KR100620214B1 - Polychromatic led package with improved heat protection rate - Google Patents

Polychromatic led package with improved heat protection rate Download PDF

Info

Publication number
KR100620214B1
KR100620214B1 KR20040051296A KR20040051296A KR100620214B1 KR 100620214 B1 KR100620214 B1 KR 100620214B1 KR 20040051296 A KR20040051296 A KR 20040051296A KR 20040051296 A KR20040051296 A KR 20040051296A KR 100620214 B1 KR100620214 B1 KR 100620214B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
package
slug
package housing
heat transfer
light emitting
Prior art date
Application number
KR20040051296A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060002328A (en
Inventor
강석진
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR20040051296A priority Critical patent/KR100620214B1/en
Publication of KR20060002328A publication Critical patent/KR20060002328A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100620214B1 publication Critical patent/KR100620214B1/en

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 고출력 발광다이오드 패키지에 있어서, 고열전도성 세라믹스 또는 열전도성 플라스틱 재질이면서 내부공간이 형성된 제1패키지 하우징과; 상기 제1패키지 하우징과 동일 재질이면서 제1패키지 하우징 내부공간에 삽입되는 제2패키지 하우징과; 도전성 재질이면서 상기 제2패키지 하우징의 내부공간에 전기적으로 단절되어 삽입 고정되는 적어도 하나 이상의 열전달 슬러그와; 상기 제1패키지 하우징 및 제2패키지 하우징 사이에 고정되는 한 쌍의 리드프레임과; 상기 열전달 슬러그의 상부면에 본딩되어 상기 열전달 슬러그를 통해 상기 리드프레임에 전기적으로 극성 연결되는 하나 이상의 LED칩을 포함하되, 상기 제2패키지 하우징에는 상기 각 열전달 슬러그를 전기적으로 단절시키기 위한 슬러그 경계대가 일체로 형성되고, 상기 슬러그 경계대에 의해 분할되어 상기 각 열전달 슬러그가 안착되게 하기 위한 슬러그 안착공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a high power light emitting diode package, comprising: a first package housing formed of a high thermal conductive ceramic or a thermally conductive plastic and having an inner space; A second package housing made of the same material as the first package housing and inserted into an inner space of the first package housing; At least one heat transfer slug which is a conductive material and is electrically disconnected and inserted into an inner space of the second package housing; A pair of lead frames fixed between the first package housing and the second package housing; And at least one LED chip bonded to the top surface of the heat transfer slug and electrically connected to the lead frame through the heat transfer slug, wherein the second package housing includes a slug boundary for electrically disconnecting the respective heat transfer slugs. It is formed integrally, and is divided by the slug boundary to provide a high output light emitting diode package with improved heat dissipation efficiency, characterized in that a slug seating space for forming each of the heat transfer slug is formed.

LED칩, 발광다이오드채키지, 사각형상, 고열전도성세라믹스, LCD장치LED chip, LED diode, rectangular shape, high thermal conductivity ceramics, LCD device

Description

방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지{POLYCHROMATIC LED PACKAGE WITH IMPROVED HEAT PROTECTION RATE}High power LED package with improved heat dissipation efficiency {POLYCHROMATIC LED PACKAGE WITH IMPROVED HEAT PROTECTION RATE}

도 1은 일반적인 원형의 고출력 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도;1 is a perspective view showing a general circular high power light emitting diode package;

도 2는 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도;2 is a perspective view showing a high power light emitting diode package according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지를 도시한 분리 사시도;3 is an exploded perspective view illustrating a high power light emitting diode package according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지를 도시한 평면도, 측면도 및 저면도;4 is a plan view, side view, and bottom view of a high power light emitting diode package according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지를 도시한 정단면도, 종단면도 및 측단면도;5 is a front cross-sectional view, a longitudinal cross-sectional view and a side cross-sectional view showing a high power light emitting diode package according to the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지에 실장된 LED칩을 평면도;6 is a plan view of an LED chip mounted on a high power light emitting diode package according to the present invention;

도 7은 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지의 다른 실시예에 실장된 LED칩을 평면도;7 is a plan view of an LED chip mounted in another embodiment of a high power light emitting diode package according to the present invention;

도 8은 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지에 몰딩재가 몰딩된 상태를 단면도이다.8 is a cross-sectional view of a molding material molded in the high power light emitting diode package according to the present invention.

♣도면의 주요부분에 대한 부호의 설명♣♣ Explanation of symbols for main part of drawing ♣

1, 2: 패키지 하우징 3a, 3b: 열전달 슬러그1, 2: package housing 3a, 3b: heat transfer slug

5a, 5b: 리드프레임 4a, 4b: 연결단자5a, 5b: lead frame 4a, 4b: connection terminal

6a, 6b: 슬러그 안착공간 9: 슬러그 경계대6a, 6b: slug seating space 9: slug border

10a, 10b: 슬러그 안착턱 8a, 8b: 단자 안착홈10a, 10b: slug seating jaw 8a, 8b: terminal seating groove

본 발명은 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 종래의 일반적인 원형의 발광다이오드 패키지의 형태를 LED 패키지의 장착공간부의 형상에 부합하도록 형성시켜 용이하게 적용함과 동시에, 고열전도성의 세라믹스를 패키지 하우징의 재료로 적용하여 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a high output light emitting diode package having improved heat dissipation efficiency, and more particularly, to form a shape of a conventional general light emitting diode package in accordance with the shape of the mounting space of the LED package, and to be easily applied. The present invention relates to a high output light emitting diode package having improved heat dissipation efficiency by applying conductive ceramics as a material of a package housing.

일반적으로, 종래의 고출력 발광다이오드 패키지는, 도 1에 도시된 바와 같이, 본체 하우징(101)의 중심부분에 열을 방열시킬 수 있는 방열부재(103)가 고정되어 있고, 상기 방열부재(103)의 내부에 LED칩(105)이 본딩되어 있다. 또한, 상기 본체하우징(101)에는 한 쌍의 리드프레임(111)이 설치되어 외부로 돌출되어 있으며, 상기 LED칩(105)은 회로기판 역할을 하는 서브마운트(109)에 장착되어 상기 리드프레임(111)과 통전 가능하게 연결되며, 상기 LED칩(105)은 본체하우징(101)의 상부면을 덮는 발광렌즈(107)에 의해 보호된다.Generally, in the conventional high output light emitting diode package, as shown in FIG. 1, a heat dissipation member 103 capable of dissipating heat is fixed to a central portion of the main body housing 101, and the heat dissipation member 103 is fixed. The LED chip 105 is bonded inside. In addition, a pair of lead frames 111 are installed in the main body housing 101 to protrude to the outside, and the LED chip 105 is mounted on a submount 109 that serves as a circuit board. 111 is electrically connected to the LED chip 105, and the LED chip 105 is protected by a light emitting lens 107 covering an upper surface of the main body housing 101.

따라서, 상기한 종래의 방열부재를 구비하는 발광다이오드 패키지(100)는 LED칩(105)에서 발생하는 열이 방열부재(103)를 통해 방열됨으로써 LED칩(105)에 값이 큰 입력전류를 공급하면 광학적인 고출력을 얻을 수 있는 것이다.Therefore, the light emitting diode package 100 including the conventional heat dissipation member is configured to supply a large input current to the LED chip 105 by heat radiating from the LED chip 105 through the heat dissipation member 103. The optical high power can be obtained.

그러나, 상기한 종래의 방열부재를 구비하는 발광다이오드 패키지(100)는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the light emitting diode package 100 having the above-mentioned conventional heat dissipation member has the following problems.

첫째, 종래의 고출력 발광다이오드는 크기가 크기 때문에 예를 들어, 기존의 LCD장치 등에 호환적으로 적용하기 곤란하고, 별도의 장착 고정대를 설치하여야 하는 문제점이 있다.First, since the conventional high output light emitting diode has a large size, it is difficult to be compatible with, for example, an existing LCD device, and there is a problem in that a separate mounting fixture must be installed.

둘째, 발광다이오드 패키지(100)의 본체 하우징(101)이 일반적인 플라스틱(폴리머) 재질 또는 열전도도가 낮은 열전도성 플라스틱 재질로 이루어지기 때문에 LED칩(105)으로부터 발산되는 열을 하우징(101) 외부로 발산하지 못하여 방열효율이 현저히 저하되어 상기한 바와 같이 LED칩(105)의 수명이 단축되는 문제점이 있는 것이다.Second, since the body housing 101 of the light emitting diode package 100 is made of a general plastic (polymer) material or a thermally conductive plastic material having low thermal conductivity, heat emitted from the LED chip 105 to the outside of the housing 101. The heat dissipation efficiency is significantly lowered due to the dissipation, and thus, the life of the LED chip 105 is shortened as described above.

상기한 종래의 LED 패키지의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 일반적인 원형의 발광다이오드 패키지의 형태를 변화시켜 완성된 LED 패키지의 장착되는 기구, 기기 또는 장치에 용이하게 적용할 수 있음과 동시에, 고열전도성의 세라믹스 또는 열전도성 플라스틱을 패키지 하우징 재료로 적용하여 방열효율이 보다 향상되어 발광특성이 우수한 고출력 발광다이오드 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.In order to solve the problems of the conventional LED package described above, the present invention can be easily applied to a mechanism, a device or an apparatus to be mounted on a completed LED package by changing the shape of a general circular LED package, and at the same time, The purpose of the present invention is to provide a high output light emitting diode package having excellent light emission characteristics by applying conductive ceramics or thermally conductive plastic as a package housing material.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 고출력 발광다이오드 패키지에 있어서, 고열전도성 세라믹스 또는 열전도성 플라스틱 재질이면서 내부공간이 형성된 제1패키지 하우징과; 상기 제1패키지 하우징과 동일 재질이면서 제1패키지 하우징 내부공간에 삽입되는 제2패키지 하우징과; 도전성 재질이면서 상기 제2패키지 하우징의 내부공간에 전기적으로 단절되어 삽입 고정되는 적어도 하나 이상의 열전달 슬러그와; 상기 제1패키지 하우징 및 제2패키지 하우징 사이에 고정되는 한 쌍의 리드프레임과; 상기 열전달 슬러그의 상부면에 본딩되어 상기 열전달 슬러그를 통해 상기 리드프레임에 전기적으로 극성 연결되는 하나 이상의 LED칩을 포함하되, 상기 제2패키지 하우징에는 상기 각 열전달 슬러그를 전기적으로 단절시키기 위한 슬러그 경계대가 일체로 형성되고, 상기 슬러그 경계대에 의해 분할되어 상기 각 열전달 슬러그가 안착되게 하기 위한 슬러그 안착공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a high power light emitting diode package comprising: a first package housing made of a high thermal conductivity ceramics or a thermally conductive plastic and having an inner space; A second package housing made of the same material as the first package housing and inserted into an inner space of the first package housing; At least one heat transfer slug which is a conductive material and is electrically disconnected and inserted into an inner space of the second package housing; A pair of lead frames fixed between the first package housing and the second package housing; And at least one LED chip bonded to the top surface of the heat transfer slug and electrically connected to the lead frame through the heat transfer slug, wherein the second package housing includes a slug boundary for electrically disconnecting the respective heat transfer slugs. It is formed integrally, and is divided by the slug boundary to provide a high output light emitting diode package with improved heat dissipation efficiency, characterized in that a slug seating space for forming each of the heat transfer slug is formed.

또한, 본 발명은 상기 제1패키지 하우징의 형상이 사각형상인 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지를 제공하게 된다.In addition, the present invention provides a high output light emitting diode package having improved heat dissipation efficiency having a rectangular shape of the first package housing.

또한, 본 발명은 상기 고열전도성 세라믹스는 알루미나(Al2O3), 탄화규소(SiC), 질화알루미늄(AlN) 중에서 선택된 어느 하나인 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지를 제공하며, 상기 제1패키지 하우징은 그 내부공간이 사각형상, 원형, 타원형 및 쌍원형 중에서 선택된 어느 하나의 형상으로 형성되는 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지를 제공한다.The present invention also provides a high output light emitting diode package having improved heat dissipation efficiency, wherein the high thermal conductivity ceramic is any one selected from alumina (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), and aluminum nitride (AlN). The housing provides a high-output light emitting diode package having improved heat dissipation efficiency, the inner space of which is formed in any one shape among rectangular, circular, elliptical and bicyclic.

또한, 본 발명은 상기 열전달 슬러그에 실장되어 상기 리드프레임의 연결단자에 극성 연결되는 제너다이오드를 더 포함하는 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지를 제공한다.In addition, the present invention provides a high output light emitting diode package having improved heat dissipation efficiency further includes a zener diode mounted on the heat transfer slug and polarly connected to the connection terminal of the lead frame.

또한, 본 발명은 상기 열전달 슬러그의 상부면에 본딩되어 전기적으로 극성 연결된 LED칩은 발광렌즈 또는 몰딩재에 의하여 보호되는 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지를 제공한다.In addition, the present invention provides a high power light emitting diode package having improved heat dissipation efficiency that is bonded to the upper surface of the heat transfer slug and electrically connected to the LED chip is protected by a light emitting lens or a molding material.

또한, 본 발명은 상기 LED칩은 실리콘 재질의 몰딩재에 의하여 몰딩된 다음, 에폭시 수지로 다시 몰딩되는 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 열전달 슬러그의 상부면에 본딩되어 전기적으로 극성 연결된 LED칩은 몰딩재 및 발광렌즈에 의하여 보호되는 것을 특징으로 하는 방열효율이 향상된 고출력 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 제2패키지 하우징에 상기 제2패키지 하우징의 하부가 개방된 상태에서 상기 슬러그 안착공간에 상기 열전달 슬러그를 안착시켜 고정시키기 위한 슬러그 안착턱이 슬러그 경계대에 일체로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방열효율이 향상된 고출력 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 제1패키지 하우징이 상기 제2패키지 하우징에 씌워져 상기 제2패키지 하우징에 삽입장착된 각 열전달 슬러그와 상기 리드프레임을 밀착하여 고정시키기 위한 고정턱을 구비하는 것을 특징으로 하는 방열효율이 향상된 고출력 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
In addition, the present invention provides a high-output light emitting diode package with improved heat dissipation efficiency is molded by a molding material of silicon, the LED chip, and then molded again with an epoxy resin.
In addition, the present invention provides a high power light emitting diode package having improved heat dissipation efficiency, characterized in that the LED chip bonded to the upper surface of the heat transfer slug and electrically connected to the polarity is protected by the molding material and the light emitting lens.
In addition, the present invention is a slug seating jaw for mounting and fixing the heat transfer slug to the slug seating space in the state in which the lower portion of the second package housing is open to the second package housing is integrally formed on the slug border Provided is a high power light emitting diode package having improved heat dissipation efficiency.
In addition, the present invention is characterized in that the first package housing is covered with the second package housing, the heat transfer slug inserted into the second package housing and has a fixing jaw for fixing in close contact with the lead frame Provides a high power LED package with improved thermal efficiency.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration of the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지를 도시한 분리 사시도이며, 도 4는 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지를 도시한 평면도, 측면도 및 저면도이다.2 is a perspective view showing a high power light emitting diode package according to the present invention, Figure 3 is an exploded perspective view showing a high power light emitting diode package according to the present invention, Figure 4 is a plan view showing a high power light emitting diode package according to the present invention. , Side view and bottom view.

본 발명은 상기한 각각의 도면에 도시된 바와 같은 구체적인 실시예로 적용되었으며, 본 발명이 이러한 구체적인 실시예에 한정되는 것은 아니라 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 변형 실시 가능한 것이다.The present invention has been applied to the specific embodiments as shown in each of the above drawings, the present invention is not limited to these specific embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지는 우선 외형부분인 제1패키지 하우징(1)을 삼각형 이상의 다각형상으로 가공하게 되며, 제2패키지 하우징(2)은 상기 제1패키지 하우징(1)의 형상과는 동일한 형상으로 가공될 필요는 없으나 본 발명의 실시예에서는 상기 제1 및 제2패키지 하우징(1, 2)를 사각형상으로 하여 설명하기로 한다.2 to 4, the high power light emitting diode package according to the present invention first processes the first package housing 1, which is an external part, into a polygonal shape of triangle or more, and the second package housing 2 is It is not necessary to be processed into the same shape as the shape of the first package housing 1, but in the embodiment of the present invention will be described with the first and second package housing (1, 2) in a rectangular shape.

또한, 상기 제1 및 제2패키지 하우징(1, 2)의 재료로서는 종래에는 열전도성 플라스틱(Thermal Conductive Plastics)을 이용하였다. 이러한 열전도성 플라스틱으로는 ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene), LCP(Liquid Crystalline Polymer), PA(Polyamide), PPS(Polyphenylene Sulfide), TPE(Thermoplastic Elastomer) 등이 이용되고 있으나, 열전도성을 주기능으로 하는 금속(구리, 은, 알루미늄 등)이나 세라믹스보다는 열전도도가 낮다. 즉, 열전달 기능을 하는 재료의 본질은 재료 자체의 열전도도에는 의존하는 것이므로 열전달이 효율적으로 이루어지기 위해서는 열전도도가 높은 재료를 채택하는 것이 바람직한 것이다.In addition, as the material of the first and second package housings 1 and 2, thermally conductive plastics are conventionally used. Such thermally conductive plastics include ABS (Acrylonitrile Butadiene Styrene), LCP (Liquid Crystalline Polymer), PA (Polyamide), PPS (Polyphenylene Sulfide), TPE (Thermoplastic Elastomer), etc. (Copper, silver, aluminum, etc.) and thermal conductivity is lower than ceramics. That is, since the nature of the material having a heat transfer function depends on the heat conductivity of the material itself, it is preferable to adopt a material having high heat conductivity in order to achieve efficient heat transfer.

그러나, 본 발명이 적용되는 발광다이오드 패키지 분야에서는 열전도성 금속이 패키지 하우징(1, 2)의 재료로서 이용될 수 없다. 상기 제1 및 제2패키지 하우징(1, 2)은 리드 프레임(5a, 5b)의 연결단자(4a, 4b)와 내부에 위치하는 열전달 슬러그(3a, 3b) 간에 전기적으로 절연이 필요하기 때문에 금속재질로 패키지 하우징(1, 2)이 제작될 경우 전기적으로 절연되지 못하는 문제가 있다.However, in the field of light emitting diode packages to which the present invention is applied, a thermally conductive metal cannot be used as the material of the package housings 1 and 2. The first and second package housings 1 and 2 are made of metal because they require electrical insulation between the connection terminals 4a and 4b of the lead frames 5a and 5b and the heat transfer slugs 3a and 3b located therein. If the package housing (1, 2) is made of a material there is a problem that it is not electrically insulated.

따라서, 본 발명에서는 패키기 하우징(1, 2) 재료로서 고열전도성 세라믹스(High Thermal Conductive Ceramics)를 채택하여 이용하였다. 이 고열전도성 세라믹스는 회로기판(回路基板)의 열을 신속하게 방산(放散)하기 위해 개발된 세라믹재료로서, 대표적인 것으로 알루미나(Al2O3), 탄화규소(SiC) 및 질화알루미늄(AlN)이 있다. 상기한 고열전도성 세라믹스 중에서 질화알루미늄(AlN)은 알루미나와 동등한 물성을 가지며, 열전도성에서 알루미나보다 우수하여 많이 활용되고 있다.Therefore, in the present invention, high thermal conductive ceramics are used as the package housing 1 and 2 materials. This high thermal conductivity ceramic is a ceramic material developed to dissipate heat quickly in a circuit board. Representative examples include alumina (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC) and aluminum nitride (AlN). have. Among the high thermally conductive ceramics, aluminum nitride (AlN) has the same physical properties as that of alumina, and is widely used because it is superior to alumina in thermal conductivity.

상기한 종래기술에 따른 열전도성 플라스틱과 본 발명에서 채택하고 있는 고열전도성 세라믹스의 하나인 알루미나(Alumina)의 물성을 비교하였다. 표 1에 나타 낸 바와 같이, 본 발명에서 채택하고 있는 고열전도성 세라믹스의 일종인 알루미나의 경우 밀도 또는 절연 강도면에서는 열전도성 플라스틱에 비하여 상대적으로 떨어지지만, 열전도도 및 열팽창계수, 비열, 최대사용온도와 같은 열적, 절연특성에 있어서는 열전도성 플라스틱보다 현저히 높은 물성을 나타내고 있다.The physical properties of the thermally conductive plastics according to the prior art and alumina, which is one of the high thermally conductive ceramics employed in the present invention, were compared. As shown in Table 1, alumina, which is a kind of high thermal conductivity ceramics adopted in the present invention, is relatively inferior in terms of density or insulation strength to thermally conductive plastics, but has high thermal conductivity, coefficient of thermal expansion, specific heat, and maximum operating temperature. In terms of thermal and insulating properties, it exhibits significantly higher physical properties than thermally conductive plastics.

특히 본 발명에 적용되는 고출력 발광다이오드 패키지 분야의 패키지 하우징(1, 2)의 경우, 강도 및 무게와 같은 기계적 물성보다는 열전도도, 최대사용온도와 같은 전기적 또는 열적특성이 우수함을 요하기 때문에 고열전도성 세라믹스를 패키지 하우징(1, 2)에 적용하면 열전도성 플라스틱보다는 현저한 방열효과를 얻을 수 있는 것이다.In particular, the package housing (1, 2) in the field of high power light emitting diode package applied to the present invention, because the electrical conductivity and thermal properties such as the thermal conductivity, the maximum operating temperature is required rather than the mechanical properties such as strength and weight, high thermal conductivity If ceramics are applied to the package housings 1 and 2, remarkable heat dissipation effect can be obtained rather than thermally conductive plastics.

Figure 112004029257104-pat00001
Figure 112004029257104-pat00001

따라서, 본 발명의 제1 및 제2패키지 하우징(1, 2)은 기존의 열전도성 플라스틱 또는 열고열전도성 세라믹스의 재질로 제작되는데, 열전도성 플라스틱의 경우 사출성형 공정으로서 제작되며, 고열전도성 세라믹스의 경우 예정된 형태로 세라믹분말을 성형한 다음, 소결하는 일반적인 공정으로서 제작된다.Accordingly, the first and second package housings 1 and 2 of the present invention are made of a material of a conventional thermally conductive plastic or a thermally thermally conductive ceramic, and the thermally conductive plastic is manufactured as an injection molding process, and is made of a high thermally conductive ceramic. In this case, it is manufactured as a general process of molding and then sintering ceramic powder in a predetermined form.

상기 제작된 패키지 하우징(1, 2) 중에서 제2패키지 하우징(2)에 사각형의 열전달 슬러그(3a, 3b) 및 리드프레임(5a, 5b)과, 이와 일체형으로 형성된 연결단자(4a, 4b)가 삽입 장착되어진다.Among the manufactured package housings 1 and 2, rectangular heat transfer slugs 3a and 3b and lead frames 5a and 5b and second connection terminals 4a and 4b are integrally formed in the second package housing 2. Insert is mounted.

즉 상기 열전달 슬러그(3a, 3b)의 경우, 제2패키지 하우징(2)에 형성된 사각형의 슬러그 안착공간(6a, 6b)에 한 쌍의 열전달 슬러그(3a, 3b)가 삽입 장착되는 구조이며, 이 한 쌍의 열전달 슬러그(3a, 3b)는 제2패키지 하우징(2)의 중앙부에 형성된 슬러그 경계대(9) 및 이와 일체형으로 형성된 슬러그 안착턱(10a, 10b)에 의하여 전기적으로 절연되면서 고정되는 것이다. 또한 제2패키지 하우징(2)에 장착된 한 쌍의 열전달 슬러그(3a, 3b)는 그 하부 면이 제2패키지 하우징(2)의 하부 면으로부터 완전 개방됨으로써 후공정에서 기판에 장착될 경우 LED칩으로부터 발생한 열을 방열시키도록 하는 것이다.That is, in the case of the heat transfer slugs 3a and 3b, a pair of heat transfer slugs 3a and 3b is inserted into and mounted in the rectangular slug seating spaces 6a and 6b formed in the second package housing 2. The pair of heat transfer slugs 3a and 3b are electrically insulated and fixed by the slug border 9 formed at the center of the second package housing 2 and the slug seating jaws 10a and 10b integrally formed therewith. . In addition, the pair of heat transfer slugs 3a and 3b mounted on the second package housing 2 are completely opened from the bottom surface of the second package housing 2 so that the LED chip is mounted on the substrate in a later process. It is to dissipate heat generated from.

또한, 본 발명의 제2패키지 하우징(2)의 양측 외면부에 리드프레임(5a, 5b) 및 이와 일체형으로 형성된 연결단자(4a, 4b)가 각각의 안착홈에 고정되는데, 리드프레임(5a, 5b)은 외측면부에 형성된 프레임 안착홈(8a, 8b)에 고정되며, 연결단자(4a, 4b)는 단자 안착홈(8a, 8b)에 고정된다.In addition, lead frames 5a and 5b and connecting terminals 4a and 4b formed integrally therewith are fixed to respective seating grooves on both outer surfaces of the second package housing 2 of the present invention. 5b) is fixed to the frame seating grooves 8a and 8b formed on the outer surface, and the connecting terminals 4a and 4b are fixed to the terminal seating grooves 8a and 8b.

상기한 바와 같이, 사각형상의 열전달 슬러그(3a, 3b), 리드프레임(5a, 5b) 및 연결단자(4a, 4b)가 제2패키지 하우징(2)에 삽입 장착된 다음, 제1패키지 하우징(1)이 그 상부에 씌워지게 된다. 상부에 씌워진 상기 제1패키지 하우징(1)은 제2패키지 하우징(2)과 강제 끼워 맞춤식 또는 접착제 부착방식으로 고정되어 상기 열전달 슬러그(3a, 3b), 리드프레임(5a, 5b) 및 연결단자(4a, 4b)를 고정하게 되는 것으로서, 제1패키지 하우징(1)에 형성된 고정턱(12)이 상기 제2패키지 하우징(2) 및 이에 고정된 열전달 슬러그(3a, 3b), 리드프레임(5a, 5b) 및 연결단자(4a, 4b)와 밀착함으로써 견고하게 고정되는 것이다.As described above, the rectangular heat transfer slugs 3a and 3b, the lead frames 5a and 5b and the connection terminals 4a and 4b are inserted into the second package housing 2 and then the first package housing 1 ) Will be covered on top of it. The first package housing 1 covered on the upper part is fixed to the second package housing 2 by a force-fitting or adhesive attachment method so that the heat transfer slugs 3a and 3b, the lead frames 5a and 5b, and the connection terminal ( The fixing jaw 12 formed in the first package housing 1 is fixed to 4a and 4b, and the second package housing 2 and the heat transfer slugs 3a and 3b fixed thereto and the lead frame 5a, 5b) and the connection terminals 4a and 4b are tightly fixed.

상기 제1패키지 하우징(1)은 중앙부가 비어 있는 사각형의 중공형이며, 이 중앙 공간부의 내벽은 경사면(14)으로 형성되어 후에 장착되는 LED칩으로부터 발광된 빛의 발광효율이 향상되도록 한다.The first package housing 1 is a hollow hollow rectangle having a central portion, and the inner wall of the central space portion is formed with an inclined surface 14 to improve the luminous efficiency of light emitted from the LED chip to be mounted later.

또한, 상기와 같이 제1패키지 하우징(1)이 제2패키지 하우징(2)을 삽입하여 고정할 때 상기 연결단자(4a, 4b)에 형성된 고정홈(11a, 11b)에 상기 제1패키지 하우징(1)의 고정턱(12)에 형성된 돌출부(도 5의 13)가 삽입되어 고정됨으로써 연결단자(4a, 4b)의 위치가 어긋나지 않도록 정위치에 고정되도록 하는 것이다.In addition, the first package housing (1) in the fixing groove (11a, 11b) formed in the connecting terminals (4a, 4b) when the first package housing 1 is inserted and fixed to the second package housing (2) as described above The protrusion (13 in FIG. 5) formed in the fixing jaw 12 of 1) is inserted and fixed so that the position of the connecting terminals 4a and 4b is fixed in position so as not to shift.

도 5는 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지를 도시한 정단면도, 종단면도 및 측단면도이다.5 is a front cross-sectional view, a longitudinal cross-sectional view and a side cross-sectional view showing a high power light emitting diode package according to the present invention.

상기한 바와 같은 방식으로 조립된 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지는, 도 5에 도시된 바와 같은 단면형상으로 도시된다. 즉 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1패키지 하우징(1)이 제2패키지 하우징(2)에 삽입 장착된 각각의 열전달 슬러그(3a, 3b), 리드프레임(5a, 5b) 및 연결단자(4a, 4b)는 제1패키지 하우징(1)에 형성된 고정턱(12)에 의하여 고정되며, 상기 열전달 슬러그(3a, 3b)는 슬러그 경계대(9)에 의하여 전기적으로 절연을 유지하게 되는 것이다.The high power light emitting diode package according to the present invention assembled in the manner described above is shown in the cross-sectional shape as shown in FIG. That is, as shown in Figure 5 (a), each of the heat transfer slug (3a, 3b), the lead frame (5a, 5b) and the first package housing 1 is inserted into the second package housing (2) and The connecting terminals 4a and 4b are fixed by the fixing jaw 12 formed in the first package housing 1, and the heat transfer slugs 3a and 3b are electrically maintained by the slug boundary 9. Will be.

또한, 도 5의 (b) 및 (c)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 연결단자(4a, 4b)는 제1패키지 하우징(1)의 하부에 형성된 돌출부(13)가 연결단자(4a, 4b)에 형성된 고정홈(11a, 11b)에 삽입됨으로써 연결단자(4a, 4b) 및 리드프레임(5a, 5b)을 견고하게 정위치에 고정하는 것이며, 리드프레임(5a, 5b)의 하부는 제2패키지 하우징(2)의 하부 면에서 완전 개방되는 형태로 조립되어 후공정에서 장착되어 전원을 공급받게 되는 것이다.In addition, as shown in (b) and (c) of Figure 5, the connecting terminal (4a, 4b) of the present invention is a projection 13 formed in the lower portion of the first package housing 1, the connecting terminal (4a, Inserted into the fixing grooves (11a, 11b) formed in the 4b) to secure the connection terminals (4a, 4b) and the lead frame (5a, 5b) firmly in place, the lower portion of the lead frame (5a, 5b) 2 is packaged in a form that is completely open at the lower surface of the package housing (2) is mounted in a post-process to receive power.

도 6은 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지에 실장된 LED칩을 평면도이고, 도 7은 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지의 다른 실시예에 실장된 LED칩을 평면도이며, 도 8은 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지에 몰딩재가 몰딩된 상태를 단면도이다.FIG. 6 is a plan view of an LED chip mounted on a high power light emitting diode package according to the present invention, FIG. 7 is a plan view of an LED chip mounted on another embodiment of a high power light emitting diode package according to the present invention, and FIG. The molding material is molded in the high power light emitting diode package according to the cross-sectional view.

상기와 같이 조립된 본 발명에 따른 고출력 발광다이오드 패키지에는 LED칩(20~23)이 실장된다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 조립된 열전달 슬러그(3a ,3b)의 상부 면에 LED칩(20)을 고정시키고, 본딩 와이어(30, 31, 32)로 통전되도록 극성 연결시킨다.The LED chips 20 to 23 are mounted on the high output light emitting diode package according to the present invention assembled as described above. That is, as shown in Figure 6, the LED chip 20 is fixed to the upper surface of the assembled heat transfer slug (3a, 3b), and the polarity connection so as to energize the bonding wires (30, 31, 32).

도 6의 (a)에서와 같이, 하나의 LED칩(20)이 극성 연결될 수 있으며, 도 6의 (b)에서와 같이, 하나의 이상의 LED칩(20~23)이 본딩 와이어(33~37)로 통전되도록 극성 연결될 수 있으며, 이러한 LED칩(20~23)의 연결 수는 고출력 발광다이오드 패키지가 적용되는 환경에 따라서 조절될 수 있는 것이다.As shown in FIG. 6A, one LED chip 20 may be polarized, and as shown in FIG. 6B, one or more LED chips 20 to 23 may be bonded wires 33 to 37. It can be connected to the polarity so as to be energized, and the number of the connection of the LED chip (20 ~ 23) can be adjusted according to the environment in which the high power light emitting diode package is applied.

또한, 정전기 혹은 급격한 전류가 공급되는 경우 LED칩(20~23)을 보호하도록 제너다이오드(25)를 실장할 수 있다. 즉 제너다이오드(Zener Diode; 25)는 반도체 p-n 접합 또는 n-p 접합으로 비교적 큰 역방향의 전압을 가했을 때, 어떤 전압으로 급격하게 큰 전류가 흐르기 시작하고, 그 전압이 일정하게 유지되는 현상을 이용한 반도체 디바이스로서, LED 패키지에 적용되면 정전기 혹은 급격한 전류가 공급되는 경우에도 정전압을 유지할 수 있어 제품에 대한 신뢰성을 증대시킬 수 있다. 이러한 제너다이오드(25)는 본딩와이어(38)의 길이가 짧게 형성되도록 접합하는 것이 중요하다.In addition, the zener diode 25 may be mounted to protect the LED chips 20 to 23 when static electricity or a sudden current is supplied. That is, the Zener diode 25 is a semiconductor device using a phenomenon in which when a large reverse voltage is applied to a semiconductor pn junction or an np junction, a large current starts to flow at a certain voltage and the voltage is kept constant. As applied to the LED package, it is possible to maintain a constant voltage even when static electricity or a rapid current is supplied, thereby increasing the reliability of the product. It is important to bond these zener diodes 25 so that the length of the bonding wire 38 is short.

한편, 본 발명은 상기 구성을 설명하면서 참조한 도면에서는 제1패키지 하우징(1)의 중앙 공간부가 사각형상으로 형성된 형태를 도시하였지만, 본 발명의 다른 실시예에서는, 도 7에 도시된 바와 같이, 여러 형상으로 상기 중앙 공간부가 가공될 수 있다. 즉 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 그 내부공간부가 완전한 원 형태 또는 타원 형태로 형성될 수 있으며, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 원이 상호 겹쳐지는 부분으로 접촉하는 형상으로 형성될 수 있는 것이다. 이러한 중앙 공간부의 형태는 임의적으로 변경하는 것이 가능하며, 보다 지향된 발광을 위해서는 사각형상 보다는 원형의 내부공간으로 형성하는 바람직하다.On the other hand, the present invention has been shown while the above-described configuration, the central space portion of the first package housing 1 is shown in the form of a rectangular shape, in another embodiment of the present invention, as shown in FIG. The central space portion may be processed into a shape. That is, as shown in (a) of FIG. 7, the inner space may be formed in a perfect circle shape or an ellipse shape, and as shown in (b) of FIG. 7, a portion where a pair of circles overlap each other. It can be formed in a shape that contacts. The shape of the central space can be arbitrarily changed, and for more directed light emission, it is preferable to form a circular internal space rather than a rectangular shape.

한편, 본 발명은 열전달 슬러그(3a, 3b)의 상부 면에 와이어 본딩되어 전기적으로 극성 연결된 LED칩(20~23)의 보호를 위하여, 도 8에 도시된 바와 같이, 실리콘 재질의 몰딩재(40)에 의하여 몰딩된다.Meanwhile, in order to protect the LED chips 20 to 23 electrically bonded to the upper surfaces of the heat transfer slugs 3a and 3b and electrically connected to each other, as shown in FIG. Molding).

즉 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는 탑재된 LED칩(20~23)의 보호를 위하여 발광렌즈(107)를 씌워 보호할 수도 있고, 상기 발광렌즈(107)를 씌워 보호함과 동시에 LED칩(20~23)의 보호를 위하여 실리콘 재질의 몰딩재(40)로서 발광다이오드 패키지의 상부면을 몰딩 보호할 수도 있다. 또한, 상기 발광렌즈(107)를 제거하고 몰딩재(40)에 의해서 발광다이오드 패키지 상부면을 보호할 수도 있는 것이 다.That is, the light emitting diode package according to the present invention may be protected by covering the light emitting lens 107 to protect the mounted LED chips 20 to 23, or by covering the light emitting lens 107 and protecting the LED chip 20. For the protection of ˜23, the upper surface of the light emitting diode package may be molded as the molding material 40 made of silicon. In addition, the light emitting lens 107 may be removed and the upper surface of the light emitting diode package may be protected by the molding material 40.

또한, 상기 실리콘 재질의 몰딩재(40)로 탑재된 LED칩(20~23)을 1차 몰딩한 다음, 그 상부면에 에폭시 수지의 몰딩재(41)로 다시 2차 몰딩함으로써 보다 확실하게 LED칩(20~23) 및 본딩와이어(30~37)의 보호를 기하였다.In addition, the LED chips 20 to 23 mounted with the molding material 40 of silicon are first molded, and then the second molding is performed again with the molding material 41 of epoxy resin on the upper surface of the LED. The protection of the chips 20-23 and the bonding wires 30-37 was made.

따라서, 고출력 발광다이오드 패키지를 구성함에 있어서, 발광렌즈(107)를 제거하는 경우에는 상기한 몰딩재(40, 41)만으로 몰딩함으로써 부품의 간소화 및 공정 단순화로 인하여 생산성이 향상되는 부수적인 효과를 얻을 수 있다.Therefore, in the construction of the high power light emitting diode package, when the light emitting lens 107 is removed, molding is performed using only the molding materials 40 and 41 to obtain a side effect of improving productivity due to the simplification of parts and the simplification of the process. Can be.

상술한 바와 같이, 본 발명은 패키지 하우징 재료로서 고열전도성 세라믹스 또는 열전도성 플라스틱을 적용함으로써 LED칩으로부터 발산되는 열을 효과적으로 방열시켜 발광특성이 우수한 고출력 발광다이오드 패키지를 제공할 수 있다는 효과가 있다. 또한, 패키지 하우징의 형태를 장착되는 기기의 공간부에 부합하는 형태로 하여 예를 들면 LCD장치와 같은 LED 패키지 장착부가 협소하거나 특정형태의 공간부에 용이하게 적용할 수 있다는 효과가 있다.As described above, the present invention has the effect that by applying a high thermal conductivity ceramics or a thermally conductive plastic as the package housing material to effectively dissipate heat emitted from the LED chip, it is possible to provide a high output light emitting diode package having excellent light emission characteristics. In addition, there is an effect that the shape of the package housing corresponds to the space portion of the device to be mounted, so that, for example, an LED package mounting portion such as an LCD device can be easily applied to a narrow or specific shape space portion.

Claims (10)

고출력 발광다이오드 패키지에 있어서,In the high power light emitting diode package, 고열전도성 세라믹스 또는 열전도성 플라스틱 재질이면서 내부공간이 형성된 제1패키지 하우징과;A first package housing made of high thermal conductivity ceramics or thermally conductive plastic and having an inner space; 상기 제1패키지 하우징과 동일 재질이면서 제1패키지 하우징 내부공간에 삽입되는 제2패키지 하우징과;A second package housing made of the same material as the first package housing and inserted into an inner space of the first package housing; 도전성 재질이면서 상기 제2패키지 하우징의 내부공간에 전기적으로 단절되어 삽입 고정되는 적어도 하나 이상의 열전달 슬러그와;At least one heat transfer slug which is a conductive material and is electrically disconnected and inserted into an inner space of the second package housing; 상기 제1패키지 하우징 및 제2패키지 하우징 사이에 고정되는 한 쌍의 리드프레임과;A pair of lead frames fixed between the first package housing and the second package housing; 상기 열전달 슬러그의 상부면에 본딩되어 상기 열전달 슬러그를 통해 상기 리드프레임에 전기적으로 극성 연결되는 하나 이상의 LED칩을 포함하되,At least one LED chip bonded to the upper surface of the heat transfer slug and electrically connected to the lead frame through the heat transfer slug, 상기 제2패키지 하우징에는 상기 각 열전달 슬러그를 전기적으로 단절시키기 위한 슬러그 경계대가 일체로 형성되고, 상기 슬러그 경계대에 의해 분할되어 상기 각 열전달 슬러그가 안착되게 하기 위한 슬러그 안착공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지.The second package housing is integrally formed with a slug boundary for electrically disconnecting each heat transfer slug, and is divided by the slug boundary so that a slug seating space for allowing each heat transfer slug to be seated is formed. High power LED package with improved heat dissipation efficiency. 청구항 1에 있어서, 상기 제1패키지 하우징은 그 형상이 사각형상인 것을 특징으로 하는 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지.The high power light emitting diode package having improved heat dissipation efficiency of claim 1, wherein the first package housing has a rectangular shape. 청구항 2에 있어서, 상기 고열전도성 세라믹스는 알루미나(Al2O3), 탄화규소(SiC), 질화알루미늄(AlN) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지.The high output light emitting diode package having improved heat dissipation efficiency according to claim 2, wherein the high thermal conductivity ceramic is any one selected from alumina (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), and aluminum nitride (AlN). 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1패키지 하우징은 그 내부공간이 사각형상, 원형, 타원형 및 쌍원형 중에서 선택된 어느 하나의 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지.The high output light emission of claim 1, wherein the first package housing has an inner space formed in one of a shape selected from a quadrangular shape, a circular shape, an ellipse shape, and a bilateral shape. Diode package. 청구항 1에 있어서, 상기 열전달 슬러그에 실장되어 상기 리드프레임의 연결단자에 극성 연결되는 제너다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지.The high output light emitting diode package having improved heat dissipation efficiency according to claim 1, further comprising a zener diode mounted on the heat transfer slug and polarly connected to a connection terminal of the lead frame. 청구항 1에 있어서, 상기 열전달 슬러그의 상부면에 본딩되어 전기적으로 극성 연결된 LED칩은 발광렌즈 및/또는 몰딩재에 의하여 보호되는 것을 특징으로 하는 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지.The LED package of claim 1, wherein the LED chip bonded to the top surface of the heat transfer slug and electrically connected to the polarizer is protected by a light emitting lens and / or a molding material. 청구항 1에 있어서, 상기 LED칩은 실리콘 재질의 몰딩재에 의하여 몰딩된 다음, 에폭시 수지로 다시 몰딩되는 것을 특징으로 하는 방열효율이 향상된 고출력 발광다이오드 패키지.The LED package of claim 1, wherein the LED chip is molded by a molding material made of silicon and then molded again by an epoxy resin. 청구항 1에 있어서, 상기 열전달 슬러그의 상부면에 본딩되어 전기적으로 극성 연결된 LED칩은 몰딩재 및 발광렌즈에 의하여 보호되는 것을 특징으로 하는 방열효율이 향상된 고출력 발광 다이오드 패키지.The LED package of claim 1, wherein the LED chip bonded to the upper surface of the heat transfer slug and electrically connected to the polarizer is protected by a molding material and a light emitting lens. 청구항 1에 있어서, 상기 제2패키지 하우징에는 상기 제2패키지 하우징의 하부가 개방된 상태에서 상기 슬러그 안착공간에 상기 열전달 슬러그를 안착시켜 고정시키기 위한 슬러그 안착턱이 슬러그 경계대에 일체로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방열효율이 향상된 고출력 발광 다이오드 패키지.The slug seating jaw for mounting and fixing the heat transfer slug to the slug seating space in a state in which the lower portion of the second package housing is open is integrally formed in the slug boundary. High power LED package with improved heat dissipation efficiency. 청구항 1에 있어서, 상기 제1패키지 하우징은 상기 제2패키지 하우징에 씌워져 상기 제2패키지 하우징에 삽입장착된 각 열전달 슬러그와 상기 리드프레임을 밀착하여 고정시키기 위한 고정턱을 구비하는 것을 특징으로 하는 방열효율이 향상된 고출력 발광 다이오드 패키지.The room of claim 1, wherein the first package housing includes a fixing jaw for fixing the lead frame to each heat transfer slug that is covered by the second package housing and is inserted into the second package housing. High power LED package with improved thermal efficiency.
KR20040051296A 2004-07-01 2004-07-01 Polychromatic led package with improved heat protection rate KR100620214B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20040051296A KR100620214B1 (en) 2004-07-01 2004-07-01 Polychromatic led package with improved heat protection rate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20040051296A KR100620214B1 (en) 2004-07-01 2004-07-01 Polychromatic led package with improved heat protection rate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060002328A KR20060002328A (en) 2006-01-09
KR100620214B1 true KR100620214B1 (en) 2006-09-08

Family

ID=37105292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20040051296A KR100620214B1 (en) 2004-07-01 2004-07-01 Polychromatic led package with improved heat protection rate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100620214B1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100591943B1 (en) * 2005-03-26 2006-06-20 서울반도체 주식회사 Light emitting diode
KR100775574B1 (en) * 2006-04-20 2007-11-15 알티전자 주식회사 LED package with high efficiency
JP4830768B2 (en) * 2006-05-10 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device
WO2013010359A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-24 上海嘉塘电子有限公司 Self-heat-dissipating led modular structure and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060002328A (en) 2006-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9945526B2 (en) Optoelectronic lighting module, optoelectronic lighting apparatus and vehicle headlamp
US6407411B1 (en) Led lead frame assembly
US7612386B2 (en) High power light emitting diode device
JP5140711B2 (en) LED package die with one small footprint
TWI334216B (en) Power semiconductor apparatus
KR101360732B1 (en) Led package
KR101451266B1 (en) Led light module
TWI640713B (en) Led lead frame array for general illumination
KR20150036793A (en) Cooling box for components or circuits
KR100613065B1 (en) Light-emitting diode package using high thermal conductive reflector and manufacturing method of the same
KR100875702B1 (en) High Power LED Package
EP3078063B1 (en) Mounting assembly and lighting device
KR100620214B1 (en) Polychromatic led package with improved heat protection rate
TW200903834A (en) High heat-dissipation light emitting diode device
KR100593152B1 (en) Monochromatic light emitting diode package with improved heat protection rate
KR100558082B1 (en) Polychromatic light emitting diode package with improved heat protection rate
CN110323185B (en) Semiconductor packaging system
KR100678848B1 (en) Light-emitting diode package with a heat sink and method of manufacturing the same
KR101004929B1 (en) Light emitting diode package and Light emitting diode package module having the same
KR100749666B1 (en) Side view type led package with heat sink protrusion
US8120056B2 (en) Light emitting diode assembly
US9892991B2 (en) Connectable package extender for semiconductor device package
JP3109109U (en) Solid state semiconductor light emitting device
KR100970878B1 (en) Lead frame for led package with plenty of diode chips and the led package thereof
JP2009253169A (en) Light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130604

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140619

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee