KR100790789B1 - Semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

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김용준
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Abstract

A semiconductor manufacturing apparatus is provided to reduce a process time and to enhance a throughput by forming a heating part and a cooling part in an inside of a buffer chamber. A wafer handler(25) is mounted in a transfer chamber(20). One or more process chamber(10) is connected with the transfer chamber. A transfer unit(30) includes a robot arm for transferring the wafer. A buffer chamber(50) is installed between the transfer unit and the transfer chamber. Both sides of the buffer chamber is opened or closed selectively to the transfer chamber and the transfer unit in order to load the wafer to be transferred to the transfer unit. A loading station(60) is installed in the inside of the buffer chamber. The wafer is loaded into the loading station. The loading station includes a first loading part for loading the processed wafers and a second loading part for loading the unprocessed wafers.

Description

반도체 공정장치{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}Semiconductor Process Equipment {SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}

도 1은 종래의 일반적인 반도체 공정장치를 개략적으로 나타낸 구성도, 1 is a schematic view showing a conventional general semiconductor processing apparatus;

도 2는 본 발명에 따른 반도체 공정장치의 구성도, 2 is a block diagram of a semiconductor processing apparatus according to the present invention;

도 3은 도 2에 도시된 일실시예에 따른 버퍼챔버의 단면도 및 평면도, 3 is a cross-sectional view and a plan view of a buffer chamber according to the embodiment shown in FIG.

도 4는 도 2에 도시된 다른 실시예에 따른 버퍼챔버의 단면도 및 평면도이다. 4 is a cross-sectional view and a plan view of a buffer chamber according to another exemplary embodiment shown in FIG. 2.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* * Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10 : 공정챔버 20 : 이송챔버10: process chamber 20: transfer chamber

25 : 웨이퍼 핸들러 30 : 이송부 25: wafer handler 30: transfer unit

31 : 로봇아암 32, 33 : 로드 포트 31: robot arm 32, 33: load port

50 : 버퍼챔버 51 : 승강구동부 50: buffer chamber 51: elevating drive unit

55 : 가열부 55: heating unit

57 : 냉각부 58 : 진공펌프 57 cooling unit 58 vacuum pump

59 : 가압벤팅펌프 60 : 적재스테이션59: pressurized venting pump 60: loading station

70 : 차단막 70: blocking film

P1, P2, P3 : 공정스테이션 W : 웨이퍼 P1, P2, P3: Process Station W: Wafer

D1 : 제1도어 D2 : 제2도어 D1: first door D2: second door

D3 : 제3도어 D4 : 제4도어D3: 3rd Door D4: 4th Door

S1 : 제1적재부 S2 : 제2적재부 S1: first loading part S2: second loading part

본 발명은 반도체 공정장치에 관한 것으로서, 특히, 이송부와 이송챔버사이에 버퍼챔버를 마련함으로써 이송챔버 전체를 진공 및 대기압상태로 전환할 필요가 없는 반도체 공정장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor processing apparatus, and more particularly, to a semiconductor processing apparatus which eliminates the need to convert the entire transfer chamber into vacuum and atmospheric pressure by providing a buffer chamber between the transfer section and the transfer chamber.

일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 대상물인 웨이퍼를 박막증착, 식각, 세정 등의 공정을 수회 내지 수십 회 반복하여 실시하여야 하는 바, 이러한 각 공정은 최적의 환경이 조성된 반도체 공정장치에서 수행된다. In general, in order to manufacture a semiconductor device, a wafer, which is an object, must be repeatedly performed several times to several tens of processes such as thin film deposition, etching, and cleaning. Each of these processes is performed in a semiconductor processing apparatus having an optimal environment.

도 1은 전술한 반도체 공정장치의 일예를 개략적으로 도시한 구성도이다. 1 is a configuration diagram schematically showing an example of the semiconductor processing apparatus described above.

도면을 참조하면, 반도체 공정장치는, 납작한 다각형 형상의 이송챔버(120)와, 이송챔버(120)의 측부에 결합되는 다수의 공정챔버(110)와, 이송챔버(120)로 웨이퍼(W)를 반입 및 반출하는 이송부(130)를 포함한다. Referring to the drawings, the semiconductor processing apparatus includes a flat polygonal transfer chamber 120, a plurality of process chambers 110 coupled to the side of the transfer chamber 120, and a wafer W as the transfer chamber 120. It includes a transfer unit 130 for carrying in and out.

공정챔버(110)는 통상 고진공 상태를 유지하면서 웨이퍼(W)에 대한 각종 공정을 수행하며, 이송챔버(120)는 내부에 위치하는 웨이퍼 핸들러(125)에 의해 공정챔버(110)와 공정챔버(110) 사이 또는 공정챔버(110)와 이송챔버(120) 사이에서 웨이퍼를 이송하는 공간으로서 역시 진공상태를 유지한다. The process chamber 110 generally performs various processes on the wafer W while maintaining a high vacuum state, and the transfer chamber 120 is processed by the wafer handler 125 located therein. The vacuum is also maintained as a space for transferring the wafer between 110 or between the process chamber 110 and the transfer chamber 120.

이송부(130)는 이송챔버(120)로 반입될 웨이퍼(W)를 이송하는 로봇아암(131) 이 마련되어 있으며, 상시 대기압상태를 유지하고 있다. The transfer unit 130 is provided with a robot arm 131 for transferring the wafer W to be carried into the transfer chamber 120, and maintains the atmospheric pressure at all times.

이에, 이송부(130)로부터 공정챔버(110)로 웨이퍼(W)를 반입하기 위해서는, 먼저, 이송챔버(120)의 제4도어(D4)를 개방하기 전에 이송챔버(120) 내부를 가압벤팅펌프(159)를 이용하여 대기압상태로 전환해야 한다. Accordingly, in order to bring the wafer W into the process chamber 110 from the transfer unit 130, first, the inside of the transfer chamber 120 is pressurized with a pump before opening the fourth door D4 of the transfer chamber 120. Use (159) to switch to atmospheric pressure.

반대로, 이송챔버(120)에서 공정챔버(110)로 웨이퍼(W)를 로딩하기 위해서는 제4도어(D4)를 폐쇄한 후, 이송챔버(120) 내부를 진공펌프(158)를 이용하여 진공상태로 전환해야 한다. On the contrary, in order to load the wafer W from the transfer chamber 120 to the process chamber 110, after closing the fourth door D4, the inside of the transfer chamber 120 is vacuumed using the vacuum pump 158. You should switch to

그런데, 이송챔버(120)는 측벽을 따라 복수개의 공정챔버(110)가 결합되어 있으며, 내부에는 각 공정챔버(110)로 웨이퍼(W)를 이송하기 위한 웨이퍼 핸들러(125)가 장착되어있으므로, 상대적으로 큰 부피를 갖게 된다. However, the transfer chamber 120 is coupled to the plurality of process chambers 110 along the sidewalls, and the wafer handler 125 for transferring the wafer W to each process chamber 110 is mounted therein. It has a relatively large volume.

따라서, 이송챔버(120)가 이송부(130)에 바로 연결되어 있는 경우에는 이송챔버(120) 전체를 진공상태와 대기압상태 사이에서 전환해야 하므로, 상대적으로 큰 용량의 진공펌프(158) 및 가압벤팅펌프(159)가 필요하게 되며, 진공 및 대기상태로 전환하는데에도 더 많은 시간이 필요하게 된다. Therefore, when the transfer chamber 120 is directly connected to the transfer unit 130, the entire transfer chamber 120 should be switched between a vacuum state and an atmospheric pressure state, and thus, a relatively large capacity vacuum pump 158 and pressurized venting. Pump 159 is needed, and more time is required to switch to vacuum and atmospheric conditions.

특히, 공정챔버(110)가 복수로 마련되어 웨이퍼(W) 처리량이 많은 경우나, 이종(異種)의 공정을 동시에 처리하도록 마련되어 웨이퍼(W)의 반입/반출이 잦은 경우에는 그만큼 대기시간이 증가하게 되어, 전체 작업시간의 증가하게 되고, 이에 따라 생산성이 저하되는 문제점이 있었다. In particular, when a plurality of process chambers 110 are provided to process a large amount of throughput of the wafer W, or when the wafer W is frequently loaded / exported, the waiting time increases accordingly. As a result, the total work time is increased, and thus there is a problem that productivity is lowered.

따라서, 본 발명의 목적은, 웨이퍼가 이송챔버로 반입 또는 반출될 때, 이송 챔버 전체를 진공 및 대기압 상태로 전환할 필요가 없이, 상대적으로 적은 공간을 갖는 버퍼챔버 만을 진공 및 대기압상태에서 전환함으로써 진공 및 대기압상태로 전환하는 데 필요한 대기시간을 줄일 수 있는 반도체 공정장치를 제공하는 데 있다. Accordingly, it is an object of the present invention, by switching only the buffer chamber having a relatively small space in vacuum and atmospheric pressure, without the need to switch the entire transfer chamber into a vacuum and atmospheric state when the wafer is brought into or taken out of the transfer chamber. The present invention provides a semiconductor processing apparatus capable of reducing the waiting time required for transition to vacuum and atmospheric pressure.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 웨이퍼 핸들러가 내장된 이송챔버; 상기 이송챔버에 개폐 가능하게 연결된 하나 이상의 공정챔버; 웨이퍼를 이송하는 로봇아암이 구비된 이송부; 및 상기 이송부와 이송챔버 사이에 마련되며, 양측이 상기 이송챔버 및 이송부에 선택적으로 개폐되면서 상기 이송부로 이송된 웨이퍼가 적재되는 버퍼챔버;를 포함한다. In order to achieve the above object, the present invention, the transfer chamber is embedded with a wafer handler; At least one process chamber connected to the transfer chamber to be opened and closed; A transfer unit having a robot arm for transferring a wafer; And a buffer chamber provided between the transfer unit and the transfer chamber, the both sides of which are selectively opened and closed to transfer the wafer transferred to the transfer unit.

여기서, 상기 버퍼챔버 내부를 진공상태와 대기압상태로 전환하게 하는 진공펌프 및 가압벤팅펌프를 더 포함할 수 있다. The method may further include a vacuum pump and a pressure venting pump for converting the inside of the buffer chamber into a vacuum state and an atmospheric pressure state.

바람직하게는, 상기 버퍼챔버는 내부에 상기 이송부로부터 전달된 웨이퍼가 적재되는 적재스테이션이 마련될 수 있다. Preferably, the buffer chamber may be provided with a loading station in which the wafer transferred from the transfer unit is loaded.

상기 적재스테이션은 상기 공정챔버에서 공정처리된 웨이퍼가 적재되는 제1적재부와, 미공정처리된 웨이퍼가 적재되는 제2적재부로 분할되며 마련될 수 있다. The loading station may be divided into a first loading part in which a wafer processed in the process chamber is loaded and a second loading part in which an unprocessed wafer is loaded.

바람직하게는, 상기 적재스테이션은 상기 웨이퍼가 상하로 적재되는 카셋트 타입으로 마련되며, 상기 제1적재부 및 제2적재부는 상하로 분할될 수 있다. Preferably, the loading station is provided in a cassette type in which the wafer is loaded up and down, and the first loading portion and the second loading portion may be divided up and down.

여기서, 상기 웨이퍼 핸들러가 상기 제1적재부 및 제2적재부에 선택적으로 접근가능하도록 상기 적재스테이션을 상하로 승강 가능하게 지지하는 승강구동부를 더 포함할 수 있다. Here, the wafer handler may further include a lifting and lowering driving unit for supporting the loading station to be able to lift up and down to selectively access the first loading portion and the second loading portion.

한편, 상기 적재스테이션은 상기 공정챔버에서 공정처리된 웨이퍼가 적재되는 제1적재부와, 상기 제1적재부의 일측에 나란하게 마련되어 미공정처리된 웨이퍼가 적재되는 제2적재부를 포함하는 것을 특징으로 하는 2 이상으로 마련되어 상기 버퍼챔버 내에 좌우로 나란하게 배치될 수 있다. On the other hand, the loading station comprises a first loading portion in which the wafer processed in the process chamber is loaded, and a second loading portion in which the unprocessed wafer is loaded in parallel to one side of the first loading portion. It may be provided in two or more to be arranged side by side in the buffer chamber.

이 경우, 상기 웨이퍼 핸들러가 상기 제1적재부 및 제2적재부에 선택적으로 접근가능하도록 상기 버퍼챔버를 좌우로 수평이동하게 하는 수평구동부를 더 포함하는 것이 바람직하다. In this case, it is preferable that the wafer handler further comprises a horizontal driving unit for horizontally moving the buffer chamber from side to side so as to selectively access the first loading portion and the second loading portion.

또한, 상기 제1적재부 및 제2적재부를 상하로 승강가능하게 하는 승강구동부를 더 포함할 수 있다. The apparatus may further include an elevating driving unit configured to elevate the first and second loading units up and down.

바람직하게는, 상기 적재스테이션을 가열하는 가열부 및 냉각하는 냉각부 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. Preferably, the apparatus may further include at least one of a heating unit and a cooling unit for heating the loading station.

여기서, 상기 가열부 및 냉각부는 상기 적재스테이션의 일부 영역을 가열/냉각할 수 있다. Here, the heating unit and the cooling unit may heat / cool a portion of the loading station.

바람직하게는, 상기 제1적재부와 제2적재부 사이에 마련되어, 상기 공정처리된 웨이퍼를 미공정처리된 웨이퍼와 차단시키는 차단막을 더 포함할 수 있다. Preferably, the semiconductor device may further include a blocking layer provided between the first loading portion and the second loading portion to block the processed wafer from the unprocessed wafer.

더욱 바람직하게는, 상기 차단막은 절연재질을 포함할 수 있다. More preferably, the barrier layer may include an insulating material.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 공정장치는, 웨이퍼 핸들러(25)가 내장된 이송챔버(20)와, 이송챔버(20)에 개폐 가능하게 연결된 하나 이상의 공정챔버(10)와, 웨이퍼(W)를 이송하는 로봇아암(31)이 구비된 이송부(30); 및 이송부(30)와 이송챔버(20) 사이에 마련되며, 양측이 이송챔버(20) 및 이송부(30)에 선택적으로 개폐되면서 이송부(30)로 이송된 웨이퍼(W)가 적재되는 버퍼챔버(50);를 포함한다. Referring to FIG. 2, the semiconductor processing apparatus according to the present invention includes a transfer chamber 20 in which a wafer handler 25 is embedded, one or more process chambers 10 connected to the transfer chamber 20 to be opened and closed, and a wafer. Transfer unit 30 is provided with a robot arm 31 for transferring (W); And a buffer chamber provided between the transfer unit 30 and the transfer chamber 20, wherein both sides are selectively opened and closed in the transfer chamber 20 and the transfer unit 30 to load the wafer W transferred to the transfer unit 30. 50);

여기서, 버퍼챔버(50) 내부를 진공상태와 대기압상태로 전환하게 하는 진공펌프(58) 및 가압벤팅펌프(59)를 더 포함할 수 있다. Here, the vacuum chamber 58 and the pressure venting pump 59 for converting the inside of the buffer chamber 50 into a vacuum state and an atmospheric pressure state may be further included.

또한, 버퍼챔버(50) 내부에 마련된 적재스테이션(60)을 상하 방향으로 승강하게 하는 승강구동부(51) 또는 좌우로 수평이동하게 하는 수평이동부(미도시) 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. The apparatus may further include at least one of an elevating driving unit 51 for raising and lowering the loading station 60 provided in the buffer chamber 50 in a vertical direction or a horizontal moving unit (not shown) for horizontally moving left and right. .

또한, 적재스테이션(60)이 제1적재부(S1)와 제2적재부(S2)로 분할되는 경우에는, 제1적재부(S1)와 제2적재부(S2) 사이에 절연재질의 차단막(70)을 더 포함할 수 있다. In addition, when the loading station 60 is divided into the first loading part S1 and the second loading part S2, an insulating material blocking film is formed between the first loading part S1 and the second loading part S2. 70 may further include.

이하, 구성별로 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the configuration will be described in detail.

이송챔버(20)는 내부에 웨이퍼 핸들러(25)를 구비하며, 공정챔버(10) 및 버퍼챔버(50)와 연통되어, 버퍼챔버(50)로부터 각 공정챔버(10)로 웨이퍼(W)를 이송할 수 있도록 마련된다. The transfer chamber 20 includes a wafer handler 25 therein, and communicates with the process chamber 10 and the buffer chamber 50 to transfer the wafer W from the buffer chamber 50 to each process chamber 10. It is prepared to be transported.

이송챔버(20)는 내부가 진공상태를 유지하도록 별도의 진공펌프(미도시)를 구비하고 있으며, 공정챔버(10)와는 제3도어(D3)에 의해, 버퍼챔버(50)와는 제2도어(D2)에 의해 연결되어 있다. The transfer chamber 20 is provided with a separate vacuum pump (not shown) so as to maintain a vacuum inside, and the process chamber 10 is separated from the process chamber 10 by the third door D3 and the second chamber from the buffer chamber 50. It is connected by (D2).

웨이퍼 핸들러(25)는 공정챔버(10)와 이송챔버(20) 사이 또는 버퍼챔버(50)와 이송챔버(20) 사이에서 웨이퍼(W)를 이송한다. The wafer handler 25 transfers the wafer W between the process chamber 10 and the transfer chamber 20 or between the buffer chamber 50 and the transfer chamber 20.

여기서, 웨이퍼 핸들러(25)는 다양한 구성으로 마련될 수 있으며, 도 2에 도시된 바와 같이, 다관절 아암을 구비하여 1개로 마련될 수도 있고, 단일 아암을 구비하여 복수개로 마련될 수도 있다. Here, the wafer handler 25 may be provided in various configurations, and as illustrated in FIG. 2, the wafer handler 25 may be provided in one piece, or may be provided in plural pieces with a single arm.

공정챔버(10)는 이송챔버(20)에 개폐가능하게 마련되어 웨이퍼 핸들러(25)에 의해 이송되는 웨이퍼(W)가 로딩되어 각 공정을 수행하도록 마련된다. The process chamber 10 is provided to be opened and closed in the transfer chamber 20 so that the wafer W transferred by the wafer handler 25 is loaded to perform each process.

통상 반도체 소자는 미세한 파티클(Particle)에 의해서도 공정불량이 발생하기 때문에 고도로 청결한 클린룸(Clean room) 내부에서 제조되어야 하며, 이를 위해, 공정챔버(10)는 고진공펌프(미도시)의 가동에 의해서 고진공상태를 유지함으로써 파티클에 의한 공정영향성을 배제시킨다. In general, semiconductor devices have to be manufactured in highly clean clean rooms because process defects are generated even by fine particles. For this purpose, the process chamber 10 is operated by a high vacuum pump (not shown). Maintaining a high vacuum eliminates the process impact of particles.

따라서, 공정챔버(10)는 통상 고진공상태를 유지하면서 웨이퍼(W)에 대한 박막증착, 식각, 세정 등의 공을 수행하도록 마련된다. Therefore, the process chamber 10 is generally provided to perform a ball such as thin film deposition, etching, and cleaning on the wafer W while maintaining a high vacuum state.

공정챔버(10)는 필요에 따라 다양한 수로 마련될 수 있다. Process chamber 10 may be provided in various numbers as needed.

공정챔버(10)가 복수 개로 마련되는 경우에는 각 공정챔버(10)는 동일한 공정을 병렬적으로 진행하도록 마련될 수도 있고, 각 공정챔버(10)가 각각 다른 공정을 순차적으로 수행하도록 마련될 수 있다. When a plurality of process chambers 10 are provided, each process chamber 10 may be provided to perform the same process in parallel, or each process chamber 10 may be provided to sequentially perform different processes. have.

이송부(30)는 웨이퍼(W)를 이송하는 로봇아암(31)을 구비하며 마련된다. The transfer unit 30 is provided with a robot arm 31 for transferring the wafer W.

이송부(30)는 EFEM(Equipment fron end module)이라고도 하며, 내부에 로봇아암(31)을 통해 미공정처리된 웨이퍼(W)를 버퍼챔버(50)로 반입하거나 공정처리된 웨이퍼(W)를 외부로 반출하도록 마련된다. The transfer unit 30 is also referred to as an equipment fron end module (EFEM), and carries the unprocessed wafer W into the buffer chamber 50 through the robot arm 31 therein or externally processes the processed wafer W. To be taken out.

이송부(30)는 항상 대기압 상태를 유지하며, 제1도어(D1)를 사이에 두고 버퍼챔버(50)와 연결된다. The transfer unit 30 maintains the atmospheric pressure at all times and is connected to the buffer chamber 50 with the first door D1 interposed therebetween.

이송부(30)의 일측에는 이송된 웨이퍼(W)가 일시 적재되는 하나 이상의 로드포트(load port)가 마련되어 있으며, 로봇아암(31)은 좌우로 이동되면서 로드포트(32, 33)로부터 웨이퍼(W)를 버퍼챔버(50) 내부로 이송한다. One side of the transfer part 30 is provided with one or more load ports for temporarily transferring the transferred wafers W. The robot arm 31 moves from side to side with the wafers W from the load ports 32 and 33. ) Is transferred into the buffer chamber 50.

버퍼챔버(50)는 이송부(30)와 이송챔버(20) 사이에 마련되며, 양측이 이송챔버(20) 및 이송부(30)에 선택적으로 개폐되면서 이송부(30)에 의해 이송된 웨이퍼(W)가 적재된다. The buffer chamber 50 is provided between the transfer unit 30 and the transfer chamber 20, and both sides of the wafer W transferred by the transfer unit 30 are selectively opened and closed by the transfer chamber 20 and the transfer unit 30. Is loaded.

여기서, 버퍼챔버(50) 내부를 진공상태와 대기압상태로 전환하게 하는 진공펌프(58) 및 가압벤팅펌프(59)를 더 포함할 수 있다. Here, the vacuum chamber 58 and the pressure venting pump 59 for converting the inside of the buffer chamber 50 into a vacuum state and an atmospheric pressure state may be further included.

이송챔버(20)는 진공상태이고, 이송부(30)는 대기압 상태이므로, 버퍼챔버(50)는 이송챔버(20)와 이송부(30) 사이에 마련되어 완충역할을 하도록 마련된다. Since the transfer chamber 20 is in a vacuum state and the transfer unit 30 is at atmospheric pressure, the buffer chamber 50 is provided between the transfer chamber 20 and the transfer unit 30 to serve as a buffer.

즉, 이송부(30)로부터 웨이퍼(W)가 반입되는 경우에는 가압벤팅(Venting)펌 프(59)를 작동하여 버퍼챔버(50) 내부를 대기압상태로 전환한 다음 제1도어(D1)를 개방하여 웨이퍼(W)를 적재한다. That is, when the wafer W is carried from the transfer unit 30, the pressure venting pump 59 is operated to switch the inside of the buffer chamber 50 to the atmospheric pressure state and then open the first door D1. The wafer W is loaded.

그리고, 적재된 웨이퍼(W)를 공정챔버(10)로 이송할 경우에는 제1도어(D1)를 폐쇄하고, 진공펌프(58)를 구동하여 버퍼챔버(50) 내부를 진공상태로 전환한 다음 제2도어(D2)를 개방하여 웨이퍼 핸들러(25)가 적재스테이션(60)에 접근하도록 한다. When the loaded wafer W is transferred to the process chamber 10, the first door D1 is closed and the vacuum pump 58 is driven to switch the inside of the buffer chamber 50 to a vacuum state. The second door D2 is opened to allow the wafer handler 25 to approach the loading station 60.

이 경우, 버퍼챔버(50)는 이송챔버(20)에 비해 상대적으로 적은 크기를 가지며 마련된다. 즉, 이송챔버(20)는 측벽을 따라 복수개의 공정챔버(10)가 결합되어 있으며, 내부에는 각 공정챔버(10)로 웨이퍼(W)를 이송하기 위한 웨이퍼 핸들러(25)가 마련되기 때문이다. In this case, the buffer chamber 50 is provided with a relatively small size compared to the transfer chamber 20. That is, the transfer chamber 20 is because a plurality of process chambers 10 are coupled along the sidewall, and a wafer handler 25 for transferring the wafers W to each process chamber 10 is provided therein. .

따라서, 본 발명에 따른 버퍼챔버(50)를 구비한 반도체 공정장치의 경우에는 버퍼챔버(50) 만을 진공 및 대기압상태에서 전환하면 되므로, 상대적으로 적은 용량의 진공펌프(58) 및 가압벤팅펌프(59)가 필요하게 되며, 진공 및 대기압상태로 전환하는 데 필요한 대기시간이 줄어들게 되므로 전체작업시간이 단축되는 효과가 있다. Accordingly, in the case of the semiconductor processing apparatus having the buffer chamber 50 according to the present invention, only the buffer chamber 50 needs to be switched under vacuum and atmospheric pressure, and thus, the vacuum pump 58 and the pressure venting pump having a relatively small capacity ( 59) is required, and the waiting time required to switch to the vacuum and atmospheric pressure is reduced, thereby reducing the overall working time.

또한, 상대적으로 복잡한 구성을 갖는 이송챔버(20) 내에 진공펌프(58) 및 가압벤팅펌프(59)를 장착할 필요가 없으므로 장치 설계가 용이해진다. In addition, since the vacuum pump 58 and the pressure venting pump 59 need not be mounted in the transfer chamber 20 having a relatively complicated configuration, the device design becomes easy.

진공펌프(58)는 다양한 종류로 마련될 수 있으며, 예를 들어, 러핑(Roughin)펌프로 마련될 수 있다. The vacuum pump 58 may be provided in various kinds, for example, may be provided as a roughing pump.

가압벤팅펌프(59)는 예를 들어, 아르곤이나 질소등 비활성 가스를 버퍼챔 버(50) 내부로 주입하여 내부 압력을 대기압상태 또는 적정수준으로 조정하도록 마련된다. The pressurized venting pump 59 is provided to inject an inert gas such as argon or nitrogen into the buffer chamber 50 to adjust the internal pressure to an atmospheric pressure or an appropriate level.

여기서, 상기 진공펌프(58) 및 가압벤팅펌프(59)는 통상 반도체 제조 공정에 사용되는 다양한 형태의 것이 사용될 수 있음은 물론이다. Here, the vacuum pump 58 and the pressure venting pump 59 may be used in various forms that are commonly used in the semiconductor manufacturing process.

적재스테이션(60)은 버퍼챔버(50) 내부에 마련되어 이송부(30)로부터 전달된 웨이퍼(W)가 적재된다. The loading station 60 is provided in the buffer chamber 50 to load the wafer W transferred from the transfer unit 30.

적재스테이션(60)은 다양한 형상으로 마련될 수 있으며, 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 웨이퍼(W)를 상하로 적층하여 적재할 수 있도록 카셋트 타입으로 마련될 수 있다. The loading station 60 may be provided in various shapes. For example, as shown in FIG. 3, the loading station 60 may be provided in a cassette type so that one or more wafers W may be stacked and stacked.

적재스테이션(60)은 필요에 따라 2 이상의 부분으로 분할될 수 있다. The loading station 60 may be divided into two or more parts as necessary.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 적재스테이션(60)을 나타낸 도면이다. 3 shows a loading station 60 according to a first embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, 적재스테이션(60)은 공정챔버(10)에서 공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제1적재부(S1)와, 미공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제2적재부(S2)로 분할되며 마련될 수 있다. Referring to the drawings, the loading station 60 includes a first loading portion S1 on which the wafer W processed in the process chamber 10 is loaded, and a second loading on which an unprocessed wafer W is loaded. The part S2 may be divided and provided.

이 경우, 제1적재부(S1)와 제2적재부(S2)는 적재스테이션(60)에 상하로 분할되며 마련될 수 있다. In this case, the first loading part S1 and the second loading part S2 may be divided and provided in the loading station 60.

여기서, 상기 제1적재부(S1) 및 제2적재부(S2)의 위치는 필요에 따라 바꾸어 마련될 수도 있음은 물론이다. Here, the positions of the first loading portion (S1) and the second loading portion (S2) may of course be provided as necessary.

승강구동부(51)는 웨이퍼 핸들러(25)가 상하로 분할된 제1적재부(S1) 및 제2 적재부(S2)에 선택적으로 접근가능하도록 적재스테이션(60)을 상하로 승강하도록 마련된다. The lifting driving unit 51 is provided to lift the loading station 60 up and down so that the wafer handler 25 is selectively accessible to the first loading part S1 and the second loading part S2 divided up and down.

예를 들어, 웨이퍼 핸들러(25)가 미공정 웨이퍼(W)를 적재스테이션(60)으로부터 반출하고자 할 경우에는, 승강구동부(51)는 적재스테이션(60)을 상승시켜 제2적재부(S2)가 웨이퍼 핸들러(25)가 접근할 수 있도록 할 수 있다. For example, when the wafer handler 25 intends to unload the unprocessed wafer W from the loading station 60, the lifting and lowering drive unit 51 raises the loading station 60 to raise the second loading part S2. Can be accessed by the wafer handler 25.

반대로, 공정챔버(10)로부터 언로딩된 웨이퍼(W)를 제1적재부(S1)에 반입하고자 하는 경우에는 적재스테이션(60)을 하강시키도록 할 수 있다. On the contrary, when the unloaded wafer W from the process chamber 10 is to be loaded into the first loading part S1, the loading station 60 may be lowered.

승강구동부(51)는 다양한 종류로 마련될 수 있으며, 예를 들어, 도 3 및 도 4에 도시된 바와같이, 구동모터가 사용될 수도 있고, 유압프레스 또는 공압프레스가 사용될 수도 있다. The lifting driving unit 51 may be provided in various kinds. For example, as shown in FIGS. 3 and 4, a driving motor may be used, or a hydraulic press or a pneumatic press may be used.

한편, 적재스테이션(60)은 정위치에 고정되어 있고, 웨이퍼 핸들러(25)가 상하로 승강하면서 제1적재부(S1) 및 제2적재부(S2)에 선택적으로 접근하도록 마련될 수도 있다. On the other hand, the loading station 60 is fixed in place, the wafer handler 25 may be provided to selectively approach the first loading portion (S1) and the second loading portion (S2) while lifting up and down.

여기서, 상기 적재스테이션(60)이 적정 높이로 상승 또는 하강하였는지 여부를 감지하는 감지부(미도시)를 더 포함할 수 있다. Here, the loading station 60 may further include a detection unit (not shown) for detecting whether the rising or falling to the appropriate height.

도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 적재스테이션(60)을 나타낸 도면이다. 4 is a view showing a loading station 60 according to a second embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, 적재스테이션(60)은 공정챔버(10)에서 공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제1적재부(S1)와, 제1적재부(S1)의 일측에 나란하게 마련되어 미공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제2적재부(S2)를 포함할 수 있다. Referring to the drawings, the loading station 60 is provided in parallel with one side of the first loading portion S1 and the first loading portion S1 on which the wafer W processed in the process chamber 10 is loaded. It may include a second loading portion (S2) on which the processed wafer (W) is loaded.

여기서, 수평으로 분할되는 적재부(S1, S2)의 갯수는 필요에 따라 다양하게 마련될 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 2개로 마련될 수도 있고, 3개 이상으로 마련될 수도 있다. Here, the number of the horizontally divided loading portion (S1, S2) may be provided in various ways as needed. For example, as shown in Figure 4, may be provided in two, may be provided in three or more.

수평구동부는 웨이퍼 핸들러(25)가 제1적재부(S1) 및 제2적재부(S2)에 선택적으로 접근가능하도록 버퍼챔버(50)를 좌우로 수평이동하도록 마련될 수 있다. The horizontal driving unit may be provided to horizontally move the buffer chamber 50 to the left and right so that the wafer handler 25 can selectively access the first loading unit S1 and the second loading unit S2.

예를 들어, 제2적재부(S2)로부터 미공정 웨이퍼(W)를 반출하고자 하는 경우에는 수평구동부는 적재스테이션(60)을 좌측으로 이동시키며, 공정처리된 웨이퍼(W)를 제1적재부(S1)에 반입하고자 하는 경우에는 수평구동부는 적재스테이션(60)을 우측으로 이동시키도록 할 수 있다. For example, when the unprocessed wafer W is to be taken out from the second loading part S2, the horizontal driving part moves the loading station 60 to the left side, and the processed wafer W is placed in the first loading part. If you want to carry in (S1), the horizontal driving unit may be to move the loading station 60 to the right.

수평구동부는 다양한 종류로 마련될 수 있으며, 예를 들어, 구동모터와, 구동모터의 구동력을 전달하는 다수의 기어열 또는 벨트로 마련될 수 있다. The horizontal driving unit may be provided in various kinds. For example, the horizontal driving unit may be provided with a driving motor and a plurality of gear trains or belts for transmitting the driving force of the driving motor.

한편, 각 적재부(S1, S2)가 도 4에 도시된 바와 같이, 상하 방향으로 복수의 웨이퍼(W)가 적재되는 카셋트 타입으로 마련되는 경우에는 각 적재부(S1, S2)를 상하로 승강하게 하는 승강구동부(51)가 더 마련될 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 4, when the stacking units S1 and S2 are provided in a cassette type in which a plurality of wafers W are stacked in the vertical direction, the stacking units S1 and S2 are lifted up and down. Elevating driving unit 51 may be further provided.

가열부(55)는 버퍼챔버(50)에 마련되어 적재스테이션(60)을 가열하도록 마련된다.The heating unit 55 is provided in the buffer chamber 50 to heat the loading station 60.

예를 들어, 공정챔버(10)에서 어닐링공정이 진행되는 경우에는, 공정챔버(10)로 웨이퍼(W)를 로딩하기 전에 소정의 온도로 예열을 해야하는 과정이 필요하기 때문이다. For example, when the annealing process is performed in the process chamber 10, a process of preheating to a predetermined temperature is required before loading the wafer W into the process chamber 10.

이 경우, 가열부(55)는 미공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제2적재부(S2)만을 가열하도록 마련될 수 있다. In this case, the heating part 55 may be provided to heat only the second loading part S2 on which the unprocessed wafer W is loaded.

가열부(55)는 다양한 종류로 마련될 수 있으며, 예를 들어, 전류를 흘려주면 발열하는 전기저항 히터로 마련될 수도 있고, 양단의 전위차에 의해 일단으로부터 타단으로 열을 이동시키는 열전소자(또는 펠티어 소자) 방식으로 마련될 수도 있다. The heating unit 55 may be provided in various kinds. For example, the heating unit 55 may be provided as an electric resistance heater that generates heat when a current flows, and a thermoelectric element (or a heat moving from one end to the other end by a potential difference between both ends). Peltier device) may be provided.

여기서, 가열부(55)가 열전소자로 마련되는 경우에는 열전소자의 쿨싱크 쪽은 제1적재부(S1)를 향하도록 하고, 핫싱크 쪽은 제2적재부(S2)를 향하도록 함으로써 각 적재부(S1, S2)의 가열 및 냉각을 동시에 수행하도록 할 수 있다. Here, when the heating part 55 is provided as a thermoelectric element, the cooling sink side of the thermoelectric element faces the first loading portion S1, and the hot sink side faces the second loading portion S2. Heating and cooling of the sections S1 and S2 can be performed simultaneously.

냉각부(57)는 버퍼챔버(50)에 마련되어 적재스테이션(60)을 냉각하도록 마련된다. The cooling unit 57 is provided in the buffer chamber 50 so as to cool the loading station 60.

상기와 같이, 공정챔버(10)에서 어닐링공정을 수행하는 경우에는, 공정처리된 웨이퍼(W)를 버퍼챔버(50) 내의 진공상태에서 상온으로 온도를 감소시켜야 하기 때문이다. As described above, when the annealing process is performed in the process chamber 10, the temperature of the processed wafer W should be reduced to room temperature in a vacuum state in the buffer chamber 50.

여기서, 냉각부(57)는 공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제1적재부(S1) 만을 냉각하도록 마련될 수 있다. Here, the cooling unit 57 may be provided to cool only the first loading unit S1 on which the processed wafer W is loaded.

전술한 바와 같이, 버퍼챔버(50) 내의 가열 및 냉각공정이 공정챔버(10)에서 수행되는 어닐링공정과 동시에 진행되는 경우에는 예열된 웨이퍼(W)를 버퍼챔버(50)로부터 바로 공정챔버(10)로 이송하면 되므로, 예열을 위한 별도의 공정챔버(10)가 불필요하므로 종래에 비해 공정시간이 단축되게 되어 생산성(Throughput) 이 향상되게 된다. As described above, when the heating and cooling processes in the buffer chamber 50 are performed simultaneously with the annealing process performed in the process chamber 10, the preheated wafer W is directly processed from the buffer chamber 50. Since it is necessary to transfer to), since a separate process chamber 10 for preheating is unnecessary, the process time is shortened compared to the conventional, thereby improving productivity.

차단막(70)은 제1적재부(S1)와 제2적재부(S2) 사이에 마련되어, 공정처리된 웨이퍼(W)를 미공정처리된 웨이퍼(W)와 차단시키도록 마련된다. The blocking film 70 is provided between the first loading portion S1 and the second loading portion S2 to block the processed wafer W from the unprocessed wafer W.

차단막(70)은 공정처리된 웨이퍼(W)와 미공정 웨이퍼(W) 사이의 파티클 및 열적 영향을 차단한다. The blocking film 70 blocks particles and thermal effects between the processed wafer W and the unprocessed wafer W.

여기서, 차단막(70)은 다양한 재질로 마련될 수 있으며, 예를 들어, 세라믹이나 합성세라믹과 같은 절연재질 또는 내화성 재질을 포함할 수 있다. Here, the blocking film 70 may be formed of various materials, and for example, may include an insulating material or a fire resistant material such as ceramic or synthetic ceramic.

이하, 전술한 구조를 갖는 반도체 공정장치의 작동과정을 도 2 내지 4를 참조하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, an operation process of the semiconductor processing apparatus having the above-described structure will be described with reference to FIGS. 2 to 4.

우선, 중앙에는 진공상태를 유지하며, 내부에 웨이퍼(W)를 이송하기 위한 웨이퍼 핸들러(25)가 마련된 이송챔버(20)가 마련되어 있다. First, a transfer chamber 20 is provided in the center to maintain a vacuum state and a wafer handler 25 for transferring the wafer W therein.

이송챔버(20)의 일측에는 웨이퍼(W)가 공정처리되는 하나 이상의 공정챔버(10)가 마련되어 있다. 각 공정챔버(10)의 내부에는 웨이퍼 핸들러(25)에 의해 이송된 웨이퍼(W)가 로딩되는 공정스테이션(P1, P2, P3)이 마련되어 있다. One side of the transfer chamber 20 is provided with one or more process chambers 10 in which the wafers W are processed. In each process chamber 10, process stations P1, P2, and P3 to which the wafers W transferred by the wafer handler 25 are loaded are provided.

각 공정챔버(10)와 이송챔버(20)는 제3도어(D3)가 마련되어 있어서, 웨이퍼(W)의 이송시 선택적으로 개폐되면서 공정챔버(10) 내부가 고진공 상태를 유지할 수 있도록 한다. Each process chamber 10 and the transfer chamber 20 are provided with a third door D3 to selectively open and close the wafer W during the transfer of the wafer W to maintain the high vacuum state inside the process chamber 10.

이송챔버(20)의 타측에는 이송부(30)로부터 이송된 웨이퍼(W)가 적재되는 적 재스테이션(60)이 마련된 버퍼챔버(50)가 마련되어 있다. The other side of the transfer chamber 20 is provided with a buffer chamber 50 provided with a loading station 60 on which the wafer W transferred from the transfer unit 30 is loaded.

버퍼챔버(50)는 제2도어(D2)에 의해 이송챔버(20)와 연통되며, 제1도어(D1)에 의해 이송부(30)와 연통된다. The buffer chamber 50 communicates with the transfer chamber 20 by the second door D2, and communicates with the transfer unit 30 by the first door D1.

이송부(30)는 대기압상태를 유지하고 있으며, 이송챔버(20)는 진공상태를 유지하고 있으므로, 버퍼챔버(50)는 별도의 진공펌프(58) 및 가압벤팅펌프(59)를 통하여 진공상태 및 대기압상태를 반복하도록 마련된다. Since the transfer unit 30 maintains the atmospheric pressure state, and the transfer chamber 20 maintains the vacuum state, the buffer chamber 50 may be vacuumed through a separate vacuum pump 58 and a pressure venting pump 59. It is provided to repeat the atmospheric pressure state.

상기와 같은 구성에 의하여, 웨이퍼(W)를 버퍼챔버(50)에 장입하고자 하는 경우를 설명하면 다음과 같다. By the above configuration, a case where the wafer W is to be charged into the buffer chamber 50 will be described.

먼저, 가압벤팅펌프(59)를 구동하여 버퍼챔버(50) 내부를 대기압로 전환한다. First, the pressure venting pump 59 is driven to convert the inside of the buffer chamber 50 to atmospheric pressure.

여기서, 버퍼챔버(50) 내부가 대기압상태로 되었는지 여부를 감지하는 센서 예를 들면, 기압센서(미도시)가 마련될 수도 있다. Here, a sensor for detecting whether the inside of the buffer chamber 50 is at atmospheric pressure, for example, an air pressure sensor (not shown) may be provided.

버퍼챔버(50)의 내부가 대기압상태로 되면, 제1도어(D1)가 개방되며, 로봇아암(31)은 웨이퍼(W)를 제1도어(D1)를 통하여 적재스테이션(60)에 적재한다. When the inside of the buffer chamber 50 is at atmospheric pressure, the first door D1 is opened, and the robot arm 31 loads the wafer W into the loading station 60 through the first door D1. .

이때, 적재스테이션(60)이 공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제1적재부(S1)와 미공정처리된 웨이퍼(W)가 적재되는 제2적재부(S2)로 분할되어 마련되는 경우에는, 로봇아암(31)이 제2적재부(S2)에 접근가능하도록 적재스테이션(60)을 이동시킨다. In this case, when the loading station 60 is divided into a first loading portion S1 on which the processed wafer W is loaded and a second loading portion S2 on which the unprocessed wafer W is loaded, is provided. Next, the robot arm 31 moves the loading station 60 to be accessible to the second loading portion S2.

예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 적재스테이션(60)이 웨이퍼(W)를 상하로 적재할 수 있는 카셋트 타입으로 마련되고, 제1적재부(S1)가 상부에 제2적재 부(S2)가 하부에 마련되는 경우에는 승강구동부(51)를 구동하여 적재스테이션(60)을 상부로 이동시켜 제2적재부(S2)가 로봇아암(31)에 대응하는 위치로 이동하게 할 수 있다. For example, as shown in FIG. 3, the loading station 60 is provided in a cassette type capable of loading the wafer W up and down, and the first loading part S1 has a second loading part ( When S2) is provided at the lower portion, the lifting driving unit 51 may be driven to move the loading station 60 upward so that the second loading unit S2 moves to a position corresponding to the robot arm 31. .

또는, 도 4에 도시된 바와 같이, 적재스테이션(60)이 좌우로 나란하게 배치되는 제1적재부(S1) 및 제2적재부(S2)로 분할되는 경우에는, 수평구동부를 구동하여 제2적재부(S2)가 로봇아암(31)에 대응하는 위치로 이동하게 할 수도 있다. Alternatively, as shown in FIG. 4, when the loading station 60 is divided into a first loading part S1 and a second loading part S2 arranged side by side, the horizontal driving part is driven to drive the second driving part. The loading portion S2 may be moved to a position corresponding to the robot arm 31.

로봇아암(31)의 웨이퍼(W) 적재가 완료되면, 제1도어(D1)가 폐쇄되며, 진공펌프(58)를 구동하여 버퍼챔버(50)의 내부를 진공상태로 전환된다. When the wafer W is completely loaded on the robot arm 31, the first door D1 is closed and the vacuum pump 58 is driven to convert the interior of the buffer chamber 50 into a vacuum state.

버퍼챔버(50)가 진공상태로 전환되면, 제2도어(D2)를 개방한다. When the buffer chamber 50 is switched to the vacuum state, the second door D2 is opened.

웨이퍼 핸들러(25)는 제2적재부(S2)로부터 미공정 웨이퍼(W)를 반출하여 각 공정스테이션(P1, P2, P3)으로 이송한다. The wafer handler 25 takes out the unprocessed wafer W from the second loading unit S2 and transfers the unprocessed wafer W to each process station P1, P2, P3.

이때, 공정챔버(10)에서 수행되는 공정이 웨이퍼(W)의 예열이 필요한 경우(예를 들어, 어닐링공정)에는 가열부(55)를 구동하여 제2적재부(S2)를 가열하도록 한다. At this time, when the process performed in the process chamber 10 requires preheating of the wafer W (for example, an annealing process), the heating unit 55 is driven to heat the second loading unit S2.

다음, 제3도어(D3)가 폐쇄되고, 공정챔버(10)에서 공정이 진행된다. Next, the third door D3 is closed and the process is performed in the process chamber 10.

공정챔버(10)에서 공정이 완료되면, 제3도어(D3)가 다시 개방되고, 웨이퍼 핸들러(25)가 공정처리된 웨이퍼(W)를 언로딩하여 제1적재부(S1)에 적재하도록 한다. When the process is completed in the process chamber 10, the third door D3 is opened again, and the wafer handler 25 unloads the processed wafer W to be loaded in the first loading part S1. .

여기서, 공정처리된 웨이퍼(W)의 냉각이 필요한 경우에는 냉각부(57)를 구동하여 제1적재부(S1)를 냉각하도록 한다. In this case, when cooling of the processed wafer W is required, the cooling unit 57 is driven to cool the first loading unit S1.

여기서, 각 공정챔버(10)는 모두 동일한 공정을 병렬적으로 수행하도록 마련될 수도 있고, 이종(異種)의 공정을 수행하도록 마련될 수도 있다. Here, each of the process chambers 10 may be provided to perform all the same processes in parallel, or may be provided to perform heterogeneous processes.

어느 경우에든, 웨이퍼 핸들러(25)는 복수 개로 마련되어, 공정챔버(10)로부터 공정처리된 웨이퍼(W)를 언로딩함과 동시에 미공정 웨이퍼(W)를 로딩하도록 할 수도 있고, 제1공정을 완료한 웨이퍼(W)를 제2공정이 수행되는 공정챔버(10)로 바로 이송할 수 도 있다. In any case, a plurality of wafer handlers 25 may be provided to unload the processed wafers W from the process chamber 10 and to load the unprocessed wafers W. The completed wafer W may be transferred directly to the process chamber 10 in which the second process is performed.

마지막으로, 모든 공정이 완료된 경우에는, 웨이퍼(W)는 제1적재부(S1)에 적재되게 되며, 이 경우, 제2도어(D2)를 폐쇄하고 버퍼챔버(50) 내부를 대기압 상태로 전환한다. Finally, when all processes are completed, the wafer W is loaded in the first loading part S1, in which case, the second door D2 is closed and the inside of the buffer chamber 50 is switched to an atmospheric pressure state. do.

이후, 버퍼챔버(50) 내부가 대기압 상태에 이르면, 제1도어(D1)를 개방한 후에 로봇아암(31)이 공정처리된 웨이퍼(W)를 제1적재부(S1)로부터 반출하게 된다. Thereafter, when the inside of the buffer chamber 50 reaches the atmospheric pressure state, the robot arm 31 carries out the processed wafer W from the first loading part S1 after opening the first door D1.

따라서, 본 발명에 따른 버퍼챔버를 구비한 반도체 공정장치는, 웨이퍼가 이송챔버로 반입 또는 반출될 때, 이송챔버 전체를 진공 및 대기압 상태로 전환할 필요가 없이, 상대적으로 적은 공간을 갖는 버퍼챔버 만을 진공 및 대기압상태에서 전환하면 되므로, 진공 및 대기압상태로 전환하는 데 필요한 대기시간을 줄일 수 있어 전체작업시간이 단축되는 효과가 있다. Accordingly, in the semiconductor processing apparatus having the buffer chamber according to the present invention, when the wafer is brought into or taken out of the transfer chamber, the buffer chamber having a relatively small space is not required to switch the entire transfer chamber into vacuum and atmospheric pressure states. Since only the switch in the vacuum and atmospheric pressure state, it is possible to reduce the waiting time required to switch to the vacuum and atmospheric pressure state, thereby reducing the overall work time.

또한, 버퍼챔버 내에 가열부 및 냉각부를 마련함으로써, 공정챔버에서 수행되는 각종 공정과 동시에 웨이퍼를 예열 및 냉각할 수 있어, 공정수행을 위한 별도의 준비단계가 불필요하다. In addition, by providing a heating unit and a cooling unit in the buffer chamber, it is possible to preheat and cool the wafer simultaneously with various processes performed in the process chamber, so that a separate preparation step for performing the process is unnecessary.

따라서, 공정시간 단축에 따른 생산성(Throughput)을 향상시킬 수 있다. Therefore, productivity (Throughput) can be improved by shortening the process time.

Claims (13)

웨이퍼 핸들러가 내장된 이송챔버; A transfer chamber incorporating a wafer handler; 상기 이송챔버에 개폐 가능하게 연결된 하나 이상의 공정챔버; At least one process chamber connected to the transfer chamber to be opened and closed; 웨이퍼를 이송하는 로봇아암이 구비된 이송부; 및A transfer unit having a robot arm for transferring a wafer; And 상기 이송부와 이송챔버 사이에 마련되며, 양측이 상기 이송챔버 및 이송부에 선택적으로 개폐되면서 상기 이송부로 이송된 웨이퍼가 적재되는 버퍼챔버;를 포함하고,And a buffer chamber provided between the transfer part and the transfer chamber, the both sides of which are selectively opened and closed to transfer the wafer transferred to the transfer part. 상기 버퍼챔버는 내부에 상기 이송부로부터 전달된 웨이퍼가 적재되는 적재스테이션이 마련되며,The buffer chamber is provided with a loading station for loading the wafer transferred from the transfer unit therein, 상기 적재스테이션은 상기 공정챔버에서 공정처리된 웨이퍼가 적재되는 제1적재부와, 미공정처리된 웨이퍼가 적재되는 제2적재부로 분할되며 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치.And the loading station is divided into a first loading portion in which a wafer processed in the process chamber is loaded and a second loading portion in which an unprocessed wafer is loaded. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 버퍼챔버 내부를 진공상태와 대기압상태로 전환하게 하는 진공펌프 및 가압벤팅펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치. And a vacuum pump and a pressurized venting pump for converting the buffer chamber into a vacuum state and an atmospheric pressure state. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 적재스테이션은 상기 웨이퍼가 상하로 적재되는 카셋트 타입으로 마련되며, 상기 제1적재부 및 제2적재부는 상하로 분할되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치. The loading station is provided in a cassette type in which the wafer is loaded up and down, wherein the first loading portion and the second loading portion is divided up and down. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 웨이퍼 핸들러가 상기 제1적재부 및 제2적재부에 선택적으로 접근가능하도록 상기 적재스테이션을 상하로 승강 가능하게 지지하는 승강구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치. And a lifting and lowering driving part for supporting the loading station in a vertically movable manner so that the wafer handler is selectively accessible to the first loading part and the second loading part. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 적재스테이션은 상기 공정챔버에서 공정처리된 웨이퍼가 적재되는 제1적재부와, 상기 제1적재부의 일측에 나란하게 마련되어 미공정처리된 웨이퍼가 적재되는 제2적재부를 포함하며, 상기 제1적재부 및 제2적재부는 각각 2개 이상으로 마련되어 상기 버퍼챔버 내에 좌우로 나란하게 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치. The loading station includes a first loading portion in which a wafer processed in the process chamber is loaded, and a second loading portion in parallel with one side of the first loading portion, in which an unprocessed wafer is loaded, and the first loading portion. The second and the second loading portion is provided in two or more, respectively, characterized in that arranged side by side in the buffer chamber side by side Semiconductor processing equipment. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 웨이퍼 핸들러가 상기 제1적재부 및 제2적재부에 선택적으로 접근가능 하도록 상기 버퍼챔버를 좌우로 수평이동하게 하는 수평구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치. And a horizontal driving unit for horizontally moving the buffer chamber from side to side such that the wafer handler is selectively accessible to the first loading portion and the second loading portion. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제1적재부 및 제2적재부를 상하로 승강가능하게 하는 승강구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치. And a lifting and lowering driving part for allowing the first and second loading parts to move up and down. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 적재스테이션을 가열하는 가열부 및 냉각하는 냉각부 중 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치. And at least one of a heating unit and a cooling unit for cooling the loading station. 제10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 가열부 및 냉각부는 상기 적재스테이션의 일부 영역을 가열/냉각하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치. And the heating unit and the cooling unit heat / cool a portion of the loading station. 제1항 또는 제8항에 있어서, The method according to claim 1 or 8, 상기 제1적재부와 제2적재부 사이에 마련되어, 상기 공정처리된 웨이퍼를 미공정처리된 웨이퍼와 차단시키는 차단막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치. And a blocking film provided between the first loading portion and the second loading portion to block the processed wafer from the unprocessed wafer. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 차단막은 절연재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치. The blocking film is a semiconductor processing apparatus characterized in that it comprises an insulating material.
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