TWI325186B - Led chip package structure using ceramic material as a substrate - Google Patents

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1325186 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 作方極，封褒結構及其製 構及其製作方法 發光二極體晶片封I结 【先前技術】 請參閲第-圖所示，其係為習知直立式 片封裝結構之剖面示意圖。由圖中可知，習知之直立:: 極體晶片封裝結構係包括：一絕緣基底2 a、一；‘ 木a、一發光二極體晶片3 a及一螢光膠體4 a。 a ’料電架2 3係具有二個分別延該絕緣基底1 的兩相反側邊彎折二次之導電接腳2 Q a 電接腳20a、2la之下端面可與一電路板 產生電性接觸，並且該導電接腳2 〇 a、2 1 a分別 具有一正電極區域2 0◦ 3及-負電極區域2 1 〇 a。
再者，錢光二極體晶片3 a係具有_正電極端3 〇 你=貞電極端31〇a，並且該發光二極體晶片3 a 2接設置在該導電接腳2 Q a Jl，錢得該正電極端3 a直接與該導電接腳2 Q a之正電極區域2 q 〇 a產 電I"生接觸，而5亥發光一極體晶片之負電極端HQ ^系透過-導線6 a與該導電接腳2丄a之負電極區域2 1 0 a產生電性連接。 最後’該螢光膠體4 a係覆蓋在該發光二極體晶片3 a上 切* Γ 光二極體晶片3a。藉此，習知之直立 ==封裝結構係可產生向上投光(如箭4 請參閱第二圖及第三圖所示，其 =極體晶片封I结構之立體示意圖及第H = =由圖中可知，習知之側式發光二極體晶36士= 包括:-絕緣基底lb、一導電架2b、裝 片3 b及—螢光膠體4b。 a先-柽體曰曰 b的二電ί 2 具有二個分別延該絕緣基底1 勺側邊‘弯折二二人之導電接腳2 0 b、2丄b，以 ^導電接腳2Qb、21b之側端面可與—電路板^ 生電性接觸，並且該導電接腳2◦b、2 1 -正電極區域2〇〇b及一負電極區域21〇b。L有 再者，該發光二極體晶片3 b係具有—正 〇13及一負電極端31〇,，並且=30 ==該，接腳20b上，以使得該正= 直接亥‘電接腳2 0 b之正電極區域2 〇 〇乜產 生電性接觸’而該發光二極體晶片3b之負電極端3】〇 b係透過-導線6 b與該導電接腳2工b之負電極區择2 1 0 b產生電性連接。 最後，該螢光膠體4 b係覆蓋在該發光二極體晶片3 b上’以保護該發光二極體晶片3 b。藉此，習知之侧式 發光二極體晶>}封裝結構係可產生側向投光（如第三圖之 箭頭所示）之發光效果。 1325186 第四圖係為本發明以陶瓷為基板之發光二極體晶片封裝結 構之製作方法的第一實施例之流程圖； 第五A圖至第五C圖係為以陶瓷為基板之發光二極體晶片 封裝結構之製作方法的第一實施例之製作流程示意 圖； 第六圖係為以陶瓷為基板之發光二極體晶片封裝結構的第 一實施例之剖面示意圖； 第七圖係為本發明第一實施例之發光二極體晶片的第一種 設置方式之側視示意圖； 第八圖係為本發明第一實施例之發光二極體晶片的第二種 設置方式之側視示意圖； 第九圖係為本發明第一實施例之發光二極體晶片的第三種 設置方式之側視示意圖； 第十圖係為本發明發光二極體晶片的第四種設置方式之側 視示意圖； 第十一圖係為本發明以陶瓷為基板之發光二極體晶片封裝 結構之製作方法的第二實施例之流程圖； 第十二圖係為本發明以陶瓷為基板之發光二極體晶片封裝 結構的第二實施例之側視剖面圖；以及 第十三圖係為本發明第一實施例之以陶瓷為基板之發光二 極體晶片封裝結構於側式狀態之立體示意圖。 【主要元件符號說明】 [習知]

Claims (1)

1325186 十、申請專利範圍： 1、一種以陶瓷為基板之發光二極體晶片封裝結構，其包 括： 一陶瓷基板，其具有一本體、及複數個彼此分開且分 別從該本體之其中三面延伸出之突塊； 一導電單元，其具有複數個分別成形於該等突塊表面 之導電層； 一中空陶瓷殼體，其固定於該陶瓷基板之本體的頂面 上以形成一容置空間，並且該容置空間係曝露出該 等導電層之頂面； 複數個發光二極體晶片，其分別設置於該容置空間 内，並且每一個發光二極體晶片之正、負電極端係 分別電性連接於不同之導電層；以及 一封裝膠體，其填充於該容置空間内，以覆蓋該等發 光二極體晶片。 2、 如申請專利範圍第1項所述之以陶瓷為基板之發光二 極體晶片封裝結構，其中該陶瓷基板之本體的側面係 具有複數個分別形成於每兩個突塊之間之半穿孔。 3、 如申請專利範圍第1項所述之以陶瓷為基板之發光二 極體晶片封裝結構，其中該本體與該中空陶瓷殼體係 為兩個相互配合之長方體。 4、 如申請專利範圍第1項所述之以陶瓷為基板之發光二 極體晶片封裝結構，其中該導電單元更進一步包括： 一第一導電單元，其具有複數個分別成形於該等突塊 18 1325186
表面之第一導電層； 一硬度強化單元，其具有複數個分別成形於該等第一 導電層上之硬度強化層；以及 一第二導電單元，其具有複數個分別成形於該等硬度 強化層上之第二導電層； 藉此，該等第一導電層、該等硬度強化層及該等第二 導電層係依序組合成該導電層。 5、 如申請專利範圍第4項所述之以陶瓷為基板之發光二 極體晶片封裝結構，其中該第一導電層係為銀膏層。 6、 如申請專利範圍第4項所述之以陶瓷為基板之發光二 極體晶片封裝結構，其中該硬度強化層係為鎳層。 7、 如申請專利範圍第4項所述之以陶瓷為基板之發光二 極體晶片封裝結構，其中該第二導電層係為金層或銀 層。 8、 如申請專利範圍第1項所述之以陶瓷為基板之發光二 極體晶片封裝結構，其中該導電單元更進一步包括： 一第一導電單元，其具有複數個分別成形於該等突塊 表面之第一導電層；以及 一第二導電單元，其具有複數個分別成形於該等第一 導電層上之第二導電層，其中每一個第二導電層係 為一硬度強化導電層； 藉此，該等第一導電層及該等第二導電層係組合成該 導電層。 9、 如申請專利範圍第8項所述之以陶瓷為基板之發光二 19 1325186 打年如/E?雙早 L:Jml 極體晶片封裝結構，其中該第一導電層係為銀膏層。 1 0、如申請專利範圍第8項所述之以陶瓷為基板之發光 二極體晶片封裝結構，其中該第二導電層係為金層或 銀層。 1 1、如申請專利範圍第1項所述之以陶瓷為基板之發光 二極體晶片封裝結構，其中該容置空間係以朝上的方 式，以使得該等導電層之底面接觸於一電路板。 1 2、如申請專利範圍第1項所述之以陶瓷為基板之發光 二極體晶片封裝結構，其中該容置空間係以朝向側面 的方式，以使得該等導電層之側面接觸於一電路板。 1 3、如申請專利範圍第1項所述之以陶瓷為基板之發光 二極體晶片封裝結構，其中該等導電層係分成複數個 正極導電部及負極導電部。 1 4、如申請專利範圍第1 3項所述之以陶瓷為基板之發 光二極體晶片封裝結構，其中該發光二極體晶片之 正、負電極端係分別設置於每一個發光二極體晶片之 上表面；藉此，透過打線的方式，以使得每一個發光 二極體晶片之正、負電極端分別透過兩導線而電性連 接於相鄰之正極導電部及負極導電部。 1 5、如申請專利範圍第1 3項所述之以陶瓷為基板之發 光二極體晶片封裝結構，其中該發光二極體晶片之 正、負電極端係分別設置於每一個發光二極體晶片之 下表面與上表面；藉此，透過打線的方式，以使得每 一個發光二極體晶片之正電極端直接電性連接於相對 20 fl"^\ 日 L. •〖充 應之正極導雷都 w. _ . L-一.·— 稍】) 極端Μϋπ " ^母一個發光二極體晶片之負電 部W透過-導線而電性連接於相對應之負極導電 1匕如申請專利範圍第2 3項所述之以陶 下表面；η:，於每-個發光二極體晶片之 二極體晶;之正式’以使得每-個發光 錫球而電性連接㈣^別透過複數個相對應之 光2Ϊ利範圍第13項所述之以陶究為=發 極肢曰日片封裝結構，其中該發光二極體晶片之 正、負電極端係分別設置於每一個發光二極體晶片之 ^表面’並且每-個發光二極體晶片係分別設置於每 一個突塊之間；藉此，透過打線的方式，以使得每一 個發，二極體晶片之正、負電極端分別透過兩導線而 電性連接於相鄰之正極導電部及負極導電部。 1 8、一種以陶瓷為基板之發光二極體晶片封裝处構之掣 作方法，其包括： … " 提供-陶£基板，其具有-本體、及複數個彼此分開 且为別從該本體之其中三面延伸出之突塊； 分別成形複數個導電層於該等突塊之表面； 固定一中空陶瓷殼體於該陶瓷基板之本體的頂面上以 形成一容置空間，並且該容置空間係曝露出該等導 電層之頂面；
1325186 分別設置複數個發光二極體晶片於該容置空間内，並 且每一個發光二極體晶片之正、負電極端係分別電 性連接於不同之導電層；以及 填充一封裝膠體於該容置空間内，以覆蓋該等發光二 極體晶片。 1 9、如申請專利範圍第1 8項所述之以陶瓷為基板之發 光二極體晶片封裝結構之製作方法，其中該陶瓷基板 之本體的側面係具有複數個分別形成於每兩個突塊之 間之半穿孔。 2 0、如申請專利範圍第1 8項所述之以陶瓷為基板之發 光二極體晶片封裝結構之製作方法，其中該本體與該 中空陶瓷殼體係為兩個相互配合之長方體。 2 1、如申請專利範圍第1 8項所述之以陶瓷為基板之發 光二極體晶片封裝結構之製作方法，其中該等導電層 係組合成一導電單元，並且該導電單元更進一步包括： 一第一導電單元，其具有複數個分別成形於該等突塊 表面之第一導電層； 一硬度強化單元，其具有複數個分別成形於該等第一 導電層上之硬度強化層；以及 一第二導電單元，其具有複數個分別成形於該等硬度 強化層上之第二導電層； 藉此，該等第一導電層、該等硬度強化層及該等第二 導電層係依序組合成該導電層。 2 2、如申請專利範圍第2 1項所述之以陶瓷為基板之發 22 rI325186 光二極體晶片封裝結構之製作方法，其中該第一導電 層係為銀膏層。 2 3、如申請專利範圍第2 1項所述之以陶瓷為基板之發 光二極體晶片封裝結構之製作方法，其中該硬度強化 層係為鎳層。 2 4、如申請專利範圍第2 1項所述之以陶瓷為基板之發 光二極體晶片封裝結構之製作方法，其中該第二導電 層係為金層或銀層。 2 5、如申請專利範圍第1 8項所述之以陶究為基板之發 光二極體晶片封裝結構之製作方法，其中該等導電層 係組合成一導電單元，並且該導電單元更進一步包括： 一第一導電單元，其具有複數個分別成形於該等突塊 表面之第一導電層；以及 一第二導電單元，其具有複數個分別成形於該等第一 導電層上之第二導電層，其中每一個第二導電層係 為一硬度強化導電層； 藉此，該等第一導電層及該等第二導電層係組合成該 導電層。 2 6、如申請專利範圍第2 5項所述之以陶瓷為基板之發 光二極體晶片封裝結構之製作方法，其中該第一導電 層係為銀膏層。 2 7、如申請專利範圍第2 5項所述之以陶瓷為基板之發 光二極體晶片封裝結構之製作方法，其中該第二導電 層係為金層或銀層。 23 8、如申請專利範圍第 ~—- 光二極體晶片封癸处m e項所述之以陶瓷為基板之發 係以朝上的方式7、r之製作方法，其中該容置空間 電路板。χ以使㈣等導電層之底面接觸於- 9二如巾請專利範8 t二極體晶片封農結為純之發 (丁、以朝向側面的方*，、 /、中該谷置空間 於一電路板。式，以使得該等導電層之侧面接觸 光二極第18項所述之以陶瓷為基板之發 俜八t r装結構之製作方法，1中該等導電# 固正極導電部及負極導電部 申。月專利範圍第3 〇項 先二極體晶片封穿,士嗜夕制2 乂陶尤為基成之發 體晶片之正、其中該發光二極 體曰曰Μ夕μ主電極端係分別設置於每—個發光二極 一^發光透過打線的方式，以使得每 性連接於相鄰之正極導電部及負極導電= 如2專利範圍第30項所述之以陶究為基板之發 肢晶片封袭結構之製作方法，其中該發光二極 :曰曰片之正、負電極端係分別設置於每一個發光二極 組晶片βί下表面與上表面；藉此，透過打線的方式， 以使得每一個發光二極體晶片之正電極端直接電性連 接於相對應之正極導電部，並且每一個發光二極體晶 片之負電極端則透過一導線而電性連接於相對應之負 24 1325186 極導電部 曰 顿无 3 3光如項所述切陶板之發 體晶片之正、負電極端係分別:中該發先一極 體晶片之下表面；藉此，透過覆3::個發光二極 -個發光二極體晶片之正、負；：的方式’以使得每 相對應之錫球而電性連接於^極端分別透過複數個 導電部。 钱巧目#之正極導電部及負極 3 4光如第3 〇項所述之以陶究為基板之發 ㈡::片=結構之製作方法，其中該 丧r極端係分別設置於每-個發光二極 並且每-個發光二極體晶片係分別 。又置於母—個突塊之間；藉此，透過打線的 使得每-個發光二極體晶片之正、負電極端分別透過 :導線而電性連接於相鄰之正極導電部及負極導電 如巾請專利範圍第18項所述之以喊為基板之發 =-極體晶m结構之製作方法，其中該中空陶究 殼體係利用⑻溫陶究共燒技術（L〇w-Temperature Cofired Ceramics，LTrr、，I” X ^ 體的頂面上。cc) μ定於該喊基板之本 25
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