KR100716457B1 - Apparatus for processing substrate with plasma - Google Patents

Apparatus for processing substrate with plasma Download PDF

Info

Publication number
KR100716457B1
KR100716457B1 KR1020040115466A KR20040115466A KR100716457B1 KR 100716457 B1 KR100716457 B1 KR 100716457B1 KR 1020040115466 A KR1020040115466 A KR 1020040115466A KR 20040115466 A KR20040115466 A KR 20040115466A KR 100716457 B1 KR100716457 B1 KR 100716457B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature sensor
substrate
mounting table
chamber
plasma
Prior art date
Application number
KR1020040115466A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060076853A (en
Inventor
이영종
최준영
김춘식
Original Assignee
주식회사 에이디피엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에이디피엔지니어링 filed Critical 주식회사 에이디피엔지니어링
Priority to KR1020040115466A priority Critical patent/KR100716457B1/en
Publication of KR20060076853A publication Critical patent/KR20060076853A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100716457B1 publication Critical patent/KR100716457B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 진공 상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus for generating a plasma in a vacuum chamber to perform a predetermined process on a substrate.

본 발명은, 진공상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 챔버 내부 하측에 마련되며, 그 상면에 기판이 탑재되고 고주파 전원이 인가되는 탑재대; 상기 탑재대의 소정 부분에 하부에서 상부 방향으로 형성되는 온도 센서 삽입홈; 상기 온도 센서 삽입홈에 삽입되어 마련되며, 상기 탑재대의 온도를 측정하는 온도 센서; 상기 온도 센서 삽입홈 내면에 접촉되어 마련되며, 상기 탑재대와 온도 센서를 절연시키는 절연 덮개; 상기 절연 덮개 내면에 소정 두께로 형성되어 접지되며, 상기 탑재대에서 발생하는 유도 전류를 차단하는 유도 전류 차단막;이 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치를 제공한다.The present invention provides a plasma processing apparatus that generates a plasma inside a chamber in a vacuum state and performs a predetermined treatment on a substrate, wherein the mounting table is provided below the chamber, and a substrate is mounted on an upper surface thereof and high frequency power is applied. ; A temperature sensor insertion groove formed from a lower portion to an upper portion in a predetermined portion of the mount; A temperature sensor inserted into the temperature sensor insertion groove and measuring a temperature of the mount; An insulation cover provided in contact with an inner surface of the temperature sensor insertion groove and insulating the mounting table from the temperature sensor; And an inductive current blocking film formed on the inner surface of the insulating cover and having a predetermined thickness and blocking the inductive current generated from the mounting table.

플라즈마, 플라즈마 처리장치, 온도 센서, 유도전류Plasma, Plasma Processing Equipment, Temperature Sensor, Induction Current

Description

플라즈마 처리장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE WITH PLASMA}Plasma Processing Equipment {APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE WITH PLASMA}

도 1은 플라즈마 처리장치의 구조를 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a plasma processing apparatus.

도 2는 종래의 온도 센서 설치 모습을 나타내는 부분 단면도이다. 2 is a partial sectional view showing a conventional temperature sensor installation state.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 센서 설치 모습을 나타내는 부분 단면도이다. 3 is a partial cross-sectional view showing a state of installing a temperature sensor according to an embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

1 : 플라즈마 처리장치1: plasma processing apparatus

10 : 챔버 20, 120 : 탑재대10: chamber 20, 120: mounting table

30 : 승강부재 40 : 가스 공급계30: lifting member 40: gas supply system

50 : 전계 발생계 60 : 배기계50: field generator 60: exhaust system

70, 170 : 온도 센서 72, 172 : 온도 센서 삽입홈70, 170: Temperature sensor 72, 172: Temperature sensor insertion groove

74, 174 : 절연 덮개 176 : 유도 전류 차단막74, 174: insulation cover 176: induction current blocking film

본 발명은 진공 상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus for generating a plasma in a vacuum chamber to perform a predetermined process on a substrate.

일반적으로 반도체, 엘시디(LCD) 기판 등의 처리에는, 진공 분위기에서 플라즈마를 이용하여 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치가 많이 사용된다. Generally, the plasma processing apparatus which performs predetermined process with respect to a board | substrate using a plasma in a vacuum atmosphere is used for processing of a semiconductor, an LCD (LCD) board | substrate, etc. in many cases.

도 1은 종래의 플라즈마 처리장치의 내부 구조를 나타내는 단면도이다. 이하에서는 도 1을 참조하여 상술한 플라즈마 처리장치의 구조를 설명한다. 1 is a cross-sectional view showing the internal structure of a conventional plasma processing apparatus. Hereinafter, the structure of the above-described plasma processing apparatus will be described with reference to FIG. 1.

플라즈마 처리장치는 그 내부를 진공분위기로 형성시킬 수 있는 챔버(10); 챔버(10) 내에 설치되고, 기판(12)을 탑재하는 탑재면을 갖는 탑재대(20); 탑재대(20)에 탑재된 기판(12)을 승강할 수 있도록 탑재대(20) 소정부분에 형성되는 기판 승강부재(30); 챔버(10)에 처리가스를 공급하는 가스 공급계(40); 공급된 처리 가스를 플라즈마화하기 위한 전계를 발생시키는 전계 발생계(50); 기판(12)을 처리한 후 처리가스를 배출하거나 챔버(10) 내부를 진공분위기로 형성시키기 위한 배기계(60);를 포함한다. The plasma processing apparatus includes a chamber 10 capable of forming an interior thereof in a vacuum atmosphere; A mounting table 20 provided in the chamber 10 and having a mounting surface on which the substrate 12 is mounted; A substrate lifting member 30 formed at a predetermined portion of the mounting table 20 so that the substrate 12 mounted on the mounting table 20 can be elevated; A gas supply system 40 for supplying a processing gas to the chamber 10; An electric field generating system 50 for generating an electric field for plasmalizing the supplied processing gas; And an exhaust system 60 for processing the substrate 12 to discharge the processing gas or to form the inside of the chamber 10 in a vacuum atmosphere.

먼저 챔버(10)는 챔버 내부를 외부와 차단시켜서 챔버 내의 분위기를 진공으로 형성시킬 수 있는 구조를 가진다. 그리고 챔버(10) 내부에는 기판(12)에 소정의 처리를 실시하기 위한 여러가지 구성요소가 구비된다. First, the chamber 10 has a structure capable of forming an atmosphere in the chamber with a vacuum by blocking the inside of the chamber from the outside. The chamber 10 is provided with various components for performing a predetermined process on the substrate 12.

먼저 챔버(10) 내부 중 하부에는 기판(12)이 탑재되는 탑재대(20)가 구비되는데, 탑재대(20)의 상부면에는 기판(12)과 접촉되는 탑재면(도면에 미도시)이 형성된다. 그 탑재면에는 그 가장자리 영역에 소정 간격으로 다수개의 기판 승강부재(30)가 구비된다. 즉, 탑재대(20)에 탑재된 기판(12)의 가장자리를 지지하도록, 탑재대(20)를 관통하여 형성된 다수개의 관통공(22)을 통과하도록 다수개의 기판 승 강부재(30)를 구비시켜, 기판 승강부재(30)가 그 관통공(22)을 따라 상승 및 하강 하면서 기판(12)을 들어올리거나 탑재대(20)에 위치시키는 역할을 하게 된다. First of all, the lower part of the chamber 10 has a mounting table 20 on which the substrate 12 is mounted. On the upper surface of the mounting table 20, a mounting surface (not shown) in contact with the substrate 12 is provided. Is formed. The mounting surface is provided with a plurality of substrate lifting members 30 at predetermined intervals in the edge region thereof. That is, a plurality of substrate lifting members 30 are provided to pass through a plurality of through holes 22 formed through the mounting table 20 so as to support edges of the substrate 12 mounted on the mounting table 20. As a result, the substrate elevating member 30 serves to lift or lower the substrate 12 or position the mounting table 20 while the substrate elevating member 30 moves up and down along the through hole 22.

이때 기판 승강부재(30)는 하나의 탑재대(20)에 다수개가 구비되지만, 다수개의 기판 승강부재(30)가 동시에 상승하거나 하강하여야 한다. 따라서 탑재대(20)의 하측에 다수개의 기판 승강부재(30) 전체와 결합되는 승강부재 결합부(32)가 마련되고, 이 승강부재 결합부(32)를 상승 및 하강 시킴으로써 다수개의 기판 승강부재(30)가 동시에 상승 및 하강하게 된다. At this time, a plurality of substrate lifting member 30 is provided in one mounting table 20, a plurality of substrate lifting member 30 should be raised or lowered at the same time. Therefore, a lifting member coupling portion 32 coupled to the entire plurality of substrate lifting members 30 is provided below the mounting table 20, and the plurality of substrate lifting members are raised and lowered by raising and lowering the lifting member coupling portions 32. 30 is raised and lowered at the same time.

다음으로 플라즈마 처리장치에는 챔버(10) 내부로 처리가스를 공급하는 가스 공급계(40)가 구비되는데, 가스 공급계(40)는 챔버(10) 내부로 균일하게 처리가스를 공급하기 위하여 그 내부에 확산판, 상부 샤워헤드, 하부 샤워헤드 등의 세부 구성요소가 더 구비되기도 한다. Next, the plasma processing apparatus is provided with a gas supply system 40 for supplying a processing gas into the chamber 10, and the gas supply system 40 is configured to uniformly supply the processing gas into the chamber 10. Detailed components such as a diffuser plate, an upper showerhead, and a lower showerhead may be further provided.

그리고 가스 공급계(40)에 의하여 공급된 처리가스를 플라즈마화 하기 위하여 필요한 전계를 발생시키는 전계 발생계(50)가 마련된다. 전계 발생계(50)는 일반적으로 상부 전극 및 탑재대으로 이루어지는데, PE(Plasma Enhanced) 방식의 플라즈마 처리장치에서는 탑재대(20)가 하부전극의 역할을 하며, 상부 전극은 가스 공급계의 역할을 겸한다. 이때 탑재대인 하부전극(20)은 챔버의 벽에 접지되며, 상부 전극(50)에는 RF 전력이 인가된다. In addition, an electric field generating system 50 for generating an electric field necessary for plasmalizing the process gas supplied by the gas supply system 40 is provided. The electric field generating system 50 generally includes an upper electrode and a mounting table. In the plasma enhanced (PE) plasma processing apparatus, the mounting table 20 serves as a lower electrode, and the upper electrode serves as a gas supply system. Serve. In this case, the lower electrode 20, which is a mounting table, is grounded to the wall of the chamber, and RF power is applied to the upper electrode 50.

다음으로 챔버(10)의 소정 부분에는 기판(12)에 대한 처리에 이미 사용된 처리 가스와 그 부산물 등을 제거하는 배기계(60)가 더 구비된다. 물론 이 배기계(60)는 챔버(10) 내부를 진공분위기로 형성시키기 위하여 챔버(10) 내부의 기체를 배기하는 경우에도 사용된다. Next, the predetermined portion of the chamber 10 is further provided with an exhaust system 60 for removing the processing gas and its by-products, etc. already used for the processing on the substrate 12. Of course, the exhaust system 60 is also used to exhaust the gas inside the chamber 10 to form the inside of the chamber 10 in a vacuum atmosphere.

상술한 플라즈마 처리장치에 기판(12)을 반입하는 경우에는 플라즈마 처리장치의 외부에 마련되어 있는 기판 반송장치(도면에 미도시)에 의하여 기판(12)이 탑재대(20) 상부로 반송되면, 상술한 기판 승강부재(30)가 상승하여 기판 반송장치에 놓여 있는 기판(12)을 들어올리고, 자유로워진 기판 반송장치가 챔버(10) 밖으로 나간다. 그리고 나서 기판 승강부재(30)가 하강하면서 기판(12)을 탑재대(20) 중 기판이 위치될 탑재면에 위치시킨다. When carrying in the board | substrate 12 to the plasma processing apparatus mentioned above, when the board | substrate 12 is conveyed to the upper part of the mounting table 20 by the board | substrate conveying apparatus (not shown in figure) provided in the exterior of a plasma processing apparatus, One board | substrate elevating member 30 raises and lifts the board | substrate 12 which is placed in a board | substrate conveyance apparatus, and the board | substrate apparatus which became free goes out of the chamber 10. As shown in FIG. Then, as the substrate lifting member 30 descends, the substrate 12 is positioned on the mounting surface on which the substrate is to be placed among the mounting tables 20.

그리고 기판(12)을 반출하는 경우에는, 먼저 기판 승강부재(30)를 상승시켜서 기판(12)을 탑재대(20)로부터 소정 높이 만큼 들어올린다. 그리고 나서 챔버(10) 외부에 마련되어 있는 기판 반송장치가 기판(12) 하부로 들어오면 기판 승강부재(30)를 하강시켜서 기판(12)을 기판 반송장치로 넘겨준다. 그러면 기판(12)을 넘겨 받은 기판 반송장치가 기판(12)을 챔버(10) 외부로 반출하는 것이다. And when carrying out the board | substrate 12, the board | substrate elevating member 30 is raised first, and the board | substrate 12 is lifted from the mounting table 20 by predetermined height. Then, when the substrate transfer apparatus provided outside the chamber 10 enters the lower portion of the substrate 12, the substrate lifting member 30 is lowered to pass the substrate 12 to the substrate transfer apparatus. Then, the substrate conveying apparatus which has handed over the board | substrate 12 carries out the board | substrate 12 outside the chamber 10.

전술한 플라즈마 처리장치(1)에서는, 플라즈마 에칭 등의 드라이 애칭 처리에 있어서는, 플라즈마의 복사열에 의하여 기판이 과열되고, 기판이 열 손상을 입을 가능성이 있다. 또한 플라즈마 처리장치에서는 기판 온도에 따라 기판의 처리정도가 달라진다. 따라서 이 플라즈마 처리장치에는 처리되는 기판의 온도를 정확하게 측정하고, 이 온도를 조정하기 위하여 온도 센서가 설치된다. In the above-mentioned plasma processing apparatus 1, in dry etching processes, such as plasma etching, a board | substrate may be overheated by the radiant heat of a plasma, and a board | substrate may be thermally damaged. In the plasma processing apparatus, the degree of processing of the substrate varies depending on the substrate temperature. Therefore, the plasma processing apparatus is provided with a temperature sensor to accurately measure the temperature of the substrate to be processed and to adjust the temperature.

종래에 이 온도 센서(70)는 기판이 탑재되는 탑재대(20)의 하부에서 상부로 소정 깊이로 형성되는 온도 센서 삽입홈(72)에 삽입되어 마련된다. 이때 플라즈마 처리장치(1)에서는 이 온도 센서(70)로, 넓은 온도 범위에서 안정된 출력을 제공하 고, 소폭의 온도 범위에서 정확하게 온도를 측정할 수 있는 RTD(Resistance Temperature Detector) 온도 센서를 사용한다. In the related art, the temperature sensor 70 is inserted into a temperature sensor insertion groove 72 formed at a predetermined depth from the lower portion of the mounting table 20 on which the substrate is mounted. In this case, the plasma processing apparatus 1 uses a RTD (Resistance Temperature Detector) temperature sensor that provides a stable output in a wide temperature range and accurately measures the temperature in a small temperature range as the temperature sensor 70. .

이 RTD 온도 센서는 전기적 신호에 민감하므로 온도 센서 삽입홈(72) 내벽에는 온도 센서(70)를 탑재대(20)로부터 절연시키기 위하여 절연 덮개(74)가 마련된다. 이 절연덮개(74)는 온도 센서(70)를 둘러싸도록 마련된다. 그리고 이 절연 덮개(74)와 온도 센서(70) 사이의 공간에는 온도 측정의 안정성을 위하여 산화 마그네슘(MgO) 페이스트가 채워진다. Since the RTD temperature sensor is sensitive to an electrical signal, an insulation cover 74 is provided on the inner wall of the temperature sensor insertion groove 72 to insulate the temperature sensor 70 from the mounting table 20. The insulating cover 74 is provided to surround the temperature sensor 70. The space between the insulating cover 74 and the temperature sensor 70 is filled with magnesium oxide (MgO) paste for stability of temperature measurement.

그런데 플라즈마 처리장치(1)에서는 RTD 온도 센서 설치시에 별도의 쉴딩(shielding) 처리를 실시하지 않으므로, 상기 탑재대에서 발생되는 유도 전류에 의한 노이즈(Noise)가 발생하여 정확한 온도 측정이 이루어지지 않는 문제점이 있다. However, since the plasma processing apparatus 1 does not perform a separate shielding process when the RTD temperature sensor is installed, noise due to the induced current generated in the mounting table is generated so that accurate temperature measurement is not performed. There is a problem.

본 발명의 목적은 외부의 유도 전류를 차단시켜 노이즈 발생을 최소화하고 정확한 온도 측정이 가능한 플라즈마 처리장치를 제공함에 있다. An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of minimizing noise generation and accurate temperature measurement by blocking external induced current.

전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 진공상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 챔버 내부 하측에 마련되며, 그 상면에 기판이 탑재되고 고주파 전원이 인가되는 탑재대; 상기 탑재대의 소정 부분에 하부에서 상부 방향으로 형성되는 온도 센서 삽입홈; 상기 온도 센서 삽입홈에 삽입되어 마련되며, 상기 탑재대의 온도를 측정하는 온도 센서; 상기 온도 센서 삽입홈 내면에 접촉되어 마련되며, 상기 탑재대와 온도 센서를 절연시키는 절연 덮개; 상기 절연 덮개 내면에 소정 두께로 형성되어 접지되며, 상기 탑재대에서 발생하는 유도 전류를 차단하는 유도 전류 차단막;이 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a plasma processing apparatus for generating a plasma inside a chamber in a vacuum state to perform a predetermined treatment on a substrate, which is provided below the chamber, and the substrate is mounted on an upper surface thereof. A mounting table to which high frequency power is applied; A temperature sensor insertion groove formed from a lower portion to an upper portion in a predetermined portion of the mount; A temperature sensor inserted into the temperature sensor insertion groove and measuring a temperature of the mount; An insulation cover provided in contact with an inner surface of the temperature sensor insertion groove and insulating the mounting table from the temperature sensor; And an induction current blocking film formed on the inner surface of the insulating cover and having a predetermined thickness and blocking the induction current generated from the mounting table.

이때 본 발명에서는 이 온도 센서로 RTD 온도 센서를 사용한다. At this time, the present invention uses the RTD temperature sensor as this temperature sensor.

그리고 본 발명에서는 이 유도 전류 차단막을, 세라믹 재질로 형성시켜서 차단 효과를 극대화하는 것이 바람직하다. In the present invention, it is preferable that the induced current blocking film is made of a ceramic material to maximize the blocking effect.

또한 이 유도 전류 차단막을, 용사 코팅 방법에 의하여 형성시킴으로써, 유도 전류 차단막이 상기 온도 센서를 완벽하게 감싸는 형태로 형성시켜 유도 전류를 완벽하게 차단하는 것이 바람직하다. In addition, by forming the induced current blocking film by the spray coating method, it is preferable that the inductive current blocking film is formed in a form that completely surrounds the temperature sensor to completely block the induced current.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 일 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a specific embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치도 종래의 플라즈마 처리장치와 마찬가지로, 그 내부를 진공분위기로 형성시킬 수 있는 챔버; 챔버 내에 설치되고, 기판을 탑재하는 탑재면을 갖는 탑재대; 탑재대에 탑재된 기판을 승강할 수 있도록 탑재대 소정부분에 형성되는 기판 승강부재; 챔버에 처리가스를 공급하는 가스 공급 계; 공급된 처리 가스를 플라즈마화하기 위한 전계를 발생시키는 전계 발생계; 기판을 처리한 후 처리가스를 배출하거나 챔버 내부를 진공분위기로 형성시키기 위한 배기계;를 포함하여 구성된다. 이때, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 각 구성요소는 종래의 그것과 동일한 구조 및 기능을 수행하므로 여기에서 반복하여 설명하지 않는다. Plasma processing apparatus according to the present embodiment also includes a chamber that can be formed inside the vacuum atmosphere, similar to the conventional plasma processing apparatus; A mounting table provided in the chamber and having a mounting surface for mounting a substrate; A substrate lifting member formed on a predetermined portion of the mounting table so that the substrate mounted on the mounting table can be elevated; A gas supply system for supplying a processing gas to the chamber; An electric field generating system generating an electric field for plasmalizing the supplied processing gas; And an exhaust system for discharging the processing gas after the substrate is processed or forming the inside of the chamber in a vacuum atmosphere. At this time, each component of the plasma processing apparatus according to the present embodiment performs the same structure and function as that of the conventional one, and thus will not be repeated here.

본 실시예에서는 온도 센서(170)를 설치하기 위하여 탑재대(120)의 하부에 온도 센서 삽입홈(172)을 형성시키고, 그 내부에 온도 센서(170)를 설치한다. 이때 이 온도 센서 삽입홈(172)은 탑재대(120)의 하부에서 상부 방향으로 소정 깊이로 형성되며, 탑재대(120)에 탑재되는 기판의 온도를 정확하게 측정하기 위하여 최대한 깊이 형성되는 것이 바람직하다. In this embodiment, in order to install the temperature sensor 170, the temperature sensor insertion groove 172 is formed in the lower portion of the mounting table 120, and the temperature sensor 170 is installed therein. At this time, the temperature sensor insertion groove 172 is formed to a predetermined depth from the lower portion of the mounting table 120 to the upper direction, it is preferable to be formed as deep as possible to accurately measure the temperature of the substrate mounted on the mounting table (120). .

다음으로 이 온도 센서 삽입홈(172)의 내벽에는 절연 덮개(174)가 마련되는데, 이 절연 덮개(174)는 탑재대(120)와 온도 센서(170)를 절연시키는 역할을 한다. 따라서 이 절연 덮개(174)는 온도 센서(170)를 완전히 감싸도록 마련되어, 온도 센서(170)를 탑재대(120)로부터 완벽하게 절연시키도록 하는 것이 바람직하다. Next, an insulating cover 174 is provided on an inner wall of the temperature sensor insertion groove 172, and the insulating cover 174 serves to insulate the mounting table 120 from the temperature sensor 170. Therefore, the insulating cover 174 is preferably provided to completely surround the temperature sensor 170, so as to completely insulate the temperature sensor 170 from the mounting table 120.

그리고 본 실시예에서는 탑재대(120)에서 발생하는 유도 전류에 의한 노이즈 발생을 최소화하기 위하여 유도 전류 차단막(176)이 더 마련된다. 이 유도 전류 차단막(176)은 전술한 절연 덮개(174)의 내면에 소정 두께로 형성된다. 그리고 이 유도 전류 차단막(176)은 접지되어 마련됨으로써, 탑재대(120)에서 발생되는 유도 전류를 배출 차단한다. In addition, in this embodiment, an induction current blocking layer 176 is further provided to minimize noise generated by the induction current generated in the mounting table 120. The induced current blocking film 176 is formed to a predetermined thickness on the inner surface of the insulating cover 174 described above. In addition, the induction current blocking film 176 is provided to be grounded, thereby discharging the induction current generated in the mounting table 120.

본 실시예에서는 이 유도 전류 차단막(176)이 탑재대(120)에서 발생되어 온 도 센서(170)에 영향을 미치는 모든 유도 전류를 완벽하게 차단하기 위하여 용사 코팅 방법을 사용하여 절연 덮개(174)의 내벽에 치밀하게 형성시킨다. 이렇게 코팅 방법을 사용하여 유도 전류 차단막(176)을 형성시키는 경우에는, 소정 형상의 부재를 연결하여 차단막을 형성시키는 것과 달리 부재의 연결 부분이 없으므로 유도 전류가 누설될 가능성이 없는 장점이 있다. 즉, 온도 센서를 둘러싸는 모든 공간에 유도 전류 차단막이 형성되도록 하는 것이다. In this embodiment, the inductive cover 174 is formed by using a thermal spray coating method to completely block all induced currents generated in the mounting table 120 and affecting the temperature sensor 170. Densely formed on the inner wall of the. When the inductive current blocking film 176 is formed using the coating method as described above, unlike the connecting film having a predetermined shape to form the blocking film, there is no possibility of inducing current leakage since there is no connection part of the member. That is, the induced current blocking film is formed in all the spaces surrounding the temperature sensor.

그리고 본 실시예에서는 이 유도 전류 차단막을 세라믹으로 이루어진다. In this embodiment, the induced current blocking film is made of ceramic.

본 발명에 따르면 온도 센서의 외곽에 별도의 유도 전류 차단막을 형성시킴으로써, 탑재대에서 발생하는 유도 전류를 완벽하게 차단하여 정확한 온도 측정이 가능한 장점이 있다. According to the present invention by forming a separate induction current blocking film on the outside of the temperature sensor, there is an advantage that can accurately measure the temperature by completely blocking the induction current generated from the mount.

Claims (4)

진공 상태에서 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기관에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,A plasma processing apparatus for generating a plasma inside a chamber in a vacuum state to perform a predetermined processing on an engine. 상기 챔버 내부 하측에 마련되며, 그 상면에 기판이 탑재되고 고주파 전원이 인가되는 탑재대;A mounting table provided at a lower side inside the chamber and having a substrate mounted thereon and to which a high frequency power is applied; 상기 탑재대의 소정 부분에 하부에서 상부 방향으로 형성되는 온도 센서 삽입홈;A temperature sensor insertion groove formed from a lower portion to an upper portion in a predetermined portion of the mount; 상기 온도 센서 삽입홈에 삽입되어 마련되어, 상기 탑재대의 온도를 측정하는 RTD 온도 센서;An RTD temperature sensor inserted into the temperature sensor insertion groove and measuring a temperature of the mount; 상기 온도 센서 삽입홈 내면에 접촉되어 마련되며, 상기 탑재대와 온도 센서를 절연시키는 절연 덮개;An insulation cover provided in contact with an inner surface of the temperature sensor insertion groove and insulating the mounting table from the temperature sensor; 상기 절연 덮개 내면에 소정의 두께로 형성되어 접지되고, 용사 코팅 방법에 의해 형성되어 상기 탑재대에서 발생하는 유도 전류를 차단하는 세라믹으로 이루어진 유도 전류 차단막;이 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.And an induction current blocking film formed of a ceramic having a predetermined thickness on the inner surface of the insulating cover and formed by a thermal spray coating method to block induction current generated from the mounting table. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020040115466A 2004-12-29 2004-12-29 Apparatus for processing substrate with plasma KR100716457B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040115466A KR100716457B1 (en) 2004-12-29 2004-12-29 Apparatus for processing substrate with plasma

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040115466A KR100716457B1 (en) 2004-12-29 2004-12-29 Apparatus for processing substrate with plasma

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060076853A KR20060076853A (en) 2006-07-05
KR100716457B1 true KR100716457B1 (en) 2007-05-10

Family

ID=37169002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040115466A KR100716457B1 (en) 2004-12-29 2004-12-29 Apparatus for processing substrate with plasma

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100716457B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101349328B1 (en) * 2011-02-07 2014-01-13 엘아이지에이디피 주식회사 Plasma processing Apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5147497A (en) * 1990-07-20 1992-09-15 Tokyo Electron Limited Plasma apparatus, and method and system for extracting electrical signal of member to which high-frequency wave is applied
KR19980072818A (en) * 1997-03-07 1998-11-05 김광호 Temperature control method of plasma chamber for semiconductor process and wafer chuck in plasma chamber
JP2002313781A (en) 2001-04-11 2002-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd Substrate treating equipment
KR20040031386A (en) * 2002-10-05 2004-04-13 삼성전자주식회사 Apparatus for forming a layer on a substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5147497A (en) * 1990-07-20 1992-09-15 Tokyo Electron Limited Plasma apparatus, and method and system for extracting electrical signal of member to which high-frequency wave is applied
KR19980072818A (en) * 1997-03-07 1998-11-05 김광호 Temperature control method of plasma chamber for semiconductor process and wafer chuck in plasma chamber
JP2002313781A (en) 2001-04-11 2002-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd Substrate treating equipment
KR20040031386A (en) * 2002-10-05 2004-04-13 삼성전자주식회사 Apparatus for forming a layer on a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060076853A (en) 2006-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201841228A (en) Processing chamber, processing kit and method of processing a substrate by using the same
KR101155838B1 (en) Apparatus for an optimized plasma chamber top piece
US20050274324A1 (en) Plasma processing apparatus and mounting unit thereof
KR100675523B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2010016363A (en) Wafer support device and component used for the same
JPWO2003060973A1 (en) Processor
CN103594315B (en) A kind of plasma processing device
TWI775499B (en) A grounding assembly and its plasma processing device and working method
KR101728390B1 (en) Etching device and plasma processing device
KR20180069991A (en) Separable wafer susceptor and semiconductor process chamber apparatus including the same
JP4141560B2 (en) Circuit board plasma processing equipment
CN112189060B (en) Plasma processing apparatus
KR20100009831U (en) Replaceable upper chamber section of plasma processing apparatus
KR100716457B1 (en) Apparatus for processing substrate with plasma
KR101039524B1 (en) Plasma processing apparatus
TW202224083A (en) Lift pin interface in a substrate support
US20040108066A1 (en) Temperature measuring method and plasma processing apparatus
JP2018078197A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR20100053250A (en) Shadow frame for plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus
KR100635228B1 (en) Apparatus for processing substrate with plasma
KR20180112794A (en) Ceramic shower head with conductive layers embedded
KR100799382B1 (en) Plasma treatment system
JP3417259B2 (en) Substrate dry etching equipment
KR100737713B1 (en) Apparatus for processing substrate using plasma
TWI731389B (en) Substrate support designs for a deposition chamber

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130506

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140507

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee