KR101956348B1 - 전극 적층체에 있어서의 전극판의 위치 어긋남 검출 방법 및 그 장치 - Google Patents
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Abstract
정전극판(1)과 부전극판(2)을 절연체의 세퍼레이터(9)에 교대로 적층한 전극 적층체(I)의 세퍼레이터(9)의 폭방향의 일단면으로부터 돌출되는 정극 활물질(5)의 미도공 부분인 알루미늄박의 정극측 접속부(7)를 포함하는 전극 적층체(I)의 일단면측의 소정의 영역을 향하여 X선을 조사하여 X선 화상을 촬상함과 아울러, 상기 X선 화상에 상기 알루미늄박이 찍히지 않도록 그 강도를 조정하고, 상기 X선 화상에 있어서의 정극측 접속부(7)와의 경계인 정극 활물질(5)의 도공단의 위치와, 일단면측의 부전극판(2)의 단면의 위치를 특정하고, 상기 도공단의 위치와, 부전극판(2)의 단면의 위치에 기초하여 정전극판(1)과 부전극판(2)의 위치 어긋남을 검출한다.
Description
본 발명은 전극 적층체에 있어서의 전극판의 위치 어긋남 검출 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 특히 스택형의 리튬 이온 전지의 제조 공정에 적용하기 유용한 것이다.
리튬 이온 이차전지의 일종으로서 정전극판(正電極板)과 부전극판(負電極板)을 절연체의 세퍼레이터를 통하여 교대로 적층한 스택 구조의 전극 적층체가 있다.
도 4는 스택 구조의 리튬 이온 이차전지의 정전극판을 나타내는 도면으로, (a)는 그 평면도, (b)는 그 측면도, 도 5는 부전극판을 나타내는 도면으로, (a)는 그 평면도, (b)는 그 측면도이다. 도 4에 기재하는 바와 같이 정전극판(1)은 정전극 시트(3)의 양면 상에 각각 정극 활물질(5)을 도포하여 형성하고 있고, 그 단부(도 4에서는 좌단부)에는 정극 접속 단자(도시하지 않음)에 접속하기 위한 정극측 접속부(7)가 형성되어 있다. 정극측 접속부(7)는 정극 활물질(5)이 도포되어 있지 않은 탭으로 되어 있다. 정전극 시트(3)는 전기 전도성을 가지고, 표면 상에 정극 활물질(5)을 도포할 수 있으면 특별히 한정되지 않지만, 알루미늄박이 범용되고 있다.
한편 도 5에 나타내는 바와 같이 부전극판(2)은 부전극 시트(4)의 양면 상에 각각 부극 활물질(6)을 도포하여 형성하고 있고, 그 단부(도 5에서는 우단부)에는 부극 접속 단자(도시하지 않음)에 접속하기 위한 부극측 접속부(8)가 형성되어 있다. 부극측 접속부(8)는 부극 활물질(6)이 도포되어 있지 않은 탭으로 되어 있다. 부전극 시트(4)는 전기 전도성을 가지고, 표면 상에 부극 활물질(6)을 도포할 수 있으면 특별히 한정되지 않지만, 구리박이 범용되고 있다.
이러한 정, 부전극판(1, 2)은 도 6에 나타내는 바와 같이 예를 들면 지그재그로 접은 절연체의 세퍼레이터(9)를 끼우고 서로 대향하도록 세퍼레이터(9)의 각 곡부 홈(9A)에 삽입되고, 그 후 상하 방향으로부터 압압하여 도 7에 나타내는 스택형상의 전극 적층체(I)로 성형된다.
이러한 전극 적층체(I)에 있어서, 세퍼레이터(9)의 폭방향의 일단부로부터 돌출되는 복수의 정극측 접속부(7) 및 세퍼레이터(9)의 타단부로부터 돌출되는 복수의 부극측 접속부(8)는 다음 공정에서 도시되어 있지 않은 정극 접속 단자 및 부극 접속 단자와 접속된다.
그런데 전극 적층체(I)에 있어서의 정전극판(1)과 부전극판(2) 사이의 적층상태에서의 어긋남은 예를 들면 전극간에서의 쇼트 등 각종 문제를 일으키는 원인이 된다. 그래서 각 정전극판(1)과 부전극판(2) 사이의 어긋남량이 규정값 내에 들어가도록 품질을 관리할 필요가 있다.
이 점을 감안하여 종래부터 X선을 이용하여 비파괴 검사로 전극 적층체(I)에 있어서의 전극판(정전극판(1)과 부전극판(2))의 위치 어긋남을 검출하는 위치 어긋남 검출이 행해지고 있다.
도 8은 종래기술에 따른 X선을 이용한 위치 어긋남 검출의 양태를 개념적으로 나타내는 도면이며, (a)는 평면적으로 본 모식도, (b)는 단면측으로부터 본 모식도이다. 양 도면에 나타내는 바와 같이 세퍼레이터(9)의 일단면측의 소정의 A영역(정극측 접속부(7)와 정극 활물질(5)의 경계 부분을 포함하는 영역)에 있어서 전극 적층체(I)의 폭방향(도면 중의 Y축 방향)으로 X선을 조사함으로써 얻는 X선 화상에 기초하여 부전극판(2)의 정극측의 단부의 위치(부극측 접속부(8)의 반대측에 있어서의 부극 전극단 위치(부극 활물질(6)의 도공단))를 검출한다. 동시에 세퍼레이터(9)의 타단면측의 소정의 B영역(부극측 접속부(8)와 부극 활물질(6)의 경계 부분을 포함하는 영역)에 있어서 마찬가지로 전극 적층체(I)의 폭방향(도면 중의 Y축 방향)으로 X선을 조사함으로써 얻는 X선 화상에 기초하여 정전극판(1)의 부극측의 단부의 위치(정극측 접속부(7)의 반대측에 있어서의 정극 전극단 위치(정극 활물질(5)의 도공단))를 검출한다. 이렇게 하여 구한 부전극판(2)의 정극측 접속부(7)측의 단부의 위치, 정전극판(1)의 부극측 접속부(8)측의 단부의 위치, 정극측 접속부(7)의 단부의 위치, 부극측 접속부(8)의 단부의 위치 등의 정보로부터 연산에 의해 적층되는 정전극판(1) 사이의 거리, 적층되는 부전극판(2) 사이의 거리, 적층되는 정전극판(1)과 부전극판(2)의 거리를 구하고, 설계값으로서 부여되는 기준값과 비교하여 정전극판(1)과 부전극판(2)의 위치 어긋남을 검출한다.
또한 X선을 이용하여 전극판의 위치를 검출하는 점을 개시하는 공지 문헌으로서 특허문헌 1이 있다.
그러나 상기 서술한 바와 같이 종래기술에 따른 검사 방법에서는 정, 부전극판(1, 2)의 양단부에 있어서 2회의 동일한 검사를 행할 필요가 있어, 당연하게도 검사의 택트 타임이 길어진다는 문제를 가지고 있었다. 그래서 정, 부전극판(1, 2)의 어느 일방의 단부에 대한 X선에 의한 검사에서 필요한 위치의 정보를 얻는 것을 시험했다. 구체적으로는 A영역(정극측 접속부(7)측)에 X선 조사함으로써, 정극측의 탭인 정극측 접속부(7)의 선단과, 부전극판(2)에 있어서의 부극측의 탭과 반대측의 단부와의 거리, 또는 B영역(부극측 접속부(8)측)에 X선 조사하여, 부극측의 탭인 부극측 접속부(8)의 선단과, 정전극판(1)에 있어서의 정극측의 탭과 반대측의 단부와의 거리를 검출하여 위치 어긋남의 검출의 가부를 조사했다. 이 결과, 정극측 접속부(7)는 알루미늄박이며, 부극측 접속부(8)는 구리박이므로,모두 강성이 부족하여 선단부가 늘어져버린다. 이 결과, 원하는 정밀도에서의 거리 검출은 곤란한 것이 판명되었다. 또 일방의 전극판에 있어서의 활물질층과 탭부와의 경계 위치와 타방의 전극판에 있어서의 탭과 반대측의 단부와의 거리를 검출하는 것에 있어서도, X선 화상에 있어서의 탭부와 활물질층과의 경계선을 검출하는 것이 곤란했다. 단 시행착오하는 가운데 검사용의 X선의 강도를 증대시킨 경우, 알루미늄박으로 형성된 정극측 접속부(7)의 X선 화상은 소정의 A영역의 전체적인 X선 화상으로부터 제거하는(X선 화상으로서는 남기지 않는) 것이 가능하다는 새로운 지견을 얻었다.
그래서 X선의 강도를 증가시켜 알루미늄박으로 형성된 정극측 접속부(7)의 X선 화상을 지움으로써, 소정의 A영역의 X선 화상만으로 위치 어긋남을 검출하는 것에 생각이 미쳤다.
본 발명은 상기 지견에 기초하여 전극판의 일단부의 X선 화상 정보만으로 전극판의 위치 어긋남을 적절하게 또한 고정밀도로 검출함으로써 당해 검사의 택트 타임을 단축시킬 수 있는 전극 적층체에 있어서의 전극판의 위치 어긋남 검출 방법 및 그 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하는 본 발명의 제1 양태는 알루미늄박으로 형성한 정전극 시트의 양면 상에 각각 정극 활물질을 도포하여 형성한 정전극판과, 다른 금속박으로 형성한 부전극 시트의 양면 상에 각각 부극 활물질을 도포하여 형성한 부전극판과 절연체의 세퍼레이터를 통하여 교대로 적층한 전극 적층체의 상기 세퍼레이터의 폭방향의 일단면으로부터 돌출되는 상기 정극 활물질의 미도공 부분인 상기 알루미늄박의 정극측 접속부를 포함하는 상기 전극 적층체의 일단면측의 소정의 영역을 향하여 X선을 조사하여 X선 화상을 촬상함과 아울러, 상기 X선 화상에 상기 알루미늄박이 찍히지 않도록 상기 X선의 강도를 조정하고, 상기 X선 화상에 있어서의 상기 정극측 접속부와의 경계인 정극 활물질의 도공단의 위치와, 상기 일단면 측의 부전극판의 단면의 위치를 특정하고, 상기 도공단의 위치와, 상기 일단면 측의 부전극판의 단면의 위치에 기초하여 상기 정전극판과 상기 부전극판의 위치 어긋남을 검출하는 것을 특징으로 하는 전극 적층체에 있어서의 전극판의 위치 어긋남 검출 방법에 있다.
본 양태에 의하면, 전극 적층체의 폭방향의 일단측인 정극측의 1개소에서 X선 화상을 얻고 있으므로, 전극판의 위치 어긋남 검사에 있어서의 택트 타임을 종래보다 단축할 수 있다. 여기서 검사에 있어서 기준으로 하고 있는 위치에는 정극측 접속부와의 경계인 정극 활물질의 도공단 및 부전극판의 정극측 접속부의 측의 단면이 포함된다. 즉 모두 리지드한 부위의 위치일 뿐 아니라, 이러한 위치 검출의 노이즈가 될 가능성이 있는 알루미늄박인 정극측 접속부는 X선 화상으로부터 제거함으로써, 검출 기준이 되는 위치를 X선 화상 상에서 명확히 특정할 수 있으므로, 위치 어긋남도 정확하게 검출할 수 있다.
본 발명의 제2 양태는 제1 양태에 기재하는 전극판의 위치 어긋남 검출 방법에 있어서, 상기 X선은 X선관에 있어서의 관 전압을 70kV 이상, 관 전류를 280μA 이상으로 하여 얻는 강도인 것을 특징으로 하는 전극 적층체에 있어서의 전극판의 위치 어긋남 검출 방법에 있다.
본 양태에 의하면, 알루미늄박인 정극측 접속부를 소정의 X선 화상으로부터 확실하게 제거할 수 있다.
본 발명의 제3 양태는 알루미늄박으로 형성한 정전극 시트의 양면 상에 각각 정극 활물질을 도포하여 형성한 정전극판과, 다른 금속박으로 형성한 부전극 시트의 양면 상에 각각 부극 활물질을 도포하여 형성한 부전극판을 절연체의 세퍼레이터를 통하여 교대로 적층한 전극 적층체에 있어서의 전극판의 위치 어긋남 검출 장치에 있어서, 상기 전극 적층체의 상기 세퍼레이터의 폭방향의 일단면으로부터 돌출되는 상기 정극 활물질의 미도공 부분인 상기 알루미늄박을 끼우고 배열설치된 X선 조사부 및 X선 검출부와, 연산 처리부를 가짐과 아울러, 상기 X선 조사부는 상기 전극 적층체의 상기 세퍼레이터의 폭방향의 일단면으로부터 돌출되는 상기 정극 활물질의 미도공 부분인 상기 알루미늄박의 정극측 접속부를 포함하는 상기 전극 적층체의 일단면측의 소정의 영역에 상기 알루미늄박을 투과하는 강도의 X선을 조사하고, 상기 X선 검출부는 조사된 상기 X선을 입사시켜 상기 소정의 영역의 화상을 나타내는 X선 화상 신호를 생성하고, 상기 연산 처리부는 상기 X선 화상 신호에 기초하여, 상기 정극측 접속부와의 경계인 정극 활물질의 도공단의 위치와, 상기 일단면측의 부전극판의 단면의 위치를 특정하고, 상기 일단면측의 도공단의 위치와, 상기 부전극판의 단면의 위치에 기초하여 정전극판과 부전극판의 상기 전극 적층체와의 위치 어긋남을 검출하는 연산 처리부를 내장하고 있는 것을 특징으로 하는 전극 적층체에 있어서의 전극판의 위치 어긋남 검출 장치에 있다.
본 양태에 의하면, 전극 적층체의 폭방향의 일단측인 정극측의 1개소에 서로 대향하여 배열설치된 X선 조사부 및 X선 검출부에서 소정의 X선 화상을 얻고 있으므로, 전극판의 위치 어긋남 검사에 있어서의 택트 타임을 종래보다 단축할 수 있다. 여기서 검사에 있어서 X선 검출부에 있어서의 연산 처리부에서의 어긋남량의 기준으로 하고 있는 위치에는 정극측 접속부와의 경계인 정극 활물질의 도공단 및 부전극판의 정극측의 단면이 포함된다. 즉 모두 리지드한 위치일 뿐 아니라, 이러한 위치 검출의 노이즈가 될 가능성이 있는 알루미늄박인 정극측 접속부는 X선 화상으로부터 제거함으로써, 검출 기준이 되는 위치를 X선 화상 상에서 명확히 특정할 수 있으므로, 어긋남량도 정확하게 검출할 수 있다.
본 발명의 제4 양태는 제3 양태에 기재하는 전극 적층체에 있어서의 전극판의 위치 어긋남 검출 장치에 있어서, 상기 X선 조사부에 있어서 X선을 조사하는 X선관은 관 전압을 70kV 이상, 관 전류를 280μA 이상으로 한 것을 특징으로 하는 전극 적층체에 있어서의 전극판의 위치 어긋남 검출 장치에 있다.
본 양태에 의하면, 알루미늄박인 정극측 접속부를 소정의 X선 화상으로부터 확실하게 제거할 수 있다.
본 발명에 의하면, 전극 적층체의 폭방향의 일단측인 정극측의 1개소에서 X선 화상을 얻고 있으므로, 전극판의 위치 어긋남 검사에 있어서의 택트 타임을 종래보다 단축할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 X선 검사 장치를 그 검사 양태과 함께 개념적으로 나타내는 설명도이다.
도 2는 본 형태에 따른 위치 어긋남 검출 방법에 의해 얻어지는 정극측 접속부측에 있어서의 X선 화상의 설명도이다.
도 3은 도 2의 경우의 실제의 X선 화상을 나타내는 사진이다.
도 4는 스택 구조의 리튬 이온 이차전지의 정전극판을 나타내는 도면으로, (a)는 그 평면도, (b)는 그 측면도이다.
도 5는 스택 구조의 리튬 이온 이차전지의 부전극판을 나타내는 도면으로, (a)는 그 평면도, (b)는 그 측면도이다.
도 6은 지그재그로 접은 세퍼레이터의 각 곡부 홈에 전극판을 삽입하는 경우의 양태를 나타내는 설명도이다.
도 7은 스택 구조의 전극 적층체를 나타내는 사시도이다.
도 8은 종래기술에 따른 X선을 이용한 어긋남량 검출의 양태를 개념적으로 나타내는 도면으로, (a)는 평면적으로 본 모식도, (b)는 단면측에서 본 모식도이다.
도 2는 본 형태에 따른 위치 어긋남 검출 방법에 의해 얻어지는 정극측 접속부측에 있어서의 X선 화상의 설명도이다.
도 3은 도 2의 경우의 실제의 X선 화상을 나타내는 사진이다.
도 4는 스택 구조의 리튬 이온 이차전지의 정전극판을 나타내는 도면으로, (a)는 그 평면도, (b)는 그 측면도이다.
도 5는 스택 구조의 리튬 이온 이차전지의 부전극판을 나타내는 도면으로, (a)는 그 평면도, (b)는 그 측면도이다.
도 6은 지그재그로 접은 세퍼레이터의 각 곡부 홈에 전극판을 삽입하는 경우의 양태를 나타내는 설명도이다.
도 7은 스택 구조의 전극 적층체를 나타내는 사시도이다.
도 8은 종래기술에 따른 X선을 이용한 어긋남량 검출의 양태를 개념적으로 나타내는 도면으로, (a)는 평면적으로 본 모식도, (b)는 단면측에서 본 모식도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한 도 4~도 8과 동일 부분에는 동일 번호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 X선 검사 장치를 그 검사 양태과 함께 개념적으로 나타내는 설명도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이 본 형태에 있어서의 X선 검사 장치(10)는 X선을 도면 중의 Y축 방향으로 조사하는 X선 조사부(11) 및 X선 조사부(11)가 조사한 X선을 입사하는 X선 검출부(12)를 가진다. 여기서 X선 조사부(11), X선 검출부(12)는 전극 적층체(I)의 세퍼레이터(9)의 폭방향(X축 방향)의 일단면으로부터 돌출되는 정극 활물질(5)(예를 들면 도 4 참조, 이하 동일)의 미도공 부분인 정극측 접속부(7)를 끼우고 일방측과 반대측에 배열설치되어 있다. 본 형태에 있어서의 정극측 접속부(7)는 알루미늄박으로 형성되어 있다.
이렇게 하여 X선 조사부(11)는 전극 적층체(I)의 세퍼레이터(9)의 폭방향의 일단면으로부터 돌출되는 정극 활물질(5)의 미도공 부분인 알루미늄박의 정극측 접속부(7)를 포함하는 전극 적층체(I)의 일단면측의 소정의 영역(A)(도 8 참조, 이하 동일)에 전극판의 폭방향(도면 중의 Y축 방향)을 향하여 알루미늄박을 투과하는 강도의 X선을 조사한다. 구체적으로는 X선 조사부(11)의 X선관에 있어서의 관 전압을 70kV 이상, 관 전류를 280μA 이상으로 한다. 이 강도의 X선이면 알루미늄박인 정극측 접속부(7)를 소정의 X선 화상으로부터 확실하게 제거할 수 있기 때문이다.
한편 X선 검출부(12)는 조사된 X선을 입사시켜 소정의 영역(A)의 화상을 나타내는 X선 화상 신호를 생성함과 아울러, 내장하고 있는 연산 처리부(12A)에 있어서 소정의 연산을 행하고, 정, 부전극판(1, 2)의 상대적인 어긋남량을 연산하는 등, 전극판에 관한 위치 어긋남 검출을 행한다.
이러한 위치 어긋남의 검출에 관련하여, 도 2를 추가하여 구체적으로 설명한다. 도 2는 X선 검출부(12)에서 얻어지는 정극측 접속부측에 있어서의 소정의 영역(A)의 X선 화상의 설명도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이 당해 X선 화상에서는 알루미늄박인 정극측 접속부(7)의 화상이 완전히 제거되어 있다. X선이 알루미늄박을 완전히 투과하고 있기 때문이다. 또한 도 2 중에는 점선으로 정극측 접속부(7)를 나타내고 있다. 또 정전극판(1)과 부전극판(2) 사이에는 세퍼레이터(9)가 존재하고 있는데, 도 2에 나타내는 X선 화상에 세퍼레이터는 찍혀들어가지 않는다. 이것은 세퍼레이터(9)가 얇고, 세퍼레이터를 구성하는 재료인 폴리프로필렌 등이 X선 화상에는 찍히기 어렵기 때문이다. 이 경우의 실제의 X선 화상을 나타내는 사진을 도 3에 나타낸다.
X선 검출부(12)에서는 입사한 X선에 기초하여 생성한 X선 화상 신호에 기초하여, 정극측 접속부(7)와의 경계인 정극 활물질(5)의 도공단의 위치(P1)와, 일단면측의 부전극판(2)의 단면의 위치(P2)를 특정한다. 그 후, 위치(P1, P2)와의 차로부터 정전극판(1)과 부전극판(2)의 전극 적층체(I)에 있어서의 상대적인 어긋남량을 연산한다. 여기서 연산 처리부(12A)에는 설계값에 기초하는 위치(P1, P2)의 허용 오차가 미리 기억되어 있으므로, 정전극판(1)과 부전극판(2) 사이에서의 어긋남량이 허용값 내에 들어가 있는지 여부의 판정도 행하고 있다.
본 형태에 의하면, 전극 적층체(I)의 폭방향의 일단측인 정극측의 1개소에 서로 대향하여 배열설치된 X선 조사부(11) 및 X선 검출부(12)에서 소정의 X선 화상을 얻고 있으므로, 정, 부전극판(1, 2)의 위치 어긋남 검사에 있어서의 택트 타임을 종래보다 단축할 수 있다. 여기서 검사에 있어서 X선 검출부에 있어서의 연산 처리부에서의 어긋남량의 기준으로 하고 있는 위치는 정극측 접속부(7)와의 경계인 정극 활물질(5)의 도공단 및 부전극판(2)의 정극측의 단면이다. 즉 모두 리지드한 위치일 뿐 아니라, 이러한 위치 검출의 노이즈가 될 가능성이 있는 알루미늄박인 정극측 접속부(7)는 X선 화상으로부터 제거되어 있으므로, 검출 기준이 되는 위치(P1, P2)를 X선 화상 상에서 명확히 특정할 수 있다. 이 결과 위치 어긋남도 정확하게 검출할 수 있다. 또 적층된 각 부전극판(2)의 단면의 위치(P2)를 산출함과 아울러 각 부전극판(2)의 위치(P2) 사이에서의 어긋남량의 최대값을 산출하여, 소정의 기준값 내인지 여부를 판단하고, 부전극판(2) 사이에서의 위치 어긋남 검출도 행할 수 있다. 또한 적층된 각 정전극판(1)의 정극측 접속부(7)와의 경계인 정극 활물질(5)의 도공단의 위치(P1)를 산출하고, 각 정전극판(1)의 위치(P1) 사이에서의 어긋남량의 최대값을 산출하여, 소정의 기준값 내인지 여부를 판단하고, 정전극판(1) 사이에서의 위치 어긋남 검출도 행할 수 있다.
(산업상 이용가능성)
본 발명은 이차전지, 특히 스택 구조를 가지는 리튬 이온 전지의 제조를 행하는 산업 분야에 있어서 유효하게 이용할 수 있다.
I…전극 적층체
1…정전극판
2…부전극판
3…정전극 시트
4…부전극 시트
5…정극 활물질
6…부극 활물질
7…정극측 접속부
8…부극측 접속부
9…세퍼레이터
10…X선 검사 장치
11…X선 조사부
12…X선 검출부
12A…연산 처리부
1…정전극판
2…부전극판
3…정전극 시트
4…부전극 시트
5…정극 활물질
6…부극 활물질
7…정극측 접속부
8…부극측 접속부
9…세퍼레이터
10…X선 검사 장치
11…X선 조사부
12…X선 검출부
12A…연산 처리부
Claims (4)
- 알루미늄박으로 형성한 정전극 시트의 양면 상에 각각 정극 활물질을 도포하여 형성한 정전극판과, 다른 금속박으로 형성한 부전극 시트의 양면 상에 각각 부극 활물질을 도포하여 형성한 부전극판과 절연체의 세퍼레이터를 통하여 교대로 적층한 전극 적층체의 상기 세퍼레이터의 폭방향의 일단면으로부터 돌출되는 상기 정극 활물질의 미도공 부분인 상기 알루미늄박의 정극측 접속부를 포함하는 상기 전극 적층체의 일단면측의 소정의 영역을 향하여 X선을 조사하여 X선 화상을 촬상함과 아울러, 상기 X선 화상에 상기 알루미늄박이 찍히지 않도록 상기 X선의 강도를 조정하고,
상기 X선 화상에 있어서의 상기 정극측 접속부와의 경계인 정극 활물질의 도공단의 위치와, 상기 일단면측의 부전극판의 단면의 위치를 특정하고, 상기 도공단의 위치와, 상기 일단면측의 부전극판의 단면의 위치에 기초하여 상기 정전극판과 상기 부전극판과의 위치 어긋남을 검출하고,
상기 X선은 X선관에 있어서의 관 전압을 70kV 이상, 관 전류를 280μA 이상으로 하여 얻는 강도인 것을 특징으로 하는 전극 적층체에 있어서의 전극판의 위치 어긋남 검출 방법. - 알루미늄박으로 형성한 정전극 시트의 양면 상에 각각 정극 활물질을 도포하여 형성한 정전극판과, 다른 금속박으로 형성한 부전극 시트의 양면 상에 각각 부극 활물질을 도포하여 형성한 부전극판을 절연체의 세퍼레이터를 통하여 교대로 적층한 전극 적층체에 있어서의 전극판의 위치 어긋남 검출 장치에 있어서,
상기 전극 적층체의 상기 세퍼레이터의 폭방향의 일단면으로부터 돌출되는 상기 정극 활물질의 미도공 부분인 상기 알루미늄박을 끼우고 배열설치된 X선 조사부 및 X선 검출부와, 연산 처리부를 가짐과 아울러,
상기 X선 조사부는 상기 전극 적층체의 상기 세퍼레이터의 폭방향의 일단면으로부터 돌출되는 상기 정극 활물질의 미도공 부분인 상기 알루미늄박의 정극측 접속부를 포함하는 상기 전극 적층체의 일단면측의 소정의 영역에 상기 알루미늄박을 투과하는 강도의 X선을 조사하고,
상기 X선 검출부는 조사된 상기 X선을 입사시켜 상기 소정의 영역의 화상을 나타내는 X선 화상 신호를 생성하고,
상기 연산 처리부는 상기 X선 화상 신호에 기초하여, 상기 정극측 접속부와의 경계인 정극 활물질의 도공단의 위치와, 상기 일단면측의 부전극판의 단면의 위치를 특정하고, 상기 일단면측의 도공단의 위치와, 상기 부전극판의 단면의 위치에 기초하여 정전극판과 부전극판의 상기 전극 적층체와의 위치 어긋남을 검출하는 연산 처리부를 내장하고 있고,
상기 X선 조사부에 있어서 X선을 조사하는 X선관은 관 전압을 70kV 이상, 관 전류를 280μA 이상으로 한 것을 특징으로 하는 전극 적층체에 있어서의 전극판의 위치 어긋남 검출 장치. - 삭제
- 삭제
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