KR101874016B1 - High efficiency passivated emitter and rear cell having shingled array structure and manufacturing method thereof - Google Patents

High efficiency passivated emitter and rear cell having shingled array structure and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR101874016B1
KR101874016B1 KR1020170103158A KR20170103158A KR101874016B1 KR 101874016 B1 KR101874016 B1 KR 101874016B1 KR 1020170103158 A KR1020170103158 A KR 1020170103158A KR 20170103158 A KR20170103158 A KR 20170103158A KR 101874016 B1 KR101874016 B1 KR 101874016B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solar cell
perc solar
forming
concave
array structure
Prior art date
Application number
KR1020170103158A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정채환
지홍섭
Original Assignee
한국생산기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국생산기술연구원 filed Critical 한국생산기술연구원
Priority to KR1020170103158A priority Critical patent/KR101874016B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101874016B1 publication Critical patent/KR101874016B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0236Special surface textures
    • H01L31/02366Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Various embodiments of the present invention relate to a high efficiency passivated emitter and rear cell (PERC) solar cell having a shingled array structure and a method of manufacturing the same. To solve technical problems, an object of the present invention is to provide a high efficiency PERC solar cell having a shingled array structure which is capable of suppressing an increase of an electrical resistance component which may be increased due to a local rear surface field layer when the shingled array structure is applied to a PERC cell, and a method of manufacturing the same. To this end, the method of manufacturing a high efficiency PERC solar cell having a shingled array structure includes the steps of: preparing a PERC solar cell including a front electrode and a rear electrode; forming an uneven portion on at least one of the front and rear electrodes; singulating the PERC solar cell to prepare a plurality of PERC solar cell units; and bonding a front electrode of one of the PERC solar cell units at one side and a rear electrode of another PERC solar cell unit at an opposite side to each other in a shingled array structure with conductive adhesive interposed therebetween.

Description

슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지 및 그 제조 방법{High efficiency passivated emitter and rear cell having shingled array structure and manufacturing method thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high efficiency PERC solar cell having a shingled array structure and a manufacturing method thereof,

본 발명의 다양한 실시예는 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.Various embodiments of the present invention relate to a high efficiency PERC solar cell having a shunged array structure and a method of manufacturing the same.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 전지로서, 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 주목 받고 있다.With the recent depletion of existing energy resources such as oil and coal, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, solar cells produce electric energy from solar energy, and they are attracting attention because they have abundant energy resources and there is no problem about environmental pollution.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터(emitter), 그리고 기판과 에미터에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터의 계면에는 p-n 접합이 형성된다.Typical solar cells have substrates and emitters made of different conductivity type semiconductors, such as p-type and n-type, and electrodes connected to the substrate and the emitter, respectively. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter.

이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 광기전력 효과(photovoltaic effect)에 의해 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어 전자와 정공은 n형의 반도체와 p형 반도체쪽으로, 예를 들어 에미터와 기판쪽으로 이동하고, 기판과 에미터에 전기적으로 연결된 전극에 의해 수집되며, 이 전극을 전선으로 연결하여 전력을 얻는다.When light is incident on the solar cell, a plurality of electron-hole pairs are generated in the semiconductor, and the generated electron-hole pairs are separated into electrons and holes which are charged by the photovoltaic effect, For example, toward the emitter and the substrate, is collected by an electrode electrically connected to the substrate and the emitter, and the electrode is connected to the electric wire to obtain electric power.

이러한 발명의 배경이 되는 기술에 개시된 상술한 정보는 본 발명의 배경에 대한 이해도를 향상시키기 위한 것뿐이며, 따라서 종래 기술을 구성하지 않는 정보를 포함할 수도 있다.The above-described information disclosed in the background of the present invention is only for improving the understanding of the background of the present invention, and thus may include information not constituting the prior art.

본 발명의 다양한 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다. 특히, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 PERC 셀에 슁글드 어레이 구조를 적용할 경우 국부적인 후면 전계층(back surface field layer)으로 인해 추가적인 전기적 저항 성분이 증가할 수 있는데, 이러한 추가적인 전기적 저항 성분의 증가를 억제할 수 있는 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다. 구체적으로, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 PERC 셀의 후면 전극을 표면 처리하여, 슁글드 어레이 구조로 접합할 때 사용되는 전도성 물질의 접촉 면적을 증가시킴으로써, 결국 전기적 저항 성분을 감소시켜 필 팩터(fill factor), 개방 전압(Voc), 단락 전류(Jsc) 등의 특성을 향상시킬 수 있는 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a high efficiency PERC solar cell having a shunged array structure and a method of manufacturing the same. Particularly, the problem to be solved according to various embodiments of the present invention is that, when a shingled array structure is applied to a PERC cell, an additional electrical resistance component may increase due to a local back surface field layer. Efficiency PERC solar cell having a shingled array structure capable of suppressing an increase in electrical resistance components, and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention provides a method of surface-treating a rear electrode of a PERC cell to increase a contact area of a conductive material used in a shingled array structure, Efficiency PERC solar cell having a shading array structure capable of improving characteristics such as a fill factor, an open-circuit voltage (Voc), a short-circuit current (Jsc), and the like.

본 발명의 다양한 실시예에 따른 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지의 제조 방법은 전면 전극 및 후면 전극을 포함하는 PERC(Passivated Emitter and Rear Cell) 태양 전지 셀을 준비하는 단계; 상기 전면 전극 및 후면 전극중 적어도 어느 하나에 요철부를 형성하는 단계; 상기 PERC 태양 전지 셀을 싱귤레이션하여, 다수의 PERC 태양 전지 유닛을 준비하는 단계; 및 상기 다수의 PERC 태양 전지 유닛중 일측의 PERC 태양 전지 유닛의 전면 전극과 타측의 PERC 태양 전지 유닛의 후면 전극 사이에 도전성 접착제를 개재하여 슁글드 어레이 구조 방식으로 상호간 접합하는 단계를 포함하고, 상기 상호간 접합하는 단계는 상기 도전성 접착제로서 도전성 필러 충진 열 경화성 수지가 이용되어 수행되되, 상기 도전성 필러 충진 열경화성 수지는 도전성 필러로서 은 플레이크와 열경화성 수지로서 다관능 에폭시를 포함하고, 또한 디카르복실산, 알데히드 및 카르복실산을 더 포함할 수 있다.A method of manufacturing a high efficiency PERC solar cell having a shingled array structure according to various embodiments of the present invention includes: preparing a passive emitter and rear cell (PERC) solar cell cell including a front electrode and a rear electrode; Forming an uneven portion on at least one of the front electrode and the rear electrode; Singulating the PERC solar cell to prepare a plurality of PERC solar cell units; And bonding the front electrodes of one PERC solar cell unit and the rear electrodes of the other PERC solar cell unit among the plurality of PERC solar cell units to each other in a shingled array structure manner through a conductive adhesive agent, Wherein the conductive filler-filled thermosetting resin comprises a silver flake as an electrically conductive filler and a polyfunctional epoxy as a thermosetting resin, and the dicarboxylic acid, Aldehyde, and carboxylic acid.

상기 요철부를 형성하는 단계는 반응성 이온 에칭, 스퍼터 에칭, 반응성 이온 빔 에칭, 고밀도 플라즈마 에칭 또는 전자빔 에칭 방식을 이용하여 수행될 수 있다.The step of forming the irregularities may be performed using reactive ion etching, sputter etching, reactive ion beam etching, high density plasma etching, or electron beam etching.

상기 요철부를 형성하는 단계는 상기 요철부의 깊이 및 피치가 1 ㎛ 내지 500 ㎛로 형성되어 수행될 수 있다.The step of forming the concavo-convex part may be performed by forming the concavo-convex part to have a depth and a pitch of 1 to 500 mu m.

상기 상호간 접합하는 단계는 상기 전면 전극과 상기 후면 전극의 상호간 중첩되는 영역의 폭이 1 ㎛ 내지 2 mm로 이루어질 수 있다.The step of bonding the front electrodes and the rear electrodes may have a width of 1 μm to 2 mm.

상기 요철부를 형성하는 단계는 상기 요철부의 주변에 상기 도전성 접착제가 상기 요철부의 외측으로 오버플로우 하지 않도록 오버 플로우 방지용 댐이 더 형성되어 수행될 수 있다.The step of forming the concave-convex part may be performed by forming an overflow preventing dam around the concave-convex part so that the conductive adhesive does not overflow to the outside of the concave-convex part.

상기 요철부를 형성하는 단계는 상기 요철부가 피라미드, 돔, 삼각뿔, 원뿔 또는 반구 형태로 형성되어 수행될 수 있다.The step of forming the concave-convex part may be performed by forming the concave-convex part in the form of a pyramid, a dome, a triangular pyramid, a cone or a hemisphere.

상기 요철부를 형성하는 단계는 상기 요철부가 다수의 사각 라인 또는 다수의 폐곡선 형태로 형성되어 수행될 수 있다.The step of forming the concave-convex part may be performed by forming the concave-convex part in the form of a plurality of square lines or a plurality of closed curves.

또한, 본 발명의 다양한 실시예는 상술한 방법 중 어느 한 방법으로 제조된 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지를 제공할 수 있다.In addition, various embodiments of the present invention can provide a highly efficient PERC solar cell having a shunged array structure manufactured by any one of the above-described methods.

본 발명의 다양한 실시예는 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 특히, 본 발명의 다양한 실시예는 PERC 셀에 슁글드 어레이 구조를 적용할 경우 국부적인 후면 전계층으로 인해 추가적인 전기적 저항 성분이 증가할 수 있는데, 이러한 추가적인 전기적 저항 성분의 증가를 억제할 수 있는 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 구체적으로, 본 발명의 다양한 실시예는 PERC 셀의 후면 전극(및/또는 전면 전극)을 표면 처리하여, 슁글드 어레이 구조로 접합할 때 사용되는 전도성 물질의 접촉 면적을 증가시킴으로써, 결국 전기적 저항 성분을 감소시켜 필 팩터, 개방 전압, 단락 전류 등의 특성을 향상시킬 수 있는 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공한다.Various embodiments of the present invention provide a high efficiency PERC solar cell having a shunged array structure and a method of manufacturing the same. Particularly, in various embodiments of the present invention, when a shingled array structure is applied to a PERC cell, an additional electrical resistance component may be increased due to a local rear whole layer, and a shingle A highly efficient PERC solar cell having a solar cell array structure and a manufacturing method thereof are provided. Specifically, various embodiments of the present invention surface-process the rear electrode (and / or front electrode) of a PERC cell to increase the contact area of the conductive material used in joining into the shingled array structure, To provide a highly efficient PERC solar cell having a shading array structure capable of improving characteristics such as a fill factor, an open-circuit voltage, and a short-circuit current, and a method of manufacturing the same.

도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지의 제조 방법을 도시한 순차 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지 중에서 접합 영역를 확대 도시한 확대 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지 중에서 전면 전극 및/또는 후면 전극에 형성되는 요철부의 형태 및 도전성 접착제의 도포 형태를 도시한 개략도이다.
1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a high efficiency PERC solar cell having a shunged array structure according to various embodiments of the present invention.
FIGS. 2A to 2D are sequential sectional views illustrating a method of manufacturing a high efficiency PERC solar cell having a shingled array structure according to various embodiments of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a highly efficient PERC solar cell having a shunged array structure according to various embodiments of the present invention.
4 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged junction region in a high efficiency PERC solar cell having a shingled array structure according to various embodiments of the present invention.
FIGS. 5A and 5B are schematic views showing the shape of the irregular portion formed on the front electrode and / or the rear electrode and the application form of the conductive adhesive among the high efficiency PERC solar cells having the shingled array structure according to various embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, It is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more faithful and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다"라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.In the following drawings, thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of description, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items. In the present specification, the term " connected "means not only the case where the A member and the B member are directly connected but also the case where the C member is interposed between the A member and the B member and the A member and the B member are indirectly connected do.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise, include)" 및/또는 "포함하는(comprising, including)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및 /또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise, " and / or "comprising, " when used in this specification, are intended to be interchangeable with the said forms, numbers, steps, operations, elements, elements and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.

본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, a first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.

"하부(beneath)", "아래(below)", "낮은(lower)", "상부(above)", "위(upper)"와 같은 공간에 관련된 용어가 도면에 도시된 한 요소 또는 특징과 다른 요소 또는 특징의 용이한 이해를 위해 이용될 수 있다. 이러한 공간에 관련된 용어는 본 발명의 다양한 공정 상태 또는 사용 상태에 따라 본 발명의 용이한 이해를 위한 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 예를 들어, 도면의 요소 또는 특징이 뒤집어지면, "하부" 또는 "아래"로 설명된 요소 또는 특징은 "상부" 또는 "위에"로 된다. 따라서, "하부"는 "상부" 또는 "아래"를 포괄하는 개념이다.It is to be understood that the terms related to space such as "beneath," "below," "lower," "above, But may be utilized for an easy understanding of other elements or features. Terms related to such a space are for easy understanding of the present invention depending on various process states or use conditions of the present invention, and are not intended to limit the present invention. For example, if an element or feature of the drawing is inverted, the element or feature described as "lower" or "below" will be "upper" or "above." Thus, "lower" is a concept encompassing "upper" or "lower ".

도 1을 참조하면, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지의 제조 방법에 대한 순서도가 도시되어 있다.Referring to FIG. 1, there is shown a flowchart of a method of manufacturing a high efficiency PERC solar cell having a shunged array structure according to various embodiments of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지의 제조 방법은 PERC 태양 전지 셀 준비 단계(S1)와, 요철부 형성 단계(S2)와, 싱귤레이션 단계(S3)와, 접합 단계(S4)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, a method of manufacturing a high efficiency PERC solar cell having a shingled array structure according to various embodiments of the present invention includes preparing a PERC solar cell cell S1, forming a concavo-convex portion S2, A singulation step S3, and a bonding step S4.

도 2a 내지 도 2d를 참조하면, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지의 제조 방법에 대한 순차 단면도가 도시되어 있다.Referring to FIGS. 2A to 2D, a sequential cross-sectional view of a method for fabricating a high efficiency PERC solar cell having a shunged array structure according to various embodiments of the present invention is shown.

도 2a에 도시된 바와 같이, PERC 태양 전지 셀 준비 단계(S1)에서, PERC 태양 전지 셀(100)은 기판(110), 기판(110) 중에서 빛이 입사되는 입사면[이하, '전면(front surface)'라 함]에 형성된 에미터(120), 에미터(120) 위에 형성된 반사 방지막(130), 기판(110)의 전면과 대향하는 기판(110)의 후면에 형성된 복수의 보호막(passivation layer)(140), 에미터(120)와 전기적으로 연결된 복수의 전면 전극(front electrode)(150), 복수의 보호막(140)과 기판(110)에 형성된 일체의 후면 전극(back electrode)(160), 후면 전극(160)과 기판(110) 사이에 형성된 복수의 후면 전계층(170)을 포함할 수 있다.2A, in a PERC solar cell preparation step S1, a PERC solar cell 100 includes a substrate 110 and a substrate 110 on which incident light (hereinafter referred to as a front surface) an antireflection film 130 formed on the emitter 120 and a plurality of passivation layers 130 formed on the rear surface of the substrate 110 opposite to the front surface of the substrate 110. [ A front electrode 150 electrically connected to the emitter 120, a plurality of passivation layers 140 and a back electrode 160 formed on the substrate 110. The back electrode 160 is formed on the substrate 110, And a plurality of rear front layers 170 formed between the rear electrodes 160 and the substrate 110. [

기판(110)은 제1도전성 타입, 예를 들어 n형 또는 p형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체일 수 있다. 이때, 실리콘은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘일 수 있다. 기판(110)이 n형의 도전성 타입일 경우, 기판(110)은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 포함할 수 있고, 기판(110)이 p형의 도전성 타입일 경우, 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 포함할 수 있다. The substrate 110 may be a semiconductor of a first conductivity type, for example, an n-type or p-type conductivity type silicon. The silicon may be monocrystalline silicon, polycrystalline silicon or amorphous silicon. When the substrate 110 is an n-type conductive type, the substrate 110 may include impurities of pentavalent elements such as phosphorous (P), arsenic (As), antimony (Sb) In the case of the p-type conductivity type, it may include impurities of a trivalent element such as boron (B), gallium (Ga), indium (In) and the like.

도 2a에 도시된 것과 달리, 대안적인 실시예로서, 기판(110)의 전면은 텍스처링(texturing)되어 요철면인 텍스처링 표면(texturing surface)을 가질 수도 있다.2A, as an alternative embodiment, the front side of the substrate 110 may be textured to have a texturing surface that is an uneven surface.

에미터(120)는 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2도전성 타입, 예를 들어, p형 또는 n형의 도전성 타입인 불순물로서, 반도체 기판과 p-n 접합을 이룬다. 이러한 p-n 접합에 의한 내부 전위차(built-in potential difference)에 의해, 기판(110)에 입사된 빛에 의해 생성된 전하인 전자-정공 쌍은 전자와 정공으로 분리되어 전자는 n형 쪽으로 이동하고 정공은 p형 쪽으로 이동한다. 따라서, 예를 들어, 기판(110)이 n형이고 에미터(120)가 p형일 경우, 분리된 정공은 에미터(120) 쪽으로 이동하고 분리된 전자는 기판(110) 쪽으로 이동하여, 기판(110)에서 전자가 다수 캐리어가 되며, 에미터(120)에서 정공이 다수 캐리어가 된다.Emitter 120 is an impurity of a second conductivity type, e.g., p-type or n-type, opposite to the conductive type of substrate 110 and forms a p-n junction with the semiconductor substrate. Due to the built-in potential difference due to the pn junction, the electron-hole pairs generated by the light incident on the substrate 110 are separated into electrons and holes, electrons move toward the n-type, Moves toward the p-type. Thus, for example, when the substrate 110 is n-type and the emitter 120 is p-type, the separated holes move toward the emitter 120 and the separated electrons move toward the substrate 110, The electrons in the emitter 120 become the majority carriers, and the holes in the emitter 120 become the majority carriers.

에미터(120)는 기판(110)과 p-n접합을 형성하므로, 본 실시예와 달리, 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터(120)는 n형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 분리된 정공은 기판(110)쪽으로 이동하고 분리된 전자는 에미터(120) 쪽으로 이동한다.The emitter 120 forms a pn junction with the substrate 110. Thus, unlike the present embodiment, when the substrate 110 has a p-type conductivity type, the emitter 120 has an n-type conductivity type . In this case, the separated holes move toward the substrate 110, and the separated electrons move toward the emitter 120.

에미터(120)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터(120)는 붕소, 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물을 기판(110)에 도핑하여 형성될 수 있지만, 반대로 에미터(120)가 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터(120)는 인, 비소, 안티몬 등과 같이 5가 원소의 불순물을 기판(110)에 도핑하여 형성될 수 있다.When the emitter 120 has a p-type conductivity type, the emitter 120 may be formed by doping an impurity of a trivalent element such as boron, gallium, indium, or the like into the substrate 110, 120 may have an n-type conductivity type, the emitter 120 may be formed by doping an impurity of a pentavalent element such as phosphorus, arsenic, antimony, and the like on the substrate 110.

반사 방지막(130)은 에미터(120) 위에 실리콘 질화막(SiNx)이나 실리콘 산화막(SiOx)이 증착되어 형성될 수 있다. 반사 방지막(130)은 태양 전지로 입사되는 빛의 반사율을 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜, 태양 전지의 효율을 높인다. 반사 방지막(130)은 필요에 따라 생략될 수 있다.The antireflection film 130 may be formed by depositing a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiOx) on the emitter 120. The antireflection film 130 reduces the reflectance of light incident on the solar cell and increases the selectivity of a specific wavelength region, thereby enhancing the efficiency of the solar cell. The antireflection film 130 may be omitted if necessary.

복수의 보호막(140)은 기판(110)의 후면에 형성되며, 기판(110)의 후면 근처에서 전하의 재결합율을 감소시키는 역할을 한다. 또한 기판(110)을 통과한 빛이 복수의 보호막(140)에 의해 반사되어 기판(110) 쪽으로 재입사하도록 하므로, 복수의 보호막(140)에 의해 기판(110)을 통과한 빛의 재입사율도 높아 진다.A plurality of protective films 140 are formed on the rear surface of the substrate 110 and serve to reduce the recombination rate of the charges near the rear surface of the substrate 110. Since the light passing through the substrate 110 is reflected by the plurality of protective films 140 and re-enters the substrate 110 side, the re-incident rate of light passing through the substrate 110 by the plurality of protective films 140 .

복수의 보호막(140)은, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막으로 형성될 수 있다. 이밖에도, 복수의 보호막(140)은 낮은 비저항값을 갖는 다양한 무기 유전체(예를 들면, 실리사이드계 물질)로 형성될 수 있다.The plurality of protective films 140 may be formed of, for example, a silicon nitride film or a silicon oxide film. In addition, the plurality of protective films 140 may be formed of various inorganic dielectrics (for example, silicide-based materials) having low resistivity values.

복수의 전면 전극(150)은 에미터(120) 위에 형성되어 에미터(120)와 전기적으로 연결되고, 서로 이격되게 정해진 방향으로 뻗어있다. 복수의 전면 전극(150)은 에미터(120) 쪽으로 이동한 전하, 예를 들면, 정공/전자를 수집하여 외부 장치로 출력하는 역할을 한다.A plurality of front electrodes 150 are formed on the emitter 120 and are electrically connected to the emitter 120 and extend in a predetermined direction away from each other. The plurality of front electrodes 150 collects charges, for example, holes / electrons, which have migrated toward the emitter 120, and outputs the collected charges to an external device.

이러한 복수의 전면 전극(150)은, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다.The plurality of front electrodes 150 may be formed of a material selected from the group consisting of Ni, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, (In), titanium (Ti), gold (Au), and combinations thereof.

후면 전극(160) 역시 도전성 물질로 이루어져 있고, 실질적으로 복수의 보호막(140)과 기판(110)의 후면에 일체로 형성된다. 보호막(140)과 보호막(140)의 사이에는 하층인 기판(110)의 후면이 노출되어 있는 복수의 노출부가 형성되어, 후면 전극(160)의 일부가 이러한 노출부를 통해 기판(110)과 전기적으로 연결된다. 이러한 후면 전극(160)은 기판(110) 쪽으로부터 이동하는 전하, 예를 들어 전자/정공을 수집하여 이를 외부 장치에 출력하는 역할을 한다.The rear electrode 160 is also made of a conductive material, and is substantially integrally formed on the rear surface of the substrate 110 and a plurality of the protective films 140. A plurality of exposed portions are exposed between the protective film 140 and the protective film 140 to expose the rear surface of the substrate 110 as a lower layer so that a part of the rear electrode 160 is electrically connected to the substrate 110 through the exposed portion. . The rear electrode 160 collects charges, for example, electrons / holes, moving from the substrate 110 side and outputs the collected charges to an external device.

후면 전극(160)은, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있다.The back electrode 160 may be formed of, for example, but not limited to, nickel, copper, silver, aluminum, tin, zinc, indium, , Titanium (Ti), gold (Au), and combinations thereof.

후면 전계층(170)은 후면 전극(160)과 기판(110) 사이에 형성될 수 있다. 복수의 후면 전계층(170)은 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(110)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, n+/p+ 영역이다. 기판(110)과 후면 전계층(170)과의 불순물 농도 차이로 인해 전위 장벽이 형성되고, 이로 인해, 기판(110)의 후면쪽으로의 정공/전자 이동이 방해되어 기판(110)의 후면에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 현상이 방지될 수 있다.The rear front layer 170 may be formed between the rear electrode 160 and the substrate 110. The plurality of rear whole layers 170 are regions in which impurities of the same conductivity type as the substrate 110 are doped at a higher concentration than the substrate 110, for example, n + / p + regions. A potential barrier is formed due to a difference in impurity concentration between the substrate 110 and the rear front layer 170 so that hole / electron movement toward the rear surface of the substrate 110 is impeded, And the phenomenon that the holes recombine and disappear is prevented.

이와 같은 구조를 갖는 본 실시예에 따른 PERC 태양 전지 셀(100)은 기판(110)의 후면에 복수의 보호막(140)을 형성하여, 기판(110)의 표면에 존재하는 불안정 결합으로 인한 전하의 재결합을 감소시킨 것으로서 그 동작은 다음과 같다.The PERC solar cell 100 according to this embodiment having such a structure has a plurality of protective films 140 formed on the rear surface of the substrate 110 to prevent electric charges Reduction of recombination and its operation is as follows.

태양 전지 셀(100)로 빛이 조사되어 반사 방지막(130)과 에미터(120)를 통해 반도체 기판(110)으로 입사되면 빛 에너지에 의해 반도체 기판(110)에서 전자-정공 쌍이 발생한다. 이때, 반사 방지막(130)에 의해 기판(110)으로 입사되는 빛의 반사 손실이 줄어들어 기판(110)으로 입사되는 빛의 양이 증가한다.When light is irradiated to the solar cell 100 and is incident on the semiconductor substrate 110 through the antireflection film 130 and the emitter 120, electron-hole pairs are generated in the semiconductor substrate 110 due to light energy. At this time, the reflection loss of the light incident on the substrate 110 is reduced by the anti-reflection film 130, and the amount of light incident on the substrate 110 is increased.

이들 전자-정공 쌍의 전자와 전공은 기판(110)과 에미터(120)의 p-n접합에 의해, 예를 들어, p형의 도전성 타입을 갖는 에미터(120)와 n형의 도전성 타입을 갖는 기판(110) 쪽으로 각각 이동한다. The electrons and holes of these electron-hole pairs are formed by the pn junction of the substrate 110 and the emitter 120, for example, with the emitter 120 having the p-type conductivity type and the emitter 120 having the n- To the substrate 110 side.

이처럼, 에미터(120) 쪽으로 이동한 정공은 전면 전극(150)에 의해 수집되고, 기판(110) 쪽으로 이동한 전자는 인접한 후면 전극(160)에 의해 수집된다. 이러한 전면 전극(150)과 후면 전극(160)을 도선으로 연결하게 되면 전류가 흐르게 되고, 이를 외부에서 전력으로 이용할 수 있게 된다.As described above, the holes moved toward the emitter 120 are collected by the front electrode 150, and the electrons moved toward the substrate 110 are collected by the adjacent rear electrode 160. When the front electrode 150 and the rear electrode 160 are connected to each other by a conductive line, a current flows and can be used as external power.

기판(110)과 후면 전극(160) 사이에 비저항이 낮고 실리콘(Si)과의 접촉 특성이 우수한 복수의 보호막(140)이 더 형성되어 있으므로 기판(110)의 표면에서 불안정한 결합에 의한 전하의 재결합율이 크게 줄어 태양 전지 셀의 효율이 향상된다.Since a plurality of protective films 140 having a low resistivity and excellent contact properties with silicon (Si) are further formed between the substrate 110 and the rear electrode 160, the recombination of charges due to unstable bonding on the surface of the substrate 110 The efficiency of the solar cell is improved.

한편, 도 2b에 도시된 바와 같이, 요철부 형성 단계(S2)에서, 전면 전극(150) 및/또는 후면 전극(160)에 요철부(151,161)가 형성될 수 있다. 요철부(151,161)는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 반응성 이온 에칭, 스퍼터 에칭, 반응성 이온 빔 에칭, 고밀도 플라즈마 에칭, 샌드블라스팅 에칭 또는 전자빔 에칭 방식에 의해 형성될 수 있다. 2B, irregularities 151 and 161 may be formed on the front electrode 150 and / or the rear electrode 160 in the step S2 of forming the concave and convex portions. The concave-convex portions 151 and 161 may be formed by, for example, reactive ion etching, sputter etching, reactive ion beam etching, high density plasma etching, sandblasting etching, or electron beam etching, although not limited thereto.

요철부(151,161)는, 일례로, 60초 동안 2.5keV의 전자빔 에칭 방식으로 형성될 수 있다. 요철부(151,161)는, 다른 예로, 다양한 습식 에칭 방식으로 형성될 수도 있다. 더욱이, 요철부(151,161)는 통상의 사진 식각 공정에 의해 정밀한 깊이 및 피치를 갖는 패턴 형태로 형성될 수도 있다.The concave and convex portions 151 and 161 may be formed by an electron beam etching method of 2.5 keV for 60 seconds, for example. The concave and convex portions 151 and 161 may be formed by various wet etching methods as another example. Further, the concave-convex portions 151 and 161 may be formed in a pattern shape having a precise depth and pitch by a normal photo-etching process.

또한, 요철부(151,161)의 깊이(또는 높이/두께) 및 피치는 대략 1 ㎛ 내지 대략 500 ㎛로 형성됨이 바람직하다. In addition, it is preferable that the depth (or the height / thickness) and the pitch of the concave-convex portions 151 and 161 are formed to be approximately 1 μm to approximately 500 μm.

요철부(151,161)의 깊이 및 피치가 대략 1 ㎛ 보다 작으면, 하기할 도전성 접착제(190)의 디스펜싱 공정 중 도전성 접착제(190)가 원하지 않는 영역으로 플로우(flow)될 수 있고, 이에 따라 하기할 접합 영역(180)의 외측이 도전성 접착제(190)로 오염될 수 있다. 이는 태양 빛의 입사율을 낮춰 태양 전지의 효율을 저하시키는 원인이 될 수 있다.If the depth and pitch of the concave and convex portions 151 and 161 are less than about 1 탆, the conductive adhesive 190 may flow to an undesired region during the dispensing process of the conductive adhesive 190 to be described below, The outer side of the bonding region 180 to be formed may be contaminated with the conductive adhesive 190. This may lower the efficiency of solar cells by lowering the incident rate of sunlight.

또한, 요철부(151,161)의 깊이 및 피치가 대략 500 ㎛보다 크다면, 도전성 접착제(190)의 디스펜싱 공정 중 도전성 접착제(190)가 요철부(151,161)를 충분히 덮지 않을 수 있고, 이에 따라 접합 영역(180)이 형성되지 않을 수 있다. 즉, 요철부(151,161)의 최상단 높이가 너무 높아 이 부분이 도전성 접착제(190)로 덮이지 않음으로써, 상호간 접합이 원할하게 수행되지 않을 수 있다. If the depth and pitch of the concave and convex portions 151 and 161 are larger than about 500 占 퐉, the conductive adhesive 190 during the dispensing process of the conductive adhesive 190 may not sufficiently cover the concave and convex portions 151 and 161, The region 180 may not be formed. That is, since the height of the uppermost portion of the concave and convex portions 151 and 161 is too high to cover the portion with the conductive adhesive 190, bonding between them may not be performed smoothly.

또한, 요철부(151,161)의 단면 형태는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 정피라미드, 역피라미드, 돔, 삼각뿔, 원뿔 또는 반구 형태를 포함할 수 있다. 이와 같은 다양한 헝태의 요철부(151,161)에 의해, 하기할 접합 영역(180)의 접합 면적이 증가하고, 이에 따라 접합 영역(180)에서의 기계적/전기적 접합력이 향상될 수 있다.The sectional shape of the concave and convex portions 151 and 161 may include, for example, but not limited to, a tetragonal pyramid, an inverted pyramid, a dome, a triangular pyramid, a cone or a hemispherical shape. The joining area of the joining area 180 to be formed is increased by the concave-convex parts 151 and 161 of various stiffnesses, and thus the mechanical / electrical joining force in the joining area 180 can be improved.

한편, 전면 전극(150) 및/또는 후면 전극(160)에 형성된 요철부(151,161)의 폭(다르게 설명하면, 전면 전극(150)과 후면 전극(160)의 상호간 중첩되는 영역의 폭 또는 접합 영역(180)의 폭)은 대략 1 ㎛ 내지 2 mm로 형성됨이 바람직하다. The widths of the concave portions 151 and 161 formed on the front electrode 150 and / or the rear electrode 160 (in other words, the width of the overlap region of the front electrode 150 and the rear electrode 160, (The width of the recess 180) is preferably approximately 1 to 2 mm.

요철부(151,161)의 폭, 중첩 영역 또는 접합 영역(180)의 폭이 대략 1 ㎛ 보다 작으면, 일측 PERC 태양 전지 유닛(101)과 타측 PERC 태양 전지 유닛(101) 사이에 기계적/전기적 접합력이 약하여 상호간 쉽게 분리되기 쉽다. The mechanical / electrical bonding force between one side of the PERC solar cell unit 101 and the other side of the PERC solar cell unit 101 is smaller than the width of the bonding region 180 when the width of the concave and convex portions 151 and 161, They are weak and easily separated from each other.

또한, 요철부(151,161)의 폭, 중첩 영역 또는 접합 영역(180)의 폭이 대략 2 mm 보다 크면, 태양 빛에 대한 수광 면적이 감소할 수 있다. 이는 전체적인 태양 전지의 효율 저하로 이어진다.Further, if the width of the concave-convex portions 151 and 161, the overlap region, or the width of the bonding region 180 is larger than about 2 mm, the light receiving area with respect to sunlight can be reduced. This leads to a reduction in the overall efficiency of the solar cell.

도 2c에 도시된 바와 같이, 싱귤레이션 단계(S3)에서, PERC 태양 전지 셀(100)이 소잉 또는 싱귤레이션되어 낱개의 PERC 태양 전지 유닛(101)이 구비된다. PERC 태양 전지 셀(100)은, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 레이저 빔, 다이아몬드 블레이드 또는 화학적 식각 방식 등에 의해 다수의 PERC 태양 전지 유닛(101)으로 분리될 수 있다. 이러한 싱귤레이션 공정에 의해, 하나의 PERC 태양 전지 유닛(101)은 일측 상부에 요철부(151)를 갖는 전면 전극(150)을 포함하고, 타측 하부에 요철부(161)를 갖는 후면 전극(160)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2C, in the singulation step S3, the PERC solar cell 100 is sowed or singulated, and a single PERC solar cell unit 101 is provided. The PERC solar cell 100 may be separated into a plurality of PERC solar cell units 101 by, for example, but not limited to, a laser beam, a diamond blade, or a chemical etching method. One PERC solar cell unit 101 includes a front electrode 150 having a concave portion 151 on one side and a rear electrode 160 having a concave portion 161 on the other side ).

도 2d에 도시된 바와 같이, 접합 단계(S4)에서, 다수의 PERC 태양 전지 유닛(101)중 일측의 PERC 태양 전지 유닛(101)의 전면 전극(150)과 타측의 PERC 태양 전지 유닛(101)의 후면 전극(160) 사이에 도전성 접착제(190)가 개재되어, 슁글드 어레이 구조 방식으로, 상호간 접합된다.The front electrode 150 of one of the plurality of PERC solar cell units 101 and the front electrode 150 of the other of the plurality of PERC solar cell units 101 are connected to each other in the bonding step S4, A conductive adhesive agent 190 is interposed between the rear electrodes 160 of the backlight unit 160 and is bonded to each other in a shingled array structure manner.

일례로, 일측의 PERC 태양 전지 유닛(101)의 전면 전극(150)과 타측의 PERC 태양 전지 유닛(101)의 후면 전극(160) 사이에 도전성 접착제(190)가 개재된 상태에서, 상호간 가압되고, 또한 대략 100 ℃ 내지 250 ℃의 온도가 제공됨으로써, 상호간 기계적/전기적으로 접속될 수 있다. 여기서, 도전성 접착제(190)에 의해 형성된 영역이 접합 영역(180)으로 정의될 수 있다.For example, the conductive adhesive 190 is pressed between the front electrode 150 of the one PERC solar cell unit 101 and the rear electrode 160 of the other PERC solar cell unit 101 , And a temperature of about 100 DEG C to 250 DEG C is provided, so that they can be mechanically / electrically connected to each other. Here, the region formed by the conductive adhesive 190 may be defined as the junction region 180.

더불어, 도전성 접착제(190)가 일측의 PERC 태양 전지 유닛(101)의 전면 전극(150) 중 요철부(151)에만 디스펜싱되거나, 또는 타측의 PERC 태양 전지 유닛(101)의 후면 전극(160) 중 요철부(161)에만 디스펜싱된 후, 접합 공정이 수행될 수 있다. 또한, 도전성 접착제(190)가 일측의 PERC 태양 전지 유닛(101)의 전면 전극(150) 중 요철부(151)와 타측의 PERC 태양 전지 유닛(101)의 후면 전극(160) 중 요철부(161)에 각각 디스펜싱된 후, 접합 공정이 수행될 수 있다.The conductive adhesive 190 may be dispensed only on the concave and convex portions 151 of the front electrode 150 of the one PERC solar cell unit 101 or on the rear electrode 160 of the other PERC solar cell unit 101. [ After being dispensed only to the concave / convex portion 161, the bonding process can be performed. The conductive adhesive 190 is applied to the uneven portion 151 of the front electrode 150 of the one PERC solar cell unit 101 and the uneven portion 161 of the rear electrode 160 of the other PERC solar cell unit 101 ), The bonding process can be performed.

이러한 도전성 접착제(190)는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 도전성 필러 충진 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. Such a conductive adhesive 190 may include, for example, but not limited to, a conductive filler-filled thermosetting resin.

도전성 필러는 입자들이 서로 접점을 이루어 통전을 해주는 역할을 하는데, 도전 입자의 재료로는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 은(Ag), 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu), 카본(C) 등이 여러 가지 크기와 모양으로 만들어져 사용될 수 있다. 이 중에서도 특히, 은이 가장 바람직한데, 그 이유는 ① 높은 전도도 ② 간단한 가공 ③ 플레이크 형태로 최대의 접점 효과 ④ 산화물이 되었을 때에도 열화가 덜 된다(다른 금속의 산화물은 절연체가 된다)는 특징을 갖기 때문이다.The conductive filler plays a role of bringing the particles into contact with each other to conduct electricity. Examples of the material of the conductive particles include silver (Ag), gold (Au), nickel (Ni) ), Carbon (C), and the like can be used in various sizes and shapes. Of these, silver is the most desirable because it has the characteristics of ① high conductivity ② simple processing ③ maximum contact effect in flake form ④ less deterioration even when it becomes an oxide (the oxide of other metal becomes an insulator) to be.

도전성 필러의 입자 형상은 많은 점과 면 접촉을 위하여 플레이크 형상의 입자가 바람직하다. 이러한 도전성 필러는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 대략 1 ㎛ 내지 3 ㎛의 입자 사이즈를 가질 수 있으며, 도전성 접착제(190) 중 대략 10 wt% 내지 90wt%의 중량비를 가질 수 있다.The particle shape of the conductive filler is preferably a flake-like particle for surface contact with many points. Such a conductive filler may have a particle size of, for example, but is not limited to, approximately 1 m to 3 m, and may have a weight ratio of approximately 10 wt% to 90 wt% of the conductive adhesive 190.

또한, 열 경화성 수지는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 에폭시, 시아네이트 에스테르, 실리콘, 폴리우레탄을 포함할 수 있다. 물론, 이러한 열 경화성 수지 외에도 폴리이미드, 에폭시 페놀과 같은 열 가소성 수지도 이용될 수 있다.Further, the thermosetting resin may include, for example, epoxy, cyanate ester, silicone, and polyurethane, though it is not limited thereto. Of course, thermoplastic resins such as polyimide and epoxy phenol may be used in addition to the thermosetting resin.

열가소성 수지는 수리하거나 리워크(rework)하기 쉬운 장점이 있으나, 고온에서 열화되기 쉽고 폴리이미드와 같이 용제를 포함하는 것도 있다(잔류 용제는 가열 시 증발로 인해 틈새가 생겨 신뢰도의 문제가 된다). The thermoplastic resin has advantages of easy repairing or reworking, but it is easily deteriorated at high temperature and may contain a solvent such as polyimide (residual solvent becomes a problem of reliability due to evaporation due to evaporation during heating).

본 발명의 다양한 실시예에서, 접착력, 내화학성, 내부식성, 저 코스트 등의 장점을 갖는 열 경화성 에폭시 수지가 가장 바람직하다.In various embodiments of the present invention, thermosetting epoxy resins having the advantages of adhesion, chemical resistance, corrosion resistance, low cost, etc. are most preferred.

한편, 이러한 도전성 접착제(190)의 전기 전도도가 더욱 향상되도록 본 발명에서는 다음과 같은 처리가 추가적으로 수행될 수 있다.Meanwhile, in order to further improve the electrical conductivity of the conductive adhesive 190, the following process may be further performed.

고분자 매트릭스의 수축도 증가 - 일반적으로 도전성 접착제(190)는 경화 전에 비해 경화 후 전기 전도도가 더욱 향상된다. 따라서, 에폭시를 기재로 한 도전성 접착제의 경우 다관능 에폭시를 첨가하여, 경화 시 수축도가 증가하면서 전기 전도도가 더욱 증가하도록 할 수 있다.The shrinkage of the polymer matrix is also increased. In general, the conductive adhesive 190 is further improved in electric conductivity after curing as compared with before curing. Therefore, in the case of a conductive adhesive based on epoxy, a polyfunctional epoxy may be added to increase the electrical conductivity while increasing the shrinkage upon curing.

은 플레이크 표면의 윤활유 막 대체 - 은 플레이크를 함유한 도전성 접착제(190)는 플레이크 표면에 매트릭스에의 분산을 돕고, 접착제와의 레올로지 특성을 갖는 유기 윤활유의 막이 있다. 이 막은 절연성을 갖게 되므로 도전성 접착제의 경화 작업 도중에 이 막을 일부 또는 전부 제거함으로써(일례로, 짧은 사슬의 디카르복실산을 첨가함) 전기 전도도를 더욱 향상시킬 수 있다.The replacement of the lubricant film on the flake surface. The conductive adhesive 190 containing the flake has a film of organic lubricating oil on the flake surface that helps disperse into the matrix and has rheological properties with the adhesive. Since this film has an insulating property, the electric conductivity can be further improved by removing a part or all of the film (for example, adding a short chain dicarboxylic acid) during the curing operation of the conductive adhesive.

도전성 접착제에 환원제를 첨가 - 도전성 접착제(190)에 함유된 은 플레이크가 산화하면 산화은은 전도성이 남지만(다른 금속 산화물은 절연성을 갖는다), 그래도 금속 자체에 비하여서는 전도도가 떨어진다. 따라서, 도전성 접착제(190)의 배합 시 알데히드를 첨가하여 산화은이 은으로 환원되도록 하고, 카르복실산이 생성되도록 함으로써, 전기 전도도가 이중으로 향상되도록 할 수 있다When a silver flake contained in the conductive adhesive 190 is oxidized, the silver oxide remains conductive (other metal oxides have insulating properties), but the conductivity is lower than that of the metal itself. Therefore, when the conductive adhesive agent 190 is compounded, aldehydes are added to reduce silver oxide to silver, and a carboxylic acid is generated, so that the electrical conductivity can be doubled

저온 천이 액상(TLP; Transient Liquid Phase) 필러 사용 - TLP를 형성하는 금속 혼합물을 필러로 사용하면, 경화 작업 중에 저온에서 액상이 생기면서 저융점 금속(예를 들면, Sn-58Bi: 융점 139 ℃, Sn-50.9In: 융점 117 ℃)과 고융점 금속(예를 들면, Sn-0.7Cu: 융점 221 ℃, Sn-3.5Ag: 융점 221 ℃)의 네트워크가 이뤄져 전기 전도도가 더욱 향상될 수 있다.(TLP: Transient Liquid Phase) filler - When a metal mixture forming TLP is used as a filler, a liquid phase is formed at a low temperature during the curing operation, and a low melting point metal (for example, Sn-58Bi: A network of Sn-50.9In: melting point of 117 占 폚) and a refractory metal (for example, Sn-0.7Cu: melting point of 221 占 폚, Sn-3.5Ag: melting point of 221 占 폚) can be formed and electric conductivity can be further improved.

은 나노 필러의 저온 소결 - 은 나노 필러를 사용하면, 나노 크기의 입자는 마이크론 크기의 입자보다 접촉 저항이 커서 전기 전도도가 떨어지지만, 은 나노를 대략 100 ℃ 이하에서 급속 소결시키면 접촉 면적이 줄어들게 되어 전기 전도도가 향상될 수 있다.Low temperature sintering of silver nanopiller - When nanopillar is used, nano-sized particles have higher contact resistance than micron-sized particles, resulting in lower electrical conductivity. However, if the silver nanoparticles are sintered rapidly below 100 ° C, The electrical conductivity can be improved.

이와 같이 하여, 본 발명의 다양한 실시예에 따르면, PERC 태양 전지 셀에 슁글드 어레이 구조를 적용할 경우에도 추가적인 저항 성분의 증가가 억제될 수 있다. 즉, PERC 태양 전지 셀(100)의 전면 전극(150) 및/또는 후면 전극(160)을 표면 처리하여, 슁글드 어레이 구조로 접합할 때 사용되는 도전성 접착제(190)의 접촉 면적을 증가시킴으로써, 결국 저항 성분을 감소시켜 필 팩터, 개방 전압, 단락 전류의 특성을 향상시킬 수 있도록 한다. 더욱이, 본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 도전성 접착제에 다양한 처리(예를 들면, 고분자 매트릭스의 수축도 증가, 은 플레이크 표면의 윤활유 막 대체, 환원제 첨가, 저온 천이 액상 필러 사용, 저온 소결 등)를 수행함으로써, 도전성 접착제의 전기적 저항을 더욱 감소시킬 수 있다.Thus, according to various embodiments of the present invention, even when a shingled array structure is applied to a PERC solar cell, an increase in additional resistance components can be suppressed. That is, the surface area of the front electrode 150 and / or the rear electrode 160 of the PERC solar cell 100 may be surface-treated to increase the contact area of the conductive adhesive 190 used in the shingled array structure, As a result, the resistance component can be reduced to improve the characteristics of the fill factor, open-circuit voltage and short-circuit current. Furthermore, according to various embodiments of the present invention, various treatments (for example, increasing the shrinkage of the polymer matrix, replacing the lubricant film on the silver flake surface, adding a reducing agent, using a low temperature transition liquid filler, low temperature sintering, etc.) It is possible to further reduce the electrical resistance of the conductive adhesive.

도 3을 참조하면, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지(102)의 단면도가 도시되어 있다.Referring to FIG. 3, a cross-sectional view of a high efficiency PERC solar cell 102 having a shingled array structure according to various embodiments of the present invention is shown.

도 3에 도시된 바와 같이, 실질적으로 전면 전극(150) 및/또는 후면 전극(160)에 형성되는 요철부(151,161)의 폭 또는 접합 영역(180)의 폭은 전체 PERC 태양 전지(102)의 폭에 비해 상대적으로 작으며, 상호간 접합된 PERC 태양 전지 유닛(101)들은 대략 슁글드 어레이 구조를 갖게 된다. 즉, PERC 태양 전지(101)가 평평한 지면에 놓였을 때, PERC 태양 전지 셀(101) 각각은 지면에 대하여 대략 경사진 형태를 한다.3, the width of the concave-convex portions 151 and 161 or the width of the bonding region 180 formed in the front electrode 150 and / or the rear electrode 160 is substantially the same as that of the entire PERC solar cell 102 And the PERC solar cell units 101 bonded to each other have a substantially shingled array structure. That is, when the PERC solar cell 101 is placed on a flat surface, each of the PERC solar cell 101 has a shape substantially inclined with respect to the ground.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지 중에서 접합 영역(180)의 확대 단면도가 도시되어 있다.Referring to FIG. 4, there is shown an enlarged cross-sectional view of a junction region 180 in a high efficiency PERC solar cell having a shingled array structure according to various embodiments of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 요철부(151,161)의 주변에 도전성 접착제(190)가 요철부(151,161)의 외측으로 오버플로우 하지 않도록 오버 플로우 방지용 댐(152,162)이 더 형성될 수 있다. 이러한 댐(152,162)은 요철부(151,161)로부터 일정 높이 더 돌출되어 형성될 수 있다. 즉, 전면 전극(150)중 요철부(151)의 주변에 돌출된 댐(152)이 형성되고, 그리고/또는 후면 전극(160)중 요철부(161)의 주변에 돌출된 댐(162)이 형성될 수 있다.The overflow preventing dams 152 and 162 may be further formed so that the conductive adhesive 190 does not overflow to the outside of the concave and convex portions 151 and 161 around the concave and convex portions 151 and 161 as shown in FIG. The dams 152 and 162 may protrude from the concave and convex portions 151 and 161 at a predetermined height. That is, a dam 152 protruding from the front electrode 150 around the concave / convex portion 151 and / or a dam 162 protruding from the rear electrode 160 around the concave / convex portion 161 .

또한, 이러한 오버 플로우 방지용 댐(152,162)은, 평면에서 보았을 때, 대략 사각 라인 형태 또는 폐곡선 형태로 형성됨으로써, 그 내측에 디스펜싱된 도전성 접착제(190)가 댐(152,162)의 외측으로 오버 플로우 되지 않도록 한다.The overflow preventing dams 152 and 162 are formed in the shape of a substantially square line or a closed curve when seen from the plane so that the conductive adhesive 190 dispensed on the inside thereof overflows to the outside of the dams 152 and 162 .

더불어, 이러한 댐(152,162)은 도전체 또는 절연체로 형성될 수 있다. In addition, such dams 152 and 162 may be formed of a conductor or an insulator.

도전체로 댐(152,162)이 형성될 경우, 일례로, 한정하는 것은 아니지만, 댐(152,162)은 공융점 솔더(eutectic solder: Sn37Pb), 고융점 솔더(High lead solder: Sn95Pb) 또는 납이 없는 솔더(lead-free solder: SnCu, SnAg, SnAgCu, SnAgBi, SnAgBiIn, SnAgZn, AnZn, SnBi, SnIn 등)로 형성될 수 있으며, 이때 전면 전극(150)에 형성된 댐(152)과 후면 전극(160)에 형성된 댐(152)이 상호간 리플로우되어 전기적으로 접속될 수 있다. 따라서, 이러한 댐(152,162)은 도전성 접착제(190)와 함께 일측의 PERC 태양 전지 유닛(101)과 타측의 PERC 태양 전지 유닛(101) 사이의 전기 전도도를 더욱 향상시킬 수 있다. When dams 152 and 162 are formed with conductors, for example, but not limited to, dams 152 and 162 may be formed of eutectic solder (Sn37Pb), high lead solder (Sn95Pb), or leadless solder and the back electrode 160 formed on the front electrode 150 may be formed of lead-free solder such as SnCu, SnAg, SnAgCu, SnAgBi, SnAgBiIn, SnAgZn, AnZn, SnBi, SnIn, The dams 152 can be electrically connected to each other through reflow. Therefore, these dams 152 and 162 can further improve the electrical conductivity between the PERC solar cell unit 101 on one side and the PERC solar cell unit 101 on the other side together with the conductive adhesive 190.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지(102) 중에서 전면 전극(150) 및/또는 후면 전극(160)에 형성되는 요철부(251,261)의 형태 및 도전성 접착제(190)의 도포 형태에 대한 개략도가 도시되어 있다.5A and 5B, a concave / convex portion (not shown) formed on the front electrode 150 and / or the rear electrode 160 among the high efficiency PERC solar cells 102 having a shingled array structure according to various embodiments of the present invention 251, 261) and a coating form of the conductive adhesive 190 are shown.

도 5a에서 좌측의 점선으로 표시된 요철부(251)는 전면 전극(150)에 형성된 것을 의미하고, 도 5a에서 우측의 실선으로 표시된 요철부(261)는 후면 전극(160)에 형성된 것을 의미한다. 또한, 도 5b는 이해의 편의를 위해 요철부(261)를 정사각 형태로 축소하여 도시한 것이다.5A, the concave and convex portions 251 indicated by the dotted lines on the left side are formed on the front electrode 150, and the concave and convex portions 261 shown on the right side in FIG. 5A are formed on the rear electrode 160. Fig. 5B shows the concavoconvex portion 261 reduced to a square shape for convenience of understanding.

도 5b에 도시된 바와 같이, 요철부(261)는 다수의 사각 라인 또는 다수의 폐곡선 형태로 형성될 수 있고, 또한 도전성 접착제(190)는 이러한 요철부(261)의 내측에 도포될 수 있다. 여기서, 도전성 접착제(190)의 도포 영역은 요철부(261)의 최외곽 사이즈보다 작게 형성되어야 한다. 예를 들면, 도전성 접착제(190)의 도포 영역은 요철부(261)의 최외곽으로부터 3개 내지 5개의 요철 내측에 형성될 수 있다. 따라서, 접합 공정에서 일측의 전면 전극(150)에 형성된 요철부(251)와 타측의 후면 전극(160)에 형성된 요철부(261)가 도전성 접착제(190)를 매개로 하여 상호간 압착 및 경화될 때, 상술한 다수의 사각 라인 또는 다수의 폐곡선 형태의 요철부(251,261)의 특성으로 인해, 도전성 접착제(190)의 오버 플로우 현상이 방지된다. 즉, 도전성 접착제(190)의 디스펜싱 영역 외측에 형성된 다수의 사각 라인 또는 다수의 폐곡선 형태의 요철이 댐 역활을 대신 수행하게 된다.5B, the concave and convex portions 261 may be formed in a plurality of square lines or a plurality of closed curve shapes, and the conductive adhesive 190 may be applied to the inside of the concave and convex portions 261. Here, the application region of the conductive adhesive 190 should be formed to be smaller than the outermost size of the concave-convex portion 261. For example, the application region of the conductive adhesive 190 may be formed on the inside of three to five concavities and convexities from the outermost portion of the concave-convex portion 261. Therefore, when the irregularities 251 formed on the front electrode 150 on one side and the irregularities 261 formed on the rear electrode 160 on the other side are pressed and cured with each other via the conductive adhesive 190 in the bonding step The overflow phenomenon of the conductive adhesive 190 is prevented due to the characteristics of the concave-convex portions 251 and 261 in the form of a plurality of square lines or a plurality of closed curved lines. That is, a plurality of square lines or a plurality of closed curve-shaped irregularities formed on the outside of the dispensing area of the conductive adhesive 190 perform the dam function instead.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지 및 그 제조 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, but may be applied to other types of solar cells, such as the following patent claims It will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims.

100; PERC 태양 전지 셀
101; PERC 태양 전지 유닛
102; PERC 태양 전지
110; 기판
120; 에미터
130; 반사 방지막
140; 보호막
150; 전면 전극
151; 요철부
152; 댐
160; 후면 전극
161; 요철부
162; 댐
170; 후면 전계층
180; 접합 영역
190; 도전성 접착제
100; PERC solar cell
101; PERC solar cell unit
102; PERC solar cell
110; Board
120; Emitter
130; Antireflection film
140; Shield
150; Front electrode
151; Uneven portion
152; dam
160; Rear electrode
161; Uneven portion
162; dam
170; Rear front layer
180; Junction region
190; Conductive adhesive

Claims (9)

전면 전극 및 후면 전극을 포함하는 PERC(Passivated Emitter and Rear Cell) 태양 전지 셀을 준비하는 단계;
상기 전면 전극 및 후면 전극중 적어도 어느 하나에 요철부를 형성하는 단계;
상기 PERC 태양 전지 셀을 싱귤레이션하여, 다수의 PERC 태양 전지 유닛을 준비하는 단계; 및
상기 다수의 PERC 태양 전지 유닛중 일측의 PERC 태양 전지 유닛의 전면 전극과 타측의 PERC 태양 전지 유닛의 후면 전극 사이에 도전성 접착제를 개재하여 슁글드 어레이 구조 방식으로 상호간 접합하는 단계를 포함하고,
상기 상호간 접합하는 단계는 상기 도전성 접착제로서 도전성 필러 충진 열 경화성 수지가 이용되어 수행되되, 상기 도전성 필러 충진 열경화성 수지는 도전성 필러로서 은 플레이크와 열경화성 수지로서 다관능 에폭시를 포함하고, 또한 디카르복실산, 알데히드 및 카르복실산을 더 포함하는 고효율 PERC 태양 전지의 제조 방법.
Preparing a passive emitter and rear cell (PERC) solar cell cell including a front electrode and a rear electrode;
Forming an uneven portion on at least one of the front electrode and the rear electrode;
Singulating the PERC solar cell to prepare a plurality of PERC solar cell units; And
A step of bonding a front electrode of one PERC solar cell unit and a rear electrode of the other PERC solar cell unit among the plurality of PERC solar cell units in a shingled array structure manner via a conductive adhesive;
Wherein the conductive filler-filled thermosetting resin comprises a silver flake as a conductive filler and a polyfunctional epoxy as a thermosetting resin, and the dicarboxylic acid , An aldehyde, and a carboxylic acid.
제 1 항에 있어서,
상기 요철부를 형성하는 단계는 반응성 이온 에칭, 스퍼터 에칭, 반응성 이온 빔 에칭, 고밀도 플라즈마 에칭 또는 전자빔 에칭 방식을 이용하여 수행되는 고효율 PERC 태양 전지의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the concave-convex portion is performed using a reactive ion etching, a sputter etching, a reactive ion beam etching, a high density plasma etching, or an electron beam etching method.
제 1 항에 있어서,
상기 요철부를 형성하는 단계는 상기 요철부의 깊이 및 피치가 1 ㎛ 내지 500 ㎛로 형성되어 수행되는 고효율 PERC 태양 전지의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the concavo-convex portion is performed by forming the depth and pitch of the concavo-convex portion to be 1 占 퐉 to 500 占 퐉.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 상호간 접합하는 단계는 상기 전면 전극과 상기 후면 전극의 상호간 중첩되는 영역의 폭이 1 ㎛ 내지 2 mm로 이루어지는 고효율 PERC 태양 전지의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of bonding the front electrodes and the rear electrodes comprises the step of forming a region of overlap between the front electrodes and the rear electrodes of 1 占 퐉 to 2 mm.
제 1 항에 있어서,
상기 요철부를 형성하는 단계는 상기 요철부의 주변에 상기 도전성 접착제가 상기 요철부의 외측으로 오버플로우 하지 않도록 오버 플로우 방지용 댐이 더 형성되어 수행되는 고효율 PERC 태양 전지의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the concave-convex portion is performed by forming an overflow preventing dam around the convexo-concave portion so that the conductive adhesive does not overflow to the outside of the convexo-concave portion.
제 1 항에 있어서,
상기 요철부를 형성하는 단계는 상기 요철부가 피라미드, 돔, 삼각뿔, 원뿔 또는 반구 형태로 형성되어 수행되는 고효율 PERC 태양 전지의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the concave-convex portion is performed by forming the concave-convex portion in a pyramid, a dome, a triangular pyramid, a cone, or a hemispherical shape.
제 1 항에 있어서,
상기 요철부를 형성하는 단계는 상기 요철부가 다수의 사각 라인 또는 다수의 폐곡선 형태로 형성되어 수행되는 고효율 PERC 태양 전지의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the concavo-convex portion is performed by forming the concavo-convex portion in the form of a plurality of square lines or a plurality of closed curved lines.
제 1 항 내지 제 3 항, 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 제조된 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 PERC 태양 전지..A high efficiency PERC solar cell having a shingled array structure manufactured by the method according to any one of claims 1 to 3 and 5 to 8.
KR1020170103158A 2017-08-14 2017-08-14 High efficiency passivated emitter and rear cell having shingled array structure and manufacturing method thereof KR101874016B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170103158A KR101874016B1 (en) 2017-08-14 2017-08-14 High efficiency passivated emitter and rear cell having shingled array structure and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170103158A KR101874016B1 (en) 2017-08-14 2017-08-14 High efficiency passivated emitter and rear cell having shingled array structure and manufacturing method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101874016B1 true KR101874016B1 (en) 2018-07-04

Family

ID=62912923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170103158A KR101874016B1 (en) 2017-08-14 2017-08-14 High efficiency passivated emitter and rear cell having shingled array structure and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101874016B1 (en)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987507A (en) * 2018-08-03 2018-12-11 浙江爱旭太阳能科技有限公司 The direct-connected solar cell module of fragment single side and preparation method
CN108987508A (en) * 2018-08-03 2018-12-11 浙江爱旭太阳能科技有限公司 The direct-connected solar cell module of single side and preparation method
CN109473500A (en) * 2018-12-06 2019-03-15 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 Stack-tile cell string, assembly and apparatus for passivated emitter back contact cell
CN109802002A (en) * 2019-03-05 2019-05-24 成都晔凡科技有限公司 Imbrication Double-sided battery pack and its manufacturing method
CN110429153A (en) * 2019-08-07 2019-11-08 通威太阳能(合肥)有限公司 A kind of stacked wafer moudle interconnection architecture and preparation method thereof
KR20200049011A (en) 2018-10-31 2020-05-08 한국생산기술연구원 Method manufacturing for solar cell string of shingled module structure and solar cell module
KR20200048867A (en) 2018-10-31 2020-05-08 한국생산기술연구원 Solar cell module for road block amd manufacturing method thereof
KR102127139B1 (en) * 2019-04-16 2020-06-26 제너셈(주) Singled solar cell junction method and singled solar cell junction module
KR20200079472A (en) 2020-06-26 2020-07-03 한국생산기술연구원 Method manufacturing for solar cell string of shingled module structure and solar cell module
KR20200129674A (en) 2019-05-09 2020-11-18 한국생산기술연구원 Solar Cell Module And Manufacturing Method Thereof
KR20200131153A (en) * 2019-05-13 2020-11-23 성균관대학교산학협력단 CELL DIVISION/INTERCONNECTION STRUCTURE SOLAR MODULE USING ELECTRODE PATTERN WITH LESS Ag
KR20210077344A (en) * 2019-12-17 2021-06-25 한국교통대학교산학협력단 Front electrode formation method for solar cell module with shingled structure
WO2023214601A1 (en) * 2022-05-04 2023-11-09 주식회사 에스제이이노테크 Apparatus for producing shingled array units

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013191714A (en) * 2012-03-14 2013-09-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Photoelectric conversion device
KR20150060390A (en) * 2013-11-26 2015-06-03 엘지전자 주식회사 Connecting member and solar cell module with the same
WO2015152020A1 (en) * 2014-03-31 2015-10-08 株式会社カネカ Solar cell module and method for manufacturing same
US20150349172A1 (en) * 2014-05-27 2015-12-03 Cogenra Solar, Inc. Shingled solar cell module

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013191714A (en) * 2012-03-14 2013-09-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Photoelectric conversion device
KR20150060390A (en) * 2013-11-26 2015-06-03 엘지전자 주식회사 Connecting member and solar cell module with the same
WO2015152020A1 (en) * 2014-03-31 2015-10-08 株式会社カネカ Solar cell module and method for manufacturing same
US20150349172A1 (en) * 2014-05-27 2015-12-03 Cogenra Solar, Inc. Shingled solar cell module

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987507A (en) * 2018-08-03 2018-12-11 浙江爱旭太阳能科技有限公司 The direct-connected solar cell module of fragment single side and preparation method
CN108987508A (en) * 2018-08-03 2018-12-11 浙江爱旭太阳能科技有限公司 The direct-connected solar cell module of single side and preparation method
KR20200049011A (en) 2018-10-31 2020-05-08 한국생산기술연구원 Method manufacturing for solar cell string of shingled module structure and solar cell module
KR20200048867A (en) 2018-10-31 2020-05-08 한국생산기술연구원 Solar cell module for road block amd manufacturing method thereof
CN109473500A (en) * 2018-12-06 2019-03-15 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 Stack-tile cell string, assembly and apparatus for passivated emitter back contact cell
CN109802002A (en) * 2019-03-05 2019-05-24 成都晔凡科技有限公司 Imbrication Double-sided battery pack and its manufacturing method
CN109802002B (en) * 2019-03-05 2024-04-12 通威太阳能(合肥)有限公司 Stacked double-sided battery assembly and manufacturing method thereof
KR102127139B1 (en) * 2019-04-16 2020-06-26 제너셈(주) Singled solar cell junction method and singled solar cell junction module
KR20200129674A (en) 2019-05-09 2020-11-18 한국생산기술연구원 Solar Cell Module And Manufacturing Method Thereof
KR20200131153A (en) * 2019-05-13 2020-11-23 성균관대학교산학협력단 CELL DIVISION/INTERCONNECTION STRUCTURE SOLAR MODULE USING ELECTRODE PATTERN WITH LESS Ag
KR102371947B1 (en) * 2019-05-13 2022-03-08 성균관대학교산학협력단 CELL DIVISION/INTERCONNECTION STRUCTURE SOLAR MODULE USING ELECTRODE PATTERN WITH LESS Ag
CN110429153A (en) * 2019-08-07 2019-11-08 通威太阳能(合肥)有限公司 A kind of stacked wafer moudle interconnection architecture and preparation method thereof
KR20210077344A (en) * 2019-12-17 2021-06-25 한국교통대학교산학협력단 Front electrode formation method for solar cell module with shingled structure
KR102348399B1 (en) 2019-12-17 2022-01-06 한국교통대학교산학협력단 Front electrode formation method for solar cell module with shingled structure
KR102231314B1 (en) * 2020-06-26 2021-03-24 한국생산기술연구원 Method manufacturing for solar cell string of shingled module structure and solar cell module
KR20200079472A (en) 2020-06-26 2020-07-03 한국생산기술연구원 Method manufacturing for solar cell string of shingled module structure and solar cell module
WO2023214601A1 (en) * 2022-05-04 2023-11-09 주식회사 에스제이이노테크 Apparatus for producing shingled array units

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101874016B1 (en) High efficiency passivated emitter and rear cell having shingled array structure and manufacturing method thereof
CN108713257B (en) Solar cell panel
US11251319B2 (en) Solar cell
EP2575184B1 (en) Solar cell module
KR101135591B1 (en) Solar cell and solar cell module
US20110315188A1 (en) Solar cell module
JP2010183080A (en) Solar cell and method for manufacturing the same
KR101612955B1 (en) Interconnector and solar cell module having the same
JP2011165668A (en) Conductive aluminum paste and its manufacturing method, solar cell, and its module
US10510908B2 (en) Solar cell panel
EP3324448B1 (en) Solar cell panel
KR102231314B1 (en) Method manufacturing for solar cell string of shingled module structure and solar cell module
US10522704B2 (en) Solar cell, method for manufacturing same
US9385248B2 (en) Solar cell panel
KR20120138021A (en) Solar cell module
US8420927B2 (en) Solar cell, method of manufacturing the same, and solar cell module
KR101338610B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
US8841546B2 (en) Paste and solar cell using the same
KR101203907B1 (en) Solar cell
KR101828423B1 (en) Solar cell
KR102087813B1 (en) Solar cell with enhanced passivation properties
KR102218629B1 (en) Silicon solar cell including a carrier seletive thin layer
KR20140114532A (en) Solar cell
KR20120084870A (en) Solar cell and manufacturing method thereof
KR20200049011A (en) Method manufacturing for solar cell string of shingled module structure and solar cell module

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant