KR20080044193A - Process for forming solder resist film and photosensitive composition - Google Patents

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KR20080044193A
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요꼬 시바사끼
겐지 가또
마사오 아리마
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다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤
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Abstract

A method for forming a solder resist film is provided to sufficiently harden a coating film formed from a photosensitive composition, from the surface to the core of the coating film. A method for forming a solder resist film includes the steps of: coating a substrate with a photosensitive composition, and drying the coated substrate; irradiating the dry coating film with a first laser light and a second laser light having a wavelength different from the wavelength of the first laser light, thereby forming a patterned latent image irradiated with the first and second laser lights; and performing development using an alkali aqueous solution. The photosensitive composition forms the unexposed dry coating film which shows an absorbance of 0.6-1.2 in the wavelength range of 355-380 nm and an absorbance of 0.3-0.6 in the wavelength of 405 nm, per 25 micron thickness of the coating film.

Description

솔더 레지스트막 형성 방법 및 감광성 조성물{PROCESS FOR FORMING SOLDER RESIST FILM AND PHOTOSENSITIVE COMPOSITION}Solder Resist Film Formation Method and Photosensitive Composition {PROCESS FOR FORMING SOLDER RESIST FILM AND PHOTOSENSITIVE COMPOSITION}

감광성 조성물을 기재에 도포하여 건조시킨 후에, 이 건조 도막에 레이저 광을 조사한 후, 알칼리 수용액에 의해 현상하여 형성하는 솔더 레지스트막의 형성 방법, 및 본 방법에 이용하는 감광성 조성물 및 상기 조성물을 캐리어 필름 상에 도포한 후에 건조하여 얻어지는 드라이 필름에 관한 것이다. After apply | coating a photosensitive composition to a base material and drying, after irradiating a laser beam to this dry coating film, the formation method of the soldering resist film formed by developing with aqueous alkali solution, the photosensitive composition used for this method, and the said composition are used on a carrier film. It is related with the dry film obtained by drying after apply | coating.

인쇄 배선판의 최외층에는 솔더 레지스트막이라는 영구 보호막이 설치되어 있다. 이 솔더 레지스트를 형성하기 위해, 미세한 패턴을 정확하게 형성할 수 있는 포토레지스트법이 널리 채용되고 있다. 그 중에서도, 환경면의 배려 등으로부터 알칼리 현상형의 포토레지스트법이 주류를 이루고 있다.The outermost layer of a printed wiring board is provided with the permanent protective film called a soldering resist film. In order to form this soldering resist, the photoresist method which can form a fine pattern correctly is employ | adopted widely. Among them, the alkali developing photoresist method is the mainstream due to environmental considerations.

포토레지스트법의 하나의 수법으로서는, 자외선을 발하는 램프로부터의 빛을 이용하는 일괄 노광법이 널리 알려져 있고, 예를 들면 일본 특허 공개 (평)01-141904호에 개시되어 있다. 이 일괄 노광법은 기재에 감광성 조성물을 도포하여 건조시킨 후에, 자외선을 발하는 램프로부터의 빛을 포토마스크를 통해 이 건조 도막에 전면 노광한다. 그 때문에, 매우 단시간에 패턴 잠상을 형성할 수 있다. 그 러나, 이 일괄 노광법은 포토마스크의 기재에 대한 위치 정합이 필요하고, 이 위치 정합에는 시간이 걸린다. 또한, 기재는 그 회로 형성시의 열 이력에 의해 치수가 변화되어 설계값으로부터의 차이를 발생시키기 쉽다. 이에 반해, 포토마스크는 상기와 같은 치수 변화를 발생시키지 않기 때문에, 이 기재의 차이에 대응한 위치의 보정을 할 수 없다. 미세한 패턴이 될수록 차이의 영향을 크게 받아, 정확한 패턴 잠상의 형성이 곤란해진다. 정확한 패턴 잠상을 형성하기 위해서는, 각 기재의 회로 형성 후의 치수를 각각 측정하고, 이에 대응하는 포토마스크를 기재마다 제조할 필요가 있어 매우 번잡하다.As one method of the photoresist method, the batch exposure method using the light from the lamp which emits ultraviolet-ray is widely known, For example, it is disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 01-141904. In this batch exposure method, after a photosensitive composition is apply | coated to a base material and dried, the light from the lamp which emits an ultraviolet-ray is exposed to the dry coating film whole surface through a photomask. Therefore, a pattern latent image can be formed in a very short time. However, this batch exposure method requires a position registration with respect to the substrate of the photomask, and this position registration takes time. In addition, the substrate is easily changed in dimension due to the thermal history at the time of forming the circuit, and easily causes a difference from the design value. On the other hand, since the photomask does not generate the above-described dimensional change, the position corresponding to the difference of the substrate cannot be corrected. The finer the pattern, the greater the influence of the difference, making it difficult to form an accurate pattern of latent image. In order to form an accurate pattern latent image, it is necessary to measure the dimension after circuit formation of each base material, and to manufacture the corresponding photomask for every base material, it is very complicated.

이에 반해, 레이저 광을 이용하는 직접 묘화법은 컴퓨터로부터의 데이터에 기초하여, 레이저 광원으로부터의 단일 파장의 빛을 이용하여, 건조 솔더 레지스트 도막에 직접 패턴 잠상을 묘화한다(국제 공개 WO02/096969호). 이 직접 묘화법은 상술한 바와 같은 기재 치수의 설계값으로부터의 차이에 대해서는, 회로 형성 후의 기재의 치수를 측정하고, 설계값으로부터의 차이를 컴퓨터로 보정하여, 원하는 정확한 패턴 잠상을 형성할 수 있다. 따라서, 직접 묘화법은 일괄 노광법과 비교하여, 미세한 패턴 잠상을 보다 정확하면서 용이하게 형성할 수 있다.In contrast, the direct drawing method using laser light draws a pattern latent image directly on a dry solder resist coating film using light of a single wavelength from a laser light source based on data from a computer (International Publication No. WO02 / 096969). . This direct drawing method can measure the dimensions of the substrate after circuit formation for the difference from the design value of the substrate dimension as described above, correct the difference from the design value with a computer, and form the desired accurate pattern latent image. . Therefore, the direct drawing method can form a fine pattern latent image more accurately and easily than the batch exposure method.

그러나, 직접 묘화법은 기재 상에서 레이저 광을 스캔하여 패턴 잠상을 그린다. 이 때문에, 직접 묘화법에 의해 1장의 기재 상에 패턴 잠상을 형성하기 위한 시간은 일괄 노광법과 비교하여 보다 길어지고, 생산성도 떨어지는 경향이 있다. 따라서, 생산성을 높이기 위해, 고속의 직접 묘화에 이용할 수 있는 고감도의 감광성 조성물이 요구되고 있다. 감광성 조성물의 감도가 낮으면, 고속의 직접 묘화, 즉 단시간의 레이저 광의 조사로 패턴 잠상을 충분히 형성할 수 없다. 일반적인 자외선 경화형 감광성 조성물은 200 mJ 내지 600 mJ의 감도를 갖는다. 이 감도 범위는 직접 묘화법으로 후막의 건조 솔더 레지스트 도막을 노광하여 충분히 경화시키기에는 낮다. However, the direct drawing method scans the laser light on the substrate to draw the pattern latent image. For this reason, the time for forming a pattern latent image on one base material by the direct drawing method becomes longer compared with the batch exposure method, and there exists a tendency for productivity to fall. Therefore, in order to raise productivity, the high sensitive photosensitive composition which can be used for high speed direct drawing is calculated | required. When the sensitivity of the photosensitive composition is low, a pattern latent image cannot be fully formed by high speed direct drawing, ie, irradiation of laser light for a short time. Typical ultraviolet curable photosensitive compositions have a sensitivity of 200 mJ to 600 mJ. This sensitivity range is low enough to expose and harden a dry solder resist coating film of a thick film by the direct drawing method.

또한, 레이저 직접 묘화법에서는 단일 파장을 이용한다. 일반적으로, 보다 단파장의 레이저 광을 이용하면, 광선의 에너지가 높기 때문에, 경화를 신속히 진행시킬 수 있다는 이점을 갖는 한편으로, 심부에까지 빛이 투과하기 어려운 경향이 있기 때문에, 솔더 레지스트막의 경화 심도가 저하되는 경향이 있다. 보다 장파장의 레이저 광을 이용하면, 감광성 조성물의 건조 도막의 심부에까지 빛이 닿아 경화 심도가 상승하는 이점을 갖는 한편으로, 광선의 에너지가 낮기 때문에 효율이 나빠 경화에 시간이 걸린다. 또한, 그동안 도막 표면은 산소에 의한 경화 저해를 받기 쉽기 때문에, 충분한 표면 경화가 얻어지지 않는 경향이 있었다. In addition, a single wavelength is used in the laser direct drawing method. In general, the use of shorter wavelength laser light has the advantage that the energy of the light beam is high, so that curing can proceed quickly, while light tends to be difficult to transmit to the core. It tends to be lowered. The use of a longer wavelength laser light has the advantage that light reaches the deep part of the dry coating film of the photosensitive composition and the curing depth is increased. On the other hand, since the energy of light is low, the efficiency is poor and the curing takes time. In addition, since the coating film surface is easy to receive hardening inhibition by oxygen, there existed a tendency for sufficient surface hardening not to be obtained.

본 발명의 목적은 보다 단파장의 레이저 광과 보다 장파장의 레이저 광의 각각의 이점을 살리면서 각각의 결점을 서로 보완하여, 감광성 조성물로부터 형성되는 도막을, 표면으로부터 심부에 이르기까지 충분히 경화시킬 수 있는 솔더 레지스트막의 형성 방법, 및 상기 방법에 적합하게 사용할 수 있는 고감도의 감광성 조성물을 제공하는 데에 있다.An object of the present invention is to solve the defects of each other while utilizing the advantages of a shorter wavelength laser light and a longer wavelength laser light, and to solder the coating film formed from the photosensitive composition from the surface to the deep portion sufficiently. It is providing the resist film formation method and the highly sensitive photosensitive composition which can be used suitably for the said method.

상기 목적을 해결하기 위해, 본 발명의 제1 측면에 따르면, 감광성 조성물을 기재에 도포하여 건조시킨 후에, 이 건조 도막에 서로 파장이 다른 2개 이상의 레이저 광을 조사하여, 상기 2개 이상의 레이저 광이 각각 조사된 패턴 잠상을 형성한 후, 알칼리 수용액에 의해 현상하는 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트막의 형성 방법을 제공한다. In order to solve the above object, according to the first aspect of the present invention, after the photosensitive composition is applied to a substrate and dried, two or more laser lights having different wavelengths are irradiated to the dried coating film, thereby providing the two or more laser lights. After forming the pattern latent image irradiated respectively, it develops by alkaline aqueous solution, The formation method of the soldering resist film characterized by the above-mentioned is provided.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 감광성 조성물을 기재에 도포하여 건조시킨 후에, 이 건조 도막에 제1의 레이저 광 및 상기 제1의 레이저 광과 파장이 다른 제2의 레이저 광을 조사하여, 상기 제1의 레이저 광과 제2의 레이저 광의 쌍방이 조사된 패턴 잠상을 형성한 후, 알칼리 수용액에 의해 현상하는 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트막의 형성 방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, after the photosensitive composition is applied to a substrate and dried, the dried coating film is irradiated with a first laser light and a second laser light having a different wavelength from the first laser light, and the After forming the pattern latent image irradiated with both the 1st laser light and the 2nd laser light, it develops by alkaline aqueous solution, The formation method of the soldering resist film characterized by the above-mentioned.

또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 제1 측면에 따른 솔더 레지스트막의 형성 방법에 이용하는 감광성 조성물이며, 그의 노광 전의 건조 도막이 두께 25 ㎛당, 355 내지 380 ㎚의 파장 범위에 있어서 0.6 내지 1.2의 흡광도를 나타내고, 또한 405 ㎚의 파장에 있어서 0.3 내지 0.6의 흡광도를 나타내는 것을 특징으로 하는 감광성 조성물을 제공한다.Furthermore, according to another aspect of the present invention, there is provided a photosensitive composition used in the method for forming a soldering resist film according to the first aspect, wherein a dry coating film before exposure thereof has an absorbance of 0.6 to 1.2 in a wavelength range of 355 to 380 nm per 25 μm in thickness. And a light absorbency of 0.3 to 0.6 at a wavelength of 405 nm.

또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 캐리어 필름 상에, 상기한 감광성 조성물을 도포한 후에 건조하여 얻어지는 드라이 필름을 제공한다.Moreover, according to another aspect of this invention, the dry film obtained by drying after apply | coating said photosensitive composition on a carrier film is provided.

이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 솔더 레지스트막의 형성 방법은 감광성 조성물을 기재에 도포하여 건조시킨 후에, 이 건조 도막에 서로 파장이 다른 2개 이상의 레이저 광을 조사하여, 상기 2개 이상의 레이저 광이 각각 조사된 패턴 잠상을 형성한 후, 알칼리 수용액에 의해 현상한다. In the method of forming the solder resist film of the present invention, after applying the photosensitive composition to a substrate and drying, the dry coating film is irradiated with two or more laser lights having different wavelengths, and a pattern latent image irradiated with the two or more laser lights, respectively. After formation, it is developed by aqueous alkali solution.

특히, 본 발명의 솔더 레지스트막의 형성 방법은 감광성 조성물을 기재에 도포하여 건조시킨 후에, 이 건조 도막에 제1의 레이저 광 및 상기 제1의 레이저 광과 파장이 다른 제2의 레이저 광을 조사하여, 상기 제1의 레이저 광과 제2의 레이저 광의 쌍방이 조사된 패턴 잠상을 형성한 후, 알칼리 수용액에 의해 현상한다.In particular, in the method for forming the solder resist film of the present invention, the photosensitive composition is applied to a substrate and dried, and then the dried coating film is irradiated with a first laser light and a second laser light having a different wavelength from the first laser light. After forming the pattern latent image to which both the said 1st laser light and the 2nd laser light were irradiated, it develops by aqueous alkali solution.

감광성 조성물의 건조 도막에, 서로 파장이 다른 2개 이상의 레이저 광, 예를 들면, 제1의 레이저 광 및 제1의 레이저 광과 파장이 다른 제2의 레이저 광을 조사함으로써, 양 레이저 광이 조사된 건조 도막 부분은 충분히 경화되어, 패턴 잠상(양 레이저 광이 조사된 부분)을 정확하게 형성할 수 있다. 2개 이상의 파장이 다른 레이저 광의 조사에 있어서는 어느 레이저 광을 먼저 조사하더라도 상관없고, 순서는 불문한다. 또한, 2개 이상의 파장이 다른 레이저 광을 동시에 조사할 수도 있다.Both laser light are irradiated to the dry coating film of the photosensitive composition by irradiating two or more laser lights with different wavelengths, for example, a 1st laser light and a 2nd laser light with a different wavelength from a 1st laser light. The dried coating film portion thus cured can be sufficiently cured to form a pattern latent image (a portion to which both laser light is irradiated). In the irradiation of laser light having two or more different wavelengths, any laser light may be irradiated first, regardless of the order. It is also possible to irradiate laser light having two or more different wavelengths at the same time.

이하, 제1의 레이저 광과 제2의 레이저 광의 2개의 레이저 광을 이용하는 양태에 대하여 설명한다. Hereinafter, the aspect which uses two laser beams, a 1st laser beam and a 2nd laser beam, is demonstrated.

본 발명의 솔더 레지스트막의 형성 방법에 이용하는 제1의 레이저 광과 제2의 레이저 광은 반도체 레이저 광 및 고체 레이저 광을 사용할 수 있다. 특히, 제1의 레이저 광 또는 제2의 레이저 광 중 한쪽이 청자색 레이저 광(예를 들면 405 ㎚)인 것이 바람직하다. 다른 쪽 레이저 광은 통상 자외 레이저 광이다. 이 제1 의 레이저 광과 제2의 레이저 광의 광원은 1대의 레이저 조사 장치 내에 설치될 수도 있다.Semiconductor laser light and solid state laser light can be used for the 1st laser light and the 2nd laser light used for the formation method of the soldering resist film of this invention. In particular, it is preferable that either one of the first laser light or the second laser light is blue violet laser light (for example, 405 nm). The other laser light is usually ultraviolet laser light. The light source of the first laser light and the second laser light may be provided in one laser irradiation apparatus.

상기한 본 발명의 솔더 레지스트막의 형성 방법에는 노광 전의 건조 도막이 두께 25 ㎛당, 355 내지 380 ㎚의 파장 범위에 있어서 0.6 내지 1.2의 흡광도를 나타내고, 또한 405 ㎚의 파장에 있어서 0.3 내지 0.6의 흡광도를 나타내는 본 발명의 감광성 조성물을 적합하게 사용할 수 있다. 상세하게는, 노광 전의 건조 도막이 단파장측의 355 내지 380 ㎚의 파장 범위에 있어서 0.6 내지 1.2의 흡광도를 나타냄으로써, 입사되는 빛을 건조 도막의 표층부에서 크게 흡수하여, 표면을 경화시키는 동시에, 장파장측의 405 ㎚ 파장에 있어서 0.3 내지 0.6의 흡광도를 나타냄으로써, 건조 도막의 저부에까지 빛을 투과시켜 충분한 경화 심도를 얻음으로써, 고감도를 실현하고 있다.In the method for forming the solder resist film of the present invention, the dry coating film before exposure shows an absorbance of 0.6 to 1.2 in a wavelength range of 355 to 380 nm per 25 μm in thickness, and an absorbance of 0.3 to 0.6 at a wavelength of 405 nm. The photosensitive composition of this invention shown can be used suitably. Specifically, the dry coating film before exposure exhibits an absorbance of 0.6 to 1.2 in the wavelength range of 355 to 380 nm on the short wavelength side, whereby the incident light is absorbed largely at the surface layer portion of the dry coating film to harden the surface and at the long wavelength side. By exhibiting an absorbance of 0.3 to 0.6 at a wavelength of 405 nm of, high sensitivity is achieved by transmitting light to the bottom of the dry coating film to obtain a sufficient curing depth.

여기서, 본 발명에 있어서 "노광 전의 건조 도막이 두께 25 ㎛당, 355 내지 380 nm의 파장 범위에 있어서 0.6 내지 1.2의 흡광도를 나타내고, 또한 405 nm의 파장에 있어서 0.3 내지 0.6의 흡광도를 나타낸다"는 것은, 후술하는 실시예에서 상세히 설명하지만, 감광성 조성물 페이스트를 도포·건조하여 얻어지는 건조 도막에 대하여 4 개의 상이한 두께와, 각 건조 도막의 두께에서의 파장 355 내지 380 nm에서의 흡광도의 그래프를 작성하고, 그 근사식으로부터 막 두께 25 ㎛의 건조 도막의 흡광도를 산출하여 얻어지는 흡광도가 0.6 내지 1.2의 범위에 있고, 또한 감광성 조성물 페이스트를 도포·건조하여 얻어지는 건조 도막에 대하여 4 개의 상이한 두께와, 각 건조 도막의 두께에서의 파장 405 nm에서의 흡광도의 그래프를 작 성하고, 그 근사식으로부터 막 두께 25 ㎛의 건조 도막의 흡광도를 산출하여 얻어지는 흡광도가 0.3 내지 0.6의 범위에 있다는 것을 의미한다.Here, in the present invention, "the dry coating film before exposure shows the absorbance of 0.6-1.2 in the wavelength range of 355-380 nm, and shows the absorbance of 0.3-0.6 in the wavelength of 405 nm per 25 micrometers in thickness." Although it demonstrates in detail in the Example mentioned later, about the dry coating film obtained by apply | coating and drying a photosensitive composition paste, the graph of four different thicknesses and the absorbance in wavelength 355-380 nm in the thickness of each dry coating film is created, The absorbance obtained by calculating the absorbance of the dry coating film having a film thickness of 25 μm from the approximation formula is in the range of 0.6 to 1.2, and four different thicknesses and respective dry coating films with respect to the dry coating film obtained by applying and drying the photosensitive composition paste. A graph of absorbance at wavelength 405 nm at the thickness of To calculate the absorbance of the coating tank means that the range of the absorbance obtained from 0.3 to 0.6.

또한, 본 발명에 있어서 "노광 전의 건조 도막의 두께 25 ㎛당, 355 내지 380 nm의 파장 범위에 있어서의 최대 흡광도와 405 nm의 파장에 있어서의 흡광도의 차가 0.3 이상 0.6 미만이다"는 것은, 후술하는 실시예에서 상세히 설명하지만, 감광성 조성물 페이스트를 도포·건조하여 얻어지는 건조 도막에 대하여 4 개의 상이한 두께와, 각 건조 도막의 두께에서의 파장 355 내지 380 nm에서의 흡광도의 그래프를 작성하고, 그 근사식으로부터 막 두께 25 ㎛의 건조 도막의 흡광도를 산출하여 얻어지는 최대 흡광도와, 감광성 조성물 페이스트를 도포 건조하여 얻어지는 건조 도막에 대하여 4 개의 상이한 두께와, 각 건조 도막의 두께에서의 파장 405 nm에서의 흡광도의 그래프를 작성하고, 그 근사식으로부터 막 두께 25 ㎛의 건조 도막의 흡광도를 산출하여 얻어지는 흡광도의 차가 0.3 이상 0.6 미만인 것을 의미한다.In addition, in this invention, "the difference between the maximum absorbance in the wavelength range of 355-380 nm and the absorbance in the wavelength of 405 nm is 0.3 or more and 0.6 or less per 0.6 micrometer thickness of the dry coating film before exposure" is mentioned later. Although the Example demonstrates in detail, about the dry coating film obtained by apply | coating and drying a photosensitive composition paste, the graph of four different thicknesses and the absorbance in wavelength 355-380 nm in the thickness of each dry coating film is created, and the approximation is carried out. The maximum absorbance obtained by calculating the absorbance of the dry coating film having a film thickness of 25 µm from the formula, and the absorbance at the wavelength of 405 nm at four different thicknesses and the thickness of each dry coating film with respect to the dry coating film obtained by coating and drying the photosensitive composition paste. Absorbance obtained by making a graph of the graph and calculating the absorbance of the dry coating film having a thickness of 25 µm from the approximation formula The difference means that at least 0.3 less than 0.6.

또한, 본 발명에 있어서 "노광 전의 건조 도막이 25 ㎛당, 355 nm의 파장에 있어서 0.6 내지 1.0의 흡광도를 나타내고, 405 nm의 파장에 있어서 0.3 내지 0.5의 흡광도를 나타내고, 또한 355 nm의 파장에 있어서의 흡광도와 405 nm의 파장에 있어서의 흡광도의 차가 0.3 이상 0.5 미만이다"는 것은, 후술하는 실시예에서 상세히 설명하지만, 감광성 조성물 페이스트를 도포·건조하여 얻어지는 건조 도막에 대하여 4 개의 상이한 두께와, 각 건조 도막의 두께에서의 파장 355 nm에서의 흡광도의 그래프를 작성하고, 그 근사식으로부터 막 두께 25 ㎛의 건조 도막의 흡광도 를 산출하여 얻어지는 흡광도가 0.6 내지 1.0의 범위에 있고, 또한 감광성 조성물 페이스트를 도포·건조하여 얻어지는 건조 도막에 대하여 4 개의 상이한 두께와, 각 건조 도막의 두께에서의 파장 405 nm에서의 흡광도의 그래프를 작성하고, 그 근사식으로부터 막 두께 25 ㎛의 건조 도막의 흡광도를 산출하여 얻어지는 흡광도가 0.3 내지 0.5의 범위에 있으며, 또한 상기와 동일하게 하여 얻어지는 파장 355 nm와 405 nm에 있어서의 막 두께 25 ㎛의 건조 도막의 흡광도를 산출하여 얻어지는 흡광도의 차가 0.3 이상 0.5 미만인 것을 의미한다.In the present invention, "the dry coating film before exposure shows an absorbance of 0.6 to 1.0 at a wavelength of 355 nm, a absorbance of 0.3 to 0.5 at a wavelength of 405 nm, and a wavelength of 355 nm. The difference in absorbance between the absorbance and the absorbance at a wavelength of 405 nm is 0.3 or more and less than 0.5 ", which will be described in detail in Examples later, but with four different thicknesses for the dry coating film obtained by applying and drying the photosensitive composition paste, A graph of the absorbance at wavelength 355 nm in the thickness of each dry coating film was prepared, and the absorbance obtained by calculating the absorbance of the dry coating film having a thickness of 25 μm from the approximation formula was in the range of 0.6 to 1.0, and the photosensitive composition paste Four different thicknesses with respect to the dried coating film obtained by apply | coating and drying, and the wavelength in 405 nm in the thickness of each dry coating film A graph of the absorbance was prepared, and the absorbance obtained by calculating the absorbance of a dry coating film having a thickness of 25 µm from the approximation formula was in the range of 0.3 to 0.5, and was obtained in the same manner as described above at wavelengths of 355 nm and 405 nm. It means that the difference in absorbance obtained by calculating the absorbance of a dry coating film having a film thickness of 25 µm is 0.3 or more and less than 0.5.

본 발명의 감광성 조성물의, 노광 전의 그의 건조 도막이 355 내지 380 ㎚의 파장 범위에 있어서 0.6 미만의 흡광도를 나타내는 경우에는, 표층부에서의 빛의 흡수가 불충분하여 표면 경화가 불충분한 경향이 있다. 1.2를 초과하는 흡광도를 나타내는 경우에는, 표면 경화가 과도하게 진행되어 저부로의 빛의 투과를 저지하는 경향이 있기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 노광 전의 건조 도막이 405 ㎚의 파장에 있어서 0.3 미만의 흡광도를 나타내는 경우에는, 건조 도막에 흡수되지 않는 빛이, 예를 들면 기판 상의 동박에 부딪혀 반사되어, 솔더 레지스트 형상이 변화되는 경향을 갖기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 0.6을 초과하는 흡광도를 나타내는 경우에는, 건조 도막의 저부로까지 충분히 빛을 투과시킬 수 없는 경향이 있어 바람직하지 않다.When the dry coating film before exposure of the photosensitive composition of this invention shows absorbance less than 0.6 in the wavelength range of 355-380 nm, there exists a tendency for the absorption of the light in surface layer part to be inadequate, and surface hardening to be inadequate. In the case where the absorbance is greater than 1.2, it is not preferable because the surface hardening proceeds excessively and tends to block the transmission of light to the bottom. In addition, when the dry coating film before exposure shows the absorbance of less than 0.3 in the wavelength of 405 nm, the light which is not absorbed by a dry coating film, for example hits and reflects copper foil on a board | substrate, and has a tendency to change a soldering resist shape. Because it is not desirable. Moreover, when showing absorbance exceeding 0.6, it exists in the tendency which cannot transmit a light enough to the bottom part of a dry coating film, and is unpreferable.

또한, 본 발명의 감광성 조성물은 노광 전의 그의 건조 도막의 두께 25 ㎛당, 355 내지 380 ㎚의 파장 범위에서의 최대 흡광도와 405 ㎚의 파장에서의 흡광도의 차이가 0.3 이상 0.6 미만인 것이 바람직하다. 흡광도의 차이가 이 범위에 있음으로써, 상기한 표면 경화 및 경화 심도를 효과적으로 얻을 수 있고, 본 발명의 감광성 조성물을 보다 고감도의 것으로 할 수 있다. 이 흡광도의 차이가 0.3 미만이면, 충분한 표면 경화와 경화 심도를 얻기 위해, 보다 긴 노광 시간이 필요하게 되는 경향이 있다. 또한, 0.6을 초과하면, 충분한 표면 경화와 경화 심도를 동시에 얻는 것이 곤란해지는 경향이 있어 바람직하지 않다. Moreover, it is preferable that the photosensitive composition of this invention is the difference of the maximum absorbance in the wavelength range of 355-380 nm and the absorbance in the wavelength of 405 nm per thickness of 25 micrometers of the dry coating film before exposure is 0.3 or more and less than 0.6. Since the difference in absorbance exists in this range, the above-mentioned surface hardening and hardening depth can be obtained effectively, and the photosensitive composition of this invention can be made more highly sensitive. If the difference in absorbance is less than 0.3, longer exposure time tends to be necessary to obtain sufficient surface hardening and depth of cure. Moreover, when it exceeds 0.6, it will become difficult to obtain sufficient surface hardening and hardening depth simultaneously, and it is unpreferable.

또한, 본 발명의 감광성 조성물은 노광 전의 그의 건조 도막이 25 ㎛당, 355 ㎚의 파장에 있어서 0.6 내지 1.0의 흡광도를 나타내고, 405 ㎚의 파장에 있어서 0.3 내지 0.5의 흡광도를 나타내고, 또한 355 ㎚ 파장에서의 흡광도와 405 ㎚의 파장에서의 흡광도의 차이가 0.3 이상 0.5 미만인 것이 바람직하다.Moreover, the photosensitive composition of this invention shows the absorbance of 0.6-1.0 at the wavelength of 355 nm, and the dry coating film before exposure shows the absorbance of 0.3-0.5 at the wavelength of 405 nm, and also at 355 nm wavelength. It is preferable that the difference between the absorbance at and the absorbance at a wavelength of 405 nm is 0.3 or more and less than 0.5.

본 발명의 감광성 조성물로서는, (A) 카르복실산 함유 수지, (B) 광중합 개시제, 및 (C) 안료를 포함하는 것을 이용할 수 있다.As the photosensitive composition of this invention, what contains (A) carboxylic acid containing resin, (B) photoinitiator, and (C) pigment can be used.

카르복실산 함유 수지 (A)로서는 분자 중에 카르복실기를 함유하는 공지 관용의 수지 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 분자 중에 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 카르복실산 함유 감광성 수지가 광경화성이나 내현상성 면에서 보다 바람직하다.As carboxylic acid containing resin (A), the well-known conventional resin compound which contains a carboxyl group in a molecule | numerator can be used. Moreover, the carboxylic acid containing photosensitive resin which has an ethylenically unsaturated double bond in a molecule | numerator is more preferable at the point of photocurability and developability.

구체적으로는, 하기에 열거하는 바와 같은 수지를 들 수 있다.Specifically, resin as enumerated below is mentioned.

(1) (메트)아크릴산 등의 불포화 카르복실산과, 그 이외의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 1종 이상을 공중합시킴으로써 얻어지는 카르복실산 함유 수지, (1) Carboxylic acid containing resin obtained by copolymerizing unsaturated carboxylic acid, such as (meth) acrylic acid, and at least 1 sort (s) of the compound which has another unsaturated double bond,

(2) (메트)아크릴산 등의 불포화 카르복실산과, 그 이외의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 1종 이상과의 공중합체에, 글리시딜(메트)아크릴레이트나 3,4-에 폭시시클로헥실메틸(메트)아크릴레이트 등의 에폭시기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물이나 (메트)아크릴산 클로라이드를 반응시킴으로써, 에틸렌성 불포화기를 팬던트로서 부가시킴으로써 얻어지는 카르복실산 함유 감광성 수지, (2) Glycidyl (meth) acrylate and 3,4-epoxycyclohexyl to a copolymer of unsaturated carboxylic acids such as (meth) acrylic acid and one or more kinds of compounds having other unsaturated double bonds Carboxylic acid containing photosensitive resin obtained by adding an ethylenically unsaturated group as a pendant by making compound and (meth) acrylic acid chloride which have an unsaturated double bond, such as methyl (meth) acrylate, react,

(3) 글리시딜(메트)아크릴레이트나 3,4-에폭시시클로헥실메틸(메트)아크릴레이트 등의 에폭시기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과, 그 이외의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과의 공중합체에, (메트)아크릴산 등의 불포화 카르복실산을 반응시키고, 생성된 2급의 수산기에 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실산 함유 감광성 수지, (3) A copolymer of a compound having an unsaturated double bond with an epoxy group such as glycidyl (meth) acrylate or 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth) acrylate, and a compound having an unsaturated double bond other than that Carboxylic acid containing photosensitive resin obtained by making unsaturated carboxylic acid, such as (meth) acrylic acid, react, and making polybasic acid anhydride react with the produced | generated secondary hydroxyl group,

(4) 무수 말레산 등의 불포화 이중 결합을 갖는 산 무수물과, 그 이외의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과의 공중합체에, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 등의 수산기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 카르복실산 함유 감광성 수지, (4) A hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and an unsaturated double bond are added to a copolymer of an acid anhydride having an unsaturated double bond such as maleic anhydride and a compound having an unsaturated double bond other than that. Carboxylic acid-containing photosensitive resin obtained by reacting a compound having,

(5) 다관능 에폭시 화합물과 (메트)아크릴산 등의 불포화 모노카르복실산을 반응시키고, 생성된 수산기에 포화 또는 불포화 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실산 함유 감광성 수지, (5) Carboxylic acid containing photosensitive resin obtained by making a polyfunctional epoxy compound react unsaturated monocarboxylic acids, such as (meth) acrylic acid, and making a hydroxyl group react with saturated or unsaturated polybasic anhydride,

(6) 폴리비닐알코올 유도체 등의 수산기 함유 중합체에, 포화 또는 불포화 다염기산 무수물을 반응시킨 후, 생성된 카르복실산에 1 분자 중에 에폭시기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 수산기 함유의 카르복실산 함유 감광성 수지, (6) A hydroxyl group-containing carboxyl obtained by reacting a saturated or unsaturated polybasic anhydride with a hydroxyl group-containing polymer such as a polyvinyl alcohol derivative, and then reacting the resulting carboxylic acid with a compound having an epoxy group and an unsaturated double bond in one molecule. Acid-containing photosensitive resin,

(7) 다관능 에폭시 화합물과, (메트)아크릴산 등의 불포화 모노카르복실산 과, 1 분자 중에 1개 이상의 알코올성 수산기와, 에폭시기와 반응하는 알코올성 수산기 이외의 1개의 반응성기를 갖는 화합물(예를 들면, 디메틸올프로피온산 등)과의 반응 생성물에, 포화 또는 불포화 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실산 함유 감광성 수지, (7) Compounds having a polyfunctional epoxy compound, unsaturated monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid, and at least one alcoholic hydroxyl group in one molecule and one reactive group other than the alcoholic hydroxyl group reacting with the epoxy group (for example , Carboxylic acid-containing photosensitive resin obtained by reacting a saturated or unsaturated polybasic anhydride with a reaction product with dimethylolpropionic acid)

(8) 1 분자 중에 2개 이상의 옥세탄환을 갖는 다관능 옥세탄 화합물에 (메트)아크릴산 등의 불포화 모노카르복실산을 반응시키고, 얻어진 변성 옥세탄 수지 중의 1급 수산기에 대하여 포화 또는 불포화 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실산 함유 감광성 수지, 및 (8) Saturated or unsaturated polybasic acid anhydride with respect to the primary hydroxyl group in the modified oxetane resin obtained by making unsaturated monocarboxylic acid, such as (meth) acrylic acid, react with the polyfunctional oxetane compound which has two or more oxetane rings in 1 molecule. Carboxylic acid-containing photosensitive resin obtained by making it react, and

(9) 다관능 에폭시 수지(예를 들면, 크레졸노볼락형 에폭시 수지 등)에 불포화 모노카르복실산(예를 들면, (메트)아크릴산 등)을 반응시킨 후, 다염기산 무수물(예를 들면, 테트라히드로프탈산 무수물 등)을 반응시켜 얻어지는 카르복실산 함유 감광성 수지에, 추가로, 분자 중에 1개의 옥시란환과 1개 이상의 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물(예를 들면, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등)을 반응시켜 얻어지는 카르복실산 함유 감광성 수지 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.(9) After reacting an unsaturated monocarboxylic acid (for example, (meth) acrylic acid, etc.) to a polyfunctional epoxy resin (for example, a cresol novolak-type epoxy resin, etc.), polybasic acid anhydride (for example, tetra In addition to the carboxylic acid-containing photosensitive resin obtained by reacting hydrophthalic anhydride etc., the compound which has one oxirane ring and one or more ethylenically unsaturated group in a molecule | numerator (for example, glycidyl (meth) acrylate, etc.) Although the carboxylic acid containing photosensitive resin etc. which are obtained by making it react) are mentioned, it is not limited to these.

이들 수지 중에서 바람직한 것은 상기 (2), (5), (7), (9)의 카르복실산 함유 감광성 수지이고, 특히 상기 (9)의 카르복실산 함유 감광성 수지가 광경화성, 경화 도막 특성 면에서 바람직하다. Preferred among these resins are carboxylic acid-containing photosensitive resins of the above (2), (5), (7) and (9), and in particular, the carboxylic acid-containing photosensitive resin of the above (9) is photocurable and cured coating film characteristics. Preferred at

한편, 본 명세서 중에 있어서, (메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 총칭하는 용어이며, 다른 유사한 표현에 대해서도 마찬가지다. 이들 아크릴레이트 화합물 및 메타크릴레이트 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.In addition, in this specification, (meth) acrylate is a term which generically refers to acrylate and methacrylate, and it is the same also about another similar expression. These acrylate compounds and methacrylate compounds may be used alone or in combination of two or more thereof.

상기와 같은 카르복실산 함유 수지 (A)는 백본 중합체의 측쇄에 카르복실기를 갖기 때문에, 알칼리 수용액에 의한 현상이 가능해진다.Since the carboxylic acid-containing resin (A) as described above has a carboxyl group in the side chain of the backbone polymer, development with an aqueous alkali solution becomes possible.

또한, 상기 카르복실산 함유 수지 (A)의 산가는 바람직하게는 40 내지 200 mgKOH/g의 범위에 있고, 보다 바람직하게는 45 내지 120 mgKOH/g의 범위에 있다. 카르복실산 함유 수지의 산가가 40 mgKOH/g 미만이면 알칼리 현상이 곤란해져 바람직하지 않다. 한편, 200 mgKOH/g을 초과하면 현상액에 의한 노광부의 용해가 진행되기 때문에, 필요 이상으로 라인이 가늘어지거나, 경우에 따라서는 노광부와 미노광부의 구별없이 현상액으로 용해 박리되어 버려, 정상적인 솔더 레지스트 패턴의 묘화가 곤란해지므로 바람직하지 않다. Moreover, the acid value of the said carboxylic acid containing resin (A) becomes like this. Preferably it is in the range of 40-200 mgKOH / g, More preferably, it is in the range of 45-120 mgKOH / g. If the acid value of the carboxylic acid-containing resin is less than 40 mgKOH / g, alkali development becomes difficult and undesirable. On the other hand, if it exceeds 200 mgKOH / g, since the dissolution of the exposed portion by the developing solution proceeds, the line becomes thinner than necessary, or in some cases, melted and peeled off with the developing solution without distinction between the exposed portion and the unexposed portion, and the normal solder resist It is not preferable because the drawing of the pattern becomes difficult.

또한, 상기 카르복실산 함유 수지 (A)의 중량 평균 분자량은 수지 골격에 따라 다르지만, 일반적으로 2,000 내지 150,000, 나아가 5,000 내지 100,000의 범위에 있는 것이 바람직하다. 중량 평균 분자량이 2,000 미만이면, 무점착 성능이 떨어질 수 있고, 또한 노광 후의 도막의 내습성이 나빠 현상시에 막 감소가 생겨, 해상도가 크게 떨어질 수 있다. 한편, 중량 평균 분자량이 150,000을 초과하면, 현상성이 현저히 나빠질 수 있고, 또한 저장 안정성이 떨어질 수 있다. Moreover, although the weight average molecular weight of the said carboxylic acid containing resin (A) changes with resin frame | skeleton, it is preferable to exist in the range of 2,000-150,000 normally, and also 5,000-100,000. When the weight average molecular weight is less than 2,000, the adhesion-free performance may be deteriorated, and the moisture resistance of the coating film after exposure is poor, and a film decrease may occur at the time of development, and the resolution may be greatly reduced. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 150,000, developability may be significantly worse, and storage stability may be inferior.

이러한 카르복실산 함유 수지 (A)의 배합량은 본 발명의 감광성 조성물의 전체 질량에 기초하여 20 내지 60 질량%, 바람직하게는 30 내지 50 질량%의 범위에서 선택할 수 있다. 20 질량% 미만의 경우, 도막 강도가 저하되는 경향이 있기 때문에 바람직하지 않다. 한편, 60 질량%를 초과하면, 점성이 높아지거나, 도포성 등이 저하되기 때문에 바람직하지 않다.The compounding quantity of such carboxylic acid containing resin (A) can be selected in 20-60 mass%, Preferably it is 30-50 mass% based on the total mass of the photosensitive composition of this invention. When it is less than 20 mass%, since coating film strength tends to fall, it is not preferable. On the other hand, when it exceeds 60 mass%, since viscosity becomes high, applicability | paintability etc. fall, it is not preferable.

광중합 개시제 (B)로서는, 하기 화학식 1로 표시되는 기를 갖는 옥심에스테르계 광중합 개시제, 하기 화학식 2로 표시되는 기를 갖는 α-아미노아세토페논계 광중합 개시제, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 기를 갖는 아실포스핀옥시드계 광중합 개시제로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 광중합 개시제를 사용하는 것이 바람직하다.As a photoinitiator (B), the oxime ester system photoinitiator which has group represented by following formula (1), the (alpha)-amino acetophenone system photoinitiator which has group represented by following formula (2), and the acyl phosphine jade which has group represented by following formula (3) It is preferable to use 1 or more types of photoinitiators selected from the group which consists of a seed type photoinitiator.

Figure 112007081956831-PAT00001
Figure 112007081956831-PAT00001

Figure 112007081956831-PAT00002
Figure 112007081956831-PAT00002

Figure 112007081956831-PAT00003
Figure 112007081956831-PAT00003

(식 중, (In the meal,

R1은 수소 원자, 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기, 또는 할로겐 원자로 치환될 수 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수 있음)를 나타내고, R 1 is a hydrogen atom, a phenyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or a halogen atom), an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms (can be substituted with one or more hydroxyl groups, one in the middle of the alkyl chain Or a cycloalkyl group having 5 to 8 carbon atoms, an alkanoyl group having 2 to 20 carbon atoms, or a benzoyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group),

R2는 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수 있음)를 나타내고, R 2 is a phenyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group or a halogen atom), an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms (can be substituted with one or more hydroxyl groups, and at least one oxygen atom in the middle of the alkyl chain ), A cycloalkyl group having 5 to 8 carbon atoms, an alkanoyl group having 2 to 20 carbon atoms or a benzoyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group),

R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 아릴알킬기를 나타내고, R 3 and R 4 each independently represent an alkyl group or an arylalkyl group having 1 to 12 carbon atoms,

R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 2개가 결합된 환상 알킬에테르기를 나타내고, R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a cyclic alkylether group having two bonded thereto,

R7 및 R8은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 시클로헥실기, 시클로펜틸기, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 알킬기 또는 알콕시기로 치환된 아릴기를 나타내되, 단, R7 및 R8 중 한쪽은 R-C(=O)-기(여기서 R은 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기임)를 나타낼 수 있음)R 7 and R 8 each independently represent a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cyclohexyl group, a cyclopentyl group, an aryl group, or an aryl group substituted with a halogen atom, an alkyl group or an alkoxy group, provided that One of R 7 and R 8 may represent an RC (═O) -group, where R is a hydrocarbon group of 1 to 20 carbon atoms

상기 화학식 1로 표시되는 기를 갖는 옥심에스테르계 광중합 개시제로서는, 바람직하게는 하기 화학식 4로 표시되는 2-(아세틸옥시이미노메틸)티오크산텐-9- 온, 하기 화학식 5로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.As an oxime ester type photoinitiator which has group represented by the said Formula (1), Preferably, 2- (acetyloxyiminomethyl) thioxanthene-9-one represented by following formula (4), the compound represented by following formula (5), and the following The compound represented by General formula (6) is mentioned.

Figure 112007081956831-PAT00004
Figure 112007081956831-PAT00004

Figure 112007081956831-PAT00005
Figure 112007081956831-PAT00005

(식 중, (In the meal,

R9는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 벤질기, 벤조일기, 탄소수 2 내지 12의 알카노일기, 탄소수 2 내지 12의 알콕시카르보닐기(알콕실기를 구성하는 알킬기의 탄소수가 2 이상인 경우, 알킬기는 1개 이상의 수산기로 치환될 수 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수 있음), 또는 페녹시카르보닐기를 나타내고, R 9 is a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a phenyl group, a benzyl group, a benzoyl group, an alkanoyl group having 2 to 12 carbon atoms, and an alkoxycarbonyl group having 2 to 12 carbon atoms (alkoxy When the alkyl group constituting the actual group has 2 or more carbon atoms, the alkyl group may be substituted with one or more hydroxyl groups, may have one or more oxygen atoms in the middle of the alkyl chain), or a phenoxycarbonyl group,

R10, R12는 각각 독립적으로 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수 있음)를 나타내고, R 10 and R 12 are each independently a phenyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group or a halogen atom), an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms (can be substituted with one or more hydroxyl groups, and in the middle of the alkyl chain May have one or more oxygen atoms), a cycloalkyl group having 5 to 8 carbon atoms, an alkanoyl group having 2 to 20 carbon atoms, or a benzoyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group),

R11은 수소 원자, 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수 있음)를 나타냄)R 11 is a hydrogen atom, a phenyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group or a halogen atom), an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms (can be substituted with one or more hydroxyl groups, and at least one in the middle of the alkyl chain May have an oxygen atom), a cycloalkyl group having 5 to 8 carbon atoms, an alkanoyl group having 2 to 20 carbon atoms, or a benzoyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group)

Figure 112007081956831-PAT00006
Figure 112007081956831-PAT00006

(식 중, (In the meal,

R13 및 R14는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 나타내고, R 13 and R 14 each independently represent an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms,

R15, R16, R17, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, R 15 , R 16 , R 17 , R 18 and R 19 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,

M은 O, S 또는 NH를 나타내고,M represents O, S or NH,

m 및 n은 0 내지 5의 정수를 나타냄)m and n represent integers from 0 to 5)

그 중에서도, 상기 화학식 4로 표시되는 2-(아세틸옥시이미노메틸)티오크산텐-9-온, 및 화학식 5로 표시되는 화합물이 보다 바람직하다. 시판품으로서는, 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조의 CGI-325, 이르가큐어 OXE01, 이르가큐어 OXE02 등을 들 수 있다. 이들 옥심에스테르계 광중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Especially, the compound represented by 2- (acetyloxyiminomethyl) thioxanthene-9-one represented by the said Formula (4), and Formula (5) is more preferable. As a commercial item, CGI-325, Irgacure OXE01, Irgacure OXE02, etc. made by Ciba Specialty Chemicals, etc. are mentioned. These oxime ester photoinitiators can be used individually or in combination of 2 or more types.

상기 화학식 2로 표시되는 기를 갖는 α-아미노아세토페논계 광중합 개시제로서는, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로파논-1, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논, N,N-디메틸아미노아세토페논 등을 들 수 있다. 시판품으로서는, 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조의 이르가큐어 907, 이르가큐어 369, 이르가큐어 379 등을 들 수 있다.Examples of the α-aminoacetophenone-based photopolymerization initiator having a group represented by the formula (2) include 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropaneone-1 and 2-benzyl-2- Dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, 2- (dimethylamino) -2-[(4-methylphenyl) methyl] -1- [4- (4-morpholinyl) Phenyl] -1-butanone, N, N-dimethylaminoacetophenone, etc. are mentioned. Examples of commercially available products include Irgacure 907, Irgacure 369, Irgacure 379, and the like manufactured by Ciba Specialty Chemicals.

상기 화학식 3으로 표시되는 기를 갖는 아실포스핀옥시드계 광중합 개시제로서는, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸-펜틸포스핀옥시드 등을 들 수 있다. 시판품으로서는, 바스프사 제조의 루시린 TPO, 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조의 이르가큐어 819 등을 들 수 있다.As an acyl phosphine oxide type photoinitiator which has group represented by the said Formula (3), 2,4,6- trimethyl benzoyl diphenyl phosphine oxide, bis (2, 4, 6- trimethyl benzoyl)-phenylphosphine oxide, bis ( 2, 6- dimethoxy benzoyl) -2, 4, 4- trimethyl- pentyl phosphine oxide, etc. are mentioned. Examples of commercially available products include Lucirin TPO manufactured by BASF Corporation, Irgacure 819 manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Inc., and the like.

이러한 광중합 중합 개시제 (B)의 배합량은 상기 카르복실산 함유 수지 (A) 100 질량부에 대하여 0.01 내지 30 질량부, 바람직하게는 0.5 내지 15 질량부의 범위에서 선택할 수 있다. 0.01 질량부 미만이면, 구리 상에서의 광경화성이 부족하 여 도막이 박리되거나, 내약품성 등의 도막 특성이 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 한편, 30 질량부를 초과하면, 광중합 개시제 (B)의 솔더 레지스트 도막 표면에서의 광 흡수가 심해져서 심부 경화성이 저하되는 경향이 있기 때문에 바람직하지 않다. The compounding quantity of such a photoinitiator (B) can be chosen in 0.01-30 mass parts with respect to 100 mass parts of said carboxylic acid containing resins (A), Preferably it is the range of 0.5-15 mass parts. If it is less than 0.01 mass part, since the photocurability on copper is inadequate and peeling off a coating film or coating-film characteristics, such as chemical-resistance, it is unpreferable. On the other hand, when it exceeds 30 mass parts, since the light absorption in the soldering resist coating film surface of a photoinitiator (B) becomes deep and deep-curing property tends to fall, it is unpreferable.

한편, 상기 화학식 1로 표시되는 기를 갖는 옥심에스테르계 광중합 개시제의 경우, 그의 배합량은 상기 카르복실산 함유 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 내지 20 질량부, 보다 바람직하게는 0.01 내지 5 질량부의 범위에서 선택하는 것이 바람직하다. 이러한 옥심에스테르계 광중합 개시제 (I)은 동박과의 계면에서 구리 원자와 반응하여 광중합 개시제로서의 기능이 실활되는 경우가 있기 때문에, α-아미노아세토페논계 광중합 개시제 (II) 등과 병용하는 것이 바람직하다. On the other hand, in the case of the oxime ester type photoinitiator which has group represented by the said General formula (1), the compounding quantity becomes like this. Preferably it is 0.01-20 mass parts, More preferably, 0.01 with respect to 100 mass parts of said carboxylic acid containing resin (A). It is preferable to select in the range of-5 parts by mass. Since such an oxime ester type photoinitiator (I) may react with a copper atom in the interface with copper foil, and the function as a photoinitiator may be inactivated, it is preferable to use together with (alpha)-amino acetophenone type photoinitiator (II).

본 발명의 감광성 조성물에 포함되는 안료 (C)로서, 프탈로시아닌 블루계 안료가 함유되는 것이 바람직하다. 405 ㎚의 단일 파장의 빛(레이저 광)에 대하여 프탈로시아닌 블루계 안료를 첨가한 감광성 조성물 쪽이, 보다 저노광량으로 표면 경화성이 얻어지는 것이 본 발명자 등에 의해 발견되었다. 이 프탈로시아닌 블루계 안료의 증감 효과의 이유는 분명하지 않지만, 예를 들면 막 두께 25 ㎛당 흡광도가 0.3 미만인 감광성 조성물에, 프탈로시아닌 블루를 첨가하고, 흡광도를 0.3 이상으로 하는 것만으로 충분한 표면 경화성과 경화 심도가 동시에 저노광량으로 얻어진다. 또한, 이 증감 효과는 표면의 반응성(광택 개선)에 효과가 있고, 경화 심도는 반대로 나빠진다. 즉, 노광된 빛을 반사하는 듯한 기능을 한다. 이 기능 은 솔더 레지스트의 형상의 안정화에도 유효하다. 프탈로시아닌 블루계 안료로서는, α형 구리 프탈로시아닌 블루, α형 모노클로로 구리 프탈로시아닌 블루, β형 구리 프탈로시아닌 블루, ε형 구리 프탈로시아닌 블루, 코발트 프탈로시아닌 블루, 금속-무함유 프탈로시아닌 블루 등을 들 수 있다.As the pigment (C) contained in the photosensitive composition of this invention, it is preferable that a phthalocyanine blue pigment is contained. It was discovered by the present inventors etc. that the photosensitive composition which added the phthalocyanine blue pigment with respect to the light of a single wavelength of 405 nm (laser light) is obtained by lower exposure amount. Although the reason for the sensitization effect of this phthalocyanine blue type pigment is not clear, For example, phthalocyanine blue is added to the photosensitive composition whose absorbance per film thickness of 25 micrometers is less than 0.3, and sufficient absorbency and surface hardening are made into 0.3 or more. Depth is simultaneously obtained with a low exposure amount. Moreover, this sensitization effect is effective in surface reactivity (gloss improvement), and hardening depth worsens on the contrary. In other words, it functions to reflect the exposed light. This function is also effective for stabilizing the shape of the solder resist. Examples of the phthalocyanine blue pigments include α-type copper phthalocyanine blue, α-type monochloro copper phthalocyanine blue, β-type copper phthalocyanine blue, ε-type copper phthalocyanine blue, cobalt phthalocyanine blue, and metal-free phthalocyanine blue.

이러한 안료 (C)의 적정한 첨가량은, 감광성 조성물의 건조 도막의 405 ㎚의 파장에서의 흡광도가 25 ㎛당 0.3 내지 0.6이 되는 범위이면 임의로 첨가할 수 있고, 예를 들면 카르복실산 함유 수지 (A) 100 질량부에 대하여 0.01 내지 5 질량부 범위이다.The appropriate addition amount of such a pigment (C) can be added arbitrarily as long as the absorbance in the wavelength of 405 nm of the dry coating film of a photosensitive composition becomes 0.3 to 0.6 per 25 micrometers, for example, carboxylic acid containing resin (A ) 0.01 to 5 parts by mass relative to 100 parts by mass.

그 밖에 본 발명의 감광성 조성물에 적합하게 사용할 수 있는 광중합 개시제, 광개시 보조제 및 증감제로서는, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 안트라퀴논 화합물, 티오크산톤 화합물, 케탈 화합물, 벤조페논 화합물, 크산톤 화합물 및 3급 아민 화합물 등을 들 수 있다.In addition, as a photoinitiator, a photoinitiator, and a sensitizer which can be used suitably for the photosensitive composition of this invention, a benzoin compound, an acetophenone compound, an anthraquinone compound, a thioxanthone compound, a ketal compound, a benzophenone compound, a xanthone A compound, a tertiary amine compound, etc. are mentioned.

벤조인 화합물의 구체예를 들면, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르이다.Specific examples of the benzoin compound include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin isopropyl ether.

아세토페논 화합물의 구체예를 들면, 예를 들면, 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 1,1-디클로로아세토페논이다.Specific examples of the acetophenone compound include acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, and 1,1-dichloroacetophenone. .

안트라퀴논 화합물의 구체예를 들면, 예를 들면, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논이다. Specific examples of the anthraquinone compound include 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-t-butylanthraquinone and 1-chloroanthraquinone.

티오크산톤 화합물의 구체예를 들면, 예를 들면, 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤이다.Specific examples of the thioxanthone compound include, for example, 2,4-dimethyl thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, 2-chloro thioxanthone, and 2,4-diisopropyl thioxanthone. to be.

케탈 화합물의 구체예를 들면, 예를 들면, 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈이다. Specific examples of the ketal compound include acetophenone dimethyl ketal and benzyl dimethyl ketal.

벤조페논 화합물의 구체예를 들면, 예를 들면, 벤조페논, 4-벤조일디페닐술피드, 4-벤조일-4'-메틸디페닐술피드, 4-벤조일-4'-에틸디페닐술피드, 4-벤조일-4'-프로필디페닐술피드이다. Specific examples of the benzophenone compound include, for example, benzophenone, 4-benzoyldiphenyl sulfide, 4-benzoyl-4'-methyldiphenyl sulfide, 4-benzoyl-4'-ethyldiphenyl sulfide, 4-benzoyl-4'-propyldiphenylsulfide.

3급 아민 화합물의 구체예를 들면, 예를 들면, 에탄올아민 화합물, 디알킬아미노벤젠 구조를 갖는 화합물, 예를 들면, 4,4'-디메틸아미노벤조페논(니혼소다사 제조의 닛소큐어 MABP), 4,4'-디에틸아미노벤조페논(호도가야 가가꾸사 제조의 EAB) 등의 디알킬아미노벤조페논, 7-(디에틸아미노)-4-메틸-2H-1-벤조피란-2-온(7-(디에틸아미노)-4-메틸쿠마린) 등의 디알킬아미노기 함유 쿠마린 화합물, 4-디메틸아미노벤조산에틸(닛본 가야꾸사 제조의 카야큐어 EPA), 2-디메틸아미노벤조산에틸(인터내셔널 바이오-신테틱스사 제조의 Quantacure DMB), 4-디메틸아미노벤조산(n-부톡시)에틸(인터내셔널 바이오-신테틱스사 제조의 Quantacure BEA), p-디메틸아미노벤조산이소아밀에틸에스테르(닛본 가야꾸사 제조의 카야큐어 DMBI), 4-디메틸아미노벤조산 2-에틸헥실(반 다익사 제조의 Esolol 507), 4,4'-디에틸아미노벤조페논(호도가야 가가꾸사 제조의 EAB)이다.Specific examples of the tertiary amine compound include, for example, an ethanolamine compound and a compound having a dialkylaminobenzene structure, for example, 4,4'-dimethylaminobenzophenone (Nissocure MABP manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.). And dialkylaminobenzophenones such as 4,4'-diethylaminobenzophenone (EAB manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.) and 7- (diethylamino) -4-methyl-2H-1-benzopyran-2- Dialkylamino group-containing coumarin compounds such as on (7- (diethylamino) -4-methylcoumarin), ethyl 4-dimethylaminobenzoate (Kayacure EPA manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 2-dimethylaminobenzoate ethyl (International Bio -Quantacure DMB manufactured by Synthetics Co., Ltd., 4-dimethylaminobenzoic acid (n-butoxy) ethyl (Quantacure BEA manufactured by International Bio-Synthetics Co., Ltd.), isoamylethyl ester of p-dimethylaminobenzoic acid (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) Kayacure DMBI), 2-ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoic acid (Esol, manufactured by Van Dyck) ol 507) and 4,4'- diethylamino benzophenone (EAB by Hodogaya Chemical Co., Ltd.).

상기한 것 중에서도 티오크산톤 화합물 및 3급 아민 화합물이 바람직하다. 본 발명의 조성물에는 티오크산톤 화합물이 포함되는 것이 심부 경화성 면에서 바람직하고, 그 중에서도 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤 화합물이 바람직하다. Among the above, thioxanthone compounds and tertiary amine compounds are preferable. It is preferable that the composition of the present invention contains a thioxanthone compound in terms of core hardenability, and in particular, 2,4-dimethyl thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, 2-chloro thioxanthone, 2, Thioxanthone compounds, such as 4-diisopropyl thioxanthone, are preferable.

이러한 티오크산톤 화합물의 배합량으로서는, 상기 카르복실산 함유 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 20 질량부 이하, 보다 바람직하게는 10 질량부 이하의 비율이다. 티오크산톤 화합물의 배합량이 너무 많으면, 후막 경화성이 저하되어 제품의 비용 상승으로 이어지기 때문에, 바람직하지 않다. As a compounding quantity of such a thioxanthone compound, Preferably it is 20 mass parts or less, More preferably, it is the ratio of 10 mass parts or less with respect to 100 mass parts of said carboxylic acid containing resins (A). When the compounding quantity of a thioxanthone compound is too large, since thick film sclerosis | hardenability will fall and it will lead to the cost increase of a product, it is unpreferable.

3급 아민 화합물로서는 디알킬아미노벤젠 구조를 갖는 화합물이 바람직하고, 그 중에서도 디알킬아미노벤조페논 화합물, 최대 흡수 파장이 350 내지 410 ㎚에 있는 디알킬아미노기 함유 쿠마린 화합물이 특히 바람직하다. 디알킬아미노벤조페논 화합물로서는, 4,4'-디에틸아미노벤조페논이 독성도 낮아 바람직하다. 최대 흡수 파장이 350 내지 410 ㎚에 있는 디알킬아미노기 함유 쿠마린 화합물은 최대 흡수 파장이 자외선 영역에 있기 때문에 착색이 적어, 무색 투명한 솔더 감광성 조성물은 물론이고, 착색 안료를 이용하여 착색 안료 자체의 색을 반영한 착색 솔더 레지스트를 제공하는 것이 가능해진다. 특히, 7-(디에틸아미노)-4-메틸-2H-1-벤조피란-2-온이 파장 400 내지 410 ㎚의 레이저 광에 대하여 우수한 증감 효과를 나타내기 때문에 바람직하다.As the tertiary amine compound, a compound having a dialkylaminobenzene structure is preferable, and a dialkylaminobenzophenone compound and a dialkylamino group-containing coumarin compound having a maximum absorption wavelength of 350 to 410 nm are particularly preferable. As the dialkylaminobenzophenone compound, 4,4'-diethylaminobenzophenone is also preferable because of its low toxicity. The dialkylamino group-containing coumarin compound having a maximum absorption wavelength of 350 to 410 nm has little coloration because the maximum absorption wavelength is in the ultraviolet region, so that not only the colorless transparent solder photosensitive composition can be used but also the color of the colored pigment itself using a color pigment. It becomes possible to provide the reflecting colored solder resist. In particular, 7- (diethylamino) -4-methyl-2H-1-benzopyran-2-one is preferable because it exhibits an excellent sensitizing effect on laser light having a wavelength of 400 to 410 nm.

이러한 3급 아민 화합물의 배합량으로서는, 상기 카르복실산 함유 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1 내지 20 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 10 질량부의 비율이다. 3급 아민 화합물의 배합량이 0.1 질량부 이하이면, 충분한 증감 효과를 얻을 수 없는 경향이 있다. 20 질량부를 초과하면, 3급 아민 화합물에 의한 건조 솔더 레지스트 도막의 표면에서의 광 흡수가 심해져, 심부 경화성이 저하되는 경향이 있다. As a compounding quantity of such a tertiary amine compound, Preferably it is 0.1-20 mass parts with respect to 100 mass parts of said carboxylic acid containing resin (A), More preferably, it is the ratio of 0.1-10 mass parts. When the compounding quantity of a tertiary amine compound is 0.1 mass part or less, there exists a tendency for sufficient sensitization effect to not be acquired. When it exceeds 20 mass parts, the light absorption in the surface of the dry solder resist coating film by a tertiary amine compound will become deep, and there exists a tendency for deep-part sclerosis | hardenability to fall.

이들 광중합 개시제, 광개시 보조제 및 증감제는 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다.These photoinitiators, photoinitiator, and sensitizer can be used individually or as a mixture of 2 or more types.

이러한 광중합 개시제, 광개시 보조제 및 증감제의 총량은 상기 카르복실산 함유 수지 (A) 100 질량부에 대하여 35 질량부 이하가 되는 범위에 있는 것이 바람직하다. 35 질량부를 초과하면, 이들의 광 흡수에 의해 심부 경화성이 저하되는 경향이 있다.It is preferable that the total amount of such a photoinitiator, a photoinitiation adjuvant, and a sensitizer exists in the range used as 35 mass parts or less with respect to 100 mass parts of said carboxylic acid containing resin (A). When it exceeds 35 mass parts, there exists a tendency for deep-part sclerosis | hardenability to fall by these light absorption.

본 발명의 감광성 조성물에는 내열성을 부여하기 위해, 분자 중에 2개 이상의 환상 에테르기 및/또는 환상 티오에테르기(이하, 환상 (티오)에테르기라 약칭함)를 갖는 열경화성 성분 (D)를 배합할 수 있다.In order to provide heat resistance, the photosensitive composition of this invention can mix | blend the thermosetting component (D) which has a 2 or more cyclic ether group and / or cyclic thioether group (henceforth cyclic (thio) ether group) in a molecule | numerator. have.

이러한 분자 중에 2개 이상의 환상 (티오)에테르기를 갖는 열경화성 성분 (D)는, 분자 중에 3, 4 또는 5원환의 환상 에테르기 또는 환상 티오에테르기 중 어느 한쪽 또는 2종의 기를 2개 이상 갖는 화합물이다. 예를 들면, 분자 내에 적어도 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물, 즉 다관능 에폭시 화합물 (D-1), 분자 내에 적어도 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물, 즉 다관능 옥세탄 화합물 (D-2), 분자 내에 2개 이상의 티오에테르기를 갖는 화합물, 즉 에피술피드 수지 (D-3) 등을 들 수 있다. The thermosetting component (D) which has two or more cyclic (thio) ether groups in such a molecule | numerator is a compound which has 2 or more of any one or 2 types of a 3, 4 or 5 membered cyclic ether group or a cyclic thioether group in a molecule | numerator. to be. For example, a compound having at least two or more epoxy groups in a molecule, that is, a polyfunctional epoxy compound (D-1), a compound having at least two or more oxetanyl groups in a molecule, that is, a polyfunctional oxetane compound (D-2) And compounds having two or more thioether groups in the molecule, namely episulfide resin (D-3).

상기 다관능 에폭시 화합물 (D-1)로서는, 예를 들면 재팬 에폭시 레진사 제조의 에피코트 828, 에피코트 834, 에피코트 1001, 에피코트 1004, 다이닛본 잉끼 가가꾸 고교사 제조의 에피클론 840, 에피클론 850, 에피클론 1050, 에피클론 2055, 도토 가세이사 제조의 에포토토 YD-011, YD-013, YD-127, YD-128, 다우 케미 컬사 제조의 D.E.R.317, D.E.R.331, D.E.R.661, D.E.R.664, 시바 스페셜티 케미컬즈사의 아랄다이트 6071, 아랄다이트 6084, 아랄다이트 GY250, 아랄다이트 GY260, 스미토모 가가꾸 고교사 제조의 스미-에폭시 ESA-011, ESA-014, ELA-115, ELA-128, 아사히 가세이 고교사 제조의 A.E.R.330, A.E.R.331, A.E.R.661, A.E.R.664 등(모두 상품명)의 비스페놀 A형 에폭시 수지; 재팬 에폭시 레진사 제조의 에피코트 YL903, 다이닛본 잉끼 가가꾸 고교사 제조의 에피클론 152, 에피클론 165, 도토 가세이사 제조의 에포토토 YDB-400, YDB-500, 다우 케미컬사 제조의 D.E.R.542, 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조의 아랄다이트 8011, 스미토모 가가꾸 고교사 제조의 스미-에폭시 ESB-400, ESB-700, 아사히 가세이 고교사 제조의 A.E.R.711, A.E.R.714 등(모두 상품명)의 브롬화 에폭시 수지; 재팬 에폭시 레진사 제조의 에피코트 152, 에피코트 154, 다우 케미컬사 제조의 D.E.N.431, D.E.N.438, 다이닛본 잉끼 가가꾸 고교사 제조의 에피클론 N-730, 에피클론 N-770, 에피클론 N-865, 도토 가세이사 제조의 에포토토 YDCN-701, YDCN-704, 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조의 아랄다이트 ECN1235, 아랄다이트 ECN1273, 아랄다이트 ECN1299, 아랄다이트 XPY307, 닛본 가야꾸사 제조의 EPPN-201, EOCN-1025, EOCN-1020, EOCN-104S, RE-306, 스미토모 가가꾸 고교사 제조의 스미-에폭시 ESCN-195X, ESCN-220, 아사히 가세이 고교사 제조의 A.E.R. ECN-235, ECN-299 등(모두 상품명)의 노볼락형 에폭시 수지; 다이닛본 잉끼 가가꾸 고교사 제조의 에피클론 830, 재팬 에폭시 레진사 제조의 에피코트 807, 도토 가세이사 제조의 에포토토 YDF-170, YDF-175, YDF-2004, 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조의 아랄다이트 XPY306 등(모두 상품명)의 비스페놀 F형 에폭시 수 지; 도토 가세이사 제조의 에포토토 ST-2004, ST-2007, ST-3000(상품명) 등의 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지; 재팬 에폭시 레진사 제조의 에피코트 604, 도토 가세이사 제조의 에포토토 YH-434, 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조의 아랄다이트 MY720, 스미토모 가가꾸 고교사 제조의 스미-에폭시 ELM-120 등(모두 상품명)의 글리시딜아민형 에폭시 수지; 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조의 아랄다이트 CY-350(상품명) 등의 히단토인형 에폭시 수지; 다이셀 가가꾸 고교사 제조의 셀록사이드 2021, 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조의 아랄다이트 CY175, CY179 등(모두 상품명)의 지환식 에폭시 수지; 재팬 에폭시 레진사 제조의 YL-933, 다우 케미컬사 제조의 T.E.N., EPPN-501, EPPN-502 등(모두 상품명)의 트리히드록시페닐메탄형 에폭시 수지; 재팬 에폭시 레진사 제조의 YL-6056, YX-4000, YL-6121(모두 상품명) 등의 비크실레놀형 또는 비페놀형 에폭시 수지 또는 이들의 혼합물; 닛본 가야꾸사 제조의 EBPS-200, 아사히 덴카 고교사 제조의 EPX-30, 다이닛본 잉끼 가가꾸 고교사 제조의 EXA-1514(상품명) 등의 비스페놀 S형 에폭시 수지; 재팬 에폭시 레진사 제조의 에피코트 157S(상품명) 등의 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지; 재팬 에폭시 레진사 제조의 에피코트 YL-931, 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조의 아랄다이트 163 등(모두 상품명)의 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지; 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조의 아랄다이트 PT810, 닛산 가가꾸 고교사 제조의 TEPIC 등(모두 상품명)의 복소환식 에폭시 수지; 닛본 유시사 제조의 브렌머 DGT 등의 디글리시딜프탈레이트 수지; 도토 가세이사 제조의 ZX-1063 등의 테트라글리시딜크실레노일에탄 수지; 신닛테쯔 가가꾸사 제조의 ESN-190, ESN-360, 다이닛본 잉끼 가가꾸 고교사 제조의 HP-4032, EXA-4750, EXA-4700 등의 나프탈렌기 함유 에폭시 수지; 다이닛본 잉끼 가가꾸 고교사 제조의 HP-7200, HP-7200H 등의 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 수지; 닛본 유시사 제조의 CP-50S, CP-50M 등의 글리시딜메타크릴레이트 공중합계 에폭시 수지; 또한 시클로헥실말레이미드와 글리시딜메타크릴레이트의 공중합 에폭시 수지; 에폭시 변성의 폴리부타디엔 고무 유도체(예를 들면, 다이셀 가가꾸 고교 제조의 PB-3600 등), CTBN 변성 에폭시 수지(예를 들면, 도토 가세이사 제조의 YR-102, YR-450 등) 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 이들 에폭시 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도 특히 노볼락형 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지 또는 이들의 혼합물이 바람직하다.As said polyfunctional epoxy compound (D-1), for example, Epicoat 828, Epicoat 834, Epicoat 1001, Epicoat 1004, and Epiclone 840 by Dainippon Ingyo Kagaku Kogyo Co., Ltd. Epiclone 850, Epiclone 1050, Epiclone 2055, Etoto YD-011, YD-013, YD-127, YD-128 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., DER317, DER331, DER661, manufactured by Dow Chemical Co., Ltd. DER664, Araldite 6071, Araldite 6084, Araldite GY250, Araldite GY260, Sumi-Epoxy ESA-011, ESA-014, ELA-115, made by Sumitomo Chemical Co., Ltd. Bisphenol A type epoxy resins such as ELA-128, AER330, AER331, AER661, and AER664 manufactured by Asahi Kasei Kogyo Co., Ltd .; Epicoat YL903 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., Epiclone 152, Epiclone 165, manufactured by Dainippon Ingyo Kagaku Kogyo Co., Ltd., Efototo YDB-400, YDB-500, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., DER542, manufactured by Dow Chemical , Brominated epoxy resins such as Araldite 8011 manufactured by Shiba Specialty Chemicals, Sumitomo Kagaku Kogyo Co., Ltd. Sumi-Epoxy ESB-400, ESB-700, Asahi Kasei Kogyo Co., Ltd. AER711, AER714 (all brand names) ; Epicoat 152, Epicoat 154 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., DEN431, DEN438 manufactured by Dow Chemical Co., Ltd., Epiclone N-730, Epiclone N-770, Epiclone N- 865, EPOTO YDCN-701, YDCN-704, Arodaite ECN1235, Araldite ECN1273, Araldite ECN1299, Araldite XPY307, Nippon Kayaku Co., Ltd. product made by Tohto Kasei Co., Ltd. -201, EOCN-1025, EOCN-1020, EOCN-104S, RE-306, Sumitomo Kagaku Kogyo Co., Ltd. Sumi-Epoxy ESCN-195X, ESCN-220, Asahi Kasei Kogyo AER Novolak-type epoxy resins such as ECN-235 and ECN-299 (both trade names); Epilon 830 made by Dainippon Ingyo Kagaku Kogyo Co., Ltd., Epicoat 807 made by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., Efototo YDF-170, YDF-175, YDF-175, manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd. Bisphenol F-type epoxy resins, such as Dit XPY306 (all are brand names); Hydrogenated bisphenol A type epoxy resins such as Efototo ST-2004, ST-2007, ST-3000 (trade name) manufactured by Toto Kasei Co., Ltd .; Epicoat 604, manufactured by Japan Epoxy Resin, Efototo YH-434, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., Araldite MY720, manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Sumi-Epoxy ELM-120, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. Glycidylamine-type epoxy resins); Hydantoin type epoxy resins, such as Araldite CY-350 (brand name) by the Ciba Specialty Chemicals company; Alicyclic epoxy resins such as Celoxide 2021 manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., Araldite CY175, CY179 manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Inc. (both trade names); Trihydroxyphenylmethane type epoxy resins such as YL-933 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., T.E.N., EPPN-501, EPPN-502 manufactured by Dow Chemical Co., Ltd. (both trade names); Bixylenol type or biphenol type epoxy resins, such as YL-6056, YX-4000, and YL-6121 (all are brand names) by the Japan epoxy resin company, or mixtures thereof; Bisphenol S type epoxy resins, such as EBPS-200 by Nippon Kayaku Co., Ltd., EPX-30 by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd., and EXA-1514 (brand name) by Dainippon Ingyo Kagaku Kogyo Co., Ltd .; Bisphenol A novolak-type epoxy resins, such as Epicoat 157S (brand name) by the Japan epoxy resin company; Tetraphenylolethane type epoxy resins such as Epicoat YL-931 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd. and Araldite 163 manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd. (both trade names); Heterocyclic epoxy resins such as Araldite PT810 manufactured by Ciba Specialty Chemicals, TEPIC manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd. (both trade names); Diglycidyl phthalate resins such as Brenmer DGT manufactured by Nippon Yushi Corporation; Tetraglycidyl xylenoylethane resin such as ZX-1063 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd .; Naphthalene group-containing epoxy resins such as ESN-190, ESN-360 manufactured by Shinnitetsu Chemical Co., Ltd., HP-4032, EXA-4750, and EXA-4700 manufactured by Dainippon Ing. Epoxy resins having dicyclopentadiene skeletons such as HP-7200 and HP-7200H manufactured by Dainippon Ing. Glycidyl methacrylate copolymer type epoxy resins such as CP-50S and CP-50M manufactured by Nippon Yushi Co., Ltd .; Furthermore, copolymerization epoxy resin of cyclohexyl maleimide and glycidyl methacrylate; Epoxy-modified polybutadiene rubber derivatives (e.g., PB-3600 manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), CTBN-modified epoxy resins (e.g., YR-102, YR-450, manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.), etc. Although it is mentioned, it is not limited to these. These epoxy resins can be used individually or in combination of 2 or more types. Especially among these, a novolak-type epoxy resin, a heterocyclic epoxy resin, a bisphenol-A epoxy resin, or a mixture thereof is preferable.

상기 다관능 옥세탄 화합물 (D-2)로서는, 비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 1,4-비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, 1,4-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트나 이들의 올리고머 또는 공중합체 등의 다관능 옥세탄류 외에, 옥세탄알코올과 노볼락 수지, 폴리(p-히드록시스티렌), 카르도형 비스페놀류, 칼릭스아렌류, 칼릭스레조르신아렌류, 또는 실세스퀴옥산 등의 수산기를 갖는 수지와의 에테르화물 등을 들 수 있다. 그 밖에, 옥세탄환을 갖는 불포화 단량체와 알킬(메트)아크릴레이트의 공중합체 등도 들 수 있다. Examples of the polyfunctional oxetane compound (D-2) include bis [(3-methyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, 1 , 4-bis [(3-methyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, (3-methyl-3- Oxetanyl) methylacrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl) methylacrylate, (3-methyl-3-oxetanyl) methylmethacrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl) In addition to polyfunctional oxetanes such as methyl methacrylate and oligomers or copolymers thereof, oxetane alcohols and novolac resins, poly (p-hydroxystyrene), cardo-type bisphenols, calix arenes and calyx rezos The etherified substance with resin which has hydroxyl groups, such as lecinarene or silsesquioxane, etc. are mentioned. In addition, the copolymer etc. of the unsaturated monomer which has an oxetane ring, and an alkyl (meth) acrylate are mentioned.

상기 분자 중에 2개 이상의 환상 티오에테르기를 갖는 화합물 (D-3)으로서는, 예를 들면 재팬 에폭시 레진사 제조의 비스페놀 A형 에피술피드 수지 YL7000 등을 들 수 있다. 또한, 동일한 합성 방법을 이용하여, 노볼락형 에폭시 수지의 에폭시기의 산소 원자를 황 원자로 치환한 에피술피드 수지 등도 사용할 수 있다.As a compound (D-3) which has two or more cyclic thioether group in the said molecule | numerator, bisphenol-A episulfide resin YL7000 by the Japan epoxy resin company, etc. are mentioned, for example. Moreover, the episulfide resin etc. which substituted the oxygen atom of the epoxy group of the novolak-type epoxy resin with the sulfur atom can also be used using the same synthesis method.

상기 분자 중에 2개 이상의 환상 (티오)에테르기를 갖는 열경화성 성분 (D)의 배합량은 상기 카르복실산 함유 수지의 카르복실기 1 당량에 대하여, 바람직하게는 0.6 내지 2.0 당량, 보다 바람직하게는 0.8 내지 1.5 당량이 되는 범위에 있다. 분자 중에 2개 이상의 환상 (티오)에테르기를 갖는 열경화성 성분 (D)의 배합량이 0.6 미만인 경우, 솔더 레지스트막에 카르복실기가 남아, 내열성, 내알칼리성, 전기 절연성 등이 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 한편, 2.0 당량을 초과하는 경우, 저분자량의 환상 (티오)에테르기가 건조 도막에 잔존함으로써, 도막의 강도 등이 저하되기 때문에 바람직하지 않다.The compounding amount of the thermosetting component (D) having two or more cyclic (thio) ether groups in the molecule is preferably 0.6 to 2.0 equivalents, more preferably 0.8 to 1.5 equivalents to 1 equivalent of the carboxyl group of the carboxylic acid-containing resin. It is in the range to become. When the compounding quantity of the thermosetting component (D) which has two or more cyclic (thio) ether group in a molecule | numerator is less than 0.6, since a carboxyl group remains in a soldering resist film and heat resistance, alkali resistance, electrical insulation, etc. fall, it is unpreferable. On the other hand, when it exceeds 2.0 equivalent, since the low molecular weight cyclic (thio) ether group remains in a dry coating film, since the intensity | strength of a coating film, etc. fall, it is unpreferable.

상기 분자 중에 2개 이상의 환상 (티오)에테르기를 갖는 열경화성 성분 (D)를 사용하는 경우, 열경화 촉매를 함유하는 것이 바람직하다. 이러한 열경화 촉매로서는, 예를 들면 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 4-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-에틸-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸 유도체; 디시안디아미드, 벤질디메틸아민, 4-(디메틸아미노)-N,N-디메틸벤질아민, 4-메톡시-N,N-디메틸벤질아민, 4-메틸-N,N-디메틸벤질아민 등의 아민 화합물, 아디프산 디히드라지드, 세박산 디히드라지드 등의 히드라진 화합물; 트리페닐포스핀 등의 인 화합물 등, 또한 시판되 고 있는 열경화 촉매로서는, 예를 들면 시코쿠 가세이 고교사 제조의 2MZ-A, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4BHZ, 2P4MHZ(모두 이미다졸계 화합물의 상품명), 산 아프로사 제조의 U-CAT3503N, U-CAT3502T(모두 디메틸아민의 블록 이소시아네이트 화합물의 상품명), DBU, DBN, U-CATSA102, U-CAT5002(모두 2환식 아미딘 화합물 및 그의 염) 등을 들 수 있다. 특별히 이들에 한정되는 것은 아니며, 에폭시 수지나 옥세탄 화합물의 열경화 촉매, 또는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기와 카르복실기의 반응을 촉진시키는 것이면 되고, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 상관없다. 또한, 구아나민, 아세토구아나민, 벤조구아나민, 멜라민, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-S-트리아진, 2-비닐-2,4-디아미노-S-트리아진, 2-비닐-4,6-디아미노-S-트리아진 이소시아누르산 부가물, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-S-트리아진 이소시아누르산 부가물 등의 S-트리아진 유도체를 이용할 수 있고, 바람직하게는 이들 밀착성 부여제로서도 기능하는 화합물을 상기 열경화 촉매와 병용한다. When using the thermosetting component (D) which has a 2 or more cyclic (thio) ether group in the said molecule, it is preferable to contain a thermosetting catalyst. As such a thermosetting catalyst, for example, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4-phenylimidazole Imidazole derivatives such as 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole and 1- (2-cyanoethyl) -2-ethyl-4-methylimidazole; Amines such as dicyandiamide, benzyldimethylamine, 4- (dimethylamino) -N, N-dimethylbenzylamine, 4-methoxy-N, N-dimethylbenzylamine, 4-methyl-N, N-dimethylbenzylamine Hydrazine compounds such as compounds, adipic dihydrazide and sebacic acid dihydrazide; As a commercially available thermosetting catalyst, such as phosphorus compounds, such as a triphenylphosphine, 2MZ-A, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4BHZ, 2P4MHZ by the Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. (all are brand names of an imidazole compound) ), U-CAT3503N, U-CAT3502T (both trade names of block isocyanate compounds of dimethylamine), DBU, DBN, U-CATSA102, and U-CAT5002 (both bicyclic amidine compounds and salts thereof) produced by acid Aprosa; Can be mentioned. It is not specifically limited to these, What is necessary is just to accelerate the reaction of the thermosetting catalyst of an epoxy resin or an oxetane compound, or an epoxy group and / or an oxetanyl group, and a carboxyl group, and may be used individually or in mixture of 2 or more types none. Also, guanamine, acetoguanamine, benzoguanamine, melamine, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine, 2-vinyl-2,4-diamino-S-tri Azine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-triazine isocyanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine isocyanuric acid adduct S-triazine derivatives, such as these, can be used, Preferably, the compound which also functions as these adhesive imparting agents is used together with the said thermosetting catalyst.

이들 열경화 촉매의 배합량은 통상의 양적 비율이면 충분하고, 예를 들면 카르복실산 함유 수지 (A) 또는 분자 중에 2개 이상의 환상 (티오)에테르기를 갖는 열경화성 성분 (D) 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1 내지 20 질량부, 보다 바람직하게는 0.5 내지 15.0 질량부이다. The compounding quantity of these thermosetting catalysts should just be a normal quantity ratio, for example with respect to 100 mass parts of thermosetting components (D) which have two or more cyclic (thio) ether groups in carboxylic acid containing resin (A) or a molecule | numerator, Preferably it is 0.1-20 mass parts, More preferably, it is 0.5-15.0 mass parts.

본 발명의 감광성 조성물은 그 도막의 물리적 강도 등을 높이기 위해, 필요에 따라 충전제를 배합할 수 있다. 이러한 충전제로서는, 공지 관용의 무기 또는 유기 충전제를 사용할 수 있지만, 특히 황산바륨, 구상 실리카 및 탈크가 바람직하게 이용된다. 또한, 1개 이상의 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물이나 상기 다관 능 에폭시 수지 (D-1)에 나노실리카를 분산시킨 한스 케미(Hanse-Chemie)사 제조의 NANOCRYL(상품명) XP 0396, XP 0596, XP 0733, XP 0746, XP 0765, XP 0768, XP 0953, XP 0954, XP 1045(모두 제품 등급명)나, 한스 케미사 제조의 NANOPOX(상품명) XP 0516, XP 0525, XP 0314(모두 제품 등급명)도 사용할 수 있다. 이들을 단독으로 또는 2종 이상 배합할 수 있다. The photosensitive composition of this invention can mix | blend a filler as needed in order to raise the physical strength of the coating film, etc. As such a filler, well-known conventional inorganic or organic filler can be used, but especially barium sulfate, spherical silica, and talc are used preferably. Moreover, NANOCRYL (brand name) XP 0396, XP 0596, XP 0733 by Hanse Chemie which disperse | distributed nano silica to the compound which has one or more ethylenically unsaturated groups, or the said polyfunctional epoxy resin (D-1) , XP 0746, XP 0765, XP 0768, XP 0953, XP 0954, XP 1045 (all product class name) or NANOPOX (brand name) XP 0516, XP 0525, XP 0314 (all product class names) Can be used. These may be used alone or in combination of two or more thereof.

이들 충전제의 배합량은 상기 카르복실산 함유 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 300 질량부 이하, 보다 바람직하게는 0.1 내지 300 질량부, 특히 바람직하게는 0.1 내지 150 질량부이다. 상기 충전제의 배합량이 300 질량부를 초과한 경우, 감광성 조성물의 점도가 높아져 인쇄성이 저하되거나, 경화물이 취약해지기 때문에 바람직하지 않다.The blending amount of these fillers is preferably 300 parts by mass or less, more preferably 0.1 to 300 parts by mass, and particularly preferably 0.1 to 150 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the carboxylic acid-containing resin (A). When the compounding quantity of the said filler exceeds 300 mass parts, since the viscosity of a photosensitive composition becomes high and printability falls or hardened | cured material becomes weak, it is unpreferable.

또한, 본 발명의 감광성 조성물은 상기 카르복실산 함유 수지 (A)의 합성이나 조성물의 조정을 위해, 또는 기판이나 캐리어 필름에 도포하기 위한 점도 조정을 위해 유기 용제를 사용할 수 있다. Moreover, the organic solvent can be used for the photosensitive composition of this invention for the synthesis | combination of the said carboxylic acid containing resin (A), adjustment of a composition, or viscosity adjustment for apply | coating to a board | substrate or a carrier film.

이러한 유기 용제로서는, 케톤류, 방향족 탄화수소류, 글리콜에테르류, 글리콜에테르아세테이트류, 에스테르류, 알코올류, 지방족 탄화수소, 석유계 용제 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; 톨루엔, 크실렌, 테트라메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소류; 셀로솔브, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 카르비톨, 메틸카르비톨, 부틸카르비톨, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 디프로 필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜부틸에테르아세테이트 등의 에스테르류; 에탄올, 프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알코올류; 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소; 석유 에테르, 석유 나프타, 수소 첨가 석유 나프타, 솔벤트 나프타 등의 석유계 용제 등이다. 이러한 유기 용제는 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로서 이용된다. Examples of such organic solvents include ketones, aromatic hydrocarbons, glycol ethers, glycol ether acetates, esters, alcohols, aliphatic hydrocarbons, and petroleum solvents. More specifically, Ketones, such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone; Aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and tetramethylbenzene; Cellosolve, methyl cellosolve, butyl cellosolve, carbitol, methyl carbitol, butyl carbitol, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether Glycol ethers such as these; Esters such as ethyl acetate, butyl acetate, dipropylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate, and propylene glycol butyl ether acetate; Alcohols such as ethanol, propanol, ethylene glycol and propylene glycol; Aliphatic hydrocarbons such as octane and decane; Petroleum solvents such as petroleum ether, petroleum naphtha, hydrogenated petroleum naphtha, and solvent naphtha. These organic solvents are used alone or as a mixture of two or more thereof.

본 발명의 감광성 조성물은, 추가로 필요에 따라 하이드로퀴논, 하이드로퀴논모노메틸에테르, t-부틸카테콜, 피로갈롤, 페노티아진 등의 공지 관용의 열 중합 금지제, 미분 실리카, 유기 벤토나이트, 몬모릴로나이트 등의 공지 관용의 증점제, 실리콘계, 불소계, 고분자계 등의 소포제 및/또는 레벨링제, 이미다졸계, 티아졸계, 트리아졸계 등의 실란 커플링제, 산화 방지제, 방청제 등과 같은 공지 관용의 첨가제류를 배합할 수 있다. The photosensitive composition of the present invention may further contain, if necessary, known conventional thermal polymerization inhibitors such as hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, t-butylcatechol, pyrogallol, phenothiazine, finely divided silica, organic bentonite, and montmorillonite. Known conventional thickeners, silicone-based, fluorine-based, antifoaming agents such as polymers and / or leveling agents, silane coupling agents such as imidazole-based, thiazole-based, triazole-based, known conventional additives such as antioxidants and rust inhibitors can do.

본 발명의 감광성 조성물을, 예를 들면 상기 유기 용제로 도포 방법에 적합한 점도로 조정하고, 회로 형성한 기판 상에, 딥 코팅법, 플로우 코팅법, 롤 코팅법, 바 코터법, 스크린 인쇄법, 커튼 코팅법 등의 방법에 의해 도포하고, 약 60 내지 100 ℃의 온도에서 조성물 중에 포함되는 유기 용제를 휘발 건조(가건조)시킴으로써, 무점착 도막을 형성할 수 있다. 이 본 발명의 감광성 조성물의 건조 도막은 15 내지 100 ㎛의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 감광성 조성물을 캐리어 필름 상에 도포하고, 건조시킴으로써 드라이 필름을 얻을 수 있다. 필름으로서 권취한 것을 회로 형성한 기판에 접합시키고, 캐리어 필름을 박리함으로 써, 회로 형성한 기판 상에 솔더 레지스트막을 형성할 수 있다. 그 후, 직접 묘화 장치(레이저 다이렉트 이미징 장치)로 패턴 잠상을 묘화한 후, 미노광부를 알칼리 수용액(예를 들면, 0.3 내지 3% 탄산나트륨 수용액)에 의해 현상하여 솔더 레지스트 패턴이 형성된다. 또한, 열경화성 성분을 함유하고 있는 경우, 예를 들면 약 140 내지 180 ℃의 온도로 가열하여 열경화시킴으로써, 상기 카르복실산 함유 수지 (A)의 카르복실기와, 분자 중에 2개 이상의 환상 (티오)에테르기를 갖는 열경화성 성분 (D)의 환상 (티오)에테르기가 반응하여, 내열성, 내약품성, 내흡습성, 밀착성, 전기 특성 등의 제반 특성이 우수한 경화 도막을 형성할 수 있다.On the board | substrate which adjusted the photosensitive composition of this invention to the viscosity suitable for the application | coating method, for example with the said organic solvent, and formed the circuit, the dip coating method, the flow coating method, the roll coating method, the bar coater method, the screen printing method, A non-adhesive coating film can be formed by applying by a method such as a curtain coating method and by volatilizing (temporarily drying) the organic solvent contained in the composition at a temperature of about 60 to 100 ° C. It is preferable that the dry coating film of this photosensitive composition of this invention has a thickness of 15-100 micrometers. Moreover, a dry film can be obtained by apply | coating the photosensitive composition of this invention on a carrier film, and drying. A solder resist film can be formed on the circuit-formed board | substrate by bonding what was wound as a film to the circuit-formed board | substrate, and peeling a carrier film. Then, after drawing a pattern latent image with a direct drawing apparatus (laser direct imaging apparatus), a unexposed part is developed with aqueous alkali solution (for example, 0.3-3% sodium carbonate aqueous solution), and a soldering resist pattern is formed. Moreover, when it contains a thermosetting component, it heats and heats, for example at the temperature of about 140-180 degreeC, and the carboxyl group of the said carboxylic acid containing resin (A), and 2 or more cyclic (thio) ether in a molecule | numerator The cyclic (thio) ether group of the thermosetting component (D) which has a group reacts, and the cured coating film excellent in various characteristics, such as heat resistance, chemical-resistance, hygroscopicity, adhesiveness, and electrical characteristics, can be formed.

상기 기판에 이용하는 기재로서는, 종이 페놀, 종이 에폭시, 유리천 에폭시, 유리 폴리이미드, 유리천/부직포 에폭시, 유리천/종이 에폭시, 합성 섬유 에폭시, 불소·폴리에틸렌·PPO·시아네이트 에스테르 등을 이용한 고주파 회로용 동장(銅張) 적층판 등의 재질을 이용한 것으로 모든 등급(FR-4 등)의 동장 적층판, 기타 폴리이미드 필름, PET 필름, 유리 기판, 세라믹 기판, 웨이퍼판 등을 들 수 있다.As a base material used for the said board | substrate, a high frequency using paper phenol, paper epoxy, glass cloth epoxy, glass polyimide, glass cloth / nonwoven fabric epoxy, glass cloth / paper epoxy, synthetic fiber epoxy, fluorine polyethylene PPO cyanate ester, etc. Copper clad laminates of all grades (such as FR-4), other polyimide films, PET films, glass substrates, ceramic substrates, wafer plates, and the like are used by using materials such as copper clad laminates for circuits.

본 발명의 감광성 조성물을 도포한 후에 행하는 휘발 건조는 열풍 순환식 건조로, IR로, 핫 플레이트, 컨벡션 오븐 등(증기에 의한 공기 가열 방식의 열원을 구비한 것을 이용하여 건조기 내의 열풍을 향류 접촉시키는 방법 및 노즐로부터 지지체에 송풍하는 방식)을 이용하여 행할 수 있다. Volatilization drying after applying the photosensitive composition of this invention is hot-air circulation type drying, IR, hot-plate, a convection oven, etc. (the countercurrent contact of the hot air in a dryer using the thing provided with the heat source of the air heating system by steam) The method and the method of blowing air from a nozzle to a support body can be performed.

본 발명의 감광성 조성물의 노광 수단에 이용하는 광원으로서는 반도체 레이저나 고체 레이저를 사용할 수 있다. 또한, 그의 노광량은 본 발명의 감광성 조성 물의 건조 막두께 등에 따라 다르지만, 일반적으로는 5 내지 100 mJ/cm2, 바람직하게는 5 내지 60 mJ/cm2, 더욱 바람직하게는 5 내지 30 mJ/cm2의 범위 내로 할 수 있다. 직접 묘화 장치로서는, 예를 들면 펜탁스사제, 히타치 비어메카닉스사제, 볼 세미컨덕터사제의 것 등을 사용할 수 있다.As a light source used for the exposure means of the photosensitive composition of this invention, a semiconductor laser or a solid laser can be used. Moreover, although the exposure amount varies with dry film thickness etc. of the photosensitive composition of this invention, it is generally 5-100 mJ / cm <2> , Preferably 5-60 mJ / cm <2> , More preferably, 5-30 mJ / cm. It can be in the range of 2 . As a direct drawing apparatus, the thing by the pentax company, the Hitachi beer mechanics company, the thing made by the ball semiconductor company, etc. can be used, for example.

상기 현상 방법으로서는, 침지법, 샤워법, 분무법, 브러시법 등을 들 수 있고, 현상액으로서는 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 암모니아, 테트라메틸암모늄히드록시드 등의 알칼리 수용액을 사용할 수 있다.Examples of the developing method include an immersion method, a shower method, a spray method, a brush method, and the like. Examples of the developing solution include potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium phosphate, sodium silicate, ammonia, tetramethylammonium hydroxide, and the like. Alkali aqueous solution can be used.

<실시예><Example>

이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 여기에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to this.

<카르복실산 함유 수지의 합성><Synthesis of carboxylic acid-containing resin>

교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 2 리터의 분리 플라스크에, 크레졸노볼락형 에폭시 수지(닛본 가야꾸(주) 제조, EOCN-104S, 연화점 92 ℃, 에폭시 당량=220 g/당량) 660 g, 용매로서 카르비톨 아세테이트 421.3 g 및 솔벤트 나프타 180.6 g을 넣고, 90 ℃로 가열·교반하여, 용해시켰다. 다음으로, 일단 60 ℃까지 냉각시키고, 아크릴산 216 g, 반응 촉매로서 트리페닐포스핀 4.0 g, 중합 금지제인 메틸하이드로퀴논 1.3 g을 가하여 100 ℃에서 12 시간 반응시켜 산가가 0.2 mgKOH/g인 반응 생성물을 얻었다. 여기에 테트라히 드로무수프탈산 241.7 g을 넣어 90 ℃로 가열하고, 6 시간 반응시켰다. 이에 따라, 불휘발분=65 질량%, 고형분 산가=77 mgKOH/g, 이중 결합 당량(불포화기 1몰당 수지의 g 중량)=400 g/당량, 중량 평균 분자량=7,000의 카르복실산 함유 수지의 용액을 얻었다. 이하, 이 카르복실산 함유 수지의 용액을 A-1 바니시라 칭한다. In a two-liter separation flask equipped with a stirrer, a thermometer, a reflux cooling tube, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube, a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., EOCN-104S, softening point 92 ° C, epoxy equivalent) 220 g / equivalent) 660 g, 421.3 g of carbitol acetate and 180.6 g of solvent naphtha were added as a solvent, and it heated and stirred at 90 degreeC, and was made to melt | dissolve. Next, the reaction product was once cooled to 60 ° C, 216 g of acrylic acid, 4.0 g of triphenylphosphine as a reaction catalyst, and 1.3 g of methylhydroquinone as a polymerization inhibitor were added and reacted at 100 ° C for 12 hours to give an acid value of 0.2 mgKOH / g. Got. 241.7 g of tetrahydrophthalic anhydride was put here, it heated at 90 degreeC, and made it react for 6 hours. Thus, a solution of a carboxylic acid-containing resin having a nonvolatile content of 65% by mass, a solid acid value of 77 mgKOH / g, a double bond equivalent (g weight of resin per mole of unsaturated group) of 400 g / equivalent, and a weight average molecular weight of 7,000. Got. Hereinafter, the solution of this carboxylic acid containing resin is called A-1 varnish.

<감광성 조성물 1 내지 7의 제조><Preparation of Photosensitive Compositions 1 to 7>

하기 표 1에 나타내는 성분을 동 표에 나타내는 양(질량부)으로 배합·교반하고, 3축 롤로 분산시켜 각각 감광성 조성물을 얻었다.The component shown in following Table 1 was mix | blended and stirred by the quantity (mass part) shown to the said table | surface, and it disperse | distributed with the triaxial roll, and obtained the photosensitive composition, respectively.

Figure 112007081956831-PAT00007
Figure 112007081956831-PAT00007

감광성 조성물 1 내지 7을 이용하여 형성한 솔더 레지스트막의 흡광도를 조사하였다. 즉, 각 감광성 조성물을 유리판에 어플리케이터로 도포한 후, 열풍 순환식 건조로를 이용하여 80 ℃에서 30분 건조시키고, 그 건조 도막을 유리판 상에 제조하였다. 이 유리판 상의 각 감광성 조성물의 건조 도막에 대하여, 자외 가시 분광 광도계(닛본 분꼬 가부시끼가이샤 제조의 Ubest-V-570DS), 및 적분구 장치(닛본 분꼬 가부시끼가이샤 제조의 ISN-470)를 이용하여 흡광도를 측정하였다. 또한, 각 감광성 조성물을 도포한 유리판과 동일한 유리판에 대하여, 300 내지 500 ㎚의 파장 범위에서의 흡광도 베이스 라인을 측정하였다. 제조한 건조 도막 부착 유리판의 흡광도로부터 베이스 라인을 차감함으로써 건조 도막의 흡광도를 산출하였다. 이 작업을 어플리케이터에 의한 도포 두께를 4 단계로 바꾸어 행하고, 건조 도막 두께와 흡광도의 그래프를 작성하고, 이 그래프로부터 건조 솔더 레지스트막 두께 25 ㎛에서의 흡광도를 구하였다. 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The absorbance of the soldering resist film formed using the photosensitive compositions 1-7 was investigated. That is, after apply | coating each photosensitive composition to a glass plate with an applicator, it dried at 80 degreeC for 30 minutes using the hot-air circulation type drying furnace, and the dry coating film was produced on the glass plate. About the dry coating film of each photosensitive composition on this glass plate, it used the ultraviolet visible spectrophotometer (Ubest-V-570DS by the Nippon Bunker Co., Ltd.), and an integrating apparatus (ISN-470 by the Nippon Bunker Co., Ltd.). Absorbance was measured. Moreover, the absorbance baseline in the wavelength range of 300-500 nm was measured about the glass plate same as the glass plate which apply | coated each photosensitive composition. The absorbance of the dry coating film was computed by subtracting a baseline from the absorbance of the manufactured glass plate with a dry coating film. This operation was performed by changing the coating thickness by an applicator to four steps, the graph of dry coating film thickness and absorbance was created, and the absorbance in 25 micrometers of dry solder resist film thickness was calculated | required from this graph. The results are shown in Table 2 below.

Figure 112007081956831-PAT00008
Figure 112007081956831-PAT00008

다음으로, 감광성 조성물 1에 대하여 하기 표 3에 나타내는 실시예 1 및 2, 및 비교예 1 내지 4의 노광 방법에 의해 그의 건조 도막을 노광하였다.Next, about the photosensitive composition 1, the dry coating film was exposed by the exposure method of Examples 1 and 2 shown in following Table 3, and Comparative Examples 1-4.

Figure 112007081956831-PAT00009
Figure 112007081956831-PAT00009

여기서, 형성되는 솔더 레지스트막의 제반 성질을 조사하기 위해 이하와 같이 하여 시험하고, 평가를 행하였다.Here, in order to investigate the general properties of the solder resist film formed, it tested as follows and evaluated.

(1) 표면 경화성(1) surface curability

구리 두께 35 ㎛의 동장 기판을 버프 롤 연마 후, 수세하고, 건조시켰다. 그 후, 감광성 조성물 1을 이 기판 상에 스크린 인쇄법에 의해 도포하고, 80 ℃의 열풍 순환식 건조로에서 60분간 건조시켰다. 건조 후, 실시예 1 및 2, 및 비교예 1 내지 4의 노광 방법에 의해, 이 건조 솔더 레지스트 도막에 노광하였다. 노광 패턴은 전면 노광 패턴을 이용하였다. 노광 후, 현상액으로서 1 질량% 탄산나트륨 수용액을 이용하여 30 ℃에서 0.2 MPa로 60초간 현상을 행하고, 계속해서 150 ℃에서 60분간 열경화를 행하였다.The copper-clad board | substrate with a copper thickness of 35 micrometers was washed with water after buff roll polishing, and it dried. Then, the photosensitive composition 1 was apply | coated on this board | substrate by the screen printing method, and it dried for 60 minutes in the hot air circulation type drying furnace of 80 degreeC. After drying, it exposed to this dry solder resist coating film by the exposure method of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1-4. The exposure pattern used the front surface exposure pattern. After exposure, development was performed at 30 degreeC for 0.2 second at 0.2 Mpa using the 1 mass% sodium carbonate aqueous solution as a developing solution, and then thermosetting was carried out at 150 degreeC for 60 minutes.

이와 같이 하여 얻어진 경화 도막의 표면 경화성을, 광택도계 마이크로트리그로스(빅 가드너사 제조)를 이용하여, 입사각 60°일 때의 광택도에 대하여 평가하였다. 평가 기준을 광택도 50으로 하고, 이 수치 이상을 양호, 이 수치 미만을 불량으로 하였다. 이 평가 결과를 하기 표 4에 나타내었다.Thus, the surface curability of the obtained cured coating film was evaluated about the glossiness at the incidence angle of 60 degrees using the glossmeter micro trigloss (made by Big Gardner). Evaluation criteria was made glossiness 50 and this value or more was favorable and less than this value was made into defect. The evaluation results are shown in Table 4 below.

(2) 경화 심도 및 단면 형상(2) hardening depth and cross-sectional shape

라인/스페이스가 300 ㎛/300 ㎛의 폭이고, 구리 두께가 70 ㎛인 회로 패턴 기판을 각각 버프 롤 연마 후, 수세하고, 건조시켰다. 이 회로 패턴 기판 상에, 감광성 조성물 1을 스크린 인쇄법에 의해 도포하고, 80 ℃의 열풍 순환식 건조로에서 30분간 건조시켰다. 건조 후, 실시예 1 및 2, 및 비교예 1 내지 4의 노광 방법을 이용하여 이 건조 도막에 노광하였다. 노광 패턴은 상술한 스페이스부에, 각각 순서대로 30/40/50/60/70/80/90/100 ㎛ 폭의 라인을 묘화시키는 패턴을 사용하였다. 노광 후, 1.0 질량부% 탄산나트륨 수용액을 이용하여 현상을 행함으로써 솔더 레지스트 패턴을 얻었다. 계속해서 고압 수은등을 이용하여 1000 mJ/cm2의 노광량으로 자외광을 조사한 후, 60분간 열경화시켰다. 이 때, 잔존하는 최소 라인 폭을 경화 심도의 평가로 하였다.The circuit pattern board | substrate whose line / space is 300 micrometers / 300 micrometers width | variety, and copper thickness is 70 micrometers, respectively, was rinsed after buff roll polishing, and it dried and dried. On this circuit pattern board | substrate, the photosensitive composition 1 was apply | coated by the screen printing method, and it dried for 30 minutes in 80 degreeC hot air circulation type drying furnace. After drying, it exposed to this dry coating film using the exposure method of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1-4. The exposure pattern used the pattern which draws the 30/40/50/60/70/80/90/100 micrometer width line in order to the space part mentioned above, respectively. After exposure, the soldering resist pattern was obtained by developing using 1.0 mass part of sodium carbonate aqueous solution. Subsequently, ultraviolet light was irradiated at an exposure dose of 1000 mJ / cm 2 using a high pressure mercury lamp, and then thermosetted for 60 minutes. At this time, the minimum line width which remained was made into evaluation of hardening depth.

또한, 단면 형상의 평가를, 경화 도막의, 라인 폭의 설계값이 100 ㎛인 라인부의 단면을 관찰함으로써 행하였다. 여기서, 구리 두께 70 ㎛일 때의 솔더 레지스트막의 두께는 65 ㎛였다. 단면 형상을 도 1의 모식도에 따라서 A 내지 E의 5 단계로 평가하였다. 도면 중, 1a는 라인 폭의 설계값을, 1b는 노광·현상 후의 솔더 레지스트막의 형상을, 1c는 기판을 나타낸다. 각 평가의 상태는 이하와 같다. 즉, In addition, evaluation of the cross-sectional shape was performed by observing the cross section of the line part whose design value of the line width of a cured coating film is 100 micrometers. Here, the thickness of the soldering resist film when the copper thickness was 70 micrometers was 65 micrometers. The cross-sectional shape was evaluated in five steps A to E according to the schematic diagram of FIG. 1. In the figure, 1a designates the line width, 1b designates the shape of the solder resist film after exposure and development, and 1c designates the substrate. The state of each evaluation is as follows. In other words,

A 평가: 설계 폭 그대로의 이상적인 상태, A evaluation: ideal state of design width,

B 평가: 내현상성 부족 등에 의한 표면층의 부식 발생, B evaluation: corrosion of the surface layer due to lack of development resistance,

C 평가: 언더컷 상태, C rating: undercut state,

D 평가: 헐레이션 등에 의한 선 굵어짐이 발생, D evaluation: line thickening caused by halation or the like,

E 평가: 표면층의 선 굵어짐과 언더컷이 발생.E Evaluation: Line thickness and undercut of the surface layer occur.

여기서, 언더컷 및 헐레이션이란, 모두 설계값으로부터의 차이를 나타내는 용어이다. 언더컷이란, 특히 하부가 설계값보다 가늘어지는 것을 나타내고, 헐레이션은 상부·하부 중 어느 한쪽 또는 양쪽이 설계값보다 굵어지는 것을 나타낸다.Here, undercut and halation are all terms which show the difference from a design value. Undercut means that especially a lower part becomes thinner than a design value, and halation shows that either or both of an upper part and a lower part become thicker than a design value.

특히 A 평가에 있어서는 설계값으로부터의 차이가 라인의 상부·하부 모두 5 ㎛ 이내의 것으로 하였다.In particular, in the evaluation of A, the difference from the design value was assumed to be within 5 µm in the upper and lower portions of the line.

A 평가뿐 아니라, C 평가, D 평가도 솔더 레지스트로서는 사용 가능한 수준이다. 이에 반해, B 평가, E 평가의 것은 라인, 언더컷부가 박리되기 쉬워 솔더 레지스트로서는 사용이 곤란한 수준이며, 특히 E 평가는 사용 불가능한 수준이다.Not only A evaluation but also C evaluation and D evaluation are levels which can be used as a soldering resist. On the other hand, in the B evaluation and the E evaluation, the lines and the undercut portions are easily peeled off, and it is a level that is difficult to use as the solder resist, and in particular, the E evaluation is unusable.

평가 결과를 하기 표 4에 함께 나타내었다.The evaluation results are shown in Table 4 together.

Figure 112007081956831-PAT00010
Figure 112007081956831-PAT00010

표 4로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 노광 방법인 실시예 1 및 2의 노광 방법을 이용한 경우, 낮은 노광량 및 짧은 노광 시간으로, 우수한 단면 형상, 경화 심도 및 표면 경화성이 얻어졌다. 한편, 비교예 1 내지 4의 노광 방법을 이용한 경우에는, 조성물을 경화시키기 위해 보다 높은 노광량 및 긴 노광 시간이 필요하였고, 또한 얻어지는 솔더 레지스트막의 단면 형상, 경화 심도 및 표면 경화성은 불충분한 것이었다.As apparent from Table 4, when the exposure methods of Examples 1 and 2, which are the exposure methods of the present invention, were used, excellent cross-sectional shape, depth of cure, and surface curability were obtained with a low exposure amount and a short exposure time. On the other hand, when the exposure methods of Comparative Examples 1 to 4 were used, a higher exposure amount and a longer exposure time were required to cure the composition, and the cross sectional shape, curing depth and surface curing properties of the resulting solder resist film were insufficient.

또한, 감광성 조성물 2 내지 7에 대해서도 그의 건조 도막에 노광하여 솔더 레지스트막을 형성하였다. 형성되는 솔더 레지스트막의 제반 성질을 조사하기 위해, 노광 방법으로서는 실시예 1 및 2의 방법을 이용하여 상기와 동일하게 하여 시험하고, 평가를 행하였다. 이들에 대한 평가 결과와, 표 4에서의 배합예 1에 대한 평가 결과를 함께 하기 표 5에 나타내었다.Moreover, the photosensitive compositions 2-7 were also exposed to the dry coating film, and the soldering resist film was formed. In order to investigate the general property of the soldering resist film formed, it tested similarly to the above using the method of Example 1 and 2 as an exposure method, and evaluated. The evaluation result about these and the evaluation result about the compounding example 1 in Table 4 are shown in Table 5 below.

Figure 112007081956831-PAT00011
Figure 112007081956831-PAT00011

표 5의 결과로부터, 본 발명의 솔더 레지스트막의 형성 방법에 있어서는, 노광 전의 건조 도막의 두께 25 ㎛당 355 내지 380 ㎚의 파장 범위에 있어서 0.6 내지 1.2의 범위에 있고, 또한 405 ㎚에서 0.3 내지 0.6의 범위에 있는 흡광도를 나타내는 감광성 조성물(1 내지 5)을 이용하는 것이 보다 바람직함을 알 수 있다.From the result of Table 5, in the soldering resist film formation method of this invention, it exists in the range of 0.6-1.2 in the wavelength range of 355-380 nm per 25 micrometers in thickness of the dry coating film before exposure, and 0.3-0.6 at 405 nm. It turns out that it is more preferable to use the photosensitive compositions (1-5) which show the absorbance in the range of to.

실시예 3Example 3

표 1에 나타낸 감광성 조성물 1을 메틸에틸케톤으로 희석하여 캐리어 필름 상에 도포하고, 80 ℃의 열풍 건조기에서 30분 가열 건조하여 두께 25 ㎛의 광경화성·열경화성 수지 조성물층을 형성하고, 그 위에 커버 필름을 접합시켜 드라이 필름을 얻었다. 그 후, 커버 필름을 박리하고, 패턴 형성된 동박 기판에 얻어진 드라이 필름을 열 라미네이팅하였다. 그 후, 표 3에 나타낸 실시예 1과 2의 조건으로 노광을 실시하고, 캐리어 필름을 제거한 후, 1 중량%의 탄산나트륨 수용액으로 60초 동안 현상하여 화상을 얻었다. 또한, 150 ℃의 열풍 건조기에서 60분 가열 경화를 행하여 시험 기판을 제조하였다. 얻어진 경화 피막을 갖는 시험 기판에 대하여, 상술한 시험 방법 및 평가 방법으로 각 특성의 평가 시험을 행하였다. 결과는 표 5의 감광성 조성물 1의 결과와 동일하였다.The photosensitive composition 1 shown in Table 1 was diluted with methyl ethyl ketone, and it apply | coated on a carrier film, heat-dried for 30 minutes by 80 degreeC hot air dryer, and formed the 25-micrometer-thick photocurable thermosetting resin composition layer, and cover it on The film was bonded together to obtain a dry film. Thereafter, the cover film was peeled off, and the dry film obtained on the patterned copper foil substrate was thermally laminated. Thereafter, exposure was performed under the conditions of Examples 1 and 2 shown in Table 3, and the carrier film was removed, followed by development for 60 seconds with a 1% by weight aqueous sodium carbonate solution to obtain an image. Furthermore, 60 minute heat-hardening was performed by the 150 degreeC hot air dryer, and the test board | substrate was manufactured. About the test board | substrate which has the obtained hardened film, the evaluation test of each characteristic was done by the above-mentioned test method and evaluation method. The result was the same as that of the photosensitive composition 1 of Table 5.

도 1은 감광성 조성물의 건조 도막에 노광하고, 이것을 현상한 후 얻어지는 솔더 레지스트막의 단면 형상의 모식도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The schematic diagram of the cross-sectional shape of the soldering resist film obtained after exposing to the dry coating film of the photosensitive composition and developing this.

Claims (14)

감광성 조성물을 기재에 도포하여 건조시킨 후에, 이 건조 도막에 서로 파장이 다른 2개 이상의 레이저 광을 조사하여, 상기 2개 이상의 레이저 광이 각각 조사된 패턴 잠상을 형성한 후, 알칼리 수용액에 의해 현상하는 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트막의 형성 방법.After applying the photosensitive composition to a substrate and drying, two or more laser lights having different wavelengths are irradiated to the dried coating film to form a pattern latent image irradiated with the two or more laser lights, and then developed by an aqueous alkali solution. A method of forming a solder resist film, characterized by the above-mentioned. 감광성 조성물을 기재에 도포하여 건조시킨 후에, 이 건조 도막에 제1의 레이저 광 및 상기 제1의 레이저 광과 파장이 다른 제2의 레이저 광을 조사하여, 상기 제1의 레이저 광과 제2의 레이저 광의 쌍방이 조사된 패턴 잠상을 형성한 후, 알칼리 수용액에 의해 현상하는 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트막의 형성 방법.After apply | coating a photosensitive composition to a base material and drying, this dry coating film is irradiated with a 1st laser light and the 2nd laser light from a wavelength different from a said 1st laser light, and the said 1st laser light and a 2nd The formation method of the soldering resist film characterized by developing by aqueous alkali solution after forming the pattern latent image irradiated by both of laser beams. 제2항에 있어서, 상기 제1의 레이저 광과 제2의 레이저 광 중 한쪽이 청자색 레이저 광인 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트막의 형성 방법.The method of forming a solder resist film according to claim 2, wherein one of the first laser light and the second laser light is a blue violet laser light. 제2항에 기재된 솔더 레지스트막의 형성 방법에 이용하는 감광성 조성물이며, 그의 노광 전의 건조 도막이 두께 25 ㎛당, 355 내지 380 ㎚의 파장 범위에 있어서 0.6 내지 1.2의 흡광도를 나타내고, 또한 405 ㎚의 파장에 있어서 0.3 내지 0.6의 흡광도를 나타내는 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.It is a photosensitive composition used for the formation method of the soldering resist film of Claim 2, The dry coating film before the exposure shows the absorbance of 0.6-1.2 in the wavelength range of 355-380 nm per thickness of 25 micrometers, and also in the wavelength of 405 nm. A photosensitive composition is characterized by showing an absorbance of 0.3 to 0.6. 제4항에 있어서, 노광 전의 상기 건조 도막의 두께 25 ㎛당, 355 내지 380 ㎚의 파장 범위에서의 최대 흡광도와 405 ㎚의 파장에서의 흡광도의 차이가 0.3 이상 0.6 미만인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.The photosensitive composition according to claim 4, wherein a difference between the maximum absorbance in the wavelength range of 355 to 380 nm and the absorbance in the wavelength of 405 nm is 0.3 or more and less than 0.6 per 25 µm in thickness of the dry coating film before exposure. 제4항에 있어서, 노광 전의 상기 건조 도막이 25 ㎛당, 355 ㎚의 파장에 있어서 0.6 내지 1.0의 흡광도를 나타내고, 405 ㎚의 파장에 있어서 0.3 내지 0.5의 흡광도를 나타내고, 또한 355 ㎚의 파장에서의 흡광도와 405 ㎚의 파장에서의 흡광도의 차이가 0.3 이상 0.5 미만인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.The said dry coating film before exposure shows the absorbance of 0.6-1.0 at the wavelength of 355 nm, the absorbance of 0.3-0.5 at the wavelength of 405 nm, and also at the wavelength of 355 nm per 25 micrometers. The difference in absorbance and the absorbance at a wavelength of 405 nm is 0.3 or more and less than 0.5, The photosensitive composition characterized by the above-mentioned. 제4항에 있어서, 상기 감광성 조성물이 (A) 카르복실산 함유 수지, (B) 광중합 개시제, 및 (C) 안료를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.The photosensitive composition of Claim 4 in which the said photosensitive composition contains (A) carboxylic acid containing resin, (B) photoinitiator, and (C) pigment. 제7항에 있어서, 상기 광중합 개시제 (B)가 하기 화학식 1로 표시되는 기를 갖는 옥심에스테르계 광중합 개시제, 하기 화학식 2로 표시되는 기를 갖는 α-아미노아세토페논계 광중합 개시제, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 기를 갖는 아실포스핀옥시드계 광중합 개시제로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 광중합 개시제인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.The photopolymerization initiator (B) is an oxime ester photopolymerization initiator having a group represented by the following formula (1), an α-aminoacetophenone photopolymerization initiator having a group represented by the following formula (2), and a formula (3) It is at least 1 type photoinitiator selected from the group which consists of an acyl phosphine oxide type photoinitiator which has a group which becomes a photosensitive composition. <화학식 1><Formula 1>
Figure 112007081956831-PAT00012
Figure 112007081956831-PAT00012
<화학식 2><Formula 2>
Figure 112007081956831-PAT00013
Figure 112007081956831-PAT00013
<화학식 3><Formula 3>
Figure 112007081956831-PAT00014
Figure 112007081956831-PAT00014
(식 중, (In the meal, R1은 수소 원자, 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기, 또는 할로겐 원자로 치환될 수 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수 있음)를 나타내고, R 1 is a hydrogen atom, a phenyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or a halogen atom), an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms (can be substituted with one or more hydroxyl groups, one in the middle of the alkyl chain Or a cycloalkyl group having 5 to 8 carbon atoms, an alkanoyl group having 2 to 20 carbon atoms, or a benzoyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group), R2는 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수 있음)를 나타내고, R 2 is a phenyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group or a halogen atom), an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms (can be substituted with one or more hydroxyl groups, and at least one oxygen atom in the middle of the alkyl chain ), A cycloalkyl group having 5 to 8 carbon atoms, an alkanoyl group having 2 to 20 carbon atoms or a benzoyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group), R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 아릴알킬기를 나타내고, R 3 and R 4 each independently represent an alkyl group or an arylalkyl group having 1 to 12 carbon atoms, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 2개가 결합된 환상 알킬에테르기를 나타내고, R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a cyclic alkylether group having two bonded thereto, R7 및 R8은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 시클로헥실기, 시클로펜틸기, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 알킬기 또는 알콕시기로 치환된 아릴기를 나타내되, 단, R7 및 R8 중 한쪽은 R-C(=O)-기(여기서 R은 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기임)를 나타낼 수 있음)R 7 and R 8 each independently represent a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cyclohexyl group, a cyclopentyl group, an aryl group, or an aryl group substituted with a halogen atom, an alkyl group or an alkoxy group, provided that One of R 7 and R 8 may represent an RC (═O) -group, where R is a hydrocarbon group of 1 to 20 carbon atoms
제8항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 기를 갖는 옥심에스테르계 광중합 개시제가 하기 화학식 4의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.The photosensitive composition according to claim 8, wherein the oxime ester photopolymerization initiator having a group represented by Formula 1 includes a compound represented by the following Formula 4. <화학식 4><Formula 4>
Figure 112007081956831-PAT00015
Figure 112007081956831-PAT00015
제8항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 기를 갖는 옥심에스테르계 광중합 개시제가 하기 화학식 5의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.The photosensitive composition according to claim 8, wherein the oxime ester photopolymerization initiator having a group represented by Formula 1 includes a compound represented by the following Formula 5. <화학식 5><Formula 5>
Figure 112007081956831-PAT00016
Figure 112007081956831-PAT00016
(식 중, (In the meal, R9는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 벤질기, 벤조일기, 탄소수 2 내지 12의 알카노일기, 탄소수 2 내지 12의 알콕시카르보닐기(알콕실기를 구성하는 알킬기의 탄소수가 2 이상인 경우, 알킬기는 1개 이상의 수산기로 치환될 수 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수 있음), 또는 페녹시카르보닐기를 나타내고, R 9 is a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a phenyl group, a benzyl group, a benzoyl group, an alkanoyl group having 2 to 12 carbon atoms, and an alkoxycarbonyl group having 2 to 12 carbon atoms (alkoxy When the alkyl group constituting the actual group has 2 or more carbon atoms, the alkyl group may be substituted with one or more hydroxyl groups, may have one or more oxygen atoms in the middle of the alkyl chain), or a phenoxycarbonyl group, R10, R12는 각각 독립적으로 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수 있음)를 나타내고, R 10 and R 12 are each independently a phenyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group or a halogen atom), an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms (can be substituted with one or more hydroxyl groups, and in the middle of the alkyl chain May have one or more oxygen atoms), a cycloalkyl group having 5 to 8 carbon atoms, an alkanoyl group having 2 to 20 carbon atoms, or a benzoyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group), R11은 수소 원자, 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수 있음)를 나타냄)R 11 is a hydrogen atom, a phenyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group or a halogen atom), an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms (can be substituted with one or more hydroxyl groups, and at least one in the middle of the alkyl chain May have an oxygen atom), a cycloalkyl group having 5 to 8 carbon atoms, an alkanoyl group having 2 to 20 carbon atoms, or a benzoyl group (which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group)
제7항에 있어서, 상기 안료 (C)가 프탈로시아닌 블루계 안료를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.8. The photosensitive composition as claimed in claim 7, wherein the pigment (C) comprises a phthalocyanine blue pigment. 제7항에 있어서, 분자 중에 2개 이상의 환상 에테르기 및/또는 환상 티오에테르기를 갖는 열경화성 성분 (D)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.8. The photosensitive composition according to claim 7, further comprising a thermosetting component (D) having at least two cyclic ether groups and / or cyclic thioether groups in the molecule. 제4항에 있어서, 두께 15 내지 100 ㎛의 건조 도막으로서 적용되는 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.The photosensitive composition according to claim 4, which is applied as a dry coating film having a thickness of 15 to 100 mu m. 제4항에 기재된 감광성 조성물을, 캐리어 필름 상에 도포한 후에 건조하여 얻어지는 드라이 필름.The dry film obtained by drying after apply | coating the photosensitive composition of Claim 4 on a carrier film.
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