KR101080351B1 - Display device and driving method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는 발광 소자, 유지 축전기, 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 주사 신호에 따라 데이터 전압을 유지 축전기에 공급하는 제1 스위칭 트랜지스터, 전단 주사 신호에 따라 구동 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 제2 스위칭 트랜지스터, 그리고 발광 신호에 따라 구동 전압을 구동 트랜지스터에 공급하는 제3 스위칭 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소를 포함한다. 이때 유지 축전기는 다이오드 연결된 구동 트랜지스터를 통하여 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 발광 소자의 문턱 전압에 의존하는 제어 전압을 저장하고, 제어 전압 및 데이터 전압을 구동 트랜지스터의 제어 단자에 전달한다. 본 발명에 의하면 구동 트랜지스터와 유기 발광 소자의 문턱 전압이 변동되더라도 이를 보상하여 화질 열화를 방지할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device and a driving method thereof, the display device comprising: a light emitting element, a storage capacitor, a driving transistor for supplying a driving current to the light emitting element, and a first switching transistor for supplying a data voltage according to a scan signal. And a plurality of pixels each including a second switching transistor for diode-connecting the driving transistor according to a shear scan signal, and a third switching transistor for supplying a driving voltage to the driving transistor according to a light emitting signal. In this case, the storage capacitor stores a control voltage depending on the threshold voltage of the driving transistor and the threshold voltage of the light emitting device through the diode-connected driving transistor, and transfers the control voltage and the data voltage to the control terminal of the driving transistor. According to the present invention, even if the threshold voltages of the driving transistor and the organic light emitting diode are changed, the image quality can be prevented by compensating for this.
표시 장치, 유기 발광 소자, 박막 트랜지스터, 축전기, 문턱 전압, 열화Display Device, Organic Light Emitting Diode, Thin Film Transistor, Capacitor, Threshold Voltage, Deterioration
Description
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 블록도이다.1 is a block diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.2 is an equivalent circuit diagram of one pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소의 구동 트랜지스터와 유기 발광 소자의 단면을 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a driving transistor and an organic light emitting diode of one pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 유기 발광 소자의 개략도이다.4 is a schematic diagram of an organic light emitting diode of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 신호를 도시한 타이밍도의 예이다.5 is an example of a timing diagram illustrating driving signals of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 6a 내지 도 6d는 도 5에 도시한 각 구간에서의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.6A through 6D are equivalent circuit diagrams for one pixel in each section shown in FIG. 5.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.7 is an equivalent circuit diagram of one pixel of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 신호를 도시한 타이밍도의 예이다.8 is an example of a timing diagram illustrating driving signals of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention.
본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a driving method thereof.
최근 퍼스널 컴퓨터나 텔레비전 등의 경량화 및 박형화에 따라 표시 장치도 경량화 및 박형화가 요구되고 있으며, 이러한 요구에 따라 음극선관(cathode ray tube, CRT)이 평판 표시 장치로 대체되고 있다.In recent years, with the reduction in weight and thickness of personal computers and televisions, display devices are also required to be lighter and thinner, and cathode ray tubes (CRTs) are being replaced by flat panel displays.
이러한 평판 표시 장치에는 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 전계 방출 표시 장치(field emission display, FED), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display), 플라스마 표시 장치(plasma display panel, PDP) 등이 있다. Such flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs), field emission displays (FEDs), organic light emitting displays, plasma display panels (PDPs), and the like. There is this.
일반적으로 능동형 평판 표시 장치에서는 복수의 화소가 행렬 형태로 배열되며, 주어진 휘도 정보에 따라 각 화소의 광 강도를 제어함으로써 화상을 표시한다. 이 중 유기 발광 표시 장치는 형광성 유기 물질을 전기적으로 여기 발광시켜 화상을 표시하는 표시 장치로서, 자기 발광형이고 소비 전력이 작으며, 시야각이 넓고 화소의 응답 속도가 빠르므로 고화질의 동영상을 표시하기 용이하다.In general, in an active flat panel display, a plurality of pixels are arranged in a matrix form, and an image is displayed by controlling the light intensity of each pixel according to given luminance information. Among these, an organic light emitting display is a display device that displays an image by electrically exciting and emitting a fluorescent organic material. The organic light emitting display is a self-emission type, has a low power consumption, a wide viewing angle, and a fast response time of pixels. It is easy.
유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)와 이를 구동하는 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 구비한다. 이 박막 트랜지스터는 활성층(active layer)의 종류에 따라 다결정 규소(poly silicon) 박막 트랜지스터와 비정질 규소(amorphous silicon) 박막 트랜지스터 등으로 구분된다. 다결정 규소 박막 트랜지스터를 채용한 유기 발광 표시 장치는 여 러 가지 장점이 있어서 일반적으로 널리 사용되고 있으나 박막 트랜지스터의 제조 공정이 복잡하고 이에 따라 비용도 증가한다. 또한 이러한 유기 발광 표시 장치로는 대화면을 얻기가 어렵다.The organic light emitting diode display includes an organic light emitting diode (OLED) and a thin film transistor (TFT) driving the same. The thin film transistor is classified into a polysilicon thin film transistor and an amorphous silicon thin film transistor according to the type of the active layer. The organic light emitting diode display employing the polysilicon thin film transistor has various advantages and thus is widely used. However, the manufacturing process of the thin film transistor is complicated and the cost increases accordingly. In addition, it is difficult to obtain a large screen with such an organic light emitting display device.
한편 비정질 규소 박막 트랜지스터를 채용한 유기 발광 표시 장치는 대화면을 얻기 용이하고, 다결정 규소 박막 트랜지스터를 채용한 유기 발광 표시 장치보다 제조 공정 수효도 상대적으로 적다. 그러나 비정질 규소 박막 트랜지스터가 유기 발광 소자에 지속적으로 전류를 공급해 줌에 따라 비정질 규소 박막 트랜지스터 자체의 문턱 전압(Vth)이 천이되어 열화될 수 있다. 이것은 동일한 데이터 전압이 인가되더라도 불균일한 전류가 유기 발광 소자에 흐르게 하는데, 결국 이로 인하여 유기 발광 표시 장치의 화질 열화가 발생한다.On the other hand, an organic light emitting display device employing an amorphous silicon thin film transistor is easy to obtain a large screen, and the number of manufacturing processes is relatively smaller than that of an organic light emitting display device employing a polysilicon thin film transistor. However, as the amorphous silicon thin film transistor continuously supplies a current to the organic light emitting diode, the threshold voltage V th of the amorphous silicon thin film transistor itself may transition and deteriorate. This causes non-uniform current to flow through the organic light emitting element even when the same data voltage is applied, resulting in deterioration in image quality of the organic light emitting diode display.
한편 유기 발광 소자도 장시간 전류를 흘림에 따라 그 문턱 전압이 천이된다. n형 박막 트랜지스터의 경우 유기 발광 소자는 박막 트랜지스터의 소스 쪽에 위치하므로 유기 발광 소자의 문턱 전압이 열화되면 박막 트랜지스터의 소스 쪽 전압이 변동된다. 이에 따라 박막 트랜지스터의 게이트에 동일한 데이터 전압이 인가되더라도 박막 트랜지스터의 게이트와 소스 사이의 전압이 변동하므로 불균일한 전류가 유기 발광 소자에 흐르게 된다. 이 또한 유기 발광 표시 장치의 화질 열화의 한 요인이 된다.On the other hand, the threshold voltage of the organic light emitting element also changes as the current flows for a long time. In the case of the n-type thin film transistor, the organic light emitting diode is positioned at the source side of the thin film transistor, and thus, when the threshold voltage of the organic light emitting diode is deteriorated, the source side voltage of the thin film transistor is changed. As a result, even when the same data voltage is applied to the gate of the thin film transistor, the voltage between the gate and the source of the thin film transistor is fluctuated so that an uneven current flows through the organic light emitting device. This also causes a deterioration in image quality of the OLED display.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 비정질 규소 박막 트랜지스 터를 구비하면서도 비정질 규소 박막 트랜지스터 및 유기 발광 소자의 문턱 전압 열화를 보상할 수 있는 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an aspect of the present invention is to provide a display device and a method of driving the same, including an amorphous silicon thin film transistor and capable of compensating for threshold voltage degradation of an amorphous silicon thin film transistor and an organic light emitting diode.
이러한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는, 발광 소자, 유지 축전기, 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지며, 상기 발광 소자가 발광하도록 상기 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 주사 신호에 따라 데이터 전압을 상기 유지 축전기에 공급하는 제1 스위칭 트랜지스터, 전단 주사 신호에 따라 상기 구동 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 제2 스위칭 트랜지스터, 그리고 발광 신호에 따라 구동 전압을 상기 구동 트랜지스터에 공급하는 제3 스위칭 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소를 포함하며, 상기 유지 축전기는 상기 다이오드 연결된 구동 트랜지스터를 통하여 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 상기 발광 소자의 문턱 전압에 의존하는 제어 전압을 저장하고, 상기 제어 전압 및 상기 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터의 제어 단자에 전달한다.According to an aspect of the present invention, a display device includes a light emitting device, a storage capacitor, a control terminal, an input terminal, and an output terminal, and supplies a driving current to the light emitting device so that the light emitting device emits light. A driving transistor, a first switching transistor for supplying a data voltage to the sustain capacitor according to a scanning signal, a second switching transistor for diode-connecting the driving transistor according to a shear scan signal, and a driving voltage to the driving transistor according to a light emission signal. A plurality of pixels each including a third switching transistor for supplying, the sustain capacitor stores a control voltage depending on the threshold voltage of the driving transistor and the threshold voltage of the light emitting device through the diode-connected driving transistor, The control voltage and phase It transfers the data voltage to a control terminal of the driving transistor.
상기 제2 스위칭 트랜지스터는 상기 전단 주사 신호에 따라 상기 구동 트랜지스터의 제어 단자와 입력 단자를 연결할 수 있다.The second switching transistor can connect a control terminal and an input terminal of the driving transistor according to the shear scan signal.
상기 제1 스위칭 트랜지스터는 상기 주사 신호에 따라 상기 유지 축전기를 상기 데이터 전압에 연결하며, 제3 스위칭 트랜지스터는 상기 발광 신호에 따라 상기 구동 트랜지스터의 입력 단자를 상기 구동 전압에 연결할 수 있다.The first switching transistor may connect the sustain capacitor to the data voltage according to the scan signal, and the third switching transistor may connect an input terminal of the driving transistor to the driving voltage according to the light emission signal.
상기 전단 주사 신호에 따라 상기 유지 축전기를 기준 전압에 연결하는 제4 스위칭 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.The electronic device may further include a fourth switching transistor configured to connect the sustain capacitor to the reference voltage according to the shear scan signal.
상기 복수의 화소는 제1 및 제2 화소를 포함하고, 상기 기준 전압은 상기 제1 및 제2 화소에 서로 다른 값이 인가될 수 있다.The plurality of pixels may include first and second pixels, and the reference voltage may be applied with different values to the first and second pixels.
상기 유지 축전기에 연결되어 있으며, 소정 전압을 충전하여 유지하는 보조 축전기를 더 포함할 수 있다.It may further include an auxiliary capacitor connected to the holding capacitor and charging and maintaining a predetermined voltage.
상기 제1 스위칭 트랜지스터는 상기 주사 신호에 따라 상기 유지 축전기를 기준 신호에 연결할 수 있다.The first switching transistor may connect the sustain capacitor to a reference signal according to the scan signal.
상기 전단 주사 신호 및 상기 주사 신호를 생성하는 주사 구동부, 상기 데이터 신호 및 상기 기준 신호를 생성하는 데이터 구동부, 그리고 상기 발광 신호를 생성하는 발광 구동부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a scan driver generating the front-end scan signal and the scan signal, a data driver generating the data signal and the reference signal, and a light-emitting driver generating the light emission signal.
상기 복수의 화소는 제1 및 제2 화소를 포함하고, 상기 데이터 구동부는 서로 다른 값을 갖는 상기 기준 신호를 생성하여 상기 제1 및 제2 화소에 인가할 수 있다.The plurality of pixels may include first and second pixels, and the data driver may generate the reference signals having different values and apply them to the first and second pixels.
상기 주사 구동부, 상기 데이터 구동부 및 상기 발광 구동부를 제어하는 신호 제어부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a signal controller configured to control the scan driver, the data driver, and the light emitting driver.
상기 제1 내지 제3 스위칭 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터는 비정질 규소를 포함할 수 있다.The first to third switching transistors and the driving transistor may include amorphous silicon.
상기 제1 내지 제3 스위칭 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터는 nMOS 박막 트랜지스터일 수 있다.The first to third switching transistors and the driving transistors may be nMOS thin film transistors.
상기 발광 소자는 유기 발광층을 포함할 수 있다. The light emitting device may include an organic light emitting layer.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 발광 소자, 구동 전압에 연결된 입력 단자, 상기 발광 소자에 연결된 출력 단자, 그리고 제어 단자를 가지는 구동 트랜지스터, 주사 신호에 응답하여 동작하며 상기 구동 트랜지스터의 제어 단자와 데이터 전압 사이에 연결되어 있는 제1 스위칭 트랜지스터, 전단 주사 신호에 응답하여 동작하며 상기 구동 트랜지스터의 입력 단자와 제어 단자 사이에 연결되어 있는 제2 스위칭 트랜지스터, 발광 신호에 응답하여 동작하며 상기 구동 트랜지스터의 입력 단자와 상기 구동 전압 사이에 연결되어 있는 제3 스위칭 트랜지스터, 그리고 상기 구동 트랜지스터의 제어 단자와 상기 제1 스위칭 트랜지스터 사이에 연결되어 있는 유지 축전기를 포함한다.According to another exemplary embodiment of the present invention, a display device includes a light emitting device, an input terminal connected to a driving voltage, an output terminal connected to the light emitting device, and a driving transistor having a control terminal, and operating in response to a scan signal and controlling the driving transistor. A first switching transistor connected between a terminal and a data voltage, the second switching transistor connected between an input terminal and a control terminal of the driving transistor, the second switching transistor connected in response to a light emission signal, and operating in response to a light emission signal. And a third switching transistor connected between the input terminal of the transistor and the driving voltage, and a storage capacitor connected between the control terminal of the driving transistor and the first switching transistor.
상기 전단 주사 신호에 응답하여 동작하며 상기 유지 축전기와 기준 전압 사이에 연결되어 있는 제4 스위칭 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.The electronic device may further include a fourth switching transistor configured to operate in response to the shear scan signal and connected between the sustain capacitor and the reference voltage.
상기 유지 축전기와 상기 구동 전압 또는 상기 기준 전압 사이에 연결되어 있는 보조 축전기를 더 포함할 수 있다.The auxiliary capacitor may further include an auxiliary capacitor connected between the sustain capacitor and the driving voltage or the reference voltage.
본 발명의 다른 실시예에 따른, 제어 단자와 제1 및 제2 단자를 가지는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 제2 단자에 연결되어 있는 발광 소자, 그리고 상기 구동 트랜지스터의 제어 단자에 연결되어 있는 축전기를 포함하는 표시 장치의 구동 방법은, 상기 축전기 양단에 기준 전압 및 구동 전압을 공급하는 단계, 상기 구동 트랜지스터의 제어 단자와 제1 단자를 연결하는 단계, 상기 축전기에 데이터 전압을 인가하는 단계, 상기 구동 트랜지스터의 제1 단자를 상기 구동 전압에 연결하는 단계를 포함한다. According to another embodiment of the present invention, a driving transistor having a control terminal and first and second terminals, a light emitting element connected to the second terminal of the driving transistor, and a capacitor connected to the control terminal of the driving transistor A driving method of a display device includes: supplying a reference voltage and a driving voltage across the capacitor, connecting a control terminal and a first terminal of the driving transistor, applying a data voltage to the capacitor, and driving the driving voltage. Coupling a first terminal of a transistor to the drive voltage.
상기 구동 트랜지스터의 제어 단자와 제1 단자를 연결하는 단계는 상기 구동 전압을 차단하는 단계를 포함할 수 있다.The connecting of the control terminal and the first terminal of the driving transistor may include blocking the driving voltage.
상기 인가 단계는 상기 구동 트랜지스터의 제1 단자를 고립시키는 단계를 포함할 수 있다.The applying step may include isolating the first terminal of the driving transistor.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 다른 부분과 "직접" 연결되어 있는 경우뿐 아니라 또 다른 부분을 "통하여" 연결되어 있는 경우도 포함한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle. In addition, when a part is connected to another part, this includes not only a case where the part is "directly" connected to another part but also a part "connected" through another part.
이제 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치 및 그 구동 방법에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.A display device and a driving method thereof according to an embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.
먼저, 도 1 내지 도 6d를 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명한다.First, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6D.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 블록도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도이다. 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소의 구동 트랜지스터와 유기 발광 소자의 단면을 도시한 단면도이며, 도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 유기 발광 소자의 개략도이다.1 is a block diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of one pixel of the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention. 3 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional view of a driving transistor and an organic light emitting diode of a pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 illustrates an organic light emitting diode of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention. It is a schematic diagram of a light emitting element.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시판(display panel)(300) 및 이에 연결된 주사 구동부(400)와 데이터 구동부(500)와 발광 구동부(700), 그리고 이들을 제어하는 신호 제어부(600)를 포함한다.As shown in FIG. 1, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment includes a
표시판(300)은 등가 회로로 볼 때 복수의 신호선(G0-Gn, D1-Dm
, S1-Sn), 복수의 전압선(도시하지 않음), 그리고 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)를 포함한다.The
신호선은 주사 신호(Vg0∼Vgn)를 전달하는 복수의 주사 신호선(G0-G n)과 데이터 신호(Vdata)를 전달하는 데이터선(D1-Dm), 그리고 발광 신호(Vs1∼V sn)를 전달하는 복수의 발광 신호선(S1-Sn)을 포함한다. 주사 신호선(G0-Gn )과 발광 신호선(S1-Sn)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(D1-Dm)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.The signal line includes a plurality of scan signal lines G 0 -G n transmitting scan signals V g0 to V gn , a data line D 1 -D m transferring data signals Vdata, and a light emission signal V s1. It includes a plurality of light emitting signal lines (S 1 -S n ) for transmitting ~ V sn ). The scan signal lines G 0 -G n and the light emission signal lines S 1 -S n extend substantially in the row direction, are substantially parallel to each other, and the data lines D 1 -D m extend substantially in the column direction, and each Parallel
전압선은 구동 전압(Vdd)을 전달하는 구동 전압선(도시하지 않음)과 기준 전압(Vref)을 전달하는 기준 전압선(도시하지 않음)을 포함한다. 구동 전압선과 기준 전압선은 행 또는 열 방향으로 뻗어 있다.The voltage line includes a driving voltage line (not shown) that transfers the driving voltage Vdd and a reference voltage line (not shown) that transfers the reference voltage Vref. The driving voltage line and the reference voltage line extend in the row or column direction.
도 2에 보이는 것처럼, 각 화소는 구동 트랜지스터(Qd), 축전기(C1, C2), 유기 발광 소자(OLED) 및 4개의 스위칭 트랜지스터(Qs1∼Qs4)를 포함한다.As shown in FIG. 2, each pixel includes a driving transistor Qd, capacitors C1 and C2, an organic light emitting element OLED, and four switching transistors Qs1 to Qs4.
구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자(ng), 입력 단자(nd) 및 출력 단자(ns)를 가지며, 입력 단자(nd)는 구동 전압(Vdd)에 연결되어 있다. 축전기(C1)의 한 단자 (n1)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자(ng)에 연결되어 있으며, 다른 단자(n2)는 스위칭 트랜지스터(Qs1, Qs2)에 연결되어 있다.축전기(C2)는 축전기 (C1)와 구동 전압(Vdd) 사이에 연결되어 있으며, 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 (anode)와 캐소드(cathode)는 각각 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자(ns)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있다.The driving transistor Qd has a control terminal ng, an input terminal nd, and an output terminal ns, and the input terminal nd is connected to the driving voltage Vdd. One terminal n1 of the capacitor C1 is connected to the control terminal ng of the driving transistor Qd, and the other terminal n2 is connected to the switching transistors Qs1 and Qs2. The anode and cathode of the organic light emitting diode OLED are connected between the capacitor C1 and the driving voltage Vdd, respectively, and the output terminal ns of the driving transistor Qd and the common voltage Vss. )
유기 발광 소자(OLED)는 구동 트랜지스터(Qd)가 공급하는 전류(IOLED)의 크기에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 화상을 표시하며, 이 전류(IOLED)의 크기는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자(ng)와 출력 단자(ns) 사이의 전압의 크기에 의존한다.The organic light emitting diode OLED displays an image by emitting light at different intensities according to the magnitude of the current I OLED supplied by the driving transistor Qd, and the magnitude of the current I OLED is the size of the driving transistor Qd. It depends on the magnitude of the voltage between the control terminal ng and the output terminal ns.
스위칭 트랜지스터(Qs1)는 주사 신호선(Gi), 데이터 전압(Vdata) 및 축전기 (C1)의 단자(n2)에 연결되어 있으며, 주사 신호(Vgi)에 응답하여 동작한다.A switching transistor (Qs1) is connected to a terminal (n2) of the scanning signal lines (G i), a data voltage (Vdata) and the capacitor (C1), operates in response to the scan signal (V gi).
스위칭 트랜지스터(Qs2)는 전단의 주사 신호선(Gi-1), 기준 전압(Vref) 및 축전기(C1)의 단자(n2)에 연결되어 있고, 스위칭 트랜지스터(Qs3)는 전단의 주사 신 호선(Gi-1)과 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자(ng) 및 입력 단자(nd)에 연결되어 있으며, 이들 트랜지스터(Qs2, Qs3)는 전단의 주사 신호(Vgi-1)에 응답하여 동작한다.The switching transistor Qs2 is connected to the scan signal line G i-1 at the front end, the reference voltage Vref, and the terminal n2 of the capacitor C1, and the switching transistor Qs3 is the scan signal line G at the front end. i-1 ) and the control terminal ng and the input terminal nd of the driving transistor Qd, and these transistors Qs2 and Qs3 operate in response to the scan signal V gi-1 of the previous stage. .
스위칭 트랜지스터(Qs4)는 구동 트랜지스터(Qd)의 입력 단자(nd)와 구동 전압(Vdd) 사이에 연결되어 있으며, 발광 신호(Vsi)에 응답하여 동작한다.The switching transistor Qs4 is connected between the input terminal nd of the driving transistor Qd and the driving voltage Vdd and operates in response to the light emission signal V si .
이러한 스위칭 및 구동 트랜지스터(Qs1∼Qs4, Qd)는 비정질 규소 또는 다결정 규소로 이루어진 n채널 금속 산화막 반도체(nMOS) 트랜지스터로 이루어진다. 그러나 이들 트랜지스터(Qs1∼Qs4, Qd)는 pMOS 트랜지스터로도 이루어질 수 있으며, 이 경우 pMOS 트랜지스터와 nMOS 트랜지스터는 서로 상보형(complementary)이므로 pMOS 트랜지스터의 동작과 전압 및 전류는 nMOS 트랜지스터의 그것과 반대가 된다.The switching and driving transistors Qs1 to Qs4 and Qd are formed of an n-channel metal oxide semiconductor (nMOS) transistor made of amorphous silicon or polycrystalline silicon. However, these transistors Qs1 to Qs4 and Qd may also be pMOS transistors. In this case, since the pMOS transistor and the nMOS transistor are complementary to each other, the operation, voltage and current of the pMOS transistor are opposite to that of the nMOS transistor. do.
그러면, 이러한 유기 발광 표시 장치의 구동 트랜지스터(Qd)와 유기 발광 소자(OLED)의 구조에 대하여 설명한다.Next, the structure of the driving transistor Qd and the organic light emitting diode OLED of the organic light emitting diode display will be described.
도 3에 보이는 것처럼, 절연 기판(110) 위에 제어 단자 전극(control electrode)(124)이 형성되어 있다. 제어 단자 전극(124)은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 20-80°이다.As shown in FIG. 3, a
제어 단자 전극(124) 위에는 질화규소(SiNx) 따위로 이루어진 절연막 (insulating layer)(140)이 형성되어 있다.An insulating
절연막(140) 상부에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon) (비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polycrystalline silicon) 등으로 이루어진 반도체(154)가 형성되어 있다.A
반도체(154)의 상부에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163, 165)가 형성되어 있다.On top of the
반도체(154)와 저항성 접촉 부재(163, 165)의 측면은 경사져 있으며 경사각은 30-80°이다.Side surfaces of the
저항성 접촉 부재(163, 165) 및 절연막(140) 위에는 출력 단자 전극(output electrode)(173)과 입력 단자 전극(input electrode)(175)이 형성되어 있다.An
출력 단자 전극(173)과 입력 단자 전극(175)은 서로 분리되어 있으며 제어 단자 전극(124)을 기준으로 양쪽에 위치한다. 제어 단자 전극(124), 출력 단자 전극(173) 및 입력 단자 전극(175)은 반도체(154)와 함께 스위칭 트랜지스터(Qs5)를 이루며, 그 채널(channel)은 출력 단자 전극(173)과 입력 단자 전극(175) 사이의 반도체(154)에 형성된다.The
출력 단자 전극(173) 및 입력 단자 전극(175)도 반도체(154) 등과 마찬가지로 그 측면이 약 30-80°의 각도로 각각 경사져 있다.Like the
출력 단자 전극(173) 및 입력 단자 전극(175)과 노출된 반도체(154) 부분의 위에는 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질, 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질 또는 질화규소(SiNx) 등으 로 이루어진 보호막(passivation layer)(802)이 형성되어 있다.On the
보호막(802)에는 출력 단자 전극(173)을 드러내는 접촉 구멍(contact hole)(183)이 형성되어 있다.In the
보호막(802) 위에는 접촉 구멍(183)을 통하여 출력 단자 전극(173)과 물리적·전기적으로 연결되어 있는 화소 전극(190)이 형성되어 있다. 화소 전극(190)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄 또는 은 합금의 반사성이 우수한 물질로 형성할 수 있다.The
보호막(802) 상부에는 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어져 있으며, 유기 발광 셀을 분리시키기 위한 격벽(803)이 형성되어 있다. 격벽(803)은 화소 전극(190) 가장자리 주변을 둘러싸서 유기 발광층(70)이 채워질 영역을 한정하고 있다.An upper portion of the
격벽(803)에 둘러싸인 화소 전극(190) 위의 영역에는 유기 발광층(70)이 형성되어 있다.An
유기 발광층(70)은, 도 4에 도시한 바와 같이, 발광층(emitting layer, EML) 외에 전자와 정공의 균형을 좋게 하여 발광 효율을 향상시키기 위해 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 정공 수송층(hole transport layer, HTL)을 포함한 다층 구조로 이루어지고, 또한 별도의 전자 주입층(electron injecting layer, EIL)과 정공 주입층(hole injecting layer, HIL)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 4, the organic
격벽(803) 위에는 격벽(803)과 동일한 모양의 패턴으로 이루어져 있으며, 금 속과 같이 낮은 비저항을 가지는 도전 물질로 이루어진 보조 전극(272)이 형성되어 있다. 보조 전극(272)은 이후에 형성되는 공통 전극(270)과 접촉하며, 공통 전극(270)에 전달되는 신호가 왜곡되는 것을 방지하는 기능을 한다.An
격벽(803), 유기 발광층(70) 및 보조 전극(272) 위에는 공통 전압(Vss)이 인가되는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 이루어져 있다. 만약 화소 전극(190)이 투명한 경우에는 공통 전극(270)은 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 알루미늄(Al) 등을 포함하는 금속으로 이루어질 수 있다.The
불투명한 화소 전극(190)과 투명한 공통 전극(270)은 표시판(300)의 상부 방향으로 화상을 표시하는 전면 발광(top emission) 방식의 유기 발광 표시 장치에 적용하며, 투명한 화소 전극(190)과 불투명한 공통 전극(270)은 표시판(300)의 아래 방향으로 화상을 표시하는 배면 발광(bottom emission) 방식의 유기 발광 표시 장치에 적용한다.The
화소 전극(190), 유기 발광층(70) 및 공통 전극(270)은 도 2에 도시한 유기 발광 소자(OLED)를 이루며, 화소 전극(190)은 애노드, 공통 전극(270)은 캐소드 또는 화소 전극(190)은 캐소드, 공통 전극(270)은 애노드가 된다. 유기 발광 소자(OLED)는 발광층(EML)을 형성하는 유기 물질에 따라 삼원색, 예를 들면 적색, 녹색, 청색 중 하나를 고유하게 표시하여 이들 삼원색의 공간적 합으로 원하는 색상을 표시한다.
The
다시 도 1을 참조하면, 주사 구동부(400)는 표시판(300)의 주사 신호선(G0-Gn)에 연결되어 스위칭 트랜지스터(Qs1∼Qs3)를 턴 온시킬 수 있는 고전압(Von)과 턴 오프시킬 수 있는 저전압(Voff)의 조합으로 이루어진 주사 신호(Vgi)를 주사 신호선(G0-Gn)에 인가하며 복수의 집적 회로로 이루어질 수 있다.Referring back to FIG. 1, the
데이터 구동부(500)는 표시판(300)의 데이터선(D1-Dm)에 연결되어 화상 신호를 나타내는 데이터 전압(Vdata)을 화소에 인가하며 복수의 집적 회로로 이루어질 수 있다.The
발광 구동부(700)는 표시판(300)의 발광 신호선(S1-Sn)에 연결되어 스위칭 트랜지스터(Qs4)를 턴 온시킬 수 있는 고전압(Von)과 턴 오프시킬 수 있는 저전압(Voff)의 조합으로 이루어진 발광 신호(Vsi)를 발광 신호선(S1-Sn
)에 인가하며 복수의 집적 회로로 이루어질 수 있다.The
복수의 주사 구동 집적 회로, 데이터 구동 집적 회로 또는 발광 구동 집적 회로는 칩의 형태로 TCP(tape carrier package)(도시하지 않음) 방식으로 장착하여 TCP를 표시판(300)에 부착할 수도 있고, TCP를 사용하지 않고 유리 기판 위에 이들 집적 회로 칩을 직접 부착할 수도 있으며(chip on glass, COG 실장 방식), 이들 집적 회로를 화소의 박막 트랜지스터와 함께 표시판(300)에 직접 형성할 수도 있다.The plurality of scan driving integrated circuits, data driving integrated circuits, or light emitting driving integrated circuits may be mounted in a chip carrier package (TCP) (not shown) in the form of a chip to attach the TCP to the
신호 제어부(600)는 주사 구동부(400), 데이터 구동부(500) 및 발광 구동부(700) 등의 동작을 제어한다.
The
그러면 이러한 유기 발광 표시 장치의 표시 동작에 대하여 도 5 내지 도 6d를 참고로 하여 상세하게 설명한다.Next, the display operation of the organic light emitting diode display will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 6D.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 신호를 도시한 타이밍도의 예이고, 도 6a 내지 도 6d는 도 5에 도시한 각 구간에서의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.5 is an example of a timing diagram illustrating a driving signal of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 6A to 6D are equivalent circuit diagrams of one pixel in each section illustrated in FIG. 5.
신호 제어부(600)는 외부의 그래픽 제어기(도시하지 않음)로부터 입력 영상 신호(R, G, B) 및 이의 표시를 제어하는 입력 제어 신호, 예를 들면 수직 동기 신호(Vsync)와 수평 동기 신호(Hsync), 메인 클록(MCLK), 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 제공받는다. 신호 제어부(600)는 입력 영상 신호(R, G, B)와 입력 제어 신호를 기초로 영상 신호(R, G, B)를 표시판(300)의 동작 조건에 맞게 적절히 처리하고 주사 제어 신호(CONT1), 데이터 제어 신호(CONT2) 및 발광 제어 신호(CONT3) 등을 생성한 후, 주사 제어 신호(CONT1)를 주사 구동부(400)로 내보내고 데이터 제어 신호(CONT2)와 처리한 영상 신호(DAT)는 데이터 구동부(500)로 내보내며, 발광 제어 신호(CONT3)는 발광 구동부(700)로 내보낸다.The
주사 제어 신호(CONT1)는 고전압(Von)의 출력 시작을 지시하는 수직 동기 시작 신호(STV), 고전압(Von)의 출력 시기를 제어하는 게이트 클록 신호(CPV) 및 고전압(Von)의 지속 시간을 한정하는 출력 인에이블 신호(OE) 등을 포함한다.The scan control signal CONT1 controls the vertical synchronization start signal STV indicating the start of the output of the high voltage Von, the gate clock signal CPV controlling the output timing of the high voltage Von, and the duration time of the high voltage Von. And a limiting output enable signal OE.
데이터 제어 신호(CONT2)는 영상 데이터(DAT)의 입력 시작을 지시하는 수평 동기 시작 신호(STH)와 데이터선(D1-Dm)에 해당 데이터 전압을 인가하라는 로드 신 호(LOAD) 등을 포함한다.The data control signal CONT2 receives a horizontal synchronization start signal STH indicating the start of input of the image data DAT and a load signal LOAD for applying a corresponding data voltage to the data lines D 1 -D m . Include.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 한 행, 예를 들면 i번째 행의 화소에 영상을 표시하기 위하여 i번째 주사 신호(Vgi)이외에 (i-1)번째, 즉 전단의 주사 신호(Vgi-1)도 함께 이용한다.In the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment, in order to display an image on one row, for example, the i-th row of pixels, in addition to the i-th scan signal V gi , the (i-1) th, i.e., the previous scan signal V gi-1 ) is also used.
먼저, 주사 구동부(400)가 신호 제어부(600)로부터의 주사 제어 신호(CONT1)에 따라 전단의 주사 신호(Vgi-1)의 전압값을 고전압(Von)으로 만들면 전단의 주사 신호선(Gi-1)에 연결된 스위칭 트랜지스터(Qs2, Qs3)가 턴 온된다. 이때 주사 신호선(Gi)에 인가되는 주사 신호(Vgi)의 전압값은 저전압(Voff)으로서 이에 연결된 스위칭 트랜지스터(Qs1)는 턴 오프 상태를 유지한다.First, when the
이때 발광 구동부(700)가 신호 제어부(600)로부터의 발광 제어 신호(CONT3)에 따라 발광 신호선(Si)에 인가하는 발광 신호(Vsi)의 전압값은 고전압(Von)이고, 이에 따라 스위칭 트랜지스터(Qs4)는 턴 온 상태를 유지한다.At this time, the voltage value of the light-emitting driving part emission signal (V si) of 700 is applied to the emit signal line (S i) according to the emission control signal (CONT3) from the
이와 같은 상태에 있는 화소의 등가 회로가 도 6a에 도시되어 있으며 이 구간을 선충전 구간(TA1)이라 한다. 도 6a에 보이는 바와 같이, 스위칭 트랜지스터 (Qs4)는 저항(r)으로 나타낼 수 있다.An equivalent circuit of the pixel in this state is shown in FIG. 6A, and this section is called the precharge section TA1. As shown in FIG. 6A, the switching transistor Qs4 may be represented by a resistor r.
그러면, 축전기(C1)의 한 단자(n1)와 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자(ng)는 저항(r)을 통하여 구동 전압(Vdd)에 연결되므로, 이들의 전압은 구동 전압(Vdd)에서 저항(r)에 의한 전압 강하량을 뺀 값이 되고, 축전기(C1)의 다른 단자(n2)는 기준 전압(Vref)에 연결되어 기준 전압(Vref)으로 초기화되며, 축전기(C1)는 양단의 전압 차를 유지한다. 이때 구동 전압(Vdd)은 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자 전압(Vns)보다 충분히 높아 구동 트랜지스터(Qd)를 턴 온시킬 수 있는 정도의 크기이다.Then, one terminal n1 of the capacitor C1 and the control terminal ng of the driving transistor Qd are connected to the driving voltage Vdd through the resistor r, so that these voltages are at the driving voltage Vdd. The voltage drop caused by the resistance r is obtained by subtracting the voltage, and the other terminal n2 of the capacitor C1 is connected to the reference voltage Vref and initialized to the reference voltage Vref, and the capacitor C1 is voltage across both ends. Keep your car. At this time, the driving voltage Vdd is sufficiently high than the output terminal voltage Vns of the driving transistor Qd to the extent that the driving transistor Qd can be turned on.
그러므로 구동 트랜지스터(Qd)는 턴 온되어 출력 단자(ns)를 통하여 임의의 전류를 유기 발광 소자(OLED)에 공급하고, 이에 따라 유기 발광 소자(OLED)는 발광할 수 있다. 그러나 선충전 구간(TA1)의 길이는 한 프레임에 비하여 매우 작으므로 이 구간(TA1)에서의 유기 발광 소자(OLED)의 발광은 시인되지 않을 뿐만 아니라 표시하려는 휘도에 거의 영향을 미치지 않는다.Therefore, the driving transistor Qd is turned on to supply an arbitrary current to the organic light emitting diode OLED through the output terminal ns, whereby the organic light emitting diode OLED may emit light. However, since the length of the precharge section TA1 is very small compared to one frame, the light emission of the organic light emitting diode OLED in this section TA1 is not visually recognized and has little influence on the luminance to be displayed.
이어 발광 구동부(700)가 발광 제어 신호(CONT3)에 따라 발광 신호(Vsi)를 저전압(Voff)으로 바꾸어 스위칭 트랜지스터(Qs4)를 턴 오프시킴으로써 본충전 구간(TA2)이 시작된다. 전단의 주사 신호(Vgi-1)는 이 구간(TA2)에서도 고전압(Von)을 계속 유지하며, 이에 따라 스위칭 트랜지스터(Qs2, Qs3)는 온 상태를 유지한다.Subsequently, the
그러면, 도 6b에 보이는 바와 같이, 구동 트랜지스터(Qd)는 구동 전압(Vdd)으로부터 분리되는 한편, 다이오드 연결된다. 즉, 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자(ng)와 입력 단자(nd)는 서로 연결된 상태로 구동 전압(Vdd)으로부터 분리된다. 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자 전압(Vng)이 충분히 높기 때문에 구동 전압(Vdd)으로부터 분리된 구동 트랜지스터(Qd)는 턴 온 상태를 유지한다.Then, as shown in FIG. 6B, the driving transistor Qd is separated from the driving voltage Vdd and diode connected. That is, the control terminal ng and the input terminal nd of the driving transistor Qd are separated from the driving voltage Vdd while being connected to each other. Since the control terminal voltage Vng of the driving transistor Qd is sufficiently high, the driving transistor Qd separated from the driving voltage Vdd remains turned on.
이에 따라 선충전 구간(TA1)에서 소정 레벨로 충전되어 있던 축전기(C1)의 단자(n1)에 충전된 전하는 구동 트랜지스터(Qd)와 유기 발광 소자(OLED)를 통하여 방전되기 시작하고 이에 따라 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자 전압(Vng)이 낮아진다. 제어 단자 전압(Vng)의 전압 강하는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자(ng)와 출력 단자(ns) 사이의 전압이 구동 트랜지스터(Qd)의 문턱 전압(Vth)과 같아져 구동 트랜지스터(Qd)가 더 이상 전류를 흘리지 않을 때까지 계속된다. 이때, 유기 발광 소자(OLED)의 애노드와 캐소드 사이의 전압은 유기 발광 소자(OLED)의 문턱 전압(Vto)이 된다.Accordingly, the electric charges charged in the terminal n1 of the capacitor C1 charged at the predetermined level in the precharge section TA1 start to be discharged through the driving transistor Qd and the organic light emitting element OLED. The control terminal voltage Vng of Qd is lowered. The voltage drop of the control terminal voltage Vng is equal to the threshold voltage Vth of the driving transistor Qd because the voltage between the control terminal ng and the output terminal ns of the driving transistor Qd is equal to the driving transistor Qd. It continues until no more current flows. In this case, the voltage between the anode and the cathode of the organic light emitting diode OLED becomes the threshold voltage Vto of the organic light emitting diode OLED.
따라서,therefore,
이 성립하며, 축전기(C1)에 충전되는 전압(Vc)은Is established, and the voltage Vc charged in the capacitor C1 is
를 충족한다.Meets.
이로부터 축전기(C1)가 구동 트랜지스터(Qd)의 문턱 전압(Vth)과 유기 발광 소자(OLED)의 문턱 전압(Vto)에 의존하는 전압을 저장함을 알 수 있다.From this, it can be seen that the capacitor C1 stores a voltage depending on the threshold voltage Vth of the driving transistor Qd and the threshold voltage Vto of the organic light emitting diode OLED.
전압(Vc)이 축전기(C1)에 충전된 후, 주사 구동부(400)가 주사 제어 신호 (CONT1)에 따라 전단의 주사 신호(Vgi-1)를 저전압(Voff)으로 바꾸어 스위칭 트랜지 스터(Qs2, Qs3)를 턴 오프시킴으로써 기입 구간(TA3)이 시작된다. 발광 신호(Vsi)는 이 구간(TA3)에서도 저전압(Voff)을 계속 유지하며, 이에 따라 스위칭 트랜지스터(Qs4)는 오프 상태를 유지한다.After the voltage Vc is charged to the capacitor C1, the
데이터 구동부(500)는 신호 제어부(600)로부터의 데이터 제어 신호(CONT2)에 따라 i번째 행의 화소에 대한 영상 데이터(DAT)를 차례로 입력받아 시프트시키고, 각 영상 데이터(DAT)에 대응하는 데이터 전압(Vdata)을 해당 데이터선(D1-Dm)에 인가한다.The
주사 구동부(400)는 기입 구간(TA3)의 시점으로부터 소정 지연 시간(ΔT)이 경과한 후 주사 신호(Vgi)의 전압값을 고전압(Von)으로 만들어 스위칭 트랜지스터 (Qs1)를 턴 온시킨다.The
그러면, 도 6c에 보이는 바와 같이, 구동 트랜지스터(Qd)의 입력 단자(nd)는 개방되며, 축전기(C1)의 단자(n2)는 데이터 전압(Vdata)에 연결된다. 이에 따라 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자 전압(Vng)은 축전기(C1)에 의한 부트스트래핑 (bootstrapping) 효과에 의하여 다음 [수학식 3]처럼 변한다.Then, as shown in FIG. 6C, the input terminal nd of the driving transistor Qd is opened, and the terminal n2 of the capacitor C1 is connected to the data voltage Vdata. Accordingly, the control terminal voltage Vng of the driving transistor Qd is changed as shown in Equation 3 by the bootstrapping effect of the capacitor C1.
여기서, 축전기와 그 축전기의 용량은 동일한 부호를 사용하며, C'는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자(ng)에 형성된 기생 용량의 총합을 나타낸다.Here, the capacitor and the capacitance of the capacitor have the same sign, and C 'represents the total of the parasitic capacitance formed at the control terminal ng of the driving transistor Qd.
C1이 C'보다 상당히 크다면 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자 전압(Vng)을 다음 [수학식 4]와 같이 나타낼 수 있다.If C1 is considerably larger than C ', the control terminal voltage Vng of the driving transistor Qd can be expressed as Equation 4 below.
결국 축전기(C1)는 이 구간(TA3)에서 [수학식 2]에서와 같이 본충전 구간(TA2)에서 충전된 전압(Vc)을 계속 유지하면서, 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자(ng)에 전달하는 역할을 한다.As a result, the capacitor C1 keeps the voltage Vc charged in the main charging section TA2 as shown in [Equation 2] in this section TA3, while maintaining the data voltage Vdata of the driving transistor Qd. It serves to transmit to the control terminal (ng).
축전기(C2)는 축전기(C1)의 단자(n2) 전압 및 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자 전압(Vng)을 안정시키는 역할을 한다. 축전기(C2)의 한 단자가 축전기(C1)의 단자(n2) 대신에 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자(ng)에 연결될 수 있으며, 이 경우 구동 전압(Vdd)에 연결된 축전기(C2)의 다른 단자가 기준 전압(Vref)이나 공통 전압(Vss) 또는 별도의 일정 전위를 가지는 단자에 연결될 수도 있다. 이때, [수학식 4]는 다음 [수학식 5]와 같이 변한다.The capacitor C2 serves to stabilize the voltage of the terminal n2 of the capacitor C1 and the control terminal voltage Vng of the driving transistor Qd. One terminal of the capacitor C2 may be connected to the control terminal ng of the driving transistor Qd instead of the terminal n2 of the capacitor C1, in which case the other of the capacitor C2 connected to the driving voltage Vdd. The terminal may be connected to a terminal having a reference voltage Vref, a common voltage Vss, or a separate constant potential. At this time, [Equation 4] is changed to the following [Equation 5].
따라서 이 경우 데이터 전압(Vdata)을 포함하는 항목의 크기가 작아지므로 원하는 휘도를 표시하기 위하여 영상 신호를 처리할 때 적절한 크기 조정이 필요하다.Therefore, in this case, since the size of the item including the data voltage Vdata becomes small, appropriate size adjustment is required when processing the image signal to display a desired luminance.
한편, 축전기(C2)는 필요에 따라 생략할 수도 있다.In addition, the capacitor C2 may be omitted as necessary.
발광 구동부(700)가 신호 제어부(600)로부터의 발광 제어 신호(CONT3)에 따 라 발광 신호(Vsi)를 고전압(Von)으로 바꾸어 스위칭 트랜지스터(Qs4)를 턴 온시키고, 주사 구동부(400)가 신호 제어부(600)로부터의 주사 제어 신호(CONT1)에 따라 주사 신호(Vgi)를 저전압(Voff)으로 바꾸어 스위칭 트랜지스터(Qs1)를 턴 오프시킴으로써 발광 구간(TA4)이 시작된다. 전단의 주사 신호(Vgi-1)는 이 구간(TA4)에서도 저전압(Voff)을 계속 유지하므로 스위칭 트랜지스터(Qs2, Qs3)는 오프 상태로 유지된다.The
그러면, 도 6d에 보이는 것처럼, 축전기(C1)의 단자(n2)는 데이터 전압 (Vdata)으로부터 분리되고, 구동 트랜지스터(Qd)의 입력 단자(nd)에 구동 전압(Vdd)이 연결된 상태가 된다. 이 상태에서는 축전기(C1)에서 전하의 유출 및 유입이 없게 되어, 축전기(C1)는 충전된 전압(Vc)을 계속 유지하며, 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자 전압(Vng)도 [수학식 4]에서의 전압을 유지한다.Then, as shown in FIG. 6D, the terminal n2 of the capacitor C1 is separated from the data voltage Vdata, and the driving voltage Vdd is connected to the input terminal nd of the driving transistor Qd. In this state, there is no outflow and inflow of charge in the capacitor C1, and the capacitor C1 continues to maintain the charged voltage Vc, and the control terminal voltage Vng of the driving transistor Qd is also expressed by Equation 4 Maintain the voltage at].
이에 따라, 구동 트랜지스터(Qd)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자 전압(Vng)과 출력 단자 전압(Vns) 사이의 전압(Vgs)에 의하여 제어되는 출력 전류(IOLED)를 출력 단자(ns)를 통하여 유기 발광 소자(OLED)에 공급한다. 이에 따라 유기 발광 소자(OLED)는 출력 전류(IOLED)의 크기에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 해당 화상을 표시한다. 출력 전류(IOLED)는 다음과 같이 나타낼 수 있다. Accordingly, the driving transistor Qd outputs the output current I OLED controlled by the voltage Vgs between the control terminal voltage Vng and the output terminal voltage Vns of the driving transistor Qd. Supply to the organic light emitting device (OLED) through. Accordingly, the organic light emitting diode OLED emits light of varying intensity depending on the size of the output current I OLED to display a corresponding image. The output current I OLED can be expressed as follows.
여기서, k는 박막 트랜지스터의 특성에 따른 상수로서, k=μ·CSiNx·W/L이며, μ는 전계 효과 이동도, CSiNx는 절연층의 용량, W는 박막 트랜지스터의 채널 폭, L은 박막 트랜지스터의 채널 길이를 나타낸다.Where k is a constant depending on the characteristics of the thin film transistor, where k = μC SiNxW / L, μ is the field effect mobility, C SiNx is the capacitance of the insulating layer, W is the channel width of the thin film transistor, and L is The channel length of the thin film transistor is shown.
[수학식 4]와 [수학식 6]에 의하면, 출력 전류(IOLED)는 구동 트랜지스터(Qd)의 문턱 전압(Vth) 및 유기 발광 소자(OLED)의 문턱 전압(Vto)의 변화에 영향을 받지 않는다. 즉, 구동 트랜지스터(Qd)의 문턱 전압(Vth)이 ΔVth만큼 변하거나 유기 발광 소자의 문턱 전압(Vto)이 ΔVto만큼 변한다면 본충전 구간(TA2)에서 제어 단자(ng)에 이 변동분(ΔVth, ΔVto)을 포함하는 전압(Vng)이 충전된다. 따라서 이 변동분(ΔVth, ΔVto)은 [수학식 6]에서 Vng와 Vth 및 Vns 항목에 각각 포함되어 소거되므로 출력 전류(IOLED)는 변하지 않는다. 결국 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 구동 트랜지스터(Qd)의 문턱 전압(Vth)과 유기 발광 소자(OLED)의 문턱 전압(Vto)이 열화되더라도 이를 보상할 수 있다.According to Equations 4 and 6, the output current I OLED affects the change of the threshold voltage Vth of the driving transistor Qd and the threshold voltage Vto of the organic light emitting diode OLED. Do not receive. That is, if the threshold voltage Vth of the driving transistor Qd is changed by ΔVth or the threshold voltage Vto of the organic light emitting element is changed by ΔVto, the change amount ΔVth, The voltage Vng including ΔVto is charged. Therefore, the variations ΔVth and ΔVto are included in the items Vng, Vth, and Vns in Equation 6 to be erased, and thus the output current I OLED does not change. As a result, the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment may compensate for the degradation of the threshold voltage Vth of the driving transistor Qd and the threshold voltage Vto of the organic light emitting diode OLED.
한편, 필요에 따라 기입 구간(TA3)에서 발광 신호(Vsi)를 고전압(Von)으로 바꾸어 스위칭 트랜지스터(Qs4)를 턴 온시킴으로써 유기 발광 소자(OLED)를 미리 발광시킬 수도 있다. 다만 이 경우 스위칭 트랜지스터(Qs3)를 확실하게 턴 오프시 킨 후 스위칭 트랜지스터(Qs4)를 턴 온시키는 것이 바람직하다.On the other hand, the organic light emitting element OLED may be previously emitted by turning on the switching transistor Qs4 by changing the light emission signal V si to a high voltage Von in the write period TA3 as necessary. In this case, however, it is preferable to turn off the switching transistor Qs3 and then turn on the switching transistor Qs4.
발광 구간(TA4)은 다음 프레임에서 i번째 행의 화소에 대한 선충전 구간(TA1)이 다시 시작될 때까지 지속되며 그 다음 행의 화소에 대하여도 앞서 설명한 각 구간(TA1∼TA4)에서의 동작을 동일하게 반복한다. 이러한 방식으로, 모든 주사 신호선(G0-Gn) 및 발광 신호선(S1-Sn)에 대하여 차례로 구간(TA1∼TA4) 제어를 수행하여 모든 화소에 해당 화상을 표시한다. 여기서 주사 신호선(G0) 및 주사 신호(Vg0)는 첫 번째 행의 화소에 화상을 표시하기 위해서만 사용된다.The light emitting period TA4 continues until the precharge period TA1 for the pixel in the i-th row starts again in the next frame, and the operation in each of the above-described periods TA1 to TA4 is also performed for the pixels in the next row. Repeat the same. In this manner, the sections TA1 to TA4 are sequentially controlled on all the scan signal lines G 0 -G n and the emission signal lines S 1 -S n to display the corresponding image on all the pixels. Here, the scan signal line G 0 and the scan signal V g0 are used only for displaying an image in the pixels of the first row.
각 구간(TA1∼TA4)의 길이는 필요에 따라 조정할 수 있다.The length of each section TA1-TA4 can be adjusted as needed.
기준 전압(Vref)은 공통 전압(Vss)과 같은 전압 레벨로 설정할 수 있으며, 예를 들면 0V이다. 이와 달리, 기준 전압(Vref)이 음의 전압 레벨을 갖도록 설정할 수도 있다. 그러면 데이터 구동부(500)가 화소에 인가하는 데이터 전압(Vdata)의 크기를 작게 하여 구동할 수 있다. 또는 표시판(300)의 특성에 따라 기준 전압 (Vref)을 조절함으로써 표시판(300)의 전체적인 휘도를 조정할 수 있다.The reference voltage Vref may be set at the same voltage level as the common voltage Vss, for example, 0V. Alternatively, the reference voltage Vref may be set to have a negative voltage level. As a result, the
특히, 표시판(300)의 크기가 크면 클수록 구동 전압선의 저항값으로 인하여 구동 전압(Vdd) 값이 행 또는 열 방향으로 다르게 나타날 수 있는데, 이 경우 기준 전압(Vref)을 행 또는 열별로 다르게 인가하면, 표시판(300)의 휘도를 전체적으로 균일하게 조정할 수 있다.In particular, as the size of the
구동 전압(Vdd)은 축전기(Cst)에 전하를 충분히 공급하고 구동 트랜지스터 (Qd)가 출력 전류(IOLED)를 흘릴 수 있도록 충분히 높은 전압으로 설정하는 것이 바 람직하다.The driving voltage Vdd is preferably set to a voltage high enough to supply sufficient charge to the capacitor Cst and allow the driving transistor Qd to flow the output current I OLED .
그러면 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 7을 참고로 하여 설명한다.Next, an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment will be described with reference to FIG. 7.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.7 is an equivalent circuit diagram of one pixel of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 7에 보이는 것처럼, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 각 화소는 구동 트랜지스터(Qd), 축전기(C1, C2), 유기 발광 소자(OLED) 및 3개의 스위칭 트랜지스터(Qs1, Qs3, Qs4)를 포함한다.As illustrated in FIG. 7, each pixel of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention may include a driving transistor Qd, capacitors C1 and C2, an organic light emitting diode OLED, and three switching transistors Qs1 and Qs3. , Qs4).
도 7에 도시한 화소는 도 2에 도시한 화소에서 스위칭 트랜지스터(Qs2)를 없앤 것과 실질적으로 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Since the pixel shown in FIG. 7 is substantially the same as that of the pixel shown in FIG. 2 with the switching transistor Qs2 removed, a detailed description thereof will be omitted.
그러면 이와 같은 유기 발광 표시 장치의 표시 동작에 대하여 도 8을 참고로 하여 상세하게 설명한다.Next, the display operation of the organic light emitting diode display will be described in detail with reference to FIG. 8.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 신호를 도시한 타이밍도의 예이다.8 is an example of a timing diagram illustrating driving signals of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 한 행, 예를 들면 i번째 행의 화소에 영상을 표시하기 위하여 i번째 주사 신호(Vgi)이외에 (i-1)번째, 즉 전단의 주사 신호(Vgi-1)도 함께 이용하며, 데이터선(Dj)을 통하여 데이터 전압(Vdata)뿐만 아니라 기준 전압(Vref)도 공급한다.In the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment, in order to display an image on one row, for example, the i-th row of pixels, in addition to the i-th scan signal V gi , the (i-1) th, i.e., the previous scan signal V gi-1 ) is also used and supplies not only the data voltage Vdata but also the reference voltage Vref through the data line D j .
도 8에 보이는 것처럼, 발광 구동부(700)가 신호 제어부(600)로부터의 발광 제어 신호(CONT3)에 따라 발광 신호선(Si)에 인가되는 발광 신호(Vsi)의 전압값을 저전압(Voff)으로 만들어 발광 신호선(Si)에 연결된 스위칭 트랜지스터(Qs4)를 턴 오프시킴으로써 예비 구간(TB1)이 시작한다.As shown in FIG. 8, the
주사 신호(Vgi)는 이 구간(TB1)에서 저전압(Voff)을 계속 유지하므로 주사 신호선(Gi)에 연결된 스위칭 트랜지스터(Qs1)는 오프 상태를 유지한다.Scanning signal (V gi) so to keep the low-voltage (Voff) in the period (TB1) the switching transistor (Qs1) is connected to the scanning signal lines (G i) is maintained in an OFF state.
그러고 주사 구동부(400)는 신호 제어부(600)로부터의 주사 제어 신호 (CONT1)에 따라 전단의 주사 신호(Vgi-1)의 전압값을 고전압(Von)으로 만들고, 소정 시간 경과 후 다시 저전압(Voff)으로 만든다.Then, the
전단의 주사 신호(Vgi-1)가 저전압(Voff)으로 된 후, 발광 구동부(700)는 신호 제어부(600)로부터의 발광 제어 신호(CONT3)에 따라 발광 신호(Vsi)의 전압값을 고전압(Von)으로 만들어 스위칭 트랜지스터(Qs4)를 턴 온시킨다.After the previous scan signal V gi-1 becomes the low voltage Voff, the
이 구간(TB1)에서의 전단의 주사 신호(Vgi-1) 및 데이터 전압(Vdata)은 (i-1) 번째 행 및 (i-2) 번째 행의 화소에 영상을 표시하는 데 사용된다. 따라서 이 구간(TB1)은 실질적으로 i 번째 행의 화소에 표시 동작을 수행하기 위해서라기보다 전단의 주사 신호(Vgi-1) 및 데이터 전압(Vdata)이 i 번째 행의 화소에 미칠 수 있는 영향을 제거하기 위하여 설정된 구간이다. 즉, 전단의 주사 신호(Vgi-1)가 고전압 (Von)이 되어 전단의 주사 신호선(Gi-1)에 연결된 스위칭 트랜지스터(Qs3)가 턴 온 되더라도 스위칭 트랜지스터(Qs4)가 오프 상태로 되어 있으므로 구동 전압(Vdd)이 구동 트랜지스터(Qd)로부터 차단된다. 또한 스위칭 트랜지스터(Qs1)가 오프 상태로 되어 있으므로 기준 전압(Vref) 및 (i-2) 번째 행의 데이터 전압(Vdata)은 축전기(C1)에 전달되지 않는다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자 전압 (Vng)은 변하지 않게 되므로 i 번째 행의 영상 표시에 영향을 미치지 않는다.The scanning signal V gi-1 and the data voltage Vdata at the front end in this section TB1 are used to display an image in the pixels of the (i-1) th row and the (i-2) th row. Therefore, in this section TB1, the effect that the scan signal V gi-1 and the data voltage Vdata at the front end may have on the pixels in the i-th row rather than to perform the display operation on the pixels in the i-th row is substantially. It is a section set to remove. That is, even if the front end scan signal V gi-1 becomes the high voltage Von and the switching transistor Qs3 connected to the front end scan signal line Gi -1 is turned on, the switching transistor Qs4 is turned off. Therefore, the driving voltage Vdd is cut off from the driving transistor Qd. In addition, since the switching transistor Qs1 is turned off, the data voltage Vdata of the reference voltage Vref and the (i-2) th row is not transmitted to the capacitor C1. Accordingly, the control terminal voltage Vng of the driving transistor Qd does not change, and thus does not affect the image display of the i-th row.
데이터 구동부(500)는 예비 구간(TB1)이 종료되는 시점에서 기준 전압(Vref)을 데이터선(D1-Dm)에 인가한다.The
이어 주사 구동부(400)가 신호 제어부(600)로부터의 주사 제어 신호(CONT1)에 따라 전단의 주사 신호(Vgi-1) 및 주사 신호(Vgi)의 전압값을 고전압(Von)으로 만들어 스위칭 트랜지스터(Qs1, Qs3)를 각각 턴 온시킴으로써 선충전 구간(TB2)이 시작된다.Subsequently, the
발광 신호(Vsi)는 고전압(Von)을 계속 유지하므로 스위칭 트랜지스터(Qs4)는 온 상태를 유지한다. 이와 달리, 필요에 따라 스위칭 트랜지스터(Qs4)를 예비 구간(TB1)에서가 아니라 선충전 구간(TB2)이 시작하면서 턴 온시킬 수도 있다.Since the light emission signal V si maintains the high voltage Von, the switching transistor Qs4 remains on. Alternatively, if necessary, the switching transistor Qs4 may be turned on at the start of the precharge period TB2 instead of in the preliminary period TB1.
스위칭 트랜지스터(Qs1)가 턴 온되어 기준 전압(Vref)이 데이터선(D1-Dm)을 통하여 축전기(C1)의 단자(n2)에 인가되는 것을 제외하고, 선충전 구간(TB2)에서의 동작은 앞선 실시예에서의 선충전 구간(TA1)에서의 동작과 실질적으로 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.In the precharge period TB2, except that the switching transistor Qs1 is turned on so that the reference voltage Vref is applied to the terminal n2 of the capacitor C1 through the data lines D 1 -D m . Since the operation is substantially the same as the operation in the precharge section TA1 in the foregoing embodiment, a detailed description thereof will be omitted.
다시 발광 구동부(700)가 신호 제어부(600)로부터의 발광 제어 신호(CONT3) 에 따라 발광 신호(Vsi)를 저전압(Voff)으로 바꾸어 스위칭 트랜지스터(Qs4)를 턴 오프시킴으로써 본충전 구간(TB3)이 시작된다. 전단의 주사 신호(Vgi-1) 및 주사 신호(Vgi)는 이 구간(TB3)에서도 고전압(Von)을 계속 유지하므로 스위칭 트랜지스터 (Qs1, Qs3)는 온 상태를 유지한다.The
이에 따라 축전기(C1)는 [수학식 2]에서의 전압(Vc)을 충전한다. 이 구간(TB3)에서 전압(Vc)을 충전하는 동작은 앞선 실시예의 본충전 구간(TA2)에서의 그것과 실질적으로 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.Accordingly, the capacitor C1 charges the voltage Vc in [Equation 2]. Since the operation of charging the voltage Vc in this section TB3 is substantially the same as that in the main charging section TA2 of the foregoing embodiment, detailed description thereof will be omitted.
소정 시간 경과 후 주사 구동부(400)는 신호 제어부(600)로부터의 주사 제어 신호(CONT1)에 따라 주사 신호(Vgi)를 저전압(Voff)으로 바꾸어 스위칭 트랜지스터 (Qs1)를 턴 오프시킨다. 그러면, 그 후 데이터 구동부(500)가 (i-1) 번째 행의 영상 표시를 위한 데이터 전압(Vdata)을 데이터선(D1-Dm)에 인가하더라도 i 번째 행의 화소는 영향을 받지 않는다.After a predetermined time elapses, the
또 다시 소정 시간이 경과한 후 주사 구동부(400)는 신호 제어부(600)로부터의 주사 제어 신호(CONT1)에 따라 전단의 주사 신호(Vgi-1)를 저전압(Voff)으로 만들고, 데이터 구동부(500)는 신호 제어부(600)로부터의 데이터 제어 신호(CONT2)에 따라 기준 전압(Vref)을 데이터선(D1-Dm)에 인가한다.In addition, after a predetermined time has elapsed, the
이어 주사 구동부(400)는 신호 제어부(600)로부터의 주사 제어 신호(CONT1)에 따라 주사 신호(Vgi)의 전압값을 고전압(Von)으로 만들어 스위칭 트랜지스터 (Qs1)를 턴 온시킴으로써 기입 구간(TB4)이 시작한다.Following the
전단의 주사 신호(Vgi-1) 및 발광 신호(Vsi)는 이 구간(TB4)에서 저전압(Voff)을 계속 유지하므로 스위칭 트랜지스터(Qs3, Qs4)는 오프 상태를 유지한다.Since the scan signal V gi-1 and the light emission signal V si at the front end maintain the low voltage Voff in this period TB4, the switching transistors Qs3 and Qs4 maintain the off state.
기입 구간(TB4)이 시작하면 축전기(C1)의 단자(n2)에 기준 전압(Vref)이 인가된다. 이 기준 전압(Vref)은 다음 행(i+1)의 표시 동작을 위한 것으로서, 이 기준 전압(Vref)이 축전기(C1)의 단자(n2)에 인가되더라도 축전기(C1)가 충전하고 있는 전압(Vc) 및 제어 단자 전압(Vng)에는 영향을 미치지 않는다.When the write period TB4 starts, the reference voltage Vref is applied to the terminal n2 of the capacitor C1. The reference voltage Vref is for the display operation of the next row i + 1, and the voltage charged by the capacitor C1 even when the reference voltage Vref is applied to the terminal n2 of the capacitor C1 ( Vc) and the control terminal voltage Vng are not affected.
소정 시간 경과 후 데이터 구동부(500)는 신호 제어부(600)로부터의 데이터 제어 신호(CONT2)에 따라 i 번째 행의 데이터 전압(Vdata)을 데이터선(D1-Dm)에 인가한다. 이에 따라 축전기(C1)는 이 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자(ng)에 전달하며, [수학식 4]에서의 전압(Vng)을 유지한다.After a predetermined time elapses, the
데이터 전압(Vdata)의 기입 동작은 앞선 실시예의 기입 구간(TA3)에서의 기입 동작과 실질적으로 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Since the write operation of the data voltage Vdata is substantially the same as the write operation in the write period TA3 of the foregoing embodiment, a detailed description thereof will be omitted.
발광 구동부(700)가 신호 제어부(600)로부터의 발광 제어 신호(CONT3)에 따라 발광 신호(Vsi)를 고전압(Von)으로 바꾸어 스위칭 트랜지스터(Qs4)를 턴 온시키고, 주사 구동부(400)가 신호 제어부(600)로부터의 주사 제어 신호(CONT1)에 따라 주사 신호(Vgi)를 저전압(Voff)으로 바꾸어 스위칭 트랜지스터(Qs1)를 턴 오프시킴으로써 발광 구간(TB5)이 시작된다. 전단의 주사 신호(Vgi-1)는 이 구간(TB5)에서도 저전압(Voff)을 계속 유지하므로 스위칭 트랜지스터(Qs3)는 오프 상태로 유지된다.The
이 구간(TB5)에서의 표시 동작은 앞선 실시예의 발광 구간(TA4)에서의 표시 동작과 실질적으로 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.Since the display operation in this section TB5 is substantially the same as the display operation in the light emitting section TA4 of the foregoing embodiment, detailed description thereof will be omitted.
결국 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자 전압(Vng)이 발광 구간(TB5) 동안 [수학식 4]를 충족하므로 구동 트랜지스터 (Qd)의 문턱 전압(Vth)과 유기 발광 소자(OLED)의 문턱 전압(Vto)이 열화되더라도 이를 보상할 수 있다.As a result, in the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment, since the control terminal voltage Vng of the driving transistor Qd satisfies Equation 4 during the light emitting period TB5, the threshold voltage Vth of the driving transistor Qd Even if the threshold voltage Vto of the organic light emitting diode OLED is deteriorated, it may be compensated.
또한 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기준 전압(Vref)을 데이터 구동부(500)를 통하여 인가함으로써 스위칭 트랜지스터 및 배선의 수효를 줄일 수 있다. 또한 기준 전압(Vref)을 행별로 또는 열별로 또는 화소별로 다르게 인가할 수 있으므로 표시판(300)의 휘도를 전체적으로 더욱 균일하게 조정할 수 있다.In addition, the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment may reduce the number of switching transistors and wirings by applying the reference voltage Vref through the
이와 같이, 3개의 스위칭 트랜지스터, 하나의 구동 트랜지스터, 유기 발광 소자 및 축전기를 구비하여 이 축전기에 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 유기 발광 소자의 문턱 전압에 의존하는 전압을 저장함으로써 구동 트랜지스터 및 유기 발광 소자의 문턱 전압이 변동하더라도 이를 보상하여 화질 열화를 방지할 수 있다.As described above, three switching transistors, one driving transistor, an organic light emitting element, and a capacitor are provided to store a voltage in the capacitor depending on the threshold voltage of the driving transistor and the threshold voltage of the organic light emitting element. Even if the threshold voltage fluctuates, it can compensate for this and prevent deterioration of image quality.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.
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Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8629819B2 (en) * | 2005-07-14 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
KR100666640B1 (en) * | 2005-09-15 | 2007-01-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electroluminescent display device |
KR101324756B1 (en) | 2005-10-18 | 2013-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Display device and driving method thereof |
US7692610B2 (en) | 2005-11-30 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP5478000B2 (en) * | 2005-11-30 | 2014-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device, display module, and electronic device |
KR100745417B1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-08-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Light emitting display device and the method for driving it |
US20070273618A1 (en) * | 2006-05-26 | 2007-11-29 | Toppoly Optoelectronics Corp. | Pixels and display panels |
JP2007316454A (en) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Sony Corp | Image display device |
JP4240068B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-03-18 | ソニー株式会社 | Display device and driving method thereof |
TWI343042B (en) * | 2006-07-24 | 2011-06-01 | Au Optronics Corp | Light-emitting diode (led) panel and driving method thereof |
JP4984715B2 (en) * | 2006-07-27 | 2012-07-25 | ソニー株式会社 | Display device driving method and display element driving method |
JP4168290B2 (en) | 2006-08-03 | 2008-10-22 | ソニー株式会社 | Display device |
JP2008107785A (en) * | 2006-09-29 | 2008-05-08 | Seiko Epson Corp | Electro-optic device and electronic equipment |
TWI442368B (en) | 2006-10-26 | 2014-06-21 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device, display device, and semiconductor device and method for driving the same |
JP4887203B2 (en) | 2006-11-14 | 2012-02-29 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | Pixel, organic electroluminescent display device, and driving method of organic electroluminescent display device |
JP2008152221A (en) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Samsung Sdi Co Ltd | Pixel and organic electric field light emitting display device using the same |
US20080150421A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting apparatus |
KR100821055B1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-04-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light emitting diodes display device and method of the same |
KR100873074B1 (en) * | 2007-03-02 | 2008-12-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Pixel, Organic Light Emitting Display Device and Driving Method Thereof |
KR100873076B1 (en) * | 2007-03-14 | 2008-12-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Pixel, Organic Light Emitting Display Device and Driving Method Thereof |
TWI404446B (en) * | 2007-04-17 | 2013-08-01 | Chi Mei El Corp | Organic light-emitting display and control method thereof |
JP2008287141A (en) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Sony Corp | Display device, its driving method, and electronic equipment |
JP5148951B2 (en) * | 2007-08-30 | 2013-02-20 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Image display device and driving method of image display device |
US8264428B2 (en) * | 2007-09-20 | 2012-09-11 | Lg Display Co., Ltd. | Pixel driving method and apparatus for organic light emitting device |
JP5028207B2 (en) * | 2007-09-28 | 2012-09-19 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Image display device and driving method of image display device |
KR101404547B1 (en) * | 2007-12-26 | 2014-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and driving method thereof |
KR100922071B1 (en) | 2008-03-10 | 2009-10-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Pixel and Organic Light Emitting Display Using the same |
KR100962961B1 (en) | 2008-06-17 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Pixel and Organic Light Emitting Display Using the same |
JP5449733B2 (en) * | 2008-09-30 | 2014-03-19 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Image display device and driving method of image display device |
KR101269000B1 (en) * | 2008-12-24 | 2013-05-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic electro-luminescent display device and driving method thereof |
TWI425479B (en) * | 2009-09-01 | 2014-02-01 | Univ Nat Taiwan Science Tech | Pixel and driving method thereof and illuminating device |
KR101058110B1 (en) | 2009-09-16 | 2011-08-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Pixel circuit of display panel, driving method thereof, and organic light emitting display device including same |
KR101058111B1 (en) * | 2009-09-22 | 2011-08-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Pixel circuit of display panel, driving method thereof, and organic light emitting display device including same |
KR101770633B1 (en) * | 2010-08-11 | 2017-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | Pixel and Organic Light Emitting Display Device Using the same |
CN102820001A (en) * | 2011-06-07 | 2012-12-12 | 东莞万士达液晶显示器有限公司 | Organic light emitting diode (OLED) pixel circuit |
CN102654975B (en) * | 2011-11-01 | 2014-08-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | AMOLED (active matrix/organic light emitting diode) drive compensation circuit and method and display device thereof |
KR101993400B1 (en) * | 2012-10-10 | 2019-10-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Display Device and Driving Method Thereof |
CN103117040B (en) * | 2013-01-25 | 2016-03-09 | 北京大学深圳研究生院 | Image element circuit, display device and display drive method |
CN103258501B (en) * | 2013-05-21 | 2015-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel circuit and driving method thereof |
US9773443B2 (en) * | 2013-06-06 | 2017-09-26 | Intel Corporation | Thin film transistor display backplane and pixel circuit therefor |
CN103927990B (en) | 2014-04-23 | 2016-09-14 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | The image element circuit of OLED and driving method, OLED |
KR102234020B1 (en) * | 2014-09-17 | 2021-04-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Display |
CN104282269B (en) * | 2014-10-17 | 2016-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of display circuit and driving method thereof and display device |
CN104282270B (en) | 2014-10-17 | 2017-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | Gate drive circuit, displaying circuit, drive method and displaying device |
KR102303663B1 (en) * | 2015-02-12 | 2021-09-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | Coupling compensating device of display panel and display device having the same |
CN105702214B (en) * | 2016-04-12 | 2018-03-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | AMOLED pixel-driving circuits and image element driving method |
CN106782426B (en) * | 2017-03-31 | 2019-06-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Driving circuit and liquid crystal display |
CN106710527A (en) * | 2017-03-31 | 2017-05-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Driving circuit and liquid crystal display equipment |
CN107919093A (en) | 2018-01-05 | 2018-04-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of pixel compensation circuit and its driving method, display device |
CN109509428B (en) * | 2019-01-07 | 2021-01-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel driving circuit, pixel driving method and display device |
KR102710277B1 (en) * | 2019-11-12 | 2024-09-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | Electroluminescent display panel having the pixel driving circuit |
CN110782842A (en) * | 2019-11-25 | 2020-02-11 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | Self-luminous display device and in-pixel compensation circuit |
KR20220016346A (en) * | 2020-07-30 | 2022-02-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
CN112864211B (en) * | 2021-01-27 | 2022-10-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Display panel and display device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020080002A (en) * | 2001-01-15 | 2002-10-21 | 소니 가부시끼 가이샤 | Active-matrix display, active-matrix organic electroluminescence display, and methods for driving them |
KR20030073116A (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | 삼성전자주식회사 | Organic electroluminescent display and driving method thereof |
KR20030095215A (en) * | 2002-06-11 | 2003-12-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | Light emitting display device and display panel and driving method thereof |
KR20040009285A (en) * | 2002-07-23 | 2004-01-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | Display device of organic electro luminescent and driving method there of |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3767877B2 (en) * | 1997-09-29 | 2006-04-19 | 三菱化学株式会社 | Active matrix light emitting diode pixel structure and method thereof |
US6348906B1 (en) * | 1998-09-03 | 2002-02-19 | Sarnoff Corporation | Line scanning circuit for a dual-mode display |
JP4126909B2 (en) | 1999-07-14 | 2008-07-30 | ソニー株式会社 | Current drive circuit, display device using the same, pixel circuit, and drive method |
JP4831889B2 (en) * | 2000-06-22 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
JP4982014B2 (en) * | 2001-06-21 | 2012-07-25 | 株式会社日立製作所 | Image display device |
JP2003108086A (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Sanyo Electric Co Ltd | Active matrix type display device |
JP2003108067A (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Sanyo Electric Co Ltd | Display device |
JP3732477B2 (en) * | 2001-10-26 | 2006-01-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Pixel circuit, light emitting device, and electronic device |
TW540025B (en) * | 2002-02-04 | 2003-07-01 | Au Optronics Corp | Driving circuit of display |
JP3956347B2 (en) * | 2002-02-26 | 2007-08-08 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | Display device |
GB0205859D0 (en) | 2002-03-13 | 2002-04-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display device |
US7109952B2 (en) * | 2002-06-11 | 2006-09-19 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Light emitting display, light emitting display panel, and driving method thereof |
KR100489272B1 (en) | 2002-07-08 | 2005-05-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Organic electroluminescence device and method for driving the same |
US6847340B2 (en) * | 2002-08-16 | 2005-01-25 | Windell Corporation | Active organic light emitting diode drive circuit |
KR20040019207A (en) * | 2002-08-27 | 2004-03-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Organic electro-luminescence device and apparatus and method driving the same |
KR100906964B1 (en) * | 2002-09-25 | 2009-07-08 | 삼성전자주식회사 | Element for driving organic light emitting device and display panel for organic light emitting device with the same |
JP3832415B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-10-11 | ソニー株式会社 | Active matrix display device |
GB0307320D0 (en) * | 2003-03-29 | 2003-05-07 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix display device |
CN100367333C (en) | 2003-04-24 | 2008-02-06 | 友达光电股份有限公司 | Method for driving organic light emitting diode |
KR100515299B1 (en) | 2003-04-30 | 2005-09-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | Image display and display panel and driving method of thereof |
JP3772889B2 (en) * | 2003-05-19 | 2006-05-10 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optical device and driving device thereof |
JP4062179B2 (en) * | 2003-06-04 | 2008-03-19 | ソニー株式会社 | Pixel circuit, display device, and driving method of pixel circuit |
US6937215B2 (en) * | 2003-11-03 | 2005-08-30 | Wintek Corporation | Pixel driving circuit of an organic light emitting diode display panel |
JP2005189387A (en) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sony Corp | Display device, and method for driving display device |
JP4945063B2 (en) * | 2004-03-15 | 2012-06-06 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | Active matrix display device |
KR101142994B1 (en) * | 2004-05-20 | 2012-05-08 | 삼성전자주식회사 | Display device and driving method thereof |
-
2004
- 2004-06-22 KR KR1020040046492A patent/KR101080351B1/en active IP Right Grant
-
2005
- 2005-05-31 TW TW094117824A patent/TWI405157B/en active
- 2005-06-20 CN CNB2005100768784A patent/CN100541574C/en active Active
- 2005-06-20 JP JP2005179801A patent/JP4963013B2/en active Active
- 2005-06-21 US US11/157,583 patent/US7864141B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020080002A (en) * | 2001-01-15 | 2002-10-21 | 소니 가부시끼 가이샤 | Active-matrix display, active-matrix organic electroluminescence display, and methods for driving them |
KR20030073116A (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | 삼성전자주식회사 | Organic electroluminescent display and driving method thereof |
KR20030095215A (en) * | 2002-06-11 | 2003-12-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | Light emitting display device and display panel and driving method thereof |
KR20040009285A (en) * | 2002-07-23 | 2004-01-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | Display device of organic electro luminescent and driving method there of |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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