NL161304C - Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd. - Google Patents
Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd.Info
- Publication number
- NL161304C NL161304C NL6910027.A NL6910027A NL161304C NL 161304 C NL161304 C NL 161304C NL 6910027 A NL6910027 A NL 6910027A NL 161304 C NL161304 C NL 161304C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layered
- layer
- electrode
- layered region
- region
- Prior art date
Links
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76264—SOI together with lateral isolation, e.g. using local oxidation of silicon, or dielectric or polycristalline material refilled trench or air gap isolation regions, e.g. completely isolated semiconductor islands
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76264—SOI together with lateral isolation, e.g. using local oxidation of silicon, or dielectric or polycristalline material refilled trench or air gap isolation regions, e.g. completely isolated semiconductor islands
- H01L21/76291—Lateral isolation by field effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Thyristors (AREA)
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL6910027.A NL161304C (nl) | 1969-07-01 | 1969-07-01 | Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd. |
DE2030917A DE2030917C3 (de) | 1969-07-01 | 1970-06-23 | Halbleiteranordnung |
US49403A US3678347A (en) | 1969-07-01 | 1970-06-24 | Deep depletion semiconductor device with surface inversion preventing means |
GB3112770A GB1320778A (en) | 1969-07-01 | 1970-06-26 | Semiconductor devices |
CH983470A CH511512A (de) | 1969-07-01 | 1970-06-29 | Halbleitervorrichtung |
SE08986/70A SE367513B (nl) | 1969-07-01 | 1970-06-29 | |
FR7024423A FR2050427B1 (nl) | 1969-07-01 | 1970-07-01 | |
JP45057231A JPS4944793B1 (nl) | 1969-07-01 | 1970-07-01 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL6910027.A NL161304C (nl) | 1969-07-01 | 1969-07-01 | Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd. |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL6910027A NL6910027A (nl) | 1971-01-05 |
NL161304B NL161304B (nl) | 1979-08-15 |
NL161304C true NL161304C (nl) | 1980-01-15 |
Family
ID=19807349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL6910027.A NL161304C (nl) | 1969-07-01 | 1969-07-01 | Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd. |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3678347A (nl) |
JP (1) | JPS4944793B1 (nl) |
CH (1) | CH511512A (nl) |
DE (1) | DE2030917C3 (nl) |
FR (1) | FR2050427B1 (nl) |
GB (1) | GB1320778A (nl) |
NL (1) | NL161304C (nl) |
SE (1) | SE367513B (nl) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA948331A (en) * | 1971-03-16 | 1974-05-28 | Michael F. Tompsett | Charge transfer imaging devices |
JPS5214944B1 (nl) * | 1971-06-04 | 1977-04-25 | ||
JPS573225B2 (nl) * | 1974-08-19 | 1982-01-20 | ||
US4035829A (en) * | 1975-01-13 | 1977-07-12 | Rca Corporation | Semiconductor device and method of electrically isolating circuit components thereon |
US4611220A (en) * | 1983-11-16 | 1986-09-09 | General Motors Corporation | Junction-MOS power field effect transistor |
US4786952A (en) * | 1986-07-24 | 1988-11-22 | General Motors Corporation | High voltage depletion mode MOS power field effect transistor |
US4769685A (en) * | 1986-10-27 | 1988-09-06 | General Motors Corporation | Recessed-gate junction-MOS field effect transistor |
US7714352B2 (en) * | 2006-02-09 | 2010-05-11 | Nissan Motor Co., Ltd. | Hetero junction semiconductor device |
US10049884B2 (en) * | 2013-02-07 | 2018-08-14 | John Wood | Anodic etching of substrates |
US11101372B2 (en) | 2013-02-07 | 2021-08-24 | John Wood | Double-sided vertical power transistor structure |
US10700216B2 (en) | 2013-02-07 | 2020-06-30 | John Wood | Bidirectional bipolar-mode JFET driver circuitry |
US10374070B2 (en) | 2013-02-07 | 2019-08-06 | John Wood | Bidirectional bipolar-mode JFET driver circuitry |
US10084054B2 (en) | 2016-06-03 | 2018-09-25 | Alfred I. Grayzel | Field effect transistor which can be biased to achieve a uniform depletion region |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1789084B2 (de) * | 1961-08-17 | 1973-05-30 | Rca Corp., New York, N.Y. (V.St.A.) | Duennschicht-verknuepfungsglied und verfahren zu seiner herstellung |
US3576392A (en) * | 1968-06-26 | 1971-04-27 | Rca Corp | Semiconductor vidicon target having electronically alterable light response characteristics |
US3560815A (en) * | 1968-10-10 | 1971-02-02 | Gen Electric | Voltage-variable capacitor with extendible pn junction region |
US3535600A (en) * | 1968-10-10 | 1970-10-20 | Gen Electric | Mos varactor diode |
US3566219A (en) * | 1969-01-16 | 1971-02-23 | Signetics Corp | Pinched resistor semiconductor structure |
-
1969
- 1969-07-01 NL NL6910027.A patent/NL161304C/nl not_active IP Right Cessation
-
1970
- 1970-06-23 DE DE2030917A patent/DE2030917C3/de not_active Expired
- 1970-06-24 US US49403A patent/US3678347A/en not_active Expired - Lifetime
- 1970-06-26 GB GB3112770A patent/GB1320778A/en not_active Expired
- 1970-06-29 SE SE08986/70A patent/SE367513B/xx unknown
- 1970-06-29 CH CH983470A patent/CH511512A/de not_active IP Right Cessation
- 1970-07-01 FR FR7024423A patent/FR2050427B1/fr not_active Expired
- 1970-07-01 JP JP45057231A patent/JPS4944793B1/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6910027A (nl) | 1971-01-05 |
NL161304B (nl) | 1979-08-15 |
JPS4944793B1 (nl) | 1974-11-30 |
DE2030917C3 (de) | 1981-07-09 |
FR2050427B1 (nl) | 1976-03-19 |
DE2030917B2 (de) | 1980-11-20 |
DE2030917A1 (de) | 1971-01-14 |
FR2050427A1 (nl) | 1971-04-02 |
US3678347A (en) | 1972-07-18 |
SE367513B (nl) | 1974-05-27 |
CH511512A (de) | 1971-08-15 |
GB1320778A (en) | 1973-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL175772C (nl) | Veldeffectgeheugentransistor met geisoleerde stuurelektrode die door een samengestelde isolatielaag wordt gescheiden van de kanaalzone. | |
NL160680C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. | |
NL154870C (nl) | Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrich- tingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleider- inrichting. | |
NL140659B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met een geisoleerde poort en een veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL161304C (nl) | Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd. | |
NL144091B (nl) | Halfgeleiderveldeffectinrichting van het type met een geisoleerde poortelektrode. | |
NL144975B (nl) | Werkwijze voor het verhogen van de boogweerstand van voorwerpen, alsmede voorwerpen behandeld volgens deze werkwijze. | |
NL152116B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL161922B (nl) | Halfgeleiderinrichting bevattende een halfgeleider- lichaam met twee onderling gescheiden delen van een halfgeleiderschakelelement, die grenzen aan een opper- vlak van het halfgeleiderlichaam, en een door een isolerende laag van het oppervlak gescheiden elektrisch geleidende laag tegenover het halfgeleiderlichaam tussen de twee delen. | |
NL142337B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het bekleden van een elektrisch geleidend voorwerp, alsmede voorwerpen bekleed volgens deze werkwijze of met behulp van deze inrichting. | |
NL162511C (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL141031B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met ten minste een elektrisch geisoleerd halfgeleidergebied, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL152234B (nl) | Werkwijze voor het omzetten van een arylcarbinol in de overeenkomstige koolwaterstof. | |
NL154876B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van elektrisch werkzame inrichtingen met monokorrellagen met actieve korrels in een isolerende vulstof, alsmede volgens deze werkwijze verkregen elektrisch werkzame inrichting. | |
NL168654B (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleider- lichaam van een eerste geleidingstype met een door dif- fusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede gelei- dingstype. | |
NL177263C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van onderling gescheiden elektroden die zijn gevormd uit een samengestelde elektrodelaag. | |
NL142391B (nl) | Werkwijze voor het verminderen van de polymerisatie van butadieen. | |
NL154866B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL162790B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van veldeffect- transistoren met een geisoleerde stuurelektrode. | |
NL145730B (nl) | Elektrische keten voorzien van een veldeffecttransistor met geisoleerde poortelektrode, alsmede een werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor en een volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffecttransistor. | |
NL141030B (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een elektrode bij een halfgeleiderinrichting, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL147884B (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen met een vlak systeem van een of meer geleidende en isolerende lagen. | |
NL7413977A (nl) | Aanbrengen van een geleiderlaagpatroon met op een geringe onderlinge afstand gelegen delen, in het bijzonder bij de vervaardiging van half- geleiderinrichtingen. | |
NL165005C (nl) | Halfgeleiderinrichting bevattende veldeffecttransistors met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. | |
NL169123C (nl) | Halfgeleiderinrichting bestaande uit een halfgeleiderlichaam met een zwaar gedoteerd contactgebied, dat door een ringvormig gebied van het halfgeleiderlichaam en het contactgebied tegengestelde geleidingstype wordt omsloten. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee | ||
NL80 | Information provided on patent owner name for an already discontinued patent |
Owner name: PHILIPS |