KR100790789B1 - Semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래의 일반적인 반도체 공정장치를 개략적으로 나타낸 구성도, 1 is a schematic view showing a conventional general semiconductor processing apparatus;
도 2는 본 발명에 따른 반도체 공정장치의 구성도, 2 is a block diagram of a semiconductor processing apparatus according to the present invention;
도 3은 도 2에 도시된 일실시예에 따른 버퍼챔버의 단면도 및 평면도, 3 is a cross-sectional view and a plan view of a buffer chamber according to the embodiment shown in FIG.
도 4는 도 2에 도시된 다른 실시예에 따른 버퍼챔버의 단면도 및 평면도이다. 4 is a cross-sectional view and a plan view of a buffer chamber according to another exemplary embodiment shown in FIG. 2.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* * Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10 : 공정챔버 20 : 이송챔버10: process chamber 20: transfer chamber
25 : 웨이퍼 핸들러 30 : 이송부 25: wafer handler 30: transfer unit
31 : 로봇아암 32, 33 : 로드 포트 31:
50 : 버퍼챔버 51 : 승강구동부 50: buffer chamber 51: elevating drive unit
55 : 가열부 55: heating unit
57 : 냉각부 58 : 진공펌프 57
59 : 가압벤팅펌프 60 : 적재스테이션59: pressurized venting pump 60: loading station
70 : 차단막 70: blocking film
P1, P2, P3 : 공정스테이션 W : 웨이퍼 P1, P2, P3: Process Station W: Wafer
D1 : 제1도어 D2 : 제2도어 D1: first door D2: second door
D3 : 제3도어 D4 : 제4도어D3: 3rd Door D4: 4th Door
S1 : 제1적재부 S2 : 제2적재부 S1: first loading part S2: second loading part
본 발명은 반도체 공정장치에 관한 것으로서, 특히, 이송부와 이송챔버사이에 버퍼챔버를 마련함으로써 이송챔버 전체를 진공 및 대기압상태로 전환할 필요가 없는 반도체 공정장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor processing apparatus, and more particularly, to a semiconductor processing apparatus which eliminates the need to convert the entire transfer chamber into vacuum and atmospheric pressure by providing a buffer chamber between the transfer section and the transfer chamber.
일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 대상물인 웨이퍼를 박막증착, 식각, 세정 등의 공정을 수회 내지 수십 회 반복하여 실시하여야 하는 바, 이러한 각 공정은 최적의 환경이 조성된 반도체 공정장치에서 수행된다. In general, in order to manufacture a semiconductor device, a wafer, which is an object, must be repeatedly performed several times to several tens of processes such as thin film deposition, etching, and cleaning. Each of these processes is performed in a semiconductor processing apparatus having an optimal environment.
도 1은 전술한 반도체 공정장치의 일예를 개략적으로 도시한 구성도이다. 1 is a configuration diagram schematically showing an example of the semiconductor processing apparatus described above.
도면을 참조하면, 반도체 공정장치는, 납작한 다각형 형상의 이송챔버(120)와, 이송챔버(120)의 측부에 결합되는 다수의 공정챔버(110)와, 이송챔버(120)로 웨이퍼(W)를 반입 및 반출하는 이송부(130)를 포함한다. Referring to the drawings, the semiconductor processing apparatus includes a flat
공정챔버(110)는 통상 고진공 상태를 유지하면서 웨이퍼(W)에 대한 각종 공정을 수행하며, 이송챔버(120)는 내부에 위치하는 웨이퍼 핸들러(125)에 의해 공정챔버(110)와 공정챔버(110) 사이 또는 공정챔버(110)와 이송챔버(120) 사이에서 웨이퍼를 이송하는 공간으로서 역시 진공상태를 유지한다. The
이송부(130)는 이송챔버(120)로 반입될 웨이퍼(W)를 이송하는 로봇아암(131) 이 마련되어 있으며, 상시 대기압상태를 유지하고 있다. The
이에, 이송부(130)로부터 공정챔버(110)로 웨이퍼(W)를 반입하기 위해서는, 먼저, 이송챔버(120)의 제4도어(D4)를 개방하기 전에 이송챔버(120) 내부를 가압벤팅펌프(159)를 이용하여 대기압상태로 전환해야 한다. Accordingly, in order to bring the wafer W into the
반대로, 이송챔버(120)에서 공정챔버(110)로 웨이퍼(W)를 로딩하기 위해서는 제4도어(D4)를 폐쇄한 후, 이송챔버(120) 내부를 진공펌프(158)를 이용하여 진공상태로 전환해야 한다. On the contrary, in order to load the wafer W from the
그런데, 이송챔버(120)는 측벽을 따라 복수개의 공정챔버(110)가 결합되어 있으며, 내부에는 각 공정챔버(110)로 웨이퍼(W)를 이송하기 위한 웨이퍼 핸들러(125)가 장착되어있으므로, 상대적으로 큰 부피를 갖게 된다. However, the
따라서, 이송챔버(120)가 이송부(130)에 바로 연결되어 있는 경우에는 이송챔버(120) 전체를 진공상태와 대기압상태 사이에서 전환해야 하므로, 상대적으로 큰 용량의 진공펌프(158) 및 가압벤팅펌프(159)가 필요하게 되며, 진공 및 대기상태로 전환하는데에도 더 많은 시간이 필요하게 된다. Therefore, when the
특히, 공정챔버(110)가 복수로 마련되어 웨이퍼(W) 처리량이 많은 경우나, 이종(異種)의 공정을 동시에 처리하도록 마련되어 웨이퍼(W)의 반입/반출이 잦은 경우에는 그만큼 대기시간이 증가하게 되어, 전체 작업시간의 증가하게 되고, 이에 따라 생산성이 저하되는 문제점이 있었다. In particular, when a plurality of
따라서, 본 발명의 목적은, 웨이퍼가 이송챔버로 반입 또는 반출될 때, 이송 챔버 전체를 진공 및 대기압 상태로 전환할 필요가 없이, 상대적으로 적은 공간을 갖는 버퍼챔버 만을 진공 및 대기압상태에서 전환함으로써 진공 및 대기압상태로 전환하는 데 필요한 대기시간을 줄일 수 있는 반도체 공정장치를 제공하는 데 있다. Accordingly, it is an object of the present invention, by switching only the buffer chamber having a relatively small space in vacuum and atmospheric pressure, without the need to switch the entire transfer chamber into a vacuum and atmospheric state when the wafer is brought into or taken out of the transfer chamber. The present invention provides a semiconductor processing apparatus capable of reducing the waiting time required for transition to vacuum and atmospheric pressure.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 웨이퍼 핸들러가 내장된 이송챔버; 상기 이송챔버에 개폐 가능하게 연결된 하나 이상의 공정챔버; 웨이퍼를 이송하는 로봇아암이 구비된 이송부; 및 상기 이송부와 이송챔버 사이에 마련되며, 양측이 상기 이송챔버 및 이송부에 선택적으로 개폐되면서 상기 이송부로 이송된 웨이퍼가 적재되는 버퍼챔버;를 포함한다. In order to achieve the above object, the present invention, the transfer chamber is embedded with a wafer handler; At least one process chamber connected to the transfer chamber to be opened and closed; A transfer unit having a robot arm for transferring a wafer; And a buffer chamber provided between the transfer unit and the transfer chamber, the both sides of which are selectively opened and closed to transfer the wafer transferred to the transfer unit.
여기서, 상기 버퍼챔버 내부를 진공상태와 대기압상태로 전환하게 하는 진공펌프 및 가압벤팅펌프를 더 포함할 수 있다. The method may further include a vacuum pump and a pressure venting pump for converting the inside of the buffer chamber into a vacuum state and an atmospheric pressure state.
바람직하게는, 상기 버퍼챔버는 내부에 상기 이송부로부터 전달된 웨이퍼가 적재되는 적재스테이션이 마련될 수 있다. Preferably, the buffer chamber may be provided with a loading station in which the wafer transferred from the transfer unit is loaded.
상기 적재스테이션은 상기 공정챔버에서 공정처리된 웨이퍼가 적재되는 제1적재부와, 미공정처리된 웨이퍼가 적재되는 제2적재부로 분할되며 마련될 수 있다. The loading station may be divided into a first loading part in which a wafer processed in the process chamber is loaded and a second loading part in which an unprocessed wafer is loaded.
바람직하게는, 상기 적재스테이션은 상기 웨이퍼가 상하로 적재되는 카셋트 타입으로 마련되며, 상기 제1적재부 및 제2적재부는 상하로 분할될 수 있다. Preferably, the loading station is provided in a cassette type in which the wafer is loaded up and down, and the first loading portion and the second loading portion may be divided up and down.
여기서, 상기 웨이퍼 핸들러가 상기 제1적재부 및 제2적재부에 선택적으로 접근가능하도록 상기 적재스테이션을 상하로 승강 가능하게 지지하는 승강구동부를 더 포함할 수 있다. Here, the wafer handler may further include a lifting and lowering driving unit for supporting the loading station to be able to lift up and down to selectively access the first loading portion and the second loading portion.
한편, 상기 적재스테이션은 상기 공정챔버에서 공정처리된 웨이퍼가 적재되는 제1적재부와, 상기 제1적재부의 일측에 나란하게 마련되어 미공정처리된 웨이퍼가 적재되는 제2적재부를 포함하는 것을 특징으로 하는 2 이상으로 마련되어 상기 버퍼챔버 내에 좌우로 나란하게 배치될 수 있다. On the other hand, the loading station comprises a first loading portion in which the wafer processed in the process chamber is loaded, and a second loading portion in which the unprocessed wafer is loaded in parallel to one side of the first loading portion. It may be provided in two or more to be arranged side by side in the buffer chamber.
이 경우, 상기 웨이퍼 핸들러가 상기 제1적재부 및 제2적재부에 선택적으로 접근가능하도록 상기 버퍼챔버를 좌우로 수평이동하게 하는 수평구동부를 더 포함하는 것이 바람직하다. In this case, it is preferable that the wafer handler further comprises a horizontal driving unit for horizontally moving the buffer chamber from side to side so as to selectively access the first loading portion and the second loading portion.
또한, 상기 제1적재부 및 제2적재부를 상하로 승강가능하게 하는 승강구동부를 더 포함할 수 있다. The apparatus may further include an elevating driving unit configured to elevate the first and second loading units up and down.
바람직하게는, 상기 적재스테이션을 가열하는 가열부 및 냉각하는 냉각부 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. Preferably, the apparatus may further include at least one of a heating unit and a cooling unit for heating the loading station.
여기서, 상기 가열부 및 냉각부는 상기 적재스테이션의 일부 영역을 가열/냉각할 수 있다. Here, the heating unit and the cooling unit may heat / cool a portion of the loading station.
바람직하게는, 상기 제1적재부와 제2적재부 사이에 마련되어, 상기 공정처리된 웨이퍼를 미공정처리된 웨이퍼와 차단시키는 차단막을 더 포함할 수 있다. Preferably, the semiconductor device may further include a blocking layer provided between the first loading portion and the second loading portion to block the processed wafer from the unprocessed wafer.
더욱 바람직하게는, 상기 차단막은 절연재질을 포함할 수 있다. More preferably, the barrier layer may include an insulating material.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 공정장치는, 웨이퍼 핸들러(25)가 내장된 이송챔버(20)와, 이송챔버(20)에 개폐 가능하게 연결된 하나 이상의 공정챔버(10)와, 웨이퍼(W)를 이송하는 로봇아암(31)이 구비된 이송부(30); 및 이송부(30)와 이송챔버(20) 사이에 마련되며, 양측이 이송챔버(20) 및 이송부(30)에 선택적으로 개폐되면서 이송부(30)로 이송된 웨이퍼(W)가 적재되는 버퍼챔버(50);를 포함한다. Referring to FIG. 2, the semiconductor processing apparatus according to the present invention includes a
여기서, 버퍼챔버(50) 내부를 진공상태와 대기압상태로 전환하게 하는 진공펌프(58) 및 가압벤팅펌프(59)를 더 포함할 수 있다. Here, the
또한, 버퍼챔버(50) 내부에 마련된 적재스테이션(60)을 상하 방향으로 승강하게 하는 승강구동부(51) 또는 좌우로 수평이동하게 하는 수평이동부(미도시) 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. The apparatus may further include at least one of an
또한, 적재스테이션(60)이 제1적재부(S1)와 제2적재부(S2)로 분할되는 경우에는, 제1적재부(S1)와 제2적재부(S2) 사이에 절연재질의 차단막(70)을 더 포함할 수 있다. In addition, when the
이하, 구성별로 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the configuration will be described in detail.
이송챔버(20)는 내부에 웨이퍼 핸들러(25)를 구비하며, 공정챔버(10) 및 버퍼챔버(50)와 연통되어, 버퍼챔버(50)로부터 각 공정챔버(10)로 웨이퍼(W)를 이송할 수 있도록 마련된다. The
이송챔버(20)는 내부가 진공상태를 유지하도록 별도의 진공펌프(미도시)를 구비하고 있으며, 공정챔버(10)와는 제3도어(D3)에 의해, 버퍼챔버(50)와는 제2도어(D2)에 의해 연결되어 있다. The
웨이퍼 핸들러(25)는 공정챔버(10)와 이송챔버(20) 사이 또는 버퍼챔버(50)와 이송챔버(20) 사이에서 웨이퍼(W)를 이송한다. The
여기서, 웨이퍼 핸들러(25)는 다양한 구성으로 마련될 수 있으며, 도 2에 도시된 바와 같이, 다관절 아암을 구비하여 1개로 마련될 수도 있고, 단일 아암을 구비하여 복수개로 마련될 수도 있다. Here, the
공정챔버(10)는 이송챔버(20)에 개폐가능하게 마련되어 웨이퍼 핸들러(25)에 의해 이송되는 웨이퍼(W)가 로딩되어 각 공정을 수행하도록 마련된다. The
통상 반도체 소자는 미세한 파티클(Particle)에 의해서도 공정불량이 발생하기 때문에 고도로 청결한 클린룸(Clean room) 내부에서 제조되어야 하며, 이를 위해, 공정챔버(10)는 고진공펌프(미도시)의 가동에 의해서 고진공상태를 유지함으로써 파티클에 의한 공정영향성을 배제시킨다. In general, semiconductor devices have to be manufactured in highly clean clean rooms because process defects are generated even by fine particles. For this purpose, the
따라서, 공정챔버(10)는 통상 고진공상태를 유지하면서 웨이퍼(W)에 대한 박막증착, 식각, 세정 등의 공을 수행하도록 마련된다. Therefore, the
공정챔버(10)는 필요에 따라 다양한 수로 마련될 수 있다.
공정챔버(10)가 복수 개로 마련되는 경우에는 각 공정챔버(10)는 동일한 공정을 병렬적으로 진행하도록 마련될 수도 있고, 각 공정챔버(10)가 각각 다른 공정을 순차적으로 수행하도록 마련될 수 있다. When a plurality of
이송부(30)는 웨이퍼(W)를 이송하는 로봇아암(31)을 구비하며 마련된다. The
이송부(30)는 EFEM(Equipment fron end module)이라고도 하며, 내부에 로봇아암(31)을 통해 미공정처리된 웨이퍼(W)를 버퍼챔버(50)로 반입하거나 공정처리된 웨이퍼(W)를 외부로 반출하도록 마련된다. The
이송부(30)는 항상 대기압 상태를 유지하며, 제1도어(D1)를 사이에 두고 버퍼챔버(50)와 연결된다. The
이송부(30)의 일측에는 이송된 웨이퍼(W)가 일시 적재되는 하나 이상의 로드포트(load port)가 마련되어 있으며, 로봇아암(31)은 좌우로 이동되면서 로드포트(32, 33)로부터 웨이퍼(W)를 버퍼챔버(50) 내부로 이송한다. One side of the
버퍼챔버(50)는 이송부(30)와 이송챔버(20) 사이에 마련되며, 양측이 이송챔버(20) 및 이송부(30)에 선택적으로 개폐되면서 이송부(30)에 의해 이송된 웨이퍼(W)가 적재된다. The
여기서, 버퍼챔버(50) 내부를 진공상태와 대기압상태로 전환하게 하는 진공펌프(58) 및 가압벤팅펌프(59)를 더 포함할 수 있다. Here, the
이송챔버(20)는 진공상태이고, 이송부(30)는 대기압 상태이므로, 버퍼챔버(50)는 이송챔버(20)와 이송부(30) 사이에 마련되어 완충역할을 하도록 마련된다. Since the
즉, 이송부(30)로부터 웨이퍼(W)가 반입되는 경우에는 가압벤팅(Venting)펌 프(59)를 작동하여 버퍼챔버(50) 내부를 대기압상태로 전환한 다음 제1도어(D1)를 개방하여 웨이퍼(W)를 적재한다. That is, when the wafer W is carried from the
그리고, 적재된 웨이퍼(W)를 공정챔버(10)로 이송할 경우에는 제1도어(D1)를 폐쇄하고, 진공펌프(58)를 구동하여 버퍼챔버(50) 내부를 진공상태로 전환한 다음 제2도어(D2)를 개방하여 웨이퍼 핸들러(25)가 적재스테이션(60)에 접근하도록 한다. When the loaded wafer W is transferred to the
이 경우, 버퍼챔버(50)는 이송챔버(20)에 비해 상대적으로 적은 크기를 가지며 마련된다. 즉, 이송챔버(20)는 측벽을 따라 복수개의 공정챔버(10)가 결합되어 있으며, 내부에는 각 공정챔버(10)로 웨이퍼(W)를 이송하기 위한 웨이퍼 핸들러(25)가 마련되기 때문이다. In this case, the
따라서, 본 발명에 따른 버퍼챔버(50)를 구비한 반도체 공정장치의 경우에는 버퍼챔버(50) 만을 진공 및 대기압상태에서 전환하면 되므로, 상대적으로 적은 용량의 진공펌프(58) 및 가압벤팅펌프(59)가 필요하게 되며, 진공 및 대기압상태로 전환하는 데 필요한 대기시간이 줄어들게 되므로 전체작업시간이 단축되는 효과가 있다. Accordingly, in the case of the semiconductor processing apparatus having the
또한, 상대적으로 복잡한 구성을 갖는 이송챔버(20) 내에 진공펌프(58) 및 가압벤팅펌프(59)를 장착할 필요가 없으므로 장치 설계가 용이해진다. In addition, since the
진공펌프(58)는 다양한 종류로 마련될 수 있으며, 예를 들어, 러핑(Roughin)펌프로 마련될 수 있다. The
가압벤팅펌프(59)는 예를 들어, 아르곤이나 질소등 비활성 가스를 버퍼챔 버(50) 내부로 주입하여 내부 압력을 대기압상태 또는 적정수준으로 조정하도록 마련된다. The
여기서, 상기 진공펌프(58) 및 가압벤팅펌프(59)는 통상 반도체 제조 공정에 사용되는 다양한 형태의 것이 사용될 수 있음은 물론이다. Here, the
적재스테이션(60)은 버퍼챔버(50) 내부에 마련되어 이송부(30)로부터 전달된 웨이퍼(W)가 적재된다. The
적재스테이션(60)은 다양한 형상으로 마련될 수 있으며, 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 웨이퍼(W)를 상하로 적층하여 적재할 수 있도록 카셋트 타입으로 마련될 수 있다. The
적재스테이션(60)은 필요에 따라 2 이상의 부분으로 분할될 수 있다. The
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 적재스테이션(60)을 나타낸 도면이다. 3 shows a
도면을 참조하면, 적재스테이션(60)은 공정챔버(10)에서 공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제1적재부(S1)와, 미공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제2적재부(S2)로 분할되며 마련될 수 있다. Referring to the drawings, the
이 경우, 제1적재부(S1)와 제2적재부(S2)는 적재스테이션(60)에 상하로 분할되며 마련될 수 있다. In this case, the first loading part S1 and the second loading part S2 may be divided and provided in the
여기서, 상기 제1적재부(S1) 및 제2적재부(S2)의 위치는 필요에 따라 바꾸어 마련될 수도 있음은 물론이다. Here, the positions of the first loading portion (S1) and the second loading portion (S2) may of course be provided as necessary.
승강구동부(51)는 웨이퍼 핸들러(25)가 상하로 분할된 제1적재부(S1) 및 제2 적재부(S2)에 선택적으로 접근가능하도록 적재스테이션(60)을 상하로 승강하도록 마련된다. The
예를 들어, 웨이퍼 핸들러(25)가 미공정 웨이퍼(W)를 적재스테이션(60)으로부터 반출하고자 할 경우에는, 승강구동부(51)는 적재스테이션(60)을 상승시켜 제2적재부(S2)가 웨이퍼 핸들러(25)가 접근할 수 있도록 할 수 있다. For example, when the
반대로, 공정챔버(10)로부터 언로딩된 웨이퍼(W)를 제1적재부(S1)에 반입하고자 하는 경우에는 적재스테이션(60)을 하강시키도록 할 수 있다. On the contrary, when the unloaded wafer W from the
승강구동부(51)는 다양한 종류로 마련될 수 있으며, 예를 들어, 도 3 및 도 4에 도시된 바와같이, 구동모터가 사용될 수도 있고, 유압프레스 또는 공압프레스가 사용될 수도 있다. The
한편, 적재스테이션(60)은 정위치에 고정되어 있고, 웨이퍼 핸들러(25)가 상하로 승강하면서 제1적재부(S1) 및 제2적재부(S2)에 선택적으로 접근하도록 마련될 수도 있다. On the other hand, the
여기서, 상기 적재스테이션(60)이 적정 높이로 상승 또는 하강하였는지 여부를 감지하는 감지부(미도시)를 더 포함할 수 있다. Here, the
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 적재스테이션(60)을 나타낸 도면이다. 4 is a view showing a
도면을 참조하면, 적재스테이션(60)은 공정챔버(10)에서 공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제1적재부(S1)와, 제1적재부(S1)의 일측에 나란하게 마련되어 미공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제2적재부(S2)를 포함할 수 있다. Referring to the drawings, the
여기서, 수평으로 분할되는 적재부(S1, S2)의 갯수는 필요에 따라 다양하게 마련될 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 2개로 마련될 수도 있고, 3개 이상으로 마련될 수도 있다. Here, the number of the horizontally divided loading portion (S1, S2) may be provided in various ways as needed. For example, as shown in Figure 4, may be provided in two, may be provided in three or more.
수평구동부는 웨이퍼 핸들러(25)가 제1적재부(S1) 및 제2적재부(S2)에 선택적으로 접근가능하도록 버퍼챔버(50)를 좌우로 수평이동하도록 마련될 수 있다. The horizontal driving unit may be provided to horizontally move the
예를 들어, 제2적재부(S2)로부터 미공정 웨이퍼(W)를 반출하고자 하는 경우에는 수평구동부는 적재스테이션(60)을 좌측으로 이동시키며, 공정처리된 웨이퍼(W)를 제1적재부(S1)에 반입하고자 하는 경우에는 수평구동부는 적재스테이션(60)을 우측으로 이동시키도록 할 수 있다. For example, when the unprocessed wafer W is to be taken out from the second loading part S2, the horizontal driving part moves the
수평구동부는 다양한 종류로 마련될 수 있으며, 예를 들어, 구동모터와, 구동모터의 구동력을 전달하는 다수의 기어열 또는 벨트로 마련될 수 있다. The horizontal driving unit may be provided in various kinds. For example, the horizontal driving unit may be provided with a driving motor and a plurality of gear trains or belts for transmitting the driving force of the driving motor.
한편, 각 적재부(S1, S2)가 도 4에 도시된 바와 같이, 상하 방향으로 복수의 웨이퍼(W)가 적재되는 카셋트 타입으로 마련되는 경우에는 각 적재부(S1, S2)를 상하로 승강하게 하는 승강구동부(51)가 더 마련될 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 4, when the stacking units S1 and S2 are provided in a cassette type in which a plurality of wafers W are stacked in the vertical direction, the stacking units S1 and S2 are lifted up and down. Elevating driving
가열부(55)는 버퍼챔버(50)에 마련되어 적재스테이션(60)을 가열하도록 마련된다.The
예를 들어, 공정챔버(10)에서 어닐링공정이 진행되는 경우에는, 공정챔버(10)로 웨이퍼(W)를 로딩하기 전에 소정의 온도로 예열을 해야하는 과정이 필요하기 때문이다. For example, when the annealing process is performed in the
이 경우, 가열부(55)는 미공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제2적재부(S2)만을 가열하도록 마련될 수 있다. In this case, the
가열부(55)는 다양한 종류로 마련될 수 있으며, 예를 들어, 전류를 흘려주면 발열하는 전기저항 히터로 마련될 수도 있고, 양단의 전위차에 의해 일단으로부터 타단으로 열을 이동시키는 열전소자(또는 펠티어 소자) 방식으로 마련될 수도 있다. The
여기서, 가열부(55)가 열전소자로 마련되는 경우에는 열전소자의 쿨싱크 쪽은 제1적재부(S1)를 향하도록 하고, 핫싱크 쪽은 제2적재부(S2)를 향하도록 함으로써 각 적재부(S1, S2)의 가열 및 냉각을 동시에 수행하도록 할 수 있다. Here, when the
냉각부(57)는 버퍼챔버(50)에 마련되어 적재스테이션(60)을 냉각하도록 마련된다. The cooling
상기와 같이, 공정챔버(10)에서 어닐링공정을 수행하는 경우에는, 공정처리된 웨이퍼(W)를 버퍼챔버(50) 내의 진공상태에서 상온으로 온도를 감소시켜야 하기 때문이다. As described above, when the annealing process is performed in the
여기서, 냉각부(57)는 공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제1적재부(S1) 만을 냉각하도록 마련될 수 있다. Here, the cooling
전술한 바와 같이, 버퍼챔버(50) 내의 가열 및 냉각공정이 공정챔버(10)에서 수행되는 어닐링공정과 동시에 진행되는 경우에는 예열된 웨이퍼(W)를 버퍼챔버(50)로부터 바로 공정챔버(10)로 이송하면 되므로, 예열을 위한 별도의 공정챔버(10)가 불필요하므로 종래에 비해 공정시간이 단축되게 되어 생산성(Throughput) 이 향상되게 된다. As described above, when the heating and cooling processes in the
차단막(70)은 제1적재부(S1)와 제2적재부(S2) 사이에 마련되어, 공정처리된 웨이퍼(W)를 미공정처리된 웨이퍼(W)와 차단시키도록 마련된다. The blocking
차단막(70)은 공정처리된 웨이퍼(W)와 미공정 웨이퍼(W) 사이의 파티클 및 열적 영향을 차단한다. The blocking
여기서, 차단막(70)은 다양한 재질로 마련될 수 있으며, 예를 들어, 세라믹이나 합성세라믹과 같은 절연재질 또는 내화성 재질을 포함할 수 있다. Here, the blocking
이하, 전술한 구조를 갖는 반도체 공정장치의 작동과정을 도 2 내지 4를 참조하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, an operation process of the semiconductor processing apparatus having the above-described structure will be described with reference to FIGS. 2 to 4.
우선, 중앙에는 진공상태를 유지하며, 내부에 웨이퍼(W)를 이송하기 위한 웨이퍼 핸들러(25)가 마련된 이송챔버(20)가 마련되어 있다. First, a
이송챔버(20)의 일측에는 웨이퍼(W)가 공정처리되는 하나 이상의 공정챔버(10)가 마련되어 있다. 각 공정챔버(10)의 내부에는 웨이퍼 핸들러(25)에 의해 이송된 웨이퍼(W)가 로딩되는 공정스테이션(P1, P2, P3)이 마련되어 있다. One side of the
각 공정챔버(10)와 이송챔버(20)는 제3도어(D3)가 마련되어 있어서, 웨이퍼(W)의 이송시 선택적으로 개폐되면서 공정챔버(10) 내부가 고진공 상태를 유지할 수 있도록 한다. Each
이송챔버(20)의 타측에는 이송부(30)로부터 이송된 웨이퍼(W)가 적재되는 적 재스테이션(60)이 마련된 버퍼챔버(50)가 마련되어 있다. The other side of the
버퍼챔버(50)는 제2도어(D2)에 의해 이송챔버(20)와 연통되며, 제1도어(D1)에 의해 이송부(30)와 연통된다. The
이송부(30)는 대기압상태를 유지하고 있으며, 이송챔버(20)는 진공상태를 유지하고 있으므로, 버퍼챔버(50)는 별도의 진공펌프(58) 및 가압벤팅펌프(59)를 통하여 진공상태 및 대기압상태를 반복하도록 마련된다. Since the
상기와 같은 구성에 의하여, 웨이퍼(W)를 버퍼챔버(50)에 장입하고자 하는 경우를 설명하면 다음과 같다. By the above configuration, a case where the wafer W is to be charged into the
먼저, 가압벤팅펌프(59)를 구동하여 버퍼챔버(50) 내부를 대기압로 전환한다. First, the
여기서, 버퍼챔버(50) 내부가 대기압상태로 되었는지 여부를 감지하는 센서 예를 들면, 기압센서(미도시)가 마련될 수도 있다. Here, a sensor for detecting whether the inside of the
버퍼챔버(50)의 내부가 대기압상태로 되면, 제1도어(D1)가 개방되며, 로봇아암(31)은 웨이퍼(W)를 제1도어(D1)를 통하여 적재스테이션(60)에 적재한다. When the inside of the
이때, 적재스테이션(60)이 공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제1적재부(S1)와 미공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제2적재부(S2)로 분할되어 마련되는 경우에는, 로봇아암(31)이 제2적재부(S2)에 접근가능하도록 적재스테이션(60)을 이동시킨다. In this case, when the
예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 적재스테이션(60)이 웨이퍼(W)를 상하로 적재할 수 있는 카셋트 타입으로 마련되고, 제1적재부(S1)가 상부에 제2적재 부(S2)가 하부에 마련되는 경우에는 승강구동부(51)를 구동하여 적재스테이션(60)을 상부로 이동시켜 제2적재부(S2)가 로봇아암(31)에 대응하는 위치로 이동하게 할 수 있다. For example, as shown in FIG. 3, the
또는, 도 4에 도시된 바와 같이, 적재스테이션(60)이 좌우로 나란하게 배치되는 제1적재부(S1) 및 제2적재부(S2)로 분할되는 경우에는, 수평구동부를 구동하여 제2적재부(S2)가 로봇아암(31)에 대응하는 위치로 이동하게 할 수도 있다. Alternatively, as shown in FIG. 4, when the
로봇아암(31)의 웨이퍼(W) 적재가 완료되면, 제1도어(D1)가 폐쇄되며, 진공펌프(58)를 구동하여 버퍼챔버(50)의 내부를 진공상태로 전환된다. When the wafer W is completely loaded on the
버퍼챔버(50)가 진공상태로 전환되면, 제2도어(D2)를 개방한다. When the
웨이퍼 핸들러(25)는 제2적재부(S2)로부터 미공정 웨이퍼(W)를 반출하여 각 공정스테이션(P1, P2, P3)으로 이송한다. The
이때, 공정챔버(10)에서 수행되는 공정이 웨이퍼(W)의 예열이 필요한 경우(예를 들어, 어닐링공정)에는 가열부(55)를 구동하여 제2적재부(S2)를 가열하도록 한다. At this time, when the process performed in the
다음, 제3도어(D3)가 폐쇄되고, 공정챔버(10)에서 공정이 진행된다. Next, the third door D3 is closed and the process is performed in the
공정챔버(10)에서 공정이 완료되면, 제3도어(D3)가 다시 개방되고, 웨이퍼 핸들러(25)가 공정처리된 웨이퍼(W)를 언로딩하여 제1적재부(S1)에 적재하도록 한다. When the process is completed in the
여기서, 공정처리된 웨이퍼(W)의 냉각이 필요한 경우에는 냉각부(57)를 구동하여 제1적재부(S1)를 냉각하도록 한다. In this case, when cooling of the processed wafer W is required, the cooling
여기서, 각 공정챔버(10)는 모두 동일한 공정을 병렬적으로 수행하도록 마련될 수도 있고, 이종(異種)의 공정을 수행하도록 마련될 수도 있다. Here, each of the
어느 경우에든, 웨이퍼 핸들러(25)는 복수 개로 마련되어, 공정챔버(10)로부터 공정처리된 웨이퍼(W)를 언로딩함과 동시에 미공정 웨이퍼(W)를 로딩하도록 할 수도 있고, 제1공정을 완료한 웨이퍼(W)를 제2공정이 수행되는 공정챔버(10)로 바로 이송할 수 도 있다. In any case, a plurality of
마지막으로, 모든 공정이 완료된 경우에는, 웨이퍼(W)는 제1적재부(S1)에 적재되게 되며, 이 경우, 제2도어(D2)를 폐쇄하고 버퍼챔버(50) 내부를 대기압 상태로 전환한다. Finally, when all processes are completed, the wafer W is loaded in the first loading part S1, in which case, the second door D2 is closed and the inside of the
이후, 버퍼챔버(50) 내부가 대기압 상태에 이르면, 제1도어(D1)를 개방한 후에 로봇아암(31)이 공정처리된 웨이퍼(W)를 제1적재부(S1)로부터 반출하게 된다. Thereafter, when the inside of the
따라서, 본 발명에 따른 버퍼챔버를 구비한 반도체 공정장치는, 웨이퍼가 이송챔버로 반입 또는 반출될 때, 이송챔버 전체를 진공 및 대기압 상태로 전환할 필요가 없이, 상대적으로 적은 공간을 갖는 버퍼챔버 만을 진공 및 대기압상태에서 전환하면 되므로, 진공 및 대기압상태로 전환하는 데 필요한 대기시간을 줄일 수 있어 전체작업시간이 단축되는 효과가 있다. Accordingly, in the semiconductor processing apparatus having the buffer chamber according to the present invention, when the wafer is brought into or taken out of the transfer chamber, the buffer chamber having a relatively small space is not required to switch the entire transfer chamber into vacuum and atmospheric pressure states. Since only the switch in the vacuum and atmospheric pressure state, it is possible to reduce the waiting time required to switch to the vacuum and atmospheric pressure state, thereby reducing the overall work time.
또한, 버퍼챔버 내에 가열부 및 냉각부를 마련함으로써, 공정챔버에서 수행되는 각종 공정과 동시에 웨이퍼를 예열 및 냉각할 수 있어, 공정수행을 위한 별도의 준비단계가 불필요하다. In addition, by providing a heating unit and a cooling unit in the buffer chamber, it is possible to preheat and cool the wafer simultaneously with various processes performed in the process chamber, so that a separate preparation step for performing the process is unnecessary.
따라서, 공정시간 단축에 따른 생산성(Throughput)을 향상시킬 수 있다. Therefore, productivity (Throughput) can be improved by shortening the process time.
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