RU197989U1 - Photoresistor based on a composite material consisting of a polymer of poly (3-hexylthiophene) and p-type silicon nanoparticles - Google Patents
Photoresistor based on a composite material consisting of a polymer of poly (3-hexylthiophene) and p-type silicon nanoparticles Download PDFInfo
- Publication number
- RU197989U1 RU197989U1 RU2020101617U RU2020101617U RU197989U1 RU 197989 U1 RU197989 U1 RU 197989U1 RU 2020101617 U RU2020101617 U RU 2020101617U RU 2020101617 U RU2020101617 U RU 2020101617U RU 197989 U1 RU197989 U1 RU 197989U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- polymer
- silicon nanoparticles
- poly
- hexylthiophene
- composite material
- Prior art date
Links
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 22
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 22
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 5
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Использование: для изготовления фотоприемников типа фотосопротивление на основе композитного материала, состоящего из полимера поли(3-гексилтиофена) и наночастиц кремния p-типа проводимости. Сущность полезной модели заключается в том, что фоторезистивный элемент содержит диэлектрическую подложку с нанесенным на нее чувствительным слоем и металлическими контактами, при этом чувствительный слой выполнен из композитного материала, состоящего из полимера поли(3-гексилтиофена) и наночастиц кремния p-типа проводимости размером от 10 до 100 нм и концентрацией от 6 до 12 весовых %. Технический результат: обеспечение возможности снижения количества фоточувствительного материала на единицу площади фотоактивного слоя и увеличения механической площади. 5 ил.Usage: for the manufacture of photodetectors such as photo-resistance based on a composite material consisting of a polymer of poly (3-hexylthiophene) and silicon nanoparticles of p-type conductivity. The essence of the utility model is that the photoresistive element contains a dielectric substrate coated with a sensitive layer and metal contacts, while the sensitive layer is made of a composite material consisting of a polymer of poly (3-hexylthiophene) and p-type silicon nanoparticles with a size of 10 to 100 nm and a concentration of 6 to 12 weight%. Effect: providing the possibility of reducing the amount of photosensitive material per unit area of the photoactive layer and increasing the mechanical area. 5 ill.
Description
Область техникиTechnical field
Полезная модель относится к оптоэлектронным устройствам и может быть использована для изготовления фотоприемников типа фотосопротивление на основе композитного материала, состоящего из полимера поли(3-гексилтиофена) и наночастиц кремния p-типа проводимости. Актуальность создания принципиально новых детекторов оптического излучения определяется потребностью в эффективных и дешевых приемниках световых сигналов.The utility model relates to optoelectronic devices and can be used for the manufacture of photodetectors such as photo-resistance based on a composite material consisting of a polymer of poly (3-hexylthiophene) and p-type silicon nanoparticles. The relevance of creating fundamentally new optical radiation detectors is determined by the need for efficient and cheap light signal receivers.
Уровень техникиState of the art
Известны фотоприемники на основе внешнего и внутреннего фотоэффекта: вакуумные фотоэлементы, фотоумножители, фотодиоды, фоторезисторы, пироэлектрические фотоприемники (Аксененко М.Д., Бараночников М.Л. Приемники оптического излучения. Справочник.: Радио и связь, 1987. — 296 с). Известны также и фотосопротивления, созданные на основе неорганических кристаллов CdS, CdSe, PbS, работающие в видимом диапазоне спектра (400-750 нм). Known photodetectors based on external and internal photoelectric effects: vacuum photocells, photomultipliers, photodiodes, photoresistors, pyroelectric photodetectors (Aksenenko MD, Baranochnikov ML. Optical radiation receivers. Handbook: Radio and communications, 1987. - 296 p.). Also known are photo-resistances created on the basis of inorganic crystals CdS, CdSe, PbS, operating in the visible range of the spectrum (400-750 nm).
Существуют также и органические материалы, обладающие фоточувствительностью в видимом диапазоне светового спектра. По сравнению с приведенными выше типами неорганических фотоприемников, органические фотоприемники обладают уникальными характеристиками, обуславливающими актуальность разработки фотоприемников данного типа (Jianli M., Fujun Z. Recent progress on photomultiplication type organic photodetectors. Laser and photonics reviews. Volume 13. Issue 2. Pages 1-38, 2019). К таким характеристикам относятся простота производства, хорошая механическая гибкость, позволяющая формирование фотоприемника на гибких подложках, и настраиваемая функциональность путем модификации состава и структуры органических материалов. При этом активно ведутся работы по увеличению чувствительности таких фотоприемников, так как она остается на достаточно низком уровне. Существует подход, который заключается в создании так называемых гибридных материалов, состоящих из органических материалов, в которые для улучшения спектральных, оптических, фотоэлектрических характеристик добавляют неорганические наночастицы (Wright M., Uddin A. Organic-inorganic hybrid solar cells: A comparative review. Solar Energy Materials and Solar Cells. Volume 107. Pages 87-111. 2012). There are also organic materials with photosensitivity in the visible range of the light spectrum. Compared with the above types of inorganic photodetectors, organic photodetectors have unique characteristics that determine the urgency of developing this type of photodetector (Jianli M., Fujun Z. Recent progress on photomultiplication type organic photodetectors. Laser and photonics reviews. Volume 13.
Одним из часто используемых в солнечной фотовольтаике полимеров является полимер поли (3-гексилтиофен) (P3HT) (Berger P., Kim M. Polymer solar cells: P3HT:PCBM and beyond. Journal of Renewable and Sustainable Energy. Volume 10. Issue 1. Pages 013508-1 – 013508-26. 2018). Он обладает высокой фоточувствительностью, необходимой как для создания солнечных элементов, так и фоторезисторов. С точки зрения неорганических наночастиц наиболее перспективными представляются наночастицы кремния, так как их технология производства наиболее отработана. Однако работы по добавлению наночастиц кремния в P3HT с целью создания фоторезисторов в настоящий момент отсутствуют.One of the polymers often used in solar photovoltaics is poly (3-hexylthiophene) (P3HT) (Berger P., Kim M. Polymer solar cells: P3HT: PCBM and beyond. Journal of Renewable and Sustainable Energy.
Конструктивно, наиболее близким аналогом представляемой разработки является фотоприемник, охраняемый патентом FR3049390A1. Фотоприемник представляет собой фотоактивный слой, содержащий светочувствительный материал для генерации под действием освещения носителей заряда и два электрода, выполненные с возможностью сбора заряда носителей, генерируемых в светочувствительном материале. Фотоактивный слой содержит фотолюминесцентный материал, составляющий 1-3 весовых %. Фотолюминесцентный материал призван поглощать оптическое излучение, непоглощенное фоточувствительным слоем и переизлучать его на длинах волн, на которых фоточувствительный материал имеет наибольшее поглощение. Толщина фоточувствительного слоя составляет 500-800 нм. В качестве фотолюминесцентного материала используется поли [(1,4-фенилен-1,2-дифенилвинилен)], а в качестве материала фоточувствительного слоя смесь полимера P3HT и метилового эфира фенил-C61-масляной кислоты (PCBM). Недостатками данного технического решения являются сложность формирования трехкомпонентной структуры из люминесцентных островов, покрытых фоточувствительным слоем из двух различных органических материалов, увеличение времени ответа фотоприемника за счет дополнительного времени на переизлучение оптического сигнала фотолюминесцентным материалом и высокая толщина фоточувствительного слоя, предполагающая использование большего количества материала и меньшую механическую гибкость устройства.Structurally, the closest analogue of the presented development is a photodetector protected by patent FR3049390A1. The photodetector is a photoactive layer containing a photosensitive material for generation under the influence of illumination of charge carriers and two electrodes configured to collect charge of the carriers generated in the photosensitive material. The photoactive layer contains a photoluminescent material comprising 1-3 weight%. The photoluminescent material is designed to absorb optical radiation not absorbed by the photosensitive layer and reradiate it at wavelengths at which the photosensitive material has the highest absorption. The thickness of the photosensitive layer is 500-800 nm. Poly [(1,4-phenylene-1,2-diphenylvinylylene)] is used as the photoluminescent material, and a mixture of P3HT polymer and phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM) is used as the material of the photosensitive layer. The disadvantages of this technical solution are the difficulty of forming a three-component structure from luminescent islands coated with a photosensitive layer of two different organic materials, increasing the response time of the photodetector due to the additional time for re-emission of the optical signal with a photoluminescent material and the high thickness of the photosensitive layer, which involves the use of more material and less mechanical device flexibility.
Раскрытие полезной моделиUtility Model Disclosure
Полезная модель представляет собой устройство (фиг.1), состоящее из диэлектрической подложки 1, нанесенного на нее фоточувствительного слоя 2 и электродов из алюминия 3, нанесенных на фоточувствительных слой. Фоточувствительный слой составляет 100-200 нм и создается из композитного материала, на основе полимера P3HT и наночастиц кремния p-типа проводимости. Наночастицы кремния вводятся в концентрации 6-12 весовых % полимера. При этом допускается разброс по размерам кремниевых наночастиц в интервале от 10 до 100 нм. Оптимальное распределение наночастиц по размерам представлено на фиг. 2. Данное распределение получено путем анализа изображения наночастиц (для которых фоторезистор показывает наилучшие параметры) в атомно-силовом микроскопе (фиг. 3). The utility model is a device (Fig. 1), consisting of a
Принципиальная идея полезной модели состоит в том, что добавление кремниевых наночастиц в полимер P3HT приводит к увеличению поглощения и фотопроводимости, что является кардинально важным для улучшения параметров фоторезистора. На фиг. 4 показаны спектры пропускания полимера P3HT и композита полимера P3HT и наночастиц кремния p-типа проводимости. На спектрах проводимости видно, что композит в отличие от чистого полимера обладает меньшим пропусканием в области 400-650 нм. Пропускание композита в данной спектральной области уменьшается до 20 раз по сравнению с пропусканием полимера, что свидетельствует об увеличении поглощения и позволяет создавать более тонкий фоточувствительный слой, обладающий большей механической гибкостью. Также за счет меньшей толщины фоточувствительного слоя на единицу площади фотоприемника расходуется меньше материала, что удешевляет производство устройства.The fundamental idea of the utility model is that the addition of silicon nanoparticles to the P3HT polymer leads to an increase in absorption and photoconductivity, which is crucial for improving the parameters of the photoresistor. In FIG. 4 shows the transmission spectra of a P3HT polymer and a composite of a P3HT polymer and p-type silicon nanoparticles. On the conductivity spectra, it is seen that the composite, in contrast to the pure polymer, has a lower transmission in the region of 400-650 nm. The transmission of the composite in this spectral region is reduced up to 20 times compared with the transmission of the polymer, which indicates an increase in absorption and allows you to create a thinner photosensitive layer with greater mechanical flexibility. Also, due to the smaller thickness of the photosensitive layer per unit area of the photodetector, less material is consumed, which reduces the cost of production of the device.
Из фиг.5 видно, что фоточувствительность композита в 5-10 раз выше фоточувствительности полимера P3HT. Также, край спектра фоточувствительности композита сдвинут в красную область до энергии фотона 1,1 эВ в отличие от края 1,25 эВ чистого полимера. Данные свойства позволяют устройству улавливать более слабые сигналы, а также расширяют рабочий диапазон устройства в область низких энергий квантов до 1,1 эВ.Figure 5 shows that the photosensitivity of the composite is 5-10 times higher than the photosensitivity of the P3HT polymer. Also, the edge of the photosensitivity spectrum of the composite is shifted to the red region to a photon energy of 1.1 eV, in contrast to the edge of 1.25 eV of a pure polymer. These properties allow the device to capture weaker signals, and also expand the operating range of the device into the low-energy quantum region up to 1.1 eV.
Описываемая полезная модель позволит регистрировать слабое оптическое излучение в диапазоне длин волн 400 – 1100 нм при толщинах фоточувствительного слоя 100-200 нм. Это приведет к существенному снижению расхода фоточувствительного материала на единицу площади фотоактивного слоя и расширит сферу применения органических фотоприемников.The described utility model will allow detecting weak optical radiation in the wavelength range of 400 - 1100 nm with a photosensitive layer thickness of 100-200 nm. This will lead to a significant reduction in the consumption of photosensitive material per unit area of the photoactive layer and will expand the scope of application of organic photodetectors.
Краткое описание чертежейBrief Description of the Drawings
На фиг. 1 представлены чертежи устройства – вид сверху и вид сбоку. На диэлектрическую подложку 1 нанесен тонким слоем фоточувствительный слой 2. Поверх фоточувствительного слоя наносятся контакты 3, таким образом, чтобы между ними оставался зазор, представляющий чувствительную зону фотоприемника.In FIG. 1 shows the drawings of the device - top view and side view. A thin layer of
На фиг. 2 приведена диаграмма оптимального распределения наночастиц по размерам. In FIG. Figure 2 shows a diagram of the optimal size distribution of nanoparticles.
На фиг. 3 приведено изображение наночастиц, которые использовались в фоторезисторе, обладающем наилучшими результатами. Данное изображение было получено с помощью атомно-силового микроскопаIn FIG. Figure 3 shows the image of nanoparticles used in a photoresistor that has the best results. This image was obtained using an atomic force microscope.
На фиг. 4 показаны спектры пропускания полимера P3HT и композита полимера P3HT и наночастиц кремния p-типа проводимости. In FIG. 4 shows the transmission spectra of a P3HT polymer and a composite of a P3HT polymer and p-type silicon nanoparticles.
На фиг. 5 изображены спектры фотопроводимости полимера P3HT и композита полимера P3HT и наночастиц кремния p-типа проводимости.In FIG. 5 shows the photoconductivity spectra of a P3HT polymer and a composite of a P3HT polymer and p-type silicon nanoparticles.
Осуществление полезной моделиUtility Model Implementation
Техническое решение иллюстрируется следующим примером.The technical solution is illustrated by the following example.
Фоторезистор включал в себя квадратную стеклянную подложку 0,5х0,5 см с нанесенным на нее композитным слоем из полимера поли(3-гексилтиофена) и наночастиц кремния p-типа проводимости в концентрации 10 весовых %. На поверхность чувствительного слоя напылялись путем термического распыления электрические контакты из алюминия для регистрации электрического сигнала. Наночастицы кремния были приготовлены из пористого кремния, полученного методом электрохимического травления подложки монокристаллического кремния легированного бором (10-20 мОм*см) в спиртовом растворе концентрированной плавиковой кислоты. Травление происходило в течение 90 минут, ток травления 80 мА/см2. От поверхности пластины пленка отделялась с помощью электрохимической полировки. После завершения травления на пластину короткими импульсами подавался ток плотностью выше 500 мА/см2. Пленка пористого кремния при этом отсоединялась от кремниевой пластины. Далее пленку пористого кремния погружали в хлорбензол, являющийся растворителем для P3HT, и подвергали ультразвуковому воздействию в течение 60 минут, получая дисперсию наночастиц в растворителе. Композит получали смешением дисперсии наночастиц и раствора Р3НТ с обработкой в УЗ на протяжении 30 мин и последующим поливом на горизонтальную стеклянную подложку, вращающуюся на центрифуге (метод спин-коатинг). Алюминиевые контакты напылялись в планарной конфигурации. Длина контактов составила 5 мм, расстояние между контактами – 130-150 мкм. Толщина композитного слоя 100-200 нм. The photoresistor included a square glass substrate of 0.5x0.5 cm with a composite layer made of a polymer of poly (3-hexylthiophene) and p-type silicon nanoparticles at a concentration of 10 weight%. Electrical contacts of aluminum were sprayed onto the surface of the sensitive layer by thermal spraying to record an electrical signal. Silicon nanoparticles were prepared from porous silicon obtained by electrochemical etching of a single-crystal silicon substrate doped with boron (10-20 mOhm * cm) in an alcoholic solution of concentrated hydrofluoric acid. Etching occurred within 90 minutes, etching current of 80 mA / cm 2 . The film was separated from the surface of the plate by electrochemical polishing. After etching was completed, a current with a density higher than 500 mA / cm 2 was applied to the plate with short pulses. The porous silicon film was detached from the silicon wafer. Next, the porous silicon film was immersed in chlorobenzene, which is a solvent for P3HT, and subjected to ultrasound for 60 minutes, obtaining a dispersion of nanoparticles in the solvent. The composite was obtained by mixing a dispersion of nanoparticles and a P3HT solution with treatment in ultrasound for 30 minutes and then pouring it onto a horizontal glass substrate rotating in a centrifuge (spin-coating method). Aluminum contacts were sprayed in a planar configuration. The length of the contacts was 5 mm, the distance between the contacts was 130-150 microns. The thickness of the composite layer is 100-200 nm.
Устройство работает следующим образом. К металлическим контактам подводится электрическое напряжение и через фотоприемник начинает течь электрический ток. Световое излучение, падающее на фоточувствительный слой, поглощается, создавая, за счет внутреннего фотоэффекта, дополнительные носители электрического заряда. Появление дополнительных носителей вызывает увеличение проводимости фотоприемника на величину фотопроводимости. Таким образом, измеряя фотопроводимость фотоприемника, можно измерять мощность падающего на устройство излучения. Данные по фиксации мощности излучения различных диапазонов приведены в таблице 1.The device operates as follows. An electric voltage is supplied to the metal contacts and an electric current begins to flow through the photodetector. The light radiation incident on the photosensitive layer is absorbed, creating, due to the internal photoelectric effect, additional carriers of electric charge. The appearance of additional carriers causes an increase in the conductivity of the photodetector by the amount of photoconductivity. Thus, by measuring the photoconductivity of the photodetector, it is possible to measure the power of radiation incident on the device. Data on fixing the radiation power of various ranges are shown in table 1.
Таблица 1. Данные по фиксации мощности излучения различных диапазонов.Table 1. Data on the fixation of radiation power of various ranges.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020101617U RU197989U1 (en) | 2020-01-16 | 2020-01-16 | Photoresistor based on a composite material consisting of a polymer of poly (3-hexylthiophene) and p-type silicon nanoparticles |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020101617U RU197989U1 (en) | 2020-01-16 | 2020-01-16 | Photoresistor based on a composite material consisting of a polymer of poly (3-hexylthiophene) and p-type silicon nanoparticles |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU197989U1 true RU197989U1 (en) | 2020-06-10 |
Family
ID=71066941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020101617U RU197989U1 (en) | 2020-01-16 | 2020-01-16 | Photoresistor based on a composite material consisting of a polymer of poly (3-hexylthiophene) and p-type silicon nanoparticles |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU197989U1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2827753C1 (en) * | 2024-05-31 | 2024-10-01 | Федеральное государственное бюджетное образовательно учреждение высшего образования "Уфимский университет науки и технологий" | Thin-film organic photoresistor of ultraviolet radiation |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110095266A1 (en) * | 2008-06-25 | 2011-04-28 | Oliver Hayden | Photodetector and method for the production thereof |
| CN102867918A (en) * | 2012-09-18 | 2013-01-09 | 东华大学 | Method for synthesizing CdSe/P3HT (poly 3-hexylthiophene) superstructure hybrid nanocrystal through a low-temperature liquid phase method |
| WO2013076311A1 (en) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | Centre National De La Recherche Scientifique (C.N.R.S) | Electroactive surfactant improved hybrid bulk heterojunction solar cells |
| CN103531713B (en) * | 2013-07-05 | 2016-06-08 | 深圳清华大学研究院 | The preparation method of inorganic nano-crystal/conjugated polymers hybrid solar cell |
| FR3049390B1 (en) * | 2016-03-25 | 2018-07-06 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | PHOTODETECTOR WITH IMPROVED SENSITIVITY BY ADDITION OF PHOTOLUMINESCENT MATERIAL WITHIN THE PHOTOSENSITIVE MATERIAL |
-
2020
- 2020-01-16 RU RU2020101617U patent/RU197989U1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110095266A1 (en) * | 2008-06-25 | 2011-04-28 | Oliver Hayden | Photodetector and method for the production thereof |
| WO2013076311A1 (en) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | Centre National De La Recherche Scientifique (C.N.R.S) | Electroactive surfactant improved hybrid bulk heterojunction solar cells |
| CN102867918A (en) * | 2012-09-18 | 2013-01-09 | 东华大学 | Method for synthesizing CdSe/P3HT (poly 3-hexylthiophene) superstructure hybrid nanocrystal through a low-temperature liquid phase method |
| CN103531713B (en) * | 2013-07-05 | 2016-06-08 | 深圳清华大学研究院 | The preparation method of inorganic nano-crystal/conjugated polymers hybrid solar cell |
| FR3049390B1 (en) * | 2016-03-25 | 2018-07-06 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | PHOTODETECTOR WITH IMPROVED SENSITIVITY BY ADDITION OF PHOTOLUMINESCENT MATERIAL WITHIN THE PHOTOSENSITIVE MATERIAL |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2827753C1 (en) * | 2024-05-31 | 2024-10-01 | Федеральное государственное бюджетное образовательно учреждение высшего образования "Уфимский университет науки и технологий" | Thin-film organic photoresistor of ultraviolet radiation |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002111031A (en) | Solid hetero junction and solid sensitization (photosensitive) photovoltaic cell | |
| Ma et al. | High-performance self-powered perovskite photodetector for visible light communication | |
| Wang et al. | Highly sensitive narrowband Si photodetector with peak response at around 1060 nm | |
| CN109950403A (en) | A kind of the two-dimensional material PN junction photodetector and preparation method of the regulation of ferroelectricity field | |
| CN103367476B (en) | A kind of N +the black silicon new construction of/N-type and preparation technology | |
| CN103311439B (en) | Thin film photoconductive detector and manufacturing method and application thereof | |
| Klab et al. | Influence of PEIE interlayer on detectivity of red-light sensitive organic non-fullerene photodetectors with reverse structure | |
| CN109705534A (en) | A kind of ternary organic material film and its organic photovoltaic cell and light-detecting device constructed | |
| Tao et al. | Efficient photodiode-type photodetectors with perovskite thin films derived from an MAPbI 3 single-crystal precursor | |
| Peng et al. | High-performance UV–visible photodetectors based on ZnO/perovskite heterostructures | |
| Liu et al. | A stable self-powered ultraviolet photodetector using CH 3 NH 3 PbCl 3 with weak-light detection capacity under working conditions | |
| CN111525036B (en) | Self-driven perovskite photoelectric detector and preparation method thereof | |
| Zhang et al. | Facilely Achieved Self‐Biased Black Silicon Heterojunction Photodiode with Broadband Quantum Efficiency Approaching 100% | |
| CN102969451A (en) | Organic thin polymer film ultraviolet light detector and preparation method thereof | |
| Bapathi et al. | Passivation-free high performance self-powered photodetector based on Si nanostructure-PEDOT: PSS hybrid heterojunction | |
| RU197989U1 (en) | Photoresistor based on a composite material consisting of a polymer of poly (3-hexylthiophene) and p-type silicon nanoparticles | |
| Zhou et al. | High-Performance, Flexible Perovskite Photodetector Based on CsPbBr $ _ {\text {3}} $ Nanonet | |
| CN106684201A (en) | Zinc oxide nanorod/black silicon heterojunction nanometer photoelectric detector and fabrication method thereof | |
| CN108336231A (en) | A kind of organic photodetector of wide spectrum response | |
| CN210224047U (en) | PbS quantum dot Si-APD infrared detector | |
| CN110350045B (en) | PbS quantum dot Si-APD infrared detector and preparation method thereof | |
| Fu et al. | Enhanced photon harvesting by embedding cost-effective polystyrene microspheres as light scatterers in the perovskite photodetector | |
| CN111987185A (en) | Double perovskite thin film device with photodiode effect and preparation method and application thereof | |
| CN103794726B (en) | Thin film organic optical detector of PIN structure and preparation method and application thereof | |
| Su et al. | Effective electron extraction from active layer for enhanced photodetection of photoconductive type detector with structure of Au/CH3NH3PbI3/Au |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20200727 |