KR101529578B1 - Apparatus and method for treating substrate using plasma - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 측면에 따른 플라즈마 기판 처리 장치는, 상기 기판이 수납되는 챔버; 상기 챔버의 상부 및 하부에 서로 나란하게 각각 배치된 상부 전극 및 하부 전극을 포함하는 주 전극; 상기 주 전극 사이에 위치한 가상의 수평면을 따라서 서로 나란하게 배치된 일자 막대 형상의 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 보조 전극; 및 상기 주 전극 및 상기 보조전극에 각각 연결되어 전력을 공급하는 주 전원 및 보조 전원을 포함하는 전력공급부를 포함하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간격은 상기 기판의 너비와 같거나 길게 구비되고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 하부 전극보다 상기 상부 전극과 가까운 위치에 구비되며, 상기 보조 전원은 상기 주 전원에서 공급되는 전력의 주파수보다 높은 극초단파 영역 주파수(UHF)의 전력을 공급한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a chamber in which a substrate is accommodated; A main electrode including an upper electrode and a lower electrode arranged in parallel to each other at upper and lower portions of the chamber; An auxiliary electrode including a first rod-shaped first electrode and a second electrode arranged in parallel to each other along a virtual horizontal plane positioned between the main electrodes; And a power supply unit including a main power source and an auxiliary power source connected to the main electrode and the auxiliary electrode to supply electric power, wherein an interval between the first electrode and the second electrode is equal to or less than a width of the substrate Wherein the first electrode and the second electrode are disposed closer to the upper electrode than the lower electrode, and the auxiliary power source has a higher frequency of the ultrahigh frequency region frequency UHF than the frequency of the power supplied from the main power source Power supply.

Description

플라즈마 기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE USING PLASMA}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE USING PLASMA [0002]

본 발명은 플라즈마 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방식을 이용하여 박막을 증착하는 플라즈마 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to an apparatus and a method for processing a plasma substrate, and more particularly, to a plasma processing apparatus and method for depositing a thin film using a PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method.

플라즈마(Plasma)는 이온화된 가스 상태를 의미하는데, 전기적 성질 및 열적 성질이 정상 상태의 기체와는 매우 상이하기 때문에 물질읠 제4 상태라고 칭하기도 한다.Plasma refers to an ionized gas state, which is also referred to as a material state 4 because its electrical and thermal properties are very different from steady state gases.

이러한 플라즈마를 이용하여 기판의 표면에 화합물을 증착시키는 장치가 많이 개발되었는데 이러한 장치를 일반적으로 PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 이라고 한다.Many devices for depositing a compound on the surface of a substrate using such a plasma have been developed. Such a device is generally called PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition).

PECVD 장치는 챔버 내부에서 높은 에너지의 전자 충돌에 의해 형성된 가스 플라즈마를 공급하여 주입 가스를 보다 효과적으로 화학 반응시켜 기판 표면에 박막을 증착시키는 장치이다.A PECVD apparatus is a device for depositing a thin film on a substrate surface by supplying a gas plasma formed by a high-energy electron collision inside a chamber to chemically react the injection gas more effectively.

이러한 PECVD 장치는 플라즈마를 이용하여 화학 반응을 촉진함으로써 필요한 열에너지를 상당히 줄일 수 있어 열에 의한 기판 손상을 해결할 수 있기 때문에 평판표시장치에 사용되는 유기발광소자 및 액정표시소자 등의 절연막, 금속막, 유기막 등의 박막을 형성하는데 이용되고 있다.Such a PECVD apparatus facilitates chemical reaction by using a plasma to significantly reduce the required thermal energy, thereby solving the substrate damage caused by heat. Therefore, the PECVD apparatus can be used as an insulating film such as an organic light emitting device and a liquid crystal display device used for a flat panel display, And is used for forming a thin film such as a film.

그러나 종래의 PECVD 장치들은 기판의 박막 증착 속도가 매우 느리기 때문에 생산성을 제한하는 용인이 되고 있고, 또한 플라즈마 생성 효율성이 낮아 박막의 품질이 저하되는 문제점이 있다.
However, the conventional PECVD apparatuses are tolerated to limit the productivity because the deposition rate of the substrate is very slow, and the plasma generation efficiency is low and the quality of the thin film is deteriorated.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 결정질 실리콘, 실리콘 옥사이드 등의 다양한 박막 증착 속도를 높일 수 있는 PECVD 방식의 플라즈마 기판 처리 장치 및 그 방법을 제공하고자 한다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and an object of the present invention is to provide a PECVD type plasma processing apparatus and method for increasing deposition rates of various thin films such as crystalline silicon and silicon oxide.

또한, 결정질 실리콘, 실리콘 옥사이드 등의 다양한 박막의 품질을 향상시킬 수 있는 플라즈마 기판 처리 장치 및 그 방법을 제공하고자 한다.
Also, it is intended to provide a plasma substrate processing apparatus and method capable of improving the quality of various thin films such as crystalline silicon, silicon oxide, and the like.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로써, 본 발명의 일 측면에 따른 플라즈마 기판 처리 장치는, 상기 기판이 수납되는 챔버; 상기 챔버의 상부 및 하부에 서로 나란하게 각각 배치된 상부 전극 및 하부 전극을 포함하는 주 전극; 상기 주 전극 사이에 위치한 가상의 수평면을 따라서 서로 나란하게 배치된 일자 막대 형상의 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 보조 전극; 및 상기 주 전극 및 상기 보조전극에 각각 연결되어 전력을 공급하는 주 전원 및 보조 전원을 포함하는 전력공급부를 포함하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간격은 상기 기판의 너비와 같거나 길게 구비되고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 하부 전극보다 상기 상부 전극과 가까운 위치에 구비되며, 상기 보조 전원은 상기 주 전원에서 공급되는 전력의 주파수보다 높은 극초단파 영역 주파수(UHF)의 전력을 공급한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a chamber in which a substrate is accommodated; A main electrode including an upper electrode and a lower electrode arranged in parallel to each other at upper and lower portions of the chamber; An auxiliary electrode including a first rod-shaped first electrode and a second electrode arranged in parallel to each other along a virtual horizontal plane positioned between the main electrodes; And a power supply unit including a main power source and an auxiliary power source connected to the main electrode and the auxiliary electrode to supply electric power, wherein an interval between the first electrode and the second electrode is equal to or less than a width of the substrate Wherein the first electrode and the second electrode are disposed closer to the upper electrode than the lower electrode, and the auxiliary power source has a higher frequency of the ultrahigh frequency region frequency UHF than the frequency of the power supplied from the main power source Power supply.

또한, 본 발명의 다른 측면에 따른 플라즈마 기판 처리 방법은, 기판이 수납된 챔버의 상부 및 하부에 서로 나란하게 각각 배치된 상부 전극 및 하부 전극을 포함하는 주 전극에 공급되는 주 전원의 전력 및 상기 주 전극 사이에 위치한 가상의 수평면을 따라서 서로 나란하게 배치된 일자 막대 형상의 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 보조 전극에 공급되는 보조 전원의 전력을 설정 및 공급하는 단계; 및 상기 챔버 내에 유체를 주입하는 단계를 포함하며, 상기 주 전원 및 상기 보조 전원의 전력을 설정 및 공급하는 단계에서 상기 보조 전원은 상기 주 전원에서 공급되는 전력의 주파수보다 높은 극초단파 영역 주파수(UHF)의 전력을 공급하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간격은 상기 기판의 너비와 같거나 길게 구비되며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 하부 전극보다 상기 상부 전극과 가까운 위치에 구비된다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of treating a plasma substrate, the method comprising: controlling a power of a main power supplied to a main electrode including upper and lower electrodes, Setting and supplying electric power of the auxiliary power supplied to the auxiliary electrode including the first electrode and the second electrode in the form of a bar-like rod arranged in parallel to each other along a virtual horizontal plane located between the main electrodes; And injecting a fluid into the chamber, wherein in the step of setting and supplying power of the main power source and the auxiliary power source, the auxiliary power source generates a microwave frequency region UHF higher than the frequency of the power supplied from the main power source, Wherein a distance between the first electrode and the second electrode is equal to or greater than a width of the substrate and the first electrode and the second electrode are located closer to the upper electrode than the lower electrode Respectively.

전술한 본 발명의 과제 해결 수단에 의하면, 플라즈마 기판 처리 장치에 구비되는 주 전극과 보조 전극에 전력을 공급하여 플라즈마 생성 밀도를 증가시킬 수 있고, 특히 보조 전극 간의 이격 거리가 기판의 가로 및 세로의 길이보다 길게 구비됨으로써 기판의 중앙 영역에 플라즈마가 집중 증착되는 것을 방지하여 기판의 박막 증착을 균일하게 하는 효과를 얻을 수 있다.
According to an embodiment of the present invention, plasma generation density can be increased by supplying electric power to a main electrode and an auxiliary electrode of a plasma processing apparatus. In particular, It is possible to prevent the plasma from being concentrated on the central region of the substrate and to uniformly deposit the thin film on the substrate.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 장치를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극부의 배향 구조를 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 보조 전극의 위치에 따른 플라즈마 박막 증착률을 나타내는 그래프이다.1 is a view showing a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view showing an alignment structure of an auxiliary electrode unit according to an embodiment of the present invention.
3 is a flowchart illustrating a method of processing a plasma substrate according to an embodiment of the present invention.
4 is a graph showing the deposition rate of the plasma thin film according to the position of the auxiliary electrode.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호로 표기한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly explain the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by similar reference numerals throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another part in between . Also, when a part is referred to as "including " an element, it does not exclude other elements unless specifically stated otherwise.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 장치를 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극부의 배향 구조를 나타내는 평면도이며, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 4는 보조 전극의 위치에 따른 플라즈마 박막 증착률을 나타내는 그래프이다.2 is a plan view showing an alignment structure of an auxiliary electrode unit according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a graph illustrating a deposition rate of a plasma thin film according to positions of auxiliary electrodes. FIG.

이때, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 장치(100)는 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방식으로 플라즈마 밀도를 높여 결정질 실리콘 박막의 증착 속도를 높일 수 있다.At this time, the plasma processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention can increase the deposition density of the crystalline silicon thin film by increasing the plasma density by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).

구체적으로, 도 1에서와 같이 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 장치(100)는 기판(W)의 증착 작업이 진행되는 챔버(10)와, 챔버 내부에 구비되는 주 전극(110) 및 보조 전극(130)과, 주 전극(110) 및 보조 전극(130)으로 전력을 공급하는 전력공급부(150)를 포함한다.1, a plasma processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a chamber 10 in which a deposition process of a substrate W proceeds, a main electrode 110, An auxiliary electrode 130 and a power supply unit 150 for supplying power to the main electrode 110 and the auxiliary electrode 130.

이때, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 장치(100)는 챔버(10) 내부의 진공 형성이 가능한 진공배기계(미도시)를 더 포함할 수 있다.The apparatus for treating a plasma substrate 100 according to an embodiment of the present invention may further include a vacuum evacuation system (not shown) capable of evacuating the inside of the chamber 10.

주 전극(110)은 챔버(10) 내부의 상측에 구비되는 상부 전극(111)과 챔버(10) 내부의 하측에 구비되는 하부 전극(113)을 포함하고, 상부 전극(111)과 하부 전극(113)은 플라즈마 발생을 위한 기전력을 발생시킨다,The main electrode 110 includes an upper electrode 111 provided on the upper side of the chamber 10 and a lower electrode 113 provided on the lower side of the chamber 10 and the upper electrode 111 and the lower electrode 113 generate an electromotive force for plasma generation,

즉, 상부 전극(111)과 하부 전극(113)은 각각 챔버(10)의 상부 및 하부에 서로 마주보는 형태로 혹은 서로 나란하게 구비되며 전력의 인가에 따라 전기장을 형성시키고, 본 실시예에서는 상부 전극(111)과 하부 전극(113)이 각각 단수 개로 구비되었으나, 각각 복수의 전극으로 구성될 수도 있다.In other words, the upper electrode 111 and the lower electrode 113 are provided on the upper and lower sides of the chamber 10 in a confronting manner or in parallel with each other, and an electric field is formed according to the application of electric power. In this embodiment, Although the electrode 111 and the lower electrode 113 are provided in a single number, the electrode 111 and the lower electrode 113 may be formed of a plurality of electrodes, respectively.

도 1에 도시된 바와 같이 상부 전극(111)과 하부 전극(113)은 전력공급부(150)로부터 전력을 공급받는데, 상부 전극(111)과 하부 전극(113)으로 전력를 공급하는 것은 주 전원(151)이며, RF 전력이 공급된다.1, the upper electrode 111 and the lower electrode 113 are supplied with electric power from the power supply unit 150. The supply of power to the upper electrode 111 and the lower electrode 113 is controlled by the main power 151 ), And RF power is supplied.

좀 더 구체적으로는 주 전원(151)은 상부 전극(111)에 연결되는 제1 주 전원(151a)과, 하부 전극(113)에 연결되는 제2 주 전원(151b)을 포함한다.More specifically, the main power source 151 includes a first main power source 151a connected to the upper electrode 111 and a second main power source 151b connected to the lower electrode 113.

상부 전극(111)과 하부 전극(113)에 RF 전력(151)이 각각 공급되면 상부 전극(111)과 하부 전극(113) 간에 전기장이 형성되고, 이와 같은 전기장의 형성으로 하전 입자들이 ±z 방향으로 교번 가속되어 더 높은 플라즈마 밀도가 형성된다.When an RF power 151 is supplied to the upper electrode 111 and the lower electrode 113, an electric field is formed between the upper electrode 111 and the lower electrode 113. By the formation of such an electric field, So that a higher plasma density is formed.

참고로, 상부 전극(111)과 하부 전극(113)에 인가되는 전력은 상이할 수 있다. 예를 들어 본 실시예에서 상부 전극(111)에 인가되는 제1 주 전원(151a)의 전력은 80 ~ 120 W 내외이며, 이때 제1 주 전원(151a)은 13.56 MHz의 주파수를 가질 수 있다. 또한, 하부 전극(113)에 인가되는 제2 주 전원(151b)의 전력은 10 ~ 180 W 내외이며, 이때 제2 주 전원(151b)은 13.56MHz의 주파수를 가질 수 있다.For reference, the power applied to the upper electrode 111 and the lower electrode 113 may be different. For example, in the present embodiment, the power of the first main power source 151a applied to the upper electrode 111 is about 80 to 120 W, and the first main power source 151a may have a frequency of 13.56 MHz. Also, the power of the second main power 151b applied to the lower electrode 113 is about 10 to 180 W, and the second main power 151b may have a frequency of 13.56 MHz.

한편, 상기 주파수의 범위는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니며, 최근 들어 소자 패턴이 갈수록 미세해짐에 따라 고밀도 플라즈마에 대한 요구가 증가하고 있으므로 이를 위해 10 ~ 20 MHz 정도의 초단파 영역의 RF 전력을 공급할 수 있다.The range of the frequency is not limited to the range of the present invention. In recent years, as the device pattern becomes finer, the demand for high-density plasma increases. Therefore, the RF power in the microwave range of about 10 to 20 MHz is required Can supply.

또한, 플라즈마 기판 처리 장치(100)에서는 제1 주 전원(151a)으로부터 인가되는 RF 전력이 매칭 박스(미도시)를 통해 상부 전극(111)에 인가될 수 있다. 이와 같은, 매칭 박스(미도시)는 인가될 RF 전력이 챔버(10)에 정합되어 인가되도록 한다.Also, in the plasma processing apparatus 100, RF power applied from the first main power source 151a may be applied to the upper electrode 111 through a matching box (not shown). Such a matching box (not shown) allows the RF power to be applied to be applied to the chamber 10 in an aligned manner.

한편, 주 전극부에 인가되는 전력은 RF 전력 이외에도 DC, AC, unipolar pulse 방식, bipolar pulse 방식 등 다양한 전력이 사용될 수 있다.The power applied to the main electrode part may be various power such as DC, AC, unipolar pulse, bipolar pulse, etc. in addition to RF power.

챔버(10)는 기판 처리 공정이 진행되는 공간으로서, 내부가 진공 상태로 배기 및 유지 가능하도록 구성된다. 이때, 챔버(10)는 내부의 상측에 상부 전극(111)이 마련되고, 상부 전극(111)과 대향되는 즉, 챔버(10) 내부의 하측에 하부 전극(113)이 마련된다. The chamber 10 is a space through which the substrate processing process proceeds, and is configured so that the inside can be evacuated and held in a vacuum state. At this time, the chamber 10 is provided with the upper electrode 111 on the upper side thereof, and the lower electrode 113 is provided on the lower side of the chamber 10, that is, opposite to the upper electrode 111.

이때, 상부 전극(111) 및 하부 전극(113)은 수직 방향으로 일정 거리 이격된 상태에서 상호 평행하게 배치되거나, 상호 소정의 각도를 이루도록 배치될 수도 있다.At this time, the upper electrode 111 and the lower electrode 113 may be arranged parallel to each other with a certain distance in the vertical direction, or may be arranged to form a predetermined angle with each other.

여기서 상부 전극(111)을 향하는 하부 전극(113)의 면에는 박막이 증착될 기판(W)이 배치되며, 하부 전극(113)에는 기판(W)을 고정시키는 별도의 고정 수단이 마련될 수 있다.The substrate W on which the thin film is to be deposited is disposed on the surface of the lower electrode 113 facing the upper electrode 111 and the fixing means for fixing the substrate W on the lower electrode 113 may be provided .

또한, 챔버(10)에는 유체가 반입 또는 반출되는 출입구(미도시 됨)를 더 포함할 수 있다.In addition, the chamber 10 may further include an entrance (not shown) through which fluid is carried in or out.

유체 공급부(170)는 챔버(10) 내에 플라즈마 생성을 위한 유체를 공급한다. 구체적으로, 유체 공급부(170)는 질소, 산소, 아르곤 또는 헬륨 등과 같은 유체를 공급 가능하도록 구성된다.The fluid supply unit 170 supplies the fluid for plasma generation within the chamber 10. Specifically, the fluid supply portion 170 is configured to be capable of supplying a fluid such as nitrogen, oxygen, argon, or helium.

그리고 전구체로는 Cyclomethicone (D4 = C8H24SI4O4), Hexamethyldisiloxane (HMDSO) 또는 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS), 및 실란(SiH4)을 공급 가능하도록 구성된다.And the precursor is arranged to be supplied to Cyclomethicone (D4 = C 8 H 24 SI 4 O 4), Hexamethyldisiloxane (HMDSO) or octamethylcyclotetrasiloxane (OMCTS), and silane (SiH4).

한편, 주 전극(110) 사이에 구비되며, 기판(W)을 기준으로 상호 간 좌우 대칭으로 보조 전극(130)이 구비되는데, 보조 전극(130)은 제1 전극(131)과 제2 전극(133)을 포함하고, 보조 전극(130)은 UHF 안테나로 구비된다.The auxiliary electrode 130 is provided between the main electrodes 110 and symmetrically with respect to the substrate W. The auxiliary electrode 130 includes a first electrode 131 and a second electrode 133, and the auxiliary electrode 130 is provided as a UHF antenna.

제1 전극(131)과 제2 전극(133)은 플라즈마 발생을 위한 기전력을 발생시키는 것으로서, 주 전극 사이에 위치한 가상의 수평면을 따라서 일자 막대 형상으로 서로 나란하게 구비되며 전력의 인가에 따라 전기장을 형성시킨다.The first electrode 131 and the second electrode 133 generate an electromotive force for generating plasma. The first electrode 131 and the second electrode 133 are arranged side by side along a virtual horizontal plane between the main electrodes. .

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 장치(100)에서는 도 2에서 나타낸 바와 같이 제1 전극(131)과 제2 전극(133) 사이의 일정 간격이 기판(W)의 가로 및 세로 길이 중 적어도 한 방향의 길이와 같거나 길게 구비될 수 있다.2, a predetermined interval between the first electrode 131 and the second electrode 133 is set to a predetermined distance between the horizontal and vertical lengths of the substrate W. In the plasma processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, And may be equal to or longer than the length of at least one direction.

또한 기판(W)이 원형으로 형성된 경우에는 제1 전극(131)과 제2 전극(133) 사이의 길이가 기판(W)의 지름의 길이와 같거나 길게 구비될 수 있다.The length between the first electrode 131 and the second electrode 133 may be equal to or longer than the diameter of the substrate W when the substrate W is formed in a circular shape.

그리고 보조 전극(130)은 상부 전극(111)과 하부 전극(113) 사이에 위치하는데, 보조 전극(130)과 상부 전극(111) 사이의 이격된 간격이 보조 전극(130)과 하부 전극(113)의 이격된 간격보다 짧은 간격을 갖는다. 즉, 보조 전극 조절부는 제1 전극(131)과 제2 전극(133) 간의 일정 간격을 기판의 너비와 같거나 길게 조절할 뿐만 아니라, 보조 전극(130)의 위치를 상하 방향으로 조절할 수 있다.The auxiliary electrode 130 is located between the upper electrode 111 and the lower electrode 113. The spacing between the auxiliary electrode 130 and the upper electrode 111 is different from the distance between the auxiliary electrode 130 and the lower electrode 113 ). ≪ / RTI > That is, the auxiliary electrode adjusting unit adjusts the position of the auxiliary electrode 130 in the vertical direction as well as adjusting the interval between the first electrode 131 and the second electrode 133 to be equal to or longer than the width of the substrate.

제1 전극(131) 및 제2 전극(133)은 챔버(10) 외부에 구비된 전력공급부(150)의 보조 전원(153)과 연결되어 있어, 각각 보조 전원(153)으로부터 UHF 전력을 공급받게 되고 제1 전극(131) 및 제2 전극(133) 사이에 전기장이 형성된다.The first electrode 131 and the second electrode 133 are connected to the auxiliary power source 153 of the power supply unit 150 provided outside the chamber 10 and receive UHF power from the auxiliary power source 153, And an electric field is formed between the first electrode 131 and the second electrode 133.

따라서 이와 같은 전기장 형성으로 인해 하전 입자들이 ±y 방향으로 교번 가속되어 더 높은 플라즈마 밀도가 형성될 수 있다.Therefore, due to such electric field formation, the charged particles can be alternately accelerated in the + -y direction and a higher plasma density can be formed.

참고로, 보조 전극(130)에 인가되는 전력은 경우에 따라 상이한데, 본 실시예에서는 80 ~ 400 W 내외에서 설정되고, 이때 보조 전원(153)은 320 MHz의 주파수를 가질 수 있다.For reference, the power applied to the auxiliary electrode 130 varies depending on the case. In the present embodiment, the auxiliary power supply 153 is set at about 80 to 400 W, and the auxiliary power supply 153 may have a frequency of 320 MHz.

한편, 상기 주파수의 범위는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니며, 300 ~ 850 MHz 정도의 극초단파 영역의 UHF 전력을 공급할 수 있다. 다만, 보조 전원은 주 전원에서 공급되는 전력의 주파수보다 높은 극초단파 영역 주파수(UHF)의 전력을 공급한다.Meanwhile, the range of the frequency is not limited to the range of the present invention, and UHF power of the microwave range of about 300 to 850 MHz can be supplied. However, the auxiliary power supply supplies the power of the microwave region frequency (UHF) higher than that of the power supplied from the main power source.

전술한 바와 같이, 제1 전극(131) 및 제2 전극(133)은 하부 전극(113)에 배치된 기판(W)의 상부에 위치하며, 두 보조 전극 간에 RF 전력이 인가되면 기판(W)의 주변 상부에 두 보조 전극에 의한 전기장이 더 형성됨으로써 챔버(10) 내 플라즈마 발생 밀도를 높일 수 있는 효과가 있다.As described above, the first electrode 131 and the second electrode 133 are located on the upper surface of the substrate W disposed on the lower electrode 113. When RF power is applied between the two auxiliary electrodes, The plasma generation density in the chamber 10 can be increased by forming an electric field by the two auxiliary electrodes on the peripheral upper portion of the chamber 10.

구체적으로, 유체 공급부(170)가 챔버(10) 내 플라즈마 생성을 위한 가스(유체)를 공급한 후 상부 전극(111) 및 하부 전극(113) 간에 RF 전력이 인가되면 수직 전기장이 형성되어 하전 입자들이 ±z 방향으로 교번 가속된다.Specifically, when RF power is applied between the upper electrode 111 and the lower electrode 113 after supplying the gas (fluid) for plasma generation in the chamber 10, a vertical electric field is formed and the charged particles Are alternately accelerated in the + z direction.

그와 동시에, 제1 전극(131) 및 제2 전극(133) 간에 RF 전력이 인가되면 수평 전기장이 형성되어 하전 입자들이 ±y 방향으로 교번 가속된다.At the same time, when a RF electric power is applied between the first electrode 131 and the second electrode 133, a horizontal electric field is formed and the charged particles are alternately accelerated in the ± y direction.

이처럼, 하전 입자들이 ±z 방향으로 교번 가속되고, 또한 ±z 방향과 교차하는 ±y 방향으로 하전 입자들이 교번 가속되면서 하전 입자들 간의 상호 충돌 확률이 더 높아지게 됨에 따라 챔버(10) 내 고밀도의 플라즈마 형성이 가능하다.As the charged particles are alternately accelerated in the + z direction and the charged particles are alternately accelerated in the + - y direction intersecting the + -z direction, the probability of collision between the charged particles becomes higher, so that the high density plasma Lt; / RTI >

특히 본 실시예에서는 상부 전극(111)과 보조 전극(130)간의 이격된 거리가 하부 전극(113)과 보조 전극(130)간의 이격된 거리보다 짧기 때문에 상부 전극(111)과 보조 전극(130)간의 이격된 공간 사이에 더욱 더 고밀도의 플라즈마가 형성된다.The distance between the upper electrode 111 and the auxiliary electrode 130 is shorter than the distance between the lower electrode 113 and the auxiliary electrode 130. The distance between the upper electrode 111 and the auxiliary electrode 130, A more dense plasma is formed between the spaced spaces.

이하, 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 방법을 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of processing a plasma substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a method of processing a plasma substrate according to an embodiment of the present invention.

그리고 도 4는 보조 전극의 위치에 따른 플라즈마 박막 증착률을 나타내는 그래프이다.And FIG. 4 is a graph showing the deposition rate of the plasma thin film according to the position of the auxiliary electrode.

먼저, 도 3에서 나타낸 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 방법에서는 플라즈마 기판 처리 장치(100)의 챔버(10) 내에 구비된 주 전극에 인가할 공급 전원을 설정한다(S410).3, in a method of processing a plasma substrate according to an embodiment of the present invention, a power source to be supplied to a main electrode provided in a chamber 10 of the plasma processing apparatus 100 is set (S410).

이때, 주 전극은 박막 증착 공정을 수행할 기판(W)의 상부 및 하부에 위치하며, 챔버(10)의 상부 및 하부에 서로 마주보는 형태로 혹은 서로 나란하게 각각 구비된 상부 전극(111) 및 하부 전극(113)을 포함한다. At this time, the main electrode is located on the upper and lower sides of the substrate W to be subjected to the thin film deposition process, and the upper electrode 111 and the upper electrode 111 are provided on the upper and lower sides of the chamber 10, And a lower electrode 113.

참고로, S410 단계에서는 상부 전극(111)에 인가할 RF 전력의 크기 및 주파수를 경우에 따라 다르게 설정할 수 있는데, 본 실시예에서는 상부 전극(111) 에 인가될 RF 전력의 크기를 80 ~ 120 W로 설정하고, 주파수를 13.56MHz로 설정한다.For example, in step S410, the RF power to be applied to the upper electrode 111 can be set to a different value depending on the case. In this embodiment, the RF power to be applied to the upper electrode 111 is 80 to 120 W And the frequency is set to 13.56 MHz.

그리고 하부 전극(113)은 RF 전력의 크기를 10 ~ 180 W로 설정하고, 주파수를 13.56MHz로 설정한다.The lower electrode 113 sets the magnitude of the RF power to 10-180 W and sets the frequency to 13.56 MHz.

이와 같이 상부 전극(111) 및 하부 전극(113)에 RF 전력이 인가되면 주 전극에 전기장이 형성된다.When RF power is applied to the upper electrode 111 and the lower electrode 113, an electric field is formed in the main electrode.

다음으로, 챔버(10) 내에 구비된 보조 전극에 인가할 공급 전원을 설정한다(S420).Next, the supply power to be applied to the auxiliary electrode provided in the chamber 10 is set (S420).

이때, 보조 전극(130)은 상기 기판(W)의 주변 상부에 위치하여 주 전극 사이에 위치한 가상의 수평면을 따라서 일자 막대 형상으로 서로 나란하게 구비되는 제1 전극(131) 및 제2 전극(133)을 포함하고, 본 실시예에서 보조 전극(130)은 UHF 안테나로 구비된다.At this time, the auxiliary electrode 130 includes a first electrode 131 and a second electrode 133, which are positioned in the upper peripheral portion of the substrate W and are arranged side by side along a virtual horizontal plane positioned between the main electrodes, ). In this embodiment, the auxiliary electrode 130 is provided as a UHF antenna.

S420 단계에서는 UHF 안테나인 보조 전극(130)에 전력 공급부(150)의 보조 전원(153)에서 UHF 전력을 공급한다. 본 실시예에서 보조 전원(153)이 보조 전극(130)으로 공급하는 UHF 전력의 크기는 80 ~ 400 W이고, 주파수는 320MHz이다.In step S420, the auxiliary power supply 153 of the power supply unit 150 supplies the UHF power to the auxiliary electrode 130, which is a UHF antenna. In this embodiment, the size of the UHF power supplied from the auxiliary power supply 153 to the auxiliary electrode 130 is 80 to 400 W, and the frequency is 320 MHz.

이와 같이 보조 전극(130)에 UHF 전력이 인가되면 제1 전극(131) 및 제2 전극(133)에 전기장이 형성된다.When the UHF power is applied to the auxiliary electrode 130, an electric field is formed in the first electrode 131 and the second electrode 133.

다음으로, 챔버(10) 내에 가스(유체)를 공급한다(S430).Next, gas (fluid) is supplied into the chamber 10 (S430).

예를 들면, 플라즈마 기판 처리 장치(100)의 유체 공급부(170)는 질소, 산소, 아르곤 또는 헬륨 가스 등을 공급하고, 전구체로써 사이클로메티콘 Cyclomethicone (D4 = C8H24SI4O4), Hexamethyldisiloxane (HMDSO) 또는 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS) 및 실란(SiH4)을 공급할 수 있다.For example, the fluid source 170 of the plasma substrate processing apparatus 100 includes a supply of nitrogen, oxygen, argon or helium gas or the like, and cycloalkyl as precursor methicone Cyclomethicone (D4 = C 8 H 24 SI 4 O 4), Hexamethyldisiloxane (HMDSO) or octamethylcyclotetrasiloxane (OMCTS) and silane (SiH4) can be supplied.

다음으로, S410 단계 및 S420 단계에서 각각 설정된 공급 전원들에 따른 전력을 상기 주 전극과 보조 전극에 공급하여 각각 기전력을 발생시켜 플라즈마를 생성시킨다(S440).Next, power according to the power sources set in steps S410 and S420 is supplied to the main electrode and the auxiliary electrode, respectively, to generate electromotive force to generate plasma (S440).

이때, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 방법에서는 상기 주 전극에 발생된 전기장과 더불어 상기 기판 상부 주변에 배치된 보조 전극에 발생되는 전기장을 더 형성시킴으로써 플라즈마 기판 처리 장치 내 생성되는 플라즈마 밀도를 높여 박막 증착 속도를 향상시키는 효과가 있다.At this time, in the method of treating a plasma substrate according to an embodiment of the present invention, an electric field generated in the auxiliary electrode disposed around the upper portion of the substrate is formed in addition to the electric field generated in the main electrode, Thereby improving the deposition speed of the thin film.

다시 도 3로 돌아가서, S440 단계 이후에 챔버(10) 내에 플라즈마가 생성됨에 따라 기판(W)에 증착 공정을 수행한다(S450).Referring back to FIG. 3, a deposition process is performed on the substrate W as the plasma is generated in the chamber 10 after step S440 (S450).

이에 대해 좀 더 상세히 살펴보면, 보조 전극(130)은 하부 전극(113)보다 상부 전극(111)에 가까이 위치하고, 특히 두 개의 보조 전극 즉, 제1 전극(131)과 제2 전극(133) 간의 이격된 간격이 기판(W)의 가로 및 세로 길이 중 적어도 한 방향의 길이와 같거나 길도록 보조 전극 조절부에 의해 조절된다.  More specifically, the auxiliary electrode 130 is positioned closer to the upper electrode 111 than the lower electrode 113, and in particular, two auxiliary electrodes, that is, a gap between the first electrode 131 and the second electrode 133 Is adjusted by the auxiliary electrode adjuster so that the gap is equal to or longer than the length of at least one of the horizontal and vertical lengths of the substrate (W).

따라서 주 전극(110)과 보조 전극(130)에 의해 플라즈마의 밀도가 높아질 때, 두 개의 보조 전극(130)의 이격된 공간에 고밀도의 플라즈마가 기판(W)을 충분히 덮을 수 있는 면적만큼 형성되기 때문에 기판(W) 상에 플라즈마가 두께의 기복 없이 골고루 증착 될 수 있다.Therefore, when the density of the plasma is increased by the main electrode 110 and the auxiliary electrode 130, a high-density plasma is formed in an area spaced apart from the two auxiliary electrodes 130 by an area enough to cover the substrate W Therefore, the plasma can be evenly deposited on the substrate W without undulations of thickness.

이와 같은 결과는 도 3을 참조하여 보면 알 수 있는데, 도 3은 보조 전극의 위치에 따라 기판(W) 상에 플라즈막 박막 증착이 기판(W)의 중심을 기준(0cm) 어떠한 형태로 되는지 증착률로 보여주는 그래프이다.FIG. 3 shows the deposition of the plasma film on the substrate W according to the position of the auxiliary electrode. The plasma film is deposited on the substrate W in the form of a reference (0 cm) This is a graph showing the rate.

A, B, C, D의 순서대로 보조 전극(130)의 위치는 하부 전극(113)이 가까운 위치에서 상부 전극(111)이 가까운 위치로 변하는 것을 나타낸다. 그리고 A, B, C, D의 순서대로 보조 전극(130) 간의 이격된 거리가 기판(W)의 중심으로 기준으로 점점 멀어지는 것을 나타낸다.The position of the auxiliary electrode 130 in the order of A, B, C, and D indicates that the position of the upper electrode 111 is changed to a position close to the position of the lower electrode 113. The distances between the auxiliary electrodes 130 in the order of A, B, C, and D indicate that the distances between the auxiliary electrodes 130 gradually decrease toward the center of the substrate W.

따라서 도 3에 나타나는 바와 같이 보조 전극(130)이 하부 전극(113)과 가까이 위치하고 기판(W)의 중심을 기준으로 상호 간 가까이 구비되어 있으면 A 그래프 선과 같이, 박막이 기판(W)의 중심 영역에 집중되어 증착되어 기판(W)의 중심 영역의 박막은 두꺼워지는 한편 기판(W)의 외곽으로 갈수록 박막의 두께가 얇아지게 된다.3, when the auxiliary electrode 130 is positioned close to the lower electrode 113 and close to each other with respect to the center of the substrate W, a thin film is formed on the central region of the substrate W The thickness of the thin film in the center region of the substrate W becomes thick while the thickness of the thin film becomes thinner toward the outer periphery of the substrate W. [

그러나 본 실시예에서와 같이 보조 전극(130)을 상부 전극(111)과 가까이에 구비하고, 기판(W)의 중심을 기준으로 상호 간 멀리, 즉 기판(W)의 가로 및 세로 길이 방향 중 적어도 어느 한 방향의 길이와 같거나 그보다 길게 구비되어 있으면 D 그래프 선과 같이 기판(W)에 비슷한 증착률을 따라 박막이 증착된다.However, as in the present embodiment, the auxiliary electrode 130 may be provided in the vicinity of the upper electrode 111, and the auxiliary electrode 130 may be disposed at a distance from the center of the substrate W, that is, If the length is equal to or longer than the length in any one direction, the thin film is deposited along a similar deposition rate on the substrate W as shown by the D graph line.

한편, 상기 증착 공정이 수행됨에 따라 기판(W)에는 결정질 실리콘 박막이 증착된다. 참고로, 본 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 방법에서는 기판(W)에 결정질 실리콘 박막이 증착되도록 하는 적절한 조건을 설정할 수 있다.On the other hand, as the deposition process is performed, a crystalline silicon thin film is deposited on the substrate W. For reference, in the plasma substrate processing method according to the present embodiment, suitable conditions for depositing the crystalline silicon thin film on the substrate W can be set.

한편, 도 3에서는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 방법에서 주 전극에 공급할 공급 전력을 설정한 후 보조 전극에 공급할 공급 전력을 설정하는 것으로 설명하였으나, 이와 같은 주 전극 및 보조 전극에 대한 공급 전력 설정 순서는 다양하게 설정될 수 있으며 동시에 설정되는 것도 가능하다.3, the supply power to be supplied to the main electrode is set and the supply power to be supplied to the auxiliary electrode is set in the method of treating the plasma substrate according to the embodiment of the present invention. However, The power setting sequence can be set in various ways and can be set at the same time.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.It will be understood by those skilled in the art that the foregoing description of the present invention is for illustrative purposes only and that those of ordinary skill in the art can readily understand that various changes and modifications may be made without departing from the spirit or essential characteristics of the present invention. will be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

10: 챔버 110: 주 전극
111: 상부 전극 113: 하부 전극
130: 보조 전극 131: 제1 전극
133: 제2 전극 150: 전력 공급부
151: 주 전원 153: 보조 전원
170: 유체 공급부10: chamber 110: main electrode
111: upper electrode 113: lower electrode
130: auxiliary electrode 131: first electrode
133: second electrode 150: power supply unit
151: main power supply 153: auxiliary power supply
170:

Claims (10)

플라즈마 기판 처리 장치에 있어서,
상기 기판이 수납되는 챔버;
상기 챔버의 상부 및 하부에 서로 나란하게 각각 배치된 상부 전극 및 하부 전극을 포함하는 주 전극;
상기 주 전극 사이에 위치한 가상의 수평면을 따라서 서로 나란하게 배치된 일자 막대 형상의 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 보조 전극; 및
상기 상부 전극에 연결되는 제1 주 전원, 상기 하부 전극에 연결되는 제2 주 전원, 및 상기 보조전극에 연결되는 보조 전원을 포함하는 전력공급부를 포함하고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간격은 상기 기판의 너비와 같거나 길게 구비되고,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 하부 전극보다 상기 상부 전극과 가까운 위치에 구비되되, 상기 주 전극 사이의 공간을 가로지르도록 상기 챔버의 내벽과 소정의 간격을 두고 이격 배치되고,
상기 제1 주 전원에서 공급되는 전력의 크기에 대한 범위는 상기 제2 주 전원에서 공급되는 전력의 크기에 대한 범위보다 좁고,
상기 보조 전원은 상기 제1 주 전원 및 상기 제2 주 전원에서 공급되는 전력의 주파수보다 높은 극초단파 영역 주파수(UHF)의 전력을 공급하는 플라즈마 기판 처리 장치.In a plasma substrate processing apparatus,
A chamber in which the substrate is housed;
A main electrode including an upper electrode and a lower electrode arranged in parallel to each other at upper and lower portions of the chamber;
An auxiliary electrode including a first rod-shaped first electrode and a second electrode arranged in parallel to each other along a virtual horizontal plane positioned between the main electrodes; And
And a power supply unit including a first main power source connected to the upper electrode, a second main power source connected to the lower electrode, and an auxiliary power source connected to the auxiliary electrode,
Wherein a distance between the first electrode and the second electrode is equal to or greater than a width of the substrate,
Wherein the first electrode and the second electrode are disposed closer to the upper electrode than the lower electrode and spaced apart from the inner wall of the chamber so as to cross the space between the main electrodes,
The range of the power supplied from the first main power supply is narrower than the range of the power supplied from the second main power supply,
Wherein the auxiliary power supply supplies electric power of an ultra-high frequency region frequency (UHF) higher than a frequency of electric power supplied from the first main power supply and the second main power supply. 제1항에 있어서,
상기 주 전극과 상기 보조 전극에 의해,
상기 주 전극의 전기장과 상기 보조 전극의 전기장은 교차 형성되는 플라즈마 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
By the main electrode and the auxiliary electrode,
Wherein an electric field of the main electrode is crossed with an electric field of the auxiliary electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 보조 전극은, 상기 챔버의 일측 외부로부터 상기 챔버의 내부로 관통하여 구비되는 UHF 안테나인 플라즈마 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary electrode is a UHF antenna penetrating from one side of the chamber to the inside of the chamber. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 주 전원 및 상기 제 2 주 전원은 RF 전원이고,
상기 제 1 주 전원에서 공급되는 전력의 크기에 대한 범위는 80 ~ 120 W 로 설정되고,
상기 제 2 주 전원에서 공급되는 전력의 크기에 대한 범위는 10 ~ 180 W 로 설정되는 플라즈마 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first main power supply and the second main power supply are RF power supplies,
The range of the power supplied from the first main power source is set to 80 to 120 W,
And the range of the power supplied from the second main power source is set to 10 to 180 W. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 플렉시블(flexible) 기판 인 플라즈마 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate is a flexible substrate. 플라즈마 기판 처리 방법에 있어서,
기판이 수납된 챔버의 상부 및 하부에 서로 나란하게 각각 배치된 상부 전극 및 하부 전극을 포함하는 주 전극에 공급되는 주 전원의 전력 및 상기 주 전극 사이에 위치한 가상의 수평면을 따라서 서로 나란하게 배치된 일자 막대 형상의 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 보조 전극에 공급되는 보조 전원의 전력을 설정 및 공급하는 단계; 및
상기 챔버 내에 유체를 주입하는 단계를 포함하며,
상기 주 전원 및 상기 보조 전원의 전력을 설정 및 공급하는 단계에서
상기 상부 전극과 연결된 제1 주 전원에서 공급되는 전력의 크기에 대한 범위는 상기 하부 전극과 연결된 제2 주 전원에서 공급되는 전력의 크기에 대한 범위보다 좁고,
상기 보조 전원은 상기 주 전원에서 공급되는 전력의 주파수보다 높은 극초단파 영역 주파수(UHF)의 전력을 공급하고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간격은 상기 기판의 너비와 같거나 길게 구비되며,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 하부 전극보다 상기 상부 전극과 가까운 위치에 구비되되, 상기 주 전극 사이의 공간을 가로지르도록 상기 챔버의 내벽과 소정의 간격을 두고 이격 배치되는, 플라즈마 기판 처리 방법.A method for processing a plasma substrate,
The power supply of the main power source supplied to the main electrode including the upper electrode and the lower electrode arranged in parallel with each other on the upper and lower sides of the chamber in which the substrate is housed, Setting and supplying electric power of the auxiliary power supplied to the auxiliary electrode including the first electrode and the second electrode having a straight bar shape; And
Injecting a fluid into the chamber,
In the step of setting and supplying the power of the main power source and the auxiliary power source
The range of the power supplied from the first main power source connected to the upper electrode is narrower than the range of the power supplied from the second main power source connected to the lower electrode,
Wherein the auxiliary power supply supplies power of a microwave frequency region (UHF) higher than the frequency of the power supplied from the main power supply,
Wherein a distance between the first electrode and the second electrode is equal to or longer than a width of the substrate,
Wherein the first electrode and the second electrode are disposed closer to the upper electrode than the lower electrode and spaced apart from the inner wall of the chamber so as to cross the space between the main electrodes, Processing method. 제 9 항에 있어서,
상기 주 전원 및 상기 보조 전원의 전력을 설정 및 공급하는 단계는
상기 주 전원으로 10 ~ 20 MHz 범위의 주파수를 갖는 전력을 공급하고, 상기 보조 전원으로 300 ~ 850 MHz 의 주파수를 갖는 전력을 공급하는 플라즈마 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
And setting and supplying power of the main power source and the auxiliary power source
Supplying power having a frequency in a range of 10 to 20 MHz to the main power source and supplying power having a frequency of 300 to 850 MHz to the auxiliary power source.
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