SU602055A1 - Интегральный логический элемент - Google Patents

Интегральный логический элемент

Info

Publication number
SU602055A1
SU602055A1 SU772441385A SU2441385A SU602055A1 SU 602055 A1 SU602055 A1 SU 602055A1 SU 772441385 A SU772441385 A SU 772441385A SU 2441385 A SU2441385 A SU 2441385A SU 602055 A1 SU602055 A1 SU 602055A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
logic element
gates
output
substrate
voltage
Prior art date
Application number
SU772441385A
Other languages
English (en)
Inventor
А.Р. Назарьян
В.Я. Кремлев
В.Н. Кокив
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2892
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2892 filed Critical Предприятие П/Я В-2892
Priority to SU772441385A priority Critical patent/SU602055A1/ru
Priority to CS900577A priority patent/CS199407B1/cs
Priority to NL7800046A priority patent/NL7800046A/xx
Priority to DE19782800335 priority patent/DE2800335A1/de
Priority to CH9178A priority patent/CH616276A5/de
Priority to DD20309578A priority patent/DD136907A1/xx
Priority to GB39578A priority patent/GB1565918A/en
Priority to FR7800244A priority patent/FR2377123A1/fr
Priority to PL20382778A priority patent/PL119495B1/pl
Priority to JP48078A priority patent/JPS53108291A/ja
Application granted granted Critical
Publication of SU602055A1 publication Critical patent/SU602055A1/ru

Links

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к микроэлектронике , в частности к производству интегральных микросхем высокой степени интеграции .
Известны интегральные логические элементы инжекционного типа, содержащие бипол рный транзисторв цепи питани  и переключательный элемент транзисторной структуры.
Наиболее близким по технической сущности к изобретению  вл етс  интегральный логический элемент с входным и выходным электродами, содержащий бипол р ный транзистор в цепи питани  и полевой переключательный элемент.
Однако такой логический элемент характеризуетс  сравнительно низким быстродействием , что обусловлено зар дом и разр дом диффузионной и барьерной емкостей р - п-переходов затворных областей, и сравнительно низкой плотностью компоновки , что объ сн етс  боковой диффузией примесей под маскирующий окисел и допусками на совмещение при фотолитографических операци х.
Цель изобретени  - повышение быстродействи  и плотности компоновки интэз ральных логически.х элементов инжекцион- кого типа.
Поставленна  цель достигаетс  тем,
f
что затворы переключательного полевого элемента выполнены в виде йеин- жектирующих выпр мл юшвх контактов, а выходной электрод расположен в области перекрыти  объемных зар дов затворов .
Затворы переключательного элемента и коллекторы бипол рного транзистора предпочтительно выполн ть совмещенными.
На фиг 1 пр1шедена принципиальна  тодрлогическа  схема одного из вариантов интегрального логического элемента; на фиг. 2 - то же в разрезе; на фиг. 3 - электрическа  эквивалентна  схема логического элемента.
Интегральный лоо1ческий элемент (фиг. 1) содержит подложку 1 из монокри (.7талпическ)го кремни , нглгрнмер.п-типа проводимости; горизонтальный дг;у.хколлекторный бипол рный тра гзистор цепи питани , сформированный в подложке и име ющий эмиттер 2 и коллекторы 3, 4; поле вой переключптел15ный элемент, имеющий стоковую область 5 (показана точкой) и затворные области 6, 7. Интегральный логический элемент имеет невьтр мл ющие контакты к област м 1-7 (на фиг. 1 и 2 показаны точками), Истокова  область переключательного элемента подключена к полюсу земл  источника питани , а эмиттерна  область нагрузочного транзистора - к положительному полюсу -l-Hf,. Стокова  область подключена к выходу .логического элемента, а затворные области 6   7 соответственно - к пер вому и второму входам логического элемента . В конструкци .х логического элемента, приведенных на фиг.. 1, 2, 3, затворные области полевого переключательного элемента выполнены в виде неинжектируюздих выпр мл ющих контактов, способных толь- ко коллектировать неосновные носители зар да , иЕ1жектированные эмиттерами горизонтального нагрузочного транзистора, Интегральный логический элемент работает следующим образом. При подключении источника напр жени  к подложке 1 и эмиттеру 2,, как это пока зано на фиг. 1-3, эмиттер 2 р - П - ртранзистора цепи питани  инжектирует дыр ки в подложку, которые дл  нее  вл ютс  неосновными носител ми зар да. 5ти носители зар да коллектируютс  затворными област ми 6 и 7. В зависимости от напр же{ и  на входах I и II логический элемент может находитьс  в одном из следующих состо ний. Если на обоих входах приложено низкое напр жение, близкое к потенциалу земли то коллектированные переходами областей 6и 7 носители зар да стекакуг на аемлю. При Этом электрод выход не имеет галь ванической св зи с электродом земл , и если гальванический элемент нагружен на аналогичный, то на выходе области 5 бупаетвьюокое напр жение, равное напр жению оптировани  перехода ме сду област ми Ь, 7н подложкой. Нарушение упом нутой гальванической св зи происходит вследствие перекрыти  участка подложки, расположенного между электродами выход и , сло ми объемных зар дов закрытых переходов меж 60 5.4 у обл.кгт мн 6, / и пэллэжкой ( обт:-- мнык .;5р дов П5казан)1 нт фиг. 2 пунктиом ). Если на входах I и Ц приложено высокое напр жение, превышающее напр жение отпирани  переходов между област ми 6,7 и подломской, то между электродами выход и земл  имеетс  галымническа св аьи напр жение на выходе логического элемента близко к напржкению Eta электроде земл . Упом нута  гальван гческа  св зь обеспечиваетс  уменьшением размеров в области объемного зар да переходов между област ми б, 7 и подложкой при увеличении напр жени  на входах I и II . Если к из входов приложено низкое напр жение, то представл ютс  две возможности. Перва  - когда удельное сопротивление подложки и рассто ние между област ми 6 н 7 выбраны таким образом, что ширина сло  объемного зар да перехода между областью 6 и подложкой больше или равна рассто нию област ми 6 и 7. Втора  возможность - ширина сло  объемного зар да упом нутого перехода меньше рассто ни  между област ми 6 и 7. В первом случае гальваническа  св зь мелшу электродами выход и земл  от сутствует, во втором - гальваническа  св зь между выходом логического элемента и землей имеетс . Таким образом, предложенный логический элемент в зависимости от структурно- -топологических параметров (рассто ние между затворами и удельное сопротивление подложки) может выполн ть логические функдии ИЛИ-НЕ и И-НЕ, Повышение быстродействи  логического элемента достигаетс  благодар  использованию в качестве затворных и коллекторных областей неинжектируюших выпр мл ющих контактов, например переходов металл - полупроводник. Отсутствие инжекшш неосновньос носителей зар да из затворных областей резко умйньшае1 величину избыточного зар да в подложкеи, следовательно , уменьшает -врем  переходных процессов в логическом элементе при переходе из открытого состо ни  в закрытое. Повышение плотности компоновки достигаетс  тем, что  вл ютс  плоскими и мЬгут формироватьс  в маске затворы с минимальными .размерами. Предлагаемый логический элемент технологичен и может быть изготовлен по пленарной TexiJWioniH как с применением эпитаксиальных , так и без них.
Широкие функциональные возможности, высокое быстродействие и технологичность делают возможным широкое использование предлагаемого элемента при построении больших интегральных схем с высокой5
плотностью элементов на кристалле

Claims (2)

1. Интегральный логический элемент с О входными и выходным электрбдамн, содержащий бипол рный транзистор в цепи питаffArJrod
ни  и полевой переключательный элемент, отличающийс  тем, что, с целью повышени  быстродейстан  и плотности компоновки, затворы полевого пере ключательного элемента выполнены в виде неинжектирующих выпр мл ющих контактов, а выходной электрод расположен в области перекрыти  объемных зар дов затворов.
2. Элемент по п. 1, о т л и ч а ющ и и с   тем, что затворы персл эча- тельного элемента и коллекторы б :пол {Уного транзистора совмещены.
Т
Pi/f.f
/wy
3 f€
жо91
- /
I о
SU772441385A 1977-01-06 1977-01-06 Интегральный логический элемент SU602055A1 (ru)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772441385A SU602055A1 (ru) 1977-01-06 1977-01-06 Интегральный логический элемент
CS900577A CS199407B1 (en) 1977-01-06 1977-12-29 Injection integrated circuit
NL7800046A NL7800046A (nl) 1977-01-06 1978-01-02 Geintegreerde injectieschakeling.
CH9178A CH616276A5 (en) 1977-01-06 1978-01-04 Integrated injection circuit
DE19782800335 DE2800335A1 (de) 1977-01-06 1978-01-04 Integrierte injektionsschaltung
DD20309578A DD136907A1 (de) 1977-01-06 1978-01-04 Integrierte injektionsschaltung
GB39578A GB1565918A (en) 1977-01-06 1978-01-05 Integrated injection circiut devices
FR7800244A FR2377123A1 (fr) 1977-01-06 1978-01-05 Circuit logique integre
PL20382778A PL119495B1 (en) 1977-01-06 1978-01-05 Intergrated injector circuit
JP48078A JPS53108291A (en) 1977-01-06 1978-01-06 Integration implating circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772441385A SU602055A1 (ru) 1977-01-06 1977-01-06 Интегральный логический элемент

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU602055A1 true SU602055A1 (ru) 1979-01-15

Family

ID=20691152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772441385A SU602055A1 (ru) 1977-01-06 1977-01-06 Интегральный логический элемент

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU602055A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1044817A (en) Integrated circuit and method for fabrication thereof
EP0143157B1 (en) Charge pumping circuit for a substrate voltage generator
US3955210A (en) Elimination of SCR structure
DE69425612T2 (de) Schnellaufladender MOS-Kondensator für hohe positive oder negative Spannungen
JPS5918870B2 (ja) 半導体集積回路
US4150392A (en) Semiconductor integrated flip-flop circuit device including merged bipolar and field effect transistors
JP3257842B2 (ja) ダイナミック絶縁回路を設けた半導体電子デバイス
US4810906A (en) Vertical inverter circuit
EP0020164B1 (en) Monolithic hvmosfet array
GB1580471A (en) Semi-conductor integrated circuits
SU602055A1 (ru) Интегральный логический элемент
US3788904A (en) Method of producing an integrated solid state circuit
EP0193842B1 (en) Integrated semiconductor circuit with two epitaxial layers of different conductivity types
US3575609A (en) Two-phase ultra-fast micropower dynamic shift register
US3591840A (en) Controllable space-charge-limited impedance device for integrated circuits
US4243895A (en) Integrated injection circuit
IE50350B1 (en) Monolithic integrated cmos circuit
US3812520A (en) Parasitic transistor shift register
JPH0666421B2 (ja) スイツチング装置
US4110634A (en) Gate circuit
GB1565918A (en) Integrated injection circiut devices
US6661056B1 (en) DMOS transistor protected against polarity reversal
US3560766A (en) High speed logic element
JPH0493076A (ja) 半導体集積回路装置
SU519102A1 (ru) Интегральный инвертор