KR20060096903A - Thermal processing unit - Google Patents
Thermal processing unit Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060096903A KR20060096903A KR1020060019378A KR20060019378A KR20060096903A KR 20060096903 A KR20060096903 A KR 20060096903A KR 1020060019378 A KR1020060019378 A KR 1020060019378A KR 20060019378 A KR20060019378 A KR 20060019378A KR 20060096903 A KR20060096903 A KR 20060096903A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- heaters
- heater
- board
- conveyance
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G39/00—Rollers, e.g. drive rollers, or arrangements thereof incorporated in roller-ways or other types of mechanical conveyors
- B65G39/10—Arrangements of rollers
- B65G39/12—Arrangements of rollers mounted on framework
- B65G39/18—Arrangements of rollers mounted on framework for guiding loads
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B27/00—Tempering or quenching glass products
- C03B27/012—Tempering or quenching glass products by heat treatment, e.g. for crystallisation; Heat treatment of glass products before tempering by cooling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B27/00—Tempering or quenching glass products
- C03B27/04—Tempering or quenching glass products using gas
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명은 열적처리장치에 관한 것으로서 열적처리장치의 일례인 포스트 베이크 존(POB 56)은 기판 (G)를 수평방향으로 반송하기 위한 기판반송기구 (71)와 기판 (G)을 가열하기 위하여 기판반송기구 (71)에 의한 기판 (G)의 반송 루트상의 소정의 높이 위치에 반송루트를 따라서 소정간격으로 간격 (73)을 두면서 배치된 복수의 패널형상의 히터 (72)를 구비한다. 히터 (72)를 복수의 소히터 (72a· 72b)로 구성하고 또한 복수의 소히터 (72a· 72b)의 이음매로 인하여 기판 (G)에 전사흔적이 발생하는 것을 방지하기 때문에 복수의 소히터 (72a· 72b)를 그 이음매가 일정한 거리범위내에 있어서 기판반송방향과 평행하게 되지 않도록 연결하여 기판을 반송하면서 가열이나 냉각을 행할 수 있는 수율이 높은 열적처리장치로서 또한 기판으 가열얼룩이나 냉각얼룩의 발생을 억제할 수 있는 열적처리장치의 기술을 제공한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermal processing apparatus, wherein a post bake zone (POB 56), which is an example of a thermal processing apparatus, includes a substrate transport mechanism 71 and a substrate for heating the substrate G for transporting the substrate G in a horizontal direction. A plurality of panel heaters 72 are provided at predetermined height positions on the conveyance route of the substrate G by the conveyance mechanism 71 with a distance 73 at a predetermined interval along the conveyance route. The heater 72 is constituted by a plurality of small heaters 72a, 72b and a plurality of small heaters (B) because it prevents transfer traces from occurring on the substrate G due to the seams of the plurality of small heaters 72a, 72b. 72a.72b) is a high-throughput thermal processing apparatus capable of carrying out heating or cooling while conveying a substrate by connecting the joint so that the joint does not become parallel with the substrate conveying direction within a certain distance range. Provided is a technique of a thermal processing apparatus capable of suppressing occurrence.
Description
도 1은 본 발명의 처리 장치의 하나의 실시 형태인 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 하나의 실시 형태를 나타내는 사시도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view which shows one Embodiment of the resist coating and image development processing system which is one Embodiment of the processing apparatus of this invention.
도 2는 도 1 기재의 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 개략 구조를 나타내는 평면도이다.FIG. 2 is a plan view showing a schematic structure of the resist coating and developing processing system of FIG. 1. FIG.
도 3은 도 1 기재의 레지스트 도포·현상 처리 시스템에 있어서의 기판의 반송 순로를 나타낸 설명도이다.It is explanatory drawing which showed the conveyance order of the board | substrate in the resist coating and image development processing system of FIG.
도 4는 포스트 베이크 존(POB)과 쿨링 존(COL)의 개략 구조를 나타내는 측면도이다.4 is a side view illustrating a schematic structure of the post bake zone POB and the cooling zone COL.
도 5는 롤러부재의 개략 형상을 나타내는 사시도이다.5 is a perspective view showing a schematic shape of a roller member.
도 6은 포스트 베이크 존(POB)에 배치되는 히터의 개략 구조를 나타내는 사시도이다.6 is a perspective view showing a schematic structure of a heater disposed in a post bake zone POB.
**주요부위를 나타내는 도면부호의 설명**** Description of reference numerals indicating major parts **
1;제 1 처리부1; first processing unit
2;제 2 처리부2; second processing unit
3;제 1 반송부3; first conveying unit
4;제 2 반송부4; second conveying unit
5;인터페이스부5; interface part
6;용기 반입출부6; container carrying in and out
11a~11d·12a~12d;처리 블럭11a-
56 ;포스트 베이크 존(POB)56; Post Bake Zone (POB)
57 :쿨링 존(COL)57: Cooling zone (COL)
71;기판 반송 기구71; substrate conveying mechanism
71a;롤러 부재71a; roller member
72;히터72; heater
74;가열 가스 공급 장치74; heating gas supply device
75;흡기 장치75; intake device
76:IR(적외선) 히터76: IR (infrared rays) heater
77;냉각판77; cooling plate
78;냉각 가스 분사 장치78; cooling gas injection device
100;레지스트 도포·현상 처리 시스템 100; resist coating and developing processing system
G;기판(LCD 기판)G; substrate (LCD substrate)
본 발명은 예를 들면 액정표시장치(LCD) 등의 FPD (플랫 패널 디스플레이)의 제조 프로세스에 있어서의 유리 기판 등의 포트리소그래피 공정에 있어서 기판을 가열 냉각하기 위해서 이용하는 열적 처리 장치에 관한다.This invention relates to the thermal processing apparatus used for heat-cooling a board | substrate in the photolithography process, such as a glass substrate in the manufacturing process of FPD (flat panel display), such as a liquid crystal display (LCD), for example.
예를 들면 LCD의 제조 공정에 있어서는 포트리소그래피 기술을 이용해 유리 기판에 레지스트액을 공급해 도포막을 형성해 이것을 건조 열처리 한 후에 노광 처리 현상 처리를 순서대로 실시하는 것으로 유리 기판에 소정의 회로 패턴을 형성하고 있다. 여기서 유리 기판에 레지스트액을 공급해 도포막을 형성한 후는 도포막을 가열해 불필요한 용제 등을 제거하는 프리베이크 처리를 하고 있다. 또 노광 처리 후에는 노광에 의한 레지스트막의 화학변화를 촉진하기 위한 포스트익스포져 베이크 처리를 해 현상 처리 후에는 현상 패턴의 고정과 유리 기판의 건조를 겸한 포스트베이크 처리를 하고 있다.For example, in the LCD manufacturing process, a predetermined circuit pattern is formed on a glass substrate by supplying a resist liquid to a glass substrate using a photolithography technique, forming a coating film, and drying and heat-treating it, and then performing exposure treatment development treatment in order. . After supplying a resist liquid to a glass substrate and forming a coating film here, the prebaking process which heats a coating film and removes an unnecessary solvent etc. is performed. After the exposure treatment, a post exposure bake treatment for promoting the chemical change of the resist film due to exposure is carried out, and after the development treatment, a post bake treatment is performed which combines fixing of the development pattern and drying of the glass substrate.
종래 이러한 열처리를 실시하는 장치로서는 유리 기판을 재치하기 위한 핫 플레이트와 이 핫 플레이트상에서 유리 기판을 승강시키기 위한 승강기구와 핫 플레이트를 내포하기 위한 챔버를 가지는 가열 장치가 이용되고 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조.) 또 가열처리가 종료한 유리 기판은 필요에 따라서 냉각 플레이트를 구비한 냉각 장치에 반송되어 거기서 냉각 처리된다.Conventionally, as a device for performing such heat treatment, a heating device having a hot plate for mounting a glass substrate, a lifting mechanism for lifting the glass substrate on and off the chamber, and a chamber for containing the hot plate is used (for example, a patent document). 1). Moreover, the glass substrate after heat processing is conveyed to the cooling apparatus provided with a cooling plate as needed, and is cooled there.
그렇지만 이러한 가열 장치 및 냉각 장치에서는 유리 기판을 장치에 반입출 하기 위해서 시간이 걸려 수율이 좋은 것은 아니다. 또 최근 유리 기판의 대형화가 급속히 진행되고 있기 때문에 포트리소그래피 공정에 있어서는 유리 기판을 회전시켜 레지스트막을 형성하는 등의 스피너 타이프의 장치를 이용한 처리에서는 유리 기판의 중심과 주변에서 처리에 얼룩이 생기기 쉽기 때문에 이러한 장치에 대신해 기판을 한 방향으로 반송하면서 레지스트액을 도포해 도포막을 형성해 또 현상액을 도포해 현상하는 소위 반송 타입의 장치가 이용되게 되어 있다. 그 때문에 이러한 반송 타입의 장치와 종전의 바치식의 가열 장치 등을 조합해 레지스트막형성으로부터 현상까지를 일관하여 실시하는 시스템을 구축하면 기판의 반송 시스템이 복잡하게 되어 또 수율을 높이는 것도 곤란해진다.However, in such a heating apparatus and a cooling apparatus, it takes time to carry out a glass substrate to an apparatus, and a yield is not good. In recent years, since the size of glass substrates is rapidly increasing, in the photolithography process, a spinner type device such as rotating a glass substrate to form a resist film tends to cause stains in the center and the periphery of the glass substrate. Instead of the apparatus, a so-called conveying type apparatus for applying and developing a resist film by applying a resist solution while carrying a substrate in one direction and applying and developing a developer is used. Therefore, when a system that consistently performs the process from resist film formation to development by combining such a transfer type device with a conventional batch type heating device or the like becomes complicated, it is also difficult to increase the yield of the substrate transfer system.
[특허 문헌 1] 일본국 특개평8-313855호 공보 [Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-313855
본 발명은 관련된 사정에 비추어 이루어진 것이고 기판을 반송하면서 가열이나 냉각을 실시할 수가 있는 수율이 높은 열적 처리 장치로서 또한 기판의 가열 얼룩이나 냉각 얼룩의 발생을 억제할 수가 있는 열적 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the related circumstances, and provides a thermal processing apparatus having a high yield which can perform heating and cooling while conveying a substrate, and also providing a thermal processing apparatus that can suppress the occurrence of heating and cooling stains on the substrate. The purpose.
본 발명에 의하면 기판을 대략 수평 자세로 수평 방향으로 반송하면서 열적 처리하는 열적 처리 장치로서 According to the present invention, as a thermal processing apparatus for thermally processing while transporting a substrate in a horizontal direction in a substantially horizontal posture.
기판을 수평 방향으로 반송하기 위한 기판 반송 기구와 A substrate conveyance mechanism for conveying the substrate in a horizontal direction;
기판을 가열하기 위해서 상기 기판 반송 기구에 의한 기판의 반송 루트상의 소정의 높이 위치에 해당 반송 루트를 따라 소정간격으로 간격을 두면서 배치된 복수의 패널 형상의 히터를 구비하고 In order to heat a board | substrate, it is provided with the some panel-shaped heater arrange | positioned at predetermined intervals along the said conveyance route at the predetermined height position on the conveyance route of the said board | substrate conveyance mechanism,
상기 히터는 각각 복수의 소히터로부터 구성되어 상기 복수의 소히터의 이음매에 기인하여 기판에 전사자국이 발생하는 것을 방지하기 위해서 상기 복수의 소히터는 그 이음매가 일정한 거리 범위내에 있어서 기판 반송 방향과 평행이 되지 않게 연결되고 있는 것을 특징으로 하는 열적 처리 장치가 제공된다.The heaters are each constituted by a plurality of small heaters, and the plurality of small heaters are arranged in the substrate conveyance direction in order to prevent transfer marks on the substrate due to the joints of the plurality of small heaters. A thermal processing apparatus is provided which is connected so as not to be parallel.
본 발명과 관련되는 열적 처리 장치에 있어서 각 히터는 크기가 다른 복수종류의 소히터를 복수 조합해 구성되고 있는 것이 바람직하고 이것에 의해 소히터의 이음매를 배치하는 자유도가 커진다. 또 이 열적 처리 장치에 복수의 히터 사이에 설치된 간격에 소정 온도에 가열된 가스를 공급하는 가열 가스 공급 장치와 복수의 히터 사이에 설치된 간격로부터 흡기를 행하기 위한 흡기 장치를 더 설치해 가열 가스 공급 장치로부터의 가스 공급 포인트와 흡기 장치로부터의 흡기 포인트를 기판 반송 방향을 따라 존재하는 복수의 히터간의 간격에 교대로 설치하면 기판으로부터의 증발물을 효율적으로 배제할 수가 있어 바람직하다.In the thermal processing apparatus according to the present invention, each heater is preferably configured by combining a plurality of small heaters having different sizes, thereby increasing the degree of freedom in arranging the joints of the small heaters. Further, the thermal processing apparatus is further provided with a heating gas supply device for supplying a gas heated at a predetermined temperature to an interval provided between the plurality of heaters, and an intake device for intake air from the interval provided between the plurality of heaters, and a heating gas supply device. If the gas supply point from and the intake point from the intake apparatus are alternately provided at intervals between a plurality of heaters present along the substrate conveyance direction, the evaporate from the substrate can be efficiently removed, which is preferable.
기판 반송 기구로서 기판 반송 방향으로 수직인 방향을 긴축방향으로하여 기판 반송 방향으로 소정간격으로 나열한 복수의 원주형상의 롤러 부재와 이들의 롤러 부재를 회전시키기 위한 롤러 구동 수단을 가지는 것을 이용하고 또한 열적 처리 장치에 기판 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 이면으로부터 기판을 가열하기 위한 IR히터 또는 열방사능을 가지는 램프를 설치하고 IR히터 또는 램프는 기판을 직접 가열할 뿐만 아니라 롤러 부재를 가열하여 롤러 부재로부터 기판으로의 열전달에 의해도 기판을 가열하는 구성으로 하면 수율을 향상시킬 수가 있어 바람직하다. 이 때문에 롤러 부재에는 축열성 재료가 매우 적합하게 이용된다.It is also possible to use a substrate conveying mechanism having a plurality of circumferential roller members arranged in a predetermined interval in the substrate conveying direction with a direction perpendicular to the substrate conveying direction in a longitudinal direction, and having a roller driving means for rotating these roller members. The processing apparatus is provided with a lamp having an IR heater or thermal radiation for heating the substrate from the back surface of the substrate conveyed by the substrate conveying mechanism, and the IR heater or lamp not only directly heats the substrate, but also heats the roller member from the roller member. The heat transfer to the substrate is also preferable in that the substrate can be heated to improve the yield. For this reason, a heat storage material is used suitably for a roller member.
열적 처리 장치에는 히터에 의해 가열된 기판을 냉각하기 위해서 기판의 반송 루트상의 소정의 높이 위치에 냉각판을 설치할 수가 있다. 그 경우 기판의 이면으로부터 기판을 냉각하기 위해서 기판의 이면에 냉각 가스를 분사하기 위한 냉각 가스 분사 장치를 설치하는 것이 바람직하다. 냉각 가스의 환경에 노출되는 것에 의해 냉각되는 롤러 부재에는 열전도성이 높은 재료가 매우 적합하게 이용된다.In the thermal processing apparatus, in order to cool the board | substrate heated by the heater, a cooling plate can be provided in the predetermined height position on the conveyance route of a board | substrate. In that case, in order to cool a board | substrate from the back surface of a board | substrate, it is preferable to provide the cooling gas injection apparatus for injecting cooling gas into the back surface of a board | substrate. The material with high thermal conductivity is used suitably for the roller member cooled by exposure to the environment of a cooling gas.
이하 본 발명의 실시의 형태에 대해서 첨부 도면을 참조해 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail with reference to an accompanying drawing.
도 1은 본 발명의 제 1의 실시 형태와 관련되는 LCD 유리 기판(이하 「기판」이라고 한다 (G)의 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)의 외관을 나타내는 사시도이고 ; 도 2a는 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)의 상단의 구성을 나타내는 평면도이고 도 2b는 그 하단의 구성을 나타내는 평면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view which shows the external appearance of the resist coating and image
레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)은 복수의 기판 (G)를 수용하는 카셋트 (C)를 재치하는 용기 반입출부(카셋트 스테이션, 6)과 기판 (G)에 소정의 열적 처리 또는 액 처리를 가하는 복수의 존이 설치된 제 1 처리부 (1) 및 제 2 처리부 (2)와 도시하지 않는 노광 장치의 사이에 기판 (G)의 수수를 행하기 위한 인터페이스부 (5)와 제 1 처리부 (1)과 용기 반입출부 (6)의 사이에 설치된 제 1 반송부 (3)과 제 1 처리부 (1)과 제 2 처리부 (2)의 사이에 설치된 제 2 반송부 (4)를 가지고 있다. 또한 도 1에 나타나는 바와 같이 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)의 긴 방향을 X방향 수평면에 있어서 X방향과 직교하는 방향을 Y방향; 수직 방향을 Z방향으로 한다.The resist coating and developing
제 1 처리부 (1)은 상하 방향(Z방향)으로 2단으로 구분된 적층 구조를 가지고 있고 한편 상단과 하단이 각각 Y방향에도 2개로 구분되고 있다. 이렇게 해 제 1 처리부 (1)의 하단에는 독립한 처리 블럭 (11a·11b)가 또한 그 상단에는 처리 블 럭 (11c·11d)가 각각 형성되고 있다. 제 2 처리부 (2)도 이와 같이 상하 방향(Z방향)으로 2단으로 구분되고 또 상단과 하단이 각각 Y방향으로 2개로 구분되고 있어 그 하단에 독립한 처리 블럭 (12a·12b)가; 그 상단에 처리 블럭 (12c. 12d)가 각각 형성되고 있다.The
용기 반입출부 (6)은 카셋트 (C)를 재치하는 스테이지 (7)을 가지고 있고 예를 들면 4개의 카셋트 (C)를 소정 위치로 재치 할 수가 있게 되어 있다. 용기 반입출부 (6)에는 외부로부터 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)에 있어서 처리해야할 기판 (G)가 ; 수납된 카셋트 (C)가 반입되고 또 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)에 있어서 소정의 처리가 종료한 기판 (G)가 ; 수납된 카셋트 (C)가 다음 공정으로 반송된다. 이러한 카셋트 (C)의 반입출은 수동 반송 또는 컨베이어등을 이용한 자동 반송의 어느 형태를 이용해도 상관없다.The container carrying-in / out
제 1 처리부 (1)과 용기 반입출부 (6)의 사이에 설치된 제 1 반송부 (3)에는 제 1 반송 장치 (17)이 설치되고 있다. 이 제 1 반송 장치 (17)은 X방향으로 신축하는 반송 아암 (17a)를 가지고 있고 반송 아암 (17a)는 Y방향으로 슬라이드 자유롭고 또 수평면내에서 회전 자유롭고 또한 Z방향으로 승강 자유롭게 구성되고 있다. 이러한 구성에 의해 제 1 반송 장치 (17)은 용기 반입출부 (6)과 제 1 처리부 (1)에 액세스하고 용기 반입출부 (6)과 제 1 처리부 (1)의 사이에 기판 (G)의 수수를 실시하고 또 제 1 처리부 (1)을 구성하는 처리 블럭 (11a~11d)간에서의 기판 (G)의 수수를 실시한다.The 1st conveyance apparatus 17 is provided in the
제 1 처리부 (1)과 제 2 처리부 (2)의 사이에 설치된 제 2 반송부 (4)에는 반송 아암 (18a)를 가지는 제 2 반송 장치 (18)이 설치되고 있다. 이 제 2 반송 장치 (18)은 제 1 반송 장치 (17)과 같은 구조를 가지고 있고 제 1 처리부 (1)과 제 2 처리부 (2)의 사이에서의 기판 (G)의 수수와 제 1 처리부 (1)을 구성하는 처리 블럭 (11a~11d)간에서의 기판 (G)의 수수와 제 2 처리부 (2)를 구성하는 처리 블럭 (12a~12d)간에서의 기판 (G)의 수수를 실시한다.In the second conveying
인터페이스부 (5)에는 제 1 반송 장치 (17)과 같은 구조를 가지는 제 3 반송 장치 (19)가 설치되고 있고 제 3 반송 장치 (19)의 반송 아암 (19a)는 제 2 처리부 (2)를 구성하는 처리 블럭 (12a~12d)에 액세스하고 또 제 2 처리부 (2)의 사이에 인터페이스부 (5)를 사이에 두도록 설치된 도시하지 않는 노광 장치에 액세스 할 수 있게 되어 있다. 이렇게 하여 제 3 반송 장치 (19)는 제 2 처리부 (2)를 구성하는 처리 블럭 (12a~12d)간에서의 기판 (G)의 수수를 실시하고 또 제 2 처리부 (2)와 노광 장치의 사이에 기판 (G)의 수수를 실시한다.The
제 1 처리부 (1)을 구성하는 처리 블럭 (11a)에는 제 1 반송부 (3)측에 스크러버 세정에 앞서 기판 (G)의 유기물을 제거하기 위한 엑시머 UV조사 존(e-UV, 21)이 설치되고 이 엑시머 UV조사 존 (e-UV, 21)에 인접하여 기판 (G)의 스크러버 세정 처리를 실시하는 스크러버 세정 존 (SCR, 22)가 제 2 반송부 (4)측에 설치되고 있다. 이 처리 블럭 (11a)내에 있어서는 기판 (G)는 회전 처리되는 경우 없이 회전자 반송 등의 방법을 이용해 X방향으로 대략 수평으로 반송되면서 엑시머 UV조사 처리와 스크러버 세정 처리가 연속하여 행해진다.The
엑시머 UV조사 존 (e-UV, 21)과 스크러버 세정 존 (SCR, 22)의 천정부에는 도시하지 않는 필터 팬 유니트 (FFU)가 설치되고 있다. 또 기판 (G)의 스크러버 세정 처리중에 발생하는 처리액의 미스트 등이 스크러버 세정 존 (SCR, 22)로부터 엑시머 UV조사 존 (e-UV, 21)에 비산하지 않도록 스크러버 세정 존 (SCR, 22)와 엑시머 UV조사 존(e-UV, 21)의 사이에는 셔터를 설치하는 것이 바람직하다. 또 필터 팬 유니트(FFU)로부터의 다운 플로우의 방향을 조절하는 것에 의해도 미스트 등의 비산을 억제할 수가 있다.A filter fan unit (FFU) (not shown) is provided in the ceiling of the excimer UV irradiation zone (e-UV) 21 and the scrubber cleaning zone (SCR) 22. In addition, the scrubber
처리 블럭 (11a)의 Y방향 측에 칸막이 벽을 두고 위치하는 처리 블럭 (11b)에는 제 1 반송부 (3)측으로부터 제 2 반송부 (4) 측으로 향하여 쿨링 유니트(COL,23); 레지스트 도포 유니트(CT,24) ; 감압 건조/주변 레지스트 제거 유니트(VD/ER, 25)가 나열하여 배치되고 있고 처리 블럭 (11b)의 천정부에는 도시하지 않는 필터 팬 유니트 (FFU)가 설치되고 있다.The
쿨링 유니트(COL, 23)에 있어서는 기판 (G)에 형성하는 레지스트막의 균일성을 높이기 위해서 레지스트 도포전에 기판 (G)의 온도 균일성을 높이는 열적 처리를 한다. 레지스트 도포 유니트 (CT,24)에서는 예를 들면 띠형상으로 레지스트액을 토출하는 노즐 아래를 기판 (G)를 대략 수평 자세로 통과시키는 것으로 기판 (G)의 표면에 레지스트막이 형성된다. 감압 건조/주변 레지스트 유니트 (VD/ER, 25)는 기판 (G)에 형성된 레지스트막을 열처리에 의하지 않고 감압 처리하는 것으로써 레지스트막에 포함되는 휘발 성분을 증발시키고 또 레지스트 도포 유니트 (CT,24)에 있어서의 레지스트막의 도포 시에 기판 (G)의 이면에 부착한 레지스트 및 기판 (G)의 주변부분의 레지스트막을 제거한다. 쿨링 유니트 (COL, 23)으로부터 레지스트 도포 유니트 (CT,24)로의 기판 (G)의 반송과 레지스트 도포 유니트 (CT,24)로부터 감압 건조/주변 레지스트 제거 유니트(VD/ER, 25)를 향한 기판 (G)의 반송은 예를 들면 도시하지 않는 기판 반송 아암을 설치하여 실시할 수가 있다.In the
처리 블럭 (11a)의 상단에 위치하는 처리 블럭 (11c)에는 제 2 반송부 (4)측으로부터 제 1 반송부 (3) 측으로 향하여 스크러버 세정 처리가 종료한 기판 (G)의 탈수 베이크 처리를 실시하는 탈수 베이크 존 (DHP, 51)과 기판 (G)에 대해서 소수화 처리를 가하는 2개의 애드히젼 처리 존(AD, 52) ; 기판 (G)를 소정 온도로 냉각하는 쿨링 존(COL, 53)이 설치되고 있다.The dehydration bake process of the board | substrate G by which the scrubber washing process was complete | finished from the
이들의 탈수 베이크존(DHP, 51); 애드히젼 처리 존(AD, 52); 쿨링 존(COL, 53)은 X방향으로 구분되고 있지 않고 각 처리를 행하기 위한 온도 존으로 구분될 수 있을뿐이고 제 2 반송부 (4)측으로부터 제 1 반송부 (3)측으로 향해 기판 (G)는 처리 블럭 (11c)내를 X방향으로 대략 수평으로 반송되면서 각 존을 통과하는 것으로 열처리된다. 애드히젼 처리 존 (AD,52)와 쿨링 존 (COL, 53)은 설정 온도에 큰 차이가 있기 때문에 셔터에 의해 이들의 존을 차단하는 것이 가능해지고 있어 이 셔터는 기판 (G)의 애드히젼 처리 존 (AD, 52)로부터 쿨링 존 (COL, 53)으로의 통과시에만 개구되어 그 이외 시에는 폐쇄한 상태로 보지된다.Their dehydrated bake zones (DHP, 51); Ad-hoc treatment zones (AD) 52; The
처리 블럭 (11b)의 상단에 위치하는 처리 블럭 (11d)에는 제 2 반송부 (4)측으로부터 제 1 반송부 (3) 측으로 향해 현상 처리가 종료한 기판 (G)의 포스트베이크 처리를 실시하는 포스트크존(POB, 56)과 포스트베이크 처리 후의 기판 (G)를 냉각하는 쿨링 존(COL, 57)을 구비하고 있다.The post-bake process of the board | substrate G by which the image development process was complete | finished toward the
처리 블럭 (11c)의 구조와 동일하게 포스트 베이크 존 (POB, 56)과 쿨링 존(COL, 57)에 대해서도 이들은 X방향으로 구분되고 있지 않고 각 처리를 행하기 위한 온도 존으로 구분되어 있을 뿐이고 제 2 반송부 (4)로부터 제 1 반송부 (3)으로 향해 기판 (G)는 처리 블럭 (11d)내를 X방향으로 대략 수평으로 반송되면서 소정의 존을 통과하는 것으로 열처리 된다. 이 처리 블럭 (11c)의 구조에 대해서는 후에 한층 더 상세하게 설명한다.Similarly to the structure of the
제 2 처리부 (2)를 구성하는 하단의 처리 블럭 (12a)는 노광 처리 후의 기판 (G)의 현상 처리를 실시하는 현상 처리 유니트 (DEV, 27)로 되어 있고 현상 처리 유니트(DEV, 27)내에 있어서 기판 (G)는 인터페이스부 (5)측으로부터 제 2 반송부 (4) 측에 향하여 대략 수평 자세로 반송되면서 현상액 도포 현상 후의 현상액 세정 건조 처리가 순서대로 실시되도록 되어 있다. 현상 처리 유니트 (DEV, 27)의 천정부에는 도시하지 않는 필터 팬 유니트(FFU)가 설치되고 청정한 공기의 다운 플로우가 반송되는 기판 (G)에 공급되게 되어 있다.The
처리 블럭 (12a)의 Y방향 측에 칸막이 벽을 두고 위치하는 처리 블럭 (12b)에는 제 2 반송부 (4)측에 노광 처리 후의 기판 (G)에 소정의 정보를 기록하는 타이틀러(TIT, 62)가 설치되고 인터페이스부 (5)측에 노광 후의 기판 (G)를 퇴피시켜 일시적으로 스톡 하는 스톡 유니트(ST, 64)가 배치되고 이들의 중간에 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)의 시퀀서나 현상 처 리등에 사용하는 각종의 처리액을 공급하기 위한 펌프등 각종 제어 기기나 동력 기기를 수납 가능한 유틸리티 유니트(UTL, 63)이 설치되고 있다.In the
처리 블럭 (12a)의 상단에 위치하는 처리 블럭 (12c)에는 제 2 반송부 (4)측으로부터 인터페이스부 (5)측으로 향해 레지스트 도포 처리가 종료한 기판의 프리베이크 처리를 실시하는 프리베이크존(PRB,54)와 기판 (G)의 소정 온도로 냉각하는 쿨링 존(COL, 55)가 설치되고 있다.In the
이 처리 블럭 (12c)의 구조는 전술한 처리 블럭 (11c)의 구조와 기본적으로 같고 프리베이크존 (PRB, 54)와 쿨링 존(COL, 55)는 X방향으로 구분되는 경우 없이 각 처리를 행하기 위한 온도 존으로 나눌 수 있고 있고 기판 (G)는 대략 수평 자세로 제 2 반송부 (4)측으로부터 인터페이스부 (5) 측으로 향하여 X방향으로 반송되면서 소정의 존을 통과할 때에 열처리 된다.The structure of this
처리 블럭 (12b)의 상단에 위치하는 처리 블럭 (12d)는 반송 유니트 (TRS,61)로 이루어져 있고 제 2 반송부 (4)와 인터페이스부 (5)의 사이에 어떤 처리를 실시하는 경우 없이 기판 (G)를 반송할 수가 있게 되어 있다. 또한 처리 블럭 (12b·12d)는 반드시 필요하지 않고 필요에 따라서 그 외의 처리 장치를 배치해도 괜찮다.The
다음에 상술한 구성을 가지는 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)에 있어서의 기판 (G)의 반송 경로에 대해서 도 3을 참조하면서 설명한다. 도 3은 먼저 나타낸 도 2에 있어서의 기판 (G)의 반송 순로를 화살표 (D1~D16)로 나타낸 설명도이고 도 3에 있어서는 제 1 반송 장치 (17)~ 제 3 반송 장치 (19)의 도시를 생략 하고 있다.Next, the conveyance path | route of the board | substrate G in the resist coating and image
최초로 제 1 반송 장치 (17)이 용기 반입출부 (6)에 재치된 카셋트 (C)로부 터 기판 (G)를 반출하고(화살표 D1) 처리 블럭 (11a)의 엑시머 UV조사 존(e-UV,21)에 반입한다. 기판 (G)는 엑시머 UV조사 존(e-UV, 21) 및 스크러버 세정 존(SCR,22)를 대략 수평 자세로 반송되면서 액처리 된다(화살표 D2). 이어서 제 2 반송 장치 (18)이 기판 (G)를 처리 블럭 (11a)로부터 반출하고 처리 블럭 (11c)의 탈수 베이크존(DHP, 51)에 반입한다. 이렇게 하여 기판 (G)는 탈수 베이크존(DHP, 51) ; 애드히젼 처리 존(AD, 52) ; 쿨링 존(COL, 53)을 대략 수평 자세로 순서대로 통과하고 열적 처리된다(화살표 D3).First, the 1st conveying apparatus 17 carries out the board | substrate G from the cassette C mounted in the container carrying-in / out part 6 (arrow D1), and excimer UV irradiation zone (e-UV) of the
이어서 제 1 반송 장치 (17)이 소정 온도로 냉각된 기판 (G)를 처리 블럭 (11c)로부터 반출하고 처리 블럭 (11b)의 쿨링 유니트(COL, 23)에 반입한다. 기판 (G)는 쿨링 유니트(COL, 23)에 있어서 균일 온도로 조절된 후에 레지스트 도포 유니트(CT,24) ; 감압 건조/주변 레지스트 제거 유니트(VD/ER, 25)의 순서로 처리되어 기판 (G)에 레지스트막이 형성된다(화살표 D4). 제 2 반송 장치 (18)은 레지스트막이 형성된 기판 (G)를 처리 블럭 (11b)로부터 반출하고 처리 블럭 (12c)에 반입한다. 기판 (G)는 프리베이크존 (PRB, 54)와 쿨링 존 (COL, 55)를 대략 수평 자세로 순서대로 통과하고 프리베이크 처리가 종료한다(화살표 D5).Next, the 1st conveying apparatus 17 carries out the board | substrate G cooled to predetermined temperature from the
그 후 제 3 반송 장치 (19)가 프리베이크 처리가 종료한 기판 (G)를 처리 블럭 (12c)로부터 반출하고 인터페이스부 (5)에 인접하여 설치된 도시하지 않는 노광 장치에 반입한다(화살표 D6). 그리고 제 3 반송 장치 (19)는 노광 처리가 종료한 기판 (G)를 노광 장치로부터 반출하고(화살표 D7) 처리 블럭 (12d)의 반송 유니트(TRS,61)에 반입한다. 기판 (G)는 처리 블럭 (12d)내를 반송하게 되고(화살표 D8) 제 2 반송 장치 (18)이 기판 (G)를 처리 블럭 (12d)로부터 반출하고 처리 블럭 (12b)의 타이틀러(TIT, 62)에 반입한다(화살표 D9). 타이틀러 (TIT, 62)에 있어서 소정의 정보가 기록된 기판 (G)는 제 2 반송 장치 (18)에 의해 반출되고(화살표 D10) 그 다음에 처리 블럭 (12d)에 반입되어 인터페이스부 (5)측에 반송된다(화살표 D11).Then, the 3rd conveying
제 3 반송 장치 (19)는 처리 블럭 (12d)로부터 기판 (G)를 반출하고 처리 블럭 (12a)에 설치된 현상 처리 유니트 (DEV, 27)이 비어 있는 경우에는 현상 처리 유니트 (DEV, 27)에 반입하지만 여기서 현상 처리 유니트 (DEV, 27)이 사용중이기 때문에 기판 (G)를 반입할 수가 없는 경우에는 일시적으로 기판 (G)를 스톡 유니트(ST, 64)에 반입한다(화살표 D12). 그리고 현상 처리 유니트 (DEV, 27)이 사용 가능해진 시점에서 제 3 반송 장치 (19)는 기판 (G)를 스톡 유니트 (ST, 64)로부터 반출하고 (화살표 D13) 처리 블럭 (12a)에 반입한다.The third conveying
현상 처리 유니트 (DEV, 27)에 반입된 기판 (G)는 처리 블럭 (12a)내를 대략 수평 자세로 반송되면서 현상 처리되고(화살표 D14) ; 제 2 반송 장치 (18)에 의해 현상 처리 유니트 (DEV, 27)으로부터 반출된다. 제 2 반송 장치 (18)은 현상 처리가 종료한 기판 (G)를 처리 블럭 (11d)에 반입하고 기판 (G)는 포스트 베이크 존(POB, 56)과 쿨링 존 (COL, 57)을 대략 수평 자세로 순서대로 통과하고 포스트베이크 처리된다(화살표 D15). 이어서 제 1 반송 장치 (17)이 처리 블럭 (11d)로부터 포스트베이크 처리가 종료한 기판 (G)를 반출하고 소정의 카셋트 (C)에 반입한다(화살표 D16). 이렇게 하여 기판 (G)에 대한 세정으로부터 레지스트 도포 현상에 이 르는 처리가 종료한다.The substrate G carried in the developing
다음에 포스트 베이크 존 (POB, 56)과 쿨링 존 (COL, 57)을 가지는 처리 블럭 (11c)의 구조에 대해서 더욱 상세하게 설명한다. 도 4에 처리 블럭 (11c)의 내부 구조(즉 포스트 베이크 존(POB, 56)과 쿨링 존(COL, 57)의 구성)을 나타내는 개략 측면도를 나타낸다.Next, the structure of the
포스트 베이크 존 (POB,56)은 기판 (G)를 대략 수평 자세로 수평 방향으로 반송하기 위한 기판 반송 기구 (71)과 기판 (G)를 가열하기 위해서 기판 반송 기구 (71)에 의한 기판 (G)의 반송 루트상의 소정의 높이 위치에 반송 루트를 따라 소정간격으로 간격 (73)을 두면서 배치된 복수의 패널 형상의 히터 (72·72')와 이들 복수의 히터 (72·72') 사이에 설치된 소정의 간격 (73)에 소정 온도로 가열된 가스를 공급하는 가열 가스 공급 장치 (74)와;복수의 히터 (72·72') 사이에 설치된 소정의 간격 (73)으로부터 흡기를 행하기 위한 흡기 장치 (75)와; 기판 반송 기구 (71)에 의해 반송되는 기판 (G)의 이면으로부터 기판 (G)를 가열하기 위한 IR(적외선) 히터 (76)을 구비하고 있다.The
기판 반송 기구 (71)은 Y방향(기판 반송 방향인 X방향으로 수직인 방향)을 긴 직경 방향으로서 X방향으로 소정간격으로 나열된 복수의 원주형상의 롤러부재 (71a)와 이들의 롤러부재를 회전시키기 위한 롤러 구동 수단 예를 들면 모터 (71b)를 가지고 있다. 도 4에서는 4개의 롤러부재 (71a)를 1조로서 이들을 모터 (71b) (모두를 도시하지 않음)로 회전시키는 구조를 나타내고 있지만 이러한 구성으로 한정되는 것은 아니고 모든 롤러부재 (71a)에 모터 (71b)를 직결시켜 회전 구동시켜 도 좋고 또 1개 걸러서 2개 걸러 모터 (71b)에 의해 회전 구동되는 것과 기판 (G)의 마찰에 의해 회전하는 프리한 것을 조합한 구성으로 해도 좋다.The board |
롤러부재 (71a)로서는 도 5의 사시도에 나타나는 바와 같이 그 긴 직경 방향의 길이가 기판 (G)의 폭(Y방향 길이)보다 긴 것을 이용한다. 이것은 기판 (G) 에 있어서 X방향으로 롤러부재 (71a)와 접촉하는 부분과 접촉하지 않는 띠형상의 부분이 생기면 기판 (G)의 열이력에 분포가 생겨 버려 줄무늬 등의 전사자국이 발생해 버리므로 그것을 방지하기 위함이다.As the
도 6에 히터 (72·72')의 개략 구조를 나타내는 사시도를 나타낸다. 이 도 6에 나타나는 바와 같이 히터 (72·72')는 모두 복수의 소히터 (72a·72b)로 구성되고 있다. 한 변의 길이가 1 m를 넘는 것 같은 대형의 기판 (G)를 열적으로 처리하는 경우에는 이것과 동등 이상의 크기의 히터가 필요하지만 그러한 히터에서는 제조 코스트가 비싸지고 열폭사의 균일성도 저하한다. 거기서 복수의 기존의 소히터 (72a·72b)를 연결하는 것으로써 염가로 또한 각 소히터 (72a·72b) 마다 온도 조절을 실시하는 것으로 히터 (72·72')로부터의 열폭사를 균일한 것으로 할 수가 있다.The perspective view which shows schematic structure of the
이와 같이 히터 (72)를 복수의 소히터 (72a·72b)로부터 구성하는 경우 일정한 거리 범위내에 있어서 소히터 (72a·72b)끼리의 이음매가 X방향과 평행이 되지 않게 복수의 소히터 (72a·72b)를 연결한다. 소히터 (72a·72b) 끼리의 이음매의 직하게는 기판 (G)으로의 열폭사가 작아지므로 이 이음매가 X방향으로 길게 존재하면 기판 (G)의 열처리 균일성이 나빠져 기판 (G)에 전사자국이 발생해 버리지만 이 음매의 X방향 길이를 일정한 범위내로 하는 것으로 이러한 전사자국의 발생을 방지할 수가 있다. 또한「일정한 범위」는 히터 (72·72')의 설정 온도나 히터 (72·72')와 기판 (G) 사이의 거리(간격) 등에 의해 변화하므로 이들의 인자를 고려해 실제로 기판 (G)에 전사자국이 발생하지 않도록 설정된다. 히터 (72·72')의 하면과 기판 (G)의 상면의 간격은 기판 (G)에 균일하게 열폭사를 실시할 수가 있도록 적당히 설정하면 좋고 예를 들면 히터 (72·72')의 평균 온도를 120 ℃로 했을 경우에 2 mm 이상 50 mm이하로 할 수가 있다.Thus, when the
도 6에서는 2 종류의 히터 (72·72')를 나타냈지만 이것은 Y방향으로 소히터 (72a·72b)를 나열하여 구성되는 블럭과 Y방향으로 소히터 (72a)만을 나열하여 구성되는 블럭을 X방향으로 3 블럭 연결한 구성으로 하였기 때문이고 이들 각 블럭을 2 블럭 ; 4 블럭의 상호 연결하면 1 종류의 히터로 충분하다. 또 히터 (72·72')는 도 6에 나타난 바와 같이 다른 크기의 소히터를 조합하여 구성해도 좋고 같은 형상의 소히터를 조합하여 구성할 수도 있다. 히터 (72·72')의 평면 형상은 반드시 구형(정방형이나 직사각형등 )으로 한정되는 것은 아니고 예를 들면 Y방향단에 있어서는 요철이 있어도 상관없다. 이러한 소히터의 평면 형상은 구형의 것으로 한정되지 않고 삼각형이나 육각형 등의 다각형의 것도 이용해도 괜찮다.In Fig. 6, two types of
또한 기판 (G)의 앞뒤에서 온도차가 발생하면 기판 (G)에 휘어진 상태가 생기므로 기판 (G)의 앞뒤의 온도가 동일한 정도가 되도록 히터 (72·72')와 IR히터 (76)의 출력을 제어한다. 히터 (72·72')로부터 기판 (G)의 표면까지의 거리와 IR히터 (76)으로부터 기판 (G)의 이면까지의 거리는 다르므로 기판의 설정 온도에 대 한 히터 (72·72')와 IR히터 (76)의 출력의 상관 관계 데이터를 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)의 제어장치에 기억하게 해 기판 (G)의 설정 처리 온도에 따라 그 상관 데이터를 기본으로 히터 (72·72')와 IR히터 (76)을 제어한다.In addition, if a temperature difference occurs before and after the substrate G, a warpage occurs in the substrate G. The output of the
히터 (72) 끼리의 사이에 형성된 간격 (73)은 교대로 가열 가스 공급 장치 (74)로부터 소정 온도로 가열된 가스를 공급하기 위해서 또 기판 (G)와 히터 (72)의 사이의 공간으로부터의 흡기를 실시하기 위해서 이용된다. 가열 가스를 기판 (G)와 히터 (72)의 사이에 공급하는 것에 의해 기판 (G)의 가열을 촉진할 수가 있고 이와 같이 하여 가열 가스를 기판 (G)와 히터 (72)의 사이의 공간에 급배기를 실시하는 것에 의해 기판 (G)로부터 발생하는 승화물 등을 기류에 태워 기판 (G)와 히터 (72)의 사이의 공간으로부터 배제할 수가 있다. 이러한 흡기계 배관 (즉 흡기구(간격 (73))~흡기 장치 (75)의 앞까지)에 승화물이 고체화 하지 않도록 흡기계 배관을 소정 온도로 가열 보지하는 것도 바람직하다.The
히터 (72·72')로서 X방향 길이가 짧은 것을 이용해 간격 (73)을 많이 형성하면 이러한 승화물의 배제가 더욱 용이해진다. 단 그 때에 기판 (G)의 가열 특성이 저하하지 않게 히터 (72·72')의 형상 및 배치를 고려할 필요가 있다.If the
가열 가스의 온도는 기판 (G)의 설정 처리 온도보다 낮고 또한 기판 (G)의 설정 처리 온도와 그보다 10 ℃ 낮은 온도의 사이로 하는 것이 바람직하다. 가열 가스의 온도가 설정 처리 온도보다 높으면 기판 (G)를 지나친 가열우려가 있고 또 기판 (G)의 설정 처리 온도보다 10 ℃ 낮은 온도보다 더 낮아지면 가열 가스가 분사되는 위치(즉 공극 73)의 바로아래에 있어서 기판 (G)가 냉각되어 버려 기판 (G) 로 휘어진 상태가 발생할 우려가 있다.The temperature of the heating gas is preferably lower than the set processing temperature of the substrate G and between the set processing temperature of the substrate G and the temperature lower by 10 ° C. If the temperature of the heating gas is higher than the set treatment temperature, there is a concern of excessive heating over the substrate G, and if the temperature of the heated gas is lower than the temperature lower than 10 degrees C. below the set treatment temperature of the substrate G, that is, the position of There exists a possibility that the board | substrate G cools just under, and the state bent to the board | substrate G may generate | occur | produce.
기판 반송 기구 (71)에 의해 반송되는 기판 (G)의 이면으로부터 기판 (G)를 가열하기 위한 IR(적외선) 히터 (76)은 기판 (G) 뿐만 아니라 롤러 부재 (71a)를 가열하도록 배치하는 것이 바람직하다. 이것에 의해 롤러 부재 (71a)로부터의 열전달 및 열폭사에 의해서도 기판 (G)가 가열되고 기판 (G)의 건조 시간을 단축할 수가 있다. 이 때문에 롤러 부재 (71a)는 축열성 재료(예를 들면 세라믹스등)로 구성되고 있는 것을 이용하는 것이 바람직하다. IR히터 (76)에 대신해 열방사능을 가지는 램프를 이용해도 괜찮다.The IR (infrared)
포스트 베이크 존 (POB,56)으로부터 기판 (G)를 수취하고 냉각하는 쿨링 존(COL, 57)에는 포스트 베이크 존 (POB, 56)에 설치된 기판 반송 기구 (71)이 연장하여 설치되고 있고 포스트 베이크 존 (POB, 56)으로부터 연속적으로 기판 (G)가 대략 수평 자세로 반송된다. 그리고 쿨링 존 (COL,57)에는 기판 (G)를 그 표면측으로부터 냉각하기 위해서 기판 (G)의 반송 루트상의 소정의 높이 위치에 설치된 냉각판 (77)과 기판 (G)를 이면으로부터 냉각하기 위해서 기판 (G)의 이면에 냉각 가스를 불어내는 냉각 가스 분사 장치 (78)이 설치되고 있다.In the
냉각판 (77)은 그 내부에 냉각 매체를 통하기 위한 배관이 매설되고 있고 칠러 (79)와의 사이에 냉매가 순환하도록 구성되고 있다. 냉각판 (77) 끼리의 간격으로부터 냉각판 (77)과 기판 (G)의 사이의 공간이 따뜻해진 가스를 흡기하는 구성으로 하는 것도 바람직하다. The cooling
또 냉각 가스 분사 장치 (78)로서는 예를 들면 냉매중에 설치된 배관내에 질 소 가스 또는 공기를 통하는 것으로 가스를 냉각하고 노즐 (78a)로부터 기판 (G)를 향해 불어내는 구성의 것을 이용할 수가 있다. 이러한 냉각 가스의 환경에 노출되는 것에 의해 롤러 부재 (71a)을 냉각하고 기판 (G)로부터 롤러부재 (71a)로의 열전달에 의해 기판 (G)의 냉각 속도를 빨리 하는 것도 바람직하다. 그 경우 냉각되는 롤러부재 (71a)는 열전도성이 높은 재료 예를 들면 금속재료로 구성하는 것이 바람직하다. 쿨링 존 (COL, 57)에 설치되는 롤러 부재 (71a)는 내부에 냉각수를 순환시켜 냉각하는 구조로 하여도 좋다.As the cooling
또한 포스트 베이크 존 (POB, 56)과 쿨링 존 (COL, 57)은 설정 온도에 큰 차이가 있기 때문에 도시하지 않는 셔터에 의해 포스트 베이크 존 (POB, 56)과 쿨링 존(COL, 57)을 간이적으로 차단한다. 즉 기판 (G)를 반송하기 위한 간격을 확보하면서 양자를 구분하는 것도 바람직하다. 처리 블럭 (11c)의 구성은 기판 (G)에 열적 처리를 가하는 다른 처리 블럭 (11c·12c)에도 동일하게 적용할 수가 있어 처리 블럭 (11c)의 애드히젼 처리 존(AD, 52)에서는 가열한 HMDS 가스등의 처리 가스가 기판 (G)에 공급된다.In addition, since the post-baking zone (POB, 56) and the cooling zone (COL, 57) have a large difference in the set temperature, the post-baking zone (POB, 56) and the cooling zone (COL, 57) are simplified by a shutter not shown. Block the enemy. That is, it is also preferable to distinguish both, ensuring the space | interval for conveying the board | substrate G. The structure of the
본 발명은 LCD 유리 기판 등의 대형 기판의 포트리소그래피 공정에 있어서의 가열 처리와 냉각 처리에 매우 적합하다. This invention is suitable for the heat processing and cooling process in the photolithography process of large board | substrates, such as LCD glass substrate.
히터를 복수의 소히터로부터 구성하면 개개의 소히터의 온도를 조정함으로써가열 균일성을 높일 수가 있고 또한 소히터의 이음매를 기판의 반송 방향으로 연장하지 않게 소히터를 배치하는 것으로 처리 얼룩의 발생을 방지할 수가 있다. 또 유 리 기판의 크기에 적응시킨 사이즈의 히터를 제작하는 것이 용이하고 또한 히터 코스트를 저감 할 수가 있다. 기판의 위쪽에 패널 형상의 히터를 배치해도 기판으로부터 증발하는 물질을 가열 가스에 의해 효율적으로 제거할 수가 있으므로 기판의 재오염을 억제할 수가 있다. 기판을 히터에 의해 그 상면으로부터 가열하는 것에 부가하여 이면으로부터도 가열함으로써 수율을 향상시킬 수가 있다.If the heater is configured from a plurality of small heaters, the heating uniformity can be improved by adjusting the temperature of the individual small heaters, and the small heaters are arranged so as not to extend the joints of the small heaters in the conveying direction of the substrate to prevent the occurrence of processing spots. I can prevent it. In addition, it is easy to manufacture a heater having a size adapted to the size of the glass substrate, and the heater cost can be reduced. Even if a panel heater is disposed above the substrate, the substance that evaporates from the substrate can be efficiently removed by the heating gas, so that recontamination of the substrate can be suppressed. In addition to heating a board | substrate from the upper surface with a heater, a yield can also be improved by heating also from a back surface.
Claims (8)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2005-00055944 | 2005-03-01 | ||
JP2005055944A JP2006245110A (en) | 2005-03-01 | 2005-03-01 | Heat-treating apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060096903A true KR20060096903A (en) | 2006-09-13 |
KR101237092B1 KR101237092B1 (en) | 2013-02-25 |
Family
ID=37051248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060019378A KR101237092B1 (en) | 2005-03-01 | 2006-02-28 | Thermal processing unit |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006245110A (en) |
KR (1) | KR101237092B1 (en) |
TW (1) | TWI295415B (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100811695B1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-03-11 | 엔티엠 주식회사 | Apparatus for drying substrate |
KR101052758B1 (en) * | 2008-11-18 | 2011-08-01 | 세메스 주식회사 | Flat panel display device manufacturing device |
KR20170012772A (en) * | 2015-07-23 | 2017-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | Glass molding apparatus |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008160011A (en) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treating equipment |
JP2008172104A (en) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Tokyo Electron Ltd | Reflow processing system and reflow processing method |
JP4341978B2 (en) * | 2007-03-02 | 2009-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing equipment |
JP5401015B2 (en) * | 2007-03-15 | 2014-01-29 | 光洋サーモシステム株式会社 | Continuous firing furnace |
JP2008311250A (en) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Tokyo Electron Ltd | Reflow system and reflow method |
JP4936567B2 (en) * | 2009-09-18 | 2012-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment equipment |
WO2011148716A1 (en) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | シャープ株式会社 | Bake device |
JP6814570B2 (en) * | 2016-08-18 | 2021-01-20 | 株式会社アルバック | Transport device |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09237965A (en) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Reflow furnace |
JP3756402B2 (en) * | 2000-12-08 | 2006-03-15 | 富士写真フイルム株式会社 | Substrate transfer apparatus and method |
JP2003332727A (en) * | 2002-05-15 | 2003-11-21 | Sony Corp | Heat shielding member and reflow apparatus |
-
2005
- 2005-03-01 JP JP2005055944A patent/JP2006245110A/en active Pending
-
2006
- 2006-02-27 TW TW095106655A patent/TWI295415B/en not_active IP Right Cessation
- 2006-02-28 KR KR1020060019378A patent/KR101237092B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100811695B1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-03-11 | 엔티엠 주식회사 | Apparatus for drying substrate |
KR101052758B1 (en) * | 2008-11-18 | 2011-08-01 | 세메스 주식회사 | Flat panel display device manufacturing device |
KR20170012772A (en) * | 2015-07-23 | 2017-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | Glass molding apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101237092B1 (en) | 2013-02-25 |
TWI295415B (en) | 2008-04-01 |
JP2006245110A (en) | 2006-09-14 |
TW200641553A (en) | 2006-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101237092B1 (en) | Thermal processing unit | |
JP4542577B2 (en) | Normal pressure drying apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method | |
JP4592787B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR101269748B1 (en) | Heat treatment unit | |
US6087632A (en) | Heat processing device with hot plate and associated reflector | |
JP4384686B2 (en) | Normal pressure drying apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method | |
US20070128356A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP4384685B2 (en) | Normal pressure drying apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method | |
CN100454482C (en) | Heat treatment unit, heat treatiment method, control program and computer-readable recording medium | |
KR20110065310A (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium storing program for executing the substrate processing method | |
JP2009290207A (en) | Substrate processing apparatus and method used for manufacture of flat panel display | |
JP4407971B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2008160011A (en) | Substrate treating equipment | |
JP4813583B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP4638931B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP4804332B2 (en) | Baking apparatus and substrate processing apparatus | |
JP4620536B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP4967013B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND RECORDING MEDIUM RECORDING PROGRAM FOR EXECUTING THE SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
KR20050043706A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2008060113A (en) | Development processing apparatus and method | |
JP4015015B2 (en) | Heat treatment equipment | |
JP3657186B2 (en) | Heat treatment equipment | |
JP4897035B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND RECORDING MEDIUM RECORDING PROGRAM FOR EXECUTING THE SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
JP3538330B2 (en) | Processing equipment | |
JP2004022992A (en) | Method and apparatus for heat treatment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |