KR102230986B1 - Compound and organic light emitting device comprising same - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides a compound represented by Chemical Formula 1 and an organic light-emitting device including the same.
Description
본 발명은 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a compound represented by Chemical Formula 1 and an organic light-emitting device including the same.
본 출원은 2018년 4월 9일 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2018-0041093호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.This application claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2018-0041093 filed with the Korean Intellectual Property Office on April 9, 2018, the entire contents of which are incorporated herein.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어지며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 난다.In general, the organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which electrical energy is converted into light energy by using an organic material. An organic light-emitting device using the organic light-emitting phenomenon has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. Here, the organic material layer has a multi-layered structure made of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, and may include, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. In the structure of such an organic light emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer, and excitons are formed when the injected holes and electrons meet. It glows when it falls to the ground.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.Development of a new material for the organic light emitting device as described above is continuously required.
본 명세서는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides a compound represented by Chemical Formula 1 and an organic light-emitting device including the same.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification provides a compound represented by Formula 1 below.
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,
R1 내지 R6 및 Y1 내지 Y4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며, R1 내지 R6 중 적어도 하나는 시아노기이다.R1 to R6 and Y1 to Y4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Cyano group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, and at least one of R1 to R6 is a cyano group.
본 명세서의 일 실시상태는 음극; 양극; 및 상기 음극 및 상기 양극 사이에 구비된 유기물층을 포함하고, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 유기물층에 포함되는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification is a cathode; anode; And an organic material layer provided between the cathode and the anode, wherein the compound represented by Formula 1 is included in the organic material layer.
본 명세서의 다른 실시상태는 음극; 양극; 상기 음극 및 상기 양극 사이에 구비된 2개 이상의 발광 유닛; 및 상기 2개 이상의 발광 유닛 중 적어도 2개의 발광 유닛 사이에 구비된 전하 생성층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 전하 생성층에 포함되는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.Another exemplary embodiment of the present specification is a cathode; anode; At least two light emitting units provided between the cathode and the anode; And a charge generating layer provided between at least two of the two or more light emitting units, wherein the compound represented by Formula 1 is included in the charge generating layer. do.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로 사용될 수 있으며, 바람직하게는 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 조절층, 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층 또는 p형 전하생성층에 사용될 수 있다.The compound represented by Formula 1 may be used as a material for an organic material layer of an organic light-emitting device, and is preferably used for a hole transport layer, a hole injection layer, a hole control layer, a layer that simultaneously injects and transports holes, or a p-type charge generation layer. I can.
일 실시상태에 있어서, 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 발광 소자는 효율이 향상된다.In one embodiment, the efficiency of the organic light-emitting device including the compound of the present invention is improved.
일 실시상태에 있어서, 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 발광 소자는 구동전압이 낮아진다.In one embodiment, the driving voltage of the organic light-emitting device including the compound of the present invention is lowered.
일 실시상태에 있어서, 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 발광 소자는 수명 특성이 향상된다. In an exemplary embodiment, the lifespan characteristics of the organic light emitting device including the compound of the present invention are improved.
도 1은 기판(1), 양극(2), 유기물층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 정공 조절층(7), 발광층(8), 전자 수송층(9), 전자 주입층(10) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 3은 기판(1), 양극(2), 제1 발광 유닛(11), N형 전하 생성층(12), P형 전하 생성층(13), 제2 발광 유닛(14) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a
2 shows a
3 shows a
이하 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides a compound represented by Chemical Formula 1 and an organic light-emitting device including the same.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the substituents are described below, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 는 다른 치환기 또는 결합부에 결합되는 부위를 의미한다.In this specification, Means a site bonded to another substituent or a bonding portion.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 실릴기; 니트로기; 카보닐기; 에스테르기; 할로알콕시기; 할로알킬기; 포스핀옥사이드기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 아릴기; 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개의 치환기로 치환되거나, 상기 군에서 선택된 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 어떠한 치환기로도 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, 헤테로아릴아릴기는 아릴기일 수도 있고, 헤테로아릴기와 아릴기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다. 3개의 치환기가 연결된 기의 예로는 아릴기로 치환된 헤테로아릴기로 치환된 아릴기, 헤테로아릴기로 치환된 아릴기로 치환된 아릴기, 헤테로아릴기로 치환된 아릴기로 치환된 헤테로아릴기 등이 있다. In the present specification, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; Halogen group; Cyano group; Silyl group; Nitro group; Carbonyl group; Ester group; Haloalkoxy group; Haloalkyl group; Phosphine oxide group; Alkyl sulfoxy group; Arylsulfoxy group; Aryl group; And substituted with one substituent selected from the group consisting of a heteroaryl group, substituted with a substituent to which two or more substituents selected from the group are connected, or unsubstituted with any substituent. For example, the heteroarylaryl group may be an aryl group, and may be interpreted as a substituent connected with a heteroaryl group and an aryl group. Examples of the group to which three substituents are connected include an aryl group substituted with a heteroaryl group substituted with an aryl group, an aryl group substituted with an aryl group substituted with a heteroaryl group, and a heteroaryl group substituted with an aryl group substituted with a heteroaryl group.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 플루오로기, 클로로기, 브로모기 또는 아이오도기가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include a fluoro group, a chloro group, a bromo group, or an iodo group.
본 명세서에 있어서, 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 상기 카보닐기는 -C(=O)Rm으로 표시될 수 있으며, 여기서 Rm은 탄소수 1 내지 25의 수소; 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기일 수 있다.In the present specification, the carbon number of the carbonyl group is not particularly limited, but it is preferably 1 to 30 carbon atoms. The carbonyl group may be represented by -C(=O)Rm, where Rm is hydrogen having 1 to 25 carbon atoms; A linear, branched or cyclic alkyl group; Or it may be an aryl group having 6 to 25 carbon atoms.
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 -COORn으로 표시될 수 있다. 상기 에스테르기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 여기서 Rn은 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기일 수 있다. In the present specification, the ester group may be represented by -COORn. The number of carbon atoms of the ester group is not particularly limited, but is preferably 1 to 30 carbon atoms. Wherein Rn is a straight chain, branched chain or cyclic chain alkyl group having 1 to 25 carbon atoms; Or it may be an aryl group having 6 to 25 carbon atoms.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiRxRyRz의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Rx, Ry 및 Rz는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 예를 들어 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the silyl group may be represented by the formula of -SiRxRyRz, wherein Rx, Ry and Rz are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The silyl group may be, for example, trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group, phenylsilyl group, etc. Not limited.
본 명세서에 있어서, -TMS는 트리메틸실릴기이다.In the present specification, -TMS is a trimethylsilyl group.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 산소원자에 알킬기가 결합된 기를 의미하며, 탄소수는 특별히 한정되지는 않으나 1 내지 30; 1 내지 20; 1 내지 15; 1 내지 10; 또는 1 내지 6인 것이 바람직하다. 상기 알콕시기의 구체적인 예로는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소부틸옥시기, sec-부틸옥시기, 펜틸옥시기, iso-아밀옥시기, 헥실옥시기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkoxy group refers to a group in which an alkyl group is bonded to an oxygen atom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but 1 to 30; 1 to 20; 1 to 15; 1 to 10; Or it is preferably 1 to 6. Specific examples of the alkoxy group include, but are not limited to, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isobutyloxy group, a sec-butyloxy group, a pentyloxy group, an iso-amyloxy group, and a hexyloxy group.
본 명세서에 있어서, 할로알콕시기는 1개 이상의 할로겐기로 치환된 알콕시기를 의미하며, 상기 할로알콕시기의 할로겐기 및 알콕시기에는 전술한 할로겐기 및 알콕시기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the haloalkoxy group refers to an alkoxy group substituted with one or more halogen groups, and the above description of the halogen group and the alkoxy group may be applied to the halogen group and the alkoxy group of the haloalkoxy group.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄의 포화 탄화수소를 의미한다. 상기 알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30; 1 내지 25; 1 내지 20; 1 내지 15; 1 내지 10; 또는 1 내지 6인 것이 바람직하다. 상기 알킬기는 사슬형 또는 고리형일 수 있다. In the present specification, an alkyl group refers to a linear or branched saturated hydrocarbon. The number of carbon atoms of the alkyl group is not particularly limited, but 1 to 30; 1 to 25; 1 to 20; 1 to 15; 1 to 10; Or it is preferably 1 to 6. The alkyl group may be chain or cyclic.
상기 사슬형 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸부틸, 1-에틸부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Specific examples of the chain alkyl group include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methylbutyl, 1-ethylbutyl, pentyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methylpentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n -Heptyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethylpropyl, 1,1-dimethylpropyl , Isohexyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but are not limited thereto.
상기 고리형 알킬기(시클로알킬기)의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 3 내지 30; 3 내지 24; 3 내지 14; 3 내지 8 ;또는 3 내지 6인 것이 바람직하다. 상기 시클로알킬기의 구체적인 예로는 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The number of carbon atoms of the cyclic alkyl group (cycloalkyl group) is not particularly limited, but is 3 to 30; 3 to 24; 3 to 14; 3 to 8; Or it is preferably 3 to 6. Specific examples of the cycloalkyl group include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethyl Cyclohexyl, 3,4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 할로알킬기는 1개 이상의 할로겐기로 치환된 알킬기를 의미하며, 상기 할로알킬기의 할로겐기 및 알킬기에는 전술한 할로겐기 및 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, a haloalkyl group refers to an alkyl group substituted with one or more halogen groups, and the foregoing description of the halogen group and the alkyl group may be applied to the halogen group and the alkyl group of the haloalkyl group.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 전체적으로 또는 부분적으로 불포화된 치환 또는 비치환된 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭을 의미한다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60; 6 내지 40; 6 내지 36; 6 내지 30; 6 내지 25; 6 내지 20; 또는 6 내지 18인 것이 바람직하다. 상기 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 페날레닐기, 파이레닐기, 테트라세닐기, 크라이세닐기, 펜타세닐기, 플루오레닐기, 인데닐기, 아세나프틸레닐기, 벤조플루오레닐기, 스피로플루오레닐기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, an aryl group means wholly or partially unsaturated substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic. Although the number of carbon atoms is not particularly limited, the number of carbon atoms is 6 to 60; 6 to 40; 6 to 36; 6 to 30; 6 to 25; 6 to 20; Or it is preferably 6 to 18. The aryl group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. Examples of the monocyclic aryl group include, but are not limited to, a phenyl group, a biphenyl group, and a terphenyl group. The polycyclic aryl group is a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, perylenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, phenalenyl group, pyrenyl group, tetracenyl group, chrysenyl group, pentacenyl group , Fluorenyl group, indenyl group, acenaphthylenyl group, benzofluorenyl group, spirofluorenyl group, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.
상기 치환된 플루오레닐기로는 , , , , , , 및 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The substituted fluorenyl group is , , , , , , And And the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자로 N, O 및 S 중 1개 이상을 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 40; 2 내지 36; 2 내지 30; 2 내지 25; 2 내지 20; 또는 2 내지 16인 것이 바람직하다. 헤테로아릴기의 예로는 티오페닐기, 퓨라닐기, 피롤릴기, 이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 트리아졸릴기, 피리디닐기, 비피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 트리아졸릴기, 아크리디닐기, 카르볼리닐기, 아세나프토퀴녹살리닐기, 인데노퀴나졸리닐기, 인데노이소퀴놀리닐기, 인데노퀴놀리닐기, 피리도인돌릴기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도피리미디닐기, 피리도피라지닐기, 피라지노피라지닐기, 이소퀴놀리닐기, 인돌릴기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 벤조티오페닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조퓨라닐기, 디벤조퓨라닐기, 페난쓰롤리닐기(phenanthrolinyl), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페녹사지닐기, 페노티아지닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heteroaryl group is a cyclic group including at least one of N, O, and S as a heteroatom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but the number of carbon atoms is 2 to 40; 2 to 36; 2 to 30; 2 to 25; 2 to 20; Or it is preferably 2 to 16. Examples of the heteroaryl group include thiophenyl group, furanyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, thiazolyl group, oxazolyl group, oxadiazolyl group, triazolyl group, pyridinyl group, bipyridinyl group, pyrimidinyl group, tria Genyl group, triazolyl group, acridinyl group, carbonyl group, acenaphthoquinoxalinyl group, indenoquinazolinyl group, indenoisoquinolinyl group, indenoquinolinyl group, pyridoindolyl group, pyridazinyl group, Pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyridopyrimidinyl group, pyridopyrazinyl group, pyrazinopyrazinyl group, isoquinolinyl group, indolyl group, carbazolyl group , Benzoxazolyl group, benzimidazolyl group, benzothiazolyl group, benzocarbazolyl group, benzothiophenyl group, dibenzothiophenyl group, benzofuranyl group, dibenzofuranyl group, phenanthrolinyl group (phenanthrolinyl), thiazolyl Group, isoxazolyl group, oxadiazolyl group, thiadiazolyl group, benzothiazolyl group, phenoxazinyl group, phenothiazinyl group, and the like, but are not limited thereto.
상기 알킬술폭시기의 알킬기에는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.The description of the above-described alkyl group may be applied to the alkyl group of the alkyl sulfoxy group.
상기 아릴술폭시기 중의 아릴기에는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.The description of the aryl group described above may be applied to the aryl group in the arylsulfoxy group.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho) 위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다.In the present specification, the "adjacent" group means a substituent substituted on an atom directly connected to the atom where the corresponding substituent is substituted, a substituent located three-dimensionally closest to the corresponding substituent, or another substituent substituted on the atom where the corresponding substituent is substituted. I can. For example, two substituents substituted at the ortho position in the benzene ring and two substituents substituted on the same carbon in the aliphatic ring may be interpreted as "adjacent" groups to each other.
본 명세서에 있어서, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다는 의미는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로고리, 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리; 또는 이들의 축합고리를 형성하는 것을 의미한다.In the present specification, the meaning of forming a ring by bonding with adjacent groups to each other means a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon ring by bonding with adjacent groups; A substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring; A substituted or unsubstituted aliphatic heterocycle, a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle; Or it means to form a condensed ring of these.
상기 탄화수소고리는 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미하며, 상기 탄화수소고리는 지방족 탄화수소고리이거나 방향족 탄화수소고리일 수 있다. 상기 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 고리를 의미하며, 상기 헤테로고리는 지방족 헤테로고리이거나 방향족 헤테로고리일 수 있다.The hydrocarbon ring means a ring consisting of only carbon and hydrogen atoms, and the hydrocarbon ring may be an aliphatic hydrocarbon ring or an aromatic hydrocarbon ring. The heterocycle refers to a ring including one or more of heteroatoms, and the heterocycle may be an aliphatic heterocycle or an aromatic heterocycle.
본 명세서에 있어서, 상기 지방족 탄화수소고리, 방향족 탄화수소고리, 지방족 헤테로고리 및 방향족 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있다.In the present specification, the aliphatic hydrocarbon ring, the aromatic hydrocarbon ring, the aliphatic hetero ring and the aromatic hetero ring may be monocyclic or polycyclic.
상기 지방족 탄화수소고리란 방향족이 아닌 고리로서 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다. 지방족 탄화수소고리의 예로는 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로부텐, 시클로펜탄, 시클로펜텐, 시클로헥산, 시클로헥센, 1,4-시클로헥사디엔, 시클로헵탄, 시클로헵텐, 시클로옥탄, 시클로옥텐 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The aliphatic hydrocarbon ring is a ring that is not aromatic and refers to a ring consisting only of carbon and hydrogen atoms. Examples of the aliphatic hydrocarbon ring include cyclopropane, cyclobutane, cyclobutene, cyclopentane, cyclopentene, cyclohexane, cyclohexene, 1,4-cyclohexadiene, cycloheptane, cycloheptene, cyclooctane, cyclooctene, and the like, It is not limited to this.
상기 방향족 탄화수소고리란 탄소와 수소 원자로만 이루어진 방향족의 고리를 의미한다. 방향족 탄화수소고리의 예로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 페릴렌, 플루오란텐, 트리페닐렌, 페날렌, 파이렌, 테트라센, 크라이센, 펜타센, 플루오렌, 인덴, 아세나프탈렌, 벤조플루오렌, 스피로바이플루오렌 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The aromatic hydrocarbon ring means an aromatic ring consisting only of carbon and hydrogen atoms. Examples of aromatic hydrocarbon rings include benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, perylene, fluoranthene, triphenylene, phenalene, pyrene, tetracene, chrysene, pentacene, fluorene, indene, acenaphthalene, benzo Fluorene, spirobifluorene, and the like, but are not limited thereto.
상기 지방족 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족 고리를 의미한다. 지방족 헤테로고리의 예로는, 옥시레인(oxirane), 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린(morpholine), 옥세판, 아조케인, 티오케인 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The aliphatic heterocycle means an aliphatic ring containing at least one heteroatom. Examples of aliphatic heterocycles include oxirane, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, pyrrolidine, piperidine, morpholine, oxephan, and azocaine , Thiocane, and the like, but are not limited thereto.
상기 방향족 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족 고리를 의미한다. 방향족 헤테로고리의 예로는, 피리딘, 피롤, 피리미딘, 피리다진, 퓨란, 티오펜, 이미다졸, 파라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 디티아졸, 테트라졸, 파이란, 티오피란, 디아진, 옥사진, 티아진, 다이옥신, 트리아진, 테트라진, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 퀴놀, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 아크리딘, 페난트리딘, 디아자나프탈렌, 드리아자인덴, 인돌, 인돌리진, 벤조티아졸, 벤즈옥사졸, 벤즈이미다졸, 벤조티오펜, 벤조퓨란, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 카바졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 페나진, 이미다조피리딘, 페녹사진, 페난트리딘, 인돌로카바졸, 인데노카바졸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The aromatic heterocycle means an aromatic ring containing at least one of heteroatoms. Examples of aromatic heterocycles include pyridine, pyrrole, pyrimidine, pyridazine, furan, thiophene, imidazole, parasol, oxazole, isoxazole, thiazole, isothiazole, triazole, oxadiazole, thia Diazole, dithiazole, tetrazole, pyran, thiopyran, diazine, oxazine, thiazine, dioxin, triazine, tetrazine, isoquinoline, quinoline, quinol, quinazoline, quinoxaline, naphthyridine, acridine , Phenanthridine, diazanaphthalene, dryazainden, indole, indolizine, benzothiazole, benzoxazole, benzimidazole, benzothiophene, benzofuran, dibenzothiophene, dibenzofuran, carbazole, benzo Carbazole, dibenzocarbazole, phenazine, imidazopyridine, phenoxazine, phenanthridine, indolocarbazole, indenocarbazole, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R6 및 Y1 내지 Y4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 실릴기; 할로겐기 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 알킬기; 할로겐기 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 알콕시기; 할로겐기, 시아노기, 할로알킬기 및 할로알콕시기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 할로겐기 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며, R1 내지 R6 중 적어도 하나는 시아노기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 to R6 and Y1 to Y4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Cyano group; A silyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group or an aryl group; An alkyl group unsubstituted or substituted with a halogen group or a cyano group; An alkoxy group unsubstituted or substituted with a halogen group or a cyano group; An aryl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen group, a cyano group, a haloalkyl group, and a haloalkoxy group; Or a halogen group or a heteroaryl group unsubstituted or substituted with a cyano group, and at least one of R1 to R6 is a cyano group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R6 및 Y1 내지 Y4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실릴기; 할로겐기 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 할로겐기 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알콕시기; 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 10의 할로알킬기 및 탄소수 1 내지 10의 할로알콕시기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기; 또는 할로겐기 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 18의 헤테로아릴기이며, R1 내지 R6 중 적어도 하나는 시아노기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 to R6 and Y1 to Y4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Cyano group; A silyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms; An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms unsubstituted or substituted with a halogen group or a cyano group; An alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms unsubstituted or substituted with a halogen group or a cyano group; An aryl group having 6 to 18 carbon atoms unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen group, a cyano group, a haloalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and a haloalkoxy group having 1 to 10 carbon atoms; Or a halogen group or a C2-C18 heteroaryl group unsubstituted or substituted with a cyano group, and at least one of R1 to R6 is a cyano group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 알킬기로 치환된 실릴기; 할로알킬기; 할로겐기, 시아노기, 할로알킬기 및 할로알콕시기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기; 또는 N을 1 이상 포함하는 6원의 헤테로아릴기이며, R1 내지 R6 중 적어도 하나는 시아노기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 to R6 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Cyano group; A silyl group substituted with an alkyl group; Haloalkyl group; An aryl group having 6 to 18 carbon atoms unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen group, a cyano group, a haloalkyl group, and a haloalkoxy group; Or a 6-membered heteroaryl group containing 1 or more N, and at least one of R1 to R6 is a cyano group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 플루오로기; 시아노기; 트리메틸실릴기; 플루오로기, 시아노기, 트리플루오로메틸기 및 트리플루오로메톡시기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 피리미디닐기; 다이아지닐기; 또는 트리아지닐기이며, R1 내지 R6 중 적어도 하나는 시아노기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 to R6 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Fluoro group; Cyano group; Trimethylsilyl group; A phenyl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a fluoro group, a cyano group, a trifluoromethyl group, and a trifluoromethoxy group; Pyrimidinyl group; Diazinyl group; Or a triazinyl group, and at least one of R1 to R6 is a cyano group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Cyano group; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted alkoxy group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 할로알킬기; 또는 할로알콕시기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Cyano group; Haloalkyl group; Or a haloalkoxy group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 탄소수 1 내지 10의 할로알킬기; 또는 탄소수 1 내지 10의 할로알콕시기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Cyano group; A haloalkyl group having 1 to 10 carbon atoms; Or a haloalkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 수소; 플루오로기; 시아노기; 트리플루오로메틸기; 또는 트리플루오로메톡시기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1 is hydrogen; Fluoro group; Cyano group; Trifluoromethyl group; Or a trifluoromethoxy group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 수소; 플루오로기; 시아노기; 트리플루오로메틸기; 또는 트리플루오로메톡시기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R2 is hydrogen; Fluoro group; Cyano group; Trifluoromethyl group; Or a trifluoromethoxy group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1과 R2는 동일하다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 and R2 are the same.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4는 CN이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R4 is CN.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R5는 CN이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R5 is CN.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4와 R5는 동일하다.In an exemplary embodiment of the present specification, R4 and R5 are the same.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3 및 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R3 and R6 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3 및 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환 또는 비치환된 실릴기; 할로겐기, 할로알킬기, 할로알콕시기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 N을 1 이상 포함하는 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R3 and R6 are the same as or different from each other, and each independently a silyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group; An aryl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen group, a haloalkyl group, a haloalkoxy group, and a cyano group; Or it is a heteroaryl group containing 1 or more N.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3 및 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 실릴기; 할로겐기, 탄소수 1 내지 10의 할로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 할로알콕시기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기; 또는 N을 1 이상 포함하는 6원의 고리를 포함하는 탄소수 2 내지 18의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R3 and R6 are the same as or different from each other, and each independently a silyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; An aryl group having 6 to 18 carbon atoms unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen group, a haloalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a haloalkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and a cyano group; Or it is a C2-C18 heteroaryl group containing a 6-membered ring containing 1 or more N.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3 및 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 치환 또는 비치환된 실릴기; 할로겐기, 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 할로알콕시기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 또는 N을 1 이상 포함하는 6원의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R3 and R6 are the same as or different from each other, and each independently a silyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; An aryl group having 6 to 12 carbon atoms unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen group, a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a haloalkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and a cyano group; Or it is a 6-membered heteroaryl group containing 1 or more N.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3 및 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 트리메틸실릴기; 플루오로기, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡시기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 피리미디닐기; 다이아지닐기; 또는 트리아지닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R3 and R6 are the same as or different from each other, and each independently a trimethylsilyl group; A phenyl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a fluoro group, a trifluoromethyl group, a trifluoromethoxy group, and a cyano group; Pyrimidinyl group; Diazinyl group; Or a triazinyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3 및 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 다환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R3 and R6 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted silyl group; Substituted phenyl group; A substituted or unsubstituted polycyclic aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3 및 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환 또는 비치환된 실릴기; 할로겐기, 할로알킬기, 할로알콕시기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환된 페닐기; 할로겐기, 할로알킬기, 할로알콕시기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 다환의 아릴기; 또는 N을 1 이상 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R3 and R6 are the same as or different from each other, and each independently a silyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group; A phenyl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen group, a haloalkyl group, a haloalkoxy group, and a cyano group; A polycyclic aryl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen group, a haloalkyl group, a haloalkoxy group, and a cyano group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group containing 1 or more N.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3와 R6는 동일하다.In an exemplary embodiment of the present specification, R3 and R6 are the same.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification,
[화학식 2][Formula 2]
상기 화학식 2에 있어서, R1 내지 R3, R6 및 Y1 내지 Y4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중에서 선택된 어느 하나이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 전술한 화학식 1의 화합물은 하기 일반식 1에 따라 제조될 수 있다. 하기 일반식 1은 화학식 1의 하나의 예시의 화합물의 제조 방법을 나타낸 것이며, 치환기의 종류나 치환 위치를 변경하여 화학식 1의 기타 화합물을 제조할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the compound of
[일반식 1][General Formula 1]
상기 일반식 1에서, R1 내지 R6 및 Y1 내지 Y4의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고, G1은 할로겐기 또는 -OTF(트리플로오로메톡시기)이다.In the
상기 일반식 1을 참조하면, 반응물에 일반적인 sonogashira 커플링 반응을 통해서 R6와 R3를 포함하는 기를 도입하고, 산화 반응 및 고리 형성 반응을 통해서 케톤기를 도입한 후, 기본적인 SN2 반응을 통해서 Y1 내지 Y4를 최종적으로 도입하여 화학식 1의 일 실시상태에 따른 화합물을 제조할 수 있다.Referring to the general formula (1), introducing a group which contains the R6 and R3 via a common sonogashira coupling reaction to the reaction and introducing a ketone through the oxidation and ring-forming reaction and then, through the
또한, 본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, the present specification provides an organic light-emitting device including the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태는 음극; 양극; 및 상기 음극 및 상기 양극 사이에 구비된 유기물층을 포함하고, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 유기물층에 포함되는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification is a cathode; anode; And an organic material layer provided between the cathode and the anode, wherein the compound represented by
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층, 정공 조절층, 발광층, 전자 조절층, 전자 주입과 수송을 동시에 하는 층, 전자 수송층 및 전자 주입층으로 이루어진 군에서 선택된 1층 이상의 층을 포함한다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 다양한 유기물층을 포함할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer is a hole injection layer, a hole transport layer, a layer that simultaneously injects and transports holes, a hole control layer, a light emitting layer, an electron control layer, a layer that simultaneously injects and transports electrons, an electron transport layer, and And one or more layers selected from the group consisting of electron injection layers. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include various organic material layers.
본 발명의 일 실시상태에 따른 유기 발광소자는 도 1에 도시한 바와 같이, 기판(1), 양극(2), 유기물층(3) 및 음극(4)으로 이루어질 수 있다. 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 유기물층(3)에 포함된다.The organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention may include a
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 바람직하게는 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층 및 정공 조절층 중 1층 이상에 포함된다.In the exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 바람직하게는 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층 또는 정공 조절층에 포함된다.In the exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 수송층에 포함된다. 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 1층의 정공 수송층에 포함될 수도 있고, 2층 이상의 정공 수송층에 각각 포함될 수도 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 2층 이상의 정공 수송층에 각각 포함되는 경우, 그 각각의 화학식 1로 표시되는 화합물은 동일하거나 상이할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 주입층에 포함된다. 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 1층의 정공 주입층에 포함될 수도 있고, 2층 이상의 정공 주입층에 각각 포함될 수도 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 2층 이상의 정공 주입층에 각각 포함되는 경우, 그 각각의 화학식 1로 표시되는 화합물은 동일하거나 상이할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by
본 발명의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 도 2에 도시된 바와 같이 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 정공 조절층(7), 발광층(8), 전자 수송층(9), 전자 주입층(10) 및 음극(4)으로 이루어질 수 있다. 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 정공 주입층(5), 정공 수송층(6) 및 정공 조절층(7) 중 어느 하나의 층, 바람직하게는 정공 주입층(5)에 포함된다.The organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
본 명세서의 일 실시상태는 또한 음극; 양극; 상기 음극 및 상기 양극 사이에 구비된 2개 이상의 발광 유닛; 및 상기 2개 이상의 발광 유닛 중 적어도 2개의 발광 유닛 사이에 구비된 전하 생성층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 전하 생성층에 포함되는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification is also a cathode; anode; At least two light emitting units provided between the cathode and the anode; And a charge generating layer provided between at least two of the two or more light emitting units, wherein the compound represented by
상기 탠덤형 유기 발광 소자는 두 개 이상의 발광 유닛이 적층된 구조를 가진다. 탠덤형 구조의 소자는 같은 밝기를 기준으로 단위 소자보다 낮은 전류에서 구동 가능하므로, 소자의 수명 특성이 크게 향상되는 장점이 있다.The tandem type organic light emitting device has a structure in which two or more light emitting units are stacked. Since the device of the tandem structure can be driven at a lower current than the unit device based on the same brightness, there is an advantage in that the lifespan characteristics of the device are greatly improved.
탠덤형 유기 발광 소자에 있어서, 각각의 발광 유닛은 적어도 하나의 발광층을 포함하고, 발광층 이외의 유기물층을 더 포함할 수 있다. 일 실시상태에 있어서, 각각의 발광 유닛은 각각 독립적으로 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층, 정공 조절층, 전자 조절층, 전자 주입과 수송을 동시에 하는 층, 전자 수송층 및 전자 주입층으로 이루어진 군에서 선택된 1층 이상의 층을 더 포함한다.In the tandem type organic light-emitting device, each light-emitting unit may include at least one light-emitting layer, and may further include an organic material layer other than the light-emitting layer. In one embodiment, each of the light emitting units is independently a hole injection layer, a hole transport layer, a layer that simultaneously injects and transports holes, a hole control layer, an electron control layer, a layer that simultaneously injects and transports electrons, an electron transport layer, and It further includes at least one layer selected from the group consisting of electron injection layers.
본 명세서에 있어서, 전하 생성층(Charge Generating layer)이란 전압을 걸면 정공과 전자가 발생하는 층을 의미한다. 상기 전하 생성층은 N형 전하 생성층 및 P형 전하 생성층을 포함한다. 본 명세서에서, N형 전하 생성층이란 P형 전하 생성층보다 양극에 가깝게 위치한 전하 생성층을 의미하고, P형 전하 생성층이란 N형 전하 생성층보다 음극에 가깝게 위치한 전하 생성층을 의미한다.In the present specification, a charge generating layer refers to a layer in which holes and electrons are generated when a voltage is applied. The charge generation layer includes an N-type charge generation layer and a P-type charge generation layer. In the present specification, the N-type charge generation layer refers to a charge generation layer located closer to the anode than the P-type charge generation layer, and the P-type charge generation layer refers to a charge generation layer located closer to the cathode than the N-type charge generation layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전하 생성층은 N형 전하 생성층 및 P형 전하 생성층을 포함하고, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 P형 전하 생성층에 포함된다.In the exemplary embodiment of the present specification, the charge generation layer includes an N-type charge generation layer and a P-type charge generation layer, and the compound represented by
상기 N형 전하 생성층 및 P형 전하 생성층은 접하여 구비될 수 있으며, 이 경우 NP 접합을 형성한다. NP 접합에 의하여 P형 전하 생성층 내에서 정공이, N형 전하 생성층 내에서 전자가 용이하게 형성된다. 전자는 N형 전하 생성층의 LUMO 준위를 통하여 양극 방향으로 수송되고, 정공은 P형 전하 생성층의 HOMO 준위를 통하여 음극 방향으로 수송된다.The N-type charge generation layer and the P-type charge generation layer may be provided in contact with each other, and in this case, an NP junction is formed. By the NP junction, holes are easily formed in the P-type charge generation layer and electrons are easily formed in the N-type charge generation layer. Electrons are transported toward the anode through the LUMO level of the N-type charge generating layer, and holes are transported toward the cathode through the HOMO level of the P-type charge generating layer.
본 발명의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 도 3에 도시된 바와 같이 기판(1), 양극(2), 제1 발광 유닛(11), N형 전하 생성층(12), P형 전하 생성층(13), 제2 발광 유닛(14) 및 음극(4)으로 이루어질 수 있다. 도 3과 같은 소자 구조에 있어서, 상기 P형 전하 생성층(13)은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.The organic light-emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention generates a
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 도 3의 유기 발광 소자는 기판, 양극, 제1 발광 유닛(제1 정공 주입층, 제1 정공 수송층, 제1 정공 조절층, 제1 발광층, 제1 전자 수송층), N형 전하 생성층, P형 전하 생성층, 제2 발광 유닛(제2 정공 수송층, 제2 발광층, 제2 전자 수송층) 및 음극으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device of FIG. 3 includes a substrate, an anode, and a first light emitting unit (a first hole injection layer, a first hole transport layer, a first hole control layer, a first emission layer, and a first electron). A transport layer), an N-type charge generation layer, a P-type charge generation layer, a second light-emitting unit (a second hole transport layer, a second light-emitting layer, and a second electron transport layer), and a cathode, but are not limited thereto.
도 3에는 2개의 발광 유닛을 포함하는 탠덤형 유기 발광 소자를 도시하였으나, 상기 탠덤형 유기 발광 소자는 필요에 따라 적절한 개수의 발광 유닛을 가질 수 있으며, 그 개수의 상한은 특별히 한정되지 않는다.3 illustrates a tandem type organic light emitting device including two light emitting units, the tandem type organic light emitting device may have an appropriate number of light emitting units as necessary, and the upper limit of the number is not particularly limited.
상기 N형 전하생성층은 2,3,5,6-테트라플루오로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(F4TCNQ), 불소-치환된 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실릭 디안하이드라이드(PTCDA), 시아노-치환된 PTCDA, 나프탈렌테트라카르복실릭 디안하이드라이드(NTCDA), 불소-치환된 NTCDA, 시아노-치환된 NTCDA, 헥사아자트리페닐린 유도체 등일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 일 실시상태에 있어서, 상기 N형 전하생성층은 벤조이미다조페난트리닌계 유도체와 Li의 금속을 동시에 포함할 수 있다.The N-type charge generation layer is 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4TCNQ), fluorine-substituted 3,4,9,10-pe Rylenetetracarboxylic dianhydride (PTCDA), cyano-substituted PTCDA, naphthalenetetracarboxylic dianhydride (NTCDA), fluorine-substituted NTCDA, cyano-substituted NTCDA, hexaazatriphenylline derivative And the like, but is not limited thereto. In one embodiment, the N-type charge generation layer may include a benzoimidazophenanthrinine derivative and a metal of Li at the same time.
상기 P형 전하생성층은 아릴아민계 유도체와 시아노기를 포함하는 화합물을 동시에 포함할 수 있다.The P-type charge generation layer may include an arylamine derivative and a compound containing a cyano group at the same time.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1을 포함하는 유기물층은 하기 화학식 3-A 또는 화학식 3-B로 표시되는 화합물을 더 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic material
[화학식 3-A][Formula 3-A]
상기 화학식 3-A에 있어서,In Formula 3-A,
R11 및 R12는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,R11 and R12 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group, or combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring,
R13은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,R13 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,
a13은 0 내지 6의 정수이고, a13이 2 이상인 경우 R13은 서로 동일하거나 상이하며,a13 is an integer from 0 to 6, and when a13 is 2 or more, R13 is the same as or different from each other,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
Ar3는 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,Ar3 is hydrogen; heavy hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group,
[화학식 3-B][Formula 3-B]
상기 화학식 3-B에 있어서,In Formula 3-B,
Ar4는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,Ar4 is a substituted or unsubstituted aryl group,
L은 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,L is a substituted or unsubstituted arylene group,
n은 1 내지 4의 정수이고, n이 2 이상인 경우 L은 서로 같거나 상이하고,n is an integer of 1 to 4, when n is 2 or more, L is the same as or different from each other,
Ar5 및 Ar6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 화학식 1을 포함하는 유기물층의 100 중량부 기준 5 중량부 내지 100 중량부; 또는 5 중량부 내지 95 중량부로 상기 유기물층에 포함된다.In an exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 정공 주입층; 정공 수송층; 정공 주입 및 수송층; 정공 조절층; 또는 p형 전하 생성층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer including the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 정공 주입층; 또는 p형 전하 생성층이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer including the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 화학식 1을 포함하는 정공 수송층 총 100 중량부 기준 5 중량부 내지 95 중량부로 상기 정공 수송층에 포함된다.In the exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 및 R12는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 알킬기; 또는 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, 서로 결합하여 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R11 and R12 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Alkyl group; Or an aryl group unsubstituted or substituted with an alkyl group or an aryl group, or combine with each other to form a ring unsubstituted or substituted with an alkyl group or an aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 및 R12는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기이거나, 서로 결합하여 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R11 and R12 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; Or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms substituted or unsubstituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, or combined with each other to be substituted or unsubstituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms Formed aromatic hydrocarbon rings.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 및 R12는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이거나, 서로 결합하여 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R11 and R12 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; Or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms substituted or unsubstituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, or substituted or unsubstituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms by bonding to each other To form an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 24 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 및 R12는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; 또는 메틸기, t-부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R11 and R12 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Methyl group; Or a methyl group, t-butyl group, or a phenyl group unsubstituted or substituted with a phenyl group, or combine with each other to form a fluorene ring.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R13은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R13 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C1-C10 alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 25 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R13은 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R13 is hydrogen; heavy hydrogen; An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; Or an aryl group unsubstituted or substituted with an alkyl group or an aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R13은 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R13 is hydrogen; heavy hydrogen; An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; Or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R13은 수소; 중수소; 알킬기; 또는 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R13 is hydrogen; heavy hydrogen; Alkyl group; Or a phenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group or an aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R13은 수소; 메틸기; t-부틸기; 또는 페닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R13 is hydrogen; Methyl group; t-butyl group; Or a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a13은 1이다.In the exemplary embodiment of the present specification, a13 is 1.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a13은 0이다.In the exemplary embodiment of the present specification, a13 is 0.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 25의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 25 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C25 heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently an aryl group unsubstituted or substituted with an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group; Or an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group unsubstituted or substituted with a heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 25의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 25의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기; 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 25의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 25의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 25의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently substituted or unsubstituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, or a heteroaryl group having 2 to 25 carbon atoms Aryl group having 6 to 25 carbon atoms; Or a C2-C25 heteroaryl group substituted or unsubstituted with a C1-C10 alkyl group, a C6-C25 aryl group, or a C2-C25 heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 테트라페닐기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted phenyl group; A substituted or unsubstituted biphenyl group; A substituted or unsubstituted terphenyl group; A substituted or unsubstituted tetraphenyl group; A substituted or unsubstituted fluorenyl group; A substituted or unsubstituted naphthyl group; A substituted or unsubstituted triphenylenyl group; A substituted or unsubstituted phenanthrenyl group; A substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group; Or a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 카바졸릴기, 페날트레닐기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 페닐기 또는 바이페닐기로 치환 또는 비치환된 터페닐기; 테트라페닐기; 메틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 9,9'-스피로바이플루오레닐기; 나프틸기; 트리페닐레닐기; 페난트레닐기; 디벤조퓨라닐기; 또는 디벤조티오페닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a naphthyl group, a carbazolyl group, a phenalthrenyl group, a dibenzofuranyl group, and a dibenzothio group. A phenyl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a phenyl group; A biphenyl group unsubstituted or substituted with a phenyl group; A terphenyl group unsubstituted or substituted with a phenyl group or a biphenyl group; Tetraphenyl group; A fluorenyl group unsubstituted or substituted with a methyl group or a phenyl group; 9,9'-spirobifluorenyl group; Naphthyl group; Triphenylenyl group; Phenanthrenyl group; Dibenzofuranyl group; Or a dibenzothiophenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3은 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is hydrogen; heavy hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 25 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3은 수소; 중수소; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is hydrogen; heavy hydrogen; Or an aryl group unsubstituted or substituted with an aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3은 수소; 중수소; 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is hydrogen; heavy hydrogen; Or a C6-C25 aryl group substituted or unsubstituted with a C6-C25 aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3은 수소; 중수소; 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is hydrogen; heavy hydrogen; Or it is a C6-C18 aryl group substituted or unsubstituted with a C6-C18 aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted phenyl group; Or a substituted or unsubstituted naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3은 수소; 중수소; 페닐기; 바이페닐기; 또는 나프틸기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is hydrogen; heavy hydrogen; Phenyl group; Biphenyl group; Or a naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar4는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar4 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 25 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar4는 아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar4 is an aryl group unsubstituted or substituted with an aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar4는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar4 is an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, which is unsubstituted or substituted with an aryl group having 6 to 25 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar4는 탄소수 6 내지 18의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar4 is an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, which is unsubstituted or substituted with an aryl group having 6 to 18 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar4는 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar4 is a substituted or unsubstituted phenyl group; A substituted or unsubstituted biphenyl group; Or a substituted or unsubstituted naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar4는 페닐기; 바이페닐기; 또는 나프틸기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar4 is a phenyl group; Biphenyl group; Or a naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar4는 페닐기; [1,1'-바이페닐]-4-일기; 또는 1-나프틸기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar4 is a phenyl group; [1,1'-biphenyl]-4-yl group; Or 1-naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴렌기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 25 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴렌기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 18 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴렌기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 12 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L is an arylene group unsubstituted or substituted with an aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 아릴렌기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L is an arylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 탄소수 6 내지 18의 아릴렌기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L is an arylene group having 6 to 18 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 페닐렌기; 또는 바이페닐렌기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L is a phenylene group; Or a biphenylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n은 1이다.In the exemplary embodiment of the present specification, n is 1.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n은 2이다.In the exemplary embodiment of the present specification, n is 2.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar5 및 Ar6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 25 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar5 및 Ar6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and are each independently an aryl group unsubstituted or substituted with an aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar5 및 Ar6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and are each independently an aryl group having 6 to 25 carbon atoms substituted or unsubstituted with an aryl group having 6 to 25 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar5 및 Ar6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted phenyl group; A substituted or unsubstituted biphenyl group; A substituted or unsubstituted naphthyl group; Or a substituted or unsubstituted fluorenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar5 및 Ar6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 바이페닐기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 플푸오레닐기; 또는 9,9'-스피로바이플루오레닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with an aryl group; Biphenyl group; A naphthyl group unsubstituted or substituted with an aryl group; A fluorenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group or an aryl group; Or a 9,9'-spirobifluorenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar5 및 Ar6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 바이페닐기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 메틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 또는 9,9'-스피로바이플루오레닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group or a phenyl group unsubstituted or substituted with a naphthyl group; Biphenyl group; A naphthyl group unsubstituted or substituted with a phenyl group; A fluorenyl group unsubstituted or substituted with a methyl group or a phenyl group; Or a 9,9'-spirobifluorenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3-A로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중에서 선택된 어느 하나이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 3-A is any one selected from the following compounds.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3-B로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중에서 선택된 어느 하나이다.In an exemplary embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 3-B is any one selected from the following compounds.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 전술한 화학식 3-A의 화합물은 하기 일반식 3-A에 따라 제조될 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present specification, the compound of Formula 3-A described above may be prepared according to the following General Formula 3-A.
[일반식 3-A][General Formula 3-A]
반응물에 일반적인 할로겐화 반응을 이용하여 할로겐기(X)를 도입하고 이후 스즈키 반응(Suzuki reaction)과 같은 C-C coupling 반응을 통해 Ar3기를 도입한다. 이후 부크발드(Buchwald) 반응을 통해 아민기에 Ar1 또는 Ar2기를 도입한다. 상기 일반식 3-A에 있어서, R11, R12 및 Ar1 내지 Ar3의 정의는 화학식 3-A에서 정의한 바와 동일하다.A halogen group (X) is introduced into the reactant using a general halogenation reaction, and then an Ar3 group is introduced through a C-C coupling reaction such as a Suzuki reaction. Thereafter, an Ar1 or Ar2 group is introduced into the amine group through a Buchwald reaction. In the general formula 3-A, the definitions of R11, R12, and Ar1 to Ar3 are the same as those defined in the general formula 3-A.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 전술한 화학식 3-B의 화합물은 하기 일반식 3-B에 따라 제조될 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present specification, the compound of Formula 3-B described above may be prepared according to the following General Formula 3-B.
[일반식 3-B][General Formula 3-B]
일반적인 부크발드(Buchwald) 반응으로 아민기에 Ar6기를 도입하고, 이후 추가 부크발드(Buchwald) 반응으로 카바졸에 아민기를 도입할 수 있다. 상기 일반식 3-B에 있어서, Ar4 내지 Ar6, L 및 n의 정의는 화학식 3-B에서 정의한 바와 동일하고, Y는 할로겐기이다.Ar6 groups may be introduced into the amine group through a general Buchwald reaction, and then the amine groups may be introduced into carbazole through an additional Buchwald reaction. In the general formula 3-B, the definitions of Ar4 to Ar6, L and n are the same as those defined in the general formula 3-B, and Y is a halogen group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 노말 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In another exemplary embodiment, the organic light-emitting device may be a normal type organic light-emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In another exemplary embodiment, the organic light-emitting device may be an inverted type organic light-emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.
이외에도 본 명세서의 유기 발광 소자는 하기와 같은 적층 구조를 가질 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, the organic light-emitting device of the present specification may have the following stacked structure, but is not particularly limited thereto.
(1) 양극/정공 수송층/발광층/음극(1) anode/hole transport layer/light-emitting layer/cathode
(2) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/음극(2) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode
(3) 양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극(3) anode/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode
(4) 양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극(4) anode/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(5) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극(5) anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode
(6) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극(6) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(7) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극(7) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode
(8) 양극/정공 수송층/정공 조절층/발광층/전자 수송층/음극(8) anode/hole transport layer/hole control layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode
(9) 양극/정공 수송층/정공 조절층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극(9) Anode/hole transport layer/hole control layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(10) 양극/정공 주입층/정공 수송층/정공 조절층/발광층/전자 수송층/음극(10) Anode/hole injection layer/hole transport layer/hole control layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode
(11) 양극/정공 주입층/정공 수송층/정공 조절층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극(11) Anode/hole injection layer/hole transport layer/hole control layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(12) 양극/정공 수송층/발광층/전자 조절층/전자 수송층/음극(12) Anode/hole transport layer/light emitting layer/electron control layer/electron transport layer/cathode
(13) 양극/정공 수송층/발광층/전자 조절층/전자 수송층/전자 주입층/음극(13) Anode/hole transport layer/light emitting layer/electron control layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(14) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 조절층/전자 수송층/음극(14) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron control layer/electron transport layer/cathode
(15) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 조절층/전자 수송층/전자 주입층/음극(15) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron control layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.The organic light-emitting device of the present specification may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one of the organic material layers includes the compound of
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 물리적 증착 방법(PVD, physical Vapor Deposition)을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다.For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially laminating a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, by using a physical vapor deposition method (PVD, physical vapor deposition) such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or a conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on the substrate. It can be manufactured by forming an anode, forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, an emission layer, and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon.
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound of
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다(국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material from a cathode material on a substrate (International Patent Application Publication No. 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물이 상기 1층 이상의 유기물층에 포함되는 경우, 상기 화학식 1의 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 복수개의 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. In the exemplary embodiment of the present specification, when the compound of
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the anode material, it is preferable to use a material having a large work function so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the anode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); Combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO 2 :Sb; Poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the cathode material, it is preferable to use a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead, or alloys thereof; There are multilayered materials such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but are not limited thereto.
상기 정공 주입층은 전극으로부터 수취받은 정공을 인접층에 주입하는 층이다. 상기 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 엑시톤의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)는 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 상기 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer for injecting holes received from an electrode into an adjacent layer. The hole injection material has the ability to transport holes and thus has a hole injection effect at the anode, an excellent hole injection effect for the light emitting layer or the light emitting material, and transfer of excitons generated in the light emitting layer to the electron injection layer or the electron injection material. It is preferable to use a compound that prevents and is excellent in thin film formation ability. It is preferable that the HOMO (highest occupied molecular orbital) of the hole injection material is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, perylene. There are a series of organic substances, anthraquinone, and polyaniline and a polythiophene series of conductive polymers, but are not limited thereto.
상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 주입받은 정공을 발광층까지 수송하는 층이다. 상기 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 상기 정공 수송 물질의 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer is a layer that transports holes injected from the hole injection layer to the emission layer. As the hole transport material, a material capable of transporting holes from an anode or a hole injection layer to the light emitting layer and having high mobility for holes is suitable. Specific examples of the hole transport material include, but are not limited to, an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion.
상기 정공 조절층은 발광층을 통과한 과잉 전자가 정공 수송층 방향으로 이동하는 것을 방지하는 층이다. 상기 정공 조절 물질로는 정송 수송층보다 낮은 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 준위를 가지는 물질이 바람직하며, 주변 층의 에너지 준위를 고려하여 적절한 물질로 선택될 수 있다. 일 실시상태에 있어서, 정공 조절층으로는 아릴아민 계열의 유기물이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole control layer is a layer that prevents excess electrons passing through the emission layer from moving in the direction of the hole transport layer. The hole control material is preferably a material having a lower LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) level than the transport transport layer, and may be selected as an appropriate material in consideration of the energy level of the surrounding layer. In an exemplary embodiment, an arylamine-based organic material may be used as the hole control layer, but is not limited thereto.
상기 전자 조절층은 발광층으로부터 정공이 음극으로 유입되는 것을 차단하고 발광층으로 유입되는 전자를 조절하여 소자 전체의 성능을 조절하는 층이다. 전자 조절 물질로는 발광층으로부터 음극로의 정공의 유입을 방지하고, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 주입되는 전자를 조절하는 능력을 갖는 화합물이 바람직하다. 전자 조절 물질로는 소자 내 사용되는 유기물층의 구성에 따라 적절한 물질을 사용할 수 있다. 상기 전자 조절층은 발광층과 음극 사이에 위치하며, 바람직하게는 발광층에 직접 접하여 구비된다.The electron control layer is a layer that blocks the inflow of holes from the emission layer to the cathode and controls the electrons flowing into the emission layer to control the performance of the entire device. The electron controlling material is preferably a compound having the ability to prevent the inflow of holes from the light-emitting layer to the cathode and to control electrons injected into the light-emitting layer or the light-emitting material. As the electron controlling material, a suitable material may be used according to the configuration of the organic material layer used in the device. The electron control layer is located between the light emitting layer and the cathode, and is preferably provided in direct contact with the light emitting layer.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 정공 수송층; 정공 주입층; 전자 조절층; 정공 주입 및 수송층; 또는 p형 전하 생성층은 p-형 도펀트를 더 포함할 수 있다. p-형 도펀트로는 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 사용될 수 있으며, 예컨대 아릴아민계 유도체와 시아노기를 포함하는 화합물 등일 수 있다. 상기 p-형 도펀트는 상기 정공 수송층; 정공 주입층; 전자 조절층; 정공 주입 및 수송층; 또는 p형 전하 생성층 100 중량% 대비 0.1 중량% 내지 75 중량%, 바람직하게는 30 중량% 내지 55 중량%로 포함될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the hole transport layer; Hole injection layer; Electron control layer; Hole injection and transport layer; Alternatively, the p-type charge generation layer may further include a p-type dopant. As the p-type dopant, those known in the art may be used, for example, an arylamine derivative and a compound including a cyano group. The p-type dopant includes the hole transport layer; Hole injection layer; Electron control layer; Hole injection and transport layer; Alternatively, it may be included in an amount of 0.1% to 75% by weight, preferably 30% to 55% by weight, based on 100% by weight of the p-type charge generating layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 정공 주입 및 수송층은 정공 주입 및 수송을 동시에 하는 층을 의미한다. 상기 정공 주입 및 수송층에는 전술한 정공 주입층과 정공수송층의 재료를 사용할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the hole injection and transport layer refers to a layer that simultaneously injects and transports holes. Materials of the above-described hole injection layer and hole transport layer may be used for the hole injection and transport layer.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 상기 발광 물질의 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조퀴놀린-금속 화합물; 벤즈옥사졸, 벤조티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the light-emitting material, a material capable of emitting light in a visible light region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples of the light-emitting material include 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzothiazole, and benzimidazole-based compounds; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymer; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도판트 재료를 포함할 수 있다.The emission layer may include a host material and a dopant material.
상기 발광층의 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등을 사용할 수 있다. 상기 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 파이렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 상기 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. As a host material for the light emitting layer, a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic-containing compound may be used. The condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and the heterocycle-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, and ladders. Type furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.
상기 발광층의 도판트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스티릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 상기 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아민기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아민기를 갖는 파이렌, 안트라센, 크라이센, 페리플란텐 등을 사용할 수 있다. 상기 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환된 화합물을 사용할 수 있다. 상기 스티릴아민 화합물의 예로는 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the dopant material for the light emitting layer include aromatic amine derivatives, styrylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, and metal complexes. As the aromatic amine derivative, as a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamine group, pyrene, anthracene, chrysene, periflanthene and the like having an arylamine group may be used. As the styrylamine compound, a compound in which at least one arylvinyl group is substituted with a substituted or unsubstituted arylamine may be used. Examples of the styrylamine compound include, but are not limited to, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, and styryltetraamine. As the metal complex, an iridium complex, a platinum complex, or the like may be used, but is not limited thereto.
상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층이다. 상기 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 상기 전자 수송 물질의 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 음극 물질과 함께 사용할 수 있다. 일 실시상태에 있어서, 상기 음극 물질로는 낮은 일함수를 가지는 물질; 및 알루미늄층 또는 실버층을 사용할 수 있다. 상기 낮은 일함수를 가지는 물질의 예로는 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨 등이 있으며, 상기 물질로 층을 형성한 후 알루미늄층 또는 실버층을 상기 층 위에 형성할 수 있다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer. As the electron transport material, a material capable of receiving electrons well from the cathode and transferring them to the light emitting layer, and a material having high mobility for electrons is suitable. Examples of the electron transport material include an Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto. The electron transport layer can be used with any desired negative electrode material as used according to the prior art. In an exemplary embodiment, as the negative electrode material, a material having a low work function; And an aluminum layer or a silver layer. Examples of the material having the low work function include cesium, barium, calcium, ytterbium, and samarium. After forming a layer with the material, an aluminum layer or a silver layer may be formed on the layer.
상기 전자 주입층은 전극으로부터 수취받은 전자를 발광층에 주입하는 층이다. 상기 전자 주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자 주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 엑시톤의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer is a layer for injecting electrons received from an electrode into the light emitting layer. The electron injection material has the ability to transport electrons, has an electron injection effect from the cathode, an excellent electron injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, and prevents the movement of excitons generated in the light emitting layer to the hole injection layer, In addition, it is preferable to use a compound excellent in thin film forming ability. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, etc. Complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-히드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-히드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-히드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-히드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include lithium 8-hydroxyquinolinato, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato)beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)( o-cresolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtholato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtholato)gallium, etc. It is not limited to this.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 전자 주입 및 수송층은 전자 주입 및 수송을 동시에 하는 층을 의미한다. 상기 전자 주입 및 수송층에는 전술한 전자 주입층과 전자 수송층의 재료를 사용할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the electron injection and transport layer refers to a layer that simultaneously injects and transports electrons. Materials of the electron injection layer and the electron transport layer described above may be used for the electron injection and transport layer.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전자 수송층; 전자 주입층; 전자 조절층; 전자 주입 및 수송층; 또는 n형 전하 생성층은 n-형 도펀트를 더 포함할 수 있다. n-형 도펀트로는 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 사용될 수 있으며, 예컨대 알칼리 금속, 알칼리토금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리토금속 화합물, 알칼리 금속 착체 또는 알칼리토금속 착체 등이 사용될 수 있다. 상기 금속 화합물로는 산화물, 할로겐화물 등이 사용될 수 있으며, 상기 착체는 유기 리간드를 더 포함할 수 있다. 예컨대, LiQ 등이 사용될 수 있다. 상기 n-형 도펀트는 상기 전자 수송층; 전자 주입층; 전자 조절층; 전자 주입 및 수송층; 또는 n형 전하 생성층 100 중량% 대비 0.1 중량% 내지 75 중량%, 바람직하게는 30 중량% 내지 55 중량%로 포함될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the electron transport layer; Electron injection layer; Electron control layer; Electron injection and transport layer; Alternatively, the n-type charge generation layer may further include an n-type dopant. As the n-type dopant, those known in the art may be used, and for example, an alkali metal, an alkaline earth metal, an alkali metal compound, an alkaline earth metal compound, an alkali metal complex or an alkaline earth metal complex may be used. As the metal compound, an oxide, a halide, or the like may be used, and the complex may further include an organic ligand. For example, LiQ or the like can be used. The n-type dopant includes the electron transport layer; Electron injection layer; Electron control layer; Electron injection and transport layer; Alternatively, it may be included in an amount of 0.1% to 75% by weight, preferably 30% to 55% by weight, based on 100% by weight of the n-type charge generating layer.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light-emitting device according to the present specification may be a top emission type, a bottom emission type, or a double-sided emission type depending on the material used.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.The preparation of the compound represented by
<제조예 1> 화합물 1의 합성<Production Example 1> Synthesis of
단계 1) 화합물 1-1의 합성Step 1) Synthesis of Compound 1-1
1000ml 둥근 바닥 플라스크에 2,2'-(3,6-다이브로모-1,2-페닐렌)다이아세토나이트릴(2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile) (50g, 0.1592mol), 요오드화제일구리(copper iodide)(3.03g, 1.592mmol), 아이소프로필아민(Isopropylamine)(89.27ml, 63.7mmol) 및 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐(0)(7.3g, 0.634mmol)을 넣고 톨루엔(500ml)에 녹여 가열 교반시킨다. 10분간 가열교반 후 1-에티닐-3,5-비스(트리플루오로메틸)벤젠(1-ethynyl-3,5-bis(trifluoromethyl)benzene)(112.71g, 0.3981mol)을 톨루엔(100ml)에 녹여 천천히 적가 한다.In a 1000 ml round
반응 종료 후 톨루엔을 80% 증류한 뒤, 무수에탄올을 투입하여 고체화시킨다. 여과하여 클로로포름에 녹인 뒤 물과 함께 10분간 교반한다. 유기층을 모아 무수황산마그네슘으로 건조시킨 뒤 여과한다. 유기층을 감압하에 증류한 뒤 무수에탄올로 고체화시켜 여과하여 화합물 1-1(60g, 수율 60%)을 얻는다.After the reaction was completed, 80% of toluene was distilled, and anhydrous ethanol was added thereto to solidify. After filtering and dissolving in chloroform, the mixture is stirred with water for 10 minutes. The organic layer is collected, dried over anhydrous magnesium sulfate, and filtered. The organic layer was distilled under reduced pressure, solidified with anhydrous ethanol, and filtered to obtain compound 1-1 (60 g, yield 60%).
MS[M+H]+= 628MS[M+H] + = 628
단계 2) 화합물 1-2의 합성Step 2) Synthesis of Compound 1-2
500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 1-1(30g, 0.0477mol), 염화팔라듐(PdCl2)(1.7g, 0.953mmol), 실버 헥사플루오로안티모네이트(AgSbF6)(3.27g, 0.953mmol) 및 디페닐설폭사이드(Ph2SO) (57.8g, 0.2859mol)를 디클로로에틸렌(dichloroethylene, DCE)에 녹인 후 60℃에서 12시간 교반 후 세슘카보네이트(Cs2CO3)(9.532mmol)를 넣고 12시간 교반 시킨다. 반응종료 후 디클로로메탄(CH2Cl2)으로 추출한 후에 디클로로메탄(CH2Cl2)을 모두 날린 후 35% 염산(HCl)에 넣고 2시간 동안 교반한다. 디클로로메탄/염화암모늄 수용액(CH2Cl2/aq.NH4Cl)으로 추출한 후에 유기물층을 무수황산마그네슘(MgSO4)으로 건조시키고 유기층을 모아 감압하에 농축하였다. 이후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 1-2(15g, 수율 45.27%)를 얻는다.In a 500 ml round bottom flask, compound 1-1 (30 g, 0.0477 mol), palladium chloride (PdCl 2 ) (1.7 g, 0.953 mmol), silver hexafluoroantimonate (AgSbF 6 ) (3.27 g, 0.953 mmol) and D. Phenyl sulfoxide (Ph 2 SO) (57.8 g, 0.2859 mol) was dissolved in dichloroethylene (DCE), stirred at 60° C. for 12 hours, then cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ) (9.532 mmol) was added and stirred for 12 hours. Let it. After extracting with dichloromethane (CH 2 Cl 2) After completion of the reaction dichloromethane (CH 2 Cl 2) to all into a 35% hydrochloric acid (HCl) and stirred for 2 hours after the shot. After extraction with dichloromethane/ammonium chloride aqueous solution (CH 2 Cl 2 /aq.NH 4 Cl), the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate (MgSO 4 ), and the organic layers were collected and concentrated under reduced pressure. Then, compound 1-2 (15g, yield 45.27%) is obtained using column chromatography.
MS[M+H]+= 656MS[M+H] + = 656
단계 3) 화합물 1의 합성Step 3) Synthesis of
500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 1-2(10g, 0.01523mol), 말로노나이트릴(malononitrile)(3.046mmol) 및 디클로로메테인 용매를 넣고 아르곤 조건 하에서 30분간 교반 한다. 0℃로 냉각하여 10분간 교반 후 사염화티타늄(TiCl4)(8.45ml, 6.092mol)을 천천히 넣어준 후 피리딘(7.35ml, 9.138mmol)을 넣고 0℃에서 상온으로 천천히 온도를 올려 상온에서 2시간 교반시킨다. 이후 디클로로메탄/염화암모늄 수용액(CH2Cl2/aq.NH4Cl)으로 추출한 후에 유기물층을 무수황산마그네슘으로 건조시키고 유기층을 모아 감압하에서 증류하여 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 1(5 g, 수율 43.66%)을 얻는다.Compound 1-2 (10g, 0.01523mol), malononitrile (3.046mmol) and dichloromethane solvent were added to a 500ml round bottom flask and stirred for 30 minutes under argon conditions. After cooling to 0℃ and stirring for 10 minutes, titanium tetrachloride (TiCl 4 ) (8.45ml, 6.092mol) was slowly added, pyridine (7.35ml, 9.138mmol) was added, and the temperature was slowly raised to room temperature at 0℃ for 2 hours at room temperature. Stir. After extraction with dichloromethane/ammonium chloride aqueous solution (CH 2 Cl 2 /aq.NH 4 Cl), the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, and the organic layer was collected and distilled under reduced pressure. 43.66%).
MS[M+H]+= 752MS[M+H] + = 752
<제조예 2> 화합물 2의 합성<Production Example 2> Synthesis of
단계 1) 화합물 2-1의 합성Step 1) Synthesis of compound 2-1
1000ml 둥근 바닥 플라스크에 2,2'-(3,6-다이브로모-1,2-페닐렌)다이아세토나이트릴(2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile)(50g, 15.87mmol), 요오드화제일구리(copper iodide)(3.03g, 1.592mmol), 아이소프로필아민(89.27ml, 63.70mmol) 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(7.3g, 0.634mmol)을 넣고 톨루엔(500ml)에 녹여 가열 교반시킨다. 10분간 가열교반 후 4-에티닐-2-(트리플루오로메틸)벤조나이트릴(4-ethynyl-2-(trifluoromethyl)benzonitrile)(92.6g, 0.4746mol)을 톨루엔(100ml)에 녹여 천천히 적가한다. 반응 종료 후 톨루엔을 80% 증류한 뒤, 무수에탄올을 투입하여 고체화시킨다. 여과하여 클로로포름에 녹인 뒤 물과 함께 10분간 교반한다. 유기층을 모아 무수황산마그네슘으로 건조시킨 뒤 여과한다. 유기층을 감압하에 증류한 뒤 무수에탄올로 고체화시켜 여과하여 화합물 2-1(40g, 수율 46.28%)을 얻는다.In a 1000 ml round
MS[M+H]+= 542MS[M+H] + = 542
단계 2) 화합물 2의 합성Step 2) Synthesis of
화합물 1-1 대신 화합물 2-1을 사용하는 것을 제외하고는 화합물 1-2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 2-2를 제조하였다. 이 후, 화합물 1-2 대신 화합물 2-2를 사용한 것을 제외하고는 화합물 1의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 2(3.9g, 수율: 66%)를 제조하였다.Compound 2-2 was prepared in the same manner as the synthesis method of compound 1-2, except that compound 2-1 was used instead of compound 1-1. Thereafter, compound 2 (3.9g, yield: 66%) was prepared in the same manner as the synthesis method of
MS[M+H]+= 666MS[M+H] + = 666
<제조예 3> 화합물 3의 합성<Production Example 3> Synthesis of
단계1) 화합물 3-1의 합성Step 1) Synthesis of compound 3-1
1000ml 둥근 바닥 플라스크에 2,2'-(3,6-다이브로모-1,2-페닐렌)다이아세토나이트릴(2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile)(50g, 15.87mmol), 요오드화제일구리(copper iodide)(3.03g, 1.592mmol), 아이소프로필아민(89.27ml, 63.70mmol) 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(7.3g, 0.634mmol)을 넣고 톨루엔(500ml)에 녹여 가열 교반시킨다. 10분간 가열교반 후 4-에티닐-2,6-다이플루오로벤조나이트릴(4-ethynyl-2,6-difluorobenzonitrile)(77.4g, 0.4746mol)을 톨루엔(100ml)에 녹여 천천히 적가한다. 반응 종료 후 톨루엔을 80% 증류한 뒤, 무수에탄올을 투입하여 고체화 시킨다. 여과하여 클로로포름에 녹인 뒤 물과 함께 10분간 교반한다. 유기층을 모아 무수황산마그네슘으로 건조시킨 뒤 여과한다. 유기층을 감압하에 증류한 뒤 무수에탄올로 고체화시켜 여과하여 화합물 3-1(35 g, 수율 46%)을 얻는다.In a 1000 ml round
MS[M+H]+= 478MS[M+H] + = 478
단계 2) 화합물 3의 합성Step 2) Synthesis of
화합물 1-1 대신 화합물 3-1을 사용하는 것을 제외하고는 화합물 1-2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 3-2를 제조하였다. 이 후, 화합물 1-2 대신 화합물 3-2를 사용한 것을 제외하고는 화합물 1의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 3(3.3g, 수율 72%)을 제조하였다.Compound 3-2 was prepared in the same manner as the synthesis method of compound 1-2, except that compound 3-1 was used instead of compound 1-1. Thereafter, compound 3 (3.3g, yield 72%) was prepared in the same manner as in the synthesis method of
MS[M+H]+= 602MS[M+H] + = 602
<제조예 4> 화합물 4의 합성<Production Example 4> Synthesis of
단계 1) 화합물 4-1의 합성Step 1) Synthesis of compound 4-1
1000ml 둥근 바닥 플라스크에 2,2'-(3,6-다이브로모-1,2-페닐렌)다이아세토나이트릴(2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile)(50g, 15.87mmol), 요오드화제일구리(copper iodide)(3.03g, 1.592mmol), 아이소프로필아민(89.27ml, 63.70mmol) 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(7.3g, 0.634mmol)을 넣고 톨루엔(500ml)에 녹여 가열 교반시킨다. 10분간 가열교반 후 4-에티닐프탈로나이트릴(4-ethynlphtalonitrile)(72.5g 0.4746mmol)을 톨루엔(100ml)에 녹여 천천히 적가한다. 반응 종료 후 톨루엔을 80% 증류한 뒤, 무수에탄올을 투입하여 고체화시킨다. 여과하여 클로로포름에 녹인 뒤 물과 함께 10분간 교반한다. 유기층을 모아 무수황산마그네슘으로 건조시킨 뒤 여과한다. 유기층을 감압하에 증류한 뒤 무수에탄올로 고체화시켜 여과하여 화합물 4-1(35 g, 수율 48.16%)을 얻는다.In a 1000 ml round
MS[M+H]+= 456MS[M+H] + = 456
단계 2) 화합물 4의 합성Step 2) Synthesis of
화합물 1-1 대신 화합물 4-1을 사용하는 것을 제외하고는 화합물 1-2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 4-2를 제조하였다. 이 후, 화합물 1-2 대신 화합물 4-2를 사용한 것을 제외하고는 화합물 1의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 4(3.3g, 수율 72%)를 제조하였다.Compound 4-2 was prepared in the same manner as the synthesis method of compound 1-2, except that compound 4-1 was used instead of compound 1-1. Thereafter, compound 4 (3.3g, yield 72%) was prepared in the same manner as the synthesis method of
MS[M+H]+= 580MS[M+H] + = 580
<제조예 5> 화합물 5의 합성<Production Example 5> Synthesis of
2,2'-(3,6-다이브로모-1,2-페닐렌)다이아세토나이트릴(2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile) 대신 2,2'-(3,6-다이브로모-4,5-비스(트리플루오로메톡시)-1,2-페닐렌)다이아세토나이트릴을 사용하고, 1-에티닐-3,5-비스(트리플루오로메틸)벤젠 대신 5-에티닐피리미딘을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1-1의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 5-1을 합성하였다.2,2' instead of 2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile (2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile) -(3,6-dibromo-4,5-bis(trifluoromethoxy)-1,2-phenylene)diacetonitrile is used, and 1-ethynyl-3,5-bis(trifluoro Compound 5-1 was synthesized in the same manner as in the synthesis method of compound 1-1, except that 5-ethynylpyrimidine was used instead of methyl)benzene.
화합물 1-1 대신 화합물 5-1을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1-2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 5-2를 합성하였다.Compound 5-2 was synthesized in the same manner as the synthesis method of compound 1-2, except that compound 5-1 was used instead of compound 1-1.
화합물 1-2 대신 화합물 5-2를 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 5(3g, 수율 51%)를 합성하였다. Compound 5 (3g, yield 51%) was synthesized in the same manner as in the synthesis method of
MS[M+H]+= 653.44MS[M+H] + = 653.44
<제조예 6> 화합물 6의 합성<Production Example 6> Synthesis of
2,2'-(3,6-다이브로모-1,2-페닐렌)다이아세토나이트릴(2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile) 대신 2,2'-(3,6-다이브로모-4,5-다이플루오로-1,2-페닐렌)다이아세토나이트릴을 사용하고, 1-에티닐-3,5-비스(트리플루오로메틸)벤젠 대신 에티닐트리메틸실란을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1-1의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 6-1을 합성하였다.2,2' instead of 2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile (2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile) -(3,6-dibromo-4,5-difluoro-1,2-phenylene)diacetonitrile is used, instead of 1-ethynyl-3,5-bis(trifluoromethyl)benzene Compound 6-1 was synthesized in the same manner as the synthesis method of compound 1-1, except that ethynyltrimethylsilane was used.
화합물 1-1 대신 화합물 6-1을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1-2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 6-2를 합성하였다.Compound 6-2 was synthesized in the same manner as the synthesis method of compound 1-2, except that compound 6-1 was used instead of compound 1-1.
화합물 1-2 대신 화합물 6-2를 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 6(8g, 수율 65%)을 합성하였다. Compound 6 (8g, yield 65%) was synthesized in the same manner as in the synthesis method of
MS[M+H]+= 509.11MS[M+H] + = 509.11
<제조예 7> 화합물 7의 합성<Production Example 7> Synthesis of
2,2'-(3,6-다이브로모-1,2-페닐렌)다이아세토나이트릴(2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile) 대신 3,6-다이브로모-4,5-비스(사이아노메틸)프탈로나이트릴을 사용하고, 1-에티닐-3,5-비스(트리플루오로메틸)벤젠 대신 1-에티닐-4-메톡시벤젠을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1-1의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 7-1을 합성하였다.3,6- instead of 2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile (2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile) Dibromo-4,5-bis(cyanomethyl)phthalonitrile is used, and 1-ethynyl-4-methoxybenzene is used instead of 1-ethynyl-3,5-bis(trifluoromethyl)benzene. Except for using, compound 7-1 was synthesized in the same manner as in the synthesis method of compound 1-1.
화합물 1-1 대신 화합물 7-1을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1-2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 7-2를 합성하였다.Compound 7-2 was synthesized in the same manner as the synthesis method of compound 1-2, except that compound 7-1 was used instead of compound 1-1.
화합물 1-2 대신 화합물 7-2를 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 7(4g, 수율 49.3%)을 합성하였다. Compound 7 (4g, yield 49.3%) was synthesized in the same manner as in the synthesis method of
MS[M+H]+= 699.07MS[M+H] + = 699.07
<제조예 8> 화합물 B의 합성<Production Example 8> Synthesis of Compound B
2,2'-(3,6-다이브로모-1,2-페닐렌)다이아세토나이트릴(2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile) 대신 2,2'-(3,6-다이브로모-1,2-페닐렌)다이아세토나이트릴을 사용하고, 1-에티닐-3,5-비스(트리플루오로메틸)벤젠 대신 에티닐벤젠을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1-1의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 B-1을 합성하였다.2,2' instead of 2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile (2,2'-(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile) -(3,6-dibromo-1,2-phenylene)diacetonitrile was used, except that ethynylbenzene was used instead of 1-ethynyl-3,5-bis(trifluoromethyl)benzene Was synthesized compound B-1 in the same manner as the synthesis method of compound 1-1.
화합물 1-1 대신 화합물 B-1을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1-2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 B-2를 합성하였다.Compound B-2 was synthesized in the same manner as the synthesis method of compound 1-2, except that compound B-1 was used instead of compound 1-1.
화합물 1-2 대신 화합물 B-2를 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 B(8g, 수율 64%)를 합성하였다. Compound B (8g, yield 64%) was synthesized in the same manner as in the synthesis method of
MS[M+H]+= 481MS[M+H] + = 481
<소자예><Device example>
<실시예 1-1><Example 1-1>
ITO(Indium Tin Oxide)가 140nm의 두께로 박막 코팅된 유리기판을 세제에 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때 세제로는 피셔사(Fischer Co.)의 Decon™ CON705 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 0.22㎛ 여과 필터(sterilizing filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필 알코올, 아세톤 및 메탄올의 용제로 각각 10분간 초음파 세척하고, 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후, 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (Indium Tin Oxide) having a thickness of 140 nm was put in distilled water dissolved in a detergent and washed with ultrasonic waves. At this time, a Decon™ CON705 product of Fischer Co. was used as a detergent, and distilled water secondarily filtered with a 0.22 μm sterilizing filter manufactured by Millipore Co. was used as distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, it was repeated twice with distilled water to perform ultrasonic cleaning for 10 minutes. After washing with distilled water was finished, ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, and dried, and then transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 HT-A와 화합물 1을 95:5의 중량비로 10nm의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하고 이어서 화합물 HT-A 물질을 110nm의 두께로 증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 그 위에 정공 조절층으로 하기 화합물 EB-A를 5nm의 두께로 열 진공 증착하였다. 이어서 발광층으로 하기 화합물 BH-A와 하기 BD-A를 96:4의 중량비로 20nm의 두께로 진공 증착하였다. 이어서, 전자 수송층으로 ET-A와 Liq로 표시되는 화합물을 1:1의 중량비로 36nm의 두께로 열 진공 증착하고 이어서 하기 Liq로 표시되는 화합물을 0.5nm의 두께로 진공 증착하여 전자 주입층을 형성하였다. 상기 전자 주입층 위에 순차적으로 마그네슘과 은을 10:1의 중량비로 22nm의 두께로, 알루미늄을 100nm 두께로 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.On the thus prepared ITO transparent electrode, the following Compound HT-A and
<실시예 1-2> 내지 <실시예 1-8> <Example 1-2> to <Example 1-8>
상기 실시예 1-1에서 화합물 1 대신 표 1에 기재한 화합물들을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1-1, except that the compounds shown in Table 1 were used instead of
<비교예 1-1><Comparative Example 1-1>
상기 실시예 1-1에서 정공 주입층으로 화합물 HT-A와 화합물 1을 95:5의 중량비로 사용한 대신 하기 화합물 HAT-CN을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device in the same manner as in Example 1-1, except that the following compound HAT-CN was used instead of the compound HT-A and
[HAT-CN][HAT-CN]
<비교예 1-2><Comparative Example 1-2>
상기 실시예 1-1에서 화합물 1 대신 어떠한 도핑없이 정공 주입층을 형성한 것을 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1-1, except that the hole injection layer was formed without any doping instead of
<비교예 1-3><Comparative Example 1-3>
상기 실시예 1-1에서 화합물 1 대신 하기 화합물 A를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1-1, except that Compound A was used instead of
실시예 1-1 내지 1-8 및 비교예 1-1 내지 1-3에서 제조된 유기 발광 소자의 구동전압 및 전류효율을 하기 표 1에 나타내었다. 이 때, 전압 및 효율은 10mA/cm2의 전류 밀도를 인가하여 측정되었다.Table 1 shows driving voltages and current efficiencies of the organic light emitting devices prepared in Examples 1-1 to 1-8 and Comparative Examples 1-1 to 1-3. At this time, voltage and efficiency were measured by applying a current density of 10 mA/cm 2.
(V)Voltage
(V)
(cd/A)efficiency
(cd/A)
본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기물층, 특히 정공 주입층에 포함하는 소자는 구동 전압과 효율이 개선되는 것을 상기 표 1로부터 확인하였다.It was confirmed from Table 1 that a device including the compound represented by
<실시예 2-1><Example 2-1>
ITO(indium tin oxide)가 100nm의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (indium tin oxide) having a thickness of 100 nm was put in distilled water dissolved in a detergent and washed with ultrasonic waves. In this case, Fischer Co. product was used as a detergent, and distilled water secondarily filtered with a filter made by Millipore Co. was used as distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, it was repeated twice with distilled water to perform ultrasonic cleaning for 10 minutes. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 화합물 HAT-CN을 5nm의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하고 이어서 화합물 NPB를 10nm의 두께로 진공 증착하여 제1 정공 수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 제1 정공 수송층 위에 막 두께 10nm로 하기 화합물 EB-B를 진공 증착하여 제1 정공 조절층을 형성하였다. 이어서, 제1 정공 조절층위에 막 두께 40nm로 화합물 YGH-A, YGH-B 및 YGD를 2:2:1의 중량비로 진공 증착하여 제1 발광층을 형성하였다. 이어서 상기 제1 발광층 위에 화합물 ET-B를 25nm의 두께로 진공 증착하여 제1 전자 수송층을 형성하였다. 이어서 상기 제1 전자 수송층 위에 하기 화합물 NCG와 Li(Lithium)를 50:1의 중량비로 진공 증착하여 10nm의 두께로 N형 전하 생성층을 형성하였다.On the prepared ITO transparent electrode, HAT-CN was thermally vacuum deposited to a thickness of 5 nm to form a hole injection layer, followed by vacuum deposition of the compound NPB to a thickness of 10 nm to form a first hole transport layer. Subsequently, the following compound EB-B was vacuum-deposited on the first hole transport layer with a thickness of 10 nm to form a first hole control layer. Subsequently, compounds YGH-A, YGH-B, and YGD were vacuum-deposited at a weight ratio of 2:2:1 with a film thickness of 40 nm on the first hole control layer to form a first emission layer. Subsequently, the compound ET-B was vacuum-deposited to a thickness of 25 nm on the first emission layer to form a first electron transport layer. Subsequently, the following compounds NCG and Li (Lithium) were vacuum-deposited at a weight ratio of 50:1 on the first electron transport layer to form an N-type charge generation layer with a thickness of 10 nm.
이어서 HT-A과 화합물 1을 70:30의 중량비로 진공 증착하여 10nm의 두께로 P형 전하 생성층을 형성하였고, HT-A만을 추가로 80nm의 두께로 진공 증착하여 제2 정공 수송층을 형성하였다. 이어서 제2 발광층으로 화합물 BH-B와 BD-B를 96:4의 중량비로 25nm의 두께로 진공 증착하였다.Subsequently, HT-A and
상기 제2 발광층 위에 제2 전자 수송층으로 화합물 ET-A와 Liq를 1:1의 중량비로 30nm의 두께로 열 진공 증착하고 이어서 LiF(Lithium Fluoride)를 1nm의 두께로 알루미늄을 80nm 두께로 진공 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.On the second emission layer, the compound ET-A and Liq as a second electron transport layer were thermally vacuum deposited to a thickness of 30 nm at a weight ratio of 1:1, and then LiF (Lithium Fluoride) was vacuum deposited to a thickness of 1 nm and aluminum to a thickness of 80 nm By forming a cathode, an organic light emitting device was manufactured.
<실시예 2-2> 내지 <실시예 2-15> <Example 2-2> to <Example 2-15>
상기 실시예 2-1에서 화합물 1 과 HT-A 대신 표 2에 기재한 화합물들을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 2-1, except that the compounds shown in Table 2 were used instead of
<비교예 2-1> 내지 <비교예 2-6> <Comparative Example 2-1> to <Comparative Example 2-6>
상기 실시예 2-1에서 화합물 1 과 HT-A, 대신 표 2에 기재한 화합물들을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 2-1, except that
실시예 2-1 내지 2-15 및 비교예 2-1 내지 2-6에서 제조된 유기 발광 소자의 구동 전압 및 전류 효율을 하기 표 2에 나타내었다. 이 때, 상기 전압 및 효율은 10mA/cm2의 전류 밀도를 인가하여 측정되었다.Table 2 shows the driving voltage and current efficiency of the organic light-emitting devices prepared in Examples 2-1 to 2-15 and Comparative Examples 2-1 to 2-6. At this time, the voltage and efficiency were measured by applying a current density of 10mA/cm 2.
도핑재료P-type charge generation layer
Doping material
정공수송재료P-type charge generation layer
Hole transport material
(V)Voltage
(V)
(cd/A)efficiency
(cd/A)
상기 표 2로부터 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물을 탠덤형 유기 발광 소자의 유기물층에 포함하더라도 소자의 구동 전압과 효율이 개선되는 것을 확인할 수 있었다.From Table 2, it was confirmed that the driving voltage and efficiency of the device were improved even when the compound represented by
1: 기판
2: 양극
3: 유기물층
4: 음극
5: 정공 주입층
6: 정공 수송층
7: 정공 조절층
8: 발광층
9: 전자 수송층
10: 전자 주입층
11: 제1 발광 유닛
12: N형 전하 생성층
13: P형 전하 생성층
14: 제2 발광 유닛1: substrate
2: anode
3: organic material layer
4: cathode
5: hole injection layer
6: hole transport layer
7: hole control layer
8: light-emitting layer
9: electron transport layer
10: electron injection layer
11: first light emitting unit
12: N-type charge generation layer
13: P-type charge generation layer
14: second light emitting unit
Claims (13)
하기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 유기물층에 포함되고,
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
R1 내지 R6 및 Y1 내지 Y4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며, R1 내지 R6 중 적어도 하나는 시아노기이고,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 하기 화학식 3-A 또는 화학식 3-B로 표시되는 화합물을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자:
[화학식 3-A]
상기 화학식 3-A에 있어서,
R11 및 R12는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,
R13은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,
a13은 0 내지 6의 정수이고, a13이 2 이상인 경우 R13은 서로 동일하거나 상이하며,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
Ar3는 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
[화학식 3-B]
상기 화학식 3-B에 있어서,
Ar4는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
L은 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,
n은 1 내지 4의 정수이고, n이 2 이상인 경우 L은 서로 같거나 상이하고,
Ar5 및 Ar6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.cathode; anode; And an organic material layer provided between the cathode and the anode,
The compound represented by the following Formula 1 is included in the organic material layer,
[Formula 1]
In Formula 1,
R1 to R6 and Y1 to Y4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Cyano group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, and at least one of R1 to R6 is a cyano group,
An organic light-emitting device wherein the organic material layer including the compound represented by Formula 1 further comprises a compound represented by Formula 3-A or Formula 3-B:
[Formula 3-A]
In Formula 3-A,
R11 and R12 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group, or combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring,
R13 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,
a13 is an integer from 0 to 6, and when a13 is 2 or more, R13 is the same as or different from each other,
Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
Ar3 is hydrogen; heavy hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group,
[Formula 3-B]
In Formula 3-B,
Ar4 is a substituted or unsubstituted aryl group,
L is a substituted or unsubstituted arylene group,
n is an integer of 1 to 4, when n is 2 or more, L is the same as or different from each other,
Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group.
[화학식 2]
상기 화학식 2에 있어서, R1 내지 R3, R6 및 Y1 내지 Y4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.The organic light-emitting device of claim 1, wherein Formula 1 is represented by the following Formula 2:
[Formula 2]
In Formula 2, R1 to R3, R6, and Y1 to Y4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Cyano group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.
.The organic light-emitting device of claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is any one selected from the following compounds:
.
청구항 1항에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 전하 생성층에 포함되고,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 상기 전하 생성층은 청구항 1항에 따른 화학식 3-A 또는 화학식 3-B로 표시되는 화합물을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자.cathode; anode; At least two light emitting units provided between the cathode and the anode; And a charge generation layer provided between at least two light emitting units among the two or more light emitting units,
The compound represented by Formula 1 according to claim 1 is included in the charge generating layer,
The charge generation layer including the compound represented by Formula 1 further comprises a compound represented by Formula 3-A or Formula 3-B according to claim 1.
청구항 1항에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중에서 선택된 어느 하나이고,
상기 화합물은 상기 전하 생성층에 포함되는 것인 유기 발광 소자.cathode; anode; At least two light emitting units provided between the cathode and the anode; And a charge generation layer provided between at least two light emitting units among the two or more light emitting units,
The compound represented by Formula 1 according to claim 1 is any one selected from the following compounds,
The organic light emitting device is that the compound is included in the charge generation layer.
.The organic light-emitting device of claim 1, wherein the compound represented by Formula 3-A is any one selected from the following compounds:
.
.The organic light-emitting device of claim 1, wherein the compound represented by Formula 3-B is any one selected from the following compounds:
.
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