KR20140015226A - New compounds and organic electronic device using the same - Google Patents

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KR20140015226A
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배재순
권혁준
장혜영
홍성길
김성소
신창환
한혜은
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주식회사 엘지화학
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Abstract

The present invention relates to a new compound and an organic electronic device using the same. The compound of the present invention can be used as a hole injection, hole transfer, electron injection, electron transfer, or luminous material in an organic electronic device including organic light emitting device. The organic electronic device of the present invention has excellent efficiency, driving voltage, and lifetime. [Reference numerals] (101) Substrate; (102) Positive electrode; (105) Light emitting layer; (107) Negative electrode

Description

신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자{NEW COMPOUNDS AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a novel compound, and an organic electronic device using the same. BACKGROUND OF THE INVENTION [0002]

본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a novel compound and an organic electronic device using the same.

본 명세서에서, 유기 전자 소자란 유기 반도체 물질을 이용한 전자 소자로서, 전극과 유기 반도체 물질 사이에서의 정공 및/또는 전자의 교류를 필요로 한다. 유기 전자 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고, 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자 소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기 반도체 물질층에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 작동하는 형태의 전자소자이다.In the present specification, an organic electronic device is an electronic device using an organic semiconductor material, and requires the exchange of holes and / or electrons between the electrode and the organic semiconductor material. The organic electronic device can be roughly classified into two types according to the operating principle as described below. First, an exciton is formed in an organic material layer by a photon introduced into an element from an external light source. The exciton is separated into an electron and a hole, and the electrons and holes are transferred to different electrodes to be used as a current source Is an electronic device. The second type is an electronic device that injects holes and / or electrons into an organic semiconductor material layer that interfaces with the electrode by applying a voltage or current to two or more electrodes, and operates by injected electrons and holes.

유기 전자 소자의 예로는 유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC) 드럼, 유기 트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 전자/정공 주입 물질, 전자/정공 추출 물질, 전자/정공 수송 물질 또는 발광 물질을 필요로 한다. 이하에서는 주로 유기 발광 소자에 대하여 구체적으로 설명하지만, 상기 유기 전자 소자들에서는 전자/정공 주입 물질, 전자/정공 추출 물질, 전자/정공 수송 물질 또는 발광 물질이 모두 유사한 원리로 작용한다.Examples of the organic electronic device include an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC) drum, and an organic transistor. These devices include an electron / hole injecting material, an electron / hole extracting material, Materials or luminescent materials. Hereinafter, the organic light emitting device will be described in detail, but in the organic electronic devices, the electron / hole injecting material, the electron / hole extracting material, the electron / hole transporting material, or the light emitting material all have a similar principle.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기 에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이들 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함할 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층으로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.In general, organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon usually has a structure including an anode and a cathode and an organic layer between them. Here, in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, the organic material layer may have a multi-layer structure composed of different materials and may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. When a voltage is applied between two electrodes in the structure of the organic light emitting device, holes are injected into the anode, electrons are injected into the organic layer, electrons are injected into the organic layer, excitons are formed when injected holes and electrons meet, When it falls to a state, it becomes a light. Such an organic light emitting device is known to have characteristics such as self-emission, high luminance, high efficiency, low driving voltage, wide viewing angle, high contrast, and high speed response.

유기 발광 소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료가 있다. 또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 주로 구성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 호스트에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이 때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.A material used as an organic material layer in an organic light emitting device can be classified into a light emitting material and a charge transporting material such as a hole injecting material, a hole transporting material, an electron transporting material, and an electron injecting material depending on functions. The luminescent material has blue, green and red luminescent materials and yellow and orange luminescent materials necessary for realizing a better natural color depending on the luminescent color. Further, in order to increase the color purity and increase the luminous efficiency through energy transfer, a host / dopant system can be used as a light emitting material. The principle is that when a small amount of dopant having a smaller energy band gap and a higher luminous efficiency than a host mainly constituting the light emitting layer is mixed with the light emitting layer in a small amount, the excitons generated in the host are transported to the dopant to emit light with high efficiency. At this time, since the wavelength of the host is shifted to the wavelength band of the dopant, the desired wavelength light can be obtained depending on the type of the dopant used.

전술한 유기 발광 소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기 발광 소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.In order to sufficiently exhibit the excellent characteristics of the organic light emitting device, a material constituting the organic material layer in the device such as a hole injecting material, a hole transporting material, a light emitting material, an electron transporting material and an electron injecting material is supported by a stable and efficient material However, the development of a stable and efficient organic material layer material for an organic light emitting device has not yet been sufficiently achieved, and therefore, the development of new materials has been continuously required.

본 발명자들은 신규한 구조를 갖는 화합물을 밝혀내었다. 또한, 상기 신규한 화합물을 이용하여 유기 전자 소자의 유기물층을 형성하는 경우 소자의 효율 상승, 구동 전압 하강 및 안정성 상승 등의 효과를 나타낼 수 있다는 사실을 밝혀내었다.The present inventors have found a compound having a novel structure. In addition, when the organic compound layer of the organic electronic device is formed using the novel compound, it has been found that the organic compound layer can exhibit the effects of increasing the efficiency of the device, lowering the driving voltage, and increasing the stability.

이에 본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a novel compound and an organic electronic device using the same.

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present invention provides a compound represented by the following formula (1).

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

Q는 C10 ~ C30의 축합 방향족 다환기이고,Q is a condensed aromatic polycyclic group of C 10 to C 30 ,

n은 1 내지 8의 정수, m은 1 내지 4의 정수이며,n is an integer of 1 to 8, m is an integer of 1 to 4,

Ar 및 Ar'은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 ~ C20의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 ~ C20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C20의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C20의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C30의 아릴기, 치환 또는 비치환되고 이종 원자로 O, N 또는 S를 갖는 C3 ~ C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 실란기, 카르보닐기, 포스포릴기, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, 히드록시기, 할로겐기, 아미드기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택되고, 서로 인접하는 기와 지방족, 방향족, 지방족헤테로 또는 방향족헤테로의 축합 고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있으며, 상기 n이 2 이상의 정수인 경우에 상기 2 이상의 Ar은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 상기 m이 2 이상의 정수인 경우에 상기 2 이상의 Ar'은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며,Ar and Ar 'are the same as or different from each other, and each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted A substituted C 3 to C 20 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 to C 30 cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 20 An aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkylthioxy group, a substituted or unsubstituted C 5 to C 20 arylthioxy group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkylamine group, A substituted or unsubstituted C 5 to C 30 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 hetero having an O, N or S hetero atom Aryl group, substituted or unsubstituted boron group, substituted or unsubstituted silane group, carbonyl group, phosphoryl group, amino group, nitrile group, Selected from the group consisting of a tro group, a hydroxyl group, a halogen group, an amide group, and an ester group, and may form a condensed ring or form a spiro bond of an aliphatic, aromatic, aliphatic hetero, or aromatic hetero group with adjacent groups, wherein n is two or more; In the case of an integer, the two or more Ars may be the same or different from each other. When m is an integer of two or more, the two or more Ar ′ may be the same or different from each other.

R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 ~ C12의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 ~ C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C20의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환되고 이종 원자로 O, N 또는 S를 갖는 C3 ~ C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된다.R 1 and R 2 are the same or different and each independently represents a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 12 alkenyl group, a C 3 ~ C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 ~ C 20 of the cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted of C 6 ~ C 30 aryl group, and a substituted or unsubstituted, and two kinds of atoms O, N Or a C 3 to C 30 heteroaryl group having S;

또한, 본 발명은In addition,

1) 아릴보론산계 또는 아릴보로네이트계 화합물로서 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 A를 팔라듐(Pd) 촉매하에서 할라이드 아릴 화합물과 스즈키 커플링(Suzuki coupling) 반응시켜 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 B를 제조하는 단계,1) Compound A represented by the following formula 2 as an arylboronic acid or arylboronate compound is subjected to Suzuki coupling reaction with a halide aryl compound under a palladium (Pd) catalyst to obtain a compound B represented by the following formula 3 Manufacturing steps,

2) 상기 화합물 B를 무수용매에 녹인 후, n-, sec- 또는 tert-BuLi로 리튬화(lithiation) 한 후, 치환 또는 비치환된 케톤계 화합물인 R1COR2와 반응시켜 모노알코올계 화합물로서 하기 화학식 4로 표시되는 화합물 C를 제조하는 단계, 및2) The compound B is dissolved in an anhydrous solvent, lithiated with n-, sec- or tert-BuLi, and then reacted with a substituted or unsubstituted ketone-based compound R1COR2 to obtain, as a monoalcohol compound, 4, < / RTI >

3) 상기 화합물 C를 산성 조건에서 반응시켜 고리를 연결하는 단계3) coupling the rings by reacting the compound C under acidic conditions

를 포함하는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조방법을 제공한다.Wherein R < 1 > and R < 2 >

Figure pat00002
Figure pat00002

Figure pat00003
Figure pat00003

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 Ar, Ar', Q, n 및 m은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고, R, R1 및 R2는 상기 화학식 1의 R1 및 R2의 정의와 동일하다.Ar, Ar ', Q, n and m are the same as defined in Formula 1, and R, R1 and R2 are the same as defined in R1 and R2 in Formula 1, respectively.

또한, 본 발명은 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 신규한 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다.The present invention also provides an organic electronic device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic layers comprises the novel compound Wherein the organic electronic device is an organic electronic device.

본 발명에 따른 신규한 화합물은 다양한 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴아민기, 아릴카르보닐기, 아릴포스포릴기 등을 도입하여, 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자의 유기물층 재료로서 사용될 수 있다. 상기 본 발명에 따른 화합물을 유기물층의 재료로서 이용한 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자는 효율, 구동전압, 수명 등에서 우수한 특성을 나타낸다.The novel compounds according to the present invention can be used as organic material layers of organic electronic devices including organic light emitting devices by introducing various aryl groups, heteroaryl groups, arylamine groups, arylcarbonyl groups, and arylphosphoryl groups. The organic electronic device including the organic light emitting device using the compound according to the present invention as a material of the organic material layer exhibits excellent characteristics in terms of efficiency, driving voltage, and lifetime.

도 1은 기판(101) 위에 양극(102), 발광층(105) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자 구조의 예시이다.
도 2는 기판(101) 위에 양극(102), 정공 주입/정공 수송 및 발광층(105), 전자 수송층(106) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자 구조의 예시이다.
도 3은 기판(101), 양극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송 및 발광층(105), 전자 수송층(106) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자 구조의 예시이다.
도 4는 기판(101), 양극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 전자 수송 및 발광층(105) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자 구조의 예시이다.
도 5는 화합물 1C의 1H-NMR(in CDCl3) 이다.
도 6은 화합물 1-2-29의 질량스펙트럼이다
도 7은 화합물 1-2-31의 질량스펙트럼이다.
도 8은 화합물 1-2-18의 질량스펙트럼이다.
1 is an example of an organic light emitting device structure in which an anode 102, a light emitting layer 105, and a cathode 107 are sequentially stacked on a substrate 101.
2 illustrates an organic light emitting device structure in which an anode 102, a hole injection / hole transport and light emitting layer 105, an electron transport layer 106, and a cathode 107 are sequentially stacked on a substrate 101.
3 is an example of an organic light emitting device structure in which a substrate 101, an anode 102, a hole injection layer 103, a hole transport and light emitting layer 105, an electron transport layer 106 and a cathode 107 are sequentially stacked. .
4 is an example of an organic light emitting device structure in which a substrate 101, an anode 102, a hole injection layer 103, a hole transport layer 104, an electron transporting and emitting layer 105, and a cathode 107 are sequentially stacked. .
5 is 1 H-NMR (in CDCl 3 ) of Compound 1C.
6 is a mass spectrum of Compound 1-2-29
7 is a mass spectrum of Compound 1-2-31.
8 is a mass spectrum of Compound 1-2-18.

이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명에 따른 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 한다.The compound according to the present invention is characterized by being represented by the above formula (1).

본 발명에 따른 화합물에 있어서, 상기 화학식 1의 치환기들을 보다 구체적으로 설명하면 하기와 같다.In the compound according to the present invention, the substituents of the above formula (1) will be described in more detail as follows.

상기 Q는 C10 ~ C30의 축합 방향족 다환기로서, 벤젠 고리가 3개 내지 4개 축합된 방향족 다환기일 수 있다. 상기 Q의 구체적인 예로는 페난트렌, 파이렌, 안트라센, 크라이센 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.Q is a condensed aromatic polycyclic group having 10 to 30 carbon atoms and may be an aromatic polycyclic group condensed with 3 to 4 benzene rings. Specific examples of Q include phenanthrene, pyrene, anthracene, chrysene, and the like, but are not limited thereto.

상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The alkyl group may be straight or branched chain, carbon number is not particularly limited, but is preferably 1 to 20. Specific examples include, but are not limited to, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, t-butyl, pentyl, hexyl and heptyl.

상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 2 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 스틸베닐기(stylbenyl), 스티레닐기(styrenyl) 등의 아릴기가 연결된 알케닐기가 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The alkenyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 20. Specific examples thereof include, but are not limited to, an alkenyl group having an aryl group such as a stilbenyl group or a styrenyl group.

상기 시클로알킬기는 탄소수 3 내지 20의 입체적 방해를 주지 않는 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The cycloalkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms and does not give steric hindrance. Specific examples thereof include, but are not limited to, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and the like.

상기 시클로알케닐기는 탄소수 5 내지 30인 것이 바람직하고, 보다 구체적으로는 오각형 또는 육각형 고리 내에 에테닐렌을 갖는 고리 화합물 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The cycloalkenyl group preferably has 5 to 30 carbon atoms, and more specifically, a cyclic compound having ethenylene in a pentagonal or hexagonal ring, but is not limited thereto.

상기 알콕시기는 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하고, 보다 구체적으로 메톡시, 에톡시, 페닐옥시, 시클로헥실옥시, 나프틸옥시, 이소프로필옥시, 디페닐옥시 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The alkoxy group preferably has 1 to 30 carbon atoms, and more specifically, may be methoxy, ethoxy, phenyloxy, cyclohexyloxy, naphthyloxy, isopropyloxy, diphenyloxy and the like. It is not.

상기 치환 또는 비치환된 C5 ~ C30의 아민기라 함은 -N(Z1)(Z2)의 형태일 수 있고, 상기 Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 ~ C50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 ~ C50의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C50의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C50의 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C50의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 ~ C50의 헤테로아릴기 등이다. 상기 아릴아민기에 있어서, 아릴기라 함은 탄소수 5 내지 30인 것이 바람직하고, 아릴아민기의 보다 구체적인 예는 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 페닐비페닐아민기, 나프틸비페닐아민기, 디나프틸아민기, 디비페닐아민기, 디안트라세닐아민기, 3-메틸-페닐아민기, 4-메틸-나프틸아민기, 2-메틸-비페닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 트리페닐아미노페닐 아민기, 페닐 비페닐아미노 페닐 아민기, 나프틸 페닐아미노페닐 비페닐아민기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The substituted or unsubstituted C 5 -C 30 amine group may be in the form of -N (Z 1) (Z 2), wherein Z 1 and Z 2 are each independently a substituted or unsubstituted C 1 -C 50 alkyl group , A substituted or unsubstituted C 2 to C 50 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 5 to C 50 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 to C 50 cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C 5 ~ C 50 is a heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 50 aryl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 50 heteroaryl group, and the like. In the arylamine group, the aryl group preferably has 5 to 30 carbon atoms. More specific examples of the arylamine group include a diphenylamine group, a phenylnaphthylamine group, a phenylbiphenylamine group, a naphthylbiphenylamine group, Methyl-naphthylamine group, a 2-methyl-biphenylamine group, a 9-methyl-anthracenylamine group, But are not limited to, a phenyl group, a ditolylamine group, a phenyltolylamine group, a triphenylaminophenylamine group, a phenylbiphenylaminophenylamine group, and a naphthylphenylaminophenylbiphenylamine group.

상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 6 내지 30인 것이 바람직하다. 단환식 아릴기의 예로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 스틸벤 등을 들 수 있고, 다환식 아릴기의 예로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페나트렌기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The aryl group may be monocyclic or polycyclic, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 6 to 30. Examples of the monocyclic aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group and a stilbene group. Examples of the polycyclic aryl group include a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthrene group, a pyrenyl group, a perylenyl group, A decyl group, and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 헤테로아릴기는 이종 원자로 O, N 또는 S를 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 3 내지 30인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 카바졸기, 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 피라다진기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀린기, 아크리딜기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The heteroaryl group is a cyclic group containing hetero atoms such as O, N or S, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 3 to 30 carbon atoms. Examples of the heterocyclic group include carbazole group, thiophene group, furan group, pyrrolyl group, imidazole group, thiazole group, oxazole group, oxadiazole group, triazole group, pyridyl group, pyrazazinyl group, quinolinyl group, isoquinoline group , An acridyl group, and the like, but are not limited thereto.

상기 할로겐기로는 불소, 염소, 브롬, 요오드 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.Examples of the halogen group include, but are not limited to, fluorine, chlorine, bromine, and iodine.

상기 화학식 1의 Ar, Ar', R1 및 R2에 치환될 수 있는 치환기로는 중수소, 할로겐 원자, 카르보닐기, 에스테르기, 포스포릴기, 이미드기, 아미노기, 니트로기, 시아노기, 히드록시기, 알킬기, 알콕시기, 아릴티옥시기, 알킬티옥시기, 알킬아민기, 아랄킬아민기, 아릴아민기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 실란기, 붕소기, C6 ~ C30의 아릴기, C3 ~ C30의 헤테로아릴기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.Examples of the substituent which may be substituted for Ar, Ar ', R 1 and R 2 in the above formula (1) include deuterium, halogen atoms, carbonyl groups, ester groups, phosphoryl groups, imide groups, amino groups, nitro groups, cyano groups, An arylamine group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, a cycloalkenyl group, a silane group, a boron group, a C 6 to C 30 aryl group, a C 3 to C 30 aryl group, an aryloxy group, To C 30 heteroaryl groups, and the like, but are not limited thereto.

본 발명에 따른 화합물에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 5 내지 화학식 13으로 표시될 수 있다.In the compound according to the present invention, the formula (1) may be represented by the following formulas (5) to (13).

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상기 화학식 5 내지 13에 있어서, R1, R2, Ar' 및 m은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,In the general formulas (5) to (13), R1, R2, Ar 'and m are the same as defined in the above formula

Ar1 내지 Ar8은 각각 독립적으로 상기 화학식 1의 Ar의 정의와 동일하다.Ar 1 to Ar 8 are each independently the same as the definition of Ar in formula (1).

상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 바람직한 구체적인 예로는 하기 화합물들이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the compound represented by the formula (1) include, but are not limited to, the following compounds.

Figure pat00014
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또한, 본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조방법은 1) 아릴보론산계 또는 아릴보로네이트계 화합물로서 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 A를 팔라듐(Pd) 촉매하에서 할라이드 아릴 화합물과 스즈키 커플링(Suzuki coupling) 반응시켜 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 B를 제조하는 단계, 2) 상기 화합물 B를 무수용매에 녹인 후, n-, sec- 또는 tert-BuLi로 리튬화(lithiation) 한 후, 치환 또는 비치환된 케톤계 화합물인 R1COR2와 반응시켜 모노알코올계 화합물로서 상기 화학식 4로 표시되는 화합물 C를 제조하는 단계, 및 3) 상기 화합물 C를 산성 조건에서 반응시켜 고리를 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The process for preparing the compound represented by the formula (1) according to the present invention can be carried out by the following procedure. (1) A compound represented by the formula (2) as an arylboronic acid or arylboronate compound is reacted with a halide aryl compound and a Suzuki compound (2) dissolving the compound (B) in an anhydrous solvent and then lithiating it with n-, sec- or tert-BuLi to obtain a compound , A substituted or unsubstituted ketone compound, R1COR2, to prepare a compound C represented by the formula (4) as a monoalcohol compound, and 3) a step of reacting the compound (C) in an acidic condition to form a ring .

상기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 대표적으로 Q가 페난트렌기인 경우 하기 반응식 1의 반응과정과 같이 제조될 수 있다. 하기 반응식 1은 화학식 1로 표시되는 화합물을 합성하기 위한 예시일 뿐 이에만 한정되는 것은 아니다.Typically, when Q is phenanthrene group among the compounds represented by Formula 1, it can be prepared according to the reaction scheme shown in Reaction Scheme 1 below. The following Reaction Scheme 1 is only an example for synthesizing the compound represented by Chemical Formula 1, but it is not limited thereto.

[반응식 1][Reaction Scheme 1]

Figure pat00027
Figure pat00027

상기 반응식 1에 따라 화학식 1로 표시되는 스피로 유도체는According to Reaction Scheme 1, the spiro derivative represented by Formula (1)

1) 9-페난트렌보론산 또는 9-페난트렌 보로네이트 화합물 A 유도체에 팔라듐(Pd) 촉매 하에서 1,2-디브로모 벤젠 또는 1-브로모-2-요오도벤젠 화합물을 스즈키 결합(Suzuki coupling)으로 반응하여 화합물 B를 제조한다.1) Suzuki bond of 1,2-dibromo benzene or 1-bromo-2-iodobenzene compound to 9-phenanthrene boronic acid or 9-phenanthrene boronate compound A derivative under palladium (Pd) catalyst reaction to form compound B.

2) 상기 1) 단계에서 제조된 화합물 B 유도체를 무수용매에 녹인 후, n-,sec-,tert-BuLi으로 리튬화(Lithiation) 한 후, 치환 또는 비치환된 R1COR2인 케톤 화합물과 반응시켜 모노알코올(monoalcohol) 화합물 C 유도체를 제조하는 단계, 및2) After dissolving the compound B derivative prepared in step 1) in anhydrous solvent, lithiating with n-, sec-, tert-BuLi, and reacting with a substituted or unsubstituted ketone compound of R1COR2 to mono Preparing an alcoholic compound C derivative, and

3) 상기 2) 단계에서 제조된 화합물 C 유도체를 산성조건에서 반응시켜 고리를 연결하여 화학식 1의 화합물을 제조할 수 있다.3) The compound of formula 1 may be prepared by reacting the compound C derivative prepared in step 2) in an acidic condition to form a ring.

상기 반응식 1에서, Ar', R1, R2 및 m은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고, Ar1 내지 Ar9는 상기 화학식 1의 Ar의 정의와 동일하다.In the above Reaction Scheme 1, Ar ', R 1, R 2, and m are the same as defined in Formula 1, and Ar 1 to Ar 9 are as defined in Ar of Formula 1.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 화학식에 표시된 코어 구조에 다양한 치환체를 도입함으로써 유기 발광 소자에서 사용되는 유기물층으로 사용되기에 적합한 특성을 가질 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 어느 층에 사용해도 특성을 나타낼 수 있으나, 특히 다음과 같은 특성을 띨 수 있다.The compound represented by Formula 1 may have properties suitable for use as an organic layer used in an organic light emitting device by introducing various substituents into the core structure represented by the formula. The compound represented by the formula (1) may be used in any layer of an organic light emitting device, but may have the following characteristics.

치환 또는 비치환된 아릴아민기가 도입된 화합물들은 발광층, 정공 주입 및 정공 수송층 물질로 적합하며, N을 포함하는 헤테로 고리환 치환체가 도입된 경우 전자 주입, 전자 전달층 및 홀 저지층 물질로 적합하다.The compounds having a substituted or unsubstituted arylamine group are suitable as a light emitting layer, a hole injecting and hole transporting layer material, and are suitable as an electron injecting, electron transporting layer and hole blocking layer material when a heterocyclic ring substituent containing N is introduced .

화합물의 컨쥬게이션 길이와 에너지 밴드갭은 밀접한 관계가 있다. 구체적으로, 화합물의 컨쥬게이션 길이가 길수록 에너지 밴드갭이 작아진다. 전술한 바와 같이, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 코어는 제한된 컨쥬게이션을 포함하고 있으므로, 이는 에너지 밴드갭이 작은 성질에서부터 큰 성질을 갖는다.The conjugation length of the compound and the energy band gap are closely related. Specifically, the longer the conjugation length of the compound, the smaller the energy bandgap. As described above, since the core of the compound represented by Chemical Formula 1 includes limited conjugation, it has a property from small to large energy bandgap.

또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송층 물질들은 HOMO(highest occupied molecular orbital)를 따라 정공을 전달해 줄 수 있을 만큼의 에너지 준위를 갖게 하며, 발광층으로부터 LUMO(lowest unoccupied molecular orbital)를 따라 넘어오는 전자를 막아 줄 정도의 에너지 준위를 가질 수 있는 화합물이 될 수 있다. 특히, 본 화합물의 코어 구조는 전자에 안정적인 특성을 보여 소자의 수명 향상에 기여할 수 있다. 발광층 및 전자 수송층 물질에 사용되도록 치환체들을 도입하여 이루어진 유도체들은 다양한 아릴아민계 도펀트, 아릴계 도펀트, 금속을 함유한 도펀트 등에 적당한 에너지 밴드갭을 갖도록 제조가 가능하다.Further, by introducing various substituents into the core structure having the above structure, it is possible to synthesize a compound having the intrinsic characteristics of the substituent introduced. For example, the hole injecting layer material and the hole transporting layer materials used in the production of the organic light emitting device have energy levels enough to transfer holes along HOMO (highest occupied molecular orbital), and the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) A compound capable of having an energy level enough to block the electrons passing along the electron transporting layer. Particularly, the core structure of the present compound exhibits stable characteristics in terms of electrons, which can contribute to improvement of lifetime of the device. The derivatives prepared by introducing the substituents to be used for the light emitting layer and the electron transporting layer material can be manufactured to have appropriate energy band gaps for various arylamine type dopants, aryl type dopants, metal containing dopants and the like.

또한, 상기 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 에너지 밴드갭을 미세하게 조절이 가능하게 하며, 한편으로 유기물 사이에서의 계면 특성을 향상시키며 물질의 용도를 다양하게 할 수 있다.In addition, by introducing various substituent groups into the core structure, it is possible to finely control the energy band gap, and to improve the interfacial characteristics between the organic materials and to diversify the use of the materials.

한편, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유리 전이 온도(Tg)가 높아 열적 안정성이 우수하다. 이러한 열적 안정성의 증가는 소자에 구동 안정성을 제공하는 중요한 요인이 된다.On the other hand, the compound represented by the formula (1) has a high glass transition temperature (Tg) and is excellent in thermal stability. This increase in thermal stability is an important factor in providing drive stability to the device.

또한, 본 발명에 따른 유기 전자 소자는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the organic electronic device according to the present invention is an organic electronic device comprising a first electrode, a second electrode, and one or more organic material layers disposed between the first electrode and the second electrode, one or more of the organic material layer It characterized in that it comprises a compound of the formula (1).

본 발명의 유기 전자 소자는 전술한 화합물들을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 전자 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic electronic device of the present invention can be produced by a conventional method and materials for producing an organic electronic device, except that one or more organic compound layers are formed using the above-described compounds.

상기 화학식 1의 화합물은 유기 전자 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.The compound of Formula 1 may be formed into an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum evaporation method in the production of an organic electronic device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, and the like, but is not limited thereto.

본 발명의 유기 전자 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 전자 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 전자 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic electronic device of the present invention may have a single layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic electronic device of the present invention may have a structure including a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer, and the like as an organic material layer. However, the structure of the organic electronic device is not limited to this, and may include a smaller number of organic layers.

따라서, 본 발명의 유기 전자 소자에서, 상기 유기물층은 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함할 수 있고, 이 정공 주입층 및 정공 수송층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.Accordingly, in the organic electronic device of the present invention, the organic material layer may include a hole injection layer and a hole transport layer, and the hole injection layer and the hole transport layer may include the compound represented by the above formula (1).

또한, 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고, 이 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In addition, the organic layer may include a light emitting layer, and the light emitting layer may include a compound represented by the general formula (1).

이와 같은 다층 구조의 유기물층에서 상기 화학식 1의 화합물은 발광층, 정공 주입/정공 수송과 발광을 동시에 하는 층, 정공 수송과 발광을 동시에 하는 층, 또는 전자 수송과 발광을 동시에 하는 층 등에 포함될 수 있다.In the organic layer having such a multi-layer structure, the compound of Formula 1 may be included in a light emitting layer, a layer that simultaneously transports holes and holes, a layer that simultaneously transports holes and light, or a layer that simultaneously transports electrons and emits light.

예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 내지 도 4에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.For example, the structure of the organic light emitting device of the present invention may have a structure as shown in Figs. 1 to 4, but is not limited thereto.

도 1에는 기판(101) 위에 양극(102), 발광층(105) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 발광층(105)에 포함될 수 있다.FIG. 1 illustrates a structure of an organic light emitting device in which an anode 102, a light emitting layer 105, and a cathode 107 are sequentially stacked on a substrate 101. In such a structure, the compound of Formula 1 may be included in the light emitting layer 105.

도 2에는 기판(101) 위에 양극(102), 정공 주입/정공 수송 및 발광층(105), 전자 수송층(106) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 정공 주입/정공 수송 및 발광층(105)에 포함될 수 있다.2 illustrates a structure of an organic light emitting device in which an anode 102, a hole injection / hole transporting and light emitting layer 105, an electron transporting layer 106, and a cathode 107 are sequentially stacked on a substrate 101. In such a structure, the compound of Formula 1 may be included in the hole injection / hole transporting and light emitting layer 105.

도 3에는 기판(101), 양극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송 및 발광층(105), 전자 수송층(106) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 정공 주입/정공 수송 및 발광층(105)에 포함될 수 있다.3 shows a structure of an organic light emitting device in which a substrate 101, an anode 102, a hole injecting layer 103, a hole transporting and emitting layer 105, an electron transporting layer 106, and a cathode 107 are sequentially stacked. . In such a structure, the compound of Formula 1 may be included in the hole injection / hole transporting and light emitting layer 105.

도 4에는 기판(101), 양극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 전자 수송 및 발광층(105) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 전자 수송 및 발광층(105)에 포함될 수 있다.4 shows a structure of an organic light emitting device in which a substrate 101, an anode 102, a hole injecting layer 103, a hole transporting layer 104, an electron transporting and emitting layer 105, and a cathode 107 are sequentially laminated. . In such a structure, the compound of Formula 1 may be included in the electron transporting and light emitting layer 105.

예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증착(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.For example, the organic light emitting device according to the present invention uses a metal vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation, and has a metal oxide or a metal oxide or an alloy thereof on a substrate. It can be prepared by depositing an anode to form an anode, an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to such a method, an organic light emitting device may be formed by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and a cathode material on a substrate.

상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.The organic material layer may have a multi-layer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, but is not limited thereto and may have a single layer structure. The organic material layer may be formed using a variety of polymeric materials by a method such as a solvent process such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, Layer.

상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸화합물의), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)화합물의](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the anode material, a material having a large work function is preferably used so that hole injection can be smoothly conducted into the organic material layer. Specific examples of the cathode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SnO 2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methyl compounds), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) compounds] (PEDT), polypyrrole and polyaniline.

상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The negative electrode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Layer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, but are not limited thereto.

상기 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the hole injecting material, it is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injecting material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of the hole injecting material include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic materials, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic materials, quinacridone-based organic materials, perylene , Anthraquinone, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but the present invention is not limited thereto.

상기 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the hole transporting material, a material capable of transporting holes from the anode or the hole injecting layer to the light emitting layer and having high mobility to holes is suitable. Specific examples include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.

상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting material is preferably a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and receiving holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, and having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compounds; Compounds of the benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole series; Polymers of poly (p-phenylenevinylene) (PPV) series; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.

상기 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the electron transporting material, a material capable of transferring electrons from the cathode well into the light emitting layer, which is suitable for electrons, is suitable. Specific examples include an Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a front emission type, a back emission type, or a both-sided emission type, depending on the material used.

본 발명에 따른 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.The compound according to the present invention may act on a principle similar to that applied to organic light emitting devices in organic electronic devices including organic solar cells, organic photoconductors, organic transistors and the like.

따라서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 인광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.Accordingly, the organic electronic device may be selected from the group consisting of an organic light emitting device, an organic phosphor device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), and an organic transistor.

이하, 실시예를 통하여 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물들의 제조방법 및 이들을 이용한 유기 전자 소자의 제조방법 및 성능에 대하여 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 설명을 위한 것이며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the method for preparing the compound represented by the formula (1) of the present invention, the method for producing the organic electronic device using the same, and the performance will be described in detail. However, the following examples are for illustrative purposes only, and the scope of the present invention is not limited by the following examples.

실시예에 있어서 평가 방법은 하기와 같다.The evaluation method in the examples is as follows.

1. 구동전압 : Kethley 236(source measure unit)을 사용하여 측정1. Driving voltage: measured using Kethley 236 (source measure unit)

2. 전류효율 : SpectraScan Pr-650을 사용하여 측정2. Current efficiency: measured using SpectraScan Pr-650

3. 색좌표 : SpectraScan Pr-650을 사용하여 측정3. Color Coordinates: Measured using SpectraScan Pr-650

본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 일반적으로 다단계 화학 반응으로 제조될 수 있다. 즉, 일부 중간체 화합물이 먼저 제조되고, 그 중간체 화합물들로부터 화학식 1의 화합물이 제조된다. 예증적인 중간체 화합물들은 하기 합성예에 나타낸 화합물 1A, 1B, 1C, 2B, 2C, 3A, 3B, 3C, 4A, 4B, 5A, 5B 등과 같은 화합물들이다.The compound represented by formula (1) according to the present invention can be generally prepared by a multistage chemical reaction. That is, some of the intermediate compounds are first prepared, and the compounds of formula (1) are prepared from the intermediate compounds. Illustrative intermediate compounds are compounds such as compounds 1A, 1B, 1C, 2B, 2C, 3A, 3B, 3C, 4A, 4B, 5A,

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in order to facilitate understanding of the present invention. However, the following examples are intended to illustrate the invention and are not intended to limit the scope of the invention.

<< 실시예Example >>

<< 합성예Synthetic example 1> 1>

Figure pat00028
Figure pat00028

1) 화합물 1A의 제조1) Preparation of Compound 1A

페난트렌-9-일-9-보론산(phenanthren-9-yl-9-boronic acid, 22.2g, 100mmol), 1-브로모-2-요오도벤젠(28.3g, 100mmol)을 테트라하이드로퓨란(400mL)에 완전히 녹인 후, 2M 탄산칼륨 수용액을 첨가하고, 테트라비스트리페닐포스피노 팔라듐(2.3g, 2mmol)을 넣은 후, 10시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고, 생성된 용액을 무수 황산마그네슘으로 건조하고, CHCl3/n-Hex으로 재결정하여 상기 화합물 1A인 9-(2-브로모페닐)페난트렌(9-(2-bromophenyl)phenanthrene, 27.3g, 수율 82%)을 제조하였다.Phenanthren-9-yl-9-boronic acid (22.2 g, 100 mmol) and 1-bromo-2-iodobenzene (28.3 g, 100 mmol) were dissolved in tetrahydrofuran 400 mL), followed by addition of 2M potassium carbonate aqueous solution, tetrabistriphenylphosphinopalladium (2.3 g, 2 mmol) was added, and the mixture was heated with stirring for 10 hours. The resulting solution was dried over anhydrous magnesium sulfate and recrystallized from CHCl 3 / n-Hex to obtain 9- (2-bromophenyl) phenanthrene , 27.3 g, yield 82%).

MS : [M+H]+ = 333MS: [M + H] &lt; + &gt; = 333

2) 화합물 1B의 제조2) Preparation of compound 1B

상기 1)에서 합성한 화합물 1A(12g, 36mmol)를 질소 분위기하에서 무수 THF(100mL)를 넣고, -78oC로 반응 온도를 유지하였다. n-BuLi(2.5M in HEX, 17.2mL, 43mmol)을 반응 용액에 적가하였다. 약 40분 동안 교반한 후 반응 혼합 용액에 2,7-디브로모플루오레논(2,7-dibromofluorenone, 12g, 35mmol)을 가해 교반하였다. 약 1시간 후 상온으로 승온한 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 수용성 염화암모늄 용액을 가한 후 THF층을 분리하였다. 무수 황산 마그네슘으로 유기층을 건조시킨 후, 에틸에테르를 가해 고체 화합물 1B를 제조하였다.Compound A (12 g, 36 mmol) synthesized in 1) above was placed in anhydrous THF (100 mL) under a nitrogen atmosphere, and the reaction temperature was maintained at -78 ° C. n-BuLi (2.5 M in HEX, 17.2 mL, 43 mmol) was added dropwise to the reaction solution. After stirring for about 40 minutes, 2,7-dibromofluorenone (12 g, 35 mmol) was added to the reaction mixture and stirred. After about 1 hour, the temperature was raised to room temperature and stirred for 3 hours. Aqueous ammonium chloride solution was added to the reaction mixture and the THF layer was separated. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, and ethyl ether was added thereto to prepare a solid compound 1B.

MS : [M+H]+ = 592MS: [M + H] &lt; + &gt; = 592

3) 화합물 1C의 제조3) Preparation of compound 1C

상기 2)에서 얻은 화합물 1B를 더 이상 정제하지 않고, 아세트산 100mL를 가해 교반하였다. 반응 용액에 황산 2mL을 적가한 후 80℃에서 가열 교반하였다. 8시간 동안 교반 후 상온으로 식혀 생성된 노란색 고체를 여과하고, 물과 에탄올로 씻은 후 건조하여 화합물 1C(18.3g, 수율 91%)를 제조하였다.Compound 1B obtained in 2) was not further purified, and 100 mL of acetic acid was added and stirred. 2 mL of sulfuric acid was added dropwise to the reaction solution, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. After stirring for 8 hours, the mixture was cooled to room temperature, and the resulting yellow solid was filtered, washed with water and ethanol, and then dried to give Compound 1C (18.3 g, yield 91%).

MS : [M+H]+ = 574MS: [M + H] &lt; + &gt; = 574

<< 합성예Synthetic example 2> 2>

Figure pat00029
Figure pat00029

1) 화합물 2B의 제조1) Preparation of compound 2B

상기 합성예 1의 1)에서 합성한 화합물 1A(12g, 36mmol)를 질소 분위기하에서 무수 THF(100mL)를 넣고, -78oC로 반응 온도를 유지하였다. n-BuLi(2.5M in HEX, 17.2mL, 43mmol)을 반응 용액에 적가하였다. 약 40분 동안 교반한 후 반응 혼합 용액에 2-브로모플루오레논(2-bromofluorenone, 9.1g, 35mmol)을 가해 교반하였다. 약 1시간 후 상온으로 승온한 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 수용성 염화암모늄 용액을 가한 후 THF층을 분리하였다. 무수 황산 마그네슘으로 유기층을 건조시킨 후, 에틸에테르를 가해 고체 화합물 2B를 제조하였다.Compound A (12 g, 36 mmol) synthesized in 1) above in Synthesis Example 1 was placed in anhydrous THF (100 mL) under a nitrogen atmosphere, and the reaction temperature was maintained at -78 ° C. n-BuLi (2.5 M in HEX, 17.2 mL, 43 mmol) was added dropwise to the reaction solution. After stirring for about 40 minutes, 2-bromofluorenone (9.1 g, 35 mmol) was added to the reaction mixture and stirred. After about 1 hour, the temperature was raised to room temperature and stirred for 3 hours. Aqueous ammonium chloride solution was added to the reaction mixture and the THF layer was separated. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, and ethyl ether was added thereto to prepare a solid compound 2B.

MS : [M+H]+ = 513MS: [M + H] &lt; + &gt; = 513

2) 화합물 2C의 제조2) Preparation of compound 2C

상기 1)에서 얻은 화합물 2B를 더 이상 정제하지 않고, 아세트산 100mL를 가해 교반하였다. 반응 용액에 황산 2mL을 적가한 후 80℃에서 가열 교반하였다. 8시간 동안 교반 후 상온으로 식혀 생성된 노란색 고체를 여과하고, 물과 에탄올로 씻은 후 건조하여 화합물(13.7g, 수율 79%)를 제조하였다.Compound 2B obtained in 1) above was not purified, and 100 mL of acetic acid was added and stirred. 2 mL of sulfuric acid was added dropwise to the reaction solution, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. After stirring for 8 hours, the mixture was cooled to room temperature, and the resulting yellow solid was filtered, washed with water and ethanol, and dried to obtain a compound (13.7 g, yield 79%).

MS : [M+H]+ = 495MS: [M + H] &lt; + &gt; = 495

<< 합성예Synthetic example 3> 3>

Figure pat00030
Figure pat00030

1) 화합물 3A의 제조1) Preparation of Compound 3A

파이렌-1-일-1-보론산(pyren-1-yl-1-boronic acid, 28.1g, 100mmol), 1-브로모-2-요오도벤젠(28.3g, 100mmol)을 테트라하이드로퓨란(400mL)에 완전히 녹인 후, 2M 탄산칼륨 수용액을 첨가하고, 테트라비스트리페닐포스피노 팔라듐(2.3g, 2mmol)을 넣은 후, 10시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고, 생성된 용액을 무수 황산마그네슘으로 건조하고, CHCl3/n-Hex으로 재결정하여 상기 화합물 3A(23.6g, 수율 66%)를 제조하였다.Pyren-1-yl-1-boronic acid (28.1 g, 100 mmol) and 1-bromo-2-iodobenzene (28.3 g, 100 mmol) were dissolved in tetrahydrofuran 400 mL), followed by addition of 2M potassium carbonate aqueous solution, tetrabistriphenylphosphinopalladium (2.3 g, 2 mmol) was added, and the mixture was heated with stirring for 10 hours. The temperature was lowered to room temperature, and the resulting solution was dried over anhydrous magnesium sulfate and recrystallized with CHCl 3 / n-Hex to obtain Compound 3A (23.6 g, yield 66%).

MS : [M+H]+ = 357MS: [M + H] &lt; + &gt; = 357

2) 화합물 3B의 제조2) Preparation of compound 3B

상기 1)에서 합성한 화합물 3A(10g, 36mmol)를 질소 분위기하에서 무수 THF(100mL)를 넣고, -78oC로 반응 온도를 유지하였다. n-BuLi(2.5M in HEX, 17.2mL, 43mmol)을 반응 용액에 적가하였다. 약 40분 동안 교반한 후 반응 혼합 용액에 2-브로모플루오레논(2-bromofluorenone, 9.1g, 35mmol)을 가해 교반하였다. 약 1시간 후 상온으로 승온한 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 수용성 염화암모늄 용액을 가한 후 THF층을 분리하였다. 무수 황산 마그네슘으로 유기층을 건조시킨 후, 에틸에테르를 가해 고체 화합물 3B를 제조하였다.Anhydrous THF (100 mL) was added to the compound 3A (10 g, 36 mmol) synthesized in the above 1) under a nitrogen atmosphere, and the reaction temperature was maintained at -78 ° C. n-BuLi (2.5 M in HEX, 17.2 mL, 43 mmol) was added dropwise to the reaction solution. After stirring for about 40 minutes, 2-bromofluorenone (9.1 g, 35 mmol) was added to the reaction mixture and stirred. After about 1 hour, the temperature was raised to room temperature and stirred for 3 hours. Aqueous ammonium chloride solution was added to the reaction mixture and the THF layer was separated. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, and ethyl ether was added thereto to prepare a solid compound 3B.

MS : [M+H]+ = 537MS: [M + H] &lt; + &gt; = 537

3) 화합물 3C의 제조3) Preparation of compound 3C

상기 2)에서 얻은 화합물 3B를 더 이상 정제하지 않고, 아세트산 100mL를 가해 교반하였다. 반응 용액에 황산 2mL을 적가한 후 80℃에서 가열 교반하였다. 8시간 동안 교반 후 상온으로 식혀 생성된 노란색 고체를 여과하고, 물과 에탄올로 씻은 후 건조하여 화합물 3C(9.9 g, 수율 53 %)를 제조하였다.Compound 3B obtained in 2) was not further purified, and 100 mL of acetic acid was added and stirred. 2 mL of sulfuric acid was added dropwise to the reaction solution, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. After stirring for 8 hours, the reaction mixture was cooled to room temperature, and the resulting yellow solid was filtered, washed with water and ethanol, and dried to give Compound 3C (9.9 g, yield 53%).

MS : [M+H]+ = 519MS: [M + H] &lt; + &gt; = 519

<< 제조예Manufacturing example 1> 화합물 1-2-28의 제조 1> Preparation of Compound 1-2-28

Figure pat00031
Figure pat00031

2-[9,10-디-2-나프탈레닐-2-안트라세닐]-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란(2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, 10g, 18.0mmol), 화합물 2C(8.9g, 18.0mmol) 및 탄산나트륨(5.0g, 35.9mmol)을 테트라히드로퓨란(300mL) 및 물(100mL)의 혼합물 내 현탁시켰다. 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0.4g, 0.36mmol)을 상기 현탁액에 가하였다. 혼합물을 환류에서 약 24시간 동안 교반한 다음 실온으로 냉각하였다. 생성된 고체를 여과한 THF/EtOH로 정제하여 화합물 1-2-28(11.6g, 수율 76%)을 제조하였다.2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane (2- [ -di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, 10g, 18.0 mmol), Compound 2C (8.9 g, 18.0 mmol) and sodium carbonate , 35.9 mmol) was suspended in a mixture of tetrahydrofuran (300 mL) and water (100 mL). Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0.4 g, 0.36 mmol) was added to the suspension. The mixture was stirred at reflux for about 24 hours and then cooled to room temperature. The resulting solid was purified by filtration with THF / EtOH to give compounds 1-2-28 (11.6 g, yield 76%).

MS : [M+H]+ = 845MS: [M + H] &lt; + &gt; = 845

<< 제조예Manufacturing example 2> 화합물 1-2-66의 제조 2> Preparation of Compound 1-2-66

Figure pat00032
Figure pat00032

상기 제조예 1의 화합물 1-2-28의 제조예에 있어서, 2-[9,10-디-2-나프탈레닐-2-안트라세닐]-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란(2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane) 대신에 파이렌-1-일-1-보론산(pyren-1-yl-1-boronic acid, 8.9g, 36.0mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응시켜 화합물 1-2-66(19.3g, 수율 87%)을 제조하였다.In the production example of the compound 1-2-28 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl- , Instead of 3,2-dioxaborolane (2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl- Except that pyren-1-yl-1-boronic acid (8.9 g, 36.0 mmol) was used in place of 2-chloro-1- %).

MS : [M+H]+ = 617MS: [M + H] &lt; + &gt; = 617

<< 제조예Manufacturing example 3> 화합물 1-2-29의 제조 3> Preparation of Compound 1-2-29

Figure pat00033
Figure pat00033

상기 제조예 1의 1-2-28의 제조예에 있어서, 2-[9,10-디-2-나프탈레닐-2-안트라세닐]-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란(2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane) 대신에 4,4,5,5-테트라메틸-2-(4-(10-(나프탈렌-1-일)안트라센-9-일)페닐)-1,3,2-디옥사보로란(4,4,5,5-tetramethyl-2-(4-(10-(naphthalen-1-yl)anthracen-9-yl)phenyl)-1,3,2-dioxaborolane, 5.1g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 1-2-29(7.0g, 수율 88%)를 제조하였다.In the production example 1-2-28 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5- 4, 5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane instead of 2- [9,10-di-2- naphthalenyl- 2- anthracenyl] 9,5-tetramethyl-2- (4- (10- (naphthalen-1-yl) anthracen-9-yl) phenyl) -1,3,2-dioxaborolane (4,4,5 , 5-tetramethyl-2- (4- (10- (naphthalen-1-yl) anthracen-9-yl) phenyl) -1,3,2- dioxaborolane, 5.1 g, 10.0 mmol) To obtain Compound 1-2-29 (7.0 g, yield 88%).

MS : [M+H]+ = 795MS: [M + H] &lt; + &gt; = 795

<< 제조예Manufacturing example 4> 화합물 1-2-31의 제조 4> Preparation of Compound 1-2-31

Figure pat00034
Figure pat00034

상기 제조예 1의 1-2-28의 제조예에 있어서, 2-[9,10-디-2-나프탈레닐-2-안트라세닐]-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란(2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane) 대신에 상기 안트라센 보론산 화합물(3.5g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 1-2-31(4.1g, 수율 57%)을 제조하였다.In the production example 1-2-28 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5- Instead of 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, The compound 1-2-31 (4.1 g, yield 57%) was prepared by reacting the same method except that the boronic acid compound (3.5 g, 10.0 mmol) was used.

MS : [M+H]+ = 719MS: [M + H] &lt; + &gt; = 719

<< 제조예Manufacturing example 5> 화합물 1-2-32의 제조 5> Preparation of Compound 1-2-32

Figure pat00035
Figure pat00035

상기 제조예 1의 1-2-28의 제조예에 있어서, 2-[9,10-디-2-나프탈레닐-2-안트라세닐]-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란(2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane) 대신에 상기 안트라센 보론산 화합물(4.0g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 1-2-32(4.9g, 수율 64%)을 제조하였다.In the production example 1-2-28 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5- Instead of 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, The compound 1-2-32 (4.9 g, yield 64%) was prepared by reacting the same method except that the boronic acid compound (4.0 g, 10.0 mmol) was used.

MS : [M+H]+ = 769MS: [M + H] &lt; + &gt; = 769

<< 제조예Manufacturing example 6> 화합물 1-2-15의 제조 6> Preparation of Compound 1-2-15

Figure pat00036
Figure pat00036

상기 제조예 1의 1-2-28의 제조예에 있어서, 2-[9,10-디-2-나프탈레닐-2-안트라세닐]-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란(2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane) 대신에 4,4,5,5-테트라메틸-2-(2-(나프탈렌-7-일)나프탈렌-6-일)-1,3,2-디옥사보로란(4,4,5,5-tetramethyl-2-(2-(naphthalen-7-yl)naphthalen-6-yl)-1,3,2-dioxaborolane, 4.0g, 10.5mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 1-2-15(4.7g, 수율 58%)를 제조하였다.In the production example 1-2-28 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5- 4, 5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane instead of 2- [9,10-di-2- naphthalenyl- 2- anthracenyl] 4,5,5-tetramethyl-2- (2- (naphthalen-7-yl) naphthalen-6-yl) -1,3,2-dioxabororane (4,4,5,5- Except that 2- (2- (naphthalen-7-yl) naphthalen-6-yl) -1,3,2-dioxaborolane, 4.0 g, 10.5 mmol) 4.7 g, yield 58%).

MS : [M+H]+ = 669MS: [M + H] &lt; + &gt; = 669

<< 제조예Manufacturing example 7> 화합물 1-2-18의 제조 7> Preparation of Compound 1-2-18

Figure pat00037
Figure pat00037

상기 제조예 1의 1-2-28의 제조예에 있어서, 2-[9,10-디-2-나프탈레닐-2-안트라세닐]-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란(2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane) 대신에 상기 2-나프탈렌 보론산 화합물(4.1g, 24.0mmol)을, 화합물 2C 대신에 화합물 1C를 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 1-2-18(4.9g, 수율 73%)을 제조하였다.In the production example 1-2-28 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5- 2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane instead of 2- [9,10- -Naphthaleneboronic acid compound (4.1 g, 24.0 mmol) was reacted in the same manner except that Compound 1C was used instead of Compound 2C to give Compound 1-2-18 (4.9 g, yield 73%).

MS : [M+H]+ = 669MS: [M + H] &lt; + &gt; = 669

<< 제조예Manufacturing example 8> 화합물 1-3-2의 제조 8> Preparation of Compound 1-3-2

Figure pat00038
Figure pat00038

1) 화합물 4A의 제조1) Preparation of compound 4A

Figure pat00039
Figure pat00039

2-[9,10-디-2-나프날레닐-2-안트라세닐]-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란(2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, 56g, 100mmol), 1-브로모-2-요오도벤젠(28.3g, 100mmol)을 테트라하이드로퓨란(400mL)에 완전히 녹인 후, 2M 탄산칼륨 수용액을 첨가하고, 테트라비스트리페닐포스피노 팔라듐(2.3g, 2mmol)을 넣은 후, 10시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고, 생성된 용액을 무수 황산마그네슘으로 건조하고, CHCl3/n-Hex으로 재결정하여 상기 화합물 4A(23.6g, 수율 66%)를 제조하였다.2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane (2- [ -di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, 56g, 100mmol), 1-bromo-2-iodobenzene (28.3g, 100mmol ) Was completely dissolved in tetrahydrofuran (400 mL), 2M potassium carbonate aqueous solution was added, and tetrabistriphenylphosphinopalladium (2.3 g, 2 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 10 hours. The temperature was lowered to room temperature, and the resulting solution was dried over anhydrous magnesium sulfate and recrystallized from CHCl 3 / n-Hex to obtain Compound 4A (23.6 g, yield 66%).

MS : [M+H]+ = 585MS: [M + H] &lt; + &gt; = 585

2) 화합물 4B의 제조2) Preparation of compound 4B

상기 1)에서 합성한 화합물 4A(12g, 20.5mmol)를 질소 분위기하에서 무수 THF(100mL)를 넣고, -78oC로 반응 온도를 유지하였다. n-BuLi(2.5M in HEX, 11.5mL, 28.7mmol)을 반응 용액에 적가하였다. 약 40분 동안 교반한 후 반응 혼합 용액에 플루오레논(fluorenone, 3.6g, 20mmol)을 가해 교반하였다. 약 1시간 후 상온으로 승온한 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 수용성 염화암모늄 용액을 가한 후 THF층을 분리하였다. 무수 황산 마그네슘으로 유기층을 건조시킨 후, 에틸에테르를 가해 고체 화합물 4B를 제조하였다.Compound 4A (12 g, 20.5 mmol) synthesized in 1) above was placed in anhydrous THF (100 mL) under a nitrogen atmosphere, and the reaction temperature was maintained at -78 ° C. n-BuLi (2.5 M in HEX, 11.5 mL, 28.7 mmol) was added dropwise to the reaction solution. After stirring for about 40 minutes, fluorenone (3.6 g, 20 mmol) was added to the reaction mixture and stirred. After about 1 hour, the temperature was raised to room temperature and stirred for 3 hours. Aqueous ammonium chloride solution was added to the reaction mixture and the THF layer was separated. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, and ethyl ether was added thereto to prepare a solid compound 4B.

MS : [M+H]+ = 686MS: [M + H] &lt; + &gt; = 686

3) 화합물 1-3-2의 제조3) Preparation of compound 1-3-2

상기 2)에서 얻은 화합물 4B를 더 이상 정제하지 않고, 아세트산 100mL를 가해 교반하였다. 반응 용액에 황산 2mL을 적가한 후 80℃에서 가열 교반하였다. 8시간 동안 교반 후 상온으로 식혀 생성된 노란색 고체를 여과하고, 물과 에탄올로 씻은 후 건조하여 화합물 1-3-2(12.2g, 수율 91%)를 제조하였다.Compound 4B obtained in 2) was not further purified, and 100 mL of acetic acid was added and stirred. 2 mL of sulfuric acid was added dropwise to the reaction solution, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. After stirring for 8 hours, the reaction mixture was cooled to room temperature, and the resulting yellow solid was filtered, washed with water and ethanol, and dried to give Compound 1-3-2 (12.2 g, yield 91%).

MS : [M+H]+ = 669MS: [M + H] &lt; + &gt; = 669

<< 제조예Manufacturing example 9> 화합물 1-2-38의 제조 9> Preparation of Compound 1-2-38

Figure pat00040
Figure pat00040

카바졸(4.0g, 24mmol), 화합물 1C(5.7g, 10mmol)를 자일렌 200ml에 용해시키고, 나트륨-터셔리-부톡사이드 1.4g(14mmol), Pd[P(t-Bu)3]2 0.1g(0.2mmol)을 첨가한 후, 5시간 동안 질소 기류 하에서 환류하였다. 반응 용액에 증류수를 넣고 반응을 종료시키고 유기층을 추출하였다. 노르말-헥산/CHCl3 용매로 재결정하여 화합물 1-2-38(4.7g, 수율 63%)를 제조하였다.1.4 g (14 mmol) of sodium-tertiary-butoxide and 0.1 g of Pd [P (t-Bu) 3 ] 2 were added to a solution of 0.1 g (24 mmol) g (0.2 mmol) was added thereto, and the mixture was refluxed in a nitrogen stream for 5 hours. Distilled water was added to the reaction solution, the reaction was terminated, and the organic layer was extracted. And recrystallized with a solvent of n-hexane / CHCl 3 to obtain Compound 1-2-38 (4.7 g, yield 63%).

MS : [M+H]+ = 747MS: [M + H] &lt; + &gt; = 747

<< 제조예Manufacturing example 10> 화합물 1-2-45의 제조 10> Preparation of Compound 1-2-45

Figure pat00041
Figure pat00041

화합물 1C(5.1g, 8.8mmol), 1-나프틸페닐아민(4.2g, 19.4mmol)을 자일렌 150ml에 용해시키고, 나트륨-터셔리-부톡사이드(1.27g, 13.26mmol), Pd[P(t-Bu)3]2 0.045g(0.088mmol)을 첨가한 후, 5시간 동안 질소 기류 하에서 환류하였다. 반응 용액에 증류수를 넣고 반응을 종료시키고 유기층을 추출하였다. 에틸아세테이트에 녹인 후 에탄올로 결정화하여 여과한 뒤 진공 건조하여 화합물 1-2-45(4.1g, 수율 55%)를 제조하였다.Compound 1C (5.1 g, 8.8 mmol) and 1-naphthylphenylamine (4.2 g, 19.4 mmol) were dissolved in 150 ml of xylene and sodium-tertiary-butoxide (1.27 g, 13.26 mmol) and Pd [P t-Bu) 3 ] 2 (0.045 g, 0.088 mmol) was added thereto, and the mixture was refluxed in a nitrogen stream for 5 hours. Distilled water was added to the reaction solution, the reaction was terminated, and the organic layer was extracted. Ethyl acetate, followed by crystallization with ethanol, followed by filtration and vacuum drying to obtain Compound 1-2-45 (4.1 g, yield 55%).

MS : [M+H]+ =851MS: [M + H] &lt; + &gt; = 851

<< 제조예Manufacturing example 11> 화합물 1-2-68의 제조 11> Preparation of Compound 1-2-68

Figure pat00042
Figure pat00042

화합물 1C(5.7g, 10mmol), 디-(2-메틸페닐)아민(3.9g, 20mmol)을 자일렌 120ml에 용해시키고, 나트륨-터셔리-부톡사이드(1.27g, 13.26mmol), Pd[P(t-Bu)3]2 0.045g(0.088mmol)을 첨가한 후, 5시간 동안 질소 기류 하에서 환류하였다. 반응 용액에 증류수를 넣고 반응을 종료시키고 유기층을 추출하였다. 에틸아세테이트에 녹인 후 에탄올로 결정화하여 여과한 뒤 진공 건조하여 화합물 1-2-68(4.8g, 수율 60%)을 제조하였다.The compound 1C (5.7 g, 10 mmol) and di- (2-methylphenyl) amine (3.9 g, 20 mmol) were dissolved in 120 ml of xylene and sodium- tertiary-butoxide (1.27 g, 13.26 mmol) t-Bu) 3 ] 2 (0.045 g, 0.088 mmol) was added thereto, and the mixture was refluxed in a nitrogen stream for 5 hours. Distilled water was added to the reaction solution, the reaction was terminated, and the organic layer was extracted. Ethyl acetate, followed by crystallization with ethanol, followed by filtration and vacuum drying to obtain Compound 1-2-68 (4.8 g, yield 60%).

MS : [M+H]+ =807MS: [M + H] &lt; + &gt; = 807

<< 제조예Manufacturing example 12> 화합물 1-2-64의 제조 12> Preparation of Compound 1-2-64

Figure pat00043
Figure pat00043

상기 제조예 1의 1-2-28의 제조예에 있어서, 2-[9,10-디-2-나프탈레닐-2-안트라세닐]-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란(2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane) 대신에 2-(2-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)나프탈렌-6-일)-1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸(2-(2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)naphthalen-6-yl)-1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole, 4.5g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 1-2-64(5.3g, 수율 73%)을 제조하였다.In the production example 1-2-28 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5- 2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane instead of 2- [9,10- (2- (4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxabororane-2-yl) naphthalen-6-yl) (2- (4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) naphthalen-6-yl) -1-phenyl-1H-benzo [d] imidazole, , 10.0 mmol), the compound 1-2-64 (5.3 g, yield 73%) was prepared.

MS : [M+H]+ = 735MS: [M + H] &lt; + &gt; = 735

<< 제조예Manufacturing example 13> 화합물 1-2-54의 제조 13> Preparation of Compound 1-2-54

Figure pat00044
Figure pat00044

상기 제조예 1의 1-2-28의 제조예에 있어서, 2-[9,10-디-2-나프탈레닐-2-안트라세닐]-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란(2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane) 대신에 2-(4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)페닐)벤조[h]퀴놀린(2-(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)benzo[h]quinoline, 4.6g, 12.0mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응하여 화합물 1-2-54(7.1g, 수율 88%)를 제조하였다.In the production example 1-2-28 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5- 2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane instead of 2- [9,10- (4- (4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) phenyl) benzo [h] quinoline (2- (4- , 5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) phenyl) benzo [h] quinoline, 4.6 g, 12.0 mmol) , Yield: 88%).

MS : [M+H]+ = 670MS: [M + H] &lt; + &gt; = 670

<< 제조예Manufacturing example 14> 화합물 1-2-41의 제조 14> Preparation of Compound 1-2-41

Figure pat00045
Figure pat00045

화합물 2C(8.6g, 19.4mmol), 4-(디바이페닐아미노)페닐보론산(4-(dibiphenylamino)phenylboronic acid, 9.6g, 19.4mmol)을 자일렌 150ml에 용해시키고, 나트륨-터셔리-부톡사이드(1.27g, 13.26mmol), Pd[P(t-Bu)3]2 0.045g(0.088mmol)을 첨가한 후, 5시간 동안 질소 기류 하에서 환류하였다. 반응 용액에 증류수를 넣고 반응을 종료시키고 유기층을 추출하였다. 클로로포름에 녹인 후 에탄올로 결정화하여 여과한 뒤 진공 건조하여 화합물 1-2-41(11.3g, 수율 72%)을 제조하였다.The compound 2C (8.6 g, 19.4 mmol) and 4- (dibiphenylamino) phenylboronic acid (9.6 g, 19.4 mmol) were dissolved in 150 ml of xylene and sodium- tertiary- (1.27 g, 13.26 mmol) and 0.045 g (0.088 mmol) of Pd [P (t-Bu) 3 ] 2 were added and refluxed in a nitrogen stream for 5 hours. Distilled water was added to the reaction solution, the reaction was terminated, and the organic layer was extracted. The residue was dissolved in chloroform, followed by crystallization with ethanol, followed by filtration and vacuum drying to obtain Compound 1-2-41 (11.3 g, yield 72%).

MS : [M+H]+ =812MS: [M + H] &lt; + &gt; = 812

<< 제조예Manufacturing example 15> 화합물 1-2-43의 제조 15> Preparation of Compound 1-2-43

Figure pat00046
Figure pat00046

화합물 1C(5.7g, 10mmol), 비스바이페닐아민(7.1g, 22mmol)을 자일렌 120ml에 용해시키고, 나트륨-터셔리-부톡사이드(1.27g, 13.26mmol), Pd[P(t-Bu)3]2 0.045g(0.088mmol)을 첨가한 후, 5시간 동안 질소 기류 하에서 환류하였다. 반응 용액에 증류수를 넣고 반응을 종료시키고 유기층을 추출하였다. 에틸아세테이트에 녹인 후 에탄올로 결정화하여 여과한 뒤 진공 건조하여 화합물 1-2-43(5.1g, 수율 57%)를 제조하였다.Bu is dissolved in 120 ml of xylene and sodium-tertiary-butoxide (1.27 g, 13.26 mmol), Pd [P (t-Bu) 3 ] 2 (0.045 g, 0.088 mmol) was added thereto, and the mixture was refluxed in a nitrogen stream for 5 hours. Distilled water was added to the reaction solution, the reaction was terminated, and the organic layer was extracted. Ethyl acetate, followed by crystallization with ethanol, followed by filtration and vacuum drying to obtain Compound 1-2-43 (5.1 g, yield 57%).

MS: [M+H]+ =1055MS: [M + H] &lt; + &gt; = 1055

<< 제조예Manufacturing example 16> 화합물 1-1-39의 제조 16> Preparation of Compound 1-1-39

Figure pat00047
Figure pat00047

상기 제조예 1의 화합물 1-2-28의 제조예에 있어서, 2-[9,10-디-2-나프탈레닐-2-안트라세닐]-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란(2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane) 대신에 2-(2-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)페닐렌-6-일)-1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸(2-(2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenylen-6-yl)-1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole, 4.0g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응시켜 화합물 1-1-39(5.2g, 수율 73%)을 제조하였다.In the production example of the compound 1-2-28 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl- 2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane instead of 2- [9,10- - (2- (4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) phenylene- 6-yl) -1-phenyl-lH-benzo [d] imidazole, 4.0 g, 10.0 mmol) was used to prepare the compound 1-1-39 (5.2 g, yield 73%).

MS : [M+H]+ = 709MS: [M + H] &lt; + &gt; = 709

<< 제조예Manufacturing example 17> 화합물 1-2-49의 제조 17> Preparation of Compound 1-2-49

Figure pat00048
Figure pat00048

상기 제조예 1의 화합물 1-2-28의 제조예에 있어서, 2-[9,10-디-2-나프탈레닐-2-안트라세닐]-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란(2-[9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane) 대신에 2-(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine, 4.8g, 11.0mmol)을 사용한 것을 제외하고 동일한 방법으로 반응시켜 화합물 1-2-49(3.4g, 수율 45%)를 제조하였다.In the production example of the compound 1-2-28 of Preparation Example 1, 2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl- 2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane instead of 2- [9,10- - (4- (4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) phenyl) -4,6-diphenyl-1,3,5-triazine, 4.8 g, 11.0 mmol) (3.4 g, 45% yield) was prepared.

MS : [M+H]+ = 748MS: [M + H] &lt; + &gt; = 748

<< 제조예Manufacturing example 18> 화합물 1-3-5의 제조 18> Preparation of Compound 1-3-5

Figure pat00049
Figure pat00049

1) 화합물 5A의 제조1) Preparation of compound 5A

Figure pat00050
Figure pat00050

2-[9,10-디-2-나프날레닐-2-안트라세닐]-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란(4,4,5,5-tetramethyl-2-(9,10-diphenylanthracen-3-yl)-1,3,2-dioxaborolane, 9.1g, 20mmol), 1-브로모-2-요오도벤젠(5.7g, 20mmol)을 테트라하이드로퓨란(150mL)에 완전히 녹인 후, 2M 탄산칼륨 수용액을 첨가하고, 테트라비스트리페닐포스피노 팔라듐(0.46 g, 0.4mmol)을 넣은 후, 10시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고, 생성된 용액을 무수 황산마그네슘으로 건조하고, CHCl3/n-Hex으로 재결정하여 상기 화합물 5A(7.4g, 수율 76%)를 제조하였다.2- [9,10-di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl] -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane (4,4,5, Bromo-2-iodobenzene (5.7 g, 20 mmol) was added to a solution of tetra (4-fluoro-2- After completely dissolved in hydrofuran (150 mL), 2M potassium carbonate aqueous solution was added, tetrabistriphenylphosphinopalladium (0.46 g, 0.4 mmol) was added, and the mixture was stirred with heating for 10 hours. The temperature was lowered to room temperature, and the resulting solution was dried over anhydrous magnesium sulfate and recrystallized from CHCl 3 / n-Hex to give Compound 5A (7.4 g, yield 76%).

MS : [M+H]+ = 485MS: [M + H] &lt; + &gt; = 485

2) 화합물 5B의 제조2) Preparation of compound 5B

상기 1)에서 합성한 화합물 5A(7.4g, 15.2mmol)를 질소 분위기하에서 무수 THF(80mL)를 넣고, -78oC로 반응 온도를 유지하였다. n-BuLi(2.5M in HEX, 9.1mL, 22.8mmol)을 반응 용액에 적가하였다. 약 40분 동안 교반한 후 반응 혼합 용액에 2-(나프탈렌-6-일)-9H-플루오렌-9-온(2-(naphthalen-6-yl)-9H-fluoren-9-one, 6.1g, 20mmol)을 가해 교반하였다. 약 1시간 후 상온으로 승온한 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 수용성 염화암모늄 용액을 가한 후 THF층을 분리하였다. 무수 황산 마그네슘으로 유기층을 건조시킨 후, 에틸에테르를 가해 고체 화합물 5B를 제조하였다.To the compound 5A (7.4 g, 15.2 mmol) synthesized in 1) above was added anhydrous THF (80 mL) under a nitrogen atmosphere, and the reaction temperature was maintained at -78 ° C. n-BuLi (2.5 M in HEX, 9.1 mL, 22.8 mmol) was added dropwise to the reaction solution. After stirring for about 40 minutes, to the reaction mixture was added 2- (naphthalen-6-yl) -9H-fluoren-9-one, 6.1 g , 20 mmol) was added and stirred. After about 1 hour, the temperature was raised to room temperature and stirred for 3 hours. Aqueous ammonium chloride solution was added to the reaction mixture and the THF layer was separated. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, and ethyl ether was added thereto to prepare a solid compound 5B.

MS : [M+H]+ = 712MS: [M + H] &lt; + &gt; = 712

3) 화합물 1-3-5의 제조3) Preparation of compound 1-3-5

상기 2)에서 얻은 화합물 5B를 더 이상 정제하지 않고, 아세트산 100mL를 가해 교반하였다. 반응 용액에 황산 2mL을 적가한 후 80℃에서 가열 교반하였다. 8시간 동안 교반 후 상온으로 식혀 생성된 노란색 고체를 여과하고, 물과 에탄올로 씻은 후 건조하여 화합물 1-3-5(13.1g, 수율 94%)를 제조하였다.Compound 5B obtained in 2) above was not purified, and 100 mL of acetic acid was added and stirred. 2 mL of sulfuric acid was added dropwise to the reaction solution, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. After stirring for 8 hours, the reaction mixture was cooled to room temperature, and the resulting yellow solid was filtered, washed with water and ethanol, and dried to obtain Compound 1-3-5 (13.1 g, yield 94%).

MS : [M+H]+ = 695MS: [M + H] &lt; + &gt; = 695

<< 실험예Experimental Example 1-1> 1-1>

ITO(indium tin oxide)가 1,500Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔(Fischer Co.) 사의 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어(Millipore Co.) 사 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.The glass substrate coated with ITO (indium tin oxide) film with a thickness of 1,500 Å was immersed in distilled water containing detergent and washed with ultrasonic waves. As a detergent, a product of Fischer Co. was used. Distilled water, which was filtered by a filter of Millipore Co., was used as distilled water. The ITO was washed for 30 minutes and then washed twice with distilled water and ultrasonically cleaned for 10 minutes. After the distilled water was washed, it was ultrasonically washed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. The substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transported by a vacuum evaporator.

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 그 위에 정공을 수송하는 물질인 NPB(400Å)를 진공증착한 후 발광층으로 호스트 H1과 도판트 D1 화합물을 300Å의 두께로 진공 증착하였다.Hexanitrile hexaazatriphenylene was thermally vacuum deposited on the prepared ITO transparent electrode to a thickness of 500 Å to form a hole injection layer. NPB (400 Å), which is a hole transporting material, was vacuum deposited thereon, and a host H1 and a dopant D1 compound were vacuum deposited as a light emitting layer to a thickness of 300 Å.

Figure pat00051
Figure pat00051

Figure pat00052
Figure pat00052

상기 발광층 위에 상기 제조예 13에서 제조한 화합물 1-2-54를 200Å의 두께로 진공증착하여 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께의 리튬 플루라이드(LiF)와 2,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다. 상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1 Å/sec를 유지하였고, 리튬플루라이드는 0.2 Å/sec, 알루미늄은 3 ~ 7 Å/sec의 증착속도를 유지하였다.Compound 1-2-54 prepared in Preparation Example 13 was vacuum deposited on the light emitting layer to a thickness of 200 Å to form an electron injection and transport layer. Lithium fluoride (LiF) 12 Å thick and aluminum 2,000 Å thick were sequentially deposited on the electron injection and transport layer to form a cathode. In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 1 Å / sec, the deposition rate of lithium fluoride was 0.2 Å / sec, and the deposition rate of aluminum was 3 to 7 Å / sec.

<< 실험예Experimental Example 1-2> 1-2>

상기 실험예 1-1에서 상기 발광층 위에 상기 제조예 13에서 제조한 화합물 1-2-54 대신 화합물 1-1-39를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was carried out in Experimental Example 1-1, except that Compound 1-1-39 was used instead of Compound 1-2-54 prepared in Preparation Example 13 on the light-emitting layer.

<< 실험예Experimental Example 1-3> 1-3>

상기 실험예 1-1에서 상기 발광층 위에 상기 제조예 13에서 제조한 화합물 1-2-54 대신 화합물 1-2-49를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.In Experimental Example 1-1, the same experiment was conducted except that Compound 1-2-49 was used instead of Compound 1-2-54 prepared in Preparation Example 13 on the light emitting layer.

<< 실험예Experimental Example 1-4> 1-4>

상기 실험예 1-1에서 상기 발광층 위에 상기 제조예 13에서 제조한 화합물 1-2-54 대신 화합물 1-2-64를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was carried out in Experimental Example 1-1, except that Compound 1-2-64 was used instead of Compound 1-2-54 prepared in Preparation Example 13 on the light-emitting layer.

<< 비교실험예Comparative Experimental Example 1> 1>

상기 실험예 1-1에서 상기 발광층 위에 상기 제조예 13에서 제조한 화합물 1-2-54 대신 상기 Alq3를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.In Experimental Example 1-1, Alq 3 was used instead of Compound 1-2-54 prepared in Preparation Example 13 on the light emitting layer.

상기 실험예 1-1 내지 1-4와 같이 각각의 화합물을 전자 주입 및 수송층 물질로 사용하여 제조한 유기 발광 소자를 실험한 결과를 하기 표 1에 나타내었다.Table 1 shows the results of an experiment of an organic light emitting device manufactured by using each compound as an electron injection and transport layer material as in Experimental Examples 1-1 through 1-4.

Figure pat00053
Figure pat00053

상기 표 1에서 볼 수 있듯이, 실험예 1-1 내지 1-4의 소자가 비교실험예 1의 소자보다 저전압 및 효율 면에서 특성이 향상됨을 알 수 있었다.As can be seen from the above Table 1, the devices of Experimental Examples 1-1 to 1-4 were found to have improved characteristics in terms of low voltage and efficiency as compared with the device of Comparative Experiment Example 1.

<< 실험예Experimental Example 2-1> 2-1>

ITO(indium tin oxide)가 1,500Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔(Fischer Co.) 사의 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어(Millipore Co.) 사 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.The glass substrate coated with ITO (indium tin oxide) film with a thickness of 1,500 Å was immersed in distilled water containing detergent and washed with ultrasonic waves. As a detergent, a product of Fischer Co. was used. Distilled water, which was filtered by a filter of Millipore Co., was used as distilled water. The ITO was washed for 30 minutes and then washed twice with distilled water and ultrasonically cleaned for 10 minutes. After the distilled water was washed, it was ultrasonically washed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. The substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transported by a vacuum evaporator.

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene)을 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 그 위에 정공을 수송하는 물질인 NPB(400Å)를 진공증착한 후 발광층으로 상기 제조예 1에서 제조한 화합물 1-2-28을 호스트로 화합물을 300Å의 두께로 진공 증착하고 도판트 D2을 도핑하였다. 상기 발광층 위에 상기 E1을 200Å의 두께로 진공증착하여 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께의 리튬 플루라이드(LiF)와 2,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하고 유기 발광 소자를 제조하였다.Hexanitrile hexaazatriphenylene was thermally vacuum deposited to a thickness of 500 kPa on the prepared ITO transparent electrode to form a hole injection layer. NPB (400 ANGSTROM), which is a material for transporting holes, was vacuum deposited thereon. Then, the compound 1-2-28 prepared in Preparation Example 1 was vacuum deposited as a host compound to a thickness of 300 ANGSTROM as a light emitting layer and doped with a dopant D2 . E1 was vacuum deposited on the light emitting layer to a thickness of 200 ANGSTROM to form an electron injection and transport layer. Lithium fluoride (LiF) having a thickness of 12 Å and aluminum having a thickness of 2,000 Å were sequentially deposited on the electron transporting layer to form a cathode, thereby preparing an organic light emitting device.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10-7 ~ 5 × 10-8 torr를 유지하였다.During the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.7 Å / sec, the lithium fluoride at the cathode was maintained at a deposition rate of 0.3 Å / sec and the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å / sec. -7 to 5 x 10 &lt; -8 &gt; torr.

<< 실험예Experimental Example 2-2> 2-2>

상기 실험예 2-1에서 화합물 1-2-28 대신 상기 화합물 1-3-2를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted except that Compound 1-3-2 was used instead of Compound 1-2-28 in Experimental Example 2-1.

<< 실험예Experimental Example 2-3> 2-3>

상기 실험예 2-1에서 화합물 1-2-28 대신 상기 화합물 1-2-66을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted except that Compound 1-2-66 was used in place of Compound 1-2-28 in Experimental Example 2-1.

<< 실험예Experimental Example 2-4> 2-4>

상기 실험예 2-1에서 화합물 1-2-28 대신 상기 화합물 1-2-29, 도펀트 D2 대신에 도펀트 D1를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted except that the compound 1-2-29 was used instead of the compound 1-2-28 in Experimental Example 2-1, and the dopant D1 was used instead of the dopant D2.

<< 실험예Experimental Example 2-5> 2-5>

상기 실험예 2-1에서 화합물 1-2-28 대신 상기 화합물 1-2-31, 도펀트 D2 대신에 도펀트 D1를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted except that the compound 1-2-28 was used instead of the compound 1-2-28 in Experimental Example 2-1, and the dopant D1 was used instead of the dopant D2.

<< 실험예Experimental Example 2-6> 2-6>

상기 실험예 2-1에서 화합물 1-2-28 대신 상기 화합물 1-2-32, 도펀트 D2 대신에 도펀트 D1를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.In the same manner as in Experimental Example 2-1, the compound 1-2-32 was used instead of the compound 1-2-28, and the dopant D1 was used instead of the dopant D2.

<< 실험예Experimental Example 2-7> 2-7>

상기 실험예 2-1에서 화합물 1-2-28 대신 상기 화합물 1-2-15, 도펀트 D2 대신에 도펀트 D1를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.In the same manner as in Experimental Example 2-1, except that the compound 1-2-28 was used instead of the compound 1-2-28, and the dopant D1 was used instead of the dopant D2.

<< 실험예Experimental Example 2-8> 2-8>

상기 실험예 2-1에서 화합물 1-2-28 대신 상기 화합물 1-2-18, 도펀트 D2 대신에 도펀트 D1를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.In the same manner as in Experimental Example 2-1, except that Compound 1-2-28 was used instead of Compound 1-2-28 and Dopant D1 was used instead of Dopant D2.

<< 비교실험예Comparative Experimental Example 2> 2>

상기 실험예 2-1에서 화합물 1-2-28 대신 상기 H1 화합물을 녹색 발광층 물질로 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was carried out except that the H1 compound was used as a green light emitting layer material instead of the compound 1-2-28 in Experimental Example 2-1.

<< 비교실험예Comparative Experimental Example 3> 3>

상기 실험예 2-1에서 화합물 1-2-28 대신 상기 H1 화합물을 청색 발광층의 호스트로, D2 대신에 D1을 도펀트로 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.In the same manner as in Experimental Example 2-1, the same experiment was carried out except that the H1 compound was used as the host of the blue light emitting layer instead of the compound 1-2-28, and D1 was used as a dopant instead of D2.

상기 실험예 2-1 내지 2-8과 같이 각각의 화합물들을 발광층으로 사용하여 제조한 유기 발광 소자를 실험한 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The results are shown in Table 2 below. [Table 2] &lt; tb &gt; &lt; tb &gt; &lt; TABLE &gt;

Figure pat00054
Figure pat00054

상기 표 2에서 볼 수 있듯이 실험예 2-1 내지 2-2는 녹색 발광층의 호스트로 이용될 수 있고, 실험예 2-3 내지 2-8은 청색 및 녹색 발광층으로 이용될 수 있으며, 적당한 치환체가 도입된 경우, 비교실험예 2 내지 3보다 우수한 특성을 나타내었다.As can be seen from Table 2, Experimental Examples 2-1 to 2-2 can be used as a host of the green light emitting layer, Experimental Examples 2-3 to 2-8 can be used as blue and green light emitting layers, , It was superior to Comparative Experimental Examples 2 to 3.

<< 실험예Experimental Example 3-1> 3-1>

상기 실험예 2-3에서 화합물 NPB 대신 상기 화합물 1-2-41을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was carried out except that Compound 1-2-41 was used instead of Compound NPB in Experimental Example 2-3.

<< 실험예Experimental Example 3-2> 3-2>

상기 실험예 2-3에서 화합물 NPB 대신 상기 화합물 1-2-43을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted except that Compound 1-2-43 was used instead of Compound NPB in Experimental Example 2-3.

<< 실험예Experimental Example 3-3> 3-3>

상기 실험예 2-3에서 화합물 NPB 대신 상기 화합물 1-2-45을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted except that Compound 1-2-45 was used instead of Compound NPB in Experimental Example 2-3.

<< 실험예Experimental Example 3-4> 3-4>

상기 실험예 2-3에서 화합물 NPB 대신 상기 화합물 1-2-68을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted except that Compound 1-2-68 was used instead of Compound NPB in Experimental Example 2-3.

상기 실험예 3-1 내지 3-4와 같이 제조한 유기 발광 소자를 실험한 결과를 하기 표 3에 나타내었다.Table 3 shows the results of the experiment of the organic light emitting device manufactured as Experimental Examples 3-1 to 3-4.

Figure pat00055
Figure pat00055

상기 표 3에서 볼 수 있듯이 실험예 3-1 내지 3-4는 정공 전달층으로 이용될 수 있으며, 적당한 치환체로 도입된 경우, 비교실험예 3보다 우수한 특성을 나타내었다.As can be seen from Table 3, Experimental Examples 3-1 to 3-4 can be used as a hole transport layer, and when they are introduced as suitable substituents, they exhibit superior characteristics to Comparative Experimental Example 3.

Claims (13)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
Figure pat00056

상기 화학식 1에서,
Q는 C10 ~ C30의 축합 방향족 다환기이고,
n은 1 내지 8의 정수, m은 1 내지 4의 정수이며,
Ar 및 Ar'은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 ~ C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 ~ C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C50의 아릴기, 치환 또는 비치환되고 이종 원자로 O, N 또는 S를 갖는 C3 ~ C50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 실리콘기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 실란기, 카르보닐기, 포스포릴기, 아미노기, 니트릴기, 히드록시기, 니트로기, 히드록시기, 할로겐기, 아미드기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택되고, 서로 인접하는 기와 지방족, 방향족, 지방족헤테로 또는 방향족헤테로의 축합 고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있으며, 상기 n이 2 이상의 정수인 경우에 상기 2 이상의 Ar은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 상기 m이 2 이상의 정수인 경우에 상기 2 이상의 Ar'은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며,
R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 ~ C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 ~ C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 ~ C30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C50의 아릴기, 및 치환 또는 비치환되고 이종 원자로 O, N 또는 S를 갖는 C3 ~ C50의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
A compound represented by the following formula (1):
[Chemical Formula 1]
Figure pat00056

In Formula 1,
Q is a condensed aromatic polycyclic group of C 10 to C 30 ,
n is an integer of 1 to 8, m is an integer of 1 to 4,
Ar and Ar 'are the same as or different from each other, and each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted A substituted C 3 to C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 to C 30 cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C 1 Alkoxy group of -C 30 , substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryloxy group, substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylthioxy group, substituted or unsubstituted C 5 -C 30 arylthio Time, substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkylamine group, substituted or unsubstituted C 5 to C 30 arylamine group, substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aryl group, substituted or unsubstituted C 3 to C 50 heteroaryl group having 0, N or S as a hetero atom, a substituted or unsubstituted silicone group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted silane group, a carbonyl group, a phosphoryl group, Selected from the group consisting of amino groups, nitrile groups, hydroxyl groups, nitro groups, hydroxyl groups, halogen groups, amide groups and ester groups, and can form condensed rings of aliphatic, aromatic, aliphatic hetero or aromatic hetero groups with adjacent groups or form spiro bonds; N is two or more tablets Or more of the Ar 2 in the case of may be the same or different from each other, wherein m is at least two Ar 'is an integer of 2 or more in the case may be the same or different from each other,
R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted A substituted C 3 to C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aryl group, and a substituted or unsubstituted hetero hetero atom O, N Or a C 3 ~ C 50 heteroaryl group having S.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 Q는 벤젠 고리가 3개 내지 4개 축합된 방향족 다환기인 것을 특징으로 하는 화합물.The compound of claim 1, wherein Q in Formula 1 is an aromatic polycyclic group having 3 to 4 condensed benzene rings. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 Q는 페난트렌, 파이렌, 안트라센 또는 크라이센인 것을 특징으로 하는 화합물.The compound of claim 1, wherein Q in Formula 1 is phenanthrene, pyrene, anthracene or chrysene. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 5 내지 화학식 13 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
[화학식 5]
Figure pat00057

[화학식 6]
Figure pat00058

[화학식 7]
Figure pat00059

[화학식 8]
Figure pat00060

[화학식 9]
Figure pat00061

[화학식 10]
Figure pat00062

[화학식 11]
Figure pat00063

[화학식 12]
Figure pat00064

[화학식 13]
Figure pat00065

상기 화학식 5 내지 13에 있어서, R1, R2, Ar' 및 m은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
Ar1 내지 Ar8은 각각 독립적으로 상기 화학식 1의 Ar의 정의와 동일하다.
The compound according to claim 1, wherein Chemical Formula 1 is represented by any one of Chemical Formulas 5 to 13.
[Chemical Formula 5]
Figure pat00057

[Chemical Formula 6]
Figure pat00058

(7)
Figure pat00059

[Chemical Formula 8]
Figure pat00060

[Chemical Formula 9]
Figure pat00061

[Formula 10]
Figure pat00062

(11)
Figure pat00063

[Chemical Formula 12]
Figure pat00064

[Chemical Formula 13]
Figure pat00065

In Formulas 5 to 13, R1, R2, Ar 'and m are the same as defined in Formula 1,
Ar 1 to Ar 8 are each independently the same as the definition of Ar in formula (1).
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 Ar, Ar', R1 및 R2에 치환될 수 있는 치환기는 중수소, 할로겐 원자, 카르보닐기, 에스테르기, 포스포릴기, 이미드기, 아미노기, 니트로기, 히드록시기, 시아노기, 알킬기, 알콕시기, 아릴티옥시기, 알킬티옥시기, 알킬아민기, 아랄킬아민기, 아릴아민기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 실란기, 붕소기, C6 ~ C50의 아릴기 및 C3 ~ C50의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물.The method of claim 1, wherein the substituents that may be substituted in Ar, Ar ', R1 and R2 of the formula (1) is deuterium, halogen atoms, carbonyl group, ester group, phosphoryl group, imide group, amino group, nitro group, hydroxy group, cyano group , Alkyl group, alkoxy group, arylthioxy group, alkylthioxy group, alkylamine group, aralkylamine group, arylamine group, alkenyl group, cycloalkyl group, cycloalkenyl group, silane group, boron group, C 6 ~ C 50 aryl And at least one member selected from the group consisting of C 3 to C 50 heteroaryl groups. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
Figure pat00066

Figure pat00067

Figure pat00068

Figure pat00069

Figure pat00070

Figure pat00071

Figure pat00072

Figure pat00073

Figure pat00074

Figure pat00075

Figure pat00076

Figure pat00077

Figure pat00078
The compound according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is selected from the group consisting of the following compounds:
Figure pat00066

Figure pat00067

Figure pat00068

Figure pat00069

Figure pat00070

Figure pat00071

Figure pat00072

Figure pat00073

Figure pat00074

Figure pat00075

Figure pat00076

Figure pat00077

Figure pat00078
1) 아릴보론산계 또는 아릴보로네이트계 화합물로서 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 A를 팔라듐(Pd) 촉매하에서 할라이드 아릴 화합물과 스즈키 커플링(Suzuki coupling) 반응시켜 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 B를 제조하는 단계,
2) 상기 화합물 B를 무수용매에 녹인 후, n-, sec- 또는 tert-BuLi로 리튬화(lithiation) 한 후, 치환 또는 비치환된 케톤계 화합물인 R1COR2와 반응시켜 모노알코올계 화합물로서 하기 화학식 4로 표시되는 화합물 C를 제조하는 단계, 및
3) 상기 화합물 C를 산성 조건에서 반응시켜 고리를 연결하는 단계
를 포함하는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조방법:
[화학식 1]
Figure pat00079

[화학식 2]
(Ar)n-Q-B(OR)2
[화학식 3]
Figure pat00080

[화학식 4]
Figure pat00081

상기 화학식 1 내지 화학식 4에서,
Q는 C10 ~ C30의 축합 방향족 다환기이고,
n은 1 내지 8의 정수, m은 1 내지 4의 정수이며,
Ar 및 Ar'은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 ~ C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 ~ C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C50의 아릴기, 치환 또는 비치환되고 이종 원자로 O, N 또는 S를 갖는 C3 ~ C50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 실리콘기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 실란기, 카르보닐기, 포스포릴기, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, 히드록시기, 할로겐기, 아미드기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택되고, 서로 인접하는 기와 지방족, 방향족, 지방족헤테로 또는 방향족헤테로의 축합 고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있으며, 상기 n이 2 이상의 정수인 경우에 상기 2 이상의 Ar은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 상기 m이 2 이상의 정수인 경우에 상기 2 이상의 Ar'은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며,
R, R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 ~ C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 ~ C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 ~ C30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C50의 아릴기, 및 치환 또는 비치환되고 이종 원자로 O, N 또는 S를 갖는 C3 ~ C50의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
1) Compound A represented by the following formula 2 as an arylboronic acid or arylboronate compound is subjected to Suzuki coupling reaction with a halide aryl compound under a palladium (Pd) catalyst to obtain a compound B represented by the following formula 3 Manufacturing steps,
2) After dissolving Compound B in an anhydrous solvent, lithiating with n-, sec- or tert-BuLi, and reacting with R1COR2, a substituted or unsubstituted ketone compound, as a monoalcohol-based compound Preparing compound C represented by 4, and
3) coupling the rings by reacting the compound C under acidic conditions
Wherein R &lt; 1 &gt; and R &lt; 2 &gt;
[Chemical Formula 1]
Figure pat00079

(2)
(Ar) nQB (OR) 2
(3)
Figure pat00080

[Chemical Formula 4]
Figure pat00081

In the above Chemical Formulas 1 to 4,
Q is a condensed aromatic polycyclic group of C 10 to C 30 ,
n is an integer of 1 to 8, m is an integer of 1 to 4,
Ar and Ar 'are the same as or different from each other, and each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted A substituted C 3 to C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 to C 30 cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 Aryloxy group, substituted or unsubstituted C 1 C 30 -C 30 alkyl thioxy group, substituted or unsubstituted C 5 -C 30 arylthioxy group, substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylamine group, substituted or unsubstituted C 5 -C 30 aryl Amine group, substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aryl group, substituted or unsubstituted C 3 to C 50 heteroaryl group having O, N or S as a hetero atom, substituted or unsubstituted silicone group, substituted Or an unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted silane group, a carbonyl group, a phosphoryl group, an amino group, a nitrile group, a nitro group, a hydroxy group, a halogen group, an amide group, and an ester group and are adjacent to each other and an aliphatic group. , Or form a condensed ring of aromatic, aliphatic or aromatic hetero, or form a spiro bond, when n is an integer of 2 or more, the two or more Ar may be the same or different from each other, and when m is an integer of 2 or more Prize Ar ′ of the group 2 or more may be the same or different from each other,
R, R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted C 1 A C 3 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkenyl group, a substitution Or an unsubstituted C 6 -C 50 aryl group, and a substituted or unsubstituted C 3 -C 50 heteroaryl group having O, N or S as a hetero atom.
청구항 7에 있어서, 상기 화학식 1 내지 화학식 4의 Ar, Ar', R, R1 및 R2에 치환될 수 있는 치환기는 중수소, 할로겐 원자, 카르보닐기, 에스테르기, 포스포릴기, 이미드기, 아미노기, 니트로기, 히드록시기, 시아노기, 알킬기, 알콕시기, 아릴티옥시기, 알킬티옥시기, 알킬아민기, 아랄킬아민기, 아릴아민기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 실란기, 붕소기, C6 ~ C30의 아릴기 및 C3 ~ C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조방법.The method according to claim 7, wherein the substituents that can be substituted in Ar, Ar ', R, R1 and R2 of Formula 1 to Formula 4 are deuterium, halogen atoms, carbonyl group, ester group, phosphoryl group, imide group, amino group, nitro group , Hydroxy group, cyano group, alkyl group, alkoxy group, arylthioxy group, alkylthioxy group, alkylamine group, aralkylamine group, arylamine group, alkenyl group, cycloalkyl group, cycloalkenyl group, silane group, boron group, C 6 A method for producing a compound represented by the formula (1), characterized in that it comprises at least one member selected from the group consisting of an aryl group of C 30 and a heteroaryl group of C 3 ~ C 30 . 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 적어도 1층의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층은 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.An organic electronic device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the organic material layer according to any one of claims 1 to 6. An organic electronic device comprising a compound represented by. 청구항 9에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 한 층을 포함하고, 상기 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 한 층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.The organic electroluminescent device according to claim 9, wherein the organic material layer includes at least one of a hole injection layer and a hole transport layer, and at least one layer of the hole injection layer and the hole transport layer includes a compound represented by the formula device. 청구항 9에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.[Claim 11] The organic electronic device according to claim 9, wherein the organic layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer comprises a compound represented by the general formula (1). 청구항 9에 있어서, 상기 유기물층은 전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 한 층을 포함하고, 상기 전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 한 층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.The organic electroluminescent device according to claim 9, wherein the organic material layer comprises at least one of an electron injection layer and an electron transport layer, and at least one of the electron injection layer and the electron transport layer comprises a compound represented by the above formula device. 청구항 9에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 인광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.The organic electronic device according to claim 9, wherein the organic electronic device is selected from the group consisting of an organic light emitting device, an organic phosphor device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), and an organic transistor.
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