KR100358134B1 - Output driving circuit for reducing ground bouncing noise - Google Patents
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Abstract
본 발명은 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터가 동시에 턴-온되는 경우를 제거하여 전원전압단 및 접지전원단 사이에 직접적으로 전류가 흐르는 현상을 없애 접지 바운싱 잡음을 줄인 출력 구동 회로를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 출력 구동 회로에 있어서, 풀업제어노드 또는 풀다운제어노드의 전압 레벨값에 응답하여 출력단을 각각 풀업 또는 풀다운 구동하는 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터로 이루어진 풀업 및 풀다운 구동 수단; 출력하고자 입력되는 데이터를 입력받아 상기 데이터의 천이 시 천이 펄스를 발생시키는 숏 펄스 발생 수단; 상기 숏 펄스 발생 수단으로부터 출력되는 천이 펄스 및 상기 데이터에 응답하여 상기 풀업제어노드의 전압 레벨값을 제어하기 위한 풀업노드제어수단; 및 상기 숏 펄스 발생 수단으로부터 출력되는 천이 펄스 및 상기 데이터에 응답하여 상기 풀다운제어노드의 전압 레벨값을 제어하기 위한 풀다운노드제어수단을 포함한다.The present invention is to provide an output driving circuit to reduce the ground bounce noise by eliminating the case that the PMOS transistor and the NMOS transistor is turned on at the same time to eliminate the direct current flowing between the power supply voltage terminal and the ground power supply terminal. According to an aspect of the present invention, there is provided an output driving circuit comprising: pull-up and pull-down driving means each including a PMOS transistor and an NMOS transistor for pull-up or pull-down driving an output stage in response to a voltage level value of a pull-up control node or a pull-down control node; A short pulse generating means for receiving data input for output and generating a transition pulse when the data is transitioned; Pull-up node control means for controlling the voltage level value of the pull-up control node in response to the transition pulse and the data output from the short pulse generation means; And pull-down node control means for controlling the voltage level value of the pull-down control node in response to the transition pulse and the data output from the short pulse generating means.
Description
본 발명은 반도체 장치의 출력단에 연결되어 장치의 출력을 구동하기 위한 출력 구동 회로에 관한 것으로, 특히 전원전압단 및 접지전원단 사이에 순간적으로많은 전류가 흘러 발생하는 접지 바운싱 잡음(ground bouncing noise)을 줄이기 위한 출력 구동 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an output driving circuit connected to an output terminal of a semiconductor device for driving an output of the device, and more particularly, ground bouncing noise generated by a large amount of current flowing instantaneously between a power supply voltage terminal and a ground power supply terminal. An output drive circuit for reducing the
출력 구동 회로는 다양한 구조로 구성될 수 있으나, 가장 간단한 구조의 출력 구동 회로를 통해 출력 구동 회로에서의 접지 바운싱 잡음에 대해 설명한다.The output driving circuit may be configured in various structures, but the ground bounce noise in the output driving circuit will be described through the output driving circuit having the simplest structure.
도 1은 가장 간단한 구조의 출력 구동 회로를 도시한 도면으로서, PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터로 구성된 CMOS 인버터 구조의 출력 구동 회로이다.1 is a diagram showing an output driving circuit of the simplest structure, which is an output driving circuit of a CMOS inverter structure composed of a PMOS transistor and an NMOS transistor.
구체적으로, 도 1의 출력 버퍼는 출력하고자 입력되는 데이터 신호(Input)에 응답하여 출력단(PAD)을 각각 풀-업 또는 풀-다운 구동하는 PMOS 트랜지스터(P1) 및 NMOS 트랜지스터(N1)로 이루어진다.Specifically, the output buffer of FIG. 1 includes a PMOS transistor P1 and an NMOS transistor N1 that pull-up or pull-down drive the output terminal PAD, respectively, in response to a data signal Input to be output.
일반적으로, 접지 바운싱 잡음은 di/dt 잡음이라고도 하는 데, 전원전압단(VDD)과 접지전원단(VSS) 사이에 순간적으로 많은 전류가 흘러 칩 내부의 기생 RLC 성분과 패키지(package)에 존재하는 RLC 성분에 의해 전원전압단(VDD) 및 접지전원단(VSS)의 전위 레벨이 흔들리게 되어 전체 칩의 오동작을 유발한다.In general, the ground bounce noise is also called di / dt noise, and instantaneous current flows between the power supply voltage terminal (VDD) and the ground power supply terminal (VSS) to exist in the parasitic RLC component and package inside the chip. Due to the RLC component, the potential levels of the power supply voltage terminal VDD and the ground power supply terminal VSS are shaken, causing malfunction of the entire chip.
도 1을 참조하면, 데이터 신호(Input)가 풀-업 구동하는 PMOS 트랜지스터(P1)의 게이트단과 풀-다운 구동하는 NMOS 트랜지스터(N1)의 게이트단에 동시에 연결되어, 전원전압이 5V인 경우 데이터 신호(Input)의 전압이 약 1V 내지 4V인 구간에서 PMOS 트랜지스터(P1)와 NMOS 트랜지스터(N1)가 동시에 턴-온(turn-on)되어 전원전압단(VDD) 및 접지전원단(VSS) 사이에 수십 mA에서 수백 mA 정도의 많은 누설 전류가 흐르게 된다.Referring to FIG. 1, when the data signal Input is simultaneously connected to the gate terminal of the PMOS transistor P1 driving the pull-up and the gate terminal of the NMOS transistor N1 driving the pull-down, the data when the power supply voltage is 5V. The PMOS transistor P1 and the NMOS transistor N1 are turned on at the same time between the voltage input terminal VDD and the ground power supply terminal VSS in a period of about 1V to 4V. Many leakage currents flow from tens of mA to hundreds of mA.
따라서, 상기한 바와 같이 구성되는 출력 구동 회로를 다수개 구비한 전체칩에서는 다수의 출력 구동 회로가 동시에 천이될 경우 칩 전체적으로 엄청난 양의 전류가 동시에 흐르게 되어 칩 내부의 전원 레벨이 흔들려 칩이 오동작하게 된다.Therefore, in the case of a whole chip having a plurality of output driving circuits configured as described above, when a large number of output driving circuits are simultaneously transitioned, a large amount of current flows simultaneously in the entire chip, causing the chip to malfunction due to shaking of the power level inside the chip. do.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터가 동시에 턴-온되는 경우를 제거하여 전원전압단 및 접지전원단 사이에 직접적으로 전류가 흐르는 현상을 없애 접지 바운싱 잡음을 줄인 출력 구동 회로를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and eliminates the case where the PMOS transistor and the NMOS transistor are turned on at the same time to eliminate the phenomenon that the current flows directly between the power supply voltage terminal and the ground power supply terminal to eliminate ground bounce noise. The purpose is to provide a reduced output drive circuit.
도 1은 가장 간단한 구조의 출력 구동 회로를 도시한 도면.1 shows an output drive circuit of the simplest structure.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 출력 구동 회로를 도시한 도면.2 illustrates an output drive circuit according to an embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명* Description of the main parts of the drawing
100 : 풀업 및 풀다운 구동부100: pull up and pull down drive
120 : 숏 펄스 발생기120: short pulse generator
140 : 풀업노드제어부140: pull-up node control unit
160 : 풀다운노드제어부160: pull down node control unit
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 출력 구동 회로에 있어서, 풀업제어노드 또는 풀다운제어노드의 전압 레벨값에 응답하여 출력단을 각각 풀업 또는 풀다운 구동하는 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터로 이루어진 풀업 및 풀다운 구동 수단; 출력하고자 입력되는 데이터를 입력받아 상기 데이터의 천이 시 천이 펄스를 발생시키는 숏 펄스 발생 수단; 상기 숏 펄스 발생 수단으로부터 출력되는 천이 펄스 및 상기 데이터에 응답하여 상기 풀업제어노드의 전압 레벨값을 제어하기 위한 풀업노드제어수단; 및 상기 숏 펄스 발생 수단으로부터 출력되는 천이 펄스 및 상기 데이터에 응답하여 상기 풀다운제어노드의 전압 레벨값을 제어하기 위한 풀다운노드제어수단을 포함하여 이루어진다.The present invention for achieving the above object, in the output drive circuit, pull-up and pull-down driving means consisting of a PMOS transistor and an NMOS transistor to pull up or pull down the output stage, respectively, in response to a voltage level value of a pull-up control node or a pull-down control node. ; A short pulse generating means for receiving data input for output and generating a transition pulse when the data is transitioned; Pull-up node control means for controlling the voltage level value of the pull-up control node in response to the transition pulse and the data output from the short pulse generation means; And pull-down node control means for controlling the voltage level value of the pull-down control node in response to the transition pulse and the data output from the short pulse generating means.
바람직하게, 제 1 항에 있어서, 상기 풀업노드제어수단은, 상기 데이터를 임의의 소정 시간 동안 지연하기 위한 제1 지연수단; 상기 숏 펄스 발생 수단으로부터 출력되는 천이 펄스에 응답하여 상기 제1 지연수단으로부터 출력되는 지연된 데이터를 버퍼링하여 제1 노드로 출력하는 제1 삼상 버퍼링 수단; 상기 숏 펄스 발생 수단으로부터 출력되는 천이 펄스에 응답하여 전원전압단의 전압 레벨을 버퍼링하여 상기 제1 노드로 출력하는 제2 삼상 버퍼링 수단; 상기 제1 노드의 레벨값을 유지시키기 위한 제1 레벨유지수단; 및 상기 제1 노드의 레벨값을 버퍼링하여 상기 풀업제어노드로 출력하기 위한 제1 버퍼링 수단을 포함하되, 상기 제1 및 제2 삼상 버퍼링 수단은, 상기 숏 펄스 발생 수단으로부터 출력되는 천이 펄스의 서로 다른 레벨에서 인에이블되고, 좀 더 바람직하게, 상기 풀다운노드제어수단은, 상기 데이터를 임의의 소정 시간 동안 지연하기 위한 제2 지연수단; 상기 숏 펄스 발생 수단으로부터 출력되는 천이 펄스에 응답하여 상기 제2 지연수단으로부터 출력되는 지연된 데이터를 버퍼링하여 제2 노드로 출력하는 제3 삼상 버퍼링 수단; 상기 숏 펄스 발생 수단으로부터 출력되는 천이 펄스에 응답하여 접지전원단의 전압 레벨을 버퍼링하여 상기 제2 노드로 출력하는 제4 삼상 버퍼링 수단; 상기 제2 노드의 레벨값을 유지시키기 위한 제2 레벨유지수단; 및 상기 제2 노드의 레벨값을 버퍼링하여 상기 풀다운제어노드로 출력하기 위한 제2 버퍼링 수단을 포함하되, 상기 제3 및 제4 삼상 버퍼링 수단은, 상기 숏 펄스 발생 수단으로부터 출력되는 천이 펄스의 서로 다른 레벨에서 인에이블된다.Preferably, the pull-up node control means comprises: first delay means for delaying the data for any predetermined time; First three-phase buffering means for buffering the delayed data output from the first delaying means and outputting the delayed data output from the first delaying means to the first node in response to the transition pulse output from the short pulse generating means; Second three-phase buffering means for buffering a voltage level of a power supply voltage terminal and outputting the buffered voltage level to the first node in response to a transition pulse output from the short pulse generating means; First level holding means for maintaining a level value of the first node; And first buffering means for buffering a level value of the first node and outputting the buffered level value to the pull-up control node, wherein the first and second three-phase buffering means each of the transition pulses output from the short pulse generating means. Enabled at another level, and more preferably, the pull-down node control means comprises: second delay means for delaying the data for any predetermined time; Third three-phase buffering means for buffering the delayed data output from the second delay means and outputting the second data to the second node in response to the transition pulse output from the short pulse generating means; Fourth three-phase buffering means for buffering and outputting the voltage level of the ground power supply terminal to the second node in response to the transition pulse output from the short pulse generating means; Second level holding means for maintaining a level value of the second node; And second buffering means for buffering the level value of the second node and outputting the buffered value to the pull-down control node, wherein the third and fourth three-phase buffering means each of the transition pulses output from the short pulse generating means. It is enabled at another level.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. do.
본 발명을 간략히 요약하면, 입력 데이터가 천이하는 시점에서 먼저 짧은 시간 동안 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터를 모두 턴-오프시킨 다음에, 입력 데이터에 응답하여 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터가 구동되도록 구성함으로써 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터가 동시에 턴-온되는 것을 막아 전원전압단 및 접지전원단 사이에 순간적으로 흐르는 전류를 제거하여 접지 바운싱 잡음을 줄인다.Briefly summarized, the PMOS transistor and the NMOS transistor are configured to be turned off in response to the input data by first turning off both the PMOS transistor and the NMOS transistor for a short time when the input data transitions. It prevents the NMOS transistors from turning on at the same time, eliminating the instantaneous current flowing between the supply voltage and ground power stages, reducing ground bounce noise.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 출력 구동 회로를 도시한 도면으로서, 풀업제어노드(pucn) 또는 풀다운제어노드(pdcn)의 전압 레벨값에 응답하여 출력단(PAD)을 각각 풀업 또는 풀다운 구동하는 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터로 구성된 풀업 및 풀다운 구동부(100), 출력 버퍼를 통해 출력하고자 입력되는 데이터(Data)를 입력받아 데이터(Data)의 천이, 즉 0V에서 5V 또는 5V에서 0V로의 천이 시 짧은 시간 동안 천이 펄스를 발생시키는 숏 펄스 발생기(120), 상기 숏 펄스 발생기(120)로부터 출력되는 천이 펄스 및 데이터(Data)에 응답하여 상기 풀업제어노드(pucn)의 전압 레벨값을 제어하기 위한 풀업노드제어부(140) 및 상기 숏 펄스 발생기(120)로부터 출력되는 천이 펄스 및 데이터(Data)에 응답하여 상기 풀다운제어노드(pdcn)의 전압 레벨값을 제어하기 위한 풀다운노드제어부(160)로 이루어지되, 상기 풀업노드제어부(140)는 상기 데이터(Data)를 임의의 소정 시간 동안 지연하기 위한 지연부(142), 상기 숏 펄스 발생기(120)로부터 출력되는 천이 펄스에 응답하여 상기 지연부(142)로부터 출력되는 지연된 데이터를 버퍼링하여노드(ND1)로 출력하는 삼상 버퍼(144), 상기 숏 펄스 발생기(120)로부터 출력되는 천이 펄스에 응답하여 전원전압단(VDD)의 전압 레벨을 버퍼링하여 상기 노드(ND1)로 출력하는 삼상 버퍼(146), 상기 노드(ND1)의 레벨값을 유지시키기 위한 레벨유지부(148) 및 상기 노드(ND1)의 레벨값을 버퍼링하여 상기 풀업제어노드(pucn)로 출력하는 버퍼(150)로 이루어진다.2 is a diagram illustrating an output driving circuit according to an exemplary embodiment of the present invention, in which the output terminal PAD is pulled up or pulled down in response to a voltage level value of a pull-up control node pucn or a pull-down control node pdcn, respectively. A pull-up and pull-down driving unit 100 composed of a PMOS transistor and an NMOS transistor, which receives data input to be output through an output buffer, is short when a data transition occurs, that is, a transition from 0V to 5V or from 5V to 0V. Short pulse generator 120 for generating a transition pulse for a time, pull-up for controlling the voltage level value of the pull-up control node (pucn) in response to the transition pulse and data (Data) output from the short pulse generator 120 A pull-down for controlling a voltage level value of the pull-down control node pdcn in response to a transition pulse and data output from the node controller 140 and the short pulse generator 120. And a pull controller 160, wherein the pull-up node controller 140 includes a delay unit 142 for delaying the data for a predetermined time and a transition pulse output from the short pulse generator 120. In response, the three-phase buffer 144 buffers the delayed data output from the delay unit 142 and outputs the result to the node ND1, and the power supply voltage terminal VDD in response to the transition pulse output from the short pulse generator 120. The three-phase buffer 146 buffers the voltage level of the node ND1 and outputs it to the node ND1, the level maintaining unit 148 for maintaining the level value of the node ND1, and the level value of the node ND1. The buffer 150 is output to the pull-up control node pucn.
또한, 상기 풀다운노드제어부(160)는 상기 데이터(Data)를 임의의 소정 시간 동안 지연하기 위한 지연부(162), 상기 숏 펄스 발생기(120)로부터 출력되는 천이 펄스에 응답하여 상기 지연부(162)로부터 출력되는 지연된 데이터를 버퍼링하여 노드(ND2)로 출력하는 삼상 버퍼(166), 상기 숏 펄스 발생기(120)로부터 출력되는 천이 펄스에 응답하여 접지전원단(VSS)의 전압 레벨을 버퍼링하여 상기 노드(ND2)로 출력하는 삼상 버퍼(164), 상기 노드(ND2)의 레벨값을 유지시키기 위한 레벨유지부(168) 및 상기 노드(ND2)의 레벨값을 버퍼링하여 상기 풀다운제어노드(pdcn)로 출력하는 버퍼(170)로 이루어진다.In addition, the pull-down node controller 160 may delay the data (Data) for a predetermined time, the delay unit 162, the delay unit 162 in response to the transition pulse output from the short pulse generator 120 The three-phase buffer 166 buffering the delayed data output from the N-S2 output to the node ND2, and buffers the voltage level of the ground power supply terminal VSS in response to the transition pulse output from the short pulse generator 120. The pull-down control node pdcn buffers the three-phase buffer 164 output to the node ND2, the level holding unit 168 for maintaining the level value of the node ND2, and the level value of the node ND2. It consists of a buffer 170 for outputting.
상기와 같이 구성되는 출력 구동 회로의 동작에 대해 설명한다.The operation of the output drive circuit configured as described above will be described.
먼저, 숏 펄스 발생기(120)는 데이터(Data)의 천이 시 "하이"레벨의 천이 펄스를 출력하고, 숏 펄스 발생기(120)로부터 출력된 상기 "하이"레벨의 천이 펄스는 삼상 버퍼(146, 164)를 각각 인에이블시켜 삼상 버퍼(146, 164)를 통해 "하이"의 전원전압 레벨 및 "로우"의 접지전압 레벨이 노드(ND1, ND2)로 각각 출력된다. 계속해서, 삼상 버퍼(146)로부터 출력된 "하이"의 전원전압 레벨은 버퍼(150)를 거쳐 풀업제어노드(pucn)로 전달되어 풀업 및 풀다운 구동부(100)의 PMOS 트랜지스터를턴-오프시키고, 삼상 버퍼(164)로부터 출력된 "로우"의 접지전압 레벨은 버퍼(170)를 거쳐 풀다운제어노드(pdcn)로 전달되어 풀업 및 풀다운 구동부(100)의 NMOS 트랜지스터를 턴-오프시키게 된다.First, the short pulse generator 120 outputs a "high" level transition pulse when the data is transitioned, and the "high" level transition pulse output from the short pulse generator 120 is a three-phase buffer 146. 164 is enabled, respectively, and the power supply voltage level of "high" and the ground voltage level of "low" are output to the nodes ND1 and ND2 through the three-phase buffers 146 and 164, respectively. Subsequently, the "high" power supply voltage level output from the three-phase buffer 146 is transferred to the pull-up control node pucn via the buffer 150 to turn off the PMOS transistors of the pull-up and pull-down driving unit 100, The ground voltage level of the "low" output from the three-phase buffer 164 is transferred to the pull-down control node pdcn through the buffer 170 to turn off the NMOS transistors of the pull-up and pull-down driver 100.
이때, 노드(ND1, ND2)에 각각 연결된 레벨유지부(148, 168)는 각각의 노드 레벨값을 유지시키는 위한 것으로써, 상대적으로 작은 구동력을 가진 인버터와 상대적으로 큰 구동력을 가진 인버터로 구성되며, 해당 노드에 연결되어 있는 삼상 버퍼가 디스에이블되는 경우 발생할 수 있는 방전 현상을 방지한다.At this time, the level holding units 148 and 168 respectively connected to the nodes ND1 and ND2 are for maintaining respective node level values, and are composed of an inverter having a relatively small driving force and an inverter having a relatively large driving force. This prevents the discharge phenomenon that can occur when the three-phase buffer connected to the node is disabled.
다음으로, 상술한 바와 같이 데이터(Data)의 천이 시 숏 펄스 발생기(120)의 펄스신호에 응답하여 풀업 및 풀다운 구동부(100)의 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터가 모두 턴-오프된 후 숏 펄스 발생기(120)로부터 "로우"레벨의 펄스 신호가 출력되면, 이 "로우"레벨의 펄스 신호에 의해 삼상 버퍼(144, 166)가 인에이블되어 원래의 데이터(Data)를 버퍼(150, 170)를 통해 풀업제어노드(pucn) 및 풀다운제어노드(pdcn)로 각각 전달하게 된다. 이때, 이전 상태의 노드(ND1, ND2) 레벨값(즉, ND1은 "하이", ND2는 "로우)은 레벨유지부(148, 168)의 상대적으로 작은 구동력을 가진 인버터에 의해 유지되고 있기 때문에 삼상버퍼(144, 166)에서 출력되는 레벨값으로 오버라이트된다. 따라서, 원래의 데이터(Data)에 응답하여 풀업 및 풀다운 구동부(100)가 구동되어, 출력단(PAD)으로 데이터(Data)에 응답된 출력신호를 내보내게 된다.Next, as described above, the PMOS transistor and the NMOS transistor of the pull-up and pull-down driver 100 are both turned off in response to the pulse signal of the short pulse generator 120 when the data is transitioned. When a "low" level pulse signal is output from the 120, the three-phase buffers 144 and 166 are enabled by the "low" level pulse signal, and the original data Data is transferred through the buffers 150 and 170. It is delivered to the pull-up control node (pucn) and pull-down control node (pdcn), respectively. At this time, since the node ND1 and ND2 level values (that is, ND1 is "high" and ND2 are "low") of the previous state are maintained by the inverters having relatively small driving force of the level holding units 148 and 168. It is overwritten by the level value output from the three-phase buffers 144 and 166. Accordingly, the pull-up and pull-down driving unit 100 is driven in response to the original data, and the output terminal PAD responds to the data. Output signal.
결과적으로, 본 발명의 출력 구동 회로는 상술한 바와 같이 숏 펄스 발생기(120)로부터 출력되는 천이 펄스에 응답하여 입력 데이터의 천이 시 풀업 및풀다운 구동부(100)의 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터를 모두 턴-오프시킨 다음에, 입력 데이터(Data)가 "하이"레벨인 경우 상기 풀다운노드제어부(160)를 통해 NMOS 트랜지스터를 턴-온시킴으로써 반전된 입력 데이터(Data)의 레벨값을 출력단(PAD)으로 구동하고, 입력 데이터(Data)가 "로우"레벨인 경우 상기 풀업노드제어부(140)를 통해 PMOS 트랜지스터를 턴-온시킴으로써 반전된 입력 데이터(Data)를 출력단(PAD)으로 구동하게 된다. 따라서, 종래와 같이 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터가 동시에 턴-온되어 전원전압단과 접지전원단 사이에 직접적으로 흐르는 전류를 제거할 수 있다.As a result, the output driving circuit of the present invention turns on both the PMOS transistor and the NMOS transistor of the pull-up and pull-down driving unit 100 during the transition of the input data in response to the transition pulse output from the short pulse generator 120 as described above. After turning off, when the input data Data is at the "high" level, the pull-down node controller 160 turns on the NMOS transistor to drive the level value of the inverted input data Data to the output terminal PAD. When the input data is at the "low" level, the inverted input data Data is driven to the output terminal PAD by turning on the PMOS transistor through the pull-up node controller 140. Therefore, as in the prior art, the PMOS transistor and the NMOS transistor are simultaneously turned on to remove a current flowing directly between the power supply voltage terminal and the ground power supply terminal.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은, 입력 데이터가 천이하는 시점에서 먼저 짧은 시간 동안 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터를 모두 턴-오프시킨 다음에, 입력 데이터에 응답하여 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터가 구동되도록 구성함으로써 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터가 동시에 턴-온되는 것을 막아 전원전압단 및 접지전원단 사이에 순간적으로 흐르는 전류를 제거하여 접지 바운싱 잡음을 줄일 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the PMOS transistor is configured by turning off both the PMOS transistor and the NMOS transistor for a short time at the time when the input data transitions, and then driving the PMOS transistor and the NMOS transistor in response to the input data. By preventing the and NMOS transistors from being turned on at the same time, the ground bounce noise can be reduced by eliminating the current flowing between the supply voltage terminal and the ground supply terminal.
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