KR101518398B1

KR101518398B1 - Substrate process apparatus

Info

Publication number: KR101518398B1
Application number: KR1020130151693A
Authority: KR
Inventors: 조국형
Original assignee: 참엔지니어링(주)
Priority date: 2013-12-06
Filing date: 2013-12-06
Publication date: 2015-05-08
Also published as: WO2015083884A1; CN105793959A; CN105793959B

Abstract

The present invention relates to a substrate process apparatus. It includes a chamber which supplies and extracts a substrate on a side and has a first space, an internal chamber which is arranged in the first space of the chamber and has a second space, a substrate support unit which is arranged in the internal chamber and supports the substrate, and a gas sprayer which sprays a gas to the substrate support unit. The internal chamber includes a first body fixed to an upper side in the chamber, a second body which is arranged in the lower side of the chamber to move vertically and has an exhaust hole formed in the center part of a bottom surface, and an exhaust body which is connected to the exhaust hole and has a gas exhaust path.

Description

[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate processing apparatus [

본 발명은 기판 지지 장치에 관한 것으로서, 상세하게는 기판 처리 공간의 환경 혹은 공정변수를 균일하고 대칭적으로 조절할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate supporting apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of uniformly and symmetrically adjusting the environment or process parameters of a substrate processing space.

반도체 메모리 등 각종 전자 소자는 다양한 박막이 적층되어 제조된다. 즉, 기판상에 각종 박막을 형성하며, 이처럼 형성된 박막을 사진-식각 공정을 사용하여 패터닝하여 소자 구조를 형성하게 된다. Various electronic devices such as semiconductor memories are manufactured by stacking various thin films. That is, various thin films are formed on a substrate, and the thin film thus formed is patterned using a photo-etching process to form a device structure.

박막은 재료에 따라 도전막, 유전체막, 절연막 등 있으며, 박막을 제조하는 방법 또한 매우 다양하다. 박막을 제조하는 방법으로는 크게 물리적 방법 및 화학적 방법 등이 있다. 최근에는 효율적인 박막 제조를 위하여 제조 공정 중에 기판에 열을 인가하는 방식, 플라즈마를 활용하는 방식 등을 사용하고 있다. 플라즈마를 활용하여 기판에 박막을 제조하는 경우, 박막 제조 온도를 낮추고 박막 증착 속도를 증가시킬 수 있다. The thin film is a conductive film, a dielectric film, an insulating film, etc. depending on the material, and the method of manufacturing the thin film is also very various. Methods for producing thin films include physical methods and chemical methods. Recently, a method of applying heat to a substrate or a method of utilizing plasma during a manufacturing process has been used for manufacturing an efficient thin film. When a thin film is produced on a substrate by using plasma, it is possible to lower the manufacturing temperature of the thin film and increase the thin film deposition rate.

일반적인 박막 제조 장치는 기판이 반입되고 공정이 수행되는 내부 공간을 형성하는 챔버, 챔버 내에 배치되고 기판이 지지되어 가열되는 기판 지지대, 기판 지지대에 공정 가스를 공급하는 가스 분사부를 포함한다. 또한, 챔버는 배기관 및 배기펌프와 연결되어, 챔버의 내부 공간에 진공 분위기를 형성할 수 있다. 기판은 기판 지지대 상부에 로딩되고, 가스 분사부로부터 분사된 공정 가스가 기판상에 흡착 및 반응하여 각종 박막으로 제조된다. 여기서 기판 지지대를 가열하고 챔버 내에 플라즈마를 형성하여 박막 증착을 촉진한다. A general thin-film manufacturing apparatus includes a chamber forming an internal space into which a substrate is introduced and a process is performed, a substrate support placed in the chamber and heated and supported, and a gas injection portion supplying a process gas to the substrate support. Further, the chamber may be connected to an exhaust pipe and an exhaust pump to form a vacuum atmosphere in the inner space of the chamber. The substrate is loaded on top of the substrate support, and the process gas injected from the gas injection portion adsorbs and reacts on the substrate to produce various thin films. Wherein the substrate support is heated and a plasma is formed in the chamber to facilitate thin film deposition.

그러나, 이러한 박막 제조 장치는 공정이 진행되는 챔버 내에서 가스 흐름, 온도 분포, 플라즈마 상태 등의 공정 변수를 원하는 상태로 조절하기 어렵다는 문제가 야기 된다. However, such a thin film manufacturing apparatus has a problem that it is difficult to control process parameters such as gas flow, temperature distribution, plasma state, etc. in a desired state in a chamber in which the process proceeds.

예를 들면, 박막 제조 장치는 내부 공간의 압력을 조절하고 주입되는 가스를 배기시키 위하여 챔버 일측 하부에 배기관이 연결되는 데, 이로부터 챔버의 상부 영역의 가스 분사부에서 기판을 향해 공급되는 가스가 배기관을 향하는 방향으로 흐르게 되므로 기판 상부에서 가스의 흐름이 균일하게 유지되지 않게 된다. 또한, 챔버의 측벽 일부에는 기판이 반입되거나 반출되는 기판 반입구가 형성되는 데, 이로부터 챔버 내부 공간의 구조에 비대칭성이 야기되고, 가스 흐름, 온도 분포 등에 비대칭성이 발생한다.For example, in the thin film production apparatus, an exhaust pipe is connected to a lower portion of one side of the chamber to regulate the pressure of the inner space and to exhaust the gas to be injected, and a gas supplied from the gas injection portion of the upper region of the chamber to the substrate The gas flows in the direction toward the exhaust pipe, so that the gas flow is not uniformly maintained at the upper portion of the substrate. Further, a substrate inlet port through which the substrate is carried in or out is formed in a part of the side wall of the chamber, resulting in asymmetry in the structure of the chamber interior space, and asymmetry in gas flow, temperature distribution and the like.

이처럼 챔버 환경 혹은 각종 공정 변수에 불균일성 또는 비대칭성이 야기되면, 기판상에 박막의 두께 및 막질 등을 균일하게 제조하기 어렵게 된다. 또한, 이러한 박막의 불균일성은 제조되는 각종 소자의 특성을 악화시키게 된다.
If unevenness or asymmetry is caused in the chamber environment or various process parameters, it is difficult to uniformly produce the thickness and the film quality of the thin film on the substrate. In addition, the non-uniformity of such a thin film deteriorates the characteristics of various devices to be manufactured.

본 발명은 기판 처리 공간에서 공정 환경 혹은 각종 공정 변수를 균일하게 제어할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명은 기판 처리 공간에서 각종 공정 변수를 대칭적으로 분포시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus capable of uniformly controlling a process environment or various process parameters in a substrate processing space. The present invention provides a substrate processing apparatus capable of symmetrically distributing various process parameters in a substrate processing space.

본 발명은 기판상에 박막을 균일하게 제조할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus capable of uniformly manufacturing a thin film on a substrate.

본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는 일측에서 기판이 입출 가능하고, 내부에 제1 공간을 형성하는 챔버, 상기 챔버 내부의 제1 공간에 배치되고, 내부에 제2 공간을 형성하는 내부 챔버, 상기 내부 챔버의 내부에 배치되고 상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지대, 상기 기판 지지대의 상부에 배치되고 상기 기판 지지대에 가스를 분사하기 위한 가스 분사기를 포함하고, 상기 내부 챔버는 상기 챔버 내 상측에 고정되는 제1 바디, 상기 제1 바디 하측에 배치되며 상하이동 가능하며 바닥면 중앙부에는 배기홀이 형성된 제2 바디 및 상기 배기홀과 연결되고 내부에 가스 배기 경로를 형성하는 배기 바디를 포함한다. 이때, 상기 제1 바디와 상기 제2 바디가 결합되어 상기 제2 공간을 상기 제1 공간에 대하여 고립시키는 고립 공간으로 형성할 수 있다. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is a substrate processing apparatus including a chamber which is capable of inputting and outputting a substrate from one side and forming a first space therein, a second chamber disposed in the first space inside the chamber, A chamber, a substrate support disposed within the interior chamber for supporting the substrate, and a gas injector disposed above the substrate support and for injecting gas into the substrate support, wherein the inner chamber is located above the chamber A second body disposed below the first body and movable up and down, an exhaust hole formed in the center of the bottom, and an exhaust body connected to the exhaust hole and forming a gas exhaust path therein . At this time, the first body and the second body may be coupled to each other to form an isolation space for isolating the second space from the first space.

상기 챔버의 바닥면 중앙부에는 배기 포트가 연결되며, 상기 배기 포트 내측에 상기 배기 바디가 위치할 수 있다. 상기 배기 바디는 상측 측벽에 형성되고 상기 제1 공간과 상기 가스 배기 경로를 연통시키는 제1홀 및 하측 측벽에 형성되고 상기 가스 배기 경로와 상기 배기 포트를 연통시키는 제2홀을 포함할 수 있다. An exhaust port is connected to the center of the bottom surface of the chamber, and the exhaust body may be located inside the exhaust port. The exhaust body may include a first hole formed in the upper side wall and communicating the first space and the gas exhaust path, and a second hole formed in the lower side wall and communicating the gas exhaust path and the exhaust port.

또한, 상기 배기 바디는 상하 방향으로 연장 형성되는 중공관 구조일 수 있고, 상기 배기홀와 연결되는 상부 영역과 상기 상부 영역 보다 직경이 작은 하부 영역을 포함할 수 있으며, 상기 상부 영역의 바닥면에는 상하로 관통하는 제3홀이 형성될 수 있다. 상기 배기 포트는 일측면에서 외부의 배기부과 연결될 수 있다. The exhaust body may have a hollow tube structure extending vertically and may include an upper region connected to the exhaust hole and a lower region having a smaller diameter than the upper region, A third hole may be formed. The exhaust port may be connected to an external exhaust part at one side.

상기 가스 분사기는 상기 기판 지지대를 마주보며 복수의 분사홀이 형성되는 분사판, 상기 분사판의 상측에 형성되고 가스 공급관과 연결되는 상부판 및 상기 분사판과 상기 상부판 사이에 형성되며 가스가 통과하는 복수의 분배홀이 형성되는 분배판을 포함할 수 있다. The gas injector includes an injection plate facing the substrate support and formed with a plurality of injection holes, an upper plate formed on the upper side of the injection plate and connected to the gas supply pipe, and a gas passage formed between the injection plate and the upper plate. And a distribution plate on which a plurality of distribution holes are formed.

상기 분배판은 중심을 포함하고 상기 분배홀이 형성되지 않는 내측 영역, 상기 내측 영역의 외측에 형성되며 상기 분배홀들이 형성되는 중간 영역, 상기 중간 영역의 외측에 형성되고 가장자리로 갈수록 상기 분배홀들 사이의 간격이 멀어지는 외측 영역을 포함할 수 있다. 또한, 상기 분배판은 중심을 포함하고 상기 분배홀이 형성되지 않는 내측 영역, 상기 내측 영역의 외측에 형성되며 위치에 따라 서로 다른 간격으로 상기 분배홀들이 형성되는 중간 영역, 상기 중간 영역의 외측에 형성되고 복수의 분배홀이 형성된 외측 영역을 포함할 수 있다. Wherein the distribution plate includes an inner region including a center and an outer region where the distribution holes are not formed, an intermediate region formed outside the inner region and formed with the distribution holes, an outer region formed outside the middle region, As shown in FIG. The distribution plate may include an inner region including a center and an outer region where the distribution holes are not formed, an intermediate region formed outside the inner region, the distribution holes being formed at different intervals depending on positions, And an outer region formed and formed with a plurality of distribution holes.

상기 외측 영역의 면적은 상기 내측 영역 및 상기 중간 영역의 면적의 합 보다 클 수 있다. 상기 중간 영역은 상기 내측 영역과 접하며 복수의 분배홀이 형성되는 제1 중간 영역 및 상기 외측 영역과 접하며 상기 제1 중간 영역보다 가까운 간격으로 분배홀들이 형성되는 제2 중간 영역을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 중간 영역보다 상기 제2 중간 영역에서 단위 면적당 분배홀의 개수인 분배홀의 밀도가 더 높일 수 있고, 상기 제2 중간 영역보다 상기 외측 영역이 분배홀의 밀도가 더 낮을 수 있다. The area of the outer region may be greater than the sum of the areas of the inner region and the middle region. The intermediate region may include a first intermediate region contacting the inner region and forming a plurality of distribution holes, and a second intermediate region contacting the outer region and forming distribution holes at a distance closer to the first intermediate region. At this time, the density of distribution holes, which is the number of distribution holes per unit area in the second intermediate region, may be higher than that of the first intermediate region, and the density of the distribution holes may be lower than that of the second intermediate region.

또한, 상기 외측 영역에서 상기 분배홀은 방사상으로 배치될 수 있고, 상기 가스 공급관의 직경은 상기 내측 영역의 직경 보다 크고, 상기 제1 중간 영역의 외경 보다 작거나 같을 수 있다. The distribution hole may be disposed radially in the outer region, and the diameter of the gas supply pipe may be larger than the diameter of the inner region and smaller than or equal to the outer diameter of the first middle region.

본 발명의 실시 형태에 따르면, 챔버 내부에 기판이 처리되는 고립된 공정 공간을 대칭적 구조로 형성하므로, 공정 공간의 환경을 대칭적으로 형성하고, 가스 흐름이나 온도 등 각종 공정 변수를 대칭적으로 균일하게 분포시킬 수 있다. According to the embodiment of the present invention, since the isolated process space in which the substrate is processed in the chamber is formed into a symmetrical structure, the environment of the process space is formed symmetrically and various process parameters such as gas flow and temperature are symmetrically It can be uniformly distributed.

또한, 챔버 내부의 별도의 고립 공간은 기판 처리 공간의 부피를 감소시켜며, 이로부터 박막 증착 속도를 증가시키고, 가스 사용량을 감소시킬 수 있다. 또한, 공정 공간의 부피가 감소됨에 의해 챔버 세정을 신속하고 용이하게 수행할 수 있다. Further, a separate isolation space inside the chamber reduces the volume of the substrate processing space, thereby increasing the film deposition rate and reducing gas consumption. Further, the volume of the process space is reduced, so that the chamber cleaning can be performed quickly and easily.

또한, 공정 공간의 하부 중심부에 형성된 배기홀부터 배기를 수행하므로, 가스 분사기를 통해 챔버 내로 진입한 가스가 최단 경로를 거쳐서 배기홀을 통해 챔버의 외부로 배출될 수 있다. 따라서, 반응 부산물로 인해서 원하지 않는 막이 가스 이동 경로 상에 위치한 부재 상에 형성되는 것이 억제될 수 있다. Further, since the exhaust gas is exhausted from the exhaust hole formed in the lower central portion of the process space, the gas entering the chamber through the gas injector can be discharged to the outside of the chamber through the exhaust hole through the shortest path. Thus, due to the reaction byproduct, the formation of an undesired film on the member positioned on the gas movement path can be suppressed.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따르면, 가스 분사기 내에서 가스를 균일하게 분포시켜 기판으로 분사하므로, 공정 공간에 가스를 더욱 균일하게 공급하고 분포시킬 수 있다. Further, according to the embodiment of the present invention, since the gas is uniformly distributed in the gas injector and injected into the substrate, the gas can be more uniformly supplied and distributed in the process space.

이처럼, 가스 흐름 등의 공정 변수를 균일하고 대칭적으로 제어하여, 기판에 형성되는 박막의 두께를 기판의 거의 전체 영역에 걸쳐서 균일하게 제조할 수 있고, 제조되는 박막의 특성도 영역별로 거의 동일하거나 유사하게 제어할 수 있다. 이로부터 기판에 형성되는 박막의 품질을 향상시킬 수 있다. As described above, it is possible to uniformly and symmetrically control the process parameters such as the gas flow, to uniformly manufacture the thickness of the thin film formed on the substrate over almost the whole area of the substrate, Similar control is possible. From this, the quality of the thin film formed on the substrate can be improved.

또한, 공정 공간을 감소시켜, 작은 가스량으로 박막을 제조할 수 있고, 가스 사용량을 줄여 저비용으로 생산성을 향상시킬 수 있다.
Further, the process space can be reduced, a thin film can be manufactured with a small gas amount, and the productivity can be improved at a low cost by reducing the amount of gas used.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 장치의 내부를 개략적으로 보여주는 단면 사시도
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 가스 분사기의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도
도 4는 도 3의 가스 분사기에서 분배판을 도시한 개략 평면도
도 5는 본 발명의 실시 예의 기판 처리 장치에서 기판이 로딩되는 과정을 표시하는 개념도
도 6은 본 발명의 실시 예의 기판 처리 장치 내부에서 기판이 처리되는 과정을 표시하는 개념도1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
2 is a cross-sectional perspective view schematically illustrating the inside of a substrate supporting apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a gas injector according to an embodiment of the present invention
Figure 4 is a schematic plan view showing the distribution plate in the gas injector of Figure 3;
5 is a conceptual diagram showing a process of loading a substrate in the substrate processing apparatus of the embodiment of the present invention
6 is a conceptual diagram showing a process of processing a substrate in the substrate processing apparatus of the embodiment of the present invention

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 각 구성요소를 명확하게 표현하기 위하여 두께 혹은 크기를 과장하거나 확대하여 표현하였으며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. In the drawings, the thickness or size is exaggerated or enlarged to clearly illustrate each component, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 장치의 내부를 개략적으로 보여주는 단면 사시도이다.
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional perspective view schematically showing the inside of a substrate supporting apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 일측에서 기판(S)이 입출 가능하고, 내부에 제1 공간(130)을 형성하는 챔버(100), 챔버(100) 내부의 제1 공간(130)에 배치되고, 내부에 제2 공간(240)을 형성하는 내부 챔버(200), 내부 챔버(200)의 내부에 배치되고 기판(S)을 지지하기 위한 기판 지지대(510), 기판 지지대(510)의 상부에 배치되고 기판 지지대(510)에 가스를 분사하기 위한 가스 분사기(300)를 포함한다. 여기서, 내부 챔버(200)는 챔버(100) 내 상측에 고정되는 제1 바디(220), 제1 바디(220) 하측에 배치되며 상하이동 가능한 제2 바디(210)를 포함하고, 제1 바디(220)와 제2 바디(210)가 결합되어 제2 공간을 제1 공간에 대하여 고립시키는 고립 공간으로 형성한다. 1 and 2, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber 100 in which a substrate S is allowed to enter and exit from one side and a first space 130 is formed therein, a chamber 100, An inner chamber 200 disposed in the first inner space 130 and defining a second space 240 therein, a substrate support disposed within the inner chamber 200 for supporting the substrate S 510), and a gas injector (300) disposed above the substrate support (510) and for injecting gas to the substrate support (510). The inner chamber 200 includes a first body 220 fixed on the upper side of the chamber 100 and a second body 210 disposed on the lower side of the first body 220 and movable up and down. The first body 220 and the second body 210 are coupled to each other to form an isolated space that isolates the second space from the first space.

또한, 기판 처리 장치는 기판 지지대(510)를 받치고 이를 이동시키는 회전축(520) 및 챔버(100) 내의 진공 분위기를 형성하는 진공 형성부(700)를 포함한다. 또한, 가스 분사기(300)는 전원 공급기(600)와 연결되어 상부 전극으로의 역할도 수행할 수 있다. 즉, 전원이 인가되면 기판 지지대(510)와의 사이에 플라즈마를 형성시키는 상부 전극으로 기능할 수 있다. The substrate processing apparatus also includes a rotation shaft 520 for supporting and moving the substrate support 510 and a vacuum forming unit 700 for forming a vacuum atmosphere in the chamber 100. In addition, the gas injector 300 may be connected to the power supply 600 to serve as an upper electrode. That is, when the power is applied, the upper electrode may function as a plasma to form a plasma between the substrate support 510 and the substrate support 510.

이러한, 기판 처리 장치는 챔버(100) 내에 기판(S)을 로딩시킨 후, 기판(S)상에 각종 처리를 행하는 장치로 예컨대 챔버(100) 내에서 반도체 소자를 제조하기 위해서 웨이퍼를 로딩하고, 가스 분사기(300)로 공정 가스를 공급하여, 웨이퍼 상에 박막을 제조할 수 있다. Such a substrate processing apparatus loads a substrate S into a chamber 100 and then loads the wafer to manufacture semiconductor devices in the chamber 100, for example, as an apparatus for performing various processes on the substrate S, The process gas is supplied to the gas injector 300 to form a thin film on the wafer.

챔버(100: 110, 120)는 상부가 개방된 본체(110)와, 본체(110)의 상부에 개폐 가능하게 설치되는 탑리드(120)를 구비한다. 탑리드(120)가 본체(110)의 상부에 결합되어 본체(110) 내부를 폐쇄하면, 챔버(100)의 내부에는 예컨대 증착 공정 등 기판(W)에 대한 처리가 행해지는 공간이 형성된다. 공간은 일반적으로 진공 분위기로 형성되므로 챔버(100)에는 배기부가 연결된다. 예를들면, 챔버(100)의 소정 위치 예컨대 챔버(100)의 바닥면이나 측면에는 공간에 존재하는 가스의 배출을 위한 배기관이(720)이 연결되어 있고, 배기관(720)은 진공 펌프(710)에 연결된다. The chamber 100 includes a main body 110 having an opened top and a top lead 120 provided on the top of the main body 110 to be openable and closable. When the top lead 120 is coupled to the upper portion of the main body 110 to close the main body 110, a space for processing the substrate W such as a deposition process is formed inside the chamber 100. Since the space is generally formed in a vacuum atmosphere, the exhaust part is connected to the chamber 100. For example, an exhaust pipe 720 for exhausting gas existing in the space is connected to a predetermined position of the chamber 100, for example, the bottom surface or side surface of the chamber 100, and the exhaust pipe 720 is connected to a vacuum pump 710 .

또한, 본체(110)의 바닥면에는 후술할 기판 지지대(510)의 회전축(520) 및 내부 챔버(200)의 배기 바디(230)가 통과될 수 있는 관통공이 형성되어 있다. 여기서 관통공은 챔버(100), 정확하게는 챔버 본체(110)의 바닥면 중앙부를 관통하도록 형성되는 구멍으로 챔버(100) 내부의 가스를 배출하는 배기 포트(140)의 역할도 수행할 수 있다. 또한 배기 포트(140)는 본체(110)의 바닥면의 하부 방향으로 연장되는 배기 공간을 형성하며, 배기 공간은 일측에서 외부의 배기부와 연결될 수 있다. 예를들면 배기 포트(140) 하부 일측면에서 연결관(150)을 통하여 외부의 배기관(720)과 연결될 수 있다. 또한, 본체(110)의 측벽에는 기판(S)을 챔버(100) 내부로 반입하거나, 외부로 반출하기 위한 개구부(111)가 형성되며 개구부(111) 외측에는 게이트 밸브(900)가 장착될 수 있다. The bottom surface of the main body 110 is formed with a through hole through which the rotation shaft 520 of the substrate support 510 and an exhaust body 230 of the inner chamber 200 can pass. Here, the through hole can also serve as an exhaust port 140 for exhausting the gas in the chamber 100 into the chamber 100, that is, a hole formed to penetrate the center of the bottom surface of the chamber body 110. Further, the exhaust port 140 forms an exhaust space extending downward from the bottom surface of the main body 110, and the exhaust space can be connected to the exhaust part from one side. For example, the exhaust pipe 140 may be connected to an exhaust pipe 720 through a connection pipe 150 at a lower side of the exhaust port 140. An opening 111 for carrying the substrate S into or out of the chamber 100 is formed on the side wall of the main body 110 and a gate valve 900 may be mounted outside the opening 111 have.

상기에서는 본체(110)와 탑리드(120)를 구비하는 챔버(100)를 설명하였으나, 챔버의 구조는 이에 한정되지 않고 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 본체(110)와 탑리드(120)가 일체형으로 제조될 수도 있다. 또한, 상기에서는 배기 포트(140), 연결관(150), 배기관(720)이 연결되는 배기 구조를 설명하였으나, 챔버 배기 구조는 챔버 하부 중앙부를 통하여 배기하는 구조라면 다양한 변경이 가능하다. Although the chamber 100 including the main body 110 and the top lead 120 has been described above, the structure of the chamber is not limited thereto and may be variously changed. For example, the main body 110 and the top lead 120 may be integrally manufactured. Although the exhaust structure in which the exhaust port 140, the connection pipe 150, and the exhaust pipe 720 are connected to each other has been described above, various modifications can be made as long as the exhaust structure is exhausted through the center of the lower portion of the chamber.

내부 챔버(200)는 챔버(100)와 별도의 부재로 챔버(100) 내부에 설치되어 기판(S)이 실질적으로 처리되는 고립 공간을 형성한다. 즉, 고립 공간은 외부에 대하여 챔버(100)가 형성하는 제1 공간(130) 내에서, 제1 공간(130)과 차단되는 별도의 제2 공간(240)으로 형성되며, 그 내부에서 박막 증착 등의 기판 처리 공정이 수행된다. 이러한 내부 챔버(200)는 챔버(100) 내 상측에 고정되는 고정 바디인 제1 바디(220), 제1 바디(220)의 하측에 배치되며 상하이동 가능한 이동 바디인 제2 바디(210)를 포함하고, 제1 바디(220)와 제2 바디(210)가 결합되어 제2 공간(240)을 형성한다. The inner chamber 200 is installed inside the chamber 100 as a separate member from the chamber 100 to form an isolated space in which the substrate S is substantially processed. That is, the isolation space is formed as a separate second space 240 that is isolated from the first space 130 in the first space 130 formed by the chamber 100 with respect to the outside, and a thin film deposition And the like are performed. The inner chamber 200 includes a first body 220 as a fixed body fixed on the upper side of the chamber 100, a second body 210 as a movable body which is disposed below the first body 220 and is movable up and down The first body 220 and the second body 210 are combined to form a second space 240.

여기서, 제1 바디(220)는 본체(110)의 상측에 고정될 수 있고, 본체(110) 상측의 내벽을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 예를들면 제1 바디(220)는 환형의 링 형태로 제조될 수 있다. 제2 바디(210)는 상하로 이동하면서 상부면이 제1 바디(220)의 하부면과 접촉하여 제1 바디(220)에 결합될 수 있다. 이때, 제2 바디(210)의 상부면에는 결합부가 형성될 수 있다. 또한, 제2 바디(210)는 용기 형상으로, 기판 지지대(510)의 하면과 일정 간격 이격되는 바닥면(211) 및 바닥면(211)의 가장자리에서 상부 방향으로 연장되며 기판 지지대(510)의 측면과 일정 간격으로 이격되는 측벽(212)을 구비할 수 있다. 즉, 제2 바디(210)는 기판(S)이나 기판 지지대(510)의 중심에서 대하여 점대칭 구조를 이루는 형상일 수 있다. 제2 바디(210)의 측벽(212)는 상방으로 갈수록 두께가 두꺼워지며, 상부면(213)에는 제1 바디(220)의 하부면과 결합되는 결합부(214)가 구비될 수 있다. 예를들면, 제2 바디의 상부면(213)에는 상측으로 돌출되는 돌기가 형성될 수 있고, 이경우 제1 바디(220)의 하부면에는 상기 돌기에 대응하여 돌기가 삽입될 수 있는 오목홈이 형성될 수 있다. 물론 이와 반대로 제2 바디(210)의 상부면(213)에 오목홈이 형성되고, 제1 바디(220)의 하부면에 하방으로 돌출되는 돌기가 형성될 수도 있다. 이러한 결합부는 제1 바디(220)와 제2 바디(210)의 밀착성을 향상시키며, 양 부재의 결합을 용이하게 한다. 또한, 제1 바디(220)와 제2 바디(210) 중 적어도 하나 혹은 모두는 세라믹 재질로 제조될 수 있다. 이러한 세라믹 재질은 보온성, 열적 안정성 및 내식성이 우수하여, 내부 챔버(200)가 형성하는 제2 공간에서 다양한 공정이 수행될 수 있도록 한다. Here, the first body 220 may be fixed on the upper side of the main body 110, and may be formed to surround the inner side of the upper side of the main body 110. For example, the first body 220 can be manufactured in the form of an annular ring. The second body 210 may be coupled to the first body 220 by contacting the lower surface of the first body 220 with the upper surface moving up and down. At this time, a coupling part may be formed on the upper surface of the second body 210. The second body 210 includes a bottom surface 211 spaced apart from the bottom surface of the substrate support 510 and a bottom surface 211 extending upward from the edge of the bottom surface 211, And a side wall 212 spaced apart from the side surface at regular intervals. That is, the second body 210 may have a point-symmetrical configuration with respect to the center of the substrate S or the substrate support 510. The side wall 212 of the second body 210 may be thicker toward the upper side and the upper side 213 may have a coupling portion 214 coupled to the lower side of the first body 220. For example, the upper surface 213 of the second body may have a projection protruding upward. In this case, the lower surface of the first body 220 may have a concave groove, into which the projection may be inserted, . Of course, on the contrary, a concave groove may be formed on the upper surface 213 of the second body 210, and a protrusion projecting downwardly may be formed on the lower surface of the first body 220. This coupling part improves the adhesion between the first body 220 and the second body 210 and facilitates the coupling of both members. At least one or both of the first body 220 and the second body 210 may be made of a ceramic material. Such a ceramic material is excellent in thermal insulation, thermal stability and corrosion resistance, so that various processes can be performed in a second space formed by the inner chamber 200.

상기한 바와 같이, 챔버(100)의 일측에는 기판(S)이 반출입되는 개구부(111)가 형성되어 있어, 제1 공간(130)은 개구부(111) 부근에서 대칭성이 유지되지 않게 된다. 반면, 내부 챔버(200)의 구조에 의하여, 제2 공간(240)은 기판 혹은 지지대의 중심에 대하여 대칭적 구조로 형성된다. 또한, 제2 공간(240)은 이중 챔버 구조의 내부 공간이므로 기판 지지대(510)를 가열하는 경우 기판 지지대(510) 및 그 주변을 균일하고 고온으로 유지될 수 있도록 한다. 이처럼 제1 공간과 차단되고 대칭성이 유지되며, 보온성이 우수한 제2 공간에서 기판 처리가 수행되는 경우, 균일한 처리가 수행될 수 있다. 예를 들면, 기판상에 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있다. 또한, 제2 공간은 제1 공간보다 적은 부피를 가질 수 있다. 이처럼 제2 공간(240)을 적은 부피로 형성하면, 제2 공간에 유입되는 처리 가스가 기판(S)에 신속하게 도달할 수 있어 기판상에 증착되는 박막의 증착 속도를 향상시킬 수 있고, 작은 량의 처리 가스로 공정을 수행할 수 있다. 또한, 박막 증착 공정에 의하여 내부 챔버(200)의 내부벽에 부산물이 형성되더라도, 상대적으로 챔버(100) 보다는 내부 챔버(200)가 높은 온도로 유지되고 부산물이 안정적으로 형성되어 내부 챔버(200) 를 쉽고 빠르게 세정할 수 있게 되어 생산성으로 높일 수 있게 된다.
The symmetry of the first space 130 in the vicinity of the opening 111 is not maintained because the opening portion 111 through which the substrate S is carried in and out is formed on one side of the chamber 100 as described above. On the other hand, by the structure of the inner chamber 200, the second space 240 is formed in a symmetrical structure with respect to the center of the substrate or the support. Further, since the second space 240 is an inner space of the dual chamber structure, the substrate support 510 and the periphery thereof can be kept uniform and hot when the substrate support 510 is heated. In the case where the substrate processing is performed in the second space which is blocked and symmetrical with the first space and is excellent in thermal insulation, the uniform processing can be performed. For example, a thin film having a uniform thickness can be formed on a substrate. Also, the second space may have a volume less than the first space. The second space 240 has a small volume so that the processing gas flowing into the second space can quickly reach the substrate S, thereby improving the deposition rate of the thin film deposited on the substrate, The process can be performed with an amount of the process gas. Even if the by-product is formed on the inner wall of the inner chamber 200 by the thin film deposition process, the inner chamber 200 is maintained at a relatively higher temperature than the chamber 100 and the by-products are stably formed, It can be cleaned easily and quickly, and productivity can be increased.

한편, 제2 바디의 바닥면(211)의 중앙부에는 배기홀(219)이 형성되며, 배기홀(219)은 내부에 가스가 이동하는 배기 경로를 형성하는 배기 바디(230)와 연결될 수 있다. 배기 바디(230)는 상하 방향으로 연장 형성되는 중공관 구조이며, 배기홀(219)와 연결되는 상부 영역(213)과 상부 영역(231) 보다 직경이 작은 하부 영역(232)을 포함할 수 있다. 이때, 배기 바디(230)를 상하로 관통하는 경로 즉, 중공관의 내부 경로가 가스가 배출되는 배기 경로가 된다. 배기 바디(230)는 상측 측벽, 즉 상부 영역(231)의 측벽에 형성되고 제1 공간(130)과 상기 배기 경로를 연통시키는 복수의 제1홀(233), 하측 측벽 즉 하부 영역(232)의 측벽에 형성되고 상기 배기 경로와 배기 포트(140)를 연통시키는 복수의 제2홀(234) 및 상부 영역의 바닥면에 형성되어 상하로 관통되는 복수의 제3홀(235)를 포함한다. 이때, 제1홀(233)과 제3홀(235)는 연결될 수도 있고, 분리되어 따로 형성될 수도 있다. 이로부터, 가스 분사기(300)로부터 도입된 가스는 제2 공간(240)에서 기판 처리 공정에 활용되며, 제2 공간(240)으로부터 상술된 배기 바디(230)을 통하여 외부로 배출된다. 즉, 가스는 기판 지지대(510)와 내부 챔버(200) 내측벽 사이의 공간을 통과하고, 기판 지지대(510)와 내부 챔버(200) 바닥면 사이의 공간을 통과하고, 배기홀(219) 및 배기 바디(230)를 통과하여 배기 포트(140) 및 외부 배기관으로 배출된다. 이때, 배기 바디(230)를 통과하는 가스는 상하로 연장되는 배기 경로를 바로 통과하고 제2홀(234)을 통과하여 배기 포트(140)로 흐를 수도 있고, 배기 바디(230)의 제3홀(233)을 통과하여 배기 포트(140)로 흐를 수도 있다. 한편, 챔버(100) 즉, 제1 공간(130)에 존재하거나 유입된 가스는 배기 바디(230) 상측을 관통하는 제1홀(233)을 통과하고 배기 경로를 통하여 배기 포트(140)로 흐를 수도 있고, 제1홀(233) 및 제3홀을 통하여 배기 포트(140)로 흐를 수도 있다. An exhaust hole 219 is formed at the center of the bottom surface 211 of the second body and the exhaust hole 219 may be connected to an exhaust body 230 forming an exhaust path through which gas flows. The exhaust body 230 may have a hollow tube structure extending in the vertical direction and may include an upper region 213 connected to the exhaust hole 219 and a lower region 232 having a smaller diameter than the upper region 231 . At this time, a path passing through the exhaust body 230 up and down, that is, an internal path of the hollow tube becomes an exhaust path through which gas is exhausted. The exhaust body 230 includes a plurality of first holes 233 formed in the upper sidewall, that is, a sidewall of the upper region 231 and communicating the first space 130 with the exhaust path, a lower sidewall, And a plurality of third holes 235 formed in the bottom surface of the upper region and passing through the upper and lower portions. At this time, the first hole 233 and the third hole 235 may be connected or separately formed. The gas introduced from the gas injector 300 is utilized in the substrate processing process in the second space 240 and discharged from the second space 240 to the outside through the exhaust body 230 described above. The gas passes through the space between the substrate support 510 and the sidewall of the inner chamber 200 and passes through the space between the substrate support 510 and the bottom surface of the inner chamber 200 and through the exhaust holes 219 and Passes through the exhaust body 230, and is discharged to the exhaust port 140 and the external exhaust pipe. At this time, the gas passing through the exhaust body 230 may pass through the exhaust path extending vertically and flow through the second hole 234 to the exhaust port 140, and the third hole of the exhaust body 230 The exhaust gas may pass through the exhaust port 233 and flow to the exhaust port 140. The gas existing in the chamber 100 or the first space 130 flows into the exhaust port 140 through the first hole 233 passing through the exhaust body 230, And may flow to the exhaust port 140 through the first hole 233 and the third hole.

상기에서 각 부재의 중앙부는 각 부재의 중심점을 포함하고, 외측으로 확장되는 소정 영역을 포함한다. 이때 소정 영역의 면적은 부재의 크기에 따라 변동될 수 있고 특별히 한정되지 않으며, 가스 배출 흐름을 중심 방향으로 유도할 수 있으면 된다. 또한, 배기 바디(230)는 제2 바디(210)과 일체형으로 형성될 수도 있고, 별도 부재로 제작되어 제2 바디(210)에 결합될 수도 있다. 배기 바디(230)는 챔버(100) 외부의 구동축(미도시) 및 구동 수단(미도시)과 연결되어 이들의 동작에 의하여 상하로 이동할 수 있고, 이로부터 제2 바디(210)를 상하로 이동시킬 수 있다. 또한, 배기 포트(140)는 챔버(100)의 하측에 일체로 형성될 수도 있고, 별도의 부재로 제작되어 챔버(100) 하면에 장착될 수도 있다.In the above, the central portion of each member includes the center of each member, and includes a predetermined region extending outwardly. At this time, the area of the predetermined region may vary according to the size of the member and is not particularly limited, and it is sufficient if the gas discharge flow can be guided to the center direction. The exhaust body 230 may be formed integrally with the second body 210, or may be formed as a separate member and coupled to the second body 210. The exhaust body 230 is connected to a driving shaft (not shown) and a driving means (not shown) outside the chamber 100 and can move up and down by the operation of the driving body 230. The second body 210 is moved up and down . The exhaust port 140 may be integrally formed on the lower side of the chamber 100 or may be mounted on the lower surface of the chamber 100 by a separate member.

상기한 바와 같이, 챔버(100) 및 내부 챔버(200)의 하부 중앙부에 배기 구조가 형성되므로, 가스의 배기를 하부 중앙부를 통하여 수행할 수 있고, 챔버(100) 및 내부 챔버(200)의 각 위치로부터 배기 구조까지의 배기 경로를 대칭적으로 균일하게 유지할 수 있다. 이로부터 배기의 편중에 의해 발생되는 가스 흐름의 불균일성 혹은 기판 처리 공정의 불균일성을 억제하거나 방지할 수 있게 된다. Since the exhaust structure is formed in the lower central portion of the chamber 100 and the inner chamber 200 as described above, the gas can be exhausted through the lower central portion, The exhaust path from the position to the exhaust structure can be maintained symmetrically and uniformly. From this, it becomes possible to suppress or prevent the non-uniformity of the gas flow or the unevenness of the substrate processing process caused by the bias of the exhaust gas.

기판 지지대(510)는 기판(S)을 지지하기 위한 구성으로서 내부 챔버(200) 내부의 하측에 설치된다. 기판 지지대(510)는 회전축(520) 상에 설치된다. 기판 지지대(510)는 소정 두께를 가지는 플레이트형으로, 기판(S)의 형상과 유사한 형상을 가지며, 예컨대 기판이 원형 웨이퍼라면, 원판 형상으로 제작될 수 있다. 물론, 이에 한정되지 않고 다양한 형상으로 변경 가능하다. 기판 지지대(510)는 내부 챔버(200) 내부에 수평방향으로 구비되고, 회전축(520)은 기판 지지대(510)의 저면에 수직으로 연결된다. 회전축(520)은 챔버(100) 바닥면의 관통공을 통하여 외부의 모터 등의 구동수단(미도시)에 연결되어 기판 지지대(510)를 상승, 하강 및 회전시킨다. 이때, 회전축(520)과 관통공 사이는 벨로우즈(미도시) 등을 이용하여 밀폐시킴으로써 기판을 처리하는 과정에서 챔버(100) 내부의 진공이 해제되는 것을 방지한다. The substrate support 510 is installed below the interior of the inner chamber 200 as a configuration for supporting the substrate S. [ The substrate support 510 is mounted on the rotation shaft 520. The substrate support 510 has a plate shape having a predetermined thickness and has a shape similar to that of the substrate S. For example, if the substrate is a circular wafer, it can be formed into a disk shape. Of course, the present invention is not limited thereto and various shapes can be changed. The substrate support 510 is horizontally disposed inside the inner chamber 200 and the rotation axis 520 is vertically connected to the bottom surface of the substrate support 510. The rotation shaft 520 is connected to driving means (not shown) such as an external motor through the through hole on the bottom surface of the chamber 100 to move the substrate support 510 up, down and rotate. At this time, the space between the rotating shaft 520 and the through-hole is sealed by using a bellows (not shown) or the like, thereby preventing the vacuum in the chamber 100 from being released in the process of processing the substrate.

또한, 기판 지지대(510)의 내부에는 이를 가열시키기 위한 발열체(미도시)가 구비될 수 있고, 발열체는 외부의 전원과 연결되며, 발열체에 전원이 인가되면 기판 지지대(510)가 가열되며, 이로부터 기판 지지대(510) 상부에 안착되는 기판(S)을 가열할 수 있게 된다. 발열체는 여러 가지 방식 및 구조로 설치될 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 또한, 기판 지지대(510)는 하부 전극으로 사용될 수도 있다. 예를 들면, 기판 지지대(510)는 접지하고 가스 분사기(300)에는 전원을 인가하여 기판 지지대(510)와 가스 분사기(300) 사이에 플라즈마를 여기시킬 수 있다. In addition, a heating element (not shown) for heating the heating element may be provided inside the substrate support 510. The heating element is connected to an external power source. When power is applied to the heating element, the substrate support 510 is heated, The substrate S mounted on the substrate support 510 can be heated. The heating element may be installed in various ways and structures, and is not particularly limited. In addition, the substrate support 510 may be used as a lower electrode. For example, the substrate support 510 may be grounded and power applied to the gas injector 300 to excite the plasma between the substrate support 510 and the gas injector 300.

또한, 기판 지지대(510)에는 이를 상하 방향으로 관통하는 복수의 관통홀이 형성될 수 있고, 관통홀에는 기판(S)을 로딩 및 언로딩할 때 이용되는 리프트핀(530)이 삽입될 수 있다. 이때, 제2 바디(210)의 바닥면(211)에도 리프트핀(530)이 통과하는 관통홀이 형성될 수 있다. 이로부터, 제2 바디(210) 및 기판 지지대(510)의 상하 이동에 따라서, 리프트핀(530)이 기판 지지대(510) 상부로 노출되거나, 리프트핀(530)이 기판 지지대(510)의 관통홀 내부에 위치할 수 있다. A plurality of through holes may be formed in the substrate support 510 to penetrate the substrate S in the up and down direction. A lift pin 530 may be inserted into the through hole to be used for loading and unloading the substrate S . At this time, a through hole through which the lift pin 530 passes may be formed on the bottom surface 211 of the second body 210. The lift pins 530 may be exposed above the substrate supports 510 or the lift pins 530 may penetrate through the substrate supports 510 as the second bodies 210 and the substrate supports 510 move up and down, It can be located inside the hole.

가스 분사기(300)는 챔버(100) 정확하게는 내부 챔버(200)의 내부에 가스를 공급하는 역할을 수행한다. 또한, 가스 분사기(300)는 외부 전원(600)과 연결되어 상부전극의 역할을 수행할 수도 있다. 즉, 가스 분사기(300)를 통하여 외부에서 공급되는 각종 처리 가스를 기판 지지대(510) 측으로 분사할 수 있다. 예컨대, 박막 증착을 위한 공정가스를 분사할 수 있다. 가스 분사기(300)는 챔버(100)를 형성하는 탑리드(120)에 설치될 수 있고, 서로 다른 종류의 가스를 공급하는 복수의 가스 공급원과 연결될 수도 있다. 가스 분사기(300)은 기판 지지대(510)와 대향하고 이와 유사한 소정 면적을 가지고, 복수의 분사홀을 구비하는 샤워헤드 타입으로 제조될 수 있다. 물론 챔버(100)에 가스를 공급하는 수단은 내부 챔버(200) 내에 삽입되는 노즐이나 인젝터 타입으로 제조될 수도 있다. 또한, 가스 분사기(300)와 탑리드(120) 사이에는 이를 사이를 전기적으로 절연시키는 절연부재(800)가 설치될 수도 있다. The gas injector 300 serves to supply gas to the interior of the inner chamber 200, precisely the chamber 100. Also, the gas injector 300 may be connected to the external power source 600 to serve as an upper electrode. That is, various kinds of process gases supplied from the outside through the gas injector 300 can be injected toward the substrate supporter 510. For example, a process gas for thin film deposition can be injected. The gas injector 300 may be installed in the top lead 120 forming the chamber 100 and may be connected to a plurality of gas supply sources supplying different kinds of gas. The gas injector 300 may be manufactured as a showerhead type having a plurality of jet holes, having a predetermined area and facing the substrate support 510. Of course, the means for supplying gas to the chamber 100 may be made of a nozzle or injector type inserted into the inner chamber 200. An insulating member 800 may be provided between the gas injector 300 and the top lead 120 to electrically insulate the gas injector 300 from the top lead 120.

예들들어 샤워헤드 타입의 가스 분사기의 경우, 기판 지지대(510)를 마주보며 복수의 분사홀이 형성되는 분사판(310), 분사판(310)의 상측에 형성되고 가스 공급부과 연결되는 상부판(320) 및 분사판(310)과 상부판(320) 사이에 형성되며 가스가 통과하는 복수의 분배홀이 형성되는 분배판(330)을 포함할 수 있다. 이로부터 외부의 가스 공급원과 연결된 가스 공급부(400)로부터 가스가 공급되면, 상부판(320)을 통과하여 상부판(320)과 분배판(330) 사이로 유입되고, 이후 가스는 분배판(330)의 분배홀을 통과하여 분배판(330)과 분사판(310) 사이로 유입되며, 이어서 분사판(310)의 분사홀을 통과하여 기판 지지대를 향하여 분사된다. 상부판(320)의 중앙부를 통하여 도입되는 가스는 분배판(330) 및 분사판(310)을 통과하여 기판 지지대(510)에 분사되므로, 기판 지지대(510)에 지지되는 기판(S)상으로 가스를 균일하게 공급할 수 있게 된다. For example, in the case of a showerhead type gas injector, an injection plate 310 having a plurality of injection holes facing the substrate supporter 510, an upper plate formed on the injection plate 310 and connected to the gas supply unit, And a distribution plate 330 formed between the ejection plate 310 and the upper plate 320 and having a plurality of distribution holes through which the gas passes. When gas is supplied from the gas supply unit 400 connected to the external gas supply source, the gas is introduced into the space between the top plate 320 and the distribution plate 330 through the top plate 320, Passes through the distribution holes of the spray plate 310 and is injected between the distribution plate 330 and the injection plate 310 and then through the injection holes of the injection plate 310 and toward the substrate support. The gas introduced through the central portion of the top plate 320 passes through the distribution plate 330 and the injection plate 310 and is injected onto the substrate support 510 so that the gas is injected onto the substrate S supported on the substrate support 510 The gas can be uniformly supplied.

또한, 가스 분사기(300)는 가스를 공급하는 가스 공급부(400)와 연결되며, 가스 공급부(400)는 외부로부터 공급되는 가스를 가스 분사기(300)에 균일하게 분배하여 공급하는 가스 분배 블록(420)을 포함할 수 있다. 가스 공급부(400)는 상부판(320)의 중앙부과 연결되는 가스 공급관(410) 및 가스 공급관(410)의 소정 위치에 삽입 장착되는 가스 분배 블록(420)을 포함할 수 있다. 가스 공급관(410)은 중공관 구조로 내부에 가스가 유입되는 메인 유입통로(430)을 형성하며, 단일 부재 혹은 복수의 부재로 형성될 수 있다. 예를들면 일 가스 공급관의 일단을 상부판(320)에 연결하고, 타단에 가스 분배 블록(420)을 배치하며, 그 위에 다시 다른 가스 공급관을 설치할 수 있다. 이때, 각 부재의 중심부를 관통하여 메인 유입통로(430)가 형성된다. 물론, 단일 가스 공급관의 일부 영역에 가스 분배 블록(420)을 일체로 형성할 수도 있다. The gas injector 300 is connected to a gas supply unit 400 for supplying a gas and the gas supply unit 400 includes a gas distribution block 420 for uniformly distributing gas supplied from the outside to the gas injector 300 ). The gas supply unit 400 may include a gas supply pipe 410 connected to the central portion of the top plate 320 and a gas distribution block 420 inserted and mounted at a predetermined position of the gas supply pipe 410. The gas supply pipe 410 has a hollow tube structure and forms a main inflow passageway 430 through which gas flows into the gas supply pipe 410, and may be formed as a single member or a plurality of members. For example, one end of the one gas supply pipe may be connected to the top plate 320, the gas distribution block 420 may be disposed at the other end, and another gas supply pipe may be provided thereon. At this time, the main inflow passage 430 is formed through the central portion of each member. Of course, it is also possible to integrally form the gas distribution block 420 in a part of the single gas supply pipe.

또한, 가스 공급부(300)은 복수의 다양한 가스를 공급할 수 있는 데, 예를들면, 가스 도입관의 상부와 외부 관을 연결하여 메인 유입통로(430)로 세정 가스를 공급하고, 가스 분배 블록(420)을 통하여 측방향에서 박막 증착용 공정 가스를 공급할 수 있다. 이때, 가스 분배 블록(420)은 도입되는 가스를 메인 유입통로(430)에 균일하게 분사하는 역할을 하며, 복수의 외부관과 연결되어 복수개의 공정 가스를 도입시킬 수도 있다.
In addition, the gas supply unit 300 can supply a plurality of various gases, for example, connecting the upper and outer pipes of the gas introduction pipe to supply the cleaning gas to the main inlet channel 430, 420 can supply the thin film deposition process gas in the lateral direction. At this time, the gas distribution block 420 serves to uniformly inject the introduced gas into the main inflow passage 430, and may be connected to a plurality of external pipes to introduce a plurality of process gases.

하기에서는 가스 분사기(300)에 대해서는 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 가스 분사기의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도이고, 도 4는 도 3의 가스 분사기에서 분배판을 도시한 개략 평면도이다.
Hereinafter, the gas injector 300 will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a gas injector according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic plan view showing a distribution plate in the gas injector of FIG.

도 3 및 4를 참조하면, 가스 분사기(300)는 소정 두께의 플레이트 형태로 기판 지지대(510) 보다 큰 면적을 가지는 분사판(310), 소정 두께의 플레이트 형태로 분사판(310)과 이격되어 그 상측에 위치하는 분배판(330) 및 소정 두께의 플레이트 형태로 분배판(330)과 이격되어 그 상측에 위치하는 상부판(320)을 포함한다.3 and 4, the gas injector 300 includes an injection plate 310 having a larger area than the substrate support 510 in the form of a plate having a predetermined thickness, And a top plate 320 spaced apart from the distribution plate 330 in the form of a plate having a predetermined thickness.

분사판(310)에는 가스가 통과하도록 상하로 관통되는 복수의 분사홀(311)이 형성되며, 분사홀(311)은 홀이 연장되는 방향으로 동일 직경으로 형성될 수도 있고, 하측으로 갈수록 직경이 커지도록 형성될 수 있다. 복수의 분사홀(311)들은 기판(S)에 가스를 균일하게 분사될 수 있도록 배치될 수 있고, 그 배치가 특별히 산정되지 않는다. A plurality of spray holes 311 are formed in the spray plate 310 so as to allow gas to pass therethrough. The spray holes 311 may have the same diameter in a direction in which the holes extend, As shown in Fig. The plurality of injection holes 311 can be arranged so as to uniformly inject gas onto the substrate S, and the arrangement thereof is not specially calculated.

상부판(320)은 분사판(310)의 두께보다 두꺼운 두께의 플레이트로 제조될 수 있고, 그 중심부에서 가스 공급관(420)과 연결된다. 이로부터 상부판(320)을 통하여 가스 분사기 내부로 가스가 공급된다. 또한, 상부판(320)은 가장자리에서 소정 면적을 남기고, 즉, 가장자리에 단턱부(321)를 형성하고, 내측으로 오목하게 오목홈을 형성할 수 있다. 또한, 상부판(320)의 단턱부에 후술하는 분배판(330)이 체결될 수 있다. 이로부터 오목홈은 상부판(320)과 분배판(330) 사이에서 가스가 통과하는 제1 공급 공간(340)을 형성하게 된다. The top plate 320 may be made of a plate having a thickness greater than the thickness of the ejection plate 310, and is connected to the gas supply pipe 420 at the center thereof. From this, gas is supplied into the gas injector through the top plate 320. In addition, the top plate 320 may have a predetermined area at the edge, that is, a step portion 321 may be formed at the edge, and a concave groove may be formed concavely inward. Further, a distribution plate 330, which will be described later, may be fastened to the step portion of the top plate 320. The concave groove forms a first supply space 340 through which the gas passes between the top plate 320 and the distribution plate 330.

분배판(330)은 분사판(310)의 두께보다 얇은 두께의 플레이트로 제조될 수 있고, 상부판(320)을 통과한 가스가 분사판(310)에 도달하기 전에 넓게 퍼트리는 역할을 한다. 분배판(330)에는 가장자리에 복수의 체결홀(333)이 형성될 수 있고, 이러한 체결홀(333)을 나사 등의 체결수단(332)이 관통하여 상부판(320)의 단턱부(321)에 체결될 수 있다. 이에 분배판(330)이 상부판(320)에 결합될 수 있다. 여기서, 분배판(330)과 상부판(320)이 결합되는 방식 및 제1 공급 공간(340)을 형성하는 방식은 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 상부판(320)에는 단턱부(321)가 형성되지 않고, 분배판(330)의 가장자리에 상부 방향으로 돌출되는 단턱부가 형성되고 이러한 단턱부가 상부판에 체결될 수도 있다. 또한, 분배판(330)은 분사판(310)과 이격되어 위치하므로, 분사판(310)과의 사이에 가스가 통과하는 제2 공급 공간(350)을 형성한다. The distribution plate 330 may be made of a plate having a thickness smaller than the thickness of the ejection plate 310 and spreads before the gas passing through the top plate 320 reaches the ejection plate 310. A plurality of fastening holes 333 may be formed at the edge of the distribution plate 330. The fastening means 332 such as a screw may penetrate the fastening holes 333 and the stepped portions 321 of the upper plate 320 may be formed, Respectively. So that the distribution plate 330 can be coupled to the top plate 320. Here, the manner in which the distribution plate 330 and the top plate 320 are coupled to each other and the method of forming the first supply space 340 may be variously changed. For example, the stepped portion 321 is not formed on the upper plate 320, but a stepped portion protruding upward in the edge of the distribution plate 330 may be formed and the stepped portion may be fastened to the upper plate. Since the distribution plate 330 is spaced apart from the injection plate 310, a second supply space 350 through which the gas passes is formed between the injection plate 310 and the injection plate 310.

분배판(330)에는 가스가 통과하도록 상하방향으로 관통되는 복수의 분배홀(331)이 형성된다. 분배홀(331)들은 분배판(330)에 적정한 분포로 배치되어, 도입되는 가스가 하부로 균일하게 제공될 수 있도록 한다. 예컨대, 분배판(330)은 중심을 포함하고 분배홀(331)이 형성되지 않는 내측 영역(A), 내측 영역(A)의 외측에 형성되며 분배홀들(331)이 형성되는 중간 영역(B, C), 중간 영역(B, C)의 외측에 형성되고 가장자리로 갈수록 분배홀(331)들 사이의 간격이 멀어지는 외측 영역(D)을 포함한다. 중간 영역(B, C)에는 위치에 따라 서로 다른 간격으로 분배홀(331)이 형성될 수 있다. A plurality of distribution holes 331 are formed in the distribution plate 330 so as to pass through the gas in the vertical direction. The distribution holes 331 are arranged in a proper distribution in the distribution plate 330 so that the introduced gas can be uniformly provided to the bottom. For example, the distribution plate 330 includes an inner region A including a center and no distribution hole 331, an intermediate region B formed outside the inner region A and in which distribution holes 331 are formed And an outer region D formed on the outer side of the intermediate regions B and C and spaced apart from the distribution holes 331 toward the edge. The distribution holes 331 may be formed in the intermediate regions B and C at different intervals according to their positions.

내측 영역(A)은 가스 도입관(420) 및 상부판(320)을 통과한 가스가 바로 하방의 분사판(310)으로 유입되지 않도록 막아주고, 도입된 가스를 측방향으로 퍼트리는 역할을 한다. 이를 위해 내측 영역(A)에는 가스가 하방으로 진행하는 분배홀(331)이 형성되지 않는다.The inner region A prevents the gas that has passed through the gas introduction pipe 420 and the upper plate 320 from flowing into the lower injection plate 310 and serves to spread the introduced gas in the lateral direction . For this purpose, the inner region A is not provided with the distribution hole 331 in which the gas advances downward.

중간 영역(B, C)은 도입된 가스의 분배를 조절하는 영역으로, 내측 영역(A)과 접하며 복수의 분배홀(331)이 형성되는 제1 중간 영역(B) 및 외측 영역(D)과 접하며 제1 중간 영역(B) 보다 가까운 간격으로 분배홀들(331)이 형성되는 제2 중간 영역(C)을 포함할 수 있다. 즉, 제1 중간 영역(B) 보다 제2 중간 영역(C)에서 단위 면적당 분배홀(331)의 개수인 분배홀(331)의 밀도가 더 높다. 이는 내측 영역(A)에 도달한 가스가 내측 영역(A)과 충돌한 후 이동하는 경로의 중간부에 제2 중간 영역(C)이 형성되는 데, 이 구간에서 가스의 밀도가 다른 구역보다 작으므로 균일한 가스 공급을 위해 제2 중간 영역(C)에서 분배홀(331)의 밀도를 높게 하는 것이다. 또한, 제1 중간 영역(B)은 가스 공급로 즉, 가스 공급관(420)의 외곽부에 형성되어 있고 가스 공급로에서 공급되는 가스가 수직으로만 공급되는 것은 아니므로 가스의 밀도가 제2 중간 영역(C)에 비해 높기 때문에 균일한 가스공급을 위해 제2 중간 영역(C)에 비해 분배홀의 밀도를 작게 하는 것이다. 제1 중간 영역(B)에서 분배홀(331)은 규칙적 혹은 불규칙한 분포로 배치될 수 있다. 물론 분배홀(331)의 분포가 특별히 한정되지는 않는다. The intermediate regions B and C are regions for controlling the distribution of introduced gases and include a first intermediate region B and an outer region D which are in contact with the inner region A and in which a plurality of distribution holes 331 are formed, And a second intermediate region (C) in which distribution holes (331) are formed at intervals closer to the first intermediate region (B). That is, the density of the distribution holes 331, which is the number of the distribution holes 331 per unit area in the second intermediate region C, is higher than the first intermediate region (B). This is because the second intermediate region C is formed in the intermediate portion of the path where the gas that has reached the inner region A collides with the inner region A and the density of the gas in this region is smaller than the other region So that the density of the distribution holes 331 in the second intermediate region C is increased for uniform gas supply. In addition, since the first intermediate region B is formed in the gas supply path, that is, in the outer portion of the gas supply pipe 420 and the gas supplied from the gas supply path is not supplied only vertically, The density of the distribution holes is made smaller than that of the second intermediate region C in order to uniformly supply the gas. In the first intermediate region (B), the distribution holes (331) can be arranged in a regular or irregular distribution. Of course, the distribution of the distribution holes 331 is not particularly limited.

외측 영역(D)은 도입된 가스를 주로 하측 방향으로 유도하는 영역으로, 외측 영역(D)의 면적은 내측 영역(A) 및 중간 영역(B, C)의 면적의 합보다 크게 형성될 수 있으며, 분배홀(331)이 다수개 형성된다. 예를 들어, 분배홀(331)이 방사상으로 가장자리로 갈수록 넓게 퍼지는 형태로 배치된다. 이러한 분배홀 분포에 의하여 외측 영역(D)에 도입된 가스를 외측으로 퍼트리면서 하방으로 유도할 수 있게 된다. 또한, 외측 영역(D)에는 제2 중간 영역(C) 보다 분배홀(331)의 밀도가 낮게 형성될 수 있다. 이로부터 내측 영역(A)에 충돌한 후 유도된 가스 흐름이 다량으로 하측으로 유도되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 가스 분사기(300)에서 분사된 가스가 기판 지지대(510)와 내부 챔버(200)의 내벽 사이를 지날 때 다른 영역에 비하여 유속이 빨라지게 되는 데, 분배판(330)의 외측 영역(D)에서 분배홀(331)의 밀도를 낮게 하므로 이러한 빠른 유속에 의한 가스 흐름 불균일을 억제할 수 있다. The outer region D is an area mainly guiding the introduced gas downward and the area of the outer region D may be formed larger than the sum of areas of the inner region A and the middle regions B and C A plurality of distribution holes 331 are formed. For example, the distribution holes 331 are arranged in such a manner that they spread radially toward the edge. By this distribution hole distribution, the gas introduced into the outer region D can be guided downward while being spread outward. In addition, the density of the distribution holes 331 may be smaller in the outer region D than in the second intermediate region C. It is possible to prevent a large amount of the induced gas flow from colliding with the inner region A from being directed downward. In addition, when the gas injected from the gas injector 300 passes between the substrate support 510 and the inner wall of the inner chamber 200, the flow velocity becomes faster than the other region, , The density of the distribution holes 331 is reduced, so that it is possible to suppress gas flow unevenness due to such a fast flow rate.

또한, 가스 공급관(420)의 직경, 내측 영역(A)의 직경, 제1 중간 영역(B)의 외경은 가스 도입 조건에 따라 상대적 크기를 조절할 수 있다. 예를 들면, 가스 공급관(420)의 직경에 대해 내측 영역(A)의 직경을 이와 동일하게 하거나 더 크게 형성하여, 가스 공급관(420)으로부터 도입되는 가스가 하측으로 바로 흐르는 것을 전면적으로 방지할 수 있다. 또는 가스 공급관(420)의 직경에 대하여 내측 영역(A)의 직경을 이보다 작게 형성하고 제1 중간 영역(B)의 외경을 가스 공급관(420)의 직경과 같거나 이보다 크게 형성하여, 가스 공급관(420)으로부터 도입되는 가스가 하측으로 바로 흐르는 것을 부분적으로 막을 수도 수 있다. The diameter of the gas supply pipe 420, the diameter of the inner region A, and the outer diameter of the first intermediate region B can be adjusted depending on the gas introduction conditions. For example, the diameter of the inner region A may be equal to or larger than the diameter of the gas supply pipe 420 so that the gas introduced from the gas supply pipe 420 can be prevented from completely flowing downward have. The diameter of the inner region A is formed smaller than the diameter of the gas supply pipe 420 and the outer diameter of the first intermediate region B is formed to be equal to or larger than the diameter of the gas supply pipe 420, 420 may be partially prevented from flowing directly to the lower side.

또한, 각 영역의 크기를 조절할 수도 있다. 예를 들면, 외측 영역(D)의 외경을 100이라 할 때, 제2 중간 영역의 외경(C)은 30 내지 40 범위이고, 제1 중간 영역의 외경(B)은 18 내지 22 범위이고, 내측 영역(A)의 직경은 6 내지 8 범위일 수 있다. 물론 가스 도입 조건이나 흐름에 따라 각 영역의 크기를 다양하게 변경할 수도 있다. In addition, the size of each area can be adjusted. For example, when the outer diameter D of the outer region D is 100, the outer diameter C of the second intermediate region is in the range of 30 to 40, the outer diameter B of the first intermediate region is in the range of 18 to 22, The diameter of region A may range from 6 to 8. Of course, the size of each region can be changed variously according to the gas introduction condition and flow.

이처럼 분배홀의 배치가 제어된 가스 분사기(300)에 가스가 도입되면 가스 분사기(300) 내에서 가스 분포가 제어된 후, 기판으로 균일하게 분사될 수 있다. 즉, 도 3에 나타낸 바와 같이, 가스 공급관(420)으로부터 도입된 가스는 분배판(330)의 내측 영역(A)에 의해 직하 방향으로의 흐름이 차단되고 측방향으로 퍼지면서 제1 공급 공간(340)에 공급된다. 이어서, 가스는 각 영역별로 분포가 제어된 분배홀(331)을 통과하여 제2 공급 공간(350)에 공급되어 균일하게 퍼진 후, 분사판(310)의 분사홀(311)을 통과하여, 기판을 향하여 균일하게 분사될 수 있다.
When the gas is injected into the gas injector 300 in which the arrangement of the distribution holes is controlled, the gas distribution in the gas injector 300 can be controlled and uniformly injected into the substrate. 3, the gas introduced from the gas supply pipe 420 is blocked by the inner region A of the distribution plate 330 so as to flow in the downward direction and spread in the lateral direction, 340. Subsequently, the gas is supplied to the second supply space 350 through the distribution hole 331 whose distribution is controlled for each region, and is uniformly spread. Thereafter, the gas passes through the injection hole 311 of the injection plate 310, As shown in FIG.

하기에서는 도면을 참조하여, 기판 처리 동작을 설명한다. 도 5은 본 발명의 실시 예의 기판 처리 장치에서 기판이 로딩되는 과정을 표시하는 개념도이고, 도 6는 본 발명의 실시 예의 기판 처리 장치 내부에서 기판이 처리되는 과정을 표시하는 개념도이다.
The substrate processing operation will be described below with reference to the drawings. FIG. 5 is a conceptual view illustrating a process of loading a substrate in a substrate processing apparatus of an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a conceptual diagram illustrating a process of processing a substrate in a substrate processing apparatus of an embodiment of the present invention.

기판 처리 장치에서 공정을 수행하기 위해서는, 챔버(100)의 개구부(111)을 통하여 기판을 반입하게 된다. 이를 위해, 기판 지지대(510) 및 제2 바디(210)를 하부 방향으로 이동한다. 이로부터 기판 지지대(510)의 관통홀에 삽입 장착되어 있는 리프트핀(530)도 같이 하부 방향으로 이동하게 된다. 그러나, 리프트핀(530)의 길이가 기판 지지대(510)의 두께, 제2 바디(210)의 높이 보다 길기 때문에, 리프트핀(530)이 어느 정도 하강한 후에는 챔버(100) 바닥면에 도달하게 되고 하강을 멈추게 된다. 반면, 기판 지지대(510) 및 제2 바디(210)는 계속 하강하게 되고, 리프트핀(530)은 기판 지지대(510)의 상면으로부터 돌출되어 상면과 이격된 높이에 상단부가 위치하게 된다. 또한, 제2 바디(210)의 하강에 의하여, 제1 바디(220)와 제2 바디(210) 사이의 결합이 해제되고, 이들 사이에 간격이 생기게 되며, 이러한 간격 중 일부는 챔버(100)의 개구부(111)와 연통하게 된다. 이때, 챔버(100)의 개구부(111)를 폐쇄하고 있는 게이트 밸브(900)가 개방되고, 개구부(111)를 통하여 기판(S)이 반입되어 리프트핀(530)의 상단부에 놓이게 된다. 즉, 복수의 리프트핀(530)에 의하여 기판(S)이 지지된다. In order to carry out the process in the substrate processing apparatus, the substrate is carried in through the opening 111 of the chamber 100. To this end, the substrate support 510 and the second body 210 are moved downward. The lift pin 530 inserted into the through hole of the substrate support 510 also moves downward. However, since the length of the lift pin 530 is longer than the thickness of the substrate support 510 and the height of the second body 210, the lift pin 530 reaches the bottom surface of the chamber 100 after the lift pin 530 is lowered to some extent And stops descending. On the other hand, the substrate support 510 and the second body 210 are continuously lowered, and the lift pin 530 protrudes from the upper surface of the substrate support 510, and the upper end is located at a height apart from the upper surface. In addition, due to the lowering of the second body 210, the coupling between the first body 220 and the second body 210 is released and there is a gap therebetween, As shown in Fig. At this time, the gate valve 900 closing the opening 111 of the chamber 100 is opened, and the substrate S is carried through the opening 111 to be placed on the upper end of the lift pin 530. That is, the substrate S is supported by the plurality of lift pins 530.

이후, 게이트 밸브(900)가 닫히게 되어 개구부(111)를 폐쇄하고, 기판 지지대(510) 및 제2 바디(210)는 상승하게 된다. 기판 지지대(510) 및 제2 바디(210)의 상승에 의하여, 리프트핀(530)이 기판 지지대(510)로 삽입되며, 기판(S)과 기판 지지대(510) 사이의 간격이 좁아진다. 기판 지지대(510) 및 제2 바디(210)가 계속 상승하면, 리프트핀(530)은 전체가 기판 지지대(510)로 삽입되며, 기판(S)은 기판 지지대(510)의 상부면에 안착되게 된다. 이때, 리프트핀(530)은 상단부가 그 외부보다 면적이 크게 형성되어 기판 지지대(510)의 관통홀을 통해 하방으로 탈락되지 않고 걸리게 되며, 기판 지지대(510)의 상부면에는 리프트핀(530)의 상단부가 삽입되는 오목홈이 형성될 수 있다. 또한, 제2 바디(210)의 상승에 의하여, 제1 바디(220)와 제2 바디(210)가 결합되게 되며, 이에 내부 챔버(200)의 제2 공간은 고립된 공간으로 형성된다. Thereafter, the gate valve 900 is closed to close the opening 111, and the substrate support 510 and the second body 210 are raised. The lift pins 530 are inserted into the substrate support 510 and the gap between the substrate S and the substrate support 510 is narrowed due to the rise of the substrate support 510 and the second body 210. [ When the substrate support 510 and the second body 210 continue to rise, the lift pins 530 are entirely inserted into the substrate support 510 and the substrate S is placed on the upper surface of the substrate support 510 do. At this time, the lift pin 530 is formed to have a larger area than the outer periphery of the lift pin 530, so that the lift pin 530 is caught without falling down through the through hole of the substrate supporter 510. On the upper surface of the substrate supporter 510, A concave groove into which an upper end portion of the concave groove is inserted can be formed. The first body 220 and the second body 210 are coupled with each other by the elevation of the second body 210 so that the second space of the inner chamber 200 is formed as an isolated space.

내부 챔버(200) 내에 기판(S)이 로딩된 후에, 챔버(100) 및 내부 챔버(200)를 배기하여 원하는 진공 압력으로 제어하며, 각종 공정 변수를 조정하며, 가스 분배 블록(420) 및 가스 분사기(300)를 통하여 원하는 공정 가스를 도입시키고, 기판(S) 상에 각종 처리를 수행한다. 예를 들면, 박막 증착용 공정 가스를 도입시켜, 기판(S) 상에 박막을 증착할 수 있다. 또한, 공정을 진행하면서, 가스 분사기(300)에 전원을 인가하여 플라즈마를 여기시킬 수도 있다. After the substrate S is loaded in the inner chamber 200, the chamber 100 and the inner chamber 200 are evacuated to control the desired vacuum pressure, adjust various process parameters, and control the gas distribution block 420 and the gas Introduces a desired process gas through the injector 300, and performs various processes on the substrate S. For example, a thin film can be deposited on the substrate S by introducing a thin film deposition process gas. Also, while the process is being performed, power may be applied to the gas injector 300 to excite the plasma.

이처럼, 챔버(100)와 별도로 내부 챔버(200)를 형성하고 하부 중앙부로 배기를 수행하며, 가스를 균일하게 도입시킴에 의하여, 대칭적 구조 및 균일한 환경의 제2 공간을 형성하게 된다. 이러한 제2 공간에서 기판(S) 처리 공정을 수행하므로, 균일한 기판 처리 공정을 수행할 수 있게 된다.
As such, the inner chamber 200 is formed separately from the chamber 100, the exhaust is performed to the lower center portion, and the second space of the symmetrical structure and the uniform environment is formed by uniformly introducing the gas. Since the substrate S is processed in the second space, a uniform substrate processing process can be performed.

상기에서는 마주보는 상부전극과 기판 지지대 사이에서 기판 처리 공정이 수행되는 장치를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이외에도 다양한 방식 및 구조의 장치에도 적용될 수 있다.
In the above description, the substrate processing process is performed between the facing upper electrode and the substrate support. However, the present invention can be applied to devices of various types and structures.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다. Although the present invention has been described in connection with certain exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the described embodiments, but should be defined by the appended claims and equivalents thereof.

100 : 챔버 200 : 내부 챔버
300 : 가스 분사기 510 : 기판 지지대
210 : 제2 바디 220 : 제1 바디100: chamber 200: inner chamber
300: Gas injector 510: Substrate support
210: second body 220: first body

Claims

A chamber capable of entering and exiting a substrate from one side and forming a first space therein;
An inner chamber disposed in a first space within the chamber and defining a second space therein;
A substrate support disposed within the interior chamber for supporting the substrate;
And a gas injector disposed above the substrate support and for injecting gas to the substrate support,
The inner chamber having a first body fixed to the upper side of the chamber; A second body disposed below the first body and movable up and down, and having an exhaust hole at a center of the bottom; And an exhaust body connected to the exhaust hole and forming a gas exhaust path therein,
Wherein an exhaust port is connected to the center of the bottom surface of the chamber and the exhaust body is located inside the exhaust port.

The method according to claim 1,
Wherein the first body and the second body are coupled to each other so that the second space is isolated from the first space.

delete

The method according to claim 1,
Wherein the exhaust body includes a first hole formed in an upper side wall and communicating the first space and the gas exhaust path and a second hole formed in a lower side wall and communicating the gas exhaust path and the exhaust port, .

The method according to claim 1 or 4,
Wherein the exhaust body has a hollow tube structure extending in the vertical direction and includes an upper region connected to the exhaust hole and a lower region having a diameter smaller than that of the upper region, Is formed.

The method according to claim 1 or 4,
Wherein the exhaust port is connected to an external exhaust part at one side.

A chamber capable of entering and exiting a substrate from one side and forming a first space therein;
An inner chamber disposed in a first space within the chamber and defining a second space therein;
A substrate support disposed within the interior chamber for supporting the substrate;
And a gas injector disposed above the substrate support and for injecting gas to the substrate support,
The inner chamber having a first body fixed to the upper side of the chamber; A second body disposed below the first body and movable up and down, and having an exhaust hole at a center of the bottom; And an exhaust body connected to the exhaust hole and forming a gas exhaust path therein,
The gas injector includes an injection plate facing the substrate support and formed with a plurality of injection holes, an upper plate formed on the upper side of the injection plate and connected to the gas supply pipe, and a gas passage formed between the injection plate and the upper plate. And a distribution plate on which a plurality of distribution holes are formed.

The method of claim 7,
Wherein the distribution plate includes an inner region including a center and an outer region where the distribution holes are not formed, an intermediate region formed outside the inner region and formed with the distribution holes, an outer region formed outside the middle region, And an outer region where a distance between the outer region and the outer region is increased.

The method of claim 7,
The distribution plate includes an inner region including a center and an outer region in which the distribution holes are not formed, an intermediate region formed outside the inner region, the distribution holes being formed at different intervals according to positions, And an outer region in which a plurality of distribution holes are formed.

The method according to claim 8 or 9,
Wherein the area of the outer region is larger than the sum of areas of the inner region and the middle region.

The method according to claim 8 or 9,
Wherein the intermediate region comprises a first intermediate region in contact with the inner region and forming a plurality of distribution holes and a second intermediate region in contact with the outer region and in which distribution holes are formed at intervals closer to the first intermediate region, .

The method of claim 11,
Wherein a density of distribution holes, which is the number of distribution holes per unit area in the second intermediate region, is higher than the first intermediate region.

The method of claim 12,
Wherein the density of the distribution holes is lower than that of the second intermediate region.

The method of claim 11,
And wherein the distribution holes in the outer region are disposed radially.

The method of claim 11,
Wherein the diameter of the gas supply pipe is larger than the diameter of the inner region and smaller than or equal to the outer diameter of the first intermediate region.