JPS6341483B2 - - Google Patents

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JPS6341483B2
JPS6341483B2 JP14998282A JP14998282A JPS6341483B2 JP S6341483 B2 JPS6341483 B2 JP S6341483B2 JP 14998282 A JP14998282 A JP 14998282A JP 14998282 A JP14998282 A JP 14998282A JP S6341483 B2 JPS6341483 B2 JP S6341483B2
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JP
Japan
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pattern
measured
light
shadow mask
face plate
Prior art date
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Application number
JP14998282A
Other languages
Japanese (ja)
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JPS5940105A (en
Inventor
Hidekazu Sekizawa
Akito Iwamoto
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP14998282A priority Critical patent/JPS5940105A/en
Priority to US06/523,768 priority patent/US4560280A/en
Priority to EP83304868A priority patent/EP0104762B1/en
Priority to DE8383304868T priority patent/DE3378785D1/en
Priority to DD83254396A priority patent/DD212581A5/en
Publication of JPS5940105A publication Critical patent/JPS5940105A/en
Publication of JPS6341483B2 publication Critical patent/JPS6341483B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 この発明は、ほぼ規則的に繰り返し配列される
パターンの寸法を測定するパターン測定装置に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical field to which the invention pertains] The present invention relates to a pattern measuring device that measures the dimensions of a pattern that is repeatedly arranged substantially regularly.

〔発明の技術的背景及びその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

「従来、パターンの寸法を測定する装置として
は、被測定パターンをレンズにして、CCD等の
撮像素子に結像し、光電変換しその電気信号より
測定するものがあつた。この装置では、被測定パ
ターン像を撮像素子に正確に結像しなければ測定
ができず、自動焦点合せ機構が必要であつた。自
動焦点合せ機構は、一般に複雑であり、装置の高
格化をもたらしていた。さらに、3次元的な曲面
上のパターンの測定では、焦点合せに時間がかか
るため、測定スピードがあげられなかつた。また
このような測定では、一点一点の測定であるの
で、パターンの端が不規則に乱れている場合に
は、多数点の測定を行い、その平均値を求める必
要があつた。したがつてこの場合には、さらに時
間が掛る等、多くの問題点があつた。
``Conventionally, as a device for measuring the dimensions of a pattern, there was one that used a lens to image the pattern to be measured, focused the image on an image sensor such as a CCD, photoelectrically converted it, and measured the electrical signal. Measurement cannot be performed unless an image of the measurement pattern is accurately formed on an image sensor, and an automatic focusing mechanism is required.Automatic focusing mechanisms are generally complex and lead to higher quality devices. Furthermore, when measuring a pattern on a three-dimensional curved surface, it takes time to focus, making it difficult to increase the measurement speed.Also, in such measurements, each point is measured point by point, so In the case where the temperature is irregularly disturbed, it is necessary to perform measurements at multiple points and find the average value.Therefore, in this case, there were many problems such as additional time required.

又、被測定パターンにレーザ光を照射し、その
透過光又は、反射光をレンズを用いてフーリエ変
換し、そのフーリエ変換パターンの特定周波数成
分の強度により、パターン幅を測定するパターン
計測装置(特願昭55−27321)がある。この装置
では被測定パターンに対して焦点合せの必要もな
く、また照射するレーザ光のビーム径内に含まれ
るパターンの全ての平均値がただちに求められる
等、多くの利点を有していた。しかし、スリガラ
スのような光学的に不均質な拡散板や、紙等の不
透明な物に印刷されたパターン等の測定では、フ
ーリエ変換パターンを求めるとS/Nが低く、測
定が不可能であつた。
In addition, a pattern measuring device (specially designed) that irradiates a pattern to be measured with a laser beam, performs Fourier transform on the transmitted light or reflected light using a lens, and measures the pattern width based on the intensity of a specific frequency component of the Fourier transformed pattern. (1973-27321). This device had many advantages, such as no need for focusing on the pattern to be measured, and the average value of all patterns included within the beam diameter of the irradiated laser light could be immediately determined. However, when measuring optically inhomogeneous diffusers such as ground glass or patterns printed on opaque materials such as paper, the S/N ratio is low when determining the Fourier transform pattern, making measurement impossible. Ta.

さらに被測定対象を、カラーブラウム管フエー
スプレート上のブラツクストライプ(東京芝浦電
気株式会社登録商標)パターンの測定に限れば、
細く絞つたレーザビーム光を、ブラツクストライ
プ上で走査しその透過光強度を検出器で検出し、
その信号の時間幅で測定する装置もある。(野中、
他、テレビジヨン学会誌34 No.2 pp.141〜146
(1980年))この装置では、ブラツクストライプ幅
に対して十分細くレーザビームを絞ることが困難
で、電気信号よりパターン幅を検出する時に誤差
が生じやすい欠点があつた。またレーザビームを
被測定パターン上で均一に絞るには、レーザ光を
走査する中心を、カラーブラウン管のフエースプ
レートの曲面の曲率中心の位置に正確にセツトし
なければならないと言う欠点もあつた。さらに、
この装置もまた、一点一点の測定であるのでブラ
ツクストライプパターンの基本パターンである直
線ストライプの端付近に生じている不期則な乱れ
があるパターンの測定には、多数点の測定後平均
化する必要があり、一個所の測定にも多くの時間
を必要とした。このように、この装置においても
多くの問題点があつた。
Furthermore, if the object to be measured is limited to the measurement of a black stripe (registered trademark of Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd.) pattern on a colored Braum tube face plate,
A narrowly focused laser beam is scanned over a black stripe, and a detector detects the intensity of the transmitted light.
There are also devices that measure the time width of the signal. (Nonaka,
Others, Journal of the Television Society 34 No. 2 pp.141-146
(1980)) This device had the disadvantage that it was difficult to focus the laser beam sufficiently narrowly relative to the black stripe width, and errors were likely to occur when detecting the pattern width from the electrical signal. Another drawback is that in order to focus the laser beam uniformly on the pattern to be measured, the center of scanning the laser beam must be precisely set at the center of curvature of the curved surface of the face plate of the color cathode ray tube. moreover,
This device also measures one point at a time, so when measuring irregular patterns that occur near the edges of straight stripes, which are the basic pattern of black stripe patterns, it is possible to measure by averaging after measuring multiple points. It took a lot of time to measure just one spot. As described above, this device also had many problems.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は上記の欠点を解消するためになされ
たもので、焦点合せを必要とせず、さらに測定部
分の平均パターンサイズを直接高速に測定するこ
とが出来、また拡散板等の乃至は光学的に不均一
な媒体や不透明な物に印刷されたパターンをも、
測定することが可能で高速かつ高精度な測定を可
能とするパターン測定装置を提供することを目的
とする。
This invention was made in order to eliminate the above-mentioned drawbacks, and it does not require focusing and can directly measure the average pattern size of the measurement area at high speed. Even patterns printed on non-uniform media or opaque objects,
It is an object of the present invention to provide a pattern measuring device that can perform measurements at high speed and with high precision.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この発明では、光束を、基準パターンに照射す
る。さらに、この基準パターンを透過等して、基
準パターン情報を担つた光を被測定パターンに照
射する。次に被測定パターンの後方に置かれた光
電変換素子で、この基準パターンと被測定パター
ンを通過した光量を電気信号に変える。このと
き、ガルバノミラーやレンズ等を用いて基準パタ
ーンに入射する光の角度のみを変化させる。する
と基準パターンの影は被測定パターン上を移動す
ることになる。したがつてこの基準パターンと被
測定パターンを通過した光量を光電変換した電気
信号は、基準パターンの影と被測定パターンとの
相関関数を現わした信号となる。
In this invention, a reference pattern is irradiated with a light beam. Furthermore, the pattern to be measured is irradiated with light that passes through this reference pattern and carries the reference pattern information. Next, a photoelectric conversion element placed behind the pattern to be measured converts the amount of light that has passed through the reference pattern and the pattern to be measured into an electrical signal. At this time, only the angle of the light incident on the reference pattern is changed using a galvanometer mirror, a lens, or the like. Then, the shadow of the reference pattern moves on the pattern to be measured. Therefore, an electric signal obtained by photoelectrically converting the amount of light that has passed through the reference pattern and the pattern to be measured becomes a signal representing a correlation function between the shadow of the reference pattern and the pattern to be measured.

そこで、この基準パターンの寸法が既知であ
り、かつ被測定パターンの形が未知である場合に
は、この電気信号の最大値と最小値とから被測定
パターンの寸法を求めることが可能である。すな
わち、この既知である基準パターンの影と、各寸
法の被測定パターンとの相関関数をあらかじめ計
算し、この数値と測定結果とを比較することによ
り、被測定物の寸法サイズを求めることが可能と
なる。
Therefore, if the dimensions of this reference pattern are known and the shape of the pattern to be measured is unknown, it is possible to determine the dimensions of the pattern to be measured from the maximum and minimum values of this electrical signal. In other words, by calculating in advance the correlation function between the shadow of this known reference pattern and the measured pattern of each dimension, and comparing this value with the measurement results, it is possible to determine the size of the measured object. becomes.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明では、基準パターンの影と被測定パター
ンとの相関で寸法サイズを求めている。また基準
パターンと被測定パターンとの距離がほぼ一定に
保たれた系では、この相関は一義的に決まる。し
たがつて基準パターンと被測定パターンとの距離
を一定に保ち、かつその透過光の全て、もしくは
一部を検出器で光電変換する系にあつては、照明
系の位置や検出器の位置にほとんど影響されるこ
となく測定が可能となる。すなわち、焦点合せの
必要のない測定が可能となる。そこで例えば、カ
ラーブラウン管のフエースプレートの内面に、パ
ターンニングされたブラツクストライプパターン
のように、三次元曲面上のパターンでも、基準パ
ターンをこの曲面に対して一定の距離に保たれる
物を選べば、なんら焦点合せを行わなくても測定
が可能となる。
In the present invention, the size is determined by the correlation between the shadow of the reference pattern and the pattern to be measured. Furthermore, in a system where the distance between the reference pattern and the pattern to be measured is kept substantially constant, this correlation is uniquely determined. Therefore, in a system where the distance between the reference pattern and the pattern to be measured is kept constant and all or part of the transmitted light is photoelectrically converted by the detector, the position of the illumination system and the position of the detector Measurements can be made with almost no influence. That is, measurement without the need for focusing becomes possible. For example, even if the pattern is on a three-dimensional curved surface, such as the black stripe pattern patterned on the inner surface of the face plate of a color cathode ray tube, it is best to choose a pattern that keeps the reference pattern at a constant distance from the curved surface. , measurements can be made without any focusing.

次に相関信号は、照明された領域内の全てのパ
ターンの平均値を求めているので、例えばパター
ンの端に不規則な乱れが生じていても、照明され
た領域内の正確なパターンの平均寸法を測定する
ことができる。
Next, the correlation signal calculates the average value of all patterns within the illuminated area, so even if there are irregular disturbances at the edge of the pattern, for example, the average value of the exact pattern within the illuminated area Dimensions can be measured.

また被測定パターンが拡散板や紙等の不透明な
物の上にパターンニングされていて、透過する光
が拡散する場合でも、本発明は基準パターンと被
測定パターンとの透過光量の最大値と最小値の比
のみで求めているので、なんら影響を受けること
なく測定することが可能となる。このように本発
明は多くの利点を持つた極めて実用性の高い測定
装置を構成することが可能となる。
Furthermore, even if the pattern to be measured is patterned on an opaque object such as a diffuser plate or paper, and the transmitted light is diffused, the present invention can measure the maximum and minimum amounts of transmitted light between the reference pattern and the pattern to be measured. Since it is determined only by the ratio of values, it is possible to measure without being influenced in any way. As described above, the present invention makes it possible to construct an extremely practical measuring device that has many advantages.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

次に、この発明の一実施例を図面に従つて説明
する。この実施例では、カラーブラウン管のフエ
スプレートの内面に形成されたブラケツトストラ
イプのパターンの測定を行うものである。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, a pattern of bracket stripes formed on the inner surface of the face plate of a color cathode ray tube is measured.

まず、この実施例をよりよく理解するためにブ
ラツクストライプについて簡単に説明する。通常
のカラーテレビジヨンでは、基本構造として、多
数の細孔(アパーチヤーと呼ばれる。)を持つた
マスク、すなわちシヤドウマスクとその個々のア
パーチヤーに対応して形成された3色けい光面を
有し、シヤドウマスクのアパーチヤーに入射する
3本の電子ビームのそれぞれの入射角度によつて
色選択を行う。この実施例では、シヤドウマスク
として、縦長方形状の穴を持つスロツトマスクを
用いる。
First, the black stripe will be briefly explained in order to better understand this embodiment. The basic structure of a normal color television is a mask with a large number of pores (called apertures), that is, a shadow mask, and three-color phosphorescent surfaces formed corresponding to the individual apertures. Color selection is performed depending on the incident angle of each of the three electron beams incident on the aperture. In this embodiment, a slot mask having vertical rectangular holes is used as the shadow mask.

このようなシヤドウマスクを被測定物であるカ
ラーブラウン管の画面となるフエースプレートに
装着する。フエースプレートの内面には、螢光体
細条が設けられ、各螢光体間に黒色光吸収体、す
なわち、ブラツクストライプが設けられている。
このとき、各螢光体細条の幅が等しくないと、色
バランスがくずれてしまう。
Such a shadow mask is attached to the face plate that becomes the screen of the color cathode ray tube that is the object to be measured. The inner surface of the faceplate is provided with phosphor strips, with a black light absorber or black stripe between each phosphor.
At this time, if the widths of the phosphor strips are not equal, the color balance will be disrupted.

このような被測定パターンであるフエースプレ
ートのパターン測定装置は、第1図に示されるよ
うに、コヒーレント光であるレーザー光を発する
レーザー光11と、このレーザー光源11からの
レーザー光のビーム径を一旦拡大させ、再び収束
させるコリメートレンズ12a,12bと、この
コリメートレンズ12a,12bからのレーザー
光の進行方向を変化させるガルバノミラー13
と、このガルバノミラー13からのレーザー光の
収束する位置がその前焦点位置であるレンズ14
と、このレンズ14からの平行線束が照射される
基準パターンとしてのシヤドウマスク15と、こ
のシヤドウマスク15が一体に取り付けられてい
るカラーブラウン管のフエスプレート16と、こ
のフエースプレート16を移動させる移動装置1
7と、フエースプレート16からの透過光を受光
し、電気信号に変換する検出器18と、この検出
器18からの電気信号を増幅する増幅器19と、
この増幅器19からのアナログ信号をデイジタル
信号に変換するA―D変換器20と、このA―D
変換器20からのデイジタル信号に後述する処理
を施す信号処理装置21と、この信号処理装置2
1での結果を可視化する表示装置22と、信号処
理装置21により制御されガルバノミラー13を
駆動させ、レーザー光の反射角度を変化させるド
ライブ回路23とから成る。
As shown in FIG. 1, a pattern measuring device for a face plate, which is a pattern to be measured, uses a laser beam 11 that emits a laser beam that is coherent light, and a beam diameter of the laser beam from this laser light source 11. Collimating lenses 12a and 12b that once expand and converge again, and a galvano mirror 13 that changes the traveling direction of the laser light from these collimating lenses 12a and 12b.
and a lens 14 whose front focal position is the position where the laser beam from the galvanometer mirror 13 converges.
, a shadow mask 15 as a reference pattern onto which the parallel beam from the lens 14 is irradiated, a face plate 16 of a color cathode ray tube to which this shadow mask 15 is integrally attached, and a moving device 1 for moving this face plate 16.
7, a detector 18 that receives transmitted light from the face plate 16 and converts it into an electrical signal, and an amplifier 19 that amplifies the electrical signal from the detector 18.
An A-D converter 20 that converts an analog signal from this amplifier 19 into a digital signal, and an A-D converter 20 that converts an analog signal from this amplifier 19 into a digital signal
A signal processing device 21 that performs processing to be described later on the digital signal from the converter 20, and this signal processing device 2.
1, and a drive circuit 23 that is controlled by a signal processing device 21 to drive the galvanometer mirror 13 and change the reflection angle of the laser beam.

この装置において、フエースプレート16内面
には、シヤドウマスク15のアパーチヤーのみを
介して、平行線束が照射される。すなわち、フエ
ースプレート16内面には、シヤドウマスク15
の影絵が投影される。
In this device, the inner surface of the face plate 16 is irradiated with a bundle of parallel rays only through the apertures of the shadow mask 15. That is, the shadow mask 15 is placed on the inner surface of the face plate 16.
A shadow picture of is projected.

この様子をこの発明の原理と共に説明する。 This situation will be explained together with the principle of this invention.

レーザー光源11から発したレーザー光は、コ
リメートレンズ12a,12b、ガルバノミラー
13、レンズ14を介して、基準パターンである
シヤドウマスク15上でガルバノミラー13の鏡
面がほぼ結像する。但し、厳密に結像関係にある
必要はない。レンズ14からの平行線束は、シヤ
ドウマスク15を通過し、ブラツクストライプが
形成されているフエースプレート16上に入射す
る。この時、フエースプレート16を通過した光
は、電気信号に変換される。この電気信号は、シ
ヤドウマスク15の影のパターンとブラツクスト
ライプとの相関信号である。
The laser beam emitted from the laser light source 11 passes through the collimating lenses 12a and 12b, the galvano mirror 13, and the lens 14, and the mirror surface of the galvano mirror 13 substantially forms an image on the shadow mask 15, which is a reference pattern. However, it is not necessary to have a strict imaging relationship. The parallel beam from the lens 14 passes through a shadow mask 15 and is incident on a face plate 16 on which a black stripe is formed. At this time, the light passing through the face plate 16 is converted into an electrical signal. This electrical signal is a correlation signal between the shadow pattern of the shadow mask 15 and the black stripe.

この状態で、ガルバノミラー13を振動させる
と、平行線束は、シヤドウマスク15への入射角
度が変化する。すると相関信号も変化し、この変
化から被測定パターンであるブラツクストライプ
の寸法を測定する。
When the galvanometer mirror 13 is vibrated in this state, the angle of incidence of the parallel beam onto the shadow mask 15 changes. Then, the correlation signal also changes, and from this change the dimension of the black stripe, which is the pattern to be measured, is measured.

更に、第2図を用いて詳説する。直径D=2乃
至3φである平行線束31が、開口ピツチ、すな
わち、スロツトの中心間隔p=750μmであるシヤ
ドウマスク15に入射する。螢光体細条の中心間
隔L=250μmである。説明の都合上平行線束31
は、シヤドウマスク15及びフエースプレート1
6に垂直に入射するものとする。
Further, a detailed explanation will be given using FIG. 2. A parallel beam bundle 31 having a diameter D=2 to 3φ is incident on a shadow mask 15 having an aperture pitch, that is, a slot center spacing p=750 μm. The center spacing of the phosphor strips L=250 μm. For convenience of explanation, parallel line bundle 31
is a shadow mask 15 and a face plate 1
It is assumed that the incident angle is perpendicular to 6.

この時、平行線束31は、シヤドウマスク15
のスロツトを通過した光束33のみが、フエース
プレート16の内面に入射する。入射先のうち、
ブラツクストライプ32に照射した光は、フエー
スプレート16を通過しない。ブラツクストライ
プ32の間に設けられた螢光体細条に照射した光
のみがフエースプレート16を通過し、検出器1
8に達する。又、フエースプレート16の内面に
は粗面である拡散面16aが設けられている。こ
の拡散面16aは、フエースプレート16の表面
から、内側が透けて見えないように設けられてい
る。視聴者にとつても内側が見えないことが好ま
しく、更に、光の拡散により発色状態が好ましい
ものとなる。又、この拡散面16aの粗面を利用
して、スラリー等がはがれにくいようにもなつて
いる。このような拡散面16aがあるため、コヒ
ーレント光を使い、フーリエ回折により測定を行
うことができない。この発明は、全体の説明から
もわかる通り、フーリエ回折を用いているのでは
なく、2つのパターンの相関関数を利用している
点が特徴である。
At this time, the parallel line bundle 31 is
Only the light beam 33 passing through the slot enters the inner surface of the face plate 16. Of the incident destinations,
The light irradiated onto the black stripe 32 does not pass through the face plate 16. Only the light irradiated onto the phosphor strips provided between the black stripes 32 passes through the face plate 16 and reaches the detector 1.
Reach 8. Further, the inner surface of the face plate 16 is provided with a rough diffusion surface 16a. The diffusion surface 16a is provided so that the inside cannot be seen through the surface of the face plate 16. It is preferable that the inside cannot be seen by the viewer, and furthermore, the coloring state becomes preferable due to the diffusion of light. Further, by utilizing the rough surface of the diffusion surface 16a, the slurry and the like are not easily peeled off. Because of the presence of such a diffusing surface 16a, measurement cannot be performed using coherent light using Fourier diffraction. As can be seen from the overall description, this invention is characterized in that it does not use Fourier diffraction but uses a correlation function between two patterns.

又、後述するようにこの実施例では、透過光量
の最大値及び最小値の比ので求めているので、拡
散面16aが存在するための影響を受けることな
く測定できる。
Further, as will be described later, in this embodiment, since the ratio of the maximum value and the minimum value of the amount of transmitted light is determined, the measurement can be performed without being influenced by the presence of the diffusing surface 16a.

さて、定性的に透過光量変化を説明すると、光
束33がブラツクストライプ32を避う時には、
最小となる。逆に、光束33が螢光体細条に入射
する時に最大となる。
Now, to qualitatively explain the change in the amount of transmitted light, when the luminous flux 33 avoids the black stripe 32,
Minimum. Conversely, it is at a maximum when the light flux 33 is incident on the phosphor strips.

更に、留意する点は、第2図にも示されるよう
に、1本の平行細束31はシヤドウマスク15の
複数のスロツト、フエースプレート16内面の複
数のブラツクストライプ32に対して、照射され
る点である。即ち、個別のブラツクストライプ3
2ではなく、複数のブラツクストライプ12に対
して、その平均値が測定されることになる。
Furthermore, it should be noted that, as shown in FIG. 2, one parallel thin bundle 31 irradiates a plurality of slots in the shadow mask 15 and a plurality of black stripes 32 on the inner surface of the face plate 16. It is. That is, individual black stripes 3
The average value will be measured for a plurality of black stripes 12 instead of two.

以上の点に留意しつつ、より解析的な議論を行
う。今、シヤドウマスク15の影、すなわち、シ
ヤドウマスク15のフレネル回析パターンをf
(x)とし、ブラツクストライプ32のパターン
をg(x)(光を透過する領域の分布を示す。)と
すれば、フエースプレート16を透過し、検出器
18に達する光量I(τ)は、 I(τ)=∫a -af(x−τ)g(x)dx ……(1) となる。但し、a=D/2(Dは、前述のように
シヤドウマスク15に入射する平行線束31の直
径である。)、τは第2図に示されるようにシヤド
ウマスク15に対し垂直方向から入射した平行線
束31によるフエースプレート16内面への投影
パターンとシヤドウマスク15に対し、その垂直
方向からθだけ傾いて入射した平行線束33によ
る投影パターンとの移動距離である。
Keeping the above points in mind, we will conduct a more analytical discussion. Now, the shadow of the shadow mask 15, that is, the Fresnel diffraction pattern of the shadow mask 15, is f
(x) and the pattern of the black stripe 32 is g(x) (indicating the distribution of the area through which light passes), then the amount of light I(τ) that passes through the face plate 16 and reaches the detector 18 is: I(τ)=∫ a -a f(x-τ)g(x)dx...(1). However, a=D/2 (D is the diameter of the parallel beam bundle 31 incident on the shadow mask 15 as described above), and τ is the diameter of the parallel beam bundle 31 incident on the shadow mask 15 from the perpendicular direction as shown in FIG. This is the distance traveled between the projection pattern of the beam 31 onto the inner surface of the face plate 16 and the projection pattern of the parallel beam 33 incident on the shadow mask 15 at an angle of θ from the perpendicular direction.

ここで、τは、シヤドウマスク15とフエース
プレート16の内面までの距離をqとすると、 τ=q tanθ ……(2) となる。以下の議論のために、シヤドウマスク1
5に対し、その法線方向から平行線束31が入射
した時の光量、I(o)によつて、I(τ)を規格
化し、この関数をφ(τ)とすると、 φ(τ)=I(τ)/I(o) ……(3) となる。更に、平行線束のビーム径Dがシヤドウ
マスク15のスロツトのピツチpより充分大きい
ので φ(τ)=∫p/2-p/2f(x−τ)g(x)dx/∫p
/2
-p/2f(x)g(x)dx……(4) となる。φ(τ)は、光量の比でもよいし、検出
器18からの出力信号の比でもよい。又、このφ
(τ)は、照明光のビームサイズ(直径)に依存
しない。
Here, τ is as follows, where q is the distance between the shadow mask 15 and the inner surface of the face plate 16. τ=q tan θ (2). For the following discussion, Shadow Mask 1
5, normalize I(τ) by I(o), the amount of light when the parallel ray bundle 31 is incident from the normal direction, and let this function be φ(τ), then φ(τ)= I(τ)/I(o)...(3). Furthermore, since the beam diameter D of the parallel beam bundle is sufficiently larger than the pitch p of the slot of the shadow mask 15, φ(τ)=∫ p/2 / -p/2 f(x-τ)g(x)dx/∫ p
/2
/ -p/2 f(x)g(x)dx...(4). φ(τ) may be a ratio of light amounts or a ratio of output signals from the detector 18. Also, this φ
(τ) does not depend on the beam size (diameter) of the illumination light.

次に、前述のように、ブラツクストライプ32
のパターンを表わすg(x)は、シヤドウマスク
15の開口ピツチpの3分の1の周期で、かつ、
0,1の2値関数である。これに対し、f(x)
は、前述のように、フレネル回析パターンであ
る。以上に留意し、(4)式を実際に計算してみる
と、第3図に示されるようになる。
Next, as mentioned above, the black stripe 32
g(x) representing the pattern has a period of one third of the opening pitch p of the shadow mask 15, and
It is a binary function of 0 and 1. On the other hand, f(x)
is a Fresnel diffraction pattern, as mentioned above. If we keep the above in mind and actually calculate equation (4), we will get the results shown in Figure 3.

定性的に検出器18からの出力は、ブラツクス
トライプ32の幅によつて左右されることは明ら
かである。例えば、第4図に示すようにシヤドウ
マスク15のスロツトを通過した平行線束33の
中央にフエースプレート16の内面のブラツクス
トライプ32が位置する時、検出器18からの出
力は最小になる。逆に、第5図に示されるよう
に、ブラツクストライプ32が塗布されていず螢
光体が塗布されている領域に、平行線束33の中
央が位置する時、検出器18からの出力は最大と
なる。すなわち、検出器18の出力の最大及び最
小値は、ブラツクストライプ32の中心位置と、
ブラツクストライプ32の間隔とに影響されるこ
とが、簡単な定性的議論から推察される。
It is clear that qualitatively the output from the detector 18 depends on the width of the black stripe 32. For example, as shown in FIG. 4, when the black stripe 32 on the inner surface of the face plate 16 is located at the center of the parallel beam 33 that has passed through the slot of the shadow mask 15, the output from the detector 18 is at a minimum. Conversely, as shown in FIG. 5, when the center of the parallel beam bundle 33 is located in an area where the black stripe 32 is not coated and the phosphor is coated, the output from the detector 18 is at its maximum. Become. That is, the maximum and minimum values of the output of the detector 18 are determined by the center position of the black stripe 32 and
It can be inferred from a simple qualitative discussion that this is influenced by the spacing of the black stripes 32.

これを定量的に扱う。フエースプレート16の
内面でのシヤドウマスク15のフレネル回析パタ
ーンは、解析的に非常に複雑であるが三角関数に
より非常によく近似できることがわかつた。例え
ば、第6図に示されるように、前述のqの値を適
当に設定したとき、実線61で示される波形とな
る。この波形を第6図に示される点線62で近似
したところ、この実施例では誤差が少ない。
We will treat this quantitatively. It has been found that although the Fresnel diffraction pattern of the shadow mask 15 on the inner surface of the face plate 16 is analytically very complex, it can be approximated very well by trigonometric functions. For example, as shown in FIG. 6, when the value of q mentioned above is set appropriately, a waveform shown by a solid line 61 is obtained. When this waveform is approximated by the dotted line 62 shown in FIG. 6, there is little error in this example.

そこで、フレネル回析パターンf(x)と三角
関数例えば1+cos axで近似する。更に、前述
のような位置関係にある時に(4)式を計算し、最大
値と最小値との比を実際に計算してみると、 Rαa/π・sinπ/2・B/αa+αa−B/2/α
a/2・sinπ/2・p/3−B/αa+p/3−B/2
……(5) となる。但し、aは、シヤドウマスク15の開口
サイズ、αは、フレネル回析パターンを三角関数
で近似したときの係数である。qが10mm前後のと
き、α=0.76程度において、フレネル回析パター
ンで計算したときと最も良く一致した。この三角
関数はフレネル回析パターンの1次成分とも考え
られる。
Therefore, the Fresnel diffraction pattern f(x) and a trigonometric function, for example, 1+cos ax, are approximated. Furthermore, when we calculate equation (4) when the positional relationship is as described above, and actually calculate the ratio between the maximum value and the minimum value, we get Rαa/π・sinπ/2・B/αa+αa−B/ 2/α
a/2・sinπ/2・p/3-B/αa+p/3-B/2
...(5) becomes. However, a is the aperture size of the shadow mask 15, and α is a coefficient when the Fresnel diffraction pattern is approximated by a trigonometric function. When q was around 10 mm, α=0.76 showed the best agreement with the calculation using the Fresnel diffraction pattern. This trigonometric function can also be considered as a first-order component of the Fresnel diffraction pattern.

通常、ブラツクストライプ32パターンの測定
に際しては、それ以前に、シヤドウマスク15の
検査が終了しており、シヤドウマスク15の関口
サイズaは既知である。従つて(5)式において、
α,a,p,は既知である。
Normally, before measuring the black stripe pattern 32, the inspection of the shadow mask 15 has been completed and the entrance size a of the shadow mask 15 is known. Therefore, in equation (5),
α, a, and p are known.

そこで、Bを独立変数とし、Rを図示すると第
7図のようになる。この図は、より有益な情報を
含んでいる。すなわち、φ(τ)の最大値及び最
小値の比であるRが求まると、第7図を用いてブ
ラツクストライプ32の幅Bが求まることにな
る。
Therefore, when B is taken as an independent variable and R is illustrated, it becomes as shown in FIG. 7. This diagram contains more useful information. That is, when R, which is the ratio of the maximum value and minimum value of φ(τ), is determined, the width B of the black stripe 32 can be determined using FIG.

以上がこの実施例の基本的態様である。更に第
1図に示されるガルバノミラー13を微小回転さ
せると、第2図に示されるように、平行線束のシ
ヤドウマスク15への入射角度が変化し、シヤド
ウマスク15の法線方向からθだけ傾いた方向に
平行線束33が移動する。これにつれて、シヤド
ウマスク15の回析パターンも移動していく。す
ると検出器18に達する光量も変化し、第3図に
示されるようにτの増大方向に沿つて検出器18
の出力波形も変化する。
The above is the basic aspect of this embodiment. Furthermore, when the galvanometer mirror 13 shown in FIG. 1 is slightly rotated, the angle of incidence of the parallel beam onto the shadow mask 15 changes, as shown in FIG. The parallel line bundle 33 moves. Along with this, the diffraction pattern of the shadow mask 15 also moves. Then, the amount of light reaching the detector 18 also changes, and as shown in FIG.
The output waveform of will also change.

この時の最初の3組の最大値及び最小値から
赤、緑、青の螢光体細条を任切つているブラツク
ストライプ32の幅を与えられる。例えば、点7
1での値I1と点72での値I2との比から赤に対応
するブラツクストライプ32の幅が点73での値
I3と点74での値I4との比から、緑に対応するブ
ラツクストライプ32の幅が、点75での値I5
点76での値I6との比から青に対応するブラツク
ストライプ32の幅がそれぞれ求まる。ここで、
どのブラツクストライプ32に対応するかは、フ
エースプレート16内面に、螢光体細条及びブラ
ツクストライプ32を形成時にわかる。
The first three sets of maximum and minimum values then give the width of the black stripe 32, which contains the red, green and blue phosphor strips. For example, point 7
From the ratio of the value I 1 at point 1 and the value I 2 at point 72, the width of the black stripe 32 corresponding to red is the value at point 73.
The width of the black stripe 32 corresponding to green is calculated from the ratio of I 3 to the value I 4 at point 74, and the width of the black stripe 32 corresponding to blue is calculated from the ratio of the value I 5 at point 75 to the value I 6 at point 76. The width of each stripe 32 is determined. here,
Which black stripe 32 corresponds to can be determined when forming the phosphor stripes and the black stripe 32 on the inner surface of the face plate 16.

更に、シヤドウマスク15の回析パターンの移
動量τは、(2)式によつて、平行線束のシヤドウマ
スク15への入射角θで表わされる。従つて、第
3図に示されるφ(τ)は、θで表現され、φ
(θ)となる。
Furthermore, the amount of movement τ of the diffraction pattern of the shadow mask 15 is expressed by the incident angle θ of the parallel ray bundle onto the shadow mask 15 according to equation (2). Therefore, φ(τ) shown in FIG. 3 is expressed as θ, and φ
(θ).

このようにφ(θ)と表わされることから、後
述するように、信号処理装置21、ドライブ回路
23によつてガルバノミラー13の角度を指定す
ることにより、測定量がどのブラツクストライプ
32に対応しているかがわかる。
Since it is expressed as φ(θ) in this way, as will be described later, by specifying the angle of the galvano mirror 13 using the signal processing device 21 and the drive circuit 23, it is possible to determine which black stripe 32 the measured amount corresponds to. I can see what is going on.

以上この実施例での測定原理について説明した
が、次に、これを実現する構成について詳述す
る。第1図に示されるように、フエースプレート
16からの光は、検出器18、増幅器19、A―
D変換器20を介してデイジタル信号として信号
処理装置21に取り入れられる。
The measurement principle in this embodiment has been explained above, and next, the configuration for realizing this will be explained in detail. As shown in FIG. 1, the light from the face plate 16 is transmitted to a detector 18, an amplifier 19,
The signal is input to the signal processing device 21 as a digital signal via the D converter 20.

信号処理装置21は、基本的にCPU(Central
processing unit)とROM(Read only memory)
とから成る。cpuの機能は、A―D変換器20か
ら信号が入力する度に最大値及び最小値の検出を
行う機能と、この最大値及び最小値との検出が終
了する度にドライブ回路23を介してガルバノミ
ラー13の角度を変化させる機能と、この最大値
及び最小値との検出が終了する度にドライブ回路
23を介して、ガルバノミラー13の角度を変化
させる機能と、この角度変化がシヤドウマスク1
5の開口ピツチpの3分の1に達した後、この区
間での最大値及び最小値の比をとる機能と、この
比を用いてROMのアドレス指定を行う機能と、
このROM内のアドレス指定された番地に収納さ
れているデータを取り出し表示装置22に送出す
る機能と及び移動装置17を制御する機能とを有
する。
The signal processing device 21 is basically a CPU (Central
processing unit) and ROM (Read only memory)
It consists of The functions of the CPU are to detect the maximum and minimum values each time a signal is input from the A-D converter 20, and to detect the maximum and minimum values through the drive circuit 23 each time the detection of the maximum and minimum values is completed. The function of changing the angle of the galvano mirror 13, the function of changing the angle of the galvano mirror 13 via the drive circuit 23 every time the detection of the maximum value and minimum value is completed, and the function of changing the angle of the galvano mirror 13 through the drive circuit 23.
After reaching one-third of the aperture pitch p of No. 5, the ratio of the maximum value and minimum value in this section is calculated, and the ROM address is specified using this ratio.
It has a function of extracting data stored at a designated address in this ROM and sending it to the display device 22, and a function of controlling the mobile device 17.

ここで、ROMには、第7図に示されるR―B
曲線が記憶されている。但し、アドレス指定は前
述のように、最大値及び最小値との比Rによつて
行う。
Here, the ROM contains R-B shown in FIG.
The curve is memorized. However, as described above, address specification is performed by the ratio R between the maximum value and the minimum value.

又、ガルバノミラー13の角度がわかると、シ
ヤドウマスク15への平行線束の入射角度が指定
される。すると前述のように、どのブラツクスト
ライプ32に相当するかがわかる。
Furthermore, when the angle of the galvano mirror 13 is known, the angle of incidence of the parallel beam onto the shadow mask 15 is specified. Then, as described above, it is possible to know which black stripe 32 corresponds to.

移動装置17は、シヤドウマスク15が取り付
けられているフエースプレート16を移動させ、
測定位置を変化させる。通常、測定はフエースプ
レート16の内面全体に対して行う必要はなく、
10点程度で充分である。この移動装置17も、そ
の程度の数の位置設定を行う能力があればよい。
The moving device 17 moves the face plate 16 to which the shadow mask 15 is attached,
Change the measurement position. Normally, it is not necessary to measure the entire inner surface of the face plate 16;
Around 10 points is sufficient. This moving device 17 also only needs to have the ability to set a similar number of positions.

従つて、移動装置17及びドライブ回路23の
制御をCPUが行うことによつて、表示装置22
には、単にブラツクストライプ32の幅という情
報のみではなく測定位置及びブラツクストライプ
32の種類までを与えることができ、これらを表
示できる。
Therefore, by controlling the moving device 17 and the drive circuit 23 by the CPU, the display device 22
In addition to the information on the width of the black stripe 32, the measurement position and the type of the black stripe 32 can be given and displayed.

又、この実施例では、レーザー光を使用してい
るので、検出器18に入射する光量が多いため外
光に対して強い。さらに外光に対して安定に動作
させるには、第1図において検出器18の前面に
レーザー光のみを通過させる色素フイルタ又は干
渉フイルタを使用すれば良い。第1図において、
レーザー光源11のかわりに白色電球等のインコ
ヒーレントな光源を用いても同様に測定ができ
る。
Furthermore, since this embodiment uses laser light, the amount of light that enters the detector 18 is large, making it resistant to external light. Furthermore, in order to operate stably against external light, a dye filter or an interference filter that allows only laser light to pass may be used in front of the detector 18 in FIG. 1. In Figure 1,
Similar measurements can be made using an incoherent light source such as a white light bulb instead of the laser light source 11.

又、シヤドウマスク15に入射する光束は完全
に平行でなくともよい。
Furthermore, the light beams incident on the shadow mask 15 do not have to be completely parallel.

〔発明の他の実施例〕[Other embodiments of the invention]

第8図は本発明の他の実施例である。基本的に
は第1図の実施例と同様であるが、この実施例で
は、同一のブラウン管フエースプレートにあつて
は被測定物を固定したままで、被測定物であるブ
ラウン管フエースプレートの全面の測定を可能と
したものである。すなわち、ブラウン管フエース
プレートの曲面の曲率中心近くに、偏向用ガルバ
ノミラー13aを配置し、さらにこのガルバノミ
ラー13aをモータ81で回転させ、2次元走査
を可能としたものである。23aはガルバノミラ
ー13aおよびモータ81を信号処理装置21の
信号で制御するドライブ回路である。次に光の検
出は、フレネルレンズ等の集光器82により検出
器18に光を集める。このとき外光も集光される
可能性があるため、干渉フイルタ83を用いてレ
ーザー光のみを受光している。このようにしてレ
ーザー光をガルバノミラー13aで走査すること
により、被測定物を固定したままで全面の測定が
可能となる。なお他の動作は第1図の実施例と同
様である。
FIG. 8 shows another embodiment of the present invention. The embodiment is basically the same as the embodiment shown in FIG. 1, but in this embodiment, the object to be measured remains fixed on the same cathode ray tube face plate, and This made measurement possible. That is, a deflecting galvano mirror 13a is arranged near the center of curvature of the curved surface of the cathode ray tube face plate, and this galvano mirror 13a is further rotated by a motor 81 to enable two-dimensional scanning. 23a is a drive circuit that controls the galvanometer mirror 13a and the motor 81 using signals from the signal processing device 21. Next, for light detection, light is collected onto the detector 18 using a condenser 82 such as a Fresnel lens. At this time, since there is a possibility that external light is also collected, the interference filter 83 is used to receive only the laser light. By scanning the laser beam with the galvanometer mirror 13a in this manner, it is possible to measure the entire surface of the object while keeping it fixed. The other operations are similar to the embodiment shown in FIG.

〔発明の他の実施例〕[Other embodiments of the invention]

第9図は本発明の他の実施例である。この実施
例も第1図の実施例と本質的には同じであるが、
シヤドウマスクに入射する光の方向を変える手段
として多数の光源を使用している点が異なる。す
なわち光源として例えばLEDや半導体レーザ等
を用いて第9図に示されるように光源91,9
2,93を配置し、それぞれを切替えてドライブ
する切替ドライブ回路94を用いて発光させるこ
とにより、シヤドウマスクに入射する光の方向を
変化させる。このようにすることにより極めて高
速で測定することが可能となる。他は第1図の実
施例と全く同様である。ここで発光素子の配列を
一次元ではなく、第10図のように配列した場合
には、ブラツクストライプではなく、ブラツクマ
トリツクスの開口径を測定することも可能とな
る。なお光源の数を3ではなく、多数用いた方が
光源とシヤドウマスクとの相対角度ずれに対して
安定した測定が可能となる。また第9図で光源を
移動させて測定しても良い。さらには光源を移動
させる代りに光フアイバーを用いて、光フアイバ
ーを用いて、光フアイバーを移動させても同様に
測定することができる。
FIG. 9 shows another embodiment of the present invention. This embodiment is also essentially the same as the embodiment shown in FIG.
The difference is that multiple light sources are used as a means to change the direction of light incident on the shadow mask. That is, as a light source, for example, an LED or a semiconductor laser is used as the light source 91, 9 as shown in FIG.
The direction of light incident on the shadow mask is changed by arranging 2 and 93 and causing them to emit light using a switching drive circuit 94 that switches and drives each of them. By doing so, it becomes possible to perform measurements at extremely high speed. The rest is exactly the same as the embodiment shown in FIG. If the light emitting elements are arranged not one-dimensionally but as shown in FIG. 10, it becomes possible to measure the aperture diameter of the black matrix instead of the black stripe. Note that using a large number of light sources instead of three allows for more stable measurement with respect to the relative angular deviation between the light source and the shadow mask. Alternatively, the measurement may be performed by moving the light source in FIG. Furthermore, instead of moving the light source, an optical fiber can be used, and measurement can be made in the same way by moving the optical fiber.

以上いくつかの実施例では被測定物の一例とし
てカラーブラウン管の内面にパターンニングされ
たブラツクストライプの幅測定の場合について述
べたが、これに限定されるものではない。例え
ば、セラミツク基板に印刷されたパターンの測定
等においても基準パターンを用意すれば、本実施
例と同様に測定することが可能となる。又、ブラ
ツクストライプのピツチも測定することは可能と
なる。
In the above embodiments, the width of a black stripe patterned on the inner surface of a color cathode ray tube was measured as an example of the object to be measured, but the present invention is not limited to this. For example, when measuring a pattern printed on a ceramic substrate, if a reference pattern is prepared, it becomes possible to perform the same measurement as in this embodiment. It is also possible to measure the pitch of black stripes.

又、この発明では、基準パターンと被測定パタ
ーンとの重畳信号が必要なのであるから、被測定
パターンを通過した光ばかりでなく、反射光でも
よいことは当然である。このように、この発明の
趣旨を逸脱しない限りどのような変形をもこの発
明に含まれるのは当然である。
Further, since the present invention requires a superimposed signal of the reference pattern and the pattern to be measured, it is natural that not only the light passing through the pattern to be measured but also the reflected light may be used. As described above, it is natural that any modifications are included in the present invention as long as they do not depart from the spirit of the invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図乃至第7図は、一実施例を示し、第1図
は、その全体の構成を示す図、第2図乃至第7図
は、この実施例での測定原理を説明するための
図、第8図乃至第10図は、他の実施例を示す図
である。 11……レーザー光源、13……ガルバノミラ
ー、14……レンズ、15……シヤドウマスク、
16……フエースプレート、18……検出器、2
1……信号処理装置。
FIGS. 1 to 7 show one embodiment, FIG. 1 is a diagram showing the overall configuration, and FIGS. 2 to 7 are diagrams for explaining the measurement principle in this embodiment. , FIG. 8 to FIG. 10 are diagrams showing other embodiments. 11... Laser light source, 13... Galvanometer mirror, 14... Lens, 15... Shadow mask,
16... Face plate, 18... Detector, 2
1...Signal processing device.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 被測定パターンの上に所定距離離れて基準パ
ターンが備えられている被測定物の前記被測定パ
ターンの寸法を測定する装置において、前記基準
及び被測定パターンに光を照射する光源と、前記
基準パターンに照射させる前記光の入射角度を変
化させる光学部と、前記基準パターンを介し前記
被測定パターンを透過した光の光量を電気信号に
変換する光検出部と、この光検出部で得られた電
気信号の最大値及び最小値を用いて前記被測定パ
ターンの寸法を算出する信号処理部とを備えたこ
とを特徴とするパターン測定装置。
1. In an apparatus for measuring the dimensions of a pattern to be measured of an object to be measured, in which a reference pattern is provided at a predetermined distance above the pattern to be measured, a light source that irradiates light to the reference and the pattern to be measured; an optical section that changes the incident angle of the light irradiated onto the pattern; a photodetection section that converts the amount of light that has passed through the pattern to be measured via the reference pattern into an electrical signal; A pattern measuring device comprising: a signal processing section that calculates dimensions of the pattern to be measured using maximum and minimum values of electrical signals.
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