MD174Z - Полупроводниковый материал - Google Patents

Полупроводниковый материал

Info

Publication number
MD174Z
MD174Z MDS20090092A MDS20090092A MD174Z MD 174 Z MD174 Z MD 174Z MD S20090092 A MDS20090092 A MD S20090092A MD S20090092 A MDS20090092 A MD S20090092A MD 174 Z MD174 Z MD 174Z
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
semiconducting material
tin telluride
semiconducting
doped
tellurium
Prior art date
Application number
MDS20090092A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Inventor
Ефим ЗАСАВИЦКИЙ
Константин АНДРОНИК
Валериу КАНЦЕР
Анатолие СИДОРЕНКО
Original Assignee
Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы filed Critical Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority to MDS20090092A priority Critical patent/MD174Z/ru
Publication of MD174Y publication Critical patent/MD174Y/xx
Publication of MD174Z publication Critical patent/MD174Z/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковым материалам, обладающим свойствами сверхпроводников, в частности к полупроводниковому материалу из легированного теллурида олова.Материал, согласно изобретению, изготовлен на основе теллурида олова, теллура и легирован галлием, а компоненты взяты в следующем соотношении, масс. %:
MDS20090092A 2009-05-19 2009-05-19 Полупроводниковый материал MD174Z (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20090092A MD174Z (ru) 2009-05-19 2009-05-19 Полупроводниковый материал

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20090092A MD174Z (ru) 2009-05-19 2009-05-19 Полупроводниковый материал

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD174Y MD174Y (en) 2010-03-31
MD174Z true MD174Z (ru) 2010-10-31

Family

ID=43568946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDS20090092A MD174Z (ru) 2009-05-19 2009-05-19 Полупроводниковый материал

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD174Z (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Citations (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1360100A (en) * 1970-12-31 1974-07-17 Ibm Superconductive tunnelling device
JPS5349963A (en) * 1976-10-18 1978-05-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Super-current tunneling element
JPS5390882A (en) * 1977-01-21 1978-08-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Supercurrent tunneling element
JPS5613784A (en) * 1979-07-13 1981-02-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Preparation of semiconductor barrier josephson junction element
JPS57104283A (en) * 1980-12-20 1982-06-29 Rikagaku Kenkyusho Josephson junction element and manufacture thereof
JPS57176780A (en) * 1981-04-22 1982-10-30 Toshiba Corp P-n junction superconductive element
SU961512A1 (ru) * 1980-12-26 1983-01-23 Ленинградский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.М.И.Калинина Сверхпровод щий полупроводниковый материал
JPS58110084A (ja) * 1981-12-24 1983-06-30 Mitsubishi Electric Corp ジヨセフソン素子
JPS58125881A (ja) * 1982-01-22 1983-07-27 Hitachi Ltd 縦型抵抗回路の構成方法
JPS58191427A (ja) * 1982-04-30 1983-11-08 Sharp Corp 不純物添加方法
US4470190A (en) * 1982-11-29 1984-09-11 At&T Bell Laboratories Josephson device fabrication method
JPS6167282A (ja) * 1984-09-08 1986-04-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 超伝導集積回路用抵抗素子及びその製法
JPS61181178A (ja) * 1985-02-06 1986-08-13 Rikagaku Kenkyusho ジヨセフソン接合素子とその製造方法
JPS6218776A (ja) * 1985-07-17 1987-01-27 Fujitsu Ltd 超伝導装置
JPS6298769A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体素子
JPS63160273A (ja) * 1986-12-23 1988-07-04 Fujitsu Ltd 高速半導体装置
JPS6430110A (en) * 1987-07-23 1989-02-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Superconductor
JPS6452322A (en) * 1987-08-21 1989-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Superconductor
JPS6452319A (en) * 1987-08-21 1989-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Superconductor and integrated superconductive device
JPS6452321A (en) * 1987-08-21 1989-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Superconductor
JPS6452325A (en) * 1987-08-21 1989-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Superconductor
JPH0199269A (ja) * 1987-10-13 1989-04-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 酸化物超伝導体トンネル接合およびその形成方法
JPH02277275A (ja) * 1989-04-19 1990-11-13 Hitachi Ltd 電子キヤリア無限層状構造酸化物超伝導体及びジョセフソン接合
BG48908A1 (en) * 1989-08-07 1991-06-14 Vissh Khim T I Superconducting ceramic material
JPH05121731A (ja) * 1991-10-26 1993-05-18 Rohm Co Ltd 強誘電体層を有する半導体素子
JPH07273379A (ja) * 1994-04-01 1995-10-20 Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center 酸化物超電導体接合素子の製造方法
JPH0918063A (ja) * 1995-06-28 1997-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 酸化物超電導体量子干渉素子
RU2111579C1 (ru) * 1996-09-03 1998-05-20 Адиль Маликович Яфясов Способ получения квантового интерференционного элемента
US5877122A (en) * 1995-05-19 1999-03-02 Fujitsu Ltd. Josephson element having a NdBa2 Cu3 O7-y superconductor thin-film wiring pattern
MD2436G2 (ru) * 2003-03-18 2004-10-31 Государственный Университет Молд0 Состав для получения тонких пленок двуокиси олова с высокой чувствительностью к окиси углерода
MD2805G2 (ru) * 2004-03-26 2006-02-28 Государственный Университет Молд0 Состав для получения тонких пленок двуокиси олова
MD3662C2 (ru) * 2005-09-02 2009-02-28 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый термоэлектрический сплав (варианты)
MD3688C2 (ru) * 2007-03-14 2009-03-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый тензочувствительный резистор
  • 2009

Patent Citations (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1360100A (en) * 1970-12-31 1974-07-17 Ibm Superconductive tunnelling device
JPS5349963A (en) * 1976-10-18 1978-05-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Super-current tunneling element
JPS5390882A (en) * 1977-01-21 1978-08-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Supercurrent tunneling element
JPS5613784A (en) * 1979-07-13 1981-02-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Preparation of semiconductor barrier josephson junction element
JPS57104283A (en) * 1980-12-20 1982-06-29 Rikagaku Kenkyusho Josephson junction element and manufacture thereof
SU961512A1 (ru) * 1980-12-26 1983-01-23 Ленинградский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.М.И.Калинина Сверхпровод щий полупроводниковый материал
JPS57176780A (en) * 1981-04-22 1982-10-30 Toshiba Corp P-n junction superconductive element
JPS58110084A (ja) * 1981-12-24 1983-06-30 Mitsubishi Electric Corp ジヨセフソン素子
JPS58125881A (ja) * 1982-01-22 1983-07-27 Hitachi Ltd 縦型抵抗回路の構成方法
JPS58191427A (ja) * 1982-04-30 1983-11-08 Sharp Corp 不純物添加方法
US4470190A (en) * 1982-11-29 1984-09-11 At&T Bell Laboratories Josephson device fabrication method
JPS6167282A (ja) * 1984-09-08 1986-04-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 超伝導集積回路用抵抗素子及びその製法
JPS61181178A (ja) * 1985-02-06 1986-08-13 Rikagaku Kenkyusho ジヨセフソン接合素子とその製造方法
JPS6218776A (ja) * 1985-07-17 1987-01-27 Fujitsu Ltd 超伝導装置
JPS6298769A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体素子
JPS63160273A (ja) * 1986-12-23 1988-07-04 Fujitsu Ltd 高速半導体装置
JPS6430110A (en) * 1987-07-23 1989-02-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Superconductor
JPS6452322A (en) * 1987-08-21 1989-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Superconductor
JPS6452319A (en) * 1987-08-21 1989-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Superconductor and integrated superconductive device
JPS6452321A (en) * 1987-08-21 1989-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Superconductor
JPS6452325A (en) * 1987-08-21 1989-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Superconductor
JPH0199269A (ja) * 1987-10-13 1989-04-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 酸化物超伝導体トンネル接合およびその形成方法
JPH02277275A (ja) * 1989-04-19 1990-11-13 Hitachi Ltd 電子キヤリア無限層状構造酸化物超伝導体及びジョセフソン接合
BG48908A1 (en) * 1989-08-07 1991-06-14 Vissh Khim T I Superconducting ceramic material
JPH05121731A (ja) * 1991-10-26 1993-05-18 Rohm Co Ltd 強誘電体層を有する半導体素子
JPH07273379A (ja) * 1994-04-01 1995-10-20 Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center 酸化物超電導体接合素子の製造方法
US5877122A (en) * 1995-05-19 1999-03-02 Fujitsu Ltd. Josephson element having a NdBa2 Cu3 O7-y superconductor thin-film wiring pattern
JPH0918063A (ja) * 1995-06-28 1997-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 酸化物超電導体量子干渉素子
RU2111579C1 (ru) * 1996-09-03 1998-05-20 Адиль Маликович Яфясов Способ получения квантового интерференционного элемента
MD2436G2 (ru) * 2003-03-18 2004-10-31 Государственный Университет Молд0 Состав для получения тонких пленок двуокиси олова с высокой чувствительностью к окиси углерода
MD2805G2 (ru) * 2004-03-26 2006-02-28 Государственный Университет Молд0 Состав для получения тонких пленок двуокиси олова
MD3662C2 (ru) * 2005-09-02 2009-02-28 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый термоэлектрический сплав (варианты)
MD3688C2 (ru) * 2007-03-14 2009-03-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый тензочувствительный резистор

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Коэн М., Глэдстоун Г., Йенсен М., Шриффер Дж. Сверхпроводимость полупроводников и переходных металлов. гл. 3, Москва, Мир, 1972. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Also Published As

Publication number Publication date
MD174Y (en) 2010-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010114243A3 (en) Novel compounds for organic electronic material and organic electronic device using the same
WO2008061517A3 (de) Verwendung von dithiolenübergangsmetallkomplexen und selen-analoger verbindungen als dotand
WO2012021227A3 (en) Heterojunction solar cell
MY167855A (en) Composition for forming n-type diffusion layer, method for forming n-type diffusion layer, and method for producing photovoltaic cell
WO2010114266A3 (en) Novel organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
WO2010114256A3 (en) Novel organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
WO2012044729A3 (en) Microelectronic structures including cuprous oxide semiconductors and having improved p-n heterojunctions
TW200943561A (en) Group III-nitride solar cell with graded compositions
EP2628742A4 (en) Chalcogen-containing aromatic compound, organic semiconductor material, and organic electronic device
MY146378A (en) High silicon-content thin film thermosets
GB2485127A (en) Phenanthro [1,10,9,8-C,D,E,F,G] carbazole polymers and their use as organic semiconductors
WO2010114262A3 (en) Novel organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
SG169962A1 (en) Texturing semiconductor substrates
WO2011150089A3 (en) Ohmic contacts for semiconductor structures
WO2014070888A8 (en) Organic conductive materials and devices
WO2012058340A3 (en) HEAVILY DOPED PbSe WITH HIGH THERMOELECTRIC PERFORMANCE
WO2012094046A3 (en) Zintl phases for thermoelectric applications
GB201009453D0 (en) Composition
WO2015191955A3 (en) Aluminum-tin paste and its use in manufacturing solderable electrical conductors
IN2012DN05898A (ru)
WO2011081302A3 (ko) 전도성 고분자 중합체, 전도성 고분자 조성물, 전도성 고분자 조성물막 및 이를 이용한 유기광전소자
WO2009041631A1 (ja) ＺｎＯ系半導体及びＺｎＯ系半導体素子
WO2009069544A1 (ja) シリコン系薄膜光電変換装置
MD174Z (ru) Полупроводниковый материал
EP2495769A3 (en) Photovoltaic device with double-junction

Legal Events

Date Code Title Description
KA4Y Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)