KR101377766B1 - Coating method and coating apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스핀리스 도포법에 있어서, 기판 상에 형성되는 도포막의 아웃라인과 막두께 프로파일에 기판 사이즈의 공차나 오차의 영향이 나타나지 않도록 한다. 얼라인먼트기구(200)는 스테이지(76)의 반입영역(M1)에 반입된 기판(G)의 네개의 모서리에 복수 개, 예를 들면 8개의 얼라인먼트핀(202A 내지 208B)을 접하게 하여 기판(G)의 위치맞춤을 행한다. 그 때, 도포주사방향(X방향)에 있어서는 기존 위치의 고정 얼라인먼트핀(202A, 202B)에 기판(G)을 밀어부착할 때까지 가동 얼라인먼트핀(204A, 204B)이 이동한 거리(δX)를 측정하고, 이 이동거리 측정값으로부터 기판(G)의 길이의 측정값을 구한다. 그리고, 이 기판 길이의 측정값을 기초로 소정의 파라미터에 보정을 주어 도포주사를 행함으로써 도포주사중에 기판 사이즈의 오차를 취소한다.In the spinless coating method, the present invention prevents the influence of tolerances and errors of substrate size from appearing in the outline and film thickness profile of the coating film formed on the substrate. The alignment mechanism 200 contacts a plurality of substrates G, for example eight alignment pins 202A to 208B, at four corners of the substrate G carried in the carry-in region M 1 of the stage 76. ) Is aligned. At that time, in the coating scanning direction (X direction), the distance δX at which the movable alignment pins 204A and 204B are moved until the substrate G is pushed and attached to the fixed alignment pins 202A and 202B in the existing position. The measured value of the length of the board | substrate G is calculated | required from this movement distance measured value. Then, the coating parameters are subjected to correction by applying a predetermined parameter based on the measured value of the substrate length to cancel the error of the substrate size during the coating scan.
Description
도 1은 본 발명의 적용 가능한 도포 현상 처리 시스템의 구성을 나타내는 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows the structure of the application | coating development process system applicable of this invention.
도 2는 상기 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 처리 순서를 나타내는 플로우 차트이다. 2 is a flowchart showing a processing procedure in the coating and developing processing system.
도 3은 상기 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 레지스트 도포 유닛 및 감압 건조 유닛의 전체 구성을 나타내는 대략 평면도이다.3 is a plan view schematically illustrating the entire configuration of a resist coating unit and a reduced pressure drying unit in the coating and developing processing system.
도 4는 상기 레지스트 도포 유닛의 전체 구성을 나타내는 사시도이다. 4 is a perspective view showing the overall configuration of the resist coating unit.
도 5는 상기 레지스트 도포 유닛의 전체 구성을 나타내는 대략 정면도이다.Fig. 5 is a schematic front view showing the overall configuration of the resist coating unit.
도 6은 상기 레지스트 도포 유닛 내의 스테이지 도포 영역에 있어서의 분출구와 흡입구의 배열 패턴의 일례를 나타내는 평면도이다.Fig. 6 is a plan view showing an example of an arrangement pattern of the jet port and the suction port in the stage application area in the resist coating unit.
도 7은 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 기판 반송부의 구성을 나타내는 일부 단면 대략 측면도이다.It is a partial cross-sectional side view which shows the structure of the board | substrate conveyance part in the said resist coating unit.
도 8은 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 기판 반송부의 유지부의 구성을 나타내는 확대 단면도이다.8 is an enlarged cross-sectional view illustrating the structure of a holding unit of the substrate transfer unit in the resist coating unit.
도 9는 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 기판 반송부의 패드부의 구성을 나타내는 사시도이다. It is a perspective view which shows the structure of the pad part of the board | substrate conveyance part in the said resist coating unit.
도 10은 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 기판 반송부의 유지부의 하나의 변형예를 나타내는 사시도이다.It is a perspective view which shows one modification of the holding part of the board | substrate conveyance part in the said resist coating unit.
도 11은 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 노즐 승강기구, 압축 공기 공급 기구 및 진공 공급 기구의 구성을 나타내는 도면이다.It is a figure which shows the structure of the nozzle raising mechanism, the compressed air supply mechanism, and the vacuum supply mechanism in the said resist coating unit.
도 12는 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 레지스트액 공급 기구의 구성을 나타내는 블럭도이다.Fig. 12 is a block diagram showing the structure of a resist liquid supply mechanism in the resist coating unit.
도 13은 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 얼라인먼트 기구의 주요부의 구성을 나타내는 사시도이다.It is a perspective view which shows the structure of the principal part of the alignment mechanism in the said resist coating unit.
도 14는 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 기판 얼라인먼트 및 기판 길이 측정의 작용을 설명하기 위한 평면도이다.It is a top view for demonstrating the effect | action of the substrate alignment and substrate length measurement in the said resist coating unit.
도 15a는 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 얼라인먼트 기구의 핀 구동부의 구성 및 작용(일단계)을 나타내는 측면도이다.
도 15b는 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 얼라인먼트 기구의 핀 구동부의 구성 및 작용(일단계)을 나타내는 측면도이다.It is a side view which shows the structure and operation | movement (one step) of the pin drive part of the alignment mechanism in the said resist application unit.
It is a side view which shows the structure and operation | movement (one step) of the pin drive part of the alignment mechanism in the said resist application unit.
도 16은 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 제어계의 주요한 구성을 나타내는 블럭도이다.Fig. 16 is a block diagram showing the main configuration of the control system in the resist coating unit.
도 17은 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 도포 처리 동작의 주요한 순서를 나타내는 플로우 차트도이다.Fig. 17 is a flowchart showing the main procedure of the coating processing operation in the resist coating unit.
도 18은 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 도포 주사로 이용하는 토출 압력 제어 파형 및 주사 속도 제어 파형을 나타내는 파형도이다.FIG. 18 is a waveform diagram showing a discharge pressure control waveform and a scan speed control waveform used for coating scan in the resist coating unit. FIG.
도 19는 실시 형태의 도포 주사에 있어서 레지스트 도포막이 형성되는 모습을 나타내는 측면도이다.It is a side view which shows a state in which a resist coating film is formed in the coating scan of embodiment.
도 20은 실시 형태의 도포 주사에 있어서 레지스트 도포막이 형성되는 모습을 나타내는 평면도이다.It is a top view which shows a state in which a resist coating film is formed in the coating scan of embodiment.
도 21은 실시 형태의 도포 주사가 종료했을 때의 스테이지 상의 각 부분의 상태를 나타내는 사시도이다.It is a perspective view which shows the state of each part on the stage at the time of the application | coating scan of embodiment.
도 22는 실시 형태의 도포 주사가 종료한 후의 기판 상의 레지스트 도포막의 패턴을 모식적으로 나타내는 도면(측면도 및 평면도)이다.It is a figure (side view and top view) which shows typically the pattern of the resist coating film on the board | substrate after the application | coating scan of embodiment is complete | finished.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
40 : 레지스트 도포 유닛(CT) 40: resist coating unit (CT)
75 : 노즐 승강기구75: nozzle lifting mechanism
76 : 스테이지76: stage
78 : 레지스트 노즐 78: resist nozzle
78a : 토출구78a: discharge port
84 : 기판 반송부 84 substrate transfer unit
100 : 반송 구동부 100: conveying drive unit
170 : 레지스트액 공급 기구 170: resist liquid supply mechanism
200 : 얼라인먼트 기구200: alignment mechanism
202A, 202B : X방향 고정 얼라인먼트핀 202A, 202B: Fixed alignment pin in X direction
204A, 204B : X방향 가동 얼라인먼트핀 204A, 204B: X-direction movable alignment pin
206A, 206B, 208A, 208B : Y방향 가동 얼라인먼트핀 206A, 206B, 208A, 208B: Y-direction movable alignment pin
210 : 핀 구동부210: pin drive unit
220 : 위치(이동거리) 센서 220: position sensor
230 : 콘트롤러230: controller
본 발명은 긴 형상의 노즐을 이용해 피처리 기판 상에 처리액의 도포막을 형성하는 도포 방법 및 도포 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a coating method and a coating apparatus for forming a coating film of a processing liquid on a substrate to be treated using an elongated nozzle.
LCD 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에는 슬릿 형상의 토출구를 가지는 긴 형상의 레지스트 노즐을 주사하고 피처리 기판(유리 기판 등) 상에 레지스트액을 도포하는 스핀리스의 도포법이 이용되고 있다.In the photolithography process in the manufacturing process of a flat panel display (FPD) such as an LCD, a spinless which scans an elongated resist nozzle having a slit-shaped discharge port and applies a resist liquid onto a target substrate (such as a glass substrate). The coating method of is used.
스핀리스법은 예를 들어 특허 문헌 1에 개시되는 바와 같이 흡착 유지형의 적재대 또는 스테이지 상에 기판을 수평으로 적재하여 스테이지 상의 기판과 긴 형상의 레지스트 노즐의 토출구의 사이에 예를 들어 수 1OOμm 정도의 작은 도포 갭을 설정해, 기판 위쪽에서 레지스트 노즐을 주사 방향(일반적으로 노즐 길이 방향과 직교하는 수평 방향)으로 이동시키면서 기판 상에 레지스트액을 띠 형상으로 토출시켜 도포한다. 긴 형상의 레지스트 노즐을 기판의 일단으로부터 타단까지 1회 이동시키는 것만으로 기판 상에 원하는 막두께로 레지스트 도포막을 형성할 수가 있다.The spinless method is, for example, as described in
최근에는 대형 기판에 유리한 스핀리스법으로서, 예를 들어 특허 문헌 2에 개시되는 바와 같이 기판을 지지하기 위한 스테이지를 부상식으로 구성하고 스테이지 상에서 기판을 공중에 띄운 채로 수평 방향으로 반송하고 소정의 도포 위치에서 스테이지 위쪽에 설치한 긴 형상의 레지스트 노즐보다 바로 아래를 통과하는 기판을 향해 레지스트액을 띠 형상으로 토출시키는 것으로 기판 상의 일단으로부터 타단까지 레지스트액을 도포하도록 한 부상 반송 방식이 보급되어 있다.In recent years, as a spinless method advantageous for large substrates, for example, as disclosed in
상기와 같은 노즐 이동 방식 및 부상 반송 방식의 어느 쪽에 있어서도 1회의 도포 주사에 의해 기판 상에 형성하는 레지스트 도포막의 라인을 기판의 형상에 맞추기 위해서 도포 주사의 개시전에 스테이지 상에서 기판의 위치 맞춤을 실시하고 있다. FPD용의 직사각형의 기판에 대해서는 수평면 내에서 사방으로부터 핀 등의 누름 부재를 기판의 4변에 눌러 맞추는 것으로 기판의 방향을 도포 주사의 방향으로 평행하게 맞추고 기판의 중심을 스테이지 또는 긴 형상의 레지스트 노즐의 중심에 맞출 수 있다(센터링한다). 이러한 얼라인먼트 기능에 의해 레지스트 도포막의 아웃라인이 기판 엣지로부터 일정 거리만 안쪽에 들어가 기판의 각 변과 평행이 되도록 하고 있다.In any of the above nozzle movement methods and floating conveyance methods, the substrate is positioned on the stage before the start of the coating scan in order to match the lines of the resist coating film formed on the substrate by one coating scan to the shape of the substrate. have. Regarding the rectangular substrate for FPD, the pressing members, such as pins, are pushed onto four sides of the substrate from all four directions in the horizontal plane to align the direction of the substrate in parallel in the direction of the coating scan, and the center of the substrate to the stage or the elongated resist nozzle. Can be centered (centered). By such an alignment function, the outline of the resist coating film enters only a predetermined distance from the edge of the substrate to be parallel to each side of the substrate.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평 제10-156255호[Patent Document 1] Japanese Patent Laid-Open No. 10-156255
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제2005-244155호[Patent Document 2] Japanese Patent Laid-Open No. 2005-244155
일반적으로, 기판 상면(피처리면)의 주연부에는 제품 영역과 비제품 영역 또는 마진 영역을 나누는 가상의 영역 경계선이 설정된다. 레지스트 도포 처리에 있어서는 영역 경계선보다 안쪽의 제품 영역이 레지스트 도포막의 막두께를 보증하지 않으면 안 되는 막두께 보증 영역이다. 따라서, 제품 영역 내의 레지스트 도포막을 규격 내 또는 허용 범위 내의 막두께로 형성하면 좋고, 영역 경계선보다 외측의 마진 영역 내에서는 레지스트 도포막이 허용 범위로부터 어떻게 빗나가도 상관없다. 무엇보다 스핀리스법에 있어서는 마진 영역 내에서 레지스트 도포막이 허용 범위를 넘어 활성하는 경향이 있고 특히 도포 주사 방향의 시작단 부근 및 종단 부근에서 크게 활성하기 쉽다. 그래서, 그러한 레지스트 도포막의 고조가 제품 영역에 미치지 않게 도포 주사의 개시 위치 및 종료 위치를 가능한 한 영역 경계선보다 외측으로 떨어뜨려 기판 엣지 집합으로 설정하는 것도 행해지고 있다.In general, a virtual region boundary line is formed at the periphery of the upper surface of the substrate (to-be-processed surface) dividing a product region and a non-product region or a margin region. In the resist coating process, the product area inside the area boundary line is a film thickness guarantee area which must guarantee the film thickness of the resist coating film. Therefore, the resist coating film in a product area | region may be formed in the film thickness within a specification or an allowable range, and it does not matter how a resist coating film deviates from an allowable range in the margin area outside an area boundary line. Above all, in the spinless method, the resist coating film tends to be active beyond the permissible range in the margin region, and is particularly easy to be greatly activated near the start end and end of the coating scanning direction. Therefore, the start position and the end position of the coating scan are set to the outside of the area boundary as much as possible to set the substrate edge set so that the solidity of such a resist coating film does not reach the product region.
그렇지만 기판의 외형 치수에는 공차가 있어, 예를 들어 긴 변 사이즈가 2 m를 넘는 FPD용의 기판이라도 되면 ±1 내지 2 mm 정도의 공차가 나온다. 또한, 기판의 휘어진 상태도 기판 외형 치수의 오차가 된다. 종래는, 레지스트 도포막의 아웃라인이나 막두께 프로파일이 그러한 기판 외형 치수의 공차나 오차의 영향을 완전히 받고 있었다. 특히, 도포 주사 방향에 있어서는 기판 사이즈의 공차나 오차에 의해 도포 주사의 개시 위치 또는 종료 위치가 그만큼 어긋나버려 상기와 같은 레지스트 도포막의 시작단 부근 또는 종단 부근의 허용값을 넘는 고조가 막두께 보증 영역(제품 영역) 내에 들어가거나 혹은 레지스트 도포액이 기판 엣지의 밖으로 돌출하여 스테이지를 더럽히는 경우가 있었다.However, there are tolerances in the external dimensions of the substrate, for example, a tolerance of ± 1 to 2 mm is obtained if the long side size is a substrate for FPD of more than 2 m. In addition, the warped state of the substrate also becomes an error in the external dimensions of the substrate. Conventionally, the outline and film thickness profile of a resist coating film were fully influenced by the tolerance and the error of such a board | substrate external dimension. In particular, in the coating scan direction, the starting position or the ending position of the coating scan is shifted by the tolerance or error of the substrate size so that the height exceeding the allowable value near the start end or near the end of the resist coating film as described above is a film thickness guarantee region. In some cases, the resist coating liquid protrudes out of the substrate edge to contaminate the stage.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점에 비추어 이루어진 것으로서, 스핀리스 도포법에 있어서 기판 상에 형성되는 도포막의 아웃라인이나 막두께 프로파일에 기판 사이즈의 공차나 오차의 영향이 나타나지 않게 하여, 도포 처리의 신뢰성 및 제품 비율을 향상시키도록 한 도포 방법 및 도포 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and in the spinless coating method, the coating treatment is performed so that the influence of the tolerances and errors of the substrate size does not appear in the outline or film thickness profile of the coating film formed on the substrate. It is an object of the present invention to provide a coating method and a coating apparatus, which are intended to improve the reliability and the product ratio.
상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 도포 방법은, 피처리 기판과 긴 형상의 노즐의 토출구를 작은 갭을 두고 거의 수평으로 대향시키고, 상기 기판에 대해서 상기 노즐에서 처리액을 토출시키면서 상기 노즐을 상대적으로 수평 방향으로 이동시키는 도포 주사를 실시하여, 상기 기판 상에 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포 방법이며, 상기 도포 주사에 앞서 소정의 장소에서 상기 기판을 그 판면과 평행한 일차원 방향 또는 이차원 방향으로 이동시켜 상기 기판의 위치 맞춤을 실시하는 공정과, 상기 기판의 위치 맞춤 시에 상기 기판의 사이즈를 소정의 방향으로 측정하는 공정과, 상기 기판 사이즈의 측정값에 따라 상기 도포 주사를 위한 소정의 파라미터를 보정하는 공정을 갖는다.In order to achieve the above object, in the coating method of the present invention, the nozzles of the processing target and the nozzle of the elongated shape face each other almost horizontally with a small gap, and the nozzles are discharged from the nozzles with respect to the substrate. Is a coating method of forming a coating film of the processing liquid on the substrate by carrying out a scanning scan to move the substrate in a relatively horizontal direction, wherein the substrate is moved in a one-dimensional direction parallel to the plate surface or at a predetermined place prior to the coating scanning; Moving the substrate in two-dimensional directions to perform the alignment of the substrate, measuring the size of the substrate in a predetermined direction at the time of positioning the substrate, and performing the coating scan according to the measured value of the substrate size. It has a process of correcting a predetermined parameter.
또, 본 발명의 도포 장치는, 피처리 기판을 거의 수평으로 지지하기 위한 스테이지와, 상기 스테이지 상에서 상기 기판을 그 판면과 평행한 일차원 방향 또는 이차원 방향으로 이동시켜 상기 기판의 위치 맞춤을 실시하는 얼라인먼트 기구와, 상기 위치 맞춤이 끝난 상기 기판에 대해서 긴 형상의 노즐의 토출구를 약간의 갭을 두고 거의 수평으로 대향시키고, 상기 노즐에서 처리액을 토출시키면서 상기 노즐을 상대적으로 수평 방향으로 이동시키는 도포 주사를 실시하고, 상기 기판 상에 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포 처리부와, 상기 기판의 위치 맞춤 시에 상기 기판의 사이즈를 소정의 방향으로 측정하는 기판 사이즈 측정부와, 상기 기판 사이즈의 측정값에 따라 상기 도포 주사를 위해서 상기 도포 처리부에서 이용하는 소정의 파라미터를 보정하는 파라미터 보정부를 갖는다.Moreover, the coating apparatus of this invention is the stage which supports a to-be-processed board | substrate substantially horizontally, and the alignment which performs the alignment of the said board | substrate by moving the said board | substrate on the said stage to the one-dimensional direction or two-dimensional direction parallel to the plate surface. A coating scan for opposing the mechanism and the ejected openings of the elongated nozzles to a position substantially horizontally with a slight gap with respect to the positioned substrate, and moving the nozzles in a relatively horizontal direction while discharging the processing liquid from the nozzles. And a coating processing unit for forming a coating film of the processing liquid on the substrate, a substrate size measuring unit measuring the size of the substrate in a predetermined direction when the substrate is aligned, and a measured value of the substrate size According to the predetermined parameters used in the coating processing unit for the coating scan It has a parameter correction part to correct.
본 발명에 있어서는, 스핀리스법의 도포 주사에 앞서, 기판의 위치 맞춤을 실시할 때에 기판의 한 부위가 기정된 기준 위치에 맞추어진 것을 이용하고, 기판의 사이즈를 소정 방향으로 측정한다. 그리고 이 기판 사이즈 측정값을 기본으로 도포 주사용의 소정의 파라미터를 보정하고 나서, 도포 주사를 실행한다. 이것에 의해, 기판 사이즈의 공차나 오차를 도포 주사시에 캔슬하고, 기판 상에 원하는 아웃라인이나 막두께 프로파일로 도포막을 형성할 수가 있다.In the present invention, prior to the spin scan coating application, the size of the substrate is measured in a predetermined direction by using one in which a portion of the substrate is aligned to a predetermined reference position when the substrate is aligned. Then, the coating scanning is executed after correcting the predetermined parameter for coating scanning on the basis of the substrate size measured value. Thereby, the tolerance and error of a board | substrate size can be canceled at the time of an application | coating scan, and a coating film can be formed on a board | substrate with a desired outline or film thickness profile.
본 발명에 있어서, 기판 사이즈 측정값에 기초하여 보정을 거는 도포 주사용의 파라미터로서 매우 적합하게 기판 상에 설정되는 도포 주사의 시점 또는 종점의 위치, 도포 주사의 시점에서 종점까지의 거리, 기판에 대해서 노즐에서 처리액의 토출을 개시 또는 종료하는 타이밍, 토출 지속 시간을 선택할 수가 있다. 혹은, 도포 주사에 있어서 기판에 대한 노즐의 상대 이동 속도의 시간 특성을 규정하는 주사 속도 제어 파형이나 노즐에서 처리액을 토출하는 압력의 시간 특성을 규정하는 토출 압력 제어 파형을 보정 파라미터로 하는 것도 가능하다.In the present invention, the position of the start point or end point of the coating scan, the distance from the start point of the coating scan to the end point, and the substrate, which are suitably set on the substrate as a parameter for coating scan that is corrected based on the substrate size measurement value. The timing at which the nozzle starts or ends the discharge of the processing liquid and the discharge duration can be selected. Alternatively, the correction parameter may be a scanning speed control waveform that defines the time characteristic of the relative movement speed of the nozzle with respect to the substrate and a discharge pressure control waveform that defines the time characteristic of the pressure for discharging the processing liquid from the nozzle in the coating scan. Do.
본 발명의 매우 적합한 일태양에 있어서 기판은 직사각형이고, 도포 주사는 기판의 제1의 변으로부터 그것과 반대측의 제2의 변을 향해 행해지고, 기판의 위치 맞춤 시에는 적어도 그 제1의 변으로부터 제2의 변까지의 길이가 기판 사이즈로서 측정된다. 이 경우, 기판의 위치맞춤에서는 기판의 제1의 변 및 제2의 변의 어느 쪽이든 한쪽을 기정된 기준 위치에 맞추는 것이 위치 맞춤뿐만이 아니라, 기판 사이즈 측정에서도 바람직하다.In a very suitable aspect of the present invention, the substrate is rectangular, and the coating scan is performed from the first side of the substrate toward the second side opposite to the substrate, and at the time of alignment of the substrate, the substrate is scanned from at least the first side. The length to the side of 2 is measured as a board | substrate size. In this case, in alignment of a board | substrate, it is preferable not only not only to alignment but also to board | substrate size measurement to match one of the 1st side and the 2nd side of a board | substrate to a predetermined reference position.
본 발명의 매우 적합한 일양태에 있어서, 얼라인먼트 기구는 기판을 일차원 방향 또는 이차원 방향으로 이동 가능하게 지지하는 기판 지지부와, 기판의 제1 및 제2의 변의 측면에 각각 접촉하는 것이 가능한 제1 및 제2의 접촉 부재와, 기판의 제1 및 제2의 변의 어느 쪽이든 한쪽이 기정된 기준 위치에 위치 결정될 때까지 제1 및 제2의 접촉 부재의 적어도 한쪽을 이동시키는 이동부를 갖는다. 또, 기판 사이즈 측정부는 기판의 위치 맞춤이 완료한 상태에서의 제1 및 제2의 접촉 부재의 위치에 근거해 기판 사이즈의 측정값을 요구한다.In a very suitable aspect of the present invention, the alignment mechanism includes a substrate support for movably supporting the substrate in one or two-dimensional directions, and first and second contacts capable of contacting side surfaces of the first and second sides of the substrate, respectively. It has a contact member of 2 and a moving part which moves at least one of the 1st and 2nd contact members until either one of the 1st and 2nd sides of a board | substrate is positioned in a predetermined reference position. Moreover, the board | substrate size measuring part requests the measured value of a board | substrate size based on the position of the 1st and 2nd contact member in the state in which the alignment of the board | substrate was completed.
기판 사이즈 측정부는 매우 적합한 일양태로서, 기판의 제1 및 제2의 변의 어느 쪽이든 한쪽이 기정된 기준 위치에 위치 결정된 상태로 다른 쪽 변의 위치를 검출하는 위치 센서를 갖고, 그 위치 센서에 의해 구해지는 위치 정보에 근거해 기판 사이즈의 측정값을 구한다. 혹은, 다른 매우 적합한 일양태로서, 제1 및 제2의 접촉 부재의 적어도 한쪽에 대해서 기판의 위치 맞춤의 개시전의 원위치로부터 완료시의 주행이동위치까지의 이동거리를 측정하는 이동거리 센서를 갖고 그 이동거리 센서에 의해 얻을 수 있는 이동거리 측정값에 근거해 기판 사이즈의 측정값을 구한다.As a very suitable aspect, the board | substrate size measuring part has a position sensor which detects the position of the other side in the state in which one of the 1st and 2nd sides of a board | substrate was positioned at the predetermined reference position, and is calculated | required by the position sensor The measured value of the board size is obtained based on the lost position information. Or as another very suitable aspect, it has a movement distance sensor which measures the movement distance from the original position before the start of alignment of a board | substrate to the traveling movement position at completion with respect to at least one of the 1st and 2nd contact member. The measured value of the board | substrate size is calculated | required based on the travel distance measured value acquired by a distance sensor.
이하, 첨부 도면을 참조해 본 발명의 매우 적합한 실시 형태를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the preferred embodiment of this invention is described with reference to an accompanying drawing.
도 1에, 본 발명의 도포 방법 및 도포 장치의 적용 가능한 구성예로서 도포 현상 처리 시스템을 나타낸다. 본 도포 현상 처리 시스템은 클린 룸 내에 설치되어, 예를 들어 LCD 기판을 피처리 기판으로 하고 LCD 제조 프로세스에 있어서 포토리소그래피 공정중의 세정, 레지스트 도포, 프리베이크, 현상 및 포스트베이크의 각 처리를 실시하는 것이다. 노광 처리는 본 시스템에 인접하여 설치되는 외부의 노광 장치(도시하지 않음)로 행해진다.1 shows a coating and developing treatment system as an example of the applicable structure of the coating method and the coating apparatus of the present invention. The present coating development processing system is installed in a clean room, for example, an LCD substrate is used as a substrate to be treated, and in the LCD manufacturing process, cleaning, resist coating, prebaking, developing, and postbaking in the photolithography process are performed. It is. Exposure processing is performed by an external exposure apparatus (not shown) provided adjacent to this system.
본 도포 현상 처리 시스템은 크게 나누어 카셋트 스테이션(C/S)(10)과 프로세스 스테이션(P/S)(12)과, 인터페이스부(I/F)(14)로 구성된다. The present coating development processing system is roughly divided into a cassette station (C / S) 10, a process station (P / S) 12, and an interface unit (I / F) 14.
시스템의 일단부에 설치되는 카셋트 스테이션(C/S)(10)은 복수의 기판(G)을 수용하는 카셋트(C)를 소정 개수, 예를 들어 4개까지 적재 가능한 카셋트 스테이지(16)와, 본 카셋트 스테이지(16) 상의 측방으로 또한 카셋트(C)의 배열 방향과 평행하게 설치된 반송로(17)와, 반송로(17) 상에서 이동 가능하게 스테이지(16) 상의 카셋트(C)에 대해서 기판(G)의 출입을 실시하는 반송 기구(20)를 구비하고 있다. 본 반송 기구(20)는 기판(G)을 유지할 수 있는 수단, 예를 들어 반송 아암을 갖고, X, Y, Z, θ의 4축으로 동작 가능하고, 후술하는 프로세스 스테이션(P/S)(12)측의 반송 장치(38)와 기판(G)의 전달을 실시할 수 있게 되어 있다.The cassette station (C / S) 10 installed at one end of the system includes a
프로세스 스테이션(P/S)(12)은 상기 카셋트 스테이션(C/S)(10)측으로부터 차례로 세정 프로세스부(22)와, 도포 프로세스부(24)와, 현상 프로세스부(26)를, 기판 중계부(23), 약액 공급 유닛(25) 및 스페이스(27)을 개재하여(끼워서) 횡일렬로 설치하고 있다.The process station (P / S) 12 sequentially cleans the
세정 프로세스부(22)는 2개의 스크러버 세정 유닛(SCR)(28)과, 상하 2단의 자외선 조사/냉각 유닛(UV/COL)(30)과, 가열 유닛(HP)(32)과, 냉각 유닛(COL)(34)을 포함하고 있다.The
도포 프로세스부(24)는 스핀리스 방식의 레지스트 도포 유닛(CT)(40)과 감압 건조 유닛(VD)(42)과, 상하 2단형 애드히젼/냉각 유닛(AD/COL)(46)과, 상하 2단형 가열/냉각 유닛(HP/COL)(48)과, 가열 유닛(HP)(50)을 포함하고 있다.The
현상 프로세스부(26)는, 3개의 현상 유닛(DEV)(52)과, 2개의 상하 2단형 가열/냉각 유닛(HP/COL)(53)과, 가열 유닛(HP)(55)을 포함하고 있다.The developing
각 프로세스부(22, 24, 26)의 중앙부에는 길이 방향으로 반송로(36, 51, 58)가 설치되고, 반송 장치(38, 54, 60)가 각각 반송로(36, 51, 58)를 따라 이동해 각 프로세스부 내의 각 유닛에 액세스하고 기판(G)의 반입/반출 또는 반송을 실시하게 되어 있다. 또한 이 시스템에서는, 각 프로세스부(22, 24, 26)에서 반송로(36, 51, 58)의 한쪽 측에 액처리계의 유닛(SCR, CT, DEV 등)이 배치되고 다른 쪽 측에 열처리계의 유닛(HP, COL 등)이 배치되고 있다.The
시스템의 타단부에 설치되는 인터페이스부(I/F)(14)는, 프로세스 스테이션(12)과 인접하는 측에 익스텐션(기판 전달부)(56) 및 버퍼 스테이지(57)를 설치하고, 노광 장치와 인접하는 측에 반송 기구(59)를 설치하고 있다. 본 반송 기구(59)는 Y방향으로 연장하는 반송로(19) 상에서 이동 가능하고, 버퍼 스테이지(57)에 대해서 기판(G)의 출입을 행하는 것 외에 익스텐션(기판 전달부)(56)이나 근처의 노광 장치와 기판(G)의 전달을 실시하게 되어 있다.The interface unit (I / F) 14 provided at the other end of the system is provided with an extension (substrate transfer unit) 56 and a
도 2에, 본 도포 현상 처리 시스템에서의 처리의 순서를 나타낸다. 먼저, 카셋트 스테이션(C/S)(10)에 있어서 반송 기구(20)가 카셋트 스테이지(16) 상의 소정의 카셋트(C) 중에서 1개의 기판(G)을 꺼내 프로세스 스테이션(P/S)(12)의 세정 프로세스부(22)의 반송 장치(38)에 건네준다(스텝 S1).2 shows a procedure of the process in the present coating and developing treatment system. First, in the cassette station (C / S) 10, the
세정 프로세스부(22)에 있어서, 기판(G)은 먼저 자외선 조사/냉각 유닛(UV/COL)(30)에 차례로 반입되고, 최초의 자외선 조사 유닛(UV)에서는 자외선 조사에 의한 건식 세정을 실시시키고, 다음의 냉각 유닛(COL)에서는 소정 온도까지 냉각된다(스텝 S2). 본 자외선 세정에서는 주로 기판 표면의 유기물이 제거된다.In the
다음에, 기판(G)은 스크러버 세정 유닛(SCR)(28)의 하나로 스크러빙 세정 처리를 받아 기판 표면으로부터 입자 형상의 더러움이 제거된다(스텝 S3). 스크러빙 세정후 기판(G)은 가열 유닛(HP)(32)으로 가열에 의한 탈수 처리를 받고(스텝 S4), 그 다음에 냉각 유닛(COL)(34)으로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S5). 이것으로 세정 프로세스부(22)에서의 사전 처리가 종료하고, 기판(G)은 반송 장치(38)에 의해 기판 전달부(23)를 통해 도포 프로세스부(24)에 반송된다.Subsequently, the substrate G is subjected to a scrubbing cleaning process with one of the scrubber cleaning units (SCRs) 28 to remove particulate dirt from the substrate surface (step S3). After scrubbing cleaning, the substrate G is subjected to a dehydration process by heating in the heating unit (HP) 32 (step S4), and then cooled to a constant substrate temperature in the cooling unit (COL) 34 (step S5). ). Preprocessing by the
도포 프로세스부(24)에 있어서 기판(G)은 먼저 애드히젼/냉각 유닛(AD/COL)(46)에 차례로 반입되고 최초의 애드히젼유닛(AD)에서는 소수화 처리(HMDS)를 받고(스텝 S6), 다음의 냉각 유닛(COL)으로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S7).In the
그 후, 기판(G)은, 레지스트 도포 유닛(CT)(40)으로 스핀리스법에 의해 레지스트액을 도포시키고, 그 다음에 감압 건조 유닛(VD)(42)으로 감압에 의한 건조 처리를 받는다(스텝 S8).Subsequently, the substrate G is coated with the resist liquid by the resist coating unit on the resist coating unit (CT) 40, and then subjected to a drying process under reduced pressure by the vacuum drying unit (VD) 42. (Step S8).
다음에, 기판(G)은 가열/냉각 유닛(HP/COL)(48)에 차례로 반입되어 최초의 가열 유닛(HP)에서는 도포 후의 베이킹(프리베이크)을 행하고(스텝 S9), 다음에 냉각 유닛(COL)으로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S10). 또한 상기 도포 후 베이킹에 가열 유닛(HP)(50)을 이용할 수도 있다.Next, the board | substrate G is carried in to heating / cooling unit (HP / COL) 48 one by one, and baking (prebaking) after application | coating is performed in the first heating unit HP (step S9), and then a cooling unit It cools to the constant substrate temperature by (COL) (step S10). In addition, a heating unit (HP) 50 may be used for baking after the coating.
상기 도포 처리 후, 기판(G)은 도포 프로세스부(24)의 반송 장치(54)와 현상 프로세스부(26)의 반송 장치(60)에 의해 인터페이스부(I/F)(14)에 반송되어 그곳으로부터 노광 장치에 건네진다(스텝 S11). 노광 장치에서는 기판(G) 상의 레지스트에 소정의 회로 패턴을 노광시킨다. 그리고, 패턴 노광을 끝낸 기판(G)은 노광 장치로부터 인터페이스부(I/F)(14)에 되돌려진다. 인터페이스부(I/F)(14)의 반송 기구(59)는 노광 장치로부터 받은 기판(G)을 익스텐션(56)을 통해 프로세스 스테이션(P/S)(12)의 현상 프로세스부(26)에 건네준다(스텝 S11).After the said coating process, the board | substrate G is conveyed to the interface part (I / F) 14 by the
현상 프로세스부(26)에 있어서, 기판(G)은 현상 유닛(DEV)(52)의 어느 쪽이든 1개로 현상 처리를 받고(스텝 S12) 그 다음에 가열/냉각 유닛(HP/COL)(53)의 하나에 차례로 반입되어 최초의 가열 유닛(HP)에서는 포스트베이킹을 하고(스텝 S13), 다음에 냉각 유닛(COL)으로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S14). 이 포스트베이킹에 가열 유닛(HP)(55)을 이용할 수도 있다.In the developing
현상 프로세스부(26)에서의 일련의 처리가 끝난 기판(G)은 프로세스 스테이션(P/S)(12) 내의 반송 장치(60, 54, 38)에 의해 카셋트 스테이션(C/S)(10)까지 되돌려져, 거기서 반송 기구(20)에 의해 어느 쪽이든 1개의 카셋트(C)에 수용된다(스텝 S1).The board | substrate G in which the series process was completed in the image
상기 도포 현상 처리 시스템에 있어서는, 예를 들어 도포 프로세스부(24)의 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에 본 발명을 적용할 수가 있다. 이하, 도 3 내지 도 22에 대해 본 발명을 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에 적용한 하나의 실시 형태를 설명한다.In the coating and developing treatment system, the present invention can be applied to, for example, a resist coating unit (CT) 40 of the
도 3에 본 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유닛(CT)(40) 및 감압 건조 유닛(VD)(42)의 전체 구성을 나타낸다.The whole structure of the resist coating unit (CT) 40 and the pressure reduction drying unit (VD) 42 in this embodiment is shown in FIG.
도 3에 나타나는 바와 같이 지지대 또는 지지 프레임(70) 위에 레지스트 도포 유닛(CT)(40)과 감압 건조 유닛(VD)(42)이 X방향으로 횡일렬로 배치되고 있다. 도포 처리를 받아야 할 새로운 기판(G)은 반송로(51)측의 반송 장치(54)(도 1)에 의해 화살표 FA로 나타나는 바와 같이 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에 반입된다. 레지스트 도포 유닛(CT)(40)으로 도포 처리가 끝난 기판(G)은 지지대(70) 상의 가이드 레일(72)에 안내되는 X방향으로 이동 가능한 반송 아암(74)에 의해 화살표 FB로 나타나는 바와 같이 감압 건조 유닛(VD)(42)에 전송된다. 감압 건조 유닛(VD)(42)으로 건조 처리를 끝낸 기판(G)은 반송로(51)측의 반송 장치(54)(도 1)에 의해 화살표 Fc로 나타나는 바와 같이 물러난다.As shown in FIG. 3, the resist coating unit (CT) 40 and the pressure reduction drying unit (VD) 42 are arrange | positioned in the X direction on the support stand or the
레지스트 도포 유닛(CT)(40)은 X방향으로 길게 연장하는 스테이지(76)를 갖고 스테이지(76) 상에서 기판(G)을 동일 방향으로 평류하여 반송하면서, 스테이지(76)의 위쪽에 배치된 긴 형상의 레지스트 노즐(78)로부터 기판(G) 상에 레지스트액을 공급하고 스핀리스법으로 기판 상면(피처리면)에 일정 막두께의 레지스트 도포막을 형성하도록 구성되고 있다. 유닛(CT)(40) 내의 각 부분의 구성 및 작용은 후에 상술한다.The resist coating unit (CT) 40 has a
감압 건조 유닛(VD)(42)은 상면이 개구하고 있는 트레이 또는 저천용기형의 하부 챔버(80)와 하부 챔버(80)의 상면에 기밀하게 밀착 또는 끼워맞춤 가능하게 구성된 뚜껑 형상의 상부 챔버(도시하지 않음)를 갖고 있다. 하부 챔버(80)는 대략 사각형으로 중심부에는 기판(G)을 수평으로 적재하여 지지하기 위한 스테이지(82)가 배치하여 설치되고 바닥면의 네 모서리에는 배기구(83)가 설치되고 있다. 각 배기구(83)는 배기관(도시하지 않음)을 통해 진공 펌프(도시하지 않음)에 통하고 있다. 하부 챔버(80)에 상부 챔버를 씌운 상태로 양 챔버 내의 밀폐된 처리 공간을 상기 진공 펌프에 의해 소정의 진공도까지 감압할 수 있게 되어 있다.The lower pressure drying unit (VD) 42 has a lid-shaped upper chamber configured to be hermetically adhered or fitted to the upper surface of the
도 4 및 도 5에 본 발명의 하나의 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유닛(CT)(40) 내의 더욱 상세한 전체 구성을 나타낸다.4 and 5 show a more detailed overall structure in the resist coating unit (CT) 40 in one embodiment of the present invention.
본 실시 형태의 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에 있어서는 스테이지(76)가 종래와 같이 기판(G)을 고정 유지하는 적재대로서 기능하는 것이 아니라 기판(G)을 공기압의 힘으로 공중에 띄우기 위한 기판 부상대로서 기능한다. 그리고, 스테이지(76)의 양사이드에 배치되고 있는 직진 운동형의 기판 반송부(84)가 스테이지(76) 상에서 떠 있는 기판(G)의 양측 주변부를 각각 탈착 가능하게 유지해 스테이지 길이 방향(X방향)으로 기판(G)을 반송하도록 되어 있다.In the resist coating unit (CT) 40 of the present embodiment, the
상세하게는, 스테이지(76)는 그 길이 방향(X방향)에 있어서 5개의 영역(M₁, M₂, M₃, M₄, M5)으로 분할되고 있다(도 5). 좌단의 영역 (M₁)은 반입 영역이고, 도포 처리를 받아야 할 신규의 기판(G)은 이 영역 (M₁) 내의 소정 위치에 반입된다. 반입 영역 (M₁)에는 반송 장치(54)(도 1)의 반송 아암으로부터 기판(G)을 받아 스테이지(76) 상에 로딩하기 위해서 스테이지 아래쪽의 원위치와 스테이지 위쪽의 주행 이동위치의 사이에 승강 이동 가능한 복수 개의 리프트 핀(86)이 소정의 간격을 두고 설치되고 있다. 이들의 리프트 핀(86)은 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)를 구동원에 이용하는 반입용의 리프트 핀 승강부(85)(도 16)에 의해 승강 구동된다.In detail, the
상기 반입 영역 (M₁)은 부상식의 기판 반송이 개시되는 영역이기도 하고, 이 영역 내의 스테이지 상면에는 기판(G)을 반입용의 부상 높이 또는 부상량(Ha)으로 띄우기 위해서 고압 또는 정압의 압축 공기를 분출하는 분출구(88)가 일정한 밀도로 다수 설치되고 있다. 여기서, 반입 영역(M₁)에 있어서의 기판(G)의 부상량(Ha)은, 특히 높은 정밀도를 필요로 하지 않고, 예를 들어 250~350μm의 범위 내로 유지되면 좋다. 또, 반송 방향(X방향)에 있어서 반입 영역 (M₁)의 사이즈는 기판(G)의 사이즈를 상회하고 있는 것이 바람직하다. 또한 반입 영역(M₁)에는, 기판(G)을 스테이지(76) 상에서 위치 맞춤하기 위한 후술하는 얼라인먼트 기구(200)(도 13~도 15)도 설치되고 있다.The import region (M₁) is part substrate feed is started also the area and, flying height or flying height for importing the substrate (G) on the top surface stage in the area (H a) at a high pressure or compression of the static pressure in order to offset the common sense
스테이지(76)의 중심부로 설정된 영역(M₃)은 레지스트액 공급 영역 또는 도포 영역이고, 기판(G)은 도포 영역(M₃)을 통과할 때에 위쪽의 레지스트 노즐(78)로부터 레지스트액(R)의 공급을 받는다. 도포 영역(M₃)에 있어서의 기판 부상량(Hb)은 노즐(78)의 하단(토출구)과 기판 상면(피처리면) 사이의 도포 갭(S)(예를 들어, 240μm)을 규정한다. 상기 도포 갭(S)은 레지스트 도포막의 막두께나 레지스트 소비량을 좌우하는 중요한 파라미터이고 높은 정밀도로 일정하게 유지될 필요가 있다. 이것으로부터 도포 영역(M₃)의 스테이지 상면에는, 예를 들어 도 6에 나타나는 바와 같은 배열 또는 분포 패턴으로 기판(G)을 원하는 부상량(Hb)으로 띄우기 위해서 고압 또는 정압의 압축 공기를 분출하는 분출구(88)와 부압으로 공기를 흡인하는 흡인구(90)를 혼재시켜 설치하고 있다. 그리고, 기판(G)의 도포 영역(M₃) 내를 통과하고 있는 부분에 대해서 분출구(88)로부터 압축 공기에 의한 수직상향의 힘을 더하는 것과 동시에 흡인구(90)에서 부압 흡인력에 의한 수직 하향의 힘을 더해 상대 저항하는 쌍방향의 힘의 밸런스를 제어하는 것으로 도포용의 부상량(Hb)을 설정값(Hs)(예를 들어, 50μm) 부근에 유지하도록 하고 있다. 반송 방향(X방향)에 있어서의 도포 영역(M₃)의 사이즈는 레지스트 노즐(78)의 바로 아래에 상기와 같은 좁은 도포 갭(S)을 안정되게 형성할 수 있을 정도의 여유가 있으면 좋고, 통상은 기판(G)의 사이즈보다 작으면 좋고, 예를 들어 1/3~1/4 정도이면 좋다.The region M3, which is set to the center of the
도 6에 나타나는 바와 같이 도포 영역(M₃)에 있어서는, 기판 반송 방향(X방향)에 대해서 일정한 경사진 각도를 이루는 직선(C) 상에 분출구(88)와 흡인구(90)를 교대로 배치하고, 인접하는 각 열 사이에 직선(C) 상의 피치에 적당한 오프셋(α)을 마련하고 있다. 관련 배치 패턴에 의하면 분출구(88) 및 흡인구(90)의 혼재 밀도를 균일하게 해 스테이지 상의 기판 부상력을 균일화하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 기판(G)이 반송 방향(X방향)으로 이동할 때에 분출구(88) 및 흡인구(90)와 대향하는 시간의 비율을 기판 각 부에서 균일화하는 것도 가능하고 이것에 의해 기판(G) 상에 형성되는 도포막에 분출구(88) 또는 흡인구(90)의 트레이스 또는 전사 흔적이 남는 것을 방지할 수가 있다. 도포 영역(M₃)의 입구에서는 기판(G)의 선단부가 반송 방향과 직교하는 방향(Y방향)으로 균일한 부상력을 안정되게 받도록 동일 방향(직선 J상)으로 배열하는 분출구(88) 및 흡인구(90)의 밀도를 높게 하는 것이 바람직하다. 또, 도포 영역(M₃)에 있어서도 스테이지(76)의 양측 주변부(직선 K상)에는 기판(G)의 양측 주변부가 늘어지는 것을 방지하기 위해서 분출구(88)만을 배치하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 6, in the application | coating area | region M3, the
다시 도 5에 있어서, 반입 영역 (M₁)과 도포 영역(M₃)의 사이로 설정된 중간의 영역(M₂)은 반송중에 기판(G)의 부상 높이 위치를 반입 영역 (M₁)에 있어서 부상량(Ha)으로부터 도포 영역(M₃)에 있어서의 부상량(Hb)으로 변화 또는 천이시키기 위한 천이 영역이다. 상기 천이 영역(M₂) 내에서도 스테이지(76)의 상면에 분출구(88)와 흡인구(90)를 혼재시켜 배치할 수가 있다. 그때 흡인구(90)의 밀도를 반송 방향을 따라 점차 크게 하고, 이것에 의해 반송중에 기판(G)의 부상량이 점차적으로 Ha로부터 Hb로 옮기도록 해도 좋다. 혹은, 상기 천이 영역(M₂)에 있어서는 흡인구(90)를 포함하지 않고 분출구(88)만을 설치하는 구성도 가능하다.In again to Figure 5, the flying height in the import region (M₁) and the coating zone (M₃) the middle of the area (M₂) is brought region (M₁) the flying height position of the substrate (G) in the transport set between the (H a ) Is a transition region for changing or transitioning to the floating amount H b in the application region M 3. Even in the transition region M2, the
도포 영역(M₃)의 하류측 근처의 영역 (M₄)은 반송중에 기판(G)의 부상량을 도포용의 부상량(Hb)으로부터 반출용의 부상량(Hc)(예를 들어, 250~350μm)로 바꾸기 위한 천이 영역이다. 천이 영역 (M₄)에서도 스테이지(76)의 상면에 분출구(88)과 흡인구(90)를 혼재시켜 배치해도 좋고, 그때 흡인구(90)의 밀도를 반송 방향을 따라 점차 작게 하는 것이 좋다. 혹은 흡인구(90)를 포함하지 않고 분출구(88)만을 설치하는 구성도 가능하다. 또, 도 6에 나타나는 바와 같이 도포 영역(M₃)과 동일하게 천이 영역 (M₄)에서도 기판(G) 상에 형성된 레지스트 도포막에 전사 흔적이 남는 것을 방지하기 위해서 흡인구(90) 및 분출구(88)를 기판 반송 방향(X방향)에 대해서 일정한 경사진 각도를 이루는 직선(E) 상에 배치하고 인접하는 각 열간에 배열 피치로 적당한 오프셋(β)을 설치하는 구성이 바람직하다.The area M₄ near the downstream side of the coating area M₃ is the floating amount H c for carrying out the floating amount of the substrate G from the floating amount H b for coating during transportation. Transition region to ˜350 μm). In the transition region M ', the
스테이지(76)의 하류단(우측단)의 영역(M5)은 반출 영역이다. 레지스트 도포 유닛(CT)(40)으로 도포 처리를 받은 기판(G)은 반출 영역(M5) 내의 소정 위치 또는 반출 위치로부터 반송 아암(74, 도 3)에 의해 하류측 근처의 감압 건조 유닛(VD)(42)(도 3)에 반출된다. 반출 영역(M5)에는 기판(G)을 반출용의 부상량(Hc)으로 띄우기 위한 분출구(88)가 스테이지 상면에 일정한 밀도로 다수 설치되고 있는 것과 동시에, 기판(G)을 스테이지(76) 상에서 언로딩해 반송 아암(74,도 3)에 전달하기 위해서 스테이지 아래쪽의 원위치와 스테이지 위쪽의 주행 이동위치의 사이에 승강 이동 가능한 복수 개의 리프트 핀(92)이 소정의 간격을 두고 설치되고 있다. 이들의 리프트 핀(92)은 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)를 구동원으로 이용하는 반출용의 리프트 핀 승강부(91, 도 16)에 의해 승강 구동된다.The area M 5 at the downstream end (right end) of the
레지스트 노즐(78)은 스테이지(76) 상의 기판(G)을 일단으로부터 타단까지 커버할 수 있는 길이로 반송 방향과 직교하는 수평 방향(Y방향)으로 연장하는 긴 형상의 노즐 본체의 하단에 슬릿 형상의 토출구(78a)를 갖고, 문(門)형 또는 역コ 자형의 노즐 지지체(130)에 승강 가능하게 장착되어 레지스트액 공급 기구(170)(도 12, 도 16)으로부터의 레지스트액 공급관(94)(도 4)에 접속되고 있다.The resist
도 4, 도 7 및 도 8에 나타나는 바와 같이, 기판 반송부(84)는 스테이지(76)의 좌우 양사이드에 평행하게 배치된 한쌍의 가이드 레일(96)과 각 가이드 레일(96) 상에 축방향(X방향)으로 이동 가능하게 장착된 슬라이더(98)와 각 가이드 레일(96) 상에서 슬라이더(98)를 직진 이동시키는 반송 구동부(100)와 각 슬라이더(98)로부터 스테이지(76)의 중심부로 향해 연장하여 기판(G)의 좌우 양측 주변부를 탈착 가능하게 유지하는 유지부(102)를 각각 가지고 있다.As shown in FIG. 4, FIG. 7, and FIG. 8, the board |
여기서, 반송 구동부(100)는 직진형의 구동 기구, 예를 들어 리니어 모터에 의해 구성되고 있다. 또, 유지부(102)는 기판(G)의 좌우 양측 주변부의 하면에 진공 흡착력으로 결합하는 흡착 패드(104)와 선단부에서 흡착 패드(104)를 지지하고 슬라이더(98)측의 기단부를 지점으로서 선단부의 높이 위치를 바꿀 수 있도록 탄성변형 가능한 판용수철형의 패드 지지부(106)를 각각 가지고 있다. 흡착 패드(104)는 일정한 피치로 일렬로 배치되어, 패드 지지부(106)는 각각의 흡착 패드(104)를 독립으로 지지하고 있다. 이것에 의해 개개의 흡착 패드(104) 및 패드 지지부(106)가 독립한 높이 위치에서(다른 높이 위치에서도) 기판(G)을 안정되게 유지할 수 있게 되어 있다.Here, the
도 7 및 도 8에 나타나는 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서의 패드 지지부(106)는 슬라이더(98)의 내측면에 승강 가능하게 장착된 판 형상의 패드 승강 부재(108)에 장착되고 있다. 슬라이더(98)에 탑재되고 있는 예를 들어 에어 실린더로부터 이루어지는 패드 액츄에이터(109, 도 16)가 패드 승강 부재(108)를 기판(G)의 부상 높이 위치보다 낮은 원위치(퇴피 위치)와 기판(G)의 부상 높이 위치에 대응하는 주행 이동 위치(결합 위치)의 사이에 승강 이동시키게 되어 있다.As shown to FIG. 7 and FIG. 8, the
도 9에 나타나는 바와 같이, 각각의 흡착 패드(104)는 예를 들어 합성고무제로 직방체 형상의 패드 본체(110)의 상면에 복수 개의 흡인구(112)를 설치하고 있다. 이들의 흡인구(112)는 슬릿 형상의 긴 구멍이지만 고리나 구형의 작은 구멍이라도 좋다. 흡착 패드(104)에는, 예를 들어 합성고무로 이루어지는 띠 형상의 진공관(114)가 접속되고 있다. 이들의 진공관(114)의 관로(116)는 패드 흡착 제어부(115)(도 16)의 진공원에 각각 통하고 있다.As shown in FIG. 9, each
유지부(102)에 있어서는 도 4에 나타나는 바와 같이 한쪽측 일렬의 진공 흡착 패드(104) 및 패드 지지부(106)가 1조별로 분리하고 있는 분리형 또는 완전 독립형의 구성이 바람직하다. 그러나, 도 10에 나타나는 바와 같이 노치 부분(118)을 설치한 한 장의 판용수철로 한쪽측 일렬 분의 패드 지지부(120)를 형성해, 그 위에 한쪽측 일렬의 진공 흡착 패드(104)를 배치하는 일체형의 구성도 가능하다.As for the holding |
상기와 같이, 스테이지(76)의 상면에 형성된 다수의 분출구(88) 및 그들로 부상력 발생용의 압축 공기를 공급하는 압축 공기 공급 기구(122)(도 11), 또 스테이지(76)의 도포 영역(M₃) 내에 분출구(88)와 혼재해 형성된 다수의 흡인구(90) 및 그들에 진공의 압력을 공급하는 진공 공급 기구(124)(도 11)에 의해 반입 영역 (M₁)이나 반출 영역(M5)에서는 기판(G)을 반입출이나 고속 반송에 적절한 부상량으로 띄우고 도포 영역(M₃)에서는 기판(G)을 안정되며, 또한 정확한 레지스트 도포 주사에 적절한 설정 부상량(Hs)으로 띄우기 위한 스테이지 기판 부상부(145)(도 16)가 구성되고 있다.As described above, the application of a plurality of blow holes 88 formed on the upper surface of the
도 11에, 노즐 승강기구(75), 압축 공기 공급 기구(122) 및 진공 공급 기구(124)의 구성을 나타낸다. 노즐 승강기구(75)는 도포 영역(M₃) 위를 반송 방향(X방향)과 직교하는 수평 방향(Y방향)으로 넘도록 가설된 문형 프레임(130)과 문형 프레임(130)에 장착된 좌우 한 쌍의 수직 운동 기구(132L, 132R)과 이들의 수직 운동 기구(132L, 132R)의 사이에 걸치는 이동체(승강체)의 노즐 지지체(134)를 가진다. 각 수직 운동 기구(132L, 132R)의 구동부는 예를 들어 펄스 모터로 이루어지는 전동 모터(138L, 138R), 볼 나사(140L, 140R) 및 가이드 부재(142L, 142R)를 가지고 있다. 펄스 모터(138L, 138R)의 회전력이 볼 나사 기구(140L, 142L; 140R, l42R)에 의해 수직 방향의 직선 운동으로 변환되어 승강체의 노즐 지지체(134)와 일체로 레지스트 노즐(78)이 수직 방향으로 승강 이동한다. 펄스 모터(138L, 138R)의 회전량 및 회전 정지 위치에 의해 레지스트 노즐(78)의 좌우 양측의 승강 이동량 및 높이 위치를 임의로 제어할 수 있게 되어 있다. 노즐 지지체(134)는 예를 들어 각진 기둥의 강체로 이루어지고 그 하면 또는 측면으로 레지스트 노즐(78)을 플랜지, 볼트 등을 통해 탈착 가능하게 장착하고 있다.11, the structure of the
압축 공기 공급 기구(122)는 스테이지(76) 상면에서 분할된 복수의 지역별로 분출구(88)에 접속된 정압 매니폴드(144)와 그들 정압 매니폴드(144)에 예를 들어 공장용력의 압축 공기 공급원(146)으로부터의 압축 공기를 보내는 압축 공기 공급원(146)과 압축 공기 공급원(146)의 도중에 설치되는 레귤레이터(150)를 가지고 있다. 진공 공급 기구(124)는 스테이지(76) 상면에서 분할된 복수의 지역별로 흡인구(90)에 접속된 부압 매니폴드(152)와 그들 부압 매니폴드(152)로부터 예를 들어 공장용력의 진공원(154)으로 공기를 끌어들이는 진공관(156)과 진공관(156)의 도중에 설치되는 교축 밸브(158)를 가지고 있다.The compressed
도 12에, 레지스트액 공급 기구(170)의 구성을 나타낸다. 본 레지스트액 공급 기구(170)는 레지스트액(R)을 저장하는 병(172)에서 흡입관(174)을 통해 적어도 도포 처리 1회분(기판 1매분)의 레지스트액(R)을 레지스트 펌프(176)에 미리 충전해 두어 도포 처리시에 레지스트 펌프(176)에서 레지스트액(R)을 토출관 또는 레지스트액 공급관(94)을 통해 레지스트 노즐(78)에 소정의 압력으로 압송하고 레지스트 노즐(78)으로부터 기판(G) 상에 레지스트액(R)을 소정의 유량으로 토출하게 되어 있다.12, the structure of the resist
병(172)은 밀폐되고 있어, 병 내의 액면을 향해 가스관(178)에서 압송 가스, 예를 들어 N2 가스가 일정한 압력으로 공급되게 되어 있다. 가스관(178)에는, 예를 들어 에어 오퍼레이트 밸브로 이루어지는 개폐 밸브(180)가 설치되고 있다.The
흡입관(174)의 도중에는 필터(182), 탈기모듈(184) 및 개폐 밸브(186)가 설치되고 있다. 필터(182)는 병(172)으로부터 보내져 오는 레지스트액(R) 안의 이물(쓰레기류)을 제거하고, 탈기모듈(184)은 레지스트액 안의 기포를 제거한다. 개폐 밸브(186)는, 예를 들어 에어 오퍼레이트 밸브로 이루어지고, 흡입관(174)에 있어서의 레지스트액(R)의 흐름을 온(전개 도통) 또는 오프(차단)한다.The
레지스트액 공급관(94)의 도중에는, 개폐 밸브(188)가 설치되고 있다. 필터나 색 백 밸브는 설치되지 않았다. 본 개폐 밸브(188)는, 예를 들어 에어 오퍼레이트 밸브로 이루어지는 레지스트액 공급관(94)에 있어서의 레지스트액(R)의 흐름을 온(전개 도통) 또는 오프(차단)한다. 레지스트 펌프(176)는, 예를 들어 시린지(syringe) 펌프로 이루어지고, 펌프실을 가지는 펌프 본체(190)와, 펌프실의 용적을 임의로 바꾸기 위한 피스톤 또는 플런저(192)와, 본 플런저(192)를 왕복 운동시키기 위한 펌프 구동부(194)를 가지고 있다.An open /
레지스트액 공급 제어부(196)는 국소 콘트롤러이고, 콘트롤러(230)(도 16)로부터의 지령에 따라 레지스트액 공급 기구(170) 내의 각 부, 특히 레지스트 펌프(176)의 펌프 구동부(194)나 각 개폐 밸브(180, 186, 188) 등을 제어한다.The resist liquid
도 13~도 15에, 스테이지(76)의 반입 영역 (M₁)에 설치되는 얼라인먼트 기구(200)의 구성을 나타낸다. 얼라인먼트 기구(200)는 도 13에 나타나는 바와 같이, 스테이지(76)의 반입 영역 (M₁)에 반입된 기판(G)의 네 모서리에 접할 수 있는 복수 개, 예를 들어 8개의 얼라인먼트핀(202A, 202B, 204A, 204B, 206A, 206B, 208A, 208B)을 가지고 있다.13-15, the structure of the
도 14에 나타나는 바와 같이, 이들 8개의 얼라인먼트핀 가운데, 도포 영역(M₃) 집합의 2개의 핀(202A, 202B)은 기정된 기준 위치(Pa)로 기판(G)의 전단의 변(Ga)을 지지하도록 하여 이것에 접하도록 되어 있다. 또, 고정 핀(202A, 202B)과 대향하는 2개의 핀(204A, 204B)은, 기정된 원위치(Pb)로부터 상기 기준 위치(Pa)를 향해 이동을 개시하고, 도중에 기판(G)의 후단의 변(Gb)에 접하면서 동일방향으로 이동하고 기판(G)의 전단의 변(Ga)을 반대측의 고정 핀(202A, 202B)에 밀어붙이도록 기능한다. 도포 주사 방향을 기준으로서 좌측의 2개의 핀(206A, 206B) 및 우측의 2개의 핀(208A, 208B)은 각각 기정된 원위치(Pc, Pd)로부터 스테이지(76)의 중심을 지나는 선(가상선)(76C)을 향해 서로 접근하는 방향으로 동시에 이동해, 기판(G)의 좌측의 변(Gc) 및 우측의 변(Gd)에 각각 접해[기판(G)를 좌우 양측으로부터 사이에 두어], 기판(G)의 중심선을 스테이지 중심선(76C)에 맞추도록(센터링함) 동작한다.As shown in Figure 14, the front end sides of these eight alignment pin center, the
도 15a 및 도 15b에, X방향 가동 얼라인먼트핀(204A, 204B)을 구동하기 위한 핀 구동부(210)의 구성예를 나타낸다. Y방향 가동 얼라인먼트핀(206A, 206B, 208A, 208B)의 구동에도 핀 구동부(210)와 같은 핀 구동부를 이용할 수가 있다.15A and 15B show an example of the configuration of the
핀 구동부(210)는 예를 들어 실린더로 이루어지는 승강 구동부(212)와 승강 구동부(212)의 수직 구동축의 선단(상단)에 결합된 수평 지지판(214)과 수평 지지판(214) 위에 장착된 수평 구동부(216)를 가지고 있다. 수평 구동부(216)의 핀 구동축(218)이 그 선단부에 얼라인먼트핀(204A, 204B)을 수직으로 지지해 일정한 수평 방향(X방향)으로 전진 이동 또는 후퇴 이동해 가동 범위 내의 임의의 위치에서 정지할 수 있게 되어 있다.The
수평 구동부(216)는 도시 생략하지만, 예를 들어 전동 모터와 전동 모터의 회전력을 핀 구동축(218)의 수평 직진 운동으로 변환하기 위한 운동 변환 기구와 전동 모터의 동작(회전·정지)을 제어하기 위한 제어부를 구비하고 있다. 얼라인먼트핀(204A, 204B)의 전진 이동 시에 부하 토크가 일정값을 넘으면 제어부가 전동 모터의 회전을 정지시키고 얼라인먼트핀(204A, 204B)을 그 정지 위치로 유지하게 되어 있다.Although the
본 실시 형태에서는, 얼라인먼트 시에 도포 주사 방향(X방향)에 있어서의 기판(G)의 길이를 측정하기 위한 위치(또는 이동거리) 센서(220)를 핀 구동부(210)에 탑재하고 있다. 도시의 구성예의 위치(이동거리) 센서(220)는 수평 리니어 스케일이고, 수평 지지판(214)에 고정된 핀 이동 방향(X방향)과 평행하게 연장하는 눈금부(220A)와 눈금부(220A)를 얼라인먼트핀(204A, 204B) 측으로부터 광학적으로 독취하도록 핀 구동축(218)에 장착된 눈금 독취부(220B)를 가지고 있다.In this embodiment, the
얼라인먼트 동작에 있어서, 기판(G)이 리프트 핀(86)의 하강에 의해 스테이지(76)의 반입 영역(M₁)에 위쪽으로부터 반입되면 먼저 실린더(212)의 승강 구동에 의해, 얼라인먼트핀(204A)(204B)이 스테이지(76)보다 낮은 소정의 퇴피 위치로부터 기판(G)보다 핀 선단이 높아지는 소정의 주행 이동위치까지 수직으로 상승한다. 이때, 얼라인먼트핀(204A)(204B)은 이동 방향(X방향)에 있어서 원위치(Pb)에 있고, 기판(G)의 후단의 변(Gb)과 부정의 거리를 두고 마주본다.In alignment operation, when the board | substrate G is carried in from the upper direction to the carrying-in area | region M 'of the
다음에, 수평 구동부(216)가 동작해 얼라인먼트핀(204A)(204B)을 전진 시킨다. 얼라인먼트핀(204A, 204B)은 전진이동 도중에 기판(G)의 후측변(Gb)의 측면에 접해 그대로 기판(G)을 누르면서 전진 이동한다. 기판(G)은 스테이지(76)의 분출구(88)에서 주어지는 공기압(부상력)으로 떠 있어 수평 방향으로 유연하게 이동할 수가 있다. 이렇게 하여, 기판(G)은 얼라인먼트핀(204A, 204B)에 밀려 누름 방향(X방향)으로 이동하고 머지않아 전단측의 변(Ga)의 측면이 고정 얼라인먼트핀(202A, 202B)에 접한다(도 14). 그렇다면, X방향에 있어서 기판(G)은 가동 얼라인먼트핀(204A, 204B)과 고정 얼라인먼트핀(202A, 202B)에 끼여서 움직이지 못하게 되어 부하 토크의 상승에 의해 수평 구동부(216)의 구동도 정지하고 X방향에 있어서의 얼라인먼트가 완료한다(도 15b). 한편 Y방향에 있어서는, 좌측의 가동 얼라인먼트핀(206A, 206B)과 우측의 가동 얼라인먼트핀(208A, 208B)이 기판(G)을 좌우 양측으로부터 끼워진 상태로 얼라인먼트가 완료된다.Next, the
이렇게 하여, 얼라인먼트가 완료하고 나서 위치(이동거리) 센서(220)를 통해서 가동 얼라인먼트핀(204A, 204B)의 현재 위치, 즉 주행 이동 위치(Pb')를 독취한다. 콘트롤러(230)(도 16)는 위치(이동거리) 센서(220)로 독취한 가동 얼라인먼트핀(204A, 204B)의 주행 이동위치(Pb')(측정값)와 고정 얼라인먼트핀(202A, 202B)의 기준 위치(Pa)(기존에 정한 값) 사이의 거리 간격(DG)을 구하고 거리 간격(Dc)을 해당 기판(G)의 기판 길이의 측정값으로 한다. 혹은, 위치(이동거리) 센서(220)를 통해서 가동 얼라인먼트핀(204A, 204B)의 원위치(Pb)로부터 주행 이동 위치(Pb')까지의 이동거리(δX)를 구하고 원위치(Pb)(기존에 정한 값)와 고정 얼라인먼트핀(202A, 202B)측의 기준 위치(Pa)(기존에 정한 값)와의 사이의 기준 거리(기존에 정한 값)(Dx)로부터 이동거리(δX)(측정값)를 빼고, 그 차이(Dx - δX) 값을 기판(G)의 길이의 측정값으로 하는 것도 가능하다.In this manner, after the alignment is completed, the current position of the
또한, 고정 얼라인먼트핀(202A, 202B)은 기준 위치(Pa)에서 수직 방향으로만 이동하면 좋고, 도시 생략하지만 예를 들어 승강 구동부(212)(도 15a, 도 l5b)에 직결되는 것으로 좋다.It is also possible to be fixed to the alignment pins (202A, 202B) is good when moving only in the vertical direction from the reference point (P a), not shown, but for example, directly connected to the lifting drive unit 212 (FIG. 15a, FIG. L5b).
도 16에 본 실시 형태의 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에 있어서의 제어계의 주요한 구성을 나타낸다. 콘트롤러(230)는, 마이크로 컴퓨터로 이루어지는 유닛 내의 각 부, 특히 레지스트액 공급 기구(170), 노즐 승강기구(75), 스테이지 기판 부상부(145), 기판 반송부(84)[반송 구동부(100), 패드 흡착 제어부(115), 패드 액츄에이터(109)], 반입용 리프트 핀 승강부(85), 반출용 리프트 핀 승강부(91), 얼라인먼트 기구(200), 위치(이동거리) 센서(220) 등의 개개의 동작과 전체의 동작(씨퀀스)을 제어한다.The main structure of the control system in the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment is shown in FIG. The
다음에, 본 실시 형태의 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에 있어서의 도포 처리 동작을 설명한다.Next, the coating process operation in the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment is demonstrated.
콘트롤러(230)는, 예를 들어 광디스크 등의 기억 매체에 격납되고 있는 도포 처리 프로그램을 주메모리에 취입하여 실행하고, 프로그램된 일련의 도포 처리 동작을 제어한다. 도 17에, 본 도포 처리 동작의 주요한 순서를 나타낸다.The
먼저, 반송 장치(54)(도 1)에서 미처리의 새로운 기판(G)이 스테이지(76)의 반입 영역 (M₁)에 반입된다. 이 경우, 리프트 핀(86)이 주행 이동 위치에서 상기 기판(G)을 수취하고 반송 장치(54)가 퇴출한 후에 리프트 핀(86)이 하강해 기판(G)을 반송용의 높이 위치, 즉 부상량(Ha)의 높이 위치(도 5)까지 내린다(스텝A₁).First, in the conveying apparatus 54 (FIG. 1), the unprocessed new board | substrate G is carried in to the loading area M 'of the
그 다음에, 얼라인먼트 기구(200)가 작동하고 상기와 같이 부상 상태의 기판(G)에 사방으로부터 얼라인먼트핀(202A~208B)을 밀어붙이도록 하여 기판(G)을 스테이지(76) 상에서 위치 맞춤한다(스텝A2). 상기 얼라인먼트 시에 상기한 바와 같이 위치(이동거리) 센서(220)를 통해서 반송 방향에 있어서의 기판(G)의 길이 사이즈를 측정한다(스텝A₃).Subsequently, the
콘트롤러(230)는 기판 길이 사이즈의 측정값을 기본으로 기판(G)에 대한 도포 주사를 위한 소정의 파라미터를 보정한다. 관련되는 보정 파라미터로서 기판(G)에 대한 도포 주사의 개시 위치, 종료 위치, 주사 거리, 주사 시간, 레지스트액 토출의 개시 타이밍, 종료 타이밍, 토출 지속 시간 등을 선택할 수가 있다.The
혹은, 레지스트 노즐(78)의 토출 압력 및 기판(G)의 반송 속도를 각각 제어하기 위한 도 18에 나타나는 바와 같은 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)의 파형을 가변의 보정 파라미터로 할 수도 있다. 이들의 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)는 도포 주사에 있어 콘트롤러(230)가 메모리로부터 파형 신호 또는 압력 제어 신호 및 반송 속도 제어 신호로서 독출하여 레지스트액 공급 기구(170) 및 기판 반송부(84)에 주는 것이다.Alternatively, the waveforms of the discharge pressure control waveform SP (t) and the scan speed control waveform SV (t) as shown in FIG. 18 for controlling the discharge pressure of the resist
이러한 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)은 시간축상으로 설정되어 있고 이것을 도포 주사 방향의 X축 상의 파형 SP(x), SV(x)으로 치환할 수가 있다. 그 경우, 주사 속도 제어 파형 SV(t)에 있어서는 그 활성 시작 단이 도포 주사의 개시 위치에 대응하고 비활성의 종단이 도포 주사의 종료 위치에 대응한다. 또한, 토출 압력 제어 파형 SP(t)와 주사 속도 제어 파형 SV(t)의 사이에는 임의의 시간차이가 마련되는 것이 좋고, 예를 들어 토출 압력 제어 파형 SP(t)에 대해서 주사 속도 제어 파형 SV(t)가 다소 늦어지도록 양자의 타이밍 관계가 설정된다.The discharge pressure control waveform SP (t) and the scan speed control waveform SV (t) are set on the time axis and can be replaced by the waveforms SP (x) and SV (x) on the X axis in the coating scan direction. In that case, in the scanning speed control waveform SV (t), the active start end corresponds to the start position of the application scan, and the end of inactivity corresponds to the end position of the application scan. In addition, an arbitrary time difference may be provided between the discharge pressure control waveform SP (t) and the scan speed control waveform SV (t), and for example, the scan speed control waveform SV with respect to the discharge pressure control waveform SP (t). The timing relationship between the two is set so that (t) is somewhat late.
일반적으로, 토출 압력 제어 파형 SP(t)와 주사 속도 제어 파형 SV(t)는 기판 길이가 규격값 또는 표준값에 근거해 설정되어 있다. 따라서, 외형 치수의 공차나 휘어짐 등으로 기판(G)의 기판 길이가 표준값으로부터 어긋나 있는 경우에, 표준의 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)를 이용해 도포 주사를 실시하면 그 기판이 어긋남(오차)에 따라 도포 주사의 개시 위치 또는 도포 주사의 종료 위치가 어긋나게 된다. 통상, 스테이지(76) 상에서는 상기한 얼라인먼트뿐만이 아닌 도포 주사에서도 기판(G)의 전단의 변(Ga)을 기준 위치에 맞추어 기판 길이가 오차의 유무나 오차의 정도에 구애받지 않고 기판(G) 상의 도포 주사의 개시를 항상 일정 위치에 제어할 수가 있다. 즉, 기판 길이가 표준값으로부터 어긋나고 있으면, 대체로 도포 주사의 종료 위치에 영향이 나타나, 예를 들어 해당 기판(G)의 기판 길이가 표준값보다 작고, 그 오차의 정도가 크면 기판(G)의 후단을 지나쳐버려 기판(G)의 밖으로 레지스트액을 흘려 버리는 경우도 있다.In general, the discharge pressure control waveform SP (t) and the scan speed control waveform SV (t) are set based on the substrate length or the standard value. Therefore, when the board | substrate length of the board | substrate G deviates from a standard value by the tolerance of the external dimension, curvature, etc., application | coating scan is performed using standard discharge pressure control waveform SP (t) and scanning speed control waveform SV (t). When the substrate is misaligned (error), the start position of the coating scan or the end position of the coating scan is shifted. Usually, on the
따라서, 본 실시 형태에서는, 상기와 같이 스테이지(76)의 반입 영역 (M₁)에 있어서의 기판(G)의 얼라인먼트 시에 구해지는 기판 길이의 측정값을 기본으로, 콘트롤러(230)에 있어서 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)를 보정한다(스텝A₄). 구체적으로는, 표준의 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)를 상기와 같이 X축 상의 토출 압력 제어 파형 SP(x) 및 주사 속도 제어 파형 SV(x)으로 치환하여 양쪽 파형 SP(x), SV(x)에 기판 길이의 측정값에 따른 보정을 걸고 보정 후의 양쪽 파형 SP(x), SV(x)를 시간축 상의 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)으로 치환한다. 혹은, 기판 길이의 측정값을 시간으로 환산해 표준의 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)에 직접 보정을 거는 것도 가능하다.Therefore, in this embodiment, the discharge pressure in the
본 실시 형태에 있어서는, 상기와 같은 도포 주사 파라미터 보정 기능에 의해, 예를 들어 해당 기판(G)의 기판 길이가 표준값보다 작은 경우는 도 18에 있어서 일점쇄선으로 나타나는 바와 같이 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)의 종단 부분을 단축하는 바와 같은 보정을 걸 수 있다. 이 보정은 도포 주사가 개시되기 전에 행해진다.In this embodiment, when the board | substrate length of the said board | substrate G is smaller than a standard value by the above-mentioned application | coating scanning parameter correction function, for example, as shown by a dashed-dotted line in FIG. 18, discharge pressure control waveform SP ( t) and the end of the scanning speed control waveform SV (t) can be corrected. This correction is made before the coating scan is started.
상기와 같이 하여 반입 영역 (M₁)에 있어서 기판(G)의 얼라인먼트 및 기판 길이 측정이 끝나면 얼라인먼트 기구(200)는 얼라인먼트핀(202A~208B)을 기판(G)로부터 떼어놓아 수직 아래쪽으로 퇴피 위치까지 내린다. 그 직후에, 기판 반송부(84)는 유지부(102)로 기판(G)의 측주변부를 유지한 채로 슬라이더(98)를 반송 시점 위치로부터 반송 방향(X방향)으로 비교적 고속의 일정 속도로 직진 이동시킨다. 이렇게 하여, 기판(G)이 스테이지(76) 상을 뜬 상태로 반송 방향(X방향)으로 직진 이동해 기판(G)의 전단부가 도포 영역(M₃) 내의 설정 위치 또는 도포 주사 개시 위치에 도착한 지점에서 기판 반송부(84)가 제1 단계의 기판 반송을 정지한다.After the alignment of the substrate G and the measurement of the substrate length in the carry-in region M₁ are completed as described above, the
상기와 같이, 기판(G)이 도포 영역(M₃) 내의 설정 위치, 즉 도포 주사 개시 위치에 도착해 거기서 정지하면 콘트롤러(230)의 제어하에서 노즐 승강기구(75)(도 11)가 작동하고 레지스트 노즐(78)을 수직 아래쪽에 내리고, 노즐의 토출구(78a)와 기판(G)의 거리 간격 또는 도포 갭을 초기값(예를 들어, 60μm)에 맞춘다. 그 다음에, 콘트롤러(230)의 제어하에서 레지스트액 공급 기구(170)(도 12)가 레지스트액(R)의 토출을 개시하는 것과 동시에 기판 반송부(84)도 제2 단계의 기판 반송을 개시하고, 한편 노즐 승강기구(75)가 레지스트 노즐(78)을 도포 갭이 설정값(SA)(예를 들어, 240μm)이 될 때까지 일순간으로 상승시키고 그 후는 그대로 기판(G)을 수평 이동시킨다. 이렇게 하여, 레지스트액 공급 기구(170)에 있어서의 레지스트액 토출 동작과 기판 반송부(84)에 있어서의 기판 반송 동작의 동기가 취해진 협동 또는 제휴에 의해 기판(G)에 대한 도포 주사가 행해진다(스텝A5).As described above, when the substrate G reaches the set position in the application region M3, that is, the application scanning start position and stops there, the nozzle elevating mechanism 75 (Fig. 11) is operated under the control of the
여기서, 레지스트액 공급 기구(170)에 있어서의 레지스트액 토출 동작은, 상기와 같이 얼라인먼트 동작 시에 구해진 기판 길이 측정값을 기초로 보정한 토출 압력 제어 파형 SP(t)에 따라 행해진다. 또, 기판 반송부(84)에 있어서의 제2 단계, 즉 도포 주사용의 기판 반송은 상기와 같이 얼라인먼트 시에 구해진 기판 길이 측정값에 근거해 보정한 주사 속도 제어 파형 SV(t)에 따라 행해진다.Here, the resist liquid discharge operation in the resist
이렇게 하여, 도포 영역(M₃) 내에 있어서 기판(G)이 수평 자세로 반송 방향(X방향)으로 일정 속도(Vs)로 이동하는 것과 동시에 긴 형상의 레지스트 노즐(78)이 바로 아래의 기판(G)을 향해 레지스트액(R)을 일정한 토출 압력(Ps)으로 띠 형상으로 토출하는 것에 의해, 도 19 및 도 20에 나타나는 바와 같이 기판(G)의 전단측으로부터 후단측을 향해 레지스트액의 도포막(RM)이 일정한 막두께로 형성되어 간다.In this way, in the application | coating area | region M3, while the board | substrate G moves to a constant speed Vs in a conveyance direction (X direction) in a horizontal attitude | position, the elongate resist
도 21에 나타나는 바와 같이, 도포 영역(M₃)에서 상기와 같은 도포 처리가 끝나면, 즉 기판(G)의 후단부가 레지스트 노즐(78)의 바로 아래를 지나는 부근에서, 레지스트액 공급 기구(170)가 레지스트 노즐(78)로부터의 레지스트액(R)의 토출을 종료시킨다. 이것과 거의 동시에 기판 반송부(84)는 제2 단계(도포 주사용)의 기판 반송을 정지한다.As shown in FIG. 21, when the above-mentioned application | coating process is complete | finished in the application | coating area | region M3, ie, in the vicinity where the rear end part of the board | substrate G passes just under the resist
도 22에, 상기와 같은 도포 주사에 의해 기판(G) 상에 형성되는 레지스트 도포막(RM)의 도포 주사 종료후의 패턴을 모식적으로 나타낸다. 기판(G)의 주변부에는 일점쇄선(L)으로 나타나는 바와 같이 제품 영역, 즉 막두께 보증 영역(ES)과 비제품 영역, 즉 막두께 비보증 영역(마진 영역)(EM)을 나누는 가상의 영역 경계선이 설정되어 있다.In FIG. 22, the pattern after completion | finish scanning of the resist coating film RM formed on the board | substrate G by the above-mentioned application | coating scan is shown typically. As shown by the dashed-dotted line L, the periphery of the board | substrate G divides a product area | region, ie, a film thickness guarantee area ES and a non-product area, ie, a film thickness non-guaranteed area (margin area) EM. The border is set.
본 실시 형태에 있어서는, 상기와 같이 기판(G)의 기판 길이 측정값을 기초로 보정한 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)에 따라 도포 주사를 행함으로써, 기판(G) 상에 레지스트 도포막(RM)을 원하는 아웃라인(외곽선) 및 막두께 프로파일로 형성할 수가 있다. 즉, 도 22에 나타나는 바와 같이 기판(G) 상에서 레지스트 도포막(RM)의 아웃라인을 기판 엣지의 밖으로 돌출시키는 경우 없이 마진 영역(EM) 내의 원하는 위치에 맞추어 도포 주사의 개시 위치 부근 및 종료 위치 부근으로 할 수 있는 레지스트 도포막(RM)의 액무덤(RMA)을 실질적으로 마진 영역(EM) 내에 멈추는[막두께 보증 영역(ES)에 들어 오지 않게 함] 것이 가능하다.In the present embodiment, the substrate (by applying the coating scan according to the discharge pressure control waveform SP (t) and the scan speed control waveform SV (t) corrected based on the substrate length measurement value of the substrate G as described above), On G), the resist coating film RM can be formed in a desired outline (outline) and film thickness profile. That is, as shown in FIG. 22, the start position and the end position of the coating scan are made in accordance with a desired position in the margin area EM without projecting the outline of the resist coating film RM on the substrate G out of the substrate edge. It is possible to substantially stop the liquid tomb RMA of the resist coating film RM, which can be near, in the margin area EM (not to enter the film thickness guarantee area ES).
또한, 도포 주사 방향과 직교하는 방향(Y방향)에 있어서도 얼라인먼트 시에 기판(G)을 스테이지(76) 상에서 센터링해 레지스트 노즐(78)의 중심선에 맞추고 있으므로, 기판(G)의 폭사이즈에 공차나 오차가 있어도 그 오차를 좌우 균등하게 2 분할하여 레지스트 도포막(RM)의 아웃라인 및 막두께 프로파일을 좌우 균등하게 정렬할 수가 있다.The substrate G is also centered on the
상기와 같은 도포 주사가 종료한 후에 노즐 승강기구(75)가 레지스트 노즐(78)을 수직 위쪽으로 들어올려 기판(G)로부터 퇴피시킨다. 다음에 기판 반송부(84)는 반송 속도가 비교적 큰 제3 단계의 기판 반송을 개시한다. 그리고, 기판(G)이 반출 영역(M5) 내의 반송 종점 위치에 도착하면 기판 반송부(84)는 제3 단계의 기판 반송을 정지한다. 이 직후에, 패드 흡착 제어부(115)가 흡착 패드(104)에 대한 진공 공급을 멈추고, 이것과 동시에 패드 액츄에이터(109)가 흡착 패드(104)를 주행 이동 위치(결합 위치)에서 원위치(퇴피 위치)로 내리고 기판(G)의 양측 단부로부터 흡착 패드(104)를 분리시킨다. 이때, 패드 흡착 제어부(115)는 흡착 패드(104)에 정압(압축 공기)을 공급하고 기판(G)으로부터의 분리를 빠르게 한다. 대신에, 리프트 핀(92)이 기판(G)을 언로딩하기 위해서 스테이지 아래쪽의 원위치에서 스테이지 위쪽의 주행 이동 위치로 상승한다.After the above-described coating scan is finished, the
다음에, 반출 영역(M5)에 반출기, 즉 반송 아암(74)이 액세스 해, 리프트 핀(92)으로부터 기판(G)을 수취하여 스테이지(76)의 밖에 반출한다(스텝A6). 기판 반송부(84)는 기판(G)을 리프트 핀(92)에 건네주었다면, 즉시 반입 영역 (M₁)으로 고속도로 되돌린다. 반출 영역(M5)에 상기와 같이 처리완료의 기판(G)이 반출될 즈음에, 반입 영역 (M₁)에서는 다음에 도포 처리를 받아야 할 새로운 기판(G)에 대해서 상기와 같이 하여 반입, 얼라인먼트, 기판 길이 측정, 반송 개시가 차례로 행해진다.Next, the carrying out machine, ie, the
상기와 같이, 본 실시 형태의 레지스트 도포 유닛(CT)(40)은 스테이지(76)의 도포 영역(M₃)에 있어서의 도포 주사에 앞서 반입 영역 (M₁)에서 얼라인먼트 기구(200)에 의해 기판(G)의 위치 맞춤을 실시하는 것과 동시에, 위치(이동거리) 센서(220)를 이용해 기판(G)의 길이 사이즈를 측정하고 기판 사이즈 측정값에 따라 도포 주사용의 소정의 파라미터, 예를 들어 도포 주사 개시 위치(타이밍), 도포 주사 종료 위치(타이밍), 도포 주사 거리(도포 주사 시간) 혹은 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t) 등에 보정을 건다. 그리고, 이렇게 해 보정을 걸친 파라미터를 이용해 도포 영역(M₃)에서 도포 주사를 실시하는 것에 의해, 기판(G)의 사이즈에 공차나 오차가 있어도 기판(G) 상에 형성되는 레지스트 도포막(RM)의 아웃라인이나 막두께 프로파일에 기판 사이즈의 오차의 영향이 나타나지 않게 하는 것이 가능하고 나아가서는 도포 처리의 신뢰성 및 제품 비율을 향상시킬 수가 있다.As described above, the resist coating unit (CT) 40 of the present embodiment is formed by the
이상, 본 발명을 매우 적합한 실시 형태에 대해서 설명했지만 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니고, 그 기술 사상의 범위 내에서 여러 가지의 변형이 가능하다.As mentioned above, although this invention was demonstrated about highly suitable embodiment, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible within the range of the technical idea.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는 가동 얼라인먼트핀(204A, 204B)의 위치 또는 이동거리를 측정하기 위해서 광학식의 센서[수평 리니어 스케일(220)]를 이용했다. 그러나, 비광학식의 센서도 사용 가능하고 수평 구동부(216) 내의 전동 모터의 회전량으로부터 이동거리 측정값을 구하는 것도 가능하다.For example, in the said embodiment, the optical sensor (horizontal linear scale 220) was used in order to measure the position or moving distance of
또한 상기 실시 형태에서, 얼라인먼트 시에 기판(G)의 사이즈를 도포 주사 방향만으로 측정했다. 그러나, 도포 주사 방향(X방향)과 직교하는 방향(Y방향)으로 기판 사이즈를 측정해도 좋고 기판 사이즈 측정값에 근거해 도포 처리용의 소정의 파라미터를 보정할 수가 있다. 예를 들어, Y방향에 있어서 기판(G)의 센터링을 실시하지 않고 기판(G)의 다른 한쪽의 변을 기준 위치에 맞추는 경우 기판 사이즈에 공차나 오차가 있으면 기판(G)의 중심선이 스테이지 중심선(76C)의 중심선으로부터 어긋난다. 거기서 Y방향에 있어서 기판 사이즈 측정값에 따라 레지스트 노즐(78)을 변위시키는 것도 가능하다. 다른 면에 있어서, 기판(G)에 대한 얼라인먼트를 도포 주사 방향(X방향)만으로 실시해, 그것과 직교하는 방향(Y방향)에서는 생략하는 것도 가능하다. 또, 도포 주사 방향(X방향)에 있어서 얼라인먼트핀(202A, 202B)을 고정형에서 가동형으로 변경하는 것도 가능하다.In addition, in the said embodiment, the size of the board | substrate G was measured only at the coating scan direction at the time of alignment. However, the substrate size may be measured in the direction (Y direction) orthogonal to the coating scan direction (X direction), or the predetermined parameter for the coating process can be corrected based on the substrate size measured value. For example, when the other side of the substrate G is aligned with the reference position without centering the substrate G in the Y direction, if there is a tolerance or an error in the substrate size, the centerline of the substrate G is the stage centerline. Deviate from the centerline of (76C). It is also possible to displace the resist
상기한 실시 형태는 부상 반송식의 스핀리스 도포법과 관련되는 것이었지만, 본 발명은 흡착 고정형의 스테이지 상에 기판을 수평으로 적재 고정하고, 기판 위쪽에서 긴 형상의 레지스트 노즐을 노즐 길이 방향과 직교하는 수평 방향으로 이동시키면서 기판 상의 구석 끝으로부터 구석 끝까지 레지스트액을 도포하는 방식의 스핀리스 도포법에도 적용 가능하다. 그 경우에서도 흡착 고정형 스테이지 위에서 기판의 위치 맞춤을 행하기 위한 얼라인먼트 기구를 설치하는 것과 동시에 얼라인먼트 시에 기판의 사이즈(특히 도포 주사 방향의 사이즈)를 측정하는 기판 사이즈 측정부를 갖출 수가 있다.Although the above-described embodiment is related to the floating transfer type spinless coating method, the present invention is horizontally mounted to fix a substrate on a suction-fixed stage, and horizontally orthogonally intersects the elongated resist nozzle above the nozzle length direction. It is also applicable to the spinless coating method of applying the resist liquid from the corner end to the corner end on the substrate while moving in the direction. Also in this case, it is possible to provide a substrate size measuring unit for measuring the size of the substrate (particularly the size in the coating scan direction) during alignment, while providing an alignment mechanism for positioning the substrate on the adsorption fixed stage.
또, 본 발명에 있어서의 기판 사이즈의 측정은 도포 주사의 직전에 실시하는 것이 가장 바람직하지만, 도포 현상 처리 시스템(도 1) 내에서 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에서 프로세스 플로우에 관하여 상류에 위치하는 임의의 유닛으로 기판의 얼라인먼트를 하는 경우에는 그 장소에서 기판의 사이즈를 측정하는 것도 가능하다.In addition, although the measurement of the board | substrate size in this invention is performed most immediately before application | coating scan, it is upstream with respect to a process flow in the resist application | coating unit (CT) 40 in an application | coating development process system (FIG. 1). When the substrate is aligned with any unit located, the size of the substrate can be measured at that location.
본 발명에 있어서의 처리액으로서는, 레지스트액 이외에도, 예를 들어 층간 절연 재료, 유전체 재료, 배선 재료 등의 도포액도 가능하고, 현상액이나 린스액 등도 가능하다. 본 발명에 있어서의 피처리 기판은 LCD 기판에 한정되지 않고, 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판, 반도체 웨이퍼, CD기판, 포토마스크, 프린트 기판 등도 가능하다.As the processing liquid in the present invention, in addition to the resist liquid, for example, a coating liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, a wiring material, or the like can be used, and a developing solution, a rinse liquid, or the like can also be used. The substrate to be treated in the present invention is not limited to an LCD substrate, and other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, photomasks, printed substrates, and the like can also be used.
본 발명의 도포 방법 및 도포 장치에 의하면, 상기와 같은 구성 및 작용에 의해 스핀리스 도포법에 있어서 기판 상에 형성되는 도포막의 아웃라인이나 막두께 프로파일에 기판 사이즈의 공차나 오차의 영향이 나타나지 않게 하고 도포 처리의 신뢰성 및 제품 비율을 향상시킬 수가 있다.According to the coating method and the coating apparatus of this invention, the influence of the tolerance and the error of a board | substrate size does not appear in the outline and film thickness profile of the coating film formed on a board | substrate in a spinless coating method by the structure and effect | action as mentioned above. And the reliability and product ratio of the coating treatment can be improved.
Claims (23)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006147134A JP4995488B2 (en) | 2006-05-26 | 2006-05-26 | Coating method and coating apparatus |
JPJP-P-2006-00147134 | 2006-05-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070114034A KR20070114034A (en) | 2007-11-29 |
KR101377766B1 true KR101377766B1 (en) | 2014-03-24 |
Family
ID=38847798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070050812A KR101377766B1 (en) | 2006-05-26 | 2007-05-25 | Coating method and coating apparatus |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4995488B2 (en) |
KR (1) | KR101377766B1 (en) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5280702B2 (en) * | 2008-02-18 | 2013-09-04 | 武蔵エンジニアリング株式会社 | Application method of liquid material, apparatus and program thereof |
JP5779353B2 (en) * | 2011-01-19 | 2015-09-16 | 武蔵エンジニアリング株式会社 | Liquid material coating method, coating apparatus and program |
KR101538058B1 (en) * | 2012-12-27 | 2015-07-21 | 엘아이지인베니아 주식회사 | Apparatus and method for attaching substrates |
JP6270114B2 (en) * | 2013-11-20 | 2018-01-31 | 東レエンジニアリング株式会社 | Substrate floating device |
KR102323080B1 (en) * | 2013-12-23 | 2021-11-09 | 세메스 주식회사 | Apparatus ad Method for treating substrate |
KR101581863B1 (en) * | 2014-03-12 | 2015-12-31 | 주식회사 일성에프에이 | Device for Aligning and Measuring of Substrate |
KR101449905B1 (en) | 2014-06-18 | 2014-10-13 | 이승해 | Glass thermal transferring apparatus for display device capable of adjusting glass position |
JP7111568B2 (en) * | 2018-09-13 | 2022-08-02 | 株式会社Screenホールディングス | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER PROGRAM FOR SUBSTRATE PROCESSING |
JP2022138109A (en) * | 2021-03-09 | 2022-09-22 | 株式会社Screenホールディングス | Discharge pressure evaluation method, discharge pressure evaluation program, recording medium and substrate processing apparatus |
KR102451485B1 (en) * | 2022-03-10 | 2022-10-06 | 황희진 | Display panel floating stage device having a foreign materia storage space in the intake line |
KR102451491B1 (en) * | 2022-03-10 | 2022-10-06 | 황희진 | Display panel floating stage device having a foreign materia storage space |
KR102451501B1 (en) * | 2022-03-10 | 2022-10-06 | 황희진 | Display panel floating stage device having vacuum synchronization line |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000024925A (en) * | 1998-07-10 | 2000-01-25 | Dainippon Printing Co Ltd | Sand blasting device |
JP2006021104A (en) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Seiko Epson Corp | Apparatus for discharging liquid droplet |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3175058B2 (en) * | 1991-10-16 | 2001-06-11 | 株式会社ニコン | Substrate positioning device and substrate positioning method |
JP3139377B2 (en) * | 1995-12-27 | 2001-02-26 | 東レ株式会社 | Coating device and coating method, and color filter manufacturing device and manufacturing method |
-
2006
- 2006-05-26 JP JP2006147134A patent/JP4995488B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-25 KR KR1020070050812A patent/KR101377766B1/en not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4995488B2 (en) | 2012-08-08 |
JP2007313453A (en) | 2007-12-06 |
KR20070114034A (en) | 2007-11-29 |
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A201 | Request for examination | ||
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |