KR20050058727A - Epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 밀봉형 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 1) 크레졸 노블락 에폭시 수지 및 특정 구조의 글리시딜 에테르 비스페놀 변성 에폭시 수지의 혼합물; 2) 경화제로서 2관능성 또는 다관능성 페놀수지 및 페놀 노블락 수지; 3) 커플링제로서 말단에 에폭시기를 포함한 알킬 알콕시 실란 및 말단에 이미다졸기를 포함한 알킬 알콕시 실란; 4) 잠재성 경화촉매; 5) 상기 잠재성 경화촉매의 보조촉매; 6) 난연제; 및, 7) 무기충전제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 에폭시 수지조성물을 사용하면 반도체 소자 봉지공정에서 웨이퍼 칩 표면과 에폭시봉지재 사이에 발생하는 박리문제를 개선할 수 있고, 우수한 기계적 물성, 절연특성 및 흡습특성을 가지며, 솔더온도 265℃이상의 무연(Pb Free) 솔더공정에 적용하는 경우에도 패드면과 칩에 발생하는 크랙이 거의 발생하지 않으며, 제조된 소자의 높은 신뢰성이 보장될 수 있다.The present invention relates to a semiconductor element sealing type epoxy resin composition, and more particularly, 1) a mixture of a cresol noblock epoxy resin and a glycidyl ether bisphenol-modified epoxy resin of a specific structure; 2) difunctional or polyfunctional phenol resins and phenol noblock resins as curing agents; 3) alkyl alkoxy silanes containing epoxy groups at the terminals and alkyl alkoxy silanes containing imidazole groups at the terminals as coupling agents; 4) latent curing catalysts; 5) cocatalyst of the latent curing catalyst; 6) flame retardants; And, 7) relates to an epoxy resin composition for sealing semiconductor elements containing an inorganic filler. By using the epoxy resin composition according to the present invention, it is possible to improve the peeling problem occurring between the wafer chip surface and the epoxy encapsulant in the semiconductor element encapsulation process, and have excellent mechanical properties, insulation properties and hygroscopic properties, and solder temperature of 265 ° C. Even when applied to the Pb free solder process, cracks hardly occur on the pad surface and the chip, and high reliability of the manufactured device can be guaranteed.
Description
본 발명은 반도체 소자 밀봉형 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 1) 에폭시 수지로서 크레졸 노블락 에폭시 수지 및 특정 구조의 글리시딜 에테르 비스페놀 변성 에폭시 수지; 2) 경화제로서 2관능성 또는 다관능성 페놀수지 및 페놀 노블락 수지; 3) 커플링제로서 말단에 에폭시기를 포함한 알킬 알콕시 실란 및 말단에 이미다졸기를 포함한 알킬 알콕시 실란; 4) 잠재성 경화촉매; 5) 상기 잠재성 경화촉매의 보조촉매; 6) 난연제; 및, 7) 무기충전제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor element sealing type epoxy resin composition, and more particularly, 1) as an epoxy resin cresol noblock epoxy resin and glycidyl ether bisphenol-modified epoxy resin of a specific structure; 2) difunctional or polyfunctional phenol resins and phenol noblock resins as curing agents; 3) alkyl alkoxy silanes containing epoxy groups at the terminals and alkyl alkoxy silanes containing imidazole groups at the terminals as coupling agents; 4) latent curing catalysts; 5) cocatalyst of the latent curing catalyst; 6) flame retardants; And, 7) relates to an epoxy resin composition for sealing semiconductor elements containing an inorganic filler.
최근 반도체 소자의 고집적화 경향에 따라, 소자크기의 대형화, 셀 면적의 소형화 및 배선의 다층화가 급속히 진전되고 있으며, 반도체 소자를 외부환경으로부터 보호하는 패키지(Package) 또한 프린트 기판으로의 고밀도 실장 (다시 말해, 표면 실장)으로 소형·박형화가 가속화되고 있다. 한편, 환경관련 규제가 엄격해지고 납(Pb)과 주석(Sn)이 가지는 인체 유해성이 알려지면서 후공정인 솔더(Solder)공정에서 납의 사용이 금지되고 있는 바, 무연(無鉛) 솔더공정 개발의 연구가 활발하다.Recently, due to the trend toward higher integration of semiconductor devices, the size of devices, the size of cells are reduced, and the multilayers of wirings are rapidly progressing, and packages that protect semiconductor devices from the external environment are also mounted on high-density printed circuit boards (that is, , Surface mounting) is accelerating compactness and thinning. On the other hand, due to strict environmental regulations and the known harmful health of lead (Pb) and tin (Sn), the use of lead in the solder process, which is a post-process, is prohibited. Is active.
현재 납을 대신하여 사용될 수 있는 것으로 공지된 솔더재료로는, 주석(SN), 비스무스(Bi), 은(Ag) 등이 있으나, 상기 대체 재료를 사용할 경우, 솔더 온도가 기존 230℃에서 265℃까지 높아져야 한다. 따라서, 종래의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지조성물을 사용한 소자를 무연 솔더공정에 투입할 경우, 높은 온도로 인한 패키지 크랙 및 웨이퍼와 에폭시수지 조성물간의 계면 박리 현상이 심하여 신뢰성있는 제품을 수득하기 어렵다. 또한, 대형의 반도체 소자를 소형·박형 패키지에 밀봉한 수지 밀봉형 반도체를 무연(Pb Free) 솔더공정에 적용할 경우, 외부환경의 온도 및 습도변화에 따른 열응력 때문에 패키지상 상기 크랙문제가 더욱 심각해지는 동시에 알루미늄 패드부식 발생의 빈도도 높아진다. 이에 따라, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 내크랙성 향상 및 저응력 특성를 위한 연구가 진행중이다.Currently known solder materials that can be used in place of lead include tin (SN), bismuth (Bi), silver (Ag), etc., but when using the above alternative materials, the solder temperature is from 230 ℃ to 265 ℃ Should be high. Therefore, when a device using a conventional epoxy resin composition for semiconductor element sealing is put into a lead-free solder process, it is difficult to obtain a reliable product due to severe package cracks due to high temperature and the interface peeling phenomenon between the wafer and the epoxy resin composition. In addition, when the resin-sealed semiconductor, in which a large semiconductor device is sealed in a small and thin package, is applied to a Pb free solder process, the crack problem in the package is further increased due to thermal stress caused by temperature and humidity changes in the external environment. At the same time, the incidence of aluminum pad corrosion increases. Accordingly, research for improving the crack resistance and low stress of the epoxy resin composition for sealing semiconductor elements is in progress.
통상의 에폭시수지 봉지재에 있어 내크랙성을 높이기 위해서는 봉지재의 흡습률을 낮추고, 접착강도 및 고온강도를 높이는 방법이 공지되어 있고, 상기 봉지재료의 신뢰성을 높이기 위해서는 저응력화를 위한 충전제 양을 조절하고, 열팽창계수를 낮추거나, 개질제를 첨가함으로서 저탄성화를 이루는 방법 등이 알려져 있다. 즉, 패키지 열응력을 낮추기 위해서는 저응력화에 따른 고충진화 기술(충진재 조합에 따른 High Loading)이 공지되어 있으며, 저 탄성화를 위해서는 각종고무 성분에 의한 수지 조성물의 개질(일본 특개 소63-1894 및 특개 평5-291436)이 검토되고 있으며, 열적 안정성이 우수한 실리콘 중합체를 배합 및 개질시킨 에폭시 수지 성형재료가 폭 넓게 채택되고 있다. 상기 방법에 따르면, 실리콘 오일이 성형재료의 베이스 수지인 에폭시 수지 및 경화제와 상용성이 없기 때문에 기저 수지중에 미립자 분산형태로(해도구조)되므로 내열성을 유지한 채, 저탄성률을 이룰 수 있었다. 그러나, 상기 기술에 따른 조성물을 솔더(Solder)온도를 265℃까지 상승시켜야 하는 무연솔더공정에 적용할 경우, 에폭시 봉지재 및 리드온 칩 과 에폭시 봉지재와의 접착력 저하 및 수증기압의 증대로 패키지 크랙이 발생 신뢰성이 높은 반도체 소자를 얻기가 어렵다.In the conventional epoxy resin encapsulant, a method of lowering the hygroscopicity of the encapsulant and increasing the adhesive strength and the high temperature strength is known in order to increase the crack resistance, and in order to increase the reliability of the encapsulant material, the amount of filler for lowering the stress is increased. The method of making low elasticity by adjusting, decreasing a thermal expansion coefficient, or adding a modifier is known. In other words, in order to lower the thermal stress of the package, a high filling technology (high loading according to a combination of fillers) according to a low stress is known, and a modification of a resin composition using various rubber components for low elasticity (Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-1894) And Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-291436, an epoxy resin molding material blended and modified with a silicone polymer having excellent thermal stability has been widely adopted. According to the above method, since the silicone oil is incompatible with the epoxy resin and the curing agent, which are the base resins of the molding material, it has a low elastic modulus while maintaining the heat resistance since it is in the form of fine particle dispersion (island structure) in the base resin. However, when the composition according to the above technique is applied to a lead-free solder process in which the solder temperature is raised to 265 ° C., the package cracks due to the decrease in adhesion between the epoxy encapsulant and the lead-on chip and the epoxy encapsulant and the increase in the water vapor pressure. It is difficult to obtain a semiconductor device having high generation reliability.
따라서, 당해 기술분야에는 고온의 무연 솔더공정에 적용할 경우에도 크랙 발생이 거의 없고 소자의 높은 신뢰성을 보장할 수 있는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대한 요구가 있어왔다.Therefore, there is a need in the art for an epoxy resin composition for sealing semiconductor devices that can hardly generate cracks and ensure high reliability of the device even when applied to a high temperature lead-free solder process.
본 발명자들은 상기 문제를 해결하고자 예의 연구한 결과, 에폭시 수지로서, 변성된 디글리시딜 에테르 비스페놀 에폭시 수지를 오르쏘 크레졸 노블락 수지와 함께 사용하고, 경화제로서 이관능성 또는 다관능성의 페놀노블락수지를 페놀수지와 병용하며, 커플링제로서 말단 에폭시기를 가진 알킬알콕시실란 및 말단 이미다졸기를 포함한 알킬알콕시 실란의 혼합물을 사용하여 제조된 에폭시 수지조성물을 반도체 밀봉에 사용할 경우, 패키지 봉지에 있어서 웨이퍼 칩 표면과 에폭시봉지재 사이에 발생하는 박리문제를 개선할 수 있고, 솔더온도 265℃이상의 무연 솔더공정에적용시에도 패드면과 칩에 크랙이 발생되지 않으며, 제조된 소자가 높은 신뢰성을 유지할 수 있음을 확인하고, 본 발명에 이르게 되었다. The present inventors have diligently studied to solve the above problems, and as an epoxy resin, a modified diglycidyl ether bisphenol epoxy resin is used in combination with an ortho cresol noblock resin, and a bifunctional or polyfunctional phenol noblock resin as a curing agent. In the case of using an epoxy resin composition used in combination with a phenol resin and a mixture of an alkylalkoxysilane having a terminal epoxy group and an alkylalkoxy silane containing a terminal imidazole group as a coupling agent for semiconductor sealing, the wafer chip surface in the package encapsulation. It is possible to improve the peeling problem between the epoxy encapsulant and the epoxy encapsulant, and to prevent cracks on the pad surface and the chip even when applied to a lead-free solder process with a solder temperature of 265 ° C or higher, and the manufactured device can maintain high reliability. It confirmed and came to this invention.
결론적으로, 본 발명은 기판 표면과의 접착특성 및 경화 후 수지의 기계적 물성이 뛰어나며, 높은 온도의 솔더 공정에서도 크랙발생이 현저히 감소되어 무연 솔더 공정에 유리하게 적용할 수 있으며, 제조된 소자의 높은 신뢰성이 보장되는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다. In conclusion, the present invention is excellent in the adhesive properties to the surface of the substrate and the mechanical properties of the resin after curing, the crack generation is significantly reduced even in the high temperature solder process can be advantageously applied to the lead-free solder process, the high An object of the present invention is to provide an epoxy resin composition for sealing semiconductor elements which is reliable.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 한 측면은 1) 에폭시 수지로서 크레졸 노블락 에폭시 수지 및 특정 구조의 글리시딜 에테르 비스페놀 변성 에폭시 수지; 2) 경화제로서 이관능성 또는 다관능성 페놀수지 및 페놀 노블락 수지; 3) 커플링제로서 말단에 에폭시기를 포함한 알킬 알콕시 실란 및 말단에 이미다졸기를 포함한 알킬 알콕시 실란; 4) 잠재성 경화촉매; 5) 상기 잠재성 경화촉매의 보조촉매; 6) 난연제; 및, 7) 무기충전제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.One aspect of the present invention for achieving the above object is 1) a cresol noblel epoxy resin and a glycidyl ether bisphenol-modified epoxy resin of a specific structure as an epoxy resin; 2) difunctional or polyfunctional phenolic resins and phenol noblock resins as curing agents; 3) alkyl alkoxy silanes containing epoxy groups at the terminals and alkyl alkoxy silanes containing imidazole groups at the terminals as coupling agents; 4) latent curing catalysts; 5) cocatalyst of the latent curing catalyst; 6) flame retardants; And, 7) relates to an epoxy resin composition for sealing semiconductor elements containing an inorganic filler.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지로서 크레졸 노블락 에폭시 수지이외에 하기 화학식 1의 글리시딜 에테르 비스페놀 변성 에폭시 수지를 포함한다:The epoxy resin composition according to the present invention comprises a glycidyl ether bisphenol-modified epoxy resin of the following general formula (1) in addition to the cresol noblock epoxy resin as an epoxy resin:
(상기 식에서, R은 수소원자 또는 메틸기이고, G는 글리시딜기이며, n은 0 내지 3의 정수이다).(Wherein R is a hydrogen atom or a methyl group, G is a glycidyl group and n is an integer of 0 to 3).
본 발명자의 연구에 따르면, 상기 비스페놀 변성 에폭시 수지는 옥시란 고리가 한 분자내에 최소한 2개 이상 존재하므로, 구조상 종래 수지 조성물에 비해 높은 탄성률을 유지하면서도, 탄성율 향상에 따른 저수축률 및 크랙발생 증가의 문제를 효과적으로 해결할 수 있다. 상기 비스페놀 변성 에폭시 수지는, 예를 들어, 하기 화학식 2의 디글리시딜 에테르 비스페놀 에폭시 수지를 에피클로로히드린 등 옥시란기를 포함한 화합물로 반응시켜 제조할 수 있으며, 바람직하게는 에폭시 당량이 200 내지 360인 고순도 에폭시 수지이다:According to the research of the present inventors, since the bisphenol-modified epoxy resin has at least two oxirane rings in one molecule, while maintaining a high elastic modulus compared to the conventional resin composition in the structure, it is possible to increase the low shrinkage rate and increase in the occurrence of cracks It can solve the problem effectively. The bisphenol-modified epoxy resin, for example, can be prepared by reacting a diglycidyl ether bisphenol epoxy resin of the formula (2) with a compound containing an oxirane group, such as epichlorohydrin, preferably an epoxy equivalent of 200 to It is 360 high purity epoxy resin:
(상기 식에서 R은 수소원자 또는 메틸기이고, G는 글리시딜기이며, n은 0 내지 3의 정수이다).(Wherein R is a hydrogen atom or a methyl group, G is a glycidyl group and n is an integer of 0 to 3).
본 발명에 따른 에폭시 수지조성물에서 에폭시 수지로써 사용되는 크레졸 노블락 에폭시 수지와 디글리시딜 에테르 비스페놀 변성 에폭시 수지의 혼합비 (중량 기준)는 80:20 내지 20:80 이다. 혼합 에폭시수지는 전체 조성물의 중량을 기준으로 5 내지 16 중량%의 양으로 존재한다.The mixing ratio (by weight) of the cresol noblock epoxy resin and the diglycidyl ether bisphenol-modified epoxy resin used as epoxy resin in the epoxy resin composition according to the present invention is 80:20 to 20:80. Mixed epoxy resins are present in amounts of from 5 to 16% by weight, based on the weight of the total composition.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 2) 경화제로서 하기 화학식 3의 다관능성 페놀수지 및 하기 화학식 4의 페놀 노블락 수지를 포함한다:The epoxy resin composition according to the present invention includes 2) a polyfunctional phenol resin represented by the following Chemical Formula 3 and a phenol noblel resin represented by the following Chemical Formula 4 as a curing agent:
(상기 식에서, n은 0 내지 4의 정수이다); 및,(Wherein n is an integer of 0 to 4); And,
(상기 식에서 n은 0 내지 4의 정수이다).(Where n is an integer of 0 to 4).
다관능성 페놀 수지는 전체 조성물의 중량을 기준으로 2 내지 4 중량%의 양으로 사용하며, 페놀 노블락 수지는 2 내지 5 중량%의 양으로 사용한다.The polyfunctional phenolic resin is used in an amount of 2 to 4% by weight based on the weight of the total composition, and the phenol noblock resin is used in an amount of 2 to 5% by weight.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 커플링제로서 말단에 에폭시기를 포함한 알킬 알콕시 실란 및 말단에 이미다졸기를 포함한 알킬 알콕시 실란을 포함한다. 바람직하게는, 말단에 에폭시기를 포함한 알킬 알콕시 실란으로서 γ-글리시톡시 프로필렌 메톡시 실란, γ-글리시톡시 프로필렌 에톡시 실란, γ-글리시톡시 브틸렌메톡시 실란, β-(3,4에폭시싸이클로 헥실)에틸렌메톡시 실란 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있고, 말단기가 이미다졸로 치환된 알킬알콕시 실란은 하기 화학식 5의 화합물을 단독으로 또는 조합하여 사용한다:The epoxy resin composition according to the present invention contains an alkyl alkoxy silane containing an epoxy group at the terminal and an alkyl alkoxy silane containing an imidazole group at the terminal as a coupling agent. Preferably, γ-glycithoxy propylene methoxy silane, γ-glycithoxy propylene ethoxy silane, γ-glycithoxy butylenemethoxy silane, β- (3,4 epoxy) as alkyl alkoxy silanes containing an epoxy group at the terminal Cyclohexyl) ethylenemethoxy silane or mixtures thereof may be used, and alkylalkoxy silanes in which the end group is substituted with imidazole are used alone or in combination with a compound of formula (5):
(상기 식에서, R1, R2, R3, 및 R4는 각각 서로 독립적으로, 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, n은 1 내지 3의 정수이다).(Wherein R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are each independently of each other hydrogen or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, n is an integer of 1 to 3).
성분 1) 의 디글리시딜 에테르 비스페놀 변성 에폭시 수지와 함께, 상기 2 종이상의 커플링제 혼합물을 사용할 경우, 웨이퍼 칩 표면과 봉지 재료간 접착특성이 크게 향상되고, 높은 솔더온도에서도 패키지 크랙이 발생하지 않으며, 제조된 소자의 신뢰성이 높아진다. 상기 커플링제 혼합물의 사용비는, 말단 에폭시기 포함 알킬 알콕시실란을 100중량부에 대하여 이미다졸계 알킬 알콕시 실란을 5∼60중량부로 사용하는데, 상기 이미다졸계 알킬 알콕시 실란의 사용량이 5 중량부 미만일 경우에는 칩 사이의 박리 개선효과가 없으며 60 중량부 초과일경우에는 작업상 게이트 버(Degate burr)문제를 발생시킬수 있다. 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위내에서 멀켑토 또는 아민기로 치환된 커플링제를 혼용하여 사용할 수 있다. 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물에서 3) 커플링제의 함량은 전체 조성물의 중량을 기준으로 0.2 내지 2.0 중량%이다.With the diglycidyl ether bisphenol-modified epoxy resin of component 1), when the above two paper-based coupling agent mixture is used, the adhesion property between the wafer chip surface and the encapsulation material is greatly improved, and package cracking does not occur even at high solder temperature. In addition, the reliability of the manufactured device is increased. The use ratio of the coupling agent mixture is 5 to 60 parts by weight of imidazole alkyl alkoxy silane based on 100 parts by weight of the alkyl alkoxysilane containing terminal epoxy group, the amount of the imidazole alkyl alkoxy silane is less than 5 parts by weight In this case, there is no effect of improving peeling between chips, and when it is more than 60 parts by weight, it may cause a problem of operation of gate burr. A coupling agent substituted with a multo-to or amine group can be used in combination within the range of not impairing the object of the present invention. 3) The content of the coupling agent in the epoxy resin composition according to the present invention is 0.2 to 2.0% by weight based on the total weight of the composition.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 경화속도를 조절하기 위해 4) 잠재성 경화촉매를 사용한다. 4) 잠재성 경화촉매로서 사용가능한 화합물의 예는 이소시아트 이미다졸과 같은 이소시아네이트계 잠재성 경화촉매, 테트라페닐 포스포늄 네트라 페닐 보레이트, 트리페닐포스핀 테트라페닐 보레이트, 및 테트라페닐 보레이트를 포함한다. 4) 잠재성 경화촉매의 함량은 전체 수지 조성물의 중량을 기준으로 0.05 내지 0.40 중량% 이다.The epoxy resin composition according to the present invention uses 4) a latent curing catalyst to control the curing rate. 4) Examples of compounds which can be used as latent curing catalysts include isocyanate-based latent curing catalysts such as isocyanate imidazole, tetraphenyl phosphonium netra phenyl borate, triphenylphosphine tetraphenyl borate, and tetraphenyl borate do. 4) The content of the latent curing catalyst is 0.05 to 0.40% by weight based on the weight of the entire resin composition.
상기 잠재성 경화 촉매를 단독사용하는 경우, 소망하는 경화특성을 얻기 어렵기 때문에 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 5) 경화 보조촉매를 함께 사용한다. 사용가능한 보조촉매의 예는 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 디메틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀, 트리페닐포스핀, 디페닐포스핀, 페닐포스핀과 같은 아민계 화합물 또는 포스핀계 유기화합물이다. 상기 화합물은 단독으로 또는 2 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 5) 경화 보조촉매의 사용량은 전체 조성물의 중량을 기준으로 0.01 내지 0.2 중량%이다.When the latent curing catalyst is used alone, it is difficult to obtain desired curing characteristics, so the epoxy resin composition according to the present invention uses 5) curing cocatalysts together. Examples of cocatalysts that can be used are amine compounds or phos such as benzyldimethylamine, triethanolamine, triethylenediamine, dimethylaminoethanol, tri (dimethylaminomethyl) phenol, triphenylphosphine, diphenylphosphine, phenylphosphine It is a fin organic compound. The compounds may be used alone or in combination of two or more. 5) The amount of the curing cocatalyst is 0.01 to 0.2% by weight based on the total weight of the composition.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 난연성을 가지기 위해 6) 난연제를 포함할 수 있다. 6) 난연제로서 바람직하게는 에폭시 당량이 250 내지 400이고 브롬함량이 난연 에폭시를 기준으로 브롬함량이 35 내지 50 중량%인 폴리글리시딜에테르 브롬화 페놀 에폭시 수지와 삼산화안티몬을 혼합하여 사용한다. 6) 난연제의 사용량은 난연 UL 94 V-0의 규격을 만족하는 범위내에서 신뢰성 향상을 위해 전제 조성물의 중량을 기준으로 0.1 내지 2 중량%로 사용한다. 난연제가 상기 범위를 초과하는 경우, 고온고압 다습의 환경하에 불순물 이온에 의한 칩부식으로 신뢰성 저하가 커서 바람직하지 않다.The epoxy resin composition according to the present invention may include a flame retardant 6) to have flame retardancy. 6) As the flame retardant, a polyglycidyl ether brominated phenol epoxy resin having an epoxy equivalent weight of 250 to 400 and a bromine content of 35 to 50% by weight based on the flame retardant epoxy is mixed with antimony trioxide. 6) The flame retardant is used in an amount of 0.1 to 2% by weight based on the weight of the entire composition for improving reliability within the range of satisfying the specifications of flame retardant UL 94 V-0. When the flame retardant exceeds the above range, the deterioration in reliability due to chip corrosion by impurity ions under an environment of high temperature, high pressure and humidity is not preferable because it is large.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 고충진화된 무기충전제를 사용함으로써 흡습률 및 열팽창계수를 낮추는데에 기여토록 하고 기계적 강도를 향상시켜 우수한 반도체 성형특성 및 높은 신뢰성을 보장하도록 하였다. 보다 구체적으로 7) 무기충전제는 평균 입경 0.1 내지 35.0 ㎛인 용융 또는 합성 실리카를 전체 조성물을 기준으로 70 내지 91 중량%의 양으로 사용한다. 바람직하게는 70 내지 90.64 중량%, 보다 바람직하게는 70 내지 90 중량%의 양으로 사용한다. 무기충전제의 사용량이 70 중량% 미만인 경우, 충분한 강도를 제공할 수 없고 충분히 낮은 열팽창계수를 유지할 수 없으며, 수분 침투가 쉬워져 신뢰성이 좋지 않다. 한편, 무기충전제 사용량이 91 중량% 초과인 경우, 수지의 유동특성이 나빠져서 성형성이 좋지 않다.The epoxy resin composition according to the present invention contributes to lowering the moisture absorption rate and the coefficient of thermal expansion by using a highly filled inorganic filler and improves mechanical strength to ensure excellent semiconductor molding properties and high reliability. More specifically, 7) the inorganic filler is used in the amount of 70 to 91% by weight of fused or synthetic silica having an average particle diameter of 0.1 to 35.0 ㎛. It is preferably used in an amount of 70 to 90.64% by weight, more preferably 70 to 90% by weight. When the amount of the inorganic filler is less than 70% by weight, it is not possible to provide sufficient strength, maintain a sufficiently low coefficient of thermal expansion, and easily penetrate moisture, resulting in poor reliability. On the other hand, when the amount of the inorganic filler used is more than 91% by weight, the flow characteristics of the resin deteriorate and moldability is not good.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 상기 성분 1) 내지 7) 이외에, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위내에서, 고급지방산, 천연지방산, 파라핀계왁스, 또는 에스테르계왁스의 이형제; 카본블랙; 유·무기 염료의 착색제; 가교증진제; 난연보조제; 및 레벨링제로 이루어진 군으로부터 선택된 1 또는 2 이상의 8) 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.In addition to the components 1) to 7), the epoxy resin composition according to the present invention may be a release agent of a higher fatty acid, a natural fatty acid, a paraffin wax, or an ester wax within a range that does not impair the object of the present invention; Carbon black; Coloring agents of organic and inorganic dyes; Crosslinking enhancers; Flame retardant aids; And one or two or more 8) additives selected from the group consisting of leveling agents.
상기 에폭시 수지 조성물은 소정의 배합량을 헨셀 믹서 또는 뢰디게 믹서로 균일 분쇄 및 혼합하여 1차 분말상 제조물을 수득하고, 이어서 롤밀 또는 혼련기로 85 내지 120℃의 온도에서 10분 이내로 용융, 혼련한 뒤 냉각 및 분쇄하여 제조한다.The epoxy resin composition is uniformly pulverized and mixed with a predetermined amount in a Henschel mixer or a Lodige mixer to obtain a primary powdered product, which is then melted and kneaded in a roll mill or kneader at a temperature of 85 to 120 ° C. within 10 minutes and then cooled. And milling.
[실시예]EXAMPLE
이하, 구체적인 실시예 및 비교예를 가지고 본 발명의 구성 및 효과를 보다 상세히 설명하지만, 이들 실시예는 단지 본 발명을 보다 명확하게 이해시키기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.Hereinafter, the structure and effect of the present invention will be described in more detail with specific examples and comparative examples, but these examples are only intended to more clearly understand the present invention, and are not intended to limit the scope of the present invention.
제조예 : Example of manufacture :
둥근 사구 플라스크 반응관에 디글리시딜 이써 비스페놀에이 (분자량 228) 1.0몰과 에피클로하이드린 2.0몰을 넣은후 반응온도 130∼220℃에서 2-메틸이미다졸 수용액 0.02몰을 플라스크내에 서서히 적하시키면서 질소분위기 하에서 6시간 반응시킨 후 10℃ 이하로 냉각하여 50% 수산화나트륨 용액을 투입하였다. 이때 온도는 10℃ 미만으로 유지하여 4시간정도 반응시켰다. 이렇게 하여 얻어진 제조물에 메탄올과 물 혼합 수용액을 넣은 후 강력교반을 통해 정제하고, 건조공정을 통하여 당량 300의 디글리시딜 이써 비스페놀 변성 에폭시수지를 제조하였다.1.0 mol of diglycidyl ether bisphenol A (molecular weight 228) and 2.0 mol epiclohydrin were added to a round-necked flask reaction tube, and then 0.02 mol of 2-methylimidazole aqueous solution was slowly added dropwise into the flask at a reaction temperature of 130 to 220 ° C. After reacting for 6 hours under nitrogen atmosphere while cooling to 10 ° C. or less, 50% sodium hydroxide solution was added thereto. At this time, the temperature was kept below 10 ℃ and reacted for about 4 hours. The mixture thus obtained was added with a mixture of methanol and water, and purified through strong stirring. A diglycidyl ether bisphenol-modified epoxy resin having an equivalent weight of 300 was prepared through a drying process.
실시예 1 내지 3 :Examples 1 to 3:
상기에서 제조된 디글리시딜 에테르 비스페놀에이 변성수지를 사용하여 하기 표 1 의 조성으로 배합하고 헨셀믹서를 이용하여 균일하게 분쇄, 혼합하여 1차 분말 제조물을 얻은 다음, 롤밀을 이용하여 100℃에서 약 10분이내로 용융혼련한 뒤 냉각, 분쇄과정을 거쳐 에폭시 봉지 조성물을 제조하였다 :Using the diglycidyl ether bisphenol-A modified resin prepared above in the composition shown in Table 1 below, and uniformly ground and mixed using a Henschel mixer to obtain a primary powder product, using a roll mill at 100 ℃ After melting and kneading in about 10 minutes, the mixture was cooled and ground to prepare an epoxy encapsulation composition:
주: 1) 일본화약: EOCN-1020-65; 2)상기 제조예의 디글리시딜이써비-페놀변성에폭시; 3) 일본화약: Bren-S; 4) SHIKOKU (四國화학) : 2,4-디아미노-6-(2-2-메틸-1-이미다졸)에틸-1,3,5-트리아진; 5) 커플링제 1: γ-글리시톡시 프로필렌 메톡시 실란; 6) 커플링제 2: 이미다졸계 실란; 7) 커플링제 3 : γ-머켑토프로필렌메톡시실란.Note: 1) Japanese gunpowder: EOCN-1020-65; 2) the diglycidyl ether non-phenol-modified epoxy of the said preparation example; 3) Japanese gunpowder: Bren-S; 4) SHIKOKU (四 國 chemical): 2,4-diamino-6- (2-2-methyl-1-imidazole) ethyl-1,3,5-triazine; 5) Coupling Agent 1: γ-glycithoxy propylene methoxy silane; 6) coupling agent 2: imidazole silane; 7) Coupling agent 3: γ-mercetopropylene methoxysilane.
수득한 에폭시 수지 조성물에 대하여 물성 및 신뢰성을 평가하여 이를 하기 표 3 및 표 4에 나타내었다.The physical properties and the reliability of the obtained epoxy resin composition were evaluated and shown in Tables 3 and 4 below.
비교예 1 내지 3 :Comparative Examples 1 to 3:
하기 표 2에 나타난 조성으로 배합한 것을 제외하고는 상기 실시예와 동일한 방법으로 조성물을 제조하였다:To prepare a composition in the same manner as in Example except that it was formulated with the composition shown in Table 2 below:
주: 1) ~ 7) : 표 1과 같음Note: 1) ~ 7): Same as Table 1
수득한 에폭시 수지 조성물에 대해서 물성 및 신뢰성을 평가하여 이를 하기 표 3 및 4에 나타내었다.The physical properties and the reliability of the obtained epoxy resin composition were evaluated and shown in Tables 3 and 4 below.
「물성 평가방법」Physical property evaluation method
㉠ 스파이럴 플로우(Spiral Flow) : EMMI규격을 기준으로 금형을 제작하여 성형온도(175℃), 성형압력 70Kgf/cm2에서 유동길이를 평가함.럴 Spiral Flow: The mold is manufactured on the basis of EMMI standard, and the flow length is evaluated at molding temperature (175 ℃) and molding pressure of 70Kgf / cm 2 .
㉡ 유리전이온도(Tg) 및 열팽창계수: TMA(Thermal mechanical Analyser)로 평가함(승온속도 10℃/min).㉡ Glass transition temperature (Tg) and coefficient of thermal expansion: evaluated by TMA (Thermal mechanical Analyser) (heating rate 10 ℃ / min).
㉢ 부착력 : 리드프레임(Copper Lead Frame)와 에폭시 봉지재와의 인장력 측정 (UTM 이용).㉢ Adhesion: Measurement of tensile force between copper lead frame and epoxy encapsulant (using UTM).
㉣ 난연성 : UL 94 수직시험으로 1/16inch를 기준으로 함. 시편에 불꽃을 10초간 접촉시킨 후 불꽃이 꺼지면 다시 10초간 불꽃을 접촉시키는 시험 5회 수행.㉣ Flame retardant: UL 94 vertical test based on 1 / 16inch. After the flame has been in contact with the specimen for 10 seconds, once the flame has been extinguished, test five times for another 10 seconds.
「신뢰성, 박리 및 내크랙성 평가」`` Reliability, Peeling and Crack Resistance Evaluation ''
우선, Small Outline Package 형 반도체 소자를 MPS (Multi Plunger System)성형기를 이용하여 175(℃)에서 90초간 성형시킨 후, 175℃ 4시간 후경화후 아이알(IR) REFLOW 온도를 265℃로하여 3회 진행후 초음파(C-SAM)설비를 이용 리드프레임및 리드온(lead-on chip) 칩과 에폭시 봉지재 사이의 계면을 초음파(C-SAM)설비로 ◎키지 크랙을 검사하여 총 시험한 반도체 소자수에 대한 크랙발생한 반도체 소자수로 박리 평가를 하였다. 냉열충격시험기(Thermal Shock Tester)로 고온 165℃ 및 저온 -65℃에서 각각 10분간 각각 50, 150, 200 Cycle 가혹시험을 수행하고 였다.First, a small outline package type semiconductor device was molded at 175 ° C. for 90 seconds using an MPS (Multi Plunger System) molding machine, and then cured after 4 hours at 175 ° C., three times with IR REFLOW temperature of 265 ° C. After the process, the interface between the lead frame, lead-on chip, and epoxy encapsulant using the ultrasonic wave (C-SAM) facility is examined. Peeling evaluation was performed by the number of cracked semiconductor elements with respect to the number. 50, 150, and 200 Cycle harsh tests were performed using a Thermal Shock Tester at a high temperature of 165 ° C. and a low temperature of −65 ° C. for 10 minutes, respectively.
상기 표 3 및 4로부터 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물을 이용하였을 경우, 에폭시 봉지재와 리드온 칩 및 리드 프레임간의 접착특성이 월등이 좋았으며, 신뢰성도 우수하였다.As can be seen from Tables 3 and 4, when the epoxy resin composition according to the present invention was used, the adhesion properties between the epoxy encapsulant, the lead-on chip and the lead frame were excellent, and the reliability was excellent.
본 발명에 따른 에폭시 수지조성물을 사용하면 반도체 소자 봉지공정에서 웨이퍼 칩 표면과 에폭시봉지재 사이에 발생하는 박리문제를 개선할 수 있고, 우수한 기계적 물성, 절연특성 및 흡습특성을 가지며, 솔더온도 265℃이상의 무연(Pb Free) 솔더공정에 적용하는 경우에도 패드면과 칩에 발생하는 크랙이 거의 발생하지 않으며, 제조된 소자의 높은 신뢰성이 보장될 수 있다.By using the epoxy resin composition according to the present invention, it is possible to improve the peeling problem occurring between the wafer chip surface and the epoxy encapsulant in the semiconductor element encapsulation process, and have excellent mechanical properties, insulation properties and hygroscopic properties, and solder temperature of 265 ° C. Even when applied to the Pb free solder process, cracks hardly occur on the pad surface and the chip, and high reliability of the manufactured device can be guaranteed.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030090688A KR100585945B1 (en) | 2003-12-12 | 2003-12-12 | Epoxy Resin Composition for Encapsulation of Semiconductor Device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030090688A KR100585945B1 (en) | 2003-12-12 | 2003-12-12 | Epoxy Resin Composition for Encapsulation of Semiconductor Device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050058727A true KR20050058727A (en) | 2005-06-17 |
KR100585945B1 KR100585945B1 (en) | 2006-06-01 |
Family
ID=37252049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030090688A KR100585945B1 (en) | 2003-12-12 | 2003-12-12 | Epoxy Resin Composition for Encapsulation of Semiconductor Device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100585945B1 (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006012839A1 (en) * | 2006-03-21 | 2007-09-27 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Paint composition, in particular corrosion protection varnish for rare earth permanent magnets |
KR101128381B1 (en) * | 2010-04-27 | 2012-03-23 | 주식회사 케이씨씨 | Epoxy resin composition for preventing warpage of a substrate for POP type package |
KR101279967B1 (en) * | 2008-12-31 | 2013-07-05 | 제일모직주식회사 | Adhesive composition for attaching semiconductor chip and semiconductor device using the same |
US9670309B2 (en) | 2012-07-06 | 2017-06-06 | Korea Institute Of Industrial Technology | Novolac-based epoxy compound, production method for same, composition and cured article comprising same, and use for same |
US11840601B2 (en) | 2019-11-15 | 2023-12-12 | Korea Institute Of Industrial Technology | Composition of alkoxysilyl-functionalized epoxy resin and composite thereof |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100833567B1 (en) | 2006-12-15 | 2008-05-30 | 제일모직주식회사 | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and the semiconductor device using the same |
KR101266542B1 (en) | 2009-08-18 | 2013-05-23 | 제일모직주식회사 | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device package using the same |
-
2003
- 2003-12-12 KR KR1020030090688A patent/KR100585945B1/en not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE102006012839B4 (en) * | 2006-03-21 | 2008-05-29 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Lacquer composition and its use |
KR101279967B1 (en) * | 2008-12-31 | 2013-07-05 | 제일모직주식회사 | Adhesive composition for attaching semiconductor chip and semiconductor device using the same |
KR101128381B1 (en) * | 2010-04-27 | 2012-03-23 | 주식회사 케이씨씨 | Epoxy resin composition for preventing warpage of a substrate for POP type package |
US9670309B2 (en) | 2012-07-06 | 2017-06-06 | Korea Institute Of Industrial Technology | Novolac-based epoxy compound, production method for same, composition and cured article comprising same, and use for same |
US11840601B2 (en) | 2019-11-15 | 2023-12-12 | Korea Institute Of Industrial Technology | Composition of alkoxysilyl-functionalized epoxy resin and composite thereof |
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---|---|
KR100585945B1 (en) | 2006-06-01 |
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