KR20200083790A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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KR20200083790A
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최문식
이성수
이복규
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세메스 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a substrate processing device capable of preventing idle time from occurring between a cleaning process and a rinsing process. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing device comprises: a cup having a processing space with an open top; a support unit having a support plate for supporting a substrate in the processing space; a first nozzle supplying a processing liquid to the substrate supported by the support plate; and a second nozzle supplying the processing liquid to the substrate supported by the support plate, wherein the second nozzle can be provided so that the processing liquid discharged from the first nozzle is discharged to the same discharge point as the discharge point where the processing liquid is in contact with the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}Apparatus and method for treating substrate

본 발명은 기판 세정 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate cleaning apparatus.

일반적으로, 반도체 소자 등과 같은 집적회로 소자의 제조 공정은 공정 중 발생하는 파티클 뿐 아니라, 장비로부터의 오염, 공정진행 중의 반응물 또는 생성물에 의한 오염 등 다양한 오염원에 의해 생성된 불순물들을 제거하는 세정 공정을 포함한다. 특히, 집적회로가 미세화되고 소자가 초고집적화하면서 과거에는 중요하게 생각하지 않았던 0.1㎛ 정도의 매우 작은 오염원들도 제품의 성능에 커다란 영향을 미치게 되고 따라서 오염원의 제거를 위한 세정 공정의 중요성은 계속 증가하고 있다. In general, a manufacturing process of an integrated circuit device such as a semiconductor device is not only a particle generated during the process, but also a cleaning process that removes impurities generated by various contaminants such as contamination from equipment, contamination by reactants or products during the process. Includes. In particular, with the miniaturization of integrated circuits and ultra-high integration of devices, even very small contaminants, such as 0.1 µm, which were not considered important in the past, have a great influence on the performance of the product, so the importance of the cleaning process to remove contaminants continues to increase Doing.

따라서, 다수의 공정이 진행되는 기판의 표면을 깨끗한 상태로 유지하기 위하여 각 공정의 전 단계 및/또는 후 단계에 세정 공정이 수행된다. 이에 집적회로 소자를 완성하기 위하여 세정 공정이 반복해서 진행되고, 이에 전체 제조 공정의 30 내지 40 퍼센트 정도를 세정 공정이 차지한다. 또한, 디자인룰이 미세화됨에 따라 전체 공정에서 차지하는 세정 공정의 비율은 점점 더 증가하고 있다.Therefore, in order to keep the surface of the substrate on which a number of processes are performed in a clean state, a cleaning process is performed in the before and/or after steps of each process. Accordingly, the cleaning process is repeatedly performed to complete the integrated circuit device, and thus, the cleaning process occupies about 30 to 40 percent of the entire manufacturing process. In addition, as the design rules are refined, the proportion of the cleaning process occupied by the entire process is gradually increasing.

한편, 세정 공정에 사용되는 세정 장치는 케미컬을 분사하여 기판 상에 잔재하는 불순물들을 제거하는 세정 공정과 세정 공정에 사용된 케미컬을 제거하기 위하여 고정 노즐을 사용해 린스액(초순수)을 분사하여 케미컬을 제거하는 린스 공정이 이루어진다. On the other hand, the cleaning device used in the cleaning process sprays the chemical by spraying a rinse solution (ultra pure water) using a fixed nozzle to remove the residual impurities on the substrate by spraying the chemical and the cleaning process. A rinse process to remove is made.

이러한 기판 세정 장치에서는 케미컬 분사 종료 후 린스액(초순수)을 이용하여 린스 공정으로 변경되는 과정에서 공백이 발생된다. 즉, 케미칼 공급 중단 후 린스액 공급 시작전까지 미토출 타임이 발생하게 되고, 소수성 기판의 경우 웨팅(wetting)이 유지되지 못할 수 있고, 드라이 스팟(dry spot)이 생길 경우 파티클 흡착 위험이 발생된다. In the substrate cleaning apparatus, a blank is generated in the process of changing to a rinsing process using a rinse liquid (ultra pure water) after the chemical injection is finished. That is, after the chemical supply is stopped, an un-discharge time occurs until the rinse solution is supplied, and in the case of a hydrophobic substrate, wetting may not be maintained, and when a dry spot occurs, a particle adsorption risk is generated.

이러한 문제를 해소하기 위해 스윙 노즐에서 세정액과 고정 노즐에서 린스액을 동시에 토출하는 방식이 사용되고 있으나, 이 경우 비산이 많이 발생되어 바울 바깥으로 튀는 세정액이 많아 실제 사용에 어려움이 많다. In order to solve this problem, a method of simultaneously discharging the rinsing liquid from the swing nozzle and the rinsing liquid from the fixed nozzle is used, but in this case, a lot of scattering occurs and there is a lot of cleaning liquid splashing out of the Paul, making it difficult to actually use.

본 발명의 일 과제는, 세정 처리와 린스 처리 사이의 공백 타임 발생을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.One object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of preventing generation of blank time between the cleaning process and the rinse process.

본 발명의 일 과제는. 세정 처리를 위한 세정액과 린스 처리를 위한 린스액이 동시에 기판 상으로 토출될 때 비산 발생을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.One task of the present invention. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of preventing scattering when the cleaning liquid for cleaning treatment and the rinsing liquid for rinsing treatment are simultaneously discharged onto the substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problem to be solved by the present invention is not limited to this, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일측면에 따르면, 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 컵; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지판을 가지는 지지유닛; 상기 지지판에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 제1노즐; 및 상기 지지판에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 제2노즐을 포함하되; 상기 제2노즐은 상기 제1노즐로부터 토출되는 처리액이 기판에 맞닿는 토출지점과 동일한 지점으로 처리액이 토출되도록 제공되는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to one aspect of the invention, the cup having a treatment space with an open top; A support unit having a support plate supporting the substrate in the processing space; A first nozzle for supplying a processing liquid to the substrate supported on the support plate; And a second nozzle supplying a processing liquid to the substrate supported on the support plate; The second nozzle may be provided with a substrate processing apparatus provided so that the processing liquid discharged from the first nozzle is discharged to the same point as the discharge point contacting the substrate.

또한, 상기 제1노즐은 기판 상면을 향해 수직한 방향으로 처리액을 분사하고, 상기 제2노즐은 기판 상면을 향해 경사진 방향으로 처리액을 분사할 수 있다.In addition, the first nozzle may spray the processing liquid in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate, and the second nozzle may spray the processing liquid in a direction inclined toward the upper surface of the substrate.

또한, 상기 제2노즐의 분사각도는 기판 상면의 평행한 면에서 45~70°일 수 있다.In addition, the injection angle of the second nozzle may be 45 to 70° from a parallel surface of the upper surface of the substrate.

또한, 상기 제1노즐과 상기 제2노즐은 서로 상이한 각도로 처리액을 분사할 수 있다.In addition, the first nozzle and the second nozzle may spray the treatment liquid at different angles.

또한, 상기 제1노즐로 처리액을 공급하는 제1공급부; 및 상기 제2노즐로 처리액을 공급하는 제2공급부를 더 포함하되; 상기 제1공급부와 상기 제2공급부는 서로 다른 처리액을 상기 제1노즐과 상기 제2노즐로 공급할 수 있다.In addition, a first supply unit for supplying a treatment liquid to the first nozzle; And a second supply part supplying the processing liquid to the second nozzle; The first supply part and the second supply part may supply different treatment liquids to the first nozzle and the second nozzle.

또한, 상기 제1공급부에서 상기 제1노즐로 공급되는 처리액은 세정액이며, 상기 제2공급부에서 상기 제2노즐로 공급되는 처리액은 린스액일 수 있다.In addition, the treatment liquid supplied from the first supply portion to the first nozzle may be a cleaning liquid, and the treatment liquid supplied from the second supply portion to the second nozzle may be a rinse liquid.

또한, 상기 제1노즐과 상기 제2노즐을 구비하는 노즐 유닛을 포함하되; 상기 제1노즐과 상기 제2노즐은 하나의 회전축을 공유하도록 하나의 노즐 아암에 제공될 수 있다.In addition, it includes a nozzle unit having the first nozzle and the second nozzle; The first nozzle and the second nozzle may be provided on one nozzle arm to share one axis of rotation.

또한, 상기 노즐 유닛은 상기 제1노즐과 상기 제2노즐이 기판의 중심에서 가장자리를 이동하면서 처리액을 분사하도록 상기 회전축을 중심으로 스윙 이동할 수 있다.In addition, the nozzle unit may swing and move around the rotation axis so that the first nozzle and the second nozzle move the edge from the center of the substrate to spray the processing liquid.

또한, 상기 제1공급부와 상기 제2공급부의 처리액 공급을 조절하는 유량 제어부를 더 포함하되; 상기 유량 제어부는 상기 세정액을 이용한 선행 공정이 종료되고 상기 린스액을 이용한 후속 공정이 시작되면 상기 세정액의 유량이 점진적으로 감소하도록 그리고 상기 린스액의 유량이 점진적으로 증가하도록 상기 제1공급부 및 상기 제2공급부를 제어할 수 있다.In addition, the first supply unit and the second supply unit further includes a flow rate control unit for adjusting the supply of the processing liquid; When the preceding process using the cleaning solution is terminated and the subsequent process using the rinse solution is started, the flow rate control unit may gradually reduce the flow rate of the cleaning solution and gradually increase the flow rate of the rinse solution. 2 Control the supply.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 지지유닛 위에 기판을 지지하여 회전시키는 단계; 상기 기판의 상면으로 세정액을 공급하는 세정 단계; 및 상기 기판의 상면으로 린스액을 공급하는 린스 단계를 포함하되; 상기 린스액은 상기 세정액이 기판에 맞닿는 토출 지점과 동일한 지점으로 토출되는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the invention, supporting and rotating the substrate on the support unit; A cleaning step of supplying a cleaning liquid to the upper surface of the substrate; And a rinsing step of supplying a rinse liquid to the upper surface of the substrate; The rinse liquid may be provided with a substrate processing method in which the cleaning liquid is discharged to the same point as the discharge point contacting the substrate.

또한, 상기 세정 단계와 상기 린스 단계 사이에 상기 세정액과 상기 린스액이 동시에 토출되는 치환단계를 더 포함할 수 있다.In addition, between the washing step and the rinse step may further include a replacement step in which the rinse liquid and the rinse liquid is discharged at the same time.

또한, 상기 치환단계는 상기 세정액의 토출량을 점진적으로 감소시키고, 상기 린스액의 토출량을 점진적으로 증가시킬 수 있다.In addition, the displacement step may gradually decrease the discharge amount of the cleaning liquid, and gradually increase the discharge amount of the rinse liquid.

또한, 상기 세정액은 기판 상면을 향해 수직한 방향으로 분사되고, 상기 린스액은 기판 상면을 향해 경사진 방향으로 분사될 수 있다.In addition, the cleaning solution may be sprayed in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate, and the rinse solution may be sprayed in a direction inclined toward the upper surface of the substrate.

또한, 상기 린스액의 토출각도는 기판 상면의 평행한 면에서 45~70°일 수 있다.In addition, the discharge angle of the rinse liquid may be 45 to 70° from a parallel surface of the upper surface of the substrate.

또한, 상기 세정액과 상기 린스액은 서로 상이한 각도로 분사할 수 있다.In addition, the cleaning liquid and the rinse liquid may be sprayed at different angles.

또한, 상기 린스액의 토출 각도는 기판의 회전 방향으로 비스듬하게 제공될 수 있다.In addition, the discharge angle of the rinse liquid may be provided obliquely in the rotational direction of the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 세정 단계와 린스 단계 사이의 공백 타임 발생을 방지하여 드라이 스팟(dry spot)을 현상을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the occurrence of a blank time between the cleaning step and the rinsing step may be prevented from developing a dry spot.

본 발명의 일 실싱 예에 의하면 린스액이 세정액과 동일한 토출지점으로 분사됨으로써 비산 발생을 방지할 수 있다. According to one sealing example of the present invention, scattering can be prevented by spraying the rinse liquid at the same discharge point as the cleaning liquid.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 제1노즐과 제2노즐을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 약액 공급 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 기판 처리 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.
도 7은 세정액과 린스액의 투출량을 단계별로 보여주는 그래프이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제1변형 예를 보여주는 도면이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제2변형 예를 보여주는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
4 is a view for explaining the first nozzle and the second nozzle.
5 is a view for explaining a chemical liquid supply device.
6 is a flowchart for explaining a substrate processing method.
7 is a graph showing the discharge amount of the cleaning solution and the rinse solution step by step.
8 and 9 are views showing a first modified example of the present invention.
10 and 11 are views showing a second modified example of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. The present invention can be applied to a variety of transformations and may have various embodiments, and specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all conversions, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In the description of the present invention, when it is determined that a detailed description of related known technologies may obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in this application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "include" or "have" are intended to indicate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof described herein, one or more other features. It should be understood that the existence or addition possibilities of fields or numbers, steps, operations, components, parts or combinations thereof are not excluded in advance.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from other components.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are assigned the same reference numbers regardless of reference numerals, and duplicated thereof. The description will be omitted.

도 1은 본 발명의 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility 1 of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(1000)과 공정 처리 모듈(2000)을 포함한다. 인덱스 모듈(1000)은 로드포트(1200) 및 이송프레임(1400)을 포함한다. 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing facility 1 includes an index module 1000 and a process processing module 2000. The index module 1000 includes a load port 1200 and a transfer frame 1400. The load port 1200, the transfer frame 1400, and the process processing module 2000 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 1200, the transfer frame 1400, and the process processing module 2000 are arranged is referred to as a first direction 12. And the direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is the third direction It is called (16).

로드포트(1200)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(1300)가 안착된다. 로드포트(1200)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(1200)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(1200)의 개수는 공정 처리 모듈(2000)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(1300)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(1300)내에 위치된다. 캐리어(1300)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The carrier 1300 in which the substrate W is accommodated is mounted on the load port 1200. A plurality of load ports 1200 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 1200 are provided. However, the number of load ports 1200 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 2000. A slot (not shown) provided to support the edge of the substrate W is formed in the carrier 1300. A plurality of slots are provided in the third direction 16. The substrates W are positioned in the carrier 1300 so as to be stacked apart from each other along the third direction 16. A front opening integrated pod (FOUP) may be used as the carrier 1300.

공정 처리 모듈(2000)은 버퍼 유닛(2200), 이송챔버(2400), 그리고 공정챔버(2600)를 포함한다. 이송챔버(2400)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(2400)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(2600)이 배치된다. 이송챔버(2400)의 일측에 위치한 공정챔버들(2600)과 이송챔버(2400)의 타측에 위치한 공정챔버들(2600)은 이송챔버(2400)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(2600)들 중 일부는 이송챔버(2400)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(2600)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(2400)의 일측에는 공정챔버(2600)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이다. 이송챔버(2400)의 일측에 공정 챔버(2600)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(2600)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(2600)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 2000 includes a buffer unit 2200, a transfer chamber 2400, and a process chamber 2600. The transfer chamber 2400 is arranged in the longitudinal direction parallel to the first direction (12). The process chambers 2600 are respectively disposed on one side and the other side of the transfer chamber 2400 along the second direction 14. The process chambers 2600 located on one side of the transfer chamber 2400 and the process chambers 2600 located on the other side of the transfer chamber 2400 are provided to be symmetrical to each other with respect to the transfer chamber 2400. Some of the process chambers 2600 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 2400. In addition, some of the process chambers 2600 are arranged to be stacked with each other. That is, on one side of the transfer chamber 2400, the process chambers 2600 may be arranged in an array of A X B (A and B are each a natural number of 1 or more). Here, A is the number of process chambers 2600 provided in a line along the first direction 12, and B is the number of process chambers 2600 provided in a line along the third direction 16. When four or six process chambers 2600 are provided on one side of the transfer chamber 2400, the process chambers 2600 may be arranged in an arrangement of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 2600 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 2600 may be provided only on one side of the transfer chamber 2400. In addition, unlike the above, the process chamber 2600 may be provided as a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 2400.

버퍼 유닛(2200)은 이송프레임(1400)과 이송챔버(2400) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(2200)은 이송챔버(2400)와 이송프레임(1400) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(2200)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(2200)에서 이송프레임(1400)과 마주보는 면과 이송챔버(2400)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 2200 is disposed between the transfer frame 1400 and the transfer chamber 2400. The buffer unit 2200 provides a space where the substrate W stays before the substrate W is transferred between the transfer chamber 2400 and the transfer frame 1400. The buffer unit 2200 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are spaced apart from each other along the third direction 16. In the buffer unit 2200, a surface facing the transfer frame 1400 and a surface facing the transfer chamber 2400 are opened, respectively.

이송프레임(1400)은 로드포트(1200)에 안착된 캐리어(1300)와 버퍼 유닛(2200) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(1400)에는 인덱스 레일(1420)과 인덱스 로봇(1440)이 제공된다. 인덱스 레일(1420)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(1440)은 인덱스 레일(1420) 상에 설치되며, 인덱스 레일(1420)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(1440)은 베이스(1441), 몸체(1442), 그리고 인덱스암(1443)을 가진다. 베이스(1441)는 인덱스 레일(1420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(1442)는 베이스(1441)에 결합된다. 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 몸체(1442)에 결합되고, 몸체(1442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(1443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(1443)들 중 일부는 공정 처리 모듈(2000)에서 캐리어(1300)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(1300)에서 공정 처리 모듈(2000)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(1440)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 1400 transports the substrate W between the carrier 1300 and the buffer unit 2200 mounted on the load port 1200. The transfer frame 1400 is provided with an index rail 1420 and an index robot 1440. The index rail 1420 is provided with its longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 1440 is installed on the index rail 1420 and is linearly moved in the second direction 14 along the index rail 1420. The index robot 1440 has a base 1441, a body 1442, and an index arm 1443. The base 1441 is installed to be movable along the index rail 1420. The body 1442 is coupled to the base 1441. The body 1442 is provided to be movable along the third direction 16 on the base 1441. Further, the body 1442 is provided to be rotatable on the base 1441. The index arm 1443 is coupled to the body 1442, and is provided to move forward and backward relative to the body 1442. A plurality of index arms 1443 are provided to be individually driven. The index arms 1443 are arranged to be stacked in a state spaced apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 1443 are used to transport the substrate W from the process processing module 2000 to the carrier 1300, and some of the index arms are transferred from the carrier 1300 to the process processing module 2000. It can be used when conveying. This can prevent particles generated from the substrate W before the process processing from being attached to the substrate W after the process processing in the process of the index robot 1440 importing and exporting the substrate W.

이송챔버(2400)는 버퍼 유닛(2200)과 공정챔버(2600) 간에, 그리고 공정챔버(2600)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(2400)에는 가이드 레일(2420)과 메인로봇(2440)이 제공된다. 가이드 레일(2420)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(2440)은 가이드 레일(2420) 상에 설치되고, 가이드 레일(2420) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(2440)은 베이스(2441), 몸체(2442), 그리고 메인암(2443)을 가진다. 베이스(2441)는 가이드 레일(2420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(2442)는 베이스(2441)에 결합된다. 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 몸체(2442)에 결합되고, 이는 몸체(2442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(2443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼 유닛(2200)에서 공정챔버(2600)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)과 공정챔버(2600)에서 버퍼 유닛(2200)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)은 서로 상이할 수 있다. The transfer chamber 2400 transfers the substrate W between the buffer unit 2200 and the process chamber 2600 and between the process chambers 2600. A guide rail 2420 and a main robot 2440 are provided in the transfer chamber 2400. The guide rail 2420 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 2440 is installed on the guide rail 2420 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 2420. The main robot 2440 has a base 2441, a body 2442, and a main arm 2443. The base 2441 is installed to be movable along the guide rail 2420. The body 2442 is coupled to the base 2441. The body 2442 is provided to be movable along the third direction 16 on the base 2441. Further, the body 2442 is provided to be rotatable on the base 2441. The main arm 2443 is coupled to the body 2402, which is provided to be able to move forward and backward relative to the body 2402. A plurality of main arms 2443 are provided to be individually driven. The main arms 2443 are arranged to be stacked in a state spaced apart from each other along the third direction 16. Main arm 2443 used to transfer the substrate W from the buffer unit 2200 to the process chamber 2600 and used when transferring the substrate W from the process chamber 2600 to the buffer unit 2200 The main arms 2443 may be different from each other.

공정챔버(2600) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(10)가 제공된다. 각각의 공정챔버(2600) 내에 제공된 기판 처리 장치(10)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(2600) 내의 기판 처리 장치(10)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(2600)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(2600)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(2400)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(2600)이 제공되고, 이송챔버(2400)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버들(2600)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(2400)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(2600)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(2600)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(2600)와 제2그룹의 공정챔버(2600)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. In the process chamber 2600, a substrate processing apparatus 10 for performing a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 10 provided in each process chamber 2600 may have a different structure depending on the type of cleaning process to be performed. Optionally, the substrate processing apparatus 10 in each process chamber 2600 may have the same structure. Optionally, the process chambers 2600 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 10 provided to the process chambers 2600 belonging to the same group have the same structure with each other, and are provided to the process chambers 2600 belonging to different groups. The substrate processing apparatuses 10 may have different structures from each other. For example, when the process chamber 2600 is divided into two groups, the first group of process chambers 2600 is provided on one side of the transfer chamber 2400 and the second group of the transfer chamber 2400 is provided on the other side. Process chambers 2600 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 2600 may be provided in the lower layer, and a second group of process chambers 2600 may be provided in the upper layer, respectively, at one side and the other side of the transfer chamber 2400. The first group of process chambers 2600 and the second group of process chambers 2600 may be classified according to types of chemicals used or types of cleaning methods.

아래의 실시예에서는 오존이 포함된 오존 처리 유체, 린스액, 그리고 건조가스와 같은 처리 유체들을 사용하여 기판(W) 세정, 스트립, 유기 잔여물(organic residue)을 제거하는 장치를 예를 들어 설명한다. In the following example, an apparatus for cleaning substrate (W), stripping, and removing organic residues by using ozone-containing ozone treatment fluid, rinse liquid, and drying fluids is used as an example. do.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 단면도이다. FIG. 2 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 1.

도 2와 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(800), 처리 용기(100), 기판 지지 유닛(200), 가열 유닛(280) 분사 유닛(300), 약액 공급 장치(400), 공정 배기부(500) 그리고 승강 유닛(600)을 포함한다. 2 and 3, the substrate processing apparatus 10 includes a chamber 800, a processing container 100, a substrate support unit 200, a heating unit 280 injection unit 300, and a chemical solution supplying device 400 ), the process exhaust 500 and the lifting unit 600.

챔버(800)는 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 상부에는 기류 공급 유닛(810)이 설치된다. 기류 공급 유닛(810)은 챔버(800) 내부에 하강 기류를 형성한다. The chamber 800 provides a closed interior space. An air flow supply unit 810 is installed at the top. The airflow supply unit 810 forms a descending airflow inside the chamber 800.

기류 공급 유닛(810)은 고습도 외기를 필터링하여 챔버 내부로 공급한다. 고습도 외기는 기류 공급 유닛(810)을 통과하여 챔버 내부로 공급되며 하강 기류를 형성한다. 하강 기류는 기판(W)의 상부에 균일한 기류를 제공하며, 처리 유체에 의해 기판(W) 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질들을 공기와 함께 처리 용기(100)의 회수통들(110,120,130)을 통해 공정 배기부(500)로 배출시킨다.The airflow supply unit 810 filters high humidity outside air and supplies it into the chamber. The high humidity outside air passes through the airflow supply unit 810 and is supplied into the chamber to form a downdraft. The descending airflow provides a uniform airflow to the upper portion of the substrate W, and the recovery vessels 110, 120, 130 of the processing vessel 100 together with air pollutants generated in the process of the surface of the substrate W processed by the processing fluid ) To the process exhaust 500.

챔버(800)는 수평 격벽(814)에 의해 공정 영역(816)과 유지보수 영역(818)으로 나뉜다. 공정 영역(816)에는 처리 용기(100)와 기판 지지 유닛(200)이 위치한다. 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 배기라인(510) 이외에도 승강 유닛(600)의 구동부과, 처리액 공급 유닛(300)과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치한다. 유지보수 영역(818)은 공정 영역(816)으로부터 격리된다.The chamber 800 is divided into a process region 816 and a maintenance region 818 by horizontal partition walls 814. The processing container 100 and the substrate support unit 200 are positioned in the process region 816. In the maintenance area 818, in addition to the discharge lines 141, 143, 145, and the exhaust line 510, which are connected to the processing container 100, the driving unit of the elevating unit 600, the driving unit connected to the processing liquid supply unit 300, and the supply line The back is located. Maintenance area 818 is isolated from process area 816.

처리 용기(100)는 상부가 개방된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개방된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지 유닛(200)이 위치된다. 기판 지지 유닛(200)은 공정 진행시 기판(W)을 지지한 상태에서 기판(W)을 회전시킨다. The processing container 100 has a cylindrical shape with an open top, and provides a processing space for processing the substrate W. The open upper surface of the processing container 100 is provided as a passage for carrying out and carrying in the substrate W. The substrate support unit 200 is positioned in the process space. The substrate support unit 200 rotates the substrate W while supporting the substrate W during the process.

처리 용기(100)는 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간을 제공한다. 처리 용기(100)에는 회전되는 기판(W)상에서 비산되는 처리액과 기체를 유입 및 흡입하는 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)이 다단으로 배치된다. The processing container 100 provides a lower space to which the exhaust duct 190 is connected to the lower end so that forced exhaust is performed. In the processing container 100, first to third collection cylinders 110, 120, and 130 for introducing and suctioning treatment liquid and gas scattered on a rotating substrate W are arranged in multiple stages.

환형의 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 하나의 공통된 환형공간과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. The annular first to third collection cylinders 110, 120, and 130 have exhaust ports H communicating with one common annular space.

구체적으로, 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 포함한다. 제2 회수통(120)은 제1회수통(110)를 둘러싸고, 제1회수통(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3회수통(130)은 제2회수통(120)을 둘러싸고, 제2회수통(120)로부터 이격되어 위치한다.Specifically, the first to third collection cylinders 110, 120, and 130 each include a bottom surface having an annular ring shape and a sidewall extending from the bottom surface and having a cylindrical shape. The second collection container 120 surrounds the first collection container 110 and is spaced apart from the first collection container 110. The third water bottle 130 surrounds the second water bottle 120 and is spaced apart from the second water bottle 120.

제1 내지 제3 회수통 (110, 120, 130)은 기판(W)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수공간(RS1)은 제1회수통(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 회수통(110)과 제2회수통(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2회수통(120)과 제3회수통(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다. The first to third recovery bins 110, 120, and 130 provide first to third recovery spaces RS1, RS2, and RS3 through which air streams containing fume and treatment liquid scattered from the substrate W are introduced. . The first recovery space RS1 is defined by the first recovery container 110, and the second recovery space RS2 is defined by the separation space between the first recovery container 110 and the second recovery container 120, , The third recovery space RS3 is defined by the separation space between the second recovery vessel 120 and the third recovery vessel 130.

제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개방된다. 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 연결된 측벽으로부터 개방부로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 기판(W)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다. Each upper surface of the first to third collection cylinders 110, 120, and 130 has a central portion open. The first to third collection bins 110, 120, and 130 are made of an inclined surface whose distance from the corresponding side surface gradually increases toward the opening from the connected side wall. The processing liquid scattered from the substrate W flows into the recovery spaces RS1, RS2, and RS3 along the upper surfaces of the first to third recovery cylinders 110, 120, and 130.

제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다. The first treatment liquid flowing into the first recovery space RS1 is discharged to the outside through the first recovery line 141. The second treatment liquid flowing into the second recovery space RS2 is discharged to the outside through the second recovery line 143. The third treatment liquid flowing into the third recovery space RS3 is discharged to the outside through the third recovery line 145.

공정 배기부(500)는 처리 용기(100) 내부의 배기를 담당한다. 일 예로, 공정 배기부(500)는 공정시 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 회수통에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 공정 배기부(500)는 배기덕트(190)와 연결되는 배기라인(510), 댐퍼(520)를 포함한다. 배기라인(510)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기라인과 연결된다. The process exhaust unit 500 is responsible for exhausting the inside of the processing container 100. For example, the process exhaust unit 500 is for providing exhaust pressure (suction pressure) to the recovery tank for recovering the treatment liquid from the first to third recovery cylinders 110, 120, and 130 during the process. The process exhaust 500 includes an exhaust line 510 connected to the exhaust duct 190 and a damper 520. The exhaust line 510 receives exhaust pressure from an exhaust pump (not shown) and is connected to the main exhaust line embedded in the bottom space of the semiconductor production line.

한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)과 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 기판 지지 유닛(200)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. On the other hand, the processing container 100 is combined with the lifting unit 600 to change the vertical position of the processing container 100. The lifting unit 600 linearly moves the processing container 100 in the vertical direction. As the processing container 100 is moved up and down, the relative height of the processing container 100 with respect to the substrate support unit 200 is changed.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 포함한다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치된다. 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 척 스테이지(210)에 로딩 또는 척 스테이지(210)로부터 언로딩될 때 척 스테이지(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통들(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 처리 용기(100)와 기판(W) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지 유닛(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다.The lifting unit 600 includes a bracket 612, a moving shaft 614, and a driver 616. The bracket 612 is fixed to the outer wall of the processing container 100. The bracket 612 is fixedly coupled to the moving shaft 614 moved in the vertical direction by the driver 616. When the substrate W is loaded on the chuck stage 210 or unloaded from the chuck stage 210, the processing vessel 100 is lowered so that the chuck stage 210 protrudes to the top of the processing vessel 100. In addition, when the process is in progress, the height of the processing container 100 is adjusted so that the processing liquid can be introduced into predetermined collection bins 110, 120, and 130 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W. . The relative vertical position between the processing container 100 and the substrate W is changed. The treatment container 100 may have different types of treatment liquid and polluted gas recovered for each of the recovery spaces RS1, RS2, and RS3. According to one embodiment, the lifting unit 600 vertically moves the processing container 100 to change the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate support unit 200.

기판 지지 유닛(200)은 스핀헤드(210), 회전축(220), 구동부(230) 및 저면 노즐 어셈블리(240)를 포함한다. The substrate support unit 200 includes a spin head 210, a rotating shaft 220, a driving unit 230, and a bottom nozzle assembly 240.

스핀 헤드(210)에 연결된 회전축(220)은 구동부(230)에 의해 회전되며, 이에 따라 스핀 헤드(210) 상에 장착된 기판(W)이 회전된다. 그리고, 회전축(220)에 관통 축설된 저면 노즐 어셈블리(240)는 기판(W)의 배면에 약액을 분사한다. 스핀 헤드(210)는, 기판(W)이 상향 이격된 상태에서 지지되도록 설치된 지지부재를 갖는다. 지지부재는 스핀헤드(210)의 상면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 돌출되도록 설치된 다수의 척킹 핀(211)과, 각각의 척킹 핀(211) 안쪽에 돌출되도록 설치된 다수의 지지핀(222)을 포함한다. 회전축(220)은, 스핀 헤드(210)에 연결되며, 그 내부가 비어있는 중공축(Hollow Shaft) 형태로써, 후술할 구동부(230)의 회전력을 스핀 헤드(210)에 전달한다. The rotating shaft 220 connected to the spin head 210 is rotated by the driving unit 230, and accordingly, the substrate W mounted on the spin head 210 is rotated. Then, the bottom nozzle assembly 240, which is penetrating the rotary shaft 220, injects a chemical solution to the rear surface of the substrate W. The spin head 210 has a support member installed so that the substrate W is supported while being spaced upward. The support member includes a plurality of chucking pins 211 installed to protrude at a predetermined distance from the edge of the upper surface of the spin head 210, and a plurality of support pins 222 installed to protrude inside each chucking pin 211. do. The rotating shaft 220 is connected to the spin head 210 and transmits the rotational force of the driving unit 230 to be described later to the spin head 210 in the form of an empty hollow shaft.

가열 유닛(290)은 기판 지지 유닛(200)의 내측에 설치된다. 가열 유닛(290)은 세정 공정 진행 중 기판(W)을 가열할 수 있다. 가열 부재(290)는 스핀 gem(210) 내에 설치될 수 있다. 가열 부재(290)는 서로 상이한 직경으로 제공된다. 가열 부재(290)는 복수개가 제공될 수 있다. 가열 부재(290)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 일 예로 가열 부재(290)는 링 형상으로 제공되는 복수의 램프들로 제공될 수 있다. 가열 부재(290)는 동심의 다수의 구역들로 세분될 수 있다. 각각의 구역에는 각각의 구역을 개별적으로 가열시킬 수 있는 램프들이 제공될 수 있다. 램프들은 스핀 헤드(210)의 중심에 대해 상이한 반경 거리에서 동심적으로 배열되는 링 형상으로 제공될 수 있다. The heating unit 290 is installed inside the substrate support unit 200. The heating unit 290 may heat the substrate W during the cleaning process. The heating member 290 may be installed in the spin gem 210. The heating members 290 are provided with different diameters from each other. A plurality of heating members 290 may be provided. The heating member 290 may be provided in a ring shape. For example, the heating member 290 may be provided with a plurality of lamps provided in a ring shape. The heating member 290 can be subdivided into multiple concentric zones. Each zone can be provided with lamps that can heat each zone individually. The lamps can be provided in a ring shape that is concentrically arranged at different radius distances relative to the center of the spin head 210.

분사 유닛(300)은 노즐 지지대(310), 제1노즐(320), 제2노즐(330), 지지축(340), 그리고 구동기(350)를 포함한다. The injection unit 300 includes a nozzle support 310, a first nozzle 320, a second nozzle 330, a support shaft 340, and a driver 350.

지지축(310)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(340)의 하단에는 구동기(350)가 결합된다. 구동기(350)는 지지축(340)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(310)는 구동기(350)와 결합된 지지축(340)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. The support shaft 310 is provided in the longitudinal direction along the third direction 16, the driver 350 is coupled to the lower end of the support shaft 340. The driver 350 rotates and elevates the support shaft 340. The nozzle support 310 is vertically coupled with the opposite end of the support shaft 340 coupled with the driver 350.

제1노즐(320)과 제2노즐(330)은 노즐지지대(310)에 설치될 수 있다. 제1노즐(320)과 제2노즐(330)은 구동기(350)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 제1노즐(320)과 제2노즐(330)이 처리용기(100)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 제1노즐(320)과 제2노즐(330)은 처리용기(100)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. The first nozzle 320 and the second nozzle 330 may be installed on the nozzle support 310. The first nozzle 320 and the second nozzle 330 are moved to the process position and the standby position by the driver 350. The process position is a position in which the first nozzle 320 and the second nozzle 330 are disposed on the vertical upper portion of the processing container 100, and the standby position is the first nozzle 320 and the second nozzle 330, the processing container. It is the position deviated from the vertical upper part of (100).

도 4는 제1노즐과 제2노즐을 설명하기 위한 도면이다. 4 is a view for explaining the first nozzle and the second nozzle.

도 3 및 도 4를 참조하면, 제1노즐(320)과 제2노즐(330)은 서로 다른 처리액을 기판의 상면으로 토출한다. 일 예로, 제1노즐은 세정액을 토출하고 제2노즐은 린스액(DIW)을 토출한다. 제1노즐의 토출지점과 제2노즐의 토출지점은 동일할 수 있다. 이를 위해 제1노즐(320)과 제2노즐(330)은 동일한 토출지점을 공유하도록 서로 상이한 각도로 세정액과 린스액을 토출할 수 있다. 제1노즐(320)은 기판 상면을 향해 수직한 방향으로 처리액을 분사하고, 제2노즐(3300은 제1노즐로의 토출지점과 동일한 토출지점으로 린스액이 토출되도록 기판 상면을 향해 경사진 방향으로 린스액을 토출할 수 있다. 제2노즐(330)의 분사각도는 기판 상면의 평행한 면에서 45~70°일 수 있다. 또한, 제2노즐(330)은 기판의 회전 방향으로 비스듬하게 제공되는 것이 바람직하다. 3 and 4, the first nozzle 320 and the second nozzle 330 discharge different processing liquids to the upper surface of the substrate. For example, the first nozzle discharges the cleaning liquid and the second nozzle discharges the rinse liquid (DIW). The discharge point of the first nozzle and the discharge point of the second nozzle may be the same. To this end, the first nozzle 320 and the second nozzle 330 may discharge cleaning liquid and rinse liquid at different angles to share the same discharge point. The first nozzle 320 injects the processing liquid in a vertical direction toward the upper surface of the substrate, and the second nozzle 3300 is inclined toward the upper surface of the substrate so that the rinse liquid is discharged to the same discharge point as the first nozzle. The rinse liquid can be discharged in the direction The injection angle of the second nozzle 330 may be 45 to 70° from a parallel surface of the upper surface of the substrate The second nozzle 330 is oblique in the rotational direction of the substrate It is preferably provided.

상기와 같이, 같이 제2노즐(330)이 경사진 방향으로 린스액을 세정액 토출 지점으로 토출함으로써, 기판의 원심력에 의해 가장자리로 퍼져나가는 세정액과의 간섭이 감소되어 세정액 및 린스액이 튀는 것을 방지할 수 있다.As described above, the second nozzle 330 discharges the rinse liquid to the cleaning liquid discharge point in an inclined direction, thereby reducing interference with the cleaning liquid spreading to the edge by the centrifugal force of the substrate, thereby preventing the cleaning liquid and the rinse liquid from splashing. can do.

도 5는 약액 공급 장치를 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining a chemical liquid supply device.

도 5를 참조하면, 약액 공급 장치(400)는 분사 유닛(300)으로 처리 유체를 공급한다. Referring to FIG. 5, the chemical supply device 400 supplies the processing fluid to the injection unit 300.

기판 처리 공정에 사용되는 처리유체(세정액)에는 불산(HF), 황산(H3SO4), 과산화수소(H2O2), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 오존수, 그리고 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용될 수 있다. The treatment fluid (cleaning solution) used in the substrate processing process includes hydrofluoric acid (HF), sulfuric acid (H3SO4), hydrogen peroxide (H2O2), nitric acid (HNO3), phosphoric acid (H3PO4), ozone water, and SC-1 solution (ammonium hydroxide (NH4OH) , A mixture of hydrogen peroxide (H2O2) and water (H2O)). Deionized water (DIW) may be used as the rinse solution.

일 예로, 처리액 공급 장치(400)는 세정액 공급부(410), 린스액 공급부(420) 그리고 유량 제어부(430)를 포함할 수 있다. For example, the processing liquid supply device 400 may include a cleaning liquid supply unit 410, a rinse liquid supply unit 420, and a flow rate control unit 430.

세정액 공급부(410)는 세정액 공급원(412)과 제1공급라인(414) 그리고 제1밸브(416)를 포함할 수 있으며, 린스액 공급부(420)는 린스액 공급원(422)과 제2공급라인(424) 그리고 제2밸브(426)를 포함할 수 있다. The cleaning liquid supply unit 410 may include a cleaning liquid supply source 412, a first supply line 414, and a first valve 416, and the rinse liquid supply unit 420 includes a rinse liquid supply source 422 and a second supply line. 424 and a second valve 426.

유량 제어부(430)는 세정액 공급부(410)와 린스액 공급부(420)의 세정액 및 린스액 공급을 조절한다. 유량 제어부(430)는 세정액을 이용한 선행 공정이 종료되고 린스액을 이용한 후속 공정이 시작되면 세정액의 유량이 점진적으로 감소하도록 그리고 린스액의 유량이 점진적으로 증가하도록 제1밸브(416)와 제2밸브(426)를 제어할 수 있다.The flow rate control unit 430 controls the supply of the cleaning liquid and the rinse liquid from the cleaning liquid supply unit 410 and the rinse liquid supply unit 420. The flow rate control unit 430 is the first valve 416 and the second so that the flow rate of the cleaning solution gradually decreases and the flow rate of the rinse solution gradually increases when the preceding process using the cleaning solution ends and the subsequent process using the rinse solution starts. The valve 426 can be controlled.

도 6은 기판 처리 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이고, 도 7은 세정액과 린스액의 투출량을 단계별로 보여주는 그래프이다.FIG. 6 is a flow chart for explaining the substrate processing method, and FIG. 7 is a graph showing step-by-step discharge amounts of the cleaning and rinsing solutions.

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법은 세정 단계(S100), 치환 단계(S200), 린스 단계(S300) 그리고 건조 단계(S400)를 포함할 수 있다.6 and 7, the substrate processing method according to the present embodiment may include a cleaning step (S100 ), a replacement step (S200 ), a rinsing step (S300 ), and a drying step (S400 ).

기판은 지지유닛(200) 위에 지지된 상태에서 회전된다. 세정 단계(S100)에서 제1노즐(320)은 회전하는 기판의 상면으로 세정액을 분사한다. 제1노즐(320)은 기판의 중앙에서 가장자리로 이동하면서 세정액을 분사할 수 있다.The substrate is rotated while being supported on the support unit 200. In the cleaning step (S100), the first nozzle 320 sprays the cleaning liquid to the upper surface of the rotating substrate. The first nozzle 320 may spray cleaning liquid while moving from the center of the substrate to the edge.

치환 단계(S200)는 세정 단계(S100)에서 린스 단계(S300)로 넘어가는 과정에서 세정액과 린스액이 동시에 토출되는 약액 전환 단계이다. 치환 단계(S200)에서 제1노즐(320)을 통해 분사되는 세정액의 토출량은 점진적으로 감소되고, 제2노즐(330)을 통해 분사되는 린스액의 토출량을 점진적으로 증가된다. The replacement step (S200) is a chemical liquid conversion step in which the cleaning liquid and the rinse liquid are discharged at the same time from the cleaning step (S100) to the rinse step (S300). In the replacement step S200, the discharge amount of the cleaning liquid sprayed through the first nozzle 320 is gradually reduced, and the discharge amount of the rinse liquid sprayed through the second nozzle 330 is gradually increased.

린스 단계(S300)에서 제2노즐(330)은 기판의 중앙에서 가장자리로 이동하면서 세정액을 분사할 수 있다.In the rinse step (S300), the second nozzle 330 may spray the cleaning liquid while moving from the center of the substrate to the edge.

건조 단계(S400)에서는 건조 유체를 이용하여 기판을 건조할 수 있다.In the drying step S400, the substrate may be dried using a drying fluid.

도 8 및 도 9는 본 발명의 제1변형 예를 보여주는 도면이다.8 and 9 are views showing a first modified example of the present invention.

도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(10a)는 제1분사 유닛(300a)과 제2분사 유닛(300b)을 포함하며, 이들은 도 2에 도시된 분사 유닛(300)과 대체로 유사한 구성과 기능으로 제공되므로, 이하에서는 차이점을 위주로 설명하기로 한다.8 and 9, the substrate processing apparatus 10a includes a first injection unit 300a and a second injection unit 300b, which are generally arranged with the injection unit 300 shown in FIG. Since it is provided with similar configurations and functions, differences will be mainly described below.

본 변형예에서 제1분사 유닛(300a)은 제1노즐(320a)을 포함하고, 제2분사유닛(300b)은 제2노즐(330a)을 포함한다. 여기서 제1노즐(320a)과 제2노즐(330a)은 도 2에 도시된 제1노즐(320) 및 제2노즐(330)과 유사한 구성과 기능으로 제공될 수 있다. In this modification, the first injection unit 300a includes a first nozzle 320a, and the second injection unit 300b includes a second nozzle 330a. Here, the first nozzle 320a and the second nozzle 330a may be provided with similar configurations and functions as the first nozzle 320 and the second nozzle 330 illustrated in FIG. 2.

도 10 및 도 11은 본 발명의 제2변형 예를 보여주는 도면이다.10 and 11 are views showing a second modified example of the present invention.

도 10 및 도 11에서와 같이, 기판 처리 장치(10b)는 분사 유닛(300c)을 포함하며, 이들은 도 2에 도시된 분사 유닛(300)과 대체로 유사한 구성과 기능으로 제공되므로, 이하에서는 본 실시예와의 차이점을 위주로 변형예를 설명하기로 한다.10 and 11, the substrate processing apparatus 10b includes an injection unit 300c, which are provided in substantially the same configuration and function as the injection unit 300 shown in FIG. 2, so that the present embodiment will be described below. Modifications will be described focusing on differences from examples.

본 변형예에서, 분사 유닛(300c)의 제2노즐(330c)은 평면에서 바라보았을 때 노즐 지지대(310c)의 길이방향과 직각 방향으로 설치된 노즐 브라켓(318)상에 설치될 수 있다. 제2노즐(330c)의 토출지점은 제1노즐(320c)의 토출지점과 동일할 수 있다. 노즐 브라켓(318)은 노즐 지지대(310c)가 기판의 중심에서 가장자리로 이동하는 내측 방향의 반대인 외측방향으로부터 연장되어 제공될 수 있으며, 제2노즐(330c)은 노즐 브라켓(318)에 설치된다. 따라서, 제2노즐(330c)은 기판의 중심에서 가장자리를 향하는 방향으로 린스액을 토출할 수 있다. In this modification, the second nozzle 330c of the injection unit 300c may be installed on the nozzle bracket 318 installed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the nozzle support 310c when viewed from a plane. The discharge point of the second nozzle 330c may be the same as the discharge point of the first nozzle 320c. The nozzle bracket 318 may be provided extending from an outer direction opposite to an inner direction in which the nozzle support 310c moves from the center of the substrate to the edge, and the second nozzle 330c is installed on the nozzle bracket 318 . Therefore, the second nozzle 330c may discharge the rinse liquid in a direction from the center of the substrate toward the edge.

상기와 같이, 제2노즐(330c)은 노즐 지지대(310c)의 이동방향으로 비스듬하게 경사진 토출 각도를 갖는다. 따라서, 세정 단계에서 린스 단계로 전화되는 과정에서 제1노즐(320c)을 통해 기판으로 토출된 세정액은 기판의 원심력에 의해 기판 가장자리로 펼쳐지고, 제2노즐(330c)을 통해 기판으로 토출되는 린스액은 그 토출 방향이 세정액이 퍼져나가는 방향과 유사하기 때문에 세정액을 기판 가장자리로 신속하게 밀어낼 수 있다. As described above, the second nozzle 330c has a discharge angle inclined obliquely in the moving direction of the nozzle support 310c. Therefore, in the process of switching from the cleaning step to the rinse step, the cleaning liquid discharged to the substrate through the first nozzle 320c spreads to the edge of the substrate by the centrifugal force of the substrate, and the rinse liquid discharged to the substrate through the second nozzle 330c. Since the discharge direction of silver is similar to the direction in which the cleaning liquid spreads, the cleaning liquid can be quickly pushed to the edge of the substrate.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is to illustrate the present invention. In addition, the above-described content is to describe and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to change or modify the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the scope of the art or knowledge in the art. The embodiments described describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. In addition, the appended claims should be construed to include other embodiments.

10 : 기판 처리 장치 100 : 처리 용기
200 ; 기판 지지 유닛 300 : 분사 유닛
400 : 약액 공급 장치 500 ; 공정 배기부10: substrate processing apparatus 100: processing container
200; Substrate support unit 300: spray unit
400: chemical supply device 500; Process exhaust

Claims (16)

상부가 개방된 처리 공간을 가지는 컵;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지판을 가지는 지지유닛;
상기 지지판에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 제1노즐; 및
상기 지지판에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 제2노즐을 포함하되;
상기 제2노즐은
상기 제1노즐로부터 토출되는 처리액이 기판에 맞닿는 토출지점과 동일한 지점으로 처리액이 토출되도록 제공되는 기판 처리 장치.A cup having a treatment space with an open top;
A support unit having a support plate supporting the substrate in the processing space;
A first nozzle for supplying a processing liquid to the substrate supported on the support plate; And
It includes a second nozzle for supplying a processing liquid to the substrate supported on the support plate;
The second nozzle
The substrate processing apparatus is provided so that the processing liquid discharged from the first nozzle is discharged to the same point as the discharge point contacting the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 제1노즐은 기판 상면을 향해 수직한 방향으로 처리액을 분사하고,
상기 제2노즐은 기판 상면을 향해 경사진 방향으로 처리액을 분사하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The first nozzle sprays the processing liquid in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate,
The second nozzle is a substrate processing apparatus for spraying the processing liquid in a direction inclined toward the upper surface of the substrate. 제 2 항에 있어서,
상기 제2노즐의 분사각도는 기판 상면의 평행한 면에서 45~70°인 기판 처리 장치.According to claim 2,
The second nozzle has an injection angle of 45 to 70° from a parallel surface of the upper surface of the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 제1노즐과 상기 제2노즐은 서로 상이한 각도로 처리액을 분사하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The first nozzle and the second nozzle is a substrate processing apparatus for spraying the processing liquid at different angles. 제 1 항에 있어서,
상기 제1노즐로 처리액을 공급하는 제1공급부; 및
상기 제2노즐로 처리액을 공급하는 제2공급부를 더 포함하되;
상기 제1공급부와 상기 제2공급부는 서로 다른 처리액을 상기 제1노즐과 상기 제2노즐로 공급하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
A first supply unit supplying a processing liquid to the first nozzle; And
Further comprising a second supply for supplying a treatment liquid to the second nozzle;
The first supply unit and the second supply unit is a substrate processing apparatus for supplying different processing liquids to the first nozzle and the second nozzle. 제 5 항에 있어서,
상기 제1공급부에서 상기 제1노즐로 공급되는 처리액은 세정액이며,
상기 제2공급부에서 상기 제2노즐로 공급되는 처리액은 린스액인 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The treatment liquid supplied from the first supply portion to the first nozzle is a cleaning liquid,
The processing liquid supplied from the second supply unit to the second nozzle is a rinse liquid substrate processing apparatus. 제 2 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 제1노즐과 상기 제2노즐을 구비하는 노즐 유닛을 포함하되;
상기 제1노즐과 상기 제2노즐은 하나의 회전축을 공유하도록 하나의 노즐 아암에 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 2 or 5,
It includes a nozzle unit having the first nozzle and the second nozzle;
The first nozzle and the second nozzle is a substrate processing apparatus provided on one nozzle arm to share one axis of rotation. 제 7 항에 있어서,
상기 노즐 유닛은 상기 제1노즐과 상기 제2노즐이 기판의 중심에서 가장자리를 이동하면서 처리액을 분사하도록 상기 회전축을 중심으로 스윙 이동하는 기판 처리 장치.The method of claim 7,
The nozzle unit is a substrate processing apparatus that swings around the rotation axis so that the first nozzle and the second nozzle move the edges from the center of the substrate to spray the processing liquid. 제 7 항에 있어서,
상기 제1공급부와 상기 제2공급부의 처리액 공급을 조절하는 유량 제어부를 더 포함하되;
상기 유량 제어부는
상기 세정액을 이용한 선행 공정이 종료되고 상기 린스액을 이용한 후속 공정이 시작되면 상기 세정액의 유량이 점진적으로 감소하도록 그리고 상기 린스액의 유량이 점진적으로 증가하도록 상기 제1공급부 및 상기 제2공급부를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 7,
Further comprising a flow control unit for adjusting the supply of the processing liquid of the first supply unit and the second supply unit;
The flow control unit
When the preceding process using the cleaning solution is ended and the subsequent process using the rinse solution is started, the first supply unit and the second supply unit are controlled to gradually decrease the flow rate of the cleaning solution and gradually increase the flow rate of the rinse solution. Substrate processing device. 기판 처리 방법에 있어서,
지지유닛 위에 기판을 지지하여 회전시키는 단계;
상기 기판의 상면으로 세정액을 공급하는 세정 단계; 및
상기 기판의 상면으로 린스액을 공급하는 린스 단계를 포함하되;
상기 린스액은 상기 세정액이 기판에 맞닿는 토출 지점과 동일한 지점으로 토출되는 기판 처리 방법.In the substrate processing method,
Supporting and rotating the substrate on the support unit;
A cleaning step of supplying a cleaning liquid to the upper surface of the substrate; And
A rinse step of supplying a rinse liquid to the upper surface of the substrate;
The rinse liquid is a substrate processing method in which the cleaning liquid is discharged to the same point as the discharge point contacting the substrate. 제 10 항에 있어서,
상기 세정 단계와 상기 린스 단계 사이에 상기 세정액과 상기 린스액이 동시에 토출되는 치환단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 10,
And a substitution step in which the cleaning solution and the rinse solution are simultaneously discharged between the cleaning step and the rinse step. 제 11 항에 있어서,
상기 치환단계는
상기 세정액의 토출량을 점진적으로 감소시키고, 상기 린스액의 토출량을 점진적으로 증가시키는 기판 처리 방법. The method of claim 11,
The substitution step
The substrate processing method of gradually reducing the discharge amount of the cleaning liquid, and gradually increasing the discharge amount of the rinse liquid. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 세정액은 기판 상면을 향해 수직한 방향으로 분사되고,
상기 린스액은 기판 상면을 향해 경사진 방향으로 분사되는 기판 처리 방법.The method of claim 10 or 11,
The cleaning solution is sprayed in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate,
The rinse solution is a substrate processing method is sprayed in a direction inclined toward the upper surface of the substrate. 제 13 항에 있어서,
상기 린스액의 토출각도는 기판 상면의 평행한 면에서 45~70°인 기판 처리 방법.The method of claim 13,
The discharge angle of the rinse liquid is a substrate processing method of 45 ~ 70 ° parallel to the upper surface of the substrate. 제 13 항에 있어서,
상기 세정액과 상기 린스액은 서로 상이한 각도로 분사하는 기판 처리 방법.The method of claim 13,
The cleaning solution and the rinse solution is a substrate processing method for spraying at different angles from each other. 제 13 항에 있어서,
상기 린스액의 토출 각도는 기판의 회전 방향으로 비스듬하게 제공되는 기판 처리 방법.
The method of claim 13,
The discharge angle of the rinse solution is provided at an angle in the direction of rotation of the substrate substrate processing method.
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