KR100329101B1 - Electro-optical Sensors for Electromagnetic Waves Using Zinc-Cadmium-Telenium Crystals - Google Patents
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Abstract
본 발명은 테라헤르쯔(Tera-Hertz) 전자파 센서용도의 아연-카드뮴-텔레늄(Zn-Cd-Te) 계열 전기-광학 소자를 대치하는, ZnxCd1-xTe계 단결정에서 아연-텔레늄(ZnTe)과 카드뮴-텔레늄(CdTe)의 혼합비(x)가 0.4보다는 크거나 같고 1.0보다는 작은 혼합비(0.4≤x<1.0)를 갖는 아연-카드뮴-텔레늄계 결정을 이용한 전자파의 전기-광학 센서에 관한 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides zinc-telenium in a Zn x Cd 1-x Te-based single crystal that replaces a zinc-cadmium-telenium (Zn-Cd-Te) series electro-optical device for a terahertz electromagnetic wave sensor. Electro-optical sensor of electromagnetic waves using zinc-cadmium-telenium-based crystals having a mixing ratio (Z) of (ZnTe) and cadmium-telenium (CdTe) greater than or equal to 0.4 and smaller than 1.0 (0.4≤x <1.0) It is about.
본 발명에 따르면, 아연-텔레늄 단결정 센서용 소자보다 단결정 성장에서 융점이 낮아 작업이 편리하고, 테라헤르쯔 전자파용 센서로 이용할 시에 약 1 펨토세컨드(1 femtosecond)의 단일 샷 신호(single shot signal)를 처리할 수 있는(신호대역의 총 시간분포, 1 피코초) 초고속 소자로 동작할 뿐만 아니라 DC에서 수 테라헤르쯔 정도의 초광역 밴드를 가지며 신호 대 잡음비가 대략 104이상인 초고감도의 광학적인 특성을 제공하는 이점이 있다. 한편, 테라헤르쯔 전자파의 활용에 대해서는, 물질의 분자 운동 및 세포 조직 등을 분석하는 프루브 빔(probe beam)으로 이용할 수 있고, 물질에 대한 투과특성이 좋은 저 에너지 파이므로 현 X-선 투시기를 방사선이 없는 테라헤르쯔 전자파 투시기로 대치할 수 있고, 또 초고속 센싱 특성은 장차 신호 전송 체계의 기술이 발전되면 Tbit/sec의 신호 변조 및 처리를 할 수 있는 등 그 활용이 기대된다.According to the present invention, since the melting point is lower in single crystal growth than the device for zinc-telenium single crystal sensor, the work is more convenient, and when used as a terahertz electromagnetic sensor, a single shot signal of about 1 femtosecond is used. Not only acts as an ultrafast device capable of processing (total time distribution of the signal band, 1 picosecond) but also has a super wide band from DC to terahertz and an ultra-sensitive optical with a signal-to-noise ratio of approximately 10 4 or more. There is an advantage in providing the property. On the other hand, the application of terahertz electromagnetic waves can be used as a probe beam for analyzing the molecular motion and cell tissue of a substance, and because it is a low-energy wave having good permeability to the substance, the current X-ray penetrating radiation is used. It can be replaced by a terahertz electromagnetic wave transmitter which is not available, and the ultra-fast sensing characteristics are expected to be utilized, such as signal modulation and processing of Tbit / sec when the technology of the signal transmission system is developed in the future.
Description
본 발명은 전기-광학(Electro-Optic) 센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 아연-카드뮴-텔레늄(Zn-Cd-Te) 계열 전기-광학 소자를 대치하는, ZnxCd1-xTe계에서 혼합비(x)가 0.4보다는 크거나 같고 1.0보다는 작은 혼합비(0.4≤x<1.0)를 갖는 아연-카드뮴-텔레늄계 결정을 이용한 전자파의 전기-광학 센서(Electro-Optic Sensor of Electromagnetic Wave Using ZnCdTe Crystal)에 관한 것이다.The invention electrooptic (Electro-Optic) relates to sensors, and more particularly, zinc-cadmium-Tele titanium (Zn-Cd-Te) based electric-to replace the optical element, Zn x Cd 1-x Te system Electro-Optic Sensor of Electromagnetic Wave Using ZnCdTe Crystal with Zinc-Cadmium-Telenium Crystal with Mixing Ratio (x) greater than or equal to 0.4 and Less than 1.0 (0.4≤x <1.0) ).
도 1은 테라헤르쯔 전자파 대역에 대한 점유 대역의 위치를 나타낸 스펙트럼도이다. 도 1에 도시한 바와 같은 테라헤르쯔(THz; Tera-Hertz) 전자파 대역은 지금까지 일류가 응용하기 어려웠던 전자파 스펙트럼의 영역으로, 원적외선과 마이크로파의 중간 영역을 차지하고 있는 영역이다.1 is a spectrum diagram showing the position of the occupied band with respect to the terahertz electromagnetic band. The terahertz (THz; Tera-Hertz) electromagnetic wave band as shown in FIG. 1 is an area of the electromagnetic spectrum that has been difficult to apply to the first class, and occupies an intermediate region between far infrared rays and microwaves.
1990년대에 들어서면서 초고속 광학-전기 통신과 관련된 연구는 초고속 광대역 통신에 요구하는 시대적인 요청과 기술적인 환경의 발전에 힙입어 기술적인 진보의 전기를 맞이하게 되었다. 우선, 파의 발진, 전파 및 검출에 대한 기초적인 연구를 근간으로 하여 이 시기에 집중된 단파장 펄스 레이져에 대한 연구는 펨토세컨드(femto-second,10-15sec.) 펄스폭을 가지는 레이져를 개발할 수 있는 기술력을 확보할 수 있도록 해주었다. 이에 따라 테라헤르쯔 전자파의 발진이 점차 용이해졌으며, 이 분야에 대한 계속된 연구는 테라헤르쯔 전자파의 센싱 및 검출을 점차 손쉽게 하였을 뿐만 아니라 테라헤르쯔 전자파에 대한 과학적인 이해를 넓혀주는 개기를 제공했다.In the 1990s, research related to ultra-high speed optical-telecommunications came to the forefront of technological advances in response to the demands of the high-speed broadband communication and the development of the technological environment. First, based on fundamental research on wave oscillation, propagation and detection, the study of short-wave pulse lasers focused on this period can develop a laser with femto-second (10 -15 sec.) Pulse width. To secure the technology. As a result, the oscillation of terahertz electromagnetic waves has become easier, and further research in this field has made it easier to sense and detect terahertz electromagnetic waves, as well as provide a clearer view to broaden the scientific understanding of terahertz electromagnetic waves.
오늘날, 전술한 바와 같은, 테라헤르쯔 전자파는 물질에 대한 투과 능력이 뛰어난 저에너지파라는 사실과 한 펄스(single shot pulse)의 시간적 분해능(temporal resolution)이 1 피코세컨드(1 pico-second) 미만이라는 매우 우수한 전자파적인 장점을 소유하고 있음에 기인하여 전자, 통신, 기계, 검출 및 의료 장비에까지 테라헤르쯔 전자파를 이용하고자 하는 다양한 가능성이 적극적으로 타진되고 있다.Today, as mentioned above, terahertz electromagnetic waves are very low-energy waves with excellent permeability to materials and the temporal resolution of a single shot pulse is less than one pico-second. Due to its excellent electromagnetic advantages, various possibilities for using terahertz electromagnetic waves in electronics, telecommunications, machinery, detection and medical equipment are being actively explored.
기본적으로, 테라헤르쯔 전자파의 응용을 위해서는 테라헤르쯔 전자파의 발진, 전파, 센싱 및 검출과 관련된 기술을 확보해야 하는 데, 특히, 광학적 프루브 빔(probe beam)에 신호 역할을 하는 테라헤르쯔 전자파를 싣는 일, 즉, 광학적 변조를 수행을 하는 센서를 고특성의 재료로 구성하는 것이 매우 중요하다. 즉, 우수한 광변조 센서를 만들기 위해서는 광학적 변조가 잘 이루어질 수 있는 물질이 선정되어야 하는 한편, 선정된 물질의 결정성이 우수해야하는 것이 필수적인 조건이다.Basically, for the application of terahertz electromagnetic waves, it is necessary to secure technology related to the oscillation, propagation, sensing and detection of terahertz electromagnetic waves, and in particular, loading terahertz electromagnetic waves serving as a signal to an optical probe beam. In other words, it is very important to construct a sensor that performs optical modulation with a material having high characteristics. That is, in order to make an excellent optical modulation sensor, it is essential that a material capable of optical modulation can be selected, while the crystallinity of the selected material must be excellent.
이와 같은 전기-광학(E-O; Electro-Optic) 소자의 센서용 재료로서는 지금까지는 LiBaO3및 LiNbO3와 같은 페로브스카이트(perovskite)형 결정구조를 갖는 산화물 소재가 사용되고 있다. 최근에는 이를 대체하는 아연-텔레늄(ZnTe) 계열의 단결정이 사용되고 있다.Oxide materials having a perovskite crystal structure such as LiBaO 3 and LiNbO 3 have been used as a sensor material for such an electro-optic (EO) device. Recently, zinc-telenium (ZnTe) -based single crystals have been used to replace them.
예컨대, 미국의 RPI(Rensselaer Polytechnic Institute) 대학의 연구진은 본 발명의 출원인이 제공한 전기-광학 센서용 재료인 아연-텔레늄 단결정을 전기-광학적 특성을 집약적으로 연구하여 1998년 5월 미국의 샌프란시스코에서 개최된 비선형 광학 물질 및 초고속 광전자에 관련된 SPIE 심포지움의 테라헤르쯔 분광(spectroscopy) 응용 분야에서, 이 아연-텔레늄 단결정이 매우 우수한 고 광학적 특성을 제공할 수 있다는 연구 결과를 상세하게 발표한 바 있다.For example, researchers at the University of Rensselaer Polytechnic Institute (RPI) in the United States studied the electro-optical properties of zinc-telenium single crystals, an electro-optic sensor material provided by the applicant of the present invention, and in May 1998, San Francisco, USA In the terahertz spectroscopy application of the SPIE symposium related to nonlinear optical materials and ultrafast optoelectronics, the company has published detailed research showing that zinc-telenium single crystals can provide very good high optical properties. .
종래 기술에 따른 전기-광학 변조 센서와 관련된 대표적인 선출원은 미합중국 특허출원 제 05185675 호, "Electro optic modulator systems for fiber optic information transmission", 미합중국 특허출원 제 05835646 호, "Active optical circuit sheet or active optical circuit board, active optical connector and optical MCM, process for fabricating optical waveguide, and devices obtained thereby", 미합중국 특허출원 제 04910454 호, "System for electrical signal sampling with ultrashort optical pulses", 미합중국 특허출원 제 04253734 호, Electro optical modulation system", 미합중국 특허출원 제 04950884 호, "Electro-optic modulator and modulation method", 미합중국 특허출원 제 05739936 호, "Electro-optical circuit for signal transmission", 미합중국 특허출원 제 05530580 호, "Electro absorption optical modulators", 미합중국 특허출원 제 04849753 호, "Electro optic high temperature well bore modulator", 미합중국 특허출원 제 04755013 호, "Light scanning optical system of an imageoutput scanner using an electro mechanical light modulator", 미합중국 특허출원 제 05622816 호, "Direct to stamper/mother optical disk mastering", 미합중국 특허출원 제 03930718 호, "Electro-optic modulator", 미합중국 특허출원 제 05494782 호, "Direct to stamper/mother optical disk mastering", 미합중국 특허출원 제 05015053 호, "Reduction of modulator non-linearities with independent bias angle control", 미합중국 특허출원 제 04844577 호, "Bimorph electro optic light modulator" 등을 들 수 있다.Representative prior applications related to electro-optic modulation sensors according to the prior art are described in US Patent Application No. 05185675, "Electro optic modulator systems for fiber optic information transmission", US Patent Application No. 05835646, "Active optical circuit sheet or active optical circuit board. , active optical connector and optical MCM, process for fabricating optical waveguide, and devices obtained thereby ", US Patent Application No. 04910454," System for electrical signal sampling with ultrashort optical pulses ", US Patent Application No. 04253734, Electro optical modulation system ", US Patent Application No. 04950884," Electro-optic modulator and modulation method ", US Patent Application No. 05739936," Electro-optical circuit for signal transmission ", US Patent Application No. 05530580," Electro absorption optical modulators ", United States Patent Application No. 04849753, "Electro optic high temperature well bore modulator", US Patent Application No. 04755013, "Light scanning optical system of an imageoutput scanner using an electro mechanical light modulator", US Patent Application No. 05622816, "Direct to stamper / mother optical disk mastering", US Patent Application No. 03930718, " Electro-optic modulator, US Patent Application No. 05494782, "Direct to stamper / mother optical disk mastering", US Patent Application No. 05015053, "Reduction of modulator non-linearities with independent bias angle control", US Patent Application No. 04844577 Hom, "Bimorph electro optic light modulator".
그러나, 당 분야에 대한 기술적인 진보의 추이 속에서 고찰할 때, 전기-광학 광변조 센서는 장차 테라헤르쯔 전자파 응용의 가장 핵심 기술로 부상할 것이 예상되는 바, 테라헤르쯔 전자파용 전기-광학 센서인 본 소자는 대략적으로 0.3 피코세컨드(pico-second) 정도의 시간 분해능의 초고속, 주파수가 0인 DC(Direct Current)에서 수 테라헤르쯔 정도의 초광역 밴드, 및 신호 대 잡음비가 대략 104이상인 초고감도의 광학적인 특성을 가지고 있지만, 종래 기술에 따른 전기-광학 센서는 이와 같은 고도의 광학적 특성을 효과적으로 만족시키지 못하는 문제점이 있었다.However, in view of the technical progress in this field, electro-optical light modulation sensors are expected to emerge as the core technology of terahertz electromagnetic wave applications in the future, which is an electro-optical sensor for terahertz electromagnetic waves. The device features ultra-high speeds of approximately 0.3 pico-seconds of time resolution, ultra-wide bands ranging from zero-frequency direct current (DC) to several terahertz, and ultra-high sensitivity with a signal-to-noise ratio of approximately 10 4 or more. Although having an optical characteristic of the prior art, the electro-optic sensor has a problem that does not effectively satisfy such high optical characteristics.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 극복하고 있는 것으로, 아연-텔레늄 단결정 센서용 소자보다 단결정 성장에서 융점이 낮은 아연-카드뮴-텔레늄계 결정이 오히려 전기-광학 신호 센서 특성이 우수하다는 연구 결과에 기초하여 초고속,초광역 밴드 및 초고감도의 우수한 광학적 특성을 제공하는 아연-카드뮴-텔레늄계 결정을 이용한 전자파의 전기-광학 센서를 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention overcomes these problems. According to the research results, zinc-cadmium-telenium-based crystals having a lower melting point in single crystal growth than the zinc-telenium single crystal sensor devices have excellent electro-optic signal sensor characteristics. An object of the present invention is to provide an electro-optical sensor of electromagnetic waves using zinc-cadmium-telenium-based crystals, which provides excellent optical properties of ultra-high speed, ultra-wide band and ultra-high sensitivity.
도 1은 테라헤르쯔 전자파 대역에 대한 점유 대역의 위치를 나타낸 스펙트럼도,1 is a spectral diagram showing the position of the occupied band with respect to the terahertz electromagnetic band,
도 2는 ZnxCd1-xTe계 단결정계의 혼합비 x에 따른 에너지 밴드 에지의 변화를 도시한 그래프,2 is a graph showing the change of the energy band edge according to the mixing ratio x of Zn x Cd 1-x Te-based single crystal system,
도 3은 본 발명에 따른 전기-광학 신호 샘플링 장치를 개략적으로 나타낸 구성도,3 is a schematic view showing an electro-optical signal sampling device according to the present invention;
도 4는 본 발명에 따른 테라헤르쯔 전자파 센싱 및 검출 장치를 나타낸 구성도,4 is a block diagram showing a terahertz electromagnetic wave sensing and detection apparatus according to the present invention,
도 5는 ZnxCd1-xTe 단결정계 전기-광학 센서들의 전기-광학 신호의 크기를 비교하기 위한 그래프,FIG. 5 is a graph for comparing magnitudes of electro-optic signals of Zn x Cd 1-x Te monocrystalline electro-optic sensors; FIG.
도 6은 측정된 ZnTe의 전기-광학 신호의 파형을 FFT시켜 얻은 서브 테라헤르쯔 스펙트럼(sub-terahertz spectrum)을 나타낸 파형도,6 is a waveform diagram showing a sub-terahertz spectrum obtained by FFT the waveform of the measured electro-optical signal of ZnTe,
도 7은 본 발명에서 제시한 Zn-Cd-Te계 전기-광학 소자를 장착한 이미지 센서를 나타낸 구성도,7 is a block diagram showing an image sensor equipped with a Zn-Cd-Te-based electro-optic device proposed in the present invention,
도 8은 정상 세포와 암세포를 테라헤르츠 전자파를 이용하여 분석한 것을 나타낸 예시도이다.Figure 8 is an illustration showing the analysis of normal cells and cancer cells using terahertz electromagnetic waves.
이와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 전기-광학 센서는, 지금까지 사용되어 오던 LiBaO3및 LiNbO3등의 페로브스카이트(perovskite)형 결정구조 산화물 소재 단결정을 대체하는 아연-카드뮴-델레늄(Zn-Cd-Te) 계열의 단결정을 이용하며, ZnxCd1-xTe 단결정계 중 ZnTe와 CdTe의 혼합비 x에 따른 결정을 x=0.4∼1.0까지 변화시키면서 단결정을 성장시키어 전기-광학 센서를 제조함으로써 테라헤르쯔 전자파용 센서로 이용할 시에 약 1 피코세컨드(1 pico second)의 시간 분해능(temporal resolution)을 갖는 초고속 소자로 동작할 뿐만 아니라 DC에서 수 테라헤르쯔 정도의 초광역 밴드를 가지며 신호 대 잡음비가 대략 104이상인 초고감도의 광학적인 특성을 제공하는 것이 특징이다.In order to achieve the above object, the electro-optical sensor according to the present invention is a zinc-cadmium-del substitute for perovskite type crystal structure oxide material single crystals such as LiBaO 3 and LiNbO 3 which have been used so far. Rnium (Zn-Cd-Te) series of single crystals are used.In the Zn x Cd 1-x Te single crystal system, the single crystal is grown while changing the crystal according to the mixing ratio x of ZnTe and CdTe from x = 0.4 to 1.0 to electro-optical By manufacturing the sensor, it operates as an ultrafast device with a temporal resolution of about 1 pico second when used as a terahertz electromagnetic sensor, and has a super wide band of DC to several terahertz. It features an ultra-sensitive optical characteristic with a signal-to-noise ratio of approximately 10 4 or more.
이하, 본 발명에 따른 아연-카드뮴-텔레늄계 결정을 이용한 전자파의 전기-광학 센서에 대한 이해를 도모하기 위해 ZnxCd1-xTe 단결정계 시료의 제작 및 제작된 시료의 에너지 밴드겝, 센서용 소자의 전기-광학 신호 센싱 특성을 순차적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, in order to understand the electro-optical sensor of electromagnetic waves using zinc-cadmium-telenium-based crystals according to the present invention, Zn x Cd 1-x Te single crystal sample energy band 겝, sensor The electro-optical signal sensing characteristics of the device will be described in sequence.
우선, 단결정 성장 및 전기-광학 센서 제작과 관련된 사항을 설명하면 다음과 같다.First, the matters related to the single crystal growth and the fabrication of the electro-optic sensor will be described.
단결정 성장은 ZnxCd1-xTe 단결정계를 ZnTe 및 CdTe 혼합비 x에 따라 x구간 0.4∼1.0까지 가변시키면서 브리지만(Bridgman)법으로 성장시키는 데, 이들은 모두 징크블렌드(Zincblend) 구조를 갖고 있다.Single crystal growth grows the Zn x Cd 1-x Te single crystal system by the Bridgman method while varying the x section 0.4 to 1.0 according to the ZnTe and CdTe mixing ratio x, all of which have a zinc blend structure. .
도 2는 ZnxCd1-xTe계 단결정계의 혼합비 x에 따른 에너지 밴드 에지의 변화를 도시한 그래프로, ZnxCd1-xTe 단결정계를 ZnTe 및 CdTe 혼합비 x에 따라 x구간 0.4∼1.0까지, 브리지만(Bridgman)법으로 성장한 것들 중 x=1.0, 0.8, 0.6 및 0.4에 대한 광투과 및 광 루미늬센스(optical luminescence) 측정을 통해 에너지 밴드갭 에지(Energy bandgap edge)를 상온과 저온(20K)에서 조사하여 나타낸 것이다.2 is a graph showing the change in energy band edge according to the mixing ratio x of the Zn x Cd 1-x Te-based single crystal system, wherein the Zn x Cd 1-x Te single crystal system is 0.4 to x interval according to the ZnTe and CdTe mixing ratio x. Energy bandgap edges were measured at room temperature by light transmission and optical luminescence measurements for x = 1.0, 0.8, 0.6 and 0.4 of those grown by the Bridgman method up to 1.0. It is shown by irradiation at low temperature (20K).
도 2를 통해 확인할 수 있듯이, x값이 0.8, 0.6, 0.4로 변함에 따라 광의 투과 에지는 1.87, 2.13 및 2.25 eV가 되어 이 단결정계는 전기-광학 샘플링에서 사용되는 프루브 빔 레이저(probe beam laser, λ=800nm, 1.554 eV)가 쉽게 투과될 수 있는 범위에 들어감을 알 수 있다.As can be seen from Fig. 2, as the x value is changed to 0.8, 0.6, 0.4, the transmission edges of the light are 1.87, 2.13 and 2.25 eV so that the single crystal system is a probe beam laser used in electro-optical sampling. ,? = 800 nm, 1.554 eV) can be seen to enter the range that can be easily transmitted.
Zn-Cd-Te 단결정을 이용한 전기-광학 센서를 제작하기 위해 단결정 ZnTe, Zn0.8Cd0.2Te, Zn0.6Cd0.4Te 및 Zn0.4Cd0.6Te 단결정[110]과 이에 동등한 평면[ℓℓ0]으로 약 0.1μm 크기의 알루미나 분말을 이용하여, 벽개된 양면이 완전한 플랫 미러 표면(flat mirror surface)이 되도록 연마한 다음에 2% 브로마인-메탄올(bromine-methanol) 용액에서 1∼2초 간 에칭(etching)한 후, 세척하여 단결정 양면에 붙어있는 불순물을 완전히 제거함으로서 전기-광학 센서를 제작한다.ZnTe, Zn 0.8 Cd 0.2 Te, Zn 0.6 Cd 0.4 Te and Zn 0.4 Cd 0.6 Te single crystal [110] and its equivalent planar [lℓ0] to produce an electro-optic sensor using Zn-Cd-Te single crystal. Using μm-sized alumina powder, the cleaved sides are polished to a complete flat mirror surface and then etched for 1-2 seconds in 2% bromine-methanol solution. After washing, the electro-optic sensor is manufactured by completely removing impurities adhering to both sides of the single crystal.
본 발명에 대한 좀 더 깊은 이해를 돕기 위해서는 아연-텔레늄 계열의 물성및 그 응용과 관련된 대표적인 선출원인 미합중국 특허출원 제 05008891 호, "Semiconductor light-emitting devices", 미합중국 특허출원 제 04689520 호, "Color cathode ray tube having an improved color phosphor", 미합중국 특허출원 제 04772818 호, "Cathode ray tube with pigment-doped phosphor", 미합중국 특허출원 제 04252669 호, "Luminescent material and method of making the same" 등을 참조하도록 하고 특히, 본 발명과 직접적으로 관련된 ZnCdTe의 물성과 그 응용과 관련된 선출원인 미합중국 특허출원 제 04589192 호, "Hybrid epitaxial growth process"가 있음에 따라 이를 참조하기로 한다.For a more in depth understanding of the present invention, the United States Patent Application No. 05008891, "Semiconductor light-emitting devices", US Patent Application No. 04689520, "Color cathode ray tube having an improved color phosphor ", US Patent Application No. 04772818," Cathode ray tube with pigment-doped phosphor ", US Patent Application No. 04252669," Luminescent material and method of making the same " In particular, reference is made to U.S. Patent Application No. 04589192, "Hybrid epitaxial growth process," which is a prior application relating to the physical properties of ZnCdTe and its applications directly related to the present invention.
이어서, 전기-광학 센서의 테라헤르츠 전자파 신호 센싱 특성을 설명하면 다음과 같다.Next, the terahertz electromagnetic wave signal sensing characteristics of the electro-optical sensor are as follows.
우선, 전기-광학 센서의 광특성을 측정하기 위한 테라헤르쯔 전자파 생성을 위한 구성을 설명하기로 한다.First, a configuration for generating terahertz electromagnetic waves for measuring optical characteristics of an electro-optical sensor will be described.
도 3은 본 발명에 따른 전기-광학 신호 샘플링 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 4는 본 발명에 따른 테라헤르쯔 전자파 센싱 및 검출 장치를 나타낸 구성도이다.3 is a schematic view showing an electro-optical signal sampling device according to the present invention, and FIG. 4 is a schematic view showing a terahertz electromagnetic wave sensing and detection device according to the present invention.
과거에 짧은 펄스의 기가헤르쯔(GHz; Giga-Hertz) 전자파의 생성은 과거에는 주로 광도전형 쌍극자 안테나(optoconductive dipole antenna, Hermitian structure)를 이용하였으나, 최근에는 펨토세컨드(femto-second)의 펄스폭을 갖는 고출력 레이저가 개발됨에 따라 전극이나 바이어스를 걸지 않고 직접 강한 펄스의 광을 반도체 물질에 조사하여 반도체 내에서 순간적 전류 펄스가 생기게 하면, 이렇게 순간적으로 변화된 전류가 다시 전자파 복사를 생성시키는 체렌코프 방사(Cherenkov radiation)에 의해 발생된 전자파가 바로 테라헤르츠(Tera-Hertz) 주파수의 전자파가 된다.In the past, the generation of short pulse Giga-Hertz (GHz) electromagnetic waves in the past mainly used an optoconductive dipole antenna (Hermitian structure), but recently the femto-second pulse width With the development of high power lasers, when a strong pulse of light is irradiated directly onto a semiconductor material without applying an electrode or bias, a momentary current pulse is generated in the semiconductor, such a momentarily changed current causes Cherenkov radiation, which generates electromagnetic radiation again. Electromagnetic waves generated by Cherenkov radiation become electromagnetic waves of the Terahertz frequency.
본 발명에서는 주로 갈륨-아세나이드(GaAs)나 카드뮴-텔러라이드(CdTe) 등 징크블렌드 구조의 반도체를 이용한 에미터(emitter)를 사용하여 테라헤르쯔 전자파 빔(Tera-Hertz electromagnetic wave beam)을 발생시킨다.In the present invention, a terahertz electromagnetic wave beam is generated by using an emitter using a zinc blended semiconductor such as gallium arsenide (GaAs) or cadmium telluride (CdTe). .
테라헤르쯔 전자파의 발진은 아르곤 이온 레이저(Ar ion laser, λ=4880Å)의 빔을 Ti-사파이어(femtosecond laser, 800nm, Coherent Mira 900)에 입사시킴으로써 펄스 레이저로 변환된 빔을 획득하는 데, 이 변환된 펄스 레이저 빔은 모드 록(mode lock)된 펨토세컨드(femto-second)의 극초단 펄스폭을 갖는다.The oscillation of terahertz electromagnetic waves is obtained by converting a beam of an argon ion laser (λ = 4880 mW) into a Ti-sapphire (femtosecond laser, 800 nm, Coherent Mira 900) to obtain a beam converted into a pulse laser. The pulsed laser beam has a mode locked femto-second ultrashort pulse width.
본 발명에서는 펄스 유지 시간(pulse duration)이 약 150 펨토세컨드이고, 반복율(repetition rate)이 76MHz인 빔을 사용한다. 이 빔을 빔 분할기(beam splitter)로 분리하여 한쪽을 에미터에 입사할 펌핑 빔(pumping beam, 1W)으로 다른 한쪽을 프루브 빔(prove beam, 100μW)으로 하는 데, 펌핑 빔은 무전극 GaAs 에미터에 입사하여 테라헤르쯔(THz) 전자파를 발진시킨다.In the present invention, a beam having a pulse duration of about 150 femtoseconds and a repetition rate of 76 MHz is used. The beam is split by a beam splitter, one of which is a pumping beam (1W) to be incident on the emitter and the other of which is a probe beam (100μW), which is a non-electrode GaAs emitter. It enters the terminator and emits terahertz (THz) electromagnetic waves.
테라헤르쯔 전자파의 센싱 및 검출은 편광판을 거쳐 발진·방사된 테라헤르쯔 전자파를 전술한 프루브 빔(100μW)과 함께(copropagating) ZnxCd1-xTe 센서 결정의 [110]면에 수직하게 입사하여 결정 내에서 프루브 빔에 테라헤르쯔 전자파가 실리게 함으로써 전기 광학 효과인 포켈 효과(Pockels effect)에 따라 변조된 프루브빔이 출력되게 한다. 참고로, 포켈 효과란 투명한 결정체에서 거기에 가해지는 전계의 세기에 비례하여 입사 probe beam의 굴절률이 변화하는 현상을 말한다.Sensing and detection of terahertz electromagnetic waves is carried out perpendicularly to the [110] plane of the Zn x Cd 1-x Te sensor crystal copropagating with the probe beam (100 μW) described above. The terahertz electromagnetic wave is carried on the probe beam in the crystal so that the probe beam modulated according to the electro-optic Pockels effect is output. For reference, the Pockel effect refers to a phenomenon in which the refractive index of the incident probe beam changes in proportion to the intensity of the electric field applied thereto in the transparent crystal.
이때, 펌핑 빔의 광경로에 지연 스테이지(delay stage), 즉 스캐너(scanner)삽입하여 시간 지연(Time Delay)을 시킴으로써 프루브 펄스와 테라헤르쯔 전자파가 정합되게 한다. 전기-광학 센서(ZnxCd1-xTe 결정)에서 나온 변조된 프루브 빔을 편광 빔 분할기(polarization beam splitter)를 이용하여 p-편광 및 s-편광으로 분리한 후, 이것을 두 개의 Si-광 검출기에 각각 입사시켜 이 두 신호의 차가 생기게 한다. 우선, 테라헤르쯔 전자파가 변조된 것을 Si-광 검출기가 검출한 광전류(photocurrent)에서 테라헤르쯔 전자파 없이 프루브 빔만을 검출한 광전류를 빼내면, 그 차이가 바로 테라헤르쯔 전자파의 순간적인 국소 필드(local field) 강도를 나타내는 전기-광학 신호가 된다.At this time, a delay stage, that is, a scanner, is inserted into the optical path of the pumping beam to time delay so that the probe pulse and the terahertz electromagnetic wave are matched. The modulated probe beam from the electro-optic sensor (Zn x Cd 1-x Te crystal) is separated into p- and s-polarized light using a polarization beam splitter, which is then divided into two Si-lights. Each incident on the detector causes a difference between these two signals. First, if the photocurrent detected by the probe beam without the terahertz electromagnetic wave is subtracted from the photocurrent detected by the terahertz electromagnetic wave, the difference is the instantaneous local field of the terahertz electromagnetic wave. ) An electro-optical signal indicative of intensity.
이하, 이러한 전기-광학 신호의 특성을 도 5를 참조하여 좀 더 상세하게 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the characteristics of the electro-optic signal will be described in more detail with reference to FIG. 5.
도 5는 ZnxCd1-xTe 단결정계 전기-광학 센서들의 전기-광학 신호의 크기를 비교하기 위한 그래프로, ZnxCd1-xTe 단결정계의 x=1.0, 0.8, 0.6 및 0.4에 대해 전기-광학 신호(E-O singnal)를 조사했을 경우, 각각 단결정에 있어서, 시간 지연(Time Delay)에 대한 전기-광학 신호의 특성을 표시하고 있다.FIG. 5 is a graph for comparing the magnitudes of the electro-optical signals of Zn x Cd 1-x Te single crystal system electro-optical sensors, and is shown in FIG. 5 at x = 1.0, 0.8, 0.6 and 0.4 of Zn x Cd 1-x Te single crystal system. When the electro-optic signal (EO singnal) is irradiated, the characteristics of the electro-optic signal with respect to the time delay in each single crystal are displayed.
예컨대, x=1.0(ZnTe)인 경우, 현재 상용 샘플로서 판매되고 있는 가장 좋은 단결정(미국 II-VI 사의 ZnTe 제품)의 전기-광학 신호의 세기와 거의 같음을 확인할 수 있다. 이를 통해 본 발명에 의해 성장된 ZnTe 단결정의 질이 매우 우수함을 확인할 수 있다.For example, when x = 1.0 (ZnTe), it can be seen that the intensity of the electro-optical signal of the best single crystal currently sold as a commercial sample (ZnTe from II-VI, USA) is almost the same. Through this, it can be seen that the quality of the ZnTe single crystal grown by the present invention is very excellent.
그리고, x=0.8인 경우에는, 현재 전기-광학 센서로 대두되고 있는 ZnTe(x=1.0) 보다 더 큰 전기-광학 신호의 세기를 보임을 알 수 있다. 즉, 이원계 Zn-Te계의 신호값이 약 5nA를 나타내는 것에 비해 x=0.8인 경우(Zn0.8Cd0.2Te)에는 약 10nA로써 약 2배의 강도를 나타내고 있다. 이로써 Zn-Te에 비해 Zn-Cd-Te계가 더 좋은 전기-광학 센서로 응용될 수 있음을 명백하게 알 수 있다.In addition, when x = 0.8, it can be seen that the intensity of the electro-optic signal is greater than ZnTe (x = 1.0), which is currently emerging as an electro-optic sensor. That is, when x = 0.8 (Zn 0.8 Cd 0.2 Te), the signal value of the binary Zn-Te system is about 5nA, which is about 10nA, which is about twice the intensity. This clearly shows that the Zn-Cd-Te system can be applied as a better electro-optical sensor than Zn-Te.
한편, x=0.6의 단결정에서 작은 전기-광학 신호가 측정되었으며, x=0.4에서는 전기-광학 신호가 전혀 측정되지 않는다.On the other hand, a small electro-optical signal was measured in a single crystal of x = 0.6, and no electro-optical signal was measured at x = 0.4.
이때, 이상의 세 경우의 신호들은, 신호 대 잡음비(S/N)가 10000:1 보다 크게 나타나고 있다.In this case, the signals in the above three cases have a signal-to-noise ratio (S / N) of greater than 10000: 1.
이어서, 도 6을 참조하여 본 발명의 전기-광학 센서의 주파수 스펙트럼 특성에 대해 살펴보기로 한다.Next, the frequency spectrum characteristic of the electro-optical sensor of the present invention will be described with reference to FIG. 6.
도 6은 측정된 ZnTe의 전기-광학 신호의 파형을 FFT시켜 얻은 서브 테라헤르쯔 스펙트럼(sub-terahertz spectrum)을 나타낸 파형도이다.FIG. 6 is a waveform diagram showing a sub-terahertz spectrum obtained by FFT the measured waveform of the electro-optical signal of ZnTe.
측정된 전기-광학 신호의 파형은 타임 영역(time domain)에서 도시한 것이므로, 수치해석적인 방법인 패스트 퓨리에 변환(FFT; Fast Fourier Transformation)을 이용하며 주파수 영역(frequency domain)에서의 신호 특성을 얻을 수 있음에 따라 본 발명에서는 FFT를 이용하여 각각의 전기-광학 신호에 대한 주파수 스펙트럼을 얻는다.Since the waveforms of the measured electro-optic signals are shown in the time domain, fast Fourier transform (FFT), a numerical method, is used to obtain the signal characteristics in the frequency domain. Wherever possible, the present invention uses the FFT to obtain a frequency spectrum for each electro-optical signal.
도 6을 통해 알 수 있듯이, 주파수 스펙트럼이 0.3 THz를 중심으로 하여, 0∼1.4 THz 범위에 주 피크 폭을 가지고 있으며, 그 이상 약 2 THz 범위까지 약한 세기를 가지고 있음을 보여준다. 종래 기술에 따른 다른 ZnTe 시료에서 보여준 바와 같이 5 테라헤르쯔 영역까지 확장되지 않는 이유는 방사된 소스 파의 스펙트럼 때문인 것으로 판단된다.As can be seen from FIG. 6, it is shown that the frequency spectrum has a main peak width in the range of 0 to 1.4 THz around 0.3 THz, and has a weak intensity up to about 2 THz. It is believed that the reason for not extending to the 5 terahertz region as shown in other ZnTe samples according to the prior art is due to the spectrum of the emitted source wave.
Zn0.8Cd0.2Te, Zn0.6Cd0.4Te 및 ZnTe(II-VI Co.) 단결정의 FFT한 파형들은 진폭 세기를 제외하고, 거의 동일한 진동수 분포를 가지고 있어 이것은 파의 강도를 센싱하는 차이 외에는 성분비에 관계없이 거의 비슷한 스펙트럼을 갖는 것을 의미한다. 또한, 방출되는 전기장은 광학적으로 유도된 유전 편극의 시간에 대한 2계 미분값에 의존하며, 광에 의한 분극은 고정된 공간축과 시료의 결정축 및 시료의 유전 텐서(tensor)의 주축에 따라 결정된다.The FFT waveforms of Zn 0.8 Cd 0.2 Te, Zn 0.6 Cd 0.4 Te, and ZnTe (II-VI Co.) single crystals have almost the same frequency distribution, except for the amplitude intensity, which is dependent on the component ratio except for the difference in sensing the strength of the wave. It means that they have almost similar spectrum regardless. In addition, the emitted electric field depends on the second derivative over time of the optically induced dielectric polarization, and the polarization by light is determined according to the fixed spatial axis, the crystal axis of the sample, and the principal axis of the dielectric tensor of the sample. do.
본 발명에 따른 전기-광학 센서의 응용 분야에 대해 살펴보기로 한다.An application field of the electro-optical sensor according to the present invention will be described.
우선, 다양한 응용 분야들 중에서 2차원 실시간 투시상과 관련된 응용에 대해 설명하기로 한다.First, the application related to the two-dimensional real-time perspective image among various application fields will be described.
테라헤르쯔(THz)의 전자파는 물질에 대한 투과 특성이 좋고, 또 저에너지 광파이므로 상자 안의 물체 투시용으로 적합하여, 현재 사용되는 있는 엑스선(X-ray) 투시기를 전부 방사능 위험이 없는 안전한 테라헤르쯔 투시기로 대체할 수 있다.The terahertz (THz) electromagnetic wave has good transmission characteristics to the material and is a low energy light wave, so it is suitable for seeing objects in a box. Can be replaced with
따라서 본 발명에서는 저에너지를 갖는 테라헤르쯔 빔을 조사하였을 때 본발명에서 제시한 Zn-Cd-Te 전기-광학 소자를 장착한 투시기를 채택함으로서 새로운 발상의 이미지 센서를 제공한다.Accordingly, the present invention provides a new concept image sensor by adopting a seeker equipped with a Zn-Cd-Te electro-optical device presented in the present invention when irradiating a terahertz beam having a low energy.
도 7은 본 발명에서 제시한 Zn-Cd-Te계 전기-광학 소자를 장착한 이미지 센서를 나타낸 구성도이다. 입사된 테라헤르쯔 빔은 투시물체를 지나 렌즈로 적당한 크기로 조정된 후 독출 빔(readout beam)용으로 나가는 빔과 동시에 같은 경로로(coprogate) Zn-Cd-Te 소자에서 독출빔이 THz beam의 신호를 싣고 진행한 후 분석기(Analyzer)를 통하여 CCD(charge coupled device) 영상 장치에 연결되어 상을 만들고 이것이 모니터에 표시되게 된다.7 is a block diagram showing an image sensor equipped with a Zn-Cd-Te-based electro-optic device proposed in the present invention. The incident terahertz beam is adjusted to a suitable size by the lens through the see-through object and co-gates with the outgoing beam for the readout beam, and the readout beam is the signal of the THz beam in the Zn-Cd-Te element. After loading and proceeding, the analyzer is connected to a charge coupled device (CCD) imaging device through an analyzer to create an image, which is displayed on a monitor.
이와 같은 경로를 통해 본원 발명에서 제시한 Zn-Cd-Te계 전기-광학 소자를 이용한 영상 투시 장치를 사용할 경우, 기계, 건축 및 토목 분야 등에서의 비파괴 검사용으로 사용될 수 있으며, 특히 기존의 엑스선 투시기를 대체 가능할 뿐 아니라 방사선의 위험으로부터 자유로운 영상 투시기를 얻을 수 있는 이점이 있다.Through such a path, when the image viewing device using the Zn-Cd-Te-based electro-optical device proposed in the present invention is used, it can be used for non-destructive inspection in mechanical, architectural, and civil engineering fields, and in particular, the existing X-ray projector Not only is it possible to replace it, but it is also advantageous to obtain an image projector free from the risk of radiation.
또 다른 응용 분야로는 세포 조직 및 물질의 구성 분자 운동을 해석하기 위한 분야에 사용될 수 있다.Another field of application may be in the field of interpretation of constitutive molecular motion of cellular tissues and materials.
도 8은 정상 세포와 암세포를 테라헤르츠 전자파를 이용하여 분석한 것을 나타낸 예시도이다.Figure 8 is an illustration showing the analysis of normal cells and cancer cells using terahertz electromagnetic waves.
테라헤르츠 전자파의 에너지는 물질 구성 분자나 세포 조직의 운동 에너지와 비슷함에 따라, 이들을 투과시키거나 반사시킬 때 전기-광학 신호가 크게 변화됨을 알 수 있다. 이 스펙트럼을 분석하면 물질의 분자 운동의 연구에 크게 도움이 될 수 있다. 도 8에 도시한 바와 같이 암세포(cancer tissue)와 정상 세포(nornaltissue)에 테라헤르쯔 전자파의 전기-광학 신호를 투과 시켰을 때 뚜렷이 차이가 남을 보고 곧 정상 세포와 암세포를 구별할 수 있음을 알 수 있다. 즉 이와 같은 역할의 전기-광학 센서를 제공할 수 있는 이점이 있다.As the energy of terahertz electromagnetic waves is similar to the kinetic energy of material constituent molecules or cellular tissues, it can be seen that the electro-optical signals change significantly when they are transmitted or reflected. Analyzing this spectrum can greatly aid the study of the molecular motion of matter. As shown in FIG. 8, when the electro-optical signal of the terahertz electromagnetic wave is transmitted to cancer cells and normal cells, it can be clearly seen that normal cells and cancer cells can be distinguished from each other. . That is, there is an advantage that can provide an electro-optic sensor in such a role.
한편, 초고속 정보 처리와 관련된 응용 분야에서는 테라헤르쯔 전기-광학 신호의 단일 샷 신호(single shot signal)의 시간 분해능(temporal resolution)이 1 피코세컨드(1 picosecond) 범위이므로 우선 Tbps(Tera-bit per second)의 속도로 신호를 프루브 빔에 싣는 변조를 수행할 수 있음에 따라 장차 이 분야의 센서로의 역할도 크게 기대된다.On the other hand, in applications related to ultra-fast information processing, since the temporal resolution of a single shot signal of a terahertz electro-optic signal is in the range of 1 picosecond, first, Tbps (Tera-bit per second) As the modulation can be carried on the probe beam at a speed of), the role as a sensor in this field is expected in the future.
본원에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의내려진 용어들로써 이는 당분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있으므로 그 정의는 본원의 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.Terminologies used herein are terms defined in consideration of functions in the present invention, which may vary according to the intention or customs of those skilled in the art, and the definitions should be made based on the contents throughout the present application. will be.
또한, 본원에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명을 설명했으므로 본 발명의 기술적인 난이도 측면을 고려할 때, 당분야에 통상적인 기술을 가진 사람이면 용이하게 본 발명에 대한 또 다른 실시예와 다른 변형을 가할 수 있으므로, 상술한 설명에서 사상을 인용한 실시예와 변형은 모두 본 발명의 청구 범위에 모두 귀속됨은 명백하다.In addition, since the present invention has been described through the preferred embodiment of the present invention, in view of the technical difficulty aspects of the present invention, those having ordinary skill in the art can easily be different from another embodiment of the present invention. Since modifications may be made, it is obvious that both the embodiments and modifications cited in the above description belong to the claims of the present invention.
이상에서 상세하게 설명한 바와 같이, 아연-카드뮴-델레늄(Zn-Cd-Te) 계열의단결정을 이용함에 있어서, ZnxCd1-xTe 단결정계 중 ZnTe와 CdTe의 혼합비 x에 따른 결정을 x=0.4∼1.0까지 변화시키면서 단결정을 성장시키어 전기-광학 센서로 이용하는 본 발명에 따른 아연-카드뮴-텔레늄계 결정을 이용한 전자파의 전기-광학 센서에 따르면, 아연-텔레늄 단결정 센서용 소자보다 단결정 성장에서 융점이 낮아 작업이 편리하고, 테라헤르쯔 전자파용 센서로 이용할 시에 약 1 피코세컨드(1 pico second)의 시간 분해능(temporal resolution)을 갖는 초고속 소자로 동작할 뿐만 아니라 DC에서 수 테라헤르쯔 정도의 초광역 밴드를 가지며 신호 대 잡음비가 대략 104이상인 초고감도의 광학적인 특성을 제공하는 이점이 있다.As described in detail above, in the case of using Zn-Cd-Te series single crystals, crystals according to the mixing ratio x of ZnTe and CdTe in Zn x Cd 1-x Te single crystal system x According to the electro-optical sensor of the electromagnetic wave using the zinc-cadmium-telenium-based crystal according to the present invention which grows a single crystal while varying from 0.4 to 1.0, the single crystal grows more than the element for the zinc-telenium single crystal sensor. It is easy to work with because it has a low melting point, and when used as a terahertz electromagnetic sensor, it operates not only as a high-speed device with a temporal resolution of about 1 pico second, but also as a few terahertz from DC. It has the advantage of providing ultra-high optical properties with an ultra-wide band and a signal-to-noise ratio of approximately 10 4 or more.
테라헤르쯔(THz)의 전자파는 물질에 대한 투과특성이 좋고, 또 저에너지 광파이므로 장차는 상자안의 물체 투시용으로 적합하여, 현재 사용되고 있는 엑스선 투시기를 전부 방사능 위험이 없는 안전한 테라헤르쯔(THz)파 투시기로 대체할 수 있는 효과가 있다. 이 경우, 2차원 영상을 얻을 수 있는 발명이 더 필요하며, 기계, 건축 및 토목 등의 분야에서 비파괴 검사용으로 응용할 수도 있다. 앞에서 설명한 바와 같이 생체 조직 및 물질의 분자 운동 분석 응용에 테라헤르쯔 전자파를 활용할 수도 있다. 서브피코 세컨드(subpico second)의 초고속 특성과 광대역 장파장(0.1∼7 테라헤르쯔) 특성을 이용한 수 Tbit/s 급의 대용량 신호 처리, 무선광 통신 및 컴퓨팅 등의 고속 테라헤르쯔(THz) 통신 응용이 가능할 것으로 예측된다.Since the THz electromagnetic waves have good transmission characteristics to materials and low energy light waves, the future is suitable for seeing objects in boxes, and all the X-ray projectors currently used are safe and safe THZ wave projectors without radioactive hazard. There is an effect that can be replaced with. In this case, an invention capable of obtaining a two-dimensional image is further needed, and may be applied for nondestructive inspection in fields such as machinery, construction, and civil engineering. As described above, terahertz electromagnetic waves may be used for molecular motion analysis applications of biological tissues and materials. It is possible to apply high speed terahertz (THz) communication applications such as high-capacity signal processing of several Tbit / s, wireless optical communication, and computing using the ultra-high speed characteristics of subpico second and broadband long wavelength (0.1-7 terahertz). Is expected.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019980054018A KR100329101B1 (en) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | Electro-optical Sensors for Electromagnetic Waves Using Zinc-Cadmium-Telenium Crystals |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019980054018A KR100329101B1 (en) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | Electro-optical Sensors for Electromagnetic Waves Using Zinc-Cadmium-Telenium Crystals |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000038880A KR20000038880A (en) | 2000-07-05 |
| KR100329101B1 true KR100329101B1 (en) | 2002-08-27 |
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ID=19562094
Family Applications (1)
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5528495A (en) * | 1993-09-01 | 1996-06-18 | Schlumberger Technology Corporation | Cadmium zinc telluride borehole detector |
-
1998
- 1998-12-09 KR KR1019980054018A patent/KR100329101B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5528495A (en) * | 1993-09-01 | 1996-06-18 | Schlumberger Technology Corporation | Cadmium zinc telluride borehole detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000038880A (en) | 2000-07-05 |
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