RU2141699C1 - Process of formation of solid nanostructures - Google Patents
Process of formation of solid nanostructures Download PDFInfo
- Publication number
- RU2141699C1 RU2141699C1 RU97116234A RU97116234A RU2141699C1 RU 2141699 C1 RU2141699 C1 RU 2141699C1 RU 97116234 A RU97116234 A RU 97116234A RU 97116234 A RU97116234 A RU 97116234A RU 2141699 C1 RU2141699 C1 RU 2141699C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ions
- ion
- semiconductor
- formation
- solid
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 10
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении. The invention relates to methods for forming solid-state nanostructures, in particular semiconductor and optical, and can be used to create new-generation devices in microelectronics, as well as in optical instrumentation.
Известен способ формирования кремниевых полос, изолированных друг от друга с использованием материала типа кремний на изоляторе (КНИ), включающий процессы электронно-лучевой литографии, реактивного ионного травления кремния и последующего окисления (J.P. Colinge, X. Bale, V. Bayot, E. Grivei "A silicon-on-insulation Quantum Wire" Solid -State Electronics, 1996, v. 39, N 1, p. 49-51). A known method of forming silicon strips isolated from each other using a material such as silicon on the insulator (SED), including the processes of electron beam lithography, reactive ion etching of silicon and subsequent oxidation (JP Colinge, X. Bale, V. Bayot, E. Grivei "A silicon-on-insulation Quantum Wire" (Solid-State Electronics, 1996, v. 39, No. 1, p. 49-51).
Недостатками указанного аналога следует признать ограничение минимального размера элементов получаемых структур пределом разрешения применяемой электронно-лучевой литографии, ограничение производительности и процента выхода годных структур из-за необходимости последовательного использования процессов электронно -лучевой литографии, травления, окисления, имеющих невысокие возможности по выходу годных структур. The disadvantages of this analogue should be recognized as limiting the minimum size of the elements of the resulting structures to the resolution limit of the applied electron beam lithography, limiting the productivity and yield of suitable structures due to the need for consistent use of the processes of electron beam lithography, etching, and oxidation, which have low possibilities for the yield of suitable structures.
Известен способ формирования периодической структуры на поверхности кремния при облучении его потоками ионов при углах падения, отличных от нормальных (R.M. Bradley, J.M.E. Harper "Theory of ripple topography induce by ion bombardment"- J. Vac. Sci. Technol. 1988, vol. A 6 (4), p. 2390-2395). Данное решение принято в качестве ближайшего аналога. A known method of forming a periodic structure on a silicon surface when it is irradiated with ion flows at incidence angles other than normal (RM Bradley, JME Harper "Theory of ripple topography induce by ion bombardment" - J. Vac. Sci. Technol. 1988, vol. A 6 (4), p. 2390-2395). This decision was made as the closest analogue.
Недостатками ближайшего аналога являются:
Отсутствие возможности управлять процессом образования и характеристическими размерами получаемых структур, так как теоретические результаты, излагаемые в данной работе, противоречат современным экспериментальным данным, в частности температурная зависимость периодичности структур неверна. Результаты представлены в общем виде и так, что индивидуальные особенности пары ион-мишень не учитываются.The disadvantages of the closest analogue are:
The inability to control the formation process and the characteristic sizes of the resulting structures, since the theoretical results presented in this paper contradict modern experimental data, in particular, the temperature dependence of the periodicity of structures is incorrect. The results are presented in a general way and so that the individual characteristics of the ion-target pair are not taken into account.
Кроме того, ошибочно предлагается в качестве бомбардирующих ионов использовать Ar+.In addition, it is erroneously proposed to use Ar + as bombarding ions.
Другим существенным недостатком ближайшего аналога является отсутствие изоляции элементов структуры друг от друга, что делает ее практически непригодной для изготовления полупроводниковых приборов. Another significant drawback of the closest analogue is the lack of isolation of structural elements from each other, which makes it practically unsuitable for the manufacture of semiconductor devices.
Техническая задача, решаемая посредством настоящего изобретения, состоит в разработке способа изготовления твердотельных наноструктур, пригодных для изготовления полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции, а также оптических приборов высокого разрешения. The technical problem solved by the present invention is to develop a method for manufacturing solid-state nanostructures suitable for the manufacture of semiconductor devices with a high degree of integration, as well as high-resolution optical devices.
Технический результат, получаемый в результате реализации изобретения, состоит в обеспечении возможности изготовления тонкопленочных полупроводниковых структур, пригодных для создания полупроводниковых приборов нового поколения, а также дифракционных решеток. The technical result obtained by the implementation of the invention is to provide the possibility of manufacturing thin-film semiconductor structures suitable for creating new-generation semiconductor devices, as well as diffraction gratings.
Предлагаемый способ основан на выявленном эффекте получения периодической структуры на поверхности твердого материала при обработке ее потоком ионов, падающим под углом, отличным от нормального, причем для получения ионного потока желательно использовать вещество, образующее при химическом взаимодействии с материалом обрабатываемой поверхности химическое соединение, в частности диэлектрическое соединение. При этом существенную роль играют тип и температура обрабатываемого материала, а также энергия потока ионов. К сожалению, задача о влиянии указанных параметров на характеристики получаемой структуры в настоящее время в общем виде не решена и в каждом конкретном случае проводится экспериментальный подбор параметров процесса. В любом случае период твердотельной наноструктуры задается типом ионов и материала, углом наклона пучка, энергией потока ионов, температурой обрабатываемого материала. В случае использования полупроводниковых материалов для изоляции элементов получаемой структуры можно использовать в качестве исходной структуру "полупроводник на изоляторе", причем процесс ионной обработки остановить с учетом распыления материала в момент, когда наноструктура сформируется на исходном изоляторе. В качестве источника ионов можно использовать материал, образующий диэлектрическое соединение с обрабатываемым материалом, что даст дополнительные возможности по изоляции элементов получаемой структуры и упростить реализацию способа. The proposed method is based on the revealed effect of obtaining a periodic structure on the surface of a solid material when it is treated with an ion stream falling at an angle different from the normal one; moreover, to obtain an ion stream, it is desirable to use a substance that forms a chemical compound, in particular a dielectric compound, during chemical interaction with the material of the treated surface compound. An important role is played by the type and temperature of the material being processed, as well as the energy of the ion flow. Unfortunately, the problem of the influence of these parameters on the characteristics of the resulting structure is currently not solved in general terms and in each case an experimental selection of process parameters is carried out. In any case, the period of the solid-state nanostructure is determined by the type of ions and material, the angle of the beam, the energy of the ion flow, and the temperature of the material being processed. In the case of using semiconductor materials to isolate the elements of the obtained structure, the “semiconductor on an insulator” structure can be used as the initial structure, and the ion processing process can be stopped taking into account the atomization of the material at the moment when the nanostructure is formed on the initial insulator. As a source of ions, you can use a material that forms a dielectric compound with the processed material, which will give additional opportunities for isolation of the elements of the resulting structure and simplify the implementation of the method.
Изобретение может быть охарактеризовано следующей совокупностью признаков: облучение поверхности материала потоком ионов, причем период структуры задают величинами энергии ионов и температурой обрабатываемой поверхности, при этом облучение проводят под углом, отличным от нормального. В случае получения полупроводниковых твердотельных нанострутур желательно использовать в качестве исходной структуру "полупроводник на изоляторе", причем процесс ионной обработки остановить с учетом распыления материала в момент, когда наноструктура сформируется на исходном изоляторе. Для упрощения изоляции элементов получаемой структуры в качестве источника ионов можно использовать материал, образующий диэлектрическое соединение с обрабатываемым материалом. The invention can be characterized by the following set of features: irradiation of the surface of the material with an ion flow, and the period of the structure is set by the values of ion energy and the temperature of the surface being treated, while irradiation is carried out at an angle different from normal. In the case of obtaining semiconductor solid state nanostructures, it is desirable to use a “semiconductor on an insulator” structure as the initial structure, and the ion processing process should be stopped taking into account the atomization of the material at the moment when the nanostructure is formed on the initial insulator. To simplify the isolation of the elements of the resulting structure, a material forming a dielectric compound with the processed material can be used as an ion source.
Данная совокупность признаков обеспечивает достижение технического результата изобретения во всех случаях его использования. Признаки "облучают поверхность материала потоком ионов" является общим для изобретения и его ближайшего аналога. This set of features ensures the achievement of the technical result of the invention in all cases of its use. The signs "irradiate the surface of the material with an ion stream" is common to the invention and its closest analogue.
Изобретение иллюстрировано графическим материалом, где на чертеже как частный случай реализации способа приведено поперечное сечение структуры изолированных полупроводниковых полос в плоскости падения ионов. Структура содержит слой изолятора 1, полосы полупроводника 2 и полосы изолятора 3. Направление потока ионов показано стрелкой 4. The invention is illustrated in graphic material, where in the drawing, as a special case of the method, the cross section of the structure of isolated semiconductor strips in the plane of incidence of ions is shown. The structure contains a layer of insulator 1, a strip of semiconductor 2 and a strip of insulator 3. The direction of ion flow is shown by arrow 4.
Устройство, реализующее способ, содержит источник ионов с управляемой энергией, вакуумную камеру с объектом, для которого имеется возможность изменения наклона обрабатываемого образца относительно потока ионов и нагрева его с контролем температуры. Устройство относится к обычным установкам ионного травления с изменяющимся углом наклона обрабатываемых структур. The device that implements the method contains a source of ions with controlled energy, a vacuum chamber with an object for which it is possible to change the slope of the processed sample relative to the ion flux and heat it with temperature control. The device relates to conventional installations of ion etching with a changing angle of inclination of the processed structures.
Изобретение иллюстрировано следующими примерами реализации. The invention is illustrated by the following implementation examples.
1. Использовалась структура "кремний на изоляторе". Начальная толщина верхнего слоя кремния составляла 192,9 нм. Установили объект в вакуумную камеру вторично-ионного масс- спектрометра IMS-4f с остаточным давлением 5•10-9 Торр. В источник ионов типа дуоплазматрон напустили азот для получения потока ионов азота. Задали энергию потока ионов E=8 кэВ и угол облучения объекта относительно нормали к поверхности 48 градусов. Температуру структуры установили комнатной, Т=293 К. Потоком ионов азота при токе I=250 нА равномерно облучили область S=200 х 200 кв. мкм на поверхности структуры. Период структуры при указанных параметрах процесса был равен 86 нм. Высота или амплитуда структуры составляла h=35 нм. Состав изолятора 3 (см. чертеж) близок к составу нитрида кремния Si3N4. Время ионной обработки составляло t=7,0 мин.1. The structure "silicon on the insulator" was used. The initial thickness of the upper silicon layer was 192.9 nm. An object was installed in the vacuum chamber of an IMS-4f secondary-ion mass spectrometer with a residual pressure of 5 • 10 -9 Torr. Nitrogen was introduced into the source of ions of the duoplasmatron type to produce a stream of nitrogen ions. We set the ion flux energy E = 8 keV and the object irradiation angle relative to the normal to the surface of 48 degrees. The temperature of the structure was set to room temperature, T = 293 K. The flow of nitrogen ions at a current of I = 250 nA uniformly irradiated the region S = 200 x 200 sq. microns on the surface of the structure. The period of the structure at the indicated process parameters was 86 nm. The height or amplitude of the structure was h = 35 nm. The composition of insulator 3 (see drawing) is close to the composition of silicon nitride Si 3 N 4 . The ion treatment time was t = 7.0 min.
2. Тот же объект КНИ установили в сканирующий ожемикроанализатор PHI 660 с остаточным давлением 2•10-10 Торр. Потоком ионов азота с энергией 5 кэВ под углом 33 градуса и током 100 нА равномерно облучили область S=200 х 200 мкм кв. на поверхности объекта. Температура объекта составляла Т=848 К. При указанных параметрах процесса и времени облучения t=6,0 мин получили структуру с периодом 15 нм и амплитудой 3,2 нм.2. The same SOI object was installed in a PHI 660 scanning fire analyzer with a residual pressure of 2 • 10 -10 Torr. The flow of nitrogen ions with an energy of 5 keV at an angle of 33 degrees and a current of 100 nA uniformly irradiated the region S = 200 x 200 μm square. on the surface of the object. The temperature of the object was T = 848 K. At the indicated process parameters and the irradiation time t = 6.0 min, a structure with a period of 15 nm and an amplitude of 3.2 nm was obtained.
3. Стеклянную пластину толщиной 606 мкм установили в сканирующий ожемикроанализатор PHI 660, при тех же условиях провели обработку. Период структуры составил 18 нм при глубине 2,6 нм. Указанные примеры не исчерпывают возможные пути реализации изобретения. 3. A glass plate 606 μm thick was installed in a PHI 660 scanning flame analyzer, and processing was performed under the same conditions. The period of the structure was 18 nm with a depth of 2.6 nm. These examples do not exhaust the possible ways of implementing the invention.
Claims (3)
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU97116234A RU2141699C1 (en) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | Process of formation of solid nanostructures |
| AU96545/98A AU9654598A (en) | 1997-09-30 | 1998-08-27 | Method for forming solid-state nano-structures |
| PCT/RU1998/000288 WO1999017346A1 (en) | 1997-09-30 | 1998-08-27 | Method for forming solid-state nano-structures |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU97116234A RU2141699C1 (en) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | Process of formation of solid nanostructures |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU97116234A RU97116234A (en) | 1999-07-10 |
| RU2141699C1 true RU2141699C1 (en) | 1999-11-20 |
Family
ID=20197581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU97116234A RU2141699C1 (en) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | Process of formation of solid nanostructures |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| AU (1) | AU9654598A (en) |
| RU (1) | RU2141699C1 (en) |
| WO (1) | WO1999017346A1 (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005050697A3 (en) * | 2003-10-10 | 2005-08-11 | World Business Associates Ltd | Method for forming wavy nanostructures |
| US9057704B2 (en) | 2011-12-12 | 2015-06-16 | Wostec, Inc. | SERS-sensor with nanostructured surface and methods of making and using |
| US9134250B2 (en) | 2012-03-23 | 2015-09-15 | Wostec, Inc. | SERS-sensor with nanostructured layer and methods of making and using |
| US9224918B2 (en) | 2011-08-05 | 2015-12-29 | Wostec, Inc. 032138/0242 | Light emitting diode with nanostructured layer and methods of making and using |
| US9500789B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-11-22 | Wostec, Inc. | Polarizer based on a nanowire grid |
| US9653627B2 (en) | 2012-01-18 | 2017-05-16 | Wostec, Inc. | Arrangements with pyramidal features having at least one nanostructured surface and methods of making and using |
| US10672427B2 (en) | 2016-11-18 | 2020-06-02 | Wostec, Inc. | Optical memory devices using a silicon wire grid polarizer and methods of making and using |
| US10879082B2 (en) | 2014-06-26 | 2020-12-29 | Wostec, Inc. | Wavelike hard nanomask on a topographic feature and methods of making and using |
| US11371134B2 (en) | 2017-02-27 | 2022-06-28 | Wostec, Inc. | Nanowire grid polarizer on a curved surface and methods of making and using |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2173003C2 (en) * | 1999-11-25 | 2001-08-27 | Септре Электроникс Лимитед | Method for producing silicon nanostructure, lattice of silicon quantum conducting tunnels, and devices built around them |
| EP1672415A1 (en) * | 2004-12-17 | 2006-06-21 | Freewire Limited | Method of forming a nanorelief structure on a film surface |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2454714C3 (en) * | 1974-11-19 | 1979-04-19 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V., 8000 Muenchen | Masking process for the production of periodic structures in a substrate by means of ion implantation |
| JP2609587B2 (en) * | 1986-04-21 | 1997-05-14 | 株式会社日立製作所 | Semiconductor device |
| JP2650930B2 (en) * | 1987-11-24 | 1997-09-10 | 株式会社日立製作所 | Superlattice device fabrication method |
| RU2007783C1 (en) * | 1991-10-02 | 1994-02-15 | Борис Михайлович Овчинников | Process of formation of nanostructure |
-
1997
- 1997-09-30 RU RU97116234A patent/RU2141699C1/en active
-
1998
- 1998-08-27 WO PCT/RU1998/000288 patent/WO1999017346A1/en active Application Filing
- 1998-08-27 AU AU96545/98A patent/AU9654598A/en not_active Abandoned
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| R.M.Bradley, J.M.E. Harper, Theory of ripple topography by ion bombardment. J.Vac.Sci. Technol, 1988, v.A6 (4), p.2390 - 2395. * |
| Вульф Э.Д. Исследования и разработка НЦИСС. - ТИИЭР. * |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1894157B (en) * | 2003-10-10 | 2010-08-11 | 沃斯泰克公司 | Method for forming wavy nanostructures |
| WO2005050697A3 (en) * | 2003-10-10 | 2005-08-11 | World Business Associates Ltd | Method for forming wavy nanostructures |
| US9224918B2 (en) | 2011-08-05 | 2015-12-29 | Wostec, Inc. 032138/0242 | Light emitting diode with nanostructured layer and methods of making and using |
| US9660142B2 (en) | 2011-08-05 | 2017-05-23 | Wostec, Inc. | Light emitting diode with nanostructured layer and methods of making and using |
| US9057704B2 (en) | 2011-12-12 | 2015-06-16 | Wostec, Inc. | SERS-sensor with nanostructured surface and methods of making and using |
| US9653627B2 (en) | 2012-01-18 | 2017-05-16 | Wostec, Inc. | Arrangements with pyramidal features having at least one nanostructured surface and methods of making and using |
| US9134250B2 (en) | 2012-03-23 | 2015-09-15 | Wostec, Inc. | SERS-sensor with nanostructured layer and methods of making and using |
| US9500789B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-11-22 | Wostec, Inc. | Polarizer based on a nanowire grid |
| US10879082B2 (en) | 2014-06-26 | 2020-12-29 | Wostec, Inc. | Wavelike hard nanomask on a topographic feature and methods of making and using |
| US10672427B2 (en) | 2016-11-18 | 2020-06-02 | Wostec, Inc. | Optical memory devices using a silicon wire grid polarizer and methods of making and using |
| US11037595B2 (en) | 2016-11-18 | 2021-06-15 | Wostec, Inc. | Optical memory devices using a silicon wire grid polarizer and methods of making and using |
| US11308987B2 (en) | 2016-11-18 | 2022-04-19 | Wostec, Inc. | Optical memory devices using a silicon wire grid polarizer and methods of making and using |
| US11371134B2 (en) | 2017-02-27 | 2022-06-28 | Wostec, Inc. | Nanowire grid polarizer on a curved surface and methods of making and using |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU9654598A (en) | 1999-04-23 |
| WO1999017346A1 (en) | 1999-04-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2973407B2 (en) | Method and apparatus for producing a layer of material from a laser ion source | |
| US4908226A (en) | Selective area nucleation and growth method for metal chemical vapor deposition using focused ion beams | |
| RU2141699C1 (en) | Process of formation of solid nanostructures | |
| US8084365B2 (en) | Method of manufacturing a nano structure by etching, using a substrate containing silicon | |
| JP2639158B2 (en) | Etching method and etching apparatus | |
| US5075243A (en) | Fabrication of nanometer single crystal metallic CoSi2 structures on Si | |
| JP2757546B2 (en) | Method and apparatus for etching Fe-containing material | |
| US3536547A (en) | Plasma deposition of oxide coatings on silicon and electron bombardment of portions thereof to be etched selectively | |
| RU2228900C1 (en) | Method for producing carbon nanostructures | |
| Kesler et al. | XPS study of ion‐beam‐assisted formation of Si nanostructures in thin SiO2 layers | |
| US11495462B2 (en) | Formation of reliefs on the surface of a substrate | |
| US4680087A (en) | Etching of dielectric layers with electrons in the presence of sulfur hexafluoride | |
| JPS6328993B2 (en) | ||
| Sapkov et al. | Using a focused ion beam for the creation of a molecular single-electron transistor | |
| JPH0745595A (en) | Patterning of semiconductor device | |
| JPH0964030A (en) | Manufacture of silicon oxide film | |
| JP3572580B2 (en) | Nitrogen-implanted C60 fullerene thin film and method for producing the same | |
| JPH062939B2 (en) | Thin film generation method | |
| Gamo et al. | Ion beam microfabrication | |
| JP2676746B2 (en) | Method of forming fine pattern | |
| Gamo et al. | Recent Advances in the Application of Focused Ion Beams | |
| JPH1078667A (en) | Fine processing method | |
| JPH0247848B2 (en) | ||
| JPH02249231A (en) | Dry etching method | |
| JPS5964778A (en) | Etching treatment |