KR20110039111A - Chip package for sensor, camera module including the chip package and method of manufacturing the chip package - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A chip package for sensor, a camera module including the chip package and method of manufacturing the chip package are provided to reduce the impedance by minimizing the length of a connecting part which connects with a sensor chip and a lead part of a house. CONSTITUTION: A housing(10) comprises an opening(20). A bent portion(70) is formed on the end part of the housing. A first adhesive layer(30) is arranged on the inner side of the housing. A lead portion(40) is adhered to the housing by the first adhesive layer. The lead portion comprises an inner lead portion(41) and an outer lead portion(42).

Description

센서용 칩 패키지, 이를 구비한 카메라 모듈 및 센서용 칩 패키지 제조방법{Chip package for sensor, camera module including the chip package and method of manufacturing the chip package}Chip package for sensor, camera module and sensor chip package manufacturing method including the same {Chip package for sensor, camera module including the chip package and method of manufacturing the chip package}

본 발명은 센서용 칩 패키지, 이를 구비한 카메라 모듈 및 센서용 칩 패키지 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플립칩 본딩기술을 사용하여 간략화된 구조를 가지는 센서용 칩 패키지, 이를 구비한 카메라 모듈 및 센서용 칩 패키지 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a chip package for a sensor, a camera module having the same, and a method for manufacturing the chip package for the sensor, and more particularly, a chip package for a sensor having a simplified structure using flip chip bonding technology, and a camera module having the same. And a chip package manufacturing method for a sensor.

일반적으로 반도체 패키지는, 고체 촬상 소자(CCD; charge coupled device) 또는 씨모스 이미지 센서(CIS; CMOS Image Sensor)라고 불리는 것으로서, 광전 변환 소자와 전하 결합 소자를 사용하여 피사체를 촬상하여 전기적인 신호로 출력하는 장치를 말한다. 이러한 센서 모듈은 민생용, 산업용, 방송용, 군사용 등 매우 다양한 응용 분야를 가지고 있다. 예컨대, 휴대폰과 같은 모바일, 카메라, 캠코더, 멀티미디어 퍼스널 컴퓨터, 감시 카메라 등에 응용되고 있으며, 그 수요가 크게 증가하고 있다.In general, a semiconductor package, called a solid state imaging device (CCD) or CMOS image sensor (CIS), uses a photoelectric conversion device and a charge coupling device to capture an image of an object to be converted into an electrical signal. Refers to the output device. These sensor modules have a wide variety of applications, such as civil, industrial, broadcast, military. For example, it is applied to a mobile such as a mobile phone, a camera, a camcorder, a multimedia personal computer, a surveillance camera, and the like, and the demand thereof is greatly increased.

반도체 칩은 외부의 충격 및 환경으로부터 보호하고, 외부와 전기적인 신호 를 주고 받기 위해 패키징 된다. 또한, 센서로부터 나온 전기적인 신호를 처리하기 위해 디지털 신호 처리기 (digital signal processor, DSP)와 연결될 수 있고, 영상 정보를 저장하기 위해 메모리와 연결될 수도 있다. 카메라 모듈 외부의 전자 소자와 전기 신호를 주고 받기 위해 연성회로기판(flexible printed circuit board, FPCB)이나 강성회로기판(hard printed circuit board, HPCB)에 전기적으로 접속(interconnection)될 수도 있다. Semiconductor chips are packaged to protect against external shocks and the environment, and to exchange electrical signals with the outside. In addition, it may be connected to a digital signal processor (DSP) to process electrical signals from the sensor, and may be connected to a memory to store image information. The electronic device may be electrically connected to a flexible printed circuit board (FPCB) or a hard printed circuit board (HPCB) to exchange electrical signals with an electronic device external to the camera module.

본 발명의 목적은 경량 박형화되며 생산 효율성을 높인 센서용 칩 패키지, 이를 구비한 카메라 모듈 및 센서용 칩 패키지 제조방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a chip package for a sensor, a camera module having the same, and a chip package manufacturing method including the same, which are light and thin and have high production efficiency.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면 중앙에 개구부가 형성되며, 각 축의 단부는 절곡부를 구비하는 하우징; 상기 하우징의 내 측면에 배치되는 제1 접착층; 상기 제1 접착층에 접착되며 이너 리드부와 아우터 리드부가 일체화되어 배치되며 상기 아우터 리드부가 외부와 전기적으로 연결되는 리드부; 및 상기 하우징의 내부의 상기 이너 리드부에 플립칩 본딩되는 센서용 칩;을 포함하는 센서용 칩 패키지를 개시한다. In order to achieve the above object, according to an aspect of the present invention, the opening is formed in the center, the end of each shaft has a housing having a bent portion; A first adhesive layer disposed on an inner side of the housing; A lead part bonded to the first adhesive layer, the lead part having an inner lead part and an outer lead part integrally disposed, and the outer lead part electrically connected to the outside; And a sensor chip flip-chip bonded to the inner lead portion of the housing.

상기 하우징은 절곡 성형이 가능한 금속 또는 폴리머를 포함하는 물질로 만들어질 수 있다. The housing may be made of a material comprising a metal or polymer capable of bending molding.

상기 리드부는 연성 동박 적층판(FCCL, flexible copper clad layer)에 형성될 수 있다. The lead portion may be formed on a flexible copper clad layer (FCCL).

상기 절곡부는 소정의 높이를 가져 상기 센서용 칩의 두께보다 크거나 같도록 2단 절곡 되게 구성할 수 있다. The bent portion may be configured to be bent in two stages to have a predetermined height to be greater than or equal to the thickness of the sensor chip.

상기 리드부의 적어도 일부를 덮는 절연층; 및 상기 센서용 칩 패키지의 일 면에 도포 되어 적어도 상기 센서용 칩을 덮는 언더필;을 더 포함할 수 있다. An insulating layer covering at least a portion of the lead portion; And an underfill applied to one surface of the sensor chip package to cover at least the sensor chip.

여기서, 상기 센서용 칩은 이미지 센서용 칩일 수 있다. 이와 달리, 상기 센 서용 칩은 지문 인식용 칩일 수 있다. Here, the sensor chip may be an image sensor chip. Alternatively, the sensor chip may be a chip for fingerprint recognition.

상기 제1 접착층은 제1 절연층을 더 포함할 수 있다. The first adhesive layer may further include a first insulating layer.

본 발명의 다른 실시예로 렌즈부를 내부에 지지하는 렌즈 홀더; 상기 렌즈 홀더의 후방에 배치되며, 상기 렌즈부를 통과한 피사체광이 입사되는 개구부가 형성되며, 각 측의 단부는 절곡부를 구비하는 하우징; 상기 하우징의 내측 면에 배치되는 제1 접착층; 상기 제1 접착층에 접착되며 이너 리드부와 아우터 리드부가 일체화되어 배치되며 상기 아우터 리드부가 외부와 전기적으로 연결되는 리드부; 및 상기 하우징 내부의 상기 이너 리드부에 플립칩 본딩되어 상기 하우징의 상기 개구부를 통해 입사된 상기 피사체광들을 일 면에 입력받아 전기 신호로 변환하는 이미지 센서용 칩;을 포함하는 칩 패키지를 구비한 카메라 모듈을 개시한다. Another embodiment of the invention the lens holder for supporting the lens portion therein; A housing disposed at the rear of the lens holder and having an opening through which the subject light passing through the lens part is incident, and an end of each side having a bent portion; A first adhesive layer disposed on an inner side of the housing; A lead part bonded to the first adhesive layer, the lead part having an inner lead part and an outer lead part integrally disposed, and the outer lead part electrically connected to the outside; And an image sensor chip that is flip-chip bonded to the inner lead portion of the housing and receives the subject light incident through the opening of the housing on one surface thereof and converts the object light into an electrical signal. Start the camera module.

여기서, 상기 리드부는 연성 동박 적층판에 형성되며, 상기 하우징의 단부는 소정의 높이를 갖도록 2단 절곡되며, 상기 하우징의 내부 높이는 상기 이미지 센서용 칩의 두께보다 크거나 같은 칩 패키지를 구비할 수 있다.Here, the lead portion is formed on the flexible copper foil laminate, the end of the housing is bent in two stages to have a predetermined height, the inner height of the housing may be provided with a chip package greater than or equal to the thickness of the chip for the image sensor. .

본 발명의 또 다른 실시예로 절곡 성형이 가능한 원 재료의 일 면에 금속박을 부착하는 단계; 상기 금속박에 이너 리드부 및 아우터 리드부를 포함한 회로 패턴을 형성하는 단계; 상기 원재료의 중앙부에 개구를 형성하는 단계; 상기 원재료의 각 측 단부를 절곡하는 단계; 및 상기 원재료의 단부를 절곡하는 단계; 및 상기 이너리드부에 센서용 칩을 플립칩 본딩하는 단계;를 포함하는 센서용 칩 패키지 제조 방법을 개시한다. In another embodiment of the present invention, the step of attaching the metal foil on one side of the raw material capable of bending molding; Forming a circuit pattern including an inner lead portion and an outer lead portion on the metal foil; Forming an opening in a central portion of the raw material; Bending each end of the raw material; Bending the end of the raw material; And flip chip bonding a chip for a sensor to the inner lead unit.

여기서, 상기 금속박을 부착하는 단계는 절연성 접착재를 이용하여 수행될 수 있다. Here, the step of attaching the metal foil may be performed using an insulating adhesive material.

여기서, 상기 절곡하는 단계는 상기 원재료가 소정의 높이를 갖도록 상기 원재료의 각 측의 단부를 두 번 절곡할 수 있다.Here, in the bending, the end portions of each side of the raw material may be bent twice so that the raw material has a predetermined height.

상기 회로 패턴을 형성하는 단계 이후에 상기 회로 패턴을 덮도록 절연층을 도포하는 단계를 더 포함하며 상기 플립칩 본딩 하는 단계 이후에 상기 개구부에 대응하는 부분 이외의 상기 센서용 칩 부분을 덮도록 상기 센서용 칩의 플립칩 본딩 되는 면의 반대 면에 언더필을 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.And forming an insulating layer to cover the circuit pattern after the forming of the circuit pattern, and covering the sensor chip portion other than the portion corresponding to the opening after the flip chip bonding. The method may further include applying an underfill to a surface opposite to the flip chip bonded surface of the sensor chip.

여기서, 상기 센서용 칩은 이미지 센서용 칩일 수 있다. 이와 달리, 상기 센서용 칩은 지문 인식용 칩일 수도 있다.Here, the sensor chip may be an image sensor chip. Alternatively, the sensor chip may be a chip for fingerprint recognition.

본 발명의 실시예에 따른 센서용 칩 패키지, 이를 구비한 카메라 모듈 및 센서용 칩 패키지 제조방법에 의하면 기존 기술을 활용하여 센서 모듈의 부피를 최소화 할 수 있고, 제조 비용을 절감하고 그에 따른 제조 공정을 줄일 수 있다. According to the method of manufacturing a chip package for a sensor, a camera module having the same, and a chip package for a sensor according to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize the volume of the sensor module by using the existing technology, reduce the manufacturing cost, and accordingly, a manufacturing process. Can be reduced.

이하에서는 첨부된 도면의 도시된 실시예들을 참조하여, 본 발명을 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the illustrated embodiments of the accompanying drawings, the present invention will be described in detail.

도 1 내지 도 2를 참조하여 센서 모듈을 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서용 칩 패키지(1)의 개략적 사시도이다. 도 2는 도 1의 II-II'에 따른 단면도이다. 센서용 칩 패키지(1)는 하우징(10), 제1 접착층(30), 리드부(40), 절연층(50), 센서용 칩(60), 제2 접착층(80), 언더필 재료(100)를 구비한 다. 여기서, 하우징(10)은 성형가능한 금속 또는 고분자 소재를 구비할 수 있으며 따라서 하우징(10)은 절곡 및 성형에 용이하다. 그러나 하우징(10)을 구비할 수 있는 재료는 이에 제한되지 않으며 절곡 및 성형이 용이한 재료가 사용될 수 있다. 하우징(10)은 개구부(20)를 포함하며 단부에 절곡부(70)를 형성할 수 있다. 이때, 도 2에 도시된 바와 같이, 하우징(10)의 절곡부(70)는 두 번 형성될 수 있다. 여기서, 절곡부(70)의 절곡 폭(D1)은 센서용 칩(60)의 두께(D2)보다 좁지 않게 구성될 수 있다. 하우징(10)의 절곡부(70)를 통해 형성된 공간의 내 측에는 제1 접착층(30)이 형성될 수 있다. 이때, 제1 접착층(30)은 구부러질 수 있는 절연 및 접착 기능을 가진 물질을 구비할 수 있다. 여기서, 제1 접착층(30)은 절연층과 접착층으로 각각 구성 될 수도 있다. 이때, 절연층으로서 폴리이미드(PI, Poly Imide)를 구비할 수도 있다. A sensor module will be described with reference to FIGS. 1 and 2. 1 is a schematic perspective view of a chip package 1 for a sensor according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II ′ of FIG. 1. The sensor chip package 1 includes a housing 10, a first adhesive layer 30, a lead portion 40, an insulating layer 50, a sensor chip 60, a second adhesive layer 80, and an underfill material 100. ). Here, the housing 10 may include a moldable metal or polymer material, and thus the housing 10 is easy to bend and form. However, the material that may include the housing 10 is not limited thereto, and a material that is easy to bend and form may be used. The housing 10 may include an opening 20 and may form a bent portion 70 at an end thereof. In this case, as shown in FIG. 2, the bent portion 70 of the housing 10 may be formed twice. Here, the bending width D 1 of the bent portion 70 may be configured not to be narrower than the thickness D 2 of the sensor chip 60. The first adhesive layer 30 may be formed on the inner side of the space formed through the bent portion 70 of the housing 10. In this case, the first adhesive layer 30 may be provided with a material having an insulating and adhesive function that can be bent. Here, the first adhesive layer 30 may be composed of an insulating layer and an adhesive layer, respectively. In this case, polyimide (PI) may be provided as the insulating layer.

리드부(40)는 제1 접착층(30)을 통해 하우징(10)에 접착되어 있다. 이때, 리드부(40)는 이너(inner) 리드부(41)와 아우터(outer) 리드부(42)를 구비하며, 이너 리드부(41)와 아우터 리드부(42)는 일체화되어 구성된다. 즉 이너 리드부(41)와 아우터 리드부(42)는 하우징(10)에 접착된 연성 금속박을 회로 배선을 위하여 패터닝 함으로써 동시에 형성된다. 절연층(50)은 적어도 리드부(40)의 일부를 덮도록 형성되어 쇼트를 방지하는 절연 역할을 한다. 여기서, 절연층(50)은 PSR(Photo Solder Resist), 커버레이(coverlay) 등을 포함하여 절연 가능한 재료를 구비할 수 있다.The lead portion 40 is bonded to the housing 10 through the first adhesive layer 30. At this time, the lead portion 40 includes an inner lead portion 41 and an outer lead portion 42, and the inner lead portion 41 and the outer lead portion 42 are integrally formed. In other words, the inner lead portion 41 and the outer lead portion 42 are simultaneously formed by patterning a flexible metal foil bonded to the housing 10 for circuit wiring. The insulating layer 50 is formed to cover at least a part of the lead portion 40 to serve as an insulation preventing a short. Here, the insulating layer 50 may include an insulating material including a photo solder resist (PSR), a coverlay, and the like.

센서용 칩(60)은 하우징(10)에 플립칩(FC, flip chip) 본딩 방법으로 부착할 수 있다. 플립칩 기술이란 칩을 뒤집어서 칩의 패드가 기판과 마주보게한 후 칩과 기판을 전기적, 기계적으로 연결하는 방법을 말한다. 플립칩 본딩은 범프의 재질과형상, 접속 방식에 따라 몇 가지로 구분할 수 있다. 첫번째로 솔더링 프로세스(Soldering Process)를 사용한 것으로 플럭스 도포 및 Reflow하여 기판과 칩의 패드를 솔더로 접속한다. 플럭스를 세척한 후 언더필을 도포 및 경화시킬 수 있다. 두번째 방법으로 열초음파 방식에 의한 Au-Au Interconnect 기술로 Stud범핑 방법으로 Au 범프를 형성한 후 패키지의 금패드와 열초음파로 직접 접속하는 방법이다. 세번째 방법으로는 접착제를 사용하는 방법으로 금범프를 형성한 후 접착제를 사용하여 접속할 수 있다. 플립칩 본딩 방법은 이에 제한되지 않으며 다양한 방법을 구비할 수 있다. The sensor chip 60 may be attached to the housing 10 by a flip chip (FC) bonding method. Flip chip technology is a method of flipping a chip so that the pad of the chip faces the substrate and then electrically and mechanically connecting the chip and the substrate. Flip chip bonding can be classified into several types depending on the material, shape and connection method of the bumps. Firstly, the soldering process is used. The flux is applied and reflowed to connect the pads of the substrate and the chip with solder. After washing the flux the underfill can be applied and cured. Secondly, Au bumps are formed by Au-Au Interconnect technology based on thermosonic method, and Au bumps are formed by Stud bumping method and then directly connected to the gold pad of the package and thermosonic wave. In the third method, a gold bump is formed by using an adhesive, and then connected using an adhesive. The flip chip bonding method is not limited thereto and may include various methods.

도 2에서는 세번째 방법을 사용하여 센서용 칩(60)을 하우징(10)에 제2 접착층(80)을 사용하여 플립칩 본딩한 센서용 칩 패키지(1)를 도시하고 있다. 제2 접착층(80)으로는 ACF(Anisotropic conductive film), ACP(Anisotropic conductive paste), 및 NCP(Non conductive film) 등이 사용될 수 있으나 이에 제한되지 아니한다. 이때, 제2 접착층(80)을 통하여 센서용 칩(60)은 하우징(10)에 부착된다. 여기서, 예를 들어 ACF는 전도성 단자를 포함하는 열경화성 수지 필름으로 센서용 칩(60)과 하우징(10) 사이에 배치하면 ACF를 통해 센서용 칩(60)과 하우징(10)상의 이너 리드부(41)가 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 센서용 칩(60)을 하우징(10)에 플립칩 본딩하는 방법은 제2 접착층(80)을 통하여 하는 방법에 제한되지 않으며, 예를 들어, 솔더링(Soldering) 공정을 통해 조립할 수도 있다. 2 illustrates a sensor chip package 1 in which a chip 60 for a sensor is flip-chip bonded using a second adhesive layer 80 to a housing 10 using a third method. Anisotropic conductive film (ACF), anisotropic conductive paste (ACP), and non-conductive film (NCP) may be used as the second adhesive layer 80, but is not limited thereto. In this case, the sensor chip 60 is attached to the housing 10 through the second adhesive layer 80. Here, for example, the ACF is a thermosetting resin film including a conductive terminal, and disposed between the sensor chip 60 and the housing 10, and the inner lead portion on the sensor chip 60 and the housing 10 through the ACF. 41 may be electrically connected. Here, the method of flip chip bonding the sensor chip 60 to the housing 10 is not limited to the method of performing the second adhesive layer 80 through, for example, may be assembled through a soldering process.

이와 같이 플립칩 본딩을 함으로써, 몇 가지 효과를 얻을 수 있다. 첫째로 센서용 칩(60)과 하우징(10) 상의 리드부(40)와 접속하는 접속부의 길이가 최소화되어 임피던스가 낮아진다. 둘째로 센서용 칩(60)의 가장자리만을 접속 경로로 활용하는 것이 아니라 면 배열 형태를 사용함으로써 집적도를 높일 수 있다. 셋째로 보다 컴팩트한 구조를 만듦으로써, 부피와 무게를 감소할 수 있다. 넷째로 열방출 경로가 집중되지 않고 고르게 분산 시킬 수 있으므로 센서용 칩(60) 내부에서 발생한 열을 빠른 속도로 외부에 방출 할 수 있다.By flip chip bonding in this manner, several effects can be obtained. First, the length of the connection portion connecting the sensor chip 60 and the lead portion 40 on the housing 10 is minimized, thereby lowering the impedance. Secondly, the integration degree can be increased by using a surface arrangement instead of using only the edge of the sensor chip 60 as a connection path. Third, by making the structure more compact, the volume and weight can be reduced. Fourth, since the heat dissipation path can be evenly distributed without being concentrated, the heat generated inside the sensor chip 60 can be rapidly released to the outside.

하우징(10)에 센서용 칩(60)이 플립칩 본딩으로 접착된 센서용 칩 패키지(1)의 하부에 적어도 센서용 칩(60)을 덮도록 언더필(underfill)재료(100)를 도포 할 수 있다. 이때, 언더필 재료(100)는 외부와 전기적으로 연결할 수 있도록 리드부(40)의 아우터 리드부의 일단만 노출 되도록 도포될 수도 있다. The underfill material 100 may be applied to the housing 10 to cover at least the sensor chip 60 at the bottom of the sensor chip package 1 to which the sensor chip 60 is bonded by flip chip bonding. have. In this case, the underfill material 100 may be applied to expose only one end of the outer lead portion of the lead portion 40 so as to be electrically connected to the outside.

이와 같이 개구부(20)를 구비한 하우징(10)을 이용하여, 센서용 칩(60)을 하우징(10)에 부착시킴으로 센서용 칩(60)을 지지하는 별도의 기판이나 구조물이 필요 없이 하우징(10) 만으로 센서용 칩(60)을 부착 지지할 수 있어, 센서용 칩 패키지(1)의 크기를 센서용 칩(60)의 크기에 근접하도록 소형화로 구성할 수 있는 효과가 있다. By using the housing 10 having the opening 20 as described above, the sensor chip 60 is attached to the housing 10 so that a separate substrate or structure for supporting the sensor chip 60 is not required. 10) only the sensor chip 60 can be attached and supported, so that the size of the sensor chip package 1 can be miniaturized so as to be close to the size of the sensor chip 60.

이때, 하우징(10)은 개구부(20)를 구비하고 있으므로 하우징(10)에 배치되는 센서용 칩(60)은 외부의 자극을 입력받기 위해 개구부를 필요로 하는 어떠한 종류의 센서용 칩(60)도 적용 가능하다. 예를 들어, 센서용 칩(60)은 이미지 센서용 칩(61), 지문 인식 센서, 또는 열 감지 센서 등을 사용할 수 있다. 도 3을 참조하 면, 하우징(10)에 이미지 센서(61)를 부착하여 카메라 모듈(2)에 적용한 예를 설명한다. 도 3은 도 1의 실시예에 이미지 센서용 칩(60)을 적용한 카메라 모듈(2)의 개략적 단면도이다. 여기서, 카메라 모듈(2)은 렌즈 홀더(110)와 이미지 센서용 칩 패키지(1')를 구비한다. 여기서 렌즈 홀더(110)는 피사체광 이미지 센서용 칩 패키지들을 제1 측으로 입사 받아 제2 측에 맺히도록 하는 렌즈부(120)를 내부에 지지한다. 여기서, 렌즈 홀더(110)의 구조는 도 3에 제한되지 않으며 당업자라면 다양한 구성이 가능함을 알 수 있을 것이다. 또한, 이미지 센서용 칩 패키지(1')은 센서용 칩(60)에 이미지 센서(61)를 배치하고, 개구부(20)에 글래스(130)를 배치하여 구성할 수도 있다. 이때, 이미지 센서용 칩 패키지(1')의 하우징(10)의 절곡부(70)는 도 3에 도시된 바와 같이 두 번 절곡되었지만 하우징(10)의 단부를 절곡하는 횟수와 절곡을 통해 구성되는 구조의 변화는 이에 제한되지 않는다. In this case, since the housing 10 includes the opening 20, the sensor chip 60 disposed in the housing 10 has any kind of sensor chip 60 that requires an opening to receive an external magnetic pole. Is also applicable. For example, the sensor chip 60 may use an image sensor chip 61, a fingerprint sensor, a heat sensor, or the like. Referring to FIG. 3, an example in which the image sensor 61 is attached to the housing 10 and applied to the camera module 2 will be described. 3 is a schematic cross-sectional view of the camera module 2 to which the chip 60 for an image sensor is applied to the embodiment of FIG. 1. Here, the camera module 2 includes a lens holder 110 and a chip package 1 'for an image sensor. Here, the lens holder 110 supports the lens unit 120 to receive the chip package for the subject light image sensor to the first side and to be formed on the second side. Here, the structure of the lens holder 110 is not limited to FIG. 3 and those skilled in the art will appreciate that various configurations are possible. In addition, the chip package 1 ′ for the image sensor may be configured by arranging the image sensor 61 in the sensor chip 60 and the glass 130 in the opening 20. In this case, the bent portion 70 of the housing 10 of the chip package 1 'for the image sensor is bent twice as shown in FIG. 3, but is formed by the number of times and the bending of the end of the housing 10. The change of structure is not limited to this.

도 4a 내지 도 7을 참조하여 센서용 칩 패키지(1)의 제조 방법을 설명한다. 도 4a 내지 도 4e는 센서용 칩 패키지(1)의 강성인쇄회로기판(FPCB)의 제조 방법을 도시하고 있다. 도 4a에 도시된 바와 같이 일자(ㅡ)형 제1 하우징 원재료(10a)에 일자형 제1 접착 부재(30a)를 부착하고 일자형 금속박(40a)을 배치한다. 도 4b를 참조하면, 금속박(40a)에 회로 패턴을 형성하여 제1 리드부(40b)를 형성한다. 이때, 제1 리드부(40b)는 이너(inner)리드부(41)와 아우터(outer) 리드부(42)가 일체 되도록 형성할 수 있다. 도 4c를 참조하면, 적어도 일부의 제1 리드부(40b)를 덮도록 제1 PSR(Photo Solder Resist)(50a) 또는 SR(Solder Resist)을 형성한다. 이때, 제1 PSR(50a)은 커버레이(coverlay)로 구성할 수도 있다. 도 4d를 참조하면, 제1 하우징 원재료(10a)에 개구부(20)를 형성하여 제2 하우징(10b)를 제조한다. 여기서, 제2 하우징(10b)상에 형성된 제1 리드부(40b)는 연성 동박 적층판(FCCL, flexible copper clad layer)이 절곡 및 성형이 가능하므로, 도 4e에서 제2 하우징(10b)의 단부에 절곡부(70)를 형성하여 제3 하우징(10c)를 제조할 수 있다. 도 4e에서 제1 리드부(40b)를 구성하는 부재로 연성 동박 적층판(FCCL)을 일 예로 도시하였으나, 제1 리드부(40b)의 구성은 구리에 제한되지 않는다.A manufacturing method of the sensor chip package 1 will be described with reference to FIGS. 4A to 7. 4A to 4E illustrate a method of manufacturing a rigid printed circuit board (FPCB) of the chip package 1 for a sensor. As shown in FIG. 4A, the first linear adhesive member 30a is attached to the first linear housing material 10a, and the straight metal foil 40a is disposed. Referring to FIG. 4B, a circuit pattern is formed on the metal foil 40a to form the first lead portion 40b. In this case, the first lead part 40b may be formed to integrate the inner lead part 41 and the outer lead part 42. Referring to FIG. 4C, a first PSR (Photo Solder Resist) 50a or SR (Solder Resist) is formed to cover at least a portion of the first lead portion 40b. In this case, the first PSR 50a may be configured as a coverlay. Referring to FIG. 4D, the opening 20 is formed in the first housing raw material 10a to manufacture the second housing 10b. Here, since the flexible copper clad layer (FCCL, flexible copper clad layer) may be bent and formed on the first lead portion 40b formed on the second housing 10b, the first lead portion 40b may be formed at the end of the second housing 10b in FIG. 4E. The bent portion 70 may be formed to manufacture the third housing 10c. In FIG. 4E, the flexible copper foil laminated plate FCCL is illustrated as an example of the member constituting the first lead portion 40b, but the configuration of the first lead portion 40b is not limited to copper.

이때, 제2 하우징(10b)에 절곡부(70)가 형성됨에 따라 제2 절착 부재(30b), 제3 리드부(40c), 및 제2 PSR(50b)는 각각 절곡부(70)의 모양에 따라 변형된다. At this time, as the bent portion 70 is formed in the second housing 10b, the second cutting member 30b, the third lead portion 40c, and the second PSR 50b are respectively shaped as the bent portion 70. Is deformed accordingly.

이때, 도 4a 내지 도 4e의 제조 방법의 순서는 이에 제한되지 않으며 다양하게 순서를 바꾸어 제작할 수 있다. At this time, the order of the manufacturing method of FIGS. 4A to 4E is not limited thereto and may be manufactured in various orders.

여기서, 도 5는 도 4a 내지 도 4e의 제조 방법을 통해 제조된 강성인쇄회로기판의 개략적 사시도이다. 여기서, 하우징(10)상의 리드부(40)는 메탈 베이스의 연성 동박 적층판(FCCL, flexible copper clad layer)을 응용하여 절곡 성형이 가능하므로 하우징(10)에 개구부(20)를 형성하고 절곡부(70)를 형성할 수 있다.5 is a schematic perspective view of a rigid printed circuit board manufactured by the manufacturing method of FIGS. 4A to 4E. Here, since the lead portion 40 on the housing 10 can be bent by applying a flexible copper clad layer (FCCL) of a metal base, the opening portion 20 is formed in the housing 10 and the bent portion ( 70).

도 6a 내지 도 6c는 센서용 칩 패키지(1)의 강성인쇄회로기판(FPCB)에 센서용 칩(60)을 접착제를 통하여 플립칩 본딩하는 단계를 도시하고 있다. 도 6a에 따르면, 하우징(10)의 절곡부로 형성된 일 면에 리드부(40)를 덮도록 제2 접착층(80)을 도포한다. 이때, 제2 접착층(80)은 ACF, ACP, NCP등의 재료를 구비할 수 있다. 도 6b를 참조하면, 하우징(10)에 제2 접착층(80)을 이용하여 센서용 칩(60)을 플립칩 본딩한다. 이때, 제2 접착층(80)을 통하여 센서용 칩(60)은 하우징(10)에 부착 된다. 도 6c를 참조하면, 센서용 칩(60)이 제2 접착층(80)에 접착되는 반대면에 언더필(underfill) 재료(100)를 도포할 수 있다. 6A through 6C illustrate flip chip bonding of the sensor chip 60 through an adhesive to a rigid printed circuit board (FPCB) of the sensor chip package 1. According to FIG. 6A, the second adhesive layer 80 is coated to cover the lead portion 40 on one surface formed by the bent portion of the housing 10. At this time, the second adhesive layer 80 may be provided with a material such as ACF, ACP, NCP. Referring to FIG. 6B, the sensor chip 60 is flip chip bonded using the second adhesive layer 80 on the housing 10. In this case, the sensor chip 60 is attached to the housing 10 through the second adhesive layer 80. Referring to FIG. 6C, an underfill material 100 may be applied to an opposite surface to which the sensor chip 60 is adhered to the second adhesive layer 80.

도 7은 도 6a 내지 도 6c의 제조 방법을 통해 제조된 센서용 칩 패키지(1)의 개략적 사시도이다. 도 7에 도시된 바와 같이 제조 공정이 마무리된 센서용 칩 패키지(1)는 리드부(40)의 아우터 리드가 센서용 칩(60)과 외부를 전기적으로 연결할 수 있도록 배치된다. FIG. 7 is a schematic perspective view of a chip package 1 for a sensor manufactured through the manufacturing method of FIGS. 6A to 6C. As shown in FIG. 7, the sensor chip package 1 having the finished manufacturing process is disposed such that the outer lead of the lead part 40 may electrically connect the sensor chip 60 to the outside.

본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야할 것이다. While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

본 발명은 센서용 칩 패키지, 이를 구비한 카메라 모듈을 제조 및 사용하는 산업에 이용될 수 있다.The present invention can be used in the industry of manufacturing and using a chip package for a sensor, a camera module having the same.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서용 칩 패키지의 개략적 사시도이다. 도 2는 도 1의 II-II'에 따른 단면도이다. 1 is a schematic perspective view of a chip package for a sensor according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II ′ of FIG. 1.

도 3은 도 1의 실시예를 적용한 카메라 모듈의 개략적 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view of the camera module to which the embodiment of FIG. 1 is applied.

도 4a 내지 도 4e는 센서용 칩 패키지의 강성인쇄회로기판 제조 방법을 도시하고 있다.4A to 4E illustrate a method of manufacturing a rigid printed circuit board of a chip package for a sensor.

도 5는 도 4a 내지 도 4e의 제조 방법을 통해 제조된 강성인쇄회로기판의 개략적 사시도이다.5 is a schematic perspective view of a rigid printed circuit board manufactured through the manufacturing method of FIGS. 4A to 4E.

도 6a 내지 도 6c는 센서용 칩 패키지의 강성인쇄회로기판에 센서용 칩을 부착하는 단계를 도시하고 있다. 6A to 6C illustrate a step of attaching a sensor chip to a rigid printed circuit board of the sensor chip package.

도 7은 도 6a 내지 도 6c의 제조 방법을 통해 제조된 센서용 칩 패키지의 개략적 사시도이다. FIG. 7 is a schematic perspective view of a chip package for a sensor manufactured through the manufacturing method of FIGS. 6A to 6C.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명 *Brief description of symbols for the main parts of the drawings

1: 센서용 칩 패키지 2: 카메라 모듈1: chip package for sensors 2: camera module

10: 하우징 20: 개구부 10: housing 20: opening

30: 제1 접착층 40: 리드부30: first adhesive layer 40: lead portion

41:이너 리드부 42: 아우터 리드부41: inner lead portion 42: outer lead portion

50: 절연층 60: 센서용 칩50: insulation layer 60: sensor chip

61: 이미지 센서용 칩 70: 절곡부61: chip for image sensor 70: bend

80: 제2 접착층 90: 범프 칩(Bumped Chip) 80: second adhesive layer 90: bumped chip

100: 언더필 재료 110:렌즈 홀더100: underfill material 110: lens holder

120: 렌즈부 130: 글래스120: lens unit 130: glass

Claims (14)

중앙에 개구부가 형성되며, 각 측의 단부는 절곡부를 구비하는 하우징;An opening is formed in the center, and an end portion of each side has a bent portion; 상기 하우징의 내 측면에 배치되는 제1 접착층;A first adhesive layer disposed on an inner side of the housing; 상기 제1 접착층에 접착되며 이너 리드부와 아우터 리드부가 일체화되어 배치되며 상기 아우터 리드부가 외부와 전기적으로 연결되는 리드부; 및A lead part bonded to the first adhesive layer, the lead part having an inner lead part and an outer lead part integrally disposed, and the outer lead part electrically connected to the outside; And 상기 하우징의 내부의 상기 이너 리드부에 플립칩 본딩되는 센서용 칩;을 포함하는 센서용 칩 패키지. And a sensor chip flip-chip bonded to the inner lead portion of the housing. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 하우징은 절곡 성형이 가능한 금속 또는 폴리머를 포함하는 물질로 만들어지는 센서용 칩 패키지.The housing is a chip package for a sensor made of a material comprising a metal or polymer capable of bending molding. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 리드부는 연성 동박 적층판(FCCL, flexible copper clad layer)에 형성된 센서용 칩 패키지.The lead portion is a sensor chip package formed on a flexible copper clad laminate (FCCL, flexible copper clad layer). 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 절곡부는, 소정의 높이를 가지도록 형성되며, 상기 소정의 높이가 상기 센서용 칩의 두께보다 크거나 같도록 2단 절곡 되는 센서용 칩 패키지.The bent part is formed to have a predetermined height, and the sensor chip package for bending two steps so that the predetermined height is greater than or equal to the thickness of the sensor chip. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 리드부의 적어도 일부를 덮는 절연층; 및An insulating layer covering at least a portion of the lead portion; And 상기 센서용 칩 패키지의 일 면에 도포 되어 적어도 상기 센서용 칩을 덮는 언더필;을 더 포함하는 센서용 칩 패키지.And an underfill applied to one surface of the sensor chip package to cover at least the sensor chip. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 센서용 칩은 이미지 센서용 칩인 센서용 칩 패키지.The sensor chip is a sensor chip package that is an image sensor chip. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 센서용 칩은 지문 인식용 칩인 센서용 칩 패키지.The sensor chip is a chip package for a sensor that is a chip for fingerprint recognition. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제1 접착층은 제1 절연층을 더 포함하는 센서용 칩 패키지.The first adhesive layer further comprises a first insulating layer chip package for a sensor. 렌즈부를 내부에 지지하는 렌즈 홀더;A lens holder supporting the lens unit therein; 상기 렌즈 홀더의 후방에 배치되며, 상기 렌즈부를 통과한 피사체광이 입사되는 개구부가 형성되며, 각 측의 단부는 절곡부를 구비하는 하우징;A housing disposed at the rear of the lens holder and having an opening through which the subject light passing through the lens part is incident, and an end of each side having a bent portion; 상기 하우징의 내측 면에 배치되는 제1 접착층;A first adhesive layer disposed on an inner side of the housing; 상기 제1 접착층에 접착되며 이너 리드부와 아우터 리드부가 일체화되어 배 치되며 상기 아우터 리드부가 외부와 전기적으로 연결되는 리드부; 및A lead part bonded to the first adhesive layer, the lead part having an inner lead part and an outer lead part integratedly disposed, and the outer lead part electrically connected to the outside; And 상기 하우징 내부의 상기 이너 리드부에 플립칩 본딩되어 상기 하우징의 상기 개구부를 통해 입사된 상기 피사체광들을 일 면에 입력받아 전기 신호로 변환하는 이미지 센서용 칩;을 포함하는 칩 패키지를 구비한 카메라 모듈. An image sensor chip flip-bonded to the inner lead portion of the housing to receive the subject light incident through the opening of the housing on one surface and convert the image light into an electrical signal; module. 제9 항에 있어서, The method of claim 9, 상기 리드부는 연성 동박 적층판에 형성되며, 상기 하우징의 단부는 소정의 높이를 갖도록 2단 절곡되며, 상기 하우징의 내부 높이는 상기 이미지 센서용 칩의 두께보다 크거나 같은 칩 패키지를 구비한 카메라 모듈.The lead part is formed on a flexible copper foil laminate, the end of the housing is bent in two stages to have a predetermined height, the inner height of the housing having a chip package greater than or equal to the thickness of the chip for the image sensor. 절곡 성형이 가능한 원 재료의 일 면에 금속박을 부착하는 단계;Attaching a metal foil to one surface of a raw material that can be bent; 상기 금속박에 이너 리드부 및 아우터 리드부를 포함한 회로 패턴을 형성하는 단계;Forming a circuit pattern including an inner lead portion and an outer lead portion on the metal foil; 상기 원재료의 중앙부에 개구를 형성하는 단계;Forming an opening in a central portion of the raw material; 상기 원재료의 각 측 단부를 절곡하는 단계; 및Bending each end of the raw material; And 상기 이너리드부에 센서용 칩을 플립칩 본딩하는 단계;를 포함하는 센서용 칩 패키지 제조 방법. And flip chip bonding a sensor chip to the inner lead part. 제11 항에 있어서, 12. The method of claim 11, 상기 금속박을 부착하는 단계는 절연성 접착재를 이용하여 수행되는 센서용 칩 패키지 제조 방법.Attaching the metal foil is a sensor chip package manufacturing method performed using an insulating adhesive. 제11 항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 절곡하는 단계는 상기 원재료가 소정의 높이를 갖도록 상기 원재료의 각 측의 단부를 두 번 절곡하는 단계인 센서용 칩 패키지 제조 방법.The bending step is a step of bending the end of each side of the raw material of the sensor chip package manufacturing method so that the raw material has a predetermined height. 제11 항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 회로 패턴을 형성하는 단계 이후에 상기 회로 패턴을 덮도록 절연층을 도포하는 단계를 더 포함하며, 상기 플립칩 본딩 하는 단계 이후에 상기 개구부에 대응하는 부분 이외의 상기 센서용 칩 부분을 덮도록 상기 센서용 칩의 플립칩 본딩 되는 면의 반대 면에 언더필을 도포하는 단계를 더 포함하는 센서용 칩 패키지 제조 방법.And forming an insulating layer to cover the circuit pattern after the forming of the circuit pattern, and covering the sensor chip portion other than the portion corresponding to the opening after the flip chip bonding. The method of claim 1, further comprising the step of applying an underfill on the opposite side of the flip chip bonding surface of the sensor chip.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3706405A4 (en) * 2017-11-27 2020-10-21 Vivo Mobile Communication Co., Ltd. Electronic device and image capture module of electronic device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002213911A (en) * 2001-01-22 2002-07-31 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Mounting package
US6696738B1 (en) * 2002-11-12 2004-02-24 Kingpak Technology Inc. Miniaturized image sensor
KR100790994B1 (en) * 2006-08-01 2008-01-03 삼성전자주식회사 Semiconductor image sensor package, method for manufacturing the same and semiconductor image sensor module comprising the same
KR20090050149A (en) * 2007-11-15 2009-05-20 주식회사 심텍 Board on chip semiconductor package substrate formed with solder resist dam and manufacturing method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002213911A (en) * 2001-01-22 2002-07-31 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Mounting package
US6696738B1 (en) * 2002-11-12 2004-02-24 Kingpak Technology Inc. Miniaturized image sensor
KR100790994B1 (en) * 2006-08-01 2008-01-03 삼성전자주식회사 Semiconductor image sensor package, method for manufacturing the same and semiconductor image sensor module comprising the same
KR20090050149A (en) * 2007-11-15 2009-05-20 주식회사 심텍 Board on chip semiconductor package substrate formed with solder resist dam and manufacturing method thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3706405A4 (en) * 2017-11-27 2020-10-21 Vivo Mobile Communication Co., Ltd. Electronic device and image capture module of electronic device
US11303788B2 (en) 2017-11-27 2022-04-12 Vivo Mobile Communication Co., Ltd. Electronic device and camera module thereof

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