201131162 六、發明說明：： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種解析結晶方位分布之偏移的方法。 更詳固之’本發明係關於一種解析於複合構件中所摻合的 結晶性粒子之結晶方位分布之偏移.的方法。 【先前技術】 於半導體領域等各式各樣的產業領域中，將結晶性粒 子摻合於樹脂等中之複合構件已被廣泛利用。例如，爲了 保護半導體裝置而隔離環境中之水分等，習知利用複合構 件而密封半導體晶片之技術。如此之半導體裝置，可舉例： 白色發光二極體。白色發光二極體也被稱爲白色LED。白 色發光二極體係由藍色發光二極體晶片與螢光體所構成。 具體而言，將結晶性粒子之螢光體摻合於樹脂等中的複合 構件將被覆藍色發光二極體晶片。螢光體之一例係於從藍 色發光二極體照射藍色光時，發生黃色螢光之材料。複合 構件也被稱爲將藍色光轉換成黃色之波長轉換構件。藉由 從藍色發光二極體所發生的藍色光與經由此藍色發光所激 發而發出黃色光將混色而可以獲得白色光。 以習知之發光二極體爲例而進一步說明。 第5圖係顯示習知發光二極體之構造的截面圖。如此 圖所示，發光二極體60係由發光二極體晶片66、裝載此 發光二極體晶片之第一引線框架62、第二引線框架68、被 覆發光二極體晶片66、第一引線框架62與第二引線框架 -4 - 201131162 68之透光性樹脂材78所構成。在第一引線框架62之上部 62a形成有發光二極體晶片66裝載用之凹部。此凹部係孔 徑具有從凹部之底面朝向上方而慢慢地擴大的約略漏斗形 狀，同時凹部內面成爲反射面64。發光二極體晶片66之 下面側一邊電極將晶粒結著於此反射面64之底面。在發光 一極體晶片6 6之上面所形成的另一邊電極係使結著線7 0 介於中間而連接於第二引線框架之表面68a。 該發光二極體晶片66之上面及側面係利用反射面64 內所塡充的波長轉換構件所被覆。波長轉換構件係由透光 性環氧樹脂等之樹脂72與螢光體74所構成，於樹脂72 中，將發光二極體晶片66之發光轉換成黃色可見光之螢光 體74將多數以分散狀態予以混入。如此之螢光體74可舉 例：母材爲由鋁酸釔（Y3A15012 )所構成，發光中心爲鈽 (Ce)之 YAG螢光體等。若將電壓施加於第一引線框架 62與第二引線框架68之間的話，發光二極體晶片66將發 光。如上所述，放射發光二極體晶片66之藍色發光、與藉 由此藍色發光而從YAG螢光體74放射黃色可見光。藉由 此等之藍色可見光與從YAG螢光體74所放射的黃色可見 光將混色而可以獲得白色光。此白色光係藉由透光性樹脂 材7 8之凸透鏡部7 6予以聚光而放射至外部。 發出單色之發光二極體以外的白色光等混色光的白色 發光二極體係廣泛利用具有用以轉換從發光二極體晶片66 所發出的光之波長的轉換構件60。波長轉換構件所使用的 201131162 螢光體74係由在矽酸鹽、磷酸鹽 '鋁酸鹽、硫化物等之母 材與此等母材中所含有的發光中心所構成。樹脂72係除了 在第5圖所說明的環氧樹脂（參閱專利文獻1)之外，也 使用丙烯酸樹脂、矽樹脂等。 於專利文獻2至4中，已介紹爲了減低來自發光二極 體之顏色不均，波長轉換構件係將螢光體密封於樹脂中之 際的各種構造。於專利文獻2中，已介紹使螢光體均勻分 散於波長轉換構件中之構造。於專利文獻3中，已介紹使 螢光體沉降於波長轉換構件中之構造。於專利文獻4中， 已介紹按照發光色不同而使發光體層分離的構造。 使結晶性粒子密封於樹脂中之情形係使結晶性粒子均 句分散，或是沉降之技術係一般性。可以獲得從發光二極 體所發出的從近紫外至藍色之光、與經由螢光體予以波長 轉換之光的混色而可以獲得白色光，爲了獲得高亮度且減 低顏色不均之白色光，必須使螢光體與由螢光體或密封樹 脂所構成的波長轉換構件中之發光體均勻分散或沉降。 然而，螢光體之粒子形狀具有如柱狀或針狀般之高縱 橫比之情形，密封樹脂中之螢光粒子係使柱狀或針狀粒子 倒下的方式，亦即使短軸相對於重力成爲平行的方式來顯 示方向偏移的結晶方位分布。 因而，若考量結晶方位時，波長轉換構件中之螢光體 成爲偏移而予以密封。此情形下，通過螢光體結晶內之光 的光路長度將發生偏異。因此，爲了提供一種無顔色偏異 -6- 201131162 且高亮度之發光二極體，波長轉換構件中之螢光體粒子之 結晶方位分布的控制係不可少。亦即，爲了製作高性能之 發光二極體， 散狀態。 專利文獻 必須控制波長轉換構件中之螢光體粒子的分 專利文獻1 曰本專利特開2 0 0 4 - 1 5 2 9 9 3號公報 專利文獻2 曰本專利特開2 0 0 4 - 1 5 3 1 0 9號公報 專利文獻3 日本專利特許第3 6 1 7 5 8 7號公報 專利文獻4 日本專利特開2 0 0 8 - 2 8 8 4 0 9號公報 專利文獻5 非專利文獻 日本專利特許第3 8 3 7 5 8 8號公報 非專利文獻 1 Electron Backscatter Diffraction in Materials Science, Edited by A.J. Schwartz, M. Kumar and B · L. Adams， York ( 2000) 【發明內容】 Kluwer Academic/ Plenum Publishers, New 〔發明所欲解決之技術問題〕 然而，解析如分散於波長轉換構件等之複合構件中的 螢光體粒子之結晶性粒子的結晶方位而算出結晶方位分布 之偏移的測定手段及解析手法’亦即評估複合構件中之結 晶性粒子之結晶方位分布之偏移的測定及解析手法係習知 並不存在。 201131162 本發明係有鑑於該課題，目的在於提供一種結晶方位 分布之偏移解析方法，其係解析複合構件中之結晶性粒子 的結晶方位分布之偏移。 〔解決問題之技術手段〕 本發明人等係用以解析複合構件中之結晶性粒子的結 晶方位分布之偏移，利用電子反散射繞射圖案法（非專利 文獻1 )而特定結晶性粒子之結晶方位，進一步藉由解析 其結果而能夠獲得結晶方位分布之偏移的解析見解，於是 完成本發明。 爲了達成該目的，本發明之結晶方位分布之偏移的解 析方法，其特徵係具有：影像化複合構件中之結晶性粒子 截面的影像化步驟；判定藉由影像化步驟所作成的影像中 之該結晶粒子各自的結晶方位的判定步驟；特定藉由判定 步驟所判定的結晶方位分布之分析步驟；及解析利用分析 步驟所獲得之分布而解析結晶方位分布之偏移的解析步 驟。 於該構成中，判定步驟與解析步驟較佳爲利用電子反 散射繞射圖案法所進行。 於結晶方位分布之偏移的解析方法中，也可以於判定 步驟中’特定在密封樹脂之截面所呈現的結晶性粒子之結 晶方位；於解析步驟中，藉由以全部結晶性粒子之截面積 除以成爲偏移指標之結晶方位所認定的結晶性粒子之截面 積’進一步算出乘以100之配向指數，以配向指數作爲結 晶方位分布之偏移而求得的方式來進行。 -8 - 201131162 結晶性粒子係具有由底面及柱面所構成的柱狀之結晶 面，也可以將成爲偏移指標之結晶方位設爲相當於底面或 柱面之結晶面的法線方向。 結晶性粒子具有六方晶形，也可以對於相當於底面或 柱面之結晶面的法線方向而將成爲偏移指標之結晶方位設 爲既定之角度範圍內。 〔發明之效果〕 根據本發明，能夠解析習知未獲得的複合構件中之結 晶性粒子的結晶方位分布之偏移，因此，在半導體領域等 各式各樣的產業領域中，能夠將本發明有效適用於由結晶 性粒子與樹脂所構成的複合構件。 藉由將本發明適用於發光二極體中之波長轉換構件中 之螢光體的結晶方位分布解析，成爲能夠測定波長轉換構 件中之螢光體的結晶方位分布之偏移。藉此，能夠掌握發 光二極體之發光光度與波長轉換構件中之螢光體結晶方位 之偏移的關係，在波長轉換構件中之螢光體結晶方位無偏 移的發光二極體，亦即能夠提供更高亮度且無顏色不均之 發光二極體。 根據本發明，成爲能夠製作無顔色不均之高強度發光 二極體之結果，作成液晶顯示面板之背光板用白色發光二 極體光源用白色發光二極體光源所代表的影像顯示裝置或 照明裝置等多樣用途之發光二極體而成爲適用或可能應 用。 -9 - 201131162 【實施方式】 以下，根據圖式而詳細說明本發明之實施形態。 第1圖係顯示本發明之複合構件中之結晶性粒子的結 晶方位分布偏移之解析方法的順序。 如第1圖所示，於根據本發明而解析複合構件中之結 晶性粒子結晶方位分布之偏移的方法中，首先，於影像化 步驟ST 1中，使複合構件中之結晶性粒子之截面影像化。 於判定步驟s T2中，判定經由步驟s T 1之影像化步驟 所作成的影像之各個結晶粒子的方位。 於分析步驟s T 3中，進行特定經由判定步驟s T 2所判 定之各個方位的分布之分析。 最後，於解析步驟ST4中，解析在分析步驟ST3所進 行的分析結果所獲得之方位分布而解析結晶方位分布之偏 移。 還有，只要爲使分散質之結晶性粒子分散於成爲介質 的固體中之分散相的話，本發明之測定對象的複合構件任 一種皆可。複合構件之一例最好爲白色發光二極體所使用 的波長轉換構件，波長轉換構件係由至少一種以上之螢光 體與樹脂所構成，該結晶性粒子爲螢光體且該介質爲樹脂 或玻璃。於以下之介紹中，將複合構件作爲波長轉換構件 而加以說明。 於影像化步驟ST1中，經由機械硏磨及離子硏磨而調 製密封樹脂與結晶性粒子之複合構件的波長轉換構件之截 面’接著’將此截面影像化。於此影像化中，能夠使用可 -10- 201131162 觀察使其露出於該截面的結晶性粒子之裝置而進行。 如，藉由將截面導入掃瞄型電子顯微鏡之試料室內，觀 截面之二次電子像而能夠影像化。 接著’於判定步驟ST2中，利用分析裝置而取得在 面所觀察到的結晶性粒子之結晶方位並作判定。如此之 晶方位的分析裝置可舉例：利用電子反散射繞射圖案 (Electron backscatter diffraction，也稱爲 EBSD。）之 置。如此裝置之一例係將可能取得電子反散射繞射圖案 檢測器附加於掃瞄型電子顯微鏡裝置者。利用掃瞄型電 顯微鏡而實施電子反散射繞射圖案法之情形，空間解析 力係0 · 1 //m左右，觀察試料之方位決定的解析能力爲 左右。 還有，於電子反散射繞射圖案法中，對應於可以獲 結晶粒子之結晶構造與結晶方位之被稱爲菊池圖案的二 元幾何學模樣。 於分析步驟ST3之一例係根據在判定步驟ST2所取 的菊池圖案而利用能夠解析結晶方位之解析程式來分析 亦即，取得結晶粒子之菊池圖案而使用解析程式來特定 晶方位，能夠藉由以複數個結晶粒子重複進行此步驟來 得結晶方位分布° 於此，特定結晶方位之結晶性粒子數目越多的話， 計上之解析精確度將越爲提高’若結晶性粒子數目爲50 以上的話，對於解析可以獲得充分之資料。 例 察 截 結 法 裝 之 子 能 1 ° 得 次 得 〇 結 獲 統 個 -11- 201131162 接著，針對解析結晶方位分布偏移之解析步驟ST4而 加以說明。解析步驟ST4也能夠利用電子反散射繞射圖案 法而實行。 根據在分析步驟ST3所獲得之結晶方位分布而解析結 晶方位分布偏移之情形，能夠使用下列之配向指數。配向 指數係以下列（1 )式所定義。亦即，配向指數係將成爲偏 移指標之結晶方位所認定的結晶性粒子之截面積除以全部 結晶性粒子之截面積，進一步乘以1 00而可以獲得。 配向指數（％ )=((成爲偏移指標之結晶方位所認 定的結晶性粒子之截面積）/(全部結晶性粒子之截面積）） X100 ( % ) ( 1 ) 於此，結晶性粒子之形態顯示柱狀及針狀之情形，成 爲偏移指標之結晶方位能夠使用相當於柱狀或針狀粒子之 底面或柱面之結晶面的法線方向之方位。相對於該結晶面 之法線方向，成爲偏移之指標的結晶方位也可以設爲既定 之角度範圍內。具有柱狀形狀之螢光體，例如，可舉例：OC 型賽隆或β型賽隆。 因爲α型賽隆或β型賽隆之結晶構造係具有六方晶 形，成爲結晶之偏移指標的結晶方位，例如能夠相對於底 面〔 0001〕面之法線方向而設爲既定之角度範圍。既定之 角度範圍係例如±30°。 該（1 )式所定義的配向指數係表示複合構件中之結晶 性粒子的結晶方位分布之偏移，能夠評估複合構件中之結 晶性粒子的結晶方位分布之偏移。 -12- 201131162 因而，複合構件爲發光二極體中之波 長轉換構件中之結晶性粒子爲螢光體粒子 手法’能夠評估波長轉換構件中之螢光體 之偏移。 第2圖係顯示如本發明之結晶方位分 法所適用的發光二極體之發光裝置1之構 第2圖所示’本發明之發光裝置1係包含 載發光光源2之第一引線框架3、第二引竊 發光光源2與第一引線框架3之波長轉換 在第一引線框架3之上部3a形成有作 用以裝載發光二極體晶片之凹部3b»此凹 有從凹部之底面朝向上方而慢慢地擴大的 同時凹部3b內面成爲反射面。發光二極體 之電極係晶粒結著於此反射面之底面。在 2之上面所形成的另一邊電極係使結著線 接於第二引線框架4之表面。 再者，發光裝置1係如第1圖所示， —及第二引線框架3、4與波長轉換構件5 體係被由樹脂或玻璃所構成的間隙9予以 發光光源2能夠使用發生從近紫外 3 00nm至5 00nm波長之光的發光二極體晶 波長轉換構件5係例如由如矽樹脂之 一種以上之螢光體8所構成，螢光體8係夭 長轉換構件且波 之情形，藉由該 的結晶方位分布 布偏移之解析方 造的截面圖。如 發光光源2、裝 I框架4、與被覆 構件5所構成。 爲發光光源2之 部3b係孔徑具 約略漏斗形狀， 2之下面側一邊 發光二極體晶片 6介於中間而連 發光光源2與第 與結著線6之整 被覆所構成。 至藍色光 3之 片。 樹脂材7與至少 h散於樹脂材中。 -13- 201131162 螢光體8之種類最好藉由根據發光光源2之光 '與從吸收 此發光光源2之光所激發的螢光體8而發生的光之混色所 獲得之色調而選定，爲了獲得所期望的混色光，能夠組合 —組或複數組之螢光體8的種類而使用。 螢光體8係具有粒狀之形狀。如此之螢光體粒子8可 舉例：β型賽隆、α型賽隆、經Eu活化的CaAlSiN3等。此 等之螢光體8係具有六角形等之柱狀的結晶形狀。 以通式：Si6- ζΑ1ζΟζΝ8·ζ : Eu2+所代表的β型賽隆8係 具有柱狀之形狀，發光特性係呈現以5 2 0nm至5 5 0nm作爲 波峰波長之綠色發光。 以通式· Cam/2Sii2- ( m + n) Al( m + n) Ni6-n〇n · Eu2 + 所 代表的α型賽隆8也同樣具有柱狀形狀，發光特性係呈現以 550nm至610nm作爲波峰波長之從黃色至橙色的發光。
CaAlSiN3 : Eu也具有柱狀之形狀，發光特性係呈現以 630nm至650nm作爲波峰波長之紅色發光。 若根據本發明’能夠解析習知困難之複合構件中之結 晶性粒子的結晶方位分布之偏移。複合構件中結晶性粒子 的結晶方位分布控制在必要的領域上，成爲能夠解析結晶 方位之偏移的方式。藉此’在例如半導體領域等各式各樣 之產業領域上能夠利用。 尤其’藉由將本發明應用於在發光裝置1之波長轉換 構件5中之螢光體8粒子的結晶方位之偏移解析而能夠控 制波長轉換構件5中之螢光體8的結晶方位分布。藉此， -14- 201131162 能夠提供一種波長轉換構件中之螢光體的結晶方位分布中 無偏移的發光裝置1，亦即更高亮度且無顔色不均之發光 二極體1。如此之高性能的發光二極體1能夠使用於液晶 顯示面板之背光板用白色發光二極體1所代表的影像顯示 裝置或照明裝置等。 實施例 接著，根據實施例而更詳細加以說明。 於實施例中，在複合構件之結晶性粒子係評估由利用 發光裝置1中之螢光體粒子8與密封該粒子之樹脂層7所 構成的波長轉換構件5中之螢光體粒子8之結晶方位分布 之偏移。 準備市售的發光二極體構裝（I-CHIUN PRECISION INDUSTRY CO. LTD製，型號SMD5050)與藍色發光二極 體晶片 2( Genesis Photonics Inc.製，MODEL RIS45A19)、 與波長轉換構件5,製作發光裝置1。波長轉換構件5係藉 由將作爲紅色螢光體8之CaAlSiN3 : Eu螢光體、與作爲綠 色螢光體之本公司製之β型賽隆螢光體8摻合於矽樹脂7 (東麗道康寧股份有限公司製，型號EG6 3 0 1 )中，被覆於 藍色發光二極體晶片上。CaAlSiN3 : Eu螢光體8係利用專 利文獻5所介紹之製造方法而合成。如下述表1所示，在 測定例1至8中，分別使波長轉換構件5中之螢光體8之 結晶方位分布成爲不同的方式來調製螢光體8之粒子形 態。 -15- 201131162 將順向電壓施加於所製作的白色發光裝置1，流通既 定之電流而使白色光發光。白色光係根據來自藍色發光二 極體1之藍光與此藍光照射於該二個螢光體8而發出紅及 綠之光的混色所發生。白色光之發光光度係使用超高感度 瞬間多重測光系統（大塚電子股份有限公司製， MCPD-7000 )而測出。 還有，發光裝置1的發光光度係將測定例1中之發光 二極體1的發光光度設爲100%之相對數値所算出。 接著，利用第1圖所示之方法而解析波長轉換構件5 中之螢光體8之結晶方位分布之偏移。 將複合構件中之結晶性粒子的截面予以影像化的影像 化步驟係藉由機械硏磨與Ar+離子硏磨而使發光二極體1 之截面露出。 接著，利用電場放射型掃瞄電子顯微鏡（FE-SEM，日 本電子股份有限公司製，〗SM-7 00 IF型）觀察發光二極體i 之截面，以加速電壓1 5 k V之條件，得到密封樹脂7中所摻 合的結晶性粒子的截面影像》 於判定所獲得之影像中的結晶粒子之各自方位之判定 步驟中，使用將電子反散射繞射圖案法測定裝置 (EDAX-TSL公司製，形式OIM )附加於該電場放射型掃 猫電子顯微鏡之裝置。藉由此結晶方位解析系統而進行結 晶方位之測定。 以下，顯示結晶方位之測定條件： -16- 201131162 加速電壓：1 5 k V 動作距離：1 5 m m 試料傾斜角度：7 〇 ° 測定區域：80μιηχ 200μιη 步驟寬度.〇 . 2 μ m 測定時間：50msec/步驟 資料點數：400,000點左右。 還有，測定條件並不受此條件所限定，能夠按照試料 形態、裝置性能而適當決定。 接著，分析根據判定步驟所判定的方位之分布而進行 特定的分析步驟，其係能夠使用從利用電子反散射繞射圖 案法所獲得之菊池圖案而解析結晶方位之軟體（EDAX-TSL 公司製、〇IMVer5.2)而進行結晶方位之分析。 解析在分析步驟所獲得之結晶方位分布而解析結晶方 位偏移之解析步驟，實施該（1 )式所定義的配向指數之解 析。於此，結晶性粒子係著眼於P型賽隆螢光體8而進行 解析。 由於β型賽隆螢光體8之結晶粒子係顯示六角柱狀形 狀，成爲偏移之指標的結晶方位係進行如下方式。相對於 β型賽隆粒子之底面（〔000 1〕面）之法線方向，將垂直 於具有- 30°至+ 30。爲止之傾斜的結晶面之方向的方位作爲 偏移之指標。亦即，所求得的配向指數能夠根據下列（2 ) 式而表示。 -17- 201131162 配向指數（％ ) = ( ( β型賽隆〔000 1〕結晶面與在 其法線方向具有±30°之結晶方位的粒子之截面積）/ (β型 賽隆粒子之截面積））χΐ00(%) (2) 利用以上之順序，密封樹脂層7中之結晶性粒子的結 晶方位之偏移’於此’測定發光二極體1中之波長轉換構 件5中之螢光體8之粒子結晶方位之偏移。 如此方式，成爲結晶方位之偏移指標的結晶面設定能 夠於進行解析的複合構件之性質設定適當的結晶面及範 圍。 (測定例1 ) 量測測定例1之發光二極體1的發光光度。將此値設 爲1 00%而量測其他之測定例2至8的發光光度。 第3圖係顯示測定例1中之β型賽隆螢光體8的結晶 方位分布之偏移。以斜線所表示的區域爲β型賽隆〔〇001〕 結晶面與相對於其法線方向呈現±3 0度結晶面之截面；無 斜線之區域爲其他結晶面所露出的β型賽隆螢光體8 °由 該（2 )式所算出的配向指數成爲22.0%。 (測定例2 ) 測定例2之發光二極體1的發光光度係9 8.2 %。顯示 利用與測定例1同樣的方法所解析的β型賽隆螢光體8之 結晶方位分布之偏移的配向指數爲1 9 . 1 0 %。 -18- 201131162 (測定例3 ) 測定例3之發光二極體1的發光光度係1 〇2.8 % °顯示 利用與測定例1同樣的方法所解析的β型賽隆螢光體8之 結晶方位分布之偏移的配向指數爲16.3%。 (測定例4 ) 測定例4之發光二極體1的發光光度係100.9% °顯示 利用與測定例1同樣的方法所解析的β型賽隆螢光體8之 結晶方位分布之偏移的配向指數爲3 · 3 %。 (測定例5 ) 測定例5之發光二極體1的發光光度係1〇6.5%。顯示 利用與測定例1同樣的方法所解析的β型賽隆螢光體8之 結晶方位分布之偏移的配向指數爲1 3 ·3 %。 (測定例6 ) 測定例6之發光二極體1的發光光度係1 〇3 · 8 %。顯示 利用與測定例1同樣的方法所解析的β型賽隆螢光體8之 結晶方位分布之偏移的配向指數爲。 (測定例7 ) 測定例7之發光二極體1的發光光度係1 〇 8 · 9 %。 第4圖係顯示測定例7中之β型賽隆螢光體8的結晶 方位分布之偏移，結晶方位等之顯示方法係與第3圖同 樣。利用與測定例1同樣的方法所解析的β型賽隆螢光體 8之結晶方位分布之偏移的配向指數爲11.3%。 -19- 201131162 (測定例8 ) 測定例8之發光二極體1的發光光度係1 04.1 %。顯示 利用與測定例1同樣的方法所解析的β型賽隆螢光體8之 結晶方位分布之偏移的配向指數爲7.3 %。 將測定例1至8所測出的發光裝置1之發光光度與配 向指數之結果彙整而顯示於表1。 〔表1〕 LED發光光度（％ ) 配向指數（％ ) 測 定 例 1 100.0 22.0 測 定 例 2 98.2 19.1 測 定 例 3 102.8 16.3 測 定 例 4 100.9 3.3 測 定 例 5 106.5 13.3 測 定 例 6 103.8 14.1 測 定 例 7 108.9 11.3 測 疋 例 8 104.1 7.3 根據本發明，能夠求得波長轉換構件5中之β型賽隆 螢光體8的結晶方位分布之偏移。 再者，本發明不僅適用於波長轉換層中之β型賽隆螢 光體8的結晶方位分布之偏移，也能夠適用於一般之樹脂 層7材料中之結晶性粒子的結晶方位之偏移解析。 本發明並不受該實施之形態所限定，在申請專利範圍 所介紹的發明範圍內之各種變形爲可能，當然此等也包含 於本發明之範圍內。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明之複合構件中之結晶性粒子的結 晶方位分布偏移之解析方法順序的步驟圖。 -20- 201131162 第2圖係顯示如本發明之結晶方位分布偏移之解析方 法所適用的發光二極體之發光裝置之構造的截面圖° 第3圖係顯示測定例1中之P型賽隆營光體的結晶方 位分布之偏移的圖形。 第4圖係顯示測定例7中之β型賽隆營光體的結晶方 位分布之偏移的圖形。 第5圖係顯示習知之發光二極體構造的截面圖。 【主要元件符號說明】 1 發光裝置 2 發光光源 3 第一引線框架 4 第二引線框架 5 波長轉換構件 6 結著線 7 樹脂 - 8 螢光體 9 間隙 60 發光二極體 62 第一引線框架 64 反射面 6 6 發光二極體晶片 6 8 第二引線框架 7〇 結著線 -21 - 201131162 72 樹脂 74 螢光體 78 透光性樹脂材 -22-