceptor.
  • a substrate that can be disposed on the susceptor and that is heated by the heating means has a substrate support portion disposed on an upper surface, and an outer periphery that is larger than an outer periphery of the susceptor is at least the upper surface that is the substrate. It is characterized by being covered with a member that does not release gas during the heat treatment.
  • the temperature of the substrate after the heat treatment is high. I need to wait. If the substrate that has been subjected to the heat treatment is removed from the susceptor after waiting for the temperature to decrease in this way, the treatment time becomes longer, and the heat treatment cannot be performed efficiently.
  • the substrate heat treatment apparatus of the present invention described above, as a substrate carrying tray adopted when the susceptor has a heating means built-in and the substrate can be disposed above the susceptor.
  • the present invention proposes the above-described substrate transfer tray of the present invention.
  • the tray is placed on the susceptor, and heat treatment is performed with the substrate placed on the tray. Once completed, the entire tray can be removed from the susceptor without waiting for the substrate temperature to drop. Then, the substrate to be subjected to the next heat treatment is placed on the upper side surface of the substrate support portion, and a new tray can be placed on the susceptor to perform the heat treatment on the next substrate. This makes it possible to heat-process multiple substrates.
  • the substrate carrying tray used for the substrate heating process includes a cylindrical side wall portion that extends from the periphery of the substrate support portion toward the lower side of the susceptor, and the cylindrical side wall portion.
  • the lower end side can also be configured to include an annular portion extending outwardly in the radial direction.
  • the substrate carrying tray used for the substrate heat treatment of the present invention has at least the upper surface of the substrate support portion on which the substrate to be heat-treated is disposed. It is coat
  • the substrate heating is performed so that the purpose of preventing the occurrence of surface roughness on the substrate heated by the gas released from the tray during the substrate heating treatment can be achieved more effectively. It is desirable that all tray surfaces that may be outgassed during processing be covered with non-gassing materials that do not release gas during the calo heat treatment.
  • the member that does not release gas during the substrate heat treatment coated on the surface of the tray is, for example, 10 in consideration of the process conditions in the heat treatment for high-temperature treatment of the semiconductor substrate, as described above.
  • various members can be used as long as they do not release gas under the above-described conditions.
  • FIG. 1 and FIG. 2 illustrate a first embodiment of the present invention, which includes a heating means 4 for heating a substrate 3 disposed in a processing chamber 1 that can be evacuated to a vacuum. Placed in the exhausted treatment chamber 1! This is a substrate heating apparatus that heats the substrate 3 to be heated by the heating means 4.
  • the heating means 4 is built in the susceptor 5, and the upper surface of the susceptor 5 in FIG. Placed.
  • the susceptor 5 disposed between the heating means 4 and the substrate 3 to be heat-treated has the upper surface of the substrate support portion on which the substrate 3 is arranged as shown in an enlarged view in FIG. Is covered with a pyrolytic carbon coating layer 15.
  • the surface of the susceptor 5 disposed between the heating means 4 and the substrate 3 to be heat-treated is disposed on the side where the substrate 3 is disposed.
  • the coating layer 15 is covered. Therefore, even when the heating means 4 is heated to a high temperature of about 1500 ° C to 2000 ° C, the generation of gas from the susceptor 5 is suppressed, and the surface roughness of the substrate 3 to be heated is prevented. Can be suppressed.
  • a heat receiving body that receives heat from the heating means 4 via the susceptor 5 is provided on the side facing the susceptor 5 with the substrate 3 interposed therebetween. Then, the surface on the side where the substrate 3 of the heat receiving body is arranged is covered with pyrolytic carbon.
  • the substrate 3 is disposed on the susceptor 5 containing the heating means 4, and the susceptor 5 is interposed on the side facing the susceptor 5 with the substrate 3 interposed therebetween.
  • a cap 6 serving as a heat receiver that receives heat from the heating means 4 is provided.
  • the surface of the cap 6 on which the substrate 3 is disposed, that is, the inner surface of the cap 6 is covered with a pyrolytic carbon coating layer 16 as shown in FIG. .
  • the cap 6 is placed on the susceptor 5 and is placed on the substrate 3, and the interior space 26 of the cap 6 in which the substrate 3 is placed is formed in the processing chamber 1. It plays the role of isolating from the inner space 27.
  • the substrate 3 to be subjected to the heat treatment is placed on the susceptor 5 containing the heating means 4, so that uniform heating can be performed directly from the susceptor 5. Receive.
  • FIG. 3 shows the substrate heat treatment apparatus of the present invention in which the cap 6 is used in this way.
  • the Portions common to the embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the surface of the susceptor 5 on which the substrate 3 is disposed and the surface of the susceptor 5 that may cause gas emission during the heat treatment is entirely coated with a thermally decomposed carbon. 15 covered.
  • the substrate 3 of the susceptor 5 is disposed, that is, the surface on the side, that is, at least the upper surface of the substrate support portion of the susceptor 5 on which the substrate 3 is disposed, As indicated by reference numeral 15, it is covered with a pyrolytic carbon coating layer. Therefore, it is possible to effectively prevent the surface roughness of the substrate 3 that is heat-treated by the gas released from the susceptor 5 during the heat treatment at a high temperature.
  • the cap 26 is put on the susceptor 5, and the space 26 in which the substrate 3 is disposed is sealed with the cap 6. Therefore, as compared with the above-described embodiment in which the cap 6 shown in FIG. 3 is not used, heat radiation from the heated substrate 3 can be suppressed, and more efficient heating can be realized.
  • the surface of the susceptor 5 on the side where the substrate 3 is disposed that is, the substrate 3 is disposed, the upper side surface of the substrate support portion of the susceptor 5 and the substrate 3 of the cap 6 are disposed.
  • the inner surface of the cap 6 that separates the surface 3 facing the surface, that is, the substrate 3 disposed on the susceptor 5 from the space 27 in the processing chamber 1, is indicated by reference numerals 15 and 16, respectively. In this way, it is coated with a thermal decomposition carbon coating layer.
  • the substrate 3 to be heat-treated is separated from the space 27 in the processing chamber 1 by the cap 6 into the space 26 inside the cap 6, and the susceptor 5 and the cap 6 Gas can be prevented from being released from the substrate, and surface roughness of the substrate 3 to be heat-treated can be more effectively prevented.
  • the susceptor 5 and the cap 6 having pyrolytic carbon coating layers 15 and 16 formed on the surface are made of high-purity treated carbon. After forming the mold, pyrolytic carbon is applied to the surface. Can be manufactured by coating.
  • the thickness of the coating layers 15 and 16 is preferably 10 to 50 m.
  • the heat treatment may be performed at a temperature as high as 2000 ° C.
  • coating layers 15 and 16 are formed on the susceptor 5 and the cap 6 by coating the pyrolytic carbon to prevent gas release from the materials of the susceptor 5 and the cap 6 at high temperatures.
  • the material of the susceptor 5 and the cap 6 can be SiC or carbon (more preferably, high-purity treated carbon).
  • the surfaces of the susceptor 5 and the cap 6 formed of these materials may be coated with pyrolytic carbon to form the coating layers 15 and 16 on the susceptor 5 and the cap 6.
  • the susceptor 5 and the cap 6 can be formed of pyrolytic carbon itself instead of providing the pyrolytic carbon coating layers 15 and 16.
  • the cap 6 is removed from above the susceptor 5 by a predetermined transfer mechanism (in the case of an automatic apparatus) (in the case of a manual apparatus), and then the substrate 3 after the heat treatment is unloaded from the processing chamber 1. Then, the substrate to be heat-treated next is carried in and placed on the susceptor 5, and if necessary, the cap 6 is put on and the processing chamber 1 is evacuated, followed by heat treatment.
  • a predetermined transfer mechanism in the case of an automatic apparatus
  • a manual apparatus in the case of a manual apparatus
  • thermoelectron generating means for electron impact heating, an infrared lamp calorie infrared lamp, or the like can be employed.
  • FIGS. 4 (a), 4 (b), 5 (a), and 5 (b) are diagrams for explaining a second preferred embodiment of the present invention and correspond to FIG. 2 of Embodiment 1. It is what.
  • Embodiment The same structural parts as those described in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • This embodiment can effectively prevent the occurrence of surface roughness on the substrate 3 to be heat-treated by releasing a powerful gas such as a susceptor during the heat treatment at a high temperature.
  • a powerful gas such as a susceptor during the heat treatment at a high temperature.
  • the substrate heat treatment apparatus of this embodiment is arranged on the susceptor 5, and the substrate 3 to be heat-treated by the heating means 4 is arranged on the upper surface in the same manner as in the embodiment of Figs. It further includes a tray 7 of the present invention having a substrate support 8 disposed thereon.
  • the substrate 3 to be heat-treated by the heating means 4 is provided with a substrate support portion 8 disposed on the upper side surface (the upper surface in FIGS. 4 (a) and 4 (b)).
  • the outer periphery is larger than the outer periphery of the susceptor 5.
  • a peripheral portion 20 is provided that protrudes radially outward from the outer periphery of the susceptor 5.
  • at least the upper side surface is covered with a coating layer 17 of pyrolytic carbon.
  • the tray 7 shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b) has a substrate support portion 8 on which the substrate 3 to be heat-treated by the heating means 4 is disposed on the upper surface, and the substrate support portion 8 A cylindrical side wall portion 9 extending outward from the periphery of the susceptor 5 in the downward direction, and an annular portion 10 extending outward in the radial direction from the lower end side of the cylindrical side wall portion 9. Yes.
  • the outer periphery is larger than the outer periphery of the susceptor 5.
  • At least the upper surface is covered with a pyrolytic carbon coating layer 17.
  • Fig. 4 (a) corresponds to Fig. 2 and uses a cap 6 as a heat receiver
  • Fig. 4 (b) shows that cap 6 is used corresponding to Fig. 3. It is not.
  • FIG. 5 (a) corresponds to FIG. 2 and uses a cap 6 as a heat receiving body, and FIG. 5 (b) does not use the cap 6 corresponding to FIG. Is.
  • the cap 6 has pyrolytic carbon on the side facing the space 27 in the processing chamber. Covered with coating layer 16.
  • the heat treatment is performed with the tray 7 placed on the susceptor 5 and the substrate 3 placed on the tray 7.
  • the peripheral portion 20 of the tray 7 or the annular portion 10 having a lower temperature than the substrate 3
  • the bifurcated tip of the transport mechanism such as a robot with a bifurcated tip, support the lower force in FIGS. 4 (a) to 5 (b) and remove the upper force of the susceptor 5 together with the tray 7.
  • the next substrate 3 to be heat-treated transports a new tray 7 placed on the upper surface of the substrate support 8 and places it on the susceptor 5 to perform the heat treatment on the next substrate 3.
  • Example 2 the upper side surface of the substrate support 8 in the tray 7 on which the substrate 3 to be heated by the heating means 4 is disposed is covered with the pyrolytic carbon coating layer 17. Further, the generation of gas from the tray 7 during the substrate heat treatment can be prevented, and the surface roughness of the substrate 3 subjected to the heat treatment can be prevented.
  • the tray 7 in the substrate heat treatment apparatus shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b) has a cylindrical side wall portion 7 extending from the peripheral edge of the substrate support portion 8 by extending the outside of the susceptor 5 downward. Therefore, it is possible to more effectively prevent the temperature distribution from occurring in the substrate support portion 8 during the substrate heating process. This makes it possible to more uniformly heat the substrate 3 at the substrate support portion 8. This is advantageous over the flat plate-like tray 7 shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b).
  • the annular portion 10 of the tray 7 serves as a support portion when the tray 7 is transported by the transport mechanism as described above.
  • the outer side in the radial direction from the lower end side of the cylindrical side wall 9 It is desirable to be formed in an annular portion extending toward the surface.
  • the surfaces of the susceptor 5, the cap 6 and the tray 7 are made of pyrolytic carbon having a thickness of about 10 to 50 m. It is covered with coating layers 15, 16, 17.
  • Example 2 shown in Figs. 4 (a) to 5 (b), the entire surface of the susceptor 5, the cap 6, and the tray 7 is coated with pyrolytic carbon coating layers 15, 16, 17 It is covered with. Therefore, during the substrate heating process, the generation of gas from the susceptor 5, cap 6 and tray 7 can be prevented, and the scattering of the material forming the susceptor 5, cap 6 and tray 7 can be suppressed, and the substrate can be prevented. Preventing contamination of the inner surface of the processing chamber 1 such as an annealing chamber just by 3 be able to.
  • FIGS. 1 to 3 At least the surfaces of the susceptor 5 and the cap 6 on the side where the substrate 3 to be heat-treated is disposed are coated with pyrolytic carbon coating layers 15 and 16, During heat treatment, gas generation from the susceptor 5 and the cap 6 was suppressed, and surface roughness of the substrate 3 to be heat treated was prevented.
  • FIGS. 1 to 3 as in the embodiment shown in FIGS. 4 (a) to 5 (b), the entire surface of the susceptor 5 and the cap 6 is covered with pyrolytic carbon coating layers 15 and 16. If covered, it is possible to further suppress scattering of the material forming the susceptor 5 and the cap 6 during the heat treatment, and to prevent contamination of the inner surface of the processing chamber 1 such as the substrate 3 or the annealing chamber. Is advantageous.
  • the embodiment shown in FIG. 6 also includes a heating means 4 for heating the substrate 3 disposed in the processing chamber 1 that can be evacuated as in the embodiment shown in FIGS.
  • This is a substrate heat treatment apparatus that heats the substrate 3 disposed in the chamber 1 by the heating means 4.
  • the processing chamber 1 shown in FIG. 6 is made of aluminum whose inner wall has a mirror finish and has a high reflectivity, and a fluid for cooling can be made to flow in the fluid flow section 12!
  • An annealing chamber made of water-cooled aluminum. is there.
  • This processing chamber 1 can also be heat-treated in a force-atmospheric state where it can be evacuated to a vacuum of about 10 _2 Pa.
  • the heating means 4 is built in the susceptor 5, and the substrate 3 to be subjected to the heat treatment is placed on the upper side surface of the base plate support portion corresponding to the upper side of the susceptor 5 in FIG.
  • a sensor 11 is provided on the substrate support portion of the susceptor 5 on which the substrate 3 is placed on the upper side as shown in the figure, so that the heating temperature is detected.
  • the heating means 4 the same thermoelectron generating means for electron impact heating as in Examples 1 and 2 and an infrared lamp for heating an infrared lamp are employed.
  • the interior of the susceptor 5 can be evacuated to a vacuum of about 10 _2 Pa at all times by an evacuation means such as a vacuum pump separate from the processing chamber 1.
  • the susceptor 5 to be disposed between the heating means 4 and the substrate 3 to be heat-treated is the surface on the side where the substrate 3 is arranged, that is, in this example.
  • the surface of the susceptor 5 facing the inner wall surface of the processing chamber 1 is covered with a coating layer 15 of pyrolytic carbon. Has been.
  • the surface of the susceptor 5 disposed between the heating means 4 and the substrate 3 to be heat-treated is disposed on the side where the substrate 3 is disposed.
  • the coating layer 15 is covered. Therefore, even when the heating means 4 is heated to a high temperature of about 1500 ° C to 2000 ° C, the generation of gas from the susceptor 5 is suppressed, and the surface roughness of the substrate 3 to be heated is prevented. Can be suppressed.
  • the heating means is disposed on the wall side of the processing chamber that can be evacuated, and the substrate 3 disposed in the evacuated processing chamber is disposed on the wall side of the processing chamber. It is arranged and heated by the heating means.
  • the processing chamber 31 that can be evacuated includes a gas supply pipe 32 into which a raw material gas used for forming a thin film on the substrate 3 and the like, and an exhaust pipe 34 connected to an exhaust means (not shown). It is connected.
  • a substrate support 39 that is movable in the vertical direction in FIG. 7.
  • a substrate 3 that receives a film forming process, a heating process, or the like. Is placed
  • a heating means 35 is disposed around the processing chamber 31.
  • a susceptor 36 is disposed on the inner peripheral wall side of the processing chamber 31 at a position where the heating means 35 is provided, with a heat insulating material 41 interposed therebetween. Thus, the susceptor is provided between the heating means 35 and the substrate 3. 36 is arranged.
  • the processing chamber 31 in the form shown in the figure has a structure in which the gas introduced from the gas supply pipe 32 reaches the portion where the susceptor 36 is provided via the funnel-shaped portion 33 and the gas supply path 38. /!
  • the surface of the susceptor 36 on the side where the substrate 3 is disposed that is, the portion corresponding to the inner wall of the processing chamber 31 is covered with a pyrolytic carbon coating layer 37.
  • the substrate 3 is located between the substrate 3 and the susceptor 36.
  • the entire surface of the substrate support 39 is covered with a pyrolytic carbon coating layer 40, including the upper side (substrate support surface) corresponding to the heat receiver that receives heat from the heating means 35 via the susceptor 36. Yes.
  • the inside of the treatment chamber 31 of the heat insulating material 41 that is, the inside of the treatment chamber 31 of the funnel-shaped portion 33 and the gas supply path 38 is also pyrolytic carbon.
  • the rod portion supporting the substrate support portion 39 is also covered with the coating layer 43 of pyrolytic carbon, which is the outer peripheral force inside the processing chamber 31.
  • gas generation during heat treatment at a high temperature of about 1500 ° C to 2000 ° C can be more effectively prevented.
  • the substrate to be heat-treated is arranged inside, and the entire inner peripheral wall of the processing chamber that can be evacuated to the vacuum, and the entire surface of each member exposed to the inner space of the processing chamber are subjected to the substrate heating treatment.
  • the surface force of each member exposed to the inner peripheral wall of the processing chamber and the inner space of the processing chamber during the substrate caloric heat treatment It is possible to prevent the risk of occurrence. This is most effective in preventing the occurrence of surface roughness of the substrate to be heat-treated.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view with a part omitted illustrating a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view illustrating a part of the substrate heating apparatus shown in FIG.
  • FIG. 3 is a diagram corresponding to FIG. 1 for explaining another example of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 (a) is a cross-sectional view illustrating a part of the second embodiment of the present invention in an enlarged manner.
  • FIG. 5 (a) is a cross-sectional view illustrating an enlarged part of a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 (a) A diagram showing an example of a heating process by the substrate heating apparatus of the present invention, (b) A diagram showing another example of a heating process by the substrate heating apparatus of the present invention.

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Abstract

【課題】加熱処理される基板の表面荒れの発生を抑えることができる基板の加熱処理装置を提供する。 【解決手段】真空排気可能な処理室内に配置された基板を加熱処理する加熱手段を備え、前記処理室中に配置されている基板を前記加熱手段によって加熱処理する基板加熱処理装置であって、前記加熱手段と基板との間にサセプタが配備されており、当該サセプタの前記基板が配置されている側の表面が前記基板加熱処理の間にガスを放出しない部材で被覆されている基板加熱処理装置。前記基板を間に挟んで、前記サセプタに対向する側に前記サセプタを介した前記加熱手段からの熱を受ける熱受け体が配備されており、当該熱受け体の前記基板が配置されている側の表面が前記基板加熱処理の間にガスを放出しない部材で被覆されている基板加熱処理装置。

Description

明 細 書
基板加熱処理装置及び基板加熱処理に用いられる基板搬送用トレイ 技術分野
[0001] この発明は、半導体基板の加熱処理に用いられる基板加熱処理装置及び基板カロ 熱処理に用いられる基板搬送用トレイに関する。
背景技術
[0002] 半導体基板を高温処理する熱処理は従来から広く行われて!/、る。例えば、イオン 注入された不純物を活性化する処理や、イオン注入により生じた結晶欠陥の回復等 を目的として高速カ卩熱処理（Rapid Thermal Process, Rapid Thermal Anneal) (以下、 単に「RTP」と表すことがある。 )が広く行われて 、る。
[0003] この基板加熱処理は、半導体製造装置において、真空室中に配置されている基板
(半導体基板)を加熱手段によって急速加熱するものである。例えば、図 9図示のよう に、真空排気可能な処理室 (不図示）内に配置されていて、内部に加熱手段 24を備 えているサセプタ 25の上に基板 23を載置して急速加熱する。あるいは、不図示の高 周波誘導加熱手段、電子衝撃加熱用の熱電子発生手段、赤外線ランプ加熱用の赤 外線ランプなどによって、サセプタ 25の上に載置されている基板 23を加熱する。
[0004] このような従来技術は、例えば、特開平 10— 144618号公報、国際公開公報 W09 7Z 13011、特許第 2912913号公報などに記載されている。
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] 半導体基板の加熱処理、特にシリコンカーバイド（SiC)基板の加熱処理は、 1500
°C〜2000°C程度の高温で行われる。このような高温加熱により加熱処理を受ける基 板 (半導体基板)の表面が荒れてしまうという問題があった。
[0006] 例えば、 SiC基板の場合、その材料特性より熱拡散が低ぐ局所ドーパント制御は イオン注入法を用いる力 高エネルギーで加速した不純物イオンを注入する際に Si
C結晶が壊れてしまうことがある。このほぼアモルファス化した SiCを再結晶化する際 に高温加熱処理が行われる。 [0007] しかし、 SiC基板を高温で加熱処理すると基板の表面が荒れることがある。このよう に表面が荒れた SiC基板を MOSFET(MOS電界効果トランジスタ）に用いると、 M OSFETでの電子移動度の低下につながるという問題があった。
[0008] すなわち、 SiC基板で MOSFETなどを作成しょうとするときに、前記のように SiC基 板の表面が荒れていると、荒れた SiC基板表面にゲート絶縁膜などを形成することに なり、良質な界面を得られなくなる。その結果、トランジスタとしての性能が低下してし まう。また、単純に金属とコンタクトを取る際にも、荒れた表面に対して金属を接触さ せることはコンタクト抵抗を上昇させる要因になりかねな ヽと 、う問題がある。
[0009] そこで、この発明は、半導体基板を高温処理する基板加熱処理に用いられる基板 加熱処理装置及びかかる基板加熱処理に用いられる基板搬送用トレイであって、加 熱処理される基板 (半導体基板)の表面荒れの発生を抑え、その一方で、効率よく基 板加熱処理を行うことができる基板加熱処理装置及びかかる基板加熱処理に用いら れる基板搬送用トレイを提供することを目的としている。
課題を解決するための手段
[0010] この発明は、前記課題を解決するため、加熱手段と基板 (加熱処理を受ける半導体 基板）との間に配備されているサセプタの、基板が配置されている側の表面を基板加 熱処理の間にガスを放出しない部材によって被覆することを提案する。
[0011] また、基板 (加熱処理を受ける半導体基板)を間に挟んで、前記サセプタに対向す る側に前記サセプタを介した前記加熱手段力 の熱を受ける熱受け体を配備し、当 該熱受け体の前記基板が配置されている側の表面をも基板加熱処理の間にガスを 放出しな!、部材で被覆することを提案する。
[0012] 更に、前記サセプタは加熱手段を内蔵していて当該サセプタの上に基板 (加熱処 理を受ける半導体基板)を配置可能なものとし、当該サセプタの上に配置可能で、上 側面に前記基板が配置される基板支持部を有し、外周が当該サセプタの外周より大 きぐ少なくとも前記上側面が前記基板加熱処理の間にガスを放出しな ヽ部材で被 覆されて!/ヽる、基板加熱処理に用いられる基板搬送用トレィを提案する。
発明の効果
[0013] この発明の基板加熱処理装置と、基板搬送用トレイとによれば、半導体基板を高温 処理する熱処理において、加熱処理される基板の表面荒れの発生を抑え、その一方 で効率よく加熱処理を行うことができる。
[0014] そこで、 1500°C〜2000°C程度の高温で加熱処理が行われるため、表面に荒れが 生じることがある SiC基板の加熱処理を、表面荒れの発生を抑えて効率よく行うことが できる。
[0015] また、かかる本発明の基板加熱処理装置によって行われる基板加熱処理に用いら れる本発明の基板搬送用トレイは、加熱処理の間にトレイからガスが発生することを 防止できるので、加熱処理される基板の表面荒れの発生を抑え、その上で、複数枚 の基板を効率よく加熱処理することに有用である。
発明を実施するための最良の形態
[0016] この発明が提案する基板加熱処理装置は、真空排気可能な処理室内に配置され た基板 (加熱処理を受ける半導体基板)を加熱処理する加熱手段を備え、前記処理 室中に配置されて！ヽる基板 (加熱処理を受ける半導体基板)を、前記加熱手段によ つて加熱処理するものである。力かる基板加熱処理装置において、本発明は、前記 加熱手段と基板との間にサセプタが配備されており、当該サセプタの前記基板が配 置されて!ヽる側の表面が前記基板加熱処理の間にガスを放出しな ヽ部材で被覆さ れて 、ることを特徴として！/、る。
[0017] 本発明の基板加熱処理装置によれば、加熱処理される基板と加熱手段との間に配 備されて!/、るサセプタが加熱手段によって所定の温度に保持され、この所定の温度 に保持されたサセプタカも基板に均一に熱が伝わる。ここで、サセプタの基板が配置 されて ヽる側の表面は前記基板加熱処理の間にガスを放出しな ヽ部材で被覆され ている。そこで、高温、例えば、 1500°C〜2000°Cに加熱されてもサセプタカ ガス が放出されることを防止できる。これによつて加熱処理される基板の表面荒れの発生 を防止できる。
[0018] なお、基板加熱処理の間にサセプタから放出されたガスによって加熱処理される基 板に表面荒れなどが発生することを防止するという目的がより効果的に達せられるよ うに、基板が配置されている側の表面であって、加熱処理の間にガス放出が生じる可 能性のあるサセプタの表面はすべて基板加熱処理の間にガスを放出しない部材で 被覆されて ヽるようにすることが望ま U、。
[0019] 前述した本発明の基板加熱処理装置は、更に、前記基板 (加熱処理を受ける半導 体基板)を間に挟んで、前記サセプタに対向する側に前記サセプタを介した前記カロ 熱手段からの熱を受ける熱受け体が配備されており、当該熱受け体の前記基板が配 置されて!ヽる側の表面が前記基板加熱処理の間にガスを放出しな ヽ部材で被覆さ れている形態にすることができる。
[0020] 基板 (加熱処理を受ける半導体基板)を間に挟んで、前記サセプタに対向する側に 前記サセプタを介した前記加熱手段力 の熱を受ける熱受け体が配備されているこ とにより、当該熱受け体も加熱され、この熱受け体からの輻射熱で効率よく基板を加 熱することができる。更に、この熱受け体の基板が配置されている側の表面も前記基 板加熱処理の間にガスを放出しない部材で被覆されているので、熱受け体が高温、 例えば、 1500°C〜2000°Cに加熱されても熱受け体力もガスが放出されることを防 止できる。これによつて加熱処理される基板の表面荒れの発生を防止できる。
[0021] 以上の本発明の基板加熱処理装置において、サセプタは加熱手段を内蔵してい て当該サセプタの上方に基板 (加熱処理を受ける半導体基板)を配置可能な形態に することができる。
[0022] そしてこの場合に、熱受け体は、サセプタの上方力も前記基板を覆 、、前記基板を 前記処理室内の空間と隔離するキャップ力 なり、当該キャップの少なくとも前記基 板の側に向力う側の表面は前記基板加熱処理の間にガスを放出しない部材で被覆 されている形態にすることができる。
[0023] このようにして、例えば、加熱手段を内蔵するサセプタの上に直接基板 (加熱処理 を受ける半導体基板)を置くようにすれば、加熱処理を受ける基板は、サセプタから 直接、均一な加熱を受ける。また、これを上方力もキャップで覆って、サセプタの上に 配置されている基板を処理室内の空間と隔離する形態になっているため、熱受け体 たるキャップからの輻射熱による基板の加熱をより効率よく行うことができる。
[0024] そして、この形態の場合も、例えば、加熱手段を内蔵するサセプタの上に直接基板 が置かれていれば、サセプタの基板が配置されている側の表面、すなわち、基板が 配置されているサセプタの上面と、キャップの基板が配置されている側に向力う表面 、すなわち、サセプタの上に配置されている基板を処理室内の空間と隔離しているキ ヤップの内側面は、それぞれ、前記基板加熱処理の間にガスを放出しない部材で被 覆されている。そこで、加熱処理される基板がキャップによって処理室内の空間と隔 離されているキャップ内部の空間にサセプタ及びキャップ力もガスが放出されることを 防止でき、より効果的に、加熱処理される基板の表面荒れの発生を防止できる。
[0025] これらの場合も、基板加熱処理の間に、熱受け体、キャップ力 放出されたガスによ つて加熱処理される基板に表面荒れなどが発生することを防止するという目的がより 効果的に達せられるように、基板が配置されている側の表面であって、加熱処理の 間にガス放出が生じる可能性のある熱受け体の表面はすべて加熱処理の間にガス を放出しない部材で被覆されていることが望ましい。また、基板が配置されている側 に向力う表面であって、加熱処理の間にガス放出が生じる可能性のあるキャップの表 面はすべて、加熱処理の間にガスを放出しない部材で被覆されているようにすること が望ましい。
[0026] 以上の本発明の基板加熱処理装置にぉ ヽて、加熱される基板（半導体基板）は、 例えば、 SiC基板にすることができる。
[0027] また、加熱手段は、電子衝撃加熱用の熱電子発生手段または赤外線ランプ加熱用 の赤外線ランプにすることができる。
[0028] RTPなどのように、半導体製造装置の真空排気された処理室中に配置されて!、る 基板を加熱する処理、あるいは半導体製造装置の処理室中（大気圧状態）に配置さ れている基板を加熱する処理においては、例えば、図 8 (a)図示のように、時刻まで 加熱を続けた後、直ちに加熱を停止する場合や、図 8 (b)図示のように、時刻 tまで 加熱を続けた後、時刻 tまで所定の温度に保ち続け、そこで加熱を停止する場合な
2
ど、種々の加熱工程が採用されている。
[0029] そこで、前記の基板加熱処理の間にガスを放出しない部材は、半導体基板を高温 処理する熱処理におけるこれらのプロセス条件を考慮して、例えば、 10_4Pa〜大気 圧状態、 800°C〜2300°Cで、 1800秒を越えない範囲においてガスを放出しない部 材である必要がある。そこで、例えば、熱分解炭素（Pyrolytic Graphite, Pyrolytic Ca rbon)を使用することができる力 これ以外でも、前記の条件の下でガスを放出しない 部材であれば種々のものを使用することができる。
[0030] 次に前記課題を解決するため本発明が提案する基板加熱処理に用いられる基板 搬送用トレイは、前述した本発明の基板加熱処理装置において、サセプタが加熱手 段を内蔵していて当該サセプタの上方に基板 (加熱処理を受ける基板)を配置可能 な形態である場合に採用されるものである。そして、当該サセプタの上に配置可能で 、前記加熱手段によって加熱処理される基板が上側面に配置される基板支持部を 有し、外周が当該サセプタの外周より大きぐ少なくとも前記上側面が前記基板加熱 処理の間にガスを放出しない部材で被覆されていることを特徴とするものである。
[0031] 高温に加熱された基板をサセプタ上カも取り除き、次に加熱処理される基板をサセ プタ上に載置する場合、加熱処理後の基板が高温であるので、温度が低下するのを 待つ必要がある。このように温度が低下するまで待ってから加熱処理を受けた基板を サセプタ上から取り除くのでは処理時間が長くなり、効率よく加熱処理を行うことがで きない。
[0032] そこで、前述した本発明の基板加熱処理装置において、サセプタが加熱手段を内 蔵していて当該サセプタの上方に基板を配置可能な形態である場合に採用される基 板搬送用トレイとして本発明の前述した本発明の基板搬送用トレイを提案するもので ある。
[0033] 本発明の基板搬送用トレイはその外周がサセプタの外周より大きいので、前記トレ ィをサセプタ上に配置し、このトレイの上に基板を載せた状態で加熱処理を行い、加 熱処理が完了したならば、基板の温度が低下するのを待たずに、トレイごとサセプタ 上から取り除くことができる。そして、次に加熱処理が行われる基板が基板支持部の 上側面に置かれて 、る新たなトレィをサセプタ上に配置して、次の基板に対する加 熱処理を行うことができる。これによつて複数枚の基板に対する効率のょ 、加熱処理 を可能にしたものである。
[0034] そして、この場合も、少なくとも基板支持部側の上側面が前記基板加熱処理の間に ガスを放出しな ヽ部材で被覆されて ヽる形態にすることによって、基板加熱処理の間 に、トレイカゝら放出されたガスによって加熱処理される基板に表面荒れなどが発生す ることを防止できる。 [0035] なお、この基板加熱処理に用いられる基板搬送用トレイは、基板支持部の周縁から 前記サセプタの外側を下側方向に向力つて延びる筒状の側壁部と、当該筒状側壁 部の下端側カも径方向外側に向力つて延びる環状部とを備えている形態にすること ができる。
[0036] このようにすれば、基板支持部の周縁からサセプタの外側を下側方向に向力つて 延びる筒状の側壁部を備えているので、基板支持部に温度分布が発生することを防 止でき、基板支持部での基板のより均一な加熱を可能にすることができる。
[0037] いずれの形態であっても、本発明の基板加熱処理に用いられる基板搬送用トレイ は、少なくとも、加熱処理が行われる基板が配置される基板支持部の上側面が、基 板加熱処理の間にガスを放出しない部材で被覆されている。そこで、加熱処理の間 に、トレイからのガス発生を抑え、加熱処理される基板の表面荒れの発生を防止でき る。
[0038] ここでも、基板加熱処理の間にトレイから放出されたガスによって加熱処理される基 板に表面荒れなどが発生することを防止するという目的がより効果的に達せられるよ うに、基板加熱処理の間にガス放出が生じる可能性のあるトレイの表面はすべてカロ 熱処理の間にガスを放出しな ヽ部材で被覆されて ヽるようにすることが望ま ヽ。
[0039] なお、トレイの表面に被覆される前記の基板加熱処理の間にガスを放出しない部材 は、前記と同様に、半導体基板を高温処理する熱処理におけるプロセス条件を考慮 して、例えば、 10_4Pa〜大気圧状態、 800°C〜2300°Cで、 1800秒を越えない範 囲においてガスを放出しない部材、例えば、熱分解炭素（Pyrolytic Graphite, Pyroly tic Carbon)を使用することができる。また、これ以外でも、前記の条件の下でガスを 放出しない部材であれば種々のものを使用することができる。
[0040] 以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施例を説明する。
実施例 1
[0041] 図 1、図 2は、この発明の第一の実施例を説明するものであって、真空排気可能な 処理室 1内に配置された基板 3を加熱する加熱手段 4を備え、真空排気された処理 室 1中に配置されて！ヽる基板 3を加熱手段 4によって加熱する基板加熱処理装置で ある。 [0042] 図 1、図 2図示の実施形態では、サセプタ 5内に加熱手段 4が内蔵されており、サセ プタ 5の図 1中上側の基板支持部の上側面に加熱処理を受ける基板 3が置かれる。 このように、加熱手段 4と加熱処理される基板 3との間に配備されるサセプタ 5は、図 2 に拡大して表したように、基板 3が配置されて 、る基板支持部の上側面が熱分解炭 素のコーティング層 15で被覆されて 、る。
[0043] このように本発明の基板加熱処理装置では、加熱手段 4と加熱処理される基板 3と の間に配備されるサセプタ 5の、基板 3が配置されている側の表面が熱分解炭素のコ 一ティング層 15で被覆されている。そこで、加熱手段 4が 1500°C〜2000°C程度の 高温に加熱された場合であっても、サセプタ 5からのガスの発生が抑えられ、加熱処 理される基板 3の表面荒れの発生を抑えることができる。
[0044] 図 1、図 2図示の本発明の実施形態では、基板 3を間に挟んで、サセプタ 5に対向 する側にサセプタ 5を介した加熱手段 4からの熱を受ける熱受け体が配備され、当該 熱受け体の基板 3が配置されて ヽる側の表面が熱分解炭素で被覆されて ヽる。
[0045] すなわち、図 2図示のように、基板 3が加熱手段 4を内蔵するサセプタ 5の上に配置 され、この基板 3を間に挟んで、サセプタ 5に対向する側にサセプタ 5を介した加熱手 段 4からの熱を受ける熱受け体たるキャップ 6が配備されている。そして、このキャップ 6の基板 3が配置されている側の表面、すなわち、キャップ 6の内側面は、図 2に拡大 して表したように、熱分解炭素のコーティング層 16で被覆されて 、る。
[0046] このキャップ 6は、図 1、図 2図示のようにサセプタ 5の上に配置されて基板 3の上に 被せられ、基板 3が配置されているキャップ 6の内部空間 26を処理室 1内の空間 27と 隔離する役割を果たして ヽる。
[0047] この図 1、図 2図示の実施形態によれば、加熱処理を受ける基板 3は、加熱手段 4を 内蔵するサセプタ 5上に置かれて 、ることによりサセプタ 5から直接、均一な加熱を受 ける。
[0048] そこで、キャップ 6を使用しな 、形態、すなわち、基板 3を上側力もキャップ 6で覆つ てサセプタ 5の上に配置されている基板 3を処理室 1内の空間 27と隔離する形態（図 1、図 2図示）にしなくても、基板 3を効率よぐ均一に加熱することができる。図 3は、こ のように、キャップ 6が使用されて ヽな 、本発明の基板加熱処理装置を表すものであ る。図 1、図 2図示の実施形態と共通する部分には共通する符号をつけてその説明を 省略する。なお、図 3図示の実施形態では、基板 3が配置されている側の表面であつ て、加熱処理の間にガス放出が生じる可能性のあるサセプタ 5の表面がすべて熱分 解炭素のコーティング層 15で被覆されている。
[0049] 図 3図示の実施形態でも、サセプタ 5の基板 3が配置されて 、る側の表面、すなわ ち、少なくとも、基板 3が配置されているサセプタ 5の基板支持部の上側面が、符号 1 5で示すように熱分解炭素のコーティング層で被覆されている。そこで、高温での加 熱処理の間に、サセプタ 5から放出されたガスによって加熱処理される基板 3に表面 荒れが発生することを効果的に防止できる。
[0050] 図 1、図 2図示の形態では、サセプタ 5の上にキャップ 6を被せて基板 3が配置され ている空間 26をキャップ 6で密封している。そこで、前述した図 3図示のキャップ 6を 使用していない形態に比較すれば、加熱された基板 3からの放熱を抑制し、より効率 的な加熱を実現することができる。
[0051] また、サセプタ 5の基板 3が配置されている側の表面、すなわち、基板 3が配置され て 、るサセプタ 5の基板支持部の上側面と、キャップ 6の基板 3が配置されて 、る側 に向力う表面、すなわち、サセプタ 5の上に配置されている基板 3を処理室 1内の空 間 27と隔離しているキャップ 6の内側面は、それぞれ、符号 15、 16で示すように熱分 解炭素のコーティング層で被覆されている。
[0052] そこで、高温での加熱処理の間に、加熱処理される基板 3がキャップ 6によって処理 室 1内の空間 27と隔離されているキャップ 6内部の空間 26に、サセプタ 5及びキヤッ プ 6からガスが放出されることを防止でき、加熱処理される基板 3の表面荒れの発生 をより効果的に防止できる。
[0053] なお、表面に熱分解炭素のコーティング層 15、 16が形成されているサセプタ 5や、 キャップ 6は、高純度処理されたカーボンで、型を形成した後に、その表面に熱分解 炭素をコーティングして製作することができる。
[0054] コーティング層 15、 16の厚みは 10〜50 mとしておくことが望ましい。
[0055] 加熱処理を受ける基板 3を SiC基板にする場合、加熱処理は 2000°Cもの高温で行 われることがある。このような高温での SiC基板の加熱処理を考慮して、前述した実施 例では、高温におけるサセプタ 5、キャップ 6の材料からのガス放出を避けるベぐ熱 分解炭素をコーティングして、サセプタ 5や、キャップ 6にコーティング層 15、 16を形 成している。これに代えて、サセプタ 5や、キャップ 6の材質を、 SiCあるいは、カーボ ン (より好ましくは、高純度処理されたカーボン）にすることもできる。あるいは、これら の材質で形成したサセプタ 5、キャップ 6の表面に、熱分解炭素をコーティングしてサ セプタ 5や、キャップ 6にコーティング層 15、 16を形成してもよい。
[0056] また、図示していないが、熱分解炭素のコーティング層 15、 16を設けるのに代えて 、熱分解炭素そのものでサセプタ 5、キャップ 6を形成することもできる。
[0057] 前記のようにして加熱処理を行った後は、キャップ 6の温度が低下してから、手動で
(手動装置の場合)、あるいは所定の搬送機構（自動化装置の場合）によってキャップ 6をサセプタ 5の上から取り除き、ついで、加熱処理後の基板 3を処理室 1から搬出す る。そして、次に加熱処理を行う基板を搬入してきてサセプタ 5の上に置き、必要なら ば、キャップ 6を被せて、処理室 1を真空状態にした後、加熱処理を行う。
[0058] なお、発熱手段 4としては、電子衝撃加熱用の熱電子発生手段、赤外線ランプカロ 熱用の赤外線ランプなどを採用することができる。
実施例 2
[0059] 図 4 (a)、（b)、図 5 (a)、（b)は本発明の第二の好ましい実施例を説明する図であつ て、実施例 1の図 2に対応しているものである。
[0060] 実施例 図 1〜図 3で説明した構造部分と同一の構造部分には同一の符号を付 け、その説明を省略する。
[0061] この実施例は、高温での加熱処理の間にサセプタなど力 ガスが放出されることに よって加熱処理される基板 3に表面荒れが発生することを効果的に防止できるととも に、複数枚の基板を加熱処理する場合に、効率よく処理を行うことを可能ならしめる 本発明の基板加熱処理装置と基板搬送用トレイとを説明するものである。
[0062] この実施形態の基板加熱処理装置は、実施例 図 1〜図 3の実施形態のものに カロえて、サセプタ 5上に配置され、加熱手段 4によって加熱処理される基板 3が上側 面に配置される基板支持部 8を有する本願発明のトレイ 7を更に備えている。
[0063] この基板加熱処理に用いられる基板搬送用トレイであるトレィ 7は、図 4 (a)、 4 (b) 図示の実施形態では、加熱手段 4によって加熱処理される基板 3が上側面（図 4 (a) 、図 4 (b)中、上側の面）に配置される基板支持部 8を備えている。そして、図示のよう に、外周がサセプタ 5の外周より大きい。これにより、サセプタ 5の上に配置したときに 、図 4 (a)、図 4 (b)図示のように、サセプタ 5の外周よりも径方向外側に突出する周縁 部 20を備えている。更に、少なくとも前記上側面が熱分解炭素のコーティング層 17 で被覆されている。
[0064] 図 5 (a)、図 5 (b)図示のトレイ 7は、加熱手段 4によって加熱処理される基板 3が上 側面に配置される基板支持部 8を有し、当該基板支持部 8の周縁からサセプタ 5の外 側を下側方向に向力つて延びる筒状の側壁部 9と、当該筒状側壁部 9の下端側から 径方向外側に向力つて延びる環状部 10とを備えている。これによつて、外周がサセ プタ 5の外周より大きくなつている。そして、少なくとも前記上側面が熱分解炭素のコ 一ティング層 17で被覆されて 、る。
[0065] なお、図 4 (a)は図 2に対応して、熱受け体としてのキャップ 6が使用されるもので、 図 4 (b)は、図 3に対応してキャップ 6が使用されていないものである。
[0066] 図 5 (a)は図 2に対応して、熱受け体としてのキャップ 6が使用されるもので、図 5 (b) は、図 3に対応してキャップ 6が使用されていないものである。
[0067] また、図 4 (a)、図 5 (a)図示の実施形態では図 2図示の実施形態とは異なり、キヤッ プ 6は、処理室内の空間 27に面する側も熱分解炭素のコーティング層 16で被覆され ている。
[0068] この実施例 2の基板加熱処理装置によれば、トレイ 7をサセプタ 5上に載置し、トレイ 7の上に基板 3を載せた状態で加熱処理を行う。加熱処理が完了したならば、基板 3 あるいは、キャップ 6及び基板 3の温度が低下するのを待たずに、基板 3に比較して 温度の低いトレイ 7の周縁部 20や、環状部 10を、先端が二股状になっているロボット 等の搬送機構の二股状の先端部で、図 4 (a)〜図 5 (b)中、下側力も支持して、トレイ 7ごとサセプタ 5上力 取り除く。そして、次に加熱処理が行われる基板 3が基板支持 部 8の上側面に置かれている新たなトレイ 7を搬送してきてサセプタ 5上に載置し、次 の基板 3に対する加熱処理を行うことができる。これにより、効率よく複数枚の基板の 加熱処理を行うことができる。 [0069] この実施例 2の場合も、トレイ 7における基板支持部 8の、加熱手段 4によって加熱 処理される基板 3が配置される上側面は熱分解炭素のコーティング層 17で被覆され ているので、基板加熱処理の間にトレィ 7からのガス発生を防止して、加熱処理され る基板 3の表面荒れの発生を防止できる。
[0070] なお、図 4 (a)〜図 5 (b)図示の実施形態では、基板加熱処理の間にトレィ 7からガ スが発生することをより効果的に防止するために、トレイ 7の表面全体を熱分解炭素 のコーティング層 17で被覆して 、る。
[0071] 図 5 (a)、 (b)図示の基板加熱処理装置におけるトレイ 7は、基板支持部 8の周縁か らサセプタ 5の外側を下側方向に向力つて延びる筒状の側壁部 7を備えているので、 基板加熱処理の間に、基板支持部 8に温度分布が発生することをより効果的に防止 できる。これにより、基板支持部 8での基板 3のより均一な加熱を可能にすることがで きる。この点で、図 4 (a)、（b)図示の平板状で径の大きいトレイ 7よりは有利である。
[0072] 図 5 (a)、（b)図示の実施形態において、トレイ 7の環状部 10は、前述したように搬 送機構によってトレイ 7を搬送する際の支持部になるものであるが、前述した加熱処 理の間の基板支持部 8における温度分布発生を防止し、基板支持部 8での基板 3の より均一な加熱を行う上で、筒状側壁部 9の下端側から径方向外側に向かって延び る環状部に形成されて ヽることが望ま 、。
[0073] 図 4 (a)〜図 5 (b)図示の実施例 2の実施形態においても、サセプタ 5、キャップ 6、ト レイ 7の表面は、 10〜50 m程度の厚みの熱分解炭素のコーティング層 15、 16、 1 7で被覆されている。
[0074] このため、 1500°C〜2000°C程度の高温での基板加熱処理の間に、サセプタ 5、 キャップ 6、トレイ 7からガスが発生することを防止でき、加熱処理される基板 3の表面 荒れの発生を防止できる。
[0075] なお、図 4 (a)〜図 5 (b)図示の実施例 2の実施形態では、サセプタ 5、キャップ 6、ト レイ 7の表面全体が熱分解炭素のコーティング層 15、 16、 17で被覆されている。そこ で、基板加熱処理の間における、サセプタ 5、キャップ 6、トレイ 7からのガス発生を防 止できるだけでなぐサセプタ 5、キャップ 6、トレイ 7を形成している材質の飛散を抑 制し、基板 3だけでなぐァニールチャンバ等の処理室 1の内面の汚染防止をも図る ことができる。
[0076] 図 1〜図 3図示の実施形態では、少なくとも、加熱処理を受ける基板 3が配置されて いる側におけるサセプタ 5、キャップ 6の表面を熱分解炭素のコーティング層 15、 16 で被覆し、加熱処理中の、サセプタ 5、キャップ 6からのガス発生抑制、加熱処理され る基板 3の表面荒れ防止を図っていた。この図 1〜図 3図示の実施形態において、図 4 (a)〜図 5 (b)図示の実施形態のように、サセプタ 5、キャップ 6の表面全体を熱分解 炭素のコーティング層 15、 16で被覆するようにすれば、更に、加熱処理中の、サセ プタ 5、キャップ 6を形成している材質の飛散抑制、基板 3や、ァニールチャンバ等の 処理室 1の内面の汚染防止を図る上で有利である。
実施例 3
[0077] 図 6図示の実施形態も図 1〜図 3図示の実施形態と同じぐ真空排気可能な処理室 1内に配置された基板 3を加熱する加熱手段 4を備え、真空排気された処理室 1中に 配置されている基板 3を加熱手段 4によって加熱する基板加熱処理装置である。
[0078] 図 6図示の処理室 1は、内壁鏡面仕上げにより反射率を高めたアルミニウム製で、 流体流動部 12に冷却用流動体が流動可能にされて!、る水冷アルミ製のァニールチ ヤンバである。この処理室 1は、 10_2Pa程度の真空に排気可能になっている力 大 気圧状態において加熱処理を行うことも可能である。
[0079] サセプタ 5内には加熱手段 4が内蔵されており、サセプタ 5の図 6中上側にあたる基 板支持部の上側面に加熱処理を受ける基板 3が置かれる。上側面に基板 3が置かれ るサセプタ 5の基板支持部には図示のようにセンサ 11が配備されており、これによつ て、加熱温度が検知されるようになっている。加熱手段 4としては、実施例 1、 2と同じ ぐ電子衝撃加熱用の熱電子発生手段、赤外線ランプ加熱用の赤外線ランプなどが 採用される。
[0080] サセプタ 5の内部は、処理室 1とは別系統の真空ポンプ等の排気手段によって、常 時、 10_2Pa程度の真空に排気可能になって 、る。
[0081] この実施形態でも、加熱手段 4と加熱処理される基板 3との間に配備されることにな るサセプタ 5は、基板 3が配置されている側の表面、すなわち、この実施例では、処理 室 1の内壁面に対向するサセプタ 5の表面が熱分解炭素のコーティング層 15で被覆 されている。
[0082] このように本発明の基板加熱処理装置では、加熱手段 4と加熱処理される基板 3と の間に配備されるサセプタ 5の、基板 3が配置されている側の表面が熱分解炭素のコ 一ティング層 15で被覆されている。そこで、加熱手段 4が 1500°C〜2000°C程度の 高温に加熱された場合であっても、サセプタ 5からのガスの発生が抑えられ、加熱処 理される基板 3の表面荒れの発生を抑えることができる。
実施例 4
[0083] 図 7図示の実施形態は、加熱手段が真空排気可能な処理室の壁側に配置され、 真空排気された処理室中に配置されて ヽる基板 3を当該処理室の壁側に配置され て 、る加熱手段によって加熱するものである。
[0084] 真空排気可能な処理室 31には、基板 3への薄膜形成等に用いられる原料ガス等 が導入されるガス供給管 32と、不図示の排気手段に連結されている排気管 34が接 続されている。
[0085] 処理室 31内には図 7中、上下方向に移動可能な基板支持部 39が備えられており 、この基板支持部 39の上に、成膜処理や、加熱処理などを受ける基板 3が置かれる
[0086] 処理室 31の周囲には加熱手段 35が配置されている。
[0087] 加熱手段 35が配備されている位置における処理室 31の内周壁側にはサセプタ 36 が断熱材 41を介して配置されており、こうして、加熱手段 35と基板 3との間にサセプ タ 36が配置されている。
[0088] 図示の形態の処理室 31は、ガス供給管 32から導入されたガスが、漏斗状部 33、 ガス供給路 38を介して、サセプタ 36が配備されて 、る部分に至る構造になって!/、る
[0089] 図示のように、サセプタ 36の基板 3が配置されている側の表面、すなわち、処理室 31の内壁に当たる部分が熱分解炭素のコ一ティング層 37で被覆されて 、る。
[0090] そこで、 1500°C〜2000°C程度の高温での加熱処理の間に、サセプタ 36からガス が発生することを防止でき、加熱処理される基板 3の表面荒れの発生を防止できる。
[0091] また、この実施例では、基板 3を間に挟んで、サセプタ 36に対向する側に位置し、 サセプタ 36を介した加熱手段 35からの熱を受ける熱受け体に相当する上側面 (基 板支持面)を含めて、基板支持部 39の表面全体が熱分解炭素のコーティング層 40 で被覆されている。
[0092] そこで、 1500°C〜2000°C程度の高温での加熱処理の間に、サセプタ 36からだけ でなぐ基板支持部 39からガスが発生することも防止でき、一層効果的に加熱処理さ れる基板 3の表面荒れの発生を防止できるようになって 、る。
[0093] 更に、この実施例では、図 7に図示したように、断熱材 41の処理室 31内側、すなわ ち、漏斗状部 33、ガス供給路 38の処理室 31内側なども熱分解炭素のコーティング 層 42で被覆され、基板支持部 39を支持するロッド部も処理室 31内側にあたるその 外周力 熱分解炭素のコーティング層 43で被覆されている。
[0094] そこで、 1500°C〜2000°C程度の高温での加熱処理の間におけるガス発生を一層 効果的に防止することができる。
[0095] このように、内部に加熱処理される基板が配置され、真空に排気可能な処理室の 内周壁全面、かかる処理室の内部空間に露出する各部材の表面全体を、基板加熱 処理の間にガスを放出しない部材、例えば、熱分解炭素で被覆しておけば、基板カロ 熱処理の間に、処理室の内周壁、処理室の内部空間に露出している各部材の表面 力 ガス放出が生じるおそれを未然に防止できる。これにより、加熱処理される基板 の表面荒れの発生を防止する上で最も効果的である。
[0096] 以上、本発明の好ましい実施形態、実施例を添付図面を参照して説明したが、本 発明はかかる実施例、実施形態に限定されるものではなぐ特許請求の範囲の記載 力 把握される技術的範囲において種々の形態に変更可能である。
図面の簡単な説明
[0097] [図 1]本発明の第一の実施形態を説明する一部を省略した断面図。
[図 2]図 1図示の基板加熱処理装置の一部を拡大して説明する断面図。
[図 3]本発明の第一の実施形態の他の例を説明する図 1に対応する図。
[図 4] (a)本発明の第二の実施形態の一部を拡大して説明する断面図。（b)本発明 の第二の実施形態の他の例の一部を拡大して説明する断面図。
[図 5] (a)本発明の第三の実施形態の一部を拡大して説明する断面図。（b)本発明 の第三の実施形態の他の例の一部を拡大して説明する断面図。
圆 6]本発明の第四の実施形態を説明する一部を省略した断面図。
圆 7]本発明の第五の実施形態を説明する一部を省略した断面図。
[図 8] (a)本発明の基板加熱処理装置による加熱工程の一例を表す図、（b)本発明 の基板加熱処理装置による加熱工程の他の例を表す図。
圆 9]従来の基板加熱処理装置を説明する一部を省略し、一部を拡大した断面図。

Claims

請求の範囲
[1] 真空排気可能な処理室内に配置された基板を加熱処理する加熱手段を備え、前記 処理室中に配置されている基板を前記加熱手段によって加熱処理する基板加熱処 理装置であって、前記加熱手段と基板との間にサセプタが配備されており、当該サセ プタの前記基板が配置されている側の表面が前記基板加熱処理の間にガスを放出 しな 、部材によって被覆されて 、ることを特徴とする基板加熱処理装置。
[2] 前記基板を間に挟んで、前記サセプタに対向する側に前記サセプタを介した前記カロ 熱手段からの熱を受ける熱受け体が配備されており、当該熱受け体の前記基板が配 置されて!ヽる側の表面が前記基板加熱処理の間にガスを放出しな ヽ部材で被覆さ れていることを特徴とする請求項 1記載の基板加熱処理装置。
[3] サセプタは加熱手段を内蔵していて当該サセプタの上方に基板を配置可能なもので あることを特徴とする請求項 1又は 2記載の基板加熱処理装置。
[4] 熱受け体はサセプタの上方力 前記基板を覆い、前記基板を前記処理室内の空間 と隔離するキャップからなり、当該キャップの少なくとも前記基板の側に向力う側の表 面は前記基板加熱処理の間にガスを放出しな ヽ部材で被覆されて ヽることを特徴と する請求項 3記載の基板加熱処理装置。
[5] 加熱される基板が SiC基板であることを特徴とする請求項 1乃至 4の 、ずれか一項記 載の基板加熱処理装置。
[6] 加熱手段が電子衝撃加熱用の熱電子発生手段または赤外線ランプ加熱用の赤外 線ランプであることを特徴とする請求項 1乃至 5のいずれか一項記載の基板加熱処 理装置。
[7] 基板加熱処理の間にガスを放出しない部材が熱分解炭素であることを特徴とする請 求項 1乃至 6のいずれか一項記載の基板加熱処理装置。
[8] 請求項 3記載の基板加熱処理装置における加熱手段を内蔵するサセプタの上に配 置可能で、前記加熱手段によって加熱処理される基板が上側面に配置される基板 支持部を有し、外周が当該サセプタの外周より大きぐ少なくとも前記上側面が前記 基板加熱処理の間にガスを放出しな ヽ部材で被覆されて ヽることを特徴とする基板 加熱処理に用いられる基板搬送用トレイ。
[9] トレィは前記基板支持部の周縁から前記サセプタの外側を下側方向に向力つて延び る筒状の側壁部と、当該筒状側壁部の下端側から径方向外側に向かって延びる環 状部とを備えていることを特徴とする請求項 8記載の基板加熱処理に用いられる基板 搬送用トレイ。
[10] 基板加熱処理の間にガスを放出しない部材が熱分解炭素であることを特徴とする請 求項 8又は 9記載の基板加熱処理に用いられる基板搬送用トレイ。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166729A (ja) * 2006-12-08 2008-07-17 Canon Anelva Corp 基板加熱処理装置及び半導体製造方法
WO2008123111A1 (ja) * 2007-03-20 2008-10-16 Canon Anelva Corporation 基板加熱処理装置及び基板加熱処理方法
WO2008136126A1 (ja) * 2007-04-20 2008-11-13 Canon Anelva Corporation 炭化ケイ素基板を有する半導体デバイスのアニール方法と半導体デバイス
WO2008142747A1 (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Canon Anelva Corporation 加熱処理装置
JP2009206441A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Canon Anelva Engineering Corp 基板加熱装置、処理方法及び半導体装置
JP2009231341A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Ulvac Japan Ltd アニール装置、ＳｉＣ半導体基板の熱処理方法
US7666763B2 (en) 2007-05-29 2010-02-23 Canon Anelva Corporation Nanosilicon semiconductor substrate manufacturing method and semiconductor circuit device using nanosilicon semiconductor substrate manufactured by the method
JP2019062139A (ja) * 2017-09-28 2019-04-18 豊田合成株式会社 半導体装置の製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006050360B4 (de) * 2006-10-25 2014-05-15 Infineon Technologies Austria Ag Verfahren zum Erzeugen eines elektrischen Kontakts auf SiC
JP5497765B2 (ja) 2009-08-04 2014-05-21 キヤノンアネルバ株式会社 加熱処理装置および半導体デバイスの製造方法
US8328945B2 (en) * 2010-03-12 2012-12-11 United Technologies Corporation Coating apparatus and method with indirect thermal stabilization
JP5804739B2 (ja) * 2011-03-25 2015-11-04 コアテクノロジー株式会社 プレート型ヒーター
ITCO20130041A1 (it) * 2013-09-27 2015-03-28 Lpe Spa Suscettore con elemento di supporto
US10403509B2 (en) * 2014-04-04 2019-09-03 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Basal plane dislocation elimination in 4H—SiC by pulsed rapid thermal annealing
JP6541374B2 (ja) * 2014-07-24 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01145312A (ja) * 1987-11-30 1989-06-07 Toshiro Yamashina アウトガスの少ない炭素材料の製造方法及びその製法で得られた炭素材料を使用した炭素構造材料
JP2004297034A (ja) * 2003-03-10 2004-10-21 Kwansei Gakuin 熱処理装置及びそれを用いた熱処理方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1187983A (en) * 1966-06-23 1970-04-15 Ducommun Inc Process of Coating Articles with Pyrolytic Graphite and Coated Articles made in Accordance with the Process.
JPH0825838B2 (ja) * 1986-09-19 1996-03-13 東洋炭素株式会社 エピタキシヤル成長用黒鉛材料
JPS649900A (en) * 1987-06-30 1989-01-13 Ibiden Co Ltd Jig for heat-treating semiconductor wafer
JPH01176290A (ja) * 1987-12-28 1989-07-12 Ibiden Co Ltd 液相エピタキシャル成長用黒鉛治具
JPH04352678A (ja) * 1991-05-28 1992-12-07 Ibiden Co Ltd 黒鉛製ウエハ保持治具
JPH07176482A (ja) * 1991-05-31 1995-07-14 At & T Corp エピタキシャル成長方法および装置
JP2583648Y2 (ja) * 1992-12-15 1998-10-27 日新電機株式会社 気相成長装置のトレイ
JP3001374B2 (ja) * 1994-06-10 2000-01-24 信越石英株式会社 ウェーハ熱処理用反応容器及びその製法
JP2875768B2 (ja) * 1994-11-30 1999-03-31 新日本無線株式会社 半導体基板の熱処理方法
SE9503426D0 (sv) * 1995-10-04 1995-10-04 Abb Research Ltd A device for heat treatment of objects and a method for producing a susceptor
US5881208A (en) * 1995-12-20 1999-03-09 Sematech, Inc. Heater and temperature sensor array for rapid thermal processing thermal core
JPH09219440A (ja) * 1996-02-13 1997-08-19 Sony Corp ウエハ加熱用トレイ
JPH1045474A (ja) * 1996-08-01 1998-02-17 Toyo Tanso Kk 熱分解炭素被覆黒鉛材の製造方法
JPH10144618A (ja) * 1996-11-11 1998-05-29 Sony Corp 半導体デバイス製造用加熱装置
JP2912913B1 (ja) 1998-06-03 1999-06-28 助川電気工業株式会社 板体加熱装置
TW522504B (en) * 2001-02-15 2003-03-01 Ngk Insulators Ltd Diamond-coated member
WO2004088734A1 (ja) * 2003-03-10 2004-10-14 Kwansei Gakuin Educational Foundation 熱処理方法と熱処理装置
US20060249073A1 (en) * 2003-03-10 2006-11-09 The New Industry Research Organization Method of heat treatment and heat treatment apparatus
JP2006028625A (ja) * 2004-07-21 2006-02-02 Denso Corp Ｃｖｄ装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01145312A (ja) * 1987-11-30 1989-06-07 Toshiro Yamashina アウトガスの少ない炭素材料の製造方法及びその製法で得られた炭素材料を使用した炭素構造材料
JP2004297034A (ja) * 2003-03-10 2004-10-21 Kwansei Gakuin 熱処理装置及びそれを用いた熱処理方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1804284A4 *

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7807553B2 (en) 2006-12-08 2010-10-05 Canon Anelva Corporation Substrate heating apparatus and semiconductor fabrication method
JP2008166729A (ja) * 2006-12-08 2008-07-17 Canon Anelva Corp 基板加熱処理装置及び半導体製造方法
WO2008123111A1 (ja) * 2007-03-20 2008-10-16 Canon Anelva Corporation 基板加熱処理装置及び基板加熱処理方法
JPWO2008136126A1 (ja) * 2007-04-20 2010-07-29 キヤノンアネルバ株式会社 炭化ケイ素基板を有する半導体デバイスのアニール方法と半導体デバイス
WO2008136126A1 (ja) * 2007-04-20 2008-11-13 Canon Anelva Corporation 炭化ケイ素基板を有する半導体デバイスのアニール方法と半導体デバイス
JP5190451B2 (ja) * 2007-04-20 2013-04-24 キヤノンアネルバ株式会社 炭化ケイ素基板を有する半導体デバイスのアニール方法
US8198182B2 (en) 2007-04-20 2012-06-12 Canon Anelva Corporation Annealing method for semiconductor device with silicon carbide substrate and semiconductor device
JPWO2008142747A1 (ja) * 2007-05-16 2010-08-05 キヤノンアネルバ株式会社 加熱処理装置
JP4436893B2 (ja) * 2007-05-16 2010-03-24 キヤノンアネルバ株式会社 加熱処理装置
US8150243B2 (en) 2007-05-16 2012-04-03 Canon Anelva Corporation Heating process apparatus
WO2008142747A1 (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Canon Anelva Corporation 加熱処理装置
US7666763B2 (en) 2007-05-29 2010-02-23 Canon Anelva Corporation Nanosilicon semiconductor substrate manufacturing method and semiconductor circuit device using nanosilicon semiconductor substrate manufactured by the method
JP2009206441A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Canon Anelva Engineering Corp 基板加熱装置、処理方法及び半導体装置
JP2009231341A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Ulvac Japan Ltd アニール装置、ＳｉＣ半導体基板の熱処理方法
JP2019062139A (ja) * 2017-09-28 2019-04-18 豊田合成株式会社 半導体装置の製造方法

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