KR20060096903A - Thermal processing unit - Google Patents

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KR20060096903A
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요시하루 오타
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동경 엘렉트론 주식회사
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Abstract

본 발명은 열적처리장치에 관한 것으로서 열적처리장치의 일례인 포스트 베이크 존(POB 56)은 기판 (G)를 수평방향으로 반송하기 위한 기판반송기구 (71)와 기판 (G)을 가열하기 위하여 기판반송기구 (71)에 의한 기판 (G)의 반송 루트상의 소정의 높이 위치에 반송루트를 따라서 소정간격으로 간격 (73)을 두면서 배치된 복수의 패널형상의 히터 (72)를 구비한다. 히터 (72)를 복수의 소히터 (72a· 72b)로 구성하고 또한 복수의 소히터 (72a· 72b)의 이음매로 인하여 기판 (G)에 전사흔적이 발생하는 것을 방지하기 때문에 복수의 소히터 (72a· 72b)를 그 이음매가 일정한 거리범위내에 있어서 기판반송방향과 평행하게 되지 않도록 연결하여 기판을 반송하면서 가열이나 냉각을 행할 수 있는 수율이 높은 열적처리장치로서 또한 기판으 가열얼룩이나 냉각얼룩의 발생을 억제할 수 있는 열적처리장치의 기술을 제공한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermal processing apparatus, wherein a post bake zone (POB 56), which is an example of a thermal processing apparatus, includes a substrate transport mechanism 71 and a substrate for heating the substrate G for transporting the substrate G in a horizontal direction. A plurality of panel heaters 72 are provided at predetermined height positions on the conveyance route of the substrate G by the conveyance mechanism 71 with a distance 73 at a predetermined interval along the conveyance route. The heater 72 is constituted by a plurality of small heaters 72a, 72b and a plurality of small heaters (B) because it prevents transfer traces from occurring on the substrate G due to the seams of the plurality of small heaters 72a, 72b. 72a.72b) is a high-throughput thermal processing apparatus capable of carrying out heating or cooling while conveying a substrate by connecting the joint so that the joint does not become parallel with the substrate conveying direction within a certain distance range. Provided is a technique of a thermal processing apparatus capable of suppressing occurrence.

Description

열적 처리 장치{THERMAL PROCESSING UNIT}Thermal Processing Unit {THERMAL PROCESSING UNIT}

도 1은 본 발명의 처리 장치의 하나의 실시 형태인 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 하나의 실시 형태를 나타내는 사시도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view which shows one Embodiment of the resist coating and image development processing system which is one Embodiment of the processing apparatus of this invention.

도 2는 도 1 기재의 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 개략 구조를 나타내는 평면도이다.FIG. 2 is a plan view showing a schematic structure of the resist coating and developing processing system of FIG. 1. FIG.

도 3은 도 1 기재의 레지스트 도포·현상 처리 시스템에 있어서의 기판의 반송 순로를 나타낸 설명도이다.It is explanatory drawing which showed the conveyance order of the board | substrate in the resist coating and image development processing system of FIG.

도 4는 포스트 베이크 존(POB)과 쿨링 존(COL)의 개략 구조를 나타내는 측면도이다.4 is a side view illustrating a schematic structure of the post bake zone POB and the cooling zone COL.

도 5는 롤러부재의 개략 형상을 나타내는 사시도이다.5 is a perspective view showing a schematic shape of a roller member.

도 6은 포스트 베이크 존(POB)에 배치되는 히터의 개략 구조를 나타내는 사시도이다.6 is a perspective view showing a schematic structure of a heater disposed in a post bake zone POB.

**주요부위를 나타내는 도면부호의 설명**** Description of reference numerals indicating major parts **

1;제 1 처리부1; first processing unit

2;제 2 처리부2; second processing unit

3;제 1 반송부3; first conveying unit

4;제 2 반송부4; second conveying unit

5;인터페이스부5; interface part

6;용기 반입출부6; container carrying in and out

11a~11d·12a~12d;처리 블럭11a-11d 12a-12d processing block

56 ;포스트 베이크 존(POB)56; Post Bake Zone (POB)

57 :쿨링 존(COL)57: Cooling zone (COL)

71;기판 반송 기구71; substrate conveying mechanism

71a;롤러 부재71a; roller member

72;히터72; heater

74;가열 가스 공급 장치74; heating gas supply device

75;흡기 장치75; intake device

76:IR(적외선) 히터76: IR (infrared rays) heater

77;냉각판77; cooling plate

78;냉각 가스 분사 장치78; cooling gas injection device

100;레지스트 도포·현상 처리 시스템 100; resist coating and developing processing system

G;기판(LCD 기판)G; substrate (LCD substrate)

본 발명은 예를 들면 액정표시장치(LCD) 등의 FPD (플랫 패널 디스플레이)의 제조 프로세스에 있어서의 유리 기판 등의 포트리소그래피 공정에 있어서 기판을 가열 냉각하기 위해서 이용하는 열적 처리 장치에 관한다.This invention relates to the thermal processing apparatus used for heat-cooling a board | substrate in the photolithography process, such as a glass substrate in the manufacturing process of FPD (flat panel display), such as a liquid crystal display (LCD), for example.

예를 들면 LCD의 제조 공정에 있어서는 포트리소그래피 기술을 이용해 유리 기판에 레지스트액을 공급해 도포막을 형성해 이것을 건조 열처리 한 후에 노광 처리 현상 처리를 순서대로 실시하는 것으로 유리 기판에 소정의 회로 패턴을 형성하고 있다. 여기서 유리 기판에 레지스트액을 공급해 도포막을 형성한 후는 도포막을 가열해 불필요한 용제 등을 제거하는 프리베이크 처리를 하고 있다. 또 노광 처리 후에는 노광에 의한 레지스트막의 화학변화를 촉진하기 위한 포스트익스포져 베이크 처리를 해 현상 처리 후에는 현상 패턴의 고정과 유리 기판의 건조를 겸한 포스트베이크 처리를 하고 있다.For example, in the LCD manufacturing process, a predetermined circuit pattern is formed on a glass substrate by supplying a resist liquid to a glass substrate using a photolithography technique, forming a coating film, and drying and heat-treating it, and then performing exposure treatment development treatment in order. . After supplying a resist liquid to a glass substrate and forming a coating film here, the prebaking process which heats a coating film and removes an unnecessary solvent etc. is performed. After the exposure treatment, a post exposure bake treatment for promoting the chemical change of the resist film due to exposure is carried out, and after the development treatment, a post bake treatment is performed which combines fixing of the development pattern and drying of the glass substrate.

종래 이러한 열처리를 실시하는 장치로서는 유리 기판을 재치하기 위한 핫 플레이트와 이 핫 플레이트상에서 유리 기판을 승강시키기 위한 승강기구와 핫 플레이트를 내포하기 위한 챔버를 가지는 가열 장치가 이용되고 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조.) 또 가열처리가 종료한 유리 기판은 필요에 따라서 냉각 플레이트를 구비한 냉각 장치에 반송되어 거기서 냉각 처리된다.Conventionally, as a device for performing such heat treatment, a heating device having a hot plate for mounting a glass substrate, a lifting mechanism for lifting the glass substrate on and off the chamber, and a chamber for containing the hot plate is used (for example, a patent document). 1). Moreover, the glass substrate after heat processing is conveyed to the cooling apparatus provided with a cooling plate as needed, and is cooled there.

그렇지만 이러한 가열 장치 및 냉각 장치에서는 유리 기판을 장치에 반입출 하기 위해서 시간이 걸려 수율이 좋은 것은 아니다. 또 최근 유리 기판의 대형화가 급속히 진행되고 있기 때문에 포트리소그래피 공정에 있어서는 유리 기판을 회전시켜 레지스트막을 형성하는 등의 스피너 타이프의 장치를 이용한 처리에서는 유리 기판의 중심과 주변에서 처리에 얼룩이 생기기 쉽기 때문에 이러한 장치에 대신해 기판을 한 방향으로 반송하면서 레지스트액을 도포해 도포막을 형성해 또 현상액을 도포해 현상하는 소위 반송 타입의 장치가 이용되게 되어 있다. 그 때문에 이러한 반송 타입의 장치와 종전의 바치식의 가열 장치 등을 조합해 레지스트막형성으로부터 현상까지를 일관하여 실시하는 시스템을 구축하면 기판의 반송 시스템이 복잡하게 되어 또 수율을 높이는 것도 곤란해진다.However, in such a heating apparatus and a cooling apparatus, it takes time to carry out a glass substrate to an apparatus, and a yield is not good. In recent years, since the size of glass substrates is rapidly increasing, in the photolithography process, a spinner type device such as rotating a glass substrate to form a resist film tends to cause stains in the center and the periphery of the glass substrate. Instead of the apparatus, a so-called conveying type apparatus for applying and developing a resist film by applying a resist solution while carrying a substrate in one direction and applying and developing a developer is used. Therefore, when a system that consistently performs the process from resist film formation to development by combining such a transfer type device with a conventional batch type heating device or the like becomes complicated, it is also difficult to increase the yield of the substrate transfer system.

[특허 문헌 1] 일본국 특개평8-313855호 공보   [Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-313855

본 발명은 관련된 사정에 비추어 이루어진 것이고 기판을 반송하면서 가열이나 냉각을 실시할 수가 있는 수율이 높은 열적 처리 장치로서 또한 기판의 가열 얼룩이나 냉각 얼룩의 발생을 억제할 수가 있는 열적 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the related circumstances, and provides a thermal processing apparatus having a high yield which can perform heating and cooling while conveying a substrate, and also providing a thermal processing apparatus that can suppress the occurrence of heating and cooling stains on the substrate. The purpose.

본 발명에 의하면 기판을 대략 수평 자세로 수평 방향으로 반송하면서 열적 처리하는 열적 처리 장치로서 According to the present invention, as a thermal processing apparatus for thermally processing while transporting a substrate in a horizontal direction in a substantially horizontal posture.

기판을 수평 방향으로 반송하기 위한 기판 반송 기구와 A substrate conveyance mechanism for conveying the substrate in a horizontal direction;

기판을 가열하기 위해서 상기 기판 반송 기구에 의한 기판의 반송 루트상의 소정의 높이 위치에 해당 반송 루트를 따라 소정간격으로 간격을 두면서 배치된 복수의 패널 형상의 히터를 구비하고 In order to heat a board | substrate, it is provided with the some panel-shaped heater arrange | positioned at predetermined intervals along the said conveyance route at the predetermined height position on the conveyance route of the said board | substrate conveyance mechanism,

상기 히터는 각각 복수의 소히터로부터 구성되어 상기 복수의 소히터의 이음매에 기인하여 기판에 전사자국이 발생하는 것을 방지하기 위해서 상기 복수의 소히터는 그 이음매가 일정한 거리 범위내에 있어서 기판 반송 방향과 평행이 되지 않게 연결되고 있는 것을 특징으로 하는 열적 처리 장치가 제공된다.The heaters are each constituted by a plurality of small heaters, and the plurality of small heaters are arranged in the substrate conveyance direction in order to prevent transfer marks on the substrate due to the joints of the plurality of small heaters. A thermal processing apparatus is provided which is connected so as not to be parallel.

본 발명과 관련되는 열적 처리 장치에 있어서 각 히터는 크기가 다른 복수종류의 소히터를 복수 조합해 구성되고 있는 것이 바람직하고 이것에 의해 소히터의 이음매를 배치하는 자유도가 커진다. 또 이 열적 처리 장치에 복수의 히터 사이에 설치된 간격에 소정 온도에 가열된 가스를 공급하는 가열 가스 공급 장치와 복수의 히터 사이에 설치된 간격로부터 흡기를 행하기 위한 흡기 장치를 더 설치해 가열 가스 공급 장치로부터의 가스 공급 포인트와 흡기 장치로부터의 흡기 포인트를 기판 반송 방향을 따라 존재하는 복수의 히터간의 간격에 교대로 설치하면 기판으로부터의 증발물을 효율적으로 배제할 수가 있어 바람직하다.In the thermal processing apparatus according to the present invention, each heater is preferably configured by combining a plurality of small heaters having different sizes, thereby increasing the degree of freedom in arranging the joints of the small heaters. Further, the thermal processing apparatus is further provided with a heating gas supply device for supplying a gas heated at a predetermined temperature to an interval provided between the plurality of heaters, and an intake device for intake air from the interval provided between the plurality of heaters, and a heating gas supply device. If the gas supply point from and the intake point from the intake apparatus are alternately provided at intervals between a plurality of heaters present along the substrate conveyance direction, the evaporate from the substrate can be efficiently removed, which is preferable.

기판 반송 기구로서 기판 반송 방향으로 수직인 방향을 긴축방향으로하여 기판 반송 방향으로 소정간격으로 나열한 복수의 원주형상의 롤러 부재와 이들의 롤러 부재를 회전시키기 위한 롤러 구동 수단을 가지는 것을 이용하고 또한 열적 처리 장치에 기판 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 이면으로부터 기판을 가열하기 위한 IR히터 또는 열방사능을 가지는 램프를 설치하고 IR히터 또는 램프는 기판을 직접 가열할 뿐만 아니라 롤러 부재를 가열하여 롤러 부재로부터 기판으로의 열전달에 의해도 기판을 가열하는 구성으로 하면 수율을 향상시킬 수가 있어 바람직하다. 이 때문에 롤러 부재에는 축열성 재료가 매우 적합하게 이용된다.It is also possible to use a substrate conveying mechanism having a plurality of circumferential roller members arranged in a predetermined interval in the substrate conveying direction with a direction perpendicular to the substrate conveying direction in a longitudinal direction, and having a roller driving means for rotating these roller members. The processing apparatus is provided with a lamp having an IR heater or thermal radiation for heating the substrate from the back surface of the substrate conveyed by the substrate conveying mechanism, and the IR heater or lamp not only directly heats the substrate, but also heats the roller member from the roller member. The heat transfer to the substrate is also preferable in that the substrate can be heated to improve the yield. For this reason, a heat storage material is used suitably for a roller member.

열적 처리 장치에는 히터에 의해 가열된 기판을 냉각하기 위해서 기판의 반송 루트상의 소정의 높이 위치에 냉각판을 설치할 수가 있다. 그 경우 기판의 이면으로부터 기판을 냉각하기 위해서 기판의 이면에 냉각 가스를 분사하기 위한 냉각 가스 분사 장치를 설치하는 것이 바람직하다. 냉각 가스의 환경에 노출되는 것에 의해 냉각되는 롤러 부재에는 열전도성이 높은 재료가 매우 적합하게 이용된다.In the thermal processing apparatus, in order to cool the board | substrate heated by the heater, a cooling plate can be provided in the predetermined height position on the conveyance route of a board | substrate. In that case, in order to cool a board | substrate from the back surface of a board | substrate, it is preferable to provide the cooling gas injection apparatus for injecting cooling gas into the back surface of a board | substrate. The material with high thermal conductivity is used suitably for the roller member cooled by exposure to the environment of a cooling gas.

이하 본 발명의 실시의 형태에 대해서 첨부 도면을 참조해 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail with reference to an accompanying drawing.

도 1은 본 발명의 제 1의 실시 형태와 관련되는 LCD 유리 기판(이하 「기판」이라고 한다 (G)의 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)의 외관을 나타내는 사시도이고 ; 도 2a는 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)의 상단의 구성을 나타내는 평면도이고 도 2b는 그 하단의 구성을 나타내는 평면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view which shows the external appearance of the resist coating and image development processing system 100 of LCD glass substrate (henceforth "substrate" (G) according to 1st Embodiment of this invention; FIG. 2A is a resist coating. It is a top view which shows the structure of the upper end of the image development processing system 100, and FIG. 2B is a top view which shows the structure of the lower end.

레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)은 복수의 기판 (G)를 수용하는 카셋트 (C)를 재치하는 용기 반입출부(카셋트 스테이션, 6)과 기판 (G)에 소정의 열적 처리 또는 액 처리를 가하는 복수의 존이 설치된 제 1 처리부 (1) 및 제 2 처리부 (2)와 도시하지 않는 노광 장치의 사이에 기판 (G)의 수수를 행하기 위한 인터페이스부 (5)와 제 1 처리부 (1)과 용기 반입출부 (6)의 사이에 설치된 제 1 반송부 (3)과 제 1 처리부 (1)과 제 2 처리부 (2)의 사이에 설치된 제 2 반송부 (4)를 가지고 있다. 또한 도 1에 나타나는 바와 같이 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)의 긴 방향을 X방향 수평면에 있어서 X방향과 직교하는 방향을 Y방향; 수직 방향을 Z방향으로 한다.The resist coating and developing processing system 100 applies a predetermined thermal treatment or liquid treatment to the container carrying-in / out portion (cassette station 6) and the substrate G on which the cassette C containing the plurality of substrates G is placed. An interface part 5 and a first processing part 1 for carrying the substrate G between the first processing part 1 and the second processing part 2 provided with a plurality of zones and an exposure apparatus (not shown); It has the 1st conveyance part 3 provided between the container carrying-in / out part 6, and the 2nd conveyance part 4 provided between the 1st processing part 1 and the 2nd processing part 2. As shown in FIG. In addition, as shown in FIG. 1, the direction orthogonal to the X direction in the horizontal direction of the X direction in the X direction horizontal plane of the resist coating and developing processing system 100 is Y direction; The vertical direction is Z direction.

제 1 처리부 (1)은 상하 방향(Z방향)으로 2단으로 구분된 적층 구조를 가지고 있고 한편 상단과 하단이 각각 Y방향에도 2개로 구분되고 있다. 이렇게 해 제 1 처리부 (1)의 하단에는 독립한 처리 블럭 (11a·11b)가 또한 그 상단에는 처리 블 럭 (11c·11d)가 각각 형성되고 있다. 제 2 처리부 (2)도 이와 같이 상하 방향(Z방향)으로 2단으로 구분되고 또 상단과 하단이 각각 Y방향으로 2개로 구분되고 있어 그 하단에 독립한 처리 블럭 (12a·12b)가; 그 상단에 처리 블럭 (12c. 12d)가 각각 형성되고 있다.The 1st processing part 1 has the laminated structure divided | segmented into two stages in the up-down direction (Z direction), and the upper end and the lower end are divided into two also in the Y direction, respectively. In this way, independent processing blocks 11a and 11b are formed at the lower end of the first processing unit 1, and processing blocks 11c and 11d are respectively formed at the upper end thereof. The second processing unit 2 is thus also divided into two stages in the vertical direction (Z direction), and the upper and lower ends are divided into two in the Y direction, respectively, and independent processing blocks 12a and 12b are disposed at the lower ends thereof; Processing blocks 12c. 12d are formed at the upper end thereof, respectively.

용기 반입출부 (6)은 카셋트 (C)를 재치하는 스테이지 (7)을 가지고 있고 예를 들면 4개의 카셋트 (C)를 소정 위치로 재치 할 수가 있게 되어 있다. 용기 반입출부 (6)에는 외부로부터 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)에 있어서 처리해야할 기판 (G)가 ; 수납된 카셋트 (C)가 반입되고 또 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)에 있어서 소정의 처리가 종료한 기판 (G)가 ; 수납된 카셋트 (C)가 다음 공정으로 반송된다. 이러한 카셋트 (C)의 반입출은 수동 반송 또는 컨베이어등을 이용한 자동 반송의 어느 형태를 이용해도 상관없다.The container carrying-in / out part 6 has the stage 7 which mounts the cassette C, For example, it is possible to mount four cassettes C to a predetermined position. The container carrying-in / out part 6 has the board | substrate G which should be processed in the resist coating and developing processing system 100 from the exterior; The board | substrate G in which the accommodated cassette C was carried in and the predetermined process was complete | finished in the resist coating and image development processing system 100; The stored cassette C is conveyed to the next step. The carrying in / out of this cassette (C) may use any form of automatic conveyance using manual conveyance or a conveyor.

제 1 처리부 (1)과 용기 반입출부 (6)의 사이에 설치된 제 1 반송부 (3)에는 제 1 반송 장치 (17)이 설치되고 있다. 이 제 1 반송 장치 (17)은 X방향으로 신축하는 반송 아암 (17a)를 가지고 있고 반송 아암 (17a)는 Y방향으로 슬라이드 자유롭고 또 수평면내에서 회전 자유롭고 또한 Z방향으로 승강 자유롭게 구성되고 있다. 이러한 구성에 의해 제 1 반송 장치 (17)은 용기 반입출부 (6)과 제 1 처리부 (1)에 액세스하고 용기 반입출부 (6)과 제 1 처리부 (1)의 사이에 기판 (G)의 수수를 실시하고 또 제 1 처리부 (1)을 구성하는 처리 블럭 (11a~11d)간에서의 기판 (G)의 수수를 실시한다.The 1st conveyance apparatus 17 is provided in the 1st conveyance part 3 provided between the 1st process part 1 and the container carrying-in / out part 6. This 1st conveying apparatus 17 has the conveying arm 17a which expands and contracts in the X direction, and the conveyance arm 17a is comprised by the Y direction slide-freely, rotationally free in a horizontal plane, and raising / lowering freely in a Z direction. By this structure, the 1st conveying apparatus 17 accesses the container carrying-in / out part 6 and the 1st processing part 1, and transfers the board | substrate G between the container carrying-in / out part 6 and the 1st processing part 1. Then, the substrate G is transferred between the processing blocks 11a to 11d constituting the first processing unit 1.

제 1 처리부 (1)과 제 2 처리부 (2)의 사이에 설치된 제 2 반송부 (4)에는 반송 아암 (18a)를 가지는 제 2 반송 장치 (18)이 설치되고 있다. 이 제 2 반송 장치 (18)은 제 1 반송 장치 (17)과 같은 구조를 가지고 있고 제 1 처리부 (1)과 제 2 처리부 (2)의 사이에서의 기판 (G)의 수수와 제 1 처리부 (1)을 구성하는 처리 블럭 (11a~11d)간에서의 기판 (G)의 수수와 제 2 처리부 (2)를 구성하는 처리 블럭 (12a~12d)간에서의 기판 (G)의 수수를 실시한다.In the second conveying unit 4 provided between the first processing unit 1 and the second processing unit 2, a second conveying apparatus 18 having a conveying arm 18a is provided. The second conveying apparatus 18 has the same structure as that of the first conveying apparatus 17, and receives the first and second treating portions of the substrate G between the first processing portion 1 and the second processing portion 2. Transfer of the substrate G between the processing blocks 11a to 11d constituting 1) and transfer of the substrate G between the processing blocks 12a to 12d constituting the second processing unit 2 are carried out. .

인터페이스부 (5)에는 제 1 반송 장치 (17)과 같은 구조를 가지는 제 3 반송 장치 (19)가 설치되고 있고 제 3 반송 장치 (19)의 반송 아암 (19a)는 제 2 처리부 (2)를 구성하는 처리 블럭 (12a~12d)에 액세스하고 또 제 2 처리부 (2)의 사이에 인터페이스부 (5)를 사이에 두도록 설치된 도시하지 않는 노광 장치에 액세스 할 수 있게 되어 있다. 이렇게 하여 제 3 반송 장치 (19)는 제 2 처리부 (2)를 구성하는 처리 블럭 (12a~12d)간에서의 기판 (G)의 수수를 실시하고 또 제 2 처리부 (2)와 노광 장치의 사이에 기판 (G)의 수수를 실시한다.The interface part 5 is provided with the 3rd conveying apparatus 19 which has the same structure as the 1st conveying apparatus 17, and the conveyance arm 19a of the 3rd conveying apparatus 19 carries out the 2nd process part 2 It is possible to access the processing blocks 12a to 12d to be configured and to access an exposure device (not shown) provided so as to sandwich the interface unit 5 between the second processing units 2. In this way, the 3rd conveying apparatus 19 carries out the board | substrate G between the process blocks 12a-12d which comprise the 2nd process part 2, and between the 2nd process part 2 and an exposure apparatus. The board | substrate G is handed over.

제 1 처리부 (1)을 구성하는 처리 블럭 (11a)에는 제 1 반송부 (3)측에 스크러버 세정에 앞서 기판 (G)의 유기물을 제거하기 위한 엑시머 UV조사 존(e-UV, 21)이 설치되고 이 엑시머 UV조사 존 (e-UV, 21)에 인접하여 기판 (G)의 스크러버 세정 처리를 실시하는 스크러버 세정 존 (SCR, 22)가 제 2 반송부 (4)측에 설치되고 있다. 이 처리 블럭 (11a)내에 있어서는 기판 (G)는 회전 처리되는 경우 없이 회전자 반송 등의 방법을 이용해 X방향으로 대략 수평으로 반송되면서 엑시머 UV조사 처리와 스크러버 세정 처리가 연속하여 행해진다.The processing block 11a constituting the first processing unit 1 has an excimer UV irradiation zone (e-UV) 21 for removing organic matter on the substrate G on the first conveying unit 3 side prior to scrubber cleaning. The scrubber cleaning zone SCR 22 which is provided and adjoins the excimer UV irradiation zone e-UV 21 to perform the scrubber cleaning treatment of the substrate G is provided on the second conveying section 4 side. In this processing block 11a, the excimer UV irradiation process and the scrubber cleaning process are continuously performed while conveying the board | substrate G substantially horizontally to a X direction using the method of rotor conveyance, etc., without being rotated.

엑시머 UV조사 존 (e-UV, 21)과 스크러버 세정 존 (SCR, 22)의 천정부에는 도시하지 않는 필터 팬 유니트 (FFU)가 설치되고 있다. 또 기판 (G)의 스크러버 세정 처리중에 발생하는 처리액의 미스트 등이 스크러버 세정 존 (SCR, 22)로부터 엑시머 UV조사 존 (e-UV, 21)에 비산하지 않도록 스크러버 세정 존 (SCR, 22)와 엑시머 UV조사 존(e-UV, 21)의 사이에는 셔터를 설치하는 것이 바람직하다. 또 필터 팬 유니트(FFU)로부터의 다운 플로우의 방향을 조절하는 것에 의해도 미스트 등의 비산을 억제할 수가 있다.A filter fan unit (FFU) (not shown) is provided in the ceiling of the excimer UV irradiation zone (e-UV) 21 and the scrubber cleaning zone (SCR) 22. In addition, the scrubber cleaning zone SCR 22 does not cause mist or the like of the processing liquid generated during the scrubber cleaning process of the substrate G to scatter from the scrubber cleaning zone SCR 22 to the excimer UV irradiation zone e-UV 21. It is preferable to provide a shutter between the and excimer UV irradiation zones (e-UV) 21. Also, by adjusting the direction of the downflow from the filter fan unit FFU, scattering of mist or the like can be suppressed.

처리 블럭 (11a)의 Y방향 측에 칸막이 벽을 두고 위치하는 처리 블럭 (11b)에는 제 1 반송부 (3)측으로부터 제 2 반송부 (4) 측으로 향하여 쿨링 유니트(COL,23); 레지스트 도포 유니트(CT,24) ; 감압 건조/주변 레지스트 제거 유니트(VD/ER, 25)가 나열하여 배치되고 있고 처리 블럭 (11b)의 천정부에는 도시하지 않는 필터 팬 유니트 (FFU)가 설치되고 있다.The processing block 11b positioned with the partition wall on the Y-direction side of the processing block 11a includes a cooling unit COL 23 facing from the first transfer section 3 side to the second transfer section 4 side; Resist coating unit (CT, 24); The reduced pressure drying / peripheral resist removal units (VD / ER) 25 are arranged side by side, and a filter fan unit (FFU) not shown is provided in the ceiling of the processing block 11b.

쿨링 유니트(COL, 23)에 있어서는 기판 (G)에 형성하는 레지스트막의 균일성을 높이기 위해서 레지스트 도포전에 기판 (G)의 온도 균일성을 높이는 열적 처리를 한다. 레지스트 도포 유니트 (CT,24)에서는 예를 들면 띠형상으로 레지스트액을 토출하는 노즐 아래를 기판 (G)를 대략 수평 자세로 통과시키는 것으로 기판 (G)의 표면에 레지스트막이 형성된다. 감압 건조/주변 레지스트 유니트 (VD/ER, 25)는 기판 (G)에 형성된 레지스트막을 열처리에 의하지 않고 감압 처리하는 것으로써 레지스트막에 포함되는 휘발 성분을 증발시키고 또 레지스트 도포 유니트 (CT,24)에 있어서의 레지스트막의 도포 시에 기판 (G)의 이면에 부착한 레지스트 및 기판 (G)의 주변부분의 레지스트막을 제거한다. 쿨링 유니트 (COL, 23)으로부터 레지스트 도포 유니트 (CT,24)로의 기판 (G)의 반송과 레지스트 도포 유니트 (CT,24)로부터 감압 건조/주변 레지스트 제거 유니트(VD/ER, 25)를 향한 기판 (G)의 반송은 예를 들면 도시하지 않는 기판 반송 아암을 설치하여 실시할 수가 있다.In the cooling units COL 23, a thermal treatment is performed to increase the temperature uniformity of the substrate G before applying the resist in order to increase the uniformity of the resist film formed on the substrate G. In the resist coating unit CT, 24, a resist film is formed in the surface of the board | substrate G by passing the board | substrate G in substantially horizontal position under the nozzle which discharges a resist liquid in strip shape, for example. The reduced pressure drying / peripheral resist unit (VD / ER) 25 processes the resist film formed on the substrate G under reduced pressure without heat treatment to evaporate the volatile components contained in the resist film and to apply the resist coating unit (CT, 24). The resist attached to the back surface of the substrate G and the resist film of the peripheral portion of the substrate G are removed during the application of the resist film in the substrate. Transfer of the substrate (G) from the cooling unit (COL) 23 to the resist coating unit (CT, 24) and the substrate from the resist coating unit (CT, 24) to the reduced pressure drying / ambient resist removal unit (VD / ER, 25) The conveyance of (G) can be performed by providing the board | substrate conveyance arm not shown, for example.

처리 블럭 (11a)의 상단에 위치하는 처리 블럭 (11c)에는 제 2 반송부 (4)측으로부터 제 1 반송부 (3) 측으로 향하여 스크러버 세정 처리가 종료한 기판 (G)의 탈수 베이크 처리를 실시하는 탈수 베이크 존 (DHP, 51)과 기판 (G)에 대해서 소수화 처리를 가하는 2개의 애드히젼 처리 존(AD, 52) ; 기판 (G)를 소정 온도로 냉각하는 쿨링 존(COL, 53)이 설치되고 있다.The dehydration bake process of the board | substrate G by which the scrubber washing process was complete | finished from the 2nd conveyance part 4 side to the 1st conveyance part 3 side is performed to the process block 11c located in the upper end of the process block 11a. Two adhesion treatment zones AD 52 which apply hydrophobization treatment to the dehydrated bake zones DHP 51 and the substrate G; Cooling zones COL 53 for cooling the substrate G to a predetermined temperature are provided.

이들의 탈수 베이크존(DHP, 51); 애드히젼 처리 존(AD, 52); 쿨링 존(COL, 53)은 X방향으로 구분되고 있지 않고 각 처리를 행하기 위한 온도 존으로 구분될 수 있을뿐이고 제 2 반송부 (4)측으로부터 제 1 반송부 (3)측으로 향해 기판 (G)는 처리 블럭 (11c)내를 X방향으로 대략 수평으로 반송되면서 각 존을 통과하는 것으로 열처리된다. 애드히젼 처리 존 (AD,52)와 쿨링 존 (COL, 53)은 설정 온도에 큰 차이가 있기 때문에 셔터에 의해 이들의 존을 차단하는 것이 가능해지고 있어 이 셔터는 기판 (G)의 애드히젼 처리 존 (AD, 52)로부터 쿨링 존 (COL, 53)으로의 통과시에만 개구되어 그 이외 시에는 폐쇄한 상태로 보지된다.Their dehydrated bake zones (DHP, 51); Ad-hoc treatment zones (AD) 52; The cooling zones COL 53 are not separated in the X direction but can only be divided into temperature zones for performing each treatment, and the substrate G is directed from the second transfer section 4 side toward the first transfer section 3 side. ) Is heat-treated by passing through each zone while being conveyed substantially horizontally in the processing block 11c in the X direction. Since the ADH treatment zone (AD) 52 and the cooling zone (COL) 53 have a large difference in the set temperature, it is possible to block these zones by the shutter. It is held only at the time of passage from the zones AD and 52 to the cooling zone COL 53, and is held in a closed state at other times.

처리 블럭 (11b)의 상단에 위치하는 처리 블럭 (11d)에는 제 2 반송부 (4)측으로부터 제 1 반송부 (3) 측으로 향해 현상 처리가 종료한 기판 (G)의 포스트베이크 처리를 실시하는 포스트크존(POB, 56)과 포스트베이크 처리 후의 기판 (G)를 냉각하는 쿨링 존(COL, 57)을 구비하고 있다.The post-bake process of the board | substrate G by which the image development process was complete | finished toward the 1st conveyance part 3 side from the 2nd conveyance part 4 side to the process block 11d located in the upper end of the process block 11b is carried out. The post zone POB 56 and the cooling zone COL 57 for cooling the substrate G after the postbaking treatment are provided.

처리 블럭 (11c)의 구조와 동일하게 포스트 베이크 존 (POB, 56)과 쿨링 존(COL, 57)에 대해서도 이들은 X방향으로 구분되고 있지 않고 각 처리를 행하기 위한 온도 존으로 구분되어 있을 뿐이고 제 2 반송부 (4)로부터 제 1 반송부 (3)으로 향해 기판 (G)는 처리 블럭 (11d)내를 X방향으로 대략 수평으로 반송되면서 소정의 존을 통과하는 것으로 열처리 된다. 이 처리 블럭 (11c)의 구조에 대해서는 후에 한층 더 상세하게 설명한다.Similarly to the structure of the processing block 11c, the post bake zones POB and 56 and the cooling zones COL and 57 are not separated in the X direction, but are divided into temperature zones for performing each treatment. From the 2nd conveyance part 4, the board | substrate G is heat-processed by passing a predetermined zone, conveying the inside of a process block 11d substantially horizontally in the X direction toward the 1st conveyance part 3. The structure of this process block 11c is demonstrated in more detail later.

제 2 처리부 (2)를 구성하는 하단의 처리 블럭 (12a)는 노광 처리 후의 기판 (G)의 현상 처리를 실시하는 현상 처리 유니트 (DEV, 27)로 되어 있고 현상 처리 유니트(DEV, 27)내에 있어서 기판 (G)는 인터페이스부 (5)측으로부터 제 2 반송부 (4) 측에 향하여 대략 수평 자세로 반송되면서 현상액 도포 현상 후의 현상액 세정 건조 처리가 순서대로 실시되도록 되어 있다. 현상 처리 유니트 (DEV, 27)의 천정부에는 도시하지 않는 필터 팬 유니트(FFU)가 설치되고 청정한 공기의 다운 플로우가 반송되는 기판 (G)에 공급되게 되어 있다.The lower processing block 12a constituting the second processing unit 2 is a development processing unit DEV 27 that performs development of the substrate G after the exposure processing, and is in the development processing unit DEV 27. Thus, while the substrate G is conveyed from the interface portion 5 side toward the second conveying portion 4 side in a substantially horizontal posture, the developer cleaning and drying treatment after developing the developer coating is sequentially performed. A filter fan unit (FFU) (not shown) is provided in the ceiling of the developing unit (DEV) 27, and is supplied to the substrate G to which downflow of clean air is conveyed.

처리 블럭 (12a)의 Y방향 측에 칸막이 벽을 두고 위치하는 처리 블럭 (12b)에는 제 2 반송부 (4)측에 노광 처리 후의 기판 (G)에 소정의 정보를 기록하는 타이틀러(TIT, 62)가 설치되고 인터페이스부 (5)측에 노광 후의 기판 (G)를 퇴피시켜 일시적으로 스톡 하는 스톡 유니트(ST, 64)가 배치되고 이들의 중간에 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)의 시퀀서나 현상 처 리등에 사용하는 각종의 처리액을 공급하기 위한 펌프등 각종 제어 기기나 동력 기기를 수납 가능한 유틸리티 유니트(UTL, 63)이 설치되고 있다.In the processing block 12b, which has a partition wall on the Y-direction side of the processing block 12a, a titler TIT for recording predetermined information on the substrate G after the exposure process on the second conveying part 4 side; 62) is provided, and the stock unit ST, 64 for temporarily retiring the exposed substrate G on the interface portion 5 side, is disposed, and a sequencer of the resist coating and developing processing system 100 is placed in the middle thereof. B) Utility units (UTL, 63) capable of accommodating various control devices and power devices, such as pumps for supplying various processing liquids for development, etc., are installed.

처리 블럭 (12a)의 상단에 위치하는 처리 블럭 (12c)에는 제 2 반송부 (4)측으로부터 인터페이스부 (5)측으로 향해 레지스트 도포 처리가 종료한 기판의 프리베이크 처리를 실시하는 프리베이크존(PRB,54)와 기판 (G)의 소정 온도로 냉각하는 쿨링 존(COL, 55)가 설치되고 있다.In the processing block 12c located at the upper end of the processing block 12a, a prebaking zone for prebaking the substrate on which the resist coating processing is completed from the second conveying unit 4 side toward the interface unit 5 side ( Cooling zones COL 55 for cooling to the predetermined temperature of the PRB 54 and the substrate G are provided.

이 처리 블럭 (12c)의 구조는 전술한 처리 블럭 (11c)의 구조와 기본적으로 같고 프리베이크존 (PRB, 54)와 쿨링 존(COL, 55)는 X방향으로 구분되는 경우 없이 각 처리를 행하기 위한 온도 존으로 나눌 수 있고 있고 기판 (G)는 대략 수평 자세로 제 2 반송부 (4)측으로부터 인터페이스부 (5) 측으로 향하여 X방향으로 반송되면서 소정의 존을 통과할 때에 열처리 된다.The structure of this processing block 12c is basically the same as that of the above-described processing block 11c, and the prebaking zones PRB and 54 and the cooling zones COL and 55 are subjected to each process without being separated in the X direction. The board | substrate G is heat-processed when it passes through a predetermined zone, conveying to the X direction toward the interface part 5 side from the 2nd conveyance part 4 side in a substantially horizontal attitude | position.

처리 블럭 (12b)의 상단에 위치하는 처리 블럭 (12d)는 반송 유니트 (TRS,61)로 이루어져 있고 제 2 반송부 (4)와 인터페이스부 (5)의 사이에 어떤 처리를 실시하는 경우 없이 기판 (G)를 반송할 수가 있게 되어 있다. 또한 처리 블럭 (12b·12d)는 반드시 필요하지 않고 필요에 따라서 그 외의 처리 장치를 배치해도 괜찮다.The processing block 12d located at the upper end of the processing block 12b is made up of the transfer unit TRS 61 and the substrate is not subjected to any processing between the second transfer section 4 and the interface section 5. (G) can be conveyed. The processing blocks 12b and 12d are not necessarily required, and other processing apparatuses may be disposed as necessary.

다음에 상술한 구성을 가지는 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)에 있어서의 기판 (G)의 반송 경로에 대해서 도 3을 참조하면서 설명한다. 도 3은 먼저 나타낸 도 2에 있어서의 기판 (G)의 반송 순로를 화살표 (D1~D16)로 나타낸 설명도이고 도 3에 있어서는 제 1 반송 장치 (17)~ 제 3 반송 장치 (19)의 도시를 생략 하고 있다.Next, the conveyance path | route of the board | substrate G in the resist coating and image development processing system 100 which has the structure mentioned above is demonstrated, referring FIG. FIG. 3 is an explanatory view showing the conveyance flow path of the substrate G in FIG. 2 shown by arrows D1 to D16. In FIG. 3, the first conveying apparatus 17 to the third conveying apparatus 19 are illustrated. Is omitted.

최초로 제 1 반송 장치 (17)이 용기 반입출부 (6)에 재치된 카셋트 (C)로부 터 기판 (G)를 반출하고(화살표 D1) 처리 블럭 (11a)의 엑시머 UV조사 존(e-UV,21)에 반입한다. 기판 (G)는 엑시머 UV조사 존(e-UV, 21) 및 스크러버 세정 존(SCR,22)를 대략 수평 자세로 반송되면서 액처리 된다(화살표 D2). 이어서 제 2 반송 장치 (18)이 기판 (G)를 처리 블럭 (11a)로부터 반출하고 처리 블럭 (11c)의 탈수 베이크존(DHP, 51)에 반입한다. 이렇게 하여 기판 (G)는 탈수 베이크존(DHP, 51) ; 애드히젼 처리 존(AD, 52) ; 쿨링 존(COL, 53)을 대략 수평 자세로 순서대로 통과하고 열적 처리된다(화살표 D3).First, the 1st conveying apparatus 17 carries out the board | substrate G from the cassette C mounted in the container carrying-in / out part 6 (arrow D1), and excimer UV irradiation zone (e-UV) of the process block 11a is carried out. Bring in 21). The substrate G is subjected to the liquid treatment while conveying the excimer UV irradiation zone (e-UV) 21 and the scrubber cleaning zone SCR 22 in an approximately horizontal position (arrow D2). Next, the 2nd conveyance apparatus 18 carries out the board | substrate G from the process block 11a, and carries it in to the dehydration bake zone (DHP) 51 of the process block 11c. In this way, the board | substrate G is a dehydration bake zone (DHP) 51; Ad process zone (AD, 52); The cooling zones COL 53 are passed through in a substantially horizontal position in order and thermally treated (arrow D3).

이어서 제 1 반송 장치 (17)이 소정 온도로 냉각된 기판 (G)를 처리 블럭 (11c)로부터 반출하고 처리 블럭 (11b)의 쿨링 유니트(COL, 23)에 반입한다. 기판 (G)는 쿨링 유니트(COL, 23)에 있어서 균일 온도로 조절된 후에 레지스트 도포 유니트(CT,24) ; 감압 건조/주변 레지스트 제거 유니트(VD/ER, 25)의 순서로 처리되어 기판 (G)에 레지스트막이 형성된다(화살표 D4). 제 2 반송 장치 (18)은 레지스트막이 형성된 기판 (G)를 처리 블럭 (11b)로부터 반출하고 처리 블럭 (12c)에 반입한다. 기판 (G)는 프리베이크존 (PRB, 54)와 쿨링 존 (COL, 55)를 대략 수평 자세로 순서대로 통과하고 프리베이크 처리가 종료한다(화살표 D5).Next, the 1st conveying apparatus 17 carries out the board | substrate G cooled to predetermined temperature from the processing block 11c, and carries it in to the cooling unit COL of the processing block 11b. The substrate G is a resist coating unit CT 24 after being adjusted to a uniform temperature in the cooling unit COL 23; The resist film is processed in the order of the reduced pressure drying / peripheral resist removal unit (VD / ER) 25 to form a resist film (arrow D4). The 2nd conveyance apparatus 18 carries out the board | substrate G in which the resist film was formed from the process block 11b, and carries it in to the process block 12c. The board | substrate G passes through the prebaking zone PRB 54 and the cooling zone COL 55 in order in a substantially horizontal position, and prebaking process is complete | finished (arrow D5).

그 후 제 3 반송 장치 (19)가 프리베이크 처리가 종료한 기판 (G)를 처리 블럭 (12c)로부터 반출하고 인터페이스부 (5)에 인접하여 설치된 도시하지 않는 노광 장치에 반입한다(화살표 D6). 그리고 제 3 반송 장치 (19)는 노광 처리가 종료한 기판 (G)를 노광 장치로부터 반출하고(화살표 D7) 처리 블럭 (12d)의 반송 유니트(TRS,61)에 반입한다. 기판 (G)는 처리 블럭 (12d)내를 반송하게 되고(화살표 D8) 제 2 반송 장치 (18)이 기판 (G)를 처리 블럭 (12d)로부터 반출하고 처리 블럭 (12b)의 타이틀러(TIT, 62)에 반입한다(화살표 D9). 타이틀러 (TIT, 62)에 있어서 소정의 정보가 기록된 기판 (G)는 제 2 반송 장치 (18)에 의해 반출되고(화살표 D10) 그 다음에 처리 블럭 (12d)에 반입되어 인터페이스부 (5)측에 반송된다(화살표 D11).Then, the 3rd conveying apparatus 19 carries out the board | substrate G by which the prebaking process was complete | finished from the process block 12c, and carries it in to the exposure apparatus not shown installed adjacent to the interface part 5 (arrow D6). . And the 3rd conveying apparatus 19 carries out the board | substrate G which the exposure process was complete | finished from the exposure apparatus (arrow D7), and carries in to the conveyance unit (TRS) 61 of the processing block 12d. The board | substrate G conveys in the process block 12d (arrow D8), and the 2nd conveying apparatus 18 carries out the board | substrate G from the process block 12d, and the titler TIT of the process block 12b is carried out. , 62) (arrow D9). The substrate G on which the predetermined information is recorded in the titler TIT 62 is carried out by the second conveying apparatus 18 (arrow D10), and then loaded into the processing block 12d and the interface unit 5 It is conveyed to the () side (arrow D11).

제 3 반송 장치 (19)는 처리 블럭 (12d)로부터 기판 (G)를 반출하고 처리 블럭 (12a)에 설치된 현상 처리 유니트 (DEV, 27)이 비어 있는 경우에는 현상 처리 유니트 (DEV, 27)에 반입하지만 여기서 현상 처리 유니트 (DEV, 27)이 사용중이기 때문에 기판 (G)를 반입할 수가 없는 경우에는 일시적으로 기판 (G)를 스톡 유니트(ST, 64)에 반입한다(화살표 D12). 그리고 현상 처리 유니트 (DEV, 27)이 사용 가능해진 시점에서 제 3 반송 장치 (19)는 기판 (G)를 스톡 유니트 (ST, 64)로부터 반출하고 (화살표 D13) 처리 블럭 (12a)에 반입한다.The third conveying apparatus 19 carries out the substrate G from the processing block 12d and, when the developing processing unit DEV 27 installed in the processing block 12a is empty, goes to the developing processing unit DEV 27. If the substrate G cannot be loaded because the development processing unit DEV 27 is in use here, the substrate G is temporarily loaded into the stock unit ST 64 (arrow D12). Then, when the developing unit DEV 27 is available, the third conveying apparatus 19 takes out the substrate G from the stock unit ST, 64 (arrow D13) and carries it into the processing block 12a. .

현상 처리 유니트 (DEV, 27)에 반입된 기판 (G)는 처리 블럭 (12a)내를 대략 수평 자세로 반송되면서 현상 처리되고(화살표 D14) ; 제 2 반송 장치 (18)에 의해 현상 처리 유니트 (DEV, 27)으로부터 반출된다. 제 2 반송 장치 (18)은 현상 처리가 종료한 기판 (G)를 처리 블럭 (11d)에 반입하고 기판 (G)는 포스트 베이크 존(POB, 56)과 쿨링 존 (COL, 57)을 대략 수평 자세로 순서대로 통과하고 포스트베이크 처리된다(화살표 D15). 이어서 제 1 반송 장치 (17)이 처리 블럭 (11d)로부터 포스트베이크 처리가 종료한 기판 (G)를 반출하고 소정의 카셋트 (C)에 반입한다(화살표 D16). 이렇게 하여 기판 (G)에 대한 세정으로부터 레지스트 도포 현상에 이 르는 처리가 종료한다.The substrate G carried in the developing unit DEV 27 is developed while being conveyed in the processing block 12a in an approximately horizontal position (arrow D14); It carries out from the image development processing unit DEV 27 by the 2nd conveying apparatus 18. As shown in FIG. The 2nd conveying apparatus 18 carries in the board | substrate G which the image development process was complete | finished to 11 d of process blocks, and the board | substrate G is substantially horizontal with post-baking zone POB 56 and cooling zone COL 57. It is passed through the postures in order and postbaked (arrow D15). Next, the 1st conveying apparatus 17 carries out the board | substrate G by which the post-baking process was completed from the process block 11d, and carries it in the predetermined | prescribed cassette C (arrow D16). In this way, the process from washing | cleaning to the board | substrate G to the resist coating phenomenon is complete | finished.

다음에 포스트 베이크 존 (POB, 56)과 쿨링 존 (COL, 57)을 가지는 처리 블럭 (11c)의 구조에 대해서 더욱 상세하게 설명한다. 도 4에 처리 블럭 (11c)의 내부 구조(즉 포스트 베이크 존(POB, 56)과 쿨링 존(COL, 57)의 구성)을 나타내는 개략 측면도를 나타낸다.Next, the structure of the processing block 11c having the post bake zone POB 56 and the cooling zone COL 57 will be described in more detail. 4, the schematic side view which shows the internal structure of the process block 11c (namely, the structure of the postbaking zone POB and 56 and the cooling zone COL and 57) is shown.

포스트 베이크 존 (POB,56)은 기판 (G)를 대략 수평 자세로 수평 방향으로 반송하기 위한 기판 반송 기구 (71)과 기판 (G)를 가열하기 위해서 기판 반송 기구 (71)에 의한 기판 (G)의 반송 루트상의 소정의 높이 위치에 반송 루트를 따라 소정간격으로 간격 (73)을 두면서 배치된 복수의 패널 형상의 히터 (72·72')와 이들 복수의 히터 (72·72') 사이에 설치된 소정의 간격 (73)에 소정 온도로 가열된 가스를 공급하는 가열 가스 공급 장치 (74)와;복수의 히터 (72·72') 사이에 설치된 소정의 간격 (73)으로부터 흡기를 행하기 위한 흡기 장치 (75)와; 기판 반송 기구 (71)에 의해 반송되는 기판 (G)의 이면으로부터 기판 (G)를 가열하기 위한 IR(적외선) 히터 (76)을 구비하고 있다.The post-baking zone POB 56 is a substrate G by the substrate conveying mechanism 71 for heating the substrate conveying mechanism 71 and the substrate G for conveying the substrate G in the horizontal direction in a substantially horizontal posture. Between the plurality of panel-shaped heaters 72 · 72 'and the plurality of heaters 72 · 72' disposed while having a gap 73 at a predetermined interval along the conveyance route at a predetermined height position on the conveyance route. A heating gas supply device 74 for supplying a gas heated at a predetermined temperature to a predetermined interval 73 provided; for intake air from a predetermined interval 73 provided between a plurality of heaters 72 · 72 '. An intake apparatus 75; The IR (infrared) heater 76 for heating the board | substrate G from the back surface of the board | substrate G conveyed by the board | substrate conveyance mechanism 71 is provided.

기판 반송 기구 (71)은 Y방향(기판 반송 방향인 X방향으로 수직인 방향)을 긴 직경 방향으로서 X방향으로 소정간격으로 나열된 복수의 원주형상의 롤러부재 (71a)와 이들의 롤러부재를 회전시키기 위한 롤러 구동 수단 예를 들면 모터 (71b)를 가지고 있다. 도 4에서는 4개의 롤러부재 (71a)를 1조로서 이들을 모터 (71b) (모두를 도시하지 않음)로 회전시키는 구조를 나타내고 있지만 이러한 구성으로 한정되는 것은 아니고 모든 롤러부재 (71a)에 모터 (71b)를 직결시켜 회전 구동시켜 도 좋고 또 1개 걸러서 2개 걸러 모터 (71b)에 의해 회전 구동되는 것과 기판 (G)의 마찰에 의해 회전하는 프리한 것을 조합한 구성으로 해도 좋다.The board | substrate conveyance mechanism 71 rotates the several cylindrical roller member 71a and these roller members which were arranged in the Y direction (direction perpendicular | vertical to the X direction which is a board | substrate conveyance direction) in a long radial direction at predetermined intervals in a X direction. The roller drive means for making it, for example, has a motor 71b. In Fig. 4, a structure is shown in which four roller members 71a are rotated as one set by a motor 71b (all of which are not shown). However, the configuration is not limited to this configuration, and the motor 71b is provided to all the roller members 71a. ) May be rotated by direct connection, or may be a combination of every other rotationally driven by the motor 71b and a free one rotating by friction of the substrate G.

롤러부재 (71a)로서는 도 5의 사시도에 나타나는 바와 같이 그 긴 직경 방향의 길이가 기판 (G)의 폭(Y방향 길이)보다 긴 것을 이용한다. 이것은 기판 (G) 에 있어서 X방향으로 롤러부재 (71a)와 접촉하는 부분과 접촉하지 않는 띠형상의 부분이 생기면 기판 (G)의 열이력에 분포가 생겨 버려 줄무늬 등의 전사자국이 발생해 버리므로 그것을 방지하기 위함이다.As the roller member 71a, as shown in the perspective view of FIG. 5, the length of the long radial direction is longer than the width | variety (length of Y direction) of the board | substrate G. This results in a band-like portion in the substrate G that does not contact the portion in contact with the roller member 71a in the X direction, resulting in a distribution in the thermal history of the substrate G, resulting in transfer marks such as stripes. Therefore, to prevent it.

도 6에 히터 (72·72')의 개략 구조를 나타내는 사시도를 나타낸다. 이 도 6에 나타나는 바와 같이 히터 (72·72')는 모두 복수의 소히터 (72a·72b)로 구성되고 있다. 한 변의 길이가 1 m를 넘는 것 같은 대형의 기판 (G)를 열적으로 처리하는 경우에는 이것과 동등 이상의 크기의 히터가 필요하지만 그러한 히터에서는 제조 코스트가 비싸지고 열폭사의 균일성도 저하한다. 거기서 복수의 기존의 소히터 (72a·72b)를 연결하는 것으로써 염가로 또한 각 소히터 (72a·72b) 마다 온도 조절을 실시하는 것으로 히터 (72·72')로부터의 열폭사를 균일한 것으로 할 수가 있다.The perspective view which shows schematic structure of the heater 72 * 72 'in FIG. 6 is shown. As shown in FIG. 6, the heaters 72 · 72 'are all composed of a plurality of small heaters 72a, 72b. In the case of thermally treating a large substrate G such that the length of one side exceeds 1 m, a heater having a size equal to or larger than this is required, but such a heater is expensive to manufacture and the uniformity of thermal radiation is also reduced. Thereby, by connecting a plurality of existing small heaters 72a and 72b, the thermal radiation from the heater 72 · 72 'is made uniform by inexpensive and temperature control for each small heater 72a and 72b. You can do it.

이와 같이 히터 (72)를 복수의 소히터 (72a·72b)로부터 구성하는 경우 일정한 거리 범위내에 있어서 소히터 (72a·72b)끼리의 이음매가 X방향과 평행이 되지 않게 복수의 소히터 (72a·72b)를 연결한다. 소히터 (72a·72b) 끼리의 이음매의 직하게는 기판 (G)으로의 열폭사가 작아지므로 이 이음매가 X방향으로 길게 존재하면 기판 (G)의 열처리 균일성이 나빠져 기판 (G)에 전사자국이 발생해 버리지만 이 음매의 X방향 길이를 일정한 범위내로 하는 것으로 이러한 전사자국의 발생을 방지할 수가 있다. 또한「일정한 범위」는 히터 (72·72')의 설정 온도나 히터 (72·72')와 기판 (G) 사이의 거리(간격) 등에 의해 변화하므로 이들의 인자를 고려해 실제로 기판 (G)에 전사자국이 발생하지 않도록 설정된다. 히터 (72·72')의 하면과 기판 (G)의 상면의 간격은 기판 (G)에 균일하게 열폭사를 실시할 수가 있도록 적당히 설정하면 좋고 예를 들면 히터 (72·72')의 평균 온도를 120 ℃로 했을 경우에 2 mm 이상 50 mm이하로 할 수가 있다.Thus, when the heater 72 is comprised from several small heaters 72a and 72b, the several small heaters 72a * and the joints of the small heaters 72a and 72b may not become parallel with a X direction in a fixed distance range. 72b). Since the heat radiation to the substrate G becomes smaller, the joints of the heaters 72a and 72b are directly reduced, and if the joint is long in the X direction, the uniformity of the heat treatment of the substrate G becomes worse and is transferred to the substrate G. The mark is generated, but the occurrence of such transcription marks can be prevented by keeping the length in the X direction of the tone within a certain range. In addition, since the "constant range" varies depending on the set temperature of the heater 72 · 72 'and the distance (interval) between the heater 72 · 72' and the substrate G, the substrate G is actually taken into consideration in consideration of these factors. It is set so that transcription marks do not occur. The distance between the lower surface of the heater 72 · 72 'and the upper surface of the substrate G may be appropriately set so that the thermal radiation can be uniformly performed on the substrate G. For example, the average temperature of the heater 72 · 72' When the temperature is 120 ° C, it can be made 2 mm or more and 50 mm or less.

도 6에서는 2 종류의 히터 (72·72')를 나타냈지만 이것은 Y방향으로 소히터 (72a·72b)를 나열하여 구성되는 블럭과 Y방향으로 소히터 (72a)만을 나열하여 구성되는 블럭을 X방향으로 3 블럭 연결한 구성으로 하였기 때문이고 이들 각 블럭을 2 블럭 ; 4 블럭의 상호 연결하면 1 종류의 히터로 충분하다. 또 히터 (72·72')는 도 6에 나타난 바와 같이 다른 크기의 소히터를 조합하여 구성해도 좋고 같은 형상의 소히터를 조합하여 구성할 수도 있다. 히터 (72·72')의 평면 형상은 반드시 구형(정방형이나 직사각형등 )으로 한정되는 것은 아니고 예를 들면 Y방향단에 있어서는 요철이 있어도 상관없다. 이러한 소히터의 평면 형상은 구형의 것으로 한정되지 않고 삼각형이나 육각형 등의 다각형의 것도 이용해도 괜찮다.In Fig. 6, two types of heaters 72 占 72 'are shown, which is a block constituted by arranging the small heaters 72a and 72b in the Y direction and a block constituted by arranging only the small heater 72a in the Y direction. This is because three blocks are connected in each direction; If four blocks are interconnected, one type of heater is sufficient. As shown in Fig. 6, the heaters 72 占 72 'may be configured by combining small heaters of different sizes or may be configured by combining small heaters of the same shape. The plane shape of the heater 72 * 72 'is not necessarily limited to spherical shape (square, rectangle, etc.), For example, in the Y direction end, there may be unevenness | corrugation. The planar shape of such a small heater is not limited to a spherical one, but a polygonal shape such as a triangle or a hexagon may be used.

또한 기판 (G)의 앞뒤에서 온도차가 발생하면 기판 (G)에 휘어진 상태가 생기므로 기판 (G)의 앞뒤의 온도가 동일한 정도가 되도록 히터 (72·72')와 IR히터 (76)의 출력을 제어한다. 히터 (72·72')로부터 기판 (G)의 표면까지의 거리와 IR히터 (76)으로부터 기판 (G)의 이면까지의 거리는 다르므로 기판의 설정 온도에 대 한 히터 (72·72')와 IR히터 (76)의 출력의 상관 관계 데이터를 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)의 제어장치에 기억하게 해 기판 (G)의 설정 처리 온도에 따라 그 상관 데이터를 기본으로 히터 (72·72')와 IR히터 (76)을 제어한다.In addition, if a temperature difference occurs before and after the substrate G, a warpage occurs in the substrate G. The output of the heaters 72 · 72 'and the IR heater 76 so that the temperature before and after the substrate G is about the same. To control. Since the distance from the heater 72 · 72 'to the surface of the substrate G and the distance from the IR heater 76 to the back surface of the substrate G are different, the heater 72 · 72' and The correlation data of the output of the IR heater 76 is stored in the control device of the resist coating and developing processing system 100, and the heater 72 · 72 'is based on the correlation data according to the set processing temperature of the substrate G. ) And IR heater (76).

히터 (72) 끼리의 사이에 형성된 간격 (73)은 교대로 가열 가스 공급 장치 (74)로부터 소정 온도로 가열된 가스를 공급하기 위해서 또 기판 (G)와 히터 (72)의 사이의 공간으로부터의 흡기를 실시하기 위해서 이용된다. 가열 가스를 기판 (G)와 히터 (72)의 사이에 공급하는 것에 의해 기판 (G)의 가열을 촉진할 수가 있고 이와 같이 하여 가열 가스를 기판 (G)와 히터 (72)의 사이의 공간에 급배기를 실시하는 것에 의해 기판 (G)로부터 발생하는 승화물 등을 기류에 태워 기판 (G)와 히터 (72)의 사이의 공간으로부터 배제할 수가 있다. 이러한 흡기계 배관 (즉 흡기구(간격 (73))~흡기 장치 (75)의 앞까지)에 승화물이 고체화 하지 않도록 흡기계 배관을 소정 온도로 가열 보지하는 것도 바람직하다.The gap 73 formed between the heaters 72 alternately is provided from the space between the substrate G and the heaters 72 in order to supply the gas heated at a predetermined temperature from the heating gas supply device 74. It is used to perform intake air. The heating of the substrate G can be promoted by supplying the heating gas between the substrate G and the heater 72. Thus, the heating gas is supplied to the space between the substrate G and the heater 72. By performing the supply / exhaust, the sublimation or the like generated from the substrate G can be removed from the space between the substrate G and the heater 72 by burning in the air stream. It is also preferable to heat-hold the intake pipe to a predetermined temperature so that the sublimation does not solidify in such an intake pipe (that is, up to the intake port (interval 73) to the front of the intake device 75).

히터 (72·72')로서 X방향 길이가 짧은 것을 이용해 간격 (73)을 많이 형성하면 이러한 승화물의 배제가 더욱 용이해진다. 단 그 때에 기판 (G)의 가열 특성이 저하하지 않게 히터 (72·72')의 형상 및 배치를 고려할 필요가 있다.If the spacing 73 is formed in a large amount using the shorter X-direction length as the heater 72 · 72 ', the removal of such sublimation becomes easier. However, it is necessary to consider the shape and arrangement of the heaters 72 · 72 'so that the heating characteristics of the substrate G do not deteriorate at that time.

가열 가스의 온도는 기판 (G)의 설정 처리 온도보다 낮고 또한 기판 (G)의 설정 처리 온도와 그보다 10 ℃ 낮은 온도의 사이로 하는 것이 바람직하다. 가열 가스의 온도가 설정 처리 온도보다 높으면 기판 (G)를 지나친 가열우려가 있고 또 기판 (G)의 설정 처리 온도보다 10 ℃ 낮은 온도보다 더 낮아지면 가열 가스가 분사되는 위치(즉 공극 73)의 바로아래에 있어서 기판 (G)가 냉각되어 버려 기판 (G) 로 휘어진 상태가 발생할 우려가 있다.The temperature of the heating gas is preferably lower than the set processing temperature of the substrate G and between the set processing temperature of the substrate G and the temperature lower by 10 ° C. If the temperature of the heating gas is higher than the set treatment temperature, there is a concern of excessive heating over the substrate G, and if the temperature of the heated gas is lower than the temperature lower than 10 degrees C. below the set treatment temperature of the substrate G, that is, the position of There exists a possibility that the board | substrate G cools just under, and the state bent to the board | substrate G may generate | occur | produce.

기판 반송 기구 (71)에 의해 반송되는 기판 (G)의 이면으로부터 기판 (G)를 가열하기 위한 IR(적외선) 히터 (76)은 기판 (G) 뿐만 아니라 롤러 부재 (71a)를 가열하도록 배치하는 것이 바람직하다. 이것에 의해 롤러 부재 (71a)로부터의 열전달 및 열폭사에 의해서도 기판 (G)가 가열되고 기판 (G)의 건조 시간을 단축할 수가 있다. 이 때문에 롤러 부재 (71a)는 축열성 재료(예를 들면 세라믹스등)로 구성되고 있는 것을 이용하는 것이 바람직하다. IR히터 (76)에 대신해 열방사능을 가지는 램프를 이용해도 괜찮다.The IR (infrared) heater 76 for heating the substrate G from the back surface of the substrate G conveyed by the substrate conveyance mechanism 71 is disposed so as to heat not only the substrate G but also the roller member 71a. It is preferable. Thereby, the board | substrate G is heated also by the heat transfer and thermal radiation from the roller member 71a, and the drying time of the board | substrate G can be shortened. For this reason, it is preferable to use the thing comprised from the heat storage material (for example, ceramics) as the roller member 71a. Instead of the IR heater 76, a lamp having thermal radiation may be used.

포스트 베이크 존 (POB,56)으로부터 기판 (G)를 수취하고 냉각하는 쿨링 존(COL, 57)에는 포스트 베이크 존 (POB, 56)에 설치된 기판 반송 기구 (71)이 연장하여 설치되고 있고 포스트 베이크 존 (POB, 56)으로부터 연속적으로 기판 (G)가 대략 수평 자세로 반송된다. 그리고 쿨링 존 (COL,57)에는 기판 (G)를 그 표면측으로부터 냉각하기 위해서 기판 (G)의 반송 루트상의 소정의 높이 위치에 설치된 냉각판 (77)과 기판 (G)를 이면으로부터 냉각하기 위해서 기판 (G)의 이면에 냉각 가스를 불어내는 냉각 가스 분사 장치 (78)이 설치되고 있다.In the cooling zone COL 57 which receives and cools the substrate G from the post bake zone POB 56, a substrate conveyance mechanism 71 provided in the post bake zone POB 56 is extended and post-baked. Substrate G is conveyed in substantially horizontal position continuously from zone POB 56. And in the cooling zone COL and 57, in order to cool the board | substrate G from the surface side, to cool the cooling plate 77 and board | substrate G which were provided in the predetermined height position on the conveyance route of the board | substrate G from the back surface. In order to do this, a cooling gas injection device 78 for blowing a cooling gas to the back surface of the substrate G is provided.

냉각판 (77)은 그 내부에 냉각 매체를 통하기 위한 배관이 매설되고 있고 칠러 (79)와의 사이에 냉매가 순환하도록 구성되고 있다. 냉각판 (77) 끼리의 간격으로부터 냉각판 (77)과 기판 (G)의 사이의 공간이 따뜻해진 가스를 흡기하는 구성으로 하는 것도 바람직하다. The cooling plate 77 is configured such that a pipe for passing a cooling medium therein is embedded and the refrigerant circulates with the chiller 79. It is also preferable to set it as the structure which inhales the gas which the space between the cooling plate 77 and the board | substrate G warmed from the space | interval of the cooling plate 77 comrades.

또 냉각 가스 분사 장치 (78)로서는 예를 들면 냉매중에 설치된 배관내에 질 소 가스 또는 공기를 통하는 것으로 가스를 냉각하고 노즐 (78a)로부터 기판 (G)를 향해 불어내는 구성의 것을 이용할 수가 있다. 이러한 냉각 가스의 환경에 노출되는 것에 의해 롤러 부재 (71a)을 냉각하고 기판 (G)로부터 롤러부재 (71a)로의 열전달에 의해 기판 (G)의 냉각 속도를 빨리 하는 것도 바람직하다. 그 경우 냉각되는 롤러부재 (71a)는 열전도성이 높은 재료 예를 들면 금속재료로 구성하는 것이 바람직하다. 쿨링 존 (COL, 57)에 설치되는 롤러 부재 (71a)는 내부에 냉각수를 순환시켜 냉각하는 구조로 하여도 좋다.As the cooling gas injector 78, for example, a nitrogen gas or air can be used in a pipe provided in a refrigerant to cool the gas and blow the gas from the nozzle 78a toward the substrate G. It is also preferable to cool the roller member 71a by exposing to the environment of such a cooling gas, and to accelerate the cooling rate of the board | substrate G by heat transfer from the board | substrate G to the roller member 71a. In that case, the roller member 71a to be cooled is preferably composed of a material having high thermal conductivity, for example, a metal material. The roller member 71a provided in the cooling zone COL 57 may have a structure which circulates and cools cooling water inside.

또한 포스트 베이크 존 (POB, 56)과 쿨링 존 (COL, 57)은 설정 온도에 큰 차이가 있기 때문에 도시하지 않는 셔터에 의해 포스트 베이크 존 (POB, 56)과 쿨링 존(COL, 57)을 간이적으로 차단한다. 즉 기판 (G)를 반송하기 위한 간격을 확보하면서 양자를 구분하는 것도 바람직하다. 처리 블럭 (11c)의 구성은 기판 (G)에 열적 처리를 가하는 다른 처리 블럭 (11c·12c)에도 동일하게 적용할 수가 있어 처리 블럭 (11c)의 애드히젼 처리 존(AD, 52)에서는 가열한 HMDS 가스등의 처리 가스가 기판 (G)에 공급된다.In addition, since the post-baking zone (POB, 56) and the cooling zone (COL, 57) have a large difference in the set temperature, the post-baking zone (POB, 56) and the cooling zone (COL, 57) are simplified by a shutter not shown. Block the enemy. That is, it is also preferable to distinguish both, ensuring the space | interval for conveying the board | substrate G. The structure of the processing block 11c can be similarly applied to the other processing blocks 11c and 12c which apply thermal processing to the substrate G, and the heat treatment is performed in the adhesion processing zones AD and 52 of the processing block 11c. Process gas such as HMDS gas is supplied to the substrate G.

본 발명은 LCD 유리 기판 등의 대형 기판의 포트리소그래피 공정에 있어서의 가열 처리와 냉각 처리에 매우 적합하다. This invention is suitable for the heat processing and cooling process in the photolithography process of large board | substrates, such as LCD glass substrate.

히터를 복수의 소히터로부터 구성하면 개개의 소히터의 온도를 조정함으로써가열 균일성을 높일 수가 있고 또한 소히터의 이음매를 기판의 반송 방향으로 연장하지 않게 소히터를 배치하는 것으로 처리 얼룩의 발생을 방지할 수가 있다. 또 유 리 기판의 크기에 적응시킨 사이즈의 히터를 제작하는 것이 용이하고 또한 히터 코스트를 저감 할 수가 있다. 기판의 위쪽에 패널 형상의 히터를 배치해도 기판으로부터 증발하는 물질을 가열 가스에 의해 효율적으로 제거할 수가 있으므로 기판의 재오염을 억제할 수가 있다. 기판을 히터에 의해 그 상면으로부터 가열하는 것에 부가하여 이면으로부터도 가열함으로써 수율을 향상시킬 수가 있다.If the heater is configured from a plurality of small heaters, the heating uniformity can be improved by adjusting the temperature of the individual small heaters, and the small heaters are arranged so as not to extend the joints of the small heaters in the conveying direction of the substrate to prevent the occurrence of processing spots. I can prevent it. In addition, it is easy to manufacture a heater having a size adapted to the size of the glass substrate, and the heater cost can be reduced. Even if a panel heater is disposed above the substrate, the substance that evaporates from the substrate can be efficiently removed by the heating gas, so that recontamination of the substrate can be suppressed. In addition to heating a board | substrate from the upper surface with a heater, a yield can also be improved by heating also from a back surface.

Claims (8)

기판을 대략 수평 자세로 수평 방향으로 반송하면서 열적 처리하는 열적 처리 장치로서,A thermal processing apparatus for thermally processing while transporting a substrate in a horizontal direction in a substantially horizontal posture, 기판을 수평 방향으로 반송하기 위한 기판 반송 기구와,A substrate conveyance mechanism for conveying the substrate in a horizontal direction; 기판을 가열하기 위해서 상기 기판 반송 기구에 의한 기판의 반송 루트상의 소정의 높이 위치에 해당 반송 루트를 따라 소정간격으로 간격을 두면서 배치된 복수의 패널 형상의 히터를 구비하고,In order to heat a board | substrate, it is equipped with the some panel-shaped heater arrange | positioned at predetermined intervals along the said conveyance route at the predetermined height position on the conveyance route of the said board | substrate conveyance mechanism, 상기 히터는 각각 복수의 소히터로부터 구성되고 상기 복수의 소히터의 이음매에 기인하여 기판에 전사자국이 발생하는 것을 방지하기 위해서 상기 복수의 소히터는 그 이음매가 일정한 거리 범위내에 있어서 기판 반송 방향과 평행하게 되지 않도록 연결되고 있는 것을 특징으로 하는 열적 처리 장치.The heaters are each constituted by a plurality of small heaters, and the plurality of small heaters are arranged in the substrate conveyance direction so as to prevent transfer marks on the substrate due to the seams of the plurality of small heaters. The thermal processing apparatus characterized in that it is connected so that it may not become parallel. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 히터는 각각 크기가 다른 복수종류의 소히터를 복수 조합하여 구성되고 있는 것을 특징으로 하는 열적 처리 장치.And the heater is configured by combining a plurality of small heaters having different sizes, respectively. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 복수의 히터 사이에 설치된 간격으로 소정 온도로 가열된 가스를 공급하는 가열 가스 공급 장치와 상기 복수의 히터 사이에 설치된 간격로부터 흡기를 행하기 위한 흡기 장치를 더 구비하고,And a heating gas supply device for supplying a gas heated at a predetermined temperature at intervals provided between the plurality of heaters, and an intake device for intake air from the interval provided between the plurality of heaters, 상기 가열 가스 공급 장치로부터의 가스 공급 포인트와 상기 흡기 장치로부터의 흡기 포인트는 기판 반송 방향을 따라 존재하는 상기 복수의 히터간의 간격에 교대로 설치되고 있는 것을 특징으로 하는 열적 처리 장치. And a gas supply point from the heating gas supply device and an intake point from the intake device are alternately provided at intervals between the plurality of heaters existing along the substrate conveyance direction. 청구항 1, 2, 3중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 2, 3, 상기 기판 반송 기구는 기판 반송 방향으로 수직인 방향을 긴축 방향으로 하여 기판 반송 방향으로 소정간격으로 나열한 복수의 원주형상의 롤러 부재와 상기 복수의 롤러 부재를 회전시키기 위한 롤러 구동 수단을 갖고, The substrate conveyance mechanism has a plurality of circumferential roller members arranged in a predetermined interval in the substrate conveyance direction with a direction perpendicular to the substrate conveyance direction as a contraction direction, and roller drive means for rotating the plurality of roller members, 또한 상기 기판 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 이면으로부터 해당 기판을 가열하기 위한 IR히터 또는 열방사능을 가지는 램프를 구비하고,And a lamp having an IR heater or a thermal radiation function for heating the substrate from the back surface of the substrate conveyed by the substrate conveying mechanism, 상기 IR히터 또는 상기 램프에 의해 상기 롤러 부재가 가열되고 상기 롤러 부재로부터 기판으로의 열전달에 의해도 상기 기판이 가열되는 것을 특징으로 하는 열적 처리 장치.And the roller member is heated by the IR heater or the lamp, and the substrate is also heated by heat transfer from the roller member to the substrate. 청구항 4에 있어서,The method according to claim 4, 상기 IR히터 또는 상기 램프에 의해 가열되는 롤러 부재는 축열성 재료로 구성되고 있는 것을 특징으로 하는 열적 처리 장치.The roller member heated by the IR heater or the lamp is made of a heat storage material. 청구항 1, 2, 3 중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 2, 3, 또한 상기 히터에 의해 가열된 기판을 냉각하기 위해서 해당 기판의 반송 루트상의 소정의 높이 위치에 설치된 냉각판을 구비하는 것을 특징으로 하는 열적 처리 장치.Moreover, in order to cool the board | substrate heated by the said heater, the cooling plate provided in the predetermined height position on the conveyance route of the said board | substrate is provided, The thermal processing apparatus characterized by the above-mentioned. 청구항 1, 2, 3 중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 2, 3, 또한 상기 기판 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 이면으로부터 해당 기판을 냉각하기 위해서 상기 기판의 이면에 냉각 가스를 분사하기 위한 냉각 가스 분사 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 열적 처리 장치.And a cooling gas injector for injecting a cooling gas to the back surface of the substrate in order to cool the substrate from the back surface of the substrate conveyed by the substrate conveyance mechanism. 청구항 7에 있어서,The method according to claim 7, 상기 냉각 가스의 환경에 노출되는 것에 의해 냉각되는 롤러부재는 열전도성이 높은 재료로 구성되고 있는 것을 특징으로 하는 열적 처리 장치.And the roller member cooled by being exposed to the environment of the cooling gas is made of a material having high thermal conductivity.
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