KR101417018B1 - Microphone and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 마이크로폰 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 제 1과 2 음향 감지부가 형성되어 있는 제 1 기판과; 상기 제 1과 2 음향 감지부 각각으로 음향이 입력되는 제 1과 2 포트가 형성되어 있으며, 상기 제 1 기판에 접착되어 있는 제 2 기판으로 구성된다.The present invention relates to a microphone and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a microphone and a method of manufacturing the same, which includes a first substrate on which first and second acoustic sensors are formed; And first and second ports through which sound is input to the first and second acoustic sensors, respectively, and a second substrate bonded to the first substrate.

따라서, 본 발명은 단일 기판에 음향 감지부들을 일체로 형성하여, 각 소자간의 균일도(Uniformity) 및 특성 균일도가 우수하여, 각 소자간의 성능 편차가 매우 작아지는 장점이 있다.Therefore, the present invention is advantageous in that the acoustic sensing parts are integrally formed on a single substrate, and the uniformity and characteristic uniformity between the devices are excellent, and the performance deviation between the devices is greatly reduced.

또한, 본 발명은 소자 제조뿐만 아니라 패키징 공정까지 웨이퍼 상태에서 일괄적으로 처리하는 웨이퍼 레벨 패키징(Wafer Level Packaging)에 의해 마이크로폰 소자를 제조함으로써, 생산비용을 절감할 수 있고, 생산 기간을 단축할 수 있으며, 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, the present invention can reduce the production cost and shorten the production period by manufacturing the microphone device by wafer level packaging (wafer level packaging) which collectively processes not only the device manufacturing but also the packaging process in the wafer state There is an advantage that the yield can be improved.

마이크로폰, 포트, 기판, 접착, 웨이퍼, 음향감지 Microphone, port, substrate, adhesive, wafer, acoustic detection

Description

마이크로폰 및 그의 제조 방법 { Microphone and method for manufacturing the same } [0001] Microphone and method for manufacturing same [0001]

본 발명은 특성을 균일하게 할 수 있는 마이크로폰 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a microphone capable of making characteristics uniform and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 마이크로폰(Microphone)은 음파 또는 초음파의 진동을 감지하여 그에 따른 전기신호로 변환하여 출력하는 센서(Sensor)의 일종이다. Generally, a microphone is a type of sensor that detects vibration of a sound wave or an ultrasonic wave, converts the sound into an electric signal corresponding to the vibration, and outputs the electric signal.

마이크로폰은 음향 입력장치로 사용되어 녹음기, 전화기, 확성기, 보청기 등에 이용된다.The microphone is used as a sound input device, and is used for a sound recorder, a telephone, a loudspeaker, a hearing aid, and the like.

보통의 무지향성 마이크로폰(Omni-directional microphone)은 모든 방향으로의 감도가 같아 잡음에 대해 취약한 특성을 보이기 때문에 특정 방향으로만 감도가 높은 지향성 마이크로폰(Directional microphone)이 개발되었다. Since an ordinary omni-directional microphone has the same sensitivity in all directions, it is weak against noise, so a directional microphone with high sensitivity only in certain directions has been developed.

지향성 마이크로폰의 감도가 높은 방향이 음원(Sound source)을 향하도록 위치시키면, 주변 잡음에 비해 감지를 원하는 음향의 신호가 크게 되어 신호 대 잡음 비(SNR:Signal to noise ratio)를 향상시킬 수 있다.When the direction of the directional microphone is positioned so as to face the sound source, the signal of the sound to be sensed is larger than that of the surrounding noise, so that the signal to noise ratio (SNR) can be improved.

도 1은 종래 지향성 마이크로폰의 개략적인 구성을 도시한 단면도로서, 음향 신호가 입력되는 한 쌍의 포트들(11,12)과; 상기 한 쌍의 포트들(11,12)에 입력된 음향 신호에 의해 진동하는 진동판(13)과; 상기 음향 신호의 진행 시간을 지연시키는 저항(14)으로 구성된다.1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a conventional directional microphone, which includes a pair of ports 11 and 12 into which acoustic signals are input; A diaphragm 13 that vibrates by an acoustic signal input to the pair of ports 11 and 12; And a resistor 14 for delaying the progress time of the acoustic signal.

이렇게 구성된 종래 지향성 마이크로폰은 전면 포트(11)로부터 음향 신호가 입력되었을 때와 후면 포트(12)로부터 음향 신호가 입력되었을 때, 상기 진동판(13)은 반대 방향으로 움직이도록 구성되어 있다.The conventional directional microphone thus constructed is structured such that when the acoustic signal is inputted from the front port 11 and when the acoustic signal is inputted from the rear port 12, the diaphragm 13 moves in the opposite direction.

그러므로, 이러한 종래 지향성 마이크로폰은 후면 방향에 있는 음원으로부터 나온 음향신호가 후면 포트(12)에 먼저 입력되고 전면 포트(11)로 입력되는데, 상기 진동판(13)은 후면 포트(12)와 전면 포트(11)로부터 입력된 음압의 차이만큼 진동하게 된다.The diaphragm 13 is connected to the rear port 12 and the front port 11. The front port 11 is connected to the front port 12 and the rear port 12, 11 by the difference of the sound pressure inputted thereto.

이때, 상기 저항(14)에 의한 음향신호의 시간 지연을 후면 포트(12)에서 전면 포트(11)의 거리를 진행하는 시간만큼 되도록 제작하면, 상기 후면 포트(12)로부터 입력된 음향 신호와 상기 전면 포트(11)를 통해 입력된 음향 신호가 서로 상쇄되면서 상기 진동판(13)은 진동하지 않는다.If the time delay of the acoustic signal by the resistor 14 is made to be the time required for the distance from the rear port 12 to the front port 11, The diaphragm 13 does not vibrate while the acoustic signals inputted through the front port 11 are canceled each other.

이와 같은 방식의 종래의 지향성 마이크로폰은 원리와 구조가 간단하지만, 실제 제작시 균일성이 저하되며, 전면 포트(11)와 후면 포트(12) 사이의 거리와 저항(14)을 매우 정밀하게 조절하기 어렵고, 음향 신호의 주파수 성분에 따른 저항의 지연 특성이 달라 주파수에 따른 지향성 특성이 상이하며, 무지향성 마이크로폰과 달리 진동판의 댐핑(Damping)이 작아서 음향신호 외에 기타 진동에 의해서도 민감하다.Although the conventional directional microphone of this type is simple in principle and structure, the uniformity in actual production is lowered, and the distance between the front port 11 and the rear port 12 and the resistance 14 are adjusted very precisely And the directivity characteristic of frequency is different according to the frequency characteristic of the resistance of the acoustic signal. Therefore, unlike the omnidirectional microphone, the damping of the diaphragm is small, so that it is sensitive to acoustic signals as well as other vibrations.

본 발명은 특성을 균일하게 할 수 없는 문제점을 해결하는 것이다.The present invention solves the problem that the characteristics can not be made uniform.

본 발명의 바람직한 제 1 양태(樣態)는, According to a first aspect of the present invention,

제 1과 2 음향 감지부가 형성되어 있는 제 1 기판과;A first substrate on which first and second acoustic sensing portions are formed;

상기 제 1과 2 음향 감지부 각각으로 음향이 입력되는 제 1과 2 포트가 형성되어 있으며, 상기 제 1 기판에 접착되어 있는 제 2 기판으로 구성된 마이크로폰이 제공된다.A first and a second port through which sound is input to the first and second acoustic sensing units, respectively, and a second substrate bonded to the first substrate.

본 발명의 바람직한 제 2 양태(樣態)는, According to a second preferred aspect of the present invention,

제 1 기판에 제 1과 2 음향 감지부를 형성하는 단계와;Forming first and second acoustical sensing portions on a first substrate;

상기 제 1과 2 음향 감지부 각각으로 음향이 입력되는 제 1과 2 포트를 제 2 기판 상부에 형성하는 단계와;Forming first and second ports through which sound is input to each of the first and second acoustical sensing units on the second substrate;

상기 제 1과 2 포트에서 상기 제 1과 2 음향 감지부 각각으로 음향이 입력될 수 있도록 제 1과 2 기판을 정렬하여, 상기 제 1 기판 상부에 상기 제 2 기판을 접착하는 단계로 구성된 마이크로폰의 제조 방법이 제공된다.Aligning the first and second substrates so that sound can be input to the first and second ports from the first and second ports, respectively, and bonding the second substrate to the first substrate; A manufacturing method is provided.

본 발명의 바람직한 제 3 양태(樣態)는,According to a third aspect of the present invention,

반도체 웨이퍼에 제 1과 2 음향 감지부로 이루어진 음향셀을 복수개 형성하는 단계와;A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a plurality of acoustic cells each composed of a first and a second acoustic sensor on a semiconductor wafer;

상기 제 1과 2 음향 감지부 각각에 대응되어 음향이 입력되는 제 1과 2 포트로 이루어진 음향 입력셀을 패키징 웨이퍼에 복수개 형성하는 단계와;Forming a plurality of acoustic input cells on the packaging wafer, the acoustic input cells each having a first port and a second port, the first and second acoustic sensors corresponding to the first and second acoustic sensors, respectively;

상기 복수개 음향셀의 제 1과 2 음향 감지부 각각에 음향 입력셀의 제 1과 2 포트를 대응시켜, 상기 반도체 웨이퍼 상부에 상기 패키징 웨이퍼를 접합하는 단계와;Connecting the first and second ports of the acoustic input cells to the first and second acoustic sensing units of the plurality of acoustic cells to bond the packaging wafers to the top of the semiconductor wafers;

상기 하나의 음향셀 상부에 본딩된 하나의 음향 입력셀로 이루어진 단일 마이크로폰들로 분리하는 단계로 구성된 마이크로폰의 제조 방법이 제공된다.And dividing the microphone into single microphones constituted by one acoustic input cell bonded on the one acoustic cell.

본 발명은 단일 기판에 음향 감지부들을 일체로 형성하여, 각 소자간의 균일도(Uniformity) 및 특성 균일도가 우수하여, 각 소자간의 성능 편차가 매우 작아지는 효과가 있다.The present invention has the effect of forming the acoustic sensing parts integrally on a single substrate, and having excellent uniformity and characteristic uniformity among the respective devices, thereby significantly reducing the performance deviation between the devices.

또한, 본 발명은 소자 제조뿐만 아니라 패키징 공정까지 웨이퍼 상태에서 일괄적으로 처리하는 웨이퍼 레벨 패키징(Wafer Level Packaging)에 의해 마이크로폰 소자를 제조함으로써, 생산비용을 절감할 수 있고, 생산 기간을 단축할 수 있으며, 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention can reduce the production cost and shorten the production period by manufacturing the microphone device by wafer level packaging (wafer level packaging) which collectively processes not only the device manufacturing but also the packaging process in the wafer state And the yield can be improved.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2a와 2b는 본 발명에 따른 마이크로폰을 설명하기 위한 개념적인 단면도로서, 도 2a에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(100)에 제 1과 2 음향 감지부(110,120)가 형성되어 있다.2A and 2B are conceptual cross-sectional views illustrating a microphone according to the present invention. As shown in FIG. 2A, first and second acoustic sensors 110 and 120 are formed on a first substrate 100.

그리고, 상기 제 1 기판(100)에 제 2 기판(200)이 접착되며, 상기 제 2 기판(200)에는 상기 제 1과 2 음향 감지부(110,120) 각각으로 음향이 입력되는 제 1과 2 포트(210,220)가 형성되어 있다.The second substrate 200 is bonded to the first substrate 100 and the first and second ports 200 and 210 are connected to the first and second acoustic sensors 110 and 120, (210, 220) are formed.

여기서, 상기 제 1과 2 음향 감지부(110,120)는 정전용량, 압전(Piezoelectric), 압저항(Piezoresistive), 일렉트렛(Electret)과 마그네틱(Magnetic) 중 하나로 음향을 감지하는 음향 감지부인 것이 바람직하다.The first and second acoustic sensors 110 and 120 are preferably acoustic sensors that sense sound in one of electrostatic capacitance, piezoelectric, piezo resistive, electret, and magnetic .

그리고, 상기 제 1과 2 음향 감지부(110,120)는 상기 제 1 기판(100)에서 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 공정으로 제작되는 것이 바람직하다.The first and second acoustic sensors 110 and 120 may be fabricated by a micro electro mechanical system (MEMS) process on the first substrate 100.

이렇게, 하나의 기판에 음향 감지부들을 일체로 형성하게 되면, 각 소자간의 균일도(Uniformity) 및 특성 균일도가 우수하여, 각 소자간의 성능 편차가 매우 작아지는 장점이 있다.Thus, when the acoustic sensing parts are integrally formed on one substrate, the uniformity and characteristic uniformity between the devices are excellent, and the performance deviation between the devices is greatly reduced.

특히, 지향성 마이크로폰을 구성하기 위해서는 각 마이크로폰 소자간의 성능 편차가 작을수록 유리하기 때문에, 본 발명에 따른 마이크로폰의 구조는 우수한 성능의 지향성 마이크로폰을 용이하게 제작할 수 있는 장점이 있다.Particularly, in order to construct a directional microphone, it is advantageous that the performance deviation between the respective microphone elements is small. Therefore, the structure of the microphone according to the present invention has an advantage that a directional microphone with excellent performance can be easily manufactured.

도 3a와 3b는 본 발명에 따른 마이크로폰을 설명하기 위한 개념적인 사시도로서, 도 3a와 같이, 제 1과 2 음향 감지부(110,120)가 형성된 제 1 기판(100) 및 상기 제 1과 2 음향 감지부(110,120) 각각에 대응되어 음향이 입력되는 제 1과 2 포트(210,220)가 형성되어 있는 제 2 기판(200)을 준비한다.3A and 3B are conceptual perspective views illustrating a microphone according to the present invention. As shown in FIG. 3A, a first substrate 100 on which first and second acoustic sensing units 110 and 120 are formed, And a second substrate 200 having first and second ports 210 and 220 through which sound is input corresponding to the units 110 and 120, respectively.

이때, 상기 제 1 기판(100)은 실리콘 기판으로 형성하는 것이 바람직하다.At this time, the first substrate 100 is preferably formed of a silicon substrate.

그리고, 상기 제 2 기판(200)은 상기 제 1 기판(100)과 접합이 용이한 유리 기판, 실리콘 기판과 소성 세라믹 기판 중 하나인 것이 바람직하다.The second substrate 200 may be one of a glass substrate, a silicon substrate, and a sintered ceramic substrate which is easily joined to the first substrate 100.

또한, 상기 제 2 기판(200)의 제 1과 2 포트(210,220)는 사진 묘화 공정(Photolithograpy), 건식 식각과 습식 식각 등의 마이크로머시닝(Micromachinig) 공정을 이용하여 제작한다.The first and second ports 210 and 220 of the second substrate 200 are manufactured using a micromachining process such as photolithography, dry etching, and wet etching.

그러므로, 종래의 기계적인 가공 및 조립 등의 기술로 형성되는 마이크로폰에 비해 음향 입력 포트간의 거리를 정밀하게 제작할 수 있음, 공정간의 편차 및 개별 소자간의 성능 편차를 줄일 수 있게 된다.Therefore, it is possible to precisely manufacture the distance between the sound input ports, the deviation between the processes, and the deviation in performance between the individual devices, compared to a microphone formed by a conventional technique such as machining and assembly.

그 후, 상기 제 1과 2 포트(210,220)에서 상기 제 1과 2 음향 감지부(110,120) 각각으로 음향이 입력될 수 있도록, 제 1과 2 기판(100,200)을 정렬하여, 상기 제 1 기판(100) 상부에 상기 제 2 기판(200)을 접착하면, 도 3b와 같은 본 발명에 따른 마이크로폰이 제조된다.Thereafter, the first and second substrates 100 and 200 are aligned so that sound can be input to the first and second sound sensing units 110 and 120 from the first and second ports 210 and 220, 100 are bonded to the second substrate 200, a microphone according to the present invention as shown in FIG. 3B is manufactured.

도 4a와 4b는 본 발명의 제 1 실시예에 따라 제 2 기판의 형상을 도시한 사시도 및 단면도로서, 제 2 기판(200)의 일측면에 제 1 포트(210)의 입력부(211)가 형성되어 있고, 상기 제 2 기판(200)의 타측면에 제 2 포트(220)의 입력부(221)가 형성되어 있다.4A and 4B are a perspective view and a cross-sectional view, respectively, illustrating the shape of a second substrate according to the first embodiment of the present invention, in which an input portion 211 of a first port 210 is formed on one side of a second substrate 200 And an input unit 221 of the second port 220 is formed on the other side of the second substrate 200.

그러므로, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 2 기판(200)은, 양측면에 제 1과 2 포트(210,220)의 입력부가 형성되어 있는 구조이다.Therefore, the second substrate 200 according to the first embodiment of the present invention has a structure in which input portions of the first and second ports 210 and 220 are formed on both sides.

즉, 도 3a 및 4a를 참조하여, 상기 제 2 기판(200)에 형성된 제 1 포트(210)는, 제 1 기판(100)의 제 1 음향 감지부(110)에 음향이 입력되는 제 1 연통부(212)와; 상기 제 1 연통부(212)와 연통되어 외부의 음원에서 음향이 입력되고, 상기 제 2 기판(200)의 일측면에 형성된 제 1 입력부(211)로 구성된다.3A and 4A, the first port 210 formed on the second substrate 200 is connected to the first sound sensing unit 110 of the first substrate 100, A portion 212; And a first input unit 211 connected to the first communication unit 212 and receiving sound from an external sound source and formed on one side of the second substrate 200.

그리고, 상기 제 2 기판(200)에 형성된 제 2 포트(220)는, 제 1 기판(100)의 제 2 음향 감지부(120)에 음향이 입력되는 제 2 연통부(222)와; 상기 제 2 연통부(222)와 연통되어 외부의 음원에서 음향이 입력되고, 상기 제 2 기판(200)의 타측면에 형성된 제 2 입력부(221)로 구성된다.The second port 220 formed on the second substrate 200 includes a second communication unit 222 through which sound is input to the second sound sensing unit 120 of the first substrate 100; And a second input unit 221 connected to the second communication unit 222 and receiving sound from an external sound source and formed on the other side of the second substrate 200.

도 5a와 5b는 본 발명의 제 2 실시예에 따라 제 2 기판의 형상을 도시한 사시도 및 단면도로서, 제 2 기판(200)의 상부 일면에 제 1 포트(230)의 입력부(231)가 형성되어 있고, 상기 제 2 기판(200)의 상부 타면에 제 2 포트(240)의 입력 부(241)가 형성되어 있다.5A and 5B are a perspective view and a cross-sectional view illustrating the shape of a second substrate according to a second embodiment of the present invention. An input portion 231 of a first port 230 is formed on an upper surface of a second substrate 200 And an input portion 241 of the second port 240 is formed on the other surface of the second substrate 200.

결국, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 제 2 기판(200)은, 상부면에 제 1과 2 포트(230,240)의 입력부가 형성되어 있는 구조이다.As a result, the second substrate 200 according to the second embodiment of the present invention has a structure in which input portions of the first and second ports 230 and 240 are formed on the upper surface.

그러므로, 도 3a 및 5a에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 기판(200)에 형성된 제 1 포트(230)는, 제 1 기판(100)의 제 1 음향 감지부(110)에 음향이 입력되는 제 1 연통부(232)와; 상기 제 1 연통부(232)와 연통되어 외부의 음원에서 음향이 입력되고, 상기 제 2 기판(200)의 상부 일면에 형성된 제 1 입력부(231)로 구성된다.3A and 5A, the first port 230 formed on the second substrate 200 is connected to the second substrate 200 through the second substrate 200, One communicating portion 232; And a first input unit 231 communicating with the first communication unit 232 to receive sound from an external sound source and formed on one surface of the upper surface of the second substrate 200.

또한, 상기 제 2 기판(200)에 형성된 제 2 포트(240)는, 제 1 기판(100)의 제 2 음향 감지부(120)에 음향이 입력되는 제 2 연통부(242)와; 상기 제 2 연통부(242)와 연통되어 외부의 음원에서 음향이 입력되고, 상기 제 2 기판(200)의 상부 타면에 형성된 제 2 입력부(241)로 구성된다.The second port 240 formed on the second substrate 200 includes a second communication portion 242 through which sound is input to the second sound sensing portion 120 of the first substrate 100; And a second input unit 241 connected to the second communication unit 242 and receiving sound from an external sound source and formed on the other surface of the second substrate 200.

도 6a 내지 6c는 본 발명에 따른 마이크로폰에 음향 신호 처리부를 패키징하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 도 6a와 같이, 제 1과 2 음향 감지부를 각각 독립적인 기판(310,330)에 형성한다.6A to 6C are schematic cross-sectional views for explaining a method of packaging an acoustic signal processing unit in a microphone according to the present invention. As shown in FIG. 6A, the first and second acoustic sensing units are formed on independent substrates 310 and 330, respectively.

그리고, 상기 제 1과 2 음향 감지부에 입력된 음향을 지향성 또는 무지향성으로 처리하여 출력하는 음향 신호 처리부를 별도의 기판(320)에 형성한다.An acoustic signal processing unit for processing the sounds inputted to the first and second acoustic sound sensing units in a directional or non-directional manner and outputting them is formed on a separate substrate 320.

그 후, 도 6b와 같이, 상기 제 1 음향 감지부가 형성된 기판(310)과 상기 제 2 음향 감지부가 형성된 기판(330) 사이에 상기 음향 신호 처리부가 형성된 기판(320)을 개재시켜 3개의 기판을 접착한다.Thereafter, as shown in FIG. 6B, between the substrate 310 on which the first sound sensing part is formed and the substrate 330 on which the second sound sensing part is formed, .

연이어, 상기 제 1과 2 음향 감지부 및 음향 신호 처리부가 형성된 기판들(310,320,330) 상부에 제 1과 2 포트가 형성되어 있는 제 2 기판(350)을 접착하면, 도 6c와 같은 마이크로폰이 제조된다.Subsequently, the second substrate 350 having the first and second ports formed thereon is bonded to the first and second acoustic sensing parts and the boards 310, 320, and 330 formed with the acoustic signal processing part, thereby manufacturing a microphone as shown in FIG. 6C .

상기 음향 신호 처리부는 상기 제 1과 2 음향 감지부에서 감지된 음향 신호를 처리하는 처리부이다.The acoustic signal processor is a processor for processing the acoustic signals sensed by the first and second acoustic sensors.

그리고, 상기 음향 신호 처리부는 특정방향에서 감도가 높도록 지향성으로 감지된 음향 신호를 처리하는 음향 신호 처리부, 또는 모든 방향에서 감도를 동일하도록, 무지향성으로 감지된 음향 신호를 처리하는 음향 신호 처리부인 것이 바람직하다.The acoustic signal processing unit may include an acoustic signal processing unit for processing acoustic signals sensed to have high sensitivity in a specific direction or an acoustic signal processing unit for processing acoustic signals sensed in an omnidirectional manner so as to have the same sensitivity in all directions .

도 7은 본 발명에 따라 음향 신호 처리부가 형성된 마이크로폰을 설명하기 위한 개략적인 사시도로서, 단일 기판(500)의 일측에 제 1 음향 감지부(510)를 형성하고, 상기 단일 기판(500)의 타측에 제 2 음향 감지부(530)를 형성하고, 상기 제 1과 2 음향 감지부(510,530) 사이에 음향 신호 처리부(520)를 형성한다.7 is a schematic perspective view illustrating a microphone having an acoustic signal processing unit according to the present invention. Referring to FIG. 7, a first sound sensing unit 510 is formed on one side of a single substrate 500, And a sound signal processing unit 520 is formed between the first and second sound sensing units 510 and 530.

즉, 상기 제 1과 2 음향 감지부(510,530) 및 음향 신호 처리부(520)는 단일 기판(500)에 일체로 형성하는 것이다.That is, the first and second acoustic sensing units 510 and 530 and the acoustic signal processing unit 520 are integrally formed on a single substrate 500.

도 8a 내지 8c는 본 발명에 따라 웨이퍼 레벨(Wafer level)로 마이크로폰을 형성하는 방법을 설명하기 위한 개념적인 평면도로서, 먼저, 반도체 웨이퍼(600)에 제 1과 2 음향 감지부로 이루어진 음향셀(610)을 복수개 형성한다.(도 8a)8A to 8C are conceptual plan views illustrating a method of forming a microphone at a wafer level according to an embodiment of the present invention. First, the acoustic cell 610 having the first and second acoustic sensing units on the semiconductor wafer 600 ) (Fig. 8A)

그 다음, 상기 제 1과 2 음향 감지부 각각에 대응되어 음향이 입력되는 제 1과 2 포트로 이루어진 음향 입력셀(710)을 패키징 웨이퍼(700)에 복수개 형성한다.(도 8b)Next, a plurality of acoustic input cells 710 having first and second ports for receiving sounds corresponding to the first and second acoustic sensing units are formed on the packaging wafer 700 (Fig. 8B)

계속하여, 상기 복수개 음향셀(610)의 제 1과 2 음향 감지부 각각에 음향 입력셀(710)의 제 1과 2 포트를 대응시켜, 상기 반도체 웨이퍼(600) 상부에 상기 패키징 웨이퍼(700)를 접합한다.(도 8c)Subsequently, the first and second ports of the acoustic input cell 710 are associated with the first and second acoustic sensing units of the plurality of acoustic cells 610, and the packaging wafer 700 is placed on the semiconductor wafer 600, (Fig. 8C)

여기서, 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 하나의 음향셀(610) 상부에 본딩된 하나의 음향 입력셀(710)은 단일 마이크로폰이 된다.Here, as shown in FIG. 8C, one acoustic input cell 710 bonded onto the one acoustic cell 610 becomes a single microphone.

그 후, 상기 하나의 음향셀 상부에 본딩된 하나의 음향 입력셀로 이루어진 단일 마이크로폰들로 분리한다.And then separates into single microphones consisting of one acoustic input cell bonded onto the one acoustic cell.

이러한, 단일 마이크로폰은 상기 패키징 웨이퍼 및 반도체 웨이퍼를 다이싱(Dicing)하면 분리되는 것이다.Such a single microphone is separated by dicing the packaging wafer and the semiconductor wafer.

전술된 공정에 의해, 본 발명은 패키징된 상태의 개별 소자를 얻을 수 있는 웨이퍼 레벨 패키징(WLP:Wafer Level Packaging)으로 제조가 가능하므로, 소자간의 성능 균일도 향상 뿐만아니라, 개별 마이크로폰 소자의 제조 단가를 절감할 수 있고 대량 생산에 적합하게 된다.According to the above-described process, since the present invention can be manufactured by wafer level packaging (WLP) in which individual elements in a packaged state can be obtained, it is possible to improve the uniformity of performance between elements, And it is suitable for mass production.

도 9a와 9b는 본 발명에 따라 음향 감지부가 형성된 제 1 기판을 도시한 개략적인 단면도로서, 도 9a의 음향 감지부는 정전 용량으로 음향을 감지할 수 있는 것이고, 도 9b의 음향 감지부는 압전 캐패시턴스 또는 압저항으로 음향을 감지할 수 있는 것이다.9A and 9B are schematic cross-sectional views illustrating a first substrate on which an acoustic sensing unit is formed according to the present invention, wherein the acoustic sensing unit of FIG. 9A is capable of sensing sound by capacitance, and the acoustic sensing unit of FIG. 9B is a piezoelectric capacitance It is possible to sense sound by piezoresistive.

도 9a는 제 1 기판에 형성된 제 1과 2 음향 감지부 중, 하나의 음향 감지부가 형성된 상태를 도시한 것이다.FIG. 9A shows a state in which one of the first and second acoustic sensing units formed on the first substrate is formed. FIG.

그러므로, 상기 제 1과 2 음향 감지부 각각은 제 1 기판(800) 하부에 형성된 홈(801)과; 상기 제 1 기판(800) 상부에 형성된 제 1 전극(810)과; 상기 제 1 전극(810) 상부에 형성되어 내측에 공간(860)을 형성하는 스페이서(820)와; 상기 공간(860)을 밀폐하고, 상기 스페이서(820) 상부에 형성된 제 2 전극(830)으로 구성되며, 상기 홈(801) 상부의 제 1 기판(800) 영역에서 제 1 전극(810)까지 관통되어, 상기 공간(860)으로 음향 신호가 유통할 수 있는 복수개의 관통홀들(850) 또는 상기 제 2 전극(830)이 관통되어 상기 공간(860)으로 음향 신호가 유통할 수 있는 복수개의 관통홀들(850)이 형성되어 있는 것이 특징이다.Therefore, each of the first and second acoustical sensing units includes a groove 801 formed in a lower portion of the first substrate 800; A first electrode 810 formed on the first substrate 800; A spacer 820 formed on the first electrode 810 and forming a space 860 on the inner side; And a second electrode 830 formed on the spacer 820 to seal the space 860. The second electrode 830 penetrates from the first substrate 800 region above the groove 801 to the first electrode 810, A plurality of through holes 850 through which the acoustic signal can flow into the space 860 or a plurality of through holes 830 through which the second electrode 830 penetrates and into which the acoustic signal can flow, Holes 850 are formed.

여기서, 상기 제 1 전극(810) 또는 제 2 전극(830)은 전하(Charge)가 주입된 일렛트렛(Electret)인 것으로 구성할 수 있다.Here, the first electrode 810 or the second electrode 830 may be an electret injected with a charge.

그리고, 상기 제 1 전극(810) 또는 제 2 전극(830)은 금속 또는 캐리어가 도핑된 폴리 실리콘으로 형성할 수 있다.The first electrode 810 or the second electrode 830 may be formed of polysilicon doped with a metal or a carrier.

상기 복수개의 관통홀들(850)은 공기가 유통될 수 있는 벤트홀(Vent hole)이다.The plurality of through holes 850 are vent holes through which air can flow.

또한, 도 9b도 제 1 기판에 형성된 제 1과 2 음향 감지부 중, 하나의 음향 감지부가 형성된 상태를 도시한 것이다.FIG. 9B shows a state in which one of the first and second acoustic sensing units formed on the first substrate is formed.

따라서, 상기 제 1과 2 음향 감지부 각각은 제 1 기판(900) 하부에 형성된 관통홀(910)과; 상기 관통홀(910)에 노출되며, 상기 제 1 기판(900) 상부에 형성된 멤브레인막(Membrane film)(920)과; 상기 멤브레인막(920) 상부에 압전 캐패시터(930)로 구성된다.Accordingly, each of the first and second acoustic sensors includes a through hole 910 formed in a lower portion of the first substrate 900; A membrane film (920) formed on the first substrate (900) and exposed to the through hole (910); And a piezoelectric capacitor 930 on the membrane film 920.

상기 압전 캐패시터(930)은 일전극(931), 압전막(932), 이전극(933)이 적층되어 구성된다.The piezoelectric capacitor 930 is formed by stacking one electrode 931, a piezoelectric film 932, and a previous electrode 933.

이러한, 음향 감지부에 음향 신호가 입력되면, 상기 멤브레인막(920)에는 변형이 발생되고, 압전 캐패시터(930)는 상기 멤브레인막(920)의 변형을 캐패시턴스 값으로 감지하게 된다.When the acoustic signal is inputted to the acoustic sensing unit, the membrane membrane 920 is deformed and the piezoelectric capacitor 930 senses the deformation of the membrane membrane 920 as a capacitance value.

한편, 본 발명은 음향 감지부가, 상기 멤브레인막(920)의 소정 영역에 집적되는 압저항(Piezoresistor)에 의해 멤브레인막(920)의 변형을 전기적 신호로 변환하는 구조로도 구현할 수 있다.In the meantime, the present invention can also be implemented by a structure in which the sound sensing unit converts a deformation of the membrane membrane 920 into an electrical signal by a piezoresistor integrated in a predetermined region of the membrane membrane 920.

상술된 바와 같이, 본 발명은 MEMS 기술을 적용하여 마이크로폰 어레이를 제작함으로써, 지향성 마이크로폰 구현시 중요한 특성인 마이크로폰 소자간의 성능편차와 이격 거리를 정확하고 정밀하게 제작할 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, by manufacturing the microphone array by applying the MEMS technique, it is possible to precisely and precisely manufacture the performance deviation and the separation distance between the microphone devices, which are important characteristics in implementing the directional microphone.

그리고, 다수개의 무지향성 마이크로폰을 이용하여 지향성을 구현하면서도 크기를 소형화할 수 있는 장점이 있다.Also, there is an advantage in that the directivity can be realized by using a plurality of omnidirectional microphones, but the size can be reduced.

또한, 소자 제조뿐만 아니라 패키징 공정까지 웨이퍼 상태에서 일괄적으로 처리하는 웨이퍼 레벨 패키징(Wafer Level Packaging)에 의해 반도체 일괄 공정하여 마이크로폰 소자의 생산비용 절감, 생산 기간 단축, 수율 향상을 기대할 수 있게 된다.In addition, wafer-level packaging (wafer level packaging) that treats not only devices but also packaging processes in a wafer state can be expected to reduce the production cost, shorten the production period, and improve the yield of the microphone devices by batch processing the semiconductor.

그리고, 본 발명은 2개 이상 다수개의 마이크로폰 어레이로 확장이 가능하며, 소리의 입력 방향에 따라 감도를 조절할 수 있는 빔 포밍(Beam forming) 등을 위한 음성 입력 장치에도 용이하게 적용이 가능하다.In addition, the present invention can be extended to two or more microphone arrays, and can be easily applied to a voice input device for beam forming or the like capable of adjusting the sensitivity according to the input direction of sound.

본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

도 1은 종래 지향성 마이크로폰의 개략적인 구성을 도시한 단면도1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a conventional directional microphone

도 2a와 2b는 본 발명에 따른 마이크로폰을 설명하기 위한 개념적인 단면도2A and 2B are conceptual cross-sectional views for explaining a microphone according to the present invention

도 3a와 3b는 본 발명에 따른 마이크로폰을 설명하기 위한 개념적인 사시도3A and 3B are conceptual perspective views illustrating a microphone according to the present invention.

도 4a와 4b는 본 발명의 제 1 실시예에 따라 제 2 기판의 형상을 도시한 사시도 및 단면도4A and 4B are a perspective view and a cross-sectional view showing the shape of the second substrate according to the first embodiment of the present invention

도 5a와 5b는 본 발명의 제 2 실시예에 따라 제 2 기판의 형상을 도시한 사시도 및 단면도5A and 5B are a perspective view and a cross-sectional view illustrating the shape of a second substrate according to a second embodiment of the present invention

도 6a 내지 6c는 본 발명에 따른 마이크로폰에 음향 신호 처리부를 패키징하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도6A to 6C are schematic cross-sectional views for explaining a method of packaging an acoustic signal processing unit in a microphone according to the present invention

도 7은 본 발명에 따라 음향 신호 처리부가 형성된 마이크로폰을 설명하기 위한 개략적인 사시도7 is a schematic perspective view illustrating a microphone having an acoustic signal processing unit according to the present invention.

도 8a 내지 8c는 본 발명에 따라 웨이퍼 레벨(Wafer level)로 마이크로폰을 형성하는 방법을 설명하기 위한 개념적인 평면도8A to 8C are conceptual plan views illustrating a method of forming a microphone at a wafer level according to the present invention.

도 9a와 9b는 본 발명에 따라 음향 감지부가 형성된 제 1 기판을 도시한 개략적인 단면도9A and 9B are schematic cross-sectional views illustrating a first substrate on which an acoustically sensitive portion is formed according to the present invention

Claims (13)

제 1과 2 음향 감지부가 형성되어 있는 제 1 기판과; 및A first substrate on which first and second acoustic sensing portions are formed; And 상기 제 1과 2 음향 감지부 각각으로 음향이 입력되는 제 1과 2 포트가 형성되어 있으며, 상기 제 1 기판에 접착되어 있는 제 2 기판;을 포함하며,And a second substrate having first and second ports through which sound is input to the first and second acoustic sensing units, respectively, and bonded to the first substrate, 상기 제 2 기판에 형성된 제 1 포트는, A first port formed on the second substrate, 상기 제 1 기판의 제 1 음향 감지부에 음향이 입력되는 제 1 연통부; 및A first communication unit for receiving sound into the first sound sensing unit of the first substrate; And 상기 제 1 연통부와 연통되어 외부의 음원에서 음향이 입력되고, 상기 제 2 기판의 일측면 또는 상부 일면에 형성된 제 1 입력부;로 구성되고,And a first input unit communicating with the first communication unit to receive sound from an external sound source and formed on one side or an upper side of the second substrate, 상기 제 2 기판에 형성된 제 2 포트는, And a second port formed on the second substrate, 상기 제 1 기판의 제 2 음향 감지부에 음향이 입력되는 제 2 연통부; 및A second communication unit to which sound is input to the second sound sensing unit of the first substrate; And 상기 제 2 연통부와 연통되어 외부의 음원에서 음향이 입력되고, 상기 제 2 기판의 타측면 또는 상부 타면에 형성된 제 2 입력부로 구성된 마이크로폰.And a second input connected to the second communication unit to receive sound from an external sound source and formed on the other surface or the other surface of the second substrate. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제 1과 2 음향 감지부는,Wherein the first and second acoustic sensing units comprise: 정전용량, 압전(Piezoelectric), 압저항(Piezoresistive), 일렉트렛(Electret)과 마그네틱(Magnetic) 중 하나로 음향을 감지하는 음향 감지부인 것을 특징으로 하는 마이크로폰.Wherein the microcomputer is an acoustic sensor for sensing sound in one of a capacitance, a piezoelectric, a piezoresistive, an electret, and a magnetic. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제 1과 2 음향 감지부 사이에,Between the first and second acoustic sensing units, 상기 제 1과 2 음향 감지부에서 감지된 음향 신호를 처리하는 음향 신호 처리부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로폰.And an acoustic signal processor for processing acoustic signals sensed by the first and second acoustic sensors. 청구항 3에 있어서, The method of claim 3, 상기 음향 신호 처리부는,Wherein the acoustic signal processor comprises: 특정방향에서 감도가 높도록 지향성으로 감지된 음향 신호를 처리하는 음향 신호 처리부인 것을 특징으로 하는 마이크로폰.Wherein the acoustic signal processing unit processes an acoustic signal detected as a directivity so that the sensitivity is high in a specific direction. 청구항 3에 있어서, The method of claim 3, 상기 음향 신호 처리부는,Wherein the acoustic signal processor comprises: 모든 방향에서 감도를 동일하도록, 무지향성으로 감지된 음향 신호를 처리하는 음향 신호 처리부인 것을 특징으로 하는 마이크로폰.Wherein the acoustic signal processing unit processes the acoustic signal sensed as omni-directional so that the sensitivity is the same in all directions. 삭제delete 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제 1 기판은,Wherein the first substrate comprises: 실리콘 기판이며,Silicon substrate, 상기 제 2 기판은,The second substrate may include: 유리 기판, 실리콘 기판과 소성 세라믹 기판 중 하나인 것을 특징으로 하는 마이크로폰.A glass substrate, a silicon substrate, and a sintered ceramic substrate. 청구항 1 또는 3에 있어서, The method according to claim 1 or 3, 상기 제 1과 2 음향 감지부 각각은,Wherein each of the first and second acoustic sensors comprises: 상기 제 1 기판 하부에 형성된 홈과; A groove formed in the lower portion of the first substrate; 상기 제 1 기판 상부에 형성된 제 1 전극과; A first electrode formed on the first substrate; 상기 제 1 전극 상부에 형성되어 내측에 공간을 형성하는 스페이서와; A spacer formed on the first electrode to form a space inside; 상기 공간을 밀폐하고, 상기 스페이서 상부에 형성된 제 2 전극으로 구성되며, And a second electrode formed on the spacer to seal the space, 상기 홈 상부의 제 1 기판 영역에서 상기 제 1 전극까지 관통되어, 상기 공간으로 음향 신호가 유통할 수 있는 복수개의 관통홀들, 또는 상기 제 2 전극이 관통되어 상기 공간으로 음향 신호가 유통할 수 있는 복수개의 관통홀들이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로폰.A plurality of through holes through which a sound signal can flow from the first substrate region above the groove to the first electrode or through which the acoustic signal can flow, And a plurality of through-holes are formed in the housing. 청구항 8에 있어서, The method of claim 8, 상기 제 1 전극 또는 제 2 전극은,Wherein the first electrode or the second electrode comprises: 전하(Charge)가 주입된 일렛트렛(Electret)인 것을 특징으로 하는 마이크로폰.Characterized in that the microphone is an electron injected with a charge. 청구항 1 또는 3에 있어서, The method according to claim 1 or 3, 상기 제 1과 2 음향 감지부 각각은,Wherein each of the first and second acoustic sensors comprises: 상기 제 1 기판 하부에 형성된 관통홀과; A through hole formed in the lower portion of the first substrate; 상기 관통홀에 노출되며, 상기 제 1 기판 상부에 형성된 멤브레인막(Membrane film)과; A membrane film formed on the first substrate and exposed to the through-hole; 상기 멤브레인막 상부에 압전 캐패시터로 구성된 것을 특징으로 하는 마이크로폰.And a piezoelectric capacitor is formed on the membrane layer. 제 1 기판에 제 1과 2 음향 감지부를 형성하는 단계와;Forming first and second acoustical sensing portions on a first substrate; 상기 제 1과 2 음향 감지부 각각으로 음향이 입력되는 제 1과 2 포트를 제 2 기판 상부에 형성하는 단계와;Forming first and second ports through which sound is input to each of the first and second acoustical sensing units on the second substrate; 상기 제 1과 2 포트에서 상기 제 1과 2 음향 감지부 각각으로 음향이 입력될 수 있도록 제 1과 2 기판을 정렬하여, 상기 제 1 기판 상부에 상기 제 2 기판을 접착하는 단계로 구성된 마이크로폰의 제조 방법.Aligning the first and second substrates so that sound can be input to the first and second ports from the first and second ports, respectively, and bonding the second substrate to the first substrate; Gt; 반도체 웨이퍼에 제 1과 2 음향 감지부로 이루어진 음향셀을 복수개 형성하는 단계와;A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a plurality of acoustic cells each composed of a first and a second acoustic sensor on a semiconductor wafer; 상기 제 1과 2 음향 감지부 각각에 대응되어 음향이 입력되는 제 1과 2 포트로 이루어진 음향 입력셀을 패키징 웨이퍼에 복수개 형성하는 단계와;Forming a plurality of acoustic input cells on the packaging wafer, the acoustic input cells each having a first port and a second port, the first and second acoustic sensors corresponding to the first and second acoustic sensors, respectively; 상기 복수개 음향셀의 제 1과 2 음향 감지부 각각에 음향 입력셀의 제 1과 2 포트를 대응시켜, 상기 반도체 웨이퍼 상부에 상기 패키징 웨이퍼를 접합하는 단계와;Connecting the first and second ports of the acoustic input cells to the first and second acoustic sensing units of the plurality of acoustic cells to bond the packaging wafers to the top of the semiconductor wafers; 상기 복수의 음향셀 및 음향 입력셀을 하나의 음향셀과 음향 입력셀로 이루어진 단일 마이크로폰들로 분리하는 단계;를 포함하는 마이크로폰의 제조 방법.And separating the plurality of acoustic cells and acoustic input cells into single microphones having one acoustic cell and one acoustic input cell. 청구항 12에 있어서, The method of claim 12, 상기 제 1과 2 음향 감지부는,Wherein the first and second acoustic sensing units comprise: 상기 반도체 웨이퍼에서 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 공정으로형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로폰의 제조 방법.Wherein the semiconductor wafer is formed by a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) process.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100970197B1 (en) * 2008-07-11 2010-07-14 주식회사 비에스이 A variable directional microphone assmebly and method of making the microphone assembly
US8824706B2 (en) 2011-08-30 2014-09-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Piezoelectric microphone fabricated on glass
US8724832B2 (en) 2011-08-30 2014-05-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Piezoelectric microphone fabricated on glass

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036387A (en) 2005-07-22 2007-02-08 Star Micronics Co Ltd Microphone array
JP2007124452A (en) * 2005-10-31 2007-05-17 Sanyo Electric Co Ltd Acoustic sensor
JP2013183164A (en) 2012-02-29 2013-09-12 Omron Corp Microphone

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036387A (en) 2005-07-22 2007-02-08 Star Micronics Co Ltd Microphone array
JP2007124452A (en) * 2005-10-31 2007-05-17 Sanyo Electric Co Ltd Acoustic sensor
JP2013183164A (en) 2012-02-29 2013-09-12 Omron Corp Microphone

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019103206A1 (en) * 2017-11-24 2019-05-31 주식회사 파트론 Directional microphone

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