KR102547451B1 - Film for stacking transparent conductive layer, method of manufacturing the same and transparent conductive film - Google Patents
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Abstract
(과제) 투명 도전막의 패턴을 시인하기 어렵게 하는 것이 가능하고, 투명 도전막의 저항값을 원하는 값으로 설정할 수 있으며, 저굴절률층의 표면에 배선 등을 형성할 때의 가공성이 우수한 투명 도전막 적층용 필름, 및 그것을 사용하여 제조되는 투명 도전성 필름을 제공한다.
(해결수단) 투명 플라스틱 기재 (2) 와, 상기 투명 플라스틱 기재 (2) 의 적어도 한쪽 면측에 형성된 저굴절률층 (4) 을 구비한 투명 도전막 적층용 필름 (1) 으로서, 상기 저굴절률층 (4) 의 굴절률이 1.30 ∼ 1.50 이고, 상기 저굴절률층 (4) 에 있어서의 표면적 증가율이 5 % 이하이고, 상기 저굴절률층 (4) 의 표면 자유 에너지가 25.0 ∼ 100 mJ/㎡ 이고, 상기 저굴절률층 (4) 의 두께가 2 ∼ 70 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 투명 도전막 적층용 필름 (1).(Problem) For lamination of a transparent conductive film that makes it difficult to visually recognize the pattern of the transparent conductive film, can set the resistance value of the transparent conductive film to a desired value, and has excellent workability when forming wiring or the like on the surface of the low refractive index layer. A film and a transparent conductive film produced using the same are provided.
(Solution) A transparent conductive film lamination film (1) comprising a transparent plastic substrate (2) and a low refractive index layer (4) formed on at least one side of the transparent plastic substrate (2), wherein the low refractive index layer ( 4) has a refractive index of 1.30 to 1.50, a surface area increase rate in the low refractive index layer 4 is 5% or less, and a surface free energy of the low refractive index layer 4 is 25.0 to 100 mJ/m 2 ; A film (1) for laminating transparent conductive films, characterized in that the refractive index layer (4) has a thickness of 2 to 70 nm.
Description
본 발명은 투명 도전막 적층용 필름, 당해 필름의 제조 방법 및 당해 필름을 사용하여 제조되는 투명 도전성 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a film for lamination of transparent conductive films, a method for producing the film, and a transparent conductive film manufactured using the film.
화상 표시부에 직접 접촉함으로써 정보를 입력할 수 있는 터치 패널은 빛을 투과하는 입력 장치를 각종 디스플레이 상에 배치하고 있는 것으로, 대표적인 형식으로는 저항막식 터치 패널이나 정전 용량식 터치 패널을 들 수 있다.A touch panel capable of inputting information by directly contacting an image display unit is one in which light-transmitting input devices are disposed on various displays, and representative types include a resistive touch panel and a capacitive touch panel.
이들 터치 패널에서는, 주석 도프 산화인듐 (ITO) 등으로 이루어지는 투명 도전막이 투명 플라스틱 기재 상에 적층된 투명 도전성 필름이 사용되는 경우가 있다.In these touch panels, a transparent conductive film in which a transparent conductive film made of tin-doped indium oxide (ITO) or the like is laminated on a transparent plastic substrate may be used.
정전 용량식 터치 패널에 있어서는, 손가락의 터치 위치를 검지하기 위해, 투명 도전막이 적층된 후, 라인 형상으로 패턴화된 투명 도전성 필름 2 장이, 상기 투명 도전막이 서로 크로스하여 격자 형상이 되도록 배치된다. 이렇게 해서 얻어지는 정전 용량식 터치 패널에는 투명 도전막이 적층된 지점과 적층되어 있지 않은 지점이 존재하여, 투명 도전막의 유무에 의해 반사율이나 투과율이 다르기 때문에, 2 장의 투명 도전성 필름에 의해 형성되는 투명 도전막의 격자상 패턴이 인식되어, 결과적으로 디스플레이로서의 시인성을 저하시켜 버리는 문제가 있다.In a capacitive touch panel, in order to detect the touch position of a finger, after transparent conductive films are laminated, two transparent conductive films patterned in a line are arranged so that the transparent conductive films cross each other to form a lattice shape. In the capacitive touch panel obtained in this way, there are points where the transparent conductive film is laminated and points where the transparent conductive film is not laminated, and the reflectance and transmittance are different depending on the presence or absence of the transparent conductive film. A lattice-like pattern is recognized, and as a result, there is a problem of lowering visibility as a display.
이 격자상 패턴, 즉 투명 도전막이 적층된 부분을 시인하기 어렵게 하기 위해서, 투명 기재 필름 (투명 플라스틱 기재) 상에 고굴절률층, 저굴절률층 및 투명 도전막을 순서대로 적층하여 이루어지는 투명 도전성 필름이 제안되어 있다 (특허문헌 1 및 2 참조).In order to make it difficult to visually recognize this lattice pattern, that is, the portion where the transparent conductive film is laminated, a transparent conductive film formed by sequentially stacking a high refractive index layer, a low refractive index layer and a transparent conductive film on a transparent substrate film (transparent plastic substrate) is proposed. has been done (see Patent Documents 1 and 2).
특허문헌 1 에 기재된 투명 도전성 필름에서는 원하는 굴절률을 얻기 위해서, 투명 플라스틱 기재 상에, 10 질량부의 열가소성 수지와 12.24 질량부의 산화티탄을 함유하는 조성물을 사용하여 고굴절률층을 형성하고, 그 위에 10 질량부의 활성 에너지 경화형 수지와 100 질량부의 중공 (中空) 실리카 졸을 함유하는 조성물을 사용하여 저굴절률층을 형성하고 있다 (특허문헌 1 의 단락 0066, 0069 및 0071). 그러나 이러한 투명 도전성 필름에서는, 투명 도전막의 저항값이 원하는 것보다도 높은 값이 되어 버린다.In the transparent conductive film described in Patent Document 1, in order to obtain a desired refractive index, a high refractive index layer is formed on a transparent plastic substrate using a composition containing 10 parts by mass of a thermoplastic resin and 12.24 parts by mass of titanium oxide, and 10 parts by mass of titanium oxide is formed thereon. A low refractive index layer is formed using a composition containing a part active energy curable resin and 100 parts by mass of a hollow silica sol (paragraphs 0066, 0069 and 0071 of Patent Document 1). However, in such a transparent conductive film, the resistance value of the transparent conductive film becomes a value higher than desired.
또한, 특허문헌 2 에 기재된 투명 도전성 필름에서는 원하는 굴절률을 얻기 위해서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에, 58 질량부의 중합성 모노머와 37 질량부의 중합성 올리고머를 함유하는 조성물을 사용하여 하드코트층을 형성하고, 그 위에 고굴절률 수지를 함유하는 조성물을 사용하여 고굴절률층을 형성하고, 그 위에 60 질량부의 중합성 모노머와 35 질량부의 함불소 화합물을 함유하는 조성물을 사용하여 저굴절률층을 형성하고 있다 (특허문헌 2 의 단락 0113, 0115, 0118 및 0125 ∼ 0126). 그러나 이러한 투명 도전성 필름에서는, 저굴절률층에 있어서의 고굴절률층과는 반대측의 면에 은의 배선 등을 형성하기 위한 은 페이스트를 도공할 때, 뭉침이 발생하거나, 형성된 은 배선의 당해 면에 대한 밀착성이 저하되기도 한다. 그리고 저굴절률층의 당해 면에 점착재를 첩합 (貼合) 하는 경우에도, 당해 면과 점착재와의 밀착성이 불충분해진다.Further, in the transparent conductive film described in Patent Document 2, in order to obtain a desired refractive index, a hard coat layer is formed on a polyethylene terephthalate film using a composition containing 58 parts by mass of a polymerizable monomer and 37 parts by mass of a polymerizable oligomer, , A high refractive index layer is formed using a composition containing a high refractive index resin thereon, and a low refractive index layer is formed thereon using a composition containing 60 parts by mass of a polymerizable monomer and 35 parts by mass of a fluorine-containing compound ( Paragraphs 0113, 0115, 0118 and 0125 to 0126 of Patent Document 2). However, in such a transparent conductive film, when applying silver paste for forming silver wiring or the like on the surface opposite to the high refractive index layer in the low refractive index layer, clumping occurs, or the formed silver wiring has poor adhesion to the surface. this may also decrease. Also, when an adhesive is bonded to the surface of the low refractive index layer, adhesion between the surface and the adhesive becomes insufficient.
본 발명은 상기 실상을 감안하여 이루어진 것으로, 투명 도전막의 패턴을 시인하기 어렵게 하는 것이 가능하고, 투명 도전막의 저항값을 원하는 값으로 설정할 수 있으며, 저굴절률층의 표면에 배선 등을 형성할 때의 가공성이 우수한 투명 도전막 적층용 필름, 당해 필름의 제조 방법 및 당해 필름을 사용하여 제조되는 투명 도전성 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 본 명세서에 있어서 저굴절률층의 「표면」이란, 특별히 언급이 없는 한, 저굴절률층에 있어서의 투명 플라스틱 기재 또는 고굴절률층과는 반대측의 면을 의미한다.The present invention has been made in view of the above reality, and it is possible to make it difficult to visually recognize the pattern of the transparent conductive film, it is possible to set the resistance value of the transparent conductive film to a desired value, and it is possible to form a wiring or the like on the surface of the low refractive index layer. An object of the present invention is to provide a transparent conductive film lamination film having excellent workability, a method for producing the film, and a transparent conductive film produced using the film. In addition, in this specification, the "surface" of a low-refractive-index layer means the surface opposite to the transparent plastic substrate in a low-refractive-index layer or a high-refractive-index layer, unless otherwise specified.
상기 목적을 달성하기 위해서, 첫째로 본 발명은, 투명 플라스틱 기재와, 상기 투명 플라스틱 기재의 적어도 한쪽 면측에 형성된 저굴절률층을 구비한 투명 도전막 적층용 필름으로서, 상기 저굴절률층의 굴절률이 1.30 ∼ 1.50 이고, 상기 저굴절률층에 있어서의 상기 투명 플라스틱 기재와는 반대측의 면에 있어서, 4.992 ㎛ 사방의 정방형 영역을 임의로 선택하여, 상기 정방형의 한 변에 대응하는 상기 저굴절률층의 상기 면에 있어서의 표면 길이와, 상기 한 변에 직교하는 다른 한 변에 대응하는 상기 저굴절률층의 상기 면에 있어서의 표면 길이와의 곱을 실표면적으로 했을 때, 다음 식 (Ⅰ) In order to achieve the above object, first, the present invention is a film for laminating a transparent conductive film comprising a transparent plastic substrate and a low refractive index layer formed on at least one side of the transparent plastic substrate, wherein the refractive index of the low refractive index layer is 1.30 to 1.50, and on the surface of the low refractive index layer opposite to the transparent plastic substrate, a square region of 4.992 µm square is arbitrarily selected, and on the surface of the low refractive index layer corresponding to one side of the square. When the product of the surface length on the surface of the side and the surface length on the surface of the low refractive index layer corresponding to the other side orthogonal to the side is the real surface area, the following formula (I)
에 의해서 산출되는 표면적 증가율이 5 % 이하이고, 상기 저굴절률층의 표면 자유 에너지가 25.0 ∼ 100 mJ/㎡ 이고, 상기 저굴절률층의 두께가 2 ∼ 70 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 투명 도전막 적층용 필름을 제공한다 (발명 1).For laminating a transparent conductive film, characterized in that the surface area increase rate calculated by A film is provided (Invention 1).
상기 발명 (발명 1) 에서는 저굴절률층의 굴절률이 충분히 낮은 것으로 인해, 투명 도전막의 패턴이 시인되기 어렵다. 또한, 저굴절률층의 두께가 지나치게 두껍지 않은 것으로 인해, 투명 도전막의 패턴의 불가시성이 충분히 확보된다. 또한, 저굴절률층의 표면의 평활성이 충분히 높으며, 그것으로 인해, 당해 표면에 투명 도전막을 적층한 경우에 당해 투명 도전막의 저항값을 원하는 값으로 할 수 있다. 그리고 저굴절률층의 표면 자유 에너지가 충분히 높기 때문에, 저굴절률층의 표면에 은 페이스트를 도공할 때의 뭉침의 발생이 억제되어, 당해 표면과 은 배선과의 밀착성도 충분한 것이 된다. 또한, 당해 표면에 점착재를 첩합하는 경우에도, 당해 표면과 점착재와의 밀착성이 충분한 것이 된다.In the above invention (invention 1), since the refractive index of the low refractive index layer is sufficiently low, the pattern of the transparent conductive film is difficult to be visually recognized. In addition, since the thickness of the low refractive index layer is not too thick, the invisibleness of the pattern of the transparent conductive film is sufficiently secured. In addition, the smoothness of the surface of the low refractive index layer is sufficiently high, and therefore, when a transparent conductive film is laminated on the surface, the resistance value of the transparent conductive film can be set to a desired value. Further, since the surface free energy of the low refractive index layer is sufficiently high, occurrence of agglomeration when silver paste is applied to the surface of the low refractive index layer is suppressed, and adhesion between the surface and the silver wiring is also sufficient. Moreover, also when bonding an adhesive material to the said surface, the adhesiveness of the said surface and an adhesive material becomes sufficient.
상기 발명 (발명 1) 에 있어서, 상기 저굴절률층은, 굴절률 조정용 입자를 함유하지 않거나, 상기 저굴절률층을 구성하는 매트릭스 수지 조성물 100 질량부에 대하여 100 질량부 미만의 함유량으로 굴절률 조정용 입자를 함유하는 것이 바람직하다 (발명 2).In the above invention (Invention 1), the low refractive index layer does not contain refractive index adjusting particles or contains refractive index adjusting particles in an amount of less than 100 parts by mass based on 100 parts by mass of the matrix resin composition constituting the low refractive index layer. (invention 2).
상기 발명 (발명 1, 2) 에 있어서, 상기 투명 플라스틱 기재와 상기 저굴절률층의 사이에는, 상기 저굴절률층의 굴절률보다도 큰 굴절률을 갖는 고굴절률층이 개재하는 것이 바람직하다 (발명 3).In the above inventions (Inventions 1 and 2), it is preferable that a high refractive index layer having a refractive index greater than the refractive index of the low refractive index layer is interposed between the transparent plastic substrate and the low refractive index layer (Invention 3).
상기 발명 (발명 3) 에 있어서, 상기 고굴절률층의 굴절률은 1.60 ∼ 1.90 인 것이 바람직하다 (발명 4).In the above invention (Invention 3), it is preferable that the refractive index of the high refractive index layer is 1.60 to 1.90 (Invention 4).
둘째로 본 발명은, 상기 투명 도전막 적층용 필름 (발명 1 ∼ 4) 의 제조 방법으로서, 상기 저굴절률층을 형성할 때에, 상기 저굴절률층을 구성하는 재료를 도공한 후, 30 ∼ 70 ℃ 에서 10 초 ∼ 3 분간 가열 처리하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막 적층용 필름의 제조 방법을 제공한다 (발명 5).Second, the present invention is a method for producing the film for laminating the transparent conductive film (Inventions 1 to 4). When forming the low refractive index layer, after coating the material constituting the low refractive index layer, the temperature is 30 to 70 ° C. (invention 5) a method for producing a film for laminating a transparent conductive film, comprising heat treatment for 10 seconds to 3 minutes.
셋째로 본 발명은, 상기 투명 도전막 적층용 필름 (발명 1 ∼ 4) 과, 상기 저굴절률층에 있어서의 상기 투명 플라스틱 기재와는 반대측의 면측에 적층된 투명 도전막을 구비한 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름을 제공한다 (발명 6).Thirdly, the present invention is transparent, characterized in that the film for laminating the transparent conductive film (Inventions 1 to 4) and the transparent conductive film laminated on the side opposite to the transparent plastic substrate in the low refractive index layer are provided. A conductive film is provided (Invention 6).
상기 발명 (발명 6) 에 있어서, 상기 투명 도전성 필름에 있어서 상기 투명 도전막을 에칭했을 때에, 상기 에칭 전후에서의 파장 400 ㎚ 에 있어서의 반사율 (%) 의 차의 절대값이 9 이하인 것이 바람직하다 (발명 7).In the above invention (Invention 6), when the transparent conductive film is etched in the transparent conductive film, it is preferable that the absolute value of the difference in reflectance (%) at a wavelength of 400 nm before and after the etching is 9 or less ( invention 7).
본 발명에 의하면, 투명 도전막의 패턴을 시인하기 어렵게 하는 것이 가능하고, 투명 도전막의 저항값을 원하는 값으로 설정할 수 있으며, 저굴절률층의 표면에 배선 등을 형성할 때의 가공성이 우수한 투명 도전막 적층용 필름, 당해 필름의 제조 방법 및 당해 필름을 사용하여 제조되는 투명 도전성 필름이 제공된다.According to the present invention, it is possible to make the pattern of the transparent conductive film difficult to visually recognize, the resistance value of the transparent conductive film can be set to a desired value, and the transparent conductive film has excellent processability when forming wiring or the like on the surface of the low refractive index layer. A film for lamination, a method for producing the film, and a transparent conductive film produced using the film are provided.
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관한 투명 도전막 적층용 필름의 단면도이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 관한 투명 도전성 필름의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a film for lamination of a transparent conductive film according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a transparent conductive film according to an embodiment of the present invention.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described.
[투명 도전막 적층용 필름] [Film for lamination of transparent conductive films]
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관한 투명 도전막 적층용 필름의 단면도이다. 본 실시형태에 관한 투명 도전막 적층용 필름 (1) 은, 투명 플라스틱 기재 (2) 와, 투명 플라스틱 기재 (2) 의 한쪽 면 (도 1 에서는 상측) 에 적층된 고굴절률층 (3) 과, 고굴절률층 (3) 에 있어서의 투명 플라스틱 기재 (2) 와는 반대측의 면 (도 1 에서는 상측) 에 적층된 저굴절률층 (4) 으로 이루어진다.1 is a cross-sectional view of a film for lamination of a transparent conductive film according to an embodiment of the present invention. The film 1 for laminating a transparent conductive film according to the present embodiment includes a transparent plastic substrate 2, a high refractive index layer 3 laminated on one side (upper side in FIG. 1) of the transparent plastic substrate 2, It consists of the low refractive index layer 4 laminated|stacked on the surface (upper side in FIG. 1) on the opposite side to the transparent plastic substrate 2 in the high refractive index layer 3.
본 실시형태에 관한 투명 도전막 적층용 필름 (1) 에서는, 저굴절률층 (4) 의 굴절률이 1.30 ∼ 1.50 으로 충분히 낮아, 저굴절률층 (4) 과 저굴절률층 (4) 이 적층되어 있는 층과의 굴절률차가 충분한 것이 되기 때문에, 투명 도전막의 패턴이 시인되기 어렵다. 그리고, 저굴절률층 (4) 의 두께가 2 ∼ 70 ㎚ 로, 당해 두께가 지나치게 두껍지 않음으로써, 투명 도전막의 패턴의 불가시성이 충분히 확보된다. 또한, 저굴절률층 (4) 의 표면적 증가율이 5 % 이하로, 저굴절률층 (4) 의 표면의 평활성이 충분히 높고, 그것으로 인해, 당해 표면에 투명 도전막을 적층한 경우에 당해 투명 도전막의 저항값을 원하는 값으로 할 수 있다. 그리고, 저굴절률층 (4) 의 표면 자유 에너지가 25.0 ∼ 100.0 mJ/㎡ 로 충분히 높기 때문에, 저굴절률층 (4) 의 표면에 은 페이스트 등을 도공하더라도 뭉침의 발생이 억제되고, 또한 당해 표면에 형성된 은 배선의 밀착성도 충분한 것이 된다. 또한, 당해 표면에 점착재를 첩합하는 경우에도, 당해 표면과 점착재와의 밀착성이 충분한 것이 된다.In the film 1 for laminating transparent conductive films according to the present embodiment, the low refractive index layer 4 has a sufficiently low refractive index of 1.30 to 1.50, and the low refractive index layer 4 and the low refractive index layer 4 are laminated. Since the difference in refractive index with and is sufficient, the pattern of the transparent conductive film is difficult to visually recognize. And the thickness of the low-refractive-index layer 4 is 2-70 nm, and the said thickness is not too thick, and the invisibleness of the pattern of a transparent conductive film is fully ensured. In addition, the surface area increase rate of the low refractive index layer 4 is 5% or less, and the smoothness of the surface of the low refractive index layer 4 is sufficiently high. As a result, when a transparent conductive film is laminated on the surface, the resistance of the transparent conductive film You can set the value to any value you want. And, since the surface free energy of the low refractive index layer 4 is sufficiently high, 25.0 to 100.0 mJ/m 2 , even if silver paste or the like is coated on the surface of the low refractive index layer 4, the occurrence of agglomeration is suppressed, and the surface The adhesiveness of the formed silver wiring also becomes sufficient. Moreover, also when bonding an adhesive material to the said surface, the adhesiveness of the said surface and an adhesive material becomes sufficient.
<저굴절률층> <Low refractive index layer>
본 실시형태에 관한 투명 도전막 적층용 필름 (1) 의 저굴절률층 (4) 은 굴절률이 비교적 낮은 층이다. 저굴절률층 (4) 의 굴절률은 1.30 ∼ 1.50 이고, 1.32 ∼ 1.48 인 것이 바람직하며, 특히 1.34 ∼ 1.47 인 것이 바람직하다. 저굴절률층 (4) 의 굴절률이 이러한 범위에 있음으로써, 저굴절률층 (4) 과, 저굴절률층 (4) 이 적층되어 있는 고굴절률층 (3) 또는 투명 플라스틱 기재 (2) 와의 굴절률차가 충분한 것이 되어, 투명 도전막의 패턴을 시인되기 어렵게 할 수 있다. 또한, 저굴절률층 (4) 의 굴절률이 상기 범위에 있으면, 사용할 수 있는 재료 등이 불필요하게 한정되지 않기 때문에, 투명성 등의 다른 특성을 양호하게 할 수 있다. 또, 본 명세서에 있어서의 굴절률은, 실시예에 나타낸 바와 같이 측정한 값이다.The low refractive index layer 4 of the transparent conductive film lamination film 1 according to the present embodiment is a layer having a relatively low refractive index. The refractive index of the low refractive index layer 4 is 1.30 to 1.50, preferably 1.32 to 1.48, particularly preferably 1.34 to 1.47. When the refractive index of the low refractive index layer 4 is within this range, the difference in refractive index between the low refractive index layer 4 and the high refractive index layer 3 on which the low refractive index layer 4 is laminated or the transparent plastic substrate 2 is sufficient. This makes it difficult to visually recognize the pattern of the transparent conductive film. In addition, when the refractive index of the low-refractive-index layer 4 is within the above range, since usable materials and the like are not unnecessarily limited, other properties such as transparency can be improved. In addition, the refractive index in this specification is a value measured as shown in the Example.
본 실시형태에 관한 투명 도전막 적층용 필름 (1) 의 저굴절률층 (4) 의 표면은 비교적 평활성이 높다. 구체적으로는, 저굴절률층에 있어서의 투명 플라스틱 기재 (2) 와는 반대측의 면에 있어서, 4.992 ㎛ 사방의 정방형 영역을 임의로 선택하여, 상기 정방형의 한 변에 대응하는 상기 저굴절률층의 상기 면에 있어서의 표면 길이와, 상기 한 변에 직교하는 다른 한 변에 대응하는 상기 저굴절률층의 상기 면에 있어서의 표면 길이와의 곱을 실표면적으로 했을 때, 다음 식 (Ⅰ)The surface of the low refractive index layer 4 of the film for lamination of transparent conductive films 1 according to the present embodiment has relatively high smoothness. Specifically, on the surface opposite to the transparent plastic substrate 2 in the low refractive index layer, a square area of 4.992 µm square is arbitrarily selected, and on the surface of the low refractive index layer corresponding to one side of the square When the product of the surface length on the surface of the side and the surface length on the surface of the low refractive index layer corresponding to the other side orthogonal to the side is the real surface area, the following formula (I)
에 의해서 산출되는 표면적 증가율이 5 % 이하이고, 4.8 % 이하인 것이 바람직하며, 특히 4.6 % 이하인 것이 바람직하다. 또, 표면적 증가율의 하한값은 0 % 이고, 이 값에 가까운 쪽이 바람직하다. 여기서 표면 길이란, 표면에 존재하는 요철을 더듬어 좇아 측정되는 길이를 의미한다. 본 발명자들은, 저굴절률층 (4) 의 표면의 평활성이 저하될수록, 당해 표면에 적층된 투명 도전막의 저항값이 높아지는 것을 발견하였다. 본 실시형태에 관한 투명 도전막 적층용 필름 (1) 에서는 표면적 증가율이 5 % 이하임으로써, 저굴절률층 (4) 의 표면의 평활성이 충분히 높아져, 당해 표면에 투명 도전막을 적층한 경우에 당해 투명 도전막의 저항값이 낮은 값으로 유지된다. 따라서, 본 실시형태에 관한 투명 도전막 적층용 필름 (1) 을 사용하여 투명 도전성 필름을 제조함으로써, 투명 도전막의 저항값을 원하는 값으로 할 수 있다. 또, 본 명세서에 있어서의 표면적 증가율은 표면 형상의 관찰 및 측정이 가능한 레이저 현미경 등을 사용하여 측정할 수 있고, 구체적인 측정 조건은 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다.The surface area increase rate calculated by is 5% or less, preferably 4.8% or less, and particularly preferably 4.6% or less. Moreover, the lower limit of the surface area increase rate is 0%, and the one closer to this value is preferable. Here, the surface length means a length measured by tracing irregularities existing on the surface. The present inventors have found that the resistance value of the transparent conductive film laminated on the surface increases as the smoothness of the surface of the low refractive index layer 4 decreases. In the transparent conductive film lamination film 1 according to the present embodiment, when the surface area increase rate is 5% or less, the smoothness of the surface of the low refractive index layer 4 is sufficiently high, and the transparent conductive film is laminated on the surface. The resistance value of the conductive film is maintained at a low value. Therefore, the resistance value of the transparent conductive film can be set to a desired value by manufacturing a transparent conductive film using the film 1 for lamination of the transparent conductive film according to the present embodiment. In addition, the surface area increase rate in this specification can be measured using a laser microscope etc. which can observe and measure a surface shape, and specific measurement conditions are as showing the test example mentioned later.
본 실시형태에 관한 투명 도전막 적층용 필름 (1) 에서는, 저굴절률층 (4) 의 표면 자유 에너지가 25.0 ∼ 100.0 mJ/㎡ 이고, 28.0 ∼ 70.0 mJ/㎡ 인 것이 바람직하며, 특히 30.0 ∼ 60.0 mJ/㎡ 인 것이 바람직하다. 저굴절률층 (4) 의 표면 자유 에너지가 25.0 ∼ 100.0 mJ/㎡ 임으로써, 저굴절률층 (4) 의 표면에 배선 등을 형성할 때의 가공성이 우수한 것이 된다. 또, 본 명세서에 있어서의 표면 자유 에너지는, 저굴절률층 (4) 의 표면에 대한 각종 액적 (분산 성분·쌍극자 성분·수소 결합 성분) 의 접촉각을 측정하여, 그 값을 바탕으로 기타자키·하타 이론에 의해 구한 것이다. 접촉각은 접촉각계 (시험예에서는 쿄와 계면 과학사 제조의 DM-701) 를 사용하여, 정적법 (靜滴法) 에 의해 JIS R3257 에 준하여 측정한 것이다. 구체적인 측정 조건은 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다.In the film 1 for laminating transparent conductive films according to the present embodiment, the surface free energy of the low refractive index layer 4 is 25.0 to 100.0 mJ/m2, preferably 28.0 to 70.0 mJ/m2, particularly 30.0 to 60.0 It is preferably mJ/m 2 . When the surface free energy of the low refractive index layer 4 is 25.0 to 100.0 mJ/m 2 , the workability at the time of forming wiring or the like on the surface of the low refractive index layer 4 is excellent. In addition, the surface free energy in this specification measures the contact angle of various liquid droplets (dispersion component, dipole component, hydrogen bond component) with respect to the surface of the low refractive index layer 4, and based on the value, Kitazaki Hata It was obtained by theory. The contact angle is measured according to JIS R3257 by the static method using a contact angle meter (DM-701 manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd. in the test example). Specific measurement conditions are as shown in the test examples described later.
본 실시형태에 있어서의 저굴절률층 (4) 의 두께는 2 ∼ 70 ㎚ 이고, 10 ∼ 60 ㎚ 인 것이 바람직하며, 특히 20 ∼ 40 ㎚ 인 것이 바람직하다. 저굴절률층 (4) 의 두께가 70 ㎚ 이하임으로써, 투명 도전막의 패턴의 불가시성을 확보할 수 있다. 또한, 저굴절률층 (4) 의 두께가 2 ㎚ 이상임으로써, 저굴절률층 (4) 의 표면의 평활성을 충분히 확보할 수 있다. 또, 본 명세서에 있어서의 저굴절률층 (4) 의 두께는 엘립소미터에 의해 측정된 값이고, 구체적인 측정 조건은 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다.The thickness of the low refractive index layer 4 in this embodiment is 2 to 70 nm, preferably 10 to 60 nm, and particularly preferably 20 to 40 nm. When the thickness of the low refractive index layer 4 is 70 nm or less, invisibility of the pattern of the transparent conductive film can be ensured. Moreover, when the thickness of the low-refractive-index layer 4 is 2 nm or more, smoothness of the surface of the low-refractive-index layer 4 can fully be ensured. In addition, the thickness of the low refractive index layer 4 in this specification is a value measured with an ellipsometer, and specific measurement conditions are as showing in the test example mentioned later.
본 실시형태의 저굴절률층 (4) 을 구성하는 재료는 상기 물성을 만족하는 한 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 저굴절률층 (4) 은 실록산 화합물에 의해 구성된다. 실록산 화합물로는, 무기 실리카계 화합물, 폴리오르가노실록산계 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 무기 실리카계 화합물은 폴리규산을 포함한다.The material constituting the low-refractive-index layer 4 of this embodiment is not particularly limited as long as it satisfies the above physical properties, but the low-refractive-index layer 4 is preferably made of a siloxane compound. As the siloxane compound, inorganic silica-based compounds, polyorganosiloxane-based compounds, and mixtures thereof can be used. Inorganic silica-based compounds include polysilicic acid.
실록산 화합물로서 폴리오르가노실록산계 화합물을 사용하는 경우, 원하는 표면 자유 에너지를 얻는 관점에서, Si 원자에 메틸기가 2 개 미만 결합한 것을 사용하는 것이 바람직하다.In the case of using a polyorganosiloxane-based compound as the siloxane compound, it is preferable to use one in which less than two methyl groups are bonded to Si atoms from the viewpoint of obtaining a desired surface free energy.
실록산 화합물은 공지된 방법으로 제조된 것이면 되고, 예를 들어, 다음 일반식 (A) The siloxane compound may be one prepared by a known method, for example, the following general formula (A)
R1 nSi(OR2)4-n ··· (A) R 1 n Si(OR 2 ) 4-n ... (A)
(R1 은 비가수분해성기로서, 알킬기, 치환 알킬기 (치환기로는, 할로겐 원자, 수산기, 티올기, 에폭시기, (메트)아크릴로일옥시기 등이다.), 알케닐기, 아릴기 또는 아르알킬기이고, R2 는 저급 알킬기이고, n 은 0 ∼ 3 의 정수이다. R1 기 및 OR2 기가 각각 복수 존재하는 경우, 복수의 R1 기는 동일하거나 달라도 되고, 또한 복수의 OR2 기는 동일하거나 달라도 된다.) 로 나타내는 알콕시실란 화합물을 염산, 황산 등의 무기산 또는 옥살산, 아세트산 등의 유기산을 사용하여 부분적으로 또는 완전히 가수분해하고, 중축합시킴으로써 얻은 것이어도 된다. 이 반응시, 가수분해를 균일하게 실시하기 위해서 유기 용매를 사용해도 되고, 또한, 필요에 따라서 염화알루미늄이나 트리알콕시알루미늄과 같은 알루미늄 화합물을 적당량 사용해도 된다. 또, 본 명세서에 있어서의 「(메트)아크릴로일옥시」는, 아크릴로일옥시 및 메타크릴로일옥시의 양쪽을 의미한다. 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다.(R 1 is a non-hydrolyzable group, an alkyl group, a substituted alkyl group (as a substituent, a halogen atom, a hydroxyl group, a thiol group, an epoxy group, a (meth)acryloyloxy group, etc.), an alkenyl group, an aryl group, or an aralkyl group; , R 2 is a lower alkyl group, and n is an integer of 0 to 3. When a plurality of R 1 groups and OR 2 groups are respectively present, the plurality of R 1 groups may be the same or different, and the plurality of OR 2 groups may be the same or different. .) It may be obtained by partially or completely hydrolyzing the alkoxysilane compound represented by using an inorganic acid such as hydrochloric acid or sulfuric acid or an organic acid such as oxalic acid or acetic acid, followed by polycondensation. During this reaction, an organic solvent may be used for uniform hydrolysis, and an appropriate amount of an aluminum compound such as aluminum chloride or trialkoxy aluminum may be used as needed. In addition, "(meth)acryloyloxy" in this specification means both acryloyloxy and methacryloyloxy. The same applies to other similar terms.
상기 일반식 (A) 에 있어서 n = 0 의 경우, 알콕시실란 화합물은 테트라알콕시실란이 되지만, 당해 테트라알콕시실란을 완전 가수분해하여 중축합함으로써 무기 실리카계 화합물이 얻어지고, 부분 가수분해하여 중축합함으로써 폴리오르가노실록산계 화합물, 또는 무기 실리카계 화합물과 폴리오르가노실록산계 화합물의 혼합물이 얻어진다.In the case of n = 0 in the above general formula (A), the alkoxysilane compound becomes tetraalkoxysilane, and the tetraalkoxysilane is completely hydrolyzed and polycondensed to obtain an inorganic silica-based compound, which is partially hydrolyzed and polycondensed. By doing so, a polyorganosiloxane-based compound or a mixture of an inorganic silica-based compound and a polyorganosiloxane-based compound is obtained.
상기 일반식 (A) 에 있어서 n = 1 ∼ 3 의 경우, 알콕시실란 화합물은 비가수분해성기를 갖고, 당해 화합물을 부분 또는 완전 가수분해하여 중축합함으로써 폴리오르가노실록산계 화합물이 얻어진다.In the case of n = 1 to 3 in the above general formula (A), the alkoxysilane compound has a non-hydrolyzable group, and a polyorganosiloxane-based compound is obtained by partially or completely hydrolyzing and polycondensing the compound.
상기 일반식 (A) 로 나타내는 알콕시실란 화합물의 예로는, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 테트라이소부톡시실란, 테트라-sec-부톡시실란, 테트라-tert-부톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리프로폭시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 부틸트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 메틸페닐디메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 디비닐디메톡시실란, 디비닐디에톡시실란, 트리비닐메톡시실란, 트리비닐에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Examples of the alkoxysilane compound represented by the general formula (A) include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetra-n-butoxysilane, tetraisobutoxy Silane, tetra-sec-butoxysilane, tetra-tert-butoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltripropoxysilane, methyltriisopropoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyl Triethoxysilane, propyltriethoxysilane, butyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-acryloyloxypropyltrimethoxy Silane, γ-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, methylphenyldimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, divinyldimethoxysilane, divinyldiethoxysilane, tri Vinyl methoxysilane, trivinyl ethoxysilane, etc. are mentioned. These may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.
실록산 화합물은 상기 방법에 의해 얻어지는 것 외에, 메타규산나트륨, 오르토규산나트륨 또는 물유리 (규산나트륨 혼합물) 와 같은 규소 화합물을 가수분해함으로써 얻어지는 것이어도 된다. 이 가수분해는, 염산, 황산, 질산과 같은 산, 또는 염화마그네슘, 황산칼슘과 같은 금속 화합물을 작용시킴으로써 반응을 촉진할 수 있다. 이 가수분해에 의해 유리 (遊離) 형의 규산이 생성되고, 당해 규산이 중합함으로써 사슬상, 고리상 또는 망목상의 실록산 화합물이 얻어진다. 원료로 하는 규소 화합물의 종류에 따라서, 사슬상, 고리상 및 망목상 중 어느 상태가 될지 결정되는 경우가 있다. 예를 들어, 물유리로부터 얻어진 실록산 화합물은, 다음 일반식 (B)In addition to being obtained by the above method, the siloxane compound may be obtained by hydrolyzing a silicon compound such as sodium metasilicate, sodium orthosilicate or water glass (sodium silicate mixture). This hydrolysis can be accelerated by the action of an acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid or nitric acid, or a metal compound such as magnesium chloride or calcium sulfate. Free silicic acid is produced by this hydrolysis, and a chain, cyclic or mesh siloxane compound is obtained by polymerization of the silicic acid. Depending on the kind of silicon compound used as a raw material, it may be decided which state of a chain shape, a ring shape, and a network shape. For example, the siloxane compound obtained from water glass has the following general formula (B)
[화학식 1] [Formula 1]
(m 은 중합도를 나타내고, R 은 수소 원자, 규소 원자, 또는 마그네슘, 알루미늄과 같은 금속 원자이다.) 로 나타내는 사슬상 구조의 것이 주체가 된다.(m represents the degree of polymerization, R is a hydrogen atom, a silicon atom, or a metal atom such as magnesium or aluminum.) The chain structure represented by is the main component.
실록산 화합물의 기타 예로는, 무기 실리카계 화합물인 실리카 겔 (SiOX·nH2O) 을 들 수 있다.Other examples of the siloxane compound include silica gel (SiO X ·nH 2 O) which is an inorganic silica-based compound.
본 실시형태의 저굴절률층 (4) 은, 활성 에너지선 경화형 화합물을 함유하는 조성물을 활성 에너지선으로 경화시킨 경화물에 의해 구성되어도 된다. 여기서, 활성 에너지선 경화형 화합물이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것, 즉 자외선 또는 전자선 등을 조사함으로써 가교, 경화되는 중합성 화합물을 의미한다. 이러한 활성 에너지선 경화형 화합물로는, 예를 들어 광 중합성 프레폴리머 및/또는 광 중합성 모노머를 들 수 있다.The low refractive index layer 4 of the present embodiment may be formed of a cured product obtained by curing a composition containing an active energy ray-curable compound with active energy rays. Here, the active energy ray-curable compound means a polymerizable compound that has energy quanta in electromagnetic waves or charged particle beams, that is, is crosslinked and cured by irradiation with ultraviolet rays or electron beams. Examples of such active energy ray-curable compounds include photopolymerizable prepolymers and/or photopolymerizable monomers.
상기 광 중합성 프레폴리머로는 라디칼 중합형과 양이온 중합형이 있고, 라디칼 중합형의 광 중합성 프레폴리머로는, 예를 들어 폴리에스테르아크릴레이트계, 에폭시아크릴레이트계, 우레탄아크릴레이트계, 폴리올아크릴레이트계 등을 들 수 있다. 여기서, 폴리에스테르아크릴레이트계 프레폴리머로는, 예를 들어 다가 카르복실산과 다가 알코올과의 축합에 의해 얻어지는 양 말단에 수산기를 갖는 폴리에스테르 올리고머의 수산기를 (메트)아크릴산에 의해 에스테르화함으로써, 또는, 다가 카르복실산에 알킬렌옥사이드를 부가하여 얻어지는 올리고머의 말단의 수산기를 (메트)아크릴산에 의해 에스테르화함으로써 얻을 수 있다.The photopolymerizable prepolymer includes a radical polymerization type and a cationic polymerization type, and examples of the radical polymerization type photopolymerizable prepolymer include polyester acrylate-based, epoxy acrylate-based, urethane acrylate-based, and polyols. An acrylate type|system|group etc. are mentioned. Here, as the polyester acrylate-based prepolymer, for example, by esterifying the hydroxyl groups of a polyester oligomer having hydroxyl groups at both ends obtained by condensation of a polyhydric carboxylic acid and a polyhydric alcohol with (meth)acrylic acid, or , It can be obtained by esterifying the terminal hydroxyl group of an oligomer obtained by adding an alkylene oxide to a polyhydric carboxylic acid with (meth)acrylic acid.
에폭시아크릴레이트계 프레폴리머는, 예를 들어, 비교적 저분자량의 비스페놀형 에폭시 수지나 노볼락형 에폭시 수지의 옥실란 고리에, (메트)아크릴산을 반응시켜 에스테르화함으로써 얻을 수 있다. 에폭시아크릴레이트계 프레폴리머의 예로는, 페놀 노볼락계 프레폴리머를 들 수 있다. 우레탄아크릴레이트계 프레폴리머는, 예를 들어, 폴리에테르폴리올이나 폴리에스테르폴리올과 폴리이소시아네이트와의 반응에 의해 얻어지는 폴리우레탄 올리고머를, (메트)아크릴산에 의해 에스테르화함으로써 얻을 수 있다. 그리고, 폴리올아크릴레이트계 프레폴리머는, 폴리에테르폴리올의 수산기를 (메트)아크릴산에 의해 에스테르화함으로써 얻을 수 있다. 이들 광 중합성 프레폴리머는 1 종을 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The epoxy acrylate-based prepolymer can be obtained, for example, by reacting (meth)acrylic acid with the oxylan ring of a relatively low molecular weight bisphenol-type epoxy resin or novolak-type epoxy resin to esterify it. Examples of the epoxy acrylate-based prepolymer include phenol novolak-based prepolymers. The urethane acrylate-based prepolymer can be obtained by, for example, esterifying a polyurethane oligomer obtained by reaction of polyether polyol or polyester polyol with polyisocyanate with (meth)acrylic acid. And the polyol acrylate-type prepolymer can be obtained by esterifying the hydroxyl group of polyether polyol with (meth)acrylic acid. These photopolymerizable prepolymers may be used singly or in combination of two or more.
한편, 양이온 중합형의 광 중합성 프레폴리머로는, 에폭시계 수지가 통상 사용된다. 이 에폭시계 수지로는, 예를 들어 비스페놀 수지나 노볼락 수지 등의 다가 페놀류에 에피클로로히드린 등으로 에폭시화한 화합물, 직사슬상 올레핀 화합물이나 고리상 올레핀 화합물을 과산화물 등으로 산화시켜 얻어진 화합물 등을 들 수 있다.On the other hand, as the photopolymerizable prepolymer of the cationic polymerization type, an epoxy resin is usually used. Examples of the epoxy-based resin include compounds obtained by epoxidizing polyhydric phenols such as bisphenol resins and novolac resins with epichlorohydrin or the like, compounds obtained by oxidizing linear olefin compounds or cyclic olefin compounds with peroxides, etc. etc. can be mentioned.
또한, 광 중합성 모노머로는, 예를 들어 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아디페이트디(메트)아크릴레이트, 히드록시피발산네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐디(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 인산디(메트)아크릴레이트, 알릴화시클로헥실디(메트)아크릴레이트, 이소시아누레이트디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등의 다관능 아크릴레이트를 들 수 있다. 이들 중에서도, 저굴절률층 (4) 의 원하는 물성을 얻기 쉽다는 관점에서, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트를 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광 중합성 모노머는 1 종을 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 되며, 또한 상기 광 중합성 프레폴리머와 병용해도 된다.In addition, as a photopolymerizable monomer, for example, 1,4-butanedioldi(meth)acrylate, 1,6-hexanedioldi(meth)acrylate, neopentylglycoldi(meth)acrylate, polyethylene glycoldi (meth)acrylate, neopentyl glycol adipate di(meth)acrylate, hydroxypivalic acid neopentyl glycol di(meth)acrylate, dicyclopentanyldi(meth)acrylate, caprolactone modified dicyclopentenyldi( Meth)acrylate, ethylene oxide-modified phosphoric acid di(meth)acrylate, allylated cyclohexyl di(meth)acrylate, isocyanurate di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, dipenta Erythritol tri(meth)acrylate, propionic acid-modified dipentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, propylene oxide-modified trimethylolpropane tri(meth)acrylate, tris(acryloxyethyl) ) Polyfunctional acrylates such as isocyanurate, propionic acid-modified dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, and caprolactone-modified dipentaerythritol hexa(meth)acrylate can be heard Among these, it is preferable to use dipentaerythritol hexaacrylate from the viewpoint of easy obtaining desired physical properties of the low refractive index layer 4. These photopolymerizable monomers may be used alone or in combination of two or more, or may be used together with the photopolymerizable prepolymer.
이들 중합성 화합물은, 원한다면 광 중합 개시제를 병용할 수 있다. 이 광 중합 개시제로는, 라디칼 중합형의 광 중합성 프레폴리머나 광 중합성 모노머에 대해서는, 예를 들어 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 아세토페논, 디메틸아미노아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2(히드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-터셔리-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티오크산톤, 2-에틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 벤질디메틸케탈, 아세토페논디메틸케탈, p-디메틸아민벤조산에스테르 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 양이온 중합형의 광 중합성 프레폴리머에 대한 광 중합 개시제로는, 예를 들어 방향족 술포늄 이온, 방향족 옥소술포늄 이온, 방향족 요오드늄 이온 등의 오늄과, 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로포스페이트, 헥사플루오로안티모네이트, 헥사플루오로아르세네이트 등의 음이온으로 이루어지는 화합물을 들 수 있다. 이들은 1 종을 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 또, 그 배합량은, 상기 광 중합성 프레폴리머 및/또는 광 중합성 모노머 100 질량부에 대하여 통상 0.2 ∼ 10 질량부의 범위에서 적절히 선택된다.These polymerizable compounds can use a photopolymerization initiator together if desired. As this photopolymerization initiator, for radical polymerization type photopolymerizable prepolymers and photopolymerizable monomers, for example, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin-n -Butyl ether, benzoin isobutyl ether, acetophenone, dimethylaminoacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2 -Methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholino-propan-1-one, 4 -(2-hydroxyethoxy)phenyl-2(hydroxy-2-propyl)ketone, benzophenone, p-phenylbenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone, dichlorobenzophenone, 2-methylanthra Quinone, 2-ethylanthraquinone, 2-tertiary-butylanthraquinone, 2-aminoanthraquinone, 2-methylthioxanthone, 2-ethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-dimethylthio Oxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, benzyldimethyl ketal, acetophenone dimethyl ketal, p-dimethylamine benzoic acid ester, etc. are mentioned. Among these, it is preferable to use 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone. In addition, as a photopolymerization initiator for the photopolymerizable prepolymer of the cationic polymerization type, for example, onium such as aromatic sulfonium ion, aromatic oxosulfonium ion, aromatic iodonium ion, tetrafluoroborate, hexafluoro and compounds composed of anions such as phosphate, hexafluoroantimonate, and hexafluoroarsenate. These may be used singly or in combination of two or more. Moreover, the compounding amount is suitably selected from the range of 0.2-10 mass parts normally with respect to 100 mass parts of said photopolymerizable prepolymers and/or photopolymerizable monomers.
본 실시형태의 저굴절률층 (4) 은, 원하는 굴절률을 달성하는 관점에서 굴절률 조정용 입자를 포함해도 된다. 특히, 본 실시형태의 저굴절률층 (4) 이 활성 에너지선 경화형 화합물을 함유하는 조성물을 재료로 하여 구성되는 경우, 당해 조성물에 대하여 굴절률 조정용 입자를 첨가하는 것이 바람직하다. 굴절률 조정용 입자의 예로는, 실리카 졸, 다공질 실리카 미립자 및 중공 실리카 미립자를 들 수 있다.The low refractive index layer 4 of the present embodiment may also contain refractive index adjusting particles from the viewpoint of achieving a desired refractive index. In particular, when the low refractive index layer 4 of the present embodiment is constituted by using a composition containing an active energy ray-curable compound as a material, it is preferable to add refractive index adjusting particles to the composition. Examples of the particles for adjusting the refractive index include silica sol, porous silica fine particles and hollow silica fine particles.
실리카 졸로는, 평균 입경이 0.005 ∼ 1 ㎛ 정도, 바람직하게는 10 ㎚ ∼ 100 ㎚ 의 실리카 미립자가 알코올계나 셀로솔브계의 유기 용제 중에 콜로이드 상태로 현탁되어 이루어지는 콜로이달 실리카를 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 평균 입경은 동적 광산란법에 의해 구할 수 있다.As the silica sol, colloidal silica obtained by suspending silica fine particles having an average particle diameter of about 0.005 to 1 μm, preferably 10 nm to 100 nm in a colloidal state in an alcohol-based or cellosolve-based organic solvent can be preferably used. In addition, the average particle diameter can be determined by a dynamic light scattering method.
또한, 중공 실리카 미립자나 다공질 실리카 미립자는 미립자 내에 미세한 공극을 개구된 상태 또는 폐구된 상태로 갖고 있고, 기체, 예를 들어 굴절률 1 의 공기가 충전되어 있기 때문에, 당해 미립자는 그 자신의 굴절률이 낮은 특징이 있다. 당해 미립자를 도막 중에 집합체를 형성하지 않고서 균일하게 분산시킨 경우에는, 도막의 굴절률을 저하시키는 효과가 높고, 동시에 투명성이 우수하다. 공극을 갖지 않은 통상적인 콜로이달 실리카 입자 (굴절률 n = 1.46 정도) 와 비교하면, 공극을 갖는 중공 실리카 미립자나 다공질 실리카 미립자의 굴절률은 1.20 ∼ 1.45 로 낮다.In addition, since the hollow silica fine particles and porous silica fine particles have minute voids in the fine particles in an open or closed state, and are filled with gas, for example, air having a refractive index of 1, the fine particles themselves have a low refractive index. It has a characteristic. When the fine particles are uniformly dispersed in the coating film without forming aggregates, the effect of lowering the refractive index of the coating film is high, and at the same time, the transparency is excellent. Compared with normal colloidal silica particles without pores (refractive index n = about 1.46), the refractive index of hollow silica fine particles and porous silica fine particles having pores is as low as 1.20 to 1.45.
중공 실리카 미립자나 다공질 실리카 미립자는 평균 입경 5 ㎚ ∼ 300 ㎚ 정도, 바람직하게는 5 ㎚ ∼ 200 ㎚, 특히 바람직하게는 10 ㎚ ∼ 100 ㎚ 의 미립자로, 공극의 평균 공경 (孔徑) 이 10 ㎚ ∼ 100 ㎚ 정도이고, 공기를 함유하는 독립 기포 및/또는 연속 기포를 갖는 중공 실리카 미립자나 다공질 실리카 미립자이다. 미립자 전체로서의 굴절률은 1.20 ∼ 1.45 정도이다. 본 실시형태에 있어서 사용되는 중공 실리카 미립자나 다공질 실리카 미립자를 활성 에너지선 경화형 화합물에 첨가하여 저굴절률층 (4) 을 구성함으로써, 활성 에너지선 경화형 화합물의 경화물의 굴절률이 1.45 이상이라도, 전체적으로 굴절률을 저하시킬 수 있다. 또한, 중공 실리카 미립자나 다공질 실리카 미립자는 저굴절률층 (4) 중에 분산되기 때문에, 저굴절률층 (4) 의 투명성이 우수하다. 또, 평균 입경은 동적 광산란법에 의해 구할 수 있다.The hollow silica fine particles and porous silica fine particles are fine particles having an average particle diameter of about 5 nm to 300 nm, preferably 5 nm to 200 nm, and particularly preferably 10 nm to 100 nm, and the average pore size of the pores is 10 nm to 100 nm. It is about 100 nm and is a hollow silica fine particle or porous silica fine particle having closed cells and/or open cells containing air. The refractive index of the whole fine particles is about 1.20 to 1.45. Even if the refractive index of the cured product of the active energy ray-curable compound is 1.45 or more, the refractive index as a whole is increased by adding the hollow silica fine particles or porous silica fine particles used in the present embodiment to the active energy ray-curable compound to form the low refractive index layer 4. can lower Further, since the hollow silica fine particles and porous silica fine particles are dispersed in the low refractive index layer 4, the low refractive index layer 4 has excellent transparency. In addition, the average particle diameter can be determined by a dynamic light scattering method.
또한, 굴절률 조정용 입자에는 중합성 불포화기 함유 유기 화합물이 결합되어 있어도 된다. 예를 들어, 실리카 미립자에 대하여 중합성 불포화기 함유 유기 화합물이 결합되어 있어도 된다. 중합성 불포화기 함유 유기 화합물이 결합된 실리카 미립자는, 평균 입경 0.005 ∼ 1 ㎛ 정도의 실리카 미립자 표면의 실라놀기에, 당해 실라놀기와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 중합성 불포화기 함유 유기 화합물을 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 중합성 불포화기로는, 예를 들어 라디칼 중합성의 아크릴로일기나 메타크릴로일기 등을 들 수 있다.Moreover, the organic compound containing a polymerizable unsaturated group may couple|bond with the particle|grains for refractive index adjustment. For example, an organic compound containing a polymerizable unsaturated group may be bonded to the fine silica particles. The silica fine particles to which the polymerizable unsaturated group-containing organic compound is bound reacts a polymerizable unsaturated group-containing organic compound having a functional group capable of reacting with the silanol group with a silanol group on the surface of the silica fine particles having an average particle diameter of about 0.005 to 1 μm. can be obtained by doing As a polymerizable unsaturated group, a radically polymerizable acryloyl group, methacryloyl group, etc. are mentioned, for example.
본 실시형태의 저굴절률층 (4) 에 있어서, 굴절률 조정용 입자의 매트릭스 수지 조성물에 대한 배합 비율은, 형성되는 저굴절률층 (4) 의 굴절률 및 표면적 증가율이 상술한 범위가 되도록 적절히 설정된다. 예를 들어, 매트릭스 수지 조성물 100 질량부에 대하여 굴절률 조정용 입자가 100 질량부 미만인 것이 바람직하고, 특히 60 질량부 이하인 것이 바람직하고, 더 나아가 30 질량부 이하인 것이 바람직하다. 그러나, 전술한 바와 같이 저굴절률층 (4) 은, 표면의 우수한 평활성을 달성하는 관점에서 굴절률 조정용 입자를 함유하지 않은 것도 바람직하다.In the low refractive index layer 4 of the present embodiment, the blending ratio of the refractive index adjusting particles to the matrix resin composition is appropriately set so that the refractive index and surface area increase rate of the low refractive index layer 4 formed fall within the above ranges. For example, with respect to 100 parts by mass of the matrix resin composition, the refractive index adjusting particles are preferably less than 100 parts by mass, particularly preferably 60 parts by mass or less, and more preferably 30 parts by mass or less. However, as described above, the low refractive index layer 4 preferably does not contain refractive index adjusting particles from the viewpoint of achieving excellent surface smoothness.
본 실시형태에 있어서의 저굴절률층 (4) 은, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서 원하는 각종 첨가제를 함유할 수 있다. 각종 첨가제로는, 예를 들어, 분산제, 염료, 안료, 가교제, 경화제, 산화 방지제 등을 들 수 있다.The low refractive index layer 4 in the present embodiment can contain desired various additives within a range that does not hinder the effects of the present invention. As various additives, a dispersing agent, a dye, a pigment, a crosslinking agent, a curing agent, an antioxidant, etc. are mentioned, for example.
본 실시형태의 저굴절률층 (4) 을 구성하는 재료로는, 전술한 실록산 화합물과 활성 에너지선 경화형 화합물을 병용해도 된다. 그리고, 그들에 대하여 전술한 굴절률 조정용 입자를 첨가해도 된다. 그러나, 원하는 물성을 발현하기 쉽다는 관점에서, 저굴절률층 (4) 은 실록산 화합물만, 또는 활성 에너지선 경화형 화합물과 굴절률 조정용 입자의 조합으로 구성되는 것이 바람직하다.As a material constituting the low refractive index layer 4 of the present embodiment, the above-described siloxane compound and active energy ray-curable compound may be used in combination. And you may add the particle|grains for refractive index adjustment mentioned above with respect to them. However, from the viewpoint of easy expression of desired physical properties, the low refractive index layer 4 is preferably composed of only a siloxane compound or a combination of an active energy ray-curable compound and refractive index adjusting particles.
<고굴절률층> <High refractive index layer>
본 실시형태에 관한 투명 도전막 적층용 필름 (1) 에서는, 투명 플라스틱 기재 (2) 와 저굴절률층 (4) 사이에, 저굴절률층 (4) 의 굴절률보다도 큰 굴절률을 갖는 고굴절률층 (3) 이 개재해도 된다. 이 경우, 고굴절률층 (3) 은 투명 플라스틱 기재 (2) 에 대하여 직접 적층되어 있는 것, 또는 이(易)접착층을 사이에 두고 적층되어 있는 것이 바람직하다. 고굴절률층 (3) 을 형성함으로써, 저굴절률층 (4) 과 고굴절률층 (3) 에 의해 투명 도전막의 패턴의 불가시화를 달성할 수 있다.In the transparent conductive film lamination film (1) according to the present embodiment, a high refractive index layer (3) having a refractive index greater than the refractive index of the low refractive index layer (4) is provided between the transparent plastic substrate (2) and the low refractive index layer (4). ) may intervene. In this case, the high refractive index layer 3 is preferably directly laminated on the transparent plastic substrate 2 or laminated with an easily adhesive layer interposed therebetween. By forming the high refractive index layer 3, the pattern of the transparent conductive film can be made invisible by the low refractive index layer 4 and the high refractive index layer 3.
본 실시형태에 관한 투명 도전막 적층용 필름 (1) 의 고굴절률층 (3) 은, 굴절률이 1.60 ∼ 1.90 인 것이 바람직하고, 특히 1.65 ∼ 1.85 인 것이 바람직하고, 더 나아가 1.68 ∼ 1.80 인 것이 바람직하다. 고굴절률층 (3) 의 굴절률이 1.60 ∼ 1.90 임으로써, 저굴절률층 (4) 과의 굴절률차를 충분히 확보할 수 있어, 투명 도전막의 패턴을 효과적으로 불가시화할 수 있음과 함께, 본 실시형태에 관한 투명 도전막 적층용 필름 (1) 의 투명성 등 다른 물성이 양호한 것이 된다.The high refractive index layer 3 of the transparent conductive film lamination film 1 according to the present embodiment preferably has a refractive index of 1.60 to 1.90, particularly preferably 1.65 to 1.85, and further preferably 1.68 to 1.80. do. When the refractive index of the high refractive index layer 3 is 1.60 to 1.90, a sufficient refractive index difference with the low refractive index layer 4 can be secured, and the pattern of the transparent conductive film can be effectively made invisible, and in this embodiment Other physical properties such as transparency of the related transparent conductive film lamination film 1 become good.
본 실시형태에 있어서의 고굴절률층 (3) 을 구성하는 재료로는, 열가소성 수지, 활성 에너지선 경화형 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the material constituting the high refractive index layer 3 in the present embodiment include thermoplastic resins and active energy ray-curable compounds.
본 실시형태에 있어서의 고굴절률층 (3) 을 열가소성 수지를 사용하여 구성하는 경우, 당해 열가소성 수지를 함유하는 고굴절률층 (3) 은, 투명 플라스틱 기재 (2) 와의 밀착성 및 저굴절률층 (4) 과의 밀착성이 우수하여, 그 자체로 이접착층과 동일한 역할을 완수한다.When the high refractive index layer 3 in the present embodiment is constituted using a thermoplastic resin, the high refractive index layer 3 containing the thermoplastic resin has good adhesion to the transparent plastic substrate 2 and low refractive index layer 4 ), it has excellent adhesion, and it fulfills the same role as the easily adhesive layer itself.
구체적으로는, 고굴절률층 (3) 에 포함되는 열가소성 수지가 투명 플라스틱 기재 (2) 의 표면과 가까운 극성 (또는 조성) 을 가져, 투명 플라스틱 기재 (2) 에 대하여 높은 친화성을 나타내기 때문에, 고굴절률층 (3) 을 투명 플라스틱 기재 (2) 에 밀착시킬 수 있다. 한편, 유기 용제를 함유하는 저굴절률층 (4) 의 재료를 고굴절률층 (3) 상에 도포하면, 저굴절률층 (4) 의 재료 중의 유기 용제가 고굴절률층 (3) 중의 열가소성 수지를 용해하고, 당해 용해된 열가소성 수지에 의해 저굴절률층 (4) 을 고굴절률층 (3) 에 밀착 (용착) 시킬 수 있다. 이로써, 이접착층을 별도로 형성할 필요가 없어져, 투명 도전막 적층용 필름 (1) 의 층 구성을 간략화할 수 있다.Specifically, since the thermoplastic resin contained in the high refractive index layer 3 has a polarity (or composition) close to the surface of the transparent plastic substrate 2, and exhibits high affinity to the transparent plastic substrate 2, The high refractive index layer 3 can be adhered to the transparent plastic substrate 2. On the other hand, when a material of the low refractive index layer 4 containing an organic solvent is applied onto the high refractive index layer 3, the organic solvent in the material of the low refractive index layer 4 dissolves the thermoplastic resin in the high refractive index layer 3. Then, the low refractive index layer 4 can be adhered (welded) to the high refractive index layer 3 by the melted thermoplastic resin. This eliminates the need to separately form an easily bonding layer, and the layer configuration of the film 1 for lamination of transparent conductive films can be simplified.
열가소성 수지의 구체예로는, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 아크릴계 수지, 폴리올레핀계 수지, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐리덴 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 투명 플라스틱 기재 (2) 와의 밀착성 및 저굴절률층 (4) 과의 용착성의 관점에서 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 아크릴계 수지에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하고, 폴리에스테르 수지 및 폴리우레탄 수지에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 보다 바람직하며, 폴리에스테르 수지인 것이 더욱 바람직하다.Specific examples of the thermoplastic resin include polyester resins, polyurethane resins, acrylic resins, polyolefin resins, polyvinyl chloride, polystyrene, polyvinyl alcohol, and polyvinylidene chloride. Among these, it is preferably at least one selected from polyester resins, polyurethane resins, and acrylic resins, from the viewpoint of adhesion to the transparent plastic substrate (2) and weldability to the low refractive index layer (4), and polyester resins and polyurethanes. It is more preferable that it is at least 1 sort(s) chosen from resin, and it is still more preferable that it is a polyester resin.
본 실시형태에 있어서의 고굴절률층 (3) 을 활성 에너지선 경화형 화합물을 사용하여 구성하는 경우, 저굴절률층 (4) 을 구성하기 위한 활성 에너지선 경화형 화합물과 동일한 것을 사용할 수 있다. 당해 활성 에너지선 경화형 화합물을 함유하는 조성물을 활성 에너지선으로 경화시킴으로써, 고굴절률층 (3) 을 형성할 수 있다. 여기서, 고굴절률층 (3) 은 저굴절률층 (4) 보다 굴절률이 높을 필요가 있다. 이 관점에서, 저굴절률층 (4) 을 구성하기 위해서 사용하는 활성 에너지선 경화형 화합물로는, 분자 내에 방향고리 및 복소고리를 갖지 않은 것을 선택하는 것이 바람직하고, 한편, 고굴절률층 (3) 을 구성하기 위해서 사용하는 활성 에너지선 경화형 화합물로는, 분자 내에 방향고리 및/또는 복소고리를 갖는 것을 선택하는 것이 바람직하다. 또한, 예를 들어, 후술하는 금속 산화물을 고굴절률층 (3) 에 함유시킴으로써, 고굴절률층 (3) 의 굴절률을 높게 할 수 있다. 고굴절률층 (3) 을 구성하는 재료로는, 고굴절률층 (3) 의 원하는 물성을 얻기 쉽다는 관점에서, 전술한 활성 에너지선 경화형 화합물 중에서도 페놀 노볼락계 프레폴리머를 사용하는 것이 바람직하다. 또, 활성 에너지선 경화형 화합물과 전술한 열가소성 수지를 조합하여, 고굴절률층 (3) 을 구성해도 된다.When the high refractive index layer 3 in the present embodiment is constituted using an active energy ray-curable compound, the same active energy ray-curable compound for forming the low refractive index layer 4 can be used. The high refractive index layer 3 can be formed by curing the composition containing the active energy ray-curable compound with an active energy ray. Here, the high refractive index layer 3 needs to have a higher refractive index than the low refractive index layer 4 . From this point of view, as the active energy ray-curable compound used for constituting the low refractive index layer 4, it is preferable to select a compound having no aromatic ring or heterocyclic ring in the molecule. On the other hand, the high refractive index layer 3 It is preferable to select what has an aromatic ring and/or a heterocyclic ring in a molecule|numerator as an active energy ray-curable compound used for a structure. Moreover, the refractive index of the high refractive index layer 3 can be made high, for example by containing the metal oxide mentioned later in the high refractive index layer 3. As a material constituting the high refractive index layer 3, it is preferable to use a phenol novolac-based prepolymer among the above-mentioned active energy ray-curable compounds from the viewpoint of obtaining desired physical properties of the high refractive index layer 3 easily. Alternatively, the high refractive index layer 3 may be constituted by combining an active energy ray-curable compound and the thermoplastic resin described above.
본 실시형태에 있어서의 고굴절률층 (3) 은 굴절률을 조정하기 위한 재료 (이하, 「굴절률 조정제」라고 하는 경우가 있다), 예를 들어 금속 산화물을 함유하는 것이 바람직하다. 고굴절률층 (3) 에 함유될 수 있는 금속 산화물은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 산화티탄, 산화지르코늄, 산화탄탈, 산화아연, 산화인듐, 산화하프늄, 산화세륨, 산화주석, 산화니오브, 주석 도프 산화인듐 (ITO), 안티몬 도프 산화주석 (ATO) 등을 들 수 있다. 이들 금속 산화물은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 그 중에서도, 굴절률의 관점에서 산화티탄 및/또는 산화지르코늄을 사용하는 것이 바람직하다.The high refractive index layer 3 in the present embodiment preferably contains a material for adjusting the refractive index (hereinafter sometimes referred to as a "refractive index adjuster"), for example, a metal oxide. Metal oxides that can be contained in the high refractive index layer 3 are not particularly limited, and examples include titanium oxide, zirconium oxide, tantalum oxide, zinc oxide, indium oxide, hafnium oxide, cerium oxide, tin oxide, niobium oxide, Tin doped indium oxide (ITO), antimony doped tin oxide (ATO), etc. are mentioned. These metal oxides may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Especially, it is preferable to use titanium oxide and/or zirconium oxide from a viewpoint of a refractive index.
상기 금속 산화물은, 미립자의 형태로 고굴절률층 (3) 에 함유시키는 것이 바람직하다. 이 경우, 금속 산화물 미립자의 평균 입경은 0.005 ∼ 1 ㎛ 인 것이 바람직하고, 0.01 ∼ 0.1 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 또, 본 명세서에 있어서의 금속 산화물 미립자의 평균 입경은, 제타 전위 측정법을 사용한 측정법에 의해 측정한 값으로 한다.The above metal oxide is preferably contained in the high refractive index layer 3 in the form of fine particles. In this case, the average particle diameter of the metal oxide fine particles is preferably 0.005 to 1 μm, more preferably 0.01 to 0.1 μm. In addition, the average particle diameter of metal oxide fine particles in this specification is taken as the value measured by the measuring method using the zeta potential measuring method.
고굴절률층 (3) 에 있어서의 금속 산화물의 배합 비율은, 고굴절률층 (3) 의 굴절률이 상술한 범위가 되도록 적절히 설정된다. 구체적으로는, 활성 에너지선 경화형 화합물 및/또는 열가소성 수지 100 질량부에 대하여 50 ∼ 1000 질량부 정도인 것이 바람직하고, 80 ∼ 800 질량부인 것이 특히 바람직하며, 100 ∼ 500 질량부인 것이 더욱 바람직하다.The blending ratio of the metal oxide in the high refractive index layer 3 is appropriately set so that the refractive index of the high refractive index layer 3 falls within the above-mentioned range. Specifically, it is preferably about 50 to 1000 parts by mass, particularly preferably 80 to 800 parts by mass, and still more preferably 100 to 500 parts by mass, based on 100 parts by mass of the active energy ray-curable compound and/or thermoplastic resin.
본 실시형태에 있어서의 고굴절률층 (3) 은, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서 원하는 각종 첨가제를 함유할 수 있다. 각종 첨가제로는, 예를 들어, 분산제, 염료, 안료, 가교제, 경화제, 산화 방지제 등을 들 수 있다.The high refractive index layer 3 in the present embodiment can contain desired various additives within a range not interfering with the effect of the present invention. As various additives, a dispersing agent, a dye, a pigment, a crosslinking agent, a curing agent, an antioxidant, etc. are mentioned, for example.
고굴절률층 (3) 의 두께는 20 ∼ 150 ㎚ 이고, 30 ∼ 130 ㎚ 인 것이 바람직하며, 50 ∼ 110 ㎚ 인 것이 보다 바람직하다. 고굴절률층 (3) 의 두께가 이러한 범위에 있음으로써, 투명 도전막의 패턴을 시인되기 어렵게 할 수 있으며, 또한 고굴절률층 (3) 과 투명 플라스틱 기재 (2) 및 저굴절률층 (4) 의 밀착성이 우수한 것이 되고, 나아가서는 고굴절률층 (3) 의 표면의 평활성이 충분한 것이 된다. 또, 본 명세서에 있어서의 고굴절률층 (3) 의 두께는 엘립소미터에 의해 측정된 값이고, 구체적인 측정 조건은 후술하는 실시예에 나타내는 바와 같다.The thickness of the high refractive index layer 3 is 20 to 150 nm, preferably 30 to 130 nm, and more preferably 50 to 110 nm. When the thickness of the high refractive index layer 3 is within this range, it is possible to make it difficult to visually recognize the pattern of the transparent conductive film, and the adhesion between the high refractive index layer 3 and the transparent plastic substrate 2 and the low refractive index layer 4 is improved. This becomes excellent, and by extension, the smoothness of the surface of the high refractive index layer 3 becomes sufficient. In addition, the thickness of the high refractive index layer 3 in this specification is a value measured by an ellipsometer, and specific measurement conditions are as showing in the Example mentioned later.
<투명 플라스틱 기재> <Transparent plastic substrate>
본 실시형태에 있어서 사용되는 투명 플라스틱 기재 (2) 로는 특별히 제한은 없으며, 종래의 광학용 기재로서 공지된 플라스틱 필름 중에서 투명성을 갖는 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 이러한 플라스틱 필름으로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 등의 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 셀로판, 디아세틸셀룰로오스 필름, 트리아세틸셀룰로오스 필름, 아세틸셀룰로오스부틸레이트 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 폴리비닐알코올 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리술폰 필름, 폴리에테르에테르케톤 필름, 폴리에테르술폰 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름, 폴리아미드 필름, 아크릴 수지 필름, 노르보르넨계 수지 필름, 시클로올레핀 수지 필름 등의 플라스틱 필름, 또는 그들의 적층 필름을 들 수 있다.The transparent plastic substrate 2 used in this embodiment is not particularly limited, and a transparent plastic film can be appropriately selected and used from known plastic films as conventional optical substrates. Examples of such plastic films include polyester films such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene films, polypropylene films, cellophane, diacetyl cellulose films, and triacetyl cellulose films. Acetylcellulose film, acetylcellulose butyrate film, polyvinyl chloride film, polyvinylidene chloride film, polyvinyl alcohol film, ethylene-vinyl acetate copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polymethylpentene film, polysulfone film, Plastic films such as polyetheretherketone film, polyethersulfone film, polyetherimide film, polyimide film, fluororesin film, polyamide film, acrylic resin film, norbornene resin film, cycloolefin resin film, or laminates thereof film can be taken.
상기한 것 중에서도, 터치 패널 등에 바람직한 강도를 갖는 점에서 폴리에스테르 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 노르보르넨계 수지 필름, 시클로올레핀 수지 필름 등인 것이 바람직하다. 이들 중에서도 투명성이나 두께 정밀도 등의 관점에서 폴리에스테르 필름인 것이 특히 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 가 더욱 바람직하다.Among the above, a polyester film, a polycarbonate film, a polyimide film, a norbornene-based resin film, a cycloolefin resin film, and the like are preferable from the viewpoint of having strength suitable for a touch panel or the like. Among these, from viewpoints of transparency, thickness precision, etc., a polyester film is particularly preferred, and polyethylene terephthalate (PET) is more preferred.
투명 플라스틱 기재 (2) 로서 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 를 사용하는 경우, PET 는 밀착성이 우수하기 때문에, 고굴절률층과의 접착성을 향상시키는 이접착층을 형성하지 않아도 된다. 또한, 이접착층을 형성하지 않는 경우, PET 는 1.65 와 같은 높은 굴절률을 가져, PET 가 고굴절률층 대신으로서 기능할 수 있는 점에서, 고굴절률층 (3) 을 반드시 형성하지 않아도 된다.When polyethylene terephthalate (PET) is used as the transparent plastic substrate 2, since PET is excellent in adhesion, it is not necessary to form an easily bonding layer that improves adhesion with the high refractive index layer. In addition, when an easily bonding layer is not provided, PET has a refractive index as high as 1.65, and since PET can function as a substitute for a high refractive index layer, the high refractive index layer 3 does not necessarily need to be provided.
투명 플라스틱 기재 (2) 의 두께는 특별히 제한은 없으며, 용도에 따라서 적절히 선정되지만, 통상 15 ∼ 300 ㎛, 바람직하게는 30 ∼ 250 ㎛ 의 범위이다. 또한, 이 투명 플라스틱 기재 (2) 는, 그 표면에 형성되는 층과의 밀착성을 향상시킬 목적으로, 원한다면 한쪽 면 또는 양쪽 면에 산화법이나 요철화법 등에 의해 표면 처리를 실시할 수 있다. 상기 산화법으로는, 예를 들어 코로나 방전 처리, 크롬산 처리 (습식), 화염 처리, 열풍 처리, 오존·자외선 조사 처리 등이 사용되고, 요철화법으로는, 예를 들어 샌드 블라스트법, 용제 처리법 등이 사용된다. 이들 표면 처리법은 투명 플라스틱 기재 (2) 의 종류에 따라서 적절히 선택되지만, 일반적으로는 코로나 방전 처리법이 효과 및 조작성 등의 면에서 바람직하게 사용된다.The thickness of the transparent plastic substrate 2 is not particularly limited and is appropriately selected depending on the application, but is usually in the range of 15 to 300 μm, preferably 30 to 250 μm. In addition, for the purpose of improving adhesion to a layer formed on the surface of this transparent plastic substrate 2, if desired, surface treatment can be performed on one or both surfaces by an oxidation method or a roughening method. As the oxidation method, for example, corona discharge treatment, chromic acid treatment (wet), flame treatment, hot air treatment, ozone/ultraviolet irradiation treatment, etc. are used, and as the roughening method, for example, sand blast method, solvent treatment method, etc. are used. do. These surface treatment methods are appropriately selected depending on the type of the transparent plastic substrate 2, but in general, a corona discharge treatment method is preferably used from the viewpoints of effectiveness and operability.
<투명 도전막 적층용 필름의 제조> <Manufacture of Film for Lamination of Transparent Conductive Films>
이상 서술한 투명 도전막 적층용 필름 (1) 은, 예를 들어 이하에 나타내는 방법에 의해 제조할 수 있다. 여기서는, 저굴절률층 (4) 과 투명 플라스틱 기재 (2) 사이에 고굴절률층 (3) 이 형성된 투명 도전막 적층용 필름 (1) 의 제조예를 설명한다. 또, 저굴절률층 (4) 이 투명 플라스틱 기재 (2) 상에 직접 적층되어 이루어지는 투명 도전막 적층용 필름은, 이하에 설명하는 제조예에 있어서 고굴절률층 (3) 의 조제·형성 공정을 생략하고, 그 밖의 공정을 동일하게 실시함으로써 제조할 수 있다.The film 1 for lamination|stacking of transparent conductive films mentioned above can be manufactured, for example by the method shown below. Here, a production example of the film 1 for lamination of transparent conductive films in which the high refractive index layer 3 is formed between the low refractive index layer 4 and the transparent plastic substrate 2 will be described. In addition, in the film for laminating a transparent conductive film in which the low refractive index layer 4 is directly laminated on the transparent plastic substrate 2, the step of preparing and forming the high refractive index layer 3 is omitted in the production examples described below. And it can be manufactured by carrying out other processes similarly.
먼저, 고굴절률층 (3) 을 구성하는 재료와 유기 용제를 함유하는 고굴절률층 (3) 용의 도포제를 조제함과 동시에, 저굴절률층 (4) 을 구성하는 재료와 유기 용제를 함유하는 저굴절률층 (4) 용의 도포제를 조제한다.First, a coating agent for the high refractive index layer 3 containing a material constituting the high refractive index layer 3 and an organic solvent is prepared, and a low refractive index layer 4 containing a material constituting the layer 4 and an organic solvent is prepared. A coating agent for the refractive index layer 4 is prepared.
고굴절률층 (3) 을 구성하는 재료로서 활성 에너지선 경화형 화합물을 사용하는 경우, 고굴절률층 (3) 용의 도포제를 조제할 때에 사용하는 유기 용제는, 당해 활성 에너지선 경화형 화합물의 용해성이 우수하면서, 또한 전술한 굴절률 조정제의 분산성이 우수한 것이 바람직하다. 그와 같은 유기 용제의 구체예로는, 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 톨루엔, 아세트산에틸 등을 바람직하게 들 수 있다.When an active energy ray-curable compound is used as a material constituting the high refractive index layer 3, the organic solvent used when preparing the coating agent for the high refractive index layer 3 has excellent solubility of the active energy ray-curable compound While, it is also preferable that the dispersibility of the above-mentioned refractive index adjuster is excellent. Cyclohexanone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, ethyl acetate etc. are mentioned preferably as a specific example of such an organic solvent.
한편, 저굴절률층 (4) 을 구성하는 재료로서 활성 에너지선 경화형 화합물을 사용하는 경우, 저굴절률층 (4) 용의 도포제를 조제할 때에 사용하는 유기 용제는, 당해 활성 에너지선 경화형 화합물의 용해성이 우수하면서, 또한 전술한 굴절률 조정용 입자의 분산성도 우수한 것이 바람직하다. 그와 같은 유기 용제의 구체예는, 고굴절률층 (3) 을 구성하는 재료로서 활성 에너지선 경화형 화합물을 사용하는 경우에 있어서의 전술한 유기 용제의 구체예와 동일하다.On the other hand, when an active energy ray-curable compound is used as a material constituting the low-refractive-index layer 4, the organic solvent used when preparing the coating agent for the low-refractive-index layer 4 depends on the solubility of the active energy ray-curable compound. In addition to being excellent, those having excellent dispersibility of the particles for adjusting the refractive index are also preferred. Specific examples of such an organic solvent are the same as the specific examples of the organic solvent described above in the case of using an active energy ray-curable compound as a material constituting the high refractive index layer 3.
또한, 저굴절률층 (4) 이 실록산 화합물에 의해 구성되는 경우, 저굴절률층 (4) 용의 도포제를 조제할 때에 사용하는 유기 용제는, 용해 분산성의 관점에서 알코올계 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 알코올계 용제로는, 예를 들어, 이소프로필알코올, 이소부틸알코올 등을 바람직하게 들 수 있다.Further, when the low refractive index layer 4 is composed of a siloxane compound, the organic solvent used when preparing the coating agent for the low refractive index layer 4 is preferably an alcohol solvent from the viewpoint of dissolution and dispersibility. . As an alcohol solvent, isopropyl alcohol, isobutyl alcohol, etc. are mentioned preferably, for example.
고굴절률층 (3) 용 및 저굴절률층 (4) 용의 도포제를 조제한 후에는, 우선, 투명 플라스틱 기재 (2) 의 한쪽 면에 고굴절률층 (3) 용의 도포제를 도포한다. 그 후, 도포제를 건조시키고, 활성 에너지선을 조사하여 도막을 경화시킴으로써, 고굴절률층 (3) 을 형성한다.After preparing the coating agent for the high refractive index layer 3 and the low refractive index layer 4, first, the coating agent for the high refractive index layer 3 is applied to one side of the transparent plastic substrate 2. After that, the high refractive index layer 3 is formed by drying the coating agent and curing the coating film by irradiating active energy rays.
계속해서, 고굴절률층 (3) 위에 저굴절률층 (4) 용의 도포제를 도포한다. 저굴절률층 (4) 을 구성하는 재료로서 실록산 화합물을 사용하는 경우, 도포제를 건조시킴으로써 저굴절률층 (4) 을 형성한다. 한편, 저굴절률층 (4) 을 구성하는 재료로서 활성 에너지선 경화형 화합물을 사용하는 경우, 도포제를 건조시킨 후, 활성 에너지선을 조사하여 도막을 경화시킴으로써 저굴절률층 (4) 을 형성한다. 이상에 의해, 투명 도전막 적층용 필름 (1) 을 얻는다.Then, the coating agent for the low refractive index layer (4) is applied on the high refractive index layer (3). When using a siloxane compound as a material constituting the low refractive index layer 4, the low refractive index layer 4 is formed by drying the coating agent. On the other hand, when an active energy ray-curable compound is used as a material constituting the low refractive index layer 4, the low refractive index layer 4 is formed by drying the coating agent and then curing the coating film by irradiating the active energy ray. By the above, the film 1 for lamination|stacking of a transparent conductive film is obtained.
도포제의 도포 방법으로는, 예를 들어, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비아 코트법 등을 들 수 있다.Examples of the application method of the coating agent include a bar coating method, a knife coating method, a roll coating method, a blade coating method, a die coating method, and a gravure coating method.
고굴절률층 (3) 위에 저굴절률층 (4) 을 형성할 때, 저굴절률층 (4) 용의 도포제를 30 ∼ 70 ℃ 에서 10 초 ∼ 3 분간 정도 가열 처리 (건조 처리) 하는 것이 바람직하다. 저굴절률층 (4) 을 구성하는 재료로서 실록산 화합물을 사용하는 경우에는, 건조 처리 후, 다시 110 ∼ 150 ℃ 에서 5 초 ∼ 3 분간 정도 가열하여 도포제를 경화시킨다. 또한, 저굴절률층 (4) 을 구성하는 재료로서 활성 에너지선 경화형 화합물을 사용하는 경우에는, 상기 건조 처리 후, 활성 에너지선을 조사하여 도포제를 경화시킨다. 상기한 바와 같이 30 ∼ 70 ℃ 에서 10 초 ∼ 3 분간 정도의 가열 처리 (건조 처리) 를 실시함으로써, 저굴절률층 (4) 재료의 경화가 완료되기 전에 용제를 부분적으로 또는 전부 증발시킬 수 있어, 용제의 증발에서 기인한 저굴절률층 (4) 표면의 거칠어짐의 발생을 억제할 수 있다.When forming the low-refractive-index layer 4 on the high-refractive-index layer 3, it is preferable to heat-process (dry-process) the coating agent for the low-refractive-index layer 4 at 30-70 degreeC for about 10 seconds - 3 minutes. When a siloxane compound is used as a material constituting the low-refractive-index layer 4, after the drying treatment, it is further heated at 110 to 150°C for about 5 seconds to 3 minutes to cure the coating agent. In the case where an active energy ray-curable compound is used as a material constituting the low refractive index layer 4, the coating agent is cured by irradiation with active energy rays after the drying treatment. As described above, by performing heat treatment (drying treatment) at 30 to 70°C for about 10 seconds to 3 minutes, the solvent can be partially or completely evaporated before curing of the material of the low refractive index layer (4) is completed, The occurrence of roughness on the surface of the low refractive index layer 4 caused by evaporation of the solvent can be suppressed.
상기 활성 에너지선으로는 통상 자외선, 전자선 등이 사용되고, 자외선이 특히 바람직하다. 활성 에너지선의 조사량은 에너지선의 종류에 따라서 다른데, 예를 들어 자외선의 경우에는 광량으로 50 ∼ 1000 mJ/㎠ 가 바람직하고, 특히 100 ∼ 500 mJ/㎠ 가 바람직하다. 또한, 전자선의 경우에는 0.1 ∼ 50 kGy 정도가 바람직하다. 자외선 조사는 고압 수은 램프, 퓨전 H 램프, 크세논 램프 등에 의해서 실시할 수 있다. 또한, 전자선 조사는 전자선 가속기 등에 의해서 실시할 수 있다.As the active energy ray, ultraviolet rays, electron beams, and the like are usually used, and ultraviolet rays are particularly preferable. The irradiation amount of the active energy ray varies depending on the type of energy ray, but, for example, in the case of ultraviolet rays, the amount of light is preferably 50 to 1000 mJ/cm 2 , particularly preferably 100 to 500 mJ/cm 2 . In addition, in the case of an electron beam, about 0.1 to 50 kGy is preferable. Ultraviolet irradiation can be performed by a high-pressure mercury lamp, a fusion H lamp, a xenon lamp or the like. In addition, electron beam irradiation can be performed by an electron beam accelerator or the like.
상기한 바와 같이 하여 얻어진 투명 도전막 적층용 필름 (1) 은, 다음에 설명하는 투명 도전성 필름의 제조 재료로서 바람직하게 사용된다.The transparent conductive film lamination film 1 obtained as described above is preferably used as a manufacturing material for a transparent conductive film described below.
[투명 도전성 필름] [Transparent Conductive Film]
도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 관한 투명 도전성 필름의 단면도이다. 본 실시형태에 관한 투명 도전성 필름 (10) 은, 상술한 투명 도전막 적층용 필름 (1) 의 저굴절률층 (4) 에 있어서의 고굴절률층 (3) 과는 반대측의 면측 (도 2 에서는 저굴절률층 (4) 의 상측) 에, 추가로 투명 도전막 (5) 이 적층된 것이다. 이 투명 도전성 필름 (10) 은, 고굴절률층 (3) 및 저굴절률층 (4) 의 존재에 의해 투명 도전막 (5) 의 패턴이 시인되기 어려운 것으로 되어 있다.2 is a cross-sectional view of a transparent conductive film according to an embodiment of the present invention. The transparent conductive film 10 according to the present embodiment is on the surface side opposite to the high refractive index layer 3 in the low refractive index layer 4 of the above-described transparent conductive film lamination film 1 (low refractive index layer 3 in FIG. 2). On the upper side of the refractive index layer 4), a transparent conductive film 5 is further laminated. In this transparent conductive film 10, the pattern of the transparent conductive film 5 is difficult to visually recognize due to the existence of the high refractive index layer 3 and the low refractive index layer 4.
<투명 도전막> <Transparent Conductive Film>
본 실시형태에 관한 투명 도전성 필름 (10) 에 있어서의 투명 도전막 (5) 의 재료로는, 투명성과 도전성을 겸비하는 재료이면 특별히 제한없이 사용할 수 있고, 예를 들어, 주석 도프 산화인듐 (ITO), 산화이리듐 (IrO2), 산화인듐 (In2O3), 산화주석 (SnO2), 불소 도프 산화주석 (FTO), 산화인듐-산화아연 (IZO), 산화아연 (ZnO), 갈륨 도프 산화아연 (GZO), 알루미늄 도프 산화아연 (AZO), 산화몰리브덴 (MoO3), 산화티탄 (TiO2) 등의 투명 도전성 금속 산화물을 들 수 있다. 이들 금속 산화물의 박막은, 적당한 조막 조건을 채용함으로써 투명성과 도전성을 겸비한 투명 도전막이 된다.As the material of the transparent conductive film 5 in the transparent conductive film 10 according to the present embodiment, any material having both transparency and conductivity can be used without particular limitation. For example, tin-doped indium oxide (ITO ), iridium oxide (IrO 2 ), indium oxide (In 2 O 3 ), tin oxide (SnO 2 ), fluorine dope tin oxide (FTO), indium oxide-zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), gallium dope and transparent conductive metal oxides such as zinc oxide (GZO), aluminum-doped zinc oxide (AZO), molybdenum oxide (MoO 3 ), and titanium oxide (TiO 2 ). A thin film of these metal oxides becomes a transparent conductive film having both transparency and conductivity by adopting appropriate film formation conditions.
투명 도전막 (5) 의 두께는 4 ∼ 800 ㎚ 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 500 ㎚ 인 것이 보다 바람직하고, 10 ∼ 100 ㎚ 인 것이 특히 바람직하다. 투명 도전막 (5) 의 두께가 이러한 범위에 있음으로써, 연속된 박막이 되어 안정적인 도전성이 얻어짐과 함께, 투명성이 저하될 우려가 없다. The thickness of the transparent conductive film 5 is preferably 4 to 800 nm, more preferably 5 to 500 nm, and particularly preferably 10 to 100 nm. When the thickness of the transparent conductive film 5 is in such a range, while it becomes a continuous thin film and stable conductivity is obtained, there is no fear that transparency will decrease.
또한, 투명 도전막 (5) 의 굴절률은 1.90 ∼ 2.05 정도인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the refractive index of the transparent conductive film 5 is about 1.90-2.05.
<물성> <Physical properties>
투명 도전성 필름 (10) 은, 투명 도전막 (5) 을 에칭했을 때, 에칭 전후에서의 파장 400 ㎚ 에 있어서의 반사율 (%) 의 차의 절대값이 9 이하인 것이 바람직하고, 8 이하인 것이 특히 바람직하며, 6 이하인 것이 더욱 바람직하다. 여기서, 에칭 전후에서의 반사율의 차란, 투명 도전막 (5) 에 에칭 처리를 실시하기 전후에 있어서, 각각 JIS K7142 에 따라서 파장 400 ㎚ 부근에 있어서의 반사율 (단위 : %) 을 측정했을 때의, 당해 파장에 있어서의 에칭 전후에서의 차분의 값이다.In the transparent conductive film 10, when the transparent conductive film 5 is etched, the absolute value of the difference in reflectance (%) at a wavelength of 400 nm before and after etching is preferably 9 or less, and particularly preferably 8 or less and more preferably 6 or less. Here, the difference in reflectance before and after etching is the reflectance (unit: %) measured in the vicinity of wavelength 400 nm in accordance with JIS K7142 before and after etching the transparent conductive film 5, respectively. It is the value of the difference before and after etching in the said wavelength.
투명 도전막 (5) 을 에칭했을 때의 에칭 전후에서의 파장 400 ㎚ 에 있어서의 반사율 차의 절대값이 9 이하임으로써, 본 실시형태에 관한 투명 도전성 필름 (10) 은 우수한 투명성을 가지면서, 반사광 하에 있어서 투명 도전막 (5) 의 패턴이 시인되기 어려운 것이 된다.When the transparent conductive film 5 is etched, the absolute value of the reflectance difference at a wavelength of 400 nm before and after etching is 9 or less, so that the transparent conductive film 10 according to the present embodiment has excellent transparency, Under reflected light, the pattern of the transparent conductive film 5 becomes difficult to be visually recognized.
<투명 도전성 필름의 제조> <Manufacture of transparent conductive film>
본 실시형태에 관한 투명 도전성 필름 (10) 은, 예를 들어 이하에 나타내는 방법에 의해 제조할 수 있다. 먼저, 전술한 바와 같이 투명 도전막 적층용 필름 (1) 을 제조한 후, 이러한 투명 도전막 적층용 필름 (1) 의 저굴절률층 (4) 이 형성되어 있는 면측에 대하여, 진공 증착법, 스퍼터링법, CVD 법, 이온 플레이팅법, 스프레이법, 졸-겔법 등의 공지된 방법을 상기 재료의 종류나 필요한 막두께에 따라서 적절히 선택하여 투명 도전막 (5) 을 적층함으로써, 투명 도전성 필름 (10) 을 제조할 수 있다.The transparent conductive film 10 according to this embodiment can be manufactured, for example, by the method shown below. First, after manufacturing the transparent conductive film lamination film 1 as described above, the surface side of the transparent conductive film lamination film 1 on which the low refractive index layer 4 is formed is subjected to vacuum evaporation or sputtering. , The transparent conductive film 10 is formed by laminating the transparent conductive film 5 by appropriately selecting a known method such as a CVD method, an ion plating method, a spray method, or a sol-gel method according to the type of the material or the required film thickness. can be manufactured
또, 상기 투명 도전막 (5) 은 상기한 바와 같이 하여 제막한 후, 포토리소그래피법에 의해 소정 패턴의 레지스트 마스크를 형성하고, 공지된 방법에 의해 에칭 처리를 실시하여, 예를 들어 라인 형상 패턴 등을 형성할 수 있다.In addition, after forming the transparent conductive film 5 as described above, a resist mask having a predetermined pattern is formed by photolithography, and an etching process is performed by a known method to form, for example, a line-shaped pattern. etc. can be formed.
본 실시형태에 관한 투명 도전성 필름 (10) 은 본 실시형태에 관한 투명 도전막 적층용 필름 (1) 을 사용하여 제조됨으로써, 투명 도전막이 적층된 부분을 시인하기 어렵게 하는 것이 가능하며, 투명 도전막의 저항값을 원하는 값으로 설정할 수 있고, 저굴절률층의 표면에 배선 등을 형성할 때의 가공성이 우수하다.The transparent conductive film 10 according to the present embodiment is manufactured using the transparent conductive film lamination film 1 according to the present embodiment, so that the portion where the transparent conductive film is laminated can be made difficult to visually see, and the transparent conductive film The resistance value can be set to a desired value, and the workability at the time of forming wiring or the like on the surface of the low refractive index layer is excellent.
이상에서 설명한 실시형태는 본 발명의 이해를 쉽게 하기 위해서 기재된 것으로서, 본 발명을 한정하기 위해서 기재된 것은 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.The embodiments described above are described for facilitating understanding of the present invention, and are not described to limit the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.
실시예Example
이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예 등으로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically by examples and the like, but the scope of the present invention is not limited to these examples and the like.
또, 이하에 나타내는 실시예 또는 비교예에 있어서의 고굴절률층 및 저굴절률층의 두께는, 그러한 층들을 형성한 단계에서 분광 엘립소미터 (J. A. WOOLLAM 사 제조, 제품명 : M-2000) 를 사용하여 측정하였다.In addition, the thicknesses of the high refractive index layer and the low refractive index layer in Examples or Comparative Examples shown below were determined by using a spectroscopic ellipsometer (manufactured by J. A. Woollam, product name: M-2000) at the stage of forming those layers. measured.
[조제예 1] (고굴절률층용 도포제 H-1) [Preparation Example 1] (coating agent for high refractive index layer H-1)
활성 에너지선 경화형 화합물로서의 페놀 노볼락계 자외선 경화형 프레폴리머 (히타치 카세이사 제조, 히탈로이드 7663, 고형분 80 %, 메틸이소부틸케톤 (MIBK) 희석) 100 질량부 (고형분 환산 ; 이하 동일) 와, 굴절률 조정제로서의 평균 입경 10 ㎚ 의 산화지르코늄 300 질량부와, 광 중합 개시제로서의 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 (BASF 사 제조, 상품명 : 이르가큐어 184) 5 질량부를 희석 용제로서의 MIBK 에 의해 희석하여, 고굴절률층용 도포제 H-1 을 조제하였다.100 parts by mass (solid content conversion; hereinafter the same) of a phenol novolak-based ultraviolet curable prepolymer (Hitaloid 7663, solid content 80%, diluted in methyl isobutyl ketone (MIBK), manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) as an active energy ray-curable compound, and refractive index 300 parts by mass of zirconium oxide having an average particle diameter of 10 nm as a regulator and 5 parts by mass of 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone (manufactured by BASF, trade name: Irgacure 184) as a photopolymerization initiator were diluted with MIBK as a diluting solvent, Coating agent H-1 for a high refractive index layer was prepared.
[조제예 2] (고굴절률층용 도포제 H-2) [Preparation Example 2] (coating agent for high refractive index layer H-2)
굴절률 조정제로서 평균 입경 10 ㎚ 의 산화티탄을 사용하는 것 이외에, 조제예 1 과 동일하게 하여 고굴절률층용 도포제 H-2 를 조제하였다.Coating agent H-2 for a high refractive index layer was prepared in the same manner as in Preparation Example 1, except that titanium oxide having an average particle diameter of 10 nm was used as the refractive index adjuster.
[조제예 3] (저굴절률층용 도포제 L-1) [Preparation Example 3] (coating agent for low refractive index layer L-1)
활성 에너지선 경화형 화합물로서의 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 (신나카무라 화학 공업사 제조, 상품명 : NK 에스테르 A-DPH, 고형분 농도 100 질량%) 100 질량부와, 굴절률 조정용 입자로서의 평균 입경 60 ㎚ 의 중공 실리카 25 질량부와, 광 중합 개시제로서의 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 (BASF 사 제조, 상품명 : 이르가큐어184) 5 질량부를 희석 용제로서의 MIBK 에 의해 희석하여, 저굴절률층용 도포제 L-1 을 조제하였다.100 parts by mass of dipentaerythritol hexaacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industries, Ltd., trade name: NK ester A-DPH, solid content concentration: 100 mass%) as an active energy ray-curable compound, and hollow silica having an average particle diameter of 60 nm as particles for refractive index adjustment 25 parts by mass and 5 parts by mass of 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone (manufactured by BASF, trade name: Irgacure 184) as a photopolymerization initiator were diluted with MIBK as a diluting solvent to prepare a low refractive index layer coating agent L-1 did
[조제예 4] (저굴절률층용 도포제 L-2) [Preparation Example 4] (coating agent for low refractive index layer L-2)
실록산 화합물로서의 실록산 수지 (콜코트사 제조, 상품명 : 콜코트 P) 100 질량부를 희석 용제로서의 이소프로필알코올 (IPA) 에 의해 희석하여, 저굴절률층용 도포제 L-2 를 조제하였다.100 parts by mass of a siloxane resin (product name: Colcoat P) as a siloxane compound was diluted with isopropyl alcohol (IPA) as a diluting solvent to prepare a coating agent L-2 for a low refractive index layer.
[조제예 5] (저굴절률층용 도포제 L-3) [Preparation Example 5] (coating agent for low refractive index layer L-3)
굴절률 조정용 입자의 배합량을 50 질량부로 변경하는 것 이외에, 조제예 3 과 동일하게 하여 저굴절률층용 도포제 L-3 을 조제하였다.A coating agent for a low refractive index layer L-3 was prepared in the same manner as in Preparation Example 3, except that the blending amount of the particles for adjusting the refractive index was changed to 50 parts by mass.
[조제예 6] (저굴절률층용 도포제 L-4) [Preparation Example 6] (coating agent for low refractive index layer L-4)
굴절률 조정용 입자의 배합량을 12.5 질량부로 변경하는 것 이외에는 조제예 3 과 동일하게 하여 저굴절률층용 도포제 L-4 를 조제하였다.Coating agent L-4 for a low refractive index layer was prepared in the same manner as in Preparation Example 3 except that the blending amount of the particles for adjusting the refractive index was changed to 12.5 parts by mass.
[조제예 7] (저굴절률층용 도포제 L-5) [Preparation Example 7] (coating agent for low refractive index layer L-5)
굴절률 조정용 입자의 배합량을 12.5 질량부로 변경하고, 방오제로서 반응성 불소 올리고머 (DIC 사 제조, 상품명 : 메가팍 RS-75, 고형분 40 %, MIBK 희석) 8.2 질량부를 추가로 첨가하는 것 이외에는 조제예 3 과 동일하게 하여 저굴절률층용 도포제 L-5 를 조제하였다.Preparation Example 3 except that the blending amount of the particles for adjusting the refractive index was changed to 12.5 parts by mass, and 8.2 parts by mass of a reactive fluorine oligomer (manufactured by DIC, trade name: Megafac RS-75, solid content: 40%, diluted with MIBK) was further added as an antifouling agent. Coating agent L-5 for a low refractive index layer was prepared in the same manner as above.
[조제예 8] (저굴절률층용 도포제 L-6) [Preparation Example 8] (coating agent for low refractive index layer L-6)
굴절률 조정용 입자를 첨가하지 않은 것 이외에는 조제예 3 과 동일하게 하여 저굴절률층용 도포제 L-6 을 조제하였다.Coating agent L-6 for a low refractive index layer was prepared in the same manner as in Preparation Example 3 except that the particles for adjusting the refractive index were not added.
[조제예 9] (저굴절률층용 도포제 L-7)[Preparation Example 9] (coating agent for low refractive index layer L-7)
굴절률 조정용 입자의 배합량을 100 질량부로 변경하는 것 이외에는 조제예 3 과 동일하게 하여 저굴절률층용 도포제 L-7 을 조제하였다.Coating agent L-7 for a low refractive index layer was prepared in the same manner as in Preparation Example 3 except that the blending amount of the particles for adjusting the refractive index was changed to 100 parts by mass.
[조제예 10] (저굴절률층용 도포제 L-8)[Preparation Example 10] (coating agent for low refractive index layer L-8)
방오제의 배합량을 11.8 질량부로 변경하는 것 이외에는 조제예 7 과 동일하게 하여 저굴절률층용 도포제 L-8 을 조제하였다.A coating agent for a low refractive index layer L-8 was prepared in the same manner as in Preparation Example 7 except that the amount of the antifouling agent was changed to 11.8 parts by mass.
여기서, 조제예 1 ∼ 10 의 배합을 표 1 에 나타낸다. 또, 표 1 에 기재된 약호 등의 상세한 것은 다음과 같다.Here, the formulation of Preparation Examples 1 to 10 is shown in Table 1. In addition, the details of the abbreviation etc. described in Table 1 are as follows.
[희석 용제] [diluted solvent]
MIBK : 메틸이소부틸케톤 MIBK: methyl isobutyl ketone
IPA : 이소프로필알코올IPA: isopropyl alcohol
[실시예 1] [Example 1]
투명 플라스틱 기재로서의, 한쪽 면에 이접착층을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (토요보사 제조, 상품명 : 코스모샤인 A4100, 두께 50 ㎛) 의 이접착층과는 반대측의 면에, 조제예 3 에서 얻어진 저굴절률층용 도포제 L-1 을 마이어 바로 도공하였다. 이것을 50 ℃ 의 오븐에서 1 분간 건조시킨 후, 질소 분위기하에서 고압 수은 램프로 200 mJ/㎠ 의 자외선을 조사함으로써 두께 35 ㎚ 의 저굴절률층을 형성하고, 투명 도전막 적층용 필름을 얻었다. 얻어진 투명 도전막 적층용 필름의 저굴절률층 상에 ITO 타깃 (산화주석 10 질량%) 을 사용하여 스퍼터링을 실시하여, 두께 30 ㎚ 의 투명 도전막을 형성하고, 투명 도전성 필름을 제작하였다. 또한, 후술하는 분광 엘립소미터를 사용한 측정에 의하면, 투명 도전막의 굴절률은 1.95 였다. 또한, 투명 도전막은 후술하는 시인성 시험을 고려하여, 투명 도전막이 적층되어 있지 않은 부분이 잔존하도록 형성하였다.As a transparent plastic substrate, a polyethylene terephthalate (PET) film (manufactured by Toyobo Co., Ltd., trade name: Cosmo Shine A4100, thickness: 50 μm) having an easily adhesive layer on one side, on the surface opposite to the easily adhesive layer, the low obtained in Preparation Example 3 Coating agent L-1 for the refractive index layer was coated with a Meyer bar. After drying this in a 50 degreeC oven for 1 minute, a 35 nm-thick low refractive index layer was formed by irradiating 200 mJ/cm<2> ultraviolet-ray with a high pressure mercury lamp in nitrogen atmosphere, and the film for lamination|stacking of a transparent conductive film was obtained. On the low refractive index layer of the obtained transparent conductive film lamination film, sputtering was performed using an ITO target (tin oxide 10% by mass) to form a transparent conductive film having a thickness of 30 nm to prepare a transparent conductive film. In addition, according to measurement using a spectroscopic ellipsometer described later, the refractive index of the transparent conductive film was 1.95. In addition, the transparent conductive film was formed so that a portion where the transparent conductive film was not laminated remained in consideration of the visibility test described later.
[실시예 2] [Example 2]
저굴절률층의 두께를 50 ㎚ 로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 도전성 필름을 제작하였다.A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the low refractive index layer was 50 nm.
[실시예 3] [Example 3]
투명 플라스틱 기재로서의, 한쪽 면에 이접착층을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (토요보사 제조, 상품명 : 코스모샤인 A4100, 두께 50 ㎛) 의 이접착층과는 반대측의 면에, 조제예 4 에서 얻어진 저굴절률층용 도포제 L-2 를 마이어 바로 도공하였다. 이것을 50 ℃ 의 오븐에서 20 초간 건조시킨 후, 130 ℃ 에서 40 초간 가열함으로써 경화시켜 두께 35 ㎚ 의 저굴절률층을 형성하고, 투명 도전막 적층용 필름을 얻었다. 얻어진 투명 도전막 적층용 필름의 저굴절률층 상에 ITO 타깃 (산화주석 10 질량%) 을 사용하여 스퍼터링을 실시하여 두께 30 ㎚ 의 투명 도전막을 형성하고, 투명 도전성 필름을 제작하였다. 또, 후술하는 분광 엘립소미터를 사용한 측정에 의하면, 투명 도전막의 굴절률은 1.95 였다. 또한, 투명 도전막은 후술하는 시인성 시험을 고려하여, 투명 도전막이 적층되어 있지 않은 부분이 잔존하도록 형성하였다.As a transparent plastic substrate, a polyethylene terephthalate (PET) film (manufactured by Toyobo Co., Ltd., trade name: Cosmo Shine A4100, thickness: 50 μm) having an easily adhesive layer on one side, on the surface opposite to the easily adhesive layer, the low obtained in Preparation Example 4 Coating agent L-2 for the refractive index layer was coated with a Meyer bar. After drying this in a 50 degreeC oven for 20 second, it was made to harden by heating at 130 degreeC for 40 second, and the low refractive index layer of thickness 35 nm was formed, and the film for transparent conductive film lamination|stacking was obtained. On the low refractive index layer of the obtained transparent conductive film lamination film, sputtering was performed using an ITO target (tin oxide 10% by mass) to form a transparent conductive film having a thickness of 30 nm to prepare a transparent conductive film. Moreover, according to the measurement using the spectroscopic ellipsometer mentioned later, the refractive index of the transparent conductive film was 1.95. In addition, the transparent conductive film was formed so that a portion where the transparent conductive film was not laminated remained in consideration of the visibility test described later.
[실시예 4] [Example 4]
저굴절률층용 도포제로서 조제예 5 에서 얻어진 저굴절률층용 도포제 L-3 을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 도전성 필름을 제작하였다.A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the low refractive index layer coating agent L-3 obtained in Preparation Example 5 was used as the low refractive index layer coating agent.
[실시예 5] [Example 5]
저굴절률층용 도포제로서 조제예 6 에서 얻어진 저굴절률층용 도포제 L-4 를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 도전성 필름을 제작하였다.A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the low refractive index layer coating agent L-4 obtained in Preparation Example 6 was used as the low refractive index layer coating agent.
[실시예 6] [Example 6]
저굴절률층용 도포제로서 조제예 7 에서 얻어진 저굴절률층용 도포제 L-5 를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 도전성 필름을 제작하였다.A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the low refractive index layer coating agent L-5 obtained in Preparation Example 7 was used as the low refractive index layer coating agent.
[실시예 7] [Example 7]
투명 플라스틱 기재로서, 일방의 면에 고굴절률성의 이접착층을 갖고, 타방의 면에 저간섭성의 이접착층을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (미츠비시 수지사 제조, 상품명 : 다이아호일 O901, 두께 125 ㎛) 을 사용하여, 당해 필름의 고굴절률성 이접착층을 갖는 면에 저굴절률층용 도포제를 도공한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 도전성 필름을 제작하였다.As a transparent plastic substrate, a polyethylene terephthalate (PET) film having a high refractive index adhesive layer on one side and a low coherence adhesive layer on the other side (manufactured by Mitsubishi Resins, trade name: Diafoil O901, thickness 125 μm) ), a transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating agent for the low refractive index layer was applied to the surface having the high refractive index easily bonding layer of the film.
[실시예 8] [Example 8]
투명 플라스틱 기재로서의, 한쪽 면에 이접착층을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (토요보사 제조, 상품명 : 코스모샤인 A4100, 두께 125 ㎛) 의 이접착층과는 반대측의 면에, 조제예 1 에서 얻어진 고굴절률층용 도포제 H-1 을 마이어 바로 도공하였다. 이것을 50 ℃ 의 오븐에서 1 분간 건조시킨 후, 질소 분위기하에서 고압 수은 램프로 200 mJ/㎠ 의 자외선을 조사함으로써 두께 50 ㎚ 의 고굴절률층을 형성하였다. 추가로, 조제예 3 에서 얻어진 저굴절률층용 도포제 L-1 을 고굴절률층 상에 마이어 바로 도공하였다. 이것을 50 ℃ 의 오븐에서 1 분간 건조시킨 후, 질소 분위기하에서 고압 수은 램프로 200 mJ/㎠ 의 자외선을 조사함으로써 두께 35 ㎚ 의 저굴절률층을 형성하여, 투명 도전막 적층용 필름을 얻었다. 얻어진 투명 도전막 적층용 필름의 저굴절률층 상에 ITO 타깃 (산화주석 10 질량%) 을 사용하여 스퍼터링을 실시하여 두께 30 ㎚ 의 투명 도전막을 형성하고, 투명 도전성 필름을 제작하였다. 또, 후술하는 분광 엘립소미터를 사용한 측정에 의하면, 투명 도전막의 굴절률은 1.95 였다. 또한, 투명 도전막은 후술하는 시인성 시험을 고려하여, 투명 도전막이 적층되어 있지 않은 부분이 잔존하도록 형성하였다.A polyethylene terephthalate (PET) film (trade name: Cosmo Shine A4100, thickness: 125 µm, manufactured by Toyobo Co., Ltd., manufactured by Toyobo Co., Ltd., 125 μm in thickness) having an easily adhesive layer on one side as a transparent plastic substrate, on the surface opposite to the easily adhesive layer, the high obtained in Preparation Example 1 Coating agent H-1 for the refractive index layer was coated with a Meyer bar. After drying this in a 50 degreeC oven for 1 minute, the high refractive index layer of thickness 50 nm was formed by irradiating 200 mJ/cm<2> ultraviolet-ray with a high-pressure mercury lamp in nitrogen atmosphere. Additionally, the low refractive index layer coating agent L-1 obtained in Preparation Example 3 was coated on the high refractive index layer with a Meyer bar. After drying this in a 50 degreeC oven for 1 minute, a 35 nm-thick low refractive index layer was formed by irradiating 200 mJ/cm<2> ultraviolet-ray with a high pressure mercury lamp in nitrogen atmosphere, and the film for lamination|stacking of a transparent conductive film was obtained. On the low refractive index layer of the obtained transparent conductive film lamination film, sputtering was performed using an ITO target (tin oxide 10% by mass) to form a transparent conductive film having a thickness of 30 nm to prepare a transparent conductive film. Moreover, according to the measurement using the spectroscopic ellipsometer mentioned later, the refractive index of the transparent conductive film was 1.95. In addition, the transparent conductive film was formed so that a portion where the transparent conductive film was not laminated remained in consideration of the visibility test described later.
[실시예 9] [Example 9]
투명 플라스틱 기재로서, 일방의 면에 고굴절률성의 이접착층을 갖고, 타방의 면에 저간섭성의 이접착층을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (미츠비시 수지사 제조, 상품명 : 다이아호일 O901, 두께 125 ㎛) 을 사용하여, 당해 필름의 고굴절률성의 이접착층을 갖는 면에 고굴절률층용 도포제를 도공하고, 또한, 고굴절률층용 도포제로서 조제예 2 에서 얻어진 고굴절률층용 도포제 H-2 를 사용한 것 이외에는 실시예 8 과 동일하게 하여, 투명 도전성 필름을 제작하였다.As a transparent plastic substrate, a polyethylene terephthalate (PET) film having a high refractive index adhesive layer on one side and a low coherence adhesive layer on the other side (manufactured by Mitsubishi Resins, trade name: Diafoil O901, thickness 125 μm) ) was used to coat the high refractive index layer coating agent on the surface having the high refractive index easily adhesive layer of the film, and further, as the high refractive index layer coating agent, Example except that the high refractive index layer coating agent H-2 obtained in Preparation Example 2 was used In the same manner as in 8, a transparent conductive film was produced.
[비교예 1] [Comparative Example 1]
저굴절률층의 두께를 80 ㎚ 로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 도전성 필름을 제작하였다.A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the low refractive index layer was changed to 80 nm.
[비교예 2] [Comparative Example 2]
저굴절률층용 도포제로서 조제예 8 에서 얻어진 저굴절률층용 도포제 L-6 을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 도전성 필름을 제작하였다.A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the low refractive index layer coating agent L-6 obtained in Preparation Example 8 was used as the low refractive index layer coating agent.
[비교예 3] [Comparative Example 3]
저굴절률층용 도포제로서 조제예 9 에서 얻어진 저굴절률층용 도포제 L-7 을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 도전성 필름을 제작하였다.A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the low refractive index layer coating agent L-7 obtained in Preparation Example 9 was used as the low refractive index layer coating agent.
[비교예 4] [Comparative Example 4]
저굴절률층용 도포제로서 조제예 10 에서 얻어진 저굴절률층용 도포제 L-8 을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 도전성 필름을 제작하였다.A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the low refractive index layer coating agent L-8 obtained in Preparation Example 10 was used as the low refractive index layer coating agent.
[시험예 1] (굴절률의 측정) [Test Example 1] (measurement of refractive index)
조제예 1 ∼ 10 에서 얻어진 고굴절률층용 도포제 및 저굴절률층용 도포제의 각각을, 한쪽 면에 이접착층을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (토요보사 제조, 상품명 : 코스모샤인 A4100, 두께 50 ㎛) 의 이접착층과는 반대측의 면에 도공하고, 실시예 및 비교예와 동일한 조건으로 저굴절률층 및 고굴절률층을 형성하였다.Each of the coating agent for the high refractive index layer and the coating agent for the low refractive index layer obtained in Preparation Examples 1 to 10 was a polyethylene terephthalate (PET) film (trade name: Cosmo Shine A4100, thickness 50 μm) having an easily adhesive layer on one side. It was coated on the surface opposite to the easily bonding layer, and a low refractive index layer and a high refractive index layer were formed under the same conditions as in Examples and Comparative Examples.
얻어진 저굴절률층 및 고굴절률층의 굴절률을, 측정 파장 589 ㎚, 측정 온도 23 ℃ 의 조건으로 분광 엘립소미터 (J. A. WOOLLAM 사 제조, 제품명 : M-2000) 를 사용하여 측정하였다. 측정시, 저굴절률층 또는 고굴절률층을 형성한 면과는 반대의 면을 사포로 문지르고, 유성 펜 (지브러사 제조, 맛키 흑색) 에 의해 흑색으로 빈틈없이 칠하여 측정을 실시하였다. 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률을 채용하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.The refractive indices of the obtained low-refractive-index layer and high-refractive-index layer were measured using a spectroscopic ellipsometer (manufactured by J. A. Woollam, product name: M-2000) under conditions of a measurement wavelength of 589 nm and a measurement temperature of 23°C. At the time of measurement, the surface opposite to the surface on which the low-refractive-index layer or high-refractive-index layer was formed was rubbed with sandpaper, and it was painted in black with an oil pen (Zebra Co., Ltd., Matky Black), and the measurement was carried out. The refractive index at a wavelength of 589 nm was employed. A result is shown in Table 2.
또한, 일방의 면에 고굴절률성의 이접착층을 갖고, 타방의 면에 저간섭성의 이접착층을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (미츠비시 수지사 제조, 상품명 : 다이아호일 O901, 두께 125 ㎛) 의 이접착층의 굴절률에 대해서도, 상기 분광 엘립소미터를 사용하여 상기 조건으로 측정하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.In addition, a polyethylene terephthalate (PET) film (manufactured by Mitsubishi Resins, trade name: Diafoil O901, thickness 125 μm) having a high refractive index easily bonding layer on one side and a low coherence bonding layer on the other side. The refractive index of the adhesive layer was also measured under the above conditions using the above spectroscopic ellipsometer. A result is shown in Table 2.
[시험예 2] (저굴절률층의 표면적 증가율의 측정) [Test Example 2] (Measurement of surface area increase rate of low refractive index layer)
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 투명 도전성 필름에 관해서, 레이저 마이크로스코프 (키엔스사 제조, 제품명 : VK-9700) 를 사용하여 저굴절률층에 있어서의 투명 플라스틱 기재와는 반대측의 면의 화상을 배율 900 배로 취득하였다.For each transparent conductive film obtained in Examples and Comparative Examples, an image of the surface of the low refractive index layer opposite to the transparent plastic base material was viewed using a laser microscope (manufactured by Keyence Corporation, product name: VK-9700) at a magnification of 900. obtained by ship.
취득한 화상에 있어서, 4.992 ㎛ 사방의 정방형 영역을 임의로 선택하여, 당해 정방형의 한 변에 대응하는 저굴절률층의 당해 면에 있어서의 표면 길이를 측정하고, 이것을 세로의 표면 길이로 하였다. 또한, 당해 한 변에 직교하는 다른 한 변에 대응하는 저굴절률층의 당해 면에 있어서의 표면 길이를 측정하고, 이것을 가로의 표면 길이로 하였다.In the obtained image, a square area of 4.992 μm square was arbitrarily selected, and the surface length of the low refractive index layer corresponding to one side of the square was measured on the surface, and this was taken as the vertical surface length. In addition, the surface length on the surface of the low refractive index layer corresponding to the other side orthogonal to the side was measured, and this was taken as the horizontal surface length.
이러한 정방형의 선택 및 표면 길이의 측정을, 추가로 2 회 실시하였다. 얻어진 3 개의 세로의 표면 길이로부터 그 평균치를 산출하고, 또한, 얻어진 3 개의 가로의 표면 길이로부터 그 평균치를 산출하였다. 이들의 평균치의 곱을 실표면적으로 하여, 이하의 식 (Ⅰ)Selection of these squares and measurement of the surface length were further performed twice. The average value was calculated from the obtained three vertical surface lengths, and the average value was calculated from the obtained three horizontal surface lengths. The product of these average values is the real surface area, and the following formula (I)
로부터 표면적 증가율을 산출하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.The surface area increase rate was calculated from A result is shown in Table 2.
[시험예 3] (투명 도전막의 저항값의 측정) [Test Example 3] (Measurement of Resistance Value of Transparent Conductive Film)
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 투명 도전막 적층용 필름의 저굴절률층 상에 ITO 타깃 (산화주석 10 질량%) 을 사용하여 스퍼터링한 후, 150 ℃ 에서 30 분간 어닐하여, ITO 를 결정화하였다.After sputtering using an ITO target (10% by mass of tin oxide) on the low refractive index layer of each transparent conductive film lamination film obtained in Examples and Comparative Examples, it was annealed at 150°C for 30 minutes to crystallize ITO.
이 샘플을 유리판 상에 놓고, 프로브 (미츠비시 화학 아날리텍사 제조, 4 탐침 ASP 프로브, 제품명 : MCP-TP03P) 를 장착한 저항률계 (미츠비시 화학 아날리텍사 제조, 제품명 : 로레스타 AX) 를 사용하여, 투명 도전막의 저항값을 측정하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다. 또, 저항값이 400 Ω/□ 이하인 경우에 양호로 판단된다.This sample was placed on a glass plate, and using a resistivity meter (manufactured by Mitsubishi Chemical Analytec, product name: Loresta AX) equipped with a probe (4-probe ASP probe, product name: MCP-TP03P, manufactured by Mitsubishi Chemical Analytec, Inc.) , the resistance value of the transparent conductive film was measured. A result is shown in Table 2. In addition, when the resistance value is 400 Ω/□ or less, it is judged to be good.
[시험예 4] (불가시화 성능의 평가) [Test Example 4] (Evaluation of invisible performance)
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 투명 도전성 필름에 관해서, 투명 도전막이 형성된 부분 및 형성되어 있지 않은 부분의 각각에 대해, 파장 400 ㎚ 에 있어서의 반사율 (단위 : %) 을 분광 광도계 (시마즈 제작소사 제조, 제품명 : UV-3600) 로 측정하였다. 투명 도전막이 형성된 부분 및 형성되어 있지 않은 부분에서의 반사율 차를 산출하여, 그 절대값을 구하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.Regarding each transparent conductive film obtained in Examples and Comparative Examples, the reflectance (unit: %) at a wavelength of 400 nm was measured with a spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation) for each of the portion where the transparent conductive film was formed and the portion where it was not formed. , product name: UV-3600). The difference in reflectance between the part where the transparent conductive film was formed and the part where it was not formed was calculated, and the absolute value was obtained. A result is shown in Table 2.
그리고, 반사율 차의 절대값에 기초하여, 불가시화 성능을 이하에 나타내는 기준에 의해 평가하였다. 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.And based on the absolute value of the difference in reflectance, invisible performance was evaluated by the criteria shown below. An evaluation result is shown in Table 2.
○ : 반사율 차의 절대값이 0 ∼ 7○: The absolute value of the reflectance difference is 0 to 7
△ : 반사율 차의 절대값이 7 ∼ 9△: The absolute value of the reflectance difference is 7 to 9
× : 반사율 차의 절대값이 9 를 초과한다×: The absolute value of the reflectance difference exceeds 9
또한, 불가시화 성능을 육안에 의해서도 평가하였다. 실시예 및 비교예에서 얻어진 각 투명 도전성 필름을, 투명 도전막이 백색 형광등측이 되도록 백색 형광등 (27 W ; 3 파장) 으로부터 1 m 의 위치에 설치하였다. 투명 도전성 필름에 백색 형광등을 비쳐 넣은 상태로, 백색 형광등이 설치되어 있는 것과 같은 측에 있어서의 투명 도전성 필름으로부터 30 cm 의 위치로부터, 투명 도전성 필름의 투명 도전막이 적층되어 있는 단부 부근을 육안으로 관찰하였다. 그리고, 투명 도전막이 적층되어 있는 지점과 적층되어 있지 않은 지점과의 경계 (투명 도전막의 유무의 경계) 에서 색조에 변화가 있는지 여부를, 이하에 나타내는 기준에 의해 평가하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.In addition, invisible performance was also evaluated visually. Each transparent conductive film obtained in Examples and Comparative Examples was installed at a position of 1 m from a white fluorescent lamp (27 W; 3 wavelengths) so that the transparent conductive film was on the side of the white fluorescent lamp. With a white fluorescent light shining on the transparent conductive film, visually observing the vicinity of the end where the transparent conductive films are laminated on the transparent conductive film from a position 30 cm from the transparent conductive film on the side where the white fluorescent light is installed. did Then, whether or not there was a change in color tone at the boundary between the point where the transparent conductive film was laminated and the point where it was not laminated (the boundary between the presence and absence of the transparent conductive film) was evaluated according to the criteria shown below. A result is shown in Table 2.
○ : 투명 도전막의 유무의 경계에서 색조의 변화가 보이지 않는다.○: No change in color tone is seen at the boundary between the presence and absence of a transparent conductive film.
△ : 투명 도전막의 유무의 경계에서 색조의 변화가 간신히 보인다.(triangle|delta): The change of color tone is barely seen at the boundary of the presence or absence of a transparent conductive film.
× : 투명 도전막의 유무의 경계에서 색조의 변화가 보인다.x: A change in color tone is seen at the boundary between the presence and absence of a transparent conductive film.
[시험예 5] (저굴절률층의 표면 자유 에너지의 측정) [Test Example 5] (Measurement of surface free energy of low refractive index layer)
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 투명 도전막 적층용 필름에 관해서, 저굴절률층이 존재하는 면에 대한 각종 액적의 접촉각을 측정하고, 그 값을 바탕으로 기타자키·하타 이론에 의해 저굴절률층의 표면 자유 에너지 (mJ/㎡) 를 구하였다. 접촉각은 접촉각계 (쿄와 계면 과학사 제조, DM-701) 를 사용하여, 정적법에 의해 JIS R3257 에 준하여 측정하였다. 액적에 대해서는, 「분산 성분」으로서 디요오드메탄, 「쌍극자 성분」으로서 1-브로모나프탈렌, 「수소 결합 성분」으로서 증류수를 사용하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.Regarding each transparent conductive film lamination film obtained in Examples and Comparative Examples, the contact angles of various liquid droplets with respect to the surface on which the low refractive index layer exists were measured, and based on the measured values, the Surface free energy (mJ/m 2 ) was obtained. The contact angle was measured according to JIS R3257 by a static method using a contact angle meter (DM-701 manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.). For the droplets, diiodomethane was used as the "dispersion component", 1-bromonaphthalene was used as the "dipole component", and distilled water was used as the "hydrogen bond component". A result is shown in Table 2.
[시험예 6] (저굴절률층의 배선 가공성의 평가) [Test Example 6] (Evaluation of wiring workability of low refractive index layer)
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 투명 도전성 필름의 투명 도전막이 존재하는 면에 대하여 은 페이스트 (후지쿠라 카세이사 제조, 상품명 : FA-401CA) 를 스크린 인쇄하여, 은 페이스트 폭 5 ㎜ 및 은 페이스트간 간격 0.5 ㎜ 의 은 배선을 형성하였다. 형성된 은 배선을, 이하에 나타내는 기준에 의해 육안으로 평가하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.Silver paste (product name: FA-401CA, manufactured by Fujikura Kasei Co., Ltd.) was screen-printed on the surface of each transparent conductive film obtained in Examples and Comparative Examples on which the transparent conductive film was present, and the width of the silver paste was 5 mm and the gap between the silver pastes was obtained. A 0.5 mm silver wiring was formed. The formed silver wiring was visually evaluated according to the criteria shown below. A result is shown in Table 2.
○ : 배선이 깔끔하게 형성되어 있다.○: Wiring is neatly formed.
× : 페이스트의 뭉침이 발생하고, 단부가 톱니 모양으로 된 것 등에 의해서, 배선이 깔끔하게 형성되어 있지 않다.×: The wiring is not formed neatly due to paste agglomeration and end portions becoming jagged.
표 2 에 실시예 1 ∼ 9 및 비교예 1 ∼ 4 의 구성 및 시험예 1 ∼ 6 의 측정 결과를 나타낸다. 또, 표 2 에 기재된 약호 등의 상세한 것은 다음과 같다.Table 2 shows the configurations of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4 and the measurement results of Test Examples 1 to 6. In addition, the details of the abbreviation and the like described in Table 2 are as follows.
[기재] [write]
코스모샤인 A4100 : 한쪽 면에 이접착층을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (토요보사 제조, 상품명 : 코스모샤인 A4100, 두께 50 ㎛) Cosmo Shine A4100: Polyethylene terephthalate (PET) film having an easily adhesive layer on one side (manufactured by Toyobo Co., Ltd., trade name: Cosmo Shine A4100, thickness 50 μm)
다이아호일 O901 : 일방의 면에 고굴절률성의 이접착층을 갖고, 타방의 면에 저간섭성의 이접착층을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (미츠비시 수지사 제조, 상품명 : 다이아호일 O901, 두께 125 ㎛)Diafoil O901: Polyethylene terephthalate (PET) film having a high refractive index adhesive layer on one side and a low coherence adhesive layer on the other side (manufactured by Mitsubishi Resin, trade name: Diafoil O901, thickness 125 μm)
표 2 로부터 분명한 바와 같이, 실시예에서 작성한 투명 도전성 필름에서는 비교예와 비교하여, 낮은 표면적 증가율을 나타내고, 또한 높은 표면 자유 에너지를 나타내었다. 그리고, 실시예에서 작성한 투명 도전성 필름에서는, 투명 도전막의 저항값은 낮은 값을 취하고, 우수한 불가시화 성능을 나타내며, 우수한 배선 가공성을 나타내었다.As is clear from Table 2, the transparent conductive films produced in Examples exhibited a lower surface area increase rate and higher surface free energy compared to Comparative Examples. In the transparent conductive films prepared in Examples, the resistance value of the transparent conductive film took a low value, showed excellent invisible performance, and exhibited excellent wiring workability.
이에 대하여, 저굴절률층의 두께가 두꺼운 비교예 1 에서는, 패터닝의 불가시화 성능이 불충분하였다. 또한, 저굴절률층의 굴절률이 높은 비교예 2 에서는, 패터닝의 불가시화 성능이 불충분하였다. 또한, 저굴절률층의 굴절률 조정용 입자의 함유량이 높은 비교예 3 에서는, 저굴절률층의 표면적 증가율이 커져, 투명 도전층의 저항값이 높아졌다. 또한, 저굴절률층이 함불소 화합물을 함유하는 비교예 4 에서는, 표면 자유 에너지가 낮아져, 배선 가공성이 악화되었다.In contrast, in Comparative Example 1 in which the thickness of the low refractive index layer was thick, the patterning invisible performance was insufficient. Further, in Comparative Example 2, where the refractive index of the low-refractive-index layer was high, the patterning invisible performance was insufficient. Further, in Comparative Example 3 in which the content of refractive index adjusting particles in the low refractive index layer was high, the rate of increase in the surface area of the low refractive index layer increased and the resistance value of the transparent conductive layer increased. Further, in Comparative Example 4 in which the low refractive index layer contained a fluorine-containing compound, the surface free energy was lowered and wiring workability was deteriorated.
본 발명은 정전 용량식 터치 패널을 위한 투명 도전성 필름의 생산에 바람직하다.The present invention is suitable for production of transparent conductive films for capacitive touch panels.
1 투명 도전막 적층용 필름
2 투명 플라스틱 기재
3 고굴절률층
4 저굴절률층
10 투명 도전성 필름
5 투명 도전막 1 Film for lamination of transparent conductive films
2 Transparent plastic backing
3 high refractive index layer
4 low refractive index layer
10 transparent conductive film
5 transparent conductive film
Claims (7)
상기 투명 플라스틱 기재의 적어도 한쪽 면측에 형성된 저굴절률층을 구비한 투명 도전막 적층용 필름으로서,
상기 저굴절률층의 굴절률이 1.30 ∼ 1.50 이고,
상기 저굴절률층에 있어서의 상기 투명 플라스틱 기재와는 반대측의 면에 있어서, 4.992 ㎛ 사방의 정방형 영역을 임의로 선택하여, 상기 정방형의 한 변에 대응하는 상기 저굴절률층의 상기 면에 있어서의 표면 길이와, 상기 한 변에 직교하는 다른 한 변에 대응하는 상기 저굴절률층의 상기 면에 있어서의 표면 길이와의 곱을 실표면적으로 했을 때, 다음 식 (Ⅰ)
[수학식 1]
에 의해서 산출되는 표면적 증가율이 5 % 이하이고,
상기 저굴절률층의 표면 자유 에너지가 25.0 ∼ 100 mJ/㎡ 이고,
상기 저굴절률층의 두께가 2 ∼ 70 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 투명 도전막 적층용 필름.A transparent plastic substrate;
A film for laminating a transparent conductive film having a low refractive index layer formed on at least one side of the transparent plastic substrate,
The refractive index of the low refractive index layer is 1.30 to 1.50,
On the surface of the low refractive index layer opposite to the transparent plastic substrate, a 4.992 µm square area is arbitrarily selected, and the surface length of the surface of the low refractive index layer corresponding to one side of the square is When the product of the surface length of the surface of the low refractive index layer corresponding to the other side orthogonal to the side is the real surface area, the following formula (I)
[Equation 1]
The surface area increase rate calculated by is 5% or less,
The surface free energy of the low refractive index layer is 25.0 to 100 mJ/m 2 ,
A film for laminating a transparent conductive film, characterized in that the thickness of the low refractive index layer is 2 to 70 nm.
상기 저굴절률층은, 굴절률 조정용 입자를 함유하지 않거나, 상기 저굴절률층을 구성하는 매트릭스 수지 조성물 100 질량부에 대하여 100 질량부 미만의 함유량으로 굴절률 조정용 입자를 함유하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막 적층용 필름.According to claim 1,
The low refractive index layer does not contain refractive index adjusting particles or contains refractive index adjusting particles in an amount of less than 100 parts by mass based on 100 parts by mass of the matrix resin composition constituting the low refractive index layer. dragon film.
상기 투명 플라스틱 기재와 상기 저굴절률층의 사이에는, 상기 저굴절률층의 굴절률보다도 큰 굴절률을 갖는 고굴절률층이 개재하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막 적층용 필름.According to claim 1,
A film for laminating a transparent conductive film, characterized in that a high refractive index layer having a higher refractive index than the refractive index of the low refractive index layer is interposed between the transparent plastic substrate and the low refractive index layer.
상기 고굴절률층의 굴절률은 1.60 ∼ 1.90 인 것을 특징으로 하는 투명 도전막 적층용 필름.According to claim 3,
The film for laminating a transparent conductive film, characterized in that the refractive index of the high refractive index layer is 1.60 to 1.90.
상기 저굴절률층을 형성할 때, 상기 저굴절률층을 구성하는 재료를 도공한 후, 30 ∼ 70 ℃ 에서 10 초 ∼ 3 분간 가열 처리하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막 적층용 필름의 제조 방법.A method for producing the film for laminating a transparent conductive film according to any one of claims 1 to 4,
When forming the low refractive index layer, after coating the material constituting the low refractive index layer, heat treatment at 30 to 70 ° C. for 10 seconds to 3 minutes Production of a film for laminating a transparent conductive film, characterized in that method.
상기 저굴절률층에 있어서의 상기 투명 플라스틱 기재와는 반대측의 면측에 적층된 투명 도전막을 구비한 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.The transparent conductive film lamination film according to any one of claims 1 to 4;
A transparent conductive film characterized by comprising a transparent conductive film laminated on a surface side opposite to the transparent plastic substrate in the low refractive index layer.
상기 투명 도전성 필름에 있어서 상기 투명 도전막을 에칭했을 때에, 상기 에칭 전후에서의 파장 400 ㎚ 에 있어서의 반사율 (%) 의 차의 절대값이 9 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.According to claim 6,
In the transparent conductive film, when the transparent conductive film is etched, the absolute value of the difference in reflectance (%) at a wavelength of 400 nm before and after the etching is 9 or less.
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