KR20070115538A - Liquid crystal display - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 일반적인 액정표시장치에 형성되는 픽셀의 등가 회로도.1 is an equivalent circuit diagram of a pixel formed in a general liquid crystal display device.
도 2는 종래의 액정표시장치의 구성도.2 is a block diagram of a conventional liquid crystal display device.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 구성도.3 is a block diagram of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 도 3에서의 전원 공급부의 회로도.4 is a circuit diagram of a power supply unit in FIG. 3.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
100, 200: 액정표시장치 110: 액정표시패널100 and 200: liquid crystal display 110: liquid crystal display panel
120, 220: 데이터 구동부 130, 230: 게이트 구동부120, 220:
140: 감마기준전압 발생부 150: 백라이트 어셈블리140: gamma reference voltage generator 150: backlight assembly
160: 인버터 170: 공통전압 발생부160: inverter 170: common voltage generator
180: 게이트구동전압 발생부 190: 타이밍 컨트롤러180: gate driving voltage generator 190: timing controller
210: 전원 공급부210: power supply
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 파워시퀀스 스위칭소자와 승압 스위칭소자를 하나의 칩으로 구현할 수 있도록 하는 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device capable of realizing a power sequence switching device and a boosting switching device as one chip.
액정표시장치는 비디오신호에 따라 액정셀들의 광투과율을 조절하여 화상을 표시하며, 그리고 액정셀마다 스위칭소자가 형성된 액티브 매트릭스(Active Matrix) 타입의 액정표시장치는 스위칭소자의 능동적인 제어가 가능하기 때문에 동영상 구현에 유리하다. 이러한 액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치에 사용되는 스위칭소자로는 도 1과 같이 주로 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 "TFT"라 한다)가 이용되고 있다.A liquid crystal display device displays an image by adjusting light transmittance of liquid crystal cells according to a video signal, and an active matrix type liquid crystal display device in which a switching element is formed for each liquid crystal cell enables active control of the switching element. This is advantageous for video implementation. As the switching element used in the active matrix liquid crystal display device, a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) is mainly used as shown in FIG. 1.
도 1을 참조하면, 액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치는, 디지털 입력 데이터를 감마기준전압을 기준으로 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 데이터라인(DL)에 공급함과 동시에 스캔펄스를 게이트라인(GL)에 공급하여 액정셀(Clc)을 충전시킨다.Referring to FIG. 1, an active matrix type liquid crystal display converts digital input data into an analog data voltage based on a gamma reference voltage and supplies it to the data line DL and simultaneously supplies scan pulses to the gate line GL. The liquid crystal cell Clc is charged.
TFT의 게이트전극은 게이트라인(GL)에 접속되고, 소스전극은 데이터라인(DL)에 접속되며, 그리고 TFT의 드레인전극은 액정셀(Clc)의 화소전극과 스토리지 캐패시터(Cst)의 일측 전극에 접속된다.The gate electrode of the TFT is connected to the gate line GL, the source electrode is connected to the data line DL, and the drain electrode of the TFT is connected to the pixel electrode of the liquid crystal cell Clc and one electrode of the storage capacitor Cst. Connected.
액정셀(Clc)의 공통전극에는 공통전압(Vcom)이 공급된다. The common voltage Vcom is supplied to the common electrode of the liquid crystal cell Clc.
스토리지 캐패시터(Cst)는 TFT가 턴-온될 때 데이터라인(DL)으로부터 인가되는 데이터전압을 충전하여 액정셀(Clc)의 전압을 일정하게 유지하는 역할을 한다. The storage capacitor Cst charges a data voltage applied from the data line DL when the TFT is turned on, thereby maintaining a constant voltage of the liquid crystal cell Clc.
스캔펄스가 게이트라인(GL)에 인가되면 TFT는 턴-온(Turn-on)되어 소스전극과 드레인전극 사이의 채널을 형성하여 데이터라인(DL) 상의 전압을 액정셀(Clc)의 화소전극에 공급한다. 이 때 액정셀(Clc)의 액정분자들은 화소전극과 공통전극 사이의 전계에 의하여 배열이 바뀌면서 입사광을 변조하게 된다.When the scan pulse is applied to the gate line GL, the TFT is turned on to form a channel between the source electrode and the drain electrode so that the voltage on the data line DL is applied to the pixel electrode of the liquid crystal cell Clc. Supply. At this time, the liquid crystal molecules of the liquid crystal cell Clc modulate the incident light by changing the arrangement by the electric field between the pixel electrode and the common electrode.
이와 같은 구조를 갖는 픽셀들을 구비하는 종래의 액정표시장치의 구성에 대하여 살펴보면 도 2에 도시된 바와 같다.A configuration of a conventional liquid crystal display device having pixels having such a structure will be described with reference to FIG. 2.
도 2는 종래의 액정표시장치의 구성도이다.2 is a block diagram of a conventional liquid crystal display device.
도 2를 참조하면, 종래의 액정표시장치(100)는, 데이터라인(DL1 내지 DLm)과 게이트라인(GL1 내지 GLn)이 교차되며 그 교차부에 액정셀(Clc)을 구동하기 위한 박막트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)가 형성된 액정표시패널(110)과, 액정표시패널(110)의 데이터라인들(DL1 내지 DLm)에 데이터를 공급하기 위한 데이터 구동부(120)와, 액정표시패널(110)의 게이트라인(GL1 내지 GLn)에 스캔펄스를 공급하기 위한 게이트 구동부(130)와, 감마기준전압을 발생하여 데이터 구동부(120)에 공급하기 위한 감마기준전압 발생부(140)와, 액정표시패널(110)에 광을 조사하기 위한 백라이트 어셈블리(150)와, 백라이트 어셈블리(160)에 교류 전압 및 전류를 인가하기 위한 인버터(160)와, 공통전압(Vcom)을 발생하여 액정표시패널(110)의 액정셀(Clc)의 공통전극에 공급하기 위한 공통전압 발생부(170)와, 게이트 하이전압(VGH)과 게이트 로우전압(VGL)을 발생하여 게이트 구동부(130)에 공급하기 위한 게이트구동전압 발생부(180)와, 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130)를 제어하기 위한 타이밍 컨트롤러(190)를 구비한다.Referring to FIG. 2, the
액정표시패널(110)은 두 장의 유리기판 사이에 액정이 주입된다. 액정표시패널(110)의 하부 유리기판 상에는 데이터라인들(DL1 내지 DLm)과 게이트라인들(GL1 내지 GLn)이 직교된다. 데이터라인들(DL1 내지 DLm)과 게이트라인들(GL1 내지 GLn)의 교차부에는 TFT가 형성된다. TFT는 스캔펄스에 응답하여 데이터라인들(DL1 내지 DLm) 상의 데이터를 액정셀(Clc)에 공급하게 된다. TFT의 게이트전극은 게이트라인(GL1 내지 GLn)에 접속되며, TFT의 소스전극은 데이터라인(DL1 내지 DLm)에 접속된다. 그리고 TFT의 드레인전극은 액정셀(Clc)의 화소전극과 스토리지 캐패시터(Cst)에 접속된다. In the liquid
TFT는 게이트라인(GL1 내지 GLn)을 경유하여 게이트단자에 공급되는 스캔펄스에 응답하여 턴-온된다. TFT의 턴-온시 데이터라인(DL1 내지 DLm) 상의 비디오 데이터는 액정셀(Clc)의 화소전극에 공급된다. The TFT is turned on in response to the scan pulse supplied to the gate terminal via the gate lines GL1 to GLn. When the TFT is turned on, video data on the data lines DL1 to DLm is supplied to the pixel electrode of the liquid crystal cell Clc.
데이터 구동부(120)는 타이밍 컨트롤러(190)로부터 공급되는 데이터구동 제어신호(DDC)에 응답하여 데이터를 데이터라인들(DL1 내지 DLm)에 공급하며, 그리고 타이밍 컨트롤러(190)로부터 공급되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 샘플링하여 래치한 다음 감마기준전압 발생부(140)로부터 공급되는 감마기준전압을 기준으로 액정표시패널(110)의 액정셀(Clc)에서 계조를 표현할 수 있는 아날로그 데이터 전압으로 변환시켜 데이터라인들(DL1 내지 DLm)들에 공급한다.The
게이트 구동부(130)는 타이밍 컨트롤러(190)로부터 공급되는 게이트구동 제어신호(GDC)와 게이트쉬프트클럭(GSC)에 응답하여 스캔펄스 즉, 게이트펄스를 순차적으로 발생하여 게이트라인(GL1 내지 GLn)들에 공급한다. 이때, 게이트 구동 부(130)는 게이트구동전압 발생부(180)로부터 공급되는 게이트 하이전압(VGH)과 게이트 로우전압(VGL)에 따라 각각 스캔펄스의 하이레벨전압과 로우레벨전압을 결정한다.The
감마기준전압 발생부(140)는 고전위 전원전압(VDD)을 공급받아 정극성 감마기준전압과 부극성 감마기준전압을 발생하여 데이터 구동부(120)로 출력한다.The gamma
백라이트 어셈블리(150)는 액정표시패널(110)의 후면에 배치되며, 인버터(160)로부터 공급되는 교류 전압과 전류에 의해 발광되어 광을 액정표시패널(110)의 각 픽셀로 조사한다.The
인버터(160)는 내부에 발생되는 구형파신호를 삼각파신호로 변화시킨 후 삼각파신호와 상기 시스템으로부터 공급되는 직류 전원전압(VCC)을 비교하여 비교결과에 비례하는 버스트디밍(Burst Dimming)신호를 발생한다. 이렇게 내부의 구형파신호에 따라 결정되는 버스트디밍신호가 발생되면, 인버터(160) 내에서 교류 전압과 전류의 발생을 제어하는 구동 IC(미도시)는 버스트디밍신호에 따라 백라이트 어셈블리(150)에 공급되는 교류 전압과 전류의 발생을 제어한다.The
공통전압 발생부(170)는 고전위 전원전압(VDD)을 공급받아 공통전압(Vcom)을 발생하여 액정표시패널(110)의 각 픽셀에 구비된 액정셀(Clc)들의 공통전극에 공급한다.The
게이트구동전압 발생부(180)는 고전위 전원전압(VDD)을 인가받아 게이트 하이전압(VGH)과 게이트 로우전압(VGL)을 발생시켜 게이트 구동부(130)에 공급한다. 여기서, 게이트구동전압 발생부(180)는 액정표시패널(110)의 각 픽셀에 구비된 TFT 의 문턱전압 이상이 되는 게이트 하이전압(VGH)을 발생하고 TFT의 문턱전압 미만이 되는 게이트 로우전압(VGL)을 발생한다. 이렇게 발생된 게이트 하이전압(VGH)과 게이트 로우전압(VGL)은 각각 게이트 구동부(130)에 의해 발생되는 스캔펄스의 하이레베전압과 로우레벨전압을 결정하는데 이용된다.The gate
타이밍 컨트롤러(190)는 텔레비젼 수상기나 컴퓨터용 모니터 등의 시스템에 구비된 영상처리용 스케일러(미도시)로부터 공급되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 데이터 구동부(120)에 공급하고, 또한 클럭신호(CLK)에 따라 수평/수직 동기신호(H,V)를 이용하여 데이터 구동 제어신호(DDC)와 게이트 구동 제어신호(GDC)를 발생하여 각각 데이터 구동부(120)와 게이트 구동부(130)에 공급한다. 여기서, 데이터 구동 제어신호(DDC)는 소스쉬프트클럭(SSC), 소스스타트펄스(SSP), 극성제어신호(POL) 및 소스출력인에이블신호(SOE) 등을 포함하고, 게이트구동 제어신호(GDC)는 게이트스타트펄스(GSP) 및 게이트출력인에이블(GOE) 등을 포함한다.The
이와 같은 구성 및 기능을 갖는 종래의 액정표시장치의 경우, 데이터 구동부(120)와 게이트 구동부(130)가 일정한 전원을 공급받아 구동되었으나, 쇼트(short) 발생시 과전류가 발생되더라도 이를 감지하여 전원 공급을 차단하는 기술이 채용되고 있지 않아서, 과전류에 의해 내부 회로가 파손되는 문제점이 있었다.In the conventional liquid crystal display having such a configuration and function, the
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명 의 목적은 파워시퀀스 스위칭소자와 승압 스위칭소자를 하나의 칩으로 구현할 수 있도록 하는 액정표시장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of implementing a power sequence switching device and a boost switching device as one chip.
본 발명의 목적은 파워시퀀스 스위칭소자와 승압 스위칭소자를 하나의 칩으로 구현할 수 있도록 함으로써, 제조 비용을 절감할 수 있도록 하는 액정표시장치를 제공하는 데 있다.Disclosure of Invention An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which can reduce the manufacturing cost by enabling the power sequence switching device and the boost switching device to be implemented in one chip.
본 발명의 목적은 내부에 흐르는 전류를 감지하여 과전류 발생시 전원전압의 공급을 자동으로 차단할 수 있는 액정표시장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which can automatically cut off the supply of power voltage when an overcurrent occurs by sensing a current flowing inside.
본 발명의 목적은 내부에 흐르는 전류를 감지하여 과전류 발생시 전원전압의 공급을 자동으로 차단함으로써, 과전류에 의해 내부 회로가 파손되는 것을 방지함과 아울러 파워시퀀스 스위칭소자를 통해 전원전압을 공급받는 외부소자들이 과전류에 의해 파손되는 것을 방지할 수 있는 액정표시장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to detect the current flowing inside to automatically cut off the supply of the power supply voltage when an overcurrent occurs, thereby preventing the internal circuit from being damaged by the overcurrent and the external device receiving the power supply voltage through the power sequence switching device The present invention provides a liquid crystal display device that can prevent them from being damaged by an overcurrent.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 내부에 흐르는 전류를 감지하고, 입력 전압을 승압시켜 전원전압을 출력하기 위한 승압수단; 궤환 전압의 크기에 따라 상기 입력 전압의 승압을 조절함과 아울러 상기 승압수단에 의해 감지된 전류량에 따라 상기 승압된 전원전압의 공급을 조절하여 파워시퀀스를 제어하기 위한 제어수단; 상기 제어수단의 제어에 따라 상기 승압된 전원전압을 출력시키거나 출력을 차단하기 위한 파워시퀀스 스위칭수단; 및 상기 파워시퀀스 스위칭수단을 통해 출력단으로 출력되는 전압을 검출하여 검출한 상기 궤환 전압을 상기 제어수 단으로 궤환시키기 위한 궤환수단을 포함한다.The present invention for achieving the above object, the step of sensing the current flowing therein, for boosting the input voltage to output a power supply voltage; Control means for controlling a power sequence by adjusting the boost of the input voltage according to the magnitude of the feedback voltage and controlling the supply of the boosted power supply voltage according to the amount of current sensed by the boosting means; Power sequence switching means for outputting the boosted power supply voltage or blocking the output according to the control of the control means; And feedback means for detecting the voltage output to the output terminal through the power sequence switching means and returning the detected feedback voltage to the control means.
상기 제어수단은 펄스폭변조신호를 상기 승압수단에 공급하여 승압을 제어하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 궤환 전압의 크기에 따라 상기 펄스폭변조신호의 듀티비를 조절하는 것을 특징으로 한다.The control means is characterized in that for supplying a pulse width modulation signal to the boosting means to control the boosting. Here, the duty ratio of the pulse width modulation signal is adjusted according to the magnitude of the feedback voltage.
상기 제어수단은 파워시퀀스 제어신호를 공급하여 상기 파워시퀀스 스위칭수단의 스위칭 주기를 제어하는 것을 특징으로 한다.The control means supplies a power sequence control signal to control the switching cycle of the power sequence switching means.
상기 제어수단은 상기 승압수단에 의해 감지된 전류와 소정의 기준전류를 비교하여, 비교결과 감지된 전류가 상기 소정의 기준전류보다 높으면 상기 파워시퀀스 스위칭수단을 오프시켜 상기 승압된 전원전압의 공급을 차단하는 것을 특징으로 한다.The control means compares the current sensed by the boosting means with a predetermined reference current, and if the detected current is higher than the predetermined reference current, turn off the power sequence switching means to supply the boosted power supply voltage. It is characterized by blocking.
상기 승압수단은, 전류를 축적하기 위한 인덕터; 전류를 감지하여 감지된 전류를 상기 제어수단으로 출력하기 위한 전류 감지부; 상기 펄스폭변조신호의 듀티비에 따라 온/오프 주기가 조절되는 승압 스위치; 및 출력측으로부터의 역전류를 차단하기 위한 다이오드를 포함한다.The boosting means includes an inductor for accumulating current; A current sensing unit for sensing current and outputting the sensed current to the control means; A boost switch in which an on / off period is adjusted according to the duty ratio of the pulse width modulation signal; And a diode for blocking reverse current from the output side.
상기 전류 감지부는 적어도 하나의 저항으로 구현되는 것을 특징으로 한다.The current sensing unit may be implemented with at least one resistor.
상기 전류 감지부는 전류 트랜스포머로 구현되는 것을 특징으로 한다.The current sensing unit may be implemented with a current transformer.
상기 파워시퀀스 스위칭수단은 일측이 다이오드의 캐소드에 접속되고 타측이 상기 궤환수단에 접속되는 것을 특징으로 한다.The power sequence switching means is characterized in that one side is connected to the cathode of the diode and the other side is connected to the feedback means.
본 발명은 다수의 게이트라인들과 다수의 데이터라인들이 형성된 액정표시패널; 입력 전압을 승압시켜 전원전압을 공급하되, 내부에서 감지된 전류의 크기에 따라 상기 전원전압의 공급을 제어하는 전원 공급수단; 상기 전원 공급수단으로부터 공급되는 전원전압에 의해 구동되어 상기 다수의 데이터라인들에 아날로그 데이터전압을 공급하기 위한 데이터 구동수단; 및 상기 전원 공급수단으로부터 공급되는 전원전압에 의해 구동되어 상기 다수의 게이트라인들에 스캔펄스를 공급하기 위한 게이트 구동수단을 포함한다.The present invention provides a liquid crystal display panel including a plurality of gate lines and a plurality of data lines; A power supply means for supplying a power supply voltage by boosting an input voltage, and controlling the supply of the power supply voltage according to a magnitude of a current sensed therein; Data driving means for supplying an analog data voltage to the plurality of data lines by being driven by a power supply voltage supplied from the power supply means; And gate driving means driven by a power supply voltage supplied from the power supply means to supply scan pulses to the plurality of gate lines.
상기 전원 공급수단은, 내부에 흐르는 전류를 감지하고, 입력 전압을 승압시켜 전원전압을 출력하기 위한 승압부; 궤환 전압의 크기에 따라 상기 입력 전압의 승압을 조절함과 아울러 상기 승압수단에 의해 감지된 전류량에 따라 상기 승압된 전원전압의 공급을 조절하여 파워시퀀스를 제어하기 위한 제어부; 상기 제어부의 제어에 따라 상기 승압된 전원전압을 출력시키거나 출력을 차단하기 위한 파워시퀀스 스위칭부; 및 상기 파워시퀀스 스위치를 통해 출력단으로 출력되는 전압을 검출하여 검출한 상기 궤환 전압을 상기 제어부로 궤환시키기 위한 궤환부를 포함한다.The power supply means includes: a booster for sensing a current flowing therein and boosting an input voltage to output a power voltage; A control unit for controlling a power sequence by adjusting a boost of the input voltage according to the magnitude of the feedback voltage and controlling a supply of the boosted power supply voltage according to the amount of current sensed by the boosting means; A power sequence switching unit for outputting the boosted power supply voltage or blocking the output under the control of the controller; And a feedback unit for detecting the voltage output to the output terminal through the power sequence switch and returning the detected feedback voltage to the controller.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 구성도이다.3 is a block diagram of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명의 액정표시장치(200)는, 도 2에 도시된 액정표시장치(100)와 동일하게, 액정표시패널(110), 감마기준전압 발생부(140), 백라이트 어셈블리(150), 인버터(160), 공통전압 발생부(170), 게이트구동전압 발생부(180) 및 타이밍 컨트롤러(190)를 구비한다.Referring to FIG. 3, the liquid
그리고, 본 발명의 액정표시장치(200)는, 입력 전압(Vin)을 승압시켜 전원전압(Vout)을 공급하기 위한 전원 공급부(210)와, 전원 공급부(210)로부터 공급되는 전원전압에 의해 구동되어 다수의 데이터라인들(DL1 내지 DLm)에 아날로그 데이터전압을 공급하기 위한 데이터 구동부(220)와, 전원 공급부(210)로부터 공급되는 전원전압에 의해 구동되어 다수의 게이트라인들(GL1 내지 GLn)에 스캔펄스를 공급하기 위한 게이트 구동부(230)를 구비한다.The
전원 공급부(210)는 궤환 전압의 크기에 따라 입력 전압(Vin)을 승압시켜 승압된 전원전압(Vout)을 데이터 구동부(220)와 게이트 구동부(230)로 공급하는데, 여기서 승압된 전원전압(Vout)의 공급을 조절하여 파워시퀀스를 제어한다. 그리고, 전원 공급부(210)는 내부에 흐르는 전류를 감지하여 과전류 발생시 승압된 전원전압(Vout)의 출력을 차단한다. 이에 따라, 전원 공급부(210)의 내부 회로가 과전류에 의해 파손되는 것을 방지함과 아울러 파워시퀀스 스위칭소자를 통해 전원전압을 공급받는 데이터 구동부(220) 및 게이트 구동부(230) 등의 외부소자들이 과전류에 의해 파손되는 것을 방지할 수 있다.The
데이터 구동부(220)는 전원 공급부(210)로부터의 전원전압(Vout)에 의해 구동되어 타이밍 컨트롤러(190)로부터 공급되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압으로 변환시켜 데이터라인들(DL1 내지 DLm)들에 공급한다.The
게이트 구동부(230)는 전원 공급부(210)로부터의 전원전압(Vout)에 의해 구동되어 타이밍 컨트롤러(190)로부터의 게이트구동 제어신호(GDC)와 게이트쉬프트클럭(GSC)에 따라 스캔펄스를 순차적으로 발생하여 게이트라인(GL1 내지 GLn)들에 공 급한다.The
도 4는 도 3에서의 전원 공급부의 회로도이다.4 is a circuit diagram of a power supply unit of FIG. 3.
도 4를 참조하면, 전원 공급부(210)는, 궤환 전압의 크기에 따라 입력 전압(Vin)의 승압을 조절함과 아울러 승압된 전원전압(Vout)의 공급을 조절하여 파워시퀀스를 제어하기 위한 제어부(211)와, 제어부(211)의 제어에 따라 입력 전압(Vin)을 승압시키기 위한 승압부(212)와, 제어부(211)의 제어에 따라 승압부(212)에 의해 승압된 전원전압(Vout)을 출력시키기 위한 파워시퀀스 스위치(213)와, 파워시퀀스 스위치(213)를 통해 출력단으로 출력되는 전압을 검출하여 검출한 궤환전압을 제어부(211)로 궤환시키기 위한 궤환부(214)를 구비한다.Referring to FIG. 4, the
제어부(211)는 펄스폭변조신호(PWM)를 승압부(212)에 공급하여 승압을 제어하는데, 궤환부(214)로부터의 궤환 전압의 크기에 따라 펄스폭변조신호(PWM)의 듀티비를 조절한다. 여기서, 펄스폭변조신호(PWM)의 듀티비에 따라 승압부(212)에 의해 승압되는 전원전압(Vout)이 증가되거나 감소되기 때문에, 제어부(211)는 궤환 전압과 소정의 기준전압이 동일하면 현재 펄스폭변조신호(PWM)의 듀티비를 유지시켜 현재 전원전압(Vout)이 유지되도록 한다. 이와 달리, 제어부(211)는 궤환 전압이 소정의 기준전압보다 크면 펄스폭변조신호(PWM)의 듀티비를 감소시켜 전원전압(Vout)이 감소되도록 하고, 또한 제어부(211)는 궤환 전압이 소정의 기준전압보다 작으면 펄스폭변조신호(PWM)의 듀티비를 증가시켜 전원전압(Vout)이 증가되도록 한다.The
그리고, 제어부(211)는 소정의 파워시퀀스 제어프로그램에 따라 파워시퀀스 제어신호를 파워시퀀스 스위치(213)로 공급하여 파워시퀀스 스위치(213)의 스위칭 주기를 제어함으로써, 궁극적으로 파워시퀀스를 제어한다.The
또한, 제어부(211)는 승압부(212)에 의해 감지된 전류와 소정의 기준전류를 비교하여, 비교결과 감지된 전류가 소정의 기준전류보다 높으면 과전류가 발생된 것으로 판단하여 파워시퀀스 스위치(213)를 오프(off)시켜 승압된 전원전압(Vout)의 공급을 차단하고, 반대로 비교결과 감지된 전류가 소정의 기준전류보다 낮거나 같으면 파워시퀀스 스위치(213)를 계속 구동시켜 정상적으로 파워시퀀스를 조절한다.In addition, the
승압부(212)는, 전류를 축적하기 위한 인덕터(L1)와, 전류를 감지하여 감지된 전류를 제어부(211)로 출력하기 위한 전류 감지부(212-1)와, 제어부(211)로부터의 펄스폭변조신호(PWM)의 듀티비에 따라 온/오프 주기가 조절되는 승압 스위치(212-2)와, 출력측으로부터의 역전류를 차단하기 위한 다이오드(D1)를 구비한다.The
인덕터(L1)는 입력단과 전류 감지부(212-1) 사이에 접속되어 입력 전류를 축적하여 후단으로 공급한다.The inductor L1 is connected between the input terminal and the current sensing unit 212-1 to accumulate the input current and supply it to the rear stage.
전류 감지부(212-1)는 저항이나 전류 트랜스포머(Current Transformer)로 구현될 수 있으며, 인덕터(L1)와 승압 스위치(212-2) 사이에 접속된다. 이러한 전류 감지부(212-1)는 전원 공급부(210) 내부에 발생되는 전류를 감지하여 제어부(211)로 공급하는데, 이는 쇼트 등에 의해 과전류가 발생되는 것을 감지하기 위한 것이다.The current sensing unit 212-1 may be implemented with a resistor or a current transformer, and is connected between the inductor L1 and the boost switch 212-2. The current detecting unit 212-1 detects a current generated inside the
승압 스위치(212-2)는 일측이 전류 감지부(212-1)와 다이오드(D1)의 애노드 에 공통 접속되고 타측이 접지에 접속되며, 제어부(211)로부터의 펄스폭변조신호(PWM)의 듀티비에 따라 온/오프 주기가 조절된다. 보다 구체적으로, 펄스폭변조신호(PWM)의 듀티비가 낮아지면, 승압 스위치(212-2)의 온/오프 주기가 낮아지기 때문에 승압되는 전원전압(Vout)의 크기가 감소된다. 반대로 펄스폭변조신호(PWM)의 듀티비가 높아지면, 승압 스위치(212-2)의 온/오프 주기가 높아지기 때문에 승압되는 전원전압(Vout)의 크기가 증가된다.The boost switch 212-2 has one side connected in common to the anode of the current sensing unit 212-1 and the diode D1, and the other side connected to ground, and the pulse width modulated signal PWM from the
다이오드(D1)는 전류 감지부(212-1)와 승압 스위치(212-2)에 공통 접속된 애노드와 파워시퀀스 스위치(213)에 접속된 캐소드를 갖으며, 출력측으로부터의 역전류를 차단한다.The diode D1 has an anode connected to the current sensing unit 212-1 and the boost switch 212-2 and a cathode connected to the
파워시퀀스 스위치(213)는 일측이 다이오드(D1)의 캐소드에 접속되고 타측이 궤환부(214)에 접속되며, 제어부(211)로부터의 파워시퀀스 제어신호에 의해 온/오프 주기가 조절되어 승압부(212)를 통해 승압된 전원전압(Vout)의 출력 주기를 조절한다.The
특히, 본 발명은 파워시퀀스 스위치(213)를 출력단에 인접하여 배치하지 않고 다이오드(D1)의 캐소드에 직접적으로 접속시킴으로써, 승압 스위치(212-2)와 파워시퀀스 스위치(213)를 하나의 칩(chip)으로 구현할 수 있도록 하고, 이로 인해 제품의 제조 비용을 절감할 수 있도록 한다.In particular, the present invention connects the boost switch 212-2 and the
궤환부(214)는 파워시퀀스 스위치(213)와 병렬 관계를 이루고 출력측과 접지 사이에 직렬 접속된 저항들(R1, R2)과, 저항들(R1, R2)과 병렬을 이루고 출력측과 접지 사이에 접속된 커패시터(C1)를 구비한다. 이러한 궤환부(214)는 파워시퀀스 스위치(213)를 통해 출력단으로 출력되는 전압을 검출하여 검출한 궤환전압을 제어부(211)로 궤환시킨다.The
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은, 파워시퀀스 스위칭소자와 승압 스위칭소자를 하나의 칩으로 구현할 수 있도록 함으로써, 제조 비용을 절감할 수 있도록 한다. 그리고 본 발명은 내부에 흐르는 전류를 감지하여 과전류 발생시 전원전압의 공급을 자동으로 차단함으로써, 과전류에 의해 내부 회로가 파손되는 것을 방지하고, 또한 파워시퀀스 스위칭소자를 통해 전원전압을 공급받는 외부소자들이 과전류에 의해 파손되는 것을 방지할 수 있다.As described above, the present invention enables the power sequence switching device and the boost switching device to be implemented in one chip, thereby reducing manufacturing costs. In addition, the present invention detects the current flowing inside to automatically cut off the supply of the power supply voltage when an overcurrent occurs, thereby preventing the internal circuit from being damaged by the overcurrent, and the external devices receiving the power supply voltage through the power sequence switching device It can prevent damage by overcurrent.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
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