KR101164418B1 - Substrate Dicing Method by Nonlinear Focal Shift using Femtosecond Pulse Lasers - Google Patents
Substrate Dicing Method by Nonlinear Focal Shift using Femtosecond Pulse Lasers Download PDFInfo
- Publication number
- KR101164418B1 KR101164418B1 KR1020100057009A KR20100057009A KR101164418B1 KR 101164418 B1 KR101164418 B1 KR 101164418B1 KR 1020100057009 A KR1020100057009 A KR 1020100057009A KR 20100057009 A KR20100057009 A KR 20100057009A KR 101164418 B1 KR101164418 B1 KR 101164418B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- laser
- femtosecond
- modified region
- plasma
- workpiece
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26F—PERFORATING; PUNCHING; CUTTING-OUT; STAMPING-OUT; SEVERING BY MEANS OTHER THAN CUTTING
- B26F3/00—Severing by means other than cutting; Apparatus therefor
- B26F3/06—Severing by using heat
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
- B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Forests & Forestry (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
본 발명은 토초 펄스 레이저의 비선형 초점이동을 통한 절단방법에 관한 것으로, 펨토초 펄스 레이저를 이용한 절단방법에 있어서, 펨토초 펄스 레이저를 가공물에 조사하여 다중광자이온화(Multi-Photon Ionization)를 기반으로 플라즈마 디포커싱(Plasma Defocusing)에 의해 개질영역을 형성시키고, 여기서 형성된 상기 개질영역과 플라즈마 디포커싱 현상에 의한 레이저의 공간적 집속을 방해시켜 상기 펨토초 펄스 레이저의 초점을 가공물 깊이 방향으로 이동시키면서 개질영역을 길어지게 형성하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 구성되는 본 발명은 비선형 초점이동을 통해 기존 필라멘트 기반에서는 가공이 불가능한 얇은 투명재료에 효율적인 절단 및 가공이 가능한 이점이 있다.The present invention relates to a method of cutting through nonlinear focusing of a tocho pulse laser. In a method of cutting using a femtosecond pulse laser, a plasma femtosecond laser is irradiated to a workpiece to produce plasma de-ionized based on multi-photon ionization. The modified region is formed by plasma defocusing, and the modified region and the modified region are disturbed by spatial defocusing of the laser due to the plasma defocusing phenomenon so that the modified region is lengthened while moving the focal point of the femtosecond pulse laser in the direction of the workpiece depth. It is characterized by forming. The present invention configured as described above has the advantage that the efficient cutting and processing to a thin transparent material that can not be processed on the basis of the existing filament through non-linear focal movement.
Description
본 발명은 펨토초 펄스 레이저의 비선형 초점이동을 통한 절단방법에 관한 것으로, 펨토초 펄스 레이저의 초점 이동을 통해 가공물의 깊이 방향에 대해 개질영역을 형성함으로써 가공하는 펨토초 펄스 레이저의 비선형 초점 이동을 통한 절단방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for cutting through a nonlinear focus movement of a femtosecond pulse laser, and a method for cutting through a nonlinear focus movement of a femtosecond pulse laser processed by forming a modified region in the depth direction of a workpiece through the focal movement of the femtosecond pulse laser. It is about.
글라스, 실리콘, 세라믹 등의 취성기판을 절단하여 분리시키는 데 사용되는 방법으로는, 스크라이빙(Scribing), 블레이드 다이싱(Blade Dicing), 레이저 절단, 스텔스 다이싱(Stealth Dicing) 및 TLS(Thermal Laser Seperation) 등의 절단 방법이 사용되고 있다. 이 중, 스크라이빙과 블레이드 다이싱 방법은 기계적인 절단 방법이고, 스텔스 다이싱과 TLS 방법은 레이저를 이용한 비접촉식 절단 방법이다.Methods used to cut and separate brittle substrates such as glass, silicon, ceramics, etc. include scribing, blade dicing, laser cutting, stealth dicing and thermal Laser Seperation) is used. Among them, the scribing and blade dicing methods are mechanical cutting methods, and the stealth dicing and TLS methods are non-contact cutting methods using lasers.
기존 기계적 절단 방법은, 가공 시 다량의 칩을 형성하며 잔류응력 등을 가공물에 남기게 되므로, 100 um 이하의 박막에서는 심각한 파손과 찢어짐을 유발시킨다.Existing mechanical cutting methods form a large amount of chips during processing and leave residual stresses on the workpiece, which causes severe breakage and tearing in thin films of 100 um or less.
기존 레이저 기반 가공은 열전달을 기반으로 하는 가공공정으로, 이로 인한 Thermal Load가 커 열영항지대(HAZ: Heat Affected Zone)를 형성하므로, 가공물에 금이 가거나 강도를 떨어뜨리는 등의 한계점을 가지며, 가공물의 흡수도에 따라 가공 정도가 달라져 다양한 재료로 이루어진 다층구조를 절단하는데 어려움이 있다.Conventional laser-based machining is a process based on heat transfer, which results in a large thermal load resulting in the formation of a heat-affected zone (HAZ), which has limitations such as cracking or deterioration of the workpiece. Depending on the degree of absorption, the degree of processing is different, there is a difficulty in cutting a multi-layer structure made of a variety of materials.
스텔스 다이싱 방법과 TLS 방법은, 기판을 표면에서 직접 제거하지 않고, 기판 내부에 변형층을 형성하거나 인장 잔류응력을 발생시켜 기판을 절단하므로 절단 과정에서 파편 혹은 입자의 발생을 줄일 수 있다. 하지만 이 역시 열적 공정을 기반으로 하여 열영향지대가 형성되며, 잔류응력 등이 그대로 남아 기판의 특성을 변화시킨다. 또한 TLS의 경우 열을 냉각시키는 냉각제의 별도 클리닝이 요구되는 제한점을 가진다.The stealth dicing method and the TLS method cut the substrate by directly forming a strained layer or generating tensile residual stress in the substrate without directly removing the substrate from the surface, thereby reducing generation of debris or particles during the cutting process. However, this also forms a thermal zone based on the thermal process, and the residual stress is left as it is to change the characteristics of the substrate. In addition, TLS has a limitation in that separate cleaning of the coolant to cool the heat is required.
레이저를 통해 피가공물을 열적으로 여기시킴으로써, 물질의 상을 변화시켜 가공을 수행한다. 이에 반해, 극초단 펄스 레이저(펄스 폭 10 ps 이하)는 극초단 펄스의 높은 첨두출력을 이용하여 피가공물을 플라즈마 상태로 직접 변화시켜 제거하거나 물질의 상태를 변화시키는 것을 기반으로 한다. 또한, 좁은 펄스 폭으로 인해 주변 물질로 열이 전도되기 전에 모든 가공이 수행되므로, 가공 주변 부에 영향을 주지 않는 깨끗하고 정밀한 가공이 가능하다.By thermally exciting the workpiece through the laser, the processing is performed by changing the phase of the material. In contrast, ultrashort pulse lasers (pulse widths less than 10 ps) are based on the high peak power of the ultrashort pulses to directly remove or remove the workpiece into the plasma state or change the state of the material. In addition, because of the narrow pulse width, all processing is performed before heat is conducted to the surrounding material, thereby enabling clean and precise processing without affecting the processing peripheral portion.
극초단 펄스 레이저의 가공에 있어서의 장점은 기존 레이저 가공에서 요구되는 피가공물의 비결정적 결함전자(Defect Electron)에 의존하지 않고, 비선형 광흡수에 의해 가공이 시작 및 진행된다는 점이다. 따라서 가공물에 의존하지 않는 결정적 공정(Deterministic)으로 가공의 제어가 매우 용이하다. 극초단 펄스 앞단의 수십 펨토초에 해당하는 시간 동안 비선형 이온화를 통해 시드 전자(Seed Electron)군이 충분히 생성되고, 이를 통해 가공이 시작 및 진행된다. 따라서 가공 부위의 선택성과 공정의 반복성을 크게 높일 수 있으므로, 실제 응용 분야에 적용에 있어서 매우 유리하다.An advantage of the ultrashort pulse laser processing is that the processing starts and proceeds by nonlinear light absorption, without depending on the non-defective defect electrons of the workpiece required in the conventional laser processing. Therefore, the control of the machining is very easy with a deterministic process that does not depend on the workpiece. Seed electron groups are sufficiently generated through nonlinear ionization for tens of femtoseconds in front of the ultra-short pulse, and processing starts and progresses. Therefore, the selectivity of the processing site and the repeatability of the process can be greatly increased, which is very advantageous in application to practical applications.
극초단 펄스 레이저가 투명재료 가공에 있어서 가지는 장점은, 비선형 광흡수 현상에 의해 초점 부근의 부피에만 가공 및 변화를 집중시킬 수 있고, 가공 정밀도를 높일 수 있으며, 주변 영역에 응력변화를 최소화 할 수 있다.The advantage of ultra-short pulse laser in the processing of transparent materials is that it can concentrate processing and change only on the volume near the focus by nonlinear light absorption phenomenon, improve processing accuracy and minimize stress change in the surrounding area. have.
비선형 광흡수 현상은 피가공 물질의 물성에 의존하지 않으므로 다양한 피가공물의 가공이 가능하며, 특히 서로 다른 다양한 물질들의 조합 및 층으로 구성된 가공물을 단일 레이저로 용이하게 가공할 수 있다. Non-linear light absorption phenomenon does not depend on the physical properties of the workpiece, it is possible to process a variety of workpieces, in particular a workpiece consisting of a combination of different materials and layers can be easily processed with a single laser.
펨토초 레이저 마이크로 가공 원리는 극초단 레이저 기반 광학 브레이크다운(Optical Breakdown)을 기반으로 하는데, 광 에너지가 물질에 전파되고, 이는 다수의 전자를 이온화 시킨다.The femtosecond laser micromachining principle is based on an ultra-short laser-based optical breakdown, in which light energy propagates through the material, which ionizes a large number of electrons.
일본 선행 발명에서는 펨토초 레이저의 투명재료 내 필라멘트(Filamentation) 형성 기반의 절단방법을 제안하였다. 이러한 필라멘트 가공의 경우, 100 um 이하의 얕은 초점영역에서 개질 및 플라즈마 형성 영역이 생성되지 못하며, 비선형 초점 이동에 의한 수백 um 이상의 긴 개질영역이 형성되게 된다. 개질영역을 형성하는 과정에서 펨토초 펄스의 에너지가 긴 영역에 분포되므로, 개질을 위해서는 높은 수준의 에너지가 소모되어, 유리 가공의 경우 노출시간이 0.25 분~25분 수준으로 상당히 느린 가공이 수행되게 되며, 또한 느린 렌즈에 의해 자체 집속현상이 약하게 유도되기 때문에 수백 um 깊이에서 필라멘트가 생성되기 시작하고, 그 길이는 수백 um 이상 수준에 해당한다. 이로 인해 100 um 내외의 얇은 두께를 가지는 LED용 사파이어 웨이퍼 및 반도체 웨이퍼 등의 얇은 투명재료의 가공 및 절단에 있어서는 상당히 불리한 특성을 가지는 것으로 보고되고 있다.In the prior art of Japan, a cutting method based on filament formation in a transparent material of a femtosecond laser was proposed. In the case of the filament processing, the modified and plasma forming regions are not generated in the shallow focus region of 100 um or less, and the long modified region of several hundred um or more due to the nonlinear focus shift is formed. Since the energy of the femtosecond pulse is distributed in the long region in the process of forming the reformed region, a high level of energy is consumed for the reforming, and in the case of glass processing, the processing time is considerably slow with the exposure time of 0.25 to 25 minutes. In addition, due to the slow induction of self-focusing by the slow lens, filaments begin to be produced at depths of several hundred um, and their lengths are over hundreds of um. For this reason, it has been reported to have considerably disadvantageous properties in the processing and cutting of thin transparent materials such as LED sapphire wafers and semiconductor wafers having a thin thickness of about 100 μm.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 극초단 펄스 레이저의 비선형 광학 현상을 응용하여, 비선형 초점 이동 및 개질/플라즈마 형성영역의 생성을 통해 얇은 투명재료 기판의 효과적인 절단 및 가공방법을 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.
The present invention for solving the above problems is to provide a non-linear optical phenomenon of the ultra-short pulse laser, to provide an effective cutting and processing method of a thin transparent material substrate through the generation of nonlinear focus shift and modification / plasma forming region The purpose is.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 펨토초 펄스 레이저를 이용한 절단방법에 있어서, 펨토초 펄스 레이저를 가공물에 조사하여 다중광자이온화(Multi-Photon Ionization)를 기반으로 플라즈마 디포커싱(Plasma Defocusing)에 의해 개질영역을 형성시키고, 여기서 형성된 상기 개질영역과 플라즈마 디포커싱 현상에 의한 레이저의 공간적 집속을 방해시켜 상기 펨토초 펄스 레이저의 초점을 가공물 깊이 방향으로 이동시키면서 개질영역을 길어지게 형성하는 것을 특징으로 한다.In the present invention for achieving the above object, in the cutting method using a femtosecond pulsed laser, the femtosecond pulsed laser is irradiated to the workpiece to the plasma defocusing (Plasma Defocusing) based on the multi-photon ionization (Multi-Photon Ionization) The modified region is formed, and the modified region is formed and the modified region is lengthened while the focal point of the femtosecond pulse laser is moved in the direction of the workpiece depth by disturbing the spatial focusing of the laser due to the plasma defocusing phenomenon. .
또한, 상기 펨토초 펄스 레이저는, 배율 20배 이상, 개구수(NA : Numerical Aperture)가 0.5 이상의 집광렌즈를 사용하여 가공물에 조사함으로써, 다중광자이온화에 따른 플라즈마 디포커싱을 유발시켜 가공물을 가공하는 것을 특징으로 한다.In addition, the femtosecond pulse laser is irradiated to the workpiece using a condenser lens having a magnification of 20 times or more and a numerical aperture (NA: Numerical Aperture) of 0.5 or more, thereby causing processing of the workpiece by causing plasma defocusing due to multiphoton ionization. It features.
또한, 상기 펨토초 펄스 레이저는, 펄스 당 에너지를 증가시키면서 비선형 초점이동을 통해 가공물의 깊이 방향으로 개질영역을 형성시키는 것을 특징으로 한다.In addition, the femtosecond pulse laser is characterized in that to form a modified region in the depth direction of the workpiece through non-linear focus movement while increasing the energy per pulse.
또한, 상기 개질영역 형성 후에는 투명재료 또는 기판을 기계적, 열적 응력, 초음파 진동 중 어느 하나의 방법을 통해 기판을 절단하는 것을 특징으로 한다.In addition, after the modified region is formed, the substrate may be cut by any one of a transparent material or a substrate by mechanical, thermal stress, or ultrasonic vibration.
또한, 상기 펨토초 펄스 레이저는, 펄스 폭 10 ps 이하를 포함하는 레이저에 해당하는 것을 특징으로 한다.In addition, the femtosecond pulse laser is characterized by corresponding to a laser including a pulse width of 10 ps or less.
또한, 상기 개질영역과 플라즈마 디포커싱 영역은, 상기 펨토초 레이저 펄스의 펄스폭, 펄스당 에너지, 집광렌즈의 수치구경 및 초점거리의 조정을 통해 제어하는 것을 특징으로 한다.The modified region and the plasma defocusing region may be controlled by adjusting a pulse width of the femtosecond laser pulse, energy per pulse, a numerical diameter of a condenser lens, and a focal length.
또한, 상기 펨토초 펄스 레이저는, 펄스 당 에너지가 가공물에 개질영역 형성을 위한 문턱 에너지 0.1 uJ 이상이 되도록 에너지 값을 가지는 것을 특징으로 한다.
In addition, the femtosecond pulse laser is characterized in that the energy per pulse has an energy value such that the threshold energy for forming a modified region in the workpiece is 0.1 uJ or more.
이와 같이 구성되는 본 발명은 극초단 펨토초 레이저 응용 비선형 초점이동 및 개질/플라즈마 영역을 형성하여, 투명재료의 절단 및 가공 효율을 크게 향상시키는 효과가 있다.The present invention configured as described above has the effect of forming a non-linear focal shift and modified / plasma region for an ultra-short femtosecond laser application, thereby greatly improving cutting and processing efficiency of the transparent material.
또한, 극초단 펨토초 레이저와 렌즈를 이용한 얇은 영역에서의 초점형성을 기반으로, 기존 필라멘트 기반에서는 가공이 불가능한, 얇은 투명재료의 효율적인 절단 및 가공을 가능하게 하고, 가공재료에 광원이 비스듬히 입사하도록 하여 얇은 두께의 시편을 가공할 시에는 한 번에 가공되는 깊이를 증가 시킬 수 있다.
In addition, based on the focal formation in a thin area using an ultra-short femtosecond laser and a lens, it enables efficient cutting and processing of thin transparent materials, which cannot be processed on a conventional filament base, and allows the light source to be inclined at the processing material at an angle. When machining thin specimens, it is possible to increase the depth to be processed at one time.
도 1은 본 발명에 따라 비선형 광학현상을 이용한 투명재료 내부의 비선형 초점이동 및 개질/플라즈마 영역 형성 시스템을 개략적으로 나타낸 도면,
도 2는 본 발명에 따른 펨토초 펄스 레이저의 비선형 초점이동을 통한 절단방법의 투명재료 내에서의 비선형 광학현상을 나타낸 도면,
도 3은 본 발명에 따른 펨토초 펄스 레이저의 비선형 초점이동을 통한 절단방법에 있어 비선형 초점이동의 형성 원리를 나타낸 도면,
도 4는 펨토초 펄스 레이저의 에너지에 따른 비선형 초점이동 및 개질/플라즈마 생성 영역의 형성 원리를 도시한 도면,
도 5는 본 발명에 따른 다른 실시예로 극초단 펨토초 펄스 레이저를 비스듬히 입사시킴으로써 비선형 초점이동 및 개질/플라즈마 영역 생성에 의한 가공면이 가공재료에 비스듬히 길게 형성되어 한 번에 가공되는 깊이를 증가시키는 상태를 도시한 도면.1 is a schematic view showing a system for forming nonlinear focusing and reforming / plasma regions within a transparent material using nonlinear optical phenomena according to the present invention;
2 is a view illustrating nonlinear optical phenomena in a transparent material of a cutting method through nonlinear focusing of a femtosecond pulse laser according to the present invention;
3 is a view illustrating a principle of formation of nonlinear focus shift in a cutting method through nonlinear focus shift of a femtosecond pulse laser according to the present invention;
4 is a view illustrating a principle of forming a non-linear focusing and reforming / plasma generation region according to energy of a femtosecond pulse laser;
5 is another embodiment according to the present invention by inclining an ultra-short femtosecond pulsed laser at an angle to increase the depth at which the processing surface formed by nonlinear focal shift and modification / plasma region generation is formed obliquely long on the processing material to be processed at once. Figure showing the state.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 펨토초 펄스 레이저의 비선형 초점이동을 통한 절단방법의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the cutting method through the non-linear focus movement of the femtosecond pulse laser according to the present invention.
본 발명에 따른 펨토초 펄스 레이저의 비선형 초점이동을 통한 절단방법은, 펨토초 펄스 레이저를 이용한 절단방법에 있어서, 펨토초 펄스 레이저를 가공물에 조사하여 다중광자이온화(Multi-Photon Ionization)를 기반으로 플라즈마 디포커싱(Plasma Defocusing)에 의해 개질영역을 형성시키고, 여기서 형성된 상기 개질영역과 플라즈마 디포커싱 현상에 의한 레이저의 공간적 집속을 방해시켜 상기 펨토초 펄스 레이저의 초점을 가공물 깊이 방향으로 이동시키면서 개질영역을 길어지게 형성하는 것을 특징으로 한다.Cutting method using a non-linear focal shift of the femtosecond pulse laser according to the present invention, in the cutting method using a femtosecond pulse laser, plasma defocusing based on multi-photon ionization by irradiating the femtosecond pulse laser to the workpiece (Plasma Defocusing) to form a reformed region, the modified region formed here and the spatial focusing of the laser due to the plasma defocusing phenomenon to interfere with the focus of the femtosecond pulsed laser to form a longer modified region while moving the workpiece depth direction Characterized in that.
본 발명에 따른 비선형 초점이동을 통한 절단방법은, 가공물에 조사되는 펨토초 펄스 레이저가 다중광자이온화를 기반으로 플라즈마 디포커싱에 의해 소정의 개질영역을 형성시킨 후 플라즈마 디포커싱에 의해 레이저의 초점을 가공물 깊이 방향으로 이동시키면서 이동방향에 따른 개질영역을 형성시킴으로써 가공물을 절단(가공)하는 것을 특징으로 한다.In the non-linear focusing cutting method according to the present invention, a femtosecond pulsed laser irradiated to a workpiece forms a predetermined modified region by plasma defocusing based on multiphoton ionization, and then focuses the workpiece by plasma defocusing. The workpiece is cut (processed) by forming a reformed region according to the moving direction while moving in the depth direction.
도 1은 본 발명에 따라 비선형 광학현상을 이용한 투명재료 내부의 비선형 초점이동 및 개질/플라즈마 영역 형성 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도시된 바와 같이 비선형 초점이동을 통한 절단방법을 구현하기 위한 시스템으로는 펨토초 레이저 소스(100)와, 상기 레이저 소스에서 출사되는 레이저를 반사시키는 미러(110), 상기 미러에서 반사되는 광을 집광시키는 집광렌즈(120)를 포함하여 구성된다. 여기서 상기 펨토초 레이저 출사 시스템은, 도 1에서 개략적으로 도시된 바와 같이 펨토초 레이저 소스에서 출력되는 펨토초 레이저 광을 타켓에 조사하기 위해 미러와 집광렌즈만을 도시하였지만, 레이저 전달 매체는 당업자라면 다양하게 구성할 수 있는 것으로, 여기서 한정되는 것은 아니다.FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a system for forming nonlinear focusing and reforming / plasma regions within a transparent material using nonlinear optical phenomena according to the present invention. As shown in the drawing, a system for implementing a cutting method through non-linear focusing includes a
상기 시스템에 있어, 상기 집광렌즈(120)는 본 발명의 주요 인자로써, 개구수(NA: Numerical Aperture)가 0.5 수준의 빠른 집광렌즈를 이용하여 레이저를 집광함으로써 가공물(기판, 투명재료)에 조사한다. 또한, 상기 집광렌즈는 배율을 20배 이상을 가지는 것이 바람직하다.In the system, the
도 2는 본 발명에 따른 펨토초 펄스 레이저의 비선형 초점이동을 통한 절단방법의 투명재료 내에서의 비선형 광학현상을 나타낸 도면이다. 100은 투명재료 내 펄스 에너지 분포에 의한 비선형 굴절율 변화를 나타내며, 101은 펄스분포, 102는 비선형 굴절률 변화에 의한 플라즈마 디포커싱을 나타낸다.FIG. 2 is a view showing nonlinear optical phenomena in a transparent material of a cutting method through nonlinear focusing of a femtosecond pulse laser according to the present invention. 100 represents the nonlinear refractive index change due to the pulse energy distribution in the transparent material, 101 represents the pulse distribution, and 102 represents plasma defocusing due to the nonlinear refractive index change.
상기 집광렌즈를 통해 조사된 펨토초 레이저에 의해 투명재료가 다중광자흡수를 통해 이온화되어 플라즈마 상태로 변화하게 되면, 이 레이저 빔이 공간적으로 퍼지는 플라즈마 디포커싱을 유발하게 된다. 이를 상세히 설명하면, 투명재료 내부의 3 ~ 30 ㎛ 내외의 얕은 깊이에 집광을 하게 되면, 초점까지 도달하는 과정에서 높은 펄스 당 에너지에 의해 개질영역이 생성되기 시작하고 전파가 계속 진행되면서 펄스 에너지가 임계값을 넘어서면 플라즈마 디포커싱 현상이 발생한다. 이러한 개질영역과 플라즈마 디포커싱은 레이저의 집속을 방해하는 효과를 유발한다. 첫 번째 초점영역에서 개질영역이 형성되고 플라즈마 디포커싱 현상이 발생 후 펄스 당 에너지가 증가할수록 이러한 개질영역 및 플라즈마 디포커싱에 의한 레이저의 공간적 집속의 방해에 의해 초점거리가 점점 깊어지는 비선형 초점이동 현상이 일어나게 된다. 또한 펄스 당 에너지가 증가할수록 개질영역 및 플라즈마 디포커싱 현상이 시작되는 영역은 점점 얕아지게 된다. 따라서, 펄스 당 에너지가 증가할수록 개질영역 및 플라즈마 생성 영역이 점점 길어지게 되고, 투명재료 내의 비선형 초점이동(깊은 방향)과 개질 및 플라즈마 생성(얕은 방향)은 수십~ 백 um 내외의 길이영역으로 확장되는 것이다.When the transparent material is ionized through the multiphoton absorption by the femtosecond laser irradiated through the condensing lens to change into a plasma state, the laser beam causes spatially spread plasma defocusing. In detail, when the light is focused at a shallow depth of about 3 to 30 μm inside the transparent material, a modified region is generated by high energy per pulse in the process of reaching the focal point and the pulse energy is continuously propagated while propagation continues. Beyond the threshold, plasma defocusing occurs. Such modified region and plasma defocusing cause an effect that disturbs the focusing of the laser. As the reformed region is formed in the first focal region and the plasma defocusing phenomenon occurs, as the energy per pulse increases, the nonlinear focal shift phenomenon in which the focal length becomes deeper due to the disturbance of the spatial focusing of the laser by the reformed region and plasma defocusing occurs. Get up. Also, as the energy per pulse increases, the region where the reforming region and the plasma defocusing phenomenon starts becomes shallower. Therefore, as the energy per pulse increases, the reformed region and the plasma generating region become longer, and the nonlinear focus movement (deep direction) and the modification and plasma generation (shallow direction) in the transparent material extend to the length region of about tens to hundred um. Will be.
도 3은 본 발명에 따른 펨토초 펄스 레이저의 비선형 초점이동을 통한 절단방법에 있어 비선형 초점이동의 형성 원리를 나타낸 도면이다. 이를 참조하면 집광렌즈를 통해 출사된 광이 투명재료 내 비선형 굴절률 변화에 의한 플라즈마 디포커싱(201)으로 오목렌즈 효과에 의해 집광된다. 여기서 형성된 소정의 개질영역과 플라즈마 상태는 상기 레이저 초점의 집속을 방해하고 레이저의 공간적 집속의 방해로 인하여 초점거리가 점점 깊어지게 된다. 따라서 오목렌즈 효과가 연속적으로 진행되고 이에 따라 깊이방향으로 개질영역이 길게 형성되는 것이다.3 is a view illustrating a principle of forming a nonlinear focus shift in a cutting method through a nonlinear focus shift of a femtosecond pulse laser according to the present invention. Referring to this, the light emitted through the condenser lens is condensed by the concave lens effect to the plasma defocusing 201 due to the nonlinear refractive index change in the transparent material. The predetermined modified region and the plasma state formed here obstruct the focusing of the laser focus and the focal length becomes deeper due to the spatial focusing of the laser. Therefore, the concave lens effect proceeds continuously, thereby forming a modified region long in the depth direction.
극초단 펨토초 펄스를 얇은 깊이에서 집광하기 시작하므로, 수 ~ 수십 um 내외에서 개질 및 플라즈마 생성영역이 시작되며, 이후 비선형 초점이동의 깊이 방향으로의 이동에 의해 국소영역에서 강한 개질 및 제거 영역이 생성된다. 비선형 초점 이동 시 펄스 당 에너지가 높을수록 긴 개질영역이 형성되게 되고, 비선형 초점이동에 있어서 필요한 문턱 에너지는 약 0.1 uJ 내외이다. 이는 투명재료의 가공 및 절단에 있어 100 um 내외의 얇은 두께를 가지는 재료의 절단 및 가공을 가능하게 하며, 펄스 에너지 및 집광조건을 이용하여 재료의 깊이에 맞게 제거영역을 최적화함으로써 절단 및 가공의 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.Since ultra-short femtosecond pulses begin to be condensed at thin depths, reforming and plasma generation regions begin around a few to several tens of um, and then strong reformation and removal regions are generated in the local region by movement in the depth direction of nonlinear focusing. do. In the nonlinear focus shift, the higher the energy per pulse, the longer the reformed region is formed, and the threshold energy required for the nonlinear focus shift is about 0.1 uJ. This enables the cutting and processing of materials with a thin thickness of about 100 μm in the processing and cutting of transparent materials, and the productivity of cutting and processing by optimizing the removal area according to the depth of the material by using pulse energy and condensing conditions. Can greatly improve.
따라서, 본 발명에서는 강한 비선형 광학현상을 이용하여 비선형 초점 이동을 통한 개질영역과 플라즈마 영역을 생성시키고, 특히, 투명재료 내에서 다중광자이온화와 플라즈마 디포커싱을 통해 비선형 초점 이동으로 개질영역을 깊이방향으로 형성시킴으로써 가공성을 향상시킬 수 있다.Therefore, in the present invention, the modified region and the plasma region are generated by using the strong nonlinear optical phenomenon, and in particular, the modified region is moved by the nonlinear focus movement through the multiphoton ionization and the plasma defocusing in the transparent material. Formation can improve the workability.
도 4는 펨토초 펄스 레이저의 에너지에 따른 비선형 초점이동 및 개질/플라즈마 생성 영역의 형성 원리를 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이 비선형 초점 이동을 통해 긴 개질영역을 가공물의 두께에 따라 다양하게 형성시킬 수 있다. 펄스 에너지를 증가시킬수록 긴 개질영역을 형성시켜 가공물 조건(ex. 가공물의 두께)에 따라 선택적인 가공이 가능하다. 4 is a view illustrating a principle of forming a nonlinear focal shift and modified / plasma generating region according to energy of a femtosecond pulse laser. As shown in the drawing, the long modified region may be variously formed according to the thickness of the workpiece through nonlinear focusing. As the pulse energy is increased, a long modified region is formed to allow selective processing according to the workpiece conditions (ex. Thickness of the workpiece).
도 5는 본 발명에 따른 다른 실시예로 극초단 펨토초 펄스 레이저를 비스듬히 입사시킴으로써 비선형 초점이동 및 개질/플라즈마 영역 생성에 의한 가공면이 가공재료에 비스듬히 길게 형성되어 한 번에 가공되는 깊이를 증가시키는 상태를 도시한 도면이다. 펨토초 레이저를 가공물에 대해 비스듬히 조사하면 비스듬한 방향으로 개질영역을 형성시킬 수 있다.5 is another embodiment according to the present invention by inclining an ultra-short femtosecond pulsed laser at an angle to increase the depth at which the processing surface formed by nonlinear focal shift and modification / plasma region generation is formed obliquely long on the processing material to be processed at once. It is a figure which shows the state. When the femtosecond laser is irradiated obliquely to the workpiece, the modified region can be formed in the oblique direction.
한편, 본 발명에서는 펨토초 펄스 폭, 펄스당 에너지, 집광렌즈의 수치구경 및 초점거리의 조정을 통해 개질영역의 깊이나 길이와 같은 가공 조건을 제어할 수 있는 것이다.Meanwhile, in the present invention, the processing conditions such as the depth and the length of the modified region can be controlled by adjusting the femtosecond pulse width, the energy per pulse, the numerical aperture and the focal length of the condenser lens.
또한, 본 발명에서는 ps(피코초) 이하의 레이저 펄스폭을 포함하여 구성할 수 있는데, 펨토초 영역을 포함하는 피코초 이하의 레이저 펄스와 1010 이상의 광세기를 가지는 영역에서는 다중광자이온화와 플라즈마 디포커싱 메커니즘으로 가공물을 가공한다.In addition, the present invention can be configured to include a laser pulse width of less than ps (picoseconds), multi-photon ionization and plasma de-in the region having a laser pulse of less than picoseconds including a femtosecond region and light intensity of 10 10 or more Machine the workpiece with the focusing mechanism.
따라서, 본 발명에 따르면, 펨토초 레이저의 비선형 초점이동 및 개질/플라즈마 영역을 형성하여 투명 재료의 절단 및 가공 효율을 향상시킬 수 있고, 기존의 필라멘트 기반에서 가공이 불가능한 얇은 투명재료의 효율적인 절단 및 가공이 가능한 이점이 있다.Therefore, according to the present invention, it is possible to improve the cutting and processing efficiency of the transparent material by forming the nonlinear focusing and modification / plasma region of the femtosecond laser, and the efficient cutting and processing of thin transparent material that cannot be processed on the existing filament base. This has a possible advantage.
이상, 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. 오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. On the contrary, those skilled in the art will appreciate that many modifications and variations of the present invention are possible without departing from the spirit and scope of the appended claims. And all such modifications and changes as fall within the scope of the present invention are therefore to be regarded as being within the scope of the present invention.
100 : 펨토초 레이저 소스
110 : 미러
120 : 집광렌즈
200 : 가공물
201 : 레이저 초점
202 : 개질 및 플라즈마 영역100: femtosecond laser source
110 mirror
120 condensing lens
200: workpiece
201: Laser Focus
202: Modified and Plasma Region
Claims (7)
펨토초 펄스 레이저를 가공물에 조사하여 다중광자이온화(Multi-Photon Ionization)를 기반으로 플라즈마 디포커싱(Plasma Defocusing)에 의해 개질영역을 형성시키고, 여기서 형성된 상기 개질영역과 플라즈마 디포커싱 현상에 의한 레이저의 공간적 집속을 방해시켜 상기 펨토초 펄스 레이저의 초점을 가공물 깊이 방향으로 이동시키면서 개질영역을 길어지게 형성하며,
상기 펨토초 펄스 레이저는 펄스 당 에너지를 증가시키면서 비선형 초점이동을 통해 가공물의 깊이 방향으로 개질영역을 형성시키고,
상기 개질영역과 플라즈마 디포커싱 영역은 상기 펨토초 레이저 펄스의 펄스폭, 펄스당 에너지, 집광렌즈의 수치구경 및 초점거리의 조정을 통해 제어하는 것을 특징으로 하는 펨토초 펄스 레이저의 비선형 초점이동을 통한 절단방법.In the cutting method using a femtosecond pulse laser,
A femtosecond pulsed laser is irradiated onto the workpiece to form a modified region by plasma defocusing based on multi-photon ionization, and the modified region formed here and the spatial space of the laser due to plasma defocusing phenomenon. Interfere with the focusing to form a modified region long while moving the focal point of the femtosecond pulse laser in the direction of the workpiece depth,
The femtosecond pulsed laser forms a modified region in the depth direction of the workpiece through nonlinear focus movement while increasing energy per pulse.
The modified region and the plasma defocusing region are controlled by adjusting the pulse width of the femtosecond laser pulse, the energy per pulse, the numerical aperture of the condenser lens, and the focal length. .
상기 개질영역 형성 후에는 투명재료 또는 기판을 기계적, 열적 응력, 초음파 진동 중 어느 하나의 방법을 통해 기판을 절단하는 것을 특징으로 하는 펨토초 펄스 레이저의 비선형 초점이동을 통한 절단방법.The method of claim 1,
After the modified region is formed, a method of cutting through a non-linear focal movement of a femtosecond pulsed laser, characterized in that the substrate is cut through any one of mechanical, thermal stress, and ultrasonic vibration of the transparent material or the substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100057009A KR101164418B1 (en) | 2010-06-16 | 2010-06-16 | Substrate Dicing Method by Nonlinear Focal Shift using Femtosecond Pulse Lasers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100057009A KR101164418B1 (en) | 2010-06-16 | 2010-06-16 | Substrate Dicing Method by Nonlinear Focal Shift using Femtosecond Pulse Lasers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110137032A KR20110137032A (en) | 2011-12-22 |
KR101164418B1 true KR101164418B1 (en) | 2012-07-12 |
Family
ID=45503462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100057009A KR101164418B1 (en) | 2010-06-16 | 2010-06-16 | Substrate Dicing Method by Nonlinear Focal Shift using Femtosecond Pulse Lasers |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101164418B1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140109306A (en) * | 2013-03-01 | 2014-09-15 | 가부시기가이샤 디스코 | Wafer machining method |
KR20140109331A (en) * | 2013-03-05 | 2014-09-15 | 가부시기가이샤 디스코 | Wafer machining method |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101369854B1 (en) * | 2012-03-02 | 2014-03-06 | 마이크로 인스펙션 주식회사 | Exposure apparatus for laser direct imaging |
US20150166393A1 (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-18 | Corning Incorporated | Laser cutting of ion-exchangeable glass substrates |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009057558A1 (en) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
JP2009166103A (en) | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Laser System:Kk | Laser cutting method and laser beam machining apparatus |
-
2010
- 2010-06-16 KR KR1020100057009A patent/KR101164418B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009057558A1 (en) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
JP2009166103A (en) | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Laser System:Kk | Laser cutting method and laser beam machining apparatus |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140109306A (en) * | 2013-03-01 | 2014-09-15 | 가부시기가이샤 디스코 | Wafer machining method |
KR102096674B1 (en) | 2013-03-01 | 2020-04-02 | 가부시기가이샤 디스코 | Wafer machining method |
KR20140109331A (en) * | 2013-03-05 | 2014-09-15 | 가부시기가이샤 디스코 | Wafer machining method |
KR102096675B1 (en) | 2013-03-05 | 2020-04-02 | 가부시기가이샤 디스코 | Wafer machining method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110137032A (en) | 2011-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109641315B (en) | Multi-zone focusing lens and laser processing system for wafer dicing or cutting | |
US10074565B2 (en) | Method of laser processing for substrate cleaving or dicing through forming “spike-like” shaped damage structures | |
JP5449665B2 (en) | Laser processing method | |
JP5639997B2 (en) | Laser processing equipment | |
KR101181719B1 (en) | Substrate Dicing Method by Nano Void Array Formation using Femtosecond Pulse Lasers | |
JP2008078236A (en) | Laser machining method | |
JP5322418B2 (en) | Laser processing method and laser processing apparatus | |
JP2015519722A (en) | Laser scribing with high depth action in the workpiece | |
KR20080050547A (en) | Laser processing method and laser processing device | |
KR101181718B1 (en) | Efficient Substrate Dicing by Optimized Temporal Intensity Distribution of Ultrafast Femtosecond Pulses | |
JP2018523291A (en) | Method for scribing semiconductor workpiece | |
JP5117806B2 (en) | Laser processing method and laser processing apparatus | |
KR101232008B1 (en) | The depth of the modified cutting device through a combination of characteristics | |
KR101164418B1 (en) | Substrate Dicing Method by Nonlinear Focal Shift using Femtosecond Pulse Lasers | |
KR101202256B1 (en) | Ultrashort pulse laser and water cutting device and method using coagulation | |
JP6744624B2 (en) | Method and apparatus for cutting tubular brittle member | |
KR101207583B1 (en) | Laser processing method and apparatus using ultrasonic wave | |
KR101621936B1 (en) | Substrate cutting apparatus and method | |
JP2020021968A (en) | Method of scribing semiconductor workpiece | |
JP6787617B2 (en) | Method and device for dividing tubular brittle members | |
KR101210654B1 (en) | Laser processing apparatus and method using plasmon resonance | |
JP2017170505A (en) | Laser slice processing method | |
JP2024518987A (en) | Materials processing with turboburst ultrafast laser pulses | |
KR101361777B1 (en) | Laser processing method | |
JP2011177735A (en) | Laser beam drilling method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150629 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160627 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190718 Year of fee payment: 8 |