KR101426434B1 - Manufacturing method of semiconductor light emitting device - Google Patents

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semiconductor light
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전수근
정동소
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Abstract

The present invention relates to a method of manufacturing semiconductor light emitting elements. The method includes a step of forming a metal substrate disk which includes an insulation part and a first and second conducting parts electrically insulated from each other by the insulation part and has a top surface and a bottom surface opposite to the top surface, wherein the insulation part extends from the top surface to the bottom surface; a step of fixing a semiconductor light emitting chip which includes a first semiconductor layer having a first-type conductivity, a second semiconductor layer, having a second-type conductivity different from the first-type conductivity, an active layer placed between the first and the second semiconductor layer and generating light using the recombination between electrons and positive holes, a first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, onto the metal substrate disk for the first and the second electrodes to be placed downward; a step of cutting the metal substrate disk along boundaries of semiconductor light emitting elements; and a step of placing the cut metal substrates including the semiconductor light emitting chip on a hot plate to apply heat and dispensing a sealing agent to form a lens onto the top of the semiconductor light emitting chip while the heat is being applied to form a lens.

Description

반도체 발광소자를 제조하는 방법{MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE} TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor light-

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 광추출 효율이 향상된 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. Disclosure relates generally to a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a method of manufacturing a semiconductor light emitting device having improved light extraction efficiency.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다. Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The III-nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1). A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 버퍼층(200), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 도전막(600)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(700)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(800)이 형성되어 있다. 버퍼층(200)은 생략될 수 있다.FIG. 1 is a diagram showing a conventional semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200, a first semiconductor layer (not shown) having a first conductivity 300, an active layer 400 for generating light through recombination of electrons and holes, and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited, A conductive film 600 and an electrode 700 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 300. An electrode 800 serving as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 300 exposed and exposed. The buffer layer 200 may be omitted.

도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901), 전극막(902) 및 전극막(903)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있다. FIG. 2 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device (Flip Chip). The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a first semiconductor layer 300 having a first conductivity, An active layer 400 for generating light through recombination of holes and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited on the substrate 100, An electrode film 901, an electrode film 902 and an electrode film 903 are formed in three layers. An electrode 800 functioning as a bonding pad is formed on the exposed first semiconductor layer 300 have.

도 3은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예(Vertical Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 제2 반도체층(500)에 제1 반도체층(300)으로 빛을 반사시키기 위한 금속 반사막(910)이 형성되어 있고, 지지 기판(930) 측에 전극(940)이 형성되어 있다. 금속 반사막(910)과 지지 기판(930)은 웨이퍼 본딩층(920)에 의해 결합된다. 제1 반도체층(300)에는 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있다. FIG. 3 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device (Vertical Chip). The semiconductor light emitting device includes a first semiconductor layer 300 having a first conductivity, an active layer 300 that generates light through recombination of electrons and holes, A second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity is sequentially deposited on the first semiconductor layer 500 and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity is deposited on the second semiconductor layer 500, A reflective film 910 is formed, and an electrode 940 is formed on the side of the supporting substrate 930. The metal reflective film 910 and the supporting substrate 930 are joined by the wafer bonding layer 920. An electrode 800 functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 300.

도 4는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 플립 칩의 형태로, 기판(100), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 반사막(950)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있으며, 기판(100) 및 반도체층(300,400,500)을 둘러싸도록 봉지제(1000)가 형성되어 있다. 반사막(950)은 도 2에서와 같이 금속층으로 이루어질 수 있지만, 도 5에 도시된 바와 같이, SiO2/TiO2로 된 DBR(Distributed Bragg Reflector)과 같은 절연체 반사막으로 이루어질 수 있다. 반도체 발광소자는 전기 배선(820,960)이 구비된 PCB(1200; Printed Circuit Board)에 도전 접착제(830,970)를 통해 장착된다. 봉지제(1000)에는 주로 형광체가 함유된다. 여기서 반도체 발광소자는 봉지제(1000)를 포함하므로, 구분을 위해, 봉지제(1000)를 제외한 반도체 발광소자 부분을 반도체 발광소자 칩이라 부를 수 있다. 이러한 방법으로 도 4에 도시된 바와 같이 반도체 발광소자 칩에 봉지제(1000)가 도포될 수 있다. 4 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044, wherein the semiconductor light emitting device is formed on a substrate 100 and a substrate 100 in the form of a flip chip, An active layer 400 for generating light through recombination of electrons and holes and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited on the first semiconductor layer 300, A reflective film 950 for reflecting light is formed on the substrate 100 side and an electrode 800 functioning as a bonding pad is formed on the exposed first semiconductor layer 300. The substrate 100, An encapsulant 1000 is formed to surround the semiconductor layers 300, 400 and 500. The reflective layer 950 may be formed of a metal layer as shown in FIG. 2, but may be formed of an insulator reflective layer such as DBR (Distributed Bragg Reflector) made of SiO 2 / TiO 2 , as shown in FIG. The semiconductor light emitting device is mounted on a PCB (Printed Circuit Board) 1200 provided with electric wiring 820, 960 through conductive adhesive 830, 970. The encapsulant 1000 mainly contains a phosphor. Here, since the semiconductor light emitting device includes the sealing agent 1000, the semiconductor light emitting element portion excluding the sealing agent 1000 may be referred to as a semiconductor light emitting element chip. In this way, the encapsulant 1000 can be applied to the semiconductor light emitting device chip as shown in FIG.

도 5는 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200 grown on the substrate 100, an n-type semiconductor layer (not shown) grown on the buffer layer 200, 300, an active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, and a p-type semiconductor layer 500, A p-side bonding pad 700 formed on the transparent conductive film 600 and an n-side bonding pad 800 formed on the n-type semiconductor layer 300 exposed by etching. A DBR (Distributed Bragg Reflector) 900 and a metal reflection film 904 are provided on the transmissive conductive film 600.

도 6 및 도 7은 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저 필름 또는 플레이트로 된 장착면(10) 위에, 반도체 발광소자 칩(20)이 놓인다. 다음으로, 격벽(82; Partition)과 개구부(81)가 구비된 스텐실 마스크(80)를, 반도체 발광소자 칩(20)이 노출되도록 장착면(10) 위에 놓는다. 다음으로, 봉지제(40)를 개구부(81)에 투입한 다음, 일정 시간 봉지제(40)를 경화한 후, 스텐실 마스크(80)를 장착면(10)으로부터 분리한다. 스텐실 마스크(80)는 주로 금속 재질로 이루어진다. 6 and 7 are views showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044. First, a semiconductor light emitting device chip 20 is mounted on a mounting surface 10 made of a film or a plate. Lt; / RTI > Next, a stencil mask 80 having a partition 82 and an opening 81 is placed on the mounting surface 10 such that the semiconductor light emitting device chip 20 is exposed. Next, after the encapsulant 40 is put into the opening 81, the encapsulant 40 is cured for a certain period of time, and then the stencil mask 80 is separated from the mounting surface 10. The stencil mask 80 is mainly made of a metal material.

도 8은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 1에 도시된 반도체 발광소자 칩(1)가 장착된 패키지를 도시하고 있다. 패키지는 리드 프레임(4,5), 리드 프레임(4,5)을 고정하고 오목부(7)를 형성하는 몰드(6)를 구비한다. 반도체 발광소자(1; 반도체 발광소자 칩)가 리드 프레임(4)에 장착되어 있으며, 반도체 발광소자 칩(1)을 덮도록 봉지제(1000)가 오목부(7)를 채우고 있다. 주로 봉지제(1000)는 형광체를 포함한다. 이 경우에, 기판(100)이 아래에 놓이게 되며, 기판(100)의 두께가 80~150um에 이르게 되므로, 빛을 생성하는 활성층(400)이 이보다 높은 위치에 놓이게 되어, 오목부(7) 내에서 빛을 전체적으로 고르게 발광할 수 있게 되며, 봉지제(1000)에 형광체가 구비되는 경우에 이 형광체를 잘 여기할 수 있게 된다. 그러나 도 2에 도시된 반도체 발광소자가 패키지에 장착되는 경우에, 기판(100)이 위를 향하게 되므로, 빛을 생성하는 활성층(400)이 패키지 바닥으로부터 20um를 넘지 않는 범위 내에 위치하게 되며, 오목부(7) 내에서 빛을 전체적으로 고르게 발광하기가 쉽지 않으며, 봉지제(1000)에 형광체가 구비되는 경우에 이 형광체를 잘 여기하기가 쉽지 않게 된다. 따라서 도 2에 도시된 것과 같은 플립 칩이 사용되는 경우에, 도 8에서와 같이 디스펜서를 이용한 봉지제의 형성보다는 도 4에서와 같이 봉지제(1000)가 반도체 발광소자 칩을 균일하게 덮을 수 있는 방안이 고려되어야 한다.FIG. 8 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device, which shows a package on which the semiconductor light emitting device chip 1 shown in FIG. 1 is mounted. The package has a mold 6 for fixing the lead frames 4 and 5 and the lead frames 4 and 5 and forming the recesses 7. The semiconductor light emitting element 1 (semiconductor light emitting element chip) is mounted on the lead frame 4 and the sealing agent 1000 fills the recessed portion 7 so as to cover the semiconductor light emitting element chip 1. The sealing agent 1000 mainly includes a phosphor. In this case, since the substrate 100 is placed under the substrate 100 and the thickness of the substrate 100 reaches 80 to 150 mu m, the active layer 400 that generates light is placed at a higher position, The phosphor can be excited well when the encapsulant 1000 is provided with a phosphor. However, when the semiconductor light emitting device shown in FIG. 2 is mounted on the package, since the substrate 100 faces upward, the active layer 400 that generates light is positioned within a range not exceeding 20 mu m from the bottom of the package, It is not easy to emit light uniformly throughout the portion 7 and it is difficult to excite the phosphor well when the encapsulant 1000 is provided with a phosphor. Therefore, when the flip chip as shown in FIG. 2 is used, the encapsulant 1000 can uniformly cover the semiconductor light emitting device chip as shown in FIG. 4, rather than forming the encapsulant using the dispenser as shown in FIG. The plan should be considered.

도 9는 종래의 LED 패키지의 일 예를 나타내는 도면으로서, LED 패키지는 회로패턴이 형성된 기판(11), LED 칩(12) 및 LED 칩(12)을 덮도록 렌즈형으로 형성되는 봉지부, 즉 렌즈(13)를 구비한다. 9 is a view showing an example of a conventional LED package. The LED package includes a substrate 11 on which a circuit pattern is formed, an encapsulating portion formed in a lens shape to cover the LED chip 12 and the LED chip 12, that is, And a lens (13).

도 10은 종래의 렌즈 형성방법을 나타내는 도면으로서, LED 칩(12)이 고정된 기판(11) 위에 렌즈(13)의 형상에 대응하는 캐비티(14)를 구비하는 렌즈 성형용 금형(15)을 배치한 상태에서, 렌즈 성형용 금형(15)에 구비된 주입구(16)를 통해 액상의 봉지제를 주입한 다음, 봉지제를 경화시키는 방식으로 렌즈(13)를 형성한다. 이와 같은 렌즈 형성방법은 고가의 렌즈 성형용 금형(15)을 필요로 함에 따라 제조원가가 비싼 문제점이 있는 실정이다. 10 is a view showing a conventional lens forming method in which a lens molding mold 15 having a cavity 14 corresponding to the shape of the lens 13 is mounted on a substrate 11 on which an LED chip 12 is fixed The lens 13 is formed by injecting a liquid encapsulant through the injection port 16 provided in the mold 15 for lens molding and then curing the encapsulant. Such a lens forming method has a problem in that the manufacturing cost is high because the mold 15 for expensive lens molding is required.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다. This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features). SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 절연부 및 절연부에 의해 전기적으로 절연되는 제1 도전부와 제2 도전부를 구비하며, 상면 및 상면에 대향하는 하면을 가지고, 절연부가 상면으로부터 하면으로 이어지는 금속 기판 원판을 형성하는 단계; 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을, 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하도록 금속 기판 원판 위에 고정하는 단계; 반도체 발광소자의 경계를 따라 금속 기판 원판을 절단하는 단계; 및 반도체 발광소자 칩을 포함하는 분리된 금속 기판을 핫 플레이트 위에 배치하여 열을 가하는 상태에서 반도체 발광소자 칩의 상부로 렌즈형성용 봉지제를 디스펜싱하여 렌즈를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제공된다. According to one aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor device comprising a first conductive portion and a second conductive portion that are electrically insulated by an insulating portion and an insulating portion, Forming a metal substrate original plate having an insulating portion leading from the upper surface to the lower surface; A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, wherein the first electrode and the second electrode are disposed on the lower surface of the metal substrate, ; Cutting a metal substrate disc along a boundary of the semiconductor light emitting device; And disposing a separate metal substrate including the semiconductor light emitting device chip on the hot plate and dispensing the encapsulating material for lens formation onto the semiconductor light emitting device chip in a state of applying heat to form a lens A light emitting layer, and a light emitting layer.

본 개시에 따른 다른 일 태양에 의하면, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을, 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하도록 접착 시트 위에 고정하는 단계; 접착 시트와 반도체 발광소자 칩을 덮고 평면형의 상면을 갖는 봉지부를 형성하는 단계; 접착 시트를 제거하는 단계; 반도체 발광소자의 경계를 따라 봉지부를 절단하는 단계; 및 반도체 발광소자 칩을 포함하는 분리된 봉지부를 핫 플레이트 위에 배치하여 열을 가하는 상태에서 반도체 발광소자 칩의 상부로 렌즈형성용 봉지제를 디스펜싱하여 봉지부 위에 렌즈를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제공된다. According to another aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor device comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; a first semiconductor layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A first electrode and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, the first electrode and the second electrode being electrically connected to each other; Fixing the two electrodes on the adhesive sheet so that the two electrodes are positioned at the bottom; Forming a sealing portion covering the adhesive sheet and the semiconductor light emitting device chip and having a planar upper surface; Removing the adhesive sheet; Cutting the sealing portion along the boundary of the semiconductor light emitting device; And disposing a separate encapsulation unit including the semiconductor light emitting device chip on a hot plate and dispensing the lens encapsulation material onto the semiconductor light emitting device chip in a state of applying heat to form a lens on the encapsulation unit Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다. This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예(Vertical Chip)를 나타내는 도면,
도 4는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 6 및 도 7은 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 8은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 9는 종래의 LED 패키지의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 종래의 렌즈 형성방법을 나타내는 도면,
도 11 내지 도 17은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타낸 도면,
도 18 및 도 19는 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 다른 일 예를 나타낸 도면,
도 20 및 도 21은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타낸 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device (lateral chip)
2 is a view showing another example (Flip Chip) of a conventional semiconductor light emitting device,
3 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device (Vertical Chip)
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044,
5 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device,
6 and 7 are views showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044,
8 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device,
9 is a view showing an example of a conventional LED package,
10 is a view showing a conventional lens forming method,
11 to 17 are views showing an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
18 and 19 are views showing another example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
20 and 21 are diagrams illustrating another example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 11 내지 도 17은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타낸 도면이다. 11 to 17 are views showing an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 11에 나타낸 것과 같이, 복수의 도전판(101)을 절연접착제(103) 등과 같은 절연재료를 사용하여 접착하는 방식으로 반복 적층하여 적층체(105)를 준비한다. 한편, 도전판(101)과 도전판(101) 사이를 절연시킬 수만 있다면 절연접착제(103)를 대신하여 금속간 접합을 가능하게 하는 접합 금속층을 사용하여 적층체(105)를 형성할 수도 있을 것이다. 예를 들어, 도전판(101)과 도전판(101) 사이의 절연을 위해, 접합에 앞서 아노다이징 공정을 통해 도전판(101)을 표면처리하는 방식으로 형성되는 적어도 하나의 아노다이징막이 도전판(101)과 도전판(101) 사이에서 절연막의 기능을 수행하도록 할 수 있다. As shown in Fig. 11, the laminate 105 is prepared by repeatedly laminating a plurality of conductive plates 101 in such a manner that they are bonded to each other using an insulating material such as an insulating adhesive 103 or the like. If the conductive plate 101 and the conductive plate 101 can be insulated from each other, the laminated body 105 may be formed using a bonding metal layer that enables intermetallic bonding instead of the insulating adhesive 103 . For example, at least one anodizing film formed in a manner of surface-treating the conductive plate 101 through an anodizing process prior to bonding may be used as the conductive plate 101 for insulating between the conductive plate 101 and the conductive plate 101 ) And the conductive plate 101. [0051] As shown in Fig.

도전판(101)의 재질은 도전성 금속 또는 전도성 반도체라면 특별한 제한이 없으며, 이러한 재료로 W, Mo, Ni, Al, Zn, Ti, Cu, Si 등과 같은 재료 및 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금 형태를 들 수 있고, 전기 전도성, 열 전도성, 반사율 등을 고려했을 때, Al을 적합한 예로 들 수 있다. 물론, 도전성 재료라면 특별한 제한이 없으며, 도전성을 가진다면 비금속 재료 또한 사용될 수 있을 것이다. The material of the conductive plate 101 is not particularly limited as long as it is a conductive metal or a conductive semiconductor and a material such as W, Mo, Ni, Al, Zn, Ti, Cu, Si, And Al is a suitable example in consideration of electrical conductivity, thermal conductivity, reflectance, and the like. Of course, there is no particular restriction as long as it is a conductive material, and a non-metallic material having conductivity can also be used.

이와 같은 적층체(105)를 절단하여, 도 12에 나타낸 것과 같이, 절연접착제(103)로 이루어진 절연부(113) 및 도전판(101)으로 이루어진 도전부(111,112)가 반복되는 구조의 금속 기판 원판(110)을 형성한다. 금속 기판 원판(110)에서, 도전부(111)와 도전부(112) 사이에 절연부(113)가 위치하게 되며, 인접한 두 도전부(111,112)는 절연부(113)에 의해 전기적으로 절연된다. 금속 기판 원판(110)은 상면(116) 및 상면(116)에 대향하는 하면(117)을 구비하게 되며, 절연부(113)는 금속 기판(110)의 상면(116)으로부터 하면(117)으로 이어지게 된다. 12, the laminated body 105 is cut so that the insulating portion 113 made of the insulating adhesive 103 and the conductive portions 111 and 112 made of the conductive plate 101 are repeated, Thereby forming an original plate 110. The insulating portion 113 is positioned between the conductive portion 111 and the conductive portion 112 in the metal substrate original plate 110 and the adjacent two conductive portions 111 and 112 are electrically insulated by the insulating portion 113 . The metal substrate original plate 110 has a top surface 116 and a bottom surface 117 facing the top surface 116. The insulating portion 113 extends from the top surface 116 to the bottom surface 117 of the metal substrate 110 .

한편, 금속 기판 원판(110)은 아래와 같은 다른 방법으로도 제조될 수 있다. On the other hand, the metal substrate original plate 110 may be manufactured by another method as described below.

우선, 도 13에 나타낸 것과 같이, 예를 들어 Al과 같은 아노다이징 가능한 도전판(201)을 준비하고, 도전판(201) 상면의 절연부(113)가 형성될 영역을 제외한 나머지 영역에 산화방지 마스크(202)를 덮는다. 이어서, 아노다이징 공정을 수행하여 산화방지 마스크(202)로 덮이지 않은 부분이 산화되도록 하며, 아노다이징 공정이 종료된 후 산화방지 마스크(202)를 제거하는 방식으로, 도 12에 나타낸 것과 같은 금속 기판 원판(110)을 형성할 수 있다. 아노다이징 공정을 통해 산화된 부분은 금속 기판 원판(110)의 절연부(113)가 되고, 산화되지 않은 절연부(113) 양측의 부분은 금속 기판 원판(110)의 도전부(111) 및 도전부(112)가 된다. First, as shown in Fig. 13, an anodizable conductive plate 201 such as Al, for example, is prepared, and an oxidation preventive mask 201 is formed on the remaining area except the area where the insulating portion 113 is to be formed on the upper surface of the conductive plate 201 (Not shown). Next, the anodizing process is performed to oxidize the portions not covered with the oxidation-preventing mask 202, and the oxidation-preventing mask 202 is removed after the anodizing process is completed. In this manner, (110) can be formed. The portions oxidized through the anodizing process become the insulating portions 113 of the metallic substrate original plate 110 and the portions of both sides of the unoxidized insulating portions 113 are electrically connected to the conductive portions 111 of the metallic substrate original plate 110, (112).

이와 같이 준비된 금속 기판 원판(110) 위에, 도 14에 나타낸 것과 같이, 반도체 발광소자 칩(150)이 배치된다. 반도체 발광소자 칩(150)은 발광다이오드(LED: Light Emitting Diode) 일 수 있으며, 도 2, 도 4 및 도 5에 예시된 형태의 플립 칩일 수 있다. 반도체 발광소자 칩(150)은 제1 도전성(예: n형)을 가지는 제1 반도체층(종래도면 참조), 제1 도전성과 다른 제2 도전성(예: p형)을 가지는 제2 반도체층(종래도면 참조), 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층(종래도면 참조), 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극(151) 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극(152)을 구비한다. 반도체 발광소자 칩(150)은, 제1 전극(151)과 제2 전극(152)이 하부로 향하고, 제1 전극(151)과 제2 전극(152) 사이에 절연부(113)가 놓이도록 금속 기판(110)의 상면(116) 위에 배치될 수 있다. 즉, 반도체 발광소자 칩(150)은 절연부(113)에 걸쳐서 위치하게 된다. 구체적으로, 금속 기판(110)의 상면(116)에서, 제1 전극(151)은 절연부(113) 좌측의 도전부(111)에 접합되고, 제2 전극(152)은 절연부(113) 우측의 도전부(112)에 접합된다. 이러한 접합은 Ag 페이스트를 이용하여 수행되거나, 반도체 발광소자 분야에 이미 알려진 다양한 방법이 사용될 수 있다. 반도체 발광소자 칩(150)은 절연부(113) 양측의 도전부(111) 및 제2 도전부(112)와 넓은 면적에 걸쳐 접촉하게 되며, 따라서 반도체 발광소자로 완성되었을 때 반도체 발광소자 칩(150)에서 발생한 열이 효과적으로 방출될 수 있다. 14, the semiconductor light emitting device chip 150 is disposed on the metal substrate original plate 110 prepared as described above. The semiconductor light emitting device chip 150 may be a light emitting diode (LED), and may be a flip chip of the type illustrated in FIGS. 2, 4, and 5. The semiconductor light emitting device chip 150 may include a first semiconductor layer having a first conductivity (for example, n-type) (refer to a conventional drawing) and a second semiconductor layer having a second conductivity An active layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and generating light by recombination of electrons and holes (see a conventional drawing), a first electrode 151 electrically connected to the first semiconductor layer And a second electrode 152 electrically connected to the second semiconductor layer. The semiconductor light emitting device chip 150 is formed such that the first electrode 151 and the second electrode 152 are directed downward and the insulating portion 113 is disposed between the first electrode 151 and the second electrode 152 And may be disposed on the upper surface 116 of the metal substrate 110. That is, the semiconductor light emitting device chip 150 is positioned over the insulating portion 113. The first electrode 151 is bonded to the conductive portion 111 on the left side of the insulating portion 113 and the second electrode 152 is bonded to the insulating portion 113 on the upper surface 116 of the metal substrate 110. [ And is joined to the conductive part 112 on the right side. Such bonding may be performed using an Ag paste, or various methods already known in the field of semiconductor light emitting devices may be used. The semiconductor light emitting device chip 150 is in contact with the conductive parts 111 and the second conductive parts 112 on both sides of the insulating part 113 over a large area and therefore when the semiconductor light emitting device is completed, 150 can be effectively released.

다음으로, 도 15에 나타낸 것과 같이, 평면상에서 예정된 반도체 발광소자의 경계(A)를 따라 금속 기판 원판(110)을 절단하여, 복수의 분리된 금속 기판(210)으로 분리한다. 분리된 금속 기판(210)은, 도 16에 나타낸 것과 같이, 절연부(213) 및 절연부(213)를 사이에 측면을 마주보는 제1 도전부(211)와 제2 도전부(212)를 구비하게 된다. 분리된 금속 기판(210)의 상면(216) 중앙에 반도체 발광소자 칩(150)이 위치하게 된다. 이때, 제1 전극(151)은 제1 도전부(211)와 접합된 상태이며, 제2 전극(152)은 제2 도전부(212)와 접합된 상태이다.Next, as shown in Fig. 15, the metal substrate original plate 110 is cut along the boundary A of the semiconductor light emitting device which is planned on a plane, and is separated into a plurality of separated metal substrates 210. [ 16, the separated metal substrate 210 includes a first conductive portion 211 and a second conductive portion 212 facing each other with the insulating portion 213 and the insulating portion 213 facing each other, . The semiconductor light emitting device chip 150 is positioned at the center of the upper surface 216 of the separated metal substrate 210. At this time, the first electrode 151 is bonded to the first conductive portion 211, and the second electrode 152 is bonded to the second conductive portion 212.

이어서, 도 17에 나타낸 것과 같이, 반도체 발광소자 칩(150)을 포함하는 분리된 금속 기판(210)을 핫 플레이트(220) 위에 배치한 상태에서 반도체 발광소자 칩(150)의 상부로 렌즈형성용 봉지제를 디스펜싱하여 렌즈(230)를 형성한다. 렌즈(230)는 분리된 금속 기판(210) 위에서 반도체 발광소자 칩(150)을 덮도록 형성된다. 렌즈형성용 봉지제를 디스펜싱하기 위한 디스펜서(240)는 반도체 발광소자 칩(150) 위에 위치하게 된다. 렌즈(230)는, 디스펜싱되는 봉지제가 반도체 발광소자 칩(150) 위로 떨어진 다음 분리된 금속 기판(210)의 가장자리 측으로 퍼지면서, 점진적으로 성장하는 형태로 형성된다. 17, the separated metal substrate 210 including the semiconductor light emitting device chip 150 is placed on the hot plate 220, and the upper part of the semiconductor light emitting device chip 150 The encapsulant is dispensed to form the lens 230. The lens 230 is formed to cover the semiconductor light emitting device chip 150 on the separated metal substrate 210. The dispenser 240 for dispensing the encapsulating material for lens formation is placed on the semiconductor light emitting device chip 150. The lens 230 is formed in such a shape that the encapsulated material to be dispensed is gradually deposited on the edge of the separated metal substrate 210 after being separated from the semiconductor light emitting device chip 150.

핫 플레이트(220)는 분리된 금속 기판(210)에 열을 제공한다. 금속 기판(210)에 전달된 열은 디스펜싱되는 렌즈형성용 봉지제의 경화를 촉진하고 점도를 증가시켜, 결과적으로 봉지제의 표면장력을 증가시킨다. 증가된 표면장력으로 인해, 분리된 금속 기판(210)의 가장자리 측으로 퍼지는 봉지제가 분리된 금속 기판(210)의 가장자리를 넘어 더 이상 퍼질 수 없게 되며, 따라서 분리된 금속 기판(210)의 상면(216) 가장자리에 의해 외곽이 한정되고 위로 볼록하게 솟은 대략 반원형의 단면을 가지는 렌즈(230)를 형성할 수 있게 된다. The hot plate 220 provides heat to the detached metal substrate 210. The heat transferred to the metal substrate 210 promotes the curing of the lens-forming encapsulant to be dispensed and increases the viscosity, consequently increasing the surface tension of the encapsulant. The sealant that spreads to the edge side of the separated metal substrate 210 can no longer spread over the edge of the separated metal substrate 210 and thus the upper surface 216 of the separated metal substrate 210 The lens 230 having an approximately semicircular cross section whose outer periphery is defined by the edges and which is convex upward can be formed.

렌즈형성용 봉지제는 실리콘 등과 같은 액상의 투명수지를 포함할 수 있으며, 형광체를 추가로 함유할 수도 있다. 렌즈형성용 봉지제로 사용되는 실리콘은 볼록 렌즈 형상구현이 가능하도록 하기 위해 10000cPs 내지 20000cPs 범위 이내의 높은 점도를 가지는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 선택적으로, 점도가 다른 다양한 실리콘이 사용될 수 있을 것이다. 또한, 사용되는 실리콘의 점도에 따라 렌즈(230)의 높이를 조절할 수 있다. 예를 들어, 상대적으로 점도가 높은 실리콘이 사용될 경우 상대적으로 높은 높이의 렌즈(230)를 형성할 수 있고, 상대적으로 점도가 낮은 실리콘이 사용될 경우 상대적으로 낮은 높이의 렌즈(230)를 형성할 수 있게 된다.The lens-forming encapsulant may contain a liquid transparent resin such as silicone or the like, and may further contain a fluorescent substance. The silicone used as the lens-forming encapsulant preferably has a viscosity in the range of 10,000 cps to 20,000 cps in order to enable a convex lens shape to be realized. Alternatively, various silicones having different viscosities may be used. In addition, the height of the lens 230 can be adjusted according to the viscosity of the silicon used. For example, when relatively high viscosity silicon is used, relatively high height lenses 230 can be formed, and when relatively low viscosity silicon is used, relatively low height lenses 230 can be formed. .

핫 플레이트(220)는, 렌즈형성용 봉지제의 물성변화 특성이 우수한, 110℃ 내지 170℃ 범위 이내의 온도로 제어되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 렌즈형성용 봉지제로 사용되는 실리콘의 경우, 110℃ 이하에서는 점도 향상의 효과가 크지 않아 렌즈 형상을 구현하기 어려울 수 있으며, 170℃ 이상의 높은 온도에서는 형성되는 렌즈에 균열이 발생할 수 있는 등 렌즈 품질 손상을 초래할 수 있기 때문에, 특정 온도 구간 이내에서 제어되는 것이 바람직하다. 핫 플레이트(220)는 적어도 실리콘과 같은 렌즈형성용 봉지제가 분리된 금속 기판(210)의 가장자리를 넘어 불량이 발생하지 않도록 하는 온도로 제어되어야 할 것이다. 또한, 핫 플레이트(220)의 온도에 따라 렌즈(230)의 높이를 조절할 수 있다. 예를 들어, 상대적으로 핫 플레이트(220)가 고온일 때 상대적으로 높은 높이의 렌즈(230)를 형성할 수 있고 상대적으로 핫 플레이트(220)가 저온일 때 상대적으로 낮은 높이의 렌즈(230)를 형성할 수 있게 된다. It is preferable that the hot plate 220 is controlled to a temperature within a range of 110 캜 to 170 캜, which is excellent in property change characteristics of the lens-forming encapsulant. For example, in the case of silicon used as a lens-forming encapsulant, it is difficult to realize a lens shape because the effect of improving the viscosity at 110 ° C or less is not significant, and cracks may be formed in the lens formed at a temperature higher than 170 ° C It is preferable to control the temperature within a specific temperature range because it may cause damage to the lens quality. The hot plate 220 should be controlled to a temperature such that at least a lens-forming encapsulant such as silicon will not go beyond the edge of the separated metal substrate 210 to cause defects. In addition, the height of the lens 230 can be adjusted according to the temperature of the hot plate 220. For example, relatively high height lens 230 can be formed when hot plate 220 is relatively hot, and relatively low height lens 230 when relative hot plate 220 is low temperature .

핫 플레이트(220)는 또한, 렌즈형성용 봉지제로 사용되는 실리콘의 점도에 따라 조절될 수 있다. 예를 들어, 상대적으로 점도가 높은 실리콘이 사용될 경우 상대적으로 낮은 온도로 제어될 수 있고, 상대적으로 점도가 낮은 실리콘이 사용될 경우 상대적으로 높은 온도로 제어될 수 있다. 결과적으로, 렌즈(230)의 높이는 실리콘의 점도 및 핫 플레이트의 온도에 따라 조절할 수 있을 것이다. The hot plate 220 can also be adjusted according to the viscosity of the silicone used as the lens-forming encapsulant. For example, when relatively high viscosity silicon is used, the temperature can be controlled to a relatively low temperature, and when relatively low viscosity silicon is used, the temperature can be controlled to a relatively high temperature. As a result, the height of the lens 230 may be adjusted depending on the viscosity of the silicon and the temperature of the hot plate.

한편, 렌즈(230)를 형성하기 위한 디스펜싱이 종료되더라도, 렌즈(230)가 완전히 경화될 때까지, 반도체 발광소자는 핫 플레이트(220) 위에 놓인 상태로 유지되며, 완전히 경화된 후 반도체 발광소자를 핫 플레이트(220)로부터 분리함으로써, 반도체 발광소자가 완성된다. Even if the dispensing for forming the lens 230 is completed, the semiconductor light emitting device remains on the hot plate 220 until the lens 230 is completely cured. After the semiconductor light emitting device is fully cured, Is separated from the hot plate 220, a semiconductor light emitting element is completed.

본 개시에 따르면, 고가의 금형을 사용하지 않고도, 핫 플레이트(220)의 온도를 일정하게 유지하고, 봉지제의 디스펜싱 속도를 일정하게 유지하는 것만으로, 일정한 형태의 렌즈(230)를 형성할 수 있게 된다.
According to the present disclosure, it is possible to form the lens 230 having a constant shape by simply maintaining the temperature of the hot plate 220 constant and keeping the dispensing speed of the sealing agent constant, without using an expensive mold .

도 18 및 도 19는 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 다른 일 예를 나타낸 도면이다. 18 and 19 are views showing another example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 15에 나타낸 것과 같은 절단하는 단계에 앞서, 도 18에 나타낸 것과 같이, 금속 기판 원판(110)과 반도체 발광소자 칩(150)을 덮고 평면형의 상면을 갖는 봉지부(170)가 형성될 수 있다. 이어서, 절단하는 단계가 수행되며, 이때 봉지부(170)는 금속 기판 원판(110)과 함께 절단된다. 봉지부(170)를 이루는 봉지제는 렌즈형성용 봉지제와 다를 수 있다. 예를 들어, 봉지부(170)를 이루는 봉지제는 렌즈형성용 봉지제보다 낮은 점도의 것이 사용될 수 있다. 분리된 봉지부(270)는 금속 기판(210)과 반도체 발광소자 칩(150)을 덮는 가운데, 컨포멀한 외형을 가지게 된다. 18, an encapsulating portion 170 having a planar upper surface covering the metal substrate original plate 110 and the semiconductor light emitting device chip 150 may be formed before the step of cutting as shown in Fig. 15 . Then, a cutting step is performed, at which time the sealing portion 170 is cut together with the metal substrate disk 110. The encapsulant constituting the encapsulant 170 may be different from the encapsulant for lens formation. For example, the encapsulant constituting the encapsulant 170 may be of a viscosity lower than that of the lens encapsulant. The separated encapsulant 270 has a conformal outer shape while covering the metal substrate 210 and the semiconductor light emitting device chip 150.

이어서, 도 19에 나타낸 것과 같이, 반도체 발광소자 칩(150) 및 분리된 봉지부(270)을 포함하는 분리된 금속 기판(210)을 핫 플레이트(220) 위에 배치한 상태에서 반도체 발광소자 칩(150)의 상부로 렌즈형성용 봉지제를 디스펜싱하여 렌즈(230)를 형성한다. 이때, 렌즈(230)는 분리된 봉지부(270)의 상면(276) 위에 형성된다. 렌즈(230)는, 디스펜싱되는 렌즈형성용 봉지제가 반도체 발광소자 칩(150) 상부의 봉지부(270) 위로 떨어진 다음 분리된 봉지부(270)의 가장자리 측으로 퍼지면서, 점진적으로 성장하는 형태로 형성된다. 이 경우, 렌즈(230)는 분리된 봉지부(270)의 상면(276) 가장자리에 의해 외곽이 한정된다. 19, the separated metal substrate 210 including the semiconductor light emitting device chip 150 and the separated sealing portion 270 is placed on the hot plate 220, and then the semiconductor light emitting device chip The lens forming sealant is dispensed onto the upper portion of the lens forming member 150 to form the lens 230. At this time, the lens 230 is formed on the upper surface 276 of the separated encapsulant 270. The lens 230 is formed in such a manner that the lens-forming encapsulant to be dispensed is separated from the encapsulation part 270 on the upper side of the semiconductor light emitting device chip 150 and then spread to the edge side of the encapsulation part 270, . In this case, the outer portion of the lens 230 is defined by the edge of the upper surface 276 of the separated sealing portion 270.

정리하면, 렌즈(230)가 분리된 금속 기판(210) 대신에 분리된 봉지부(270) 위에 형성된다는 점, 따라서 렌즈(230)가 분리된 봉지부(270)의 상면 가장자리에 의해 외곽이 한정된다는 점을 제외하면, 도 17에 나타낸 것과 같은 반도체 발광소자를 제조하는 방법과 유사하다.
In other words, the lens 230 is formed on the separated encapsulant 270 instead of the separated metal substrate 210, and therefore the outer periphery is limited by the top edge of the encapsulant 270, Emitting device shown in FIG. 17, except that the semiconductor light-emitting device shown in FIG.

도 20 및 도 21은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타낸 도면으로서, 도 12에 나타낸 것과 같은 금속 기판 원판(110)을 사용하지 않고, 내열 테이프, 내열 시트 등으로 이루어질 수 있는 접착 시트(110')를 사용하여 반도체 발광소자를 제조할 수 있다.20 and 21 show another example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which a heat-resistant tape, a heat-resistant sheet, or the like is used instead of the metal substrate disk 110 as shown in Fig. The adhesive sheet 110 'can be used to manufacture a semiconductor light emitting device.

금속 기판 원판(110) 대신에 접착 시트(110')가 사용된다는 점, 이 접착 시트(210)가 절단 공정 이전에 제거된다는 점, 결과적으로 도 21에 나타낸 것과 같은 금속 기판(110)이 생략된 구조의 반도체 발광소자가 형성된다는 점을 제외하면, 이상의 반도체 발광소자를 제조하는 방법과 유사하다. That the adhesive sheet 110 'is used in place of the metal substrate original plate 110, that the adhesive sheet 210 is removed before the cutting process, and consequently the metal substrate 110 as shown in FIG. 21 is omitted Except that a semiconductor light emitting element having a structure similar to that of the first embodiment is formed.

구체적으로, 도 20에 나타낸 것과 같이, 준비된 접착 시트(110') 위에 접착제 등을 이용하여 반도체 발광소자 칩(150)이 고정되며, 이어서 봉지부(170)가 형성되고, 경화가 완료되면 접착 시트(110')가 제거되며, 접착 시트(110')가 제거된 후 도 15에 나타낸 것과 유사하게 평면상에서 예정된 반도체 발광소자의 경계(A)를 따라 봉지부(170)를 절단하여, 각각 반도체 발광소자 칩(150)을 포함하는 복수의 분리된 봉지부(270)로 분리한다. 봉지부(170)를 이루는 봉지제는 렌즈형성용 봉지제와 다를 수 있다. 예를 들어, 봉지부(170)를 이루는 봉지제는 렌즈형성용 봉지제보다 낮은 점도의 것이 사용될 수 있다. 분리된 봉지부(270)는 반도체 발광소자 칩(150)의 둘레와 상면을 덮는 가운데, 컨포멀한 외형을 가지게 된다. 20, the semiconductor light emitting device chip 150 is fixed on the prepared adhesive sheet 110 'using an adhesive or the like, and then the sealing part 170 is formed. When the curing is completed, After the adhesive sheet 110 'is removed, the sealing portion 170 is cut along the boundary A of the semiconductor light emitting device, which is planned on a plane, similarly to that shown in Fig. 15, And separated into a plurality of separated encapsulant portions 270 including the device chip 150. The encapsulant constituting the encapsulant 170 may be different from the encapsulant for lens formation. For example, the encapsulant constituting the encapsulant 170 may be of a viscosity lower than that of the lens encapsulant. The separated encapsulant 270 has a conformal outer shape while covering the periphery and the upper surface of the semiconductor light emitting device chip 150.

이어서, 도 21에 나타낸 것과 같이, 반도체 발광소자 칩(150)을 포함하는 분리된 봉지부(270)를 핫 플레이트(220) 위에 배치하여 열을 가하는 상태에서, 반도체 발광소자 칩(150)의 상부의 봉지부(270) 위로 렌즈형성용 봉지제를 디스펜싱하여 렌즈(230)를 형성한다. 이때, 렌즈(230)는 분리된 봉지부(270)의 상면 위에 형성된다. 렌즈(230)는, 디스펜싱되는 렌즈형성용 봉지제가 반도체 발광소자 칩(150) 상부의 봉지부(270) 위로 떨어진 다음 분리된 봉지부(270)의 가장자리 측으로 퍼지면서, 점진적으로 성장하는 형태로 형성된다. 이 경우, 렌즈(230)는 분리된 봉지부(270)의 상면 가장자리에 의해 외곽이 한정된다.
21, the separated encapsulant 270 including the semiconductor light emitting device chip 150 is placed on the hot plate 220 and heat is applied to the upper surface of the semiconductor light emitting device chip 150 The encapsulant for forming a lens is dispensed on the encapsulant 270 of the lens 230 to form the lens 230. [ At this time, the lens 230 is formed on the upper surface of the separated encapsulant 270. The lens 230 is formed in such a manner that the lens-forming encapsulant to be dispensed is separated from the encapsulation part 270 on the upper side of the semiconductor light emitting device chip 150 and then spread to the edge side of the encapsulation part 270, . In this case, the outer periphery of the lens 230 is defined by the top edge of the separated encapsulant 270.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 렌즈는 반도체 발광소자 칩의 상부로 디스펜싱된 렌즈형성용 봉지제가 분리된 금속 기판의 가장자리 측으로 퍼지면서 점진적으로 성장하는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (1) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to (1), wherein the lens is formed in such a shape that the lens-forming encapsulant dispersed to the upper portion of the semiconductor light emitting device chip is gradually spread to the edge side of the separated metal substrate.

(2) 렌즈는 금속 기판의 상면 가장자리에 의해 외곽이 한정되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (2) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to (2), wherein the outer edge of the lens is defined by a top edge of the metal substrate.

(3) 금속 기판과 반도체 발광소자 칩을 덮고 평면형의 상면을 갖는 봉지부를 형성하는 단계;를 더 포함하며, 절단하는 단계에서, 봉지부는 금속 기판 원판과 함께 절단되고, 렌즈는 반도체 발광소자 칩의 상부로 디스펜싱된 렌즈형성용 봉지제가 분리된 봉지부의 상면 가장자리 측으로 퍼지면서 점진적으로 성장하는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (3) forming an encapsulation portion having a planar upper surface covering the metal substrate and the semiconductor light emitting device chip, wherein the encapsulation portion is cut together with the metal substrate plate, Wherein the encapsulating material for lens formation is formed in such a shape that the encapsulating material for forming lenses is dispersed gradually toward the upper edge side of the encapsulation part.

(4) 렌즈는 봉지부의 상면 가장자리에 의해 외곽이 한정되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (4) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (4), wherein the outer edge of the lens is defined by the top edge of the sealing portion.

(5) 렌즈는 반도체 발광소자 칩의 상부로 디스펜싱된 렌즈형성용 봉지제가 분리된 봉지부의 상면 가장자리 측으로 퍼지면서 점진적으로 성장하는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (5) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to (5), wherein the lens encapsulating material dispersed to the upper part of the semiconductor light emitting device chip is formed to gradually grow while spreading toward the upper surface edge side of the separated encapsulation part.

(6) 렌즈는 봉지부의 상면 가장자리에 의해 외곽이 한정되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (6) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to (6), wherein the outer periphery is defined by the top edge of the sealing portion of the lens.

(7) 핫 플레이트는 110℃ 내지 170℃ 범위 이내의 온도로 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (7) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the hot plate is controlled at a temperature within a range of 110 ° C to 170 ° C.

(8) 핫 플레이트의 온도에 따라 렌즈 형상 봉지부의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (8) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the height of the lens-shaped sealing portion is adjusted according to the temperature of the hot plate.

(9) 봉지제는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (9) The method for producing a semiconductor light emitting device, wherein the sealing agent comprises silicon.

(10) 실리콘은 10000cPs 내지 20000 cPs 범위 이내의 높은 점도를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (10) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to (10), wherein the silicon has a high viscosity within a range of 10000 cPs to 20000 cPs.

(11) 실리콘의 점도에 따라 렌즈 형상 봉지부의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (11) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, characterized in that the height of the lens-shaped sealing portion is adjusted according to the viscosity of silicon.

(12) 핫 플레이트는 110℃ 내지 170℃ 범위 이내의 온도에서 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (12) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the hot plate is controlled at a temperature within a range of 110 캜 to 170 캜.

(13) 실리콘의 점도 및 핫 플레이트의 온도에 따라 렌즈 형상 봉지부의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (13) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, characterized by adjusting the height of the lens-shaped sealing portion according to the viscosity of the silicon and the temperature of the hot plate.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 의하면, 광추출 효율이 높은 반도체 발광소자를 제공할 수 있다. According to the method for manufacturing a single semiconductor light emitting device according to the present disclosure, a semiconductor light emitting device having high light extraction efficiency can be provided.

본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 의하면, 고가의 금형을 사용하지 않고도 렌즈를 구비하는 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.According to the method for manufacturing another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, it is possible to provide a semiconductor light emitting device having a lens without using an expensive metal mold.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 의하면, 렌즈를 구비하는 반도체 발광소자의 제조원가를 낮출 수 있다.According to another method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, the manufacturing cost of a semiconductor light emitting device having a lens can be reduced.

101: 도전판 103: 절연접착제
105: 적층체 110: 금속 기판
110': 접착 시트 170: 봉지부
150: 반도체 발광소자 칩 151: 제1 전극
152: 제2 전극 201: 도전판
202: 산화방지 마스크 210: 분리된 금속 기판
220: 핫 플레이트 230: 렌즈
240: 디스펜서 270: 분리된 봉지부101: conductive plate 103: insulating adhesive
105: laminate 110: metal substrate
110 ': Adhesive sheet 170:
150: semiconductor light emitting device chip 151: first electrode
152: second electrode 201: conductive plate
202: anti-oxidation mask 210: separated metal substrate
220: hot plate 230: lens
240: dispenser 270: separated bag part

Claims (15)

절연부 및 절연부에 의해 전기적으로 절연되는 제1 도전부와 제2 도전부를 구비하며, 상면 및 상면에 대향하는 하면을 가지고, 절연부가 상면으로부터 하면으로 이어지는 금속 기판 원판을 형성하는 단계;
제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을, 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하도록 금속 기판 원판 위에 고정하는 단계;
반도체 발광소자의 경계를 따라 금속 기판 원판을 절단하는 단계; 및
반도체 발광소자 칩을 포함하는 분리된 금속 기판을 핫 플레이트 위에 배치하여 열을 가하는 상태에서 반도체 발광소자 칩의 상부로 렌즈형성용 봉지제를 디스펜싱하여 렌즈를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. Forming a metal substrate original plate having a first conductive portion and a second conductive portion that are electrically insulated by an insulating portion and an insulating portion and having a top surface and a bottom surface opposite to the top surface and the insulating portion leading from the top surface to the bottom surface;
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, wherein the first electrode and the second electrode are disposed on the lower surface of the metal substrate, ;
Cutting a metal substrate disc along a boundary of the semiconductor light emitting device; And
And disposing the separated metal substrate including the semiconductor light emitting device chip on a hot plate and dispensing the encapsulating material for lens formation onto the semiconductor light emitting device chip in a state of applying heat to form a lens Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device. 청구항 1에 있어서,
렌즈는 반도체 발광소자 칩의 상부로 디스펜싱된 렌즈형성용 봉지제가 분리된 금속 기판의 가장자리 측으로 퍼지면서 점진적으로 성장하는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method according to claim 1,
Wherein the lens is formed in such a shape that the encapsulant for lens formation, which is dispensed onto the upper part of the semiconductor light emitting device chip, is gradually expanded while spreading toward the edge side of the separated metal substrate. 청구항 2에 있어서,
렌즈는 금속 기판의 상면 가장자리에 의해 외곽이 한정되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method of claim 2,
Wherein the lens is defined by a top edge of the metal substrate. 청구항 1에 있어서,
금속 기판과 반도체 발광소자 칩을 덮고 평면형의 상면을 갖는 봉지부를 형성하는 단계;를 더 포함하며,
절단하는 단계에서, 봉지부는 금속 기판 원판과 함께 절단되고,
렌즈는 반도체 발광소자 칩의 상부로 디스펜싱된 렌즈형성용 봉지제가 분리된 봉지부의 상면 가장자리 측으로 퍼지면서 점진적으로 성장하는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method according to claim 1,
Forming a sealing portion covering the metal substrate and the semiconductor light emitting device chip and having a planar upper surface,
In the cutting step, the sealing portion is cut together with the metal substrate original plate,
Wherein the lens is formed in such a shape that the lens-forming encapsulation material dispersed to the upper portion of the semiconductor light-emitting device chip is gradually expanded while being spread toward the upper edge side of the encapsulated encapsulant. 청구항 3에 있어서,
렌즈는 봉지부의 상면 가장자리에 의해 외곽이 한정되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method of claim 3,
Wherein the lens has an outer periphery defined by a top surface edge of the sealing portion. 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을, 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하도록 접착 시트 위에 고정하는 단계;
접착 시트와 반도체 발광소자 칩을 덮고 평면형의 상면을 갖는 봉지부를 형성하는 단계;
접착 시트를 제거하는 단계;
반도체 발광소자의 경계를 따라 봉지부를 절단하는 단계; 및
반도체 발광소자 칩을 포함하는 분리된 봉지부를 핫 플레이트 위에 배치하여 열을 가하는 상태에서 반도체 발광소자 칩의 상부로 렌즈형성용 봉지제를 디스펜싱하여 봉지부 위에 렌즈를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer are formed on the adhesive sheet so that the first electrode and the second electrode are positioned at the bottom, ;
Forming a sealing portion covering the adhesive sheet and the semiconductor light emitting device chip and having a planar upper surface;
Removing the adhesive sheet;
Cutting the sealing portion along the boundary of the semiconductor light emitting device; And
And disposing a separate encapsulating member including the semiconductor light emitting device chip on the hot plate and dispensing the encapsulating material for lens formation onto the semiconductor light emitting device chip in a state of applying heat to form a lens on the encapsulating unit Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device. 청구항 6에 있어서,
렌즈는 반도체 발광소자 칩의 상부로 디스펜싱된 렌즈형성용 봉지제가 분리된 봉지부의 상면 가장자리 측으로 퍼지면서 점진적으로 성장하는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method of claim 6,
Wherein the lens is formed in such a shape that the lens-forming encapsulation material dispersed to the upper portion of the semiconductor light-emitting device chip is gradually expanded while being spread toward the upper edge side of the encapsulated encapsulant. 청구항 7에 있어서,
렌즈는 봉지부의 상면 가장자리에 의해 외곽이 한정되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method of claim 7,
Wherein the lens has an outer periphery defined by a top surface edge of the sealing portion. 청구항 1 또는 청구항 6에 있어서,
핫 플레이트는 110℃ 내지 170℃ 범위 이내의 온도로 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method according to claim 1 or 6,
Wherein the hot plate is controlled to a temperature within a range of 110 ° C to 170 ° C. 청구항 9에 있어서,
핫 플레이트의 온도에 따라 렌즈 형상 봉지부의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method of claim 9,
And the height of the lens-shaped sealing portion is adjusted according to the temperature of the hot plate. 청구항 1 또는 청구항 6에 있어서,
봉지제는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method according to claim 1 or 6,
Wherein the sealing agent comprises silicon. 청구항 11에 있어서,
실리콘은 10000cPs 내지 20000cPs 범위 이내의 점도를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method of claim 11,
Wherein the silicon has a viscosity within a range of 10000 cPs to 20000 cPs. 청구항 12에 있어서,
실리콘의 점도에 따라 렌즈 형상 봉지부의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method of claim 12,
Characterized in that the height of the lens-shaped sealing portion is adjusted according to the viscosity of the silicon. 청구항 12에 있어서,
핫 플레이트는 110℃ 내지 170℃ 범위 이내의 온도에서 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method of claim 12,
Wherein the hot plate is controlled at a temperature within a range of 110 ° C to 170 ° C. 청구항 14에 있어서,
실리콘의 점도 및 핫 플레이트의 온도에 따라 렌즈 형상 봉지부의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. 15. The method of claim 14,
Wherein the height of the lens-shaped sealing portion is adjusted according to the viscosity of the silicon and the temperature of the hot plate.
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