RU2749501C1 - Method for obtaining p-i-n structure based on gaas-gaalas compounds by liquid-phase epitaxy - Google Patents
Method for obtaining p-i-n structure based on gaas-gaalas compounds by liquid-phase epitaxy Download PDFInfo
- Publication number
- RU2749501C1 RU2749501C1 RU2020133010A RU2020133010A RU2749501C1 RU 2749501 C1 RU2749501 C1 RU 2749501C1 RU 2020133010 A RU2020133010 A RU 2020133010A RU 2020133010 A RU2020133010 A RU 2020133010A RU 2749501 C1 RU2749501 C1 RU 2749501C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gaas
- melt
- charge
- structures
- gallium
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 title claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(iii) oxide Chemical compound O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000009643 growth defect Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- H01L21/2085—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно, к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений А3В5 методами эпитаксии.The invention relates to the field of power microelectronic engineering, and more specifically to methods of manufacturing semiconductor pin structures from A 3 B 5 compounds by epitaxy methods.
Одним из перспективных направлений развития элементно-компонентной базы силовой электроники являются высоковольтные быстродействующие переключающие диоды на основе p-i-n-структур GaAs-GaAlAs, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). Основными достоинствами p-i-n-диодов на основе системы GaAs-GaAlAs являются: высокая скорость переключения; рабочая температура до 250°С; высокая радиационная стойкость; минимальная емкость; низкий заряд обратного восстановления; высокие частоты коммутации; повышенная динамическая устойчивость; слабая зависимость заряда восстановления, времени обратного восстановления и обратного тока восстановления от температуры.One of the promising trends in the development of the element-component base of power electronics is high-voltage high-speed switching diodes based on p-i-n-GaAs-GaAlAs structures fabricated by liquid-phase epitaxy (LPE). The main advantages of p-i-n-diodes based on the GaAs-GaAlAs system are: high switching speed; working temperature up to 250 ° С; high radiation resistance; minimum capacity; low reverse recovery charge; high switching frequencies; increased dynamic stability; weak dependence of the recovery charge, reverse recovery time and reverse recovery current on temperature.
Все эти преимущества системы GaAs-GaAlAs принципиально могут быть реализованы только при наличии в эпитаксиальной структуре протяженной высокоомной i-области с определенным профилем легирования, которая одновременно обеспечивает максимальные значения обратного пробивного напряжения (Uобр.) и высокое быстродействие [Крюков В.Л., Крюков Е.В., Меерович Л.А., Стрельченко С.С., Стрельченко С.С, Титивкин К.А. - Перспективная технология получения высоковольтных p-i-n-структур GaAs-GaAlAs для силовой электроники. / Наукоемкие технологии 2014, №2, стр. 42-46]. Получение протяженной i-области требует применения сложной системы легирования глубокими уровнями (ГУ) на основе комплексов Ga2O и SiO, для создания которых в жидкой фазе могут применяться различные технологические приемы.All these advantages of the GaAs-GaAlAs system can in principle be realized only if the epitaxial structure contains an extended high-resistance i-region with a certain doping profile, which simultaneously provides the maximum values of the reverse breakdown voltage (U sample ) and high speed [VL Kryukov, Kryukov E.V., Meerovich L.A., Strelchenko S.S., Strelchenko S.S., Titivkin K.A. - A promising technology for producing high-voltage GaAs-GaAlAs pin-structures for power electronics. / Science-intensive technologies 2014, No. 2, pp. 42-46]. Obtaining an extended i-region requires the use of a complex system of doping with deep levels (DE) based on Ga 2 O and SiO complexes, for the creation of which in the liquid phase various technological methods can be used.
Были разработаны способы выращивания p-i-n-структур в кварцевой оснастке с добавлением паров воды газовую среду. В этом случае источником SiO является кварц, а Ga2O - пары воды, которые образуются по реакции взаимодействия с галлием. Так, известен способ получения высоковольтных p-i-n структур GaAs методом жидкофазной эпитаксии (патент US №5733815, опубл. 31.03.1998), включающий нагрев исходной шихты до образования насыщенного раствора-расплава ее компонентов, взаимодействие раствора-расплава с газовой смесью, включающий водород, пары воды и продукты реакций между водородом и парами воды с раствором-расплавом и с двуокисью кремния для формирования необходимого состава раствора-расплава, осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом, последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя GaAs. Эпитаксиальный слой, полученный по этому способу из одного раствора-расплава, т.е. в одном технологическом цикле, сразу имеет готовую p-i-n структуру, включающую слаболегированные на р- и n-области и протяженную высокоомную i-область с концентрацией носителей заряда менее чем 1012 см-3. Формирование такой структуры производится в кварцевой кассете.Methods have been developed for growing pin structures in quartz equipment with the addition of water vapor in a gas medium. In this case, the source of SiO is quartz, and Ga 2 O is water vapor, which is formed by the reaction with gallium. So, there is a known method of obtaining high-voltage pin structures GaAs by liquid-phase epitaxy (US patent No. 5733815, publ. 03/31/1998), including heating the initial charge to the formation of a saturated solution-melt of its components, the interaction of the solution-melt with a gas mixture, including hydrogen, vapors water and products of reactions between hydrogen and water vapor with a solution-melt and with silicon dioxide to form the required composition of the solution-melt, contact the substrate with the resulting solution-melt, followed by forced cooling to grow the epitaxial GaAs layer. An epitaxial layer obtained by this method from a single melt solution, i.e. in one technological cycle, it immediately has a ready-made pin structure, including lightly doped on the p- and n-regions and an extended high-resistance i-region with a concentration of charge carriers less than 10 12 cm -3 . The formation of such a structure is carried out in a quartz cassette.
Известный способ позволяет получать высоковольтные быстродействующие GaAs p-i-n структуры и силовые диоды на их основе, существенно превосходящие по совокупности основных параметров лучшие кремниевые аналоги. Тем не менее, рассмотренный способ обладает целым рядом принципиальных недостатков, основные из которых следующие.The known method makes it possible to obtain high-voltage high-speed GaAs p-i-n structures and power diodes based on them, significantly surpassing the best silicon analogs in terms of the set of basic parameters. Nevertheless, the considered method has a number of fundamental disadvantages, the main of which are as follows.
Во-первых, технологическое оформление известного способа рассчитано, главным образом, на лабораторное применение. Это обусловлено использованием низко производительной кварцевой кассеты сливного типа без возможности смены растворов-расплавов, что приводит к невозможности остановить процесс эпитаксии на требуемой толщине выращенного слоя. Рост проводится до низких температур (600-650°С), при этом формируется избыточный (балластный) слой. Как следствие, процесс эпитаксии удлиняется и, кроме того, возникает необходимость дорогостоящей дополнительной операции - химико-механического удаления этого избыточного слоя. Эта операция проводится, по сути, индивидуально для каждой структуры с высокой точностью обработки, что снижает воспроизводимость процесса в целом и плохо адаптируется к условиям массового производства. После механической обработки, требуется еще один процесс эпитаксии для выращивания сильнолегированного контактного слоя, что еще удорожает технологию.First, the technological design of the known method is designed mainly for laboratory use. This is due to the use of a low-performance quartz cassette of the drain type without the possibility of changing the solutions-melts, which leads to the impossibility of stopping the epitaxy process at the required thickness of the grown layer. Growth is carried out to low temperatures (600-650 ° C), while an excess (ballast) layer is formed. As a result, the epitaxy process is lengthened and, in addition, the need arises for an expensive additional operation - the chemical-mechanical removal of this excess layer. This operation is carried out, in fact, individually for each structure with high processing accuracy, which reduces the reproducibility of the process as a whole and is poorly adapted to the conditions of mass production. After mechanical treatment, another epitaxy process is required to grow a heavily doped contact layer, which further increases the cost of the technology.
Во-вторых, фактически источником комплекса SiO, определяющего основные параметры структуры, является слабо контролируемая реакция химического взаимодействия с оснасткой (кварцевые кассета и реактор), что приводит к зависимости основных параметров получаемой p-i-n структуры от конструкции оснастки и степени ее изношенности. Все это несомненно вызовет, проблемы с воспроизводимостью параметров в условиях массового производства. Кроме того, наличие паров воды в рабочем пространстве реакторе накладывает ограничения на использование наиболее универсальных и производительных графитовых устройств.Second, in fact, the source of the SiO complex, which determines the basic parameters of the structure, is a poorly controlled reaction of chemical interaction with the tooling (quartz cassette and reactor), which leads to the dependence of the main parameters of the resulting p-i-n structure on the tooling design and the degree of its wear. All this will undoubtedly cause problems with the reproducibility of parameters in the conditions of mass production. In addition, the presence of water vapor in the working space of the reactor imposes restrictions on the use of the most versatile and efficient graphite devices.
В-третьих, для известного способа существует зависимость условий технологического процесса и конечных параметров получаемой p-i-n структуры от уровня легирования исходной подложки GaAs. Для различных интервалов легирования подбираются свои параметры техпроцесса. Как известно, любой исходный слиток GaAs имеет осевой и радиальный разброс по концентрации носителей заряда. Как следствие, каждая подложка, изготовленная из такого слитка, в известной степени индивидуальна. В условиях массового производства разбраковка исходных подложек по группам является весьма сложной операцией.Thirdly, for the known method there is a dependence of the conditions of the technological process and the final parameters of the resulting p-i-n structure on the doping level of the initial GaAs substrate. For different alloying intervals, the parameters of the technical process are selected. As is known, any initial GaAs ingot has an axial and radial spread in the concentration of charge carriers. As a consequence, each substrate made from such an ingot is individual to a certain extent. In the context of mass production, sorting the original substrates into groups is a very difficult operation.
Таким образом, рассмотренный способ мало пригоден к использованию в условиях массового производства, т.к. не позволяет обеспечить основные технико-экономические требования серийного производства - воспроизводимость технических параметров от процесса к процессу и высокий выход годного структур.Thus, the considered method is not very suitable for use in conditions of mass production, since does not allow to ensure the basic technical and economic requirements of mass production - reproducibility of technical parameters from process to process and a high yield of suitable structures.
Известен также (RU, патент 2610388, опубл. 09.04.2015) Способ единовременного получения p-i-n структуры GaAs, имеющей р, i и n области в одном эпитаксиальном слое, включающий нагрев исходной шихты, формирование компонентных составов растворов-расплавов для выращивания GaAs p-i-n структуры в обезвоженной атмосфере путем предварительного введения в исходную шихту в определенных количествах как минимум двух дополнительных твердых компонентов, представляющих собой диоксид кремния и оксид галлия (III), осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом, последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя GaAs, имеющего p-i-n структуру, удаление подложки, покрытой слоем GaAs, имеющим р-i-n структуру, из-под расплава, причем в ходе процесса эпитаксии при выращивании высокоомной i-области, ограниченной с двух сторон слаболегированными р-- и n--областями, применяют режим принудительного охлаждения, включающий в себя как минимум два этапа с различной скоростью охлаждения: первый - с более быстрой скоростью охлаждения в диапазоне Vохл=1.0-2.0оС/мин и второй - с медленной скоростью охлаждения Vохл=0.1-0.5°С/мин, а изменение скорости охлаждения производят при температуре инверсии типа проводимости.It is also known (RU, patent 2610388, publ. 04/09/2015) A method for the simultaneous production of a GaAs pin structure having p, i and n regions in one epitaxial layer, including heating the initial charge, forming the component compositions of melt solutions for growing GaAs pin structures in dehydrated atmosphere by preliminary introduction of at least two additional solid components into the initial charge in certain amounts, which are silicon dioxide and gallium (III) oxide, contacting the substrate with the resulting melt solution, followed by forced cooling to grow an epitaxial GaAs layer having a pin structure , removing the substrate coated with a layer of GaAs, having a p-in structure from the melt, wherein during the epitaxy process for growing a high-resistance i-region bounded on two sides weakly doped p - - and n - -domains, apply forced cooling mode, including at least two stages with different speeds about hlazhdeniya: first - with faster cooling rate in the range of 1.0-2.0 V OHL = C / min, and the second - a slow cooling rate V OHL = 0.1-0.5 ° C / min, and the change rate of cooling is performed at a temperature conductivity type inversion.
Недостатком известного способа следует признать использование диоксида кремния SiO2 в виде порошка, что приводит к низкой воспроизводимости основных технических параметров и ухудшению качества поверхности структуры. В результате снижается выход годного.The disadvantage of this method is the use of silicon dioxide SiO 2 in the form of a powder, which leads to low reproducibility of the main technical parameters and deterioration of the surface quality of the structure. As a result, the yield is reduced.
Способ получения многослойной эпитаксиальной p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкофазной эпитаксии, включающий нагрев исходной шихты до определенной температуры для образования насыщенного раствора-расплава, компонентный состав которого формируют путем предварительного введения в исходную шихту в определенных количествах, как минимум, двух дополнительных твердых компонентов, представляющих собой двуокись кремния SiO2 и окисел галлия состава Ga2O3, выдержку раствора-расплава на этой температуре определенное время, взаимодействие раствора-расплава с компонентами для формирования необходимого состава раствора-расплава, осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом, последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя, имеющего p-i-n структуру, удаление подложки, покрытой эпитаксиальным слоем, имеющим p-i-n структуру, из-под расплава, причем до температурной области инверсии примеси кремния в арсениде галлия 885-895°С эпитаксиальный процесс проводят в атмосфере высокочистого инертного газа, а далее до температуры окончания эпитаксии - в атмосфере высокочистого водорода.A method of obtaining a multilayer epitaxial pin structure based on GaAs-GaAlAs compounds by liquid-phase epitaxy, including heating the initial charge to a certain temperature to form a saturated solution-melt, the component composition of which is formed by preliminary introduction of at least two additional solid components representing silicon dioxide SiO 2 and gallium oxide of composition Ga 2 O 3 , holding the solution-melt at this temperature for a certain time, interaction of the solution-melt with components to form the required composition of the solution-melt, contacting the substrate with the resulting solution-melt, subsequent forced cooling for growing an epitaxial layer having a pin structure, removing a substrate covered with an epitaxial layer having a pin structure from under the melt, and up to the temperature range of inversion of silicon impurity in gallium arsenide 885-895 ° C epitax The final process is carried out in an atmosphere of high-purity inert gas, and then, up to the temperature of the end of epitaxy, in an atmosphere of high-purity hydrogen.
Недостатком известного способа также следует признать использование диоксида кремния SiO2 в виде порошка, что приводит к низкой воспроизводимости основных технических параметров и ухудшению качества поверхности структуры. В результате снижается выход годного.The disadvantage of this method is also the use of silicon dioxide SiO 2 in the form of a powder, which leads to low reproducibility of the main technical parameters and deterioration of the surface quality of the structure. As a result, the yield is reduced.
Для преодоления основных недостатков технологии выращивания GaAs p-i-n структур в кварцевой оснастке с использованием паров воды был предложен альтернативный способ, который является наиболее близким к заявляемому техническим решением (RU, патент 2488911, опубл. 27.07.2013). Способ представляет собой единовременное получение p-i-n структуры GaAs, имеющей р, i и n области в одном эпитаксиальном слое, включающее нагрев исходной шихты до образования насыщенного раствора-расплава ее компонентов, взаимодействие раствора-расплава с компонентами для получения заданного состава раствора-расплава, осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом, последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя GaAs, имеющего p-i-n структуру, удаление подложки, покрытой слоем GaAs, имеющего p-i-n структуру, из-под расплава, причем компонентные составы растворов-расплавов для выращивания GaAs p-i-n структуры формируют в обезвоженной атмосфере путем предварительного введения в исходную шихту в определенных количествах, как минимум, двух дополнительных твердых компонентов, представляющих собой диоксид кремния SiO2 и оксид галлия (III) Ga2O3 с последующим нагревом этой многокомпонентной шихты до температуры начала эпитаксии и выдержкой при этой температуре заранее установленное время.To overcome the main disadvantages of the technology for growing GaAs pin structures in quartz equipment using water vapor, an alternative method was proposed, which is the closest to the claimed technical solution (RU, patent 2488911, publ. 27.07.2013). The method is a one-time production of a GaAs pin structure having p, i and n regions in one epitaxial layer, including heating the initial charge to the formation of a saturated solution-melt of its components, interaction of the solution-melt with components to obtain a given composition of the solution-melt, making contact substrate with the obtained solution-melt, subsequent forced cooling for growing an epitaxial GaAs layer having a pin structure, removal of the substrate covered with a GaAs layer having a pin structure from under the melt, and the component compositions of the melt solutions for growing GaAs pin structures are formed in a dehydrated atmosphere by preliminarily introducing into the initial charge in certain quantities at least two additional solid components, which are silicon dioxide SiO 2 and gallium (III) oxide Ga 2 O 3 , followed by heating this multicomponent charge to the temperature of the onset of epitaxy and holding at this at a predetermined time.
Техническим результатом, достигаемым при этом, является простота и универсальность технологии, возможность изготовления по этому способу в промышленных объемах структур для силовой электроники, обладающих принципиально лучшей совокупностью технических параметров, таких как: высокое быстродействие, высокое обратное пробивное напряжение, низкое прямое падение напряжения, малая емкость.The technical result achieved in this case is the simplicity and versatility of the technology, the possibility of manufacturing by this method in industrial volumes of structures for power electronics, which have a fundamentally better set of technical parameters, such as: high speed, high reverse breakdown voltage, low forward voltage drop, low capacity.
Однако и этот способ имеет ряд недостатков, которые связаны с использованием диоксида кремния SiO2 в виде порошка. В ходе проведения процессов эпитаксии в условиях массового производства было установлено, что порошок диоксида кремния, в отличие от порошка оксида галлия, не полностью растворяется в растворе-расплаве на основе галлия, что приводит к двум основным проблемам.However, this method also has a number of disadvantages associated with the use of silicon dioxide SiO 2 in the form of a powder. In the course of carrying out epitaxy processes under conditions of mass production, it was found that silicon dioxide powder, unlike gallium oxide powder, does not completely dissolve in a gallium-based melt solution, which leads to two main problems.
Во-первых, возникают сложности с контролем содержания комплекса SiO в растворе-расплаве, что приводит к низкой воспроизводимости основных технических параметров - обратного пробивного напряжения и времени обратного восстановления. В результате снижается выход годного.First, difficulties arise with the control of the content of the SiO complex in the solution-melt, which leads to low reproducibility of the main technical parameters - reverse breakdown voltage and reverse recovery time. As a result, the yield is reduced.
Во-вторых, нерастворенный порошок SiO2 во время осуществления прокачки в ростовой ячейке периодически выносится потоком раствора-расплава на поверхность подложки, образуя при этом характерные дефекты роста в виде шлейфа. Это приводит к резкому ухудшению качества поверхности структуры и ее последующему забракованию.Secondly, the undissolved SiO 2 powder during pumping in the growth cell is periodically carried out by the flow of the solution-melt onto the substrate surface, thus forming characteristic growth defects in the form of a plume. This leads to a sharp deterioration in the quality of the surface of the structure and its subsequent rejection.
Техническая проблема, решаемая с использованием разработанного способа, состоит в повышении качества получаемых структур.The technical problem solved using the developed method is to improve the quality of the resulting structures.
Техническим результатом, на достижение которого направлено предлагаемое изобретение, является разработка способа получения p-i-n структуры арсенида галлия, позволяющего выращивать указанные структуры методом ЖФЭ с высокой воспроизводимостью основных электрофизических параметров и с высоким выходом годного.The technical result, which the present invention is aimed at, is the development of a method for obtaining a p-i-n structure of gallium arsenide, which makes it possible to grow these structures by LPE with high reproducibility of basic electrophysical parameters and with a high yield.
Разработанный способ включает составление исходной шихты, загрузку галлия, компонентов шихты и подложек GaAs в графитовое ростовое устройство, а затем в реактор, нагрев содержимого реактора в обезвоженной атмосфере с последующим отжигом в такой же атмосфере, осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом, последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя GaAs, имеющего p-i-n структуру, удаление подложки, покрытой слоем GaAs, имеющего p-i-n структуру, из-под расплава, отличающийся тем, что в шихту добавляют, по меньшей мере, оксид галлия Ga2O3 и монокристаллический кремний Si.The developed method includes the preparation of the initial charge, loading gallium, charge components and GaAs substrates into a graphite growth device, and then into a reactor, heating the reactor contents in a dehydrated atmosphere, followed by annealing in the same atmosphere, contacting the substrate with the resulting melt solution, followed by forced cooling for growing an epitaxial GaAs layer having a pin structure, removing a substrate coated with a GaAs layer having a pin structure from under the melt, characterized in that at least gallium oxide Ga 2 O 3 and monocrystalline silicon Si are added to the charge.
В предпочтительном варианте реализации разработанного способа весовые концентрации дополнительных легирующих компонентов в исходной шихте находятся в пределах:In a preferred embodiment of the developed method, the weight concentrations of additional alloying components in the initial charge are in the range:
- Ga2O3 - 0.01 -0.05 вес. %;- Ga 2 O 3 - 0.01 -0.05 wt. %;
- Si - 0.001-0.005 вес. %:- Si - 0.001-0.005 wt. %:
при этом соотношение между концентрациями названных легирующих компонентов составляет:in this case, the ratio between the concentrations of these alloying components is:
- C(Ga2O3):C(Si)=7-15.- C (Ga 2 O 3 ): C (Si) = 7-15.
В основу предлагаемого способа положены особенности протекания химических реакций взаимодействия легирующих компонентов в растворе-расплаве на основе галлия:The proposed method is based on the features of the chemical reactions of interaction of alloying components in a solution-melt based on gallium:
4Ga+Ga2O3=3 Ga2O4Ga + Ga 2 O 3 = 3 Ga 2 O
Ga2O+Si=2Ga+SiOGa 2 O + Si = 2Ga + SiO
Ga2Os+2Si=Ga2O+2SiOGa 2 O s + 2Si = Ga 2 O + 2SiO
Как следует из вышеуказанных реакций образование необходимого комплекса SiO успешно происходит и в отсутствие исходного порошкообразного соединения SiO2 в растворе-расплаве. Для этого достаточно использовать монокристаллический кремний, который в отличие от порошка SiO2 полностью растворим в растворе-расплаве. Важно, что в ходе протекания приведенных реакций образуется и второй необходимый компонент Ga2O.As follows from the above reactions, the formation of the required SiO complex also occurs successfully in the absence of the initial powdery SiO 2 compound in the solution-melt. To do this, it is sufficient to use monocrystalline silicon, which, unlike SiO 2 powder, is completely soluble in the solution-melt. It is important that in the course of the above reactions, the second necessary component Ga 2 O is also formed.
Основная роль Ga2O заключается в его участии в формировании глубокого донорного уровня, представляющего собой комплекс на основе кислорода. Концентрации таких уровней растет с увеличением содержания Ga2O3 в растворе-расплаве. При этом снижается время жизни неосновных носителей заряда в p-i-n структуре. Таким образом, имеется возможность простым, технологичным и надежным способом регулировать время жизни. Окись кремния SiO необходима для формирования инверсионного перехода. В обычных условиях, такой переход, обладающий высокоомными свойствами, имеет малую протяженность по толщине структуры, не более 3-5 мкм. Введение глубокого уровня, связанного с кислородным комплексом на основе Ga2O в твердую фазу, расширяет зону инверсии за счет эффекта компенсации, при этом формируется протяженная высокоомная i-область с концентрацией носителей заряда менее чем 1012 см-3.The main role of Ga 2 O is its participation in the formation of a deep donor level, which is an oxygen-based complex. The concentration of such levels increases with an increase in the Ga 2 O 3 content in the solution-melt. This reduces the lifetime of minority charge carriers in the pin structure. Thus, it is possible to adjust the life time in a simple, technological and reliable way. Silicon oxide SiO is required for the formation of an inversion transition. Under normal conditions, such a transition, which has high-resistance properties, has a small length over the structure thickness, no more than 3-5 microns. The introduction of a deep level associated with an oxygen complex based on Ga 2 O into the solid phase expands the inversion zone due to the compensation effect, while an extended high-resistance i-region with a charge carrier concentration of less than 10 12 cm -3 is formed .
В ходе проведения экспериментов были определены оптимальные пределы весовых концентраций легирующих окислов в растворе-расплаве, которые составили:In the course of the experiments, the optimal limits of the weight concentrations of alloying oxides in the solution-melt were determined, which amounted to:
- для Ga2O3 - 0.01-0.05 вес. %;- for Ga 2 O 3 - 0.01-0.05 wt. %;
- для Si - 0.001-0.005 вес. %.- for Si - 0.001-0.005 wt. %.
При этом эмпирически было установлено соотношение между концентрациями окислов, дающее оптимальное соотношение электрофизических параметров:At the same time, the relationship between the concentrations of oxides was empirically established, which gives the optimal ratio of electrophysical parameters:
C(Ga2O3):C(Si)=7-15.C (Ga 2 O 3 ): C (Si) = 7-15.
Предложенный способ, основанный на легировании кристаллическим кремнием, позволяет получить два основных технических результата:The proposed method, based on alloying with crystalline silicon, allows one to obtain two main technical results:
- повысить воспроизводимость основных технических параметров -обратного пробивного напряжения и времени обратного восстановления;- to increase the reproducibility of the main technical parameters - reverse breakdown voltage and reverse recovery time;
- увеличить выход годного продукции не менее, чем на 20%.- to increase the output of suitable products by at least 20%.
Разработанный способ может быть реализован при любых вариантах метода жидкофазной эпитаксии получения многослойной эпитаксиальной p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs.The developed method can be implemented with any version of the liquid-phase epitaxy method for obtaining a multilayer epitaxial p-i-n structure based on GaAs-GaAlAs compounds.
Пример 1.Example 1.
Получение p-i-n структур GaAs-GaAlAs для силовых диодов с рабочим напряжением 600 В.Obtaining p-i-n GaAs-GaAlAs structures for power diodes with an operating voltage of 600 V.
Проводили серии эпитаксиальных процессов в двух вариантах:A series of epitaxial processes was carried out in two versions:
- серия 1 с легированием порошком SiO2;- series 1 with alloying with SiO 2 powder;
- серия 2 с легированием монокристаллическим Si.- series 2 doped with single-crystal Si.
Каждая серия состояла из пяти процессов по шесть структур в каждом.Each series consisted of five processes with six structures each.
Предварительно взвешивали компоненты исходной шихты в следующих пропорциях.The components of the initial charge were preliminarily weighed in the following proportions.
Для серии 1:For series 1:
- Ga2O3 - 0.55 вес. %;- Ga 2 O 3 - 0.55 wt. %;
- SiO2 - 0.22 вес. %.- SiO 2 - 0.22 wt. %.
Для серии 2:For series 2:
- Ga2O3 - 0.025 вес. %;- Ga 2 O 3 - 0.025 wt. %;
- для Si - 0.002 вес. %.'- for Si - 0.002 wt. %. '
Далее все операции для обеих серий были идентичны.Further, all operations for both series were identical.
Содержание в растворе-расплаве арсенида галлия определяли из расчета диаграммы состояния Al-Ga-As. Проводили загрузку галлия, компонентов шихты, в том числе и оксида галлия (III) и монокристаллического кремния любого типа проводимости, и подложек GaAs р+-типа проводимости в графитовую кассету прокачного типа с вертикальным расположением подложек. Зазор между подложками был выбран 2.5 мм.. Кассету помещали в реактор, нагрев содержимого реактора осуществляли в обезвоженной атмосфере с последующим отжигом в такой же атмосфере, затем осуществляли контакт подложки с полученным раствором-расплавом с последующим принудительным охлаждением для выращивания эпитаксиального слоя GaAs, имеющего p-i-n структуру. Затем проводили удаление подложки, покрытой слоем GaAs, имеющего p-i-n структуру, из-под расплава. Весовые концентрации дополнительных легирующих компонентов в исходной шихте использовали в пределах:The content of gallium arsenide in the solution-melt was determined from the calculation of the phase diagram of Al-Ga-As. Gallium, charge components, including gallium (III) oxide and monocrystalline silicon of any conductivity type, and GaAs p + -type substrates were loaded into a flow-type graphite cassette with a vertical arrangement of substrates. The gap between the substrates was 2.5 mm. The cassette was placed in the reactor, the reactor contents were heated in a dehydrated atmosphere, followed by annealing in the same atmosphere, then the substrate was contacted with the resulting melt solution, followed by forced cooling to grow an epitaxial GaAs layer having pin structure. Then, the substrate covered with a GaAs layer having a pin structure was removed from under the melt. Weight concentrations of additional alloying components in the initial charge were used within:
- Ga2O3 - 0.01-0.05 вес. %;- Ga 2 O 3 - 0.01-0.05 wt. %;
- Si - 0.001-0.005 вес. %.- Si - 0.001-0.005 wt. %.
при этом соотношение между концентрациями названных легирующих компонентов составляет:in this case, the ratio between the concentrations of these alloying components is:
- C(Ga2O3):С (Si)=7-15.- C (Ga 2 O 3 ): C (Si) = 7-15.
После этого эпитаксию прекращали, систему охлаждали до комнатной температуры. Графитовую кассету разгружали, полученные структуры химически отмывали от остатков раствора-расплава по стандартной технологии. На каждой выращенной эпитаксиальной структуре были изготовлены контрольные меза-диоды в количестве 4 штук с использованием стандартных методов фотолитографии и травления. Измерения основных характеристик эпитаксиальных структур (пробивного напряжения Ur и времени обратного восстановления trr) проводили в непрерывном и импульсном режимах при комнатной температуре (20°С). Требования к данной группе структур по этим параметрам имеют следующие значения:After that, epitaxy was stopped, the system was cooled to room temperature. The graphite cassette was unloaded, the resulting structures were chemically washed from the residues of the solution-melt using standard technology. On each grown epitaxial structure, 4 control mesa diodes were fabricated using standard photolithography and etching methods. Measurements of the main characteristics of epitaxial structures (breakdown voltage U r and reverse recovery time t rr ) were carried out in continuous and pulsed modes at room temperature (20 ° C). The requirements for this group of structures for these parameters have the following meanings:
- Ur>690 В;- U r > 690 V;
- trr<35 нс.- t rr <35 ns.
Для серии 1 были получены значения пробивного напряжения с большим разбросом от процесса к процессу в диапазоне 350-1020 В, при этом на 12% меза-диодов значение Ur было ниже 690 В. Значения времени обратного восстановления также имели значительный разброс от процесса к процессу в диапазоне 18-48 не, при этом на 14% меза-диодов значение trr было выше 35 нс. Кроме того 6 структур или 20% от запуска имели низкое качество поверхности с характерными дефектами шлейфового типа, что делало их непригодными для дальнейшего использования. В итоге сквозной выход годной продукции составил 58%.For series 1, breakdown voltage values were obtained with a large scatter from process to process in the range of 350-1020 V, while for 12% of mesa diodes the Ur value was below 690 V. The values of the reverse recovery time also had a significant scatter from process to process in the range of 18-48 ns, while for 14% of mesa-diodes the t rr value was higher than 35 ns. In addition, 6 structures, or 20% of the start, had a low surface quality with characteristic loop-type defects, which made them unsuitable for further use. As a result, the end-to-end product yield was 58%.
Для серии 2 значения пробивного напряжения находились в значительно более узком диапазоне 580-850 В, при этом только 3,3% меза-диодов имели значение Ur ниже 690 В. Разброс времени обратного восстановления также был заметно ниже - в диапазоне 22-37 нс, при этом 4.2% меза-диодов имели значения выше номинала. Одна структура была забракована по поверхности (3,3% от запуска). В итоге сквозной выход годного составил 89%).For series 2, the breakdown voltage values were in a much narrower range of 580-850 V, while only 3.3% of mesa diodes had an Ur value below 690 V. The spread of the reverse recovery time was also noticeably lower - in the range of 22-37 ns. at the same time, 4.2% of mesa diodes had values higher than the nominal value. One structure was rejected on the surface (3.3% of launch). As a result, the end-to-end yield was 89%).
Как следует из примера, предложенный метод позволяет улучшить, по сравнению с ближайшим аналогом, воспроизводимость основных технических параметров эпитаксиальных структур -пробивного напряжения и времени обратного восстановления, а также значительно повысить выход годного.As follows from the example, the proposed method makes it possible to improve, in comparison with the closest analogue, the reproducibility of the main technical parameters of epitaxial structures - the breakdown voltage and the reverse recovery time, as well as significantly increase the yield.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020133010A RU2749501C1 (en) | 2020-10-06 | 2020-10-06 | Method for obtaining p-i-n structure based on gaas-gaalas compounds by liquid-phase epitaxy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020133010A RU2749501C1 (en) | 2020-10-06 | 2020-10-06 | Method for obtaining p-i-n structure based on gaas-gaalas compounds by liquid-phase epitaxy |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2749501C1 true RU2749501C1 (en) | 2021-06-11 |
Family
ID=76377562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020133010A RU2749501C1 (en) | 2020-10-06 | 2020-10-06 | Method for obtaining p-i-n structure based on gaas-gaalas compounds by liquid-phase epitaxy |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2749501C1 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0762501B1 (en) * | 1995-09-08 | 2001-03-14 | DaimlerChrysler AG | Monolithic integrated device of PIN diode and field effect transistor and method of manufacturing the same |
| RU2488911C1 (en) * | 2012-03-19 | 2013-07-27 | Общество с ограниченной ответственностью "МеГа Эпитех" | METHOD FOR MANUFACTURE OF p-i-n SEMICONDUCTOR STRUCTURE BASED ON GaAs-GaAlAs COMPOUNDS BY WAY OF LIQUID EPITAXY METHOD |
| RU2610388C2 (en) * | 2015-04-09 | 2017-02-09 | Общество с ограниченной ответственностью "Ме Га Эпитех" | Method of simultaneous production of p-i-n structure of gaas with p, i and n area in one epitaxial layer |
| RU2647209C1 (en) * | 2017-02-14 | 2018-03-14 | Общество с ограниченной ответственностью "ЭПИКОМ" | METHOD FOR OBTAINING A MULTI-LAYER HETEROEPITAXIAL P-I-N STRUCTURE IN THE AlGaAs SYSTEM BY THE LIQUID PHASE EPITAXY METHOD |
| RU2668661C2 (en) * | 2016-10-27 | 2018-10-02 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" | METHOD OF PRODUCING MULTILAYER EPITAXIAL P-I-N STRUCTURE BASED ON GaAs-GaAlAs COMPOUNDS BY METHOD OF LIQUID-PHASE EPITAXY |
-
2020
- 2020-10-06 RU RU2020133010A patent/RU2749501C1/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0762501B1 (en) * | 1995-09-08 | 2001-03-14 | DaimlerChrysler AG | Monolithic integrated device of PIN diode and field effect transistor and method of manufacturing the same |
| RU2488911C1 (en) * | 2012-03-19 | 2013-07-27 | Общество с ограниченной ответственностью "МеГа Эпитех" | METHOD FOR MANUFACTURE OF p-i-n SEMICONDUCTOR STRUCTURE BASED ON GaAs-GaAlAs COMPOUNDS BY WAY OF LIQUID EPITAXY METHOD |
| RU2610388C2 (en) * | 2015-04-09 | 2017-02-09 | Общество с ограниченной ответственностью "Ме Га Эпитех" | Method of simultaneous production of p-i-n structure of gaas with p, i and n area in one epitaxial layer |
| RU2668661C2 (en) * | 2016-10-27 | 2018-10-02 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" | METHOD OF PRODUCING MULTILAYER EPITAXIAL P-I-N STRUCTURE BASED ON GaAs-GaAlAs COMPOUNDS BY METHOD OF LIQUID-PHASE EPITAXY |
| RU2647209C1 (en) * | 2017-02-14 | 2018-03-14 | Общество с ограниченной ответственностью "ЭПИКОМ" | METHOD FOR OBTAINING A MULTI-LAYER HETEROEPITAXIAL P-I-N STRUCTURE IN THE AlGaAs SYSTEM BY THE LIQUID PHASE EPITAXY METHOD |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4116733A (en) | Vapor phase growth technique of III-V compounds utilizing a preheating step | |
| US3632431A (en) | Method of crystallizing a binary semiconductor compound | |
| US3703671A (en) | Electroluminescent device | |
| US3496118A (en) | Iiib-vb compounds | |
| US6872248B2 (en) | Liquid-phase growth process and liquid-phase growth apparatus | |
| US3960618A (en) | Epitaxial growth process for compound semiconductor crystals in liquid phase | |
| US3715245A (en) | Selective liquid phase epitaxial growth process | |
| CA1157962A (en) | Method of growing a doped iii-v alloy layer by molecular beam epitaxy | |
| RU2749501C1 (en) | Method for obtaining p-i-n structure based on gaas-gaalas compounds by liquid-phase epitaxy | |
| US3994755A (en) | Liquid phase epitaxial process for growing semi-insulating GaAs layers | |
| RU2668661C2 (en) | METHOD OF PRODUCING MULTILAYER EPITAXIAL P-I-N STRUCTURE BASED ON GaAs-GaAlAs COMPOUNDS BY METHOD OF LIQUID-PHASE EPITAXY | |
| Powell | Silicon carbide: Progress in crystal growth | |
| RU2488911C1 (en) | METHOD FOR MANUFACTURE OF p-i-n SEMICONDUCTOR STRUCTURE BASED ON GaAs-GaAlAs COMPOUNDS BY WAY OF LIQUID EPITAXY METHOD | |
| US3913212A (en) | Near-infrared light emitting diodes and detectors employing CdSnP{HD 2{B :InP heterodiodes | |
| RU2610388C2 (en) | Method of simultaneous production of p-i-n structure of gaas with p, i and n area in one epitaxial layer | |
| RU2647209C1 (en) | METHOD FOR OBTAINING A MULTI-LAYER HETEROEPITAXIAL P-I-N STRUCTURE IN THE AlGaAs SYSTEM BY THE LIQUID PHASE EPITAXY METHOD | |
| RU2744350C1 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR P-I-N STRUCTURE BASED ON GAAS-AlGAAS COMPOUNDS BY LIQUID-PHASE EPITAXY | |
| Graff et al. | Degradation of carrier lifetime in silicon crystals at room temperature | |
| RU2297690C1 (en) | Method for manufacturing superconductor heterostructure around a3b5 compounds by way of liquid-phase epitaxy | |
| US3619304A (en) | Method of manufacturing gallium phosphide electro luminescent diodes | |
| JPH0514418B2 (en) | ||
| RU2534106C1 (en) | Method of obtaining big-volume monocrystals of gallium antimonide with low dislocation density | |
| RU2727124C1 (en) | Method of producing low-alloy layer of gaas by liquid-phase epitaxy | |
| JP2576131B2 (en) | Method for treating compound semiconductor crystal | |
| US4371420A (en) | Method for controlling impurities in liquid phase epitaxial growth |